JP7164352B2 - バックグラインドテープ - Google Patents

Description

本発明は、バックグラインドテープに関する。より詳細には、ダイシング工程後に行われるバックグラインド工程で、好適に用いられるバックグラインドテープに関する。

電子部品の集合体であるワーク（例えば、半導体ウエハ）は、大径で製造され、素子小片に切断分離（ダイシング）され、さらにマウント工程に移される。このダイシング工程ではワークを切断し、小片化する。ダイシング後のワークを固定するため、通常、ワークに粘着テープ（ダイシングテープ）を貼り合せた上で、ダイシングを行う（例えば、特許文献１）。ダイシングの方法のひとつとして、レーザー光によりワークをダイシングする方法が知られている。このようなダイシング方法としては、レーザー光をワークの表面に集光させて、当該ワークの表面に溝を形成したうえで、ワークを切断する方法が多用されている。その一方、近年、レーザー光をワークの内部に集光させ、当該箇所でワークを改質させた後に、ワークを切断するステルスダイシングも提案されている。

また、通常、半導体ウエハの加工では、所定の厚み（例えば、１００μｍ～６００μｍ）にまで裏面を研削することが行われる（バックグラインド工程）。従来、半導体ウエハの表面にパターンを形成した後に、表面をバックグラインドテープに固定して裏面研削（バックグラインド）を行い、その後、ダイシング工程が行われている。バックグラインドテープは半導体ウエハの固定性が求められ、また、半導体ウエハの表面はバンプが形成されていることがあり、このバンプによる凹凸を適切に埋めて、優れた固定性および研削水の侵入を防止しし得ることが求められる。

一方、近年、上記ステルスダイシングの有用性を高めるべく、ステルスダイシングを行った後に、表面をバックグラインドテープに固定してバックグラインド工程を行う技術が検討されている。

特開２００３－００７６４６号公報

上記のようにバックグラインド工程の前にダイシングを行うと、バックグラインド時に、小片化されたチップ同士が干渉してチップ欠けが生じるという新たな課題が生じる。

本発明の課題は、ダイシングの後に行われるバックグラインド工程に用いられるバックグラインドテープであって、バックグラインド時に生じ得るチップ欠けを防止しつつ、凹凸面への追従性に優れるバックグラインドテープを提供することにある。

本発明のバックグラインドテープは、粘着剤層と、中間層と、第１の基材とをこの順に備え、該中間層を構成する材料が、カルボキシル基を有し、かつ、架橋していないアクリル系樹脂であり、該中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、２００ＭＰａ以下であり、該粘着剤層をＳｉミラーウエハに貼着した際の初期粘着力が、１Ｎ／２０ｍｍ～３０Ｎ／２０ｍｍである。
１つの実施形態においては、上記第１の基材が、ポリエチレンテレフタレートから構成される。
１つの実施形態においては、上記第１の基材の厚みが、３５μｍ～２００μｍである。
１つの実施形態においては、上記粘着剤層の厚みが、１μｍ～５０μｍである。
１つの実施形態においては、上記中間層の厚みが、２０μｍ～３００μｍである。
１つの実施形態においては、上記バックグラインドテープは、ステルスダイシングされた半導体ウエハを裏面研削する際に用いられる。
１つの実施形態においては、上記半導体ウエハが、バンプ面を有する。

本発明によれば、バックグラインド時に生じ得るチップ欠けを防止するバックグラインドテープを提供することができる。本発明のバックグラインドテープは、ダイシング（好ましくは、ステルスダイシング）の後に行われるバックグラインド工程に用いられるバックグラインドテープとして有用である。また、本発明のバックグラインドテープは、応答追従性に優れ、バンプ面を有する半導体ウエハのバックグラインドテープとして特に有用である。

本発明の１つの実施形態によるバックグラインドテープの概略断面図である。 本発明の別の実施形態によるバックグラインドテープの概略断面図である。

Ａ．バックグラインドテープの概要
図１は、本発明の１つの実施形態によるバックグラインドテープの概略断面図である。この実施形態によるバックグラインドテープ１００は、粘着剤層１０と、中間層２０と、第１の基材３１とを備える。図示していないが、本発明のバックグラインドテープは、使用に供するまでの間、粘着面を保護する目的で、粘着剤層の外側に剥離ライナーが設けられていてもよい（図示せず）。また、バックグラインドテープは、本発明の効果が得られる限り、任意の適切なその他の層をさらに含んでいてもよい。好ましくは、中間層は、第１の基材に直接配置される。また、好ましく粘着剤層は中間層に直接配置される。

本発明のバックグラインドテープは、ダイシングされた半導体ウエハを裏面研削（バックグラインド）する際に、当該半導体ウエハを固定するために好適に用いられ得、上記ダイシングとしてステルスダイシングを採用する場合に特に好適に用いられ得る。ステルスダイシングとは、レーザー光の照射により、半導体ウエハの内部に改質層を形成することを意味する。半導体ウエハは当該改質層を起点として、割断され得る。

本発明においては、粘着剤層と中間層とを組み合わせて形成し、中間層を構成する材料として、カルボキシル基を有し、架橋していないアクリル系樹脂を用いることにより、ダイシングの後に行われるバックグラインド工程に用いられるバックグラインドテープであって、バックグラインド時に生じ得るチップ欠けを防止するバックグラインドテープを提供することができる。上記のように構成された本発明のバックグラインドテープは、面方向の外力に対して、変形しがたく、また、変形してもその後にもとの形に戻り難いという特徴を有する。このようなバックグラインドテープを用いれば、ダイシング後に小片化したチップが過度に干渉し合うことを防ぎ、当該チップが欠けるなどの不具合を防止してバックグラインドを行うことができる。本発明のバックグラインドテープは、ステルスダイシングを含む半導体ウエハ加工に特に、有用である。

さらに、上記中間層は特定の貯蔵弾性率Ｅ’（０．０２ＧＰａ以下）を有しており、このような中間層を備えるバックグラインドテープは、凹凸追従性に優れる。本発明のバックグラインドテープは、バンプ面を有する半導体ウエハのバックグラインドテープとして有用であり、バックグラインド時の不要な位置ずれ、研削水のバンプ面への侵入を防止することができる。

図２は、本発明の別の実施形態によるバックグラインドテープの概略断面図である。この実施形態によるバックグラインドテープ２００は、基材が２層構成であり、第２の基材３２をさらに備える。第２の基材３２は、第１の基材３１の中間層２０とは反対側に配置される。すなわち、バックグラインドテープ２００は、粘着剤層１０と、中間層２０と、第１の基材３１と、第２の基材３２とをこの順に備える。好ましくは、第２の基材として、第１の基材よりも柔軟な（例えば、弾性率が低い）基材が用いられる。本実施形態によるバックグラインドテープは、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止することができる。ステルスダイシングを含む半導体ウエハ加工はレーザー光により形成した変質層からウエハ表面に延びる亀裂（いわゆるＢＨＣ）を生じさせて、半導体ウエハを小片化させるものであるが、バックグラインド前に当該亀裂を生じさせる実施形態はもとより、加工がより困難とされる実施形態、すなわち、当該亀裂をバックグラインド時に生じさせるような実施形態においても、チップ欠け等の不具合を防止することができる。なお、基材は３層以上の構成であってもよい。

本発明のバックグラインドテープの粘着剤層をＳｉミラーウエハに貼着した際の初期粘着力は、好ましくは１Ｎ／２０ｍｍ～３０Ｎ／２０ｍｍであり、より好ましくは５Ｎ／２０ｍｍ～２５Ｎ／２０ｍｍであり、さらに好ましくは８Ｎ／２０ｍｍ～２２Ｎ／２０ｍｍであり、特に好ましくは１４Ｎ／２０ｍｍ～２２Ｎ／２０ｍｍである。このような範囲であれば、バックグラインド時に半導体ウエハを良好に固定し、かつ、チップ欠けを防止し得るバックグラインドテープを得ることができる。なお、本発明のバックグラインドテープは、活性エネルギー線（例えば、紫外線）の照射により粘着力が低下し得るテープとすることができるが、上記「初期粘着力」とは、活性エネルギー線を照射する前の粘着力を意味する。本発明において、粘着力は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７：２０００に準じて測定される。具体的には、粘着力は、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて２３℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度：１８０°の条件で測定される。

バックグラインドテープの厚みは、好ましくは３５μｍ～５００μｍであり、より好ましくは６０μｍ～３００μｍであり、さらに好ましくは８０μｍ～２００μｍである。

Ｂ．基材
Ｂ－１．第１の基材
上記第１の基材としては、樹脂フィルムが好ましく用いられる。樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル系樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）等が挙げられる。なかでも好ましくは、ポリエステル系樹脂であり、特に好ましくはポリエチレンテレフタレートである。ポリエチレンテレフタレートから構成される第１の基材を用いれば、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止し得るバックグラインドテープを得ることができる。

上記第１の基材の２３℃における引っ張り弾性率は、好ましくは５０ＭＰａ～１００００ＭＰａであり、より好ましくは１００ＭＰａ～５０００ＭＰａである。第１の基材（およびバックグラインドテープを構成する各層（後述））の引っ張り弾性率の測定は、引張り試験機（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製、「ＡＧ－ＩＳ」）を用い、チャック間距離：５０ｍｍ、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ、サンプル幅：１０ｍｍの条件で行われる。

上記第１の基材の厚みは、好ましくは３５μｍ～２００μｍであり、より好ましくは３８μｍ～１５０μｍであり、さらに好ましくは５０μｍ～１２０μｍである。このような範囲であれば、凹凸追従性に優れるバックグラインドテープを得ることができる。

上記第１の基材は、任意の適切な添加剤をさらに含み得る。添加剤としては、例えば、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、加工助剤、充填剤、帯電防止剤、安定剤、抗菌剤、難燃剤、着色剤等が挙げられる。

Ｂ－２．第２の基材
上記第２の基材としては、樹脂フィルムが好ましく用いられる。樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル系樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）等が挙げられる。なかでも好ましくは、ポリオレフィン系樹脂である。

１つの実施形態においては、上記第２の基材は、ポリエチレン系樹脂またはポリプロピレン系樹脂を含む。ポリエチレン系樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン等が挙げられる。ポリエチレン系樹脂中、エチレン由来の構成単位の含有割合は、好ましくは８０モル％以上であり、より好ましくは９０モル％以上であり、さらに好ましくは９５モル％以上である。エチレン由来の構成単位以外の構成単位としては、エチレンと共重合体と共重合可能な単量体由来の構成単位が挙げられ、例えば、プロピレン、１－ブテン、イソブテン、１－ペンテン、２－メチル－１－ブテン、３－メチル－１－ブテン、１－ヘキセン、３－メチル－１－ペンテン、４－メチル－１－ペンテン、１－ヘプテン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－オクタデセン、１－イコセン等が挙げられる。

１つの実施形態においては、第１の基材としてポリエチレンテレフタレートから構成される基材を用い、かつ、第２の基材としてポリオレフィン系樹脂（好ましくは、上記ポリエチレン系樹脂またはポリプロピレン系樹脂）から構成される基材を用いる。これらの基材を用いれば、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止することができる。

上記第２の基材の２３℃における引っ張り弾性率は、好ましくは５０ＭＰａ～２０００ＭＰａであり、より好ましくは１００ＭＰａ～１０００ＭＰａである。

上記第２の基材の２３℃における引っ張り弾性率は、上記第１の基材の２３℃における引っ張り弾性率よりも小さいことが好ましい。第２の基材の２３℃における引っ張り弾性率は、上記第１の基材の２３℃における引っ張り弾性率に対して、好ましくは０．５％～１００％であり、より好ましくは０．５％以上１００％未満であり、さらに好ましくは１％～５０％である。

上記第２の基材の厚みは、好ましくは２５μｍ～２００μｍであり、より好ましくは３０μｍ～１５０μｍであり、さらに好ましくは４０μｍ～１００μｍであり、特に好ましくは４０μｍ～８０μｍである。

上記第２の基材は、任意の適切な添加剤をさらに含み得る。添加剤としては、例えば、滑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、加工助剤、充填剤、帯電防止剤、安定剤、抗菌剤、難燃剤、着色剤等が挙げられる。

第１の基材と第２の基材とは、任意の適切な接着剤層を介して積層され得る。これら基材間の接着剤層の厚みは、例えば、２μｍ～１０μｍである。

Ｃ．中間層
上記中間層は、カルボキシル基を有し、架橋していない（例えば、エポキシ架橋）アクリル系樹脂から構成される。このような中間層は、側鎖にカルボキシル基を有するアクリル系樹脂を含み、架橋剤等の架橋性化合物を含まない中間層形成用組成物により形成され得る。中間層を構成するアクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルおよびカルボキシル基含有モノマーを含むモノマー成分を重合して得られ、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位およびカルボキシル基含有モノマー由来の構成単位（側鎖にカルボキシル基を有する構成単位）を含む。アクリル系樹脂の架橋の有無は、熱分解ＧＣ／ＭＳ分析により、確認することができる。

上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸イソペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどのアルキル基の炭素数が４～２０の直鎖または分岐鎖状のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル等を挙げることができる。これらの中でも、被着体に対する接着性や貼り合せ作業性の観点から、アルキル基の炭素数が５～１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましく、より好ましくは、アクリル酸ｎ－ブチルまたはアクリル酸２－エチルヘキシル（２ＥＨＡ）である。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、１種のみを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記アクリル系樹脂中、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位の含有割合は、アクリル系樹脂１００重量部に対して、好ましくは７０重量部～９８重量部であり、より好ましくは８５重量部～９６重量部である。

上記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸（ＡＡ）、メタクリル酸（ＭＡＡ）、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸等が挙げられる。上記アクリル系樹脂は側鎖にカルボキシル基を有し、このようなアクリル系樹脂から構成された中間層を備えるバックグラインドテープは、バックグラインド時に生じ得るチップ欠けを防止する。カルボキシ基含有モノマーは、１種のみを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記アクリル系樹脂中、カルボキシル基含有モノマー由来の構成単位の含有割合は、アクリル系樹脂１００重量部に対して、好ましくは２重量部～３０重量部であり、より好ましくは４重量部～１５重量部であり、特に好ましくは４重量部～８重量部である。また、カルボキシル基含有モノマー由来の構成単位の含有割合は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位１００重量部に対して、好ましくは２重量部～３０重量部であり、より好ましくは５重量部～２０重量部であり、さらに好ましくは５重量部～１０重量部である。

上記アクリル系樹脂は、必要に応じて、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能なその他のモノマー由来の構成単位を含んでいてもよい。その他のモノマーとしては、下記のモノマーが挙げられる。これらのモノマーは、１種のみを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
水酸基含有モノマー：例えば２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール類；２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物；
アミノ基含有モノマー：例えばアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート；
シアノ基含有モノマー：例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル；
ケト基含有モノマー：例えばジアセトン（メタ）アクリルアミド、ジアセトン（メタ）アクリレート、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、アリルアセトアセテート、ビニルアセトアセテート；
窒素原子含有環を有するモノマー：例えばＮ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン；
アルコキシシリル基含有モノマー：例えば３－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン。

上記アクリル系樹脂中、その他のモノマー由来の構成単位の含有割合は、アクリル系樹脂１００重量部に対して、好ましくは４０重量部以下であり、より好ましくは２０重量部以下であり、さらに好ましくは１０重量部以下である。

上記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、好ましくは２０万～３００万であり、より好ましくは２５万～１５０万である。重量平均分子量は、ＧＰＣ（溶媒：ＴＨＦ）により測定され得る。

上記中間層形成用組成物は、任意の適切な添加剤をさらに含んでいてもよい。上記添加剤としては、例えば、可塑剤、粘着性付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、帯電防止剤、界面活性剤等が挙げられる。上記添加剤は単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。２種以上の添加剤を用いる場合、１種ずつ添加してもよく、２種以上の添加剤を同時に添加してもよい。上記添加剤の配合量は、任意の適切な量に設定され得る。

上記中間層の厚みは、好ましくは２０μｍ～３００μｍであり、より好ましくは４０μｍ～２００μｍであり、さらに好ましくは６０μｍ～１５０μｍである。このような範囲であれば、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止することができ、かつ、凹凸面への追従性に特に優れるバックグラインドテープを得ることができる。

上記中間層の厚みは、上記粘着剤層の厚みに対して、５倍～３０倍であることが好ましく、８倍～２５倍であることがより好ましく、１０倍～２０倍であることがさらに好ましい。このような厚みの関係で中間層と粘着剤層とを構成すれば、面方向の外力に対して、変形しがたく、また、変形してもその後にもとの形に戻り難いバックグラインドテープを得ることができる。また、凹凸面への追従性に特に優れるバックグラインドテープを得ることができる。

上記中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、好ましくは２００ＭＰａ以下であり、より好ましくは３０ＭＰａ～１８０Ｍｐａであり、さらに好ましくは５０ＭＰａ～１６０ＭＰａである。このような範囲であれば、凹凸面への追従性に特に優れるバックグラインドテープを得ることができる。貯蔵弾性率Ｅ’は、ナノインデンテーション法により測定され得る。測定条件は以下のとおりである。
（測定装置及び測定条件）
装置：Ｈｙｓｉｔｒｏｎ Ｉｎｃ．製 Ｔｒｉｂｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ
使用圧子：Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ（三角錐型）
測定方法：単一押し込み測定
測定温度：２３℃
押し込み深さ設定：約３００ｎｍ
押込み速度：約１０ｎｍ／ｓｅｃ
周波数：１００Ｈｚ
測定雰囲気：空気中
試料サイズ：約１ｃｍ×約１ｃｍ

上記中間層の２３℃における引っ張り弾性率は、好ましくは０．０５ＭＰａ～１ＭＰａあり、より好ましくは０．１ＭＰａ～０．５ＭＰａであり、さらに好ましくは０．１５ＭＰａ～０．３ＭＰａである。このような範囲であれば、中間層を構成する材料として特定の材料を採用することと相まって、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止することができる。

Ｄ．粘着剤層
上記粘着剤層は、任意の適切な粘着剤により構成され得る。粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。上記粘着剤は、熱硬化型粘着剤、活性エネルギー線硬化型粘着剤等の硬化型粘着剤であってもよく、感圧型粘着剤であってもよい。好ましくは硬化型の粘着剤が用いられる。硬化型の粘着剤を用いれば、バックグラインド時には半導体ウエハを良好に固定し、その後、剥離が必要な際には粘着剤層を硬化させて容易に剥離され得るバックグラインドテープを得ることができる。

１つの実施形態においては、上記粘着剤として、アクリル系粘着剤が用いられる。好ましくは、上記アクリル系粘着剤は、硬化型である。

アクリル系粘着剤はベースポリマーとして、アクリル系ポリマーを含む。アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有し得る。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸ｎ－ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸イソペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ノナデシル、（メタ）アクリル酸エイコシルなどのアルキル基の炭素数が４～２０の直鎖または分岐鎖状のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステル等を挙げることができる。これらの中でも、被着体に対する接着性や貼り合せ作業性の観点から、アルキル基の炭素数が５～１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましく、より好ましくは、アクリル酸ｎ－ブチルまたはアクリル酸２－エチルヘキシル（２ＥＨＡ）である。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、１種のみを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記アクリル系ポリマーは、必要に応じて、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルと共重合可能なその他のモノマー由来の構成単位を含んでいてもよい。その他のモノマーとしては、下記のモノマーが挙げられる。これらのモノマーは、１種のみを単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
カルボキシ基含有モノマーおよびその無水物：例えばアクリル酸（ＡＡ）、メタクリル酸（ＭＡＡ）、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸およびその無水物（無水マレイン酸、無水イタコン酸等）；
水酸基含有モノマー：例えば２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール類；２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル等のエーテル系化合物；
アミノ基含有モノマー：例えばアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート；
エポキシ基含有モノマー：例えばグリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル；
シアノ基含有モノマー：例えばアクリロニトリル、メタクリロニトリル；
ケト基含有モノマー：例えばジアセトン（メタ）アクリルアミド、ジアセトン（メタ）アクリレート、ビニルメチルケトン、ビニルエチルケトン、アリルアセトアセテート、ビニルアセトアセテート；
窒素原子含有環を有するモノマー：例えばＮ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン；
アルコキシシリル基含有モノマー：例えば３－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン；
イソシアネート基含有モノマー：（メタ）アクリロイルイソシアネート、２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート。

上記アクリル系ポリマー中、上記その他のモノマー由来の構成単位の含有割合は、アクリル系ポリマー１００重量部に対して、５０重量部未満であり、より好ましくは２重量部～４０重量部であり、さらに好ましくは５重量部～３０重量部である。

上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは２０万～３００万であり、より好ましくは２５万～１５０万である。

上記粘着剤は、任意の適切な添加剤をさらに含んでいてもよい。上記添加剤としては、例えば、光重合開始剤、架橋剤、可塑剤、粘着性付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、帯電防止剤、界面活性剤等が挙げられる。上記添加剤は単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。２種以上の添加剤を用いる場合、１種ずつ添加してもよく、２種以上の添加剤を同時に添加してもよい。上記添加剤の配合量は、任意の適切な量に設定され得る。

１つの実施形態においては、上記粘着剤は、光重合開始剤をさらに含む。光重合開始剤としては、任意の適切な開始剤を用いることができる。光重合開始剤としては、例えば、エチル２，４，６－トリメチルベンジルフェニルホスフィネート、（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルホスフィンオキシド等のアシルホスフィンオキシド系光開始剤；４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２－ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１－フェノン－１，１―プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフォナート等が挙げられる。なかでも好ましくは、アシルホスフィンオキシド系光開始剤である。光重合開始剤の使用量は、アクリル系ポリマー１００重量部に対して、好ましくは１重量部～２０重量部であり、より好ましくは２重量部～１５重量部であり、さらに好ましくは３重量部～１０重量部である。

１つの実施形態においては、上記粘着剤は、架橋剤をさらに含む。上記架橋剤としては、任意の適切な架橋剤を用いることができる。例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤は１種のみを用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、架橋剤の使用量は、使用用途に応じて任意の適切な値に設定され得る。架橋剤の使用量は、アクリル系ポリマー１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部～１０重量部であり、より好ましくは０．５重量部～５重量部であり、さらに好ましくは１重量部～３重量部である。

１つの実施形態においては、イソシアネート系架橋剤が好ましく用いられる。イソシアネート系架橋剤は、多種の官能基と反応し得る点で好ましい。上記イソシアネート系架橋剤の具体例としては、ブチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等の低級脂肪族ポリイソシアネート類；シクロペンチレンジイソシアネート、シクロへキシレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等の脂環族イソシアネート類；２，４－トリレンジイソシアネート、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート等の芳香族イソシアネート類；トリメチロールプロパン／トリレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＬ」）、トリメチロールプロパン／へキサメチレンジイソシアネート３量体付加物（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＨＬ」）、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート体（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＨＸ」）等のイソシアネート付加物；等が挙げられる。好ましくは、イソシアネート基を３個以上有する架橋剤が用いられる。

上記粘着剤層の厚みは、好ましくは１μｍ～５０μｍであり、より好ましくは１μｍ～２５μｍであり、さらに好ましくは１μｍ～５μｍである。このような範囲であれば、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止することができる。

上記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’は、好ましくは１５ＭＰａ～２００ＭＰａであり、より好ましくは２０ＭＰａ～１５０Ｍｐａであり、さらに好ましくは３０ＭＰａ～１２０ＭＰａである。このような範囲であれば、凹凸面への追従性に特に優れるバックグラインドテープを得ることができる。

上記粘着剤層の２３℃における引っ張り弾性率は、好ましくは０．０１ＭＰａ～２ＭＰａであり、より好ましくは０．０５ＭＰａ～１ＭＰａであり、さらに好ましくは０．１ＭＰａ～０．５ＭＰａである。このような範囲であれば、バックグラインド時におけるチップ欠け等の不具合をより好ましく防止することができる。なお、粘着剤層が硬化型である場合、硬化前の粘着剤層の引っ張り弾性率が上記範囲であることが好ましい。

上記粘着剤層の２３℃におけるタック値は、好ましくは３４０ｇｆ以下であり、より好ましくは１００ｇｆ～３４０ｇｆである。このような範囲であれば、凹凸面への追従性に特に優れるバックグラインドテープを得ることができる。上記タック値は、プローブタック法により、（株）レスタ社製のタッキング試験機を使用して、測定される。

Ｅ．バックグラインドテープの製造方法
上記バックグラインドテープは、任意の適切な方法により製造され得る。バックグラインドテープは、例えば、基材（第１の基材）上に、上記中間層形成用組成物を塗工（塗布、乾燥）して中間層を形成し、次いで、中間層上に上記粘着剤を塗工（塗布、乾燥）し粘着剤層を形成することにより得られ得る。塗工方法としては、バーコーター塗工、エアナイフ塗工、グラビア塗工、グラビアリバース塗工、リバースロール塗工、リップ塗工、ダイ塗工、ディップ塗工、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷など種々の方法を採用することができる。また、粘着剤層および中間層それぞれを、別途、剥離ライナー上に形成した後、それを転写して貼り合せる方法等を採用してもよい。

以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。実施例における試験および評価方法は以下のとおりである。また、特に明記しない限り、「部」および「％」は重量基準である。

（１）粘着力
バックグラインドテープを幅２０ｍｍの短冊状に切断し、サンプルを作製した。
上記サンプルについて、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠して、下記の条件で１８０°引き剥がし試験を行いマスキング材の粘着力を測定した。
＜１８０°引き剥がし試験＞
被着体：Ｓｉミラーウエハ
繰り返し試験数：３回
温度：２３℃
剥離角度：１８０度
剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ
初期長さ（チャック間隔）：１５０ｍｍ

（２）貯蔵弾性率
中間層および粘着剤層の貯蔵弾性率Ｅ’を、ナノインデンテーション法により下記条件にて測定した。
＜貯蔵弾性率Ｅ’測定＞
装置：Ｈｙｓｉｔｒｏｎ Ｉｎｃ．製 Ｔｒｉｂｏ Ｉｎｄｅｎｔｅｒ
使用圧子：Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ（三角錐型）
測定方法：単一押し込み測定
測定温度：２３℃
押し込み深さ設定：約３００ｎｍ
押込み速度：約１０ｎｍ／ｓｅｃ
周波数：１００Ｈｚ
測定雰囲気：空気中
試料サイズ：約１ｃｍ×約１ｃｍ

（３）バンプ埋まり性
バンプウェハ（６０μｍ高さはんだバンプ、φ＝０．１ｍｍ、０．２５ｍｍピッチ）を準備し、このウェハ上にバックグラインドテープを貼付け、埋まり性を光学顕微鏡（５０～２００倍）にて確認を実施し、バックグラインドテープがバンプーバンプ間を気泡による繋がりが無く埋め込めている場合を合格（表中、〇）とし、バンプ間が気泡で繋がっている、あるいは埋まっていない場合を不合格とした。なお、バックグラインドテープの貼り付け条件は以下のとおりとした。
＜バックグラインドテープ貼付け条件＞
装置：日東精機 ＤＲ－３０００ＩＩＩ
圧力：０．３ＭＰａ
温度：室温
速度：１０ｍｍ／ｍｉｎ

（４）タック値
バックグラインドテープの粘着剤層表面について、プローブタック法により、タック値を測定した。なお、タック値は、タッキング試験機（レスカ製社製、「ＴＡＣ－２」）を使用して、下記条件下で測定した。
＜測定条件＞
温度：２３℃
プローブ材質：ＳＵＳ
プローブ形状：円柱状（５ｍｍφ）
加圧（圧縮）速度：３０ｍｍ／ｍｉｎ
測定（離脱）速度：３０ｍｍ／ｍｉｎ、プリロード：１００ｇｆ
加圧（圧縮）時間：１秒

（５）クラック（チップ欠け）評価
１２インチＳｉミラーウエハ（厚み：７７５μｍ）の片面に、下記の条件でバックグラインドテープを貼着し、次いで、バックグラインドテープの貼着面とは反対側の面から、下記の条件でステルスダイシングを行い、１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍの小片を５９３個得ることを予定して、ミラーウエハの内部に改質層を形成させた。
次いで、下記の条件で、ミラーウエハの厚みが２５μｍとなるように、バックグラインドを行った。
次いで、インライン搬送にて、バックグラインド後のミラーウエハを、ダイシングテープ（日東電工社製、商品名「ＮＬＳ-５１６Ｐ」）およびリングフレームにマウントした。
その後、ダイシングテープ越しにミラーウエハ表面を光学顕微鏡（×２００）にて観察し、クラック発生有無を確認し、全小片数（５９３個）に対するクラック発生数（クラックが発生した小片の数）の割合により、クラック評価を行った。
＜ステルスダイシング条件＞
装置：ディスコ社製、 ＤＦＬ７３６１ ＳＤＥ０６
処理条件：ＢＨＣ、Ｎｏｎ ＢＨＣ
＜バックグラインドテープ貼付け条件＞
装置：日東精機 ＤＲ－３０００ＩＩＩ
圧力：０．３ＭＰａ
温度：室温
速度：１０ｍｍ／ｍｉｎ
＜バックグラインド条件＞
装置：ディスコ社製、 ＤＧＰ８７６１ ＤＦＭ２８００インライングラインダー
Ｚ１（＃３６０）、Ｚ２（＃２０００）で薄膜後、ＧＤＰ（ゲッタリングＤＰ処理）を実施

［製造例１］中間層形成用組成物Ｍ１の調製
ブチルアクリレート５０重量部と、エチルアクリレート５０重量部と、アクリル酸５重量部と、アゾビスイソブチロニトリル０．１重量部と、酢酸エチル１００重量部とを混合して得られた混合物を、窒素雰囲気下、６０℃で６時間重合し、重量平均分子量６５万のアクリル系樹脂Ｍ１を得た。
上記操作により得られた重合液を中間層形成用組成物Ｍ１とした。

［製造例２］中間層形成用組成物Ｍ２の調製
２エチルヘキシルアクリレート３０重量部と、メチルアクリレート７０重量部と、アクリル酸１０重量部と、アゾビスイソブチロニトリル０．１重量部と、酢酸エチル１００重量部とを混合して得られた混合物を、窒素雰囲気下、６０℃で６時間重合し、重量平均分子量５０万のアクリル系樹脂Ｍ２を得た。
上記操作により得られた重合液を中間層形成用組成物Ｍ２とした。

［製造例３］粘着剤Ａ１の調製
２エチルヘキシルアクリレート１００重量部と、アクリロイルモルホリン２６重量部と、ヒドロキシエチルアクリレート１８重量部と、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート１２重量部と、アゾビスイソブチロニトリル０．２重量部と、酢酸エチル５００重量部とを混合して得られた混合物を、窒素雰囲気下、６０℃で２４時間重合し、重量平均分子量９０万のアクリル系ポリマーＡを得た。
上記操作により得られた重合液（アクリル系ポリマーＡ含有量：１００重量部）に、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｅｓ社製、商品名「ＯｍｎｉｒａｄＴＰＯ」）７重量部と、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＣ」）２重量部とを加えて、粘着剤Ａ１を得た。

［製造例４］粘着剤Ａ２の調製
製造例３と同様にして、アクリル系ポリマーＡ１００重量部を含む重合液を調製した。
この重合液に、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｅｓ社製、商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ６５１」）７重量部と、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＣ」）５重量部とを加えて、粘着剤Ａ２を得た。

［製造例５］粘着剤Ａ３の調製
製造例３と同様にして、アクリル系ポリマーＡ１００重量部を含む重合液を調製した。
この重合液に、光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｅｓ社製、商品名「Ｏｍｎｉｒａｄ１２７」）７重量部と、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン工業社製、商品名「コロネートＣ」）２重量部とを加えて、粘着剤Ａ３を得た。

［実施例１］
第１の基材としてのポリエチレンテレフタレート基材（東レ社製、商品名「Ｓ１０５ ＃５０」、厚み：５０μｍ）上に、中間層形成用組成物Ｍ１を塗工して、厚み９５μｍの中間層を形成した。その後、中間層上に、粘着剤Ａ１を塗工して、厚み５μｍの粘着剤層を形成した。
上記のようにして、バックグラインドテープＡを得た。得られたバックグラインドテープＡを上記評価に供した。結果を表１に示す。

［実施例２］
ポリエチレンテレフタレート基材の厚みを７５μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、バックグラインドテープＢを得た。得られたバックグラインドテープＢを上記評価に供した。結果を表１に示す。

［実施例３］
ポリエチレンテレフタレート基材の厚みを１００μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、バックグラインドテープＣを得た。得られたバックグラインドテープＣを上記評価に供した。結果を表１に示す。

［実施例４］
粘着剤Ａ１に代えて、粘着剤Ａ２を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、バックグラインドテープＤを得た。得られたバックグラインドテープＤを上記評価に供した。結果を表１に示す。

［比較例１］
粘着剤Ａ１に代えて粘着剤Ａ３を用いたこと、および中間層の厚みを２５μｍとしたこと以外は実施例１と同様にしてバックグラインドテープＥを得た。得られたバックグラインドテープＥを上記評価に供した。結果を表１に示す。

［比較例２］
粘着剤Ａ１に代えて、粘着剤Ａ３を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、バックグラインドテープＦを得た。得られたバックグラインドテープＦを上記評価に供した。結果を表１に示す。

１０ 粘着剤層
２０ 中間層
３１ 第１の基材
３２ 第２の基材
１００ バックグラインドテープ

Claims (9)

1. 粘着剤層と、中間層と、第１の基材とをこの順に備え、
   該中間層が該第１の基材に直接配置され、かつ、該粘着剤層が該中間層に直接配置され、
   該中間層を構成する材料が、カルボキシル基を有し、かつ、架橋していないアクリル系樹脂であり、
   該中間層の２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、０．０２ＧＰａ以下であり、
   該粘着剤層をＳｉミラーウエハに貼着した際の初期粘着力が、１Ｎ／２０ｍｍ～３０Ｎ／２０ｍｍである、
   バックグラインドテープ。
2. 前記第１の基材が、ポリエチレンテレフタレートから構成される、請求項１に記載のバックグラインドテープ。
3. 前記第１の基材の厚みが、３５μｍ～２００μｍである、請求項１または２に記載のバックグラインドテープ。
4. 前記粘着剤層の厚みが、１μｍ～５０μｍである、請求項１から３のいずれかに記載のバックグラインドテープ。
5. 前記中間層の厚みが、２０μｍ～３００μｍである、請求項１から４のいずれかに記載のバックグラインドテープ。
6. 前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率Ｅ’が、１５ＭＰａ～２００ＭＰａである、請求項１から５のいずれかに記載のバックグラインドテープ。
7. 前記粘着剤層の２３℃における引っ張り弾性率が、０．０１ＭＰａ～２ＭＰａである、請求項１から６のいずれかに記載のバックグラインドテープ。
8. ステルスダイシングされた半導体ウエハを裏面研削する際に用いられる、請求項１から７のいずれかに記載のバックグラインドテープ。
9. 前記半導体ウエハが、バンプ面を有する、請求項８に記載のバックグラインドテープ。

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