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JP7180152B2 - METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC PARTS DEVICE, HOT-PRESS SHEET AND HOT-PRESS THERMO-CURABLE RESIN COMPOSITION - Google Patents
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JP7180152B2 - METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC PARTS DEVICE, HOT-PRESS SHEET AND HOT-PRESS THERMO-CURABLE RESIN COMPOSITION - Google Patents

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Description

本発明は、電子部品装置を製造する方法、熱プレス用シート及び熱プレス用熱硬化性樹脂組成物に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component device, a hot-press sheet, and a thermosetting resin composition for hot-press.

パッケージ用配線基板に電子部品を搭載する方法として、実装効率、電気特性及び多ピン化対応の点で優れるフリップチップ実装の採用が増えている。フリップチップ実装では、ベアチップが、バンプ電極を介して配線基板にフェイスダウンで実装される。 As a method for mounting electronic components on a package wiring board, flip-chip mounting, which is excellent in terms of mounting efficiency, electrical characteristics, and multi-pin compatibility, is being increasingly adopted. In flip-chip mounting, a bare chip is mounted facedown on a wiring board via bump electrodes.

例えば、電子部品の高集積化、高機能化、多ピン化、システム化、高速化、低コスト化等に対応するため、CSP(Chip Scale Package)と称される種々の小型パッケージが開発されており、これらにフリップチップ実装が採用されている。COB(Chip on Board)、ハイブリッドIC(Integrated Circuit)、モジュール、カード等の分野においても、一部の電子部品を高密度実装するため、フリップチップ実装が採用されている。最近の表面実装型パッケージ及びCSPには、端子がエリアアレイ状に配置されたものが多い。この種のパッケージの実装形態もフリップチップ実装と同様である。 For example, various small packages called CSPs (Chip Scale Packages) have been developed in order to meet the demands for higher integration, higher functionality, higher pin count, systematization, higher speed, lower cost, etc. of electronic components. The flip-chip mounting is adopted for these. In fields such as COBs (Chip on Boards), hybrid ICs (Integrated Circuits), modules, cards, etc., flip-chip mounting is employed for high-density mounting of some electronic components. Many of recent surface-mounted packages and CSPs have terminals arranged in an area array. The mounting form of this type of package is also similar to flip-chip mounting.

フリップチップ実装の場合、接続信頼性、耐湿信頼性等の観点から、電子部品と配線基板との間の間隙に熱硬化性のアンダーフィル材を充填し、硬化したアンダーフィル材によって接合部の補強及び素子の保護を図ることがある。 In the case of flip chip mounting, from the viewpoint of connection reliability and moisture resistance reliability, the gap between the electronic component and the wiring board is filled with a thermosetting underfill material, and the joint is reinforced with the hardened underfill material. and to protect the device.

電子部品と配線基板との間にアンダーフィル材を介在させる方法として、後入れ型、先付与型等の種々の方式がある。中でも、CSPの小型化及び薄肉化に伴い、電子部品と配線基板との接続と、接続部の補強とを目的とした、先付与型のアンダーフィル材を用いた方法が注目を集めている(例えば、特許文献1参照)。 As a method of interposing the underfill material between the electronic component and the wiring board, there are various methods such as a post-insertion method and a pre-application method. Among them, with the miniaturization and thinning of CSP, a method using a pre-applied underfill material for the purpose of connecting electronic parts and wiring boards and reinforcing the connection part is attracting attention ( For example, see Patent Document 1).

先付与型のアンダーフィル材を用いた実装方式としては、TCB(Thermal Compression Bonding)プロセスが知られている。現在、TCBプロセスにおいては、補助フィルムとして熱可塑性のフィルムが用いられることがある。この補助フィルムは、先付与したアンダーフィル材が実装時に染み出し、圧着ヘッドが汚染されるのを防ぐ役割を担う。 A TCB (Thermal Compression Bonding) process is known as a mounting method using a pre-applied underfill material. Currently, thermoplastic films are sometimes used as auxiliary films in the TCB process. This auxiliary film plays a role in preventing the pre-applied underfill material from oozing out during mounting and contaminating the crimping head.

先付与型のアンダーフィル材を用いた従来の実装方式では、各電子部品を個別に配線基板に実装することが主流であるが、近年、生産性の向上を図るために、圧着ヘッドの多段化及び大型化により、複数の電子部品を一括して配線基板に搭載することが検討されている(例えば、特許文献2参照)。複数の電子部品を一括して配線基板に搭載する際には、圧着ヘッドの歪み、基材の反り等に起因して、圧着ヘッドとの接触状態が電子部品間でばらつくために、実装時の荷重が不均一になり易い傾向がある。荷重が不均一になると、一部の電子部品に十分な荷重がかからず、電子部品と、基板とが電気的に接続できない可能性がある。過剰な荷重の生じた箇所では電子部品が破損する懸念もある。不均一な荷重は、電子部品の面方向での位置ずれの原因にもなり得る。位置ずれが生じると、電子部品と基板との間の導通がとれなくなる可能性がある。 In the conventional mounting method using a pre-applied underfill material, the mainstream is to mount each electronic component individually on the wiring board. Also, due to the increase in size, it is being considered to collectively mount a plurality of electronic components on a wiring board (see, for example, Patent Document 2). When mounting multiple electronic components on a wiring board at once, the contact state with the crimping head varies among the electronic components due to the distortion of the crimping head and the warping of the base material. The load tends to be uneven. If the load becomes non-uniform, a sufficient load may not be applied to some of the electronic components, and electrical connection between the electronic component and the board may not be possible. There is also a concern that electronic components may be damaged at locations where an excessive load is applied. A non-uniform load can also cause misalignment in the planar direction of the electronic component. If the positional deviation occurs, there is a possibility that the electrical connection between the electronic component and the substrate will be lost.

そこで、荷重の不均一化を緩和するため、電子部品及び配線基板を含む積層体を、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させながらステージ及び圧着ヘッドで挟むことにより加熱及び加圧して配線基板に電子部品を搭載する手法が報告されている(例えば、特許文献3参照)。 Therefore, in order to alleviate the unevenness of the load, the laminate including the electronic component and the wiring board is heated and pressed by sandwiching it between a stage and a pressure bonding head with a hot press sheet having a thermosetting resin layer interposed therebetween. A method of mounting an electronic component on a wiring board by using a wiring board has been reported (see, for example, Patent Document 3).

特開2013-219285号公報JP 2013-219285 A 国際公開第2017/038691号WO2017/038691 国際公開第2017/537846号WO2017/537846

熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層に用いられる熱硬化性樹脂として、(メタ)アクリレート化合物を適用できることが期待される。しかし、(メタ)アクリレート化合物を含有する熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを、長期間保存した後に用いると、熱プレスによって安定して電子部品装置が製造できなくなることがあった。 It is expected that a (meth)acrylate compound can be applied as the thermosetting resin used in the thermosetting resin layer of the hot-press sheet. However, when a hot-pressing sheet having a thermosetting resin layer containing a (meth)acrylate compound is used after being stored for a long period of time, it may become impossible to stably manufacture an electronic component device by hot-pressing.

そこで、本発明の一側面の目的は、(メタ)アクリレート化合物を含む熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを用いた熱プレスにより電子部品装置を製造する場合において、熱プレス用シートを長期に保存した後であっても安定した製造を可能にする方法を提供することにある。 Accordingly, an object of one aspect of the present invention is to provide a method for producing an electronic component device by hot pressing using a hot press sheet having a thermosetting resin layer containing a (meth)acrylate compound. To provide a method that enables stable production even after storage in a storage environment.

上記課題を解決するための具体的な手段には、以下の態様が含まれる。 Specific means for solving the above problems include the following aspects.

本発明の一側面は、配線基板及び該配線基板に搭載された電子部品を備える電子部品装置を製造する方法に関する。この方法は、絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられた配線層を有する配線基板と複数の電極を有する電子部品とバンプとを有する積層体であって、前記電子部品が前記配線層と前記電極とが対向するように配置され、対向する前記配線層と前記電極との間に前記バンプが介在している、積層体を、ステージ及び圧着ヘッドで挟むことによって加熱及び加圧し、それにより、前記バンプを介して前記配線層と前記電極とを電気的に接続する工程を備える。前記配線層と前記電極とを電気的に接続する前記工程において、前記積層体と前記圧着ヘッドとの間に、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、前記積層体が加熱及び加圧される。前記熱硬化性樹脂層が(メタ)アクリレート化合物、及び重合禁止剤を含有する。前記重合禁止剤の含有量が、前記(メタ)アクリレート化合物の含有量100質量部に対して、0.01~10質量部である。 One aspect of the present invention relates to a method of manufacturing an electronic component device including a wiring board and electronic components mounted on the wiring board. This method comprises a laminate having an insulating substrate, a wiring substrate having a wiring layer provided on the insulating substrate, an electronic component having a plurality of electrodes, and a bump, wherein the electronic component comprises the wiring layer and the electrode. are arranged to face each other, and the bumps are interposed between the wiring layers and the electrodes that face each other. A step of electrically connecting the wiring layer and the electrode via a bump is provided. In the step of electrically connecting the wiring layer and the electrode, the laminate and the pressure bonding head are interposed with a hot press sheet having a thermosetting resin layer. is heated and pressurized. The thermosetting resin layer contains a (meth)acrylate compound and a polymerization inhibitor. The content of the polymerization inhibitor is 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylate compound.

上記方法によれば、熱プレス用シートを長期に保存した後であっても、安定して電子部品装置を製造することができる。 According to the above method, electronic component devices can be stably manufactured even after the hot-press sheet is stored for a long period of time.

積層体は、電子部品と配線基板との間で電極、バンプ及び配線層の間の間隙を充填している熱硬化性のアンダーフィル材を更に有していてもよい。 The laminate may further comprise a thermosetting underfill material filling gaps between the electrodes, bumps and wiring layers between the electronic component and the wiring substrate.

配線層と電極とを電気的に接続する工程において、それぞれ1つの電子部品を有する複数の積層体が、又は、1つの配線基板上に配置された複数の電子部品を有する1つ又は複数の積層体が、1組のステージ及び圧着ヘッドで挟むことによって加熱及び加圧されてもよい。また、配線基板の温度が25℃~200℃、電子部品の温度が230℃~300℃となるように、積層体が加熱及び加圧されてもよい。 In the step of electrically connecting the wiring layer and the electrode, a plurality of laminates each having one electronic component, or one or more laminates having a plurality of electronic components arranged on one wiring substrate The body may be heated and pressurized by sandwiching it between a set of stages and a crimping head. Further, the laminate may be heated and pressurized so that the temperature of the wiring board is 25°C to 200°C and the temperature of the electronic component is 230°C to 300°C.

本発明の別の一側面は、熱硬化性樹脂層を有し、上記方法において用いられる熱プレス用シートに関する。この熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層は、(メタ)アクリレート化合物、及び重合禁止剤を含有する。熱硬化性樹脂層の平均厚みが、10μm以上であってもよい。 Another aspect of the present invention relates to a hot press sheet having a thermosetting resin layer and used in the above method. The thermosetting resin layer of this hot-press sheet contains a (meth)acrylate compound and a polymerization inhibitor. The average thickness of the thermosetting resin layer may be 10 μm or more.

熱プレス用シートは、熱硬化性樹脂層の片面上又は両面上に設けられた離型シートを更に有していてもよい。 The hot-press sheet may further have a release sheet provided on one side or both sides of the thermosetting resin layer.

熱硬化性樹脂層は、充填材を更に含有していてもよい。また、熱硬化性樹脂層が、エポキシ化合物とその硬化剤を更に含有していてもよい。 The thermosetting resin layer may further contain a filler. Moreover, the thermosetting resin layer may further contain an epoxy compound and its curing agent.

本発明の更に別の一側面は、(メタ)アクリレート化合物、及び重合禁止剤を含有する、熱プレス用熱硬化性樹脂組成物に関する。この熱プレス用硬化性樹脂組成物は、上記熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層を形成するために用いられる。熱硬化性樹脂組成物が充填材を更に含んでいてもよい。その場合、充填材の含有量が、熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量に対して60~85質量%であってもよい。熱硬化性樹脂組成物は、溶剤を更に含んでいてもよい。 Yet another aspect of the present invention relates to a thermosetting resin composition for hot press containing a (meth)acrylate compound and a polymerization inhibitor. This curable resin composition for hot press is used to form the thermosetting resin layer of the sheet for hot press. The thermosetting resin composition may further contain a filler. In that case, the content of the filler may be 60 to 85% by mass based on the solid content of the thermosetting resin composition. The thermosetting resin composition may further contain a solvent.

本発明によれば、電子部品及び配線基板を含む積層体を、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させながらステージ及び圧着ヘッドで挟むことにより加熱及び加圧して配線基板に電子部品を搭載して、電子部品装置を製造する場合において、熱プレス用シートを長期に保存した後であっても、安定して電子部品装置を製造することができる。例えば、熱プレス用シートを長期に保存した後であっても、位置ずれ、接続不良、電子部品の剥離といった不具合の発生を十分に抑制することができる。 According to the present invention, a laminate including an electronic component and a wiring board is sandwiched between a stage and a compression head while a hot press sheet having a thermosetting resin layer is interposed therebetween to heat and press the electronic component onto the wiring board. is mounted to manufacture an electronic component device, the electronic component device can be stably manufactured even after the hot-press sheet is stored for a long period of time. For example, even after the hot-press sheet is stored for a long period of time, it is possible to sufficiently suppress the occurrence of problems such as misalignment, poor connection, and peeling of electronic components.

電子部品装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing an electronic component device; 電子部品装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing an electronic component device; 電子部品装置を製造する方法の一実施形態を示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view showing an embodiment of a method for manufacturing an electronic component device; 一実施形態に係る電子部品装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of an electronic component device according to one embodiment; FIG. 一実施形態に係る熱プレス用シートの断面図である。1 is a cross-sectional view of a hot-press sheet according to one embodiment; FIG.

以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with appropriate reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In the following embodiments, the constituent elements (including element steps and the like) are not essential unless otherwise specified. The same applies to numerical values and their ranges, which do not limit the present invention. In addition, the sizes of the members in each drawing are conceptual, and the relative relationship between the sizes of the members is not limited to this.

本明細書において「~」を用いて示された数値範囲には、「~」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有量を意味する。
本明細書において組成物中の各成分の粒径は、組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本明細書において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本明細書において「平均厚み」、「平均距離」、及び「平均幅」とは、任意に選択した3点での測定値の算術平均値を意味する。
本明細書において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
In this specification, the numerical range indicated using "-" includes the numerical values before and after "-" as the minimum and maximum values, respectively.
In the numerical ranges described stepwise in this specification, the upper limit or lower limit described in one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit of the numerical range described in other steps. good. In the numerical ranges described herein, the upper or lower limits of the numerical ranges may be replaced with the values shown in the examples.
In the present specification, the content of each component in the composition is the total of the multiple substances present in the composition when there are multiple substances corresponding to each component in the composition, unless otherwise specified. means the content of
As used herein, the particle size of each component in the composition refers to a mixture of the plurality of types of particles present in the composition when there are multiple types of particles corresponding to each component in the composition, unless otherwise specified. means a value for
In this specification, the term "layer" refers to the case where the layer is formed in the entire region when the region where the layer exists is observed, and the case where the layer is formed only in a part of the region. is also included.
As used herein, "average thickness", "average distance", and "average width" mean the arithmetic average value of measurements at three arbitrarily selected points.
As used herein, the term "process" includes a process that is independent of other processes, and even if the purpose of the process is achieved even if it cannot be clearly distinguished from other processes. be

<電子部品装置を製造する方法>
以下、図1、図2及び図3を参照しながら本実施形態の製造方法の一例について説明する。図1~図3に示される実施形態に係る方法においては、電子部品の配線基板と対向する面にアンダーフィル材を予め付与した後、電子部品の電極と配線基板の配線層とがバンプを介して電気的に接続される。
<Method for manufacturing an electronic component device>
An example of the manufacturing method of this embodiment will be described below with reference to FIGS. In the method according to the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, after the underfill material is applied in advance to the surface of the electronic component facing the wiring board, the electrodes of the electronic component and the wiring layer of the wiring board are interposed through the bumps. are electrically connected.

(付与工程)
まず、図1に示すように、本体部21、本体部21の一方の主面上に設けられた複数の電極23、及びそれぞれの電極23上に設けられたバンプ25を有する電子部品20の電極23及びバンプ25側の面に、アンダーフィル材30を付与する(付与工程)。
(Addition process)
First, as shown in FIG. 1, electrodes of an electronic component 20 having a main body 21, a plurality of electrodes 23 provided on one main surface of the main body 21, and bumps 25 provided on the electrodes 23, respectively. An underfill material 30 is applied to the surface on the side of 23 and bump 25 (applying step).

電子部品20は、例えば半導体チップであってもよい。電子部品の種類は特に制限されず、樹脂等によってパッケージングされていないダイ(チップ)そのもの、樹脂等によってパッケージングされているCSP、BGA(Ball Grid Array)等と呼ばれている半導体パッケージなどであってもよい。 Electronic component 20 may be, for example, a semiconductor chip. The type of electronic components is not particularly limited, and may be a die (chip) itself that is not packaged with resin or the like, a CSP that is packaged with resin or the like, a semiconductor package called BGA (Ball Grid Array), or the like. There may be.

バンプ25の材質は特に制限されず、はんだ等の通常使用される材質から選択することができる。バンプは、金属ポストとはんだとの組み合わせであってもよい。環境問題及び安全性の観点から、バンプには、Cu又はAuのほか、Ag-Cu系はんだ、Sn-Cu系はんだ、Sn-Bi系はんだ等の無鉛はんだを使用してもよい。バンプを無鉛はんだから形成する場合、無鉛はんだの濡れ不良に起因してバンプ周辺に微細な隙間が生じやすい。しかし、本実施形態の製造方法によれば、無鉛はんだをバンプに使用した場合にも、位置ずれの発生を効果的に抑制することができる。 The material of the bumps 25 is not particularly limited, and can be selected from commonly used materials such as solder. The bumps may be a combination of metal posts and solder. From the viewpoint of environmental concerns and safety, the bumps may be made of Cu or Au, as well as lead-free solder such as Ag--Cu solder, Sn--Cu solder, and Sn--Bi solder. When the bumps are formed from lead-free solder, minute gaps tend to occur around the bumps due to poor wetting of the lead-free solder. However, according to the manufacturing method of the present embodiment, even when lead-free solder is used for bumps, it is possible to effectively suppress the occurrence of misalignment.

(接触工程)
次いで、図2に示すように、アンダーフィル材30の付与された電子部品20を仮圧着ヘッド42上に配置し、電子部品20と、ステージ41上に配置された、絶縁基板11及び絶縁基板11上に設けられた配線層13を有する配線基板10とを対向させる。そして、ステージ41及び仮圧着ヘッド42により、電子部品20と配線基板10とを加熱及び加圧し、それにより、電子部品20と絶縁基板11との間で電極23、バンプ25及び配線層13の間の間隙にアンダーフィル材30を充填するとともに、バンプ25と配線層13とを接触させる(接触工程)。
(Contact process)
Next, as shown in FIG. 2, the electronic component 20 provided with the underfill material 30 is placed on the temporary pressure bonding head 42, and the electronic component 20 and the insulating substrate 11 and the insulating substrate 11 placed on the stage 41 are placed. The wiring substrate 10 having the wiring layer 13 provided thereon is opposed. Then, the electronic component 20 and the wiring board 10 are heated and pressed by the stage 41 and the temporary pressure bonding head 42 , and thereby the electrodes 23 , the bumps 25 and the wiring layer 13 are compressed between the electronic component 20 and the insulating substrate 11 . The underfill material 30 is filled in the gap between the bumps 25 and the wiring layer 13 (contact step).

絶縁基板11の種類は特に制限されず、例えば、FR4、FR5等の繊維基材を含む有機基板、繊維基材を含まないビルドアップ型の有機基板、ポリイミド、ポリエステル等の有機フィルム、及びアルミナ、ガラス、シリコンの無機基材を含む基材から選択することができる。基材としてシリコンを含む基材を用いる場合、基板内に貫通電極(シリコン貫通電極;TSV(Through Silicon Via))が形成されていてもよい。 The type of the insulating substrate 11 is not particularly limited, and for example, organic substrates containing fiber base materials such as FR4 and FR5, build-up type organic substrates not containing fiber base materials, organic films such as polyimide and polyester, and alumina, It can be selected from substrates including inorganic substrates of glass, silicon. When a substrate containing silicon is used as the substrate, a through electrode (through silicon via; TSV (Through Silicon Via)) may be formed in the substrate.

配線層13は、通常、接続用の電極を含む導体配線である。配線層13は、例えば、セミアディティブ法、サブトラクティブ法等の手法により形成される。 The wiring layer 13 is normally a conductor wiring including electrodes for connection. The wiring layer 13 is formed by, for example, a semi-additive method, a subtractive method, or the like.

アンダーフィル材は、電子部品20の電極23側の面、又は配線基板10の配線層13側の面のうち少なくとも一方に付与することができる。生産性の観点から、電子部品20のみにアンダーフィル材を付与することが好ましい。バンプが配線基板10の配線層13上に設けられていてもよい。 The underfill material can be applied to at least one of the surface of the electronic component 20 on the electrode 23 side and the surface of the wiring substrate 10 on the wiring layer 13 side. From the viewpoint of productivity, it is preferable to apply the underfill material only to the electronic component 20 . A bump may be provided on the wiring layer 13 of the wiring substrate 10 .

アンダーフィル材30としては、従来使用されているアンダーフィル材を使用することができる。例えば、特開2013-151642号公報、特開2013-219285号公報、特開2015-032637号公報、特開2015-032638号公報、特開2015-083633号公報、及び特開2015-083634号公報に記載されているアンダーフィル材を使用することができる。 As the underfill material 30, a conventionally used underfill material can be used. For example, JP-A-2013-151642, JP-A-2013-219285, JP-A-2015-032637, JP-A-2015-032638, JP-A-2015-083633, and JP-A-2015-083634 Underfill materials described in can be used.

アンダーフィル材の形状は特に制限されず、フィルム状であっても、液状であってもよい。加圧工程における電子部品と配線基板との面方向での位置ずれを抑制する観点から、アンダーフィル材の形状は、フィルム状であることが好ましい。隣接する接続部同士のピッチがより狭くなったときの接続信頼性の観点から、アンダーフィル材は導電性粒子を含まないことが好ましい。 The shape of the underfill material is not particularly limited, and may be film-like or liquid-like. The shape of the underfill material is preferably film-like from the viewpoint of suppressing positional deviation in the plane direction between the electronic component and the wiring board in the pressing step. From the viewpoint of connection reliability when the pitch between adjacent connection portions becomes narrower, the underfill material preferably does not contain conductive particles.

アンダーフィル材を電子部品20の電極23側の面(又は、配線基板10の配線層13側の面)に付与する方法は、特に制限されない。 The method of applying the underfill material to the surface of the electronic component 20 on the electrode 23 side (or the surface of the wiring substrate 10 on the wiring layer 13 side) is not particularly limited.

アンダーフィル材が液状の場合、付与方法としては、例えば、スクリーン印刷法、及びエアーディスペンサー、ジェットディスペンサー、オーガータイプディスペンサー等のディスペンサーを用いる方法が挙げられる。 When the underfill material is liquid, examples of application methods include a screen printing method and a method using a dispenser such as an air dispenser, a jet dispenser, and an auger type dispenser.

アンダーフィル材がフィルム状の場合、付与方法としては、ダイアフラム方式のラミネータ、ロール方式のラミネータ等を用いる方法が挙げられる。 When the underfill material is in the form of a film, examples of the application method include a method using a diaphragm type laminator, a roll type laminator, and the like.

アンダーフィル材の塗布形状は特に制限されない。アンダーフィル材を配線基板の上に付与する場合、例えば、電子部品の搭載位置の全体に付与する方法、電子部品の搭載位置に対応する四角形の対角線に沿った2本の線からなるクロス形状に付与する方法、クロス形状に更にクロス形状を45°ずらして重ねた米字形状に付与する方法、又は電子部品の搭載位置の中心に一点で付与する方法によりアンダーフィル材が付与される。信頼性の観点からアンダーフィル材のクリーピング等を抑制するためには、クロス形状又は米字形状でアンダーフィル材を付与することが好ましい。配線基板に基板電極(又は配線層)が設けられている場合は、基板電極が設けられた箇所を含む電子部品の搭載位置にアンダーフィル材を付与することが好ましい。 The application shape of the underfill material is not particularly limited. When applying the underfill material on the wiring board, for example, a method of applying the underfill material to the entire mounting position of the electronic component, a cross shape consisting of two lines along the diagonal line of a square corresponding to the mounting position of the electronic component. The underfill material is applied by a method of applying the underfill material, a method of applying the underfill material in an American shape obtained by overlapping the cross shape with the cross shape shifted by 45°, or a method of applying the underfill material at one point at the center of the mounting position of the electronic component. In order to suppress creeping of the underfill material from the viewpoint of reliability, it is preferable to apply the underfill material in the shape of a cross or an American letter. When the wiring substrate is provided with substrate electrodes (or wiring layers), it is preferable to apply the underfill material to the mounting positions of the electronic components, including the locations where the substrate electrodes are provided.

フィルム状のアンダーフィル材を付与する場合、電子部品の配線基板と対向する面の全体、又は配線基板の電子部品が搭載される位置の全体にアンダーフィル材を付与することが望ましい。 When applying a film-like underfill material, it is desirable to apply the underfill material to the entire surface of the electronic component facing the wiring board or the entire position of the wiring board where the electronic component is mounted.

アンダーフィル材を付与する際の温度は、アンダーフィル材の性質等に応じて選択することができる。フィルム状のアンダーフィル材をダイアフラム方式のラミネータにより電子部品に付与する場合には、アンダーフィル材及び電子部品表面の温度を、例えば、それぞれ50℃~100℃とすることが好ましく、ラミネート時のボイド巻き込みを抑制する観点からは、それぞれ70℃~90℃とすることがより好ましく、それぞれ80℃付近とすることが更に好ましい。 The temperature at which the underfill material is applied can be selected according to the properties of the underfill material. When a film-like underfill material is applied to an electronic component by a diaphragm type laminator, it is preferable that the temperature of the underfill material and the surface of the electronic component is, for example, 50 ° C. to 100 ° C., and voids during lamination From the viewpoint of suppressing entanglement, it is more preferable to set the temperatures to 70° C. to 90° C., and more preferably to around 80° C.

接触工程におけるアンダーフィル材の温度(以下、「充填温度」ともいう。)は、アンダーフィル材の硬化温度未満であることが好ましい。例えば、アンダーフィル材の充填温度は、200℃未満であることが好ましい。アンダーフィル材の充填温度を200℃未満とすることで、加圧によりアンダーフィル材を電子部品と配線基板との間の間隙に充填する際に、アンダーフィル材の増粘が抑えられ、アンダーフィル材の流動性が充分なものとなり、接続が確保されやすく、且つ、ボイドの発生を避けることができる傾向にある。 The temperature of the underfill material in the contact step (hereinafter also referred to as "filling temperature") is preferably lower than the curing temperature of the underfill material. For example, the filling temperature of the underfill material is preferably less than 200°C. By setting the filling temperature of the underfill material to be less than 200° C., when the underfill material is filled into the gap between the electronic component and the wiring board by pressurization, the underfill material can be prevented from increasing in viscosity, and the underfill material can be The fluidity of the material becomes sufficient, the connection tends to be easily secured, and the occurrence of voids can be avoided.

アンダーフィル材の充填温度の下限は特に制限されない。アンダーフィル材の低粘度化の観点からは、アンダーフィル材の充填温度は、例えば、30℃以上であることが好ましく、50℃以上であることがより好ましく、80℃以上であることが更に好ましい。 The lower limit of the filling temperature of the underfill material is not particularly limited. From the viewpoint of lowering the viscosity of the underfill material, the filling temperature of the underfill material is, for example, preferably 30° C. or higher, more preferably 50° C. or higher, and even more preferably 80° C. or higher. .

アンダーフィル材の充填温度を調節する具体的な方法は特に制限されない。例えば、電子部品又は配線基板の少なくとも一方の温度を充填温度に調節してアンダーフィル材に接触させる方法を挙げることができる。 A specific method for adjusting the filling temperature of the underfill material is not particularly limited. For example, a method of adjusting the temperature of at least one of the electronic component and the wiring board to the filling temperature and bringing it into contact with the underfill material can be used.

接触工程において、ステージ及び仮圧着ヘッドにより配線基板及び電子部品装置に加わる圧力の大きさは、一般的なフリップチップの実装工程と同様に、バンプの数又は高さのばらつき、加圧によるバンプ又はバンプを受ける絶縁基板上に設けられた配線の変形量等を考慮して設定することができる。具体的には、例えば、バンプ1個あたりが受ける荷重が1g~10g程度になるように設定することが好ましい。また、例えば、1チップあたりに掛かる荷重が10N~100N程度になるように設定することが好ましい。 In the contact process, the magnitude of the pressure applied to the wiring board and the electronic component device by the stage and the temporary pressure bonding head varies, as in the general flip chip mounting process, due to variations in the number or height of bumps, bumps due to pressure, or It can be set in consideration of the amount of deformation of the wiring provided on the insulating substrate that receives the bumps. Specifically, for example, it is preferable that the load applied to each bump is set to about 1 g to 10 g. Also, for example, it is preferable to set the load applied to one chip to approximately 10N to 100N.

(接続工程)
次いで、図3に示すように、電子部品20、配線基板10及びそれらの間のアンダーフィル材30から構成される3個の積層体5を、積層体5と圧着ヘッド43との間に、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シート3を介在させながらステージ41及び圧着ヘッド43により加熱及び加圧する。この加熱及び加圧により、電子部品20の電極23と配線基板10の配線層13とをバンプ25を介して電気的に接続し、且つ、アンダーフィル材30を硬化させる(接続工程)。通常、この接続工程において、熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層も硬化する。
(Connection process)
Next, as shown in FIG. 3, the three laminates 5 composed of the electronic component 20, the wiring board 10, and the underfill material 30 therebetween are placed between the laminate 5 and the crimping head 43 by heat. Heat and pressure are applied by the stage 41 and the pressure bonding head 43 while interposing the hot press sheet 3 having a curable resin layer. By this heating and pressing, the electrodes 23 of the electronic component 20 and the wiring layers 13 of the wiring board 10 are electrically connected via the bumps 25, and the underfill material 30 is cured (connecting step). Usually, the thermosetting resin layer of the hot-press sheet is also cured in this connecting step.

接続工程は、電子部品と配線基板とのバンプを介した接続を確保する観点から、バンプの融点以上の温度で行われることが好ましい。すなわち、バンプと絶縁基板上の配線等との金属接合が形成される温度で行われることが好ましい。例えば、バンプがはんだバンプである場合、接続工程は、230℃以上の温度で行われることが好ましい。アンダーフィル材の耐熱性の観点からは、接続工程は、例えば、320℃以下の温度で行われることが好ましく、300℃以下の温度で行われることがより好ましい。はんだ接続は、導電性粒子を用いた接続手法等に比べ高温を必要とする一方、高い接続信頼性を有しているため、接続する配線層が増加した場合、及び配線層間のピッチが狭くなった場合にも適用可能な接続方法である。以上の観点から、配線基板10の温度が25~200℃、電子部品20の温度が230~300℃となるように、積層体5が加熱及び加圧されることが好ましい。このような高温での加熱及び加圧に用いられる熱プレス用シート3は、200℃以上の耐熱性を有することが好ましい。このような耐熱性を有する熱プレス用シート3の詳細については後述される。 From the viewpoint of ensuring connection between the electronic component and the wiring board via the bumps, the connecting step is preferably performed at a temperature equal to or higher than the melting point of the bumps. That is, it is preferable that the temperature be such that metal bonding is formed between the bumps and the wiring or the like on the insulating substrate. For example, if the bumps are solder bumps, the connecting process is preferably performed at a temperature of 230° C. or higher. From the viewpoint of heat resistance of the underfill material, the connecting step is preferably performed at a temperature of, for example, 320° C. or lower, and more preferably at a temperature of 300° C. or lower. Solder connection requires a higher temperature than connection methods using conductive particles, but it has high connection reliability. This connection method can also be applied when From the above point of view, it is preferable that the laminated body 5 is heated and pressurized so that the temperature of the wiring board 10 is 25 to 200.degree. C. and the temperature of the electronic component 20 is 230 to 300.degree. The hot press sheet 3 used for heating and pressing at such high temperatures preferably has heat resistance of 200° C. or more. The details of the hot press sheet 3 having such heat resistance will be described later.

接続工程において、1組のステージ及び圧着ヘッドによって一括して加熱及び加圧されるける電子部品、配線基板及びこれらを含む積層体の数は特に制限されない。生産効率の観点からは、複数の電子部品、及び/又は複数の積層体を一括して加熱及び加圧することが好ましい。その場合、電子部品又は積層体ごとに1枚の熱プレス用シートを配置しても、1枚の熱プレス用シートを複数の電子部品を覆うように配置してもよい。生産効率の観点からは、1枚の樹脂シートを複数の電子部品を覆うように配置することが好ましい。 In the connection process, the number of electronic components, wiring boards, and laminates including these that are collectively heated and pressurized by one set of stages and pressure bonding heads is not particularly limited. From the viewpoint of production efficiency, it is preferable to collectively heat and press a plurality of electronic components and/or a plurality of laminates. In that case, one hot-press sheet may be arranged for each electronic component or laminate, or one hot-press sheet may be arranged so as to cover a plurality of electronic components. From the viewpoint of production efficiency, it is preferable to arrange one resin sheet so as to cover a plurality of electronic components.

一括して加熱及び加圧される電子部品又は積層体の数は、例えば、それぞれ2個以上であることが好ましく、それぞれ3個以上であることがより好ましく、それぞれ5個以上であることが更に好ましい。本実施形態の製造方法による効果は、一括して加熱及び加圧する電子部品又は積層体の数が多いほど顕著である。一括して加熱及び加圧される電子部品又は積層体の数の上限は、特に制限されないが、例えば100個以下であってもよい。 The number of electronic components or laminates that are collectively heated and pressurized is, for example, preferably 2 or more, more preferably 3 or more, and further preferably 5 or more. preferable. The effect of the manufacturing method of the present embodiment is more remarkable as the number of electronic components or laminates to be collectively heated and pressurized increases. The upper limit of the number of electronic components or laminates that are collectively heated and pressurized is not particularly limited, but may be, for example, 100 or less.

接続工程は、生産効率の観点からは、短時間で行われることが好ましい。具体的には、例えば、昇温速度が5℃/秒以上であることが好ましく、10℃/秒以上であることがより好ましく、15℃/秒以上であることが更に好ましい。加熱時間は、バンプを構成する材料の種類により異なるが、生産効率の観点からは、短時間であるほど好ましい。バンプがはんだバンプである場合、加熱時間は、例えば、30秒以下であることが好ましく、20秒以下であることがより好ましく、10秒以下であることが更に好ましい。Cu-Cu又はCu-Auの金属接合の場合は、加熱時間は、例えば、30秒以下であることが好ましい。 From the viewpoint of production efficiency, the connecting step is preferably performed in a short time. Specifically, for example, the temperature increase rate is preferably 5° C./second or more, more preferably 10° C./second or more, and even more preferably 15° C./second or more. The heating time varies depending on the type of material forming the bumps, but from the viewpoint of production efficiency, the shorter the heating time, the better. When the bumps are solder bumps, the heating time is, for example, preferably 30 seconds or less, more preferably 20 seconds or less, and even more preferably 10 seconds or less. In the case of Cu--Cu or Cu--Au metal bonding, the heating time is preferably 30 seconds or less, for example.

接続工程において電子部品と配線基板との位置ずれを抑制する観点から、熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層の硬化速度は、アンダーフィル材の硬化速度よりも速いことが好ましい。熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層の硬化速度をアンダーフィル材の硬化速度よりも速くすることで、加熱時における熱膨張がより抑えられ、位置ずれを抑制しやすくなる傾向にある。 From the viewpoint of suppressing misalignment between the electronic component and the wiring board in the connecting step, the curing speed of the thermosetting resin layer of the hot-press sheet is preferably faster than the curing speed of the underfill material. By making the curing speed of the thermosetting resin layer of the hot-press sheet faster than the curing speed of the underfill material, thermal expansion during heating is further suppressed, which tends to make it easier to suppress misalignment.

以上の工程を経ることで、図4に示す電子部品装置1が3個、一括して製造される。このように複数の電子部品装置を一括して製造する場合、従来、圧着ヘッドと電子部品との接触状態が電子部品間でばらつき、加熱及び加圧する際の荷重が不均一になる結果、電子部品装置の接続不良が多く発生し、歩留まりが低下することがあった。不均一な荷重は、電子部品装置の接続不良を発生させるほどではない場合であっても、電子部品装置の信頼性低下の一因となり得る。 Through the above steps, three electronic component devices 1 shown in FIG. 4 are collectively manufactured. Conventionally, when a plurality of electronic component devices are manufactured collectively in this way, the contact state between the crimping head and the electronic component varies among the electronic components, resulting in uneven loads during heating and pressing, resulting in Many connection failures of the device occurred, and the yield was sometimes lowered. An uneven load can contribute to a decrease in the reliability of the electronic component device even if it does not cause poor connection of the electronic component device.

これに対して、熱プレス用シートを用いた本実施形態の製造方法によれば、複数の電子部品装置を一括して製造する場合であっても、電子部品と圧着ヘッドとの接触状態のばらつきが低減し、荷重の不均一さが緩和され、その結果、歩留まりを向上すると考えられる。この理由は、例えば、以下のように考えることができる。 On the other hand, according to the manufacturing method of the present embodiment using the hot press sheet, even when a plurality of electronic component devices are collectively manufactured, the contact state between the electronic component and the pressure bonding head does not vary. is reduced, the load non-uniformity is reduced, and as a result, the yield is improved. The reason for this can be considered, for example, as follows.

圧着ヘッドと電子部品との間に熱プレス用シートを介在させることで、熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層の硬化によって、圧着ヘッド及び電子部品の熱膨張が抑えられ、それにより、熱膨張差に起因する位置ずれ、及び、平行度が不十分な圧着ヘッドから加わる面方向への力に起因する位置ずれが抑制されると考えられる。また、例えば、複数の電子部品装置を一括して製造する際に、圧着ヘッドとの接触状態が電子部品間でばらついていたとしても、圧着ヘッドと電子部品との間隙を熱プレス用シートによって埋めることができる。そして、その状態で熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層が硬化する結果、電子部品と配線基板とに加わる荷重の不均一さが低減され、位置ずれが抑制されると考えられる。 By interposing the hot-pressing sheet between the pressure-bonding head and the electronic component, the thermal expansion of the pressure-bonding head and the electronic component is suppressed by curing the thermosetting resin layer of the hot-pressing sheet. It is thought that the positional deviation due to the difference and the positional deviation due to the force in the surface direction applied from the crimping head with insufficient parallelism are suppressed. Further, for example, when a plurality of electronic component devices are collectively manufactured, even if the contact state with the pressure bonding head varies among the electronic components, the gap between the pressure bonding head and the electronic component can be filled with the hot press sheet. be able to. In this state, the thermosetting resin layer of the hot-press sheet hardens, and as a result, unevenness in the load applied to the electronic component and the wiring board is reduced, and misalignment is suppressed.

加えて、本実施形態の熱プレス用シート内での空隙形成を抑制することにより、熱伝導率の低下、及び、熱プレス用シートを介した電子部品への荷重の均一化が更に抑制される。これにより、複数の電子部品装置をより安定して一括して製造することが可能である。 In addition, by suppressing the formation of voids in the hot-press sheet of the present embodiment, it is possible to further suppress the reduction in thermal conductivity and the uniformity of the load applied to the electronic component via the hot-press sheet. . Thereby, it is possible to more stably collectively manufacture a plurality of electronic component devices.

<電子部品装置>
図4に示す電子部品装置1は、絶縁基板11及び該絶縁基板11上に設けられた配線層13を有する配線基板10と、複数の電極23を有する電子部品20と、複数のバンプ25と、硬化したアンダーフィル材30とを有する。電子部品20は電極23と配線層13とが対向するように配置され、対向する電極23と配線層13との間にバンプ25が介在している。電極23と配線層13とがバンプ25により電気的に接続されている。アンダーフィル材30が、電子部品20と配線基板10との間で、電極23、バンプ25及び配線層13の間に形成された間隙を充填している。本実施形態の電子部品装置1は、電子部品と配線基板との接続性が良好であり、信頼性に優れる。
<Electronic parts equipment>
The electronic component device 1 shown in FIG. 4 includes a wiring substrate 10 having an insulating substrate 11 and a wiring layer 13 provided on the insulating substrate 11, an electronic component 20 having a plurality of electrodes 23, a plurality of bumps 25, and a hardened underfill material 30 . Electronic component 20 is arranged such that electrode 23 and wiring layer 13 face each other, and bump 25 is interposed between facing electrode 23 and wiring layer 13 . The electrodes 23 and the wiring layers 13 are electrically connected by bumps 25 . The underfill material 30 fills the gaps formed between the electrodes 23 , the bumps 25 and the wiring layer 13 between the electronic component 20 and the wiring board 10 . The electronic component device 1 of this embodiment has good connectivity between the electronic component and the wiring board, and is excellent in reliability.

本実施形態の方法の効果は、電子部品と配線基板との間の距離及びバンプ間の距離が小さい電子部品装置を製造する場合に特に顕著である。具体的には、電子部品装置における電子部品と配線基板との間の平均距離は、例えば、50μm以下であることが好ましく、40μm以下であることがより好ましく、30μm以下であることが更に好ましい。また、隣り合うバンプ間の平均距離は、例えば、200μm以下であることが好ましく、150μm以下であることがより好ましく、100μm以下であることが更に好ましく、80μm以下であることが特に好ましい。 The effect of the method of this embodiment is particularly remarkable when manufacturing an electronic component device in which the distance between the electronic component and the wiring board and the distance between bumps are small. Specifically, the average distance between the electronic component and the wiring board in the electronic component device is, for example, preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, and even more preferably 30 μm or less. Also, the average distance between adjacent bumps is, for example, preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, even more preferably 100 μm or less, and particularly preferably 80 μm or less.

本実施形態において、配線基板は、絶縁基板上に配線パターン及びレジストパターンによる凹凸部を有していてもよい。配線基板が配線パターン及びレジストパターンを有する場合は、例えば、配線パターンの平均幅が50μm~300μmであり、レジスト開口部の平均幅が50μm~150μmであり、レジストの平均厚みが10μm~20μmであることが好ましい。配線パターンは、バンプと接続される配線層を含む。 In the present embodiment, the wiring substrate may have uneven portions formed by wiring patterns and resist patterns on an insulating substrate. When the wiring board has a wiring pattern and a resist pattern, for example, the wiring pattern has an average width of 50 μm to 300 μm, the resist opening has an average width of 50 μm to 150 μm, and the resist has an average thickness of 10 μm to 20 μm. is preferred. The wiring pattern includes wiring layers connected to the bumps.

本実施形態の製造方法によれば、上記のような凹凸部を有する基板を使用した場合であっても、電子部品と基板との位置ずれを抑制することができる。 According to the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to suppress misalignment between the electronic component and the substrate even when the substrate having the uneven portion as described above is used.

<熱プレス用シート>
本実施形態に係る方法において用いられる熱プレス用シートは、加熱により硬化する熱硬化性樹脂層を有する。図5は、一実施形態に係る熱プレス用シートを示す断面図である。図5に示す熱プレス用シート3は、熱硬化性樹脂層31と、熱硬化性樹脂層31の両面上に設けられた離型シート33a,33bとを有する。熱硬化性樹脂層31は、熱硬化性樹脂組成物をシート状に成形したものである。離型シートが熱硬化性樹脂層の片面上に設けられていてもよい。
<Sheet for heat press>
The hot-press sheet used in the method according to the present embodiment has a thermosetting resin layer that is cured by heating. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a hot-press sheet according to one embodiment. The hot press sheet 3 shown in FIG. 5 has a thermosetting resin layer 31 and release sheets 33 a and 33 b provided on both sides of the thermosetting resin layer 31 . The thermosetting resin layer 31 is formed by molding a thermosetting resin composition into a sheet. A release sheet may be provided on one side of the thermosetting resin layer.

圧着ヘッドにより電子部品を加熱して電子部品を配線基板に実装する際に、圧着ヘッドと電子部品との間に、本実施形態の熱プレス用シートを介在させることで、電子部品と基板との位置ずれを抑制し、且つ、複数の電子部品装置を一括して製造することが可能となる。以下、本実施形態の熱プレス用シートの各成分および構成について詳細に説明する。 When mounting the electronic component on the wiring board by heating the electronic component with the crimping head, by interposing the hot press sheet of the present embodiment between the crimping head and the electronic component, the electronic component and the substrate are bonded together. It is possible to suppress positional deviation and collectively manufacture a plurality of electronic component devices. Hereinafter, each component and configuration of the hot-press sheet of the present embodiment will be described in detail.

[離型シート]
離型シート33a,33bは、積層体の加熱及び加圧の後、圧着ヘッド及び積層体に貼りつかない程度の離型性を有するシートである。容易な離型のためには離型シート33a,33bが設けられることが好ましいが、例えば熱硬化性樹脂層31自体が硬化後に離型性を有する場合、離型シート33a,33bが設けられていなくてもよい。支持体としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルムなどの有機樹脂フィルム;離型紙;及び銅箔、アルミニウム箔等の金属箔が挙げられる。支持体としては、耐熱性の観点から、ポリイミドフィルム、及び銅箔、アルミニウム箔等の金属箔が好ましい。
[Release sheet]
The release sheets 33a and 33b are sheets having releasability such that they do not stick to the pressure bonding head and the laminate after heating and pressurizing the laminate. It is preferable that the release sheets 33a and 33b are provided for easy mold release. It doesn't have to be. Examples of the support include polyethylene films, polyolefin films such as polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate films, polyethylene naphthalate films, polycarbonate films, polyimide films and other organic resin films; release paper; and metals such as copper foil and aluminum foil. foil. From the viewpoint of heat resistance, the support is preferably a polyimide film, or a metal foil such as a copper foil or an aluminum foil.

離型シートとしては、配線基板の配線と電子部品の電極とをバンプを介して電気的に接続する際に染み出すアンダーフィル材のフィレット部との離型性を良好にする観点から、該電気的に接続する際に電子部品と接する離型シートは、離型剤を塗布して形成される離型層を有していてもよい。離型層の形成に使用される離型剤としては、アルキド樹脂、メラミン樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂等の非シリコーン系離型剤、シリコーン系離型剤、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)、PFA(ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂)、FEP(四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体)、ETFE(エチレン・四フッ化エチレン共重合体)、ECTFE(エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体)、PVDF(ポリフッ化ビニリデン)等のフッ素樹脂系離型剤などが挙げられる。 As the release sheet, the electrical The release sheet that comes into contact with the electronic component when it is physically connected may have a release layer formed by applying a release agent. Release agents used to form the release layer include non-silicone release agents such as alkyd resins, melamine resins, olefin resins and urethane resins, silicone release agents, PTFE (polytetrafluoroethylene), and PFA. (perfluoroalkoxy fluororesin), FEP (tetrafluoroethylene/hexafluoropropylene copolymer), ETFE (ethylene/tetrafluoroethylene copolymer), ECTFE (ethylene/chlorotrifluoroethylene copolymer), PVDF (polyvinylidene fluoride) and the like, and the like.

離型剤の市販品としては、例えば、リンテック(株)製の「X」(シリコーン含有アルキド樹脂系離型剤;490mN/20mm)、「SK-1」(シリコーン含有アルキド樹脂系離型剤;1250mN/20mm)、「AL-5」(非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤;1480mN/20mm)、「6050」(非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤;2400mN/20mm)、「6051」(非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤;2800mN/20mm)、及び「6052」(非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤;4000mN/20mm)が挙げられる(括弧内の数値は初期の密着強度の値である)。
また、離型剤の市販品としては、例えば、リンテック(株)製の「AL-7」(非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤;重剥離型)、及び藤森工業(株)製の「NSP-4」(非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤;重剥離型)が挙げられる。更に、離型剤の市販品としては、例えば、日立化成(株)製のテスファインシリーズ(テスファイン303、テスファイン305、テスファイン314、テスファイン319、及びTA31-209E)が挙げられる。
Examples of commercially available releasing agents include "X" (silicone-containing alkyd resin-based releasing agent; 490 mN/20 mm) and "SK-1" (silicone-containing alkyd resin-based releasing agent; 1250mN/20mm), "AL-5" (non-silicone/alkyd resin release agent; 1480mN/20mm), "6050" (non-silicone/alkyd resin release agent; 2400mN/20mm), "6051" (non- silicone/alkyd resin release agent; 2800 mN/20 mm), and "6052" (non-silicone/alkyd resin release agent; 4000 mN/20 mm) (values in parentheses are initial adhesion strength values ).
In addition, commercially available release agents include, for example, "AL-7" (non-silicone/alkyd resin release agent; heavy release type) manufactured by Lintec Corporation, and "NSP" manufactured by Fujimori Industry Co., Ltd. -4” (non-silicone/alkyd resin release agent; heavy release type). Further, commercial release agents include, for example, the Tesfine series (Tesfine 303, Tesfine 305, Tesfine 314, Tesfine 319, and TA31-209E) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.

離型シートを含めた熱プレス用シートの平均厚みは、例えば、20μm~400μmであることが好ましい。熱硬化性樹脂層又は熱プレス用シートの厚みは、マイクロメーターを用いて測定することができる。 The average thickness of the hot press sheet including the release sheet is preferably, for example, 20 μm to 400 μm. The thickness of the thermosetting resin layer or hot press sheet can be measured using a micrometer.

[熱硬化性樹脂層]
熱硬化性樹脂層31の平均厚みは、電子部品と配線基板との面方向での位置ずれを抑制する観点から、10μm以上であることが好ましく、20μm以上であることがより好ましく、30μm以上であることが更に好ましい。また、熱硬化性樹脂層31の平均厚みは、成膜性の観点から、例えば、300μm以下であることが好ましく、200μm以下であることがより好ましく、100μm以下であることがさらに好ましく、20μm未満であることが特に好ましい。
[Thermosetting resin layer]
The average thickness of the thermosetting resin layer 31 is preferably 10 μm or more, more preferably 20 μm or more, and more preferably 30 μm or more, from the viewpoint of suppressing misalignment in the plane direction between the electronic component and the wiring board. It is even more preferable to have The average thickness of the thermosetting resin layer 31 is, for example, preferably 300 μm or less, more preferably 200 μm or less, even more preferably 100 μm or less, and less than 20 μm, from the viewpoint of film formation. is particularly preferred.

熱硬化性樹脂層31又はこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物は、(メタ)アクリレート化合物、及び重合開始剤を含有しており、必要によりその他の成分を更に含有してもよい。 The thermosetting resin layer 31 or the thermosetting resin composition for forming this contains a (meth)acrylate compound and a polymerization initiator, and may further contain other components if necessary.

熱プレス用シートがステージ及び圧着ヘッドによる熱プレスに用いられる前に、熱硬化性樹脂層に含まれる熱硬化性樹脂((メタ)アクリレート化合物)の硬化反応がある程度進行していてもよい。これにより、電子部品の厚み等のばらつきが大きくなった場合にも、荷重不均一性の解消の点でより一層顕著な効果が得られる。例えば、熱硬化性樹脂層を形成するための乾燥条件の調整、又は、熱処理若しくは紫外線照射により、熱硬化性樹脂の硬化反応をある程度進行させることができる。 The curing reaction of the thermosetting resin ((meth)acrylate compound) contained in the thermosetting resin layer may proceed to some extent before the hot-pressing sheet is used for hot-pressing by the stage and the pressure bonding head. As a result, even when there is a large variation in the thickness of the electronic component, a more remarkable effect can be obtained in terms of eliminating unevenness in the load. For example, the curing reaction of the thermosetting resin can be advanced to some extent by adjusting the drying conditions for forming the thermosetting resin layer, or by heat treatment or ultraviolet irradiation.

熱硬化性樹脂層の硬化反応の進行の程度は、熱硬化性樹脂層の溶融粘度に基づいて見積もることができる。具体的には、熱硬化性樹脂層の25℃から180℃の領域における最低溶融粘度が1000~100000Pa・sであってもよい。最低溶融粘度が1000以上であると、荷重不均一性を解消するために変形した熱プレス用シートにおいて、樹脂層が過度に流動せずに形状を保持し易い。最低溶融粘度が100000以下であると、熱プレス用シートが荷重不均一性を解消するように変形し易い傾向がある。同様の観点から、熱硬化性樹脂層の25℃から180℃の領域における最低溶融粘度が5000~50000Pa・s、又は10000~30000Pa・sであってもよい。熱硬化性樹脂層の最低溶融粘度は、5%振り角、周波数1Hz、昇温速度10℃/分の条件で熱硬化性樹脂層の粘度(複素粘性率)を測定したときの、粘度(複素粘性率)の最小値である。粘度(複素粘性率)の測定は、例えばレオメータ(動的粘弾性測定装置、装置名:MCR301、(株)アントンパール・ジャパン製)を用いて行うことができる。 The progress of the curing reaction of the thermosetting resin layer can be estimated based on the melt viscosity of the thermosetting resin layer. Specifically, the thermosetting resin layer may have a minimum melt viscosity of 1,000 to 100,000 Pa·s in the temperature range of 25°C to 180°C. When the minimum melt viscosity is 1,000 or more, the resin layer does not excessively flow in the hot-press sheet that has been deformed to eliminate load non-uniformity, and the shape is easily maintained. When the minimum melt viscosity is 100,000 or less, the hot-press sheet tends to be easily deformed so as to eliminate uneven load. From the same point of view, the thermosetting resin layer may have a minimum melt viscosity of 5,000 to 50,000 Pa·s, or 10,000 to 30,000 Pa·s in the temperature range of 25°C to 180°C. The minimum melt viscosity of the thermosetting resin layer is the viscosity (complex viscosity). The viscosity (complex viscosity) can be measured using, for example, a rheometer (dynamic viscoelasticity measuring device, device name: MCR301, manufactured by Anton Paar Japan Co., Ltd.).

(メタ)アクリレート化合物
(メタ)アクリレート化合物は、(メタ)アクリレート基を1個有する単官能(メタ)アクリレート、(メタ)アクリレート基を2個以上有する多官能(メタ)アクリレート化合物、又はこれらの組み合わせであることができる。「(メタ)アクリレート基」は、メタクリレート基又はアクリレート基を意味する。(メタ)アクリレート化合物としては、例えば、エリスリトールポリ(メタ)アクリレート、グリシジルエーテル基を有する(メタ)アクリレート化合物、ビスフェノールAに由来するジオール単位を有するジ(メタ)アクリレート化合物、シクロデカン基を有するジ(メタ)アクリレート化合物、メチロール(メタ)アクリレート、グリコールジ(メタ)アクリレート、ジオキサン基を有するジ(メタ)アクリレート化合物、ビスフェノールFに由来するジオール単位を有する(メタ)アクリレート化合物、ジメチロール(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸ジ(メタ)アクリレート、及びトリメチロールトリ(メタ)アクリレートが挙げられる。中でも、トリメチロールトリ(メタ)アクリレート、イソシアヌル酸ジ(メタ)アクリレート化合物、ビスフェノールFに由来するジオール単位を有する(メタ)アクリレート化合物、シクロデカン基を有するジ(メタ)アクリレート化合物、及びグリシジルエーテル基を有する(メタ)アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも1種が好ましい。これらの(メタ)アクリレート化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(Meth)acrylate compound The (meth)acrylate compound is a monofunctional (meth)acrylate having one (meth)acrylate group, a polyfunctional (meth)acrylate compound having two or more (meth)acrylate groups, or a combination thereof. can be A "(meth)acrylate group" means a methacrylate group or an acrylate group. Examples of the (meth)acrylate compound include erythritol poly(meth)acrylate, a (meth)acrylate compound having a glycidyl ether group, a di(meth)acrylate compound having a diol unit derived from bisphenol A, and a di(meth)acrylate compound having a cyclodecane group. meth)acrylate compound, methylol (meth)acrylate, glycol di(meth)acrylate, di(meth)acrylate compound having a dioxane group, (meth)acrylate compound having a diol unit derived from bisphenol F, dimethylol (meth)acrylate, Isocyanuric acid di(meth)acrylate, and trimethyloltri(meth)acrylate. Among them, trimethylol tri(meth)acrylate, an isocyanuric acid di(meth)acrylate compound, a (meth)acrylate compound having a diol unit derived from bisphenol F, a di(meth)acrylate compound having a cyclodecane group, and a glycidyl ether group. At least one selected from the group consisting of (meth)acrylate compounds having These (meth)acrylate compounds may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物における(メタ)アクリレート化合物の含有量は、特に制限されないが、充分な硬化性を得る観点からは、熱硬化性樹脂層、又は熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量に対して、例えば、30質量%以上であることが好ましく、40質量%以上であることがより好ましい。(メタ)アクリレート化合物の含有量は、熱硬化性樹脂層の流動性の観点からは、熱硬化性樹脂層、又は熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量に対して、例えば、99質量%以下であることが好ましく、95質量%以下であることがより好ましく、70質量%以下であることが更に好ましい。 The content of the (meth)acrylate compound in the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same is not particularly limited, but from the viewpoint of obtaining sufficient curability, the thermosetting resin layer, Or, for example, it is preferably 30% by mass or more, more preferably 40% by mass or more, relative to the mass of the solid content of the thermosetting resin composition. From the viewpoint of fluidity of the thermosetting resin layer, the content of the (meth)acrylate compound is, for example, 99% by mass with respect to the mass of the solid content of the thermosetting resin layer or the thermosetting resin composition. or less, more preferably 95% by mass or less, and even more preferably 70% by mass or less.

熱硬化性樹脂層は、その他の熱硬化性樹脂、すなわち、架橋構造体を形成して熱硬化性樹脂層を硬化させる反応性の官能基を有するその他の化合物を更に含有していてもよい。その他の熱硬化性樹脂の例としては、エポキシ化合物、ビスマレイミド化合物、シアネート化合物、フェノール化合物等を挙げることができる。熱硬化性樹脂は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The thermosetting resin layer may further contain other thermosetting resins, that is, other compounds having reactive functional groups that form crosslinked structures to cure the thermosetting resin layer. Examples of other thermosetting resins include epoxy compounds, bismaleimide compounds, cyanate compounds, and phenol compounds. Thermosetting resins may be used singly or in combination of two or more.

その他の熱硬化性樹脂として用いられ得るエポキシ化合物は、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限されるものではない。電子部品の製造のために一般的に使用されているエポキシ化合物を用いることができる。エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ナフタレンジオール、水添ビスフェノールA等とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエーテル型エポキシ樹脂;オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を代表とする、フェノール化合物とアルデヒド化合物とを縮合又は共重合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したノボラック型エポキシ樹脂;フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂;p-アミノフェノール、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のアミン化合物とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂;オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂;及び脂環族エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ化合物は、1種単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。反応性及び耐熱性の観点からは、ビスフェノール型エポキシ樹脂及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂が好ましい。 Epoxy compounds that can be used as other thermosetting resins are not particularly limited as long as they are compounds having two or more epoxy groups in one molecule. Epoxy compounds commonly used for the manufacture of electronic components can be used. Examples of epoxy compounds include glycidyl ether type epoxy resins obtained by reacting bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, bisphenol S, naphthalenediol, hydrogenated bisphenol A, etc. with epichlorohydrin; Novolac type epoxy resin obtained by epoxidizing novolak resin obtained by condensing or copolymerizing a phenol compound and an aldehyde compound; Glycidyl ester type epoxy resin obtained by reacting polybasic acid such as phthalic acid and dimer acid with epichlorohydrin ; Glycidylamine type epoxy resins obtained by reacting amine compounds such as p-aminophenol, diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid with epichlorohydrin; Linear aliphatic epoxy resins obtained by oxidizing olefin bonds with peracids such as peracetic acid and alicyclic epoxy resins. These epoxy compounds may be used singly or in combination of two or more. Bisphenol-type epoxy resins and glycidylamine-type epoxy resins are preferred from the viewpoint of reactivity and heat resistance.

エポキシ化合物は、固体であっても液体であってもよく、固体のエポキシ化合物と液体のエポキシ化合物とを併用してもよい。熱硬化性樹脂組成物の粘度を低くする観点からは液状のエポキシ化合物が好ましい。 The epoxy compound may be solid or liquid, and a solid epoxy compound and a liquid epoxy compound may be used in combination. A liquid epoxy compound is preferable from the viewpoint of lowering the viscosity of the thermosetting resin composition.

重合禁止剤
(メタ)アクリレート化合物は、後述のラジカル重合開始剤の有無にかかわらず、保存時に熱、酸素等の影響によりラジカル重合する場合があり、これが電子部品装置の製造の安定性に響する可能性がある。(メタ)アクリレート化合物に重合禁止剤を組み合わせることにより、電子部品装置製造の安定性が向上すると考えられる。重合禁止剤は、ラジカル重合に対して重合禁止効果があればよく、特に制限はない。重合禁止剤は、例えば、フェノール系、リン系、若しくはチオエーテル系の重合禁止剤、又はこれらの組み合わせであってもよい。
Polymerization inhibitors Regardless of the presence or absence of a radical polymerization initiator (described later), (meth)acrylate compounds may undergo radical polymerization during storage due to the effects of heat, oxygen, etc., and this affects the stability of electronic device manufacturing. there is a possibility. It is believed that the combination of the (meth)acrylate compound with the polymerization inhibitor improves the stability of the electronic component device production. The polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it has an effect of inhibiting radical polymerization. The polymerization inhibitor may be, for example, a phenol-based, phosphorus-based, or thioether-based polymerization inhibitor, or a combination thereof.

フェノール系の重合禁止剤としては、例えばペンタエリスリチル-テトラキス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、3,9-ビス{2-[3-(3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオニルオキシ]-1,1-ジメチルエチル}2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン、オクタデシル-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、1,6-ヘキサンジオール-ビス[3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼン、2,6-ジ-t-ブチル-4―メチルフェノール、2,6-ジ-t-ブチル-4―エチルフェノール、2,6-ジフェニル-4-オクタデシロキシフェノール、ステアリル(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、ジステアリル(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ホスホネート、チオジエチレングリコールビス[(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、4,4’-チオビス(6-t-ブチル-m-クレゾール)、2-オクチルチオ-4,6-ジ(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェノキシ)-s-トリアジン、2,2’-メチレンビス(4-メチル-6-t-ブチル-6-ブチルフェノール)、2,-2’-メチレンビス(4-エチル-6-t-ブチルフェノール)、ビス[3,3-ビス(4-ヒドロキシ-3-t-ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステル、4,4’-ブチリデンビス(6-t-ブチル-m-クレゾール)、2,2’-エチリデンビス(4,6-ジ-t-ブチルフェノール)、2,2’-エチリデンビス(4-s-ブチル-6-t-ブチルフェノール)、1,1,3-トリス(2-メチル-4-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニル)ブタン、ビス[2-t-ブチル-4-メチル-6-(2-ヒドロキシ-3-t-ブチル-5-メチルベンジル)フェニル]テレフタレート、1.3.5-トリス(2,6-ジメチル-3-ヒドロキシ-4-t-ブチルベンジル)イソシアヌレート、1,3,5-トリス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)-2,4,6-トリメチルベンゼン、1,3,5-トリス[(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシエチル]イソシアヌレート、テトラキス[メチレン-3-(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、2-t-ブチル-4-メチル-6-(2-アクリロイルオキシ-3-t-ブチル-5-メチルベンジル)フェノール、3,9-ビス(1,1-ジメチル-2-ヒドロキシエチル)-2,4-8,10-テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカン-ビス[β-(3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオネート]、トリエチレングリコールビス[β-(3-t-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオネート]、1,1‘-ビス(4-ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、2,2’-メチレンビス(4-メチルー6-t-ブチルフェノール)、2,2‘―メチレンビス(4-エチルー6-t-ブチルフェノール)、2,2’―メチレンビス(6-(1-メチルシクロヘキシル)―4-メチルフェノール)、4,4'―ブチリデンビス(3-メチルー6-t-ブチルフェノール)、3,9-ビス(2-(3-t-ブチルー4-ヒドロキシー5-メチルフェニルプロピオニロキシ)1,1―ジメチルエチル)―2,4,8,10―テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン、4,4'-チオビス(3-メチルー6-t-ブチルフェノール)、4,4'―ビス(3,5―ジーt-ブチルー4-ヒドロキシベンジル)サルファイド、4,4’―チオビス(6-t-ブチルー2-メチルフェノール)、2,5-ジーt-ブチルヒドロキノン、2,5-ジーt-アミルヒドロキノン、2-t-ブチルー6-(3-t-ブチルー2-ヒドロキシー5-メチルベンジル)―4-メチルフェニルアクリレート、2,4-ジメチルー6-(1-メチルシクロヘキシル、スチレネイティッドフェノール、及び2,4-ビス((オクチルチオ)メチル)-5-メチルフェノールが挙げられる。これらの中では、ヒンダードフェノール系が好ましい。 Phenolic polymerization inhibitors include, for example, pentaerythrityl-tetrakis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 3,9-bis{2-[3-(3 -t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionyloxy]-1,1-dimethylethyl}2,4,8,10-tetraoxaspiro[5,5]undecane, octadecyl-3-(3, 5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate, 1,6-hexanediol-bis[3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 1,3,5 -trimethyl-2,4,6-tris(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)benzene, 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, 2,6-di-t -butyl-4-ethylphenol, 2,6-diphenyl-4-octadecyloxyphenol, stearyl (3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, distearyl (3,5-di-t -butyl-4-hydroxybenzyl)phosphonate, thiodiethylene glycol bis[(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate], 4,4'-thiobis(6-t-butyl-m-cresol) , 2-octylthio-4,6-di(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenoxy)-s-triazine, 2,2′-methylenebis(4-methyl-6-t-butyl-6- butylphenol), 2,-2'-methylenebis(4-ethyl-6-t-butylphenol), bis[3,3-bis(4-hydroxy-3-t-butylphenyl)butyric acid]glycol ester, 4, 4'-butylidenebis(6-t-butyl-m-cresol), 2,2'-ethylidenebis(4,6-di-t-butylphenol), 2,2'-ethylidenebis(4-s-butyl-6 -t-butylphenol), 1,1,3-tris(2-methyl-4-hydroxy-5-t-butylphenyl)butane, bis[2-t-butyl-4-methyl-6-(2-hydroxy- 3-t-butyl-5-methylbenzyl)phenyl]terephthalate, 1.3.5-tris(2,6-dimethyl-3-hydroxy-4-t-butylbenzyl)isocyanurate, 1,3,5-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)-2,4,6-trimethylbenzene, 1,3, 5-tris[(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl]isocyanurate, tetrakis[methylene-3-(3,5-di-t-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate ] Methane, 2-t-butyl-4-methyl-6-(2-acryloyloxy-3-t-butyl-5-methylbenzyl)phenol, 3,9-bis(1,1-dimethyl-2-hydroxyethyl )-2,4-8,10-tetraoxaspiro[5,5]undecane-bis[β-(3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionate], triethylene glycol bis[β- (3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propionate], 1,1′-bis(4-hydroxyphenyl)cyclohexane, 2,2′-methylenebis(4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis(4-ethyl-6-t-butylphenol), 2,2'-methylenebis(6-(1-methylcyclohexyl)-4-methylphenol), 4,4'-butylidenebis(3-methyl-6 -t-butylphenol), 3,9-bis(2-(3-t-butyl-4-hydroxy-5-methylphenylpropionyloxy)1,1-dimethylethyl)-2,4,8,10-tetraoxaspiro ( 5,5) Undecane, 4,4'-thiobis(3-methyl-6-t-butylphenol), 4,4'-bis(3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl)sulfide, 4,4'- Thiobis(6-t-butyl-2-methylphenol), 2,5-di-t-butylhydroquinone, 2,5-di-t-amylhydroquinone, 2-t-butyl-6-(3-t-butyl-2-hydroxy-5 -methylbenzyl)-4-methylphenyl acrylate, 2,4-dimethyl-6-(1-methylcyclohexyl, styrenated phenol, and 2,4-bis((octylthio)methyl)-5-methylphenol. Among these, hindered phenols are preferred.

リン系の重合禁止剤としては、例えば、ビス-(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェニル)ペンタペンタエリスリトールジホスファイト、トリス(2,4-ジ-t-ブチルフェニルホスファイト)、テトラキス(2,4-ジーt-ブチルー5-メチルフェニル)―4,4'―ビフェニレンジホスホナイト、3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジルホスホネート-ジエチルエステル、ビス-(2,6-ジクミルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、2,2-メチレンビス(4,6-ジ-t-ブチルフェニル)オクチルホスファイト、トリス(モノ又はジ-ノニルフェニルホスファイト)、ビス(2,4-ジ-t-ブチルフェニル)ペンタペンタエリスリトール-ジ、-ホスファイト、ビス(2,6-ジ-t-ブチル-4-メトキシカルボニルエチル-フェニル)ペンタエリスリトールジホスファイト、及びビス(2,6-ジ-t-ブチル-4-オクタデシルオキシカルボニルエチル-フェニル)ペンタエリスリトールジホスファイトが挙げられる。 Phosphorus-based polymerization inhibitors include, for example, bis-(2,6-di-t-butyl-4-methylphenyl)pentapentaerythritol diphosphite, tris(2,4-di-t-butylphenyl phosphite ), tetrakis(2,4-di-t-butyl-5-methylphenyl)-4,4′-biphenylenediphosphonite, 3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzylphosphonate-diethyl ester, bis-( 2,6-dicumylphenyl)pentaerythritol diphosphite, 2,2-methylenebis(4,6-di-t-butylphenyl)octylphosphite, tris(mono- or di-nonylphenylphosphite), bis(2 ,4-di-t-butylphenyl)pentapentaerythritol-di,-phosphite, bis(2,6-di-t-butyl-4-methoxycarbonylethyl-phenyl)pentaerythritol diphosphite, and bis(2 ,6-di-t-butyl-4-octadecyloxycarbonylethyl-phenyl)pentaerythritol diphosphite.

チオエーテル系の重合禁止剤としては、例えば、ジラウリル3,3’-チオジプロピオネート、ビス(2-メチルー4-(3-n-ドデシル)チオプロピオニルオキシ)―5-t-ブチルフェニル)スルフィド、ジステアリル-3,3’-チオジプロピオネート、及びペンタエリスリトール-テトラキス(3-ラウリル)チオプロピオネートが挙げられる。 Examples of thioether-based polymerization inhibitors include dilauryl 3,3′-thiodipropionate, bis(2-methyl-4-(3-n-dodecyl)thiopropionyloxy)-5-t-butylphenyl)sulfide, Distearyl-3,3'-thiodipropionate, and pentaerythritol-tetrakis(3-lauryl)thiopropionate.

以上例示された重合禁止剤から選ばれる1種又は2種以上を組みわせて用いることができる。 One or a combination of two or more selected from the polymerization inhibitors exemplified above can be used.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物における重合禁止剤の含有量は、(メタ)アクリレート化合物の含有量100質量部に対して、0.01~10質量部であることが好ましく、0.1~5質量部であることがより好ましい。重合禁止剤の含有量がこの範囲にあると、重合反応速度を確保しながら、熱プレス用シートの十分な保存安定性が得られ易い。 The content of the polymerization inhibitor in the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same is 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylate compound content. preferably 0.1 to 5 parts by mass. When the content of the polymerization inhibitor is within this range, it is easy to obtain sufficient storage stability of the hot-press sheet while ensuring the polymerization reaction rate.

ラジカル重合開始剤
熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物が、ラジカル重合開始剤を更に含有していてもよい。ラジカル重合開始剤は、典型的には熱ラジカル重合開始剤であり、熱ラジカル重合開始剤と光ラジカル重合開始剤との組み合わせであってもよい。熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、ケトンパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシケタール、アルキルパーエステル(パーオキシエステル)、及びパーオキシカーボネートが挙げられる。これらのラジカル重合開始剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Radical polymerization initiator The thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same may further contain a radical polymerization initiator. The radical polymerization initiator is typically a thermal radical polymerization initiator, and may be a combination of a thermal radical polymerization initiator and a photoradical polymerization initiator. Thermal radical polymerization initiators include, for example, ketone peroxides, hydroperoxides, diacyl peroxides, dialkyl peroxides, peroxyketals, alkyl peresters (peroxyesters), and peroxycarbonates. One of these radical polymerization initiators may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

ケトンパーオキサイドの具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、及びメチルシクロヘキサノンパーオキサイドが挙げられる。 Specific examples of ketone peroxides include methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl ketone peroxide, acetylacetone peroxide, cyclohexanone peroxide, and methylcyclohexanone peroxide.

ハイドロパーオキサイドの具体例としては、1,1,3,3-テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、p-メンタンハイドロパーオキサイド、及びジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイドが挙げられる。 Specific examples of hydroperoxides include 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, p-menthane hydroperoxide, and diisopropylbenzene hydroperoxide. mentioned.

ジアシルパーオキサイドの具体例としては、ジイソブチリルパーオキサイド、ビス-3,5,5-トリメチルヘキサノールパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、m-トルイルベンゾイルパーオキサイド、及びコハク酸パーオキサイドが挙げられる。 Specific examples of diacyl peroxide include diisobutyryl peroxide, bis-3,5,5-trimethylhexanol peroxide, dilauroyl peroxide, dibenzoyl peroxide, m-toluylbenzoyl peroxide, and succinic acid peroxide. mentioned.

ジアルキルパーオキサイドの具体例としては、ジクミルパーオキサイド、2,5-ジメチル-2,5-ビス(t-ブチルペルオキシ)ヘキサン、1,3-ビス(t-ブチルペルオキシイソプロピル)ヘキサン、t-ブチルクミルパーオキサイド、ジ-t-ブチルパーオキサイド、ジ-t-ヘキシルパーオキサイド、及び2,5-ジメチル-2,5-ビス(t-ブチルペルオキシ)ヘキシン-3が挙げられる。 Specific examples of dialkyl peroxide include dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis(t-butylperoxy)hexane, 1,3-bis(t-butylperoxyisopropyl)hexane, t-butyl Cumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, di-t-hexyl peroxide, and 2,5-dimethyl-2,5-bis(t-butylperoxy)hexyne-3.

パーオキシケタールの具体例としては、1,1-ビス(t-ヘキシルパーオキシ)-3,3,5-トリメチルシクロヘキサン、1,1-ビス(t-ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1-ビス(t-ブチルパーオキシ)-2-メチルシクロヘキサン、1,1-ビス(t-ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,2-ビス(t-ブチルパーオキシ)ブタン、及び4,4-ビス(t-ブチルパーオキシ)ペンタン酸ブチルが挙げられる。 Specific examples of peroxyketals include 1,1-bis(t-hexylperoxy)-3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis(t-hexylperoxy)cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy)-2-methylcyclohexane, 1,1-bis(t-butylperoxy)cyclohexane, 2,2-bis(t-butylperoxy)butane, and 4,4-bis(t- Butyl peroxy)pentanoate.

アルキルパーエステル(パーオキシエステル)の具体例としては、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、α-クミルパーオキシネオデカノエート、t-ブチルパーオキシネオデカノエート、t-ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t-ブチルパーオキシネオヘプタノエート、t-ヘキシルパーオキシピバレート、t-ブチルパーオキシピバレート、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-アミルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシイソブチレート、ジ-t-ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサネート、t-アミルパーオキシ3,5,5-トリメチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシ-3,5,5-トリメチルヘキサノエート、t-ブチルパーオキシアセテート、t-ブチルパーオキシベンゾエート、ジブチルパーオキシトリメチルアジペート、2,5-ジメチル-2,5-ジ-2-エチルヘキサノイルパーオキシヘキサン、t-ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、t-ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシラウレート、t-ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルモノカーボネート、及び2,5-ジメチル-2,5-ジ-ベンゾイルパーオキシヘキサンが挙げられる。 Specific examples of alkyl peresters (peroxyesters) include 1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxyneodecanoate, α-cumyl peroxyneodecanoate, and t-butyl peroxyneodecano. ate, t-hexylperoxyneodecanoate, t-butylperoxyneoheptanoate, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylper Oxy-2-ethylhexanoate, t-amylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylper Oxyhexahydroterephthalate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate, t-amylperoxy 3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxy -3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxyacetate, t-butylperoxybenzoate, dibutylperoxytrimethyladipate, 2,5-dimethyl-2,5-di-2-ethylhexanoylper Oxyhexane, t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxylaurate, t-butylperoxyisopropylmonocarbonate, t-butylperoxy-2- Ethylhexyl monocarbonate, and 2,5-dimethyl-2,5-di-benzoylperoxyhexane.

パーオキシカーボネートの具体例としては、ジ-n-プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、ジ-4-t-ブチルシクロヘキシルパーオキシカーボネート、ジ-2-エチルヘキシルパーオキシカーボネート、ジ-sec-ブチルパーオキシカーボネート、ジ-3-メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ-2-エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルオキシジカーボネート、t-アミルパーオキシイソプロピルカーボネート、t-ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、t-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキシルカーボネート、及び1,6-ビス(t-ブチルパーオキシカルボキシロキシ)ヘキサンが挙げられる。 Specific examples of peroxycarbonate include di-n-propylperoxydicarbonate, diisopropylperoxycarbonate, di-4-t-butylcyclohexylperoxycarbonate, di-2-ethylhexylperoxycarbonate, and di-sec-butyl. Peroxycarbonate, di-3-methoxybutylperoxydicarbonate, di-2-ethylhexylperoxydicarbonate, diisopropyloxydicarbonate, t-amylperoxyisopropylcarbonate, t-butylperoxyisopropylcarbonate, t-butylperoxydicarbonate Oxy-2-ethylhexyl carbonate, and 1,6-bis(t-butylperoxycarboxyloxy)hexane.

これらの熱ラジカル重合開始剤の中でも、硬化性の観点から、1,1-ビス(t-ブチルパーオキシ)シクロヘキサン等のシクロヘキサン型の過酸化物が好ましい。 Among these thermal radical polymerization initiators, cyclohexane-type peroxides such as 1,1-bis(t-butylperoxy)cyclohexane are preferable from the viewpoint of curability.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物におけるラジカル重合開始剤の含有量は、(メタ)アクリレート化合物の含有量100質量部に対して、0.0~10質量部であることが好ましく、0.1~5質量部であることがより好ましい。 The content of the radical polymerization initiator in the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same is 0.0 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylate compound content. and more preferably 0.1 to 5 parts by mass.

充填材
熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物は、充填材を更に含有してもよい。充填材は、無機充填材、有機充填材、又はこれらの組合せであることができる。
Filler The thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same may further contain a filler. Fillers can be inorganic fillers, organic fillers, or combinations thereof.

無機充填材としては、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ粒子;炭酸カルシウム、クレー、アルミナ等の粒子;窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粒子;これらの粒子を球形化したビーズ;及びガラス繊維が挙げられる。これらの無機充填材は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 Examples of inorganic fillers include silica particles such as fused silica and crystalline silica; particles such as calcium carbonate, clay, and alumina; silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, calcium silicate, potassium titanate, aluminum nitride, beryllia, and zirconia. , zircon, forsterite, steatite, spinel, mullite, titania, etc.; beads obtained by spheroidizing these particles; and glass fibers. These inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物は、有機充填材の少なくとも1種を含有していてもよい。有機充填材としては、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。また、有機充填材の好ましい含有量及び平均粒径は上記記載の無機充填材と同様である。 The thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same may contain at least one organic filler. Examples of organic fillers include rubber particles, polyamide fine particles, and silicone particles. Moreover, the preferred content and average particle size of the organic filler are the same as those of the inorganic filler described above.

充填材の体積平均粒径は、例えば、0.01μm~20μmの範囲が好ましく、0.3μm~10μmの範囲がより好ましい。充填材の体積平均粒径が0.01μm以上であると、充填材の添加量により、熱硬化性樹脂組成物の粘度調整が容易になる傾向がある。充填材の体積平均粒径が10μm以下であると、熱硬化性樹脂層の凹凸追従性を損なうことなく、硬化性を調整し、硬化物の弾性率を制御することができる傾向にある。 The volume-average particle size of the filler is, for example, preferably in the range of 0.01 μm to 20 μm, more preferably in the range of 0.3 μm to 10 μm. When the volume average particle diameter of the filler is 0.01 μm or more, the viscosity of the thermosetting resin composition tends to be easily adjusted by adjusting the amount of the filler added. When the volume average particle size of the filler is 10 μm or less, it tends to be possible to adjust the curability and control the elastic modulus of the cured product without impairing the conformability of the thermosetting resin layer to irregularities.

本明細書において「体積平均粒径」とは、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて小径側から体積累積分布曲線を描いた場合に、累積50%となる粒子径(D50)を意味する。 As used herein, the term "volume average particle diameter" means a particle diameter (D50) at which the volume cumulative distribution curve is plotted from the small diameter side using a laser diffraction particle size distribution measuring apparatus and the cumulative 50%.

充填材の含有量は、例えば、熱硬化性樹脂層、又はこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量に対して60~85質量%である。これにより、電子部品の搭載のための加熱及び加圧(接続工程)における熱プレス用シート内での空隙の発生が効果的に抑制される。また、熱プレス用シートの良好な成形性が得られる傾向にある。粉落ち抑制等の観点から、充填材の含有量は、熱硬化性樹脂層、又はこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量に対して65~75質量%であってもよい。 The content of the filler is, for example, 60 to 85% by mass based on the solid content of the thermosetting resin layer or the thermosetting resin composition for forming the same. This effectively suppresses the formation of voids in the hot-press sheet during heating and pressing (connecting step) for mounting electronic components. In addition, there is a tendency to obtain good moldability of the hot-press sheet. From the viewpoint of suppressing powder falling off, etc., the content of the filler is 65 to 75% by mass with respect to the mass of the solid content of the thermosetting resin layer or the thermosetting resin composition for forming it. good too.

ここで、熱硬化性樹脂組成物の固形分とは、水分及び後述する溶剤等の揮発分以外の成分を指す。固形分は、25℃付近の室温で液状、又はワックス状のものも含み、必ずしも固体ではない。本明細書において、揮発分(すなわち水分及び溶剤)とは、沸点が大気圧下200℃以下である物質を意味する。本明細書において、熱硬化性樹脂組成物における各成分における含有量は、特に別に断らない限り、熱硬化性樹脂組成物の固形分の量を基準とする割合を意味する。 Here, the solid content of the thermosetting resin composition refers to components other than water and volatile components such as solvents described later. The solid content includes those that are liquid or waxy at room temperature around 25° C., and is not necessarily solid. As used herein, volatile matter (i.e. water and solvent) means a substance with a boiling point of 200°C or less under atmospheric pressure. In the present specification, the content of each component in the thermosetting resin composition means the ratio based on the solid content of the thermosetting resin composition, unless otherwise specified.

熱硬化性樹脂層、又は熱硬化性樹脂組成物の固形分の体積を基準にした充填材の含有量は、45~70体積%であることが好ましく、50~60体積%であることがより好ましい。 The content of the filler based on the volume of the thermosetting resin layer or the solid content of the thermosetting resin composition is preferably 45 to 70% by volume, more preferably 50 to 60% by volume. preferable.

熱硬化性樹脂組成物の固形分における無機充填材の体積基準の含有量は、以下のようにして測定される。まず、25℃における熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量(Wc)を測定し、その熱硬化性樹脂組成物を空気中400℃で2時間、次いで700℃で3時間熱処理し、樹脂分を燃焼して除去した後、25℃における残存した無機充填材の質量(Wf)を測定する。次いで、電子比重計又は比重瓶を用いて、25℃における無機充填材の比重(df)を求める。次いで、同様の方法で25℃における熱硬化性樹脂組成物の固形分の比重(dc)を測定する。次いで、熱硬化性樹脂組成物の固形分の体積(Vc)及び残存した無機充填材の体積(Vf)を求め、(式1)に示すように残存した無機充填材の体積を熱硬化性樹脂組成物の固形分の体積で除すことで、無機充填材の体積比率(Vr)として求める。 The volume-based content of the inorganic filler in the solid content of the thermosetting resin composition is measured as follows. First, the mass (Wc) of the solid content of the thermosetting resin composition at 25 ° C. is measured, and the thermosetting resin composition is heat-treated in the air at 400 ° C. for 2 hours and then at 700 ° C. for 3 hours. is burned off and the mass (Wf) of the remaining inorganic filler at 25°C is measured. Next, the specific gravity (df) of the inorganic filler at 25° C. is obtained using an electronic hydrometer or a hydrometer. Next, the specific gravity (dc) of the solid content of the thermosetting resin composition at 25°C is measured in the same manner. Then, the volume (Vc) of the solid content of the thermosetting resin composition and the volume (Vf) of the remaining inorganic filler are obtained, and the volume of the remaining inorganic filler is calculated as shown in (Equation 1) by the thermosetting resin. It is obtained as the volume ratio (Vr) of the inorganic filler by dividing by the volume of the solid content of the composition.

(式1)
Vc=Wc/dc
Vf=Wf/df
Vr=Vf/Vc
(Formula 1)
Vc=Wc/dc
Vf=Wf/df
Vr=Vf/Vc

Vc:熱硬化性樹脂組成物の体積(cm
Wc:熱硬化性樹脂組成物の質量(g)
dc:熱硬化性樹脂組成物の密度(g/cm
Vf:無機充填材の体積(cm
Wf:無機充填材の質量(g)
df:無機充填材の密度(g/cm
Vr:無機充填材の体積比率
Vc: Volume of thermosetting resin composition (cm 3 )
Wc: Mass (g) of thermosetting resin composition
dc: Density of thermosetting resin composition (g/cm 3 )
Vf: Volume of inorganic filler (cm 3 )
Wf: Mass of inorganic filler (g)
df: Density of inorganic filler (g/cm 3 )
Vr: Volume ratio of inorganic filler

その他の成分
熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物が、光ラジカル重合開始剤、光カチオン重合開始剤及び光アニオン重合開始剤のような光開始剤を含んでいてもよい。
Other Components The thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same contain photoinitiators such as photoradical polymerization initiators, photocationic polymerization initiators and photoanion polymerization initiators. good too.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物が、熱硬化性樹脂としてエポキシ化合物を含有する場合、熱硬化性樹脂層及び熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ化合物を硬化させる硬化剤を含んでいてもよい。硬化剤としては特に制限されず、通常用いられる硬化剤から選択することができる。硬化剤は固体であっても液体であってもよく、固体の硬化剤と液体の硬化剤とを併用してもよい。短時間での硬化の観点からは、酸無水物の少なくとも1種を硬化剤として用いることが好ましい。 When the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same contain an epoxy compound as the thermosetting resin, the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition cure the epoxy compound. It may also contain a hardening agent that makes it harden. The curing agent is not particularly limited, and can be selected from commonly used curing agents. The curing agent may be solid or liquid, and a solid curing agent and a liquid curing agent may be used in combination. From the viewpoint of curing in a short time, it is preferable to use at least one kind of acid anhydride as a curing agent.

エポキシ化合物と硬化剤との当量比(エポキシ基と反応する官能基当量)は特に制限されない。各成分の未反応分を少なくする観点からは、例えば、エポキシ化合物に対して硬化剤が0.1当量~2.0当量であることが好ましく、0.5当量~1.25当量であることがより好ましく、0.8当量~1.2当量であることが更に好ましい。 The equivalent ratio between the epoxy compound and the curing agent (functional group equivalent that reacts with the epoxy group) is not particularly limited. From the viewpoint of reducing the unreacted amount of each component, for example, the curing agent is preferably 0.1 to 2.0 equivalents, more preferably 0.5 to 1.25 equivalents, relative to the epoxy compound. is more preferred, and 0.8 to 1.2 equivalents is even more preferred.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてエポキシ化合物を含む場合、熱硬化性樹脂層及び熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ化合物を硬化反応を促進する硬化促進剤を含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、及びグアニジン系硬化促進剤が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、及びイミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 When the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same contain an epoxy compound as the thermosetting resin, the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition undergo a curing reaction of the epoxy compound. may contain a curing accelerator that accelerates the Examples of curing accelerators include phosphorus curing accelerators, amine curing accelerators, imidazole curing accelerators, and guanidine curing accelerators. Phosphorus curing accelerators, amine curing accelerators, and imidazole System curing accelerators are preferred. One of these curing accelerators may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、例えば、エポキシ化合物及び硬化剤の不揮発成分の合計を100質量%としたとき、0.05~3質量%であることが好ましい。 The content of the curing accelerator in the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same is, for example, 0.05 when the total of the non-volatile components of the epoxy compound and the curing agent is 100% by mass. It is preferably ~3% by mass.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂の少なくとも1種を含有していてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ブタジエン樹脂、イミド樹脂、及びアミド樹脂が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same may contain at least one thermoplastic resin. Examples of thermoplastic resins include acrylic resins, styrene resins, butadiene resins, imide resins, and amide resins. These thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.

熱可塑性樹脂は、例えば、重合性単量体をラジカル重合することにより製造することができる。重合性単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸エステル;ジアセトン(メタ)アクリルアミド等の(メタ)アクリルアミド;スチレン、ビニルトルエン、α-メチルスチレン等のスチレン又はスチレン誘導体;ビニル-n-ブチルエーテル等のビニルアルコールのエーテル;マレイン酸;マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル等のマレイン酸モノエステル;フマル酸;ケイ皮酸;イタコン酸;及びクロトン酸が挙げられる。これらの重合性単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。熱可塑性樹脂は、(メタ)アクリレート化合物として例示された少なくとも1種の化合物のブロック共重合により形成されたアクリル系ブロック共重合体であってもよい。熱可塑性樹脂としては、市販品を用いてもよく、例えば、(株)クラレ製の「クラリティのLAシリーズ(LA-2140、LA-2250、LA-2330、LA-4285」等が挙げられる。 Thermoplastic resins can be produced, for example, by radical polymerization of polymerizable monomers. Examples of polymerizable monomers include (meth)acrylic acid; (meth)acrylic acid esters such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, and benzyl (meth)acrylate; diacetone (meth)acrylamide; (meth)acrylamide such as; styrene or styrene derivatives such as styrene, vinyl toluene and α-methylstyrene; ethers of vinyl alcohol such as vinyl-n-butyl ether; maleic acid; fumaric acid; cinnamic acid; itaconic acid; and crotonic acid. These polymerizable monomers may be used singly or in combination of two or more. The thermoplastic resin may be an acrylic block copolymer formed by block copolymerization of at least one compound exemplified as a (meth)acrylate compound. As the thermoplastic resin, commercially available products may be used, and examples thereof include “Clarity LA series (LA-2140, LA-2250, LA-2330, LA-4285” manufactured by Kuraray Co., Ltd.).

本明細書において「(メタ)アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「(メタ)アクリルアミド」とは、アクリルアミド又はメタクリルアミドを意味する。 As used herein, "(meth)acrylic acid" means acrylic acid or methacrylic acid, and "(meth)acrylamide" means acrylamide or methacrylamide.

熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、成膜性及び流動性の観点から、例えば、5000~1000000であることが好ましく、20000~500000であることがより好ましい。 The weight average molecular weight of the thermoplastic resin is preferably, for example, 5,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 500,000, from the viewpoint of film-forming properties and fluidity.

本明細書における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定され、標準ポリスチレンを用いて作成した検量線により換算された値である。GPCの条件を以下に示す。
ポンプ:L-6000型((株)日立製作所製、商品名)
カラム:Gelpack GL-R420+Gelpack GL-R430+Gelpack GL-R440(計3本)(日立化成(株)製、商品名)
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
測定温度:40℃
流速:2.05mL/分
検出器:L-3300型RI((株)日立製作所製、商品名)
The weight average molecular weight in this specification is a value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method and converted by a calibration curve prepared using standard polystyrene. The conditions of GPC are shown below.
Pump: L-6000 type (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name)
Column: Gelpack GL-R420 + Gelpack GL-R430 + Gelpack GL-R440 (total of 3 columns) (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name)
Eluent: Tetrahydrofuran (THF)
Measurement temperature: 40°C
Flow rate: 2.05 mL / min Detector: L-3300 type RI (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name)

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物における熱可塑性樹脂の含有量は、例えば、熱硬化性樹脂層及び熱硬化性樹脂組成物の総量中に1~70質量%であることが好ましく、5~50質量%であることがより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量が1質量%以上であると、成膜性が向上する傾向にある。熱可塑性樹脂の含有量が70質量%以下であると、硬化性が向上し、電子部品と基板との接合性が向上する傾向にある。 The content of the thermoplastic resin in the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same is, for example, 1 to 70% by mass in the total amount of the thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition. and more preferably 5 to 50% by mass. When the content of the thermoplastic resin is 1% by mass or more, the film formability tends to be improved. When the content of the thermoplastic resin is 70% by mass or less, the curability tends to improve, and the bondability between the electronic component and the substrate tends to improve.

熱硬化性樹脂組成物は、溶剤の少なくとも1種を含有していてもよい。溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、キシレン、トルエン、アセトン、エチレングリコールモノエチルエーテル、シクロヘキサノン、エチルエトキシプロピオネート、N,N-ジメチルホルムアミド、及びN,N-ジメチルアセトアミドが挙げられる。これらの溶剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 The thermosetting resin composition may contain at least one solvent. Solvents include, for example, methyl ethyl ketone, xylene, toluene, acetone, ethylene glycol monoethyl ether, cyclohexanone, ethyl ethoxypropionate, N,N-dimethylformamide, and N,N-dimethylacetamide. These solvents may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

熱硬化性樹脂組成物における溶剤の含有量は特に制限されない。例えば、樹脂シートを作製する設備に合わせてその含有量を調整することが好ましい。 The content of the solvent in the thermosetting resin composition is not particularly limited. For example, it is preferable to adjust the content according to the equipment for producing the resin sheet.

熱硬化性樹脂層及びこれを形成するための熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じてその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、溶剤、カップリング剤、着色剤、界面活性剤、及びイオントラップ剤が挙げられる。 The thermosetting resin layer and the thermosetting resin composition for forming the same may contain other components as necessary. Other ingredients include, for example, solvents, coupling agents, colorants, surfactants, and ion trapping agents.

熱硬化性樹脂組成物をシート状に成形する際には、作業性の観点から、熱硬化性樹脂組成物の成分を前述の溶剤中で混合してワニスの形態としてもよい。また、得られたワニスを離型シート上に塗工し、乾燥して熱硬化性樹脂層を形成してもよい。 When the thermosetting resin composition is formed into a sheet, from the viewpoint of workability, the components of the thermosetting resin composition may be mixed in the aforementioned solvent to form a varnish. Alternatively, the obtained varnish may be applied onto a release sheet and dried to form a thermosetting resin layer.

熱プレス用シートの製造方法
熱プレス用シート3は、例えば、上述した熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物のワニスを離型シート33a上に塗工し、塗工された熱硬化性樹脂組成物のワニスを乾燥して熱硬化性樹脂層31を形成することと、熱硬化性樹脂層31上に離型シート33bを積層することとを含む方法により、得ることができる。
Hot-press sheet manufacturing method The hot-press sheet 3 is formed by, for example, applying a varnish of a thermosetting resin composition containing the above-described thermosetting resin onto the release sheet 33a, and applying a thermosetting resin. It can be obtained by a method including drying a varnish of a resin composition to form a thermosetting resin layer 31 and laminating a release sheet 33 b on the thermosetting resin layer 31 .

離型シート33aへのワニスの塗工は、通常の方法により実施することができる。具体的には、コンマコート、ダイコート、リップコート、グラビアコート等の方法が挙げられる。 The coating of the varnish on the release sheet 33a can be carried out by a normal method. Specific examples include methods such as comma coating, die coating, lip coating and gravure coating.

離型シート33aに塗工されたワニスの乾燥は、ワニスに含まれる溶剤の少なくとも一部を除去できれば特に制限されず、通常用いられる乾燥方法から適宜選択することができる。ワニスを用いる方法に代えて、光反応によって流動性が低下する熱硬化性樹脂組成物を離型シート33aに塗工し、塗工された熱硬化性樹脂組成物に紫外線を照射してもよい。 Drying of the varnish applied to the release sheet 33a is not particularly limited as long as at least part of the solvent contained in the varnish can be removed, and can be appropriately selected from commonly used drying methods. Instead of using varnish, a thermosetting resin composition whose fluidity is reduced by photoreaction may be applied to the release sheet 33a, and the applied thermosetting resin composition may be irradiated with ultraviolet rays. .

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

<熱プレス用シートの作製>
実施例1
撹拌機を備えたフラスコに、熱可塑性樹脂としてアクリル系ブロック共重合体((株)クラレ製、商品名「LA4285」)を196.6g、熱硬化性樹脂としてトリメチロールプロパントリアクリレート(日立化成(株)製、商品名「FA137M」)を98.32g入れ、更に熱ラジカル重合開始剤としてジクミルパーオキサイド(日油(株)製、商品名「パークミルD」)を1.5g、充填材としてシリカ粒子((株)アドマテックス製、商品名「SE2050」、体積平均粒径:0.5μm)を843.6g、重合禁止剤としてヒンダードフェノール系重合禁止剤((株)ADEKA製、商品名「AO-60」)を0.075g、溶剤としてメチルエチルケトン288.5gを加え、これらを撹拌して混合し、熱硬化性樹脂組成物のワニスを得た。このワニスにおいて、重合禁止剤の含有量がアクリレート化合物の含有量100質量部に対して0.08質量部であり、充填材の含有量は、固形分の質量に対して73質量%であった。
<Production of hot press sheet>
Example 1
In a flask equipped with a stirrer, 196.6 g of an acrylic block copolymer (manufactured by Kuraray Co., Ltd., trade name "LA4285") as a thermoplastic resin, and trimethylolpropane triacrylate (Hitachi Chemical Co., Ltd. (Hitachi Chemical Co., Ltd.)) as a thermosetting resin. 98.32 g of FA137M, trade name, manufactured by NOF Corporation), 1.5 g of dicumyl peroxide (manufactured by NOF Corporation, trade name, Permil D) as a thermal radical polymerization initiator, and 1.5 g of dicumyl peroxide as a filler. 843.6 g of silica particles (manufactured by Admatechs Co., Ltd., trade name "SE2050", volume average particle size: 0.5 μm), and a hindered phenol-based polymerization inhibitor (manufactured by ADEKA Co., Ltd., trade name) as a polymerization inhibitor 0.075 g of "AO-60") and 288.5 g of methyl ethyl ketone as a solvent were added and mixed by stirring to obtain a varnish of a thermosetting resin composition. In this varnish, the content of the polymerization inhibitor was 0.08 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylate compound content, and the content of the filler was 73% by mass with respect to the mass of the solid content. .

熱硬化性樹脂組成物のワニスを、離型シートとしてのポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、商品名「カプトン100H」、平均厚み:25μm)に塗工した。塗工されたワニスを70℃の乾燥機で10分間の加熱によって乾燥して、平均厚み40μmの熱硬化性樹脂層を形成させた。熱硬化性樹脂層に、ポリイミドフィルム(東レ・デュポン(株)製、商品名「カプトン100H」、平均厚み:25μm)を重ね、ホットロールラミネーターを用いて100℃、0.5MPa、1.0m/分の条件で貼り合わせることで、ポリイミドフィルム、熱硬化性樹脂層及びポリイミドフィルムの順に積層された熱プレス用シートを得た。 The varnish of the thermosetting resin composition was applied to a polyimide film (manufactured by DuPont-Toray Co., Ltd., trade name “Kapton 100H”, average thickness: 25 μm) as a release sheet. The applied varnish was dried by heating for 10 minutes in a drier at 70° C. to form a thermosetting resin layer with an average thickness of 40 μm. A polyimide film (manufactured by Toray-DuPont Co., Ltd., trade name “Kapton 100H”, average thickness: 25 μm) is overlaid on the thermosetting resin layer, and a hot roll laminator is used at 100 ° C., 0.5 MPa, 1.0 m / A hot press sheet was obtained in which the polyimide film, the thermosetting resin layer and the polyimide film were laminated in this order.

実施例2
重合禁止剤をp-メトキシフェノール(東京化成工業(株)製)に代えたこと以外は実施例1と同様にして、熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製し、熱プレス用シートを作製した。
Example 2
A varnish of a thermosetting resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that the polymerization inhibitor was replaced with p-methoxyphenol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and a hot press sheet was produced. .

比較例1
重合禁止剤を添加しないこと以外は、実施例1と同様にして、熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製し、熱プレス用シートを作製した。
Comparative example 1
A varnish of a thermosetting resin composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that no polymerization inhibitor was added, and a hot press sheet was produced.

<電子部品装置の製造>
電子部品として、アルミニウム配線及びアルミニウム配線上に設けられたバンプを有する7.3mm×7.3mm×0.1mmのシリコンチップ((株)ウォルツ製、商品名「WALTS-TEG CC80-0101JY-MODEL 1」、バンプ:Sn-Ag-Cu系、バンプ間隔:80μm)を準備した。配線基板として、配線層及びソルダーレジストを有する18mm×18mm×0.4mmの基板((株)ウォルツ製、商品名「WALTS-KIT CC80-0102JY-MODEL 1」、ソルダーレジスト:PSR4000-AUS703、基材:E679FGS)を準備した。
<Manufacture of electronic component equipment>
As an electronic component, a silicon chip of 7.3 mm × 7.3 mm × 0.1 mm having aluminum wiring and bumps provided on the aluminum wiring (manufactured by Waltz Co., Ltd., trade name "WALTS-TEG CC80-0101JY-MODEL 1 , bump: Sn—Ag—Cu system, bump spacing: 80 μm). As a wiring board, a 18 mm × 18 mm × 0.4 mm board having a wiring layer and a solder resist (manufactured by Waltz Co., Ltd., trade name "WALTS-KIT CC80-0102JY-MODEL 1", solder resist: PSR4000-AUS703, base material : E679FGS) were prepared.

80℃まで昇温したシリコンチップに対して、フィルム状のアンダーフィル材(日立化成(株)製、エポキシ系NCF(Non-conductive Film))を、ダイアフラム方式の真空ラミネータ(ニッコー・マテリアルズ(株)製、商品名「V130」)でラミネートした。 A film-like underfill material (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., epoxy-based NCF (Non-conductive Film)) is applied to the silicon chip heated to 80 ° C., and a diaphragm type vacuum laminator (Nikko Materials Co., Ltd. ), trade name “V130”).

ステージ上に配線基板を配置し、ステージに対向する圧着ヘッド上に、配線基板の配線層とバンプとが対向するようシリコンチップを設置した。そして、シリコンチップを80℃まで昇温し、ステージと仮圧着ヘッドとにより、120Nの荷重で配線基板とシリコンチップとを加圧し、配線基板の配線層と、シリコンチップのバンプとを接触させた。この際、シリコンチップ上に付与されたアンダーフィル材が加圧により流動し、配線基板とシリコンチップとの間でアルミニウム配線、バンプ及び配線層の間隙を充填した。このようにして、5個の積層体を作製した。 A wiring board was placed on a stage, and a silicon chip was placed on a crimping head facing the stage so that the wiring layer of the wiring board and the bumps faced each other. Then, the temperature of the silicon chip was raised to 80° C., and the wiring board and the silicon chip were pressed with a load of 120 N by the stage and the temporary pressure bonding head, and the wiring layers of the wiring board and the bumps of the silicon chip were brought into contact with each other. . At this time, the underfill material provided on the silicon chip flowed under pressure, filling the gaps between the wiring substrate and the silicon chip between the aluminum wiring, the bumps and the wiring layer. Thus, five laminates were produced.

5個の積層体を、シリコンチップが上側に位置する向きで、10cm角のステージの四隅及び中心の位置にそれぞれ配置した。ステージ上の5個の積層体を覆うように、各実施例又は比較例の1枚の熱プレス用シートを重ねた。その後、該ステージに対向する圧着ヘッドを300℃まで昇温し、昇温した圧着ヘッドとステージとにより、積層体を200Nの荷重で10秒間加熱及び加圧した。これにより、配線基板の配線層と、シリコンチップのバンプとを電気的に接続した。このようにして、評価用の電子部品装置5個を一括して製造した。作製された当日の熱プレス用シート、又は作製から冷蔵で2週間若しくは4週間保存された熱プレス用シートを用いて、電子部品装置を製造した。 The five laminates were placed at the four corners and the center of a 10 cm square stage with the silicon chip facing upward. One hot press sheet of each example or comparative example was stacked so as to cover the five laminates on the stage. After that, the temperature of the pressure bonding head facing the stage was raised to 300° C., and the laminated body was heated and pressed with a load of 200 N for 10 seconds by the heated pressure bonding head and the stage. Thus, the wiring layer of the wiring substrate and the bumps of the silicon chip were electrically connected. In this way, five electronic component devices for evaluation were collectively manufactured. An electronic component device was manufactured using a hot-press sheet produced on the same day, or a hot-press sheet stored in a refrigerator for two weeks or four weeks after production.

得られた電子部品装置について、以下のようにして、電子部品の剥離の観察、接続性の確認、シリコンチップと配線基板との位置ずれの確認及び熱プレス用シート内の空隙の有無の確認を行った。評価結果を表1に示す。 For the obtained electronic component device, observation of peeling of the electronic component, confirmation of connectivity, confirmation of misalignment between the silicon chip and the wiring substrate, and confirmation of the presence or absence of voids in the hot-press sheet were carried out as follows. gone. Table 1 shows the evaluation results.

<接続性>
電子部品装置の導通をテスター(カイセ(株)製、商品名「SK-6500」)で確認し、下記の評価基準に従って接続性を評価した。
-評価基準-
A:5個の電子部品装置のうち、全ての電子部品装置において電子部品の導通が確認される。
B:5個の電子部品装置のうち、一部の電子部品装置において電子部品の導通が確認されない。
<Connectivity>
The continuity of the electronic component device was confirmed with a tester (manufactured by Kaise Co., Ltd., trade name "SK-6500"), and the connectivity was evaluated according to the following evaluation criteria.
-Evaluation criteria-
A: Continuity of electronic components is confirmed in all electronic component devices out of the five electronic component devices.
B: Conduction of electronic components is not confirmed in some of the five electronic component devices.

<電子部品の剥離>
電子部品装置の内部を超音波観察装置(インサイト(株)製、商品名「INSIGHT-300」)を用いて観察することで電子部品の剥離の有無を確認した。電子部品の剥離状態を下記の評価基準に従って評価した。
-評価基準-
A:5個の電子部品装置のうち、全ての電子部品装置において電子部品の剥離が観察されなかった。
B:5個の電子部品装置のうち、一部の電子部品装置において電子部品の剥離が観察された。
<Peeling off electronic components>
The inside of the electronic component device was observed using an ultrasonic observation device (manufactured by INSIGHT Co., Ltd., product name “INSIGHT-300”) to confirm the presence or absence of peeling of the electronic component. The peeling state of the electronic component was evaluated according to the following evaluation criteria.
-Evaluation criteria-
A: No peeling of the electronic component was observed in any of the five electronic component devices.
B: Peeling of the electronic component was observed in some of the five electronic component devices.

<シリコンチップと配線基板との位置ずれの確認>
電子部品装置について、シリコンチップのバンプと配線基板の配線層との面方向での位置ずれをX線観察装置(ノードソン・アドバンスト・テクノロジー(株)製、商品名「XD-7600NT100-CT)を用いて確認した。下記の評価基準に従って位置ずれを評価した。位置ずれは、電子部品装置1個につき5箇所、5個の電子部品装置で合計25箇所を測定し、その算術平均値を求めた。
-評価基準-
A:位置ずれの算術平均値が7μm未満である。
B:位置ずれの算術平均値が7μm以上、10μm未満である。
C:位置ずれの算術平均値が10μm以上である。
<Confirmation of misalignment between silicon chip and wiring board>
Regarding the electronic component device, the positional deviation in the surface direction between the bumps of the silicon chip and the wiring layer of the wiring board was measured using an X-ray observation device (manufactured by Nordson Advanced Technologies, Inc., trade name "XD-7600NT100-CT"). The positional deviation was evaluated according to the following evaluation criteria: The positional deviation was measured at 5 positions for each electronic component device, for a total of 25 positions for 5 electronic component devices, and the arithmetic mean value was obtained.
-Evaluation criteria-
A: The arithmetic mean value of misalignment is less than 7 μm.
B: Arithmetic average value of misalignment is 7 μm or more and less than 10 μm.
C: The arithmetic mean value of misalignment is 10 μm or more.

Figure 0007180152000001
Figure 0007180152000001

表1に示されるように、重合禁止剤を含む熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを用いることで、一定時間経過後も、接続不良及び電子部品の剥離を抑制しながら、複数の電子部品装置を、一括して製造できることが確認された。 As shown in Table 1, by using a hot press sheet having a thermosetting resin layer containing a polymerization inhibitor, a plurality of electronic components can be produced while suppressing poor connection and peeling of electronic components even after a certain period of time. It was confirmed that component devices can be manufactured collectively.

1…電子部品装置、3…熱プレス用シート、5…積層体、10…配線基板、11…絶縁基板、13…配線層、20…電子部品、21…電子部品の本体部、23…電極、25…バンプ、30…アンダーフィル材、31…熱硬化性樹脂層、33a、33b…離型シート、41…ステージ、42…仮圧着ヘッド、43…圧着ヘッド。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Electronic component apparatus, 3... Sheet for hot press, 5... Laminated body, 10... Wiring substrate, 11... Insulating substrate, 13... Wiring layer, 20... Electronic component, 21... Body part of electronic component, 23... Electrode, 25... Bump, 30... Underfill material, 31... Thermosetting resin layer, 33a, 33b... Release sheet, 41... Stage, 42... Temporary pressure bonding head, 43... Pressure bonding head.

Claims (9)

配線基板及び該配線基板に搭載された電子部品を備える電子部品装置を製造する方法であって、
絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられた配線層を有する配線基板と複数の電極を有する電子部品とバンプとを有する積層体であって、前記電子部品が前記配線層と前記電極とが対向するように配置され、対向する前記配線層と前記電極との間に前記バンプが介在している、積層体を、ステージ及び圧着ヘッドで挟むことによって加熱及び加圧し、それにより、前記バンプを介して前記配線層と前記電極とを電気的に接続する工程を備え、
前記配線層と前記電極とを電気的に接続する前記工程において、前記積層体と前記圧着ヘッドとの間に、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートを介在させた状態で、前記積層体が加熱及び加圧され、
前記熱硬化性樹脂層が(メタ)アクリレート化合物、及び重合禁止剤を含有し、
前記重合禁止剤がフェノール系の重合禁止剤を含み、前記重合禁止剤の含有量が、前記(メタ)アクリレート化合物の含有量100質量部に対して0.1~5質量部であり、
前記熱硬化性樹脂層が熱可塑性樹脂及び充填材を更に含有し、
前記充填材がシリカ粒子を含み、前記充填材の含有量が、前記熱硬化性樹脂層の質量に対して60~85質量%である、
方法。
A method of manufacturing an electronic component device comprising a wiring board and electronic components mounted on the wiring board, the method comprising:
A laminate comprising: an insulating substrate; a wiring substrate having a wiring layer provided on the insulating substrate; an electronic component having a plurality of electrodes; , and the bumps are interposed between the wiring layers and the electrodes facing each other. A step of electrically connecting the wiring layer and the electrode,
In the step of electrically connecting the wiring layer and the electrode, the laminate and the pressure bonding head are interposed with a hot press sheet having a thermosetting resin layer. is heated and pressurized,
The thermosetting resin layer contains a (meth)acrylate compound and a polymerization inhibitor,
The polymerization inhibitor contains a phenol-based polymerization inhibitor, the content of the polymerization inhibitor is 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylate compound content,
The thermosetting resin layer further contains a thermoplastic resin and a filler,
The filler contains silica particles, and the content of the filler is 60 to 85% by mass with respect to the mass of the thermosetting resin layer.
Method.
前記積層体が、前記電子部品と前記配線基板との間で前記電極、前記バンプ及び前記配線層の間の間隙を充填している熱硬化性のアンダーフィル材を更に有する、請求項1に記載の方法。 2. The laminate of claim 1, further comprising a thermosetting underfill material filling gaps between the electrodes, the bumps and the wiring layer between the electronic component and the wiring board. the method of. 前記配線層と前記電極とを電気的に接続する前記工程において、それぞれ1つの前記電子部品を有する複数の前記積層体が、又は、1つの前記配線基板上に配置された複数の前記電子部品を有する1つ又は複数の前記積層体が、1組の前記ステージ及び前記圧着ヘッドで挟むことによって一括して加熱及び加圧される、請求項1又は2に記載の方法。 In the step of electrically connecting the wiring layer and the electrode, a plurality of the laminates each having one of the electronic components, or a plurality of the electronic components arranged on one of the wiring boards. 3. The method according to claim 1 or 2, wherein one or more of the laminates comprising the laminates are collectively heated and pressurized by being sandwiched between a set of the stage and the crimping head. 前記配線層と前記電極とを電気的に接続する前記工程において、前記配線基板の温度が25~200℃、前記電子部品の温度が230~300℃となるように、前記積層体が加熱及び加圧される、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。 In the step of electrically connecting the wiring layer and the electrode, the laminate is heated such that the temperature of the wiring substrate is 25 to 200° C. and the temperature of the electronic component is 230 to 300° C. A method according to any one of claims 1 to 3, wherein the pressure is applied. 絶縁基板及び該絶縁基板上に設けられた配線層を有する配線基板と電極を有する電子部品とバンプとを有する積層体であって、前記電子部品が前記配線層と前記電極とが対向するように配置され、対向する前記配線層と前記電極との間にバンプが介在している、積層体を、ステージ及び圧着ヘッドで挟むことによって加熱及び加圧し、それにより、前記配線層と前記電極とを前記バンプを介して電気的に接続する工程において、前記積層体と前記圧着ヘッドとの間に介在させるために用いられる、熱硬化性樹脂層を有する熱プレス用シートであって、
前記熱硬化性樹脂層が(メタ)アクリレート化合物、及び重合禁止剤を含有
前記重合禁止剤がフェノール系の重合禁止剤を含み、前記重合禁止剤の含有量が、前記(メタ)アクリレート化合物の含有量100質量部に対して0.1~5質量部であり、
前記熱硬化性樹脂層が熱可塑性樹脂及び充填材を更に含有し、
前記充填材がシリカ粒子を含み、前記充填材の含有量が、前記熱硬化性樹脂層の質量に対して60~85質量%である、
熱プレス用シート。
A laminate comprising: an insulating substrate; a wiring substrate having a wiring layer provided on the insulating substrate; an electronic component having electrodes; A laminated body, which is disposed and has bumps interposed between the wiring layer and the electrode facing each other, is sandwiched between a stage and a pressure bonding head to heat and pressurize the wiring layer and the electrode. A hot press sheet having a thermosetting resin layer used for interposing between the laminate and the compression head in the step of electrically connecting via the bumps,
The thermosetting resin layer contains a (meth)acrylate compound and a polymerization inhibitor,
The polymerization inhibitor contains a phenol-based polymerization inhibitor, the content of the polymerization inhibitor is 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylate compound content,
The thermosetting resin layer further contains a thermoplastic resin and a filler,
The filler contains silica particles, and the content of the filler is 60 to 85% by mass with respect to the mass of the thermosetting resin layer.
Sheet for heat press.
前記熱硬化性樹脂層の平均厚みが、10μm以上である請求項5に記載の熱プレス用シート。 6. The hot press sheet according to claim 5, wherein the thermosetting resin layer has an average thickness of 10 [mu]m or more. 前記熱硬化性樹脂層の片面上又は両面上に設けられた離型シートを更に有する、請求項5又は6に記載の熱プレス用シート。 7. The hot press sheet according to claim 5, further comprising a release sheet provided on one side or both sides of said thermosetting resin layer. (メタ)アクリレート化合物、及び重合禁止剤を含有する熱プレス用熱硬化性樹脂組成物であって
前記重合禁止剤がフェノール系の重合禁止剤を含み、前記重合禁止剤の含有量が、前記(メタ)アクリレート化合物の含有量100質量部に対して0.1~5質量部であり、
当該熱硬化性樹脂組成物が熱可塑性樹脂及び充填材を更に含有し、
前記充填材がシリカ粒子を含み、前記充填材の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物の固形分の質量に対して60~85質量%であり、
請求項5~7のいずれか一項に記載の熱プレス用シートの熱硬化性樹脂層を形成するために用いられる、熱プレス用熱硬化性樹脂組成物。
A thermosetting resin composition for hot press containing a (meth)acrylate compound and a polymerization inhibitor,
The polymerization inhibitor contains a phenol-based polymerization inhibitor, the content of the polymerization inhibitor is 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth)acrylate compound content,
The thermosetting resin composition further contains a thermoplastic resin and a filler,
The filler contains silica particles, the content of the filler is 60 to 85% by mass with respect to the mass of the solid content of the thermosetting resin composition,
A thermosetting resin composition for hot pressing, which is used to form a thermosetting resin layer of the sheet for hot pressing according to any one of claims 5 to 7.
溶剤を更に含有する、請求項8に記載の熱プレス用熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition for hot press according to claim 8, further comprising a solvent.
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