JP7186605B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

特許文献１には、第１搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、フォトレジスト膜を基板に形成し、基板が露光された後に第２搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、現像処理を基板に行うことが開示されている。

特開２００７－１５８２５３号公報

本開示は、基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。

本開示の一態様による基板処理装置は、前処理ラインと、塗布ラインと、搬送ラインと、現像処理ラインと、第１搬送部と、第２搬送部と、第３搬送部と、第４搬送部とを備える。塗布ラインは、前処理ラインに対して並列に配置される。搬送ラインは、塗布ラインの上方、または下方に配置される。現像処理ラインは、前処理ラインの上方、または下方に配置される。第１搬送部は、前処理ラインと塗布ラインとの間に設けられ、前処理ラインから塗布ラインに基板を搬送する。第２搬送部は、第１搬送部に対して直列に配置され、基板を搬送ラインに搬送する。第３搬送部は、第１搬送部に対して直列に配置され、現像処理ラインに基板を搬送する。第４搬送部は、第１搬送部に対して直列に配置され、現像処理ラインから基板を搬送する。

本開示によれば、基板処理装置の全長を短くすることができる。

図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す左側方図（その１）である。 図３は、実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す左側方図（その２）である。 図４は、図１のIV-IV断面におけるブロック図である。 図５は、実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。 図６Ａは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。 図６Ｂは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。 図６Ｃは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。 図６Ｄは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。 図６Ｅは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。 図６Ｆは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。 図６Ｇは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その７）である。 図６Ｈは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その８）である。 図６Ｉは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その９）である。 図６Ｊは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１０）である。 図６Ｋは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１１）である。 図６Ｌは、実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１２）である。 図７は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図８は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図９は、変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。

以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向は、水平方向である。

また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸負方向を左方とし、Ｙ軸正方向を右方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。

＜全体構成＞
実施形態に係る基板処理装置１について図１～図４を参照し説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す左側方図（その１）である。図３は、実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す左側方図（その２）である。図４は、図１のIV-IV断面におけるブロック図である。

基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）と、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）と、第３処理ライン５（現像処理ラインの一例）とを備える。また、基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）６（減圧乾燥部の一例）と、第１熱処理ユニット７（熱処理部の一例）と、搬送ライン８と、第２熱処理ユニット９とを備える。また、基板処理装置１は、第３搬送部１０Ｂを含むインターフェースステーション１０と、第１搬送部１１と、第２搬送部１２、第４搬送部１３と、制御装置１４とを備える。

カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１５と、カセットＣと第１処理ライン３との間、および後述する検査ユニット（ＩＰ）６５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１６とを備える。なお、基板Ｓは、矩形状である。また、カセットステーション２は、外部装置として設けられてもよい。すなわち、基板処理装置１は、カセットステーション２を含まない構成であってもよい。

搬送装置１６は、搬送アーム１６ａを備える。搬送アーム１６ａは、水平方向（前後方向、および左右方向）および鉛直方向への移動が可能である。また、搬送装置１６は、鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第１処理ライン３は、第２処理ライン４に搬送される基板Ｓに前処理を行う。具体的には、第１処理ライン３には、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ－ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とが含まれる。また、第１処理ライン３には、ロータリーステージ２５が含まれる。

第１処理ライン３では、ロータリーステージ２５、ユニット２０～２４は、カセットステーション２から露光システム６０の露光装置６１に向かう方向に並んで配置される。具体的には、第１処理ライン３では、ロータリーステージ２５、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順にＸ軸正方向に沿って配置される。第１処理ライン３は、第３処理ライン５の上方に配置される。なお、第１処理ライン３は、第３処理ライン５の下方に配置されてもよい。

ロータリーステージ２５は、エキシマＵＶ照射ユニット２０以降の第１処理ライン３において基板Ｓの短辺（短手方向）が搬送方向（Ｘ軸正方向）に平行となる状態で搬送されるように基板Ｓの向きを調整する。具体的には、ロータリーステージ２５は、カセットステーション２から搬送された基板Ｓを水平方向に９０度または－９０度回転させる。

以下では、基板Ｓの短辺が基板Ｓの搬送方向に平行となる状態で搬送されることを「短辺流し搬送」と称する。また、基板Ｓの長辺が基板Ｓの搬送方向に平行となる状態で搬送されることを、「長辺流し搬送」と称する。

エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。

スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。

プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓを加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。

アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水処理を行う。

第１冷却ユニット２４は、疎水処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。第１冷却ユニット２４によって冷却された基板Ｓは、第１冷却ユニット２４に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される搬出部２６に搬送される。なお、搬出部２６は、第１冷却ユニット２４に含まれてもよい。

第１処理ライン３では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１７によって搬送される。コロ搬送機構１７は、複数のコロ１７ａを駆動装置（不図示）で回転させることで、基板Ｓを搬送する。コロ搬送機構１７は、図２において一部を記載し、他は省略する。平流し搬送とは、基板Ｓが水平に保たれた状態、またはＹ軸方向に傾斜した状態で、所定の方向、例えば、Ｘ軸方向に沿って搬送されることである。なお、基板Ｓは、コンベア搬送機構などによって平流し搬送されてもよい。

第２処理ライン４は、基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布し、フォトレジスト膜を形成する形成処理を行う。第２処理ライン４は、第１処理ライン３に対して並列に配置される。具体的には、第２処理ライン４は、第１処理ライン３の左方に配置される。すなわち、第１処理ライン３、および第２処理ライン４は、左右方向に並んで配置される。第２処理ライン４には、第１処理ライン３の第１冷却ユニット２４によって冷却された基板Ｓが第１搬送部１１によって搬送される。

第２処理ライン４には、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２７が含まれる。フォトレジスト塗布ユニット２７は、基板Ｓ上にフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。

第２処理ライン４では、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、浮上式の搬送機構（不図示）によって搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、左右方向の両端で基板Ｓを下方から支持し、基板Ｓに向けて下方から圧縮空気を吹き付けて基板Ｓを水平に保持しつつ、基板Ｓを移動させる。

なお、第２処理ライン４では、フォトレジスト液を塗布する箇所付近の基板Ｓの搬送に浮上式の搬送機構が用いられ、その他の箇所では基板Ｓの搬送に、例えば、コロ搬送機構１７が用いられてもよい。第２処理ライン４では、基板Ｓは短辺流し搬送される。また、第２処理ライン４では、基板Ｓは載置台に載置された状態で搬送され、フォトレジスト膜が形成されてもよい。

第１搬送部１１は、第１処理ライン３と第２処理ライン４との間に配置される。第１搬送部１１は、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１１Ａを備える。また、第１搬送部１１は、前後方向に沿った移動、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第１搬送部１１は、第１処理ライン３から第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する第１搬送処理（第１搬送工程の一例）を行う。また、第１搬送部１１は、第２処理ライン４から減圧乾燥ユニット６に基板Ｓを搬送する第２搬送処理を行う。

減圧乾燥ユニット６は、第１搬送部１１に対して直列に配置され、第１搬送部１１に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。なお、減圧乾燥ユニット６の上方には、第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット（ＣＯＬ）３１が配置される。減圧乾燥ユニット６には、第２処理ライン４によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが第１搬送部１１によって搬送される。

減圧乾燥ユニット６は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに減圧乾燥処理を行う。具体的には、減圧乾燥ユニット６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。なお、減圧乾燥ユニット６は、上下方向に複数段配置されてもよい。

減圧乾燥ユニット６は、前後方向の両端に開口部（不図示）を有しており、前方から第１搬送部１１によって基板Ｓを搬入することができる。また、減圧乾燥ユニット６は、後方から第２搬送部１２によって基板Ｓを搬出することができる。

第１熱処理ユニット７には、減圧乾燥ユニット６によって減圧乾燥処理が行われた基板Ｓが第２搬送部１２によって搬送される。

第１熱処理ユニット７は、減圧乾燥処理が行われた基板Ｓに第１熱処理を行う。第１熱処理ユニット７には、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）３０（加熱部の一例）と、第２冷却ユニット３１（冷却部の一例）とが含まれる。

第１加熱ユニット３０は、第２処理ライン４に対して直列に配置され、第２処理ライン４よりもＸ軸負方向側に配置される。なお、第１加熱ユニット３０の上方には、搬送ライン８の一部が配置される。第１加熱ユニット３０は、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓ、すなわちフォトレジスト膜が形成され、減圧乾燥された基板Ｓを加熱する。第１加熱ユニット３０は、基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。第１加熱ユニット３０は、プレート式の加熱ユニットであり、基板Ｓがプレート（不図示）に載置された状態で、プレートを加熱することで基板Ｓを加熱する。第１加熱ユニット３０によって加熱された基板Ｓは、第２搬送部１２によって第２冷却ユニット３１に搬送される。第１加熱ユニット３０は、上下方向に複数段設けられてもよい。

第２冷却ユニット３１は、減圧乾燥ユニット６の上方に配置される。なお、第２冷却ユニット３１は、減圧乾燥ユニット６の下方に配置されてもよい。第２冷却ユニット３１は、第１加熱ユニット３０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第２冷却ユニット３１は、例えば、プレート式の冷却ユニットであり、さらに基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却してもよい。第２冷却ユニット３１によって冷却された基板Ｓは、第２搬送部１２によって搬送ライン８に搬送される。第２冷却ユニット３１は、上下方向に複数段設けられてもよい。

第２搬送部１２は、第１搬送部１１に対して直列に配置され、第１搬送部１１よりもＸ軸負方向側に配置される。第１搬送部１１と第２搬送部１２との間には、上下方向に積層された減圧乾燥ユニット６、および第２冷却ユニット３１が配置される。

第２搬送部１２は、減圧乾燥ユニット６から第１加熱ユニット３０に基板Ｓを搬送する第３搬送処理を行う。また、第２搬送部１２は、第２冷却ユニット３１から搬送ライン８に基板Ｓを搬送する第４搬送処理（第２搬送工程の一例）を行う。また、第２搬送部１２は、第１熱処理ユニット７において基板Ｓの搬送を行う。具体的には、第２搬送部１２は、第１加熱ユニット３０から第２冷却ユニット３１に基板Ｓを搬送する。

搬送ライン８は、第２処理ライン４、および第１加熱ユニット３０の上方に配置される。搬送ライン８は、第５搬送処理（第３搬送工程の一例）を行う。搬送ライン８では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１７によって搬送される。搬送ライン８では、基板Ｓは短辺流し搬送される。

搬送ライン８には、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）６３が設けられる。タイトラー６３は、基板Ｓに管理用コードを書き込む。

インターフェースステーション１０は、第１搬送部１１、第２処理ライン４、および搬送ライン８に対してＸ軸正方向側に隣接するように配置される。具体的には、インターフェースステーション１０は、露光装置６１と、第１搬送部１１、第２処理ライン４、および搬送ライン８との間に配置される。インターフェースステーション１０は、ロータリーステージ（ＲＯＴ）１０Ａと、第３搬送部１０Ｂとを備える。

ロータリーステージ１０Ａは、搬送ライン８に対してＸ軸正方向側に隣接するように配置される。ロータリーステージ１０Ａには、第１熱処理ユニット７によって第１熱処理が行われた基板Ｓが搬送ライン８によって搬送される。

ロータリーステージ１０Ａは、基板Ｓを水平方向に９０度または－９０度回転させる。なお、ロータリーステージ１０Ａは、基板Ｓの温度を調整する温調装置を設けてもよい。

第３搬送部１０Ｂは、第１搬送部１１に対して直列に配置される。具体的には、第３搬送部１０Ｂは、第１搬送部１１に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。第３搬送部１０Ｂは、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１０Ｃを備える。また、第３搬送部１０Ｂは、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第３搬送部１０Ｂは、第６搬送処理（第４搬送工程の一例）を行う。具体的には、第３搬送部１０Ｂは、ロータリーステージ１０Ａから露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。また、第３搬送部１０Ｂは、露光装置６１から露光システム６０の周辺露光装置（ＥＥ）６２に基板Ｓを搬送する。なお、周辺露光装置６２に搬送された基板Ｓは、周辺露光装置６２から第３処理ライン５に搬送される。すなわち、第３搬送部１０Ｂは、周辺露光装置６２を介して基板Ｓを第３処理ライン５に搬送する。

なお、インターフェースステーション１０は、露光装置６１によって露光された基板Ｓを一時的に載置するバッファ部（不図示）を備えてもよい。バッファ部は、例えば、周辺露光装置６２の上方に配置される。これにより、例えば、第３処理ライン５において処理に遅延が生じた場合に、基板処理装置１は、露光が終了した基板Ｓをバッファ部に一時的に載置し、基板Ｓに対する処理、形成処理や、第１熱処理などを継続して行うことができる。

露光システム６０は、露光装置６１と、周辺露光装置６２（外部装置の一例）とを備える。

露光装置６１は、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。

周辺露光装置６２は、第３処理ライン５に対してＸ軸正方向側に隣接するように配置される。周辺露光装置６２は、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去する。

第３処理ライン５は、露光システム６０によって露光された基板Ｓに現像処理を行う。第３処理ライン５は、周辺露光装置６２から搬送される基板Ｓに現像処理を行う。言い換えると、第３処理ライン５は、周辺露光装置６２を介して第３搬送部１０Ｂによって搬送された基板Ｓに現像処理を行う。

第３処理ライン５は、第１処理ライン３の下方に配置される。第３処理ライン５は、周辺露光装置６２よりもＸ軸負方向側に配置される。なお、第３処理ライン５、および周辺露光装置６２は、第１処理ライン３の上方に配置されてもよい。

第３処理ライン５では、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。第３処理ライン５では、基板Ｓは長辺平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１７によって搬送される。

第３処理ライン５には、現像ユニット（ＤＥＶ）４０と、洗浄ユニット（ＲＩＮ）４１と、乾燥ユニット（ＤＲＹ）４２とが含まれる。第３処理ライン５では、ユニット４０～４２は、現像ユニット４０、洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２の順にＸ軸負方向に沿って配置される。

現像ユニット４０は、周辺露光装置６２から搬送された基板Ｓに対し、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。洗浄ユニット４１は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液を洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））によって洗い流す。乾燥ユニット４２は、洗浄液によって洗い流した基板Ｓ上の洗浄液を乾燥させる。乾燥ユニット４２によって乾燥された基板Ｓは、乾燥ユニット４２に対してＸ軸負方向側に隣接して配置された搬出部４３に搬送される。なお、搬出部４３は、乾燥ユニット４２に含まれてもよい。

基板処理装置１では、第３処理ライン５は、第１処理ライン３の下方に配置されている。そのため、洗浄ユニット４１に供給される洗浄液と、第１処理ライン３のスクラブ洗浄ユニット２１に供給される洗浄液を共通の洗浄液タンク（不図示）から供給することができる。また、基板処理装置１は、洗浄ユニット４１、およびスクラブ洗浄ユニット２１と、洗浄液タンクとを接続する配管（不図示）を短くすることができる。

第３処理ライン５によって現像処理が行われた基板Ｓは、第４搬送部１３によって搬出部４３から第２熱処理ユニット９に搬送される。

第２熱処理ユニット９は、現像処理が行われた基板Ｓに第２熱処理を行う。第２熱処理ユニット９は、第２加熱ユニット（ＰＯ／ＢＡＫＥ）５０（現像加熱部の一例）と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）５１とを備える。

第２加熱ユニット５０は、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する。第２加熱ユニット５０は、第４搬送部１３に対してＸ軸負方向側に隣接するように配置される。具体的には、第２加熱ユニット５０は、第４搬送部１３とカセットステーション２との間に配置される。第２加熱ユニット５０は、例えば、上下方向に複数段配置される。

第２加熱ユニット５０には、第３処理ライン５によって現像処理が行われた基板Ｓが第４搬送部１３によって搬送される。第２加熱ユニット５０は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。第２加熱ユニット５０は、第１加熱ユニット３０と同様に、プレート式の加熱ユニットである。

第３冷却ユニット５１は、第３処理ライン５の搬出部４３の上方に配置され、第２加熱ユニット５０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第３冷却ユニット５１には、第２加熱ユニット５０によって溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓが、第４搬送部１３によって搬送される。第３冷却ユニット５１によって冷却された基板Ｓは、第４搬送部１３によって検査ユニット６５に搬送される。なお、第３冷却ユニット５１は、複数設けられてもよい。第３冷却ユニット５１は、検査ユニット６５の上方にも配置されてもよい。

第４搬送部１３は、第１搬送部１１に対して直列に配置される。第４搬送部１３は、第２搬送部１２に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。第４搬送部１３は、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１３Ａを備える。また、第４搬送部１３は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。

第４搬送部１３は、第３処理ライン５から第２加熱ユニット５０に基板Ｓを搬送する第７搬送処理（第５搬送工程の一例）を行う。また、第４搬送部１３は、第３冷却ユニット５１から検査ユニット６５に基板Ｓを搬送する第８搬送処理を行う。また、第４搬送部１３は、第２熱処理ユニット９において基板Ｓの搬送を行う。具体的には、第４搬送部１３は、第２加熱ユニット５０から第３冷却ユニット５１に基板Ｓを搬送する。

検査ユニット６５は、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。検査ユニット６５によって検査が行われた基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。

基板処理装置１では、第１搬送部１１、第２搬送部１２、第３搬送部１０Ｂ、第４搬送部１３は、Ｘ軸方向に沿って並んで配置される。具体的には、基板処理装置１では、第１搬送部１１、第２搬送部１２、第３搬送部１０Ｂ、および第４搬送部１３は、Ｘ軸正方向に沿って、第４搬送部１３、第２搬送部１２、第１搬送部１１、および第３搬送部１０Ｂの順に並んで配置される。

制御装置１４は、例えば、コンピュータであり、制御部１４Ａと記憶部１４Ｂとを備える。記憶部１４Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

制御部１４Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、カセットステーション２や、各処理ライン３～５などの制御を実現する。

なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置１４の記憶部１４Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

＜基板処理＞
次に、実施形態に係る基板処理について図５、および図６Ａ～図６Ｌを参照し説明する。図５は、実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。図６Ａ～図６Ｌは、実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１～その１２）である。なお、図６Ａ～図６Ｌは、説明のため、第１処理ライン３と第３処理ライン５とを並べて記載している。

基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。基板処理装置１は、図６Ａに示すように、カセットステーション２から第１処理ライン３に基板Ｓを搬送し、基板Ｓを平流し搬送しつつ、基板Ｓに前処理を行う。

基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１１）。基板処理装置１は、図６Ｂに示すように、第１搬送部１１によって基板Ｓを第１処理ライン３から第２処理ライン４に搬送する。

基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１２）。基板処理装置１は、図６Ｂに示すように、基板Ｓを平流し搬送しつつ、フォトレジスト塗布ユニット２７によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。

基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１３）。基板処理装置１は、図６Ｃに示すように、第１搬送部１１によって基板Ｓを第２処理ライン４から減圧乾燥ユニット６に搬送する。

基板処理装置１は、減圧乾燥処理を行う（Ｓ１４）。基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６によって基板Ｓを減圧乾燥させる。

基板処理装置１は、第３搬送処理を行う（Ｓ１５）。基板処理装置１は、図６Ｄに示すように、第２搬送部１２によって基板Ｓを減圧乾燥ユニット６から第１熱処理ユニット７の第１加熱ユニット３０に搬送する。

基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１６）。基板処理装置１は、第１加熱ユニット３０によって基板Ｓを加熱する。

さらに、基板処理装置１は、第１加熱ユニット３０によって加熱した基板Ｓを、図６Ｅに示すように、第２搬送部１２によって第２冷却ユニット３１に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット３１によって基板Ｓを冷却する。

基板処理装置１は、第４搬送処理を行う（Ｓ１７）。基板処理装置１は、図６Ｆに示すように、基板Ｓを第２搬送部１２によって第２冷却ユニット３１から、搬送ライン８に搬送する。

基板処理装置１は、第５搬送処理を行う（Ｓ１８）。基板処理装置１は、図６Ｇに示すように、搬送ライン８によって基板Ｓを搬送する。

基板処理装置１は、第６搬送処理を行う（Ｓ１９）。基板処理装置１は、図６Ｈに示すように、基板Ｓを搬送ライン８からインターフェースステーション１０のロータリーステージ１０Ａに搬送する。そして、基板処理装置１は、ロータリーステージ１０Ａによって水平方向に９０度または－９０度回転した基板Ｓを第３搬送部１０Ｂによって露光システム６０の露光装置６１に搬送する。また、基板処理装置１は、基板Ｓを第３搬送部１０Ｂによって露光装置６１から周辺露光装置６２に搬送する。

基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ２０）。基板処理装置１は、図６Ｉに示すように、基板Ｓを周辺露光装置６２から第３処理ライン５に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、現像ユニット４０によって基板Ｓを現像する。また、基板処理装置１は、現像した基板Ｓを洗浄ユニット４１によって洗い流し、乾燥ユニット４２によって乾燥させる。

基板処理装置１は、第７搬送処理を行う（Ｓ２１）。基板処理装置１は、図６Ｊに示すように、基板Ｓを第４搬送部１３によって第３処理ライン５の搬出部４３から第２熱処理ユニット９の第２加熱ユニット５０に搬送する。

基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ２２）。具体的には、基板処理装置１は、基板Ｓを第２加熱ユニット５０によって加熱する。そして、基板処理装置１は、図６Ｋに示すように、加熱した基板Ｓを第４搬送部１３によって第３処理ライン５の搬出部４３の上方に配置された第３冷却ユニット５１に搬送し、基板Ｓを冷却する。

基板処理装置１は、第８搬送処理を行う（Ｓ２３）。基板処理装置１は、図６Ｌに示すように、第４搬送部１３によって基板Ｓを第３冷却ユニット５１から検査ユニット６５に搬送する。検査が終了した基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。

＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓに前処理を行う第１処理ライン３と、第１処理ライン３に対して並列に配置され、前処理が行われた基板Ｓにフォトレジスト液を塗布する第２処理ライン４とを備える。また、基板処理装置１は、第２処理ライン４の上方に配置され、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを搬送する搬送ライン８と、第１処理ライン３の下方に配置され、基板Ｓに現像処理を行う第３処理ライン５とを備える。また、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第２処理ライン４との間に設けられ、第１処理ライン３から第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する第１搬送部１１を備える。また、基板処理装置１は、第１搬送部１１に対して直列に配置され、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを搬送ライン８に搬送する第２搬送部１２を備える。また、基板処理装置１は、第１搬送部１１に対して直列に配置され、搬送ライン８から周辺露光装置６２を介して第３処理ライン５に基板Ｓを搬送する第３搬送部１０Ｂを備える。また、基板処理装置１は、第１搬送部１１に対して直列に配置され、第３処理ライン５から現像処理が行われた基板Ｓを搬送する第４搬送部１３を備える。

これにより、基板処理装置１は、前処理を行う第１処理ライン３と、フォトレジスト膜を形成する第２処理ライン４とを左右方向に並べて配置することができる。そのため、基板処理装置１は、Ｘ軸方向（前後方向）の長さ、すなわち、基板処理装置１の全長を短くすることができる。

また、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第３処理ライン５とを上下方向に積層して配置することで、Ｙ軸方向（左右方向）の長さが長くなることを抑制することができる。また、基板処理装置１は、例えば、第１処理ライン３のスクラブ洗浄ユニット２１と、第３処理ライン５の洗浄ユニット４１とに同じ洗浄液タンクから洗浄液を供給することができる。また、基板処理装置１は、各洗浄ユニット２１、４１と、洗浄液タンクとを接続する配管を短くすることができる。すなわち、基板処理装置１は、共通の洗浄液タンクを使用しつつ、洗浄液タンクと各洗浄ユニット２１、４１とを接続する配管を短くすることができる。そのため、基板処理装置１は、装置全体を小型化するとともに、コストを削減することができる。

また、基板処理装置１は、第１搬送部１１を第１処理ライン３と第２処理ライン４との間に配置し、かつ第２搬送部１２、第３搬送部１０Ｂ、および第４搬送部１３を第１搬送部１１に対して直列に配置する。具体的には、基板処理装置１は、第４搬送部１３、第２搬送部１２、第１搬送部１１、および第３搬送部１０ＢをＸ軸方向に沿って配置する。

これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３や、第３処理ライン５におけるＸ軸方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。

また、基板処理装置１は、搬送ライン８によって基板Ｓをロータリーステージ１０Ａに搬送することができ、第１搬送部１１、および第２搬送部１２による搬送工数を少なくすることができる。そのため、基板処理装置１は、例えば、第１搬送部１１による基板搬送の待ち時間を短くし、装置全体における基板Ｓの処理時間を短くすることができる。

基板処理装置１は、第１搬送部１１と第２搬送部１２との間に減圧乾燥ユニット６を配置し、搬送ライン８の下方に第１加熱ユニット３０を配置する。また、基板処理装置１は、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓを第１搬送部１１によって減圧乾燥ユニット６に搬送する。また、基板処理装置１は、減圧乾燥処理が行われた基板Ｓを第２搬送部１２によって第１加熱ユニット３０に搬送する。すなわち、第１搬送部１１は、第１加熱ユニット３０に挿入されない。

これにより、基板処理装置１は、第１搬送部１１が加熱されることを防止することができる。そのため、基板処理装置１は、第１搬送部１１によって基板Ｓを搬送する場合に、第１搬送部１１から基板Ｓに熱が伝わることを抑制することができる。従って、基板処理装置１は、第２処理ライン４に搬送される基板Ｓの温度が高くなることを抑制し、基板Ｓにフォトレジスト液の塗布斑が発生することを抑制することができる。また、基板処理装置１は、第１搬送部１１から基板Ｓへ熱が伝わることを抑制する熱転写対策を施さずに、基板Ｓを第１搬送部１１によって搬送することができる。従って、基板処理装置１は、コストを削減することができる。また、基板処理装置１は、第１搬送部１１による搬送工数を少なくすることができる。

また、基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６の上方に、第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１を配置する。また、基板処理装置１は、第２搬送部１２によって、第１加熱ユニット３０から第２冷却ユニット３１に基板Ｓを搬送し、かつ第２冷却ユニット３１から搬送ライン８に基板Ｓを搬送する。

これにより、基板処理装置１は、第１搬送部１１による搬送工数を少なくすることができる。

また、基板処理装置１では、搬送ライン８にタイトラー６３が設けられる。

これにより、基板処理装置１は、第３処理ライン５において、例えば、現像処理ユニット４０のＸ軸方向の長さを長くすることができる。

また、基板処理装置１は、第２熱処理ユニット９の第２加熱ユニット５０を、第１搬送部１１に対して直列に配置する。そして、基板処理装置１は、第３搬送部１０Ｂによって第３処理ライン５から基板Ｓを第２加熱ユニット５０に搬送する。

これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３や、第３処理ライン５におけるＸ軸方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。

（変形例）
次に、本実施形態の変形例について説明する。

変形例に係る基板処理装置１は、タイトラー６３が搬送ライン８に設けられていない。この場合、タイトラー６３は、図７に示すように、例えば、周辺露光装置６２とともに、露光システム６０に設けられる。図７は、変形例に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。

また、変形例に係る基板処理装置１は、図８に示すように、第１処理ライン３においてロータリーステージ２５（図１参照）を設けていない。図８は、変形例に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。変形例に係る基板処理装置１では、第１処理ライン３、および第２処理ライン４において、基板Ｓは、長辺流し搬送によって搬送される。

これにより、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット２７において処理液を吐出するノズルの左右方向の長さを短くすることができる。また、変形例に係る基板処理装置１は、装置全体の左右方向の長さを短くすることができる。

また、変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４において基板Ｓに複数回、処理液を塗布してもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト膜を形成する前に、反射防止膜を形成してもよい。この場合、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット２７に複数のノズルを備える。

変形例に係る基板処理装置１は、第１搬送部１１によって第１処理ライン３から搬送された基板Ｓに、フォトレジスト塗布ユニット２７で反射防止膜を形成する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６、第１熱処理ユニット７により各処理を行い、第１搬送部１１によって基板Ｓを搬送ライン８から再びフォトレジスト塗布ユニット２７に搬入する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、反射防止膜を形成した基板Ｓに、フォトレジスト塗布ユニット２７によってフォトレジスト膜を形成する。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓを搬出する箇所で、ピンによって基板Ｓを上方に持ち上げて第１搬送部１１によって搬送ライン８から基板Ｓを搬出する。また、例えば、変形例に係る基板処理装置１は、コロ１７ａの間に第１搬送部１１の搬送アーム１１Ａを挿入し、搬送ライン８から基板Ｓを搬出する。

このように、変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４によって複数回の処理液の塗布を行うことができる。なお、変形例に係る基板処理装置１は、複数回の処理液を塗布するユニットを上下方向に積層してもよい。

また、変形例に係る基板処理装置１は、現像処理を行わない装置であってもよい。変形例に係る基板処理装置１は、例えば、第１処理ライン３によって基板Ｓを洗浄し、第２処理ライン４によって処理液を塗布した後に、基板Ｓをカセットステーション２に搬送する。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、図９に示すように、第２搬送部１２と第４搬送部１３との間に載置部７０を備える。図９は、変形例に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。変形例に係る基板処理装置１は、処理液を塗布した基板Ｓを第２搬送部１２によって載置部７０に載置し、第３搬送部１０Ｂによって載置部７０から基板Ｓを搬送し、検査ユニット６５や、カセットステーション２に搬送する。また、例えば、搬送ライン８をＸ軸負方向に延設し、搬送ライン８によって基板ＳをＸ軸負方向に搬送可能としてもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに複数回の処理液の塗布を行い、基板Ｓに偏光膜を形成する装置であってもよい。

このように、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに複数回の処理液を塗布する装置におけるＸ軸方向の長さを短くすることができる。

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１ 基板処理装置
３ 第１処理ライン（前処理ライン）
４ 第２処理ライン（塗布ライン）
５ 第３処理ライン（現像処理ライン）
６ 減圧乾燥ユニット（載置部）
７ 第１熱処理ユニット（載置部、熱処理部）
８ 搬送ライン
９ 第２熱処理ユニット
１０Ｂ 第３搬送部
１１ 第１搬送部
１２ 第２搬送部
１３ 第４搬送部
２７ フォトレジスト塗布ユニット
３０ 第１加熱ユニット（加熱部）
３１ 第２冷却ユニット（冷却部）
５０ 第２加熱ユニット（現像加熱部）
５１ 第３冷却ユニット
６０ 露光システム
６１ 露光装置
６２ 周辺露光装置（外部装置）
６３ タイトラー

Claims (6)

1. 基板に前処理を行う前処理ラインと、
   前記前処理ラインに直交する方向に並列に配置され、前記前処理が行われた前記基板に処理液を塗布する塗布ラインと、
   前記塗布ラインの上方、または下方に配置され、前記処理液が塗布された前記基板を搬送する搬送ラインと、
   前記前処理ラインの上方、または下方に配置され、前記基板に現像処理を行う現像処理ラインと、
   前記前処理ラインと前記塗布ラインとの間に設けられ、前記前処理ラインから前記塗布ラインに前記基板を搬送する第１搬送部と、
   前記処理液が塗布された前記基板を前記搬送ラインに搬送する第２搬送部と、
   前記搬送ラインから外部装置を介して前記現像処理ラインに前記基板を搬送する第３搬送部と、
   前記現像処理ラインから前記現像処理が行われた前記基板を搬送する第４搬送部と
   を備え、
   前記第１搬送部、前記第２搬送部、前記第３搬送部、および、前記第４搬送部は、前記前処理ラインに平行する方向に沿って配置される、基板処理装置。
2. 前記第１搬送部と前記第２搬送部との間に設けられ、前記処理液が塗布された前記基板に減圧乾燥処理を行う減圧乾燥部と、
   前記搬送ラインの上方、または下方に配置され、前記減圧乾燥処理が行われた前記基板を加熱する加熱部と
   を備え、
   前記第１搬送部は、
   前記処理液が塗布された前記基板を前記塗布ラインから前記減圧乾燥部に搬送し、
   前記第２搬送部は、
   前記減圧乾燥処理が行われた前記基板を前記減圧乾燥部から前記加熱部に搬送する
   請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記減圧乾燥部の上方、または下方に配置され、前記加熱部によって加熱された前記基板を冷却する冷却部
   を備え、
   前記第２搬送部は、
   前記加熱部から前記冷却部に前記基板を搬送し、かつ前記冷却部によって冷却された前記基板を前記冷却部から前記搬送ラインに搬送する
   請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記搬送ラインには、前記基板に管理用コードを書き込むタイトラーが設けられる
   請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
5. 前記第１搬送部に対して前記前処理ラインに平行する方向に沿って配置され、前記現像処理が行われた前記基板を加熱する現像加熱部
   を備え、
   前記第４搬送部は、
   前記現像処理ラインから前記現像加熱部に前記基板を搬送する
   請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
6. 前処理ラインによって前処理が行われた基板を、前記前処理ラインに直交する方向に並列に配置され、前記基板に処理液を塗布する塗布ラインに搬送する第１搬送工程と、
   前記処理液が塗布された前記基板を、前記塗布ラインの上方、または下方に配置された搬送ラインに搬送する第２搬送工程と、
   前記処理液が塗布された前記基板を、前記搬送ラインによって搬送する第３搬送工程と、
   前記処理液が塗布された前記基板を、前記前処理ラインの上方、または下方に配置され、現像処理を行う現像処理ラインに外部装置を介して搬送する第４搬送工程と、
   前記現像処理が行われた前記基板を、前記現像処理ラインから搬送する第５搬送工程と
   を有し、
   前記第１搬送工程では、前記前処理ラインと前記塗布ラインとの間に設けられた第１搬送部によって前記基板が前記塗布ラインに搬送され、
   前記第２搬送工程では、第２搬送部によって前記基板が前記搬送ラインに搬送され、
   前記第４搬送工程では、第３搬送部によって前記基板が前記外部装置を介して前記現像処理ラインに搬送され、
   前記第５搬送工程では、第４搬送部によって前記基板が前記現像処理ラインから搬送され、
   前記第１搬送部、前記第２搬送部、前記第３搬送部、および、前記第４搬送部は、前記前処理ラインに平行する方向に沿って配置される、基板処理方法。

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