JP7180852B2 - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を概略的に示す斜視図であり、図2は図1のA-A'の線に沿った断面図である。
以下では、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法について説明するが、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法が必ずしもこれに制限されるものではない。
図6a及び図6bは添加剤元素の拡散の有無及び拡散濃度による微細構造を示す走査電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope、SEM)の写真である。本実験例では添加剤元素としてマグネシウム(Mg)を用いた。
ここで、本実施形態に係る発明の例を項目として記載する。
[項目1]
複数の誘電体層及び複数の内部電極を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体上に配置され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、を含み、
前記キャパシタ本体において、互いに異なる極性の内部電極が重畳されて容量を形成する領域を活性部、前記活性部を除いた領域をマージン部と定義するとき、
前記マージン部は、前記活性部より添加剤元素の濃度が高く、添加剤元素の濃度がキャパシタ本体の表面から活性部に向かって徐々に減少する、積層セラミック電子部品。
[項目2]
前記内部電極及び前記誘電体層が積層される方向を厚さ方向、前記厚さ方向と垂直で、内部電極の一端がキャパシタ本体の表面に露出する方向を長さ方向、前記厚さ方向及び長さ方向と垂直な一方向を幅方向と定義するとき、
前記キャパシタ本体の長さ方向のマージン部は、前記活性部より添加剤元素の濃度が高く、キャパシタ本体の表面から活性部に向かって添加剤元素の濃度勾配を有する、項目1に記載の積層セラミック電子部品。
[項目3]
前記内部電極及び前記誘電体層が積層される方向を厚さ方向、前記厚さ方向と垂直で、内部電極の一端がキャパシタ本体の表面に露出する方向を長さ方向、前記厚さ方向及び長さ方向と垂直な一方向を幅方向と定義するとき、
前記キャパシタ本体の幅方向のマージン部は、前記活性部より添加剤元素の濃度が高く、キャパシタ本体の表面から活性部に向かって添加剤元素の濃度勾配を有する、項目1または2に記載の積層セラミック電子部品。
[項目4]
前記マージン部は、前記活性部の外側から前記キャパシタ本体に向かう方向に測定した長さの1/2を基準に、
前記活性部に隣接した第1領域とキャパシタ本体の表面に隣接した第2領域を含み、
前記第1領域と前記第2領域は互いに異なる緻密度を有する、項目1から3のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
[項目5]
前記第1領域は前記第2領域より緻密度が高い、項目4に記載の積層セラミック電子部品。
[項目6]
前記第2領域は前記第1領域より添加剤元素の濃度が高い、項目4または5に記載の積層セラミック電子部品。
[項目7]
前記添加剤元素の濃度は前記キャパシタ本体の表面から前記活性部に向かって徐々に減少する、項目1から6のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
[項目8]
前記添加剤元素は、Mg、Mn、Zr、Ti、Li、Mo、Nb、Cu及び希土類元素のうちから選択される一つ以上である、項目1から7のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
[項目9]
前記第1領域の添加剤元素の濃度は0.01mol%以上4.0mol%以下である、項目4に記載の積層セラミック電子部品。
[項目10]
前記第2領域の添加剤元素の濃度は0.2mol%以上8.0mol%以下である、項目4または9に記載の積層セラミック電子部品。
[項目11]
前記活性部の添加剤元素の濃度は2.0mol%以下である、項目1から10のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
[項目12]
複数の第1セラミックグリーンシート及び複数の第2セラミックグリーンシートを設ける段階と、
前記第1セラミックグリーンシートに内部電極ペーストを塗布する段階と、
内部電極ペーストが塗布された前記第1セラミックグリーンシート及び第2セラミックグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を設ける段階と、
前記グリーンシート積層体の表面に添加剤元素を含むコーティング層を形成する段階と、
前記添加剤元素が内部に拡散するように前記グリーンシート積層体を焼成して、互いに異なる極性の内部電極が重畳されて容量を形成する領域を活性部、及び前記活性部を除いた領域であるマージン部を含むキャパシタ本体を形成する段階と、を含み、
前記マージン部は、前記活性部より添加剤元素の濃度が高く、キャパシタ本体の表面から活性部に向かって添加剤元素の濃度勾配を有する、積層セラミック電子部品の製造方法。
[項目13]
前記マージン部は、前記活性部の外側から前記キャパシタ本体に向かう方向に測定した長さの1/2を基準に、
前記活性部に隣接した第1領域とキャパシタ本体の表面に隣接した第2領域を含み、
前記第1領域と前記第2領域は互いに異なる緻密度を有する、項目12に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
[項目14]
前記第1領域は前記第2領域より緻密度が高い、項目13に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
[項目15]
前記第2領域は前記第1領域より添加剤元素の濃度が高い、項目13または14に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
[項目16]
前記添加剤元素は、Mg、Mn、Zr、Ti、Li、Mo、Nb、Cu及び希土類元素のうちから選択される一つ以上である、項目12から15のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
[項目17]
前記マージン部は、前記キャパシタ本体の表面にコーティングされた添加剤元素の拡散で添加剤元素の濃度勾配を有する、項目16に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
[項目18]
複数の誘電体層及び複数の内部電極を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体上に配置され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、を含み、
前記キャパシタ本体は、互いに異なる極性の内部電極が重畳されて容量を形成する領域を活性部、及び前記活性部を除いた領域と定義されるマージン部を含み、
前記マージン部は、前記活性部に隣接した第1領域と前記キャパシタ本体の表面に隣接した第2領域を含み、
前記第2領域の添加剤元素の濃度は前記第1領域の添加剤元素の濃度より高く、前記第1領域の添加剤元素の濃度は前記活性部の添加剤元素の濃度より高い、積層セラミック電子部品。
[項目19]
前記第1領域の添加剤元素の濃度は0.01mol%以上4.0mol%以下である、項目18に記載の積層セラミック電子部品。
[項目20]
前記第2領域の添加剤元素の濃度は0.2mol%以上8.0mol%以下である、項目18または19に記載の積層セラミック電子部品。
[項目21]
前記活性部の添加剤元素の濃度は2.0mol%以下である、項目18から20のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。
110 キャパシタ本体
121、122 内部電極
131、132 外部電極
Claims (6)
- 複数の誘電体層及び複数の内部電極を含むキャパシタ本体と、
前記キャパシタ本体上に配置され、前記内部電極と電気的に連結される外部電極と、
を含み、
前記キャパシタ本体において、前記内部電極及び前記誘電体層が積層される方向を厚さ方向、前記厚さ方向と垂直で、内部電極の一端がキャパシタ本体の表面に露出する方向を長さ方向、前記厚さ方向及び長さ方向と垂直な一方向を幅方向と定義するとき、
前記キャパシタ本体は、互いに異なる極性の内部電極が重畳されて容量を形成する活性部、及び前記活性部の幅方向の両側に配置されるマージン部を含み、
前記幅方向の両側に配置されるマージン部は、前記幅方向に沿って測定した長さの1/2を基準に、
前記活性部に隣接した幅方向の第1領域とキャパシタ本体の表面に隣接した幅方向の第2領域を含み、
前記幅方向の第2領域は前記幅方向の第1領域よりMg元素の濃度が高く、
前記幅方向の第1領域のMg元素の濃度は0.01mol%以上4.0mol%以下であり、
前記幅方向の第2領域のMg元素の濃度は0.2mol%以上8.0mol%以下である、
積層セラミック電子部品。 - 前記活性部の上側及び下側に配置されるマージン部をカバー部と定義するとき、
前記カバー部は、厚さ方向に沿って測定した長さの1/2を基準に、
前記活性部に隣接したカバー部の第1領域とキャパシタ本体の表面に隣接したカバー部の第2領域を含み、
前記カバー部の第1領域とカバー部の第2領域はMg元素の濃度が互いに異なる
請求項1に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記キャパシタ本体の幅方向のマージン部は前記活性部よりMg元素の濃度が高い、
請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記活性部のMg元素の濃度は2.0mol%以下である、
請求項1から3のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記幅方向のマージン部の前記幅方向の第1領域と前記幅方向の第2領域は互いに異なる緻密度を有する、
請求項1から4のいずれか1項に記載の積層セラミック電子部品。 - 前記幅方向の第1領域は前記幅方向の第2領域より緻密度が高い、
請求項5に記載の積層セラミック電子部品。
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