JP7204760B2 - フォトレジストリムーバ組成物 - Google Patents

Description

本発明は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、ベンジル系アルコール、少なくとも一種のグリコール化合物、及びアルキルアミン成分を含む高ｐＫａリムーバ組成物であって、前記アルキルアミン成分が、ジアルキルアミン、構造（Ｉ）を有するモノアルキルアミン、及びこれらの混合物組み合わせ物からなる群から選択され、ここで前記ジアルキルアミンに関して、そのアルキル基はＣ１～Ｃ４ｎ－アルキルであり、そして他はＣ１６～Ｃ２０ｎ－アルキルである、前記高ｐＫａリムーバ組成物に関する。これらのリムーバ溶液は、基材からのフォトレジストパターンのクリーンな除去を示す。更に、基材が銅などの金属である場合には、パターン化されたレジストの除去は、金属製基材の腐食を起こさない。

本発明は、金属製基材の腐食を促進しない新規リムーバ組成物を用いて架橋ポリマーコーティングを除去する化学的ストリッパ組成物として使用し得る本発明による組成物に関する。

微細電子コーティング用の多くの商品化されたストリッパは、最小の製造上の要件を満たすようには十分に機能しない。本発明は、塩基現像可能なネガ型架橋性フォトレジストシステムによって生成された基材上のリソグラフィレジストパターンの除去に使用するための高ｐＫａ除去製品のための新規組成物に関する。

これらの超小型回路または超小型デバイスの製造の間、様々な無機系基材、例えば単及び多結晶性ケイ素、ハイブリッド半導体、例えばヒ化ガリウム、及び金属を有機コーティング（「フォトレジスト」またはレジスト）でコーティングし、この有機コーティングは、永続的なまたは一次的な設計の耐性フレームワークを形成し、そしてフォトリソグラフィプロセスを経た後にパターンを示す。このフォトレジストは、導体を絶縁するか、または基材表面、例えばケイ素、二酸化ケイ素またはアルミニウムの選択された領域を、湿式（化学的）及び乾式（プラズマ）形態両方での化学品の作用から保護するために利用し得る。材料がフォトレジストとして使用される場合は、基材の暴露された領域には、望ましいエッチング削除（除去）または堆積（付加）プロセスを行ってよい。この作業の完了後及びその後の洗浄またはコンディショニングの後は、レジスト及び任意のアプリケーションポストエッチング残渣を除去して、本質的な仕上げ作業を可能にする必要がある。フォトレジストを除去すると、特定の微細なエッチングまたは堆積パターンが後に残る。マスク化及びパターン化プロセスは、最終のデバイスの技術を含む層状配列を製造するために何度か繰り返される。最終形態のデバイスが比較的高い収率で製造されそして満足に機能することを保証するためには、各々のステップは完全なレジスト剥離を必要とする。

ＵＳ７６０１４８２

Ｄｉａｚｏｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ－ｂａｓｅｄ Ｒｅｓｉｓｔｓ、Ｃｈａｐｔｅｒ ２、Ｂａｓｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ＤＮＱ／Ｎｏｖｏｌａｋ ｒｅｓｉｓｔｓ，ＳＰＩＥ Ｏｐｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｅｓｓ ｖｏｌｕｍｅ ＴＴ１１，ｐａｇｅ９，１９９３

塩基現像可能なネガ型架橋性フォトレジストシステムによって生成されたネガ型フォトレジストパターンを、比較的毒性はないものの、スキンバリアを通した他の潜在的に有害な化学品の既知のキャリアである材料であるジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）は避けて、安全な化学品を利用することによって除去することができる新規のストリッパ／リムーバへの要望がある。その結果、ストリッパ／リムーバからのＤＭＳＯの排除は、作業者への潜在的な害を低減するであろう。またＤＭＳＯは、その沸点付近の温度で分解し易く、そしてこの分解温度は、塩基性触媒の存在によって実質的に低めることができる。これは、塩基性高ｐＫａリムーバ溶液が、加熱された溶液として安全に使用され得るべき場合に、これらの溶液にとって重要である。更に、ＤＭＳＯベースのストリッパは、硫化物不純物の存在の故に不快な臭いを有する場合があり、臭いのないストリッパは、換気の問題が起こり得る密閉された製造エリアにおける使用のために有益であろう。更に、これらには、ＤＭＳＯの使用を避けるだけでなく、低い引火点を有する代替的な溶剤、特に約１５０℃未満の沸点を有する溶剤、または有害な毒性を有し得る代替的な溶剤の使用も避ける、代替的な高ｐＫａストリッパ／リムーバを設計するという要望も目標である。最後に、ＤＭＳＯを割愛するこのような新規リムーバは、残渣を残すことなく、特に銅などの金属製基材上に残渣を残すことなく、パターン化されたレジストの全てを基材から除去できるべきである。

その観点の一つでは、本発明は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、ベンジル系アルコール、少なくとも一種のグリコール化合物、及びアルキルアミン成分を含む組成物であって、前記アルキルアミン成分が、
アルキル基のうちの一つがＣ１～Ｃ４ｎ－アルキルでありそして他がＣ１６～Ｃ２０ｎ－アルキルであるジアルキルアミン、
構造（Ｉ）（式中、ｍ’及びｍは独立して４～８の範囲の整数から選択される）を有するモノアルキルアミン；及び
これらの組み合わせ、
からなる群から選択される組成物に関する。

更に、この発明は、前記の組成物を、パターン化フォトレジストを基材から除去するために使用する方法にも関する。

前記の一般的な説明及び以下の詳細な説明の双方とも例示、説明のためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を減縮するものではないと理解するべきである。他に具体的に記載がなければ、本願において、単数形の使用は複数を包含し、単数形は「少なくとも一つ」を意味し、そして「または」の使用は「及び／または」を意味する。更に、「含む」という記載、並びに「含まれる」などの他の動詞形の使用は限定的ではない。また、「要素」または「成分」などの記載は、他に具体的に記載がなければ、一つの構成単位を含む要素及び成分、並びに１つ超の構成単位を含む要素または成分を包含する。他に指示が無ければ、ここで使用する「及び」という接続詞は包括的であることを意図しており、「または」という接続詞は排他的であることを意図していない。例えば、「またはその代わりに」というフレーズは、排他的であることを意図している。ここで使用する「及び／または」という記載は、単一要素の使用も含む、前述される要素の任意の組み合わせを指す。

（メタ）アクリレートという用語は、アクリレート及びメタクリレートの両方を一つの用語に統合する用語である。

ここで、他に記載がなければ、アルキルとは、線状、分岐状（例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｔｅｒｔ－ブチル及び類似物）、または環状（例えばシクロヘキシル、シクロプロピル、シクロペンチル及び類似物）多環式（例えばノルボルニル、アダマンチル及び類似物）であることができる炭化水素基を指す。これらのアルキル部分は、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。アルキルという用語は、Ｃ１～Ｃ２０炭素を有するこのような部分を指す。構造的な理由のため、線状アルキルはＣ１から始まるが、分岐状アルキルはＣ３から始まり、そして多環式アルキルはＣ５から始まると理解される。更に、他に記載がなければ、以下に記載のアルキルから誘導される、例えばアルキルオキシ、ハロアルキルオキシなどの部分は、同じ炭素数を有するものと理解される。アルキル基の長さが上記とは異なって特定される場合は、アルキルの上記の定義は、上述の全てのタイプのアルキル部分を含んで、なおもそれに関連して有効であり、そして所定のタイプのアルキル基についての最小の炭素原子数に関しての構造的な考察はなおも該当する。

アルキルオキシ（別称ではアルコキシ）は、オキシ（－Ｏ－）部分を介して結合した先に定義したようなアルキル基を指す（例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、１，２－イソプロポキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ及び類似物）。これらのアルキルオキシは、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。

ハロまたはハライドは、一つの結合によって有機部分に結合したハロゲン、すなわちＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉを指す。

ハロアルキルは、水素のうちの少なくとも一つが、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、または１超のハロ部分が存在する場合にはこれらの混合物からなる群から選択されるハライドによって置き換えられている、上述したものなどの、線状、環状または分岐状の飽和アルキル基を指す。フルオロアルキルは、これらの部分の特定のサブグループである。

フルオロアルキルは、水素が部分的にもしくは完全にフッ素に置き換えられた先に定義したような線状、環状または分岐状飽和アルキル基を指す（例えば、トリフルオロメチル、パーフルオロエチル、２，２，２－トリフルオロエチル、パーフルオロイソプロピル、パーフルオロシクロヘキシル及び類似物）。これらのフルオロアルキル部分は、完全にフッ素化されていない場合には、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。

フルオロアルキルオキシは、オキシ（－Ｏ－）部分を介して結合した先に定義したようなフルオロアルキル基であり、これは、完全にフッ素化されていてもよいし（別称ではパーフルオロ）、またはその代わりに部分的にフッ素化されていてもよい（例えば、トリフルオロメチルオキシ、パーフルオロエチルオキシ、２，２，２－トリフルオロエトキシ、パーフルオロシクロヘキシルオキシ及び類似物）。これらのフルオロアルキル部分は、完全にフッ素化されていない場合には、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。

ここで、Ｃ１から始まる可能な炭素原子の範囲を有するアルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル、フルオロアルキルオキシ部分、例えば非限定的な例として「Ｃ１～Ｃ２０アルキル」または「Ｃ１～Ｃ２０フルオロアルキル」に言及するときは、この範囲は、Ｃ１から始まる線状アルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル及びフルオロアルキルオキシを包含するが、Ｃ３から始まる分岐状アルキル、分岐状アルキルオキシ、シクロアルキル、シクロアルキルオキシ、分岐状フルオロアルキル及び環状フルオロアルキルのみを指定する。

ここでアルキレンという用語は、線状、分岐状または環状であることができ、二つ以上の結合点を有する炭化水素基を指す（二つの結合点を有するものでは、例えばメチレン、エチレン、１，２－イソプロピレン、１，４－シクロヘキシレン及び類似物、三つの結合点を有するものでは、例えば１，１，１－置換メタン、１，１，２－置換エタン、１，２，４－置換シクロヘキサン及び類似物が挙げられる）。この場合もまた、可能な炭素範囲、例えば非限定的な例としてＣ１～Ｃ２０を指定する時は、この範囲は、Ｃ１から始まる線状アルキレンを包含するが、Ｃ３から始まる分岐状アルキレンまたはシクロアルキレンのみを指定する。これらのアルキレン部分は、以下に記載のように置換されていても、置換されていなくともよい。

ここで、アリールまたは芳香族基という用語は、６～２４個の炭素原子を含むこのような基、例えばフェニル、トリル、キシリル、ナフチル、アントラシル（及び他の縮合芳香族環状炭化水素）、ビフェニル類、ビス－フェニル類、トリス－フェニル類、及び類似物を指す。これらのアリール基は、上記の適当な置換のうちの任意のもの、例えば上記のアルキル、アルコキシ、アシル、またはアリール基によって更に置換されていてよい。

本明細書に他に記載がなければ、「置換」という用語は、フェニル、ベンジル、ベンジル系部分、アルキル、アルキルオキシ、フルオロアルキル、フルオロアルキルオキシ、縮合芳香族環、アレーン、ヘテロアレーンに言及する時は、置換されていないアルキル、置換されたアルキル、置換されていないアリール、アルキルオキシアリール（アルキル－Ｏ－アリール－）、ジアルキルオキシアリール（（アルキル－Ｏ－）_２－アリール）、ハロアリール、アルキルオキシ、アルキルアリール、ハロアルキル、ハライド、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、及びアセチルからなる群から選択される一つまたはそれ超の置換基も含むこれらの部分の一つを指す。

ベンジル系という用語は、置換されていないベンジル部分（別称ではｐＨ－ＣＨ_２－）、及びＰｈでもしくはα位でまたはこれらの位置の混合で置換されている置換されたベンジル部分の両方を指す。非限定的な例としては、ベンジル部分のフェニル位置での置換基は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキル部分、Ｃ_１～Ｃ_４アルコキシ、Ｃ_１～Ｃ_４パーフルオロアルキル、ハライド（Ｆ－、Ｃｌ、Ｂｒ－）、－ＣＮ、またはこれらの置換基の混合から選択することができ、更に、非限定的な例として、ベンジル部分のα位での置換基は、Ｃ_１～Ｃ_４アルキル部分またはＣ_１～Ｃ_４パーフルオロ部分から選択することができる。

同様に、「置換されていない」という記載は、水素以外の置換基が存在しない同部分を指す。

「ストリッパ」及び「リムーバ」という用語は同義語である。

ここで使用する各章の表題は、文書構成を目的としたものであって、記載の主題を限定するものと解釈するべきではない。限定はされないが特許、特許出願、論文、書籍及び専門書を始めとした本願で引用する全ての文献または文献の一部は、全ての目的に関してそれらの内容の全てが本明細書中に掲載されたものとする。ここに掲載されたものとする文献及び類似の資料の一つ以上における用語の定義が、本願明細書におけるものと矛盾する場合は、本願の定義が優先する。

テトラアルキルアンモニウムという用語は、アルキル基が線状、分岐状または環状アルキルである態様を包含し、これはまた、置換基がフェニル部分（または置換されたフェニル部分）であり一緒にベンジル系部分を形成するものを包含する置換されたアルキル基も含む。

重量％の表現で組成を言うときは、いずれの場合も、不純物などの非本質的な成分も含んだ全ての成分の重量％は合計して１００重量％を超えることはないと理解される。全ての本質的成分の組成は、この組成が、何らかの少量の非本質的汚染物または不純物を含む場合には、合計して１００重量％未満である場合もある。他の場合は、相当量の非本質的不純物成分が存在しない場合には、全ての本質的成分の組成は本質的に合計して１００重量％となると理解される。

本発明は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、ベンジル系アルコール、少なくとも一つのグリコール化合物を含むグリコール成分、及びアルキルアミン成分を含む本発明の組成物であって、前記アルキルアミン成分は、
ジアルキルアミン（アルキル基のうちの一つはＣ１～Ｃ４ｎ－アルキルであり、他はＣ１６～Ｃ２０ｎ－アルキルである）、
構造（Ｉ）（ｍ’及びｍは独立して４～８の範囲の整数から選択される）を有するモノアルキルアミン、及び
これらの組み合わせ
からなる群から選択される、組成物に関する。

この組成物は、おおよそ室温で液状であるか、または２００℃以下の温度に加熱された時に液状になる組成物である。他の態様の一つでは、これは、おおよそ室温でまたは１００℃以下の温度に加熱された時に液状である組成物である。更に別の態様の一つでは、これは、室温でまたは８０℃以下の温度に加熱された時に液状である組成物である。また更に別の態様の一つでは、これは、おおよそ室温で液状である組成物である。

該新規組成物の一つの態様では、上記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは構造（ＩＩ）を有し、ここでＲａ_１、Ｒａ_２、Ｒａ_３及びＲａ_４は、独立して、Ｃ_１～Ｃ_１６アルキルまたはベンジル系部分から選択される。

該新規組成物の他の態様の一つでは、上記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは構造（ＩＩ）を有する化合物であって、ここでＲａ_１、Ｒａ_２、Ｒａ_３及びＲａ_４が、独立して、Ｃ_１～Ｃ_４線状アルキルまたはベンジル系部分から選択される化合物から選択される。

該新規組成物の更に別の態様の一つでは、上記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、及びベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシからなる群から選択される。

該新規組成物の更に別の態様の一つでは、上記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。

ここに記載の本発明の組成物の態様のいずれにおいても、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、上記組成物の約０．５重量％～約１０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記テトラメチルアンモニウムヒドロキシドは、上記組成物の約２重量％～約８重量％の量で組成物中に存在する。更に別の態様の一つでは、これは、約３重量％～約７重量％の量で組成物中に存在する。更に別の態様の一つでは、これは、約４重量％～約６重量％の量で組成物中に存在する。この態様の一つの観点では、上記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。

ここに記載の本発明の組成物の態様の一部では、水が、任意成分として、上記組成物の約１重量％～約２０重量％の量で該組成物中に存在してよい。この態様の他の観点の一つでは、上記水は、約８重量％～約１５重量％の量で該組成物中に存在する。

組成物が実質的に水不含のここに記載の本発明の組成物の態様では、これは、例えばフリーの水として、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドの水和物として、またはベンジル系アルコール成分もしくはグリコール成分のいずれかに既知の割合で存在する水の一部としてなどとして加えられた、故意に加えられた水は存在しないことを必要とする。これらの実質的に水を含まない態様は、組成物中に不純物として取り入れられた水を約０．９重量％未満の量でなおも含み得る。この実質的に水を含まない態様の他の観点の一つでは、これは、約０．５重量％未満で含み得る。この実質的に水を含まない態様の更に別の観点の一つでは、これは、約０．１重量％未満で含み得る。この態様の更に別の観点では、これは、約０．０１重量％未満、または０．００１重量％未満などの量で含み得る。

本発明の組成物の一つの態様では、上記ベンジル系アルコールは構造（ＩＩＩ）を有し、ここでＲｂ_１は、Ｈ、Ｃ_１～Ｃ_４アルキル、及びＣ_１～Ｃ_４アルコキシからなる群から選択され、そしてＲｂ_２はＨまたはＣ_１～Ｃ_４アルキルである。

上記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有する本発明の組成物の他の態様の一つでは、Ｒｂ_１はＨである。上記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有する本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、Ｒｂ_１はＣ１～Ｃ４アルキルである。上記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有する本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、Ｒｂ_１がＣ１～Ｃ４アルコキシルである。上記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有する本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、Ｒｂ_２はＨである。上記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有する本発明の組成物の他の態様の一つでは、Ｒｂ_２はＣ１～Ｃ４アルキルである。上記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有する本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、Ｒｂ_１はＨであり、そしてＲｂ_２はＣ１～Ｃ４アルキルである。本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、上記ベンジル系アルコールはベンジルアルコールである。

ここに記載のいずれかの本発明の組成物の他の態様の一つでは、上記ベンジル系アルコール成分は、上記組成物の約３０重量％～約９０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約４０重量％～約９０重量％の量で該組成物中に存在する。この態様の一つの特定の観点では、上記ベンジル系アルコールはベンジルアルコールである。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約６０重量％～約９０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約７０重量％～約９０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約４０重量％～約８５重量％の量で組成物中に存在する。この態様の一つの特定の観点では、上記ベンジル系アルコールはベンジルアルコールである。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約６０重量％～約８５重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約７０重量％～約８５重量％の量で組成物中に存在する。この態様の更に別の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約４０重量％～約８０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約６０重量％～約８０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ベンジル系アルコールは、約７０重量％～約８０重量％の量で組成物中に存在する。

この態様の一つの特定の観点では、上記ベンジル系アルコールはベンジルアルコールである。

本発明の組成物の他の態様の一つでは、上記グリコール成分は、ここに記載の少なくとも二つのグリコール化合物の混合物であってよい。

本発明の組成物の他の態様の一つでは、上記グリコール成分は、ここに記載の単一のグリコール化合物であってよい。

本発明の組成物の一つの態様では、上記グリコール成分は、構造（ＩＶ）を有する少なくとも一種のグリコール化合物を含み、ここでＲｇはＣ２～Ｃ４アルキレン部分であり、上記アルキレン部分は、置換されていないか、またはＣ１～Ｃ４アルキル部分で置換されている。

本発明の組成物の他の態様の一つでは、上記グリコール成分は、構造（ＩＶａ）及び（ＩＶｂ）を有する化合物からなる群から選択されるグリコール化合物であり、ここでｎは０～３の整数であり、ｎ’’は０～４の整数であり、Ｒｇ１はＣ１～Ｃ４アルキルである。

本発明の組成物の他の態様の一つでは、上記グリコール成分は、構造（ＩＶａ）のグリコール化合物である。

本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、上記グリコール成分は、構造（ＩＶｂ）のグリコール化合物である。

本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、上記グリコール成分は、１，３－プロピレングリコールである。

本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、上記グリコール成分は、１，２－エチレングリコールである。

本発明の組成物の更に別の態様の一つでは、上記グリコール成分は、１，２－プロピレングリコールである。

本発明の他の態様の一つでは、上記グリコール成分は、上記組成物の約５重量％～約５０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記グリコール成分は、上記組成物の約８重量％～約４０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の更に別の観点の一つでは、上記グリコール成分は、約８重量％～約３０重量％の量で組成物中に存在する。更に別の観点では、上記グリコール成分は、約８重量％～約２０重量％の量で組成物中に存在する。更に別の観点の一つでは、これは、約９重量％～約１６重量％の量で組成物中に存在する。

本発明の組成物の一つの観点では、上記グリコール成分は、構造（ＩＶ）を有するグリコール化合物（別称では小分子グリコール）及び構造（ＩＶｃ）を有するオリゴマー性グリコール化合物の混合物からなる異なるグリコール化合物の混合物であり、ここでＲｇ及びＲｇ２は独立してＣ２～Ｃ４アルキレン部分である。この態様では、これらのアルキレン部分は、置換されていないかまたはＣ１～Ｃ４アルキル部分で置換されており、更にｎａは、８～１２の範囲の整数であり、そしてｎｂは、９～１３の範囲の整数である。

上記グリコール成分が、小分子グリコール化合物とオリゴマー性化合物からなる上記の混合物である本発明の組成物の一つの具体的な態様では、これらの材料は、小分子グリコール化合物が、構造（ＩＶａ）を有するものであり、そしてオリゴマー性グリコール化合物が構造（ＩＶｄ）を有するものである、より具体的な構造を有し、ここで、ｎ’’は０～４の整数であり、Ｒｇ１はＣ１～Ｃ４アルキルであり、ｎａ’は８～１２の範囲の整数であり、そしてｎｂは９～１３の範囲の整数である。この態様のより具体的な観点の一つでは、ｎａ’は９～１１の整数であり、そしてｎｂは１０～１２の範囲の整数である。

上記グリコール成分が、小分子グリコール化合物とオリゴマー性グリコール化合物との上記の混合物である本発明の組成物の一つの具体的な観点では、これは、１，２－プロピレングリコールとデカエチレングリコールモノドデシルエーテルとの混合物である。

上記のグリコール成分が、小分子グリコール化合物とオリゴマー性グリコール化合物との混合物からなる本発明の組成物の上記の観点のいずれにおいても、小分子グリコール成分は、約９重量％～約１５重量％で存在してよく、そしてオリゴマー性グリコール化合物は、約０．２～約５重量％で存在してよい。この態様の他の観点の一つでは、上記小分子グリコール成分は、約９重量％～約１５重量％で存在してよく、そして上記オリゴマー性グリコール成分は約０．５重量％～約５重量％で存在してよい。この態様の更に別の観点の一つでは、上記小分子グリコール成分は、約９重量％～約１５重量％で存在してよく、そして上記オリゴマー性グリコール成分は約１重量％～約５重量％で存在してよい。

上記の本発明の組成物の一つの態様では、上記アルキルアミン成分は、上記のジアルキルアミンであるか、または上記のアルキルアミンの混合物である。この態様の一つの観点では、上記アルキルアミン成分は、上記ジアルキルアミンの混合物である。この態様の他の観点の一つでは、上記ジアルキルアミン成分は、単一の上記ジアルキルアミンである。

上記アミン成分が上記のジアルキルアミン成分である上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、上記Ｃ１～Ｃ４ｎ－アルキルがメチルであるものである。

上記アミン成分が上記のジアルキルアミン成分である上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、上記Ｃ１６～Ｃ２０ｎ－アルキルがｎ－オクタデシルであるものである。

上記アミン成分が上記のジアルキルアミンである上記の本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、構造（Ｖ）を有し、ここでＲ_１はＣ１～Ｃ４アルキルである。この態様の他の観点の一つでは、Ｒ_１はＣ１～Ｃ３アルキルである。この態様の更に別の観点の一つでは、Ｒ_１はＣ１またはＣ２アルキルである。

上記アミン成分が上記のジアルキルアミンである本発明の組成物の他の態様の一つでは、これはＮ－メチルオクタデシルアミンである。

上記アルキルアミン成分が上記のジアルキルアミンである本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、上記組成物の約０．２重量％～約１０重量％の量で組成物中に存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記ジアルキルアミンは、上記組成物の約０．５重量％～約５重量％の量で組成物中に存在する。

本発明の組成物の他の態様の一つでは、上記アルキルアミン成分は、構造（Ｉ）を有する上記のモノ－アルキルアミンであるか、または構造（Ｉ）を有する上記のモノ－アルキルアミンの混合物である。この態様の他の観点の一つでは、構造（Ｉ）を有する単一のモノ－アルキルアミンのみが存在する。この態様の他の観点の一つでは、上記モノ－アルキルアミンの混合物が存在する。これらの態様の他の観点の一つでは、より具体的には、これらは、構造（Ｉ）において、ｍ’及びｍが両方とも４～８の整数から選択される化合物から選択することができる。更により具体的には、この態様では、ｍ’及びｍは両方とも５～７の整数から選択してよい。この態様の他の観点の一つでは、ｍ’及びｍは、独立して４～８の整数から選択される。この態様の他の観点の一つでは、ｍ’及びｍは、独立して５～７の整数から選択される。

前記アルキルアミン成分が前記モノアルキルアミンである本発明の組成物の他の態様の一つでは、これは、より具体的な構造（Ｉａ）を有する。

アルキルアミン成分がモノアルキルアミンである上記の態様のいずれにおいても、これは、前記組成物の約０．０５重量％～約１重量％の範囲であってよい。他の観点の一つでは、これは、前記組成物の約０．０７５重量％～約０．５重量％の範囲であってよい。更に別の観点の一つでは、これは、前記組成物の約０．０７５重量％～約０．２５重量％の範囲であってよい。

この発明の他の観点の一つは、次のステップ、すなわち：
ｉ）上記の本発明の組成物のいずれか一つを、おおよそ室温から約２００℃までである温度に加熱するステップ；
ｉｉ）パターン化されたフォトレジストフィルムでコーティングされた基材を、前記の加熱された組成物中に約１分間～約６０分間の時間、上記のパターン化されたフォトレジストフィルムの少なくとも一部が上記基材から除去されるまで浸漬して、パターン化フォトレジストフィルムが除去された浸漬基材を生成するステップ；
ｉｉｉ）浸漬ステップｉｉ）の後、パターン化されたフォトレジストフィルムが除去された前記の浸漬基材を、イソプロピルアルコール、水、またはイソプロプルアルコールと水との混合物のいずれかですすいで、浸漬ステップｉｉ）からの残留組成物を除去して、クリーンな基材を生成するステップ；
ｉｖ）任意選択的に、上記クリーンな基材を乾燥するステップ；
を含む方法である。

前記の本発明の方法の他の態様の一つは、ステップｉ）において、組成物をおおよそ室温から約１００℃まで加熱する方法である。

前記の本発明の方法の更に別の観点の一つでは、ステップｉ）において、組成物を約６０℃～約１００℃に加熱する方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの他の観点の一つは、ステップｉｉ）において、基材が金属である方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの更に別の観点の一つは、ステップｉｉ）において、基材が銅である方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの更に別の観点の一つは、ステップｉｉ）において、基材が、約２０分間から約９０分間まで浸漬される方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの更に別の観点の一つは、ステップｉｉ）において、基材が、約２０分間から約６０分間まで浸漬される方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの更に別の観点の一つは、ステップｉｉ）において、基材が、約３０分間から約６０分間まで浸漬される方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの他の観点の一つは、ステップｉｉｉ）において、すすぎが、Ｃ１～Ｃ３アルコールを用いてまたはＣ１～Ｃ３アルコールと水との混合物を用いて行われる方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの他の観点の一つは、ステップｉｉｉ）において、すすぎがＣ１～Ｃ３アルコールを用いて行われる方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの他の観点の一つは、ステップｉｉｉ）において、すすぎが、イソプロピルアルコールを用いてまたはイソプロピルアルコールと水との混合物を用いて行われる方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの他の観点の一つは、ステップｉｉｉ）において、すすぎがイソプロピルアルコールを用いて行われる方法である。

前記の本発明の方法のいずれかの他の観点の一つは、任意選択のステップｉｖ）が存在し、かつ乾燥が、例えば、空気中でそれをスピン乾燥するか、それを乾燥するために窒素、アルゴンまたは空気の流れを用いるか、または類似の手段によって行われる。

該新規リムーバ組成物は、次の通り、前記の本発明の方法において、多くの異なるタイプの適当なフォトレジストパターンからパターンを除去するために使用し得る。

該新規リムーバは、アプリケーション、ＩＣデバイス、ＩＣデバイスインターコネクト、回路基板、はんだ基板適用、ＭＥＭ、ディスプレーなどに依存して様々な厚さを有するパターン化レジストフィルムを除去するために使用し得る。典型的には、厚さは、従来技術のＩＣでの約数１０ナノメータから始まって、より大きなＩＣデバイスでは数マイクロメータ範囲、ＭＥＭなどの非常に大きなデバイスでは１０～５００マイクロメータの製造されるデバイスのサイズに応じて決まる。

典型的には、これらの適当なレジストパターンは、様々なタイプの放射線を用いてパターンを形成し得るものから選択し得る、パターンを形成することができるネガ型及びポジ型フォトレジスト材料から生じ得る。例えば、非限定的な例としては、除去される適当なレジストパターンは、ｉ線フォトレジスト、ｇ線フォトレジスト、２４８ｎｍフォトレジスト、１９３ｎｍフォトレジスト、極端紫外線フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト及びパーティクルビームフォトレジストから形成し得る。これらの適当なフォトレジストパターンは、パターンを得るために使用されるケミストリーのタイプによって以下のように更に分類し得るフォトレジストから生じ得る。

例えば、適当なポジ型パターンは、ノボラック樹脂及びジアゾナフトキノン型（ＤＮＱ）型感光剤材料をベースとするフォトレジストの可視光、ｉ線、ｈ線及びｇ線による露光及び水性塩基使用による現像の結果生じ得、ここで、これらのタイプのレジスト系は、トーンリバースプロセスを介してネガ型画像も生成することもできる。ジアゾナフトキノンノボラックベースのレジストは以下の参考文献に記載されている：（Ｄｉａｚｏｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ－ｂａｓｅｄ Ｒｅｓｉｓｔｓ、Ｃｈａｐｔｅｒ ２、Ｂａｓｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ＤＮＱ／Ｎｏｖｏｌａｋ ｒｅｓｉｓｔｓ，ＳＰＩＥ Ｏｐｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｐｒｅｓｓ ｖｏｌｕｍｅ ＴＴ１１，ｐａｇｅ９，１９９３（非特許文献１））。

該新規ｐＫａリムーバ組成物及びリムーバプロセスと使用するための他の適当なレジストパターンは、化学的に増幅されており及び水性塩基で現像可能な両ネガ型から生じるものであってよい。典型的には、レジストパターンは、より高い解像度パターンを可能するために２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、ＥＵＶで形成されるが、レジストパターンは、より長い波長、例えば可視光、ブロードバンドＵＶ、ｉ線、ｇ線及びｈ線を用いて生成することもできる。典型的には、該新規リムーバ組成物及びプロセスと使用するためのこのような適当なポジ型レジストパターンは、ポジトーン化学増幅レジストから生じるレジストパターン、潜在的に水性塩基可能性であり、水性塩基可溶性部分をマスクする酸開裂性基を脱保護することによって水性塩基可溶性にされる樹脂、例えば（メタ）アクリレートコポリマー、スチレン系コポリマー、ノボラック、フェノール系樹脂から生じるレジストパターンである。塩基可溶化部分は、カルボン酸類、フェノール類、または典型的には１１未満のｐＫａを有して、水性塩基が殆どそれらをイオン化する他の部分であり得る。酸は、光酸発生化合物によりフォトレジストフィルムの露光領域中に生成する。この酸は、アシドリシスまたはヒドロリシスのプロセスを介して酸開裂性基を脱保護して、フリーの塩基可溶化部分を放出し、露光された領域においてフォトレジストフィルムが水性塩基可溶性となることを可能にする。

ネガトーンの水性現像可能な架橋性フォトレジストから生じる適当なレジストパターンは、本来備わっている水性塩基可溶性が保護基によってマスクされていない塩基可溶性樹脂である。この方策ではむしろ、本質的に塩基可溶性の樹脂（バインダー樹脂）、例えば水性塩基可溶性（メタ）アクリレートコポリマー、スチレン系コポリマー、ノボラック及び類似物をベースとするものは、塩基可溶性樹脂に懸垂したメタ（アクリレート）部分または架橋性添加剤（架橋剤）を介してあるいはこれらの両タイプの架橋性部分の混合を介して架橋される。典型的には、光ラジカル発生剤は、このようなレジストの暴露されたレジスト領域中に反応性ラジカルを生成し、これらの露光された領域を架橋しそして不溶性にする。水性塩基現像の結果、架橋されていない領域が除去されて、ネガ型レジストパターンを形成する。

架橋性添加剤が存在する場合は、これは、少なくとも二つのオレフィン性部分を含み、これは簡単にラジカル架橋される。樹脂上の懸垂基にまたは架橋性添加剤中に存在し得るこのような架橋性部分の例は、ビニルアリール部分、例えばスチレン類、及びアクリレートまたはメタクリレート部分（別称では（メタ）アクリレート））である。これらのラジカル架橋性添加剤の非限定的なより具体的な例は、目的に応じて、アクリル酸誘導体、例えばアクリル酸エステル、及びメタクリル酸誘導体、例えばメタクリル酸エステルから適切に選択することができる。架橋性添加剤は、低分子量（モノマー性）または高分子量（オリゴマーもしくはポリマー性）を有することができる。この例では、添加剤は、複数のラジカル架橋可能な部分を含む小分子、オリゴマーまたはポリマーであることができる。これらのラジカル架橋性添加剤の一部は、酸開裂可能な構造をそれらの内に有し得る。このような構造は、パターン化されたフィルムの更なる加工の時に、例えば基材にパターン転写した後にレジストの剥離を容易にするのに使用し得る。このような酸開裂性基の例は、有利な水は使用せずにアシドリシス開裂しやすい第三級エーテル、第三級カルボキシレート及び類似物、または代替的に、レジストフィルム中に光酸有利水で完全なヒドロリシス開裂を容易に受け得る酸開裂性部分、例えばアセタール、ケタール及びアルキルシリルエーテルである。このような材料の非限定的な例は、ＵＳ７６０１４８２（特許文献１）に記載されている。

以下、本開示のより具体的な態様と、このような態様をサポートする実験結果について説明する。しかし、以下の開示は、例示のみを目的としたものであり、それ故、請求項に記載の発明の範囲を如何様にも限定することを意図したものではない点を指摘しておく。

化学品
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ、水中２５重量％、ＣＡＳ：７５－５９－２）、ベンジルアルコール（ＣＡＳ：１００－５１－６）、プロピレングリコール（ＣＡＳ：５７－５５－６）、エチレングリコール（ＣＡＳ：１０７－２１－１）、ジエタノールアミン（ＣＡＳ：１１１－４２－２）、Ｎ－メチルオクタデシルアミン（ＣＡＳ：２４３９－５５－６）、デカエチレングリコールモノドデシルエーテル（ＣＡＳ９００２－９２－０）及びオレイルアミン（ＣＡＳ１１２－９０－３）は、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ社（３０５０ Ｓｐｒｕｃｅ Ｓｔ．，Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ ６３１０３）から入手した。プロピレングリコール中のＴＭＡＨの２０重量％溶液は、ＳＡＣＨＥＭ社（２１Ｅ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ Ｓｔ．，Ａｕｓｔｉｎ，Ｔｅｘａｓ ７８７０４）から入手した。

加工
１５０ｎｍの銅スパッタコーティングを有するケイ素２００ｍｍ（８’’）を、金属腐食試験に使用した。銅コートケイ素ウェハクーポン（真新しいクーポンか、またはフォトレジストが除去されたクーポン）を、予熱したフォトレジストリムーバ溶液中に、フォトレジストを剥離するのに十分以上の期間、浸漬した。腐食の兆候としての表面曇りの存在の目視及び顕微鏡検査によって金属表面の状態を調査するために標準的な検査を行った。表面曇りは、重量分析よりもより高いレベルの感度で確認、確定できる（＜１０Å／分）。

フォトレジスト剥離試験では、１５０ｎｍの銅をスパッタリングにより施したケイ素２００ｍｍ（８’’）ウェハを基材として使用し、このウェハ上に、ネガトーンフォトレジストＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴ（ＥＭＤ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社，Ｂｒａｎｃｈｂｕｒｇ，ＮＪ０８８７６の製品）を塗布及び加工した。加工は、５０μｍ厚へのレジストのスピンコート、及び１１０℃下、１８０秒間のホットプレート上でのソフトベークの適用からなるものであった。次いで、このレジストは、コンタクトホールパターン化マスクを通して１６００ｍＪ／ｃｍ２の光に露光した。現像は、それぞれ後でＤＩ水ですすいで、６０秒間の二つのパドルでＡＺ（登録商標）３００ＭＩＦ現像剤（ＥＭＤ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社，Ｂｒａｎｃｈｂｕｒｇ，ＮＪ ０８８７６の製品）を使用した。

フォトレジスト剥離及び銅腐食試験１
フォトレジストリムーバ溶液は、２５重量％水性ＴＭＡＨ溶液４．１４ｇ、ベンジルアルコール２７．０８ｇ、プロピレングリコール３．１４ｇ及びＮ－メチルオクタデシルアミン１．３４ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分間後、架橋されたフォトレジストパターンが完全に除去された。フォトレジストが除去された後の同じ銅クーポンを、前記溶液中に更に３０分間浸漬した。目視及び顕微鏡検査において、銅表面は曇りがなく、本質的に元のままであった。

フォトレジスト剥離及び銅腐食試験２
フォトレジストリムーバ溶液は、２５重量％水性ＴＭＡＨ溶液７．４１ｇ、ベンジルアルコール３５．０１ｇ、プロピレングリコール３．８９ｇ及びＮ－メチルオクタデシルアミン０．２３５ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分間後、架橋されたフォトレジストパターンが完全に除去された。フォトレジストが除去された後の同じ銅クーポンを、前記溶液中に更に３０分間浸漬した。目視及び顕微鏡検査において、銅表面は曇りがなく、本質的に元のままであった。

フォトレジスト剥離及び銅腐食試験３
フォトレジストリムーバ溶液は、２５重量％水性ＴＭＡＨ溶液７．４１ｇ、ベンジルアルコール３５．０１ｇ、プロピレングリコール３．８９ｇ及びＮ－メチルオクタデシルアミン０．４１６ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分間後、架橋されたフォトレジストパターンが完全に除去された。フォトレジストが除去された後の同じ銅クーポンを、前記溶液中に更に３０分間浸漬した。目視及び顕微鏡検査において、銅表面は曇りがなく、本質的に元のままであった。

フォトレジスト剥離及び銅腐食試験４
フォトレジストリムーバ溶液は、２５重量％水性ＴＭＡＨ溶液７．１５ｇ、ベンジルアルコール２５ｇ、エチレングリコール７．２６ｇ及びＮ－メチルオクタデシルアミン０．４ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分間後、架橋されたフォトレジストパターンが完全に除去された。フォトレジストが除去された後の同じ銅クーポンを、前記溶液中に更に３０分間浸漬した。目視及び顕微鏡検査において、銅表面は曇りがなく、本質的に元のままであった。

フォトレジスト剥離及び銅腐食試験５
フォトレジストリムーバ溶液は、プロピレングリコール中の２０重量％ＴＭＡＨ溶液１４ｇ、ベンジルアルコール５５．３ｇ、Ｎ－メチルオクタデシルアミン０．７ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分間後、架橋されたフォトレジストパターンが完全に除去された。フォトレジストが除去された後の同じ銅クーポンを、前記溶液中に更に３０分間浸漬した。目視及び顕微鏡検査において、銅表面は曇りがなく、本質的に元のままであった。

フォトレジスト剥離及び銅腐食試験６
フォトレジストリムーバ溶液は、プロピレングリコール中の２０重量％ＴＭＡＨ溶液１２．０３ｇ、ベンジルアルコール５９．３ｇ、デカエチレングリコールモノドデシルエーテル１．４６ｇ及びオレイルアミン０．１１ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分間後、架橋されたフォトレジストパターンが完全に除去された。フォトレジストが除去された後の同じ銅クーポンを、前記溶液中に更に３０分間浸漬した。目視及び顕微鏡検査において、銅表面は曇りがなく、本質的に元のままであった。

以下の例は、Ｎ－メチルオクタデシルアミンまたはオレイルアミンを含まないＴＭＡＨベースの調合物が、驚くべきことに、ネガトーンフォトレジストコーティングを完全には除去できず、銅基材上に望ましくない残渣を残すことを示す。本発明のストリッパ組成物の範囲に該当する二種類のアルキルアミン（別称では、特許請求の範囲に記載の上記のジアルキルアミン及びモノアルキルアミン）が存在する。

比較フォトレジスト剥離試験１
フォトレジストリムーバ溶液は、２５重量％水性ＴＭＡＨ溶液５３．２ｇ、ベンジルアルコール２５１．４ｇ、プロピレングリコール２７．９ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えたビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。６０分後、架橋したフォトレジストパターンの大部分が除去されるが、残留フォトレジストの望ましくない薄い層が銅表面上に残った。

比較フォトレジスト剥離試験２
フォトレジストリムーバ溶液は、２５重量％水性ＴＭＡＨ溶液１２．８３ｇ、ベンジルアルコール６４．５３ｇ、ジエタノールアミン３．２５ｇを溶解することによって調製した。この溶液を、磁気的スターラーバー（２００ｒｐｍ）を備えた１５０ｍＬビーカー中で、ホットプレートで８０℃に加熱した。光画像形成されたＡＺ（登録商標）－２００ｎＸＴパターンを備えた銅ウェハクーポンを、上記の加熱された溶液中に浸漬した。３０分後、架橋したフォトレジストパターンの大部分が除去されるが、残留フォトレジストの望ましくない薄い層が銅表面上に残った。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１．
●テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド；
●ベンジル系アルコール；
●少なくとも一種のグリコール化合物を含むグリコール成分；及び
●アルキルアミン成分であって、次のもの
○アルキル基のうちの一つがＣ１～Ｃ４ｎ－アルキルであり、他がＣ１６～Ｃ２０ｎ－アルキルであるジアルキルアミン；
○構造（Ｉ）を有するモノアルキルアミン；

（式中、ｍ’及びｍは、独立して、４～８の範囲の整数から選択される）
○これらの組み合わせ；
からなる群から選択されるアルキルアミン成分；
を含む組成物。
２．
前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが構造（ＩＩ）を有し、ここでＲａ _１ 、Ｒａ _２ 、Ｒａ _３ 及びＲａ _４ は、独立して、Ｃ１～Ｃ１６アルキルまたはベンジル系部分から選択される、前記１．に記載の組成物。

３．
Ｒａ _１ 、Ｒａ _２ 、Ｒａ _３ 及びＲａ _４ が、独立して、Ｃ１～Ｃ４線状アルキルまたはベンジル系部分から選択される、前記２．に記載の組成物。
４．
前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、及びベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドからなる群から選択される、前記１．～３．のいずれか一つに記載の組成物。
５．
前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドがテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、前記１．～４．のいずれか一つに記載の組成物。
６．
前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが、上記組成物の約０．５重量％～約１０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～５．のいずれか一つに記載の組成物。
７．
前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが、上記組成物の約２重量％～約８重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～６．のいずれか一つに記載の組成物。
８．
前記組成物の約１重量％～約２０重量％の量で水を更に含む、前記１．～７．のいずれか一つに記載の組成物。
９．
前記組成物の約８重量％～約１５重量％の量で水を更に含む、前記１．～８．のいずれか一つに記載の組成物。
１０．
実質的に水を含まない、前記１．～７．のいずれか一つに記載の組成物。
１１．
前記ベンジル系アルコールが構造（ＩＩＩ）を有し、ここでＲｂ１は、Ｈ、Ｃ１～Ｃ４アルキル、及びＣ１～Ｃ４アルコキシからなる群から選択され、そしてＲｂ _２ はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルである、前記１．～１０．のいずれか一つに記載の組成物。

１２．
Ｒｂ _１ がＨである、前記１１．に記載の組成物。
１３．
Ｒｂ _１ がＣ１～Ｃ４アルキルである、前記１１．に記載の組成物。
１４．
Ｒｂ _１ がＣ１～Ｃ４アルコキシルである、前記１１．に記載の組成物。
１５．
Ｒｂ _２ がＨである、前記１１．～１４．のいずれか一つに記載の組成物。
１６．
Ｒｂ _２ がＣ１～Ｃ４アルキルである、前記１１．～１４．のいずれか一つに記載の組成物。
１７．
Ｒｂ _１ がＨであり、そしてＲｂ _２ がＣ１～Ｃ４アルキルである、前記１１．に記載の組成物。
１８．
前記ベンジル系アルコールがベンジルアルコールである、前記１１．に記載の組成物。
１９．
前記ベンジル系アルコールが、前記組成物の約３０重量％～約９０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～１８．のいずれか一つに記載の組成物。
２０．
前記ベンジル系アルコールが、前記組成物の約４０重量％～約８５重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～１９．のいずれか一つに記載の組成物。
２１．
前記ベンジル系アルコールが、前記組成物の約４０重量％～約８０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～２０．のいずれか一つに記載の組成物。
２２．
前記グリコール成分が、単一のグリコール化合物を含む、前記１．～２１．のいずれか一つに記載の組成物。
２３．
前記グリコール成分が、複数のグリコール化合物の混合物を含む、前記１．～２１．のいずれか一つに記載の組成物。
２４．
前記グリコール成分が、構造（ＩＶ）を有する少なくとも一種のグリコール化合物を含み、ここでＲｇはＣ２～Ｃ４アルキレン部分であり、前記アルキレン部分は、置換されていないか、またはＣ１～Ｃ４アルキル部分で置換されている、前記１．～２３．のいずれか一つに記載の組成物。

２５．
前記グリコール成分が、構造（ＩＶａ）を有する化合物及び構造（ＩＶｂ）を有する化合物からなる群から選択されるグリコール化合物であり、ここでｎは０～３の整数であり、ｎ’’は０～４の整数であり、Ｒｇ１はＣ１～Ｃ４アルキルである、前記１．～２４．のいずれか一つに記載の組成物。

２６．
前記グリコール成分が、構造（ＩＶａ）のグリコール化合物である、前記２５．に記載の組成物。
２７．
前記グリコール成分が、構造（ＩＶｂ）のグリコール化合物である、前記２５．に記載の組成物。
２８．
前記グリコール成分が１，３－プロピレングリコールである、前記１．～２４．及び２５．のいずれか一つに記載の組成物。
２９．
前記グリコール成分が１，２－エチレングリコールである、前記１．～２５．及び２６．のいずれか一つに記載の組成物。
３０．
前記グリコール成分が、前記組成物の約５重量％～約５０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～２９．のいずれか一つに記載の組成物。
３１．
前記グリコール成分が、前記組成物の約８重量％～約４０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～２９．のいずれか一つに記載の組成物。
３２．
前記グリコール化合物が、前記組成物の約８重量％～約２０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～２９．のいずれか一つに記載の組成物。
３３．
グリコール化合物の前記混合物が、
構造（ＩＶ）を有するグリコール化合物、及び
構造（ＩＶｃ）を有するオリゴマー性グリコール化合物、
からなり、
ここでＲｇ及びＲｇ２は独立してＣ２～Ｃ４アルキレン部分であり、これらのアルキレン部分は、置換されていないか、またはＣ１～Ｃ４アルキル部分で置換されており、更にｎａは８～１２の整数であり、そしてｎｂは９～１３の整数である、前記１．～２３．及び２４．のいずれか一つに記載の組成物。

３４．
グリコール化合物の前記混合物が、
構造（ＩＶｂ）を有するグリコール化合物（ここでｎ’’は０～４の整数であり、そしてＲｇ１はＣ１～Ｃ４アルキルである）、及び
構造（ＩＶｄ）を有するオリゴマー性グリコール化合物（ここでｎａ’は８～１２の整数であり、そしてｎｂは９～１３の範囲の整数である）、
からなる、前記１．～２３．、２４．及び３３．のいずれか一つに記載の組成物。

３５．
Ｒｇ１がメチルであり；ｎａ’が９～１１の整数であり、そしてｎｂが１０～１２の範囲の整数である、前記３４．に記載の組成物。
３６．
グリコール化合物の前記混合物が、１，２－プロピレングリコール及びデカエチレングリコールモノドデシルエーテルからなる、前記１．～２３．、２４．及び３３．～３５．のいずれか一つに記載の組成物。
３７．
構造（ＩＶ）を有するグリコール化合物が、約９重量％～約１５重量％の量で該組成物中に存在し、そして構造（ＩＶｃ）を有するオリゴマー性グリコール化合物が、約０．５重量％～約５重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～２３．、２４．及び３３．～３６．のいずれか一つに記載の組成物。
３８．
前記アルキルアミン成分が、上記のジアルキルアミンであるか、または上記のジアルキルアミンの混合物である、前記１．～３７．のいずれか一つに記載の組成物。
３９．
前記アルキルアミン成分が、上記のジアルキルアミンである、前記１．～３８．のいずれか一つに記載の組成物。
４０．
前記アルキルアミン成分が、アルキル基のうちの一つがメチルである前記のジアルキルアミンである、前記１．～３９．のいずれか一つに記載の組成物。
４１．
前記アルキルアミン成分が、アルキル基のうちの一つはｎ－オクタデシルである前記のジアルキルアミンである、前記１．～４０．のいずれか一つに記載の組成物。
４２．
前記ジアルキルアミンが構造（Ｖ）を有し、ここでＲ _１ がＣ１～Ｃ４アルキルである、前記１．～４１．のいずれか一つに記載の組成物。

４３．
前記ジアルキルアミンが、Ｎ－メチルオクタデシルアミンである、前記１．～４２．のいずれか一つに記載の組成物。
４４．
前記ジアルキルアミンが、前記組成物の約０．２重量％～約１０重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～４３．のいずれか一つに記載の組成物。
４５．
前記ジアルキルアミンが、前記組成物の約０．５重量％～約５重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～４４．のいずれか一つに記載の組成物。
４６．
前記アルキルアミン成分が、前記のモノアルキルアミンであるか、または前記のモノアルキルアミンの混合物である、前記１．～３７．のいずれか一つに記載の組成物。
４７．
前記アルキルアミン成分が、前記のモノアルキルアミンである、前記１．～３７．のいずれか一つに記載の組成物。
４８．
前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは両方とも４～８の整数から選択される、前記１．～３７．及び４７．のいずれか一つに記載の組成物。
４９．
前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは両方とも５～７の整数から選択される、前記１．～３７．及び４７．～４８．のいずれか一つに記載の組成物。
５０．
前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは独立して４～８の整数から選択される、前記１．～３７．及び４７．～４９．のいずれか一つに記載の組成物。
５１．
前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは独立して５～７の整数から選択される、前記１．～３７．及び４７．～５０．のいずれか一つに記載の組成物。
５２．
前記アルキルアミン成分が、構造（Ｉａ）のモノアルキルアミンである、前記１．～３７．及び４７．～５１．のいずれか一つに記載の組成物。

５３．
前記モノアルキルアミンが、前記組成物の約０．０５重量％～約１重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～３７．及び４７．～５２．のいずれか一つに記載の組成物。
５４．
前記モノアルキルアミンが、前記組成物の約０．０７５重量％～約０．５重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～３７．及び４７．～５３．のいずれか一つに記載の組成物。
５５．
前記モノアルキルアミンが、前記組成物の約０．０７５重量％～約０．２５重量％の量で該組成物中に存在する、前記１．～３７．及び４７．～５４．のいずれか一つに記載の組成物。
５６．
次のステップ：
ｉ）おおよそ室温から約２００℃までである温度で前記１．～５５．のいずれか一つに記載の組成物を加熱するステップ；
ｉｉ）パターン化されたフォトレジストフィルムでコーティングされた基材を、前記の加熱された組成物中に約１分間～約６０分間の時間、上記のパターン化されたフォトレジストフィルムの少なくとも一部が上記基材から除去されるまで浸漬して、パターン化フォトレジストフィルムが除去された浸漬基材を生成するステップ；
ｉｉｉ）浸漬ステップｉｉ）の後、パターン化されたフォトレジストフィルムが除去された前記の浸漬基材を、イソプロピルアルコール、水、またはイソプロプルアルコールと水との混合物のいずれかですすいで、浸漬ステップｉｉ）からの残留組成物を除去して、クリーンな基材を生成するステップ；
ｉｖ）任意選択的に、上記クリーンな基材を乾燥するステップ；
を含む方法。
５７．
ステップｉ）において、前記組成物がおおよそ室温から約１００℃までに加熱される、前記５６．に記載の方法。
５８．
ステップｉ）において、前記組成物が約６０℃から約１００℃までに加熱される、前記５６．に記載の方法。
５９．
ステップｉｉ）において、基材が金属である、前記５７．～５８．のいずれか一つに記載の方法。
６０．
ステップｉｉ）において、基材が銅である、前記５７．～５９．のいずれか一つに記載の方法。
６１．
ステップｉｉ）において、基材が約２０分間～約９０分間浸漬される、前記５７．～６０．のいずれか一つに記載の方法。
６２．
ステップｉｉ）において、基材が約２０分間～約６０分間浸漬される、前記５７．～６１．のいずれか一つに記載の方法。
６３．
ステップｉｉ）において、基材が約３０分間～約６０分間浸漬される、前記５７．～６２．のいずれか一つに記載の方法。
６４．
ステップｉｉｉ）において、すすぎが、Ｃ１～Ｃ３アルコールを用いてまたはＣ１～Ｃ３アルコールと水との混合物を用いて行われる、前記５７．～６３．のいずれか一つに記載の方法。
６５．
ステップｉｉｉ）において、すすぎが、Ｃ１～Ｃ３アルコールを用いて行われる、前記５７．～６４．のいずれか一つに記載の方法。
６６．
ステップｉｉｉ）において、すすぎが、イソプロピルアルコールを用いてまたはイソプロピルアルコールと水との混合物を用いて行われる、前記５７．～６５．のいずれか一つに記載の方法。
６７．
ステップｉｉｉ）において、すすぎがイソプロピルアルコールを用いて行われる、前記５７．～６６．のいずれか一つに記載の方法。

Claims (30)

1. ●テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドであって、次の構造（ＩＩ）
   

   

   ［式中、Ｒａ_１、Ｒａ_２、Ｒａ_３及びＲａ_４は、独立して、Ｃ１～Ｃ１６アルキルまたはベンジル系部分から選択される］
   を有するテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド；
   ●ベンジル系アルコールであって、次の構造（ＩＩＩ）
   

   

   ［式中、Ｒｂ１は、Ｈ、Ｃ１～Ｃ４アルキル、及びＣ１～Ｃ４アルコキシからなる群から選択され、そしてＲｂ_２はＨまたはＣ１～Ｃ４アルキルである］
   を有するベンジル系アルコール；
   ●少なくとも一種のグリコール化合物を含むグリコール成分であって、次の構造（ＩＶ）
   

   

   ［式中、ＲｇはＣ２～Ｃ４アルキレン部分であり、前記アルキレン部分は、置換されていないか、またはＣ１～Ｃ４アルキル部分で置換されている］
   を有する少なくとも一種のグリコール化合物を含むグリコール成分；及び
   ●アルキルアミン成分であって、次のもの
   ○アルキル基のうちの一つがＣ１～Ｃ４ｎ－アルキルであり、他がＣ１６～Ｃ２０ｎ－アルキルであるジアルキルアミン；
   ○構造（Ｉ）を有するモノアルキルアミン；
   

   

   （式中、ｍ’及びｍは、独立して、４～８の範囲の整数から選択される）
   ○これらの組み合わせ；
   からなる群から選択されるアルキルアミン成分；
   を含むフォトレジストリムーバ組成物。
2. Ｒａ_１、Ｒａ_２、Ｒａ_３及びＲａ_４が、独立して、Ｃ１～Ｃ４線状アルキルまたはベンジル系部分から選択される、請求項１に記載の組成物。
3. 前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、及びベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドからなる群から選択される、請求項１または２に記載の組成物。
4. 前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドがテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項１～３のいずれか一つに記載の組成物。
5. 前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが、上記組成物の０．５重量％～１０重量％の量で該組成物中に存在する、請求項１～４のいずれか一つに記載の組成物。
6. 前記組成物の１重量％～２０重量％の量で水を更に含む、請求項１～５のいずれか一つに記載の組成物。
7. 実質的に水を含まない、請求項１～５のいずれか一つに記載の組成物。
8. 前記ベンジル系アルコールが、前記組成物の３０重量％～９０重量％の量で該組成物中に存在する、請求項１～７のいずれか一つに記載の組成物。
9. 前記グリコール成分が、単一のグリコール化合物を含む、請求項１～８のいずれか一つに記載の組成物。
10. 前記グリコール成分が、複数のグリコール化合物の混合物を含む、請求項１～８のいずれか一つに記載の組成物。
11. 前記グリコール成分が、構造（ＩＶａ）を有する化合物及び構造（ＩＶｂ）を有する化合物からなる群から選択されるグリコール化合物であり、ここでｎは０～３の整数であり、ｎ’’は０～４の整数であり、Ｒｇ１はＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１～１０のいずれか一つに記載の組成物。
    

    
12. 前記グリコール成分が、前記組成物の５重量％～５０重量％の量で該組成物中に存在する、請求項１～１１のいずれか一つに記載の組成物。
13. グリコール化合物の前記混合物が、
    構造（ＩＶ）を有するグリコール化合物、及び
    構造（ＩＶｃ）を有するオリゴマー性グリコール化合物、
    からなり、
    ここでＲｇ及びＲｇ２は独立してＣ２～Ｃ４アルキレン部分であり、これらのアルキレン部分は、置換されていないか、またはＣ１～Ｃ４アルキル部分で置換されており、更にｎａは８～１２の整数であり、そしてｎｂは９～１３の整数である、請求項１～１０のいずれか一つに記載の組成物。
    

    
14. グリコール化合物の前記混合物が、
    構造（ＩＶｂ）を有するグリコール化合物（ここでｎ’’は０～４の整数であり、そしてＲｇ１はＣ１～Ｃ４アルキルである）、及び
    構造（ＩＶｄ）を有するオリゴマー性グリコール化合物（ここでｎａ’は８～１２の整数であり、そしてｎｂは９～１３の範囲の整数である）、
    からなる、請求項１～１０及び１３のいずれか一つに記載の組成物。
    

    
15. Ｒｇ１がメチルであり；ｎａ’が９～１１の整数であり、そしてｎｂが１０～１２の範囲の整数である、請求項１４に記載の組成物。
16. 構造（ＩＶ）を有するグリコール化合物が、９重量％～１５重量％の量で該組成物中に存在し、そして構造（ＩＶｃ）を有するオリゴマー性グリコール化合物が、０．５重量％～５重量％の量で該組成物中に存在する、請求項１～１０及び１３～１５のいずれか一つに記載の組成物。
17. 前記アルキルアミン成分が、上記のジアルキルアミンであるか、または上記のジアルキルアミンの混合物である、請求項１～１６のいずれか一つに記載の組成物。
18. 前記アルキルアミン成分が、アルキル基のうちの一つがメチルである前記のジアルキルアミンである、請求項１～１７のいずれか一つに記載の組成物。
19. 前記ジアルキルアミンが構造（Ｖ）を有し、ここでＲ_１がＣ１～Ｃ４アルキルである、請求項１７または１８に記載の組成物。
    

    
20. 前記アルキルアミン成分が、Ｎ－メチルオクタデシルアミンである、請求項１～１９のいずれか一つに記載の組成物。
21. 前記ジアルキルアミンが、前記組成物の０．２重量％～１０重量％の量で該組成物中に存在する、請求項１～２０のいずれか一つに記載の組成物。
22. 前記アルキルアミン成分が、前記のモノアルキルアミンであるか、または前記のモノアルキルアミンの混合物である、請求項１～１６のいずれか一つに記載の組成物。
23. 前記アルキルアミン成分が、前記のモノアルキルアミンである、請求項１～１６のいずれか一つに記載の組成物。
24. 前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは両方とも４～８の整数から選択される、請求項１～１６及び２３のいずれか一つに記載の組成物。
25. 前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは両方とも５～７の整数から選択される、請求項１～１６及び２３～２４のいずれか一つに記載の組成物。
26. 前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは独立して４～８の整数から選択される、請求項１～１６及び２３～２５のいずれか一つに記載の組成物。
27. 前記アルキルアミン成分が前記のモノアルキルアミンであり、ここでｍ’及びｍは独立して５～７の整数から選択される、請求項１～１６及び２３～２６のいずれか一つに記載の組成物。
28. 前記アルキルアミン成分が、構造（Ｉａ）のモノアルキルアミンである、請求項１～１６及び２３～２７のいずれか一つに記載の組成物。
    

    
29. 前記モノアルキルアミンが、前記組成物の０．０５重量％～１重量％の量で該組成物中に存在する、請求項１～１６及び２３～２８のいずれか一つに記載の組成物。
30. パターン化されたフォトレジストを基材から除去する方法であって、次のステップ：
    ｉ）室温から２００℃までである温度で請求項１～２９のいずれか一つに記載の組成物を加熱するステップ；
    ｉｉ）パターン化されたフォトレジストフィルムでコーティングされた基材を、前記の加熱された組成物中に１分間～６０分間の時間、上記のパターン化されたフォトレジストフィルムの少なくとも一部が上記基材から除去されるまで浸漬して、パターン化フォトレジストフィルムが除去された浸漬基材を生成するステップ；
    ｉｉｉ）浸漬ステップｉｉ）の後、パターン化されたフォトレジストフィルムが除去された前記の浸漬基材を、イソプロピルアルコール、水、またはイソプロピルアルコールと水との混合物のいずれかですすいで、浸漬ステップｉｉ）からの残留組成物を除去して、クリーンな基材を生成するステップ；
    ｉｖ）任意選択的に、上記クリーンな基材を乾燥するステップ；
    を含む方法。