JP7190386B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、成膜装置に関する。

携帯電話に代表される無線通信機器には、半導体装置などの電子部品が多数搭載されている。半導体装置は、通信特性への影響を防止するために、外部への電磁波の漏えい等、内外に対する電磁波の影響を抑制することが求められる。このため、電磁波に対するシールド機能を有する半導体装置が用いられている。

一般的に、半導体装置は、実装基板に対する中継用の基板としてのインターポーザ基板の上に半導体チップを搭載し、この半導体チップを樹脂で封止することにより形成されている。この封止樹脂の上面および側面に導電性の電磁波シールド膜を設けることにより、シールド機能が付与された半導体装置が開発されている（特許文献１参照）。

このような電磁波シールド膜は、複数種類の金属材料の積層膜とすることができる。例えば、ＳＵＳ膜を形成した上にＣｕ膜を形成し、さらにその上にＳＵＳ膜を形成する積層構造の電磁波シールド膜が知られている。

電磁波シールド膜において、充分なシールド効果を得るためには、電気抵抗率を低くすることが必要となる。このため、電磁波シールド膜は、ある程度の厚みが要求される。半導体装置においては、一般的には、１μｍ～１０μｍ程度の膜厚があれば良好なシールド特性が得られるものとされている。上記のＳＵＳ、Ｃｕ、ＳＵＳの積層構造の電磁波シールド膜では、１μｍ～５μｍ程度の膜厚があれば、良好なシールド効果が得られることが知られている。

国際公開第２０１３／０３５８１９号公報

電磁波シールド膜の形成方法としては、めっき法が知られている。しかし、めっき法は、前処理工程、めっき処理工程、および、水洗のような後処理工程等の湿式工程を必要とすることから、電子部品の製造コストの上昇が避けられない。

そこで、乾式工程であるスパッタリング法が注目されている。スパッタリング法による成膜装置としては、プラズマを用いて成膜を行うプラズマ処理装置が提案されている。プラズマ処理装置は、ターゲットを配置した真空容器に不活性ガスを導入し、電圧を印加する。プラズマ化した不活性ガスのイオンを、成膜材料のターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。

一般的なプラズマ処理装置は、数１０秒から数分の処理時間で形成が可能な１０～数１００ｎｍの厚みの膜の形成に用いられている。しかし、上記のように、電磁波シールド膜としては、ミクロンレベルの厚みの膜を形成する必要がある。スパッタリング法は、成膜材料の粒子を成膜対象物上に堆積させて膜を形成する技術であるから、形成する膜が厚くなる程、膜の形成に要する時間は長くなる。

従って、電磁波シールド膜を形成するためには、一般的なスパッタリング法よりも長い、数１０分から１時間程度の処理時間を要することとなる。例えば、ＳＵＳ、Ｃｕ、ＳＵＳの積層構造の電磁波シールド膜では、５μｍの膜厚を得るために、１時間強の処理時間を要する場合がある。

すると、プラズマを用いるスパッタリング法では、この処理時間中、電子部品がプラズマの熱に晒され続けることになる。この結果、５μｍの厚みの膜を得るまでに、電子部品が２００℃前後まで加熱される場合がある。

一方、電子部品の耐熱温度は、数秒～数１０秒程度の一時的な加熱であれば２００℃程度であるが、加熱が数分を超える場合、一般的には１５０℃程度である。このため、一般的なプラズマによるスパッタリング法を用いて、ミクロンレベルの電磁波シールド膜を形成することは困難であった。

本発明は、成膜時の電子部品の温度上昇を抑制することができる成膜装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の成膜装置は、
減圧により真空とすることができる空間を有し、スパッタガスが導入されるチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源を有するとともに、前記スパッタ源により前記チャンバ内において、減圧された空間で電子部品に成膜する成膜処理部と、
前記チャンバ内で成膜される前記電子部品が搭載される、前記電子部品の熱容量よりも大きい熱容量を有する搬送プレートと、
前記搬送プレートを、トレイを介して搬送する搬送装置と、
前記トレイに設けられ、前記搬送プレートと前記トレイとの間に、前記搬送プレートと前記トレイとが断熱される間隙が生じるように前記搬送プレートを支持する支持部と、
を有し、
前記支持部に支持される前記搬送プレートの支持面の面積に対して、前記支持部の接触面積が５％以下である。

本発明によれば、成膜時の電子部品の温度上昇を抑制することができる成膜装置を提供できる。

実施形態の電子部品を示す模式断面図である。 実施形態の電子部品、保持シート、フレーム及び搬送プレートを示す斜視図である。 実施形態の成膜装置を示す簡略平面図である。 実施形態の成膜工程を示す説明図である。 搬送プレートの支持面を示す図である。 トレイへの搬送プレートの搭載を示す斜視図である。 トレイへの搬送プレートの搭載を示す断面図である。 搬送部を示す透視斜視図である。 搬送部を示す透視平面図である。 図９のＡ－Ａ模式縦断面図である。 冷却部を示す説明図である。 実施形態の制御装置を示すブロック図である。 比較試験の結果を示すグラフである。 支持部の他の態様を示す断面図である。 成膜部の他の態様を示す透視平面図である。 冷却部の他の態様を示す説明図である。 冷却部の他の態様を示す説明図である。

本発明の実施の形態（以下、本実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。

［電子部品］
図１（Ａ）に示すように、本実施形態の成膜対象となる電子部品１００は、半導体チップ、ダイオード、トランジスタ、コンデンサ又はＳＡＷフィルタ等の素子を、合成樹脂等の絶縁性のパッケージで封止した表面実装部品である。半導体チップは、複数の電子素子を集積化したＩＣやＬＳＩ等の集積回路である。この電子部品は、略直方体形状を有し、一面が電極露出面１１１ａとなっている。電極露出面１１１ａは、電極１１２が露出し、実装基板と対面して実装基板と接続される面である。

電磁波シールド膜１１３は電磁波を遮蔽する材料により形成される。図１（Ａ）では、電磁波シールド膜１１３のみを断面で示している。電磁波シールド膜１１３は、電子部品１００の天面１１１ｂ及び側面１１１ｃ、即ち電極露出面１１１ａ以外の外面に成膜される。天面１１１ｂは電極露出面１１１ａとは反対の面である。側面１１１ｃは天面１１１ｂと電極露出面１１１ａとを繋ぎ、天面１１１ｂ及び電極露出面１１１ａとは異なる角度で延びる外周面である。

電磁波遮断のシールド効果を得るためには、電磁波シールド膜１１３は少なくとも天面１１１ｂに形成されていればよい。側面１１１ｃには図外のグランドピンが存在している。側面１１１ｃに対する電磁波シールド膜１１３の形成は、電磁波シールド膜１１３の接地のためでもある。

なお、電子部品１００は、電磁波シールド膜１１３が形成された状態では、電磁波シールド膜１１３を含めて電子部品１００と称することがある。また、天面１１１ｂと側面１１１ｃも電磁波シールド膜１１３が形成されていても形成されていなくても単に天面１１１ｂ、側面１１１ｃと称する。つまり、電子部品１００の天面１１１ｂに形成された電磁波シールド膜１１３の表面も天面１１１ｂと称し、側面１１１ｃに形成された電磁波シールド膜１１３の表面も側面１１１ｃと称する。

［保持シート］
図１（Ｂ）は、成膜処理を受けた後の電子部品１００の状態を示す側面図である。図１（Ｂ）では、電子部品１００以外を断面で示している。また、図２は、成膜処理を受けるために、電子部品１００を搭載するための部材を示す斜視図である。図１（Ｂ）及び図２（Ａ）に示すように、電子部品１００は、一方の面に粘着性を有する粘着面を有する保持シート１２０によって保持される。より具体的には、あらかじめ電子部品１００の電極露出面１１１ａが保持シート１２０に密着され、電極１１２が保持シート１２０に埋設される。

保持シート１２０は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）などの耐熱性のある合成樹脂である。保持シート１２０の電極露出面１１１ａが密着する部品搭載面１２１と、これと反対側の支持面１２２は粘着面となっている。粘着面としては、保持シート１２０の表面に対して接着剤を適用するか、表面に接着性を生じさせた接着面とする。接着剤又は接着面の材質としては、例えば、シリコーン系、アクリル系の樹脂、その他、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂など、接着性のある種々の材料を使用できる。

本実施形態の保持シート１２０は、矩形である。保持シート１２０の部品搭載面１２１は、図２（Ａ）に示すように、保持シート１２０の端から内側へ所定距離まで及ぶ外枠領域１２１ａと、外枠領域１２１ａの内側の中枠領域１２１ｂに区分される。電子部品１００は中枠領域１２１ｂに貼り付けられる。中枠領域１２１ｂのうち、電子部品１００が貼り付けられる領域が貼付領域１２１ｃである。本実施形態では、図中一点鎖線で囲まれた領域が、貼付領域１２１ｃである。

［フレーム］
保持シート１２０には、フレーム１３０が密着される。つまり、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保持シート１２０の外枠領域１２１ａに、矩形の枠状のフレーム１３０が貼り付けられる。フレーム１３０は、アルミニウム、ＳＵＳ等の金属、セラミクス、樹脂、又はその他の熱伝導性の高い材質で形成される。本実施形態のフレーム１３０は、板状であり、中央に矩形の貫通穴１３１が形成されている。フレーム１３０の外形は、保持シート１２０の外形と一致する。貫通穴１３１の内縁は、中枠領域１２１ｂの外縁に一致する。フレーム１３０の貫通穴１３１からは、中枠領域１２１ｂが露出する。

［成膜装置］
本実施形態の成膜装置Ｓは、電子部品１００に対して成膜を行う装置である。図３の平面図に示すように、成膜装置Ｓは、プレート装着部２００、成膜部３００、プレート離脱部４００、冷却部５００、搬送部６００を備えている。図２（Ｂ）、（Ｃ）、図３［１］、図４［１］に示すように、電子部品１００及びフレーム１３０が密着した保持シート１２０には、その支持面１２２に、搬送プレート１４０が密着される。この搬送プレート１４０の密着は、図３に示すプレート装着部２００において行われる。これをプレート装着工程とする。

さらに、図３［２］、図４［２］に示すように、保持シート１２０が密着した搬送プレート１４０は、トレイ３４に載置される。これをプレート載置工程とする。このトレイ３４は、図３［３］、図４［３］に示すように、成膜部３００に搬入され、電子部品１００が成膜される。これを成膜工程とする。この成膜の過程で、電子部品１００が加熱される。搬送プレート１４０は、電子部品１００の熱を逃がし、過剰な蓄熱を抑制する放熱路として機能する。

成膜後は、トレイ３４は成膜部３００から搬出されて、図３［４］、図４［４］に示すように、搬送プレート１４０がトレイ３４から取り出される。これをプレート取出工程とする。そして、図３［５］、図４［５］に示すように、プレート離脱部４００において保持シート１２０が離脱される。これをプレート離脱工程とする。さらに、図３［６］、図４［６］に示すように、搬送プレート１４０は、冷却部５００において冷却される。これをプレート冷却工程とする。その後、図３［１］、図４［１］に示すように、プレート装着部２００において、再び保持シート１２０が密着される。このように、搬送プレート１４０には、保持シート１２０が密着される。

このように、搬送プレート１４０は、プレート装着工程、プレート載置工程、成膜工程、プレート取出工程、プレート離脱工程、プレート冷却工程を経て、繰り返し利用される。

（搬送プレート）
搬送プレート１４０は、アルミニウム、ＳＵＳ等の熱伝導性及び導電性を有する金属で形成される板状体である。図２（Ｂ）に示すように、搬送プレート１４０の表面のうち、保持シート１２０が搭載される面を搭載面１４１とし、これと反対側の面を成膜部３００での支持対象となる支持面１４２とする（図５参照）。保持シート１２０の支持面１２２は、上記のように粘着性を有し、搬送プレート１４０の搭載面１４１に密着する。これにより、電子部品１００が搬送プレート１４０に搭載され、電子部品１００から搬送プレート１４０への伝熱面積を確保する。なお、「電子部品１００が搬送プレート１４０に搭載される」とは、電子部品１００が搬送プレート１４０に伝熱可能となるように、直接又は間接に搬送プレート１４０に接することをいう。電子部品１００が重力を利用して搬送プレート１４０上に載せられる場合には限定されず、搬送プレート１４０の方向にかかわらず、電子部品１００が直接又は間接に接していればよい。また、電子部品１００からの放熱のために、保持シート１２０の支持面１２２において、少なくとも貼付領域１２１ｃに対応する領域の全体に亘って、搬送プレート１４０が密着していることが好ましい。

搬送プレート１４０の表面のうち搭載面１４１以外の面、つまり支持面１４２及び側面は、凹凸を有するか又は多孔質となっている。凹凸は、例えば、粗面化処理を施すことにより形成できる。多孔質は、例えば、搬送プレート１４０がアルミニウムの場合に、アルマイト処理を施すことにより形成できる。また、図５（Ａ）に示すように、搬送プレート１４０の支持面１４２には、４つの角の近傍に対応する領域に、規制部１４３が設けられている。本実施形態の規制部１４３は、深さが同じ４つの円形の窪み穴である。

搬送プレート１４０の熱容量は、電子部品１００の熱容量、より好ましくは保持シート１２０の熱容量よりも大きいものとすることができ、例えば２５００～５０００（Ｊ／Ｋ）とする。これにより、電子部品１００から放出された熱、または保持シート１２０が受ける熱を、熱容量の大きい搬送プレート１４０に移動させ、放出することができる。前述したように、保持シート１２０は耐熱性のある樹脂材料で形成されているが、コストの面から一般的に使用されるＰＥＴシートは、耐熱温度が１００℃～１５０℃程度である。このようなシートを保持シート１２０として使用する場合、電子部品１００から放出される熱、または保持シート１２０が受ける熱が保持シート１２０に蓄積して耐熱温度を超えると、保持シート１２０が熱変形し、電子部品１００が剥離する可能性がある。そこで、搬送プレート１４０を保持シート１２０よりも熱容量の大きいものとすれば、保持シート１２０が受ける熱を効率的に搬送プレート１４０に放出することができる。これにより、保持シート１２０の熱変形を抑制し、保持シート１２０から電子部品１００が剥離することを抑制できる。

また、平面視したときの搬送プレート１４０の面積（搭載面１４１の面積）は、保持シート１２０の面積（部品搭載面１２１の面積）以下の大きさになるように形成される。例えば、搬送プレート１４０の面積は、保持シート１２０の面積に対して同じか、搬送プレート１４０の外縁が保持シート１２０の外縁よりも１ｍｍ程度内側に小さくなるような面積にする。後述する逆スパッタを行う場合、搬送プレート１４０も電極の一部として作用するためイオンの衝突を受ける。しかし、保持シート１２０を搭載した搬送プレート１４０が露出しないようにすることで、搬送プレート１４０がスパッタによって損傷を受けないようにすることが可能となる。

（トレイ）
トレイ３４は、図４に示すように、搬送プレート１４０を搭載して成膜部３００に搬入、搬出される部材である。図６（Ａ）、図７（Ａ）に示すように、トレイ３４は、対向面３４ａ、周縁部３４ｂ、支持部３５を有する。対向面３４ａは、方形状の平板の一方の平面であり、搬送プレート１４０に対向する。対向面３４ａの周縁には、周縁部３４ｂが形成されている。周縁部３４ｂは、対向面３４ａを囲う矩形状の枠である。トレイ３４の材質としては、導電性を有する材質、例えば金属により形成する。本実施形態では、トレイ３４の材質は、アルミニウム又はＳＵＳ等の熱伝導性及び導電性を有する金属である。

支持部３５は、図６（Ａ）、（Ｂ）、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、トレイ３４に設けられ、搬送プレート１４０を、トレイ３４との間に間隙が生じるように支持する。搬送プレート１４０の支持面１４２とトレイ３４の対向面３４ａとの間隔ｄは、成膜工程において成膜材料が回り込まず、断熱効果が得られる距離、例えば、２～５ｍｍ程度とすることが好ましいが、この値には限定されない。

支持部３５は、対向面３４ａから突出した突出部材３５ａを有する。本実施形態の突出部材３５ａは、４本の円錐形状のピンである。４本のピンは、搬送プレート１４０の規制部１４３に対応し、その先端が規制部１４３に挿入される位置に設けられている。この規制部１４３に、突出部材３５ａが嵌ることにより、支持部３５に支持された搬送プレート１４０の移動が規制される。支持部３５と搬送プレート１４０との接触面積（図５の黒塗の円で示す面積の合計）は、熱伝導を抑制するために、例えば、搬送プレート１４０の支持面１４２の面積の５％以下とすることが好ましい。但し、好ましい比率は、搬送プレート１４０及び支持部３５の材質、形状、温度条件、接触点数等、種々の要因によっても変わりうる。このため、本発明は、これらの比率の記載に限定されるものではない。なお、支持部３５は、トレイ３４と同じ材質により形成されている。支持部３５とトレイ３４とは、一体的に形成されていても、別々に形成された部材を組み合わせて構成されてもよい。但し、支持部３５及びトレイ３４は、導電性を有し、互いに電気的に接続されている。

支持部３５の支持位置、つまり突出部材３５ａによる搬送プレート１４０の支持位置は、「搬送プレート１４０の外周と規制部１４３との間の距離 ＞ 突出部材３５ａが規制部１４３に嵌まっている状態での搬送プレート１４０の外周とトレイ３４の周縁部３４ｂの内周との間の距離」となるようにするとよい。そうすれば、搬送プレート１４０の規制部１４３から突出部材３５ａがずれたとしても、周縁部３４ｂの内周面で搬送プレート１４０が規制されて保持されるようにすることができる。

なお、「搬送プレート１４０が支持部３５に支持される」とは、搬送プレート１４０と支持部３５との間の伝熱が抑制されるように、直接又は間接に搬送プレート１４０と支持部３５とが接することをいう。搬送プレート１４０が重力を利用して支持部３５上に載せられる場合には限定されず、支持部３５の方向にかかわらず、搬送プレート１４０が直接又は間接に接していればよい。なお、本実施形態では、搬送プレート１４０は導電性を有し、支持部３５を介して搬送プレート１４０とトレイ３４との電気的な接続が確保される。

また、搬送プレート１４０は、電子部品１００からの熱やプラズマからの熱を蓄積するため熱膨張が生じる。そのため、搬送プレート１４０の支持面１４２に設けられた規制部１４３の位置が移動する。一方、支持部３５を有するトレイ３４は、搬送プレート１４０と断熱されており、熱膨張が生じたとしても搬送プレート１４０とは異なる変化が生じる。そのため、支持部３５の位置と規制部１４３の位置は処理中に相対的に移動し、規制部１４３から支持部３５がずれて外れ、搬送プレート１４０の保持が不安定になる可能性がある。そこで、複数の規制部１４３の各々の形状を異なるようにすることで、搬送プレート１４０の熱膨張による支持部３５との位置ずれを許容し、安定保持を維持することができる。例えば、図５（Ｂ）に示すように、４つの規制部１４３のうちの１つを基準穴１４３ｓとし、他３つを、基準穴１４３ｓよりも大きい穴とすることで、搬送プレート１４０が熱膨張しても、支持部３５の突出部材３５ａとの位置ずれを許容できる。さらに、搬送プレート１４０において、基準穴１４３ｓと同じ辺上に設けられた２つの穴を辺に沿った長孔とし、基準穴１４３ｓと対角に位置する穴を、少なくとも基準穴１４３ｓよりも径の大きい丸孔とすることで、基準穴１４３ｓによって１角を固定させ、熱膨張が生じても搬送プレート１４０の移動方向を規制することができる。

［プレート装着部］
プレート装着部２００は、図示はしないが、搬送プレート１４０に保持シート１２０を押し付けることで、保持シート１２０を搬送プレート１４０に密着させる押付装置を有している。このプレート装着部２００には、あらかじめ電子部品１００が圧着され、フレーム１３０が貼り付けられた保持シート１２０と、搬送プレート１４０とが投入される。冷却部５００にて冷却済の搬送プレート１４０が投入されて、再利用される場合も含む。

［成膜部］
成膜部３００は、個々の電子部品１００の外表面に、スパッタリングにより電磁波シールド膜１１３を形成する。成膜部３００は、図９に示すように、回転テーブル３１が回転すると、保持部３３に保持されたトレイ３４上の電子部品１００が、円周の軌跡で移動して、スパッタ源４に対向する位置を通過するときに、ターゲット４１からスパッタされた粒子を付着させて成膜する。

成膜部３００は、図８及び図９に示すように、チャンバ２０、搬送装置３０、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂ、表面処理部５０、ロードロック部６０、制御装置７００を有する。

（チャンバ）
チャンバ２０は、反応ガスＧが導入される容器である。反応ガスＧは、スパッタ用のスパッタガスＧ１、各種処理用のプロセスガスＧ２を含む（図１０参照）。以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。スパッタガスＧ１は、電力の印加により生じるプラズマにより、発生するイオン等をターゲット４１（４１Ａ、４１Ｂ）に衝突させて、電子部品１００の表面にスパッタリングによる成膜を実施するためのガスである。例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを、スパッタガスＧ１として用いることができる。

プロセスガスＧ２は、エッチングやアッシングによる表面処理を行うためのガスである。以下、このような表面処理を、逆スパッタと呼ぶ場合がある。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴンガス等の不活性ガスを用いることができる。本実施形態においては、アルゴンガスによって、電子部品１００の表面の洗浄と、粗面化処理を行う。例えば、表面を洗浄およびナノオーダーで粗面化処理を行うことにより、膜の密着力を高めることができる。

チャンバ２０の内部の空間は真空室２１を形成している。この真空室２１は、気密性があり、減圧により真空とすることができる空間である。例えば、図８及び図１０に示すように、真空室２１は、チャンバ２０の内部の天井２０ａ、内底面２０ｂ及び内周面２０ｃによって形成される円柱形状の密閉空間である。

チャンバ２０は、図１０に示すように、排気口２２、導入口２４を有する。排気口２２は、真空室２１と外部との間で気体の流通を確保して、排気Ｅを行うための開口である。この排気口２２は、例えば、チャンバ２０の底部に形成されている。排気口２２には、排気部２３が接続されている。排気部２３は、配管及び図示しないポンプ、バルブ等を有する。この排気部２３による排気処理により、真空室２１内は減圧される。

導入口２４は、真空室２１のターゲット４１の近傍に、スパッタガスＧ１を導入するための開口である。この導入口２４には、ガス供給部２５が接続されている。ガス供給部２５は、各スパッタ源４に対して１つずつ設けられている。また、ガス供給部２５は、配管の他、図示しない反応ガスＧのガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このガス供給部２５によって、導入口２４から真空室２１内にスパッタガスＧ１が導入される。なお、チャンバ２０の上部には、後述するように、処理ユニット５が挿入される開口２１ａが設けられている。

（搬送部）
搬送装置３０は、チャンバ２０内に設けられ、電子部品１００を円周の軌跡で循環搬送する装置である。循環搬送は、電子部品１００を搭載したトレイ３４を円周の軌跡で周回移動させることをいう。搬送装置３０によってトレイ３４が移動する軌跡を、搬送経路Ｌと呼ぶ。搬送装置３０は、回転テーブル３１、モータ３２、保持部３３を有する。また、保持部３３には、支持部３５を介して搬送プレート１４０を搭載したトレイ３４が保持される。

回転テーブル３１は、円形の板である。モータ３２は、回転テーブル３１に駆動力を与え、円の中心を軸として回転させる駆動源である。保持部３３は、搬送装置３０により搬送されるトレイ３４を保持する構成部である。回転テーブル３１の天面には、複数の保持部３３が円周等配位置に配設されている。例えば、各保持部３３がトレイ３４を保持する領域は、回転テーブル３１の周方向の円の接線に平行な向きで形成され、かつ、周方向において等間隔に設けられている。より具体的には、保持部３３は、トレイ３４を保持する溝、穴、突起、治具、ホルダ等である。メカチャック、粘着チャックによって構成することができる。

このように、保持部３３に保持されるトレイ３４によって、電子部品１００が回転テーブル３１上に位置決めされる。なお、本実施形態では、保持部３３は６つ設けられているため、回転テーブル３１上には６０°間隔で６つのトレイ３４が保持される。但し、保持部３３は、一つであっても、複数であってもよい。

（成膜処理部）
成膜処理部４０Ａ、４０Ｂは、搬送装置３０により搬送される電子部品１００に成膜を行う処理部である。以下、複数の成膜処理部４０Ａ、４０Ｂを区別しない場合には、成膜処理部４０として説明する。成膜処理部４０は、図１０に示すように、スパッタ源４、区切部４４、電源部６を有する。

＜スパッタ源＞
スパッタ源４は、電子部品１００にスパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜する成膜材料の供給源である。スパッタ源４は、ターゲット４１、バッキングプレート４２、電極４３を有する。ターゲット４１は、電子部品１００に堆積されて膜となる成膜材料によって形成され、搬送経路Ｌに離隔して対向する位置に設けられている。本実施形態のターゲット４１は、図９に示すように、２つのターゲット４１Ａ、４１Ｂが搬送方向に直交する方向、つまり回転テーブル３１の回転の半径方向に並んでいる。以下、ターゲット４１Ａ、４１Ｂを区別しない場合には、ターゲット４１とする。ターゲット４１の底面側は、搬送装置３０により移動する電子部品１００に、離隔して対向する。なお、回転テーブル３１の径方向におけるトレイ３４の大きさよりも、２つのターゲット４１Ａ、４１Ｂによって、成膜材料を付着させることができる実行領域である処理領域の方が大きい。

成膜材料は、後述するように、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、ＳＵＳなどを使用する。但し、スパッタリングにより成膜される材料であれば、種々の材料を適用可能である。また、ターゲット４１は、例えば、円柱形状である。但し、長円柱形状、角柱形状等、他の形状であってもよい。

バッキングプレート４２は、ターゲット４１を保持する部材である。電極４３は、チャンバ２０の外部からターゲット４１に電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源４には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。

＜区切部＞
区切部４４は、スパッタ源４により電子部品１００が成膜される成膜ポジションＭ１、Ｍ２、表面処理を行う処理ポジションＭ３を仕切る部材である。以下、成膜ポジションＭ１、Ｍ２を区別しない場合には、成膜ポジションＭとして説明する。区切部４４は、図９に示すように、搬送経路Ｌの円周の中心、つまり搬送装置３０の回転テーブル３１の回転中心から、放射状に配設された方形の壁板４４ａ、４４ｂを有する。壁板４４ａ、４４ｂは、例えば、真空室２１の天井に、ターゲット４１を挟む位置に設けられている。区切部４４の下端は、電子部品１００が通過する隙間を空けて、回転テーブルに対向している。この区切部４４があることによって、反応ガスＧ及び成膜材料が真空室２１に拡散することを抑制できる。

成膜ポジションＭ１、Ｍ２、処理ポジションＭ３は、区切部４４で区切られた空間である。成膜ポジションＭ１．Ｍ２は、スパッタ源４のターゲット４１を含む。より具体的には、図９に示すように、成膜ポジションＭ１、Ｍ２、処理ポジションＭ３は、平面方向から見て、区切部４４の壁板４４ａ、４４ｂと、チャンバ２０の内周面２０ｃによって扇形に囲まれた空間である。成膜ポジションＭ１、Ｍ２、処理ポジションＭ３の水平方向の範囲は、一対の壁板４４ａ、４４ｂによって区切られた領域となる。なお、成膜ポジションＭにおけるターゲット４１に対向する位置を通過する電子部品１００に、成膜材料が膜として堆積する。この成膜ポジションＭは、成膜の大半が行われる領域であるが、成膜ポジションＭから外れる領域であっても、成膜ポジションＭからの成膜材料の漏れはあるため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜が行われる処理領域は、成膜ポジションＭよりもやや広い領域となる。

＜電源部＞
電源部６は、ターゲット４１に電力を印加する構成部である。この電源部６によってターゲット４１に電力を印加することにより、スパッタガスＧ１をプラズマ化させ、成膜材料を、電子部品１００に堆積させることができる。本実施形態においては、電源部６は、例えば、高電圧を印加するＤＣ電源である。なお、高周波スパッタを行う装置の場合には、ＲＦ電源とすることもできる。回転テーブル３１は、接地されたチャンバ２０と同電位であり、ターゲット４１側に高電圧を印加することにより、電位差を発生させている。これにより、可動の回転テーブル３１をマイナス電位とするために電源部６と接続する困難さを回避している。

複数の成膜処理部４０は、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成する。特に、本実施形態では、異なる種類の成膜材料に対応するスパッタ源４を含み、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数種類の成膜材料の層から成る膜を形成する。異なる種類の成膜材料に対応するスパッタ源４を含むとは、全ての成膜処理部４０の成膜材料が異なる場合も、複数の成膜処理部４０が共通の成膜材料であるが、他がこれと異なる場合も含む。成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させるとは、いずれか１種の成膜材料の成膜処理部４０が成膜を行う間、他の成膜材料の成膜処理部４０は成膜を行わないことをいう。また、成膜中の成膜処理部４０または成膜ポジションＭとは、成膜処理部４０のターゲット４１に電力が印加され、電子部品１００に成膜が行える状態にある成膜処理部４０または成膜ポジションＭのことをいう。

本実施形態では、搬送経路Ｌの搬送方向に、表面処理部５０を挟んで、２つの成膜処理部４０Ａ、４０Ｂが配設されている。２つの成膜処理部４０Ａ、４０Ｂに、成膜ポジションＭ１、Ｍ２が対応している。これらの成膜処理部４０Ａ、４０Ｂのうち、成膜処理部４０Ａは、成膜材料がＳＵＳである。つまり、成膜処理部４０Ａのスパッタ源４は、ＳＵＳから成るターゲット４１Ａ、４１Ｂを備えている。他の成膜処理部４０Ｂは、成膜材料がＣｕである。つまり、成膜処理部４０Ｂのスパッタ源４は、Ｃｕから成るターゲット４１Ａ、４１Ｂを備えている。本実施形態では、いずれか一つの成膜処理部４０が成膜処理を行っている間は、他の成膜処理部４０は、成膜処理を行わない。

（表面処理部）
表面処理部５０は、搬送装置３０により搬送される電子部品１００に表面処理、つまり、スパッタ源４を有しないプラズマ処理である逆スパッタを行う処理部である。この表面処理部５０は、区切部４４により仕切られた、処理ポジションＭ３に設けられている。表面処理部５０は、処理ユニット５を有する。この処理ユニット５の構成例を図９及び図１０を参照して説明する。

処理ユニット５は、チャンバ２０の上部から内部にかけて設けられた筒形電極５１を備えている。筒形電極５１は、角筒状であり、一端に開口部５１ａを有し、他端は閉塞されている。筒形電極５１は、開口部５１ａを有する一端が回転テーブル３１に向かうように、チャンバ２０の天面に設けられた開口２１ａに絶縁部材５２を介して取り付けられている。筒形電極５１の側壁はチャンバ２０の内部に延在している。

筒形電極５１の、開口部５１ａと反対端には、外方へ張り出すフランジ５１ｂが設けられている。絶縁部材５２が、フランジ５１ｂとチャンバ２０の開口２１ａの周縁との間に固定されることで、チャンバ２０の内部を気密に保っている。絶縁部材５２は絶縁性があればよく、特定の材料に限定されないが、例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等の材料から構成することができる。

筒形電極５１の開口部５１ａは、回転テーブル３１の搬送経路Ｌと向かい合う位置に配置される。回転テーブル３１は、搬送装置３０として、電子部品１００を搭載したトレイ３４を搬送して開口部５１ａに対向する位置を通過させる。なお、回転テーブル３１の径方向におけるトレイ３４の大きさよりも、筒形電極５１の開口部５１ａの方が大きい。

図９に示すように、筒形電極５１は平面方向から見ると回転テーブル３１の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する扇形になっている。ここでいう扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。筒形電極５１の開口部５１ａも、同様に扇形である。回転テーブル３１上のトレイ３４が開口部５１ａに対向する位置を通過する速度は、回転テーブル３１の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口部５１ａが単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とで電子部品１００が開口部５１ａに対向する位置を通過する時間に差が生じる。開口部５１ａを半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、開口部５１ａを通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。

上述したように、筒形電極５１はチャンバ２０の開口２１ａを貫通し、一部がチャンバ２０の外部に露出している。この筒形電極５１におけるチャンバ２０の外部に露出した部分は、図８に示すように、ハウジング５３に覆われている。ハウジング５３によってチャンバ２０の内部の空間が気密に保たれる。筒形電極５１のチャンバ２０の内部に位置する部分、すなわち側壁の周囲は、シールド５４によって覆われている。

シールド５４は、筒形電極５１と同軸の扇形の角筒であり、筒形電極５１よりも大きい。シールド５４はチャンバ２０に接続されている。具体的には、シールド５４はチャンバ２０の開口２１ａの縁から立設し、チャンバ２０の内部に向かって延びた端部は、筒形電極５１の開口部５１ａと同じ高さに位置する。シールド５４は、チャンバ２０と同様にカソードとして作用するので、電気抵抗の少ない導電性の金属部材で構成すると良い。シールド５４はチャンバ２０と一体的に成型しても良く、あるいはチャンバ２０に固定金具等を用いて取り付けても良い。

シールド５４は筒形電極５１内でプラズマを安定して発生させるために設けられている。シールド５４の各側壁は、筒形電極５１の各側壁と所定の隙間を介して略平行に延びるように設けられる。隙間が大きくなりすぎると静電容量が小さくなったり、筒形電極５１内で発生したプラズマが隙間に入り込んだりしてしまうため、隙間はできるだけ小さいことが望ましい。ただし、隙間が小さくなり過ぎても、筒形電極５１とシールド５４との間の静電容量が大きくなってしまうため好ましくない。隙間の大きさは、プラズマの発生に必要とされる静電容量に応じて適宜設定すると良い。なお、図１０は、シールド５４及び筒形電極５１の半径方向に延びる２つの側壁面しか図示していないが、シールド５４及び筒形電極５１の周方向に延びる２つの側壁面の間も、半径方向の側壁面と同じ大きさの隙間が設けられている。

また、筒形電極５１にはプロセスガス導入部５５が接続されている。プロセスガス導入部５５は、配管の他、図示しないプロセスガスＧ２のガス供給源、ポンプ、バルブ等を有する。このプロセスガス導入部５５によって、筒形電極５１内にプロセスガスＧ２が導入される。プロセスガスＧ２は、上記のように、処理の目的によって適宜変更可能である。

筒形電極５１には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源５６が接続されている。ＲＦ電源５６の出力側には整合回路であるマッチングボックス５７が直列に接続されている。ＲＦ電源５６はチャンバ２０にも接続されている。ＲＦ電源５６から電圧を印加すると、筒形電極５１がアノードとして作用し、チャンバ２０、シールド５４、回転テーブル３１、トレイ３４及び搬送プレート１４０がカソードとして作用する。つまり、逆スパッタのための電極として機能する。このため、上記のように、回転テーブル３１、トレイ３４及び搬送プレート１４０は導電性を有し、電気的に接続されるように接触している。

マッチングボックス５７は、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。なお、チャンバ２０や回転テーブル３１は接地されている。チャンバ２０に接続されるシールド５４も接地される。ＲＦ電源５６及びプロセスガス導入部５５はともに、ハウジング５３に設けられた貫通孔を介して筒形電極５１に接続する。

プロセスガス導入部５５から筒形電極５１内にプロセスガスＧ２であるアルゴンガスを導入し、ＲＦ電源５６から筒形電極５１に高周波電圧を印加すると、アルゴンガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。

（ロードロック部）
ロードロック部６０は、真空室２１の真空を維持した状態で、図示しない搬送手段によって、搬送プレート１４０を介して未処理の電子部品１００を搭載したトレイ３４を、真空室２１に搬入し、搬送プレート１４０を介して処理済みの電子部品１００を搭載したトレイ３４を真空室２１の外部へ搬出する装置である。このロードロック部６０は、周知の構造のものを適用することができるため、説明を省略する。

［プレート離脱部］
プレート離脱部４００は、電子部品１００に成膜された後、トレイ３４から取り出された搬送プレート１４０が投入される。プレート離脱部４００は、図示はしないが、搬送プレート１４０に設けられた穴又は溝から、プッシャを挿入して保持シート１２０を付勢することにより、保持シート１２０の一部を搬送プレート１４０から剥離して、把持部材によって持ち上げるようにして保持シート１２０を搬送プレート１４０から離脱させる。

［冷却部］
冷却部５００は、成膜部３００による電子部品１００に対する成膜により、加熱された搬送プレート１４０を冷却する。冷却部５００は、図４、図１１に示すように、収容部５１０、噴霧部５２０、減圧部５３０、ベント部５４０を有する。収容部５１０は、搬送プレート１４０を収容する容器である。収容部５１０は、気密性があり、内部を真空とすることができる。

収容部５１０は、開口５１１、シャッター５１２、支持台５１３、排気口５１４、噴霧口５１５を有する。開口５１１は、搬送プレート１４０を出し入れ可能な大きさを有する。シャッター５１２は、開口５１１に設けられ、開口５１１を開閉する。シャッター５１２により開口５１１を閉じると、収容部５１０内は外気から密閉され、シャッター５１２により開口５１１を開くと、収容部５１０内は大気開放される。

支持台５１３は、収容部５１０に収容された搬送プレート１４０を支持する台である。支持台５１３は、搬送プレート１４０の支持面１４２の一部を支持する。つまり、支持台５１３により支持された搬送プレート１４０は、搭載面１４１、支持面１４２の一部及び側面は収容部５１０内に露出している。排気口５１４は、排気により収容部５１０内の減圧を行うための開口である。噴霧口５１５は、液体を噴霧するための開口である。噴霧口５１５は、大気を導入することにより収容部５１０内の真空破壊を行うための開口でもある。

噴霧部５２０は、収容部５１０内に液体を噴霧する。液体としては、水を用いる。噴霧部５２０は、図示しない水の供給源に連通した配管５２１を有する。また、噴霧部５２０は、配管５２１から噴霧口５１５に延びた図示しないスプレーノズルを有する。減圧部５３０は、噴霧部５２０により噴霧された液体の気化熱により搬送プレート１４０が冷却されるように、収容部５１０の内部を減圧する。減圧部５３０は、排気口５１４に接続された配管５３１を含み、この配管５３１に接続された図示しない空気圧回路に接続されている。減圧部５３０による排気により、収容部５１０内が減圧されて真空となる。

ベント部５４０は、収容部５１０を大気開放させる。ベント部５４０は、噴霧口５１５及び配管５２１に接続された配管５４１を含み、この配管５４１に接続された図示しない弁を有する。ベント部５４０は、収容部５１０内が真空となった状態で、弁を開放することにより、真空破壊を行う。

［搬送部］
搬送部６００は、図３に示すように、プレート装着部２００、成膜部３００、プレート離脱部４００、冷却部５００の間で、必要な部材を搬送する。本実施形態の搬送部６００は、回転アーム６１０、６２０、ロボットアーム６３０を有する。回転アーム６１０は、搬送プレート１４０を搭載したトレイ３４を、ロードロック部６０を介して、チャンバ２０から出し入れする。回転アーム６２０は、保持シート１２０が装着された搬送プレート１４０を、トレイ３４に対して出し入れする。ロボットアーム６３０は、搬送プレート１４０を、プレート装着部２００、回転アーム６２０、プレート離脱部４００、冷却部５００との間で搬送する。

［制御装置］
制御装置７００は、成膜装置Ｓの各部を制御する装置である。この制御装置７００は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。つまり、制御装置７０は、プレート装着部２００、成膜部３００、プレート離脱部４００、冷却部５００、搬送部６００の制御に関して、その制御内容がプログラムされており、ＰＬＣ（Programmable Logic Controller）やＣＰＵ（Central Processing Unit）などの処理装置により実行される。

具体的に制御される内容としては、回転アーム６２０による搬送プレート１４０の搬送、回転アーム６１０によるトレイ３４の成膜部３００への搬入搬出、プレート装着部２００による搬送プレート１４０への保持シート１２０の装着、プレート離脱部４００による搬送プレート１４０からの保持シート１２０の離脱、ロボットアーム６３０による冷却部５００への搬送プレート１４０の搬入搬出、シャッター５１２の開閉、噴霧部５２０による液体の噴霧、減圧部５３０による排気、ベント部５４０による真空破壊などの動作及びそのタイミングを含む。

また、制御装置７００は、成膜装置Ｓの初期排気圧力、スパッタ源４の選択、ターゲット４１及び筒形電極５１への印加電力、スパッタガスＧ１及びプロセスガスＧ２の流量、種類、導入時間及び排気時間、成膜時間、モータ３２の回転速度などを制御する。

上記のように各部の動作を実行させるための制御装置７００の構成を、仮想的な機能ブロック図である図１２を参照して説明する。すなわち、制御装置７００は、機構制御部７１、記憶部７２、設定部７３、入出力制御部７４を有する。

機構制御部７１は、プレート装着部２００、成膜部３００、プレート離脱部４００、冷却部５００、搬送部６００を構成する各部の機構を制御する処理部である。また、機構制御部７１は、排気部２３、ガス供給部２５、プロセスガス導入部５５、搬送装置３０のモータ３２、ロードロック部６０等の駆動源、バルブ、スイッチ、電源、電源部６、ＲＦ電源５６等を制御する。

記憶部７２は、本実施形態の制御に必要な情報を記憶する構成部である。例えば、噴霧部５２０による液体の噴霧量及び噴霧タイミング、減圧部５３０による排気量及び排気タイミング、ベント部５４０による真空破壊のタイミング等は記憶部７２に記憶される情報に含まれる。設定部７３は、外部から入力された情報を、記憶部７２に設定する処理部である。入出力制御部７４は、制御対象となる各部との間での信号の変換や入出力を制御するインタフェースである。

さらに、制御装置７００には、入力装置７５、出力装置７６が接続されている。入力装置７５は、オペレータが、制御装置７００を介して成膜装置Ｓを操作するためのスイッチ、タッチパネル、キーボード、マウス等の入力手段である。例えば、成膜を行うスパッタ源４の選択を、入力手段により入力できる。出力装置７６は、装置の状態を確認するための情報を、オペレータが視認可能な状態とするディスプレイ、ランプ、メータ等の出力手段である。

［動作］
以上のような本実施形態の動作を、上記の図１～図１２を参照して以下に説明する。まず、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電子部品１００は、あらかじめ保持シート１２０における貼付領域１２１ｃ上に、間隔を空けてマトリクス状に並べて貼着され、保持シート１２０の外枠領域１２１ａには、フレーム１３０が密着されている。

（プレート装着工程：図３［１］、図４［１］）
このような保持シート１２０と、搬送プレート１４０が、プレート装着部２００に投入される。そして、プレート装着部２００において、搬送プレート１４０に保持シート１２０の支持面１２２に、搬送プレート１４０の搭載面１４１が密着される。

（プレート載置工程：図３［２］、図４［２］）
保持シート１２０が密着された搬送プレート１４０は、図６（Ａ）、（Ｂ）、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、回転アーム６２０によりトレイ３４の対向面３４ａに搭載される。このとき、突出部材３５ａの先端が規制部１４３に嵌り、支持部３５によって搬送プレート１４０が支持される。

（成膜工程：図３［３］、図４［３］）
複数のトレイ３４は、回転アーム６１０により、ロードロック部６０から、チャンバ２０内に順次搬入される。回転テーブル３１は、空の保持部３３を、順次、ロードロック部６０からの搬入箇所に移動させる。保持部３３は、搬送手段により搬入されたトレイ３４を、それぞれ個別に保持する。このようにして、図８及び図９に示すように、成膜対象となる電子部品１００を、保持シート１２０及び搬送プレート１４０を介して搭載したトレイ３４が、回転テーブル３１上に全て載置される。なお、図８～図９では、トレイ３４に搭載された電子部品１００、保持シート１２０及び搬送プレート１４０は図示を省略している。

以上のように成膜装置Ｓに導入された電子部品１００に対する成膜処理を説明する。なお、以下の動作は、表面処理部５０によって電子部品１００の表面を、洗浄および粗面化した後、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂによって、電子部品１００の表面に、電磁波シールド膜１１３を形成する例である。電磁波シールド膜１１３は、ＳＵＳの層、Ｃｕの層を、交互に積層することにより形成される。電子部品１００に直接形成されるＳＵＳの層は、モールド樹脂と、Ｃｕとの密着度を高める下地となる。中間のＣｕの層は、電磁波を遮蔽する機能を有する層である。最上層のＳＵＳの層は、Ｃｕの錆等を防ぐ保護層である。

まず、真空室２１は、排気部２３によって常に排気され減圧されている。真空室２１が所定の圧力に到達すると、回転テーブル３１が回転して、所定の回転速度に達する。電子部品１００は、処理ユニット５において、筒形電極５１の開口部５１ａに対向する位置を通過する。処理ユニット５では、プロセスガス導入部５５から筒形電極５１にプロセスガスＧ２であるアルゴンガスを導入し、ＲＦ電源５６から筒形電極５１に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によってアルゴンガスがプラズマ化され、イオン等を含む活性種が発生する。プラズマはアノードである筒形電極５１の開口部５１ａから、カソードである搬送プレート１４０、トレイ３４及び回転テーブル３１へ流れる。プラズマ中のイオン等が開口部５１ａの下を通過する電子部品１００の表面に衝突することで、表面が洗浄および粗面化される。そして、表面処理部５０による表面処理時間が経過したら、表面処理部５０を停止する。つまり、プロセスガス導入部５５からのプロセスガスＧ２の供給、ＲＦ電源５６による電圧の印加を停止する。

次に、成膜処理部４０Ａのガス供給部２５は、スパッタガスＧ１を、ターゲット４１の周囲に供給する。この状態下で、保持部３３に保持された電子部品１００は、搬送経路Ｌ上を円を描く軌跡で移動して、スパッタ源４に対向する位置を通過する。

次に、成膜処理部４０Ａのみ、電源部６がターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過する電子部品１００の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＳＵＳの層が形成される。このとき、プラズマにより加熱される電子部品１００の熱は、保持シート１２０を介して搬送プレート１４０に放出される。

また、電子部品１００は成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過するが、成膜処理部４０Ｂはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理は行われず、電子部品１００は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２以外の領域においても、電子部品１００は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１００及び搬送プレート１４０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ａによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ａを停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加を停止する。そして、成膜処理部４０Ｂの電源部６が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過する電子部品１００の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、Ｃｕの層が形成される。この層は、電磁波シールド膜１１３の層の一部となる。このとき、プラズマにより加熱される電子部品１００の熱は、保持シート１２０を介して搬送プレート１４０に放出される。

また、電子部品１００は成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過するが、成膜処理部４０Ａはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理を行われず、電子部品１００は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２以外の領域においても、電子部品１００は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１００、搬送プレート１４０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ｂによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ｂを停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加を停止する。そして、成膜処理部４０Ａの電源部６が、ターゲット４１に電力を印加する。これにより、スパッタガスＧ１がプラズマ化する。スパッタ源４において、プラズマにより発生したイオンは、ターゲット４１に衝突して成膜材料の粒子を飛ばす。このため、成膜処理部４０Ａの成膜ポジションＭ１を通過する電子部品１００の表面には、その通過毎に成膜材料の粒子が堆積されて、膜が生成される。ここでは、ＳＵＳの層が形成される。このとき、プラズマにより加熱される電子部品１００の熱は、保持シート１２０を介して搬送プレート１４０に放出される。

また、電子部品１００は成膜処理部４０Ｂの成膜ポジションＭ２を通過するが、成膜処理部４０Ｂはターゲット４１に電力が印加されていないので、成膜処理を行われず、電子部品１００は加熱されない。また、成膜ポジションＭ１、Ｍ２以外の領域においても、電子部品１００は加熱されない。このように、加熱されない領域において、電子部品１００、搬送プレート１４０は熱を放出する。

成膜処理部４０Ａによる成膜時間が経過したら、成膜処理部４０Ａを停止する。つまり、電源部６によるターゲット４１への電力の印加を停止する。このように、成膜処理部４０Ａ、４０Ｂによる成膜を繰り返すことにより、ＳＵＳの膜、Ｃｕの膜、ＳＵＳの膜が積層された膜を形成する。なお、さらに、同様の成膜を繰り返すことにより、３層より多い膜を形成することもできる。これにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すように、電子部品１００の天面１１１ｂ及び側面１１１ｃに、電磁波シールド膜１１３が形成される。

以上のような成膜処理の間、回転テーブル３１は回転を継続し電子部品１００を搭載したトレイ３４を循環搬送し続ける。そして、成膜処理が完了した後、電子部品１００を搭載したトレイ３４は、回転テーブル３１の回転により、順次、ロードロック部６０に位置決めされ、回転アーム６１０によって外部へ搬出される。

（プレート取出工程：図３［４］、図４［４］）
成膜部３００から搬出されたトレイ３４から、回転アーム６２０によって搬送プレート１４０が取り出される。そして、ロボットアーム６３０によって、搬送プレート１４０がプレート離脱部４００に投入される。

（プレート離脱工程：図３［５］、図４［５］）
プレート離脱部４００において、搬送プレート１４０から保持シート１２０が離脱される。さらに、図示しない部品離脱装置において、例えば、電子部品１００を負圧で吸着しながら保持シート１２０を引き剥がすことにより、保持シート１２０から電子部品１００を離脱させる。

（プレート冷却工程：図３［６］、図４［６］）
搬送プレート１４０は、ロボットアーム６３０によって冷却部５００に搬入される。つまり、図１１（Ａ）に示すように、シャッター５１２を開くことにより開放された開口５１１から、搬送プレート１４０が収容部５１０内に挿入され、支持台５１３に載置される。図１１（Ｂ）に示すように、シャッター５１２を閉じて収容部５１０内を密閉した状態で、噴霧部５２０によって噴霧口５１５から、液体を噴霧する。

図１１（Ｃ）に示すように、減圧部５３０によって排気口から排気することにより、収容部５１０内を真空状態にまで減圧する。このとき、噴霧された液体が気化するため、気化熱により搬送プレート１４０が冷却される。搬送プレート１４０は、成膜工程において加熱され６０℃～７０℃程度まで昇温しており、冷却によって、例えば、常温（２５℃）程度まで降温すればよいが、これには限定されない。そして、図１１（Ｄ）に示すように、ベント部５４０の弁を開放することにより、真空破壊を行う。その後、シャッター５１２を開放して、ロボットアーム６３０によって搬送プレート１４０を収容部５１０内から搬出して、プレート装着部２００に投入する。

なお、図１１（Ａ）～（Ｅ）では、搬送プレート１４０の周縁を支持台５１３に保持しているが、これに限定されず、板状の支持台５１３に搬送プレート１４０の支持面１４２全面を面接触させて保持してもよい。冷却プレート５１６と搬送プレート１４０とが面接触していることで、接触面積が増え、冷却プレート５１６に搬送プレート１４０の熱が効率的に放熱され、冷却効果が向上する。板状の支持台５１３はアルミニウム、ＳＵＳ等の金属、セラミクス、樹脂又はその他熱伝導性の高い材質で形成すればより冷却効果が向上する。

［比較試験］
以上のような実施形態に対応する実施例と比較例との比較試験の結果を、図１３に示す。図１３（ａ）～（ｄ）は、９０℃を初期温度として、成膜部の外部の真空室において、時間の経過に従った搬送プレートの温度を測定した結果である。この測定においては、搬送プレートとして、材質はアルミ合金、サイズは１００ｍｍ×２００ｍｍ×２０ｍｍの板状部材を用いた。また、温度検出部として、白金熱電対式温度計を用い、測定点は搬送プレートの上面中心とした。

図１３（ａ）、（ｂ）は、真空室において搬送プレートを放置した場合の冷却時間の測定結果である。図１３（ａ）は、真空室内の他の部材に点接触のみで保持され、ほぼ断熱された状態で放置した場合である。図１３（ｂ）は、真空室内に設けられたアルミブロックの表面に直接置いた直置き、つまり面接触で保持された状態で放置した場合である。

図１３（ｃ）、（ｄ）は、真空室において搬送プレートに液体を噴霧し、気化させることで気化冷却を行った場合の冷却時間の測定結果である。図１３（ｃ）は真空室内の他の部材に点接触のみで保持され、ほぼ断熱された状態で気化冷却を行った場合である。これは、図１１で示した態様に対応する。図１３（ｄ）は、真空室内に設けられたアルミブロックに面接触保持された状態で気化冷却を行った場合である。噴霧する液体は純水とし、１回あたりの噴射量は、３．７ｇ、噴霧間隔は、２回／ｍｉｎとした。

図１３に示すように、冷却目標温度を常温（２５℃）とした場合、（ｄ）では９分、（ｃ）では１６分程度で目標温度に到達した。一方、（ａ）、（ｂ）では、３０分経過した時点でも（ａ）では７０℃、（ｂ）では３０℃であり、目標温度に到達しなかった。なお、（ａ）、（ｂ）は、６０分経過した時点でも目標温度に到達せず、（ａ）では４６．６℃、（ｂ）では２６．７℃までしか降温しなかった。

［作用効果］
（１）本実施形態の成膜装置Ｓは、スパッタガスＧ１が導入されるチャンバ２０と、チャンバ２０内に設けられ、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源４を有するとともに、スパッタ源４によりチャンバ２０内において電子部品１００に成膜する成膜処理部４０と、チャンバ２０内で成膜される電子部品１００が搭載される搬送プレート１４０と、トレイ３４を介して搬送プレート１４０を搬送する搬送装置３０と、搬送装置３０により搬送されるトレイ３４と、トレイ３４に設けられ、搬送プレート１４０を、トレイ３４との間に間隙が生じるように支持する支持部３５と、を有する。

本実施形態では、成膜対象である電子部品１００を、搬送プレート１４０に搭載している。これにより、成膜中の電子部品１００の熱を搬送プレート１４０に放出させて電子部品の温度上昇を抑制することができる。但し、成膜部３００のチャンバ２０内における回転テーブル３１のような内部部材も、プラズマにより加熱される。すると、このような内部部材からの熱が、トレイ３４を介して搬送プレート１４０に伝達されると、電子部品１００の温度が上昇する。特に、成膜部３００において連続して成膜を行う場合、前の成膜でのプラズマによる熱が、内部部材に残存する可能性がある。すると、次の成膜を行う電子部品１００に、内部部材から残存した熱が伝わることにより、電子部品１００の成膜の温度条件が変動し、膜質の変動を引き起こす可能性がある。本実施形態では、搬送プレート１４０と、成膜部３００に設置されたトレイ３４とが、間隔が生じるように支持部３５によって支持されている。このため、搬送プレート１４０とトレイ３４との断熱を図ることができ、搬送部６００の回転テーブル３１等の内部部材からの熱が、トレイ３４及び搬送プレート１４０を介して、電子部品１００に伝わり難くなり、電子部品１００の温度上昇が抑制される。

（２）支持部３５に支持される搬送プレート１４０の支持面１４２の面積に対して、支持部３５の接触面積が５％以下である。このため、トレイ３４から搬送プレート１４０への伝熱の経路が狭くなり、電子部品１００に熱が伝わり難くなる。

（３）支持部３５は、トレイ３４から搬送プレート１４０に向かって突出し、先端が搬送プレート１４０に接する突出部材を有する。このため、簡単な構成で、搬送プレート１４０のトレイ３４との間隔を空けた支持が可能となる。

（４）支持部３５は、複数設けられている。このため、支持位置を複数とすることができ、トレイ３４との間に間隔を空けつつ、搬送プレート１４０を安定して支持することができる。

（５）搬送プレート１４０は、支持部３５に支持された搬送プレート１４０の支持部に対する移動を規制する規制部１４３を有する。このため、規制部１４３によって、搬送による搬送プレート１４０のずれを防止できる。

（６）チャンバ２０内において、電子部品１００又は電子部品１００に形成された膜に対して、搬送プレート１４０を電極として作用させて表面処理を行う表面処理部５０を有し、搬送プレート１４０及び支持部３５は、導電性を有する。このため、搬送プレート１４０及び支持部３５に、表面処理部５０の電極としての機能を持たせることができる。

（７）本実施形態の成膜装置Ｓは、スパッタガスＧ１が導入されるチャンバ２０を有し、チャンバ２０内において、搬送プレート１４０に搭載された電子部品１００に、スパッタ源４により成膜する成膜処理部４０と、チャンバ２０外において、搬送プレート１４０を冷却する冷却部５００と、を有する。そして、冷却部５００は、搬送プレート１４０を収容する収容部５１０と、収容部５１０内に液体を噴霧する噴霧部５２０と、噴霧部５２０により噴霧された液体の気化熱により搬送プレート１４０が冷却されるように、収容部５１０の内部を減圧する減圧部５３０と、を有する。

このように、冷却部５００において搬送プレート１４０を冷却してから、再度、成膜に用いることによって、複数の電子部品の処理において、成膜部３００に残存している前の処理の熱の影響を受けずに、温度条件の変動なく処理を行うことができる。冷却に液体の気化熱を利用するため、単に成膜部３００の外部で放置する場合に比べて、高速に冷却でき、少ない数の搬送プレート１４０で効率良く成膜を行うことができる。

（８）搬送プレート１４０は、表面に凹凸又は多孔質の部分を有する。このため、表面に液体をより多く含むことができるので、気化する液体量が多く、冷却効率が高まる。

（９）電子部品１００は、一方の面に粘着性を有する粘着面を有する保持シート１２０によって保持され、保持シート１２０の他方の面において、少なくとも電子部品１００の貼付領域１２１ｃに対応する領域の全体に亘って、搬送プレート１４０が密着している。このため、電子部品１００の熱が、搬送プレート１４０に効率良く伝達される。

［他の実施形態］
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような態様も含む。
（１）支持部３５の突出部材３５ａの形状は、上記の態様には限定されない。円柱状、角錐状、角柱状であってもよい。支持部３５の数は、１つであってもよいが、支持の安定のためには、複数であることが好ましい。例えば、３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。また、図１４（Ａ）に示すように、支持部３５に弾性を持たせることにより、搬送プレート１４０の支持面１４２の歪み等があっても、支持部３５を確実に接触させて、安定した支持と導電性の確保ができるようにしてもよい。例えば、突出部材３５ａを、バネ等の弾性部材３５ｂによって支持し、搬送プレート１４０に向かって進退するように構成してもよい。

また、図１４（Ｂ）に示すように、支持部３５の突出部材３５ａを、対向面に沿って延びた壁形状又は土手形状としてもよい。これにより、突出部材３５ａと搬送プレート１４０との接触面積の増大による電気抵抗の低減と、支持の安定性を確保できる。

さらに、支持部３５を柔軟性のある材料とすることによっても、搬送プレート１４０の支持面１４２の歪み等があっても、支持部３５を確実に接触させて、安定した支持と導電性の確保ができるようにしてもよい。例えば、図１４（Ｃ）に示すように、支持部３５を銅などの金属製のブラシを適用してもよい。また金属製のメッシュ状の部材を適用してもよい。また、支持部３５を機械的な支持用の支持部材と、電気的な導通用の支持部材とを組み合わせてもよい。例えば、上記の支持部材の態様を組み合わせてもよい。なお、電気的な接続のためには、搬送プレート１４０と支持部３５とは、最低１箇所が接触していればよい。さらに、支持部３５による搬送プレート１４０の支持位置は、電子部品１００を載置する側の面と反対側の支持面１４２には限定されない。例えば、搬送プレート１４０の側面の一部又は側面と支持面１４２の双方を支持してもよい。

（２）成膜処理部４０におけるターゲットの数は、２つには限定されない。ターゲットを１つとしても、３つ以上としてもよい。また、成膜ポジションも２つ以下としても、４つ以上としてもよい。また、図１５に示すように、例えば、成膜処理部４０Ａ～４０Ｃを有するが、搬送プレート１４０、トレイ３４を電極の一部として用いる表面処理部５０を有しない成膜部３００であってもよい。この場合、搬送プレート１４０とトレイ３４との導電性を確保するために、支持部３５に導電性を持たせる必要はない。つまり、搬送プレート１４０、トレイ３４、支持部３５の材質は、導電性を有していなくてもよい。例えば、搬送プレート１４０、トレイ３４、支持部３５の少なくとも１つを、熱伝導性の良いセラミクスや合成樹脂、または、それらの複合材としてもよい。

（３）上記の態様において、冷却部５００が、液体の噴霧と排気を複数回行うことにより、搬送プレート１４０の温度を低減してもよい。この場合、制御装置７００の記憶部７２に、実験等によりあらかじめ所望の温度になる回数を設定しておき、液体の噴霧と排気を設定した回数だけ実行するようにしてもよい。また、搬送プレート１４０の温度を測定する温度検出部を設け、制御装置７００が、温度検出部による検出温度が、あらかじめ設定された温度に達するまで、液体の噴霧と排気を実行してもよい。これにより、１回毎の液体の噴霧量、搬送プレート１４０への液体の付着量が過大とならないように調整しつつ、繰り返しにより目標温度まで低減させることができるので、残留した液体が成膜に影響を与えることを防止できる。また、図１６に示すように、冷却部５００の収容部５１０内に、複数の搬送プレート１４０を収容可能に構成してもよい。例えば、収容部５１０内に、支持台を多段に設けてもよい。これにより、複数の搬送プレートをまとめて冷却できるので、作業効率を向上させることができる。なお、温度検出部５１３ａは、例えば、図１６に示すように、支持台５１３における搬送プレート１４０を支持する面に設ける。これにより、搬送プレート１４０を支持台５１３に載置したときに、温度検出部５１３ａに接触させて、温度を検出することができる。温度検出部としては、熱電対、測温抵抗体、サーミスタ、放射温度計など、公知の温度センサを使用することが可能であり、その位置も前述の態様には限定されない。

（４）さらに、図１７に示すように、搬送プレート１４０に接触する接触面５１６ａを有する冷却プレート５１６を有し、冷却プレート５１６における接触面５１６ａと反対側に、噴霧部５２０により液体を噴霧し、減圧部５３０による減圧を行う構成としてもよい。この場合、冷却プレート５１６は、収容部５１０内を搬送プレート１４０が接触する接触面５１６ａ側とその反対側の冷却室５１７とに気密に区切り、冷却室５１７を減圧可能な空間としている。冷却プレート５１６は、アルミニウム、ＳＵＳ等の金属、セラミクス、樹脂又はその他熱伝導性の高い材質で形成する。冷却プレート５１６の接触面５１６ａと反対側の面、つまり、冷却室５１７側の面は、凹凸を有するか又は多孔質となっている。凹凸は、例えば、粗面化処理を施すことにより形成できる。また、放熱フィンとなるような比較的大きな凹凸としてもよい。多孔質は、例えば、搬送プレート１４０がアルミニウムの場合に、アルマイト処理を施すことにより形成できる。

また、排気口５１４、噴霧口５１５は、冷却室５１７に連通するように設けられ、それぞれに排気口５１４に減圧部５３０が接続され、噴霧口５１５に噴霧部５２０、ベント部５４０が接続されている。

この態様では、図１７（Ａ）に示すように、シャッター５１２を開くことにより開放された開口５１１から、搬送プレート１４０が収容部５１０内に挿入され、冷却プレート５１６の接触面５１６ａに載置される。図１７（Ｂ）に示すように、シャッター５１２を閉じて、噴霧部５２０によって噴霧口５１５から、冷却室５１７に液体を噴霧する。

図１７（Ｃ）に示すように、減圧部５３０によって排気口から排気することにより、冷却室５１７内を減圧する。このとき、噴霧された液体が気化するので、冷却プレート５１６が冷却される。これにより、冷却プレート５１６に接触している搬送プレート１４０が冷却される。そして、図１７（Ｄ）に示すように、ベント部５４０の弁を開放することにより、真空破壊を行う。その後、シャッター５１２を開放して、ロボットアーム６３０によって搬送プレート１４０を収容部５１０内から搬出して、プレート装着部２００に投入する。

以上のような態様では、搬送プレート１４０に直接液体が付着することがないため、搬送プレート１４０に残留した液体が、成膜に影響を与えることを防止できる。また、冷却プレート５１６と搬送プレート１４０とが面接触していることで、接触面積が増える。このため、前述した図１３（ｄ）に示したように、冷却プレート５１６に搬送プレート１４０の熱が効率的に放出され、冷却効果が向上する。このような態様においても、冷却部５００が、液体の噴霧と排気を複数回行うことにより、搬送プレートの温度を低減してもよい。この場合、制御装置７００の記憶部７２に、実験等によりあらかじめ所望の温度になる回数を設定しておき、液体の噴霧と排気を設定した回数だけ実行するようにしてもよい。また、搬送プレート１４０の温度を検出する温度検出部を設け、制御装置７００が、温度検出部による検出温度が、あらかじめ設定された温度に達するまで、液体の噴霧と排気を繰り返し実行してもよい。

（５）搬送プレート１４０、トレイ３４の形状も、矩形には限定されない。円形、楕円形等、種々の形状とすることができる。保持シート１２０と搬送プレート１４０との間に、粘着シートを介在させてもよい。搬送プレート１４０に対する電子部品１００の搭載の態様は、上記の態様には限定されない。フレーム１３０を省略して、保持シート１２０のみによって、搬送プレート１４０に電子部品１００が搭載されるようにしてもよい。さらに、電子部品１００が直接搬送プレート１４０に保持されるようにしてもよい。トレイ３４に搭載される搬送プレート１４０の数、搬送プレート１４０に搭載される電子部品１００の数も１つであっても、複数であってもよい。

（６）冷却部５００の態様は、気化熱を利用する態様には限定されない。他の原理により冷却された冷却プレートに搬送プレート１４０を接触させることにより冷却してもよい。例えば、冷却プレートを水などの冷却水の循環により冷却したり、ペルチェ素子により冷却したり、ファンからの風により冷却してもよい。さらに、冷却部５００を設けずに、成膜部３００の外部で放置してもよい。

（７）成膜材料については、スパッタリングにより成膜可能な種々の材料を適用可能である。例えば、電磁波シールド膜としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｒ等を用いることもできる。さらに、磁性体として、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ等を使用することができる。さらに、また、下地の密着層として、ＳＵＳ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ等を用いたり、最表面の保護層として、ＳＵＳ、Ａｕ等を用いることができる。

（８）電子部品１００のパッケージの形態は、例えば、ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＳОＰ、ＱＦＰ、ＷＬＰなど、現在又は将来において利用可能なあらゆる形態が適用可能である。電子部品１００が外部との電気的な接続を行う端子としても、例えば、底面に設けるＢＧＡ等の半球状のものやＬＧＡ等の平面状のもの、側面に設けるＳОＰ、ＱＦＰの細板状のもの等が考えられるが、現在又は将来において利用可能なあらゆる端子が適用可能であり、その形成位置も問わない。また、電子部品１００の内部に封止される素子は、単数であっても複数であってもよい。

（９）搬送部により同時搬送されるトレイ、電子部品の数、これを保持する保持部の数は、少なくとも１つであればよく、上記の実施形態で例示した数には限定されない。つまり、１つの電子部品が循環して成膜を繰り返す態様でもよく、２つ以上の電子部品が循環して成膜を繰り返す態様でもよい。

（１０）エッチングやアッシングによる洗浄や表面処理は、成膜ポジションを有するチャンバとは別のチャンバで行ってもよい。なお、酸化処理又は後酸化処理を行う場合は、プロセスガスＧ２として酸素を用いることができる。窒化処理を行う場合は、プロセスガスＧ２として窒素を用いることができる。

（１１）上記の実施形態では、回転テーブル３１が水平面内で回転する例としている。但し、搬送部の回転面の向きは、特定の方向には限定されない。例えば、垂直面内で回転する回転面とすることもできる。さらに、搬送部が有する搬送手段は、回転テーブルには限定されない。例えば、ワークを保持する保持部を有する円筒形状の部材が、軸を中心に回転する回転体としてもよい。また、循環搬送の軌跡は、円周には限定されない。無端状の搬送経路により、循環搬送される態様を広く含む。例えば、矩形や楕円であってもよいし、クランクや蛇行する経路を含んでいてもよい。搬送経路は、例えば、コンベア等により構成してもよい。

さらに、本発明は、スパッタガスＧ１が導入されるチャンバ２０と、チャンバ２０内に設けられ、スパッタ源４により電子部品１００に成膜する成膜処理部４０と、トレイ３４に支持され、電子部品１００を搭載するための搬送プレート１４０を有する成膜装置Ｓであればよい。このため、電子部品１００を循環搬送せずに、静止した状態で成膜する成膜装置Ｓであってもよい。つまり、搬送プレート１４０を介して電子部品１００を搭載したトレイ３４を搬入して、処理領域に設置し、ターゲット４１に対する相対位置を変化させずにスパッタリングを行う装置であってもよい。

（１２）上記の実施形態では、成膜材料を１種ずつ選択的に堆積させて成膜するようにしている。しかし、本発明はこれに限るものではなく、成膜材料を選択的に堆積させることにより、複数の成膜材料の層から成る膜を形成できればよい。このため、２種以上の成膜材料を同時に堆積させるようにしても良い。例えば、電磁波シールド膜を、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂの合金で形成することがある。このような場合に、複数の成膜処理部のうち、Ｃｏを成膜材料とする成膜処理部と、Ｚｒを成膜材料とする成膜処理部とＮｂを成膜材料とする成膜処理部を同時に選択して成膜を行なうようにしても良い。

そしてこの場合、円周の軌跡のうち、これらの成膜中に成膜ポジションを通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジション以外の部分を通過する軌跡の方が長くなるように、成膜に用いる成膜処理部を選択する、あるいは、成膜処理部を区切る区切部の配置を設定すると良い。

つまり、１種、または、複数種の成膜処理部を複数個選択して成膜を行なう場合、或いは単一の成膜処理部を選択して成膜を行なう場合のいずれにおいても、円周の軌跡のうち、成膜中に成膜ポジションを通過する軌跡よりも、成膜中の成膜ポジション以外の部分を通過する軌跡の方が長くなるように、成膜に用いる成膜処理部を選択する、あるいは、成膜処理部を区切る区切部の配置を設定すると良い。

（１３）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

４ スパッタ源
５ 処理ユニット
６ 電源部
２０ チャンバ
２０ａ 天井
２０ｂ 内底面
２０ｃ 内周面
２１ 真空室
２１ａ 開口
２２ 排気口
２３ 排気部
２４ 導入口
２５ ガス供給部
３０ 搬送装置
３１ 回転テーブル
３２ モータ
３３ 保持部
３４ トレイ
３４ａ 対向面
３４ｂ 周縁部
３５ 支持部
３５ａ 突出部材
３５ｂ 弾性部材
４０、４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ 成膜処理部
４１、４１Ａ、４１Ｂ ターゲット
４２ バッキングプレート
４３ 電極
４４ 区切部
４４ａ、４４ｂ 壁板
５０ 表面処理部
５１ 筒形電極
５１ａ 開口部
５１ｂ フランジ
５２ 絶縁部材
５３ ハウジング
５４ シールド
５５ プロセスガス導入部
５６ ＲＦ電源
５７ マッチングボックス
６０ ロードロック部
６１０、６２０ 回転アーム
６３０ ロボットアーム
７０ 制御装置
７１ 機構制御部
７２ 記憶部
７３ 設定部
７４ 入出力制御部
７５ 入力装置
７６ 出力装置
１００ 電子部品
１１１ａ 電極露出面
１１１ｂ 天面
１１１ｃ 側面
１１２ 電極
１１３ 電磁波シールド膜
１２０ 保持シート
１２１ 部品搭載面
１２１ａ 外枠領域
１２１ｂ 中枠領域
１２１ｃ 貼付領域
１２２ 支持面
１３０ フレーム
１３１ 貫通穴
１４０ 搬送プレート
１４１ 搭載面
１４２ 支持面
１４３ 規制部
１４３ｓ 基準穴
２００ プレート装着部
３００ 成膜部
４００ プレート離脱部
５００ 冷却部
５１０ 収容部
５１１ 開口
５１２ シャッター
５１３ 支持台
５１３ａ 温度検出部
５１４ 排気口
５１５ 噴霧口
５１６ 冷却プレート
５１６ａ 接触面
５１７ 冷却室
５２０ 噴霧部
５２１ 配管
５３０ 減圧部
５３１ 配管
５４０ ベント部
５４１ 配管
６００ 搬送部
７００ 制御装置

Claims (7)

1. 減圧により真空とすることができる空間を有し、スパッタガスが導入されるチャンバと、
   前記チャンバ内に設けられ、スパッタリングにより成膜材料を堆積させて成膜するスパッタ源を有するとともに、前記スパッタ源により前記チャンバ内において、減圧された空間で電子部品に成膜する成膜処理部と、
   前記チャンバ内で成膜される前記電子部品が搭載される、前記電子部品の熱容量よりも大きい熱容量を有する搬送プレートと、
   前記搬送プレートを、トレイを介して搬送する搬送装置と、
   前記トレイに設けられ、前記搬送プレートと前記トレイとの間に、前記搬送プレートと前記トレイとが断熱される間隙が生じるように前記搬送プレートを支持する支持部と、
   を有し、
   前記支持部に支持される前記搬送プレートの支持面の面積に対して、前記支持部の接触面積が５％以下であることを特徴とする成膜装置。
2. 前記支持部は、前記トレイから前記搬送プレートに向かって突出し、先端が前記搬送プレートに接する突出部材を有することを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記支持部は、複数設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
4. 前記搬送プレートは、前記支持部に支持された前記搬送プレートの前記支持部に対する移動を規制する規制部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
5. 前記チャンバ内において前記電子部品又は前記電子部品に形成された膜に対して、前記搬送プレートを電極として作用させて表面処理を行う表面処理部を有し、
   前記搬送プレート及び前記支持部は、導電性を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の成膜装置。
6. 前記電子部品は、一方の面に粘着性を有する粘着面を有する保持シートによって保持され、
   前記保持シートの他方の面において、少なくとも前記電子部品の貼付領域に対応する領域の全体に亘って、前記搬送プレートが密着していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。
7. 前記規制部は、前記支持部に支持される前記搬送プレートの支持面に形成された複数の窪み穴であり、
   前記複数の窪み穴のうち１つを基準穴とし、他の窪み穴は前記基準穴よりも大きいことを特徴とする請求項４記載の成膜装置。

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