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JP7157609B2 - METAL-CERAMIC BONDING SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - Google Patents
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METAL-CERAMIC BONDING SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF Download PDF

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Description

本発明は、金属-セラミックス接合基板およびその製造方法に関し、特に、金属部材がセラミックス基板に接合した金属-セラミックス接合基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a metal-ceramic bonded substrate and its manufacturing method, and more particularly to a metal-ceramic bonded substrate in which a metal member is bonded to a ceramic substrate and its manufacturing method.

電気自動車、電車、工作機械などの大電流を制御するために使用される従来のパワーモジュールでは、ベース板と呼ばれる金属板または複合材の一方の面に金属-セラミックス絶縁基板が半田付けにより固定されるとともに、この金属-セラミックス絶縁基板上に半導体チップが半田付けにより固定され、ベース板の他方の面(裏面)に熱伝導グリースを介してねじ止めなどにより金属製の放熱フィンや冷却ジャケットが取り付けられている。 In conventional power modules used to control large currents in electric vehicles, trains, and machine tools, a metal-ceramic insulating substrate is fixed by soldering to one side of a metal plate or composite material called a base plate. A semiconductor chip is soldered onto this metal-ceramic insulating substrate, and a heat-dissipating fin and cooling jacket made of metal are attached to the other side (rear surface) of the base plate via heat-conducting grease and screwed. It is

この金属-セラミックス絶縁基板へのベース板や半導体チップの半田付けは加熱により行われるため、半田付けの際に接合部材間の熱膨張係数の差によりベース板の反りが生じ易い。また、半導体チップから発生した熱は、金属-セラミックス絶縁基板と半田とベース板を介して放熱フィンや冷却ジャケットにより空気や冷却水に逃がされるため、半田付けの際にベース板の反りが生じると、放熱フィンや冷却ジャケットをベース板に取り付けたときのクリアランスが大きくなり、放熱性が極端に低下する。 Since the base plate and the semiconductor chip are soldered to the metal-ceramic insulating substrate by heating, the base plate tends to warp due to the difference in thermal expansion coefficient between the joining members during soldering. In addition, the heat generated from the semiconductor chip is released to the air and cooling water by the heat radiation fins and cooling jacket through the metal-ceramic insulating substrate, solder, and base plate, so if the base plate warps during soldering, , the clearance becomes large when the heat radiation fins and the cooling jacket are attached to the base plate, and the heat radiation performance is extremely deteriorated.

このような問題を解消して、金属-セラミックス絶縁基板の信頼性を高めるため、降伏応力が非常に低いアルミニウムをベース板に使用した金属-セラミックス回路基板、例えば、耐力が320MPa以下であり且つ厚さが1mm以上のアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板を溶湯法によってセラミックス基板に直接接合した金属-セラミックス回路基板が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In order to solve such problems and increase the reliability of metal-ceramic insulating substrates, metal-ceramic circuit substrates using aluminum with very low yield stress as a base plate, for example, a proof stress of 320 MPa or less and a thickness. A metal-ceramic circuit board has been proposed in which a base plate made of aluminum or an aluminum alloy with a thickness of 1 mm or more is directly bonded to a ceramic substrate by a molten metal method (see, for example, Patent Document 1).

しかし、アルミニウムの降伏応力を小さくするためにはアルミニウムの純度を高くする必要があるが、溶湯法ではアルミニウムの結晶粒径を制御し難く、10mm以上の大きな結晶粒径しか得ることができない。このように結晶粒径が大きいと、結晶粒度分布にばらつきが起こり、半導体チップなどを半田付けする際などの加熱によるアルミニウムベース板の反りにばらつきがある。 However, although it is necessary to increase the purity of aluminum in order to reduce the yield stress of aluminum, it is difficult to control the crystal grain size of aluminum by the molten metal method, and only a large crystal grain size of 10 mm or more can be obtained. If the crystal grain size is large in this way, the crystal grain size distribution will vary, and the aluminum base plate will warp due to heating when a semiconductor chip or the like is soldered.

このような問題を解消するため、鋳型内にセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の両面の所定の部分に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に形成してセラミックス基板に直接接合させるとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板をベース板から離間してセラミックス基板の一方の面に形成してセラミックス基板に直接接合させることにより、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板と、このベース板から離間してセラミックス基板の一方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板とを備えた金属-セラミックス接合基板を製造する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。 In order to solve such problems, a ceramic substrate is placed in a mold, and molten aluminum or an aluminum alloy is poured so as to come into contact with predetermined portions on both sides of the ceramic substrate, and then the molten metal is cooled and solidified. Thus, the base plate made of aluminum or an aluminum alloy is formed on the peripheral edge portion and the side surface of one surface of the ceramic substrate and substantially the entire surface of the other surface and is directly bonded to the ceramic substrate, and the circuit pattern made of aluminum or an aluminum alloy is formed. By forming the metal plate on one side of the ceramic substrate at a distance from the base plate and directly bonding it to the ceramic substrate, the ceramic substrate, the peripheral edge of one surface of the ceramic substrate, the side surface, and the other surface of the ceramic substrate. A metal comprising a base plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to substantially the entire surface thereof, and a circuit pattern metal plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to one surface of a ceramic substrate spaced apart from the base plate- A method for manufacturing a ceramic bonded substrate has been proposed (see, for example, Patent Document 2).

特開2002-76551号公報(段落番号0015-0017)JP 2002-76551 A (paragraph number 0015-0017) 特開2017-228551号公報(段落番号0009-0012)JP 2017-228551 A (paragraph number 0009-0012)

しかし、特許文献2の方法により製造された金属-セラミックス接合基板では、パワーモジュールに組み込むときに、回路パターン用金属板側のベース板のセラミックス基板に対応する部分の外側(内部にセラミックス基板が配置されていない部分)にケースを取り付ける必要があるため、金属-セラミックス接合基板のベース板を小型化するのが困難になるとともに、回路パターン用金属板と反対側のベース板のセラミックス基板に対応する部分の外側(内部にセラミックス基板が配置されていない部分)に水冷ジャケットを取り付ける必要があるため、水冷ジャケットを取り付けるベース板の強度が不足するという問題がある。 However, in the metal-ceramic bonding substrate manufactured by the method of Patent Document 2, when it is incorporated into a power module, the ceramic substrate is placed outside (inside) the portion of the base plate on the side of the circuit pattern metal plate that corresponds to the ceramic substrate. It is difficult to miniaturize the base plate of the metal-ceramic bonding board because it is necessary to attach a case to the non-bonded part). Since it is necessary to attach the water cooling jacket to the outside of the part (the part where the ceramic substrate is not arranged inside), there is a problem that the strength of the base plate to which the water cooling jacket is attached is insufficient.

したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、セラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板から離間してアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板がセラミックス基板の一方の面に直接接合した金属-セラミックス接合基板のベース板を小型化することができる、金属-セラミックス接合基板およびその製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, in view of such conventional problems, the present invention provides a base plate made of aluminum or an aluminum alloy that is directly bonded to the peripheral edge portion and side surface of one surface of the ceramic substrate and substantially the entire surface of the other surface. Provided are a metal-ceramic bonded substrate and a method for manufacturing the metal-ceramic bonded substrate, in which a circuit pattern metal plate made of aluminum or an aluminum alloy is directly bonded to one surface of the ceramic substrate, and the base plate of the metal-ceramic bonded substrate can be miniaturized. for the purpose.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、鋳型内に略水平方向に延びるようにセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の表面に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の上面の周縁部と側面および底面の略全面に形成してセラミックス基板に直接接合させるとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板をベース板から離間してセラミックス基板の上面に形成してセラミックス基板に直接接合させるにより、セラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板から離間してアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板がセラミックス基板の一方の面に直接接合した金属-セラミックス接合基板のベース板を小型化することができることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive research to solve the above problems, the present inventors have found that a ceramic substrate is arranged in a mold so as to extend in a substantially horizontal direction, and a molten aluminum or aluminum alloy is placed in contact with the surface of the ceramic substrate. After pouring the molten metal, the molten metal is cooled and solidified to form a base plate made of aluminum or an aluminum alloy on substantially the entire peripheral edge of the upper surface, side surfaces and bottom surface of the ceramic substrate and directly bonded to the ceramic substrate, A circuit pattern metal plate made of aluminum or an aluminum alloy is formed on the upper surface of the ceramic substrate at a distance from the base plate and directly bonded to the ceramic substrate, so that the peripheral edge of one surface of the ceramic substrate, the side surface, and the other surface of the ceramic substrate. A compact base plate of a metal-ceramic bonded substrate in which a circuit pattern metal plate made of aluminum or an aluminum alloy is directly bonded to one surface of a ceramic substrate spaced apart from a base plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to substantially the entire surface The present inventors have found that it is possible to achieve the present invention.

すなわち、本発明による金属-セラミックス接合基板の製造方法は、鋳型内に略水平方向に延びるようにセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の表面に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の上面の周縁部と側面および底面の略全面に形成してセラミックス基板に直接接合させるとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板をベース板から離間してセラミックス基板の上面に形成してセラミックス基板に直接接合させることを特徴とする。 That is, the method for producing a metal-ceramic bonding substrate according to the present invention comprises placing a ceramic substrate in a mold so as to extend in a substantially horizontal direction, and pouring molten aluminum or an aluminum alloy so as to come into contact with the surface of the ceramic substrate. Then, by cooling and solidifying the molten metal, a base plate made of aluminum or an aluminum alloy is formed on substantially the entire surface of the upper peripheral portion, side surfaces, and bottom surface of the ceramic substrate and is directly bonded to the ceramic substrate, and aluminum or aluminum. A circuit pattern metal plate made of an alloy is formed on the upper surface of the ceramic substrate while being spaced apart from the base plate, and is directly bonded to the ceramic substrate.

この金属-セラミックス接合基板の製造方法において、鋳型が上側鋳型部材と下側鋳型部材とからなり、上側鋳型部材にベース板の上側部の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部と回路パターン用金属板と略同一の形状および大きさの回路パターン形成用凹部が形成され、下側鋳型部材にベース板の下側部の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部が形成され、このベース板形成用凹部の底面の周縁部に互いに離間して複数のセラミックス基板支持部が突設され、これらのセラミックス基板支持部にセラミックス基板の底面の周縁部が支持されるようにするのが好ましい。また、ベース板を形成してセラミックス基板に直接接合させる際に、ベース板の底面に、互いに離間して突出する多数の柱状突起部をベース板と一体に形成してもよい。また、上側鋳型部材のベース板形成用凹部と回路パターン形成用凹部との間にベース板形成用凹部および回路パターン形成用凹部より浅い凹部が溶湯流路として形成されているのが好ましい。また、回路パターン形成用凹部を複数形成し、これらの回路パターン形成用凹部を互いに離間して配置し、上記の溶湯流路を、回路パターン形成用凹部の全周にわたって、ベース板形成用凹部と回路パターン形成用凹部との間と回路パターン形成用凹部同士の間に延びるように形成してもよい。この場合、上側鋳型部材の溶湯流路に対応する部分に、鋳型内に配置されたセラミックス基板を保持する保持ピンを突設させるのが好ましい。 In this method of manufacturing a metal-ceramic bonded substrate, the mold is composed of an upper mold member and a lower mold member, and the upper mold member has a recess for forming the base plate having substantially the same shape and size as the outer shape of the upper portion of the base plate. and a recess for forming a circuit pattern having approximately the same shape and size as the metal plate for circuit pattern is formed, and a recess for forming a base plate having approximately the same shape and size as the outer shape of the lower side portion of the base plate is formed in the lower mold member. A recess is formed, and a plurality of ceramic substrate supporting portions are protruded from the peripheral edge of the bottom surface of the base plate forming recess, and the ceramic substrate supporting portions support the peripheral edge of the bottom surface of the ceramic substrate. It is preferable to Further, when the base plate is formed and directly bonded to the ceramic substrate, a large number of columnar protrusions projecting apart from each other may be formed integrally with the base plate on the bottom surface of the base plate. Further, it is preferable that a recess shallower than the base plate forming recess and the circuit pattern forming recess is formed as a molten metal flow path between the base plate forming recess and the circuit pattern forming recess of the upper mold member. Further, a plurality of circuit pattern forming recesses are formed, these circuit pattern forming recesses are arranged apart from each other, and the molten metal flow path is formed along the entire circumference of the circuit pattern forming recesses and the base plate forming recesses. You may form so that it may extend between the recessed parts for circuit pattern formation, and between the recessed parts for circuit pattern formation. In this case, it is preferable to project a holding pin for holding the ceramic substrate placed in the mold from a portion of the upper mold member corresponding to the molten metal flow path.

また、本発明による金属-セラミックス接合基板は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板と、このベース板から離間してセラミックス基板の一方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板とを備え、セラミックス基板の他方の面の周縁部の一部が外部に露出していることを特徴とする。 The metal-ceramic bonding substrate according to the present invention comprises: a ceramic substrate; a base plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to the peripheral portion and side surfaces of one surface of the ceramic substrate and substantially the entire surface of the other surface of the ceramic substrate; A circuit pattern metal plate made of aluminum or an aluminum alloy and directly bonded to one surface of the ceramic substrate separated from the base plate, and a part of the peripheral edge of the other surface of the ceramic substrate is exposed to the outside. It is characterized by

この金属-セラミックス接合基板において、セラミックス基板の側面の一部が外部に露出してもよい。また、ベース板のセラミックス基板の他方の面に直接接合した部分のセラミックス基板と反対側の面に、互いに離間して突出する複数の柱状突起部を、ベース板と一体に形成するのが好ましい。 In this metal-ceramic bonding substrate, a part of the side surface of the ceramic substrate may be exposed to the outside. In addition, it is preferable to form a plurality of spaced-apart projecting columnar projections integrally with the base plate on the surface of the base plate that is directly bonded to the other surface of the ceramic substrate and is opposite to the ceramic substrate.

本発明によれば、セラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板から離間してアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板がセラミックス基板の一方の面に直接接合した金属-セラミックス接合基板のベース板を小型化することができる、金属-セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。 According to the present invention, a circuit pattern metal made of aluminum or an aluminum alloy is spaced apart from a base plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to the peripheral edge portion and side surface of one surface of a ceramic substrate and substantially the entire surface of the other surface. Provided are a metal-ceramic bonded substrate and a method for manufacturing the same, which can downsize the base plate of the metal-ceramic bonded substrate in which a plate is directly bonded to one surface of the ceramic substrate.

本発明による金属-セラミックス接合基板の実施の形態の平面図である。1 is a plan view of an embodiment of a metal-ceramic bonded substrate according to the present invention; FIG. 図1Aの金属-セラミックス接合基板の底面図である。1B is a bottom view of the metal-ceramic bonding substrate of FIG. 1A; FIG. 図1Bの金属-セラミックス接合基板のIC-IC線断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view of the metal-ceramic bonding substrate taken along the IC-IC line in FIG. 1B; 図1Aの金属-セラミックス接合基板を製造するために使用する鋳型の断面図である。1B is a cross-sectional view of a mold used to manufacture the metal-ceramic bonded substrate of FIG. 1A; FIG. 図2Aの鋳型の下側鋳型部材の平面図である。2B is a plan view of the lower mold member of the mold of FIG. 2A; FIG. 図2Aの鋳型の上側鋳型部材の底面図である。2B is a bottom view of the upper mold member of the mold of FIG. 2A; FIG. 図2Aの鋳型の変形例を示す断面図である。2B is a cross-sectional view showing a variation of the mold of FIG. 2A; FIG. 図3Aの鋳型の下側鋳型部材の平面図である。3B is a plan view of the lower mold member of the mold of FIG. 3A; FIG. 図3Aの鋳型の上側鋳型部材の底面図である。3B is a bottom view of the upper mold member of the mold of FIG. 3A; FIG. 図3Aの鋳型の上側鋳型部材の保持ピンを拡大して示す断面図である。Figure 3B is an enlarged cross-sectional view of a retaining pin of the upper mold member of the mold of Figure 3A;

以下、添付図面を参照して、本発明による金属-セラミックス接合基板およびその製造方法の実施の形態について詳細に説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of a metal-ceramic bonding substrate and a method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1A~図1Cは、本発明による金属-セラミックス接合基板の実施の形態を示し、図2A~図2Cは、その金属-セラミックス接合基板を製造するために使用する鋳型を示している。 1A-1C show embodiments of metal-ceramic bonding substrates according to the present invention, and FIGS. 2A-2C show molds used to manufacture the metal-ceramic bonding substrates.

図1A~図1Cに示すように、本発明による金属-セラミックス接合基板の実施の形態は、平面形状が略矩形のセラミックス基板10と、このセラミックス基板10の上面(回路パターン側の面)の周縁部と側面および底面(裏面)の略全面に直接接合した平面形状が略矩形のアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板(アルミニウムベース板)12と、セラミックス基板10の上面の周縁部に直接接合したベース板12から離間してセラミックス基板10の上面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる1以上(図示した実施の形態では2つ)の回路パターン用金属板(回路パターン用アルミニウム板)14とを備えている。 As shown in FIGS. 1A to 1C, the embodiment of the metal-ceramic bonding substrate according to the present invention includes a ceramic substrate 10 having a substantially rectangular planar shape and a peripheral edge of the upper surface (surface on the circuit pattern side) of the ceramic substrate 10. A base plate (aluminum base plate) 12 made of aluminum or an aluminum alloy and having a substantially rectangular planar shape and being directly bonded to substantially the entire surface of the part, side surfaces, and bottom surface (rear surface), and a base directly bonded to the peripheral edge of the upper surface of the ceramics substrate 10. One or more (two in the illustrated embodiment) metal plates for circuit patterns (aluminum plates for circuit patterns) 14 made of aluminum or an aluminum alloy and directly bonded to the upper surface of the ceramic substrate 10 separated from the plate 12 are provided. ing.

また、ベース板12の底面には、(放熱フィンとしての)多数の柱状突起部12aが突出するように一体に形成されている。各々の柱状突起部12aは、略円柱形状または略円錐台形状(略円錐の上端を底面と略平行に切断した形状)を有し、ベース板12の底面に対して略垂直方向に延びている。また、柱状突起部12aは、それぞれ所定の間隔で離間して一列に配置された柱状突起部12aの複数列が互いに平行に且つ隣接する柱状突起部12aの列と互いに半ピッチ(隣接する柱状突起部12aの中心線(柱状突起部12aが延びる軸線)間の距離の半分)ずれるように配置され、隣接する柱状突起部12aの間隔を確保しながらより多くの柱状突起部12aが配置されるようにしているが、隣接する柱状突起部12aの間隔を確保しながら多数の柱状突起部12aを配置することができれば、他の配置でもよい。 In addition, a large number of columnar protrusions 12a (as radiation fins) are integrally formed on the bottom surface of the base plate 12 so as to protrude. Each columnar protrusion 12a has a substantially cylindrical shape or a substantially truncated cone shape (a shape obtained by cutting the upper end of a substantially cone substantially parallel to the bottom surface), and extends substantially perpendicularly to the bottom surface of the base plate 12. . In addition, the columnar projections 12a are arranged such that a plurality of rows of the columnar projections 12a arranged in a row at predetermined intervals are parallel to each other and adjacent rows of the columnar projections 12a are separated from each other by a half pitch (adjacent columnar projections). The center lines of the portions 12a (half the distance between the axial lines along which the columnar projections 12a extend)) are arranged so as to be displaced, and more columnar projections 12a are arranged while ensuring the spacing between the adjacent columnar projections 12a. However, other arrangements may be used as long as a large number of columnar protrusions 12a can be arranged while ensuring the intervals between adjacent columnar protrusions 12a.

この金属-セラミックス接合基板の実施の形態は、図2A~図2Cに示すような鋳型20内にセラミックス基板10を配置し、セラックス基板10の両面のベース板12と回路パターン用金属板14に対応する部分に接触するように、アルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を流し込んで冷却することによって製造することができる。 In this embodiment of the metal-ceramic bonding substrate, the ceramic substrate 10 is placed in a mold 20 as shown in FIGS. It can be manufactured by pouring a molten aluminum or aluminum alloy into contact with the part to be contacted and cooling it.

図2Aに示すように、鋳型20は、(多孔質の)カーボンまたは多孔質金属などの(溶湯不透過の)通気性材料からなり、それぞれ平面形状が略矩形の下側鋳型部材22と上側鋳型部材24とから構成されている。 As shown in FIG. 2A, the mold 20 is made of a (porous) gas-permeable (impermeable to molten metal) material such as carbon (porous) or porous metal, and has a lower mold member 22 and an upper mold member each having a substantially rectangular planar shape. It is composed of a member 24.

図2Aおよび図2Bに示すように、下側鋳型部材22の上面には、ベース板12(のセラミックス基板10の側面側の部分の下側部と底面(裏面)側の部分)を形成するための(ベース板形成用)凹部(ベース板形成部)22aが形成されている。このベース板形成部22aの底面には、多数の柱状突起部12aを形成するための(柱状突起形成用)凹部(柱状突起形成部)22bが形成されている。また、ベース板形成部22aの底面には、セラミックス基板10の長手方向両端部を支持する平面形状が略矩形の複数(図示した実施の形態では2対)の基板支持部(長手方向基板支持部)22cと、セラミックス基板10の幅方向両端部を支持する平面形状が略矩形の複数(図示した実施の形態では2対)の基板支持部(幅方向基板支持部)22dが、その底面から略垂直方向に突出して形成されている。これらの基板支持部22cおよび22dは、セラミックス基板10の底面の周縁部と側面に当接してセラミックス基板10を所定の位置で支持するために、それぞれ略L字型の断面を有するように段差が設けられている。なお、これらの基板支持部22cおよび22d上にセラミックス基板10を載置しても、セラミックス基板10の上面(回路パターン側の面)の周縁部と側面および底面(裏面)の略全面の周囲にベース板形成部22aが確保されるようになっている。 As shown in FIGS. 2A and 2B, on the upper surface of the lower mold member 22, the base plate 12 (the lower portion of the side surface side portion of the ceramic substrate 10 and the bottom surface (rear) side portion) is formed. (for base plate formation) concave portion (base plate forming portion) 22a is formed. The bottom surface of the base plate forming portion 22a is formed with recesses (columnar projection forming portions) 22b (for forming columnar projections) for forming a large number of columnar projections 12a. Further, on the bottom surface of the base plate forming portion 22a, a plurality of (two pairs in the illustrated embodiment) substrate support portions (longitudinal substrate support portions) having a substantially rectangular planar shape for supporting both ends in the longitudinal direction of the ceramic substrate 10 are provided. ) 22c, and a plurality of (two pairs in the illustrated embodiment) substrate support portions (width direction substrate support portions) 22d having a substantially rectangular planar shape for supporting both ends in the width direction of the ceramic substrate 10 are provided approximately from the bottom surface thereof. It is formed to protrude in the vertical direction. These substrate support portions 22c and 22d are stepped so as to have a substantially L-shaped cross section so as to abut on the peripheral portion of the bottom surface and side surfaces of the ceramic substrate 10 and support the ceramic substrate 10 at a predetermined position. is provided. Even if the ceramic substrate 10 is placed on these substrate supporting portions 22c and 22d, the peripheral edge portion of the upper surface (surface on the circuit pattern side) of the ceramic substrate 10, the side surface, and the bottom surface (rear surface) are substantially entirely surrounded by The base plate forming portion 22a is secured.

図2Aおよび図2Cに示すように、上側鋳型部材24の底面には、ベース板12(のセラミックス基板10の側面側の部分の上側部と上面(回路パターン側の面)の周縁部側の部分)を形成するための(ベース板形成用)凹部(ベース板形成部)24aと、回路パターン用金属板14を形成するための(回路パターン形成用)凹部(回路パターン用金属板形成部)24bが形成されている。この回路パターン用金属板形成部24bは、ベース板形成部24aから離間しており、ベース板12(の回路パターン側の部分)と回路パターン用金属板14との間の絶縁を確保するようになっている。 As shown in FIGS. 2A and 2C, on the bottom surface of the upper mold member 24, the upper portion of the side surface side portion of the base plate 12 (of the ceramic substrate 10) and the peripheral portion side portion of the upper surface (circuit pattern side surface) are provided. ) for forming a (base plate forming portion) 24a and a (circuit pattern forming) concave portion (circuit pattern forming portion) 24b for forming the circuit pattern metal plate 14. is formed. The circuit pattern metal plate forming portion 24b is separated from the base plate forming portion 24a so as to ensure insulation between (the circuit pattern side portion of) the base plate 12 and the circuit pattern metal plate 14. It's becoming

なお、上側鋳型部材24には、(図示しない)注湯ノズルから上側鋳型部材24のベース板形成部24aおよび回路パターン用金属板形成部24bと下側鋳型部材22のベース板形成部22a(および柱状突起形成部22b)内に溶湯を注湯するための(図示しない)注湯口が形成されている。また、上側鋳型部材24には、ベース板形成部24aと回路パターン用金属板形成部24bとの間と回路パターン用金属板形成部24b同士の間に延びる溶湯流路24cが(ベース板形成部24aおよび回路パターン用金属板形成部24bより浅く)形成されている。なお、図1Aおよび図1Cでは、溶湯流路24cに対応する部分を除去した後の金属-セラミックス接合基板を示している。 In the upper mold member 24, a base plate forming portion 24a and a circuit pattern metal plate forming portion 24b of the upper mold member 24 are fed from a molten metal pouring nozzle (not shown), and a base plate forming portion 22a of the lower mold member 22 (and A pouring port (not shown) for pouring molten metal is formed in the columnar projection forming portion 22b). In addition, in the upper mold member 24, the molten metal flow path 24c extending between the base plate forming portion 24a and the circuit pattern metal plate forming portion 24b and between the circuit pattern metal plate forming portions 24b (base plate forming portion 24a and the circuit pattern metal plate forming portion 24b). 1A and 1C show the metal-ceramic bonding substrate after removing the portion corresponding to the molten metal flow path 24c.

このような鋳型20を使用して図1A~図1Cに示す実施の形態の金属-セラミックス接合基板を製造するためには、まず、下側鋳型部材22の基板支持部22cおよび22d上にセラミックス基板10を配置した後、上側鋳型部材24を下側鋳型部材22に被せる。この状態で鋳型20内にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を流し込んで冷却すると、セラミックス基板10の上面(回路パターン側の面)の周縁部と側面および底面(裏面)の略全面にベース板12が直接接合するとともに、そのベース板12(の回路パターン側の部分)から離間してセラミックス基板10に回路パターン用金属板14が直接接合した金属-セラミックス接合基板を製造することができる。なお、ベース板12には、基板支持部22cおよび22dに対応する複数の凹部12bが形成されてセラミックス基板10の周縁部の一部が露出しているが、これらの凹部12bは小さいため、金属-セラミックス接合基板の信頼性や熱伝導率に殆ど影響しない。 In order to use such a mold 20 to manufacture the metal-ceramic bonded substrate of the embodiment shown in FIGS. After placing 10 , upper mold member 24 is placed over lower mold member 22 . In this state, when molten aluminum or aluminum alloy is poured into the mold 20 and cooled, the base plate 12 is directly formed on substantially the entire surface of the upper surface (circuit pattern side) of the ceramic substrate 10, the side surfaces, and the bottom surface (rear surface). It is possible to manufacture a metal-ceramic bonded substrate in which the circuit pattern metal plate 14 is directly bonded to the ceramic substrate 10 while being bonded together (the portion on the circuit pattern side) of the base plate 12 . A plurality of recesses 12b corresponding to the substrate support portions 22c and 22d are formed in the base plate 12, and a part of the peripheral edge of the ceramic substrate 10 is exposed. - Has little effect on the reliability and thermal conductivity of the ceramic bonded substrate.

また、図3A~図3Dに示す鋳型30を使用して金属-セラミックス接合基板を製造してもよい。この鋳型30の上側鋳型部材34には、鋳型20の溶湯流路24cに代えて、回路パターン用金属板形成部34bの全周にわたって、ベース板形成部34aと回路パターン用金属板形成部34bとの間と回路パターン用金属板形成部34b同士の間に延びる溶湯流路34cが形成されている。このように溶湯流路34cを形成すると、鋳型30内に溶湯を流し込んだときにセラミックス基板10が浮き上がるおそれがあるので、そのようなセラミックス基板10の浮き上がりを防止するために、鋳型30の上側鋳型部材34の溶湯流路34cに対応する部分に少なくとも1つ(図示した実施の形態では5つ)の(略円筒形の)保持ピン34dが、上側鋳型部材34から(鋳型30内に配置された)セラミックス基板10の方に突設して、セラミックス基板10に当接(またはセラミックス基板10から0.3mm以下(好ましくは0.1mm以下)の距離で離間して近接)するようになっている。その他の構成は、上述した図2A~図2Cの鋳型20と略同一であるので、図3A~図3Dにおいて、参照符号に10を加えてその説明を省略する。 A metal-ceramic bonded substrate may also be manufactured using the mold 30 shown in FIGS. 3A-3D. In the upper mold member 34 of the mold 30, instead of the molten metal flow path 24c of the mold 20, a base plate forming portion 34a and a circuit pattern metal plate forming portion 34b are provided over the entire circumference of the circuit pattern metal plate forming portion 34b. and between the circuit pattern metal plate forming portions 34b. If the molten metal flow path 34c is formed in this way, the ceramic substrate 10 may float when the molten metal is poured into the mold 30. At least one (five in the illustrated embodiment) (substantially cylindrical) retaining pins 34d extend from the upper mold member 34 (located within the mold 30) in the portion of the member 34 corresponding to the melt channel 34c. ) protrudes toward the ceramic substrate 10 and comes into contact with the ceramic substrate 10 (or close to the ceramic substrate 10 at a distance of 0.3 mm or less (preferably 0.1 mm or less)). . Other configurations are substantially the same as those of the mold 20 shown in FIGS. 2A to 2C described above, so in FIGS. 3A to 3D, reference numerals 10 are added and descriptions thereof are omitted.

なお、上記の金属-セラミックス接合基板およびその製造方法の実施の形態において、セラミックス基板として、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化珪素などを主成分とするセラミックス基板を使用することができる。 In addition, in the embodiment of the metal-ceramic bonding substrate and the manufacturing method thereof, a ceramic substrate containing aluminum nitride, alumina, silicon nitride or the like as a main component can be used as the ceramic substrate.

また、上記の金属-セラミックス接合基板の製造方法の実施の形態により製造した金属-セラミックス接合基板を鋳型から取り出した後、機械加工や薬液によるエッチングなどにより、鋳型の溶湯流路に対応する部分を除去する。エッチングにより溶湯流路に対応する部分を除去する場合には、回路パターン用金属板とベース板の表面にエッチングレジストを形成してエッチングしてもよい。 Further, after removing the metal-ceramic bonding substrate manufactured by the above-described method for manufacturing a metal-ceramic bonding substrate from the mold, the portion corresponding to the molten metal flow path of the mold is removed by machining or etching with a chemical solution. Remove. When removing the portion corresponding to the molten metal flow path by etching, etching may be performed after forming an etching resist on the surfaces of the circuit pattern metal plate and the base plate.

10 セラミックス基板
12 ベース板
12a 柱状突起部
12b 凹部
14 回路パターン用金属板
20、30 鋳型
22、32 下側鋳型部材
22a、32a ベース板形成用凹部(ベース板形成部)
22b、32b 柱状突起形成用凹部(柱状突起形成部)
22c、32c 長手方向基板支持部
22d、32d 幅方向基板支持部
24、34 上側鋳型部材
24a、34a ベース板形成用凹部(ベース板形成部)
24b、34b 回路パターン形成用凹部(回路パターン用金属板形成部)
24c、34c 溶湯流路
34d 保持ピン
REFERENCE SIGNS LIST 10 ceramic substrate 12 base plate 12a columnar protrusion 12b recess 14 circuit pattern metal plate 20, 30 molds 22, 32 lower mold member 22a, 32a base plate forming recess (base plate forming portion)
22b, 32b columnar projection forming recess (columnar projection forming portion)
22c, 32c Longitudinal substrate support portions 22d, 32d Width direction substrate support portions 24, 34 Upper mold members 24a, 34a Base plate forming recesses (base plate forming portions)
24b, 34b circuit pattern forming recesses (circuit pattern metal plate forming portions)
24c, 34c Molten metal flow path 34d Holding pin

Claims (9)

鋳型内に略水平方向に延びるようにセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の表面に接触するようにアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯した後に溶湯を冷却して固化させることにより、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板をセラミックス基板の上面の周縁部と側面および底面の略全面に形成してセラミックス基板に直接接合させるとともに、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板をベース板から離間してセラミックス基板の上面に形成してセラミックス基板に直接接合させることを特徴とする、金属-セラミックス接合基板の製造方法。 A ceramic substrate is arranged in a mold so as to extend in a substantially horizontal direction, molten aluminum or an aluminum alloy is poured so as to come into contact with the surface of the ceramic substrate, and then the molten metal is cooled and solidified to obtain aluminum or aluminum. A base plate made of an alloy is formed over substantially the entire peripheral edge of the upper surface, the side surfaces, and the bottom surface of the ceramic substrate and is directly bonded to the ceramic substrate, and a metal plate for circuit patterns made of aluminum or an aluminum alloy is spaced apart from the base plate. A method for producing a metal-ceramic bonded substrate, characterized by forming the substrate on the upper surface of the ceramic substrate and directly bonding it to the ceramic substrate. 前記鋳型が上側鋳型部材と下側鋳型部材とからなり、上側鋳型部材に前記ベース板の上側部の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部と前記回路パターン用金属板と略同一の形状および大きさの回路パターン形成用凹部が形成され、下側鋳型部材に前記ベース板の下側部の外形と略同一の形状および大きさのベース板形成用凹部が形成され、このベース板形成用凹部の底面の周縁部に互いに離間して複数のセラミックス基板支持部が突設され、これらのセラミックス基板支持部に前記セラミックス基板の底面の周縁部が支持されることを特徴とする、請求項1に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。 The mold is composed of an upper mold member and a lower mold member, and the upper mold member includes a recess for forming a base plate having substantially the same shape and size as the outer shape of the upper portion of the base plate and the metal plate for circuit pattern. A circuit pattern forming recess having the same shape and size is formed, and a base plate forming recess having substantially the same shape and size as the outer shape of the lower side portion of the base plate is formed in the lower mold member, and the base A plurality of ceramic substrate support portions are protruded from the peripheral edge portion of the bottom surface of the plate forming recess, and the ceramic substrate support portions support the peripheral edge portion of the bottom surface of the ceramic substrate, The method for producing a metal-ceramic bonding substrate according to claim 1. 前記上側鋳型部材のベース板形成用凹部と回路パターン形成用凹部との間にベース板形成用凹部および回路パターン形成用凹部より浅い凹部が溶湯流路として形成されていることを特徴とする、請求項2に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。 A recess shallower than the base plate forming recess and the circuit pattern forming recess is formed as a molten metal flow path between the base plate forming recess and the circuit pattern forming recess of the upper mold member. Item 3. A method for producing a metal-ceramic bonding substrate according to item 2. 前記回路パターン形成用凹部が複数形成され、これらの回路パターン形成用凹部が互いに離間して配置され、前記溶湯流路が、前記回路パターン形成用凹部の全周にわたって、前記ベース板形成用凹部と前記回路パターン形成用凹部との間と前記回路パターン形成用凹部同士の間に延びるように形成されていることを特徴とする、請求項に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。 A plurality of the circuit pattern forming recesses are formed, the circuit pattern forming recesses are arranged apart from each other, and the molten metal flow path extends over the entire circumference of the circuit pattern forming recesses and the base plate forming recesses. 4. The method for manufacturing a metal-ceramic bonding substrate according to claim 3 , wherein the substrate is formed so as to extend between the circuit pattern forming recesses and between the circuit pattern forming recesses . 前記上側鋳型部材の前記溶湯流路に対応する部分に、前記鋳型内に配置されたセラミックス基板を保持する保持ピンが突設されていることを特徴とする、請求項に記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。 5. The metal-ceramics according to claim 4 , wherein holding pins for holding the ceramic substrate placed in the mold are protruding from the portion of the upper mold member corresponding to the molten metal flow path. A method for manufacturing a bonded substrate. 前記ベース板を形成して前記セラミックス基板に直接接合させる際に、前記ベース板の底面に、互いに離間して突出する多数の柱状突起部を前記ベース板と一体に形成することを特徴とする、請求項1乃至のいずれかに記載の金属-セラミックス接合基板の製造方法。 When the base plate is formed and directly bonded to the ceramic substrate, a large number of columnar projections projecting apart from each other are formed integrally with the base plate on the bottom surface of the base plate, 6. The method for producing a metal-ceramic bonded substrate according to claim 1 . セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面の周縁部と側面および他方の面の略全面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板と、このベース板から離間してセラミックス基板の一方の面に直接接合したアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路パターン用金属板とを備え、セラミックス基板の他方の面の周縁部の一部が外部に露出していることを特徴とする、金属-セラミックス接合基板。 A ceramic substrate, a base plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to a peripheral edge portion and a side surface of one surface of the ceramic substrate and substantially the entire surface of the other surface of the ceramic substrate, and one surface of the ceramic substrate spaced apart from the base plate. A circuit pattern metal plate made of aluminum or an aluminum alloy directly bonded to a metal-ceramic bonded substrate, characterized in that a part of the peripheral edge of the other surface of the ceramic substrate is exposed to the outside. 前記セラミックス基板の側面の一部が外部に露出していることを特徴とする、請求項7に記載の金属-セラミックス接合基板。 8. The metal-ceramic bonding substrate according to claim 7, wherein a part of the side surface of said ceramic substrate is exposed to the outside. 前記ベース板の前記セラミックス基板の他方の面に直接接合した部分の前記セラミックス基板と反対側の面に、互いに離間して突出する複数の柱状突起部が、前記ベース板と一体に形成されていることを特徴とする、請求項7または8に記載の金属-セラミックス接合基板。 A plurality of columnar projections projecting apart from each other are formed integrally with the base plate on the surface opposite to the ceramic substrate of the portion of the base plate that is directly bonded to the other surface of the ceramic substrate. The metal-ceramic bonding substrate according to claim 7 or 8, characterized by:
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