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JP7200658B2 - optical devices and electronic devices - Google Patents
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Description

本発明は、光学装置、及び電子機器に関する。 The present invention relates to optical devices and electronic equipment.

従来、入射光から所定波長の光を透過させる分光装置(光学装置)が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載の光学装置は、基板の一面上に固定ミラーが配置され、固定ミラーの上に支持部材を介して可動ミラーを配置されることで、第1フィルターが構成されている。そして、第1フィルターの可動ミラーの上に、接続層を介して、第2フィルターの可動ミラーが接合され、この第2フィルターの可動ミラーの上に、支持部材を介して第2フィルターの固定ミラーが配置されている。
このような光学装置では、第1フィルターの分光帯域と、第2フィルターの分光帯域とが重なる帯域に含まれる波長の光を分光させる場合、第1フィルター及び第2フィルターの双方のギャップを分光波長に応じた寸法に設定する。また、光学装置により、第1フィルターの分光帯域のうち、第2フィルターの分光帯域と重ならない帯域に含まれる波長の光を分光させる場合、第1フィルターのギャップのみを分光波長に応じた寸法に設定する。同様に、光学装置により、第2フィルターの分光帯域のうち、第1フィルターの分光帯域と重ならない帯域に含まれる波長の光を分光させる場合、第2フィルターのギャップのみを分光波長に応じた寸法に設定する。
このような構成では、光学装置により分光可能な波長可変帯域は、第1フィルターの分光帯域の最短波長から、第2フィルターの分光帯域の最長波長までとなるので、光学装置を1つのファブリペローフィルターのみにより構成する場合に比べて、波長可変帯域を広帯域化することができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, a spectroscopic device (optical device) that transmits light of a predetermined wavelength from incident light is known (see Patent Document 1, for example).
In the optical device described in Patent Document 1, a fixed mirror is arranged on one surface of a substrate, and a movable mirror is arranged on the fixed mirror via a support member, thereby forming a first filter. Then, the movable mirror of the second filter is bonded onto the movable mirror of the first filter through a connection layer, and the fixed mirror of the second filter is joined onto the movable mirror of the second filter through a support member. are placed.
In such an optical device, when light having a wavelength included in a band where the spectral band of the first filter and the spectral band of the second filter overlap, the gap between both the first filter and the second filter is the spectral wavelength. Set the dimensions according to the Further, when the optical device disperses light having a wavelength included in a band that does not overlap with the spectral band of the second filter among the spectral bands of the first filter, only the gap of the first filter is sized according to the spectral wavelength. set. Similarly, when the optical device disperses light having a wavelength included in a band that does not overlap with the spectral band of the first filter among the spectral bands of the second filter, only the gap of the second filter has a dimension corresponding to the spectral wavelength. set to
With such a configuration, the wavelength variable band spectroscopy possible by the optical device is from the shortest wavelength of the spectral band of the first filter to the longest wavelength of the spectral band of the second filter. The wavelength tunable band can be widened as compared with the case of using only one.

特開2012-108370号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-108370

しかしながら、特許文献1に記載のような光学装置では、第1フィルターの可動ミラーと、第2フィルターの可動ミラーとが、膜状の接続層により接合される構成であるため、これらの可動ミラー間で、光の多重干渉が発生する。つまり、第1フィルターの可動ミラーと、第2フィルターの可動ミラーとが、接続層の厚みに応じた波長の光を透過させる第3フィルターとして機能してしまう。この場合、接続層の厚みに応じた波長の光は、第3フィルターを透過するので、第1フィルター及び第2フィルターのギャップを当該波長に合わせることで、光学装置を高い透過率で透過させることができる。しかし、目標波長をその他の波長とした際に、第3フィルターでの透過率が低くなり、光学装置を透過する光の光量が減少してしまうとの課題がある。 However, in the optical device as described in Patent Document 1, since the movable mirror of the first filter and the movable mirror of the second filter are joined by a film-like connection layer, there is a gap between these movable mirrors. , multiple interference of light occurs. In other words, the movable mirror of the first filter and the movable mirror of the second filter function as a third filter that transmits light having a wavelength corresponding to the thickness of the connection layer. In this case, since light having a wavelength corresponding to the thickness of the connection layer is transmitted through the third filter, by matching the gap between the first filter and the second filter to the wavelength, the optical device can be transmitted with high transmittance. can be done. However, when the target wavelength is set to another wavelength, there is a problem that the transmittance of the third filter becomes low, and the amount of light transmitted through the optical device is reduced.

第一適用例に係る光学装置は、第一反射膜と、第二反射膜とが第一ギャップを介して対向する第一波長可変干渉フィルターと、第三反射膜と、第四反射膜とが第二ギャップを介して対向する第二波長可変干渉フィルターと、第一面、及び前記第一面とは反対側の第二面を有する透光性の第一基板と、を備え、前記第二反射膜は、前記第一基板の前記第一面に設けられ、前記第三反射膜は、前記第一基板の前記第二面に設けられていることを特徴とする。 An optical device according to a first application example includes a first tunable interference filter in which a first reflective film and a second reflective film face each other across a first gap, a third reflective film, and a fourth reflective film. a second tunable interference filter facing across a second gap; and a translucent first substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; The reflecting film is provided on the first surface of the first substrate, and the third reflecting film is provided on the second surface of the first substrate.

本適用例の光学装置において、前記第一波長可変干渉フィルターは、前記第一反射膜に設けられた第一電極と、前記第二反射膜に設けられた第二電極と、を備え、前記第一電極及び前記第二電極は、前記第一ギャップを介して対向し、前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第三反射膜に設けられた第三電極と、前記第四反射膜に設けられた第四電極と、を備え、前記第三電極及び前記第四電極は、前記第二ギャップを介して対向し、前記第一基板は、前記第一面から前記第二面までを貫通する第一スルーホールを備え、前記第一電極及び前記第二電極の一方は、前記第一スルーホールを介して、前記第三電極及び前記第四電極の一方に導通することが好ましい。 In the optical device of this application example, the first tunable interference filter includes a first electrode provided on the first reflective film and a second electrode provided on the second reflective film, The first electrode and the second electrode face each other across the first gap, and the second variable wavelength interference filter is provided on the third electrode provided on the third reflective film and on the fourth reflective film. a fourth electrode, wherein the third electrode and the fourth electrode face each other across the second gap; and the first substrate has a fourth electrode penetrating from the first surface to the second surface. It is preferable that one through hole is provided, and one of the first electrode and the second electrode is electrically connected to one of the third electrode and the fourth electrode through the first through hole.

第二適用例に係る光学装置は、第一反射膜と、第二反射膜とが第一ギャップを介して対向する第一波長可変干渉フィルターと、第三反射膜と、第四反射膜とが第二ギャップを介して対向する第二波長可変干渉フィルターと、第三面、及び前記第三面とは反対側の第四面を有する透光性の第二基板と、第五面、及び前記第五面とは反対側の第六面を有する透光性の第三基板と、を備え、前記第二反射膜は、前記第二基板の前記第三面に設けられ、前記第一反射膜は、前記第二反射膜に対して前記第二基板とは反対側に設けられ、前記第四反射膜は、前記第三基板の前記第五面に設けられ、前記第三反射膜は、前記第四反射膜に対して前記第三基板とは反対側に設けられ、前記第二基板の前記第四面は、前記第三基板の前記第五面にスペーサーを介して固定され、前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第二基板と前記第三基板との間に配置されていることを特徴とする。 An optical device according to a second application example includes a first tunable interference filter in which a first reflective film and a second reflective film face each other across a first gap, a third reflective film, and a fourth reflective film. a second tunable interference filter facing across a second gap; a translucent second substrate having a third surface and a fourth surface opposite to the third surface; a fifth surface; a translucent third substrate having a sixth surface opposite to the fifth surface, wherein the second reflective film is provided on the third surface of the second substrate, and the first reflective film is provided on the side opposite to the second substrate with respect to the second reflective film, the fourth reflective film is provided on the fifth surface of the third substrate, and the third reflective film is provided on the provided on the side opposite to the third substrate with respect to the fourth reflective film, the fourth surface of the second substrate is fixed to the fifth surface of the third substrate via a spacer, and the second A variable wavelength interference filter is arranged between the second substrate and the third substrate.

本適用例の光学装置において、前記第一波長可変干渉フィルターは、前記第一反射膜に設けられた第一電極と、前記第二反射膜に設けられた第二電極と、を備え、前記第一電極及び前記第二電極は、前記第一ギャップを介して対向し、前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第三反射膜に設けられた第三電極と、前記第四反射膜に設けられた第四電極と、を備え、前記第三電極及び前記第四電極は、前記第二ギャップを介して対向し、前記スペーサーは、導電性を有する導電性スペーサーを含み、前記第二基板は、前記導電性スペーサーと接する位置で、前記第三面から前記第四面までを貫通する第二スルーホールを有し、前記第一電極及び前記第二電極の一方は、前記第二スルーホール及び前記導電性スペーサーを介して、前記第三電極及び前記第四電極の一方に導通することが好ましい。 In the optical device of this application example, the first tunable interference filter includes a first electrode provided on the first reflective film and a second electrode provided on the second reflective film, The first electrode and the second electrode face each other across the first gap, and the second variable wavelength interference filter is provided on the third electrode provided on the third reflective film and on the fourth reflective film. and a fourth electrode, wherein the third electrode and the fourth electrode face each other across the second gap, the spacer includes a conductive spacer having conductivity, and the second substrate comprises: A second through hole penetrating from the third surface to the fourth surface is provided at a position in contact with the conductive spacer, and one of the first electrode and the second electrode is connected to the second through hole and the It is preferable to conduct to one of the third electrode and the fourth electrode via a conductive spacer.

第三適用例に係る光学装置は、第一反射膜と、第二反射膜とが第一ギャップを介して対向する第一波長可変干渉フィルターと、第三反射膜と、第四反射膜とが第二ギャップを介して対向する第二波長可変干渉フィルターと、第七面、及び前記第七面とは反対側の第八面を有する透光性の第四基板と、第九面、及び前記第九面とは反対側の第十面を有する透光性の第五基板と、を備え、前記第一反射膜は、前記第四基板の前記第八面に設けられ、前記第二反射膜は、前記第一反射膜に対して前記第四基板とは反対側に設けられ、前記第四反射膜は、前記第五基板の前記第九面に設けられ、前記第三反射膜は、前記第四反射膜に対して前記第五基板とは反対側に設けられ、前記第四基板の前記第八面は、前記第五基板の前記第九面にスペーサーを介して固定され、前記第一波長可変干渉フィルター及び前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第四基板と前記第五基板との間に配置されていることを特徴とする。 An optical device according to a third application example includes a first tunable interference filter in which a first reflective film and a second reflective film face each other across a first gap, a third reflective film, and a fourth reflective film. a second tunable interference filter facing across a second gap; a translucent fourth substrate having a seventh surface and an eighth surface opposite to the seventh surface; a ninth surface; a translucent fifth substrate having a tenth surface opposite to the ninth surface, wherein the first reflective film is provided on the eighth surface of the fourth substrate; is provided on the side opposite to the fourth substrate with respect to the first reflective film, the fourth reflective film is provided on the ninth surface of the fifth substrate, and the third reflective film is provided on the provided on the side opposite to the fifth substrate with respect to the fourth reflective film, the eighth surface of the fourth substrate is fixed to the ninth surface of the fifth substrate via a spacer, and the first The wavelength tunable interference filter and the second wavelength tunable interference filter are arranged between the fourth substrate and the fifth substrate.

本適用例の光学装置において、前記第一波長可変干渉フィルターは、前記第一反射膜に設けられた第一電極と、前記第二反射膜に設けられた第二電極と、を備え、前記第一電極及び前記第二電極は、前記第一ギャップを介して対向し、前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第三反射膜に設けられた第三電極と、前記第四反射膜に設けられた第四電極と、を備え、前記第三電極及び前記第四電極は、前記第二ギャップを介して対向し、前記スペーサーは、導電性を有する導電性スペーサーを含み、前記第一電極及び前記第二電極の一方は、前記導電性スペーサーを介して、前記第三電極及び前記第四電極の一方に導通することが好ましい。 In the optical device of this application example, the first tunable interference filter includes a first electrode provided on the first reflective film and a second electrode provided on the second reflective film, The first electrode and the second electrode face each other across the first gap, and the second variable wavelength interference filter is provided on the third electrode provided on the third reflective film and on the fourth reflective film. and a fourth electrode, wherein the third electrode and the fourth electrode face each other across the second gap, the spacer includes a conductive spacer having conductivity, and the first electrode and the One of the second electrodes is preferably electrically connected to one of the third electrode and the fourth electrode via the conductive spacer.

第一適用例から第三適用例のいずれかの光学装置において、前記第一波長可変干渉フィルターは、前記第一ギャップの寸法を変化させることで、当該第一波長可変干渉フィルターから透過させる光の波長である第一透過波長を、第一波長から、前記第一波長よりも長波長の第二波長までの範囲で変更可能に構成されており、前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第二ギャップの寸法を変化させることで、当該第二波長可変干渉フィルターから透過させる光の波長である第二透過波長を、前記第一波長よりも長波長であり、かつ前記第二波長よりも短波長となる第三波長から、前記第二波長よりも長波長の第四波長までの範囲で変更可能に構成されていることが好ましい。 In the optical device according to any one of the first application example to the third application example, the first wavelength tunable interference filter changes the dimension of the first gap to reduce the amount of light transmitted from the first wavelength tunable interference filter. A first transmission wavelength, which is a wavelength, is configured to be changeable within a range from the first wavelength to a second wavelength longer than the first wavelength, and the second wavelength tunable interference filter has the second By changing the dimension of the gap, the second transmission wavelength, which is the wavelength of light to be transmitted from the second wavelength tunable interference filter, is longer than the first wavelength and shorter than the second wavelength. from the third wavelength to the fourth wavelength longer than the second wavelength.

第一適用例から第三適用例のいずれかの光学装置において、前記第二反射膜と前記第三反射膜との間の距離は、前記第一波長から前記第四波長までの波長域の中心波長の300倍以上であることが好ましい。 In the optical device according to any one of the first application example to the third application example, the distance between the second reflective film and the third reflective film is the center of the wavelength range from the first wavelength to the fourth wavelength. It is preferably at least 300 times the wavelength.

第一適用例から第三適用例のいずれかの光学装置において、前記第二反射膜と前記第三反射膜との間の距離は、前記第一波長から前記第四波長までの波長域の中心波長の30000倍以下であることが好ましい。 In the optical device according to any one of the first application example to the third application example, the distance between the second reflective film and the third reflective film is the center of the wavelength range from the first wavelength to the fourth wavelength. It is preferably 30000 times or less than the wavelength.

第一適用例から第三適用例のいずれかの光学装置において、前記第二反射膜と前記第三反射膜との間の距離は、前記第一反射膜と前記第二反射膜との間の距離よりも大きく、前記第三反射膜と前記第四反射膜との間の距離よりも大きいことが好ましい。 In the optical device according to any one of the first application example to the third application example, the distance between the second reflective film and the third reflective film is equal to the distance between the first reflective film and the second reflective film. distance and preferably greater than the distance between the third reflective film and the fourth reflective film.

第四適用例の電子機器は、上記の第一適用例から第三適用例のいずれかの光学装置と、前記光学装置を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。 An electronic apparatus according to a fourth application example includes the optical device according to any one of the first application example to the third application example, and a control unit that controls the optical device.

第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spectroscopic measurement device according to a first embodiment; FIG. 第一実施形態の第一波長可変干渉フィルター及び第二波長可変干渉フィルターの透過特性の一例を示す図。FIG. 5 is a diagram showing an example of transmission characteristics of the first tunable interference filter and the second tunable interference filter of the first embodiment; 第二反射膜と第三反射膜とを接続膜により接合した際の分光部の透過特性を示す図。FIG. 5 is a diagram showing transmission characteristics of a spectroscopic section when a second reflective film and a third reflective film are joined by a connecting film; 第二反射膜と第三反射膜とを接続膜により接合した際の分光部の透過特性を示す図。FIG. 5 is a diagram showing transmission characteristics of a spectroscopic section when a second reflective film and a third reflective film are joined by a connecting film; 第一実施形態の分光部の透過特性を示す図。4A and 4B are diagrams showing transmission characteristics of the spectroscopic section of the first embodiment; FIG. 第二反射膜及び第三反射膜の距離を変化させた際の、分光部を透過させる目標波長の光の透過率の変化を示す図。FIG. 10 is a diagram showing changes in transmittance of light having a target wavelength that is transmitted through the spectroscopic section when the distance between the second reflective film and the third reflective film is changed; 分光部により取り込める測定光の範囲を説明するための図。FIG. 5 is a diagram for explaining the range of measurement light that can be taken in by the spectroscopic section; 第二反射膜及び第三反射膜の距離を変化させた際の受光部での受光量を示す図。FIG. 5 is a diagram showing the amount of light received by the light receiving unit when the distance between the second reflecting film and the third reflecting film is changed; 第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a spectroscopic measurement device according to a first embodiment; FIG. 第一実施形態の分光測定装置の駆動方法を示すフローチャート。4 is a flowchart showing a method of driving the spectroscopic measurement device according to the first embodiment; 第一実施形態において、分光部から第二波長から第四波長までの波長域に含まれる目標波長の光を透過させる場合の分光部の透過特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing transmission characteristics of the spectroscopic section when light having a target wavelength included in a wavelength range from the second wavelength to the fourth wavelength is transmitted from the spectroscopic section in the first embodiment; 第一実施形態において、分光部から第三波長から第二波長までの波長域に含まれる目標波長の光を透過させる場合の分光部の透過特性を示す図。FIG. 5 is a diagram showing transmission characteristics of the spectroscopic section when light of a target wavelength included in a wavelength range from the third wavelength to the second wavelength is transmitted from the spectroscopic section in the first embodiment; 第一実施形態において、分光部から第一波長から第三までの波長域に含まれる目標波長の光を透過させる場合の分光部の透過特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing the transmission characteristics of the spectroscopic section when the spectroscopic section transmits light of a target wavelength included in the first to third wavelength ranges in the first embodiment; 第二実施形態の分光測定装置の概略構成を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spectroscopic measurement device according to a second embodiment; 第三実施形態の分光測定装置の概略構成を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spectroscopic measurement device according to a third embodiment; 第一実施形態の変形例に係る分光部の概略構成を示す断面図。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spectroscopic section according to a modification of the first embodiment;

[第一実施形態]
以下、第一実施形態について説明する。
図1は、第一実施形態の分光測定装置1の概略構成を示す断面図である。
[分光測定装置1の全体構成]
分光測定装置1は、測定対象から入射される測定光を分光して、測定対象の分光スペクトルや色度等を測定する電子機器である。この分光測定装置1では、図1に示すように、光学装置である分光部10と、分光部10により分光された光を検出する受光部20と、分光部10及び受光部20を保持する回路基板30とを備えている。
[First embodiment]
A first embodiment will be described below.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spectroscopic measurement device 1 according to the first embodiment.
[Overall Configuration of Spectral Measurement Device 1]
The spectrometer 1 is an electronic device that separates measurement light incident from an object to be measured and measures the spectrum, chromaticity, and the like of the object to be measured. As shown in FIG. 1, the spectrometer 1 includes a spectroscopic section 10 which is an optical device, a light receiving section 20 for detecting the light split by the spectroscopic section 10, and a circuit holding the spectroscopic section 10 and the light receiving section 20. A substrate 30 is provided.

[分光部10の構成]
分光部10は、図1に示すように、第一波長可変干渉フィルター11と、第二波長可変干渉フィルター12と、第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12が設けられる第一基板101と、を備えて構成されている。
第一基板101は、測定光が入射される第一面101Aと、第一面101Aとは反対側の第二面101Bとを備えた、透光性の平行平板である。なお、ここでの透光性とは、分光部10により分光可能な波長域(分光可能帯域ΔΛ)の光に対して、所定以上の透過率を有することを意味する。例えば、分光可能帯域ΔΛが可視光域である場合、第一基板101は、可視光域の光を透過可能なガラス等により構成される。また、分光可能帯域ΔΛが近赤外域から赤外域である場合では、第一基板101としてSi基板等により構成される。
なお、第一基板101の厚み寸法、つまり、平行な2平面である第一面101Aと第二面101Bとの間の距離dについての説明については後述する。
[Configuration of spectroscopic unit 10]
As shown in FIG. 1, the spectroscopic section 10 includes a first wavelength tunable interference filter 11, a second wavelength tunable interference filter 12, and a first wavelength tunable interference filter 11 and a second wavelength tunable interference filter 12. and a substrate 101 .
The first substrate 101 is a translucent parallel plate having a first surface 101A on which measurement light is incident and a second surface 101B opposite to the first surface 101A. Here, translucency means having a predetermined or more transmittance with respect to light in a wavelength range (spectroscopic band ΔΛ 0 ) spectroscopic by the spectroscopic section 10 . For example, when the spectroscopic band ΔΛ 0 is in the visible light range, the first substrate 101 is made of glass or the like capable of transmitting light in the visible light range. Further, when the spectroscopic band ΔΛ 0 is from the near-infrared region to the infrared region, the first substrate 101 is composed of a Si substrate or the like.
The thickness dimension of the first substrate 101, that is, the distance d between the first surface 101A and the second surface 101B, which are two parallel planes, will be described later.

第一波長可変干渉フィルター11は、第一基板101の第一面101A側に設けられている。この第一波長可変干渉フィルター11は、ファブリーペロー型の波長可変干渉フィルターであり、第一反射膜111と、第二反射膜112とを備えている。
本実施形態では、第一反射膜111及び第二反射膜112として、低屈折光学層と高屈折光学層とを交互に積層した誘電体多層膜を用いる。このような誘電体多層膜では、低屈折光学層及び高屈折光学層の層厚を設定することで、反射帯域の中心波長を設定することができ、かつ、中心波長を中心とした所定の反射帯域において、高い反射率で光を反射させることができる。このような誘電体多層膜により構成された第一反射膜111及び第二反射膜112を用いることで、第一波長可変干渉フィルター11により光を分光させる範囲である第一分光帯域ΔΛを容易に設計することができる。また、第一波長可変干渉フィルター11から高い分解能で所望の目標波長の光を透過させることが可能となる。
The first tunable interference filter 11 is provided on the first surface 101A side of the first substrate 101 . This first wavelength tunable interference filter 11 is a Fabry-Perot type wavelength tunable interference filter and includes a first reflecting film 111 and a second reflecting film 112 .
In this embodiment, a dielectric multilayer film in which low-refractive optical layers and high-refractive optical layers are alternately laminated is used as the first reflective film 111 and the second reflective film 112 . In such a dielectric multilayer film, the central wavelength of the reflection band can be set by setting the layer thicknesses of the low-refractive optical layer and the high-refractive optical layer. In the band, light can be reflected with high reflectance. By using the first reflecting film 111 and the second reflecting film 112 composed of such a dielectric multilayer film, the first spectral band ΔΛ 1 , which is the range in which light is dispersed by the first variable wavelength interference filter 11, can be easily adjusted. can be designed to In addition, it is possible to transmit light of a desired target wavelength from the first variable wavelength interference filter 11 with high resolution.

第二反射膜112は、第一基板101の第一面101Aの上に設けられている。つまり、第二反射膜112の表面は、第一面101Aと平行となる。
一方、第一反射膜111は、第二反射膜112に対して第一基板101とは反対側に配置されている。また、第一反射膜111は、周端部が第二反射膜112に接合され、中央部の一部が、第一ギャップG1を介して、第二反射膜112に対向する。
ここで、本実施形態の分光部10では、第一基板101の第一面101Aから第二面101Bに向かう方向を基板の厚み方向Zとし、厚み方向Zに平行で、第一基板101の中心を通る基板中心軸Lに沿って、測定光が入射される。そして、入射された測定光のうち、基板中心軸Lから所定の径寸法の範囲となる測定領域Ar1の光が、受光部20により受光される。
第一波長可変干渉フィルター11において、第一反射膜111及び第二反射膜112は、この測定領域Ar1において平行に維持されており、第一ギャップG1の寸法が均一となる。したがって、第一ギャップG1の寸法に応じた第一透過波長の光が第一波長可変干渉フィルター11を透過する。
A second reflective film 112 is provided on the first surface 101A of the first substrate 101 . That is, the surface of the second reflective film 112 is parallel to the first surface 101A.
On the other hand, the first reflective film 111 is arranged on the side opposite to the first substrate 101 with respect to the second reflective film 112 . The first reflective film 111 has a peripheral end joined to the second reflective film 112, and a part of the central portion faces the second reflective film 112 via the first gap G1.
Here, in the spectroscopic section 10 of the present embodiment, the direction from the first surface 101A of the first substrate 101 to the second surface 101B is defined as the thickness direction Z of the substrate, and the center of the first substrate 101 is parallel to the thickness direction Z. Measurement light is incident along the substrate center axis L C passing through . Among the incident measurement light, the light in the measurement area Ar1 within a predetermined diameter range from the substrate center axis LC is received by the light receiving section 20 .
In the first tunable interference filter 11, the first reflective film 111 and the second reflective film 112 are maintained parallel in this measurement area Ar1, and the dimensions of the first gap G1 are uniform. Therefore, the light of the first transmission wavelength corresponding to the dimension of the first gap G1 is transmitted through the first variable wavelength interference filter 11 .

また、第一波長可変干渉フィルター11は、第一ギャップG1の寸法を変更する第一ギャップ変更部113を有する。この第一ギャップ変更部113は、第一電極113Aと、第二電極113Bとにより構成されている。
第一電極113Aは、第一反射膜111の第二反射膜112に対向する面において、測定領域Ar1を囲って設けられている。つまり、第一電極113Aは、基板中心軸Lから所定の径寸法となる仮想円に沿って配置される。
また、第二電極113Bは、第二反射膜112の第一反射膜111に対向する面において、測定領域Ar1を囲って設けられている。つまり、第二電極113Bは、基板中心軸Lから所定の径寸法となる仮想円に沿って配置される。そして、第一電極113A及び第二電極113Bは、第一ギャップG1を介して互いに対向する。
このような構成の第一ギャップ変更部113では、第一電極113A及び第二電極113Bの間に駆動電圧を印加することで、第一電極113A及び第二電極113Bの間に静電引力が発生する。これにより、第一ギャップG1の寸法が変化し、第一ギャップG1の寸法の変化に応じて、第一波長可変干渉フィルター11の測定領域Ar1を透過する光の波長(第一透過波長)も変化する。本実施形態では、第一波長可変干渉フィルター11は、第一ギャップG1を変化させることで、第一波長λから、第二波長λ(λ>λ)までの第一分光帯域ΔΛの範囲で第一透過波長を変更可能に構成されている。
The first tunable interference filter 11 also has a first gap changing section 113 that changes the dimension of the first gap G1. The first gap changing portion 113 is composed of a first electrode 113A and a second electrode 113B.
The first electrode 113A is provided on the surface of the first reflective film 111 facing the second reflective film 112 so as to surround the measurement area Ar1. That is, the first electrode 113A is arranged along a virtual circle having a predetermined diameter dimension from the substrate central axis LC.
The second electrode 113B is provided on the surface of the second reflective film 112 facing the first reflective film 111 so as to surround the measurement area Ar1. That is, the second electrode 113B is arranged along a virtual circle having a predetermined diameter dimension from the substrate central axis LC. The first electrode 113A and the second electrode 113B face each other across the first gap G1.
In the first gap changing section 113 having such a configuration, electrostatic attraction is generated between the first electrode 113A and the second electrode 113B by applying a driving voltage between the first electrode 113A and the second electrode 113B. do. As a result, the dimension of the first gap G1 changes, and the wavelength (first transmission wavelength) of light transmitted through the measurement region Ar1 of the first wavelength tunable interference filter 11 also changes according to the change in the dimension of the first gap G1. do. In this embodiment, the first wavelength tunable interference filter 11 changes the first gap G1 so that the first spectral band ΔΛ from the first wavelength λ 1 to the second wavelength λ 221 ) It is configured such that the first transmission wavelength can be changed within a range of one .

一方、第二波長可変干渉フィルター12は、第一基板101の第二面101B側に設けられている。この第二波長可変干渉フィルター12は、第一波長可変干渉フィルター11と同様、ファブリーペロー型の波長可変干渉フィルターであり、第三反射膜121と、第四反射膜122とを備えている。
第二波長可変干渉フィルター12においても、第一波長可変干渉フィルター11と同様に、第三反射膜121及び第四反射膜122は誘電体多層膜により構成されている。このため、第二波長可変干渉フィルター12では、各層の層厚を設定することで、第二波長可変干渉フィルター12により光を分光させる範囲である第二分光帯域ΔΛを容易に設計することができ、高い分解能で所望の目標波長の光を透過させることが可能となる。
On the other hand, the second wavelength tunable interference filter 12 is provided on the second surface 101B side of the first substrate 101 . The second wavelength tunable interference filter 12 is a Fabry-Perot type wavelength tunable interference filter, like the first wavelength tunable interference filter 11 , and includes a third reflecting film 121 and a fourth reflecting film 122 .
In the second wavelength tunable interference filter 12, similarly to the first wavelength tunable interference filter 11, the third reflecting film 121 and the fourth reflecting film 122 are composed of dielectric multilayer films. Therefore, in the second wavelength tunable interference filter 12, by setting the layer thickness of each layer, it is possible to easily design the second spectral band ΔΛ2, which is the range in which light is dispersed by the second wavelength tunable interference filter 12. It is possible to transmit light of a desired target wavelength with high resolution.

第三反射膜121は、第一基板101の第二面101Bに設けられている。第一面101Aと第二面101Bとは平行であるため、第一面101Aに設けられる第二反射膜112と、第二面101Bに設けられる第三反射膜121とは平行になる。
第四反射膜122は、第三反射膜121に対して第一基板101とは反対側に配置されている。
また、第一波長可変干渉フィルター11と同様に、第四反射膜122は、周端部が第三反射膜121に接合され、中央部の一部が第二ギャップG2を介して、第三反射膜121に対向する。第二波長可変干渉フィルター12において、第三反射膜121及び第四反射膜122は、測定領域Ar1において平行に維持され、第二ギャップG2の寸法が均一となる。したがって、第二ギャップG2の寸法に応じた第二透過波長の光が第二波長可変干渉フィルター12を透過する。
A third reflective film 121 is provided on the second surface 101B of the first substrate 101 . Since the first surface 101A and the second surface 101B are parallel, the second reflecting film 112 provided on the first surface 101A and the third reflecting film 121 provided on the second surface 101B are parallel.
The fourth reflective film 122 is arranged on the side opposite to the first substrate 101 with respect to the third reflective film 121 .
Further, similarly to the first tunable interference filter 11, the fourth reflecting film 122 has its peripheral end joined to the third reflecting film 121, and a part of its central portion is connected to the third reflecting film 121 through the second gap G2. It faces the membrane 121 . In the second wavelength tunable interference filter 12, the third reflecting film 121 and the fourth reflecting film 122 are maintained parallel in the measurement area Ar1, and the dimensions of the second gap G2 are uniform. Therefore, the second wavelength tunable interference filter 12 transmits light having a second transmission wavelength corresponding to the dimension of the second gap G2.

また、第二波長可変干渉フィルター12は、第二ギャップG2の寸法を変更する第二ギャップ変更部123を有する。この第二ギャップ変更部123は、第三電極123Aと、第四電極123Bとにより構成されている。
第三電極123Aは、第三反射膜121の第四反射膜122に対向する面において、測定領域Ar1を囲って設けられている。第四電極123Bは、第四反射膜122の第三反射膜121に対向する面において、測定領域Ar1を囲って設けられている。そして、第三電極123A及び第四電極123Bは、第二ギャップG2を介して互いに対向する。
第二ギャップ変更部123は、第一ギャップ変更部113と同様、第三電極123A及び第四電極123Bの間に駆動電圧を印加することで、第三電極123A及び第四電極123Bの間に静電引力を発生させる。これにより、第二ギャップG2の寸法が変化し、第二波長可変干渉フィルター12の測定領域Ar1を透過する光の波長である第二透過波長も変化する。本実施形態では、第二波長可変干渉フィルター12は、第二ギャップG2を変化させることで、第三波長λ(λ<λ<λ)から、第四波長λ4(λ>λ>λ)までの第二分光帯域ΔΛで第二透過波長を変更可能に構成されている。
The second wavelength tunable interference filter 12 also has a second gap changing section 123 that changes the dimension of the second gap G2. The second gap changing portion 123 is composed of a third electrode 123A and a fourth electrode 123B.
The third electrode 123A is provided on the surface of the third reflecting film 121 facing the fourth reflecting film 122 so as to surround the measurement area Ar1. The fourth electrode 123B is provided on the surface of the fourth reflective film 122 facing the third reflective film 121 so as to surround the measurement area Ar1. The third electrode 123A and the fourth electrode 123B face each other via the second gap G2.
Similarly to the first gap changing section 113, the second gap changing section 123 applies a drive voltage between the third electrode 123A and the fourth electrode 123B to generate static electricity between the third electrode 123A and the fourth electrode 123B. Generates electro-gravitational force. As a result, the dimension of the second gap G2 changes, and the second transmission wavelength, which is the wavelength of light that passes through the measurement area Ar1 of the second wavelength tunable interference filter 12, also changes. In this embodiment, the second wavelength tunable interference filter 12 changes the second gap G2 to change the third wavelength λ 3132 ) to the fourth wavelength λ 4 (λ 432 ), the second transmission wavelength can be changed in the second spectral band ΔΛ 2 .

また、本実施形態では、第一基板101には、第一面101Aから第二面101Bまでを貫通する第一スルーホール101Cと、配線用スルーホール101Dと、が設けられている。なお、図1に示すように、第二反射膜112が第一面101Aの全体を覆う場合や、第三反射膜121が第二面101Bの全体を覆う場合では、第一スルーホール101Cや配線用スルーホール101Dは、第二反射膜112の第一基板101とは反対側の面から、第三反射膜121の第一基板101とは反対側の面までを貫通する。
そして、第一ギャップ変更部113の第一電極113A及び第二電極113Bの一方は、第一スルーホール101Cを介して、第二ギャップ変更部123の第三電極123A及び第四電極123Bの一方に電気的に導通される。本実施形態では、図1に示すように、第二反射膜112に設けられる第二電極113Bと、第三反射膜121に設けられる第三電極123Aとが導通されている。これらの第二電極113B及び第三電極123Aは、回路基板30に設けられたグラウンド回路に電気的に接続され、共通電位に設定される。
なお、第二電極113Bと第三電極123Aとの接続構成としては、第一スルーホール101Cに、Agペースト等の導電性部材を流し込むことで、第二電極113Bと第三電極123Aと接続してもよく、第一スルーホール101Cに貫通電極を差し込んで第二電極113Bと第三電極123Aと接続してもよい。
In addition, in the present embodiment, the first substrate 101 is provided with a first through hole 101C penetrating from the first surface 101A to the second surface 101B, and a wiring through hole 101D. As shown in FIG. 1, when the second reflecting film 112 covers the entire first surface 101A or when the third reflecting film 121 covers the entire second surface 101B, the first through holes 101C and the wiring The through-hole 101D for through-hole 101D penetrates from the surface of the second reflective film 112 opposite to the first substrate 101 to the surface of the third reflective film 121 opposite to the first substrate 101 .
Then, one of the first electrode 113A and the second electrode 113B of the first gap changing portion 113 is connected to one of the third electrode 123A and the fourth electrode 123B of the second gap changing portion 123 through the first through hole 101C. electrically conductive. In this embodiment, as shown in FIG. 1, the second electrode 113B provided on the second reflective film 112 and the third electrode 123A provided on the third reflective film 121 are electrically connected. These second electrode 113B and third electrode 123A are electrically connected to a ground circuit provided on the circuit board 30 and set to a common potential.
As a connection structure between the second electrode 113B and the third electrode 123A, a conductive member such as Ag paste is poured into the first through hole 101C to connect the second electrode 113B and the third electrode 123A. Alternatively, a through electrode may be inserted into the first through hole 101C to connect the second electrode 113B and the third electrode 123A.

配線用スルーホール101Dは、第四電極123Bと、第一基板101の第一面101Aに設けられた第四電極端子123Cとを導通させるための貫通孔である。すなわち、本実施形態では、第一基板101の第二面101Bは、回路基板30に対向するように、固定部材301により固定されており、第一基板101と回路基板30との間隔が狭く、第四電極123Bへの配線が困難となる。これに対して、配線用スルーホール101Dにより、第四電極123Bが、第一基板101に設けられた第四電極端子123Cに接続されることで、配線作業を簡易にできる。 The wiring through-hole 101D is a through-hole for conducting the fourth electrode 123B and the fourth electrode terminal 123C provided on the first surface 101A of the first substrate 101 . That is, in the present embodiment, the second surface 101B of the first substrate 101 is fixed by the fixing member 301 so as to face the circuit board 30, and the distance between the first substrate 101 and the circuit board 30 is narrow. Wiring to the fourth electrode 123B becomes difficult. On the other hand, by connecting the fourth electrode 123B to the fourth electrode terminal 123C provided on the first substrate 101 through the wiring through hole 101D, the wiring work can be simplified.

また、本実施形態の分光部10では、第一波長可変干渉フィルター11を透過させる光の波長である第一透過波長、第二波長可変干渉フィルター12を透過させる光の波長である第二透過波長をそれぞれ適切に設定することで、分光可能帯域ΔΛに含まれる所望の目標波長の光を分光させることができる。一方、分光可能帯域ΔΛの帯域外の光に対しては、透過率が高くなり、分光させることができない。したがって、分光部10には、分光可能帯域ΔΛ以外の波長の光を遮光するカットフィルター14を設けることが好ましい。カットフィルター14が設けられる位置は、受光部20の光軸上であれば、特に限定されず、例えば、図1に示すように、第二波長可変干渉フィルター12と受光部20との間に配置することができる。 Further, in the spectroscopic section 10 of the present embodiment, the first transmission wavelength, which is the wavelength of light that is transmitted through the first tunable interference filter 11, and the second transmission wavelength, which is the wavelength of light that is transmitted through the second tunable interference filter 12 By appropriately setting , it is possible to disperse light of a desired target wavelength included in the spectroscopic band ΔΛ 0 . On the other hand, light outside the spectroscopic band ΔΛ 0 has a high transmittance and cannot be spectroscopically dispersed. Therefore, it is preferable to provide the spectroscopic section 10 with a cut filter 14 that blocks light of wavelengths other than the spectroscopic band ΔΛ0 . The position where the cut filter 14 is provided is not particularly limited as long as it is on the optical axis of the light receiving section 20. For example, as shown in FIG. can do.

[分光部10の透過特性]
次に、上述したような分光部10における透過特性(分光特性)について説明する。
図2は、本実施形態の第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12の透過特性の一例を示す図である。
第一波長可変干渉フィルター11は、第一ギャップG1の寸法を変化させることで、第一透過波長を、第一波長λから第二波長λまでの第一分光帯域ΔΛで変化させることができる。
また、第二波長可変干渉フィルター12は、第二ギャップG2の寸法を変化させることで、第二透過波長を、第三波長λから第四波長λまでの第二分光帯域ΔΛで変化させることができる。
ここで、本実施形態では、λ<λ<λ<λであり、第一分光帯域ΔΛと、第二分光帯域ΔΛとは、第三波長λから第二波長λまでの共通帯域ΔΛで重なり合う。
このような分光部10では、第一波長λから第四波長λまでの分光可能帯域ΔΛで透過波長を変更して透過させることが可能となる。
[Transmission characteristics of spectroscopic unit 10]
Next, transmission characteristics (spectral characteristics) of the spectroscopic section 10 as described above will be described.
FIG. 2 is a diagram showing an example of transmission characteristics of the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 of this embodiment.
The first wavelength tunable interference filter 11 changes the dimension of the first gap G1 to change the first transmission wavelength in the first spectral band ΔΛ1 from the first wavelength λ1 to the second wavelength λ2. can be done.
In addition, the second wavelength tunable interference filter 12 changes the second transmission wavelength in the second spectral band ΔΛ2 from the third wavelength λ3 to the fourth wavelength λ4 by changing the dimension of the second gap G2. can be made
Here, in the present embodiment, λ 1324 , and the first spectral band ΔΛ 1 and the second spectral band ΔΛ 2 are separated from the third wavelength λ 3 to the second wavelength λ 2 . overlap with a common band ΔΛ of up to 3 .
In such a spectroscopic section 10, it is possible to change the transmission wavelength and transmit light in the spectroscopic band ΔΛ0 from the first wavelength λ1 to the fourth wavelength λ4.

ところで、本実施形態のように、第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12を用いた分光部10では、第二反射膜112と第三反射膜121とが所定の間隔をあけて対向配置される。このため、これらの第二反射膜112及び第三反射膜121は、干渉フィルターとして機能する。
つまり、分光部10に光を透過させる場合、目標波長の光が、第一波長可変干渉フィルター11、第二波長可変干渉フィルター12、及び第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターを透過しなければいけない。
By the way, in the spectroscopic section 10 using the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 as in the present embodiment, the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 are separated by a predetermined distance. are placed facing each other. Therefore, the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 function as interference filters.
In other words, when light is transmitted through the spectroscopic section 10 , the light of the target wavelength is composed of the first tunable interference filter 11 , the second tunable interference filter 12 , the second reflective film 112 and the third reflective film 121 . It must pass through an interference filter.

図3から図5は、光軸上に第一波長可変干渉フィルター11と第二波長可変干渉フィルター12とを配置し、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離dを3パターンに変化させた場合の、分光部10を透過する目標波長の光の透過率を示す図である。
図3及び図4に示す例は、第二反射膜112と第三反射膜121との間を、例えば膜状の接続膜により接合した場合の例である。図4では、図3に比べて、接続膜の膜厚を大きくしている。一方、図5は、本実施形態の分光部10の透過特性を示している。
図3から図5に示すように、第二反射膜112と第三反射膜121とが膜状の接続膜により接合される等により、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離dが小さい場合、第二反射膜112及び第三反射膜121が干渉フィルターとして機能する。つまり、第二反射膜112及び第三反射膜121の間の距離dに応じた波長λの光は高い透過率で透過するが、その他の波長に対する透過率が低くなる。
3 to 5, the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 are arranged on the optical axis, and the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is 3. 4 is a diagram showing the transmittance of light of a target wavelength that is transmitted through the spectroscopic section 10 when the pattern is changed. FIG.
The examples shown in FIGS. 3 and 4 are examples in which the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are joined by, for example, a film-like connection film. In FIG. 4, the film thickness of the connection film is increased as compared with FIG. On the other hand, FIG. 5 shows the transmission characteristics of the spectroscopic section 10 of this embodiment.
As shown in FIGS. 3 to 5, the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are joined by a film-like connecting film, or the like, so that the distance between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 is reduced. When the distance d is small, the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 function as interference filters. That is, the light of wavelength λA corresponding to the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is transmitted with high transmittance, but the transmittance of other wavelengths is low.

この際、目標波長が波長λとは異なる場合では、第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターを低い透過率で透過されることになる。例えば、第一波長λから第三波長λまでの間に目標波長を設定した場合、第一波長可変干渉フィルター11を透過する第一透過波長を目標波長に設定し、第二波長可変干渉フィルター12を透過する第二透過波長を共通帯域ΔΛに含まれる所定波長に設定する。この場合、第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12において、目標波長の光が透過される。しかしながら、図3に示すように、第二反射膜112及び第三反射膜121が接続膜により接合される構成では、第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターにおいて、当該目標波長の光に対する透過率が低くなる。このため、図3に示すように、分光部10における目標波長の光の透過率も低くなる。よって、分光部10から所望の光強度の透過光が得られず、分光測定装置1における測定精度も低下する。
図4の場合では、第二反射膜及び第三反射膜の距離dが、図3の場合に比べて大きいため、図3の例に比べて、分光部10における目標波長の光の透過率は高くなるが、分光部10における目標波長の光の透過率を十分に高めることができていない。
At this time, when the target wavelength is different from the wavelength λ A , the light is transmitted through the interference filter composed of the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 with a low transmittance. For example, when the target wavelength is set between the first wavelength λ 1 and the third wavelength λ 3 , the first transmission wavelength that passes through the first wavelength tunable interference filter 11 is set as the target wavelength, and the second wavelength tunable interference filter 11 is set as the target wavelength. A second transmission wavelength that passes through the filter 12 is set to a predetermined wavelength included in the common band ΔΛ3 . In this case, the light of the target wavelength is transmitted through the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 . However, as shown in FIG. 3, in the configuration in which the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 are joined by a connecting film, the interference filter configured by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 has the The transmittance for light of the target wavelength is lowered. Therefore, as shown in FIG. 3, the transmittance of the light of the target wavelength in the spectroscopic section 10 also decreases. Therefore, transmitted light having a desired light intensity cannot be obtained from the spectroscopic unit 10, and the measurement accuracy of the spectroscopic measurement device 1 is also lowered.
In the case of FIG. 4, the distance d between the second reflecting film and the third reflecting film is larger than in the case of FIG. However, the transmittance of the light of the target wavelength in the spectroscopic section 10 cannot be sufficiently increased.

これに対して、本実施形態では、第一基板101の第一面101A側に第一波長可変干渉フィルター11が設けられ、第二面101B側に第二波長可変干渉フィルター12が設けられる。このような構成では、第二反射膜112と第三反射膜121とを接続膜により接合する場合に比べて、第二反射膜112と、第三反射膜121との間の距離を十分に大きくすることができる。つまり、本実施形態では、d>G1、かつd>G2を満たす。
このため、図5に示すように、第二反射膜112及び第三反射膜121の透過特性は、分光可能帯域ΔΛの全域に対して透過率が高くなる。このため、分光部10の目標波長に対する透過率を高くできる。
なお、第二反射膜112と第三反射膜121とを接続膜により接続し、かつ、図5に示すような透過特性が得られるようにするには、接続膜の膜厚を大きくすることも考えられる。しかしながら、接続膜の膜厚を大きくするほど、接続膜の膜応力も大きくなるので、当該膜応力によって、第二反射膜112や第三反射膜121に、撓みや反り等が発生してしまう。この場合、第一波長可変干渉フィルター11や第二波長可変干渉フィルター12における透過特性においてピーク光の半値幅が大きくなってしまい、波長分解能が低下する。つまり、分光測定装置1による分光測定を実施する際の分光測定精度が低下する。
In contrast, in the present embodiment, the first tunable interference filter 11 is provided on the first surface 101A side of the first substrate 101, and the second tunable interference filter 12 is provided on the second surface 101B side. In such a configuration, the distance between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 is sufficiently large compared to the case where the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are joined by the connection film. can do. That is, in this embodiment, d>G1 and d>G2 are satisfied.
Therefore, as shown in FIG. 5, the transmission characteristics of the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 have a high transmittance over the entire spectroscopic band ΔΛ0 . Therefore, the transmittance of the spectroscopic section 10 for the target wavelength can be increased.
In order to connect the second reflective film 112 and the third reflective film 121 with a connecting film and to obtain the transmission characteristics shown in FIG. 5, the film thickness of the connecting film may be increased. Conceivable. However, as the film thickness of the connection film increases, the film stress of the connection film also increases. In this case, the half-value width of the peak light in the transmission characteristics of the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 increases, and the wavelength resolution decreases. In other words, the spectroscopic measurement accuracy is lowered when the spectroscopic measurement is performed by the spectroscopic measurement device 1 .

図6は、第二反射膜112及び第三反射膜121の距離dを変化させた際の、分光部10を透過させる目標波長の光の透過率の変化を示す図である。図6に示すように、分光部10の分光可能帯域ΔΛの中心波長をλとして、d/λを変化させると、d/λの値を大きくするにしたがって、目標波長の光の透過率は大きくなる。そして、d/λ≧300となると、透過率が飽和してほぼ一定値となる。 FIG. 6 is a diagram showing changes in transmittance of light having a target wavelength that is transmitted through the spectroscopic section 10 when the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is changed. As shown in FIG. 6, when d/ λ0 is changed with the central wavelength of the spectroscopic band ΔΛ0 of the spectroscopic section 10 set to λ0 , the light of the target wavelength increases as the value of d/ λ0 increases. Transmittance increases. Then, when d/λ 0 ≧300, the transmittance is saturated and becomes a substantially constant value.

図7は、分光部10により取り込める測定光の範囲を説明するための図である。
上述のように、第二反射膜112及び第三反射膜121との距離dを大きくすると、第二反射膜及び第三反射膜による干渉の影響を低減できる。
しかしながら、図7に示すように、第二反射膜112及び第三反射膜121との距離dを、d1からd2に大きくすると、分光部10により取り込める測定光の範囲はR1からR2に小さくなる。つまり、第二反射膜112及び第三反射膜121の距離dを大きくすると、分光部10を透過する光の光量が減退する。
FIG. 7 is a diagram for explaining the range of measurement light that can be taken in by the spectroscopic section 10. As shown in FIG.
As described above, increasing the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 can reduce the influence of interference by the second reflecting film and the third reflecting film.
However, as shown in FIG. 7, when the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is increased from d1 to d2, the range of measurement light captured by the spectroscopic section 10 is reduced from R1 to R2. That is, when the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is increased, the amount of light transmitted through the spectroscopic section 10 decreases.

図8は、d/λを変化させた際の受光部20での受光量を示す図である。図8では、第二反射膜112と第三反射膜121との距離が0の場合、つまり、第二反射膜112と第三反射膜121とが接している場合を基準とした光量比を示している。
図8に示すように、分光部10を透過する光の光量は、d/λの値を大きくするに従って低下する。ここで、分光部10を透過する光の光量比は、分光測定処理を実施する場合、0.5以上であることが好ましい。よって、d/λは、30000以下とすることが好ましく、より好ましくは、光量比が0.9以上となる500以下である。
FIG. 8 is a diagram showing the amount of light received by the light receiving section 20 when d/ λ0 is changed. FIG. 8 shows the light intensity ratio when the distance between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is 0, that is, when the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 are in contact with each other. ing.
As shown in FIG. 8, the amount of light transmitted through the spectroscopic section 10 decreases as the value of d/ λ0 increases. Here, it is preferable that the light amount ratio of the light transmitted through the spectroscopic section 10 is 0.5 or more when spectroscopic measurement processing is performed. Therefore, d/λ 0 is preferably 30000 or less, more preferably 500 or less at which the light amount ratio is 0.9 or more.

以上のように、本実施形態において、第二反射膜112から第三反射膜121までの距離d、つまり、第一基板101の第一面101Aから第二面101Bまでの基板の厚み寸法は、分光部10により分光させる分光可能帯域ΔΛの中心波長λの300倍から5000倍とすることが好ましい。例えば、中心波長λが500nmである場合、距離d、つまり、第一基板101の厚みは、150μmから15000μmの範囲、より好ましくは、150μmから2500μmの範囲内となる。これにより、分光部10において、第二反射膜112及び第三反射膜121の間での干渉の影響を抑制することができ、目標波長の光を高い透過率で透過させることができる。また、第二反射膜112から第三反射膜121までの距離が長くなりすぎることによる光量比の低下も抑制できる。 As described above, in this embodiment, the distance d from the second reflecting film 112 to the third reflecting film 121, that is, the thickness dimension of the substrate from the first surface 101A to the second surface 101B of the first substrate 101 is It is preferable to set it to 300 to 5000 times the central wavelength λ 0 of the spectroscopic band ΔΛ 0 that is split by the spectroscopic section 10 . For example, when the central wavelength λ 0 is 500 nm, the distance d, that is, the thickness of the first substrate 101 is in the range of 150 μm to 15000 μm, more preferably in the range of 150 μm to 2500 μm. Thereby, in the spectroscopic section 10, the influence of interference between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 can be suppressed, and the light of the target wavelength can be transmitted with high transmittance. Also, it is possible to suppress a decrease in the light amount ratio due to an excessively long distance from the second reflecting film 112 to the third reflecting film 121 .

[受光部20及び回路基板30の構成]
図9は、本実施形態の分光測定装置1の概略構成を示すブロック図である。
受光部20は、分光部10を透過した光を受光するセンサーであり、回路基板30上で、分光部10の基板中心軸Lと重なる位置に設けられている。
回路基板30は、分光部10及び受光部20が固定される基板である。
この回路基板30には、分光部10を駆動させる分光駆動回路31や、受光部20を駆動させる受光駆動回路32が設けられている。また、回路基板30には、分光測定装置1の全体動作を制御するコントローラーである制御部33が設けられている。
この制御部33は、図9に示すように、記憶部331や、演算処理部332等を含んで構成されている。
記憶部331は、データを記憶するメモリー等により構成されている。記憶部331には、第一波長可変干渉フィルター11を制御するための第一駆動テーブル、第二波長可変干渉フィルター12を制御するための第二駆動テーブル等が記憶されている。
第一駆動テーブルは、第一ギャップ変更部113に対して印加する駆動電圧と、第一透過波長との関係を示すデータである。第二駆動テーブルは、第二ギャップ変更部123に対して印加する駆動電圧と、第二透過波長との関係を示すデータである。
[Configuration of Light Receiving Unit 20 and Circuit Board 30]
FIG. 9 is a block diagram showing a schematic configuration of the spectroscopic measurement device 1 of this embodiment.
The light receiving section 20 is a sensor that receives light transmitted through the spectroscopic section 10 , and is provided on the circuit board 30 at a position overlapping the board central axis LC of the spectroscopic section 10 .
The circuit board 30 is a board to which the spectroscopic section 10 and the light receiving section 20 are fixed.
The circuit board 30 is provided with a spectroscopic drive circuit 31 for driving the spectroscopic section 10 and a light receiving drive circuit 32 for driving the light receiving section 20 . Further, the circuit board 30 is provided with a controller 33 which is a controller for controlling the overall operation of the spectroscopic measurement device 1 .
As shown in FIG. 9, the control section 33 includes a storage section 331, an arithmetic processing section 332, and the like.
The storage unit 331 is configured by a memory or the like for storing data. The storage unit 331 stores a first driving table for controlling the first tunable interference filter 11, a second driving table for controlling the second tunable interference filter 12, and the like.
The first drive table is data indicating the relationship between the drive voltage applied to the first gap changing section 113 and the first transmission wavelength. The second drive table is data indicating the relationship between the drive voltage applied to the second gap changing section 123 and the second transmission wavelength.

演算処理部332は、波長指令部332A、受光制御部332B、測定部332C等として機能する。
波長指令部332Aは、分光部10を制御して、分光部10を透過させる透過光の波長を変化させる。
受光制御部332Bは、受光部20を駆動させ、受光部20から出力された受光信号を受信する。
測定部332Cは、受光信号に基づいて、測定対象の測定結果を演算する。例えば、測定部332Cは、測定対象の分光スペクトルを測定したり、測定対象の色度を算出して測色を実施したりする。
The arithmetic processing section 332 functions as a wavelength instruction section 332A, a light reception control section 332B, a measurement section 332C, and the like.
Wavelength command unit 332A controls spectroscopic unit 10 to change the wavelength of transmitted light that is transmitted through spectroscopic unit 10 .
The light receiving control section 332B drives the light receiving section 20 and receives the light receiving signal output from the light receiving section 20 .
332 C of measurement parts calculate the measurement result of a measuring object based on a light reception signal. For example, the measurement unit 332C measures the spectral spectrum of the measurement target, or calculates the chromaticity of the measurement target to perform colorimetry.

[分光測定装置1の駆動方法]
次に、上述したような分光測定装置1の駆動方法について説明する。
図10は、分光測定装置1の駆動方法を示すフローチャートである。
制御部33は、図示略の操作部や、外部機器と通信可能なインターフェースを有している。そして、ユーザーにより操作部が操作されることで、分光測定を指令する操作信号を受信した場合、または、外部機器から分光測定を要求する要求信号を受信した場合、制御部33は、分光測定装置1により分光測定処理を実施させる。本実施形態では、分光測定装置1は、分光可能帯域ΔΛに含まれる、所定波長間隔毎の波長の光の光量を測定して分光測定結果を得る。
[Driving method of spectroscopic measurement device 1]
Next, a method for driving the spectrometer 1 as described above will be described.
FIG. 10 is a flow chart showing a method of driving the spectrometer 1. FIG.
The control unit 33 has an operation unit (not shown) and an interface capable of communicating with an external device. When an operation signal instructing spectroscopic measurement is received by the user operating the operation unit, or when a request signal requesting spectroscopic measurement is received from an external device, the control unit 33 operates the spectroscopic measurement device. 1 causes spectrometry processing to be performed. In this embodiment, the spectroscopic measurement apparatus 1 obtains the spectroscopic measurement result by measuring the amount of light of wavelengths at predetermined wavelength intervals included in the spectroscopic band ΔΛ 0 .

これには、まず、制御部33の波長指令部332Aは、分光可能帯域ΔΛのうち、第二分光帯域ΔΛの第一分光帯域ΔΛと重ならない波長域、つまり、第二波長λから第四波長λまでの波長域に対する分光測定を実施する。
具体的には、波長指令部332Aは、ステップS1で、第一ギャップ変更部113及び第二ギャップ変更部123のそれぞれに対して印加させる駆動電圧を、駆動テーブルから読み出す。このステップS1では、波長指令部332Aは、第一駆動テーブルから、共通帯域ΔΛの共通帯域中心波長λに対応する第一駆動電圧を読み出す。また、波長指令部332Aは、第二駆動テーブルから、目標波長λに対応する第二駆動電圧を読み出す。
次に、波長指令部332Aは、ステップS2で、読み出した駆動電圧に基づいた指令信号を分光駆動回路31に出力する。このステップS2により、分光駆動回路31から第一ギャップ変更部113に第一駆動電圧が印加され、分光駆動回路31から第二ギャップ変更部123に第二駆動電圧が印加される。
To this end, first, the wavelength commanding unit 332A of the control unit 33 selects a wavelength region that does not overlap with the first spectral band ΔΛ1 of the second spectral band ΔΛ2 in the spectroscopic band ΔΛ0, that is, the second wavelength λ2 to the fourth wavelength λ4.
Specifically, in step S1, the wavelength instruction section 332A reads the drive voltages to be applied to the first gap changer 113 and the second gap changer 123 from the drive table. In this step S1, the wavelength command unit 332A reads the first drive voltage corresponding to the common band center wavelength λC of the common band ΔΛ3 from the first drive table. Also, the wavelength command unit 332A reads the second drive voltage corresponding to the target wavelength λ i from the second drive table.
Next, the wavelength command section 332A outputs a command signal based on the read drive voltage to the spectroscopic drive circuit 31 in step S2. By this step S2, the first driving voltage is applied from the spectral driving circuit 31 to the first gap changing section 113, and the second driving voltage is applied from the spectral driving circuit 31 to the second gap changing section 123. FIG.

図11は、分光部10から第二波長λから第四波長λまでの波長域に含まれる所定波長の光を透過させる場合の分光部10の透過特性を示す図である。
ステップS2では、図11に示すように、目標波長λの光が第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12を高い透過率で透過する。一方、分光可能帯域ΔΛのうち、目標波長λ以外の波長に対しては、第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12のいずれかで透過率が低くなる。さらに、分光可能帯域ΔΛ以外の波長の光は、カットフィルター14により遮光される。
そして、本実施形態では、第二反射膜112及び第三反射膜121は、第一基板101の厚み寸法となり、中心波長λの300倍以上の寸法となっている。このため、第二反射膜112及び第三反射膜121により干渉フィルターが構成される場合でも、目標波長λの光に対する透過率が高い。したがって、目標波長λの光は、第一波長可変干渉フィルター11、第二波長可変干渉フィルター12、及び第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターのそれぞれに対して透過率が高くなり、分光部10から高い透過率で透過させることが可能となる。
FIG. 11 is a diagram showing transmission characteristics of the spectroscopic section 10 when light of a predetermined wavelength included in the wavelength range from the second wavelength λ 2 to the fourth wavelength λ 4 is transmitted from the spectroscopic section 10 .
In step S2, as shown in FIG. 11, the light of the target wavelength λi is transmitted through the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 with high transmittance. On the other hand, the transmittance of either the first tunable interference filter 11 or the second tunable interference filter 12 is low for wavelengths other than the target wavelength λ i in the spectroscopic band ΔΛ 0 . Furthermore, the cut filter 14 blocks light of wavelengths other than the spectroscopic band ΔΛ 0 .
In this embodiment, the second reflective film 112 and the third reflective film 121 have the thickness dimension of the first substrate 101, which is 300 times or more the center wavelength λ0 . Therefore, even when an interference filter is configured by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121, the transmittance for the light of the target wavelength λi is high. Therefore, the light of the target wavelength λi is transmitted through each of the first tunable interference filter 11, the second tunable interference filter 12, and the interference filters composed of the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121. It becomes possible to transmit the light from the spectroscopic section 10 with a high transmittance.

ステップS2の後、受光制御部332Bは、ステップS3を実施し、受光部20を駆動させて、受光部20で受光された光量を検出する。
この後、制御部33は、ステップS4を実施し、分光可能帯域ΔΛの第一分光帯域ΔΛ以外の波長域(第二波長λから第四波長λまでの波長域)に含まれる、全ての測定波長の光の光量が検出されたか否かを判定する。ステップS4でNoと判定される場合は、目標波長λを次の波長に変更してステップS1に戻る。つまり、本実施形態では、目標波長λを所定間隔で変化させて、ステップS1からステップS3の処理を繰り返し実施し、各波長に対する光量をそれぞれ検出する。
After step S2, the light receiving control section 332B performs step S3, drives the light receiving section 20, and detects the amount of light received by the light receiving section 20. FIG.
After that, the control unit 33 performs step S4, and is included in the wavelength range (the wavelength range from the second wavelength λ2 to the fourth wavelength λ4) other than the first spectral band ΔΛ1 of the spectroscopic band ΔΛ0. , determines whether or not the amount of light of all the measurement wavelengths has been detected. If the determination in step S4 is No, the target wavelength λi is changed to the next wavelength and the process returns to step S1. That is, in the present embodiment, the target wavelength λi is changed at predetermined intervals, and the processing from step S1 to step S3 is repeatedly performed to detect the light amount for each wavelength.

ステップS4でYesと判定される場合、制御部33の波長指令部332Aは、分光可能帯域ΔΛのうち、第二分光帯域ΔΛと第一分光帯域ΔΛとが重なる共通帯域ΔΛ、つまり、第三波長λから第二波長λまでの波長域に対する分光測定を実施する。
具体的には、波長指令部332Aは、ステップS5で、第一駆動テーブルから、目標波長λに対応する第一駆動電圧を読み出し、第二駆動テーブルから、目標波長λに対応する第二駆動電圧を読み出す。
そして、波長指令部332Aは、続くステップS6で、第一ギャップ変更部113に第一駆動電圧を印加させ、第二ギャップ変更部123に第二駆動電圧を印加させる旨の指令信号を、分光駆動回路31に出力する。
If it is determined as Yes in step S4, the wavelength instruction unit 332A of the control unit 33 selects a common band ΔΛ 3 where the second spectral band ΔΛ 2 and the first spectral band ΔΛ 1 overlap in the spectroscopic band ΔΛ 0 , that is, , from the third wavelength λ3 to the second wavelength λ2.
Specifically, in step S5, the wavelength command unit 332A reads the first drive voltage corresponding to the target wavelength λ i from the first drive table, and reads the second drive voltage corresponding to the target wavelength λ i from the second drive table. Read the drive voltage.
Then, in the following step S6, the wavelength command unit 332A issues a command signal for causing the first gap changer 113 to apply the first drive voltage and the second gap changer 123 to apply the second drive voltage. Output to circuit 31 .

図12は、分光部10から第三波長λから第二波長λまでの波長域に含まれる所定波長の光を透過させる場合の分光部10の透過特性である。
図12に示すように、分光可能帯域ΔΛにおいて、目標波長λの光が第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12を高い透過率で透過し、目標波長λ以外の波長の光に対しては、第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12のいずれかで透過率で低くなる。また、第二反射膜112及び第三反射膜121により干渉フィルターが構成される場合でも、目標波長λの光に対する透過率が高い。
したがって、ステップS6においても、目標波長λの光は、第一波長可変干渉フィルター11、第二波長可変干渉フィルター12、及び第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターのそれぞれに対して透過率が高くなり、分光部10から高い透過率で透過される。
FIG. 12 shows the transmission characteristics of the spectroscopic section 10 when the spectroscopic section 10 transmits light of a predetermined wavelength included in the wavelength range from the third wavelength λ3 to the second wavelength λ2.
As shown in FIG. 12, in the spectroscopic band ΔΛ 0 , the light of the target wavelength λ i is transmitted through the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 with high transmittance, and the light of the wavelength other than the target wavelength λ i is transmitted. With respect to the light of the wavelength, the transmittance becomes lower in either the first tunable interference filter 11 or the second tunable interference filter 12 . Further, even when an interference filter is configured by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121, the transmittance for the light of the target wavelength λi is high.
Therefore, in step S6 as well, the light of the target wavelength λ i passes through the interference filter composed of the first tunable interference filter 11, the second tunable interference filter 12, the second reflecting film 112, and the third reflecting film 121. The transmittance increases for each of them, and the light is transmitted from the spectroscopic section 10 with a high transmittance.

この後、ステップS7の処理を実施する。ステップS7では、ステップS3と同様に、受光制御部332Bは、受光部20を駆動させて、ステップS6によって分光部10を透過した光の光量を検出する。
そして、制御部33は、ステップS8を実施する。ステップS8では、制御部33は、分光可能帯域ΔΛの共通帯域ΔΛの波長域(第三波長λから第二波長λまでの波長域)に含まれる、全ての測定波長の光の光量が検出されたか否かを判定する。ステップS8でNoと判定される場合は、目標波長λを次の波長に変更してステップS5に戻る。
After that, the process of step S7 is performed. In step S7, similarly to step S3, the light receiving control section 332B drives the light receiving section 20 and detects the amount of light transmitted through the spectroscopic section 10 in step S6.
And the control part 33 implements step S8. In step S8, the control unit 33 controls the wavelength range of the common band ΔΛ3 of the spectroscopic band ΔΛ0 (the wavelength range from the third wavelength λ3 to the second wavelength λ2). It is determined whether or not the amount of light has been detected. If the determination in step S8 is No, the target wavelength λi is changed to the next wavelength and the process returns to step S5.

ステップS8でYesと判定される場合、制御部33の波長指令部332Aは、分光可能帯域ΔΛのうち、第一分光帯域ΔΛの第二分光帯域ΔΛと重ならない波長域、つまり、第一波長λから第三波長λまでの波長域に対する分光測定を実施する。
これには、波長指令部332Aは、ステップS9で、第一駆動テーブルから、目標波長λに対応する第一駆動電圧を読み出し、第二駆動テーブルから共通帯域ΔΛの共通帯域中心波長λに対応する第二駆動電圧を読み出す。
次に、波長指令部332Aは、ステップS10を実施し、読み出した駆動電圧に基づいた指令信号を分光駆動回路31に出力する。
If the determination in step S8 is Yes, the wavelength commanding unit 332A of the control unit 33 selects a wavelength band that does not overlap the second spectral band ΔΛ2 of the first spectral band ΔΛ1 in the spectroscopic band ΔΛ0. A spectroscopic measurement is performed for a wavelength range from one wavelength λ 1 to a third wavelength λ 3 .
For this, in step S9, the wavelength command unit 332A reads the first drive voltage corresponding to the target wavelength λi from the first drive table, and the common band center wavelength λC of the common band ΔΛ3 from the second drive table. read out the second drive voltage corresponding to .
Next, the wavelength command section 332A performs step S10 and outputs a command signal based on the read drive voltage to the spectroscopic drive circuit 31. FIG.

図13は、分光部10から第一波長λから第三波長λまでの波長域に含まれる所定波長の光を透過させる場合の分光部10の透過特性である。
図13に示すように、分光可能帯域ΔΛにおいて、目標波長λの光が第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12を高い透過率で透過し、目標波長λ以外の波長の光に対しては、第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12のいずれかで透過率が低くなる。また、第二反射膜112及び第三反射膜121により干渉フィルターが構成される場合でも、目標波長λの光に対する透過率が高い。
したがって、ステップS10においても、目標波長λの光は、第一波長可変干渉フィルター11、第二波長可変干渉フィルター12、及び第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターのそれぞれに対して透過率が高くなり、分光部10から高い透過率で透過される。
FIG. 13 shows the transmission characteristics of the spectroscopic section 10 when the spectroscopic section 10 transmits light of a predetermined wavelength included in the wavelength range from the first wavelength λ1 to the third wavelength λ3.
As shown in FIG. 13, in the spectroscopic band ΔΛ 0 , the light of the target wavelength λ i is transmitted through the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 with high transmittance, and the light of the wavelength other than the target wavelength λ i With respect to the wavelength of light, either the first tunable interference filter 11 or the second tunable interference filter 12 has a low transmittance. Further, even when an interference filter is configured by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121, the transmittance for the light of the target wavelength λi is high.
Therefore, in step S10 as well, the light of the target wavelength λ i passes through the interference filter composed of the first tunable interference filter 11, the second tunable interference filter 12, the second reflecting film 112, and the third reflecting film 121. The transmittance increases for each of them, and the light is transmitted from the spectroscopic section 10 with a high transmittance.

また、受光制御部332Bは、ステップS11において、受光部20を駆動させて分光部10を透過した光の光量を検出する。
そして、制御部33は、ステップS12において、分光可能帯域ΔΛの第二分光帯域ΔΛ以外の波長域(第一波長λから第三波長λまでの波長域)に含まれる、全ての測定波長の光の光量が検出されたか否かを判定する。ステップS12でNoと判定される場合は、目標波長λを次の波長に変更してステップS9に戻る。
ステップS12でYesと判定された場合、測定部332Cは、ステップS13において、ステップS3、ステップS7、及びステップS11により得られた各波長の光の光量に基づいて、所定の測定処理を実施する。例えば測定部332Cは、測定対象の分光スペクトルを算出したり、測定対象の色度を算出したりする。
Further, in step S11, the light receiving control section 332B drives the light receiving section 20 and detects the amount of light transmitted through the spectroscopic section 10. FIG.
Then, in step S12 , the control unit 33 controls all of It is determined whether or not the amount of light of the measurement wavelength has been detected. If the determination in step S12 is No, the target wavelength λ i is changed to the next wavelength and the process returns to step S9.
If determined as Yes in step S12, the measurement unit 332C performs a predetermined measurement process in step S13 based on the amount of light of each wavelength obtained in steps S3, S7, and S11. For example, the measurement unit 332C calculates the spectral spectrum of the measurement target, or calculates the chromaticity of the measurement target.

[本実施形態の作用効果]
本実施形態の分光測定装置1は、分光装置である分光部10と、制御部33とを備えている。
そして、分光部10は、第一波長可変干渉フィルター11と、第二波長可変干渉フィルター12と、第一基板101とを備えている。
第一波長可変干渉フィルター11は、第一反射膜111と、第二反射膜112とが第一ギャップG1を介して対向して配置された波長可変干渉フィルターである。この第一波長可変干渉フィルター11において、第二反射膜112は、第一基板101の第一面101Aに設けられ、第一反射膜111は、第二反射膜112に対して第一基板101とは反対側に設けられている。
また、第二波長可変干渉フィルター12は、第三反射膜121と、第四反射膜122とが第二ギャップG2を介して対向して配置された波長可変干渉フィルターである。この第二波長可変干渉フィルター12において、第三反射膜121は、第一基板101の第二面101Bに設けられ、第四反射膜122は、第三反射膜121に対して第一基板101とは反対側に設けられている。つまり、本実施形態の分光部10では、第一波長可変干渉フィルター11の第二反射膜112と、第二波長可変干渉フィルター12の第三反射膜121との間には、所定の厚み寸法を有する第一基板101が配置される。
このような構成の分光部10では、第一波長可変干渉フィルター11の第一分光帯域ΔΛと、第二波長可変干渉フィルター12の第二分光帯域ΔΛとを含む広い分光可能帯域ΔΛで、目標波長λを変更することができ、分光測定装置1で測定可能な波長域を広げることができる。
[Action and effect of the present embodiment]
The spectroscopic measurement device 1 of this embodiment includes a spectroscopic section 10 as a spectroscopic device and a control section 33 .
The spectroscopic section 10 includes a first tunable interference filter 11 , a second tunable interference filter 12 , and a first substrate 101 .
The first tunable interference filter 11 is a tunable interference filter in which a first reflective film 111 and a second reflective film 112 are arranged to face each other with a first gap G1 interposed therebetween. In this first wavelength tunable interference filter 11 , the second reflecting film 112 is provided on the first surface 101 A of the first substrate 101 , and the first reflecting film 111 is positioned between the first substrate 101 and the second reflecting film 112 . is located on the opposite side.
The second wavelength tunable interference filter 12 is a wavelength tunable interference filter in which a third reflective film 121 and a fourth reflective film 122 are arranged to face each other with a second gap G2 interposed therebetween. In this second wavelength tunable interference filter 12 , the third reflective film 121 is provided on the second surface 101 B of the first substrate 101 , and the fourth reflective film 122 is provided on the first substrate 101 with respect to the third reflective film 121 . is located on the opposite side. That is, in the spectroscopic section 10 of the present embodiment, a predetermined thickness dimension is provided between the second reflective film 112 of the first tunable interference filter 11 and the third reflective film 121 of the second tunable interference filter 12. A first substrate 101 is arranged.
In the spectroscopic section 10 having such a configuration, in a wide spectroscopic band ΔΛ 0 including the first spectral band ΔΛ 1 of the first tunable interference filter 11 and the second spectral band ΔΛ 2 of the second tunable interference filter 12 , the target wavelength λ i can be changed, and the wavelength range measurable by the spectrometer 1 can be expanded.

また、本実施形態では、第二反射膜112と第三反射膜121とが膜状の接続膜等によって接合される場合に比べて、第二反射膜112と第三反射膜121との間の寸法を大きくできる。このため、第二反射膜112と第三反射膜121とが互いに対向する構成であっても、第二反射膜112及び第三反射膜121による干渉の影響を低減できる。つまり、第二反射膜112及び第三反射膜121による、目標波長λの光の透過率低下を抑制できる。
また、分光部10を備えた分光測定装置1においても、分光可能帯域ΔΛの広帯域化を図れるとともに、目標波長λの光の光量低減を抑制することができ、ノイズ成分の影響を抑制した精度の高い測定処理を実施することができる。
Further, in the present embodiment, the distance between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 is higher than in the case where the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are joined by a film-like connecting film or the like. You can increase the size. Therefore, even if the second reflective film 112 and the third reflective film 121 face each other, the influence of interference between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 can be reduced. That is, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the light of the target wavelength λ i due to the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 .
Also, in the spectrometer 1 including the spectroscopic unit 10, the spectroscopic band ΔΛ 0 can be widened, the reduction in the amount of light of the target wavelength λi can be suppressed, and the influence of the noise component can be suppressed. Highly accurate measurement processing can be implemented.

本実施形態の分光部10では、第一波長可変干渉フィルター11は、第一反射膜111に設けられた第一電極113Aと、第二反射膜112に設けられた第二電極113Bとにより構成された第一ギャップ変更部113を備える。また、第二波長可変干渉フィルター12は、第三反射膜121に設けられた第三電極123Aと、第四反射膜122に設けられた第四電極123Bとにより構成された第二ギャップ変更部123を備える。
そして、第一基板101には、第一面101Aから第二面101Bまでを貫通する第一スルーホール101Cが設けられており、第二電極113Bと、第三電極123Aとが、第一スルーホール101Cを介して導通されている。
第一ギャップ変更部113や第二ギャップ変更部123は、電圧を印加することで第一ギャップG1や第二ギャップG2を変化させる静電アクチュエーターである。このような静電アクチュエーターでは、一般的に、一対の電極の一方をグラウンド回路等の基準電位回路に接続して基準電位に維持し、一対の電極の他方に駆動信号を入力する。これにより、基準電位と、駆動信号の電圧値との電位差が静電アクチュエーターに印加されることになり、駆動信号の電圧値を制御するだけで静電アクチュエーターに作用させる静電引力を容易に変化させることが可能となる。
本実施形態では、第一スルーホール101Cを介して、第一ギャップ変更部113を構成する第二電極113Bと、第二ギャップ変更部123を構成する第三電極123Aとが導通されている。このような構成では、これらの第二電極113B及び第三電極123Aに対して1つの配線により回路基板30に設けられた基準電位回路に接続することができる。よって、分光部10に対する配線数を少なくすることができ、構成の簡略化を図れる。
In the spectroscopic section 10 of this embodiment, the first variable wavelength interference filter 11 is composed of a first electrode 113A provided on the first reflecting film 111 and a second electrode 113B provided on the second reflecting film 112. and a first gap changer 113 . In addition, the second variable wavelength interference filter 12 has a second gap changing section 123 which is configured by a third electrode 123A provided on the third reflecting film 121 and a fourth electrode 123B provided on the fourth reflecting film 122. Prepare.
The first substrate 101 is provided with a first through hole 101C penetrating from the first surface 101A to the second surface 101B. 101C.
The first gap changing section 113 and the second gap changing section 123 are electrostatic actuators that change the first gap G1 and the second gap G2 by applying voltage. In such an electrostatic actuator, generally, one of a pair of electrodes is connected to a reference potential circuit such as a ground circuit and maintained at the reference potential, and a drive signal is input to the other of the pair of electrodes. As a result, the potential difference between the reference potential and the voltage value of the drive signal is applied to the electrostatic actuator, and the electrostatic attractive force acting on the electrostatic actuator can be easily changed simply by controlling the voltage value of the drive signal. It is possible to
In this embodiment, the second electrode 113B forming the first gap changing portion 113 and the third electrode 123A forming the second gap changing portion 123 are electrically connected via the first through hole 101C. In such a configuration, the second electrode 113B and the third electrode 123A can be connected to the reference potential circuit provided on the circuit board 30 by one wiring. Therefore, the number of wires for the spectroscopic section 10 can be reduced, and the configuration can be simplified.

本実施形態では、第一波長可変干渉フィルター11は、第一ギャップG1の寸法を変化させることで、第一透過波長を、第一波長λから、第一波長λより長波長の第二波長λまでの第一分光帯域ΔΛで変更可能に構成されている。また、第二波長可変干渉フィルター12は、第二ギャップG2の寸法を変化させることで、第二透過波長を、第一波長λより長波長で、かつ、第二波長λより短波長の第三波長λから、第二波長λより長波長の第四波長λまでの第二分光帯域ΔΛで変更可能に構成されている。つまり、λ<λ<λ<λの関係を満たす。
このような分光部10では、第一波長λから第三波長λまでの光を目標波長として分光させる場合、第一ギャップG1を目標波長に対応した寸法に設定し、第二ギャップG2を共通帯域ΔΛの任意の波長に対応した寸法に設定する。また、第三波長λ3から第二波長λ2までの光を目標波長として分光させる場合に、第一ギャップG1及び第二ギャップG2の双方を目標波長に応じた寸法に設定する。さらに、第二波長λから第四波長λまでの光を目標波長として分光させる場合、第二ギャップG2を目標波長に対応した寸法に設定し、第一ギャップG1を共通帯域ΔΛの任意の波長に対応した寸法に設定する。
これにより、分光部10から第一分光帯域ΔΛと第二分光帯域ΔΛとを含む広い分光可能帯域ΔΛから、目標波長の光を精度よく分光させることができる。
In this embodiment, the first wavelength tunable interference filter 11 changes the dimension of the first gap G1 to change the first transmission wavelength from the first wavelength λ1 to the second wavelength longer than the first wavelength λ1. It is configured to be changeable in the first spectral band ΔΛ1 up to wavelength λ2. In addition, the second wavelength tunable interference filter 12 changes the dimension of the second gap G2 so that the second transmission wavelength is longer than the first wavelength λ1 and shorter than the second wavelength λ2. It is configured to be changeable in the second spectral band ΔΛ2 from the third wavelength λ3 to the fourth wavelength λ4 longer than the second wavelength λ2. That is, the relationship λ 1324 is satisfied.
In such a spectroscopic section 10, when light from the first wavelength λ 1 to the third wavelength λ 3 is spectroscopically set as the target wavelength, the first gap G1 is set to a dimension corresponding to the target wavelength, and the second gap G2 is set to a dimension corresponding to the target wavelength. A dimension corresponding to an arbitrary wavelength of the common band ΔΛ3 is set. Also, when light from the third wavelength λ3 to the second wavelength λ2 is to be dispersed as the target wavelength, both the first gap G1 and the second gap G2 are set to have dimensions corresponding to the target wavelength. Furthermore, when light from the second wavelength λ 2 to the fourth wavelength λ 4 is to be dispersed as the target wavelength, the second gap G2 is set to a dimension corresponding to the target wavelength, and the first gap G1 is set to an arbitrary wavelength in the common band ΔΛ 3 . Set the dimension corresponding to the wavelength of
As a result, the light of the target wavelength can be accurately dispersed from the wide spectroscopic band ΔΛ 0 including the first spectral band ΔΛ 1 and the second spectral band ΔΛ 2 from the spectroscopic section 10 .

本実施形態では、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離d、つまり、第一基板101の第一面101Aから第二面101Bまでの距離d(第一基板101の厚み寸法)は、分光可能帯域ΔΛの中心波長λの300倍以上となる。
つまり、第二反射膜112と第三反射膜121とにより干渉フィルターが構成されると、距離dに応じた所定波長λの光の透過率が高くなり、λ以外の波長の光の透過率が低くなる。したがって、λ以外の波長に、分光部10で分光させる目標波長が含まれる場合、目標波長の光の透過率が減少してしまう。この目標波長の光の透過率は、図6に示すように、d/λ≧300に設定することで、90%前後に維持することができる。つまり、本実施形態では、第二反射膜112と、第三反射膜121との間で光が多重干渉する不都合が抑制され、目標波長を分光可能帯域ΔΛのどの波長に設定した場合でも、高い透過率で目標波長の光を透過させることが可能となる。
In this embodiment, the distance d between the second reflective film 112 and the third reflective film 121, that is, the distance d from the first surface 101A to the second surface 101B of the first substrate 101 (the thickness of the first substrate 101 dimension) is 300 times or more the central wavelength λ 0 of the spectroscopic band ΔΛ 0 .
That is, when an interference filter is formed by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121, the transmittance of light of a predetermined wavelength λA corresponding to the distance d increases, and the transmittance of light of wavelengths other than λA increases. rate becomes lower. Therefore, if the wavelengths other than λA include the target wavelength to be split by the spectroscopic section 10, the transmittance of the light of the target wavelength is reduced. By setting d/λ 0 ≧300 as shown in FIG. 6, the transmittance of light of this target wavelength can be maintained at around 90%. In other words, in this embodiment, the problem of multiple interference of light between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is suppressed, and even if the target wavelength is set to any wavelength in the spectroscopic band ΔΛ 0 , It is possible to transmit the light of the target wavelength with high transmittance.

また、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離dが、分光可能帯域ΔΛの中心波長λの30000倍を超えると、第二反射膜112及び第三反射膜121の距離を0とする場合に比べて、分光部10を透過する光の光量が1/2以下となる。
これに対し、本実施形態では、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離dが、分光可能帯域ΔΛの中心波長λの30000倍以下となる。これにより、分光部10から透過される光量が減退される不都合を抑制できる。
Further, when the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 exceeds 30000 times the central wavelength λ0 of the spectroscopic band ΔΛ0 , the distance between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 becomes Compared to when the distance is 0, the amount of light transmitted through the spectroscopic section 10 is 1/2 or less.
On the other hand, in this embodiment, the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is 30000 times or less the central wavelength λ 0 of the spectroscopic band ΔΛ 0 . As a result, the problem that the amount of light transmitted from the spectroscopic section 10 is reduced can be suppressed.

本実施形態では、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離dは、第一反射膜111と第二反射膜112との間の距離である第一ギャップG1よりも大きく、第三反射膜121と第四反射膜122との間の距離である第二ギャップG2よりも大きい。これにより、上述したように、第二反射膜112と第三反射膜121とが互いに対向していても、第二反射膜112及び第三反射膜121による干渉の影響が低減され、目標波長λの光の透過率低下を抑制できる。 In this embodiment, the distance d between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 is greater than the first gap G1, which is the distance between the first reflective film 111 and the second reflective film 112, It is larger than the second gap G2, which is the distance between the third reflective film 121 and the fourth reflective film 122. As a result, as described above, even if the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 are opposed to each other, the influence of interference by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is reduced, and the target wavelength λ A decrease in the transmittance of light i can be suppressed.

[第二実施形態]
次に、第二実施形態について説明する。
上述した第一実施形態では、1つの第一基板101に対して第一波長可変干渉フィルター11及び第二波長可変干渉フィルター12の双方を設ける構成とした。これに対して、第二実施形態では、第一波長可変干渉フィルター11が設けられる第二基板と、第二波長可変干渉フィルター12が設けられる第三基板とを備える点で、上記第一実施形態と相違する。
なお、以降の説明にあたり、既に説明した構成については、同符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
[Second embodiment]
Next, a second embodiment will be described.
In the first embodiment described above, both the first tunable interference filter 11 and the second tunable interference filter 12 are provided on one first substrate 101 . On the other hand, in the second embodiment, the second substrate provided with the first tunable interference filter 11 and the third substrate provided with the second tunable interference filter 12 are provided. differ from
In the following description, the same reference numerals are given to the configurations already described, and the description thereof will be omitted or simplified.

図14は、第二実施形態の分光測定装置1Aの概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態の分光測定装置1Aは、第一実施形態の分光測定装置1において、分光部10を分光部10Aに置き換えたものであり、受光部20や回路基板30の構成は略同じであるため、ここでの説明は省略する。 FIG. 14 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the spectroscopic measurement device 1A of the second embodiment. The spectroscopic measurement apparatus 1A of the present embodiment is obtained by replacing the spectroscopic section 10 with the spectroscopic section 10A in the spectroscopic measurement apparatus 1 of the first embodiment, and the configurations of the light receiving section 20 and the circuit board 30 are substantially the same. Therefore, the description here is omitted.

本実施形態の分光部10Aは、図14に示すように、第二基板102と、第三基板103と、第一波長可変干渉フィルター11Aと、第二波長可変干渉フィルター12Aと、を備えている。
第二基板102及び第三基板103は、分光可能帯域ΔΛに対して透光性を有する素材により構成され、第一基板101と略同様の形状を有する。つまり、第二基板102は、第三面102Aと、第三面102Aとは反対側の第四面102Bとを備え、第三面102A及び第四面102Bが平行となる平行平板である。第三基板103は、第五面103Aと、第五面103Aとは反対側の第六面103Bとを備え、第五面103A及び第六面103Bが平行となる平行平板である。
As shown in FIG. 14, the spectroscopic section 10A of this embodiment includes a second substrate 102, a third substrate 103, a first wavelength tunable interference filter 11A, and a second wavelength tunable interference filter 12A. .
The second substrate 102 and the third substrate 103 are made of a material that is translucent to the spectroscopic band ΔΛ0 , and have substantially the same shape as the first substrate 101 . That is, the second substrate 102 is a parallel flat plate having a third surface 102A and a fourth surface 102B opposite to the third surface 102A, and the third surface 102A and the fourth surface 102B are parallel. The third substrate 103 is a parallel flat plate having a fifth surface 103A and a sixth surface 103B opposite to the fifth surface 103A, and the fifth surface 103A and the sixth surface 103B are parallel.

本実施形態では、第二基板102に第一波長可変干渉フィルター11Aが設けられ、第三基板103に第二波長可変干渉フィルター12Aが設けられている。
具体的には、第一波長可変干渉フィルター11Aは、第二基板102の第三面102Aに第二反射膜112が設けられ、第二反射膜112に対して第二基板102とは反対側に第一反射膜111が配置されることで構成されている。第一実施形態と同様に、第一反射膜111は、周端部が第二反射膜112に接合され、中央部の一部が、第一ギャップG1を介して、第二反射膜112に対向する。
また、第一実施形態と同様に、第一波長可変干渉フィルター11Aには、第一ギャップG1の寸法を変化させる第一ギャップ変更部113が設けられている。
In this embodiment, the second substrate 102 is provided with the first wavelength tunable interference filter 11A, and the third substrate 103 is provided with the second wavelength tunable interference filter 12A.
Specifically, the first tunable interference filter 11A is provided with a second reflecting film 112 on the third surface 102A of the second substrate 102, and a It is configured by arranging the first reflecting film 111 . As in the first embodiment, the first reflective film 111 has its peripheral end joined to the second reflective film 112, and a part of its central portion faces the second reflective film 112 via the first gap G1. do.
Further, as in the first embodiment, the first tunable interference filter 11A is provided with a first gap changing section 113 that changes the dimension of the first gap G1.

第二波長可変干渉フィルター12Aは、第三基板103の第五面103Aに第四反射膜122が設けられ、第四反射膜122に対して第三基板103とは反対側に第三反射膜121が配置されることで構成されている。第三反射膜121は、周端部が第四反射膜122に接合され、中央部の一部が、第二ギャップG2を介して、第三反射膜121に対向する。
また、第一実施形態と同様に、第二波長可変干渉フィルター12Aには、第二ギャップG2の寸法を変化させる第二ギャップ変更部123が設けられている。
The second wavelength tunable interference filter 12A has a fourth reflecting film 122 provided on the fifth surface 103A of the third substrate 103, and a third reflecting film 121 on the side opposite to the third substrate 103 with respect to the fourth reflecting film 122. is arranged. The third reflective film 121 has a peripheral end joined to the fourth reflective film 122 and a part of the center faces the third reflective film 121 via the second gap G2.
Further, as in the first embodiment, the second tunable interference filter 12A is provided with a second gap changing section 123 that changes the dimension of the second gap G2.

そして、本実施形態の分光部10Aでは、回路基板30に対して、第三基板103の第六面103Bが対向し、第六面103Bが回路基板30に固定部材301により固定される。第二基板102は、第四面102Bが、第三基板103の第五面103Aに対向するように配置される。第二基板102と第三基板103との間にはスペーサー16が配置され、スペーサー16によって第三基板103に対して第二基板102が固定される。
つまり、第二基板102と第三基板103との間に、第二波長可変干渉フィルター12Aが配置される構成となる。言い換えると、第一波長可変干渉フィルター11Aの第二反射膜112と第二波長可変干渉フィルター12Aの第三反射膜121との間には、第二基板102が配置される。
このため、第一実施形態と同様に、本実施形態においても、第二反射膜112と第三反射膜121とが接続膜により接合される構成と比べて、第二反射膜112と第三反射膜121との間の距離dを大きくすることができる。つまり、距離dは、d>G1、かつd>G2を満たす。この距離dとしては、第一実施形態と同様、分光可能帯域ΔΛの中心波長λの300倍以上、30000倍以下であり、より好ましくは、300倍以上、5000倍以下である。
In the spectral section 10A of the present embodiment, the sixth surface 103B of the third substrate 103 faces the circuit board 30, and the sixth surface 103B is fixed to the circuit board 30 by the fixing member 301. The second substrate 102 is arranged such that the fourth surface 102B faces the fifth surface 103A of the third substrate 103 . A spacer 16 is arranged between the second substrate 102 and the third substrate 103 , and the second substrate 102 is fixed to the third substrate 103 by the spacer 16 .
That is, the second wavelength tunable interference filter 12A is arranged between the second substrate 102 and the third substrate 103. FIG. In other words, the second substrate 102 is arranged between the second reflective film 112 of the first tunable interference filter 11A and the third reflective film 121 of the second tunable interference filter 12A.
Therefore, as in the first embodiment, in the present embodiment as well, compared to the configuration in which the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are joined by a connection film, the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are The distance d between the membrane 121 can be increased. That is, the distance d satisfies d>G1 and d>G2. As in the first embodiment, this distance d is 300 times or more and 30000 times or less, more preferably 300 times or more and 5000 times or less, the central wavelength λ 0 of the spectroscopic band ΔΛ 0 .

また、スペーサー16は、第二基板102を第三基板103に対して所定の位置で固定する。このスペーサー16は、複数設けられてもよく、環状のスペーサー16が1つのみ設けられる構成としてもよい。複数のスペーサー16が設けられる場合、複数のスペーサー16の少なくとも1つを、導電性を有する導電性スペーサー16Aとする。なお、図14に示す構成例は、スペーサー16が、複数設けられ、導電性スペーサー16Aと、導電性を有さない固定用スペーサー16Bとを含む構成を例示している。1つのスペーサーのみにより構成されている場合は、当該スペーサーを導電性スペーサー16Aとすればよい。 Also, the spacer 16 fixes the second substrate 102 to the third substrate 103 at a predetermined position. A plurality of spacers 16 may be provided, or only one annular spacer 16 may be provided. When a plurality of spacers 16 are provided, at least one of the plurality of spacers 16 is a conductive spacer 16A having conductivity. Note that the configuration example shown in FIG. 14 illustrates a configuration in which a plurality of spacers 16 are provided and include conductive spacers 16A and non-conductive fixing spacers 16B. If it is composed of only one spacer, the spacer may be the conductive spacer 16A.

また、第二基板102には、第三面102Aから第四面102Bまでを貫通する第二スルーホール102Cが設けられている。
この第二スルーホール102Cは、導電性スペーサー16Aに対向して設けられている。そして、本実施形態では、第一ギャップ変更部113の第二電極113Bが、第二スルーホール102C、及び導電性スペーサー16Aを介して、第二ギャップ変更部123の第四電極123Bに導通する。
Further, the second substrate 102 is provided with a second through hole 102C penetrating from the third surface 102A to the fourth surface 102B.
This second through hole 102C is provided facing the conductive spacer 16A. In this embodiment, the second electrode 113B of the first gap changing portion 113 is electrically connected to the fourth electrode 123B of the second gap changing portion 123 via the second through hole 102C and the conductive spacer 16A.

[本実施形態の作用効果]
本実施形態の分光測定装置1Aの分光部10Aは、第一波長可変干渉フィルター11Aと、第二波長可変干渉フィルター12Aと、第二基板102と、第三基板103とを備えている。
第一波長可変干渉フィルター11Aは、第一反射膜111と、第二反射膜112とが第一ギャップG1を介して対向して配置された波長可変干渉フィルターであり、第二反射膜112が、第二基板102の第三面102Aに設けられ、第一反射膜111が、第二反射膜112に対して第二基板102とは反対側に配置されている。また、第二波長可変干渉フィルター12Aは、第三反射膜121と、第四反射膜122とが第二ギャップG2を介して対向して配置された波長可変干渉フィルターであり、第四反射膜122が第三基板103の第五面103Aに設けられ、第三反射膜121は、第四反射膜122に対して第三基板103とは反対側に配置されている。そして、第二基板102の第四面102Bが、第三基板103の第五面103Aに対向するように、スペーサー16を介して第三基板103に対して第二基板102が固定されている。つまり、本実施形態の分光部10Aでは、第二基板102と第三基板103との間に、第二波長可変干渉フィルター12Aが配置されており、第二反射膜112と第三反射膜121との間に、第二基板102が配置される。
このような構成の分光部10Aでは、第一実施形態と同様、第一波長可変干渉フィルター11Aの第一分光帯域ΔΛと、第二波長可変干渉フィルター12Aの第二分光帯域ΔΛとを含む広い分光可能帯域ΔΛで、目標波長λを変更することができ、分光測定装置1Aで測定可能な波長域を広げることができる。
また、第二反射膜112と第三反射膜121との間に第二基板102が配置されているので、第二反射膜112と第三反射膜121とが膜状の接続膜等によって接合される場合に比べて、第二反射膜112と第三反射膜121との間の寸法を大きくできる。このため、第二反射膜112及び第三反射膜121による干渉の影響によって、目標波長の光に対する透過率が低減する不都合を抑制できる。
[Action and effect of the present embodiment]
A spectroscopic section 10A of a spectroscopic measurement apparatus 1A of this embodiment includes a first tunable interference filter 11A, a second tunable interference filter 12A, a second substrate 102, and a third substrate 103. FIG.
The first tunable interference filter 11A is a tunable interference filter in which a first reflecting film 111 and a second reflecting film 112 are arranged to face each other with a first gap G1 interposed therebetween. Provided on the third surface 102A of the second substrate 102, the first reflective film 111 is arranged on the side opposite to the second substrate 102 with respect to the second reflective film 112. As shown in FIG. Also, the second wavelength tunable interference filter 12A is a wavelength tunable interference filter in which a third reflecting film 121 and a fourth reflecting film 122 are arranged to face each other across a second gap G2. is provided on the fifth surface 103 A of the third substrate 103 , and the third reflective film 121 is arranged on the side opposite to the third substrate 103 with respect to the fourth reflective film 122 . Second substrate 102 is fixed to third substrate 103 via spacer 16 such that fourth surface 102B of second substrate 102 faces fifth surface 103A of third substrate 103 . That is, in the spectroscopic section 10A of this embodiment, the second variable wavelength interference filter 12A is arranged between the second substrate 102 and the third substrate 103, and the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 A second substrate 102 is arranged between.
As in the first embodiment, the spectroscopic section 10A having such a configuration includes the first spectral band ΔΛ 1 of the first tunable interference filter 11A and the second spectral band ΔΛ 2 of the second tunable interference filter 12A. With a wide spectroscopic band ΔΛ 0 , the target wavelength λ i can be changed, and the wavelength range measurable by the spectroscopic measurement device 1A can be widened.
Further, since the second substrate 102 is arranged between the second reflective film 112 and the third reflective film 121, the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are joined by a film-like connecting film or the like. The dimension between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 can be increased compared to the case where the second reflective film 112 and the third reflective film 121 are provided. For this reason, it is possible to suppress the inconvenience that the transmittance of the light of the target wavelength is reduced due to the influence of the interference by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 .

本実施形態の分光部10Aでは、第一波長可変干渉フィルター11Aは、第一反射膜111に設けられた第一電極113Aと、第二反射膜112に設けられた第二電極113Bとにより構成された第一ギャップ変更部113を備える。また、第二波長可変干渉フィルター12Aは、第三反射膜121に設けられた第三電極123Aと、第四反射膜122に設けられた第四電極123Bとにより構成された第二ギャップ変更部123を備える。
また、第二基板102は、導電性スペーサー16Aを含むスペーサー16によって、第三基板103に対して固定されている。
さらに、第二基板102には、第三面102Aから第四面102Bまでを貫通する第二スルーホール102Cが設けられており、第二電極113Bと、第四電極123Bとが、第二スルーホール102C、及び導電性スペーサー16Aを介して導通されている。
このため、第二電極113B及び第四電極123Bを、1つの配線により回路基板30に設けられた基準電位回路に接続することができ、分光部10Aに対する配線数を少なくすることができるので、構成の簡略化を図れる。
In the spectroscopic section 10A of the present embodiment, the first variable wavelength interference filter 11A is composed of a first electrode 113A provided on the first reflecting film 111 and a second electrode 113B provided on the second reflecting film 112. and a first gap changer 113 . In addition, the second tunable interference filter 12A has a second gap changing section 123 which is configured by a third electrode 123A provided on the third reflecting film 121 and a fourth electrode 123B provided on the fourth reflecting film 122. Prepare.
Also, the second substrate 102 is fixed to the third substrate 103 by spacers 16 including conductive spacers 16A.
Further, the second substrate 102 is provided with a second through hole 102C penetrating from the third surface 102A to the fourth surface 102B. 102C, and conductive spacer 16A.
Therefore, the second electrode 113B and the fourth electrode 123B can be connected to the reference potential circuit provided on the circuit board 30 by one wiring, and the number of wirings for the spectroscopic section 10A can be reduced. can be simplified.

[第三実施形態]
次に、第三実施形態について説明する。
第三実施形態では、2つの基板を用いた分光部の他の構成例について説明する。
図15は、第三実施形態の分光測定装置1Bの概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態の分光測定装置1Bは、第一実施形態の分光測定装置1において、分光部10を分光部10Bに置き換えたものであり、受光部20や回路基板30の構成は略同じであるため、ここでの説明は省略する。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment will be described.
In the third embodiment, another configuration example of the spectroscopic section using two substrates will be described.
FIG. 15 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a spectroscopic measurement device 1B according to the third embodiment. The spectroscopic measurement apparatus 1B of the present embodiment is obtained by replacing the spectroscopic section 10 with the spectroscopic section 10B in the spectroscopic measurement apparatus 1 of the first embodiment, and the configurations of the light receiving section 20 and the circuit board 30 are substantially the same. Therefore, the description here is omitted.

本実施形態の分光部10Bは、図15に示すように、第四基板104と、第五基板105と、第一波長可変干渉フィルター11Bと、第二波長可変干渉フィルター12Bと、を備えている。
第四基板104及び第五基板105は、分光可能帯域ΔΛに対して透光性を有する素材により構成され、第一基板101と略同様の形状を有する。つまり、第四基板104は、第七面104Aと、第七面104Aとは反対側の第八面104Bとを備え、第七面104A及び第八面104Bが平行となる平行平板である。第五基板105は、第九面105Aと、第九面105Aとは反対側の第十面105Bとを備え、第九面105A及び第十面105Bが平行となる平行平板である。
As shown in FIG. 15, the spectroscopic section 10B of this embodiment includes a fourth substrate 104, a fifth substrate 105, a first tunable interference filter 11B, and a second tunable interference filter 12B. .
The fourth substrate 104 and the fifth substrate 105 are made of a material having translucency with respect to the spectroscopic band ΔΛ0 , and have substantially the same shape as the first substrate 101 . That is, the fourth substrate 104 is a parallel flat plate having a seventh surface 104A and an eighth surface 104B opposite to the seventh surface 104A, and the seventh surface 104A and the eighth surface 104B are parallel. The fifth substrate 105 is a parallel flat plate having a ninth surface 105A and a tenth surface 105B opposite to the ninth surface 105A.

本実施形態では、第四基板104に第一波長可変干渉フィルター11Bが設けられ、第五基板105に第二波長可変干渉フィルター12Bが設けられている。
具体的には、第一波長可変干渉フィルター11Bは、第四基板104の第八面104Bに第一反射膜111が設けられ、第一反射膜111に対して第四基板104とは反対側に第二反射膜112が配置されることで構成されている。第二反射膜112は、周端部が第一反射膜111に接合され、中央部の一部が、第一ギャップG1を介して、第一反射膜111に対向する。
また、第一波長可変干渉フィルター11Bには、第一ギャップG1の寸法を変化させる第一ギャップ変更部113が設けられている。つまり、第一反射膜111に第一電極113Aが設けられ、第二反射膜112に第二電極113Bが設けられている。
In this embodiment, the fourth substrate 104 is provided with the first wavelength tunable interference filter 11B, and the fifth substrate 105 is provided with the second wavelength tunable interference filter 12B.
Specifically, the first tunable interference filter 11B is provided with the first reflective film 111 on the eighth surface 104B of the fourth substrate 104, and the first reflective film 111 is provided on the side opposite to the fourth substrate 104 with respect to the first reflective film 111. It is configured by arranging the second reflective film 112 . The second reflective film 112 has a peripheral end joined to the first reflective film 111 and a part of the central portion facing the first reflective film 111 via the first gap G1.
Further, the first tunable interference filter 11B is provided with a first gap changing section 113 that changes the dimension of the first gap G1. That is, the first reflective film 111 is provided with the first electrode 113A, and the second reflective film 112 is provided with the second electrode 113B.

第二波長可変干渉フィルター12Bは、第五基板105の第九面105Aに第四反射膜122が設けられ、第四反射膜122に対して第五基板105とは反対側に第三反射膜121が配置されることで構成されている。第三反射膜121は、周端部が第四反射膜122に接合され、中央部の一部が、第二ギャップG2を介して、第三反射膜121に対向する。
また、第一実施形態と同様に、第二波長可変干渉フィルター12Bには、第二ギャップG2の寸法を変化させる第二ギャップ変更部123が設けられている。つまり、第三反射膜121に第三電極123Aが設けられ、第四反射膜122に第四電極123Bが設けられている。
The second wavelength tunable interference filter 12B has a fourth reflecting film 122 on the ninth surface 105A of the fifth substrate 105, and a third reflecting film 121 on the side opposite to the fifth substrate 105 with respect to the fourth reflecting film 122. is arranged. The third reflective film 121 has a peripheral end joined to the fourth reflective film 122 and a part of the center faces the third reflective film 121 via the second gap G2.
Further, as in the first embodiment, the second tunable interference filter 12B is provided with a second gap changing section 123 that changes the dimension of the second gap G2. That is, the third reflective film 121 is provided with the third electrode 123A, and the fourth reflective film 122 is provided with the fourth electrode 123B.

そして、本実施形態の分光部10Bでは、回路基板30に対して、第五基板105の第十面105Bが対向し、第十面105Bが回路基板30に固定部材301により固定される。第四基板104は、第八面104Bが、第五基板105の第九面105Aに対向するように配置される。第四基板104と第五基板105との間には、第二実施形態と同様、スペーサー16が配置され、スペーサー16によって第五基板105に対して第四基板104が固定される。
つまり、第四基板104と第五基板105との間に、第一波長可変干渉フィルター11B及び第二波長可変干渉フィルター12Bが配置される構成となる。
本実施形態では、第一実施形態や第二実施形態とは異なり、第二反射膜112と第三反射膜121との間に基板が介在されないが、スペーサー16により、第五基板105に対する第四基板104の位置を所望の位置に固定することが可能となり、第二反射膜112と第三反射膜121との距離dをスペーサー16により決定することができる。ここで、本実施形態においても、距離dは、d>G1、かつd>G2を満たす。また、本実施形態では、スペーサー16は、第二反射膜112と第三反射膜121との距離dが、分光可能帯域ΔΛの中心波長λの300倍以上、30000倍以下となるように、より好ましくは、300倍以上、5000倍以下となるように、第五基板105に対して第四基板104を固定する。
In the spectral section 10B of the present embodiment, the tenth surface 105B of the fifth substrate 105 faces the circuit board 30, and the tenth surface 105B is fixed to the circuit board 30 by the fixing member 301. FIG. The fourth substrate 104 is arranged such that the eighth surface 104B faces the ninth surface 105A of the fifth substrate 105 . A spacer 16 is arranged between the fourth substrate 104 and the fifth substrate 105 as in the second embodiment, and the fourth substrate 104 is fixed to the fifth substrate 105 by the spacer 16 .
That is, the configuration is such that the first tunable interference filter 11B and the second tunable interference filter 12B are arranged between the fourth substrate 104 and the fifth substrate 105 .
In this embodiment, unlike the first and second embodiments, no substrate is interposed between the second reflective film 112 and the third reflective film 121. The position of the substrate 104 can be fixed at a desired position, and the distance d between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 can be determined by the spacer 16 . Here, also in this embodiment, the distance d satisfies d>G1 and d>G2. In this embodiment, the spacer 16 is arranged so that the distance d between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 is 300 times or more and 30000 times or less the central wavelength λ 0 of the spectroscopic band ΔΛ 0 . , More preferably, the fourth substrate 104 is fixed to the fifth substrate 105 so as to be 300 times or more and 5000 times or less.

また、スペーサー16は、第二実施形態と同様、複数設けられてもよく、単数であってもよい。図15に示す例では、スペーサー16が、導電性スペーサー16Aと、導電性を有さない固定用スペーサー16Bとを含む構成を示す。
そして本実施形態では、導電性スペーサー16Aは、第一電極113Aと、第四電極123Bとに接して設けられており、これにより、第一電極113Aが導電性スペーサー16Aを介して第四電極123Bに導通する。
As in the second embodiment, the spacer 16 may be provided in plural or may be singular. The example shown in FIG. 15 shows a configuration in which spacers 16 include conductive spacers 16A and non-conductive fixing spacers 16B.
In this embodiment, the conductive spacer 16A is provided in contact with the first electrode 113A and the fourth electrode 123B. conducts to

[本実施形態の作用効果]
本実施形態の分光測定装置1Bの分光部10Bは、第一波長可変干渉フィルター11Bと、第二波長可変干渉フィルター12Bと、第四基板104と、第五基板105とを備えている。
第一波長可変干渉フィルター11Bは、第一反射膜111と、第二反射膜112とが第一ギャップG1を介して対向して配置された波長可変干渉フィルターであり、第一反射膜111が、第四基板104の第八面104Bに設けられ、第二反射膜112が、第一反射膜111に対して第四基板104とは反対側に配置されている。また、第二波長可変干渉フィルター12Bは、第三反射膜121と、第四反射膜122とが第二ギャップG2を介して対向して配置された波長可変干渉フィルターであり、第四反射膜122が第五基板105の第九面105Aに設けられ、第三反射膜121は、第四反射膜122に対して第五基板105とは反対側に配置されている。そして、第四基板104の第八面104Bが、第五基板105の第九面105Aに対向するように、スペーサー16を介して第五基板105に対して第四基板104が固定されている。つまり、本実施形態の分光部10Bでは、第四基板104と第五基板105との間に、第一波長可変干渉フィルター11B及び第二波長可変干渉フィルター12Bが配置される構成となる。そして、本実施形態では、スペーサー16によって、第五基板105に対して第四基板104が配置される。この際、第二反射膜112及び第三反射膜121で干渉が生じないように、スペーサー16の高さ寸法を選択することで、第二反射膜112及び第三反射膜121による干渉の影響によって、目標波長の光に対する透過率が低減する不都合を抑制できる。
[Action and effect of the present embodiment]
The spectroscopic section 10B of the spectroscopic measurement apparatus 1B of this embodiment includes a first tunable interference filter 11B, a second tunable interference filter 12B, a fourth substrate 104, and a fifth substrate 105. FIG.
The first tunable interference filter 11B is a tunable interference filter in which a first reflecting film 111 and a second reflecting film 112 are arranged to face each other across a first gap G1. Provided on the eighth surface 104B of the fourth substrate 104, the second reflective film 112 is arranged on the side opposite to the fourth substrate 104 with respect to the first reflective film 111. As shown in FIG. The second tunable interference filter 12B is a tunable interference filter in which a third reflecting film 121 and a fourth reflecting film 122 are arranged to face each other with a second gap G2 interposed therebetween. is provided on the ninth surface 105 A of the fifth substrate 105 , and the third reflective film 121 is arranged on the side opposite to the fifth substrate 105 with respect to the fourth reflective film 122 . The fourth substrate 104 is fixed to the fifth substrate 105 via spacers 16 such that the eighth surface 104B of the fourth substrate 104 faces the ninth surface 105A of the fifth substrate 105 . That is, in the spectroscopic section 10B of the present embodiment, the first tunable interference filter 11B and the second tunable interference filter 12B are arranged between the fourth substrate 104 and the fifth substrate 105. FIG. In this embodiment, the fourth substrate 104 is arranged with respect to the fifth substrate 105 by the spacers 16 . At this time, by selecting the height dimension of the spacer 16 so as not to cause interference between the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121, the interference caused by the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 causes the , it is possible to suppress the inconvenience that the transmittance for the light of the target wavelength is reduced.

本実施形態の分光部10Bでは、第一波長可変干渉フィルター11Bは、第一反射膜111に設けられた第一電極113Aと、第二反射膜112に設けられた第二電極113Bとにより構成された第一ギャップ変更部113を備える。また、第二波長可変干渉フィルター12Bは、第三反射膜121に設けられた第三電極123Aと、第四反射膜122に設けられた第四電極123Bとにより構成された第二ギャップ変更部123を備える。
そして、第四基板104は、導電性スペーサー16Aを含むスペーサー16によって、第五基板105に対して固定されており、第一電極113Aと、第四電極123Bとが、導電性スペーサー16Aを介して導通されている。
このため、第一電極113A及び第四電極123Bを、1つの配線により回路基板30に設けられた基準電位回路に接続することができ、分光部10Bに対する配線数を少なくすることができるので、構成の簡略化を図れる。
In the spectroscopic section 10B of this embodiment, the first variable wavelength interference filter 11B is composed of a first electrode 113A provided on the first reflecting film 111 and a second electrode 113B provided on the second reflecting film 112. and a first gap changer 113 . In addition, the second tunable interference filter 12B has a second gap changing section 123 configured by a third electrode 123A provided on the third reflecting film 121 and a fourth electrode 123B provided on the fourth reflecting film 122. Prepare.
The fourth substrate 104 is fixed to the fifth substrate 105 by spacers 16 including conductive spacers 16A, and the first electrode 113A and the fourth electrode 123B are connected via the conductive spacers 16A. Conducted.
Therefore, the first electrode 113A and the fourth electrode 123B can be connected to the reference potential circuit provided on the circuit board 30 by one wiring, and the number of wirings for the spectroscopic section 10B can be reduced. can be simplified.

[変形例]
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
[Modification]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes modifications, improvements, etc. within the scope of achieving the object of the present invention.

[変形例1]
上記実施形態では、第一波長可変干渉フィルター11,11A,11B及び第二波長可変干渉フィルター12,12A,12Bとして、一対の反射膜の一方は基板に設けられ、他方の反射膜は、周端部が基板に設けられた一方の反射膜に接合され、かつ中央部の一部がギャップを介して一方の反射膜に対向する構成とした。これに対して、一対の反射膜の双方が基板に設けられる構成とし、これらの基板を対向配置させる構成としてもよい。
図16は、変形例1に係る分光部10Cの一例を示す断面図である。
図16に示す分光部10Cは、第一実施形態の分光部10を変形したものであり、第一波長可変干渉フィルター11Cと、第二波長可変干渉フィルター12Cと、第六基板106と、第七基板107と、第八基板108と、を備える。
第六基板106は、第七基板107に対向する面と、第八基板108に対向する面とが表裏を為している。第七基板107に対向する面には、例えばエッチング等により加工されることで形成された凹状の溝が設けられ、溝底面により第一配置面106Aと、第一配置面106Aを囲う第二配置面106Bとが構成される。また、第七基板107に対向する面のうち溝が形成されていない部分は、第七基板107が接合される第一接合面106Cとなる。同様に、第八基板108に対向する面には、例えばエッチング等により加工されることで形成された凹状の溝が設けられ、溝底面により第三配置面106Dと、第三配置面106Dを囲う第四配置面106Eとが構成される。また、第八基板108に対向する面のうち溝が形成されていない部分は、第八基板108が接合される第二接合面106Fとなる。
[Modification 1]
In the above embodiment, one of the pair of reflective films is provided on the substrate and the other is provided on the peripheral edge of the first tunable interference filters 11, 11A, 11B and the second tunable interference filters 12, 12A, 12B. part is joined to one reflecting film provided on the substrate, and a part of the central part faces the one reflecting film through a gap. Alternatively, both of the pair of reflective films may be provided on the substrates, and these substrates may be arranged to face each other.
FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of a spectroscopic section 10C according to Modification 1. As shown in FIG.
A spectroscopic section 10C shown in FIG. 16 is a modification of the spectroscopic section 10 of the first embodiment, and includes a first tunable interference filter 11C, a second tunable interference filter 12C, a sixth substrate 106, and a seventh A substrate 107 and an eighth substrate 108 are provided.
The surface of the sixth substrate 106 facing the seventh substrate 107 and the surface facing the eighth substrate 108 are opposite sides. The surface facing the seventh substrate 107 is provided with a concave groove formed by processing, for example, etching, etc., and the first arrangement surface 106A and the second arrangement surrounding the first arrangement surface 106A by the groove bottom surface. A surface 106B is configured. A portion of the surface facing the seventh substrate 107 where the grooves are not formed serves as a first bonding surface 106C to which the seventh substrate 107 is bonded. Similarly, the surface facing the eighth substrate 108 is provided with a concave groove formed by processing such as etching, for example, and the bottom surface of the groove surrounds the third arrangement surface 106D and the third arrangement surface 106D. A fourth placement surface 106E is configured. A portion of the surface facing the eighth substrate 108 where no groove is formed serves as a second bonding surface 106F to which the eighth substrate 108 is bonded.

第一配置面106Aは、第三配置面106Dと表裏を為し、かつ、第三配置面106Dと平行な面である。この第一配置面106Aには、第一波長可変干渉フィルター11Cを構成する第二反射膜112が設けられる。また、第三配置面106Dには、第二波長可変干渉フィルター12Cを構成する第三反射膜121が設けられる。
また、第二配置面106Bは、第一ギャップ変更部113を構成する第二電極113Bが配置され、第四配置面106Eには、第二ギャップ変更部123を構成する第三電極123Aが配置される。
106 A of 1st arrangement|positioning surfaces are surfaces which make the 3rd arrangement|positioning surface 106D and front and back, and are parallel to 3rd arrangement|positioning surface 106D. The first arrangement surface 106A is provided with a second reflecting film 112 that constitutes the first wavelength tunable interference filter 11C. A third reflection film 121 that constitutes the second wavelength tunable interference filter 12C is provided on the third arrangement surface 106D.
A second electrode 113B forming the first gap changing portion 113 is arranged on the second arrangement surface 106B, and a third electrode 123A forming the second gap changing portion 123 is arranged on the fourth arrangement surface 106E. be.

第七基板107は、第一配置面106Aに対向する第一可動部107Aと、第一可動部107AをZ方向に移動可能に保持する第一保持部107B、第一接合面106Cに接合される第一接合部107Cを有する。
第一可動部107Aは、第一配置面106A及び第二配置面106Bに対向する平坦面を有し、当該平坦面に第一波長可変干渉フィルター11Cを構成する第一反射膜111が設けられる。第一反射膜111と第二反射膜112とは、第一ギャップG1を介して対向する。第一可動部107Aには、さらに、第二電極113Bに対向して、第一電極113Aが設けられており、第一電極113A及び第二電極113Bにより第一ギャップ変更部113が構成される。
第一保持部107Bは、例えば第七基板107の第六基板106とは反対側の面がエッチング等により加工されることで形成されたダイアフラムである。
第一接合部107Cは、図示略の接合膜を介して第一接合面106Cに接合される。
The seventh substrate 107 is joined to a first movable portion 107A facing the first arrangement surface 106A, a first holding portion 107B holding the first movable portion 107A movably in the Z direction, and a first joint surface 106C. It has a first joint portion 107C.
The first movable portion 107A has a flat surface facing the first placement surface 106A and the second placement surface 106B, and the flat surface is provided with the first reflecting film 111 that constitutes the first wavelength tunable interference filter 11C. The first reflective film 111 and the second reflective film 112 face each other with the first gap G1 interposed therebetween. The first movable portion 107A is further provided with a first electrode 113A facing the second electrode 113B, and the first gap changing portion 113 is configured by the first electrode 113A and the second electrode 113B.
The first holding portion 107B is, for example, a diaphragm formed by processing the surface of the seventh substrate 107 opposite to the sixth substrate 106 by etching or the like.
The first bonding portion 107C is bonded to the first bonding surface 106C via a bonding film (not shown).

第八基板108は、第七基板107と略同様の構成を有し、第三配置面106Dに対向する第二可動部108Aと、第二可動部108AをZ方向に移動可能に保持する第二保持部108B、第二接合面106Fに接合される第二接合部108Cを有する。
第二可動部108Aは、第三配置面106D及び第四配置面106Eに対向する平坦面を有する。当該平坦面には、第三反射膜121に対向して、第二波長可変干渉フィルター12Cを構成する第四反射膜122が設けられている。また、当該平坦面には、第三電極123Aに対向して、第二ギャップ変更部123を構成する第四電極123Bが設けられている。
第二保持部108Bは、例えば第八基板108の第六基板106とは反対側の面がエッチング等により加工されることで形成されたダイアフラムである。第二接合部108Cは、図示略の接合膜を介して第二接合面106Fに接合される。
The eighth substrate 108 has substantially the same configuration as the seventh substrate 107, and includes a second movable portion 108A facing the third placement surface 106D and a second movable portion 108A that holds the second movable portion 108A movably in the Z direction. The holding portion 108B has a second joint portion 108C joined to the second joint surface 106F.
The second movable portion 108A has a flat surface facing the third placement surface 106D and the fourth placement surface 106E. A fourth reflecting film 122 that constitutes the second wavelength tunable interference filter 12C is provided on the flat surface so as to face the third reflecting film 121 . A fourth electrode 123B constituting the second gap changing portion 123 is provided on the flat surface so as to face the third electrode 123A.
The second holding portion 108B is, for example, a diaphragm formed by processing the surface of the eighth substrate 108 opposite to the sixth substrate 106 by etching or the like. The second bonding portion 108C is bonded to the second bonding surface 106F via a bonding film (not shown).

このような分光部10Cにおいても、第二反射膜112と、第三反射膜121とは、第六基板106を介して対向する構成となり、例えば第二反射膜112と第三反射膜121とを接続膜により接合する構成等に比べて、第二反射膜112と第三反射膜121との距離dを大きくできる。この距離dは、上記各実施形態と同様に、分光部10Cの分光可能帯域ΔΛの中心波長λの300倍以上30000倍以下であり、より好ましくは、300倍以上、5000倍以下である。これにより、第二反射膜112及び第三反射膜121により構成される干渉フィルターに対しても目標波長の光が高い透過率で透過させることができる。 In such a spectroscopic section 10C as well, the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 face each other with the sixth substrate 106 interposed therebetween. The distance d between the second reflective film 112 and the third reflective film 121 can be increased as compared with a configuration in which they are joined by a connection film. This distance d is 300 times or more and 30000 times or less, more preferably 300 times or more and 5000 times or less, the center wavelength λ 0 of the spectroscopic band ΔΛ 0 of the spectroscopic section 10C, as in each of the above embodiments. . As a result, the light of the target wavelength can be transmitted with a high transmittance even through the interference filter composed of the second reflecting film 112 and the third reflecting film 121 .

[変形例2]
上記各実施形態において、第一反射膜111、第二反射膜112、第三反射膜121、
及び第四反射膜122として、低屈折光学層と高屈折光学層とを積層することで構成された光学多層膜ミラーを例示したが、これに限定されない。例えばAg等の金属膜や、金属合金膜によりこれらの反射膜が構成されていてもよい。
[Modification 2]
In each of the above embodiments, the first reflective film 111, the second reflective film 112, the third reflective film 121,
And as the fourth reflective film 122, an optical multilayer mirror configured by stacking a low refractive optical layer and a high refractive optical layer is exemplified, but it is not limited to this. For example, these reflective films may be composed of a metal film such as Ag or a metal alloy film.

[変形例3]
上記各実施形態において、第一波長可変干渉フィルター11,11A,11Bの第一分光帯域ΔΛが第一波長λから第二波長λまでの波長域であり、第二波長可変干渉フィルター12,12A,12Bの第二分光帯域ΔΛが第三波長λから第四波長λまでの波長域であり、λ<λ<λ<λとなる例を示した。
これに対して、例えば、第一分光帯域ΔΛと、第二分光帯域ΔΛとが重なり合っていなくてもよい。この場合、分光部10,10A,10Bの光軸上に、例えば2種類のカットフィルターをそれぞれ進退できるように配置する。
例えば、第一実施形態の分光部10において、第一分光帯域ΔΛと、第二分光帯域ΔΛとが重なり合っていない場合で、目標波長が第一分光帯域ΔΛに含まれる場合、第一ギャップG1を目標波長に応じた寸法とし、第一分光帯域ΔΛ以外の光を遮光するカットフィルターを光路上に挿入する。そして、目標波長を、第二分光帯域ΔΛに含まれる波長に変更する場合、第二ギャップG2を目標波長に応じた寸法とし、第二分光帯域ΔΛ以外の光を遮光するカットフィルターを光路から退避させ、代わりに、第二分光帯域ΔΛ以外の光を遮光するカットフィルターを光路に挿入する。
[Modification 3]
In each of the above embodiments, the first spectral band ΔΛ1 of the first tunable interference filters 11, 11A, and 11B is the wavelength range from the first wavelength λ1 to the second wavelength λ2, and the second tunable interference filter 12 , 12A and 12B is a wavelength range from the third wavelength λ3 to the fourth wavelength λ4 , and an example where λ1< λ3 <λ2<λ4 is shown.
On the other hand, for example, the first spectral band ΔΛ1 and the second spectral band ΔΛ2 may not overlap. In this case, for example, two types of cut filters are arranged on the optical axes of the spectroscopic units 10, 10A, and 10B so as to move forward and backward.
For example, in the spectroscopic section 10 of the first embodiment, when the first spectral band ΔΛ 1 and the second spectral band ΔΛ 2 do not overlap and the target wavelength is included in the first spectral band ΔΛ 1 , the first The gap G1 has a dimension corresponding to the target wavelength, and a cut filter for blocking light other than the first spectral band ΔΛ1 is inserted in the optical path. When the target wavelength is changed to a wavelength included in the second spectral band ΔΛ2, the second gap G2 has dimensions corresponding to the target wavelength, and a cut filter that blocks light other than the second spectral band ΔΛ2 is provided in the optical path. , and instead, a cut filter for blocking light other than the second spectral band ΔΛ2 is inserted into the optical path.

[変形例4]
第一実施形態では、第一スルーホール101Cを介して、第二電極113Bと、第三電極123Aとが導通する構成を例示した。第二実施形態では、第二スルーホール102C及び導電性スペーサー16Aを介して、第二電極113Bと第四電極123Bとが導通する構成を例示した。さらに、第三実施形態では、導電性スペーサー16Aを介して、第一電極113Aと第四電極123Bとが導通する構成を例示した。これに対して、第一ギャップ変更部113を構成する一対の電極の一方と、第二ギャップ変更部123を構成する一対の電極の一方とを導通させる構成であればよく、導通させる電極は特に限定されない。
例えば、第一実施形態において、第二電極113Bと第四電極123Bとが導通されていてもよく、第一電極113Aと第三電極123Aとが導通されていてもよく、第一電極113Aと第四電極123Bとが導通されていてもよい。
[Modification 4]
In the first embodiment, the configuration in which the second electrode 113B and the third electrode 123A are electrically connected through the first through hole 101C is illustrated. In the second embodiment, the configuration in which the second electrode 113B and the fourth electrode 123B are electrically connected via the second through hole 102C and the conductive spacer 16A is exemplified. Furthermore, in the third embodiment, the configuration in which the first electrode 113A and the fourth electrode 123B are electrically connected through the conductive spacer 16A has been exemplified. On the other hand, it is sufficient that one of the pair of electrodes forming the first gap changing portion 113 and one of the pair of electrodes forming the second gap changing portion 123 are electrically connected. Not limited.
For example, in the first embodiment, the second electrode 113B and the fourth electrode 123B may be electrically connected, the first electrode 113A and the third electrode 123A may be electrically connected, and the first electrode 113A and the third electrode 113A may be electrically connected. The four electrodes 123B may be electrically connected.

[変形例5]
第一実施形態において、分光測定装置1の駆動方法として、分光可能帯域ΔΛで、所定間隔毎で目標波長を変化させ、各目標波長の光に対する光量を測定する例を示したが、例えば、操作部や外部機器から入力された波長指定信号に基づいて、特定の目標波長の光を透過させるように、分光測定装置1を駆動させてもよい。
[変形例6]
各実施形態において、第一ギャップ変更部113及び第二ギャップ変更部123が、一対の電極を備え、一対の電極間に印加する電圧を変化させることで第一ギャップG1や第二ギャップG2を変化させる例を示したがこれに限定されない。
例えば、第一反射膜111及び第二反射膜112の間、第三反射膜121と第四反射膜122との間に、それぞれ圧電体が配置され、圧電体への印加電圧を変更することで、第一ギャップG1や第二ギャップG2の寸法を変更してもよい。また、一対の反射膜間の圧力を変化させることでギャップの寸法を変更してもよい。
[Modification 5]
In the first embodiment, as a method of driving the spectroscopic measurement device 1, an example is shown in which the target wavelength is changed at predetermined intervals in the spectroscopic band ΔΛ 0 , and the amount of light with respect to each target wavelength is measured. The spectrometer 1 may be driven so as to transmit light of a specific target wavelength based on a wavelength designation signal input from an operation unit or an external device.
[Modification 6]
In each embodiment, the first gap changing section 113 and the second gap changing section 123 are provided with a pair of electrodes, and the first gap G1 and the second gap G2 are changed by changing the voltage applied between the pair of electrodes. Although an example is shown, it is not limited to this.
For example, piezoelectric bodies are arranged between the first reflective film 111 and the second reflective film 112, and between the third reflective film 121 and the fourth reflective film 122. By changing the voltage applied to the piezoelectric bodies, , the dimensions of the first gap G1 and the second gap G2 may be changed. Alternatively, the dimension of the gap may be changed by changing the pressure between the pair of reflective films.

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。 In addition, the specific structure for carrying out the present invention can be appropriately changed to another structure or the like as long as the object of the present invention can be achieved.

1,1A,1B…分光測定装置(電子機器)、10,10A,10B,10C…分光部(光学装置)、11,11A,11B,11C…第一波長可変干渉フィルター、12,12A,12B,12C…第二波長可変干渉フィルター、14…カットフィルター、16…スペーサー、16A…導電性スペーサー、16B…固定用スペーサー、20…受光部、30…回路基板、33…制御部、101…第一基板、101A…第一面、101B…第二面、101C…第一スルーホール、101D…配線用スルーホール、102…第二基板、102A…第三面、102B…第四面、102C…第二スルーホール、103…第三基板、103A…第五面、103B…第六面、104…第四基板、104A…第七面、104B…第八面、105…第五基板、105A…第九面、105B…第十面、111…第一反射膜、112…第二反射膜、113…第一ギャップ変更部、113A…第一電極、113B…第二電極、121…第三反射膜、122…第四反射膜、123…第二ギャップ変更部、123A…第三電極、123B…第四電極、123C…第四電極端子、301…固定部材、331…記憶部、332…演算処理部、332A…波長指令部、332B…受光制御部、332C…測定部、Ar1…測定領域、G1…第一ギャップ、G2…第二ギャップ、L…基板中心軸、d…第二反射膜と第三反射膜との距離、ΔΛ…分光可能帯域、ΔΛ…第一分光帯域、ΔΛ…第二分光帯域、ΔΛ…共通帯域、λ…中心波長、λ…第一波長、λ…第二波長、λ…第三波長、λ…第四波長。 1, 1A, 1B... spectrometer (electronic device), 10, 10A, 10B, 10C... spectroscopic section (optical device), 11, 11A, 11B, 11C... first variable wavelength interference filter, 12, 12A, 12B, 12C... Second wavelength tunable interference filter 14... Cut filter 16... Spacer 16A... Conductive spacer 16B... Fixing spacer 20... Light receiving part 30... Circuit board 33... Control part 101... First substrate , 101A...first surface, 101B...second surface, 101C...first through hole, 101D...wiring through hole, 102...second substrate, 102A...third surface, 102B...fourth surface, 102C...second through Hole 103... Third substrate 103A... Fifth surface 103B... Sixth surface 104... Fourth substrate 104A... Seventh surface 104B... Eighth surface 105... Fifth substrate 105A... Ninth surface 105B... Tenth surface 111... First reflecting film 112... Second reflecting film 113... First gap changing portion 113A... First electrode 113B... Second electrode 121... Third reflecting film 122... Third Four reflecting films 123 Second gap changing section 123A Third electrode 123B Fourth electrode 123C Fourth electrode terminal 301 Fixed member 331 Storage section 332 Arithmetic processing section 332A Wavelength command unit 332B light receiving control unit 332C measurement unit Ar1 measurement area G1 first gap G2 second gap LC substrate center axis d second reflection film and third reflection film ΔΛ 0 . . . spectroscopic band ΔΛ 1 .. first spectral band ΔΛ 2 .. second spectral band ΔΛ 3 . Wavelengths, λ 3 ... third wavelength, λ 4 ... fourth wavelength.

Claims (6)

第一反射膜と、第二反射膜とが第一ギャップを介して対向する第一波長可変干渉フィル
ターと、
第三反射膜と、第四反射膜とが第二ギャップを介して対向する第二波長可変干渉フィル
ターと、
第一面、及び前記第一面とは反対側の第二面を有する透光性の第一基板と、を備え、
前記第二反射膜は、前記第一基板の前記第一面に設けられ、
前記第三反射膜は、前記第一基板の前記第二面に設けられ、
前記第一波長可変干渉フィルターは、前記第一反射膜に設けられた第一電極と、前記第
二反射膜に設けられた第二電極と、を備え、
前記第一電極及び前記第二電極は、前記第一ギャップを介して対向し、
前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第三反射膜に設けられた第三電極と、前記第
四反射膜に設けられた第四電極と、を備え、
前記第三電極及び前記第四電極は、前記第二ギャップを介して対向し、
前記第一基板は、前記第一面から前記第二面までを貫通する第一スルーホールを備え、
前記第一電極及び前記第二電極の一方は、前記第一スルーホールを介して、前記第三電
極及び前記第四電極の一方に導通する
ことを特徴とする光学装置。
a first variable wavelength interference filter in which the first reflective film and the second reflective film face each other across a first gap;
a second variable wavelength interference filter in which the third reflecting film and the fourth reflecting film face each other across a second gap;
a translucent first substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
The second reflective film is provided on the first surface of the first substrate,
The third reflective film is provided on the second surface of the first substrate ,
The first variable wavelength interference filter includes a first electrode provided on the first reflective film,
a second electrode provided on the second reflective film,
the first electrode and the second electrode face each other across the first gap;
The second variable wavelength interference filter includes a third electrode provided on the third reflecting film,
and a fourth electrode provided on the four reflective films,
the third electrode and the fourth electrode face each other across the second gap,
The first substrate has a first through hole penetrating from the first surface to the second surface,
One of the first electrode and the second electrode is connected to the third electrode through the first through hole.
conductive to one of the pole and the fourth electrode
An optical device characterized by:
請求項に記載の光学装置において、
前記第一波長可変干渉フィルターは、前記第一ギャップの寸法を変化させることで、当
該第一波長可変干渉フィルターから透過させる光の波長である第一透過波長を、第一波長
から、前記第一波長よりも長波長の第二波長までの範囲で変更可能に構成されており、
前記第二波長可変干渉フィルターは、前記第二ギャップの寸法を変化させることで、当
該第二波長可変干渉フィルターから透過させる光の波長である第二透過波長を、前記第一
波長よりも長波長であり、かつ前記第二波長よりも短波長となる第三波長から、前記第二
波長よりも長波長の第四波長までの範囲で変更可能に構成されている
ことを特徴とする光学装置。
An optical device according to claim 1 , wherein
In the first wavelength tunable interference filter, by changing the dimension of the first gap, the first transmission wavelength, which is the wavelength of light to be transmitted from the first wavelength tunable interference filter, is changed from the first wavelength to the first It is configured to be changeable within a range up to a second wavelength longer than the wavelength,
The second wavelength tunable interference filter changes the dimension of the second gap to make the second transmission wavelength, which is the wavelength of light transmitted from the second wavelength tunable interference filter, longer than the first wavelength. and is configured to be changeable within a range from a third wavelength shorter than the second wavelength to a fourth wavelength longer than the second wavelength.
請求項に記載の光学装置において、
前記第二反射膜と前記第三反射膜との間の距離は、前記第一波長から前記第四波長まで
の波長域の中心波長の300倍以上である
ことを特徴とする光学装置。
3. The optical device according to claim 2 , wherein
The optical device, wherein the distance between the second reflecting film and the third reflecting film is 300 times or more the center wavelength of the wavelength region from the first wavelength to the fourth wavelength.
請求項2または3に記載の光学装置において、
前記第二反射膜と前記第三反射膜との間の距離は、前記第一波長から前記第四波長まで
の波長域の中心波長の30000倍以下である
ことを特徴とする光学装置。
4. The optical device according to claim 2 or 3 ,
The optical device, wherein the distance between the second reflecting film and the third reflecting film is 30000 times or less of the center wavelength of the wavelength region from the first wavelength to the fourth wavelength.
請求項1から請求項のいずれか1項に記載の光学装置において、
前記第二反射膜と前記第三反射膜との間の距離は、前記第一反射膜と前記第二反射膜と
の間の距離よりも大きく、前記第三反射膜と前記第四反射膜との間の距離よりも大きい
ことを特徴とする光学装置。
The optical device according to any one of claims 1 to 4 ,
The distance between the second reflective film and the third reflective film is greater than the distance between the first reflective film and the second reflective film, and the distance between the third reflective film and the fourth reflective film An optical device characterized in that it is greater than the distance between
請求項1から請求項のいずれか1項に記載の光学装置と、
前記光学装置を制御する制御部と、を備える
ことを特徴とする電子機器。
an optical device according to any one of claims 1 to 5 ;
and a controller that controls the optical device.
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