JP7199241B2 - 半導体検査システム及び半導体検査装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、半導体検査システム及び半導体検査装置に関する。

半導体パッケージのリードに本来の位置からの浮きが生じていると、半導体パッケージをプリント配線基板等に実装する際に、接続不良が生じ問題となる。したがって、半導体パッケージの外観検査において、リードの浮き量を正確に測定する検査システムが必要となる。

特開２００１－３３６９１９号公報

本発明が解決しようとする課題は、リードの浮き量を正確に測定することが可能な半導体検査システムを提供することにある。

本発明の一態様の半導体検査システムは、上面、下面、第１の側面、及び、前記第１の側面に対向する第２の側面を有し半導体チップを封止する封止部と、前記封止部の前記第１の側面から側方に延びる第１のリードと、を有する半導体パッケージの前記上面及び前記下面に垂直な第１の方向から前記第１のリードを撮像する第１の撮像部と、前記第１の撮像部で撮像された画像から前記第１のリードの正面長さを算出する第１の算出部と、前記上面及び前記下面に斜行する第２の方向から前記第１のリードを撮像する第２の撮像部と、前記第２の撮像部で撮像された画像から前記第１のリードの斜方長さを算出する第２の算出部と、前記正面長さと前記斜方長さを用いて、前記上面及び前記下面に平行な基準面からの前記第１のリードの浮き量を算出する第３の算出部と、を備え、前記第３の算出部は、前記基準面と前記第２の方向の間の角度をθ、前記正面長さをＬＡ、前記斜方長さをＬＢ、前記浮き量をＨとした場合に、下記式を用いて前記浮き量を算出する。
Ｈ＝ＬＡ×ｔａｎθ－ＬＢ／ｃｏｓθ・・・（式）

実施形態の半導体検査システムのブロック図。 実施形態の検査対象となる半導体パッケージの模式図。 第１の撮像部の模式図。 第１の撮像部で撮像される画像の模式図。 第２の撮像部の模式図。 第１のミラーの説明図。 第２の撮像部で撮像される画像の模式図。 実施形態の半導体検査システムの一部の概念図。 第３の算出部の機能の説明図。 半導体パッケージの外観検査の問題点の説明図。

本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。

実施形態の半導体検査システムは、上面、下面、第１の側面、及び、第１の側面に対向する第２の側面を有し半導体チップを封止する封止部と、封止部の第１の側面から側方に延びる第１のリードと、を有する半導体パッケージの上面及び下面に垂直な第１の方向から第１のリードを撮像する第１の撮像部と、第１の撮像部で撮像された画像から第１のリードの正面長さを算出する第１の算出部と、上面及び下面に斜行する第２の方向から第１のリードを撮像する第２の撮像部と、第２の撮像部で撮像された画像から第１のリードの斜方長さを算出する第２の算出部と、正面長さと斜方長さを用いて、上面及び下面に平行な基準面からの第１のリードの浮き量を算出する第３の算出部と、を備える。

また、実施形態の半導体検査装置は、上面、下面、第１の側面、及び、第１の側面に対向する第２の側面を有し半導体チップを封止する封止部と、封止部の第１の側面から側方に延びる第１のリードと、第２の側面から側方に延びる第２のリードと、を有する半導体パッケージを検査する半導体検査装置であって、半導体パッケージの上面の側かつ第１の側面の側に設けられた第１の光源と、半導体パッケージの上面の側かつ第２の側面の側に設けられた第２の光源と、半導体パッケージの下面の側かつ第２の側面の側に設けられ、第１の光源により照明された第１のリードのシルエット像を反射する第１のミラーと、半導体パッケージの下面の側かつ第１の側面の側に設けられ、第２の光源により照明された第２のリードのシルエット像を反射する第２のミラーと、半導体パッケージの下面の側に設けられ、シルエット像、及び、シルエット像を同時に撮像可能なカメラと、を備える。

実施形態の半導体検査装置及び半導体検査システムは、半導体パッケージの外観の検査、特に、半導体パッケージの浮き量の検査に用いられる。

図１は、実施形態の半導体検査システムのブロック図である。

実施形態の半導体検査システム１００は、第１の撮像部１０１、第１の算出部１０２、第２の撮像部１０３（半導体検査装置）、第２の算出部１０４、第３の算出部１０５、記憶部１０６、及び、判定部１０７を備える。第１の撮像部１０１、第１の算出部１０２、第２の撮像部１０３（半導体検査装置）、第２の算出部１０４、第３の算出部１０５、記憶部１０６、及び、判定部１０７は、相互に有線又は無線により接続され、相互又は一方向に情報を伝達することが可能である。

図２は、実施形態の検査対象となる半導体パッケージの模式図である。図２（ａ）は側面図、図２（ｂ）は上面図である。

半導体パッケージ１０は、半導体チップ１１、封止部１２、複数の第１のリード１３、及び、複数の第２のリード１４を有する。

半導体チップ１１は、例えば、半導体を用いたトランジスタ又はダイオードである。

封止部１２は、上面１２ａ、下面１２ｂ、第１の側面１２ｃ、及び、第２の側面１２ｄを有する。下面１２ｂは上面１２ａに対向する。第２の側面１２ｄは、第１の側面１２ｃに対向する。

封止部１２は、半導体チップ１１を封止する。封止部１２は、半導体チップ１１を囲む。封止部１２は、例えば、樹脂である。封止部１２は、例えば、エポキシ樹脂である。

複数の第１のリード１３は、封止部１２の第１の側面１２ｃから側方に延びる。複数の第２のリード１４は、封止部１２の第２の側面１２ｄから側方に延びる。

上面１２ａ及び下面１２ｂに平行で、第１のリード１３及び第２のリード１４の封止部１２側の下端を通る面を基準面ＢＰと定義する。

図３は、第１の撮像部の模式図である。第１の撮像部１０１は、コレット２０、光源２１、光源２２、レンズ２３、ＣＣＤカメラ２４を備える。

第１の撮像部１０１は、半導体パッケージ１０の上面１２ａ及び下面１２ｂに垂直な第１の方向から第１のリード１３を撮像する。第１の方向は基準面ＢＰに垂直である。図３において、上面１２ａは半導体パッケージ１０の上側の面であり、下面１２ｂは半導体パッケージ１０の下側の面である。

コレット２０は、半導体チップ１１を吸着して支持する。

光源２１は、半導体パッケージ１０の上面１２ａの側かつ第１の側面１２ｃの側に設けられる。図３において、第１の側面１２ｃは、半導体パッケージ１０の右側の側面である。光源２１は、照明光を第１のリード１３に照射する。

光源２２は、半導体パッケージ１０の上面１２ａの側かつ第２の側面１２ｄの側に設けられる。図３において、第２の側面１２ｄは、半導体パッケージ１０の左側の側面である。光源２２は、照明光を第２のリード１４に照射する。

光源２１及び光源２２は、例えば、白色発光ダイオードである。

レンズ２３は、光源２１により照明された第１のリード１３のシルエット像を拡大する。また、レンズ２３は、光源２２により照明された第２のリード１４のシルエット像を拡大する。

ＣＣＤカメラ２４は、レンズ２３により拡大された第１のリード１３のシルエット像を撮像する。また、ＣＣＤカメラ２４は、レンズ２３により拡大された第２のリード１４のシルエット像を撮像する。ＣＣＤカメラ２４は、第１のリード１３のシルエット像及び第２のリード１４のシルエット像を同時に撮像する。

図４は、第１の撮像部で撮像される画像の模式図である。ＣＣＤカメラ２４により、第１のリード１３のシルエット像及び第２のリード１４のシルエット像が同一の視野内に撮像される。

第１の算出部１０２は、第１の撮像部１０１で撮像された画像から第１のリード１３の正面長さ（図４中のＬＡ）を算出する。第１の算出部１０２は、第１の撮像部１０１で撮像された画像から第２のリード１４の正面長さも、第１のリード１３の場合と同様に算出する。第１の算出部１０２は、例えば、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせで構成される。

図５は、第２の撮像部の模式図である。第２の撮像部１０３は、コレット３０、光源３１（第１の光源）、光源３２（第２の光源）、レンズ３３、ＣＣＤカメラ３４（カメラ）、第１のミラー３５、第２のミラー３６を備える。第２の撮像部１０３は、半導体検査装置の一例である。

第２の撮像部１０３は、半導体パッケージ１０の上面１２ａ及び下面１２ｂに斜行する第２の方向から第１のリード１３を撮像する。第２の方向は基準面ＢＰに斜行する。第２の撮像部１０３は、第１のリード１３の場合と同様に、半導体パッケージ１０の上面１２ａ及び下面１２ｂに斜行する方向から第２のリード１４を撮像する。図５において、上面１２ａは半導体パッケージ１０の上側の面であり、下面１２ｂは半導体パッケージ１０の下側の面である。

コレット３０は、半導体チップ１１を吸着して支持する。

光源３１は、半導体パッケージ１０の上面１２ａの側かつ第１の側面１２ｃの側に設けられる。図５において、第１の側面１２ｃは、半導体パッケージ１０の右側の側面である。光源３１は、照明光を第１のリード１３に照射する。

光源３１の半導体パッケージ１０の側の端部から基準面ＢＰに下した垂線（図５中のＳ１）は、例えば、半導体パッケージ１０又は第１のリード１３と交差する。

光源３２は、半導体パッケージ１０の上面１２ａの側かつ第２の側面１２ｄの側に設けられる。図５において、第２の側面１２ｄは、半導体パッケージ１０の左側の側面である。光源３２は、照明光を第２のリード１４に照射する。

光源３２の半導体パッケージ１０の側の端部から基準面ＢＰに下した垂線（図５中のＳ２）は、例えば、半導体パッケージ１０又は第２のリード１４と交差する。

光源３１と光源３２との間の距離は、例えば、半導体パッケージ１０の第１のリード１３の外側の端部から第２のリード１４の外側の端部までの距離よりも短い。光源３１と光源３２との間の距離は、例えば、半導体パッケージ１０の封止部１２の幅よりも短い。

光源３１及び光源３２は、例えば、白色発光ダイオードである。

図６は、第１のミラーの説明図である。

第１のミラー３５は、半導体パッケージ１０の下面１２ｂの側かつ第２の側面１２ｄの側に設けられる。第１のミラー３５は、光源３１により照明された第１のリード１３のシルエット像を反射する。第１のミラー３５で反射した第１のリード１３のシルエット像は、基準面ＢＰに垂直な方向に進む。

上述のように、第２の方向は基準面ＢＰに斜行する。基準面ＢＰと第２の方向の間の角度を図６中にθで示す。基準面ＢＰと第２の方向の間の角度θは９０°より小さい。第１のミラー３５のミラー面の基準面ＢＰに対する角度、すなわち、図６における面ＢＰ’と第１のミラー３５のミラー面の交わる角度を図６中にαで示す。

基準面ＢＰと第２の方向の間の角度θは、第１のミラー３５のミラー面の基準面ＢＰに対する角度αを調整することで、定めることができる。角度αを４５°＋θ／２に設定することにより、第１のミラー３５で反射した第１のリード１３のシルエット像が、基準面ＢＰに垂直な方向に進む。例えば、θ＝２０°とする場合、α＝５５°とすれば良い。

基準面ＢＰと第２の方向の間の角度θは、例えば、１０°以上６０°以下である。この場合、第１のミラー３５のミラー面の基準面ＢＰに対する角度αは、５０°以上７５°以下である。

第１のミラー３５は、例えば、基準面ＢＰに対する角度αが可変である。第１のミラー３５は、例えば、図５の点線の弧状矢印で示すように回転可能である。第１のミラー３５は、例えば、図示しない回転機構を用いて回転可能である。

第１のミラー３５は、例えば、図５の点線の直線矢印で示すように、上下又は水平方向に移動可能である。第１のミラー３５は、例えば、図示しない移動機構を用いて上下又は水平方向に移動可能である。

第２のミラー３６も、第１のミラー３５と同様の構成を備える。第２のミラー３６は、半導体パッケージ１０の下面１２ｂの側かつ第１の側面１２ｃの側に設けられる。第２のミラー３６は、光源３２により照明された第２のリード１４のシルエット像を反射する。第２のミラー３６で反射した第２のリード１４のシルエット像は、基準面ＢＰに垂直な方向に進む。

第２のミラー３６は、例えば、基準面ＢＰに対する角度が可変である。第２のミラー３６は、例えば、図５の点線の弧状矢印で示すように回転可能である。第２のミラー３６は、例えば、図示しない回転機構を用いて回転可能である。

第２のミラー３６は、例えば、図５の点線の直線矢印で示すように、上下又は水平方向に移動可能である。第２のミラー３６は、例えば、図示しない移動機構を用いて上下又は水平方向に移動可能である。

レンズ３３は、光源３１により照明された第１のリード１３のシルエット像を拡大する。また、レンズ３３は、光源３２により照明された第２のリード１４のシルエット像を拡大する。

ＣＣＤカメラ３４は、レンズ３３により拡大された第１のリード１３のシルエット像を撮像する。また、ＣＣＤカメラ３４は、レンズ３３により拡大された第２のリード１４のシルエット像を撮像する。ＣＣＤカメラ３４は、第１のリード１３のシルエット像及び第２のリード１４のシルエット像を同時に撮像する。

図７は、第２の撮像部で撮像される画像の模式図である。ＣＣＤカメラ３４により、第１のリード１３のシルエット像及び第２のリード１４のシルエット像が同一の視野内に撮像される。

第２の算出部１０４は、第２の撮像部１０３で撮像された画像から第１のリード１３の斜方長さ（図７中のＬＢ）を算出する。第２の算出部１０４は、第２の撮像部１０３で撮像された画像から第２のリード１４の斜方長さも、第１のリード１３の場合と同様に算出する。第２の算出部１０４は、例えば、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせで構成される。

図８は、実施形態の半導体検査システムの一部の概念図である。半導体検査システム１００は、例えば、図８に示すようなインデックステーブル４０を備える。

インデックステーブル４０は、図中の矢印で示す方向に回転可能である。インデックステーブル４０の上には、位置ＡからＧが設けられる。

検査対象となる半導体パッケージ１０は、位置Ａでインデックステーブル４０に搭載され、位置Ｇでインデックステーブル４０から離脱する。例えば、位置ＡからＧのそれぞれの位置で、各種の電気特性検査や外観検査を行うことが可能である。例えば、位置Ｅに第１の撮像部１０１が設けられ、位置Ｆに第２の撮像部１０３が設けられる。

第３の算出部１０５は、正面長さＬＡと斜方長さＬＢを用いて、上面１２ａ及び下面１２ｂに平行な基準面ＢＰからの第１のリード１３の浮き量を算出する。第３の算出部１０５は、同様に、正面長さと斜方長さを用いて、上面１２ａ及び下面１２ｂに平行な基準面ＢＰからの第２のリード１４の浮き量を算出する。第３の算出部１０５は、例えば、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせで構成される。

図９は、第３の算出部の機能の説明図である。図９（ａ）は、第１のリード１３が本来の位置から上向きに浮いている場合を示す。図９（ｂ）は、第１のリード１３が本来の位置から下向きに沈んでいる場合を示す。

第３の算出部１０５は、基準面ＢＰと第２の方向の間の角度をθ、正面長さをＬＡ、斜方長さをＬＢ、浮き量をＨとした場合に、下記式を用いて浮き量Ｈを算出する。
Ｈ＝ＬＡ×ｔａｎθ－ＬＢ／ｃｏｓθ・・・（式）

上記式で求められる浮き量Ｈは、図９（ａ）に示すように、第１のリード１３が本来の位置から上向きに浮いている場合は正の値となる。一方、図９（ｂ）に示すように、第１のリード１３が本来の位置から下向きに沈んでいる場合は、負の値となる。

第３の算出部１０５は、上記式を用いて、第２のリード１４の浮き量も算出する。

記憶部１０６は、浮き量の閾値を記憶する。浮き量の閾値は、例えば、半導体パッケージ１０が良品と判断される浮き量の上限値である。記憶部１０６は、例えば、半導体メモリである。

判定部１０７は、浮き量と記憶部１０６に記憶された浮き量の閾値を比較し、半導体パッケージ１０の良否を判定する。例えば、浮き量が、記憶部１０６に記憶された閾値を超えた場合は、半導体パッケージ１０を不良品と判断する。

判定部１０７は、例えば、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせで構成される。

次に、実施形態の半導体検査システム及び半導体検査装置の作用及び効果について説明する。

半導体パッケージのリードに本来の位置からの浮きが生じていると、半導体パッケージをプリント配線基板等に実装する際に、接続不良が生じ問題となる。したがって、半導体パッケージの外観検査において、リードの浮き量を正確に測定する検査システムが必要となる。

図１０は、半導体パッケージの外観検査の問題点の説明図である。図１０（ａ）は、第１のリード１３が本来の位置から上向きに浮いている場合を示す。図１０（ｂ）は、第１のリード１３が本来の長さから短くなっている場合を示す。

半導体パッケージ１０の上面１２ａ及び下面１２ｂに対して斜め方向（図１０中の矢印）から、第１のリード１３を撮像し、取得された画像に基づき第１のリード１３の浮きを判定する外観検査方法がある。この検査方法では、例えば、図１０（ａ）に示すように、斜め方向から見た斜方長さ（図１０中のＬＹ）が、本来想定される斜方長さ（図１０中のＬＸ）よりも短かった場合、第１のリード１３が浮いていると判定する。また、例えば、斜方長さＬＹが、隣接する他の第１のリード１３の斜方長さよりも短かった場合、第１のリード１３が浮いていると判定する。

しかし、図１０（ｂ）に示すように、第１のリード１３が浮いておらず、単に、第１のリード１３が本来の長さよりも短かった場合でも、斜方長さＬＹは、本来想定される斜方長さＬＸよりも短くなる。したがって、斜方長さの測定だけから第１のリード１３の浮き量を判定しようとすると、第１のリード１３が短い場合を排除することができず、誤判定が生じるおそれがある。

実施形態の半導体検査システムは、図９に示すように、正面長さＬＡと斜方長さＬＢの両方を用いて、第１のリード１３の浮き量Ｈを算出する。このため、第１のリード１３の長さの変化を考慮した浮き量Ｈを算出できる。したがって、第１のリード１３が単に本来の長さよりも短いだけでは、第１のリード１３が浮いているとは判定されず、誤判定を回避することができる。よって、第１のリード１３の浮き量Ｈを正確に測定することができる。

実施形態の半導体検査システムの記憶部１０６が、正面長さＬＡの閾値を更に記憶し、判定部１０７が正面長さＬＡと上記正面長さＬＡの閾値を比較し、半導体パッケージ１０の良否を判定することが好ましい。正面長さＬＡの閾値は、例えば、正面長さＬＡの下限値又は上限値である。

正面長さＬＡの下限値を設けることで、極端に短い第１のリード１３が生じた場合、これを不良として排除できる。また、正面長さＬＡの下限値を設けることで、極端に大きな浮きが生じた場合、これを不良として排除できる。

また、正面長さＬＡの上限値を設けることで、極端に長い第１のリード１３が生じた場合、これを不良として排除できる。

実施形態の第２の撮像部１０３（半導体検査装置）は、光源３１（第１の光源）、光源３２（第２の光源）、レンズ３３、ＣＣＤカメラ３４、第１のミラー３５、第２のミラー３６を備える。

第２の撮像部１０３は、光源３１及び光源３２を、半導体パッケージ１０の上面１２ａ側、すなわち、半導体パッケージ１０に対してＣＣＤカメラ３４と反対側に設ける。この構成により、光源３１及び光源３２がバックライトとして機能し、ＣＣＤカメラ３４により第１のリード１３のシルエット像及び第２のリード１４のシルエット像を撮像することが可能となる。

仮に、正反射像を用いて第１のリード１３及び第２のリード１４の長さを測定すると、乱反射の影響で測定精度が低下する。第２の撮像部１０３は、シルエット像を用いて第１のリード１３及び第２のリード１４の長さを測定する。よって、乱反射の影響が排除され、第１のリード１３及び第２のリード１４の長さの測定精度が向上する。

第２の撮像部１０３は、２つのミラーを設けて、第１のリード１３のシルエット像と、第２のリード１４のシルエット像を同時にＣＣＤカメラ３４により撮像することができる。したがって、外観検査の時間が短縮され、外観検査のスループットが向上する。

また、第２の撮像部１０３は、レンズ３３により、第１のリード１３のシルエット像と、第２のリード１４のシルエット像を拡大して撮像することで、第１のリード１３及び第２のリード１４の長さの測定精度が向上する。

第２の撮像部１０３において、基準面ＢＰと第２の方向の間の角度θは、例えば、１０°以上６０°以下であることが好ましく、１５°以上５０°以下であることがより好ましい。角度θが上記範囲に収まることで、斜方長さの測定精度が向上する。よって、浮き量の測定精度が向上する。

第２の撮像部１０３が第１のミラー３５の回転機構を備え、第１のミラー３５の基準面ＢＰに対する角度αが可変であることが好ましい。また、第２の撮像部１０３が第１のミラー３５の移動機構を備え、第１のミラー３５が上下又は水平方向に移動可能であることが好ましい。回転機構又は移動機構を備えることにより、例えば、第１のリード１３の浮き量の測定精度を上げるための調整が容易になる。また、回転機構又は移動機構を備えることにより、例えば、半導体パッケージ１０の種類が変わった場合の、調整が容易になる。

第２の撮像部１０３が第１のミラー３５と同様に、第２のミラー３６の回転機構又は移動機構を備えることが好ましい。

第２の撮像部１０３において、光源３１の半導体パッケージ１０の側の端部から基準面ＢＰに下した垂線（図５中のＳ１）は、半導体パッケージ１０又は第１のリード１３と交差することが好ましい。光源３１が第１のリード１３の全領域を照明することが容易となる。また、光源３２の半導体パッケージ１０の側の端部から基準面ＢＰに下した垂線（図５中のＳ２）は、半導体パッケージ１０又は第２のリード１４と交差することが好ましい。光源３２が第２のリード１４の全領域を照明することが容易となる。

以上、実施形態によれば、リードの浮き量を正確に測定することが可能な半導体検査システム及び半導体検査装置が実現できる。

実施形態では、第１の撮像部１０１において、バックライトを用いてシルエット像を撮像する構成を例に説明したが、第１の撮像部１０１において正反射像を撮像する構成とすることも可能である。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、一実施形態の構成要素を他の実施形態の構成要素と置き換え又は変更してもよい。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 半導体パッケージ
１１ 半導体チップ
１２ 封止部
１２ａ 上面
１２ｂ 下面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１３ 第１のリード
１４ 第２のリード
３１ 光源（第１の光源）
３２ 光源（第２の光源）
３４ ＣＣＤカメラ（カメラ）
３５ 第１のミラー
３６ 第２のミラー
１００ 半導体検査システム
１０１ 第１の撮像部
１０２ 第１の算出部
１０３ 第２の撮像部（半導体検査装置）
１０４ 第２の算出部
１０５ 第３の算出部
１０６ 記憶部
１０７ 判定部
ＢＰ 基準面
ＬＡ 正面長さ
ＬＢ 斜方長さ
Ｈ 浮き量

Claims (7)

1. 上面、下面、第１の側面、及び、前記第１の側面に対向する第２の側面を有し半導体チップを封止する封止部と、前記封止部の前記第１の側面から側方に延びる第１のリードと、を有する半導体パッケージの前記上面及び前記下面に垂直な第１の方向から前記第１のリードを撮像する第１の撮像部と、
   前記第１の撮像部で撮像された画像から前記第１のリードの正面長さを算出する第１の算出部と、
   前記上面及び前記下面に斜行する第２の方向から前記第１のリードを撮像する第２の撮像部と、
   前記第２の撮像部で撮像された画像から前記第１のリードの斜方長さを算出する第２の算出部と、
   前記正面長さと前記斜方長さを用いて、前記上面及び前記下面に平行な基準面からの前記第１のリードの浮き量を算出する第３の算出部と、
   を備え、
   前記第３の算出部は、前記基準面と前記第２の方向の間の角度をθ、前記正面長さをＬＡ、前記斜方長さをＬＢ、前記浮き量をＨとした場合に、下記式を用いて前記浮き量を算出する半導体検査システム。
   Ｈ＝ＬＡ×ｔａｎθ－ＬＢ／ｃｏｓθ・・・（式）
2. 前記浮き量の閾値を記憶する記憶部と、
   前記浮き量と前記浮き量の閾値を比較し、前記半導体パッケージの良否を判定する判定部と、
   を更に備える請求項１記載の半導体検査システム。
3. 前記半導体パッケージは、前記第２の側面から側方に延びる第２のリードを、更に有し、
   前記第２の撮像部は、第１の光源、第２の光源、第１のミラー、第２のミラー、及び、カメラを有し、
   前記第１の光源は、前記半導体パッケージの前記上面の側かつ前記第１の側面の側に設けられ、
   前記第２の光源は、前記半導体パッケージの前記上面の側かつ前記第２の側面の側に設けられ、
   前記第１のミラーは、前記半導体パッケージの前記下面の側かつ前記第２の側面の側に設けられ、前記第１の光源により照明された前記第１のリードのシルエット像を反射し、
   前記第２のミラーは、前記半導体パッケージの前記下面の側かつ前記第１の側面の側に設けられ、前記第２の光源により照明された前記第２のリードのシルエット像を反射し、
   前記カメラは、前記半導体パッケージの前記下面の側に設けられ、前記第１のリードのシルエット像、及び、前記第２のリードのシルエット像を同時に撮像可能な請求項１又は請求項２記載の半導体検査システム。
4. 前記第１のミラーは、前記基準面に対する角度が可変であり、
   前記第２のミラーは、前記基準面に対する角度が可変である請求項３記載の半導体検査システム。
5. 上面、下面、第１の側面、及び、前記第１の側面に対向する第２の側面を有し半導体チップを封止する封止部と、前記封止部の前記第１の側面から側方に延びる第１のリードと、を有する半導体パッケージの前記上面及び前記下面に垂直な第１の方向から前記第１のリードを撮像する第１の撮像部と、
   前記第１の撮像部で撮像された画像から前記第１のリードの正面長さを算出する第１の算出部と、
   前記上面及び前記下面に斜行する第２の方向から前記第１のリードを撮像する第２の撮像部と、
   前記第２の撮像部で撮像された画像から前記第１のリードの斜方長さを算出する第２の算出部と、
   前記正面長さと前記斜方長さを用いて、前記上面及び前記下面に平行な基準面からの前記第１のリードの浮き量を算出する第３の算出部と、
   を備え、
   前記半導体パッケージは、前記第２の側面から側方に延びる第２のリードを、更に有し、
   前記第２の撮像部は、第１の光源、第２の光源、第１のミラー、第２のミラー、及び、カメラを有し、
   前記第１の光源は、前記半導体パッケージの前記上面の側かつ前記第１の側面の側に設けられ、
   前記第２の光源は、前記半導体パッケージの前記上面の側かつ前記第２の側面の側に設けられ、
   前記第１のミラーは、前記半導体パッケージの前記下面の側かつ前記第２の側面の側に設けられ、前記第１の光源により照明された前記第１のリードのシルエット像を反射し、
   前記第２のミラーは、前記半導体パッケージの前記下面の側かつ前記第１の側面の側に設けられ、前記第２の光源により照明された前記第２のリードのシルエット像を反射し、
   前記カメラは、前記半導体パッケージの前記下面の側に設けられ、前記第１のリードのシルエット像、及び、前記第２のリードのシルエット像を同時に撮像可能で、
   前記第１の光源の前記半導体パッケージの側の端部から前記基準面に下した垂線は、前記半導体パッケージ又は前記第１のリードと交差し、
   前記第２の光源の前記半導体パッケージの側の端部から前記基準面に下した垂線は、前記半導体パッケージ又は前記第２のリードと交差する半導体検査システム。
6. 上面、下面、第１の側面、及び、前記第１の側面に対向する第２の側面を有し半導体チップを封止する封止部と、前記封止部の前記第１の側面から側方に延びる第１のリードと、前記第２の側面から側方に延びる第２のリードと、を有する半導体パッケージを検査する半導体検査装置であって、
   前記半導体パッケージの前記上面の側かつ前記第１の側面の側に設けられた第１の光源と、
   前記半導体パッケージの前記上面の側かつ前記第２の側面の側に設けられた第２の光源と、
   前記半導体パッケージの前記下面の側かつ前記第２の側面の側に設けられ、前記第１の光源により照明された前記第１のリードのシルエット像を反射する第１のミラーと、
   前記半導体パッケージの前記下面の側かつ前記第１の側面の側に設けられ、前記第２の光源により照明された前記第２のリードのシルエット像を反射する第２のミラーと、
   前記半導体パッケージの前記下面の側に設けられ、前記第１のリードのシルエット像、及び、前記第２のリードのシルエット像を同時に撮像可能なカメラと、
   を備え、
   前記第１の光源の前記半導体パッケージの側の端部から前記上面及び前記下面に下した垂線は、前記半導体パッケージ又は前記第１のリードと交差し、
   前記第２の光源の前記半導体パッケージの側の端部から前記上面及び前記下面に下した垂線は、前記半導体パッケージ又は前記第２のリードと交差する半導体検査装置。
7. 前記第１のミラーは、前記上面及び前記下面に対する角度が可変であり、
   前記第２のミラーは、前記上面及び前記下面に対する角度が可変である請求項６記載の半導体検査装置。

Images