JP7181068B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置1は、基板(例えば、半導体ウエハ)Wに処理を行う。
図1-4を参照する。図2は、基板処理装置1の右部の構成を示す右側面図である。図3は、幅方向Yにおける基板処理装置1の中央部の構成を示す右側面図である。図4は、基板処理装置1の左部の構成を示す左側面図である。
図1-5を参照する。図5は、インデクサ部21の正面図である。インデクサ部21は、キャリア載置部22a1、22a2、22b1、22b2を備える。キャリア載置部22a1、22a2、22b1、22b2にはそれぞれ、1つのキャリアCが載置される。
<<熱処理ブロック31の概要>>
図1-4、7を参照する。図7は、熱処理ブロック31の正面図である。熱処理ブロック31は、略箱形状を有する。熱処理ブロック31は、平面視、側面視および正面視において、略矩形である。
搬送スペース32と熱処理用搬送機構33と熱処理部37と検査部41の配置を説明する。
図3、8を参照して、搬送機構34a1の構造を説明する。搬送機構34a1は、レール部35aと、水平移動部35bと、垂直移動部35cと、アーム部35dと、保持部35eとを備える。レール部35aは、固定的に設けられる。レール部35aは略水平方向に延びる。具体的には、レール部35aは略前後方向Xに延びる。レール部35aは、第1中心点Ga1のいずれよりも前方の位置から、第1中心点Ga1のいずれよりも後方の位置まで、延びる。水平移動部35bは、レール部35aに支持される。水平移動部35bは、レール部35aに対して略水平方向に移動可能である。具体的には、水平移動部35bは、レール部35aに対して略前後方向Xに移動可能である。水平移動部35bは、略上下方向Zに延びる。上下方向Zにおける水平移動部35bの長さは、前後方向Xにおけるレール部35aの長さよりも短い。垂直移動部35cは、水平移動部35bに支持される。垂直移動部35cは、水平移動部35bに対して略上下方向Zに移動可能である。垂直移動部35cは、水平移動部35bから右方に突出する。アーム部35dは、垂直移動部35cに支持される。アーム部35dは、垂直移動部35cに対して回転軸線A35d回りに回転可能である。回転軸線A35dは、略上下方向Zと平行な仮想線である。回転軸線A35dは、例えば、アーム部35dを通る。回転軸線A35dは、例えば、水平移動部35bの右方に位置する。アーム部35dは、垂直移動部35cから水平方向に延びる。保持部35eは、アーム部35dに支持される。保持部35eは、アーム部35dに固定される。回転軸線A35dは、保持部35eを通らない。保持部35eは、回転軸線A35dから外れた位置に配置される。保持部35eは、1枚の基板Wを水平姿勢で保持する。
図1を参照して、熱処理ユニット38の構造を説明する。なお、熱処理ユニット38a1-38a4、38b1-38b4の構造は、基本的に、略同じである。
図1を参照して、検査ユニット42の構造を説明する。なお、検査ユニット42a1-42a4、42b1-42b4の構造は、略同じである。
・基板Wの上面の形状の測定
・基板Wの上面の状態の特定
・基板Wの上面における欠陥の検出
ここで、基板Wの上面は、基板Wの上面自体、基板Wの上面に形成された塗膜、および、基板Wの上面に形成されたパターンの少なくともいずれかを含む意味である。上記した「基板Wの上面の形状の測定」は、例えば、基板Wの上面に形成された塗膜の膜厚を測定・検査することや、基板Wのエッジカット幅を測定・検査することを含む。
図1、7を参照する。図1,7は、処理位置にある熱処理部37を示す。処理位置は、基板Wに熱処理を行うための熱処理部37の位置である。
図1-4を参照する。液処理ブロック61は、略箱形状を有する。液処理ブロック61は、平面視および側面視において、略矩形である。図示を省略するが、液処理ブロック61は、正面視においても、略矩形である。
図1、3、6、8を参照する。前載置部81は、インデクサ部21と熱処理ブロック31にわたって配置される。前載置部81は、インデクサ部21の搬送スペース23と熱処理ブロック31の搬送スペース32にまたがって配置される。
図1、3、8を参照する。後載置部83は、熱処理ブロック31と液処理ブロック61にわたって配置される。後載置部83は、熱処理ブロック31の搬送スペース32と液処理ブロック61の搬送スペース63にまたがって配置される。
図1を参照する。基板処理装置1は、制御部91を備える。制御部91は、例えば、インデクサ部21に設置される。制御部91は、ストッカ部11とインデクサ部21と熱処理ブロック31と液処理ブロック61を制御する。より具体的には、制御部91は、キャリア搬送機構15とインデクサ用搬送機構25と熱処理用搬送機構33と熱処理部37と検査部41と電装部57と液処理用搬送機構67と液処理部71を制御する。
ストッカ部11とインデクサ部21の動作例と、インデクサ部21と熱処理ブロック31と液処理ブロック61の動作例を以下に説明する。
不図示の外部搬送機構が、未処理の基板Wを収容するキャリアCを棚13に載置する。キャリア搬送機構15は、未処理の基板Wを収容するキャリアCを、棚13からキャリア載置部22aに載置する。搬送機構26aは、キャリア載置部22a上のキャリアC内の基板Wを搬出する。搬送機構26aがキャリア載置部22a上のキャリアC内の全ての基板Wを搬出した後、キャリア搬送機構15は、キャリア載置部22aからキャリア載置部22bに、基板Wを収容していないキャリアCを搬送する。この際、キャリア搬送機構15は、基板Wを収容していないキャリアCを、一時的に棚13に載置してもよい。搬送機構26bは、キャリア載置部22b上のキャリアCに、処理済みの基板Wを搬入する。その後、キャリア搬送機構15は、キャリア載置部22bから棚13に、処理済みの基板Wを収容するキャリアCを搬送する。外部搬送機構は、棚13から、処理済みの基板Wを収容するキャリアCを取る。
図13は、基板Wが通過する基板処理装置1の要素(例えば搬送機構や処理部)を模式的に示す図である。
図14A-14Rは、搬送機構34a1の動作例を示す平面図である。搬送機構34a1が、載置部82a1にアクセスし、続いて、熱処理ユニット38a1にアクセスする動作を例示する。図14A-14Rは、搬送機構34a1を簡略に図示する。
これにより、保持部35gは、後方に平行移動する。回転軸線A35が点e2から点e4まで後退するとき、アーム部35fは回転し始める。これにより、保持部35gは、右方に移動する。より詳しくは、保持部35gは、仮想線F2に沿って移動する。保持部35gは、回転軸線A35回りに回転しながら、点e4から仮想線F2に沿って右方に移動する。保持部35gは、点e4から仮想線F2に沿って熱処理ユニットU2に近づく。
にアクセスし、載置部84a1に基板Wを載置する。
熱処理部37a1と搬送スペース32は、略幅方向Yに並ぶように配置される。熱処理部37a1は、複数の熱処理ユニット38a1を備える。熱処理ユニット38a1はそれぞれ、1枚の基板Wに熱処理を行う。搬送機構34a1は、熱処理ユニット38a1に基板を搬送する。ここで、熱処理ユニット38a1は略前後方向Xに並ぶように配置される。このため、熱処理部37a1に含まれる熱処理ユニット38a1の数を、比較的に容易に増大できる。よって、熱処理部37a1は、比較的に多くの基板Wに熱処理を並行して行うことができる。したがって、基板処理装置1のスループットを好適に向上できる。
第2フレーム47は、第1フレーム46と略同じ形状を有する。よって、第1フレーム46と第2フレーム47を容易に製造できる。このため、基板処理装置1を容易に製造できる。
・第1フレーム46に可動部材51a1と熱処理部37a1と搬送機構34a1を取り付ける第1作業
・第2フレーム47に可動部材51b1と熱処理部37b1と搬送機構34b1を取り付ける第2作業
・第1フレーム46と第2フレーム47を連結する第3作業
ここで、第1作業と第2作業と第3作業をそれぞれ、異なる場所および異なる時刻に行うことができる。
よって、基板処理装置1を容易に製造できる。
11 … ストッカ部
21 … インデクサ部
22a、22a1、22a2、22b、22b1、22b2 … キャリア載置部
25 … インデクサ用搬送機構
31 … 熱処理ブロック
32 … 搬送スペース
33 … 熱処理用搬送機構
34a1 … 搬送機構(第1搬送機構)
34b1 … 搬送機構(第2搬送機構)
34a2 … 搬送機構(第3搬送機構)
34b2 … 搬送機構(第4搬送機構)
34a3、34a4、34b3、34b4 … 搬送機構
35a … レール部(第1レール部、第2レール部)
35b … 水平移動部(第1水平移動部、第2水平移動部)
35c … 垂直移動部(第1垂直移動部、第2垂直移動部)
35d … アーム部(第1アーム部、第2アーム部)
35e … 保持部(第1保持部、第2保持部)
35f … アーム部(第1アーム部、第2アーム部)
35g … 保持部(第1保持部、第2保持部)
37a1 … 熱処理部(第1熱処理部)
37b1 … 熱処理部(第2熱処理部)
37a2 … 熱処理部(第3熱処理部)
37b2 … 熱処理部(第4熱処理部)
37a3、37a4、37b3、37b4 … 熱処理部
38a1 … 熱処理ユニット(第1熱処理ユニット)
38b1 … 熱処理ユニット(第2熱処理ユニット)
38a2 … 熱処理ユニット(第3熱処理ユニット)
38b2 … 熱処理ユニット(第4熱処理ユニット)
38a3、38a4、38b3、38b4 … 熱処理ユニット
AHP … 疎水化処理ユニット
HP … 加熱ユニット
CP … 冷却ユニット
45 … フレーム
46 … 第1フレーム
47 … 第2フレーム
48d … 空間(第1フレーム/第2フレームの内部)
51a1 … 可動部材(第1可動部材)
51b1 … 可動部材(第2可動部材)
51a2 … 可動部材(第3可動部材)
51b2 … 可動部材(第4可動部材)
51a3、51a4、51b3、51b4 … 可動部材
55 … ガイド部
56 … 摺動部
61 … 液処理ブロック
67 … 液処理用搬送機構
71 … 液処理部
81 … 前載置部
82a1 … 載置部(第1前載置部)
82b1 … 載置部(第2前載置部)
82a2 … 載置部(第3前載置部)
82b2 … 載置部(第4前載置部)
82a3、82a4、82b3、82b4 … 載置部
83 … 後載置部
84a1 … 載置部(第1後載置部)
84b1 … 載置部(第2後載置部)
84a2 … 載置部(第3後載置部)
84b2 … 載置部(第4後載置部)
84a3、84a4、84b3、84b4 … 載置部
91 … 制御部
A35d … 回転軸線(第1軸線、第2軸線)
A35f … 回転軸線(第1軸線、第2軸線)
Ba … 搬送機構34a1が基板Wを搬送可能な領域
Bb … 搬送機構34b1が基板Wを搬送可能な領域
C … キャリア
Da … 略前後方向に隣り合う2つの第1中心点の間の距離
Db … 略前後方向に隣り合う2つの第2中心点の間の距離
E … 仮想線
Ga1 … 熱処理ユニット38a1の第1中心点
Gb1 … 熱処理ユニット38b1の第2中心点
J … 搬送スペースの中心点
K … 仮想面
La … 前後方向における1つの熱処理ユニット38a1の長さ
Lb … 前後方向における1つの熱処理ユニット38b1の長さ
L1 … 幅方向における搬送スペース32の長さ
L2 … 前後方向における搬送スペース32の長さ
Pa1 … 処理位置(第1処理位置)
Pb1 … 処理位置(第2処理位置)
Pa2 … 処理位置(第3処理位置)
Pb2 … 処理位置(第4処理位置)
Pa3、Pa4、Pb3、Pb4 … 処理位置
Qa1 … メンテナンス位置(第1メンテナンス位置)
Qb1 … メンテナンス位置(第2メンテナンス位置)
Qa2 … メンテナンス位置(第3メンテナンス位置)
Qb2 … メンテナンス位置(第4メンテナンス位置)
Qa3、Qa4、Qb3、Qb4 … 処理位置
r … 基板の半径
W … 基板
X … 前後方向
Y … 幅方向
Z … 上下方向
Claims (19)
- 基板処理装置であって、
前後方向に延びる搬送スペースと、
前記搬送スペースに設けられる第1搬送機構と、
前記搬送スペースに設けられる第2搬送機構と、
基板に熱処理を行う第1熱処理部と、
基板に熱処理を行う第2熱処理部と、
を備え、
前記第1熱処理部と前記搬送スペースと第2熱処理部は、前後方向と直交する幅方向にこの順番で並ぶように配置され、
前記第1熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第1熱処理ユニットと、
を備え、
前記第2熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第2熱処理ユニットと、
を備え、
前記第1搬送機構は、前記第1熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第2搬送機構は、前記第2熱処理ユニットに基板を搬送し、
前後方向における1つの前記第1熱処理ユニットの長さは、基板の半径の3倍以下であり、
前後方向における1つの前記第2熱処理ユニットの長さは、基板の半径の3倍以下である
基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
前後方向に延びる搬送スペースと、
前記搬送スペースに設けられる第1搬送機構と、
前記搬送スペースに設けられる第2搬送機構と、
基板に熱処理を行う第1熱処理部と、
基板に熱処理を行う第2熱処理部と、
を備え、
前記第1熱処理部と前記搬送スペースと第2熱処理部は、前後方向と直交する幅方向にこの順番で並ぶように配置され、
前記第1熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第1熱処理ユニットと、
を備え、
前記第2熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第2熱処理ユニットと、
を備え、
前記第1搬送機構は、前記第1熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第2搬送機構は、前記第2熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第1熱処理ユニットはそれぞれ、前記第1熱処理ユニットの中心に位置する仮想的な第1中心点を有し、
前後方向に隣り合う2つの前記第1中心点の間の距離は、基板の半径の3倍以下であり、
前記第2熱処理ユニットはそれぞれ、前記第2熱処理ユニットの中心に位置する仮想的な第2中心点を有し、
前後方向に隣り合う2つの前記第2中心点の間の距離は、基板の半径の3倍以下である
基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
前後方向に延びる搬送スペースと、
前記搬送スペースに設けられる第1搬送機構と、
前記搬送スペースに設けられる第2搬送機構と、
基板に熱処理を行う第1熱処理部と、
基板に熱処理を行う第2熱処理部と、
を備え、
前記第1熱処理部と前記搬送スペースと第2熱処理部は、前後方向と直交する幅方向にこの順番で並ぶように配置され、
前記第1熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第1熱処理ユニットと、
を備え、
前記第2熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第2熱処理ユニットと、
を備え、
前記第1搬送機構は、前記第1熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第2搬送機構は、前記第2熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第1搬送機構は、
前記第1熱処理ユニットに対して前後方向に移動可能な第1水平移動部と、
前記第1水平移動部に支持され、前記第1水平移動部に対して第1軸線回りに回転可能な第1アーム部と、
前記第1アーム部に固定され、基板を保持する第1保持部と、
を備え、
前記第1軸線は上下方向と平行であり、
平面視において、前記第1水平移動部に対する前記第1軸線の相対的な位置は、一定であり、
平面視において、前記第1保持部と前記第1軸線との距離は、一定であり、
前記第2搬送機構は、
前記第2熱処理ユニットに対して前後方向に移動可能な第2水平移動部と、
前記第2水平移動部に支持され、前記第2水平移動部に対して第2軸線回りに回転可能な第2アーム部と、
前記第2アーム部に固定され、基板を保持する第2保持部と、
を備え、
前記第2軸線は上下方向と平行であり、
平面視において、前記第2水平移動部に対する前記第2軸線の相対的な位置は、一定であり、
平面視における前記第2保持部と前記第2軸線との距離は、一定である
基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記第1水平移動部が前後方向に移動しながら、前記第1アーム部が前記第1軸線回りに回転することによって、前記第1保持部に保持された基板を、前記第1熱処理ユニットに向かって幅方向に直線的に移動させ、
前記第2水平移動部が前後方向に移動しながら、前記第2アーム部が前記第2軸線回りに回転することによって、前記第2保持部に保持された基板を、前記第2熱処理ユニットに向かって幅方向に直線的に移動させる
基板処理装置。 - 基板処理装置であって、
前後方向に延びる搬送スペースと、
前記搬送スペースに設けられる第1搬送機構と、
前記搬送スペースに設けられる第2搬送機構と、
基板に熱処理を行う第1熱処理部と、
基板に熱処理を行う第2熱処理部と、
を備え、
前記第1熱処理部と前記搬送スペースと第2熱処理部は、前後方向と直交する幅方向にこの順番で並ぶように配置され、
前記第1熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第1熱処理ユニットと、
を備え、
前記第2熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第2熱処理ユニットと、
を備え、
前記第1搬送機構は、前記第1熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第2搬送機構は、前記第2熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第1搬送機構と前記第2搬送機構は、前記幅方向に並ぶように配置され、
基板処理装置は、
前記第1搬送機構の前方に配置され、前記第1搬送機構が基板を載置可能な第1前載置部と、
前記第2搬送機構の前方に配置され、前記第2搬送機構が基板を載置可能な第2前載置部と、
を備え、
前記第1前載置部と前記第2前載置部は、上下方向に並ぶように配置され、
前記第2前載置部は、平面視において、前記第1前載置部と重なる
基板処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1搬送機構は、前記第1熱処理ユニットに対して前後方向に移動可能であり、
前記第2搬送機構は、前記第1搬送機構とは独立して、前記第2熱処理ユニットに対して前後方向に移動可能である
基板処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
幅方向における前記搬送スペースの長さは、基板の半径の5倍以下である
基板処理装置。 - 請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1熱処理部が基板に行う前記熱処理は、
液処理が行われる前の基板に行う熱処理である前処理と、
前記液処理が行われた後の基板に行う熱処理である後処理と、
を含み、
前記第2熱処理部が基板に行う前記熱処理は、
前記前処理と、
前記後処理と、
を含む
基板処理装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第1熱処理部が基板に行う前記熱処理は、
疎水化処理と、
加熱処理と、
を含み、
前記第2熱処理部が基板に行う前記熱処理は、
前記疎水化処理と、
前記加熱処理と、
を含む
基板処理装置。 - 請求項1から9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第2熱処理部が基板に行う前記熱処理は、前記第1熱処理部が基板に行う前記熱処理と同じである
基板処理装置。 - 請求項1から10のいずれかに記載の基板処理装置において、
基板処理装置は、
基板に液処理を行う液処理部と、
を備え、
前記液処理部は、前記第1搬送機構が基板を搬送可能な領域の外部に配置され、かつ、前記第2搬送機構が基板を搬送可能な領域の外部に配置される
基板処理装置。 - 請求項11に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記第1搬送機構および前記第2搬送機構の後方に配置され、前記液処理部に基板を搬送する液処理用搬送機構と、
を備え、
前記液処理部は、前記液処理用搬送機構に隣接する位置に配置される
基板処理装置。 - 請求項1から9のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記搬送スペースに設けられ、基板を搬送する第3搬送機構と、
前記搬送スペースに設けられ、基板を搬送する第4搬送機構と、
基板に熱処理を行う第3熱処理部と、
基板に熱処理を行う第4熱処理部と、
を備え、
前記第3熱処理部と前記搬送スペースと第4熱処理部は、幅方向にこの順番で並ぶように配置され、
前記第3搬送機構と前記第4搬送機構は、前記第1搬送機構と前記第2搬送機構の上方に配置され、
前記第3熱処理部は、平面視において、前記第1熱処理部と重なり、
前記第4熱処理部は、平面視において、前記第2熱処理部と重なり、
前記第3熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第3熱処理ユニットと、
を備え、
前記第4熱処理部は、
前後方向に並ぶように配置され、1枚の基板に熱処理を行う複数の第4熱処理ユニットと、
を備え、
前記第3搬送機構は、前記第3熱処理ユニットに基板を搬送し、
前記第4搬送機構は、前記第4熱処理ユニットに基板を搬送する
基板処理装置。 - 請求項13に記載の基板処理装置において、
前記第2熱処理部が基板に行う前記熱処理は、前記第1熱処理部が基板に行う前記熱処理と同じであり、
前記第3熱処理部が基板に行う前記熱処理は、前記第1熱処理部が基板に行う前記熱処理と同じであり、
前記第4熱処理部が基板に行う前記熱処理は、前記第1熱処理部が基板に行う前記熱処理と同じである
基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記第1搬送機構の前方に配置され、前記第1搬送機構が基板を載置可能な第1前載置部と、
前記第2搬送機構の前方に配置され、前記第2搬送機構が基板を載置可能な第2前載置部と、
前記第3搬送機構の前方に配置され、前記第3搬送機構が基板を載置可能な第3前載置部と、
前記第4搬送機構の前方に配置され、前記第4搬送機構が基板を載置可能な第4前載置部と、
を備え、
前記第1前載置部と前記第2前載置部と前記第3前載置部と前記第4前載置部は、上下方向に並ぶように配置され、
前記第2前載置部は、平面視において、前記第1前載置部と重なり、
前記第3前載置部は、平面視において、前記第1前載置部と重なり、
前記第4前載置部は、平面視において、前記第1前載置部と重なる
基板処理装置。 - 請求項15に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記第1前載置部、前記第2前載置部、前記第3前載置部、および前記第4前載置部の前方に配置されるインデクサ用搬送機構と、
を備え、
前記インデクサ用搬送機構は、
基板を収容するキャリアと前記第1前載置部との間で基板を搬送し、
前記キャリアと前記第2前載置部との間で基板を搬送し、
前記キャリアと前記第3前載置部との間で基板を搬送し、かつ、
前記キャリアと前記第4前載置部との間で基板を搬送する
基板処理装置。 - 請求項13から16のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
基板に液処理を行う液処理部と、
を備え、
前記液処理部は、
前記第1搬送機構が基板を搬送可能な領域の外部に配置され、
前記第2搬送機構が基板を搬送可能な領域の外部に配置され、
前記第3搬送機構が基板を搬送可能な領域の外部に配置され、かつ、
前記第4搬送機構が基板を搬送可能な領域の外部に配置される
基板処理装置。 - 請求項17に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記第1搬送機構、前記第2搬送機構、前記第3搬送機構および前記第4搬送機構の後方に配置され、前記液処理部に基板を搬送する液処理用搬送機構と、
を備え、
前記液処理部は、前記液処理用搬送機構と幅方向に並ぶ位置、および、前記液処理用搬送機構の後方の位置の少なくともいずれかに配置される
基板処理装置。 - 請求項18に記載の基板処理装置において、
前記基板処理装置は、
前記第1搬送機構の後方、かつ、前記液処理用搬送機構の前方に配置され、前記第1搬送機構および前記液処理用搬送機構が基板を載置可能な第1後載置部と、
前記第2搬送機構の後方、かつ、前記液処理用搬送機構の前方に配置され、前記第2搬送機構および前記液処理用搬送機構が基板を載置可能な第2後載置部と、
前記第3搬送機構の後方、かつ、前記液処理用搬送機構の前方に配置され、前記第3搬送機構および前記液処理用搬送機構が基板を載置可能な第3後載置部と、
前記第4搬送機構の後方、かつ、前記液処理用搬送機構の前方に配置され、前記第4搬送機構および前記液処理用搬送機構が基板を載置可能な第4後載置部と、
を備え、
前記第1後載置部と前記第2後載置部と前記第3後載置部と前記第4後載置部は、上下方向に並ぶように配置され、
前記第2後載置部は、平面視において、前記第1後載置部と重なり、
前記第3後載置部は、平面視において、前記第1後載置部と重なり、
前記第4後載置部は、平面視において、前記第1後載置部と重なる
基板処理装置。
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|---|---|---|---|---|
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| WO2021095251A1 (ja) * | 2019-11-15 | 2021-05-20 | キオクシア株式会社 | ストレージデバイスおよび制御方法 |
| JP7515323B2 (ja) * | 2020-07-09 | 2024-07-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置及び基板搬送方法 |
| CN113078089A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-07-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆转移装置、半导体工艺设备、晶圆转移控制方法 |
| CN113257723B (zh) * | 2021-07-08 | 2022-04-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺设备 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080153182A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Sokudo Co., Ltd | Method and system to measure and compensate for substrate warpage during thermal processing |
| JP2008192756A (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及び加熱方法 |
| JP2009278027A (ja) | 2008-05-19 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム |
| JP2011103463A (ja) | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Intevac Inc | z運動し、多関節アームを備える直線真空ロボット |
| JP2017041588A (ja) | 2015-08-21 | 2017-02-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7819079B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US20060182535A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-08-17 | Mike Rice | Cartesian robot design |
| JP4414909B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
| WO2008008727A2 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-17 | Applied Materials, Inc. | Scheduling method for processing equipment |
| US8419341B2 (en) * | 2006-09-19 | 2013-04-16 | Brooks Automation, Inc. | Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm |
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| JP5323730B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5338777B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| CN103199032A (zh) * | 2012-01-04 | 2013-07-10 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种集束式结构的涂胶显影设备 |
| JP5673577B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2015-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2011103463A (ja) | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Intevac Inc | z運動し、多関節アームを備える直線真空ロボット |
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