JP7176239B2

JP7176239B2 - semiconductor equipment

Info

Publication number: JP7176239B2
Application number: JP2018114022A
Authority: JP
Inventors: 直樹熊谷; 勇介小林; 学武井
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2018-06-14
Filing date: 2018-06-14
Publication date: 2022-11-22
Anticipated expiration: 2038-06-14
Also published as: JP7537483B2; JP7786512B2; JP2024144777A; JP2023001343A; JP2019216224A

Description

この発明は、半導体装置に関する。 The present invention relates to semiconductor devices.

従来、パワー半導体素子においては、素子のオン抵抗の低減を図るため、トレンチ構造を有する縦型ＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ：絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）が作製（製造）されている。縦型ＭＯＳＦＥＴでは、チャネルが基板表面に対して平行に形成されるプレーナ構造よりも基板表面に対して垂直に形成されるトレンチ構造の方が単位面積当たりのセル密度を増やすことができるため、単位面積当たりの電流密度を増やすことができ、コスト面から有利である。 Conventionally, in power semiconductor devices, vertical MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors: insulated gate field effect transistors) having a trench structure have been fabricated (manufactured) in order to reduce the on-resistance of the device. In a vertical MOSFET, a trench structure in which the channel is formed perpendicular to the substrate surface can increase the cell density per unit area more than a planar structure in which the channel is formed parallel to the substrate surface. The current density per area can be increased, which is advantageous in terms of cost.

トレンチゲート構造は、炭化珪素からなる半導体基体（以下、炭化珪素基体とする）に形成したトレンチ内にＭＯＳゲート（金属－酸化膜－半導体からなる絶縁ゲート）を埋め込んで、トレンチ側壁に沿った部分をチャネル（反転層）として利用した３次元構造である。このため、同じオン抵抗（Ｒｏｎ）の素子同士で比べた場合、トレンチゲート構造は、炭化珪素基体上に平板状にＭＯＳゲートを設けたプレーナゲート構造よりも素子面積（チップ面積）を圧倒的に小さくすることができ、将来有望なデバイス構造といえる。 The trench gate structure is formed by embedding a MOS gate (insulated gate made of metal-oxide film-semiconductor) in a trench formed in a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a silicon carbide substrate) made of silicon carbide, and forming a portion along the sidewall of the trench. is a three-dimensional structure using as a channel (inversion layer). Therefore, when comparing devices with the same on-resistance (Ron), the trench gate structure has an overwhelmingly larger device area (chip area) than the planar gate structure in which a flat MOS gate is provided on a silicon carbide substrate. It can be made smaller and can be said to be a promising device structure in the future.

トレンチ型ＭＯＳＦＥＴにおいて、隣り合うゲートトレンチ間にショットキーダイオード（ＳＢＤ：ＳｃｈｏｔｔｋｙＢａｒｒｉｅｒＤｉｏｄｅ）用トレンチを形成し、トレンチ側面にショットキー接合を形成した構造がある。図２０は、従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す図２２のＡ－Ａ’断面図である。図２１は、従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す図２２のＢ－Ｂ’断面図である。図２２は、従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。 A trench type MOSFET has a structure in which a trench for a Schottky diode (SBD: Schottky Barrier Diode) is formed between adjacent gate trenches and a Schottky junction is formed on the side surface of the trench. FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 22, showing the configuration of a conventional trench type silicon carbide semiconductor device. FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 22, showing the configuration of a conventional trench type silicon carbide semiconductor device. FIG. 22 is a top view showing the configuration of a conventional trench type silicon carbide semiconductor device.

図２０、図２１に示すように、従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置は、ｎ⁺型炭化珪素基板１のおもて面に、トレンチ型のＭＯＳゲート（金属－酸化膜－半導体からなる絶縁ゲート）構造と、トレンチ型ＳＢＤを埋め込んだコンタクトトレンチ１９と、を備える。具体的には、ｎ⁺型炭化珪素基板１は、ドレイン層であるｎ⁺型炭化珪素基板１上にｎ^-型ドリフト層２となるｎ^-型層をエピタキシャル成長させてなる。ｎ⁺型炭化珪素基板１のおもて面（ｎ^-型ドリフト層２側の面）側に、ｎ型高濃度領域５、ｐ型ベース層６、ｎ⁺型ソース領域７、ｐ⁺型コンタクト領域８、ゲート絶縁膜９およびゲート電極１０からなるＭＯＳゲート構造が設けられている。 As shown in FIGS. 20 and 21, the conventional trench-type silicon carbide semiconductor device has a trench-type MOS gate (metal-oxide film-semiconductor insulating gate) on the front surface of n ⁺ -type silicon carbide substrate 1. ) structure and a contact trench 19 in which a trench-type SBD is embedded. Specifically, the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 is formed by epitaxially growing an n ^- -type layer that will be the n ^- -type drift layer 2 on the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 that is the drain layer. An n-type high-concentration region 5, a p-type base layer 6, an n ⁺ -type source region 7, and a p ⁺ -type contact are provided on the front surface (the surface on the side of the n ⁻ -type drift layer 2) of the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1. A MOS gate structure comprising region 8, gate insulating film 9 and gate electrode 10 is provided.

ゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９の底部においてゲート絶縁膜９にかかる電界を緩和するため、ｐ⁺型ベース領域３が設けられている。メサ部には、ゲートトレンチ１８と同程度の深さでコンタクトトレンチ１９が設けられている。コンタクトトレンチ１９には、ｎ型高濃度領域５とショットキー接合を形成するショットキー電極が埋め込まれている。 A p ⁺ -type base region 3 is provided in order to relax the electric field applied to the gate insulating film 9 at the bottom of the gate trench 18 and the contact trench 19 . The mesa portion is provided with a contact trench 19 having a depth similar to that of the gate trench 18 . A Schottky electrode forming a Schottky junction with the n-type high concentration region 5 is embedded in the contact trench 19 .

ｎ⁺型ソース領域７は、隣り合うゲートトレンチ１８とコンタクトトレンチ１９との間において、ｐ型ベース層６の内部に選択的に設けられている。図２２に示すように、ｎ⁺型ソース領域７は、ゲートトレンチ１８と接するように設けられ、一部をコンタクトトレンチ１９側に延在し、コンタクトトレンチ１９と接続されている。 The n ⁺ -type source region 7 is selectively provided inside the p-type base layer 6 between the adjacent gate trench 18 and contact trench 19 . As shown in FIG. 22 , the n ⁺ -type source region 7 is provided in contact with the gate trench 18 , partially extends toward the contact trench 19 side, and is connected to the contact trench 19 .

ｐ⁺型コンタクト領域８は、ｎ⁺型ソース領域７が設けられていないｐ型ベース層６の表面に設けられている。ｎ⁺型ソース領域７とｐ⁺型コンタクト領域８とは、層間絶縁膜１１を深さ方向に貫通するコンタクトホールに露出されている。コンタクトホールおよびコンタクトトレンチ１９に埋め込まれるようにおもて面電極としてソース電極１３が設けられ、ｐ⁺型コンタクト領域８およびｎ⁺型ソース領域７に接する。ｎ⁺型炭化珪素基板１の裏面（ｎ^-型ドリフト層２と反対の面）には、裏面電極としてドレイン電極１４が設けられている。 The p ⁺ -type contact region 8 is provided on the surface of the p-type base layer 6 where the n ⁺ -type source region 7 is not provided. The n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region 8 are exposed through a contact hole penetrating the interlayer insulating film 11 in the depth direction. A source electrode 13 is provided as a front surface electrode so as to be embedded in the contact hole and the contact trench 19 and is in contact with the p ⁺ -type contact region 8 and the n ⁺ -type source region 7 . A drain electrode 14 is provided as a back surface electrode on the back surface of n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 (the surface opposite to n ⁻ -type drift layer 2 ).

このような構造のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴの内蔵ＳＢＤでは、ＭＯＳＦＥＴとドリフト領域を共用できるため外付けＳＢＤとＭＯＳＦＥＴとを合わせたチップ面積より小さくできる。また、外付けＳＢＤの場合は、ＳＢＤのＶＦ（順電圧）がＭＯＳＦＥＴのｐ型ベース層６とｎ^-型ドリフト層２とで形成されるボディダイオードのビルトイン電圧以上になると、ボディダイオードがオンになり、ボディダイオードのバイポーラ動作により経時的に特性が変化（経年劣化）し、信頼性が低減する。 Since the built-in SBD of the trench-type MOSFET having such a structure can share the drift region with the MOSFET, the chip area can be made smaller than the sum of the external SBD and the MOSFET. In the case of an external SBD, when the VF (forward voltage) of the SBD becomes equal to or higher than the built-in voltage of the body diode formed by the p-type base layer 6 and the n ⁻ -type drift layer 2 of the MOSFET, the body diode turns on. As a result, the bipolar operation of the body diode causes the characteristics to change over time (deterioration over time), resulting in reduced reliability.

一方、内蔵ＳＢＤでは、外付けＳＢＤのカソードに相当するＭＯＳＦＥＴのドレインの電圧がボディダイオードのビルトイン電圧以上になってもボディダイオードを構成するｐｎ接合付近の電位差は、ドリフト領域で電圧を保持するため低くなっており、ボディダイオードに電流が流れ難い。このため大電流までボディダイオードに電流が流れず、バイポーラ動作による劣化を起こしにくい。 On the other hand, in the built-in SBD, even if the drain voltage of the MOSFET, which corresponds to the cathode of the external SBD, exceeds the built-in voltage of the body diode, the potential difference near the pn junction that constitutes the body diode maintains the voltage in the drift region. It is low, and it is difficult for current to flow through the body diode. Therefore, even a large current does not flow through the body diode, and deterioration due to bipolar operation is unlikely to occur.

また、基板上面には複数のトレンチがストライプ状に形成され、第１コンタクトホールが、第１幅でトレンチと平行に伸びる開口形状を有し、第２コンタクトホールが、第１幅よりも広い第２幅の開口形状を有し、電極層が、第２コンタクトホール内でピラー領域とショットキー接触している半導体装置が公知である（例えば、下記特許文献１参照）。 In addition, a plurality of trenches are formed in stripes on the upper surface of the substrate, the first contact holes have an opening shape extending parallel to the trenches with a first width, and the second contact holes have a width wider than the first width. A semiconductor device having an opening shape of two widths and having an electrode layer in Schottky contact with a pillar region within a second contact hole is known (see, for example, Patent Document 1 below).

特開２０１７－０５４９２８号公報JP 2017-054928 A

ここで、従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置では、ゲートトレンチ１８はｎ⁺型ソース領域７を形成した後に形成される。このため、セルピッチの微細化が進むと、例えば、ゲートトレンチ１８を形成する際のマスクの形成位置がずれることにより、ｎ⁺型ソース領域７の領域を確保できない場合がある。このように、マスクの形成位置の許容度が小さいため、従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置では、セルピッチを微細化することは困難であった。 Here, in the conventional trench-type silicon carbide semiconductor device, gate trench 18 is formed after forming n ⁺ -type source region 7 . For this reason, as the cell pitch becomes finer, for example, the region for the n ⁺ -type source region 7 may not be ensured due to shift in the formation position of the mask when forming the gate trench 18 . As described above, since the tolerance of the mask formation position is small, it is difficult to reduce the cell pitch in the conventional trench silicon carbide semiconductor device.

この発明は、上述した問題点を解消するため、同一の半導体基板にＳＢＤを内蔵したトレンチ型半導体装置であって、セルピッチの微細化を可能にする半導体装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a trench-type semiconductor device in which an SBD is built in the same semiconductor substrate and which enables miniaturization of the cell pitch in order to solve the above problems.

上述した課題を解決し、本発明の目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置は、次の特徴を有する。半導体装置は、第１導電型の半導体基板のおもて面に、前記半導体基板より不純物濃度の低い第１導電型の第１半導体層が設けられる。前記第１半導体層の、前記半導体基板側に対して反対側に第２導電型の第２半導体層が設けられる。前記第２半導体層の内部に選択的に、前記第１半導体層よりも不純物濃度の高い第１導電型の第１半導体領域が設けられる。前記第１半導体領域および前記第２半導体層に接する、前記第２半導体層よりも不純物濃度の高い第２導電型の第２半導体領域が設けられる。前記第１半導体領域および前記第２半導体層を貫通して前記第１半導体層まで達する第１トレンチが設けられる。前記第１トレンチ内にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極が設けられる。前記第１半導体領域が形成されていない部分で前記第２半導体層を貫通して前記第１半導体層まで達する第２トレンチが設けられる。前記第１半導体層との間にショットキー接合またはヘテロ接合を形成する、電極材料が前記第２トレンチ内に設けられる。前記第２半導体領域とオーミック接合を形成する第１電極が設けられる。前記半導体基板のうら面に、前記半導体基板とオーミック接合を形成する第２電極が設けられる。前記第１トレンチは、奥行き方向に延びる平行したストライプ状に設けられ、前記第２トレンチは、前記第１トレンチに挟まれた領域に断続的に設けられている。前記第１半導体領域は、前記断続的に設けられている前記第２トレンチに挟まれた領域に設けられるとともに、前記第１電極と接続され、前記第２半導体層の少なくとも一部が前記第２トレンチと隔離して設けられる。前記第２半導体領域は、前記第１半導体層の、前記第２半導体層が設けられていない部分の表面に前記第２半導体層よりも前記第１電極側に設けられている。
In order to solve the above problems and achieve the object of the present invention, a semiconductor device according to the present invention has the following features. A semiconductor device includes a first conductivity type first semiconductor layer having an impurity concentration lower than that of the semiconductor substrate on a front surface of a first conductivity type semiconductor substrate. A second conductive type second semiconductor layer is provided on the side of the first semiconductor layer opposite to the semiconductor substrate side. A first conductivity type first semiconductor region having an impurity concentration higher than that of the first semiconductor layer is selectively provided inside the second semiconductor layer. A second semiconductor region of a second conductivity type having an impurity concentration higher than that of the second semiconductor layer is provided in contact with the first semiconductor region and the second semiconductor layer. A first trench is provided that penetrates the first semiconductor region and the second semiconductor layer and reaches the first semiconductor layer. A gate electrode is provided in the first trench via a gate oxide film. A second trench that penetrates the second semiconductor layer and reaches the first semiconductor layer is provided in a portion where the first semiconductor region is not formed. An electrode material is provided in the second trench that forms a Schottky junction or heterojunction with the first semiconductor layer. A first electrode is provided that forms an ohmic contact with the second semiconductor region. A second electrode forming an ohmic contact with the semiconductor substrate is provided on the back surface of the semiconductor substrate. The first trenches are provided in parallel stripes extending in the depth direction, and the second trenches are intermittently provided in regions sandwiched between the first trenches. The first semiconductor region is provided in a region sandwiched between the intermittently provided second trenches and is connected to the first electrode, and at least part of the second semiconductor layer is the second trench. It is provided separately from the trench. The second semiconductor region is provided on the surface of the portion of the first semiconductor layer where the second semiconductor layer is not provided, closer to the first electrode than the second semiconductor layer.

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第２半導体領域は、前記断続的に設けられている前記第２トレンチに挟まれた領域に設けられるとともに、前記第１電極と接続されていることを特徴とする。 Further, in the semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, the second semiconductor region is provided in a region sandwiched between the intermittently provided second trenches and is connected to the first electrode. characterized by being

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記第１半導体領域は、前記第１トレンチに接する部分と前記第２トレンチ間に挟まれた領域に設けられた部分とが、前記第１半導体領域よりも不純物濃度が低い第１導電型の第３半導体領域により接続されていることを特徴とする。 Further, in the semiconductor device according to the present invention, in the above-described invention, the first semiconductor region has a portion in contact with the first trench and a portion provided in a region sandwiched between the second trenches. It is characterized by being connected by a third semiconductor region of the first conductivity type having an impurity concentration lower than that of the first semiconductor region.

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記ショットキー接合を形成する電極材料が、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏのいずれかであることを特徴とする。 In the semiconductor device according to the present invention, the electrode material forming the Schottky junction is any one of Ti, W, Ni, and Mo.

また、この発明にかかる半導体装置は、上述した発明において、前記ヘテロ接合を形成する電極材料が、ポリシリコンであることを特徴とする。 Moreover, in the semiconductor device according to the present invention, in the above invention, the electrode material forming the heterojunction is polysilicon.

上述した発明によれば、コンタクトトレンチ（第２トレンチ）は、断続的に設けられ、隣り合うゲートトレンチ（第１トレンチ）と接する部分のｎ⁺型ソース領域（第１導電型の第１半導体領域）同士が接続されるようになる。これにより、ｎ⁺型ソース領域の面積が大きくなり、ゲートトレンチを形成する際のマスクの形成位置がずれた場合でも、ｎ⁺型ソース領域を確保できる。このため、マスクの形成位置の許容度が大きくなり、トレンチ型炭化珪素半導体装置を微細化することが可能になる。 According to the above-described invention, the contact trenches (second trenches) are intermittently provided, and the n ⁺ -type source regions (first conductivity type first semiconductor regions) in contact with the adjacent gate trenches (first trenches) ) are connected to each other. As a result, the area of the n ⁺ -type source region is increased, and the n ⁺ -type source region can be secured even if the formation position of the mask when forming the gate trench is displaced. Therefore, the tolerance of the mask forming position is increased, and the trench silicon carbide semiconductor device can be miniaturized.

本発明にかかる半導体装置によれば、同一の半導体基板にＳＢＤを内蔵したトレンチ型半導体装置に対して、セルピッチの微細化を可能にするという効果を奏する。 According to the semiconductor device of the present invention, it is possible to make the cell pitch finer than in a trench type semiconductor device in which SBDs are built in the same semiconductor substrate.

実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＡ－Ａ’断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 3 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment; FIG. 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＢ－Ｂ’断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 3 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment; FIG. 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。1 is a top view showing the configuration of a silicon carbide semiconductor device according to a first embodiment; FIG. 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment (Part 1); 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment (No. 2); 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その３）。3 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment (No. 3); FIG. 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その４）。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment (No. 4); 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その５）。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment (No. 5); 実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を示す断面図である（その６）。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment (No. 6); 実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１２のＡ－Ａ’断面図である。13 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 12 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment; FIG. 実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１２のＢ－Ｂ’断面図である。13 is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 12 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment; FIG. 実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。FIG. 10 is a top view showing the configuration of a silicon carbide semiconductor device according to a second embodiment; 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１６のＡ－Ａ’断面図である。17 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 16, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment; FIG. 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１６のＢ－Ｂ’断面図である。17 is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 16 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment; FIG. 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１６のＣ－Ｃ’断面図である。17 is a cross-sectional view taken along line C-C' in FIG. 16 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment; FIG. 実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。FIG. 11 is a top view showing the configuration of a silicon carbide semiconductor device according to a third embodiment; 実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１９のＡ－Ａ’断面図である。20 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 19 showing the configuration of a silicon carbide semiconductor device according to a fourth embodiment; FIG. 実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１９のＢ－Ｂ’断面図である。20 is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 19 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment; FIG. 実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。FIG. 11 is a top view showing the configuration of a silicon carbide semiconductor device according to a fourth embodiment; 従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す図２２のＡ－Ａ’断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 22, showing the configuration of a conventional trench-type silicon carbide semiconductor device; 従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す図２２のＢ－Ｂ’断面図である。23 is a cross-sectional view taken along line B-B' in FIG. 22, showing the configuration of a conventional trench type silicon carbide semiconductor device; FIG. 従来のトレンチ型炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。It is a top view which shows the structure of the conventional trench type silicon carbide semiconductor device.

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。本明細書および添付図面においては、ｎまたはｐを冠記した層や領域では、それぞれ電子または正孔が多数キャリアであることを意味する。また、ｎやｐに付す＋および－は、それぞれそれが付されていない層や領域よりも高不純物濃度および低不純物濃度であることを意味する。＋および－を含めたｎやｐの表記が同じ場合は近い濃度であることを示し濃度が同等とは限らない。なお、以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、本明細書では、ミラー指数の表記において、“－”はその直後の指数につくバーを意味しており、指数の前に“－”を付けることで負の指数をあらわしている。 Preferred embodiments of a semiconductor device according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. In this specification and the accompanying drawings, layers and regions prefixed with n or p mean that electrons or holes are majority carriers, respectively. Moreover, + and - attached to n and p mean that the impurity concentration is higher and lower than that of the layer or region not attached with it, respectively. When the notations of n and p including + and - are the same, it indicates that the concentrations are close, and the concentrations are not necessarily the same. In the following description of the embodiments and the accompanying drawings, the same configurations are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted. Also, in this specification, in the notation of the Miller index, "-" means a bar attached to the index immediately after it, and adding "-" before the index indicates a negative index.

（実施の形態１）
本発明にかかる半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体を用いて構成される。実施の形態１においては、ワイドバンドギャップ半導体として例えば炭化珪素（ＳｉＣ）を用いて作製された炭化珪素半導体装置について、ＭＯＳＦＥＴを例に説明する。図１は、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＡ－Ａ’断面図である。図２は、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図３のＢ－Ｂ’断面図である。図３は、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。 (Embodiment 1)
A semiconductor device according to the present invention is configured using a wide bandgap semiconductor. In Embodiment 1, a silicon carbide semiconductor device manufactured using, for example, silicon carbide (SiC) as a wide bandgap semiconductor will be described using a MOSFET as an example. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line AA' in FIG. 3, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 3, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment. FIG. 3 is a top view showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment.

図１、図２に示す実施の形態１にかかる半導体装置は、半導体基体（半導体チップ）のおもて面側に、ゲートトレンチ（第１トレンチ）１８と、コンタクトトレンチ（第２トレンチ）１９と、を備えたトレンチ型ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴである。ゲートトレンチ１８とは、ゲート絶縁膜９を介してゲート電極１０が埋め込まれたトレンチである。コンタクトトレンチ１９とは、後述するショットキー電極１５によるショットキー接合を有するＳＢＤを埋め込んだトレンチである。 The semiconductor device according to the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2 has a gate trench (first trench) 18 and a contact trench (second trench) 19 on the front surface side of a semiconductor substrate (semiconductor chip). , is a trench type SiC-MOSFET. The gate trench 18 is a trench in which the gate electrode 10 is embedded with the gate insulating film 9 interposed therebetween. The contact trench 19 is a trench embedded with an SBD having a Schottky junction with a Schottky electrode 15, which will be described later.

具体的には、図１、図２に示すように、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置は、ｎ⁺型炭化珪素基板（第１導電型の半導体基板）１の第１主面（おもて面）、例えば（０００１）面（Ｓｉ面）に、ｎ^-型ドリフト層（第１導電型の第１半導体層）２が堆積されている。 Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the silicon ^carbide semiconductor device according to the first embodiment includes a first main surface (and An n ⁻ -type drift layer (first semiconductor layer of first conductivity type) 2 is deposited on the (0001) plane (Si plane), for example, the front surface).

ｎ⁺型炭化珪素基板１は、例えば窒素（Ｎ）がドーピングされた炭化珪素単結晶基板である。ｎ^-型ドリフト層２は、ｎ⁺型炭化珪素基板１よりも低い不純物濃度で、例えば窒素がドーピングされている低濃度ｎ型ドリフト層である。ｎ^-型ドリフト層２の、ｎ⁺型炭化珪素基板１側に対して反対側の表面は、ｎ型高濃度領域５が形成されている。ｎ型高濃度領域５は、ｎ⁺型炭化珪素基板１よりも低くｎ^-型ドリフト層２よりも高い不純物濃度で、例えば窒素がドーピングされている高濃度ｎ型ドリフト層である。ｎ型高濃度領域５は、キャリアの広がり抵抗を低減させる、いわゆる電流拡散層（ＣｕｒｒｅｎｔＳｐｒｅａｄｉｎｇＬａｙｅｒ：ＣＳＬ）である。以下、ｎ⁺型炭化珪素基板１とｎ^-型ドリフト層２と後述するｐ型ベース層（第２導電型の第２半導体層）６とを併せて炭化珪素半導体基体とする。 The n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 is, for example, a silicon carbide single crystal substrate doped with nitrogen (N). The n ⁻ -type drift layer 2 is a low-concentration n-type drift layer doped with, for example, nitrogen at an impurity concentration lower than that of the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 . An n-type high-concentration region 5 is formed on the surface of n ⁻ -type drift layer 2 opposite to n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 side. The n-type high-concentration region 5 is a high-concentration n-type drift layer doped with nitrogen, for example, at an impurity concentration lower than that of the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 and higher than that of the n ⁻ -type drift layer 2 . The n-type high-concentration region 5 is a so-called current spreading layer (CSL) that reduces spreading resistance of carriers. Hereinafter, the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1, the n ^- -type drift layer 2, and the p-type base layer (second conductivity type second semiconductor layer) 6 described later are collectively referred to as a silicon carbide semiconductor substrate.

また、ｎ⁺型炭化珪素基板１の第２主面（裏面、すなわち炭化珪素半導体基体の裏面）には、裏面電極（第２電極）１４が設けられている。裏面電極１４は、ドレイン電極を構成する。 Further, a back surface electrode (second electrode) 14 is provided on the second main surface (the back surface, that is, the back surface of the silicon carbide semiconductor substrate) of n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 . The back electrode 14 constitutes a drain electrode.

炭化珪素半導体基体の第１主面側（ｐ型ベース層６側）には、トレンチ構造が形成されている。具体的には、ゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９は、ｐ型ベース層６のｎ⁺型炭化珪素基板１側に対して反対側（炭化珪素半導体基体の第１主面側）の表面からｐ型ベース層６を貫通してｎ型高濃度領域５に達する。ゲートトレンチ１８の内壁に沿って、ゲートトレンチ１８の底部および側壁にゲート絶縁膜９が形成されており、ゲートトレンチ１８内のゲート絶縁膜９の内側にゲート電極１０が形成されている。ゲート絶縁膜９によりゲート電極１０が、ｎ^-型ドリフト層２およびｐ型ベース層６と絶縁されている。ゲート電極１０の一部は、ゲートトレンチ１８の上方（ソース電極パッド１４側）からソース電極パッド１４側に突出してもよい。 A trench structure is formed on the first main surface side (p-type base layer 6 side) of the silicon carbide semiconductor substrate. Specifically, the gate trench 18 and the contact trench 19 are formed from the surface of the p-type base layer 6 opposite to the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 side (the first main surface side of the silicon carbide semiconductor substrate). It penetrates the base layer 6 and reaches the n-type high concentration region 5 . A gate insulating film 9 is formed on the bottom and sidewalls of the gate trench 18 along the inner wall of the gate trench 18 , and the gate electrode 10 is formed inside the gate insulating film 9 in the gate trench 18 . Gate electrode 10 is insulated from n ⁻ -type drift layer 2 and p-type base layer 6 by gate insulating film 9 . A portion of the gate electrode 10 may protrude from above the gate trench 18 (source electrode pad 14 side) toward the source electrode pad 14 side.

ｎ^-型ドリフト層２のｎ⁺型炭化珪素基板１側に対して反対側（炭化珪素半導体基体の第１主面側）の表面層には、ｐ⁺型ベース領域３が選択的に設けられている。ｐ⁺型ベース領域３は、ゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９の下に形成されており、ｐ⁺型ベース領域３の幅はゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９の幅よりも広い。ｐ⁺型ベース領域３は、例えばアルミニウムがドーピングされている。また、ｐ⁺型ベース領域３は、ｐ型ベース層６と離れて設けられる。 A p ⁺ -type base region 3 is selectively provided in a surface layer of n ⁻ -type drift layer 2 on the side opposite to the n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 side (the first main surface side of the silicon carbide semiconductor substrate). ing. The p ⁺ -type base region 3 is formed under the gate trench 18 and the contact trench 19 , and the width of the p ⁺ -type base region 3 is wider than the width of the gate trench 18 and the contact trench 19 . The p ⁺ -type base region 3 is doped with aluminum, for example. Also, the p ⁺ -type base region 3 is provided apart from the p-type base layer 6 .

ｎ^-型ドリフト層２の基体第１主面側には、ｐ型ベース層６が設けられている。ｐ型ベース層６の内部には、基体第１主面側にｎ⁺型ソース領域（第１導電型の第１半導体領域）７およびｐ⁺型コンタクト領域（第２導電型の第２半導体領域）８が選択的に設けられている。ｎ⁺型ソース領域７はゲートトレンチ１８に接している。また、ｎ⁺型ソース領域７およびｐ⁺型コンタクト領域８は互いに接する。 A p-type base layer 6 is provided on the substrate first main surface side of the n ⁻ -type drift layer 2 . Inside the p-type base layer 6, an n ⁺ -type source region (first conductivity type first semiconductor region) 7 and a p ⁺ -type contact region (second conductivity type second semiconductor region) are formed on the first main surface side of the substrate. ) 8 are optionally provided. The n ⁺ -type source region 7 is in contact with the gate trench 18 . Also, the n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region 8 are in contact with each other.

ゲートトレンチ１８は、奥行き方向（Ｘ－Ｘ’方向）に延びる平行したストライプ状の平面レイアウトに配置されている。また、コンタクトトレンチ１９は、隣り合うゲートトレンチ１８間に、ゲートトレンチ１８に平行に、かつゲートトレンチ１８と離して、Ｘ－Ｘ’方向に延びるストライプ状の平面レイアウトに配置されている。例えば、すべてのメサ部にコンタクトトレンチ１９を配置する場合、ゲートトレンチ１８およびコンタクトトレンチ１９は、Ｘ－Ｘ’方向と直交するＡ－Ａ’方向に互いに離して交互に繰り返し配置される。コンタクトトレンチ１９は、炭化珪素半導体基体の第１主面側からｐ型ベース層６を貫通してｎ型高濃度領域５に達する。コンタクトトレンチ１９の深さは、ゲートトレンチ１８の深さと同等程度である。 The gate trenches 18 are arranged in a planar layout of parallel stripes extending in the depth direction (X-X' direction). Further, the contact trenches 19 are arranged in a striped planar layout extending in the XX′ direction between the adjacent gate trenches 18 , parallel to the gate trenches 18 and separated from the gate trenches 18 . For example, when the contact trenches 19 are arranged in all the mesa portions, the gate trenches 18 and the contact trenches 19 are alternately and repeatedly arranged apart from each other in the AA' direction perpendicular to the XX' direction. Contact trench 19 penetrates p-type base layer 6 from the first main surface side of the silicon carbide semiconductor substrate to reach n-type high concentration region 5 . The depth of the contact trench 19 is approximately the same as the depth of the gate trench 18 .

図３に示すように、コンタクトトレンチ１９は、断続的に設けられている。このため、Ｘ－Ｘ’方向には、コンタクトトレンチ１９が設けられていない部分がある。図１のＡ－Ａ’断面は、コンタクトトレンチ１９が設けられている部分の断面であり、図２のＢ－Ｂ’断面は、コンタクトトレンチ１９が設けられていない部分の断面である。 As shown in FIG. 3, the contact trenches 19 are intermittently provided. Therefore, there is a portion where the contact trench 19 is not provided in the XX' direction. The A-A' cross section in FIG. 1 is the cross section of the portion where the contact trench 19 is provided, and the B-B' cross section in FIG. 2 is the cross section of the portion where the contact trench 19 is not provided.

Ｘ－Ｘ’方向のコンタクトトレンチ１９が設けられていない部分は、ｎ⁺型ソース領域７の一部がコンタクトトレンチ１９側に延在した部分である。このため、Ｘ－Ｘ’方向のコンタクトトレンチ１９に挟まれた領域には、ｎ⁺型ソース領域７とｐ⁺型コンタクト領域８が設けられている。このような構造にすることにより、ゲートトレンチ１８と接する部分のｎ⁺型ソース領域７ａが、延在した部分のｎ⁺型ソース領域７ｂと接続するようになり、隣り合うゲートトレンチ１８と接する部分のｎ⁺型ソース領域７ａ同士が接続されるようになる。これにより、ｎ⁺型ソース領域７の面積が大きくなり、ゲートトレンチ１８を形成する際のマスクの形成位置がずれた場合でも、ｎ⁺型ソース領域７を確保できる。このため、マスクの形成位置の許容度が大きくなり、トレンチ型炭化珪素半導体装置を微細化することが可能になる。 The portion where the contact trench 19 in the XX′ direction is not provided is the portion where a part of the n ⁺ -type source region 7 extends toward the contact trench 19 side. Therefore, an n ⁺ -type source region 7 and a p ⁺ -type contact region 8 are provided in a region sandwiched between the contact trenches 19 in the XX′ direction. With such a structure, the portion of the n ⁺ -type source region 7a in contact with the gate trench 18 is connected to the extended portion of the n ⁺ -type source region 7b, and the portion in contact with the adjacent gate trench 18 is connected. are ^connected to each other. As a result, the area of the n ⁺ -type source region 7 is increased, and the n ⁺ -type source region 7 can be secured even if the formation position of the mask when forming the gate trench 18 is displaced. Therefore, the tolerance of the mask forming position is increased, and the trench silicon carbide semiconductor device can be miniaturized.

図１では、１つのトレンチＭＯＳ構造のみを図示しているが、さらに多くのトレンチ構造のＭＯＳゲート（金属－酸化膜－半導体からなる絶縁ゲート）構造が並列に配置されていてもよい。 Although only one trench MOS structure is shown in FIG. 1, more trench MOS gate (metal-oxide-semiconductor insulating gate) structures may be arranged in parallel.

層間絶縁膜１１は、炭化珪素半導体基体の第１主面側の全面に、ゲートトレンチ１８に埋め込まれたゲート電極１０を覆うように設けられている。ソース電極（第１電極）１３は、層間絶縁膜１１に開口されたコンタクトホールを介して、ｎ⁺型ソース領域７およびｐ⁺型コンタクト領域８に接する。ソース電極１３は、層間絶縁膜１１によって、ゲート電極１０と電気的に絶縁されている。ソース電極１３上には、ソース電極パッド（不図示）が設けられている。ソース電極１３と層間絶縁膜１１との間に、例えばソース電極１３からゲート電極１０側への金属原子の拡散を防止するＴｉ又はＴｉＮ等を単層又は積層としたバリアメタルを設けてもよい。 Interlayer insulating film 11 is provided all over the first main surface side of the silicon carbide semiconductor substrate so as to cover gate electrode 10 embedded in gate trench 18 . A source electrode (first electrode) 13 is in contact with the n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region 8 through a contact hole opened in the interlayer insulating film 11 . Source electrode 13 is electrically insulated from gate electrode 10 by interlayer insulating film 11 . A source electrode pad (not shown) is provided on the source electrode 13 . Between the source electrode 13 and the interlayer insulating film 11, for example, a barrier metal made of Ti or TiN or the like that prevents the diffusion of metal atoms from the source electrode 13 to the gate electrode 10 side may be provided.

炭化珪素半導体基体おもて面およびコンタクトトレンチ１９の内壁に沿って、例えばＴｉシリサイド（ＴｉＳｉ）からなるショットキー電極１５が設けられている。ショットキー電極１５は、異なる材料による電極を積層している構成としてもよい。ショットキー電極１５は、ソース電極１３とともにおもて面電極として機能する。ショットキー電極１５は、炭化珪素半導体基体おもて面からコンタクトトレンチ１９の側壁にわたってｐ⁺型コンタクト領域８に接する。 Schottky electrode 15 made of, for example, Ti silicide (TiSi) is provided along the front surface of the silicon carbide semiconductor substrate and the inner wall of contact trench 19 . The Schottky electrode 15 may have a structure in which electrodes made of different materials are stacked. Schottky electrode 15 functions as a front surface electrode together with source electrode 13 . Schottky electrode 15 is in contact with p ⁺ -type contact region 8 over the sidewall of contact trench 19 from the front surface of the silicon carbide semiconductor substrate.

また、ショットキー電極１５は、コンタクトトレンチ１９の底部からコーナー部の全面にわたってｐ⁺型ベース領域３に接する。ショットキー電極１５は、コンタクトトレンチ１９の側壁においてｎ型高濃度領域５に接し、ｎ型高濃度領域５とのショットキー接合を形成する。これにより、コンタクトトレンチ１９内のショットキー電極１５と、ｎ型高濃度領域５とからなるショットキーバリアダイオードが形成される。また、ショットキー電極１５は、ｎ^-型ドリフト層２およびｎ型高濃度領域５とのヘテロ接合を形成する電極材料、例えば、ポリシリコンであってもよい。なお、ｎ型高濃度領域５を設けない場合は、コンタクトトレンチ１９の側壁においてｎ^-型ドリフト層２とのショットキー接合が形成され、コンタクトトレンチ１９内の導電層１５と、ｎ^-型ドリフト層２とからなるショットキーバリアダイオードが形成される。 Schottky electrode 15 is in contact with p ⁺ -type base region 3 over the entire surface from the bottom to the corner of contact trench 19 . Schottky electrode 15 is in contact with n-type high concentration region 5 on the sidewall of contact trench 19 and forms a Schottky junction with n-type high concentration region 5 . Thereby, a Schottky barrier diode comprising the Schottky electrode 15 in the contact trench 19 and the n-type high concentration region 5 is formed. Alternatively, the Schottky electrode 15 may be an electrode material that forms a heterojunction with the n ⁻ -type drift layer 2 and the n-type heavily doped region 5, such as polysilicon. When the n-type high concentration region 5 is not provided, a Schottky junction with the n ⁻ type drift layer 2 is formed on the side wall of the contact trench 19, and the conductive layer 15 in the contact trench 19 and the n ⁻ type drift layer 2 is formed.

（実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法）
次に、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する。図４～図９は、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置の製造途中の状態を模式的に示す断面図である。 (Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device According to First Embodiment)
Next, a method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment will be described. 4 to 9 are cross-sectional views schematically showing states in the middle of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment.

まず、ｎ型の炭化珪素でできたｎ⁺型炭化珪素基板１を用意する。そして、このｎ⁺型炭化珪素基板１の第１主面上に、ｎ型の不純物、例えば窒素原子をドーピングしながら炭化珪素でできたｎ^-型ドリフト層２を、エピタキシャル成長させる。ここまでの状態が図４に示されている。 First, an n ⁺ -type silicon carbide substrate 1 made of n-type silicon carbide is prepared. Then, on the first main surface of this n ⁺ -type silicon carbide substrate 1, an n ^- -type drift layer 2 made of silicon carbide is epitaxially grown while doping an n-type impurity such as nitrogen atoms. The state up to this point is shown in FIG.

次に、ｎ^-型ドリフト層２の表面上に、窒素等のｎ型の不純物をドーピングした、ｎ型高濃度領域５の一部である下部ｎ型高濃度領域５ａを形成する。次に、下部ｎ型高濃度領域５ａの表面上に、フォトリソグラフィ技術によって所定の開口部を有するイオン注入用マスクを例えば酸化膜で形成する。そして、アルミニウム等のｐ型の不純物を、酸化膜の開口部に注入し、ｐ⁺型ベース領域３を形成する。ここまでの状態が図５に示されている。 Next, on the surface of the n ^- -type drift layer 2, a lower n-type high concentration region 5a, which is a part of the n-type high concentration region 5 and is doped with an n-type impurity such as nitrogen, is formed. Next, an ion implantation mask having a predetermined opening is formed of, for example, an oxide film on the surface of the lower n-type high-concentration region 5a by photolithography. Then, a p-type impurity such as aluminum is implanted into the opening of the oxide film to form the p ⁺ -type base region 3 . The state up to this point is shown in FIG.

次に、イオン注入用マスクの一部を除去し、ｎ型の不純物、例えば窒素原子をドーピングしながら炭化珪素でできた上部ｎ型高濃度領域５ｂを、下部ｎ型高濃度領域５ａの表面に形成する。この上部ｎ型高濃度領域５ｂと下部ｎ型高濃度領域５ａは少なくとも一部が接するように形成され、ｎ型高濃度領域５を形成する。ただし、このｎ型高濃度領域５が基板全面に形成される場合と、形成されない場合がある。ここまでの状態が図６に示されている。 Next, part of the ion implantation mask is removed, and an upper n-type high concentration region 5b made of silicon carbide while being doped with n-type impurities such as nitrogen atoms is formed on the surface of the lower n-type high concentration region 5a. Form. Upper n-type high concentration region 5b and lower n-type high concentration region 5a are formed so as to be in contact with each other at least partially to form n-type high concentration region 5. FIG. However, this n-type high-concentration region 5 may or may not be formed over the entire surface of the substrate. The state up to this point is shown in FIG.

次に、ｎ型高濃度領域５の表面上に、アルミニウム等のｐ型不純物をドーピングしたｐ型ベース層６を形成する。次に、ｐ型ベース層６および露出したｎ^-型ドリフト層２の表面上に、フォトリソグラフィによって所定の開口部を有するイオン注入用マスクを例えば酸化膜で形成する。この開口部にリン（Ｐ）等のｎ型の不純物をイオン注入し、ｐ型ベース層６の表面の一部にｎ⁺型ソース領域７を形成する。ｎ⁺型ソース領域７の不純物濃度は、ｎ型高濃度領域５の不純物濃度より高くなるように設定する。次に、ｎ⁺型ソース領域７の形成に用いたイオン注入用マスクを除去し、同様の方法で、所定の開口部を有するイオン注入用マスクを形成し、ｐ型ベース層６の表面の一部にアルミニウム等のｐ型の不純物をイオン注入し、ｐ⁺型コンタクト領域８を設ける。ｐ⁺型コンタクト領域８の不純物濃度は、ｐ型ベース層６の不純物濃度より高くなるように設定する。以下の製造方法の説明では、図１のＡ－Ａ’断面に対応するコンタクトトレンチ１９が設けられている部分の断面のみを記載する。ここまでの状態が図７に示されている。 Next, a p-type base layer 6 doped with a p-type impurity such as aluminum is formed on the surface of the n-type high concentration region 5 . Next, on the surfaces of the p-type base layer 6 and the exposed n ^- -type drift layer 2, an ion implantation mask having a predetermined opening is formed of, for example, an oxide film by photolithography. An n-type impurity such as phosphorus (P) is ion-implanted into this opening to form an n ⁺ -type source region 7 in a portion of the surface of the p-type base layer 6 . The impurity concentration of the n ⁺ -type source region 7 is set to be higher than that of the n-type high concentration region 5 . Next, the ion implantation mask used for forming the n ⁺ -type source region 7 is removed, and an ion implantation mask having a predetermined opening is formed by the same method. A p-type impurity such as aluminum is ion-implanted into the portion to form a p ⁺ -type contact region 8 . The impurity concentration of the p ⁺ -type contact region 8 is set higher than that of the p-type base layer 6 . In the following description of the manufacturing method, only the section of the portion where the contact trench 19 is provided corresponding to the AA' section of FIG. 1 will be described. The state up to this point is shown in FIG.

次に、１７００℃程度の不活性ガス雰囲気で熱処理（アニール）を行い、ｐ⁺型ベース領域３、ｎ⁺型ソース領域７、ｐ⁺型コンタクト領域８の活性化処理を実施する。なお、上述したように１回の熱処理によって各イオン注入領域をまとめて活性化させてもよいし、イオン注入を行うたびに熱処理を行って活性化させてもよい。 Next, heat treatment (annealing) is performed in an inert gas atmosphere at about 1700° C. to activate the p ⁺ type base region 3 , the n ⁺ type source region 7 and the p ⁺ type contact region 8 . As described above, the ion-implanted regions may be activated collectively by one heat treatment, or may be activated by heat treatment each time ion implantation is performed.

次に、ｐ型ベース層６の表面上に、フォトリソグラフィによって所定の開口部を有するトレンチ形成用マスクを例えば酸化膜で形成する。次に、ドライエッチングによってｐ型ベース層６を貫通し、ｎ型高濃度領域５に達するゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９を形成する。この際、コンタクトトレンチ１９が断続的に形成されるようにマスクを形成する。ゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９の底部はｎ型高濃度領域５に形成されたｐ⁺型ベース領域３に達してもよい。次に、トレンチ形成用マスクを除去する。ここまでの状態が図８に示されている。 Next, on the surface of the p-type base layer 6, a trench forming mask having a predetermined opening is formed of, for example, an oxide film by photolithography. Next, a gate trench 18 and a contact trench 19 that penetrate the p-type base layer 6 and reach the n-type high concentration region 5 are formed by dry etching. At this time, a mask is formed so that the contact trenches 19 are intermittently formed. The bottoms of the gate trench 18 and the contact trench 19 may reach the p ⁺ -type base region 3 formed in the n-type heavily doped region 5 . Next, the trench formation mask is removed. The state up to this point is shown in FIG.

次に、ゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９の底部および開口部の角を丸めるためのアニールを行う。アニールを行う前にゲートトレンチ１８、コンタクトトレンチ１９のダメージを除去するための等方性エッチングを行ってもよい。 Next, annealing is performed to round the bottoms of the gate trenches 18 and the contact trenches 19 and the corners of the openings. Isotropic etching may be performed to remove damage to the gate trench 18 and the contact trench 19 before annealing.

次に、ｎ⁺型ソース領域７およびｐ⁺型コンタクト領域８の表面と、ゲートトレンチ１８の底部および側壁と、に沿ってゲート絶縁膜９を形成する。このゲート絶縁膜９は、酸素雰囲気中において１０００℃程度の温度の熱処理による熱酸化によって形成してもよい。また、このゲート絶縁膜９は高温酸化（ＨｉｇｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＯｘｉｄｅ：ＨＴＯ）等のような化学反応によって堆積する方法で形成してもよい。 Next, a gate insulating film 9 is formed along the surfaces of the n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region 8 and along the bottom and side walls of the gate trench 18 . This gate insulating film 9 may be formed by thermal oxidation by heat treatment at a temperature of about 1000° C. in an oxygen atmosphere. Also, the gate insulating film 9 may be formed by a method of depositing by a chemical reaction such as high temperature oxide (HTO).

次に、犠牲酸化とＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）でフィールド酸化膜１７を形成する。フォトリソグラフィとエッチングでフィールド酸化膜１７をパターニングして、コンタクトトレンチ１９をフィールド酸化膜１７で埋める。 Next, a field oxide film 17 is formed by sacrificial oxidation and CVD (Chemical Vapor Deposition). The field oxide film 17 is patterned by photolithography and etching to fill the contact trenches 19 with the field oxide film 17 .

次に、ゲート絶縁膜９上に、例えばリン原子がドーピングされた多結晶シリコン層を設ける。この多結晶シリコン層はゲートトレンチ１８内を埋めるように形成してもよい。この多結晶シリコン層をフォトリソグラフィによりパターニングし、ゲートトレンチ１８内部に残すことによって、ゲート電極１０を形成する。 Next, a polycrystalline silicon layer doped with, for example, phosphorus atoms is provided on the gate insulating film 9 . This polycrystalline silicon layer may be formed so as to fill the inside of the gate trench 18 . The gate electrode 10 is formed by patterning this polycrystalline silicon layer by photolithography and leaving it inside the gate trench 18 .

次に、ゲート絶縁膜９、ゲート電極１０、ゲートトレンチ１８およびフィールド酸化膜１７を覆うように、例えばリンガラスを１μｍ程度の厚さで成膜し、層間絶縁膜１１を形成する。層間絶縁膜１１をフォトリソグラフィによりパターニングしｎ⁺型ソース領域７およびｐ⁺型コンタクト領域８を露出させたコンタクトホールを形成する。その後、熱処理（リフロー）を行って層間絶縁膜１１を平坦化する。次に、層間絶縁膜１１を覆うように、チタン（Ｔｉ）または窒化チタン（ＴｉＮ）からなるバリアメタル（不図示）を形成する。その後コンタクトホール部のバリアメタルを除去する。 Next, an interlayer insulating film 11 is formed by depositing, for example, phosphorous glass to a thickness of about 1 μm so as to cover the gate insulating film 9 , the gate electrode 10 , the gate trench 18 and the field oxide film 17 . Interlayer insulating film 11 is patterned by photolithography to form contact holes exposing n ⁺ -type source region 7 and p ⁺ -type contact region 8 . Thereafter, heat treatment (reflow) is performed to planarize the interlayer insulating film 11 . Next, a barrier metal (not shown) made of titanium (Ti) or titanium nitride (TiN) is formed to cover the interlayer insulating film 11 . After that, the barrier metal in the contact hole portion is removed.

次に、コンタクトホール内および層間絶縁膜１１の上にソース電極１３となるニッケル（Ｎｉ）等の導電性の膜を設ける。この導電性の膜をフォトリソグラフィによりパターニングし、コンタクトホール内にのみソース電極１３を残す。 Next, a conductive film made of nickel (Ni) or the like that becomes the source electrode 13 is provided in the contact hole and on the interlayer insulating film 11 . This conductive film is patterned by photolithography to leave the source electrode 13 only in the contact hole.

次に、ｎ型炭化珪素半導体基板１の第２主面上に、ニッケル等の裏面電極（不図示）を設ける。この後、１０００℃程度の不活性ガス雰囲気で熱処理を行って、ｎ⁺型ソース領域７、ｐ⁺型コンタクト領域８およびｎ型炭化珪素半導体基板１とオーミック接合するソース電極１３および裏面電極１４を形成する。ここまでの状態が図９に示されている。 Next, a back surface electrode (not shown) made of nickel or the like is provided on the second main surface of n-type silicon carbide semiconductor substrate 1 . Thereafter, heat treatment is performed in an inert gas atmosphere at about 1000° C. to remove n ⁺ -type source region 7 , p ⁺ -type contact region 8 , source electrode 13 and back surface electrode 14 which are in ohmic contact with n-type silicon carbide semiconductor substrate 1 . Form. The state up to this point is shown in FIG.

次に、コンタクトトレンチ１９上の層間絶縁膜１１およびコンタクトトレンチ１９内のフィールド酸化膜１７を除去し、ショットキーメタルとして、Ｔｉ、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ、Ｍｏ（モリブデン）のいずれかを堆積する。この後、パターニングして、活性部以外のショットキーメタルを除去する。次に、４００℃～６００℃でアニールし、コンタクトトレンチ１９の底部および側壁に沿ってショットキー電極１５を形成する。 Next, the interlayer insulating film 11 on the contact trenches 19 and the field oxide film 17 in the contact trenches 19 are removed, and any one of Ti, W (tungsten), Ni, and Mo (molybdenum) is deposited as a Schottky metal. . After that, patterning is performed to remove the Schottky metal other than the active portion. Next, annealing is performed at 400° C. to 600° C. to form the Schottky electrode 15 along the bottom and side walls of the contact trench 19 .

次に、ｎ⁺炭化珪素半導体基板１の第１主面上に、スパッタ法によって５μｍ程度の厚さのアルミニウム膜を堆積し、フォトリソグラフィによりソース電極１３および活性部の層間絶縁膜１１を覆うようにアルミニウムを除去し、ソース電極パッドを形成する。 Next, an aluminum film having a thickness of about 5 μm is deposited on the first main surface of n ⁺ silicon carbide semiconductor substrate 1 by sputtering, and photolithography is performed so as to cover source electrode 13 and interlayer insulating film 11 in the active portion. Then aluminum is removed to form a source electrode pad.

次に、裏面電極１４の表面に、例えばチタン（Ｔｉ）、ニッケルおよび金（Ａｕ）を順に積層することによって、ドレイン電極パッド（不図示）を形成する。以上のようにして、図１、図２に示す炭化珪素半導体装置が完成する。 Next, a drain electrode pad (not shown) is formed on the surface of the back electrode 14 by laminating titanium (Ti), nickel and gold (Au) in order, for example. As described above, the silicon carbide semiconductor device shown in FIGS. 1 and 2 is completed.

以上、説明したように、実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置によれば、コンタクトトレンチは、断続的に設けられ、隣り合うゲートトレンチと接する部分のｎ⁺型ソース領域同士が接続されるようになる。これにより、ｎ⁺型ソース領域の面積が大きくなり、ゲートトレンチを形成する際のマスクの形成位置がずれた場合でも、ｎ⁺型ソース領域を確保できる。このため、マスクの形成位置の許容度が大きくなり、トレンチ型炭化珪素半導体装置を微細化することが可能になる。 As described above, according to the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment, the contact trenches are intermittently provided so that the n ⁺ -type source regions in contact with the adjacent gate trenches are connected to each other. become. As a result, the area of the n ⁺ -type source region is increased, and the n ⁺ -type source region can be secured even if the formation position of the mask when forming the gate trench is displaced. Therefore, the tolerance of the mask forming position is increased, and the trench silicon carbide semiconductor device can be miniaturized.

（実施の形態２）
次に、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図１０は、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１２のＡ－Ａ’断面図である。図１１は、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１２のＢ－Ｂ’断面図である。図１２は、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。 (Embodiment 2)
Next, the structure of the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment is described. FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line AA' in FIG. 12, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment. 11 is a cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 12, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment. FIG. 12 is a top view showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment.

実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置が実施の形態１にかかる炭化珪素半導体装置と異なる点は、ｐ型ベース層６が部分的に設けられて、コンタクトトレンチ１９と隔離していることである。 The silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment differs from the silicon carbide semiconductor device according to the first embodiment in that p-type base layer 6 is partially provided and isolated from contact trench 19. .

図１２に示すように、実施の形態２でも実施の形態１と同様にコンタクトトレンチ１９は、ゲートトレンチ１８に挟まれた領域に断続的に設けられる。図１０に示すように、コンタクトトレンチ１９が設けられるところでは、ｐ型ベース層６が部分的に設けられて、コンタクトトレンチ１９と隔離している。また、図１１に示すように、ｐ型ベース層６は、コンタクトトレンチ１９が設けられないところでは連続的に設けられる。 As shown in FIG. 12, in the second embodiment, the contact trenches 19 are intermittently provided in regions sandwiched between the gate trenches 18 as in the first embodiment. As shown in FIG. 10, the p-type base layer 6 is partially provided to isolate the contact trench 19 where the contact trench 19 is provided. Also, as shown in FIG. 11, the p-type base layer 6 is continuously provided where the contact trench 19 is not provided.

ｐ型ベース層６をコンタクトトレンチ１９と隔離することにより、コンタクトトレンチ１９がｎ型高濃度領域５と接する部分が増加する。具体的には、従来ｐ型ベース層６と接していた領域Ａの部分だけ接する部分が増加する。この部分にもショットキー接合が形成され、ショットキー接合面積を増加させることができる。 By isolating the p-type base layer 6 from the contact trench 19, the portion where the contact trench 19 is in contact with the n-type high concentration region 5 is increased. Specifically, only the portion of the region A that was in contact with the p-type base layer 6 in the conventional art is increased. A Schottky junction is also formed in this portion, and the Schottky junction area can be increased.

また、コンタクトトレンチ１９は、断続的に設けられているため、ｐ型ベース層６がコンタクトトレンチ１９と隔離しても、ｎ⁺型ソース領域７とｎ型高濃度領域５が短絡することが無い。 Further, since the contact trenches 19 are intermittently provided, even if the p-type base layer 6 is isolated from the contact trenches 19, the n ⁺ -type source region 7 and the n-type heavily doped region 5 are not short-circuited. .

次に、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１と同様に、ｎ型高濃度領域５を形成する工程まで行う（図６参照）。次に、ｎ型高濃度領域５の表面上に、フォトリソグラフィ技術によって所定の開口部を有するイオン注入用マスクを例えば酸化膜で形成する。この際、ｐ型ベース層６がコンタクトトレンチ１９と隔離されるようにマスクを形成する。そして、アルミニウム等のｐ型の不純物を、酸化膜の開口部に注入し、ｐ型ベース層６を形成する。この後、実施の形態１のｎ⁺型ソース領域７を形成する工程以降を行うことで、図１０、図１１に示す炭化珪素半導体装置が完成する。 Next, a method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment will be described. First, as in the first embodiment, the process up to the step of forming the n-type high-concentration region 5 is performed (see FIG. 6). Next, an ion implantation mask having a predetermined opening is formed of, for example, an oxide film on the surface of the n-type high-concentration region 5 by photolithography. At this time, a mask is formed so that the p-type base layer 6 is isolated from the contact trenches 19 . A p-type impurity such as aluminum is then implanted into the opening of the oxide film to form a p-type base layer 6 . After that, the silicon carbide semiconductor device shown in FIGS. 10 and 11 is completed by performing the steps after the step of forming n ⁺ type source region 7 of the first embodiment.

また、ｐ型ベース層６はエピタキシャル成長により形成することも可能である。例えば、ｎ型高濃度領域５の表面上に、アルミニウム等のｐ型不純物をドーピングしたｐ型ベース層６を形成し、この後、窒素等のｎ型の不純物を部分的にイオン注入することにより、ｐ型ベース層６の一部をｎ型に打ち返すことにより、コンタクトトレンチ１９と隔離したｐ型ベース層６を形成することも可能である。 Also, the p-type base layer 6 can be formed by epitaxial growth. For example, a p-type base layer 6 doped with a p-type impurity such as aluminum is formed on the surface of the n-type high concentration region 5, and then an n-type impurity such as nitrogen is partially ion-implanted. It is also possible to form the p-type base layer 6 isolated from the contact trench 19 by partially converting the p-type base layer 6 into the n-type.

以上、説明したように、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置によれば、ｐ型ベース層が部分的に設けられて、コンタクトトレンチと隔離している。これにより、コンタクトトレンチがｎ型高濃度領域と接する部分が増加する。このため、この部分にもショットキー接合が形成され、ショットキー接合面積を増加させることができる。 As described above, according to the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment, the p-type base layer is partially provided and isolated from the contact trench. This increases the portion where the contact trench is in contact with the n-type high concentration region. Therefore, a Schottky junction is also formed in this portion, and the Schottky junction area can be increased.

（実施の形態３）
次に、実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図１３は、実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１６のＡ－Ａ’断面図である。図１４は、実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１６のＢ－Ｂ’断面図である。図１５は、実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１６のＣ－Ｃ’断面図である。図１６は、実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。 (Embodiment 3)
Next, the structure of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment will be explained. 13 is a cross-sectional view taken along line AA' in FIG. 16, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment. 14 is a cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 16, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment. FIG. 15 is a CC' cross-sectional view of FIG. 16 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment. FIG. 16 is a top view showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment.

実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置が実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置と異なる点は、コンタクトトレンチ１９が、実施の形態２よりも細分化されていることである。図１６に示すように、コンタクトトレンチ１９に挟まれた領域には、ｎ⁺型ソース領域７とｐ⁺型コンタクト領域８を設けた領域と、ｐ⁺型コンタクト領域８のみを設けた領域とがある。 The silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment differs from the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment in that contact trenches 19 are more subdivided than in the second embodiment. As shown in FIG. 16, the region sandwiched between the contact trenches 19 includes a region provided with the n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region 8 and a region provided with only the p ⁺ -type contact region 8 . be.

例えば、図１６の領域Ｓ１は、コンタクトトレンチ１９に挟まれた領域にｎ⁺型ソース領域７とｐ⁺型コンタクト領域８を設けた領域であり、領域Ｓ２は、コンタクトトレンチ１９に挟まれた領域にｐ⁺型コンタクト領域８のみを設けた領域である。また、図１４は、コンタクトトレンチ１９に挟まれた領域にｎ⁺型ソース領域７とｐ⁺型コンタクト領域を設けた領域の断面であり、図１５は、コンタクトトレンチ１９に挟まれた領域にｐ⁺型コンタクト領域８のみを設けた領域の断面である。また、ｎ⁺型ソース領域７とｐ⁺型コンタクト領域８を設けた領域と、ｐ⁺型コンタクト領域８のみを設ける領域とは、交互に設けることが好ましい。 For example, the region S1 in FIG. 16 is a region in which the n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region 8 are provided in a region sandwiched between the contact trenches 19, and the region S2 is a region sandwiched between the contact trenches 19. This is a region in which only the p ⁺ -type contact region 8 is provided in the . 14 is a cross section of a region in which the n ⁺ -type source region 7 and the p ⁺ -type contact region are provided in the region sandwiched between the contact trenches 19, and FIG. It is a cross section of a region in which only the ⁺ -type contact region 8 is provided. Moreover, it is preferable that the regions in which the n ⁺ -type source regions 7 and the p ⁺ -type contact regions 8 are provided and the regions in which only the p ⁺ -type contact regions 8 are provided are alternately provided.

このようにすることで、ｐ⁺型コンタクト領域８の面積が大きくなり、ゲートトレンチ１８を形成する際のマスクの形成位置がずれた場合でも、ｐ⁺型コンタクト領域８を確保できる。このため、マスクの形成位置の許容度が実施の形態１、２よりも大きくなり、トレンチ型炭化珪素半導体装置を実施の形態１、２よりも微細化することが可能になる。また、ｐ⁺型コンタクト領域８が大きくなることにより、コンタクト抵抗を減らすこともできる。 By doing so, the area of the p ⁺ -type contact region 8 is increased, and the p ⁺ -type contact region 8 can be secured even if the formation position of the mask when forming the gate trench 18 is shifted. Therefore, the tolerance of the mask formation position is greater than in the first and second embodiments, and the trench silicon carbide semiconductor device can be further miniaturized than in the first and second embodiments. In addition, contact resistance can be reduced by increasing the size of the p ⁺ -type contact region 8 .

実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置は、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法において、コンタクトトレンチ１９をより細分化して、ｎ⁺型ソース領域７およびｐ⁺型コンタクト領域８の形成位置を変えることにより製造することができる。 In the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment, in the method for manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment, the contact trenches 19 are further subdivided into n ⁺ -type source regions 7 and p ⁺ -type contact regions 8. It can be manufactured by changing the formation position.

以上、説明したように、実施の形態３にかかる炭化珪素半導体装置によれば、コンタクトトレンチを、より細分化し、コンタクトトレンチに挟まれた領域には、ｎ⁺型ソース領域とｐ⁺型コンタクト領域を設けた領域と、ｐ⁺型コンタクト領域のみを設けた領域とを設けることができる。これにより、ｐ⁺型コンタクト領域の面積が大きくなり、ゲートトレンチを形成する際のマスクの形成位置がずれた場合でも、ｐ⁺型コンタクト領域を確保できる。このため、マスクの形成位置の許容度がより大きくなり、トレンチ型炭化珪素半導体装置をより微細化することが可能になる。 As described above, according to the silicon carbide semiconductor device according to the third embodiment, the contact trenches are further subdivided, and the regions sandwiched between the contact trenches include the n ⁺ -type source region and the p ⁺ -type contact region. can be provided, and a region provided only with a p ⁺ -type contact region. As a result, the area of the p ⁺ -type contact region is increased, and the p ⁺ -type contact region can be secured even when the formation position of the mask when forming the gate trench is displaced. Therefore, the tolerance of the mask formation position is increased, and the trench silicon carbide semiconductor device can be further miniaturized.

（実施の形態４）
次に、実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図１７は、実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１９のＡ－Ａ’断面図である。図１８は、実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す図１９のＢ－Ｂ’断面図である。図１９は、実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置の構成を示す上面図である。 (Embodiment 4)
Next, the structure of the silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment will be described. 17 is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 19, showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment. 18 is a cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 19 showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment. FIG. 19 is a top view showing the configuration of the silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment.

実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置が実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置と異なる点は、ｐ型ベース層６の表面にｎ⁺型ソース領域７よりも不純物濃度の低いｎ型ソース領域１６が設けられている点である。図１９に示すように、ｎ⁺型ソース領域７は、ゲートトレンチ１８に接するｎ⁺型ソース領域７ａと、コンタクトトレンチ１９に挟まれた領域に設けられたｎ⁺型ソース領域７ｃとからなり、ｎ⁺型ソース領域７ａとｎ⁺型ソース領域７ｃとの間にｎ型ソース領域１６が設けられている。 The silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment differs from the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment in that an n-type source region having an impurity concentration lower than that of n ⁺ -type source region 7 is formed on the surface of p-type base layer 6 . 16 is provided. As shown in FIG. 19, the n ⁺ -type source region 7 is composed of an n ⁺ -type source region 7a in contact with the gate trench 18 and an n ⁺ -type source region 7c provided in a region sandwiched between the contact trenches 19. An n-type source region 16 is provided between the n ⁺ -type source region 7a and the n ⁺ -type source region 7c.

このようにｎ型ソース領域１６を設けることで、ソースフォロア効果とバックゲート効果により、少ないオン抵抗の増加で短絡時の電流を低減することができる。ｎ型ソース領域１６は、ｎ⁺型ソース領域７よりも温度特性が大きいので短絡時に大電流が流れると抵抗が上昇して電流を制限できるためである。 By providing the n-type source region 16 in this way, it is possible to reduce the current during a short circuit with a small increase in on-resistance due to the source follower effect and the back gate effect. This is because the n-type source region 16 has a larger temperature characteristic than the n ⁺ -type source region 7, so that when a large current flows during a short circuit, the resistance rises and the current can be limited.

実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置は、実施の形態２にかかる炭化珪素半導体装置の製造方法において、ｎ⁺型ソース領域７およびｐ⁺型コンタクト領域８を形成する工程（図７参照）を、ｎ⁺型ソース領域７、ｐ⁺型コンタクト領域８およびｎ型ソース領域１６を形成する工程とすることにより製造することができる。 The silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment is the method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device according to the second embodiment, except that the step of forming n ⁺ -type source region 7 and p ⁺ -type contact region 8 (see FIG. 7) is , n ⁺ -type source region 7 , p ⁺ -type contact region 8 and n-type source region 16 are formed.

以上、説明したように、実施の形態４にかかる炭化珪素半導体装置によれば、ゲートトレンチに接するｎ⁺型ソース領域と、コンタクトトレンチに挟まれた領域に設けられたｎ⁺型ソース領域との間にｎ型ソース領域が設けられている。これにより、短絡時に大電流が流れると抵抗が上昇して電流を制限できる。このため、少ないオン抵抗の増加で短絡時の電流を低減することができる。 As described above, according to the silicon carbide semiconductor device according to the fourth embodiment, the n ⁺ -type source region in contact with the gate trench and the n ⁺ -type source region provided in the region sandwiched between the contact trenches An n-type source region is provided therebetween. As a result, when a large current flows during a short circuit, the resistance rises and the current can be limited. As a result, the short-circuit current can be reduced with a small increase in on-resistance.

上述した各実施の形態では、ワイドバンドギャップ半導体として炭化珪素を用いた場合を例に説明したが、窒化ガリウム（ＧａＮ）など炭化珪素以外のワイドバンドギャップ半導体を用いた場合においても同様の効果が得られる。また、各実施の形態では第１導電型をｎ型とし、第２導電型をｐ型としたが、本発明は第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ型としても同様に成り立つ。 In each of the above-described embodiments, the case where silicon carbide is used as a wide bandgap semiconductor has been described as an example, but similar effects can be obtained even when a wide bandgap semiconductor other than silicon carbide, such as gallium nitride (GaN), is used. can get. In each embodiment, the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type. It holds.

以上のように、本発明にかかる半導体装置は、電力変換装置や種々の産業用機械などの電源装置などに使用されるパワー半導体装置に有用であり、特にトレンチゲート構造の半導体装置に適している。 INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the semiconductor device according to the present invention is useful as a power semiconductor device used in a power converter or a power supply device for various industrial machines, and is particularly suitable for a semiconductor device having a trench gate structure. .

１ｎ⁺型炭化珪素基板
２ｎ^-型ドリフト層
３ｐ⁺型ベース領域
５ｎ型高濃度領域
５ａ下部ｎ型高濃度領域
５ｂ上部ｎ型高濃度領域
６ｐ型ベース層
７ｎ⁺型ソース領域
８ｐ⁺型コンタクト領域
９ゲート絶縁膜
１０ゲート電極
１１層間絶縁膜
１３ソース電極
１４ドレイン電極
１５ショットキー電極
１６ｎ型ソース領域
１７フィールド酸化膜
１８ゲートトレンチ
１９コンタクトトレンチ 1 n ⁺ type silicon carbide substrate 2 n ⁻ type drift layer 3 p ⁺ type base region 5 n type high concentration region 5a lower n type high concentration region 5b upper n type high concentration region 6 p type base layer 7 n ⁺ type source region 8 p ⁺ -type contact region 9 gate insulating film 10 gate electrode 11 interlayer insulating film 13 source electrode 14 drain electrode 15 Schottky electrode 16 n-type source region 17 field oxide film 18 gate trench 19 contact trench

Claims

a first conductivity type semiconductor substrate;
a first semiconductor layer of a first conductivity type provided on the front surface of the semiconductor substrate and having an impurity concentration lower than that of the semiconductor substrate;
a second conductivity type second semiconductor layer provided on the side opposite to the semiconductor substrate side of the first semiconductor layer;
a first conductivity type first semiconductor region selectively provided inside the second semiconductor layer and having an impurity concentration higher than that of the first semiconductor layer;
a second conductivity type second semiconductor region having a higher impurity concentration than the second semiconductor layer and being in contact with the first semiconductor region and the second semiconductor layer;
a first trench penetrating the first semiconductor region and the second semiconductor layer and reaching the first semiconductor layer;
a gate electrode formed in the first trench via a gate oxide film;
a second trench penetrating the second semiconductor layer and reaching the first semiconductor layer at a portion where the first semiconductor region is not formed;
an electrode material provided in the second trench that forms a Schottky junction or heterojunction with the first semiconductor layer;
a first electrode forming an ohmic contact with the second semiconductor region;
a second electrode provided on the back surface of the semiconductor substrate and forming an ohmic contact with the semiconductor substrate;
with
The first trenches are provided in parallel stripes extending in the depth direction,
The second trench is intermittently provided in a region sandwiched between the first trenches ,
the first semiconductor region is provided in a region sandwiched between the intermittently provided second trenches and is connected to the first electrode;
At least part of the second semiconductor layer is provided isolated from the second trench,
The second semiconductor region is provided on the surface of a portion of the first semiconductor layer where the second semiconductor layer is not provided, closer to the first electrode than the second semiconductor layer. semiconductor equipment.

2. The semiconductor according to claim 1, wherein the second semiconductor region is provided in a region sandwiched between the intermittently provided second trenches and is connected to the first electrode. Device.

In the first semiconductor region, a portion in contact with the first trench and a portion provided in a region sandwiched between the second trenches are of a first conductivity type having an impurity concentration lower than that of the first semiconductor region. 3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the three semiconductor regions are connected to each other.

4. The semiconductor device according to claim 1, wherein an electrode material forming said Schottky junction is Ti, W, Ni or Mo.

4. The semiconductor device according to claim 1, wherein the electrode material forming said heterojunction is polysilicon.