JP7150935B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置に関するものである。

情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。これにより、最近では液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Display）などの様々な表示装置が活用されている。

表示装置のうち、有機発光表示装置は自己発光型であって、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べて視野角、コントラスト比などに優れていて、別個のバックライトを必要としないので軽量薄型化が可能であり、消費電力において有利であるという長所がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安いという長所がある。

しかし、有機発光表示装置は、画素それぞれに有機発光素子を含むため、有機発光素子は、外部の水分や酸素のような外的要因によって容易に劣化が起こるという欠点がある。これを防止するために、有機発光表示装置は、外部の水分や酸素が有機発光素子に浸透しないように封止膜を形成する。

封止膜は、少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことにより、有機発光層および電極に酸素または水分が浸透することを防止する。ここで、少なくとも一つの有機膜は、一般的にポリマー（polymer）で構成され、液状の形態で基板上に塗布した後、硬化工程を経て形成される。このような有機膜は、硬化工程まで流動性を有しているので封止膜を形成しようとする領域の外に溢れる場合が発生することがある。これらの問題点を解決するために、最近では、有機発光素子の外郭に沿って有機膜の流れを遮断するダムを形成している。

一方、このようにダムを形成する場合には、有機発光表示装置は、ダムによって段差が発生して蒸着する表面が平坦でなくなり、これにより、ダム上に他の層を蒸着する場合、以下のような問題点が発生する可能性を有している。

ダム上に金属パターンを、フォトレジストパターンを利用した工程を経て形成する場合、金属パターンが除去されるべき領域の金属が適切に除去されずに残膜として残るという問題がある。

本発明は、金属パターンの形成時に残膜が発生することを防止することができる表示装置を提供することを技術的課題とする。

本発明の一実施例に係る表示装置は、画素が配置された表示領域、および表示領域を囲んでパッドが配置された非表示領域を含む基板、表示領域とパッド間に配置されたダム、表示領域に配置された画素及びダムを覆う封止膜、非表示領域から封止膜上にパターン形成された第１金属パターン、第１金属パターンと封止膜を覆う絶縁層、および非表示領域から絶縁層上にパターン形成された第２金属パターンを含む。第１金属パターンは、ダムが形成されたダム領域に形成されず、第２金属パターンは、ダム領域上に形成され、絶縁層を貫通するコンタクトホールを通じて第１金属パターンと接続することを特徴とする。

本発明の実施例は、封止層上にタッチセンシング層を直接形成することにより、第１基板と第２基板との接合時に整列する必要がない。

また、本発明の実施例は、第１金属パターンをダム領域に形成しないので、第１金属パターンの形成時に残膜が残ることを防止することができる。

また、本発明の実施例は、第１金属パターン上に表示領域はもちろん、ダム領域まで覆う絶縁層を十分な厚さに形成することにより、ダムによる段差を緩和することができる。これにより、本発明の実施例は、ダム上に第２金属パターン、例えば、第１タッチラインまたは第２タッチライン形成時に残膜が残ることを防止することができる。

また、本発明の実施例は、非表示領域に第１タッチラインまたは第２タッチラインと重畳するよう補助ラインを形成し、第１タッチラインまたは第２タッチラインを補助ラインに接続させることで、第１タッチラインまたは第２タッチラインの抵抗を減少させることができる。

また、本発明の実施例は、補助ラインをブリッジ電極、第１タッチ電極または第２タッチ電極と同じ層に同じ物質で形成することができ、これにより、別途の追加工程なしに補助ラインを形成することができる。

図１は、本発明の一実施例に係る表示装置を示す斜視図である。 図２は、本発明の一実施例に係る表示装置を示すブロック図である。 図３は、図１の表示パネルの一側を概略的に示す断面図である。 図４は、本発明の一実施例による第１基板を概略的に示す平面図である。 図５は、図４の第１基板に配置されたタッチセンシング層の一例を示す平面図である。 図６は、図５のＩ－Ｉ‘の第１実施例を示す断面図である。 図７は、図５のＩ－Ｉ‘の第２実施例を示す断面図である。 図８は、図５のＩ－Ｉ‘の第３実施例を示す断面図である。 図９は、図５のＩ－Ｉ‘の第４実施例を示す断面図である。 図１０は、図４の第１基板に配置されたタッチセンシング層の他の例を示す平面図である。 図１１は、図１０のＩＩ－ＩＩ‘の一例を示す断面図である。 図１２は、図１０のＩＩＩ－ＩＩＩ‘の一例を示す断面図である。 図１３は、本発明の他の実施例による第１基板を概略的に示す平面図である。 図１４は、図５のＩ－Ｉ‘の第１実施例でダムを複数形成した例を示す断面図である。

本発明の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図と共に詳細に後述する実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。

本発明の実施例を説明するために図で開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示された事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指すことができる。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明は省略する。

本明細書で言及した「備える」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「～だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現する場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。

構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。

位置関係の説明である場合には、例えば、「～上に」、「～の上部に」、「～の下部に」、「～の隣に」など2つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、二つの部分の間に1つ以上の他の部分が位置することもできる。

時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「～の後」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで時間的前後関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続していない場合も含むことができる。

第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。

「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」および「Ｚ軸方向」は、 互いの関係が垂直方向に成り立った幾何学的な関係だけで解釈されてはならず、本発明の構成は、機能的に作用することができる範囲内より広い方向性を有することを意味することができる。

「少なくとも一つ」の用語は、一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。たとえば、「第１項目、第２項目及び第３項目のうち少なくとも一つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれのみならず、第１項目、第２項目及び第３項目の中で２つ以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味する。

本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に様々な連動と駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり、連関関係で一緒に実施することもできる。

以下、添付した図を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明することにする。

図１は、本発明の一実施例に係る表示装置を示す斜視図である。図２は、本発明の一実施例に係る表示装置を示すブロック図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置は、表示パネル１１０、スキャン駆動部１２０、データ駆動部１３０、タイミングコントローラー１６０、ホストシステム１７０、タッチ駆動部１８０、およびタッチ座標算出部１９０を含む。

本発明の実施例に係るタッチスクリーン一体型表示装置は、液晶表示装置（Liquid Crystal Display、ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Field Emission Display：ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（Plasma Display Panel、ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display、ＯＬＥＤ）、電気泳動表示装置（Electrophoresis、ＥＰＤ）などの平板表示装置に具現することができる。以下の実施例では、本発明の実施例に係るタッチスクリーン一体型表示装置が有機発光表示装置に具現されたものを中心に説明するが、これに限定されないことに注意しなければならない。

表示パネル１１０は、画素（Ｐ）が備えられて画像を表示する領域である表示領域を含む。表示パネル１１０には、データライン（Ｄ１～Ｄｍ、ｍは２以上の正の整数）とスキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ、ｎは２以上の正の整数）が形成される。データライン（Ｄ１～Ｄｍ）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と交差するように形成することができる。画素（Ｐ）は、スキャンラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に形成され得る。

表示パネル１１０の画素（Ｐ）それぞれは、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）のいずれか一つとスキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）のいずれか一つに接続することができる。表示パネル１１０の画素（Ｐ）それぞれは、ゲート電極に印加されたデータ電圧によってドレイン・ソース間電流を調整する駆動トランジスタ（transistor）、スキャンラインのスキャン信号によってターンオンされ、データラインのデータ電圧を駆動トランジスタのゲート電極に供給するスキャントランジスタ、駆動トランジスタのドレイン・ソース間電流によって発光する有機発光ダイオード（organic light emitting diode）、及び前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧を貯蔵するためのコンデンサ（capacitor）を含むことができる。これにより、画素（Ｐ）それぞれは、有機発光ダイオードに供給される電流によって発光することができる。

スキャン駆動部１２０は、タイミングコントローラー１６０からスキャン制御信号（ＧＣＳ）が入力する。スキャン駆動部１２０は、スキャン制御信号（ＧＣＳ）によってスキャン信号をスキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）に供給する。

スキャン駆動部１２０は、表示パネル１１０の表示領域の一側または両方の外側の非表示領域にＧＩＰ（gate driver in panel）方式で形成することができる。または、スキャン駆動部１２０は、駆動チップに製作して軟性フィルムに実装してＴＡＢ（tape automated bonding）方式で表示パネル１１０の表示領域の一側または両方の外側の非表示領域に付着することもできる。

データ駆動部１３０は、タイミングコントローラー１６０からのデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とデータ制御信号（ＤＣＳ）が入力する。データ駆動部１３０は、データ制御信号（ＤＣＳ）によって、デジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）をアナログ正極性/負極性データ電圧に変換してデータラインに供給する。つまり、スキャン駆動部１２０のスキャン信号によってデータ電圧が供給される画素が選択され、選択された画素にデータ電圧が供給される。

データ駆動部１３０は、図１のように、複数のソースドライブＩＣ１３１を含むことができる。複数のソースドライブＩＣ１３１のそれぞれは、ＣＯＦ（chip on film）またはＣＯＰ（chip on plastic）方式で軟性フィルム１４０に実装することができる。軟性フィルム１４０は、異方性導電フィルム（antisotropic conducting film）を利用して、表示パネル１１０の非表示領域に設けられたパッド上に付着され、これにより、複数のソースドライブＩＣ１３１は、パッドに接続ことができる。

回路基板１５０は、軟性フィルム１４０に付着することができる。回路基板１５０は、駆動チップに具現された多数の回路を実装することができる。例えば、回路基板１５０には、タイミングコントローラー１６０を実装することができる。回路基板１５０は、プリント回路基板（printed circuit board）またはフレキシブルプリント回路基板（flexible printed circuit board）であり得る。

タイミングコントローラー１６０は、ホストシステム１７０からのデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とタイミング信号が入力する。タイミング信号は、垂直同期信号（vertical synchronization signal）、水平同期信号（horizontal synchronization signal）、データイネーブル信号（data enable signal）、ドットクロック（dot clock）などを含むことができる。垂直同期信号は、１フレーム期間を定義する信号である。水平同期信号は、表示パネル（ＤＩＳ）の１水平ラインの画素にデータ電圧を供給するのに必要な１水平期間を定義する信号である。データイネーブル信号は、有効なデータが入力される期間を定義する信号である。ドットクロックは、所定の短い周期で繰り返される信号である。

タイミングコントローラー１６０は、スキャン駆動部１２０とデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するために、タイミング信号に基づいて、データ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号（ＤＣＳ）とスキャン駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのスキャン制御信号（ＧＣＳ）を発生する。タイミングコントローラー１６０は、スキャン駆動部１２０にスキャン制御信号（ＧＣＳ）を出力し、データ駆動部１３０にデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とデータ制御信号（ＤＣＳ）を出力する。

ホストシステム１７０は、ナビゲーションシステム、セットトップボックス、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ホームシアターシステム、放送受信機、電話システム（Phone system）などで具現することができる。ホストシステム１７０は、スケーラー（scaler）を内蔵したＳｏＣ（System on chip）を含む入力映像のデジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）を表示パネル１１０に表示するのに適した形式に変換する。ホストシステム１７０は、デジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とタイミング信号をタイミングコントローラー１６０に伝送する。

表示パネル１１０には、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）とスキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）に加えて、第１及び第２タッチ電極を形成することができる。第１タッチ電極は、第２タッチ電極と交差するように形成することができる。第１タッチ電極は、第１タッチライン（Ｔ１～Ｔｊ、ｊは２以上の正の整数）を通じて、第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。第２タッチ電極は、第２タッチライン（Ｒ１～Ｒｉ、ｉは２以上の正の整数）を通じて第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。第１タッチ電極と第２タッチ電極の交差部のそれぞれには、タッチセンサーを形成することができる。本発明の実施例では、タッチセンサーが相互容量（mutual capacitance）で具現された例を示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。第１及び第２タッチ電極の詳細な説明は、図５と結びつけて後述する。

タッチ駆動部１８０は、第１タッチライン（Ｔ１～Ｔｊ）を通じて、第１タッチ電極に駆動パルスを供給し、第２タッチライン（Ｒ１～Ｒｉ）を通じてタッチセンサーのそれぞれの占める変化量をセンシングする。すなわち、図２では、第１タッチライン（Ｔ１～Ｔｊ）が駆動パルスを供給するＴｘラインで、第２タッチライン（Ｒ１～Ｒｉ）がタッチセンサそれぞれの占める変化量をセンシングするＲｘラインであること中心に説明した。

タッチ駆動部１８０は、第１タッチ駆動部１８１、第２タッチ駆動部１８２、およびタッチコントローラー１８３を含む。第１タッチ駆動部１８１、第２タッチ駆動部１８２、およびタッチコントローラー１８３は、一つのＲＯＩＣ（Read-out IC）内に集積することができる。

第１タッチ駆動部１８１は、タッチコントローラー１８３の制御下に駆動パルスを出力する第１タッチラインを選択して、選択した第１タッチラインに駆動パルスを供給する。例えば、第１タッチ駆動部１８１は、第１タッチライン（Ｔ１～Ｔｊ）に順次駆動パルスを供給することができる。

第２タッチ駆動部１８２は、タッチコントローラー１８３の制御下にタッチセンサーの占める変化量を受信する第２タッチラインを選択して、選択された第２タッチラインを通じてタッチセンサーの占める変化量を受信する。第２タッチ駆動部１８２は、第２タッチライン（Ｒ１～Ｒｉ）を通じて受信したタッチセンサーの占める変化量をサンプリングしてデジタルデータであるタッチローデータ（touch raw data、ＴＲＤ）に変換する。

タッチコントローラー１８３は、第１タッチ駆動部１８１で駆動パルスが出力される第１タッチラインを設定するためのＴｘセットアップ信号と、第２タッチ駆動部１８２でタッチセンサー電圧を受信する第２タッチラインを設定するためのＲｘセットアップ信号を発生することができる。また、タッチコントローラー１８３は、第１タッチ駆動部１８１と第２タッチ駆動部１８２の動作タイミングを制御するためのタイミング制御信号を発生する。

タッチ座標算出部１９０は、タッチ駆動部１８０からのタッチローデータ（ＴＲＤ）を入力する。タッチ座標算出部１９０は、タッチ座標の算出方法によって、タッチ座標を算出し、タッチ座標の情報を含むタッチ座標データ（ＨＩＤｘｙ）をホストシステム１７０に出力する。

タッチ座標算出部１９０は、ＭＣＵ（Micro Controller Unit、ＭＣＵ）に具現することができる。ホストシステム１７０は、タッチ座標算出部１９０から入力されるタッチ座標データ（ＨＩＤｘｙ）を分析して、使用者によってタッチが発生した座標と連携したアプリケーション（application program）を実行する。ホストシステム１７０は、実行されたアプリケーションによって、デジタルビデオデータ（ＤＡＴＡ）とタイミング信号をタイミングコントローラー１６０に伝送する。

タッチ駆動部１８０は、ソースドライブＩＣ１３１に含まれるか、または別個の駆動チップに製作して回路基板１５０上に実装することができる。また、タッチ座標算出部１９０は、駆動チップに製作して回路基板１５０上に実装することができる。

図３は図１の表示パネルの一側を概略的に示す断面図である。

図３を参照すると、表示パネル１１０は、第１基板１１１、第２基板１１２、第１基板１１１及び第２基板１１２の間に配置された薄膜トランジスタ層１０、有機発光素子層２０、封止層３０、およびタッチセンシング層４０を含むことができる。

第１基板１１１は、プラスチックフィルムまたはガラス基板であり得る。

第１基板１１１上には、薄膜トランジスタ層１０が形成される。薄膜トランジスタ層１０は、スキャンライン、データライン、及び薄膜トランジスタを含むことができる。薄膜トランジスタの各々は、ゲート電極、半導体層、ソースおよびドレイン電極を含む。スキャン駆動部がＧＩＰ（gate driver in panel）方式で形成される場合には、スキャン駆動部は、薄膜トランジスタ層１０と一緒に形成することができる。

薄膜トランジスタ層１０上には、有機発光素子層２０が形成される。有機発光素子層２０は、第１電極、有機発光層、第２電極、およびバンクを含む。有機発光層の各々は、正孔輸送層（hole transporting layer）、発光層（organic light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合、第１電極と第２電極に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて発光層に移動し、発光層で互いに結合して発光することになる。有機発光素子層２０が形成された領域には、画素が設けられるので、有機発光素子層２０が形成された領域は、表示領域と定義することができる。表示領域の周辺領域は、非表示領域として定義することができる。

有機発光素子層２０上には、封止層３０が形成される。封止層３０は、有機発光素子層２０に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。封止層３０は、少なくとも一つの無機膜を含むことができる。

封止層３０上には、タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は、使用者のタッチをセンシングするための第１及び第２タッチ電極を含み、第１タッチ電極を電気的に接続したり、第２タッチ電極を電気的に接続するブリッジ電極を含むことができる。

以下では、図４～図６を参照して本発明の第１実施例に係る封止層３０およびタッチセンシング層４０に対して、より詳細に説明する。

第１実施例
図４は、本発明の一実施例による第１基板を概略的に示す平面図であり、図５は、図４の第１基板に配置されるタッチセンシング層の一例を示す平面図である。図６は図５のＩ－Ｉ’の第１実施例を示す断面図である。

図４～図６を参照すると、第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）およびダム（ＤＡＭ）を形成することができる。

第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）には、薄膜トランジスタ層１０および有機発光素子層２０が形成される。

薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０および平坦化膜２５０を含む。

第１基板１１１の一面上には、バッファ膜（未図示）が形成される。バッファ膜（未図示）は、透湿に脆弱な第１基板１１１を通じて浸透する水分から薄膜トランジスタ２１０と、有機発光素子２６０を保護するために、第１基板１１１の一面上に形成される。第１基板１１１の一面は、第２基板１１２と向き合う面であり得る。バッファ膜（未図示）は、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。たとえば、バッファ膜（未図示）は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、ＳｉＯＮ中の一つ以上の無機膜が交互に積層した多重膜で形成することができる。バッファ膜（未図示）は、省略することができる。

バッファ膜（未図示）上には、薄膜トランジスタ２１０が形成される。薄膜トランジスタ２１０は、アクティブ層２１１、ゲート電極２１２は、ソース電極２１３およびドレイン電極２１４を含む。図６には、薄膜トランジスタ２１０が、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、top gate）方式で形成された例を示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。つまり、薄膜トランジスタ２１０は、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、bottom gate）方式またはゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部と下部の両方に位置するダブルゲート（double gate）方式で形成することができる。

バッファ膜（未図示）上には、アクティブ層２１１が形成される。アクティブ層２１１は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成することができる。バッファ膜（未図示）とアクティブ層２１１との間には、アクティブ層２１１に入射する外部光を遮断するための遮光層を形成することができる。

アクティブ層２１１上には、ゲート絶縁膜２２０を形成することができる。ゲート絶縁膜２２０は無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。

ゲート絶縁膜２２０上には、ゲート電極２１２とゲートラインを形成することができる。ゲート電極２１２とゲートラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。

ゲート電極２１２とゲートライン上には、層間絶縁膜２３０を形成することができる。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。

層間絶縁膜２３０上には、ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータラインを形成することができる。ソース電極２１３とドレイン電極２１４のそれぞれは、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを通じて、アクティブ層２１１に接続することができる。ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）と銅（Ｃｕ）のいずれか、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成することができる。

ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、およびデータライン上には、薄膜トランジスタ２１０を絶縁するための保護膜２４０を形成することができる。保護膜２４０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはそれらの多重膜で形成することができる。

保護膜２４０上には、薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦にするための平坦化膜２５０を形成することができる。平坦化膜２５０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。

薄膜トランジスタ層１０上には、有機発光素子層２０が形成される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２６０とバンク２７０を含む。

有機発光素子２６０とバンク２７０は、平坦化膜２５０上に形成される。有機発光素子は、第１電極２６１、有機発光層２６２、及び第２電極２６３を含む。第１電極２６１はアノード電極であり、第２電極２６３はカソード電極であり得る。

第１電極２６１は、平坦化膜２５０上に形成することができる。第１電極２６１は、保護膜２４０と平坦化膜２５０を貫通するコンタクトホールを通じて薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３に接続する。第１電極２６１は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ・ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属材料で形成することができる。ＡＰＣ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、および銅（Ｃｕ）の合金である。

バンク２７０は、画素（Ｐ）を区画するために平坦化膜２５０上で第１電極２６１の端を覆うように形成することができる。つまり、バンク２７０は、画素（Ｐ）を定義する画素定義膜としての役割をする。バンク２７０は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。

第１電極２６１とバンク２７０上には、有機発光層２６２が形成される。有機発光層２６２は、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合、第１電極２６１と第２電極２６３に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を通じて発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して発光することになる。

有機発光層２６２は、白色光を発光する白色発光層からなり得る。この場合、第１電極２６１とバンク２７０を覆うように形成することができる。この場合、第２基板１１２上にはカラーフィルタ（未図示）を形成することができる。

または、有機発光層２６２は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、または青色光を発光する青色発光層からなり得る。この場合、有機発光層２６２は、第１電極２６１に対応する領域に形成することができ、第２基板１１２上にはカラーフィルタが形成されないことがあり得る。

第２電極２６３は、有機発光層２６２上に形成される。有機発光表示装置が上部発光（top emission）構造で形成される場合、第２電極２６３は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。第２電極２６３上にはキャップピング層（capping layer）を形成することができる。

有機発光素子層２０上には、封止層３０が第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）はもちろん、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。封止層３０は、封止膜２８０およびダム（ＤＡＭ）を含む。

封止膜２８０は、有機発光層２６２と第２電極２６３に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このため、封止膜２８０は、少なくとも一つの無機膜と、少なくとも一つの有機膜を含むことができる。例えば、封止膜２８０は、第１無機膜２８１、有機膜２８２、及び第２無機膜２８３を含むことができる。

第２電極２６３上には、第１無機膜２８１を配置することができる。第１無機膜２８１は、第２電極２６３を覆うように形成することができる。第１無機膜２８１上には、有機膜２８２を配置することができる。有機膜２８２は、異物（particles）が第１無機膜２８１を突破し、有機発光層２６２と第２電極２６３に投入されることを防止するために十分な厚さで形成することができる。有機膜２８２上には、第２無機膜２８３を配置することができる。第２無機膜２８３は、有機膜２８２を覆うように形成することができる。

第１無機膜２８１および第２無機膜２８３のそれぞれは、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、または酸化チタンで形成することができる。有機膜２８２は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成することができる。

ダム（ＤＡＭ）は、非表示領域（ＮＤＡ）に配置されて封止膜２８０を構成する有機膜２８２の流れを遮断する。より詳細には、ダム（ＤＡＭ）は表示領域（ＤＡ）の外郭を取り囲むように形成され封止膜２８０を構成する有機膜２８２の流れを遮断することができる。また、ダム（ＤＡＭ）は表示領域（ＤＡ）とパッド領域（ＰＡ）の間に配置されて封止膜２８０を構成する有機膜２８２がパッド領域（ＰＡ）を侵犯しないように、有機膜２８２の流れを遮断することができる。これにより、ダム（ＤＡＭ）は、有機膜２８２が表示装置の外部に露出したりパッド領域（ＰＡ）を侵犯することを防止することができる。

このようなダム（ＤＡＭ）は、画素（Ｐ）の平坦化膜２５０またはバンク２７０と同時に形成することができ、平坦化膜２５０またはバンク２７０と同じ物質からなり得る。このような場合、ダム（ＤＡＭ）は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機物質で形成することができる。

一方、図６では、ダム（ＤＡＭ）が第１無機膜２８１によって覆われないように示しているが、これに限定されない。第１無機膜２８１は、表示領域（ＤＡ）を覆うならダム（ＤＡＭ）を覆うように形成することもできる。

封止層３０上には、タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）、ブリッジ電極（ＢＥ）、第１金属パターン、第２金属パターン、絶縁層３１０およびパッシベーション膜３２０を含む。

封止層３０上には、バッファ層（未図示）が形成される。バッファ層（未図示）は、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）でパッド（ＰＡＤ）が露出するように形成される。バッファ層（未図示）は、ダム（ＤＡＭ）を覆うように形成される。このようなバッファ層（未図示）は、省略することもできる。

バッファ層上には、ブリッジ電極（ＢＥ）及び第１金属パターンが形成される。ブリッジ電極（ＢＥ）は表示領域（ＤＡ）に形成され、絶縁層３１０上に形成される第１タッチ電極（ＴＥ）を電気的に接続させる。第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）が、それらの交差領域で互いに短絡することを防止するために、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）はブリッジ電極（ＢＥ）を通じて電気的に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第１及び第２タッチ電極（ＴＥ、ＲＥ）と互いに異なる層に配置され、第１コンタクトホール（ＣＨ１）を通じて互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第２タッチ電極（ＲＥ）と交差することができる。

ここで、第１コンタクトホール（ＣＨ１）は絶縁層３１０を貫通して形成することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、絶縁層３１０の下に配置されて２つの第１コンタクトホール（ＣＨ１）によって露出する。そして、ブリッジ電極（Ｂｅ）は、隣接する２つの第１タッチ電極（ＴＥ）と接続する。

第１金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、ブリッジ電極（ＢＥ）と同じ層に形成される。第１金属パターンは、ブリッジ電極（ＢＥ）のうち一側端に配置されたブリッジ電極（ＢＥ）と離隔配置される。第１金属パターンは、ダム領域に形成されないことを特徴とする。ダム領域には、ダム（ＤＡＭ）が形成されているので、ダム（ＤＡＭ）による段差がある。第１金属パターンをダム領域まで形成するとダム（ＤＡＭ）による段差により製造工程時に残膜が発生し得、これにより、電気的に絶縁されなければならない金属パターンが互いに接続し得る。このような問題が発生することを防止するために、本願発明は、第１金属パターンをダム領域に形成しないことを特徴とする。

第１金属パターンは、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）と接続され、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させるための補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、表示領域（ＤＡ）とダム（ＤＡＭ）が形成されたダム領域の間にパターン形成された第１補助ライン（ＡＬ１）を含むことができる。また、補助ライン（ＡＬ）は、ダム領域とパッド領域（ＰＡ）の間はもちろん、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第２補助ライン（ＡＬ２）を含むことができる。第２補助ライン（ＡＬ２）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１または第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。一方、ダム領域を挟んで、第１補助ライン（ＡＬ１）と第２補助ライン（ＡＬ２）が形成されているので、第１補助ライン（ＡＬ１）と第２補助ライン（ＡＬ２）は物理的に分離されている。

ブリッジ電極（ＢＥ）及び第１金属パターン上には、絶縁層３１０が形成される。絶縁層３１０は、ブリッジ電極（ＢＥ）の上に配置されてブリッジ電極（ＢＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）を絶縁させることができる。絶縁層３１０は、ブリッジ電極（ＢＥ）間に配置されてブリッジ電極（ＢＥ）を互いに絶縁させることができる。

絶縁層３１０は、表示領域（ＤＡ）だけでなく、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。特に、絶縁層３１０は、ダム領域を覆うように形成されダム（ＤＡＭ）による段差を減少させる。絶縁層３１０は、第２金属パターンが製造工程時の段差により残膜が発生しないように十分な厚さを有するように形成する。絶縁層３１０は、ダム（ＤＡＭ）の高さの１／２よりも厚い厚さを有することが好ましい。

絶縁層３１０上には、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）及び第２金属パターンが形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）が表示領域（ＤＡ）に形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１方向（Ｙ軸方向）に配置されて互いに接続され、第２タッチ電極（ＲＥ）は、第２方向（Ｘ軸方向）に配置されて互いに接続される。第１方向（Ｙ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり得る。または、第１方向（Ｙ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり得る。

第１方向（Ｙ軸方向）に接続された第１タッチ電極（ＴＥ）のそれぞれは、第２方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１タッチ電極（ＴＥ）と電気的に絶縁される。第２方向（Ｘ軸方向）に接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のそれぞれは、第１方向（Ｙ軸方向）に隣接する第２タッチ電極（ＲＥ）と電気的に絶縁される。

これにより、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）の交差領域には、タッチセンサーに該当する相互容量（mutual capacitance）が形成され得る。

第２金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第１金属パターンと重畳してパターン形成される。第２金属パターンは、第１金属パターンとは異なり、ダム領域にも形成することができる。

第２金属パターンは、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続された第１タッチ電極（ＴＥ）の一側端に配置された第１タッチ電極（ＴＥ）から延長されてパッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第１タッチライン（ＴＬ）であり得る。第１タッチライン（ＴＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。したがって、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続した第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１タッチライン（ＴＬ）を通じて第１タッチ駆動部１８１から駆動パルスを入力することができる。

このような第１タッチライン（ＴＬ）は、補助ライン（ＡＬ）と重畳して形成される。第１タッチライン（ＴＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第１タッチライン（ＴＬ）は、絶縁層３１０に配置され、第１補助ライン（ＡＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続する。また、第１タッチライン（ＴＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第１タッチライン（ＴＬ）は、絶縁層３１０に配置されて第２補助ライン（ＡＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続する。

図に具体的に示していないが、第２金属パターンは、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続した第２タッチ電極（ＲＥ）のうち一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）から延長してパッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第２タッチライン（ＲＬ）であり得る。第２タッチライン（ＲＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。したがって、第２タッチ駆動部１８２は、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のタッチセンサーの占める変化量を入力することができる。

このような第２タッチライン（ＲＬ）は、補助ライン（ＡＬ）と重畳して形成される。第２タッチライン（ＲＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第２タッチライン（ＲＬ）は、絶縁層３１０に配置され、第１補助ライン（ＡＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続する。また、第２タッチライン（ＲＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第２タッチライン（ＲＬ）は、絶縁層３１０に配置されて第２補助ライン（ＡＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続する。

絶縁膜３１０、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）上には、パッシベーション膜３２０が形成される。パッシベーション膜３２０は、外部の有害な環境を遮断して、表示装置の特性の安定化を維持する。

本発明の実施例は、封止層３０上にタッチセンシング層４０を直接形成することにより、第１基板１１１と第２基板１１２との接合時に整列する必要がない。

本願発明は、上述したように表示領域（ＤＡ）はもちろん、ダム領域まで覆う絶縁層３１０を十分な厚さで形成することにより、ダム（ＤＡＭ）による段差を緩和する。これにより、本願発明は、ダム（ＤＡＭ）上に形成される第２金属パターン、例えば、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の形成時に残膜が残ることを防止することができる。

また、本願発明は、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）と重畳するよう補助ライン（ＡＬ）を形成し、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）を補助ライン（ＡＬ）に接続させることで、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させることができる。

また、本願発明は、補助ライン（ＡＬ）をブリッジ電極（ＢＥ）と同じ層に同じ物質で形成することができ、これにより、別途の追加工程なしに補助ライン（ＡＬ）を形成することができる。

また、本願発明は、補助ライン（ＡＬ）をダム領域に形成せず、第２コンタクトホール（ＣＨ２）および第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）と接続させることで補助ライン（ＡＬ）の形成時に残膜が残ることを防止することができる。

第２実施例
図７は、図５のＩ－Ｉ‘の第２実施例を示す断面図である。

図７に示した表示装置は、補助ライン（ＡＬ）が第１補助ライン（ＡＬ１）だけを含むという点で、図６に示した表示装置と違いがある。以下では、図６と同じ構成の具体的な内容は省略するようにする。

図７を参照すると、第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）およびダム（ＤＡＭ）を形成することができる。

第１基板（１１）の表示領域（ＤＡ）には、薄膜トランジスタ層１０および、有機発光素子層２０が形成される。

薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０および平坦化膜２５０を含む。

薄膜トランジスタ層１０上には、有機発光素子層２０が形成される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２６０とバンク２７０を含む。

有機発光素子層２０上には、封止層３０が第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）はもちろん、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。封止層３０は、封止膜２８０およびダム（ＤＡＭ）を含む。

封止層３０上には、タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）、ブリッジ電極（ＢＥ）、第１金属パターン、第２金属パターン、絶縁層３１０およびパッシベーション膜３２０を含む。

封止層３０上には、バッファ層が形成される。バッファ層は、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）でパッド（ＰＡＤ）が露出するように形成される。バッファ層は、ダム（ＤＡＭ）を覆うように形成される。このようなバッファ層は省略することもできる。

バッファ層上には、ブリッジ電極（ＢＥ）及び第１金属パターンが形成される。ブリッジ電極（ＢＥ）は表示領域（ＤＡ）に形成され、絶縁層３１０上に形成される第１タッチ電極（ＴＥ）を電気的に接続させる。第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）が、それらの交差領域で互いに短絡することを防止するために、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）は、ブリッジ電極（ＢＥ）を通じて電気的に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第１及び第２タッチ電極（ＴＥ、ＲＥ）と互いに異なる層に配置され、第１コンタクトホール（ＣＨ１）を通じて互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第２タッチ電極（ＲＥ）と交差することができる。

第１金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、ブリッジ電極（ＢＥ）と同じ層に形成される。第１金属パターンは、ブリッジ電極（ＢＥ）のうち一側端に配置されたブリッジ電極（ＢＥ）と離隔配置される。第１金属パターンは、ダム領域に形成しないことを特徴とする。ダム領域には、ダム（ＤＡＭ）が形成されているので、ダム（ＤＡＭ）による段差がある。第１金属パターンをダム領域まで形成するとダム（ＤＡＭ）による段差により製造工程時に残膜が発生し得、これにより、電気的に絶縁されなければならない金属パターンが互いに接続し得る。このような問題が発生することを防止するために、本願発明は、第１金属パターンをダム領域に形成しないことを特徴とする。

第１金属パターンは、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）と接続され、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させるための補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、表示領域（ＤＡ）とダム（ＤＡＭ）が形成されたダム領域の間にパターン形成された第１補助ライン（ＡＬ１）を含むことができる。

ブリッジ電極（ＢＥ）及び第１金属パターン上には、絶縁層３１０が形成される。絶縁層３１０は、ブリッジ電極（ＢＥ）の上に配置されてブリッジ電極（ＢＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）を絶縁させることができる。絶縁層３１０は、ブリッジ電極（ＢＥ）間に配置されブリッジ電極（ＢＥ）を互いに絶縁させることができる。

絶縁層３１０は、表示領域（ＤＡ）だけでなく、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。特に、絶縁層３１０は、ダム領域を覆うように形成されダム（ＤＡＭ）による段差を減少させる。絶縁層３１０は、第２金属パターンが製造工程時に段差により残膜が発生しないように十分な厚さを有するように形成する。絶縁層３１０は、ダム（ＤＡＭ）の高さの１／２よりも厚い厚さを有することが好ましい。

絶縁層３１０上には、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）及び第２金属パターンが形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）が表示領域（ＤＡ）に形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１方向（Ｙ軸方向）に配置されて相互に接続され、第２タッチ電極（ＲＥ）は、第２方向（Ｘ軸方向）に配置されて相互に接続される。第１方向（Ｙ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり得る。または、第１方向（Ｙ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり得る。

第１方向（Ｙ軸方向）に接続された第１タッチ電極（ＴＥ）のそれぞれは、第２方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１タッチ電極（ＴＥ）と電気的に絶縁される。第２方向（Ｘ軸方向）に接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のそれぞれは、第１方向（Ｙ軸方向）に隣接する第２タッチ電極（ＲＥ）と電気的に絶縁される。

これにより、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）の交差領域には、タッチセンサーに該当する相互容量（mutual capacitance）が形成され得る。

第２金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第１金属パターンと重畳してパターン形成される。

第２金属パターンは、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続された第１タッチ電極（ＴＥ）の一側端に配置された第１タッチ電極（ＴＥ）から延長され、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第１タッチライン（ＴＬ）であり得る。第１タッチライン（ＴＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。したがって、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続された第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１タッチライン（ＴＬ）を通じて第１タッチ駆動部１８１から駆動パルスを入力することができる。

このような第１タッチライン（ＴＬ）は、補助ライン（ＡＬ）と重畳して形成される。第１タッチライン（ＴＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第１タッチライン（ＴＬ）は、絶縁層３１０に配置されて、第１補助ライン（ＡＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続する。

図に具体的に示していないが、第２金属パターンは、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続された第２タッチ電極（ＲＥ）の一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）から延長されてパッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第２タッチライン（ＲＬ）であり得る。第２タッチライン（ＲＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。したがって、第２タッチ駆動部１８２は、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続した第２タッチ電極（ＲＥ）のタッチセンサーの占める変化量を入力することができる。

このような第２タッチライン（ＲＬ）は、補助ライン（ＡＬ）と重畳して形成される。第２タッチライン（ＲＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第２タッチライン（ＲＬ）は、絶縁層３１０に配置されて第１補助ライン（ＡＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続する。

絶縁膜３１０、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）上には、パッシベーション膜３２０が形成される。パッシベーション膜３２０は、外部の有害な環境を遮断して、表示装置の特性の安定化を維持する。

第３実施例
図８は、図５のＩ－Ｉ‘の第３実施例を示す断面図である。

図８に示した表示装置は、補助ライン（ＡＬ）が第２補助ライン（ＡＬ２）だけを含むという点で、図６に示した表示装置と違いがある。以下では、図６と同じ構成の具体的な内容は省略する。

図８を参照すると、第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）およびダム（ＤＡＭ）を形成することができる。

第１基板（１１）の表示領域（ＤＡ）には、薄膜トランジスタ層１０および有機発光素子層２０が形成される。

薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０および平坦化膜２５０を含む。

薄膜トランジスタ層１０上には、有機発光素子層２０が形成される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２６０とバンク２７０を含む。

有機発光素子層２０上には、封止層３０が第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）はもちろん、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。封止層３０は、封止膜２８０およびダム（ＤＡＭ）を含む。

封止層３０上には、タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）、ブリッジ電極（ＢＥ）、第１金属パターン、第２金属パターン、絶縁層３１０およびパッシベーション膜３２０を含む。

封止層３０上には、バッファ層が形成される。バッファ層は、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）でパッド（ＰＡＤ）が露出するように形成される。バッファ層は、ダム（ＤＡＭ）を覆うように形成される。このようなバッファ層は省略することもできる。

バッファ層上には、ブリッジ電極（ＢＥ）及び第１金属パターンが形成される。ブリッジ電極（ＢＥ）は表示領域（ＤＡ）に形成され、絶縁層３１０上に形成される第１タッチ電極（ＴＥ）を電気的に接続させる。第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）が、それらの交差領域で互いに短絡することを防止するために、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）はブリッジ電極（ＢＥ）を通じて電気的に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第１及び第２タッチ電極（ＴＥ、ＲＥ）と互いに異なる層に配置され、第１コンタクトホール（ＣＨ１）を通じて互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第２タッチ電極（ＲＥ）と交差することができる。

第１金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、ブリッジ電極（ＢＥ）と同じ層に形成される。第１金属パターンは、ブリッジ電極（ＢＥ）の一側端に配置されたブリッジ電極（ＢＥ）と離隔配置される。第１金属パターンは、ダム領域に形成しないことを特徴とする。ダム領域には、ダム（ＤＡＭ）が形成されているので、ダム（ＤＡＭ）による段差がある。第１金属パターンをダム領域まで形成するとダム（ＤＡＭ）による段差により製造工程時に残膜が発生し得、これにより、電気的に絶縁されなければならない金属パターンが互いに接続し得る。この問題が発生することを防止するために、本願発明は、第１金属パターンをダム領域に形成しないことを特徴とする。

第１金属パターンは、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）と接続され、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させるための補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、ダム領域とパッド領域（ＰＡ）間はもちろん、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第２補助ライン（ＡＬ２）を含むことができる。第２補助ライン（ＡＬ２）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１または第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。

図８は、第２補助ライン（ＡＬ２）がパッド領域（ＰＡ）までパターン形成されたことを示しているが、これに限定されない。第２補助ライン（ＡＬ２）はダム領域とパッド領域（ＰＡ）間にのみに形成されてパッド領域（ＰＡ）に形成されないこともある。

ブリッジ電極（ＢＥ）及び第１金属パターン上には、絶縁層３１０が形成される。絶縁層３１０は、ブリッジ電極（ＢＥ）上に配置されてブリッジ電極（ＢＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）を絶縁させることができる。絶縁層３１０は、ブリッジ電極（ＢＥ）間に配置されてブリッジ電極（ＢＥ）を互いに絶縁させることができる。

絶縁層３１０は、表示領域（ＤＡ）だけでなく、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。特に、絶縁層３１０は、ダム領域を覆うように形成されダム（ＤＡＭ）による段差を減少させる。絶縁層３１０は、第２金属パターンが製造工程時に段差により残膜が発生しないように十分な厚さを有するように形成する。絶縁層３１０は、ダム（ＤＡＭ）の高さの１／２よりも大きい厚さを有することが好ましい。

絶縁層３１０上には、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）及び第２金属パターンが形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）が表示領域（ＤＡ）に形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１方向（Ｙ軸方向）に配置されて相互に接続され、第２タッチ電極（ＲＥ）は、第２方向（Ｘ軸方向）に配置されて相互に接続される。第１方向（Ｙ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり得る。または、第１方向（Ｙ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり得る。

第１方向（Ｙ軸方向）に接続された第１タッチ電極（ＴＥ）のそれぞれは、第２方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１タッチ電極（ＴＥ）と電気的に絶縁される。第２方向（Ｘ軸方向）に接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のそれぞれは、第１方向（Ｙ軸方向）に隣接する第２タッチ電極（ＲＥ）と電気的に絶縁される。

これにより、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）の交差領域には、タッチセンサーに該当する相互容量（mutual capacitance）が形成され得る。

第２金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第１金属パターンと重畳してパターン形成される。

第２金属パターンは、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続された第１タッチ電極（ＴＥ）の一側端に配置された第１タッチ電極（ＴＥ）から延長されてパッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第１タッチライン（ＴＬ）であり得る。第１タッチライン（ＴＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。したがって、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続された第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１タッチライン（ＴＬ）を通じて、第１タッチ駆動部１８１から駆動パルスを入力することができる。

このような第１タッチライン（ＴＬ）は、補助ライン（ＡＬ）と重畳して形成される。第１タッチライン（ＴＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第１タッチライン（ＴＬ）は、絶縁層３１０に配置されて第２補助ライン（ＡＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続する。

図に具体的に示していないが、第２金属パターンは、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続された第２タッチ電極（ＲＥ）の一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）から延長されてパッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第２タッチライン（ＲＬ）であり得る。第２タッチライン（ＲＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。したがって、第２タッチ駆動部１８２は、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のタッチセンサーの占める変化量を入力することができる。

このような第２タッチライン（ＲＬ）は、補助ライン（ＡＬ）と重畳して形成される。第２タッチライン（ＲＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第２タッチライン（ＲＬ）は、絶縁層３１０に配置されて第２補助ライン（ＡＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続する。

絶縁膜３１０、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）上には、パッシベーション膜３２０が形成される。パッシベーション膜３２０は、外部の有害な環境を遮断して、表示装置の特性の安定化を維持する。

第4実施例
図９は、図５のＩ－Ｉ‘の第４実施例を示す断面図である。

図９に示した表示装置は、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）の上にブリッジ電極（ＢＥ）が配置されるという点で、図６に示した表示装置と違いがある。以下では、図６と同じ構成の具体的な内容は省略するようにする。

図９を参照すると、第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）およびダム（ＤＡＭ）を形成することができる。

第１基板（１１）の表示領域（ＤＡ）には、薄膜トランジスタ層１０および有機発光素子層２０が形成される。

薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０および平坦化膜２５０を含む。

薄膜トランジスタ層１０上には、有機発光素子層２０が形成される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２６０とバンク２７０を含む。

有機発光素子層２０上には、封止層３０が第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）はもちろん、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。封止層３０は、封止膜２８０およびダム（ＤＡＭ）を含む。

封止層３０上には、タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）、ブリッジ電極（ＢＥ）、第１金属パターン、第２金属パターン、絶縁層３１０よびパッシベーション膜３２０を含む。

封止層３０上には、バッファ層が形成される。バッファ層は、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）でパッド（ＰＡＤ）が露出するように形成される。バッファ層は、ダム（ＤＡＭ）を覆うように形成される。このようなバッファ層は省略することもできる。

バッファ層上には、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）および第１金属パターンが形成される。

第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）が表示領域（ＤＡ）に形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１方向（Ｙ軸方向）に配置されて相互に接続され、第２タッチ電極（ＲＥ）は、第２方向（Ｘ軸方向）に配置されて相互に接続される。第１方向（Ｙ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり得る。または、第１方向（Ｙ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり、第２方向（Ｘ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり得る。

第１方向（Ｙ軸方向）に接続された第１タッチ電極（ＴＥ）のそれぞれは、第２方向（Ｘ軸方向）に隣接する第１タッチ電極（ＴＥ）と電気的に絶縁される。第２方向（Ｘ軸方向）に接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のそれぞれは、第１方向（Ｙ軸方向）に隣接する第２タッチ電極（ＲＥ）と電気的に絶縁される。

これにより、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）の交差領域には、タッチセンサーに該当する相互容量（mutual capacitance）が形成され得る。

第１金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）と同じ層に形成される。第１金属パターンは、第１タッチ電極（ＴＥ）または第２タッチ電極（ＲＥ）から延長されてパターン形成することができる。第１金属パターンは、ダム領域に形成しないことを特徴とする。ダム領域には、ダム（ＤＡＭ）が形成されているので、ダム（ＤＡＭ）による段差がある。第１金属パターンをダム領域まで形成するとダム（ＤＡＭ）による段差により製造工程時に残膜が発生し得、これにより、電気的に絶縁する必要がある金属パターンが互いに接続し得る。このような問題が発生することを防止するために、本願発明は、第１金属パターンをダム領域に形成しないことを特徴とする。

第１金属パターンは、第１タッチ駆動部１８１からパッド（ＰＡＤ）に入力される駆動パルスを第１タッチ電極（ＴＥ）に伝達する第１タッチライン（ＴＬ）であり得る。第１タッチライン（ＴＬ）は、表示領域（ＤＡ）とダム領域間にパターン形成された一つの第１タッチライン（ＴＬ１）およびダム領域とパッド領域（ＰＡ）間にパターン形成されたもう一つの第１タッチライン（ＴＬ２）が物理的に分離して形成される。一つの第１タッチライン（ＴＬ１）は、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに接続された第１タッチ電極（ＴＥ）の一側端に配置された第１タッチ電極（ＴＥ）から延長されて表示領域（ＤＡ）とダム（ＤＡＭ）が形成されたダム領域間にパターン形成される。また、もう一つの第１タッチライン（ＴＬ２）は、ダム領域とパッド領域（ＰＡ）間はもちろん、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成される。もう一つの第１タッチライン（ＴＬ２）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。

図に具体的に示していないが、第１金属パターンは、第２タッチ駆動部１８２からパッド（ＰＡＤ）に入力するタッチセンサーの占める変化量を第２タッチ電極（ＲＥ）に伝達する第２タッチライン（ＲＬ）であり得る。第２タッチライン（ＲＬ）は、表示領域（ＤＡ）とダム領域間にパターン形成された一つの第２タッチライン（ＲＬ１）およびダム領域とパッド領域（ＰＡ）間にパターン形成された他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）が物理的に分離して形成される。一つの第２タッチライン（ＲＬ１）は、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続した第２タッチ電極（ＲＥ）の一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）から延長されて表示領域（ＤＡ）とダム（ＤＡＭ）が形成されたダム領域間にパターン形成される。また、もう一つの第２タッチライン（ＲＬ２）は、ダム領域とパッド領域（ＰＡ）間はもちろん、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成される。もう一つの第２タッチライン（ＲＬ２）はパッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。

第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）及び第１金属パターン上には、絶縁層３１０が形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）および第１金属パターンは同じ層に配置することができる。絶縁層３１０は、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）の上に配置するだけでなく、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）間に配置することもできる。第１タッチ電極（ＴＥ）のそれぞれは、絶縁層３１０によって第２タッチ電極（ＲＥ）のそれぞれと絶縁することができる。

絶縁層３１０は、表示領域（ＤＡ）だけでなく非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。特に、絶縁層３１０は、ダム領域を覆うように形成されダム（ＤＡＭ）による段差を減少させる。絶縁層３１０は、第２金属パターンが製造工程時に段差により残膜が発生しないように十分な厚さを有するように形成する。絶縁層３１０は、ダム（ＤＡＭ）の高さの１／２よりも大きい厚さを有することが好ましい。

絶縁層３１０上には、ブリッジ電極（ＢＥ）及び第２金属パターンが形成される。ブリッジ電極（ＢＥ）は表示領域（ＤＡ）に形成され、第１タッチ電極（ＴＥ）を電気的に接続する。より詳細には、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）は、それらの交差領域で互いに短絡することを防止するために、第１方向（Ｙ軸方向）に互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）は、ブリッジ電極（ＢＥ）を通じて電気的に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第１及び第２タッチ電極（ＴＥ、ＲＥ）と互いに異なる層に配置され、第１コンタクトホール（ＣＨ１）を通じて互いに隣接した第１タッチ電極（ＴＥ）に接続することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、第２タッチ電極（ＲＥ）と交差することができる。

ここで、第１コンタクトホール（ＣＨ１）は絶縁層３１０を貫通して形成することができる。ブリッジ電極（ＢＥ）は、絶縁層３１０に形成され隣接する２つの第１タッチ電極（ＴＥ）を露出させる２つの第１コンタクトホール（ＣＨ１）を通じて隣接する２つの第１タッチ電極（ＴＥ）と接続し、前記２つの第１コンタクトホール（ＣＨ１）を接続する。

第２金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、ブリッジ電極（ＢＥ）と同じ層に形成される。第２金属パターンは、ブリッジ電極（ＢＥ）の一側端に配置されたブリッジ電極（ＢＥ）と離隔配置される。第２金属パターンは、第１金属パターンと重畳するようにパターン形成され、第１金属パターンとは異なり、ダム領域にも形成することができる。

第２金属パターンは、物理的に２つに分離された第１タッチライン（ＴＬ）を相互に接続させるとともに、第１タッチライン（ＴＬ）と接続され、第１タッチライン（ＴＬ）の抵抗を減少させるための補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、図９に示すように、ブリッジ電極（ＢＥ）の一側端に配置されたブリッジ電極（ＢＥ）と離隔した位置から延長してパッド領域（ＰＡ）までパターン形成され得るが、これに限定されない。ダム領域に形成されず物理的に２つに分離された第１タッチライン（ＴＬ１、ＴＬ２）を電気的に接続させるために、補助ライン（ＡＬ）は、ダム領域に形成しなければならないだけで、パッド領域（ＰＡ）まで形成する必要はない。

補助ライン（ＡＬ）は、第１タッチライン（ＴＬ）と重畳して形成される。補助ライン（ＡＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて一つの第１タッチライン（ＴＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。補助ライン（ＡＬ）は、絶縁層３１０に配置され一つの第１タッチライン（ＴＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて一つの第１タッチライン（ＴＬ１）と接続する。また、補助ライン（ＡＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて他の一つの第１タッチライン（ＴＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。補助ライン（ＡＬ）は、絶縁層３１０に配置され、他の一つの第１タッチライン（ＴＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて他の一つの第１タッチライン（ＴＬ２）と接続する。これにより、補助ライン（ＡＬ）は、一つの第１タッチライン（ＴＬ１）と、もう一つの第１タッチライン（ＴＬ２）を電気的に接続する。

図に具体的に示していないが、第２金属パターンは、物理的に２つに分離された第２タッチライン（ＲＬ）を相互に接続させるとともに、第２タッチライン（ＲＬ）と接続され、第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させるための補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、ブリッジ電極（ＢＥ）の一側端に配置されたブリッジ電極（ＢＥ）と離隔した位置から延長してパッド領域（ＰＡ）までパターン形成され得るが、これに限定されない。ダム領域に形成されず物理的に２つに分離された第２タッチライン（ＲＬ１、ＲＬ２）を電気的に接続させるために、補助ライン（ＡＬ）は、ダム領域に形成しなければならないだけで、パッド領域（ＰＡ）まで形成する必要はない。

補助ライン（ＡＬ）は、第２タッチライン（ＲＬ）と重畳して形成される。補助ライン（ＡＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて一つの第２タッチライン（ＲＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。補助ライン（ＡＬ）は、絶縁層３１０に配置されて一つの第２タッチライン（ＲＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて一つの第２タッチライン（ＲＬ１）と接続する。また、補助ライン（ＡＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。補助ライン（ＡＬ）は、絶縁層３１０に配置され、他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）と接続する。これにより、補助ライン（ＡＬ）は、一つの第２タッチライン（ＲＬ１）と、もう一つの第２タッチライン（ＲＬ２）を電気的に接続する。

絶縁層３１０、ブリッジ電極（ＢＥ）及び第２金属パターン上には、パッシベーション膜３２０が形成される。パッシベーション膜３２０は、外部の有害な環境を遮断して、表示装置の特性の安定化を維持する。

本願発明は、上述したように表示領域（ＤＡ）はもちろん、ダム領域まで覆う絶縁層３１０を十分な厚さに形成することにより、ダム（ＤＡＭ）による段差を緩和する。これにより、本願発明は、ダム（ＤＡＭ）上に形成される第２金属パターン、例えば、補助ライン（ＡＬ）の形成時に残膜が残ることを防止することができる。

また、本願発明は、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）と重畳するよう補助ライン（ＡＬ）を形成し、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）を補助ライン（ＡＬ）に接続させることで、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させることができる。

また、本願発明は、補助ライン（ＡＬ）をブリッジ電極（ＢＥ）と同じ層に同じ物質で形成することができ、これにより、別途の追加工程なしに補助ライン（ＡＬ）を形成することができる。

また、本願発明は、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）をダム領域に形成せず、第２および第３コンタクトホール（ＣＨ２、ＣＨ３）を通じて補助ライン（ＡＬ）と接続させることで、第１タッチライン（ＴＬ）または第２タッチライン（ＲＬ）の形成時に残膜が残ることを防止することができる。

第５実施例
図１０は、図４の第１基板に配置されたタッチセンシング層の他の例を示す平面図である。図１１は、図１０のＩＩ－ＩＩ‘の一例を示す断面図であり、図１２は、図１０のＩＩＩ－ＩＩＩ‘の一例を示す断面図である。

図１０～図１２に示した表示装置は、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）が互いに異なる層に形成されるという点で、図５～図６に示した表示装置と違いがある。以下では、図５～図６と同じ構成の具体的な内容は省略するようにする。

図１０～図１２を参照すると、第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）およびダム（ＤＡＭ）を形成することができる。

第１基板１１の表示領域（ＤＡ）には、薄膜トランジスタ層１０および有機発光素子層２０が形成される。

薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、保護膜２４０および平坦化膜２５０を含む。

薄膜トランジスタ層１０上には、有機発光素子層２０が形成される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２６０とバンク２７０を含む。

有機発光素子層２０上には、封止層３０が第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）はもちろん、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。封止層３０は、封止膜２８０およびダム（ＤＡＭ）を含む。

封止層３０上には、タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は、第１タッチ電極（ＴＥ）、第２タッチ電極（ＲＥ）、第１金属パターン、第２金属パターン、絶縁層３１０およびパッシベーション膜３２０を含む。

封止層３０上には、バッファ層が形成される。バッファ層は、表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）でパッド（ＰＡＤ）が露出するように形成される。バッファ層は、ダム（ＤＡＭ）を覆うように形成される。このようなバッファ層は省略することもできる。

バッファ層上には、第１タッチ電極（ＴＥ）及び第２タッチ電極（ＲＥ）が表示領域（ＤＡ）に形成される。第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１方向（Ｘ軸方向）に延長され、ライン形状を有し、第２タッチ電極（ＲＥ）は、第２方向（Ｙ軸方向）に延長され、ライン形状を有する。第１方向（Ｘ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり、第２方向（Ｙ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり得る。または、第１方向（Ｘ軸方向）は、データライン（Ｄ１～Ｄｍ）と平行な方向であり、第２方向（Ｙ軸方向）は、スキャンライン（Ｓ１～Ｓｎ）と平行な方向であり得る。

一方、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）の間には、絶縁層３１０が配置され、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）は、電気的に絶縁される。また、第１方向に延長された第１タッチ電極（ＴＥ）のそれぞれは、第２方向に隣接する第１タッチ電極（ＴＥ）と電気的に絶縁される。第２方向に延長された第２タッチ電極（ＲＥ）のそれぞれは、第１方向に隣接する第２タッチ電極（ＲＥ）と電気的に絶縁される。

これにより、第１タッチ電極（ＴＥ）と第２タッチ電極（ＲＥ）の交差領域には、タッチセンサーに該当する相互容量（mutual capacitance）が形成され得る。

一方、絶縁層３１０は、表示領域（ＤＡ）だけでなく、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成される。特に、絶縁層３１０は、ダム領域を覆うように形成してダム（ＤＡＭ）による段差を減少させる。絶縁層３１０は、第２金属パターンが製造工程時の段差により残膜が発生しないように十分な厚さを有するように形成する。絶縁層３１０は、ダム（ＤＡＭ）の高さの１／２よりも大きい厚さを有することが好ましい。

第１金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第２タッチ電極（ＲＥ）と同じ層に形成される。第１金属パターンは、ダム領域に形成しないことを特徴とする。ダム領域には、ダム（ＤＡＭ）が形成されているので、ダム（ＤＡＭ）による段差がある。第１金属パターンをダム領域まで形成するとダム（ＤＡＭ）による段差により製造工程時に残膜が発生し得、これにより、電気的に絶縁されなければならない金属パターンが互いに接続し得る。このような問題が発生することを防止するために、本願発明は、第１金属パターンをダム領域に形成しないことを特徴とする。

第１金属パターンは、第２タッチ電極（ＲＥ）のうち、第１方向に一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）と離隔配置された補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、表示領域（ＤＡ）とダム（ＤＡＭ）が形成されたダム領域の間にパターン形成された第１補助ライン（ＡＬ１）を含むことができる。また、補助ライン（ＡＬ）は、ダム領域とパッド領域（ＰＡ）の間はもちろん、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第２補助ライン（ＡＬ２）を含むことができる。第２補助ライン（ＡＬ２）はパッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。一方、ダム領域を挟んで、第１補助ライン（ＡＬ１）と第２補助ライン（ＡＬ２）が形成されているので、第１補助ライン（ＡＬ１）と第２補助ライン（ＡＬ２）は物理的に分離されている。図には、第１補助ライン（ＡＬ１）と第２補助ライン（ＡＬ２）の両方を示しているが、これに限定されない。他の実施例では、補助ライン（ＡＬ）は、第１補助ライン（ＡＬ１）及び第２補助ライン（ＡＬ２）のいずれか一つだけを含むことができる。このような補助ライン（ＡＬ）は、第１タッチライン（ＴＬ）と接続され第１タッチライン（ＴＬ）の抵抗を減少させることができる。

また、第１金属パターンは、第２タッチ電極（ＲＥ）のうち、第２方向に一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）から延長された第２タッチライン（ＲＬ）であり得る。第２タッチライン（ＲＬ）は、表示領域（ＤＡ）とダム領域の間にパターン形成された一つの第２タッチライン（ＲＬ１）およびダム領域とパッド領域（ＰＡ）の間にパターン形成された他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）が物理的に分離して形成される。一つの第２タッチライン（ＲＬ１）は、第２方向（Ｘ軸方向）に互いに接続された第２タッチ電極（ＲＥ）のうち、第２方向に一側端に配置された第２タッチ電極（ＲＥ）から延長されて表示領域（ＤＡ）とダム（ＤＡＭ）が形成されたダム領域の間にパターン形成される。また、もう一つの第２タッチライン（ＲＬ２）は、ダム領域とパッド領域（ＰＡ）の間はもちろん、パッド領域（ＰＡ）までパターン形成される。もう一つの第２タッチライン（ＲＬ２）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第２タッチ駆動部１８２に接続することができる。

第２金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第１タッチ電極（ＴＥ）と同じ層に形成される。第２金属パターンは、第１金属パターンと重畳するようにパターンが形成され、第１金属パターンとは異なり、ダム領域にも形成することができる。

第２金属パターンは、第１タッチ電極（ＴＥ）のうち、第１方向に一側端に配置された第１タッチ電極（ＴＥ）から延長されてパッド領域（ＰＡ）までパターン形成された第１タッチライン（ＴＬ）であり得る。第１タッチライン（ＴＬ）は、パッド領域（ＰＡ）でパッド（ＰＡＤ）と接続してパッド（ＰＡＤ）を通じて第１タッチ駆動部１８１に接続することができる。したがって、第１方向（Ｙ軸方向）に接続された第１タッチ電極（ＴＥ）は、第１タッチライン（ＴＬ）を通じて第１タッチ駆動部１８１から駆動パルスを入力することができる。

このような第１タッチライン（ＴＬ）は、第２タッチ電極（ＲＥ）と同じ層に形成された第１補助ライン（ＡＬ１）及び第２補助ライン（ＡＬ２）と重畳して形成される。第１タッチライン（ＴＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第１タッチライン（ＴＬ）は、絶縁層３１０に配置されて、第１補助ライン（ＡＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて第１補助ライン（ＡＬ１）と接続する。また、第１タッチライン（ＴＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。第１タッチライン（ＴＬ）は、絶縁層３１０に配置されて第２補助ライン（ＡＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて第２補助ライン（ＡＬ２）と接続する。

また、第２金属パターンは、第１タッチ電極（ＴＥ）のうち、第２方向に一側端に配置された第１タッチ電極（ＴＥ）と離隔配置された補助ライン（ＡＬ）であり得る。補助ライン（ＡＬ）は、第１タッチ電極（ＴＥ）と離隔した位置から延長してパッド領域（ＰＡ）までパターン形成することができるが、これに限定されない。ダム領域に形成されず、物理的に２つに分離された第２タッチライン（ＲＬ１、ＲＬ２）を電気的に接続させるために、補助ライン（ＡＬ）は、ダム領域に形成しなければならないだけで、パッド領域（ＰＡ）まで形成する必要はない。このような補助ライン（ＡＬ）は、物理的に２つに分離された第２タッチライン（ＲＬ）を互いに接続させるとともに、第２タッチライン（ＲＬ）と接続して第２タッチライン（ＲＬ）の抵抗を減少させることができる。

第１タッチ電極（ＴＥ）と同じ層に形成された補助ライン（ＡＬ）は、第２タッチライン（ＲＬ）と重畳して形成される。補助ライン（ＡＬ）は、第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて一つの第２タッチライン（ＲＬ１）と接続することができる。第２コンタクトホール（ＣＨ２）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。補助ライン（ＡＬ）は、絶縁層３１０に配置されて一つの第２タッチライン（ＲＬ１）を露出させる第２コンタクトホール（ＣＨ２）を通じて一つの第２タッチライン（ＲＬ１）と接続する。また、補助ライン（ＡＬ）は、第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）と接続することができる。第３コンタクトホール（ＣＨ３）は、絶縁層３１０を貫通して形成することができる。補助ライン（ＡＬ）は、絶縁層３１０に配置され、他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）を露出させる第３コンタクトホール（ＣＨ３）を通じて他の一つの第２タッチライン（ＲＬ２）と接続する。これにより、補助ライン（ＡＬ）は、一つの第２タッチライン（ＲＬ１）と、もう一つの第２タッチライン（ＲＬ２）を電気的に接続する。

絶縁層３１０および第１タッチ電極（ＴＥ）上には、パッシベーション膜３２０が形成される。パッシベーション膜３２０は、外部の有害な環境を遮断して、表示装置の特性の安定化を維持する。

本発明の第１実施例～第５実施例は、ダム（ＤＡＭ）を１つ形成することを記載しているが、これに限定されない。本発明の第１実施例～第５の実施例は、図１４に示すようにダム（ＤＡＭ）を複数個形成した構造にも適用することができる。

より詳細には、第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）、第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）を形成することができる。

第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）は、非表示領域（ＮＤＡ）に配置されて封止膜２８０を構成する有機膜２８２の流れを遮断する。より詳細には、第１ダム（ＤＡＭ１）は表示領域（ＤＡ）の外郭を取り囲むように形成され封止膜２８０を構成する有機膜２８２の流れを一次的に遮断することができる。また、第１ダム（ＤＡＭ１）は表示領域（ＤＡ）とパッド領域（ＰＡ）間に配置され封止膜２８０を構成する有機膜２８２がパッド領域（ＰＡ）を侵犯できないように有機膜２８２の流れを一次的に遮断することができる。

また、第２ダム（ＤＡＭ２）は、第１ダム（ＤＡＭ１）の外郭を取り囲むように形成され、第１ダム（ＤＡＭ１）の外郭に溢れる有機膜２８２を２次的に遮断することができる。これにより、第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）は、有機膜２８２が表示装置の外部に露出したりパッド領域（ＰＡ）を侵犯することをより効果的に遮断することができる。

このような第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）は、画素（Ｐ）の平坦化膜２５０またはバンク２７０と、同時に形成することができ、平坦化膜２５０またはバンク２７０と同じ物質からなり得る。このような場合、ダム（ＤＡＭ）は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機物質で形成することができる。

第１金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成し、第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）が形成されたダム領域に形成しないことを特徴とする。

第１金属パターン上には、絶縁層３１０を形成することができる。絶縁層３１０は、表示領域（ＤＡ）だけでなく、非表示領域（ＮＤＡ）まで形成されるが、特に、ダム領域を覆うように形成して、第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）による段差を低減することができる。絶縁層３１０は、第１ダム（ＤＡＭ１）と第２ダム（ＤＡＭ２）が離間して発生した離隔空間を満たすように十分な厚さを有するように形成することができる。

絶縁層３１０上には、第２金属パターンを形成することができる。第２金属パターンは、非表示領域（ＮＤＡ）に形成され、第１金属パターンとは異なり第１ダム（ＤＡＭ１）及び第２ダム（ＤＡＭ２）が形成されたダム領域にも形成することができる。第２金属パターンは、絶縁層３１０を貫通するコンタクトホールを通じて第１金属パターンと接続することができる。

以上、添付の図を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１００：タッチスクリーン一体型表示装置
１１０：表示パネル
１１１：第１基板
１１２：第２基板
１２０：スキャン駆動部
１３０：データ駆動部
１３１：ソースドライブＩＣ
１４０：軟性フィルム
１５０：回路基板
１６０：タイミングコントローラー
１７０：ホストシステム
１８０：タッチ駆動部
１８１：第１タッチ駆動部
１８２：第２タッチ駆動部
１８３：タッチコントローラー
１９０：タッチ座標算出部
１０：薄膜トランジスタ層
２０：有機発光素子層
３０：封止層
４０：タッチセンシング層
２１０：薄膜トランジスタ
２１１：アクティブ層
２１２：ゲート電極
２１３：ソース電極
２１４：ドレイン電極
２２０：ゲート絶縁膜
２３０：層間絶縁膜
２４０：保護膜
２５０：平坦化膜
２６０：有機発光素子
２６１：第１電極
２６２：有機発光層
２６３：第２電極

Claims (10)

1. 画素が配置された表示領域、及び前記表示領域に隣接し、少なくとも一つのパッドを含む非表示領域を含む基板と、
   前記表示領域と前記パッドとの間に配置されたダムと、
   前記表示領域に配置された画素を覆い、前記ダムを覆う少なくとも一つの無機膜を含む封止膜と、
   前記封止膜上に配置され、前記ダムを覆うバッファ層と、
   前記バッファ層上に配置されたブリッジ電極及び第１金属パターンと、
   前記ブリッジ電極及び前記第１金属パターン上に配置され、前記ダムを覆う絶縁層と、
   前記絶縁層上に配置された第１タッチ電極、第２タッチ電極及び第２金属パターンとを含み、
   前記第１タッチ電極が、第１の方向に互いに離隔され、前記絶縁層の第１コンタクトホールを通じて前記ブリッジ電極と電気的に接続され、
   前記ブリッジ電極は、２つの隣接する第１タッチ電極を第１の方向に互いに接続し、前記第２金属パターンは、前記絶縁層の第２コンタクトホールを通じて前記第１金属パターンと接続される、表示装置。
2. 前記第１タッチ電極は前記第１の方向に整列され、前記第２タッチ電極は前記第１の方向と異なる第２の方向に整列される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１金属パターン及び前記第２金属パターンは、前記非表示領域に配置され、前記第１タッチ電極、前記第２タッチ電極及び前記ブリッジ電極は、前記表示領域に配置される、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１金属パターンは、前記ブリッジ電極と同じ層に形成され、前記第２金属パターンは、前記第１タッチ電極及び前記第２タッチ電極と同じ層に形成される、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第２金属パターンは、前記パッドと前記第１タッチ電極とを電気的に接続する第１タッチラインである、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第２金属パターンは、前記パッドと前記第２タッチ電極とを電気的に接続する第２タッチラインである、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記第２金属パターンは、前記第１金属パターンと、その間の絶縁層と重畳する、請求項４に記載の表示装置。
8. 前記第１金属パターンが、前記表示領域と前記ダムとの間に配置される、請求項３に記載の表示装置。
9. 前記第１タッチ電極は、前記第２タッチ電極と同じ層に形成される、請求項４に記載の表示装置。
10. 前記第２タッチ電極は、前記第１の方向と異なる第２の方向に互いにまとめられる、請求項９に記載の表示装置。

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