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JP7204964B2 - thermal print head - Google Patents
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Description

本開示は、サーマルプリントヘッドに関する。 The present disclosure relates to thermal printheads .

特許文献1には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に開示されたサーマルプリントヘッドは、基板、グレーズ層、電極層、抵抗体層および保護層を備えている。基板は、絶縁材料からなる板状の部材である。グレーズ層は、基板の表面に形成されており、たとえばガラスからなる。電極層は、グレーズ層上に形成されており、抵抗体層に選択的に電流を流すための電流経路を構成している。電極層は、共通電極および複数の個別電極を有している。共通電極と個別電極とは、電気的に対極となる。抵抗体層のうち共通電極の一部と個別電極とによって主走査方向に挟まれた部位が発熱部となる。保護層は、電極層を保護するためのものであり、たとえばガラスからなる。 Patent Document 1 discloses an example of a conventional thermal printhead. The thermal printhead disclosed in the same document comprises a substrate, a glaze layer, an electrode layer, a resistor layer and a protective layer. The substrate is a plate-shaped member made of an insulating material. The glaze layer is formed on the surface of the substrate and is made of glass, for example. The electrode layer is formed on the glaze layer and constitutes a current path for selectively applying current to the resistor layer. The electrode layer has a common electrode and a plurality of individual electrodes. The common electrode and the individual electrodes are electrically opposite electrodes. A portion of the resistor layer sandwiched between a portion of the common electrode and the individual electrode in the main scanning direction serves as a heat generating portion. The protective layer is for protecting the electrode layer, and is made of glass, for example.

サーマルプリントヘッドは、使用状態において、所定箇所に電圧が印加され、これにより発熱する。この際の電位差および熱等は、たとえば、電極層や抵抗体層を劣化させる一因となりうる。 A voltage is applied to a predetermined portion of the thermal print head during use, and this generates heat. The potential difference, heat, etc. at this time can be a cause of deterioration of, for example, the electrode layer and the resistor layer.

特開平10-16268号公報JP-A-10-16268

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、電極層および抵抗体層の劣化を抑制することが可能なサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することをその課題の1つとする。 The present disclosure has been conceived under the circumstances described above, and aims to provide a thermal printhead and a method for manufacturing a thermal printhead that can suppress deterioration of electrode layers and resistor layers. This is one of the tasks.

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、印刷の高精細化が可能なサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することをその課題の1つとする。 The present disclosure has been conceived under the circumstances described above, and one of the objects thereof is to provide a thermal printhead and a method for manufacturing the thermal printhead that enable high-definition printing.

本開示の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、電極層と、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、前記電極層は、前記抵抗体層と前記基板との間に介在する第1層と、前記抵抗体層から離間し且つ前記第1層上に形成された被覆部を有する第2層と、を有し、前記第1層に含まれる第1金属は、前記第2層に含まれる第2金属よりも前記抵抗体層への拡散度合いが小である。 A thermal printhead provided by the first aspect of the present disclosure is a thermal printhead comprising a substrate, an electrode layer, and a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction, The electrode layer includes a first layer interposed between the resistor layer and the substrate, and a second layer separated from the resistor layer and having a covering portion formed on the first layer. and the first metal contained in the first layer has a smaller degree of diffusion into the resistor layer than the second metal contained in the second layer.

本開示の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、基板にグレーズ層を形成する工程と、前記グレーズ層上に第1金属を含む第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜をパターニングすることにより、第1層を形成する工程と、前記第1層の少なくとも一部を覆う、第2金属を含む第2金属膜を形成する工程と、前記第2金属膜をパターニングすることにより第2層を形成する工程と、前記第1層の一部を覆い且つ前記第2層から離間する抵抗体層を形成する工程と、を備え、前記第1金属は、前記第2金属よりも前記抵抗体層への拡散度合いが小である。 A method of manufacturing a thermal printhead provided by the second aspect of the present disclosure includes forming a glaze layer on a substrate; forming a first metal film containing a first metal on the glaze layer; forming a first layer by patterning a first metal film; forming a second metal film covering at least a portion of the first layer and containing a second metal; and forming the second metal film. and forming a resistor layer covering part of the first layer and spaced apart from the second layer, wherein the first metal is the The degree of diffusion into the resistor layer is smaller than that of the second metal.

本開示の第3の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基板と、電極層と、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、前記電極層は、前記抵抗体層と前記基板との間に介在する第1層と、前記抵抗体層から離間し且つ前記第1層に導通する第2層と、を有し、前記第1層は、第1金属およびガラスを含み、前記第2層は、第2金属およびガラスを含み且つ前記第1層を覆う下層被覆部を有する下層と、前記第2金属およびガラスを含み且つ前記第1層と接しないとともに前記下層を覆う上層被覆部を有する上層と、を含み、前記下層は、前記上層よりもガラスの含有率が小である。 A thermal printhead provided by a third aspect of the present disclosure is a thermal printhead comprising a substrate, an electrode layer, and a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in a main scanning direction, The electrode layer has a first layer interposed between the resistor layer and the substrate, and a second layer separated from the resistor layer and electrically connected to the first layer. a layer comprising a first metal and glass; said second layer comprising a lower layer comprising a second metal and glass and having an underlayer coating covering said first layer; an upper layer having an upper covering portion not in contact with one layer and covering said lower layer, said lower layer having a lower glass content than said upper layer.

本開示の第4の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、基板にグレーズ層を形成する工程と、前記グレーズ層上に第1金属を含む第1金属膜を形成する工程と、前記第1金属膜をパターニングすることにより、第1層を形成する工程と、前記第1層の少なくとも一部を覆う、第2金属を含む下層金属膜を形成する工程と、前記下層金属膜の少なくとも一部を覆い且つ前記第1金属膜に接しない、前記第2金属を含む上層金属膜を形成する工程と、前記下層金属膜および前記上層金属膜をパターニングすることにより第2層を形成する工程と、前記第1層の一部を覆い且つ前記第2層から離間する抵抗体層を形成する工程と、を備え、前記下層金属膜を形成する工程においては、前記第2金属と有機化合物とを含むレジネート第2金属ペーストを印刷により塗布する工程と、当該レジネート第2金属ペーストを焼成する工程とを含み、前記上層金属膜を形成する工程においては、前記第2金属とガラスフリットとを含むガラスフリット第2金属ペーストを印刷により塗布する工程と、当該ガラスフリット第2金属ペーストを焼成する工程とを含む。 A method for manufacturing a thermal printhead provided by the fourth aspect of the present disclosure includes the steps of forming a glaze layer on a substrate, forming a first metal film containing a first metal on the glaze layer, and forming a first layer by patterning a first metal film; forming a lower metal film containing a second metal covering at least a portion of the first layer; forming an upper metal film containing the second metal that partially covers and does not contact the first metal film; and forming a second layer by patterning the lower metal film and the upper metal film. and forming a resistor layer covering part of the first layer and spaced apart from the second layer, wherein the step of forming the lower layer metal film includes: and firing the resinate second metal paste, wherein the step of forming the upper layer metal film includes the second metal and the glass frit A step of applying a glass frit second metal paste by printing and a step of firing the glass frit second metal paste are included.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will become more apparent from the detailed description below with reference to the accompanying drawings.

本開示の第1実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す平面図である。1 is a plan view showing a thermal printhead according to a first embodiment of the present disclosure; FIG. 図1のII-II線に沿う断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1; 図1のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図4のV-V線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line VV of FIG. 4; 図4のVI-VI線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line VI-VI of FIG. 4; 図4のVII-VII線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line VII-VII of FIG. 4; 図1のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図8のIX-IX線に沿う要部断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part taken along line IX-IX in FIG. 8; 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図12のXIII-XIII線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line XIII-XIII of FIG. 12; 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。2 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの変形例を示す要部拡大断面図である。2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a modification of the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの変形例を示す要部拡大断面図である。2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a modification of the thermal print head of FIG. 1; FIG. 図1のサーマルプリントヘッドの実施例を示す要部拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a main portion showing an embodiment of the thermal print head of FIG. 1; 図1のサーマルプリントヘッドの実施例を示す要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an embodiment of the thermal print head of FIG. 1; 本開示の第2実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a thermal printhead according to a second embodiment of the present disclosure; 本開示の第3実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing a thermal printhead according to a third embodiment of the present disclosure; 図21のXXII-XXII線に沿う断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view along line XXII-XXII of FIG. 21; 図21のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。22 is an enlarged plan view of a main part showing the thermal print head of FIG. 21; FIG. 図21のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。22 is an enlarged plan view of a main part showing the thermal print head of FIG. 21; FIG. 図24のXXV-XXV線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 25 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line XXV-XXV of FIG. 24; 図21のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。22 is an enlarged plan view of a main part showing the thermal print head of FIG. 21; FIG. 図26のXXVII-XXVII線に沿う要部断面図である。FIG. 27 is a cross-sectional view of a main part taken along line XXVII-XXVII of FIG. 26; 図21のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。FIG. 22 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 21; 図21のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。FIG. 22 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 21; 図21のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。FIG. 22 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 21; 図21のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大平面図である。FIG. 22 is an enlarged plan view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 21; 図31のXXXII-XXXII線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 32 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line XXXII-XXXII of FIG. 31; 図21のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。FIG. 22 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing an example of a method of manufacturing the thermal print head of FIG. 21; 図33のXXXIV-XXXIV線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 34 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line XXXIV-XXXIV of FIG. 33; 図21のサーマルプリントヘッドの一具体例を示す要部拡大平面図である。FIG. 22 is an enlarged plan view of a main portion showing a specific example of the thermal print head of FIG. 21; 本開示の第4実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a thermal print head according to a fourth embodiment of the present disclosure; 本開示の第5実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a main part showing a thermal printhead according to a fifth embodiment of the present disclosure;

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Preferred embodiments of the present disclosure will be specifically described below with reference to the drawings.

図1~図9は、本開示に係るサーマルプリントヘッドの一例を示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA1は、基板1、グレーズ層2、電極層3、抵抗体層4、保護層55、駆動IC71、封止樹脂72、コネクタ73、配線基板74および放熱部材75を備えている。サーマルプリントヘッドA1は、たとえばバーコードシートやレシートを作成するために感熱紙に対する印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。なお、理解の便宜上、図1、図3、図4および図8においては、保護層55を省略している。これらの図においては、主走査方向をx方向、副走査方向をy方向、基板1の厚さ方向をz方向としている。 1-9 show an example of a thermal printhead according to the present disclosure. The thermal printhead A1 of this embodiment includes a substrate 1, a glaze layer 2, an electrode layer 3, a resistor layer 4, a protective layer 55, a drive IC 71, a sealing resin 72, a connector 73, a wiring board 74 and a heat dissipation member 75. ing. The thermal print head A1 is incorporated in a printer for printing on thermal paper to create bar code sheets and receipts, for example. For convenience of understanding, the protective layer 55 is omitted in FIGS. 1, 3, 4 and 8. FIG. In these figures, the main scanning direction is the x direction, the sub-scanning direction is the y direction, and the thickness direction of the substrate 1 is the z direction.

図1は、サーマルプリントヘッドA1を示す平面図である。図2は、図1のII-II線に沿う断面図である。図3は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図4は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図5は、図4のV-V線に沿う要部拡大断面図である。図6は、図4のVI-VI線に沿う要部拡大断面図である。図7は、図4のVII-VII線に沿う要部拡大断面図である。図8は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図9は、図8のIX-IX線に沿う要部断面図である。 FIG. 1 is a plan view showing the thermal print head A1. FIG. 2 is a cross-sectional view along line II-II of FIG. FIG. 3 is an enlarged plan view of the main part showing the thermal print head A1. FIG. 4 is an enlarged plan view of the main part showing the thermal print head A1. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line VV of FIG. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line VI--VI of FIG. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line VII--VII in FIG. FIG. 8 is an enlarged plan view of the main part showing the thermal print head A1. FIG. 9 is a cross-sectional view of the essential part along line IX-IX in FIG.

基板1は、たとえばAiN、Al23などのセラミックからなり、たとえばその厚さが0.6~1.0mm程度とされている。図1に示すように、基板1は、主走査方向xに長く延びる長矩形状とされている。基板1に加えて、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる基材層とCuなどからなる配線層とが積層された配線基板74を有する構造としてもよい。基板1の下面には、たとえばAlなどの金属からなる放熱部材75が設けられている。配線基板74を有する構成においては、たとえば放熱部材75上に基板1および配線基板74が隣接して配置され、基板1上の電極層3と配線基板74の配線(またはこの配線に接続されたIC)とが、たとえばワイヤボンディングなどにより接続される。さらに、配線基板74に、図1に示すコネクタ73を設けてもよい。 The substrate 1 is made of ceramic such as AlN or Al 2 O 3 and has a thickness of about 0.6 to 1.0 mm. As shown in FIG. 1, the substrate 1 has a long rectangular shape extending in the main scanning direction x. In addition to the substrate 1, the structure may have a wiring substrate 74 in which a substrate layer made of, for example, glass epoxy resin and a wiring layer made of Cu or the like are laminated. A heat radiating member 75 made of a metal such as Al is provided on the lower surface of the substrate 1 . In the configuration having the wiring substrate 74, for example, the substrate 1 and the wiring substrate 74 are arranged adjacently on the heat radiating member 75, and the wiring between the electrode layer 3 on the substrate 1 and the wiring substrate 74 (or the IC connected to this wiring). ) are connected, for example, by wire bonding. Furthermore, the wiring board 74 may be provided with the connector 73 shown in FIG.

グレーズ層2は、基板1上に形成されており、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。このガラス材料の軟化点は、たとえば800~850℃である。グレーズ層2は、ガラスペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。本実施形態においては、基板1の図中上面すべてがグレーズ層2によって覆われている。 Glaze layer 2 is formed on substrate 1 and is made of a glass material such as amorphous glass. The softening point of this glass material is, for example, 800-850.degree. The glaze layer 2 is formed by printing a thick film of glass paste and then firing it. In this embodiment, the entire upper surface of the substrate 1 in the figure is covered with the glaze layer 2 .

電極層3は、抵抗体層4に通電するための経路を構成するためのものであり、導電性材料によって形成されている。電極層3は、第1層3aおよび第2層3bを有する。さらに、本実施形態においては、図8および図9に示すように、電極層3は、第3層3cをさらに有する。 The electrode layer 3 constitutes a path for energizing the resistor layer 4, and is made of a conductive material. The electrode layer 3 has a first layer 3a and a second layer 3b. Furthermore, in this embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, the electrode layer 3 further has a third layer 3c.

第1層3aは、グレーズ層2上に形成されており、たとえば添加元素としてロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されたレジネートAuからなる。本実施形態においては、第1層3aの主成分は、Auであり、Auが第1金属の一例に相当する。第1層3aは、レジネートAuのペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。第1層3aは、複数のAu層を積層させることによって構成してもよい。第1層3aの厚さは、たとえば0.6~1.2μm程度である。 The first layer 3a is formed on the glaze layer 2 and is made of, for example, resinate Au to which rhodium, vanadium, bismuth, silicon, or the like is added as additive elements. In this embodiment, the main component of the first layer 3a is Au, and Au corresponds to an example of the first metal. The first layer 3a is formed by printing a resinate Au paste as a thick film and then firing the same. The first layer 3a may be configured by laminating a plurality of Au layers. The thickness of first layer 3a is, for example, about 0.6 to 1.2 μm.

第2層3bは、一部が第1層3a上に形成されており、他の部分がグレーズ層2上に形成されている。また、第2層3bは、抵抗体層4から離間している。第2層3bは、たとえば有機Ag化合物を含むペーストあるいはAg粒子、ガラスフリット、Pd、および樹脂を含むペーストを印刷および焼成することによって形成されている。本実施形態においては、第2層3bの主成分はAgであり、Agが第2金属の一例に相当する。そして、第1金属としてのAuは、第2金属としてのAgよりも後述する抵抗体層4への拡散度合いが小である。また、第2層3bは、Pd等の添加元素を含んでいてもよい。また、第2層3bは、ガラスを含んでいてもよい。第2層3bの厚さは、たとえば2μm~10μmである。 A part of the second layer 3 b is formed on the first layer 3 a and the other part is formed on the glaze layer 2 . Also, the second layer 3 b is separated from the resistor layer 4 . The second layer 3b is formed, for example, by printing and firing a paste containing an organic Ag compound or a paste containing Ag particles, glass frit, Pd, and resin. In this embodiment, the main component of the second layer 3b is Ag, and Ag corresponds to an example of the second metal. Au as the first metal has a smaller degree of diffusion into the resistor layer 4, which will be described later, than Ag as the second metal. Also, the second layer 3b may contain an additive element such as Pd. Also, the second layer 3b may contain glass. The thickness of second layer 3b is, for example, 2 μm to 10 μm.

第3層3cは、第2層3b上に積層されている。本実施形態においては、第3層3cは、第2層3bと同じ組成成分であり、主成分としてAgを含む。Agは、第3金属の一例に相当する。第3層3cの厚さは特に限定されず、本実施形態においては、第2層3bと同じとされている。 The third layer 3c is laminated on the second layer 3b. In this embodiment, the third layer 3c has the same composition as the second layer 3b and contains Ag as a main component. Ag corresponds to an example of the third metal. The thickness of the third layer 3c is not particularly limited, and is the same as that of the second layer 3b in this embodiment.

図3に示すように、電極層3は、共通電極33および複数の個別電極36を有している。 As shown in FIG. 3 , the electrode layer 3 has a common electrode 33 and multiple individual electrodes 36 .

共通電極33は、複数の共通電極帯状部34および連結部35を有している。連結部35は、基板1の副走査方向y下流側端寄りに配置されており、主走査方向xに延びる帯状である。複数の共通電極帯状部34は、各々が連結部35から副走査方向yに延びており、主走査方向xに等ピッチで配列されている。また、本実施形態においては、連結部35には、Ag層351が積層されている。Ag層351は、連結部35の抵抗値を低減させるためのものである。 The common electrode 33 has a plurality of common electrode strip portions 34 and connecting portions 35 . The connecting portion 35 is disposed near the downstream end in the sub-scanning direction y of the substrate 1 and has a strip shape extending in the main scanning direction x. The plurality of common electrode strip portions 34 each extend in the sub-scanning direction y from the connecting portion 35 and are arranged at equal pitches in the main scanning direction x. Further, in the present embodiment, an Ag layer 351 is laminated on the connecting portion 35 . The Ag layer 351 is for reducing the resistance value of the connecting portion 35 .

複数の個別電極36は、抵抗体層4に対して部分的に通電するためのものであり、共通電極33に対して逆極性となる部位である。個別電極36は、抵抗体層4から駆動IC71に向かって延びている。複数の個別電極36は、主走査方向xに配列されており、各々が個別電極帯状部38、連結部37およびボンディング部39を有している。 The plurality of individual electrodes 36 is for partially energizing the resistor layer 4 and is a portion having a polarity opposite to that of the common electrode 33 . The individual electrode 36 extends from the resistor layer 4 toward the drive IC 71 . A plurality of individual electrodes 36 are arranged in the main scanning direction x, each having an individual electrode strip portion 38 , a connecting portion 37 and a bonding portion 39 .

各個別電極帯状部38は、副走査方向yに延びた帯状部分であり、共通電極33の隣り合う2つの共通電極帯状部34の間に位置している。個別電極36の個別電極帯状部38と共通電極33の共通電極帯状部34とは、幅がたとえば25μm以下とされており、隣り合う個別電極36の個別電極帯状部38と共通電極33の共通電極帯状部34との間隔はたとえば40μm以下となっている。 Each individual electrode strip portion 38 is a strip portion extending in the sub-scanning direction y and positioned between two adjacent common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 . The individual electrode strip portion 38 of the individual electrode 36 and the common electrode strip portion 34 of the common electrode 33 have a width of, for example, 25 μm or less. The distance from the belt-like portion 34 is, for example, 40 μm or less.

連結部37は、個別電極帯状部38から駆動IC71に向かって延びる部分であり、そのほとんどが副走査方向yに沿った部位および副走査方向yに対して傾斜した部位を有している。連結部37のほとんどの部位は、その幅がたとえば20μm以下とされており、隣り合う連結部37どうしの間隔はたとえば20μm以下となっている。 The connecting portion 37 is a portion extending from the individual electrode strip portion 38 toward the driving IC 71, and most of the connecting portion 37 has a portion along the sub-scanning direction y and a portion inclined with respect to the sub-scanning direction y. The width of most of the connecting portions 37 is, for example, 20 μm or less, and the distance between adjacent connecting portions 37 is, for example, 20 μm or less.

ボンディング部39は、個別電極36の副走査方向y端部に形成されており、個別電極36と駆動IC71とを接続するためのワイヤ61がボンディングされている。隣り合う個別電極36のボンディング部39どうしは、副走査方向yに互い違いに配置されている。これにより、ボンディング部39は、連結部37のほとんどの部位よりも幅が大きいにも関わらず、たがいに干渉することが回避されている。 The bonding portion 39 is formed at the y end of the individual electrode 36 in the sub-scanning direction, and is bonded with a wire 61 for connecting the individual electrode 36 and the drive IC 71 . The bonding portions 39 of adjacent individual electrodes 36 are arranged alternately in the sub-scanning direction y. As a result, although the bonding portion 39 has a larger width than most portions of the connecting portion 37, the bonding portions 39 are prevented from interfering with each other.

連結部37のうち隣り合うボンディング部39に挟まれた部位は、個別電極36において最も幅が小さく、その幅がたとえば10μm以下である。また、連結部37と隣のボンディング部39との間隔もたとえば10μm以下となっている。このように、共通電極33および複数の個別電極36は、線幅および配線間隔が小さい微細パターンとなっている。 A portion of the connecting portion 37 sandwiched between the adjacent bonding portions 39 has the smallest width in the individual electrode 36, and the width thereof is, for example, 10 μm or less. Also, the distance between the connecting portion 37 and the adjacent bonding portion 39 is, for example, 10 μm or less. Thus, the common electrode 33 and the plurality of individual electrodes 36 are fine patterns with small line widths and small line intervals.

図4および図5に示すように、共通電極33の複数の共通電極帯状部34および複数の個別電極36の個別電極帯状部38は、第1層3aのみによって構成されている。図4、図5、および図6に示すように、第2層3bは、被覆部31bおよび沈降部32bを有する。被覆部31bは、第2層3bのうち第1層3aを覆う部分である。沈降部32bは、第2層3bのうちグレーズ層2上に直接形成された部分であり、少なくともその一部がグレーズ層2に沈降している。 As shown in FIGS. 4 and 5, the plurality of common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 and the individual electrode strip portions 38 of the plurality of individual electrodes 36 are composed only of the first layer 3a. As shown in FIGS. 4, 5 and 6, the second layer 3b has a covering portion 31b and a sinking portion 32b. The covering portion 31b is a portion of the second layer 3b that covers the first layer 3a. The sedimentation portion 32 b is a portion of the second layer 3 b that is directly formed on the glaze layer 2 , and at least part of it is sedimented on the glaze layer 2 .

図4、図5および図7に示すように、本実施形態においては、複数の個別電極36の連結部37の大部分が沈降部32bのみによって構成されている。なお、本実施形態においては、第1層3aは、グレーズ層2に対してほとんど沈降していない。これにより、被覆部31bは、グレーズ層2に対して沈降していない。図4および図5に示すように、第2層3bは、第1層3aの端縁31aを覆っている。 As shown in FIGS. 4, 5 and 7, in this embodiment, most of the connecting portions 37 of the plurality of individual electrodes 36 are composed only of the sedimentation portions 32b. In addition, in the present embodiment, the first layer 3a hardly settles with respect to the glaze layer 2. As shown in FIG. As a result, the covering portion 31 b does not settle with respect to the glaze layer 2 . As shown in FIGS. 4 and 5, the second layer 3b covers the edge 31a of the first layer 3a.

図8および図9に示すように、本実施形態においては、ボンディング部39は、第2層3bおよび第3層3cによって構成されている。図9に示すように、ボンディング部39を構成する第2層3bは、沈降部32bであり、少なくともその一部がグレーズ層2に対して沈降している。一方、第3層3cは、第2層3b上に形成されており、少なくともその一部がグレーズ層2から露出しており、本実施形態においては、そのほとんどがグレーズ層2に対して沈降していない。 As shown in FIGS. 8 and 9, in this embodiment, the bonding portion 39 is composed of the second layer 3b and the third layer 3c. As shown in FIG. 9, the second layer 3b forming the bonding portion 39 is the sedimented portion 32b, at least a part of which is sedimented with respect to the glaze layer 2. As shown in FIG. On the other hand, the third layer 3c is formed on the second layer 3b, at least a portion of which is exposed from the glaze layer 2, and in this embodiment most of it sinks into the glaze layer 2. not

抵抗体層4は、電極層3を構成する材料よりも抵抗率が大であるたとえば酸化ルテニウムなどからなり、主走査方向xに延びる帯状に形成されている。抵抗体層4は、共通電極33の複数の共通電極帯状部34と複数の個別電極36の個別電極帯状部38とに交差している。さらに、抵抗体層4は、共通電極33の複数の共通電極帯状部34と複数の個別電極36の個別電極帯状部38に対して基板1とは反対側に積層されている。すなわち、抵抗体層4は、電極層3の第1層3aのみに接している。抵抗体層4のうち各共通電極帯状部34と各個別電極帯状部38とに挟まれた部位が、電極層3によって部分的に通電されることにより発熱する発熱部41とされている。発熱部41の発熱によって印字ドットが形成される。抵抗体層4の厚さは、たとえば4μm~6μmである。 The resistor layer 4 is made of, for example, ruthenium oxide, which has a higher resistivity than the material forming the electrode layer 3, and is formed in a strip shape extending in the main scanning direction x. The resistor layer 4 intersects a plurality of common electrode strips 34 of the common electrode 33 and individual electrode strips 38 of a plurality of individual electrodes 36 . Furthermore, the resistor layer 4 is laminated on the side opposite to the substrate 1 with respect to the plurality of common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 and the individual electrode strip portions 38 of the plurality of individual electrodes 36 . That is, the resistor layer 4 is in contact only with the first layer 3 a of the electrode layer 3 . A portion of the resistor layer 4 sandwiched between the common electrode strip portions 34 and the individual electrode strip portions 38 is a heat generating portion 41 that generates heat by being partially energized by the electrode layer 3 . Print dots are formed by the heat generated by the heating portion 41 . The thickness of resistor layer 4 is, for example, 4 μm to 6 μm.

保護層55は、電極層3および抵抗体層4を保護するためのものである。保護層55は、たとえば非晶質ガラスからなる。ただし、保護層55は、複数の個別電極36のボンディング部39を含む領域を露出させている。 The protective layer 55 is for protecting the electrode layer 3 and the resistor layer 4 . Protective layer 55 is made of, for example, amorphous glass. However, the protective layer 55 exposes regions including the bonding portions 39 of the plurality of individual electrodes 36 .

駆動IC71は、複数の個別電極36を選択的に通電させることにより、抵抗体層4を部分的に発熱させる機能を果たす。駆動IC71には、複数のパッドが設けられている。駆動IC71のパッドと複数の個別電極36とは、それぞれにボンディングされた複数のワイヤ61を介して接続されている。ワイヤ61は、Auからなる。図1および図2に示すように、駆動IC71およびワイヤ61は、封止樹脂72によって覆われている。封止樹脂72は、たとえば黒色の軟質樹脂からなる。また、駆動IC71とコネクタ73とは、図示しない信号線によって接続されている。 The drive IC 71 performs a function of partially heating the resistor layer 4 by selectively energizing the plurality of individual electrodes 36 . The driving IC 71 is provided with a plurality of pads. Pads of the drive IC 71 and the plurality of individual electrodes 36 are connected via a plurality of wires 61 bonded to each. The wire 61 is made of Au. As shown in FIGS. 1 and 2, the drive IC 71 and wires 61 are covered with a sealing resin 72. As shown in FIG. The sealing resin 72 is made of, for example, a black soft resin. Further, the driving IC 71 and the connector 73 are connected by a signal line (not shown).

次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図10~図15を参照しつつ以下に説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A1 will be described below with reference to FIGS. 10 to 15. FIG.

まず、図10に示すように、たとえばAiNからなる基板1を用意する。次いで、基板1上にガラスペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することにより、グレーズ層2を形成する。次いで、レジネートAuのペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することにより、第1金属膜30aを形成する。図示された例においては、第1金属膜30aの形成領域は、副走査方向yにおいて限定された領域である。第1金属膜30aは、主走査方向xに延びる端縁301aを有する。 First, as shown in FIG. 10, a substrate 1 made of AlN, for example, is prepared. Next, after a thick film of glass paste is printed on the substrate 1, the glaze layer 2 is formed by firing the paste. Next, after printing a resinate Au paste as a thick film, it is fired to form the first metal film 30a. In the illustrated example, the formation area of the first metal film 30a is a limited area in the sub-scanning direction y. The first metal film 30a has an edge 301a extending in the main scanning direction x.

次いで、第1金属膜30aに対してたとえばエッチング等を用いたパターニングを施すことにより、図11に示す第1層3aを形成する。第1層3aは、複数の共通電極帯状部34、複数の個別電極帯状部38、連結部35等になる部位を有している。また、第1層3aは、端縁31aを有する。端縁31aは、第1金属膜30aの端縁301aの一部が残存した部位である。すなわち、端縁31aは、第1金属膜30aをパターニングするためのエッチング等によって形成されたものではない。 Next, the first layer 3a shown in FIG. 11 is formed by subjecting the first metal film 30a to patterning using, for example, etching. The first layer 3a has portions that become a plurality of common electrode strip portions 34, a plurality of individual electrode strip portions 38, connecting portions 35, and the like. The first layer 3a also has an edge 31a. The edge 31a is a part where the edge 301a of the first metal film 30a remains. That is, the edge 31a is not formed by etching or the like for patterning the first metal film 30a.

次いで、図12および図13に示すように、第2金属膜30bを形成する。第2金属膜30bの形成は、所定領域に上述したAgを含むペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することにより行う。図示された例においては、第2金属膜30bは、第1層3aの端縁31aを覆うように形成されている。また、第2金属膜30bと同じ手法によって、第1層3aの連結部35上に金属膜35bを第2金属膜30bとともに形成してもよい。図13に示すように、第2金属膜30bは、グレーズ層2に対して顕著な沈降は示していない。また、図14に示すように、第2金属膜30bを形成するためのAgを含むペーストの厚膜印刷に引き続き、第3金属膜30cを形成するためのAgペーストを厚膜印刷してもよい。これにより、第2金属膜30b上に積層された第3金属膜30cが得られる。図示された状態においては、第2金属膜30bおよび第3金属膜30cは、グレーズ層2に対して顕著な沈降は示していない。 Next, as shown in FIGS. 12 and 13, a second metal film 30b is formed. The formation of the second metal film 30b is carried out by printing a thick film of the Ag-containing paste described above on a predetermined region and then firing it. In the illustrated example, the second metal film 30b is formed to cover the edge 31a of the first layer 3a. Also, a metal film 35b may be formed together with the second metal film 30b on the connecting portion 35 of the first layer 3a by the same method as the second metal film 30b. As shown in FIG. 13, the second metal film 30b does not exhibit significant sedimentation with respect to the glaze layer 2. As shown in FIG. Further, as shown in FIG. 14, the thick-film printing of Ag paste for forming the third metal film 30c may be followed by the thick-film printing of the Ag-containing paste for forming the second metal film 30b. . Thereby, the third metal film 30c laminated on the second metal film 30b is obtained. In the illustrated state, the second metal film 30b and the third metal film 30c do not exhibit significant sedimentation with respect to the glaze layer 2. FIG.

次いで、第2金属膜30bに対してエッチング等を用いたパターニングを施す。これにより、図15に示す第2層3bが得られ、第1層3a、第2層3bおよび第3層3cからなる電極層3が得られる。第2層3bは、第1層3aを覆う被覆部31bとグレーズ層2に接する沈降部32bを有する。 Next, patterning using etching or the like is applied to the second metal film 30b. Thereby, the second layer 3b shown in FIG. 15 is obtained, and the electrode layer 3 composed of the first layer 3a, the second layer 3b and the third layer 3c is obtained. The second layer 3b has a covering portion 31b covering the first layer 3a and a sedimentation portion 32b in contact with the glaze layer 2 .

この後は、たとえば酸化ルテニウムなどの抵抗体を含む抵抗体ペーストを厚膜印刷し、これを焼成することにより、抵抗体層4を形成する。また、たとえばガラスペーストを厚膜印刷し、これを焼成することにより、保護層55を形成する。 Thereafter, resistor layer 4 is formed by printing a thick film of a resistor paste containing a resistor such as ruthenium oxide and firing it. Also, the protective layer 55 is formed by, for example, printing a thick film of glass paste and baking it.

なお、第2金属膜30bのパターニングによって第2層3bを形成した後、保護層55を形成するまでの間に、通常の焼成温度(たとえば800℃程度)よりもたとえば50℃程度高い温度で焼成工程を行うことが好ましい。これは、たとえば抵抗体層4の焼成工程を兼ねてもよい。これにより、第2層3bの少なくとも一部が、グレーズ層2に対して沈降し、沈降部32bとなる。一方、上述した組成の第1層3aは、グレーズ層2に対してほとんど沈降しない。 After the second layer 3b is formed by patterning the second metal film 30b and before the protective layer 55 is formed, the film is fired at a temperature higher than the normal firing temperature (eg, about 800° C.) by about 50° C., for example. It is preferred to carry out the steps. This may also serve as a baking step for the resistor layer 4, for example. As a result, at least part of the second layer 3b settles with respect to the glaze layer 2 to form a settled portion 32b. On the other hand, the first layer 3 a having the composition described above hardly settles on the glaze layer 2 .

そして、駆動IC71の実装およびワイヤ61のボンディング、基板1および配線基板74の放熱部材75への取り付けなどを行うことにより、サーマルプリントヘッドA1が得られる。 Then, the thermal print head A1 is obtained by mounting the drive IC 71, bonding the wires 61, and attaching the substrate 1 and the wiring substrate 74 to the heat dissipation member 75.

なお、上述した第2層3bの沈降部32bを沈降させ得る焼成工程の条件設定によって沈降部32bの沈降状態が種々に異なりうる。図5、図7および図9に示す沈降状態の他に、図16および図17に示す沈降状態が想定され得る。図16に示す変形例においては、沈降部32bは、グレーズ層2に対してその全てが沈降している。図17に示す変形例においては、第2層3bの一部がグレーズ層2に対して沈降する一方、第2層3bの他の部分がグレーズ層2からz方向上方に露出している。 It should be noted that the sedimentation state of the sedimentation portion 32b may vary depending on the setting of the conditions of the firing process for sedimentation of the sedimentation portion 32b of the second layer 3b. Besides the submerged conditions shown in FIGS. 5, 7 and 9, the submerged conditions shown in FIGS. 16 and 17 can be envisaged. In the modification shown in FIG. 16, all of the subsidence portions 32b subside with respect to the glaze layer 2. In the modification shown in FIG. In the modification shown in FIG. 17, part of the second layer 3b sinks with respect to the glaze layer 2, while another part of the second layer 3b is exposed from the glaze layer 2 upward in the z-direction.

また、図18および図19は、サーマルプリントヘッドA1の一実施例を示している。図19に示すように、沈降部32bは、図中z方向上面がグレーズ層2のz方向上面とほぼ同じ高さにある。第2層3bは、厚膜印刷および焼成によって形成されているため、沈降部32bのz方向上面は、ある程度の応答を有する性状である。このため、図18に示すように、沈降部32bの一部が離散的にグレーズ層2から露出する。同図において、ハッチングによって表されている複数の離散部分が、グレーズ層2から露出した沈降部32bが保護層55を透して視認された部位である。 18 and 19 show an embodiment of the thermal printhead A1. As shown in FIG. 19, the upper surface of the sedimented portion 32b in the z direction is substantially at the same height as the upper surface of the glaze layer 2 in the z direction. Since the second layer 3b is formed by thick-film printing and baking, the upper surface of the sedimentation portion 32b in the z-direction has a property with a certain degree of response. Therefore, as shown in FIG. 18, part of the sedimentation portion 32b is discretely exposed from the glaze layer 2. As shown in FIG. In the figure, a plurality of discrete portions indicated by hatching are portions where the sedimentation portion 32b exposed from the glaze layer 2 is visible through the protective layer 55. FIG.

次に、サーマルプリントヘッドA1およびサーマルプリントヘッドA1の製造方法の作用について説明する。 Next, the operation of the thermal print head A1 and the method for manufacturing the thermal print head A1 will be described.

本実施形態によれば、図4および図5に示すように、抵抗体層4は、電極層3の第1層3aに接しており、第2層3bには接していない。第1層3aに含まれる第1金属は、第2層3bに含まれる第2金属よりも抵抗体層4への拡散度合いが小さい。このため、サーマルプリントヘッドA1の使用において、電極層3および抵抗体層4に電位差や温度が生じた場合に、電極層3を構成する成分が抵抗体層4に拡散することを防止することが可能である。したがって、電極層3および抵抗体層4の劣化を抑制することができる。 According to this embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the resistor layer 4 is in contact with the first layer 3a of the electrode layer 3 and is not in contact with the second layer 3b. The first metal contained in the first layer 3a has a lower degree of diffusion into the resistor layer 4 than the second metal contained in the second layer 3b. Therefore, when a potential difference or temperature occurs between the electrode layer 3 and the resistor layer 4 during use of the thermal print head A1, the components constituting the electrode layer 3 can be prevented from diffusing into the resistor layer 4. It is possible. Therefore, deterioration of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 can be suppressed.

特に、抵抗体層4が酸化ルテニウムからなる場合に、Agの拡散度合いが比較的大きくなり、Auの拡散度合いは相対的に小さく抑えることが可能である。また、第2層3bの主成分としてAgを用いることによって、Auの使用量を削減可能であり、サーマルプリントヘッドA1の製造コストを低減することができる。 In particular, when the resistor layer 4 is made of ruthenium oxide, the degree of diffusion of Ag becomes relatively large, and the degree of diffusion of Au can be kept relatively small. Also, by using Ag as the main component of the second layer 3b, the amount of Au used can be reduced, and the manufacturing cost of the thermal print head A1 can be reduced.

第2層3bの沈降部32bがグレーズ層2に沈降していることにより、沈降部32bをグレーズ層2によって保護することができる。第2層3bは、保護層55によって覆われているものの、保護層55は、グレーズ層2と比べて気泡等の含有割合が一般的に高い。この点、焼成条件等に起因して、気泡等が少ない相対的に緻密な層として仕上げやすいグレーズ層2によって沈降部32bを覆う構成は、第2層3bの保護に好ましい。グレーズ層2がガラスからなることにより、サーマルプリントヘッドA1の製造工程において沈降部32bを意図的にグレーズ層2に沈降させることができる。 Since the sedimentation portion 32b of the second layer 3b is sedimented in the glaze layer 2, the sedimentation portion 32b can be protected by the glaze layer 2. As shown in FIG. Although the second layer 3 b is covered with the protective layer 55 , the protective layer 55 generally has a higher content of air bubbles and the like than the glaze layer 2 . In this regard, the configuration in which the sedimentation portion 32b is covered with the glaze layer 2, which can be easily finished as a relatively dense layer with few air bubbles due to the firing conditions, etc., is preferable for protecting the second layer 3b. Since the glaze layer 2 is made of glass, the sedimentation portion 32b can be intentionally deposited on the glaze layer 2 in the manufacturing process of the thermal print head A1.

発明者の試験によれば、第2層3bがガラスを含む場合、沈降部32bがグレーズ層2に沈降しやすい傾向が確認された。一方、第1層3aがガラスを含まない場合、第1層3aをグレーズ層2に対して沈降させないことが可能であるという知見が得られた。第2層3bの沈降は第2層3bの保護に好ましい。一方、第1層3aの沈降を回避することは、第1層3aと抵抗体層4とを確実に導通させるのに好ましい。 According to the inventor's test, when the second layer 3b contains glass, it has been confirmed that the sedimentation part 32b tends to settle in the glaze layer 2 easily. On the other hand, it has been found that it is possible to prevent the first layer 3a from settling against the glaze layer 2 if the first layer 3a does not contain glass. Sedimentation of the second layer 3b is preferred for protection of the second layer 3b. On the other hand, avoiding sedimentation of the first layer 3a is preferable for ensuring electrical continuity between the first layer 3a and the resistor layer 4. FIG.

ボンディング部39を第2層3bおよび第3層3cによって構成することにより、沈降部32bがグレーズ層2に対して顕著に沈降する場合であっても、第3層3cをグレーズ層2から確実に露出させることができる。これにより、ボンディング部39へのワイヤ61のボンディングを行うことができる。また、ボンディング部39の厚さは、第2層3bの厚さと第3層3cの厚さとを合計した厚さとなっている。ワイヤ61のボンディングにおいては、圧力や振動がボンディング部39に負荷される。ボンディング部39が相対的に厚いことにより、このような外的負荷によってボンディング部39が損傷することを回避することができる。 By configuring the bonding portion 39 with the second layer 3b and the third layer 3c, even if the subsidence portion 32b subsides significantly with respect to the glaze layer 2, the third layer 3c can be reliably separated from the glaze layer 2. can be exposed. Thereby, the wire 61 can be bonded to the bonding portion 39 . Also, the thickness of the bonding portion 39 is the sum of the thickness of the second layer 3b and the thickness of the third layer 3c. In bonding the wire 61 , pressure and vibration are applied to the bonding portion 39 . Since the bonding portion 39 is relatively thick, it is possible to avoid damage to the bonding portion 39 due to such an external load.

本実施形態においては、サーマルプリントヘッドA1の製造方法において、図10および図11に示すように第1金属膜30aの端縁301aを、第1層3aの端縁31aとして残存させる。そして、この端縁31aを覆うように第2層3bを形成する。第1金属膜30aをエッチング等によってパターニングする場合、このパターニングによって第1金属膜30aが除去された領域には、第1金属膜30aの僅かな残存やエッチングの溶液の付着等が不可避的に生じる。このような残存や付着が生じた領域は、第2層3bの形成において、局所的に第2層3bが剥離するという事態を引き起こしうることが、発明者らの試験によって判明した。本実施形態においては、第2層3bが覆う端縁31aは、第1金属膜30aを形成するための厚膜印刷の際に形成された端縁であり、エッチング等のパターニングによって生じた端縁ではない。このため、第2層3bの形成において、端縁31aに隣接する沈降部32bの部分が、グレーズ層2から不等に剥離してしまうことを防止することができる。これは、電極層3の断線回避に好ましい。 In this embodiment, as shown in FIGS. 10 and 11, the edge 301a of the first metal film 30a is left as the edge 31a of the first layer 3a in the method of manufacturing the thermal print head A1. Then, the second layer 3b is formed so as to cover the edge 31a. When the first metal film 30a is patterned by etching or the like, in the region where the first metal film 30a is removed by this patterning, a small amount of the first metal film 30a remains or the etching solution adheres unavoidably. . It has been found by the inventors' tests that such a region where such residual or adhesion occurs can cause a situation in which the second layer 3b is locally peeled off during the formation of the second layer 3b. In this embodiment, the edge 31a covered by the second layer 3b is an edge formed during thick film printing for forming the first metal film 30a, and an edge generated by patterning such as etching. is not. Therefore, in forming the second layer 3b, it is possible to prevent the portion of the sedimentation portion 32b adjacent to the edge 31a from unequally peeling off from the glaze layer 2. FIG. This is preferable for avoiding disconnection of the electrode layer 3 .

図20は、本開示の他の実施形態を示している。なお、同図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。 FIG. 20 shows another embodiment of the present disclosure. In addition, in the same figure, the same code|symbol as the said embodiment is attached|subjected to the same or similar element as the said embodiment.

図20に示す本開示の第2実施形態に基づくサーマルプリントヘッドA2は、グレーズ層2の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、グレーズ層2は、蓄熱部22および補助部23を有する。 A thermal print head A2 according to the second embodiment of the present disclosure shown in FIG. 20 differs from the above-described embodiments in the configuration of the glaze layer 2. In this embodiment, the glaze layer 2 has a heat storage portion 22 and an auxiliary portion 23 .

蓄熱部22は、主走査方向xに延びる帯状であり、図中上方に若干膨出した断面円弧形状である。抵抗体層4は、蓄熱部22上に形成されている。蓄熱部22は、抵抗体層4の発熱部41から発せられた熱が、基板1へと過度に伝達されることを抑制するためのものである。また、共通電極33の複数の共通電極帯状部34および複数の個別電極36の個別電極帯状部38は、蓄熱部22上に形成されている。 The heat accumulating portion 22 has a band shape extending in the main scanning direction x, and has an arcuate cross-section that bulges slightly upward in the figure. The resistor layer 4 is formed on the heat storage section 22 . The heat storage part 22 is for suppressing excessive transmission of the heat generated from the heat generating part 41 of the resistor layer 4 to the substrate 1 . A plurality of common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 and individual electrode strip portions 38 of a plurality of individual electrodes 36 are formed on the heat storage portion 22 .

補助部23は、基板1のうち蓄熱部22から露出した部分を覆うように形成されている。蓄熱部22は、相対的に粗面である基板1の表面を覆うことにより、電極層3を形成するのに適した平滑面を構成するためのものである。 Auxiliary portion 23 is formed to cover a portion of substrate 1 exposed from heat storage portion 22 . The heat storage part 22 is for forming a smooth surface suitable for forming the electrode layer 3 by covering the relatively rough surface of the substrate 1 .

蓄熱部22および補助部23は、たとえばガラスからなる。かかるガラスの具体的選定は、蓄熱部22の蓄熱機能および補助部23の平滑機能を十分に発揮させることを鑑みてなされる。なお、補助部23の材料として、蓄熱部22の材料となるガラスペーストよりも低粘度のガラスペーストを用いることが好ましい。 Heat storage portion 22 and auxiliary portion 23 are made of glass, for example. The specific selection of such glass is made in view of sufficiently exhibiting the heat storage function of the heat storage portion 22 and the smoothing function of the auxiliary portion 23 . As the material of the auxiliary portion 23, it is preferable to use a glass paste having a viscosity lower than that of the glass paste used as the material of the heat storage portion 22. FIG.

このような実施形態によっても電極層3および抵抗体層4の劣化を抑制することができる。 Deterioration of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 can be suppressed also by such an embodiment.

第1~第2実施形態は、以下の付記を含む。
[付記1]
基板と、
電極層と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、
前記電極層は、前記抵抗体層と前記基板との間に介在する第1層と、前記抵抗体層から離間し且つ前記第1層上に形成された被覆部を有する第2層と、を有し、
前記第1層に含まれる第1金属は、前記第2層に含まれる第2金属よりも前記抵抗体層への拡散度合いが小である、サーマルプリントヘッド。
[付記2]
前記基板に形成されたグレーズ層を備える、付記1に記載のサーマルプリントヘッド。[付記3]
前記第2層は、少なくともその一部が前記グレーズ層に沈降している沈降部を有する、付記2に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記4]
前記グレーズ層は、ガラスからなる、付記3に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記5]
前記第2層は、前記第1層の一部を覆う被覆部を有する、付記3または4に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記6]
前記第2層は、前記第1層よりも厚い、付記5に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記7]
前記第1金属は、Auである、付記6に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記8]
前記第2金属は、Agである、付記7に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記9]
前記第2層は、ガラスを含む、付記8に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記10]
前記抵抗体層は、酸化ルテニウムを含む、付記7ないし9のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記11]
前記基板は、セラミックスからなる、付記7ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記12]
前記基板は、AlNからなる、付記11に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記13]
前記電極層は、主走査方向に延びる連結部およびこの連結部から副走査方向に延びる複数の共通電極帯状部を有する共通電極と、各々が副走査方向に延びており、かつ主走査方向において隣り合う前記共通電極帯状部どうしの間に位置する個別電極帯状部を各々が有する複数の個別電極と、を有している、付記5ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記14]
前記抵抗体層は、前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部と交差している、付記13に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記15]
前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部は、前記基板と前記抵抗体層との間に介在している、付記14に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記16]
前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部は、前記第1層によって構成されている、付記15に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記17]
前記抵抗体層は、主走査方向に長く延びる帯状である、付記16に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記18]
前記個別電極は、副走査方向において前記個別電極帯状部と反対側に位置し、ワイヤがボンディングされたボンディング部を有する、付記16または17に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記19]
前記電極層は、前記第2層上に積層された、第3金属を含む第3層を有し、
前記ボンディング部は、前記第2層および前記第3層からなる、付記18に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記20]
前記第3層は、前記グレーズ層から露出している、付記19に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記21]
前記第3金属は、前記第2金属と同じである、付記20に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記22]
前記ワイヤは、Auからなる、付記21に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記23]
前記抵抗体層を覆う保護層を備える、付記5ないし22のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記24]
前記保護層は、ガラスからなる、付記23に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記25]
基板にグレーズ層を形成する工程と、
前記グレーズ層上に第1金属を含む第1金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜をパターニングすることにより、第1層を形成する工程と、
前記第1層の少なくとも一部を覆う、第2金属を含む第2金属膜を形成する工程と、
前記第2金属膜をパターニングすることにより第2層を形成する工程と、
前記第1層の一部を覆い且つ前記第2層から離間する抵抗体層を形成する工程と、
を備え、
前記第1金属は、前記第2金属よりも前記抵抗体層への拡散度合いが小である、サーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記26]
前記第1金属膜を形成する工程は、前記第1金属を含む第1ペーストを印刷する工程と、当該第1ペーストを焼成する工程と、を含む、付記25に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記27]
前記第2金属膜を形成する工程は、前記第2金属を含む第2ペーストを印刷する工程と、当該第2ペーストを焼成する工程と、を含む、付記26に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記28]
前記第1層を形成する工程においては、前記第1金属膜の端縁の一部を前記第1層の端縁として残存させ、
前記第2金属膜を形成する工程においては、前記第2金属膜によって前記第1層の前記端縁を覆う、付記27に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記29]
前記グレーズ層は、ガラスからなる、付記25ないし28のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記30]
前記第1金属は、Auである、付記29に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。[付記31]
前記第2金属は、Agである、付記30に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。[付記32]
前記第2層は、ガラスを含む、付記31に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。[付記33]
前記抵抗体層は、酸化ルテニウムを含む、付記29ないし32のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The first and second embodiments include the following remarks.
[Appendix 1]
a substrate;
an electrode layer;
A thermal printhead comprising a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction,
The electrode layer includes a first layer interposed between the resistor layer and the substrate, and a second layer separated from the resistor layer and having a covering portion formed on the first layer. have
The thermal print head, wherein the first metal contained in the first layer has a smaller degree of diffusion into the resistor layer than the second metal contained in the second layer.
[Appendix 2]
10. The thermal printhead of Claim 1, comprising a glaze layer formed on the substrate. [Appendix 3]
2. The thermal printhead according to appendix 2, wherein the second layer has a sedimentation portion, at least a part of which is sedimented in the glaze layer.
[Appendix 4]
4. The thermal printhead of Claim 3, wherein the glaze layer is made of glass.
[Appendix 5]
5. The thermal printhead according to appendix 3 or 4, wherein the second layer has a covering portion covering a portion of the first layer.
[Appendix 6]
6. The thermal printhead of Claim 5, wherein the second layer is thicker than the first layer.
[Appendix 7]
7. The thermal printhead of Claim 6, wherein the first metal is Au.
[Appendix 8]
8. The thermal printhead of Claim 7, wherein the second metal is Ag.
[Appendix 9]
9. The thermal printhead of Clause 8, wherein the second layer comprises glass.
[Appendix 10]
10. The thermal printhead of any of Clauses 7-9, wherein the resistor layer comprises ruthenium oxide.
[Appendix 11]
11. The thermal printhead according to any one of appendices 7 to 10, wherein the substrate is made of ceramics.
[Appendix 12]
12. The thermal printhead of clause 11, wherein the substrate is made of AlN.
[Appendix 13]
The electrode layer includes a common electrode having a connecting portion extending in the main scanning direction and a plurality of common electrode strip portions extending from the connecting portion in the sub-scanning direction, and a common electrode extending in the sub-scanning direction and adjacent to each other in the main scanning direction. 13. A thermal printhead according to any one of Clauses 5 to 12, comprising a plurality of individual electrodes each having an individual electrode strip located between the mating common electrode strips.
[Appendix 14]
14. The thermal printhead of Clause 13, wherein the resistor layer intersects the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips.
[Appendix 15]
15. The thermal printhead of Claim 14, wherein the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips are interposed between the substrate and the resistor layer.
[Appendix 16]
16. The thermal printhead of Claim 15, wherein the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips are configured by the first layer.
[Appendix 17]
17. The thermal printhead according to appendix 16, wherein the resistor layer is strip-shaped and elongated in the main scanning direction.
[Appendix 18]
18. The thermal printhead according to appendix 16 or 17, wherein the individual electrode has a bonding portion to which a wire is bonded, located on the side opposite to the individual electrode strip portion in the sub-scanning direction.
[Appendix 19]
The electrode layer has a third layer containing a third metal, laminated on the second layer,
19. The thermal printhead according to appendix 18, wherein the bonding portion is composed of the second layer and the third layer.
[Appendix 20]
20. The thermal printhead of Claim 19, wherein the third layer is exposed from the glaze layer.
[Appendix 21]
21. The thermal printhead of Clause 20, wherein the third metal is the same as the second metal.
[Appendix 22]
22. The thermal printhead of Clause 21, wherein the wires are made of Au.
[Appendix 23]
23. A thermal printhead according to any one of Clauses 5 to 22, comprising a protective layer covering the resistor layer.
[Appendix 24]
24. The thermal printhead of Claim 23, wherein the protective layer is made of glass.
[Appendix 25]
forming a glaze layer on a substrate;
forming a first metal film containing a first metal on the glaze layer;
forming a first layer by patterning the first metal film;
forming a second metal film containing a second metal covering at least a portion of the first layer;
forming a second layer by patterning the second metal film;
forming a resistor layer covering a portion of the first layer and spaced apart from the second layer;
with
The method of manufacturing a thermal print head, wherein the first metal has a smaller degree of diffusion into the resistor layer than the second metal.
[Appendix 26]
26. The method of manufacturing a thermal print head according to appendix 25, wherein the step of forming the first metal film includes a step of printing a first paste containing the first metal, and a step of firing the first paste. .
[Appendix 27]
27. The method of manufacturing a thermal print head according to appendix 26, wherein the step of forming the second metal film includes a step of printing a second paste containing the second metal, and a step of firing the second paste. .
[Appendix 28]
In the step of forming the first layer, part of the edge of the first metal film remains as the edge of the first layer;
28. The method of manufacturing a thermal printhead according to appendix 27, wherein in the step of forming the second metal film, the edge of the first layer is covered with the second metal film.
[Appendix 29]
29. The method of manufacturing a thermal printhead according to any one of Appendices 25 to 28, wherein the glaze layer is made of glass.
[Appendix 30]
29. The method of manufacturing a thermal printhead according to appendix 29, wherein the first metal is Au. [Appendix 31]
31. The method of manufacturing a thermal printhead according to appendix 30, wherein the second metal is Ag. [Appendix 32]
32. The method of claim 31, wherein the second layer comprises glass. [Appendix 33]
33. The method of manufacturing a thermal printhead according to any one of Appendices 29 to 32, wherein the resistor layer contains ruthenium oxide.

図21~図27は、本開示に係るサーマルプリントヘッドの一例を示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA1は、基板1、グレーズ層2、電極層3、抵抗体層4、保護層55、駆動IC71、封止樹脂72、コネクタ73、配線基板74および放熱部材75を備えている。サーマルプリントヘッドA1は、たとえばバーコードシートやレシートを作成するために感熱紙に対する印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。なお、理解の便宜上、図21、図23、図24および図26においては、保護層55を省略している。これらの図においては、主走査方向をx方向、副走査方向をy方向、基板1の厚さ方向をz方向としている。 21-27 show an example of a thermal printhead according to the present disclosure. The thermal printhead A1 of this embodiment includes a substrate 1, a glaze layer 2, an electrode layer 3, a resistor layer 4, a protective layer 55, a drive IC 71, a sealing resin 72, a connector 73, a wiring board 74 and a heat dissipation member 75. ing. The thermal print head A1 is incorporated in a printer for printing on thermal paper to create bar code sheets and receipts, for example. For convenience of understanding, the protective layer 55 is omitted in FIGS. 21, 23, 24 and 26. FIG. In these figures, the main scanning direction is the x direction, the sub-scanning direction is the y direction, and the thickness direction of the substrate 1 is the z direction.

図21は、サーマルプリントヘッドA1を示す平面図である。図22は、図21のXXII-XXII線に沿う断面図である。図23は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図24は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図25は、図24のXXV-XXV線に沿う要部拡大断面図である。図26は、サーマルプリントヘッドA1を示す要部拡大平面図である。図27は、図26のXXVII-XXVII線に沿う要部断面図である。 FIG. 21 is a plan view showing the thermal print head A1. 22 is a cross-sectional view taken along line XXII-XXII of FIG. 21. FIG. FIG. 23 is an enlarged plan view of the main part showing the thermal print head A1. FIG. 24 is an enlarged plan view of the main part showing the thermal print head A1. FIG. 25 is an enlarged cross-sectional view of a main part taken along line XXV--XXV of FIG. FIG. 26 is an enlarged plan view of the main part showing the thermal print head A1. FIG. 27 is a cross-sectional view of essential parts along line XXVII-XXVII of FIG.

基板1は、たとえばAlN、Al23などのセラミックからなり、たとえばその厚さが0.6~1.0mm程度とされている。図21に示すように、基板1は、主走査方向xに長く延びる長矩形状とされている。図22に示すように、基板1に加えて、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる基材層とCuなどからなる配線層とが積層された配線基板74を有する構造としてもよい。基板1の下面には、たとえばAlなどの金属からなる放熱部材75が設けられている。配線基板74を有する構成においては、たとえば放熱部材75上に基板1および配線基板74が隣接して配置され、基板1上の電極層3と配線基板74の配線(またはこの配線に接続されたIC)とが、たとえばワイヤボンディングなどにより接続される。さらに、配線基板74に、図21に示すコネクタ73を設けてもよい。 The substrate 1 is made of ceramic such as AlN or Al 2 O 3 and has a thickness of about 0.6 to 1.0 mm. As shown in FIG. 21, the substrate 1 has a long rectangular shape extending in the main scanning direction x. As shown in FIG. 22, in addition to the substrate 1, a wiring substrate 74 may be provided in which a substrate layer made of glass epoxy resin and a wiring layer made of Cu or the like are laminated. A heat radiating member 75 made of a metal such as Al is provided on the lower surface of the substrate 1 . In the configuration having the wiring substrate 74, for example, the substrate 1 and the wiring substrate 74 are arranged adjacently on the heat radiating member 75, and the wiring between the electrode layer 3 on the substrate 1 and the wiring substrate 74 (or the IC connected to this wiring). ) are connected, for example, by wire bonding. Furthermore, a connector 73 shown in FIG. 21 may be provided on the wiring board 74 .

グレーズ層2は、基板1上に形成されており、たとえば非晶質ガラスなどのガラス材料からなる。このガラス材料の軟化点は、たとえば800~850℃である。グレーズ層2は、ガラスペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。本実施形態においては、基板1の図中上面すべてがグレーズ層2によって覆われている。 Glaze layer 2 is formed on substrate 1 and is made of a glass material such as amorphous glass. The softening point of this glass material is, for example, 800-850.degree. The glaze layer 2 is formed by printing a thick film of glass paste and then firing it. In this embodiment, the entire upper surface of the substrate 1 in the figure is covered with the glaze layer 2 .

電極層3は、抵抗体層4に通電するための経路を構成するためのものであり、導電性材料によって形成されている。電極層3は、第1層3aおよび第2層3bを有する。さらに、本実施形態においては、図26および図27に示すように、電極層3は、第3層3cをさらに有する。 The electrode layer 3 constitutes a path for energizing the resistor layer 4, and is made of a conductive material. The electrode layer 3 has a first layer 3a and a second layer 3b. Furthermore, in this embodiment, as shown in FIGS. 26 and 27, the electrode layer 3 further has a third layer 3c.

第1層3aは、グレーズ層2上に形成されており、たとえば添加元素としてロジウム、バナジウム、ビスマス、シリコンなどが添加されたAuまたはPtからなる。本実施形態においては、第1層3aの主成分は、Auであり、Auが第1金属の一例に相当する。第1層3aは、有機化合物を含むレジネートAuのペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。このような第1層3aは、焼成過程を経ることにより、ガラスを含む。当該ガラスは、比較的粒径が小であり、たとえば平均粒径が0.01μm~0,1μmである。第1層3aにおけるガラスの含有率は、たとえば5重量%~10重量%である。第1層3aは、複数のAu層を積層させることによって構成してもよい。第1層3aの厚さは、たとえば0.4~1.0μm程度である。 The first layer 3a is formed on the glaze layer 2, and is made of Au or Pt to which rhodium, vanadium, bismuth, silicon, or the like is added as an additive element, for example. In this embodiment, the main component of the first layer 3a is Au, and Au corresponds to an example of the first metal. The first layer 3a is formed by thick-film-printing a resinate Au paste containing an organic compound and then firing the paste. Such a first layer 3a contains glass through a firing process. The glass has a relatively small particle size, for example an average particle size of 0.01 μm to 0.1 μm. The content of glass in the first layer 3a is, for example, 5 wt % to 10 wt %. The first layer 3a may be configured by laminating a plurality of Au layers. The thickness of first layer 3a is, for example, about 0.4 to 1.0 μm.

また、第1層3aの副走査方向y上流側端である端縁31aは、後述する製造方法に起因して、図25に示すよう若干厚さが厚い部位となっている。 Further, the edge 31a, which is the upstream end in the sub-scanning direction y of the first layer 3a, is a slightly thicker portion as shown in FIG. 25 due to the manufacturing method to be described later.

第2層3bは、一部が第1層3a上に形成されており、他の部分がグレーズ層2上に形成されている。また、第2層3bは、抵抗体層4から離間している。第2層3bは、下層31bおよび上層32bを有する。 A part of the second layer 3 b is formed on the first layer 3 a and the other part is formed on the glaze layer 2 . Also, the second layer 3 b is separated from the resistor layer 4 . The second layer 3b has a lower layer 31b and an upper layer 32b.

下層31bは、第2金属としてのAg,Cu,Alの少なくともいずれかとガラスを含む。本実施形態においては、第2金属としてAgが選択された場合を例に説明する。また、本実施形態においては、下層31bには、第2金属としてのAgとの重量比で0.01%~0.3%程度のAuが添加されている。下層31bは、有機化合物を含むレジネートAgのペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。このような下層31bにおける第2金属としてのAgは、平均粒径がたとえば0.01μm~0.1μmである。また、下層31bは、焼成過程を経ることにより、ガラスを含む。当該ガラスは、比較的粒径が小であり、たとえば平均粒径が0.01μm~0.1μmである。下層31bにおけるガラスの含有率は、たとえば5重量%~10重量%である。下層31bの厚さは、たとえば0.8μm~1.2μmであり、通常は第1層3aよりも厚い。 The lower layer 31b contains at least one of Ag, Cu and Al as the second metal and glass. In this embodiment, the case where Ag is selected as the second metal will be described as an example. In this embodiment, the lower layer 31b is doped with Au in a weight ratio of about 0.01% to 0.3% with respect to Ag as the second metal. The lower layer 31b is formed by printing a resinate Ag paste containing an organic compound as a thick film and then firing the paste. Ag as the second metal in the lower layer 31b has an average grain size of, for example, 0.01 μm to 0.1 μm. Further, the lower layer 31b contains glass through a firing process. The glass has a relatively small particle size, for example, an average particle size of 0.01 μm to 0.1 μm. The content of glass in the lower layer 31b is, for example, 5 wt % to 10 wt %. The thickness of the lower layer 31b is, for example, 0.8 μm to 1.2 μm, and is usually thicker than the first layer 3a.

上層32bは、第2金属としてのAg,Cu,Alの少なくともいずれかとガラスを含む。本実施形態においては、第2金属としてAgが選択された場合を例に説明する。上層32bは、Agとガラスフリットとを含むガラスフリットAgペーストを厚膜印刷したのちに、これを焼成することにより形成されている。このような上層32bにおける第2金属としてのAgは、平均粒径がたとえば0.5μm~3μmであり、下層31bにおける粒径よりも大である。また、上層32bは、ガラスフリットを含む。また、上層32bは、Pd等の添加元素を含んでいてもよい。上層32bの厚さは、たとえば2μm~5μmであり、通常は下層31bおよび第1層3aよりも厚い。 The upper layer 32b contains at least one of Ag, Cu, and Al as the second metal and glass. In this embodiment, the case where Ag is selected as the second metal will be described as an example. The upper layer 32b is formed by printing a thick film of a glass frit Ag paste containing Ag and glass frit, and then firing it. Ag as the second metal in the upper layer 32b has an average grain size of, for example, 0.5 μm to 3 μm, which is larger than the grain size in the lower layer 31b. Also, the upper layer 32b includes a glass frit. Also, the upper layer 32b may contain an additive element such as Pd. The thickness of the upper layer 32b is, for example, 2 μm to 5 μm, and is usually thicker than the lower layer 31b and the first layer 3a.

上層32bのガラスフリットは、第1層3aや下層31bのガラスよりも比較的粒径が大であり、たとえば平均粒径が0.3μm~1.0μmである。第1層3aおよび下層31bのガラスの含有率は、上層32bのガラスの含有率よりも小であり、たとえば1重量%~5重量%である。また、下層31bの第2金属としてのAgの粒径は、上層32bの第2金属としてのAgの粒径よりも小である。さらに、第1金属としてのAuは、第2金属としてのAgよりも後述する抵抗体層4への拡散度合いが小である。 The glass frit of the upper layer 32b has a relatively larger particle size than the glass of the first layer 3a and the lower layer 31b, and has an average particle size of 0.3 μm to 1.0 μm, for example. The glass content of the first layer 3a and the lower layer 31b is smaller than the glass content of the upper layer 32b, for example 1% to 5% by weight. Also, the grain size of Ag as the second metal in the lower layer 31b is smaller than the grain size of Ag as the second metal in the upper layer 32b. Furthermore, Au as the first metal has a smaller degree of diffusion into the resistor layer 4, which will be described later, than Ag as the second metal.

第3層3cは、第2層3bの上層32b上に積層されている。本実施形態においては、第3層3cは、上層32bと同じ組成成分であり、主成分としてAgを含む。第3層3cの厚さは特に限定されず、本実施形態においては、上層32bと同じとされている。 The third layer 3c is laminated on the upper layer 32b of the second layer 3b. In the present embodiment, the third layer 3c has the same composition as the upper layer 32b and contains Ag as a main component. The thickness of the third layer 3c is not particularly limited, and is the same as that of the upper layer 32b in this embodiment.

図23に示すように、電極層3は、共通電極33および複数の個別電極36を有している。 As shown in FIG. 23 , the electrode layer 3 has a common electrode 33 and multiple individual electrodes 36 .

共通電極33は、複数の共通電極帯状部34および共通電極連結部35を有している。共通電極連結部35は、基板1の副走査方向y下流側端寄りに配置されており、主走査方向xに延びる帯状である。複数の共通電極帯状部34は、各々が共通電極連結部35から副走査方向yに延びており、主走査方向xに等ピッチで配列されている。また、本実施形態においては、図24に示すように、共通電極連結部35には、Ag層351が積層されている。Ag層351は、共通電極連結部35の抵抗値を低減させるためのものである。 The common electrode 33 has a plurality of common electrode strip portions 34 and common electrode connecting portions 35 . The common electrode connecting portion 35 is arranged near the downstream end in the sub-scanning direction y of the substrate 1 and has a strip shape extending in the main scanning direction x. The plurality of common electrode strip portions 34 each extend in the sub-scanning direction y from the common electrode connecting portion 35 and are arranged at equal pitches in the main scanning direction x. In addition, in the present embodiment, as shown in FIG. 24, an Ag layer 351 is laminated on the common electrode connecting portion 35 . The Ag layer 351 is for reducing the resistance value of the common electrode connection portion 35 .

複数の個別電極36は、抵抗体層4に対して部分的に通電するためのものであり、共通電極33に対して逆極性となる部位である。個別電極36は、抵抗体層4から駆動IC71に向かって延びている。複数の個別電極36は、主走査方向xに配列されており、各々が個別電極帯状部38、個別電極連結部37およびボンディング部39を有している。 The plurality of individual electrodes 36 is for partially energizing the resistor layer 4 and is a portion having a polarity opposite to that of the common electrode 33 . The individual electrode 36 extends from the resistor layer 4 toward the drive IC 71 . A plurality of individual electrodes 36 are arranged in the main scanning direction x, each having an individual electrode strip portion 38 , an individual electrode connecting portion 37 and a bonding portion 39 .

各個別電極帯状部38は、副走査方向yに延びた帯状部分であり、共通電極33の隣り合う2つの共通電極帯状部34の間に位置している。個別電極36の個別電極帯状部38と共通電極33の共通電極帯状部34とは、幅がたとえば25μm以下とされており、隣り合う個別電極36の個別電極帯状部38と共通電極33の共通電極帯状部34との間隔はたとえば40μm以下となっている。 Each individual electrode strip portion 38 is a strip portion extending in the sub-scanning direction y and positioned between two adjacent common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 . The individual electrode strip portion 38 of the individual electrode 36 and the common electrode strip portion 34 of the common electrode 33 have a width of, for example, 25 μm or less. The distance from the belt-like portion 34 is, for example, 40 μm or less.

個別電極連結部37は、個別電極帯状部38から駆動IC71に向かって延びる部分であり、そのほとんどが副走査方向yに沿った部位および副走査方向yに対して傾斜した部位を有している。個別電極連結部37のほとんどの部位は、その幅がたとえば40μm以下とされており、隣り合う個別電極連結部37どうしの間隔はたとえば40μm以下となっている。なお、図示された例においは、個別電極連結部37の幅は、個別電極帯状部38の幅よりも大である。 The individual electrode connecting portion 37 is a portion extending from the individual electrode strip portion 38 toward the drive IC 71, and most of the portion has a portion along the sub-scanning direction y and a portion inclined with respect to the sub-scanning direction y. . The width of most of the individual electrode connecting portions 37 is, for example, 40 μm or less, and the distance between adjacent individual electrode connecting portions 37 is, for example, 40 μm or less. In the illustrated example, the width of the individual electrode connecting portion 37 is larger than the width of the individual electrode strip portion 38 .

図26および図27に示すように、ボンディング部39は、個別電極36の副走査方向y端部に形成されており、個別電極36と駆動IC71とを接続するためのワイヤ61がボンディングされている。隣り合う個別電極36のボンディング部39どうしは、副走査方向yに互い違いに配置されている。これにより、ボンディング部39は、個別電極連結部37のほとんどの部位よりも幅が大きいにも関わらず、たがいに干渉することが回避されている。 As shown in FIGS. 26 and 27, the bonding portion 39 is formed at the y end of the individual electrode 36 in the sub-scanning direction, and a wire 61 for connecting the individual electrode 36 and the drive IC 71 is bonded. . The bonding portions 39 of adjacent individual electrodes 36 are arranged alternately in the sub-scanning direction y. As a result, although the bonding portions 39 are wider than most of the individual electrode connecting portions 37, they are prevented from interfering with each other.

個別電極連結部37のうち隣り合うボンディング部39に挟まれた部位は、個別電極36において最も幅が小さく、その幅がたとえば10μm以下である。また、個別電極連結部37と隣のボンディング部39との間隔もたとえば10μm以下となっている。このように、共通電極33および複数の個別電極36は、線幅および配線間隔が小さい微細パターンとなっている。 A portion of the individual electrode connecting portion 37 sandwiched between the adjacent bonding portions 39 has the smallest width of the individual electrode 36, for example, 10 μm or less. Also, the distance between the individual electrode connecting portion 37 and the adjacent bonding portion 39 is, for example, 10 μm or less. Thus, the common electrode 33 and the plurality of individual electrodes 36 are fine patterns with small line widths and small line intervals.

図24および図25に示すように、共通電極33の複数の共通電極帯状部34および複数の個別電極36の個別電極帯状部38は、第1層3aのみによって構成されている。 As shown in FIGS. 24 and 25, the plurality of common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 and the individual electrode strip portions 38 of the plurality of individual electrodes 36 are composed only of the first layer 3a.

図24および図25に示すように、下層31bは、下層被覆部311bを有する。下層被覆部311bは、第1層3a上に形成されており、第1層3aを覆っている。また、下層31bは、グレーズ層2上に形成された部位を有している。 As shown in FIGS. 24 and 25, the lower layer 31b has a lower layer covering portion 311b. The lower layer covering portion 311b is formed on the first layer 3a and covers the first layer 3a. In addition, the lower layer 31b has a portion formed on the glaze layer 2 .

上層32bは、上層被覆部321bを有する。上層被覆部321bは、下層31b上に形成されており、下層31bを覆っている。また、上層被覆部321bは、第1層3aには接していない。また、図示された例においては、上層被覆部321bは、下層被覆部311b上に形成されており、下層被覆部311bを覆っている。すなわち、上層被覆部321bは、z方向視において第1層3aと重なっている。 The upper layer 32b has an upper layer covering portion 321b. The upper layer covering portion 321b is formed on the lower layer 31b and covers the lower layer 31b. Also, the upper layer covering portion 321b is not in contact with the first layer 3a. In the illustrated example, the upper layer covering portion 321b is formed on the lower layer covering portion 311b and covers the lower layer covering portion 311b. That is, the upper layer covering portion 321b overlaps the first layer 3a when viewed in the z direction.

また、本実施形態においては、上層32bは、沈降部322bを有する。沈降部322bは、第2層3bのうちグレーズ層2上に直接形成された部分であり、少なくともその一部がグレーズ層2に沈降している。なお、上層32bは、沈降部322bを有さない構成であってもよい。 Also, in this embodiment, the upper layer 32b has a sedimentation portion 322b. The sedimented portion 322 b is a portion of the second layer 3 b that is formed directly on the glaze layer 2 , and at least part of it is sedimented onto the glaze layer 2 . Note that the upper layer 32b may be configured without the sedimentation portion 322b.

図24および図25に示すように、本実施形態においては、複数の個別電極36の個別電極連結部37の大部分が沈降部322bのみによって構成されている。なお、本実施形態においては、第1層3aおよび下層31bは、グレーズ層2に対してほとんど沈降していない。これにより、上層被覆部321bは、グレーズ層2に対して沈降していない。図24および図25に示すように、下層31bおよび上層32bは、第1層3aの端縁31aを覆っている。 As shown in FIGS. 24 and 25, in this embodiment, most of the individual electrode connecting portions 37 of the plurality of individual electrodes 36 are composed only of the sedimentation portions 322b. In this embodiment, the first layer 3a and the lower layer 31b are hardly sedimented with respect to the glaze layer 2. As shown in FIG. As a result, the upper layer covering portion 321b does not settle with respect to the glaze layer 2 . As shown in FIGS. 24 and 25, the lower layer 31b and the upper layer 32b cover the edge 31a of the first layer 3a.

図26および図27に示すように、本実施形態においては、ボンディング部39は、第2層3bの上層32bおよび第3層3cによって構成されている。図27に示すように、ボンディング部39を構成する上層32bは、沈降部322bであり、少なくともその一部がグレーズ層2に対して沈降している。一方、第3層3cは、上層32b上に形成されており、少なくともその一部がグレーズ層2から露出しており、本実施形態においては、そのほとんどがグレーズ層2に対して沈降していない。 As shown in FIGS. 26 and 27, in this embodiment, the bonding portion 39 is composed of the upper layer 32b of the second layer 3b and the third layer 3c. As shown in FIG. 27, the upper layer 32b that constitutes the bonding portion 39 is a sedimented portion 322b, at least a part of which is sedimented with respect to the glaze layer 2. As shown in FIG. On the other hand, the third layer 3c is formed on the upper layer 32b, and at least a part of it is exposed from the glaze layer 2, and in this embodiment, most of it does not settle with respect to the glaze layer 2. .

抵抗体層4は、電極層3を構成する材料よりも抵抗率が大であるたとえば酸化ルテニウムなどからなり、主走査方向xに延びる帯状に形成されている。抵抗体層4は、共通電極33の複数の共通電極帯状部34と複数の個別電極36の個別電極帯状部38とに交差している。さらに、抵抗体層4は、共通電極33の複数の共通電極帯状部34と複数の個別電極36の個別電極帯状部38に対して基板1とは反対側に積層されている。すなわち、抵抗体層4は、電極層3の第1層3aのみに接している。抵抗体層4のうち各共通電極帯状部34と各個別電極帯状部38とに挟まれた部位が、電極層3によって部分的に通電されることにより発熱する発熱部41とされている。発熱部41の発熱によって印字ドットが形成される。抵抗体層4の厚さは、たとえば4μm~6μmである。 The resistor layer 4 is made of, for example, ruthenium oxide, which has a higher resistivity than the material forming the electrode layer 3, and is formed in a strip shape extending in the main scanning direction x. The resistor layer 4 intersects a plurality of common electrode strips 34 of the common electrode 33 and individual electrode strips 38 of a plurality of individual electrodes 36 . Furthermore, the resistor layer 4 is laminated on the side opposite to the substrate 1 with respect to the plurality of common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 and the individual electrode strip portions 38 of the plurality of individual electrodes 36 . That is, the resistor layer 4 is in contact only with the first layer 3 a of the electrode layer 3 . A portion of the resistor layer 4 sandwiched between the common electrode strip portions 34 and the individual electrode strip portions 38 is a heat generating portion 41 that generates heat by being partially energized by the electrode layer 3 . Print dots are formed by the heat generated by the heating portion 41 . The thickness of resistor layer 4 is, for example, 4 μm to 6 μm.

保護層55は、電極層3および抵抗体層4を保護するためのものである。保護層55は、たとえば非晶質ガラスからなる。ただし、保護層55は、複数の個別電極36のボンディング部39を含む領域を露出させている。 The protective layer 55 is for protecting the electrode layer 3 and the resistor layer 4 . Protective layer 55 is made of, for example, amorphous glass. However, the protective layer 55 exposes regions including the bonding portions 39 of the plurality of individual electrodes 36 .

駆動IC71は、複数の個別電極36を選択的に通電させることにより、抵抗体層4を部分的に発熱させる機能を果たす。駆動IC71には、複数のパッドが設けられている。駆動IC71のパッドと複数の個別電極36とは、それぞれにボンディングされた複数のワイヤ61を介して接続されている。ワイヤ61は、Auからなる。図21および図22に示すように、駆動IC71およびワイヤ61は、封止樹脂72によって覆われている。封止樹脂72は、たとえば黒色の軟質樹脂からなる。また、駆動IC71とコネクタ73とは、図示しない信号線によって接続されている。 The drive IC 71 performs a function of partially heating the resistor layer 4 by selectively energizing the plurality of individual electrodes 36 . The driving IC 71 is provided with a plurality of pads. Pads of the drive IC 71 and the plurality of individual electrodes 36 are connected via a plurality of wires 61 bonded to each. The wire 61 is made of Au. As shown in FIGS. 21 and 22, drive IC 71 and wires 61 are covered with sealing resin 72 . The sealing resin 72 is made of, for example, a black soft resin. Further, the driving IC 71 and the connector 73 are connected by a signal line (not shown).

次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図28~図34を参照しつつ以下に説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A1 will be described below with reference to FIGS. 28 to 34. FIG.

まず、図28に示すように、たとえばAlNからなる基板1を用意する。次いで、基板1上にガラスペーストを厚膜印刷した後に、これを焼成することにより、グレーズ層2を形成する。次いで、レジネートAuのペースト(レジネート第1金属ペーストの一例)を厚膜印刷した後に、これを焼成することにより、第1金属膜30aを形成する。なお、当該厚膜印刷および焼成の工程を、複数回繰り返して行ってもよい。図示された例においては、第1金属膜30aの形成領域は、副走査方向yにおいて限定された領域である。第1金属膜30aは、主走査方向xに延びる端縁301aを有する。 First, as shown in FIG. 28, a substrate 1 made of AlN, for example, is prepared. Next, after a thick film of glass paste is printed on the substrate 1, the glaze layer 2 is formed by firing the paste. Next, a resinate Au paste (an example of a resinate first metal paste) is thick-film-printed and then fired to form the first metal film 30a. The thick film printing and baking steps may be repeated multiple times. In the illustrated example, the formation area of the first metal film 30a is a limited area in the sub-scanning direction y. The first metal film 30a has an edge 301a extending in the main scanning direction x.

次いで、第1金属膜30aに対してたとえばエッチング等を用いたパターニングを施すことにより、図29に示す第1層3aを形成する。第1層3aは、複数の共通電極帯状部34、複数の個別電極帯状部38、共通電極連結部35等になる部位を有している。また、第1層3aは、端縁31aを有する。端縁31aは、第1金属膜30aの端縁301aの一部が残存した部位である。すなわち、端縁31aは、第1金属膜30aをパターニングするためのエッチング等によって形成されたものではない。 Next, the first layer 3a shown in FIG. 29 is formed by patterning the first metal film 30a using, for example, etching. The first layer 3a has portions that become a plurality of common electrode strip portions 34, a plurality of individual electrode strip portions 38, a common electrode connecting portion 35, and the like. The first layer 3a also has an edge 31a. The edge 31a is a part where the edge 301a of the first metal film 30a remains. That is, the edge 31a is not formed by etching or the like for patterning the first metal film 30a.

次いで、図30に示すように、下層金属膜310bを形成する。下層金属膜310bの形成は、個別電極連結部37となるべき領域を含む所定領域に上述したAgを含むレジネートAgのペースト(レジネート第2金属ペーストの一例)を厚膜印刷した後に、これを焼成することにより行う。図示された例においては、下層金属膜310bは、第1層3aの端縁31aを覆うように形成されている。 Next, as shown in FIG. 30, a lower metal film 310b is formed. The lower layer metal film 310b is formed by thick-film printing the resinate Ag paste containing Ag (an example of the resinate second metal paste) in a predetermined region including the region to be the individual electrode connecting portion 37, and then firing the paste. by doing. In the illustrated example, the lower metal film 310b is formed to cover the edge 31a of the first layer 3a.

次いで、図31に示すように、上層金属膜320bを形成する。上層金属膜320bの形成は、下層金属膜310bを覆うように上述したAgおよびガラスフリットを含むガラスフリットAgペースト(ガラスフリット第2金属ペースト)を厚膜印刷した後に、これを焼成することにより行う。本実施形態においては、上層金属膜320bは、下層金属膜310bを介して第1層3aと重なる領域に塗布されており、下層金属膜310bのほとんどを覆っている。また、上層金属膜320bと同じ手法によって、第1層3aの共通電極連結部35上に金属膜35bを第2金属膜30bとともに形成してもよい。図32に示すように、上層金属膜320bは、グレーズ層2に対して顕著な沈降は示していない。また、上層金属膜320bを形成するためのAgを含むペーストの厚膜印刷に引き続き、第3層3cを形成するためのAgペーストを厚膜印刷してもよい。 Next, as shown in FIG. 31, an upper metal film 320b is formed. The formation of the upper layer metal film 320b is carried out by thick-film printing the glass frit Ag paste (glass frit second metal paste) containing Ag and glass frit described above so as to cover the lower layer metal film 310b, and then firing this. . In this embodiment, the upper metal film 320b is applied to the region overlapping with the first layer 3a through the lower metal film 310b, and covers most of the lower metal film 310b. Also, the metal film 35b may be formed together with the second metal film 30b on the common electrode connecting portion 35 of the first layer 3a by the same method as the upper metal film 320b. As shown in FIG. 32, the upper metal film 320b does not exhibit significant sedimentation with respect to the glaze layer 2. FIG. Further, after the thick-film printing of the Ag-containing paste for forming the upper metal film 320b, the Ag paste for forming the third layer 3c may be thick-film-printed.

次いで、下層金属膜310bおよび上層金属膜320bに対してエッチング等を用いたパターニングを施す。これにより、図33に示す下層31bおよび上層32bを有する第2層3bが得られ、第1層3a、第2層3bおよび第3層3cからなる電極層3が得られる。 Then, the lower metal film 310b and the upper metal film 320b are patterned by etching or the like. Thereby, the second layer 3b having the lower layer 31b and the upper layer 32b shown in FIG. 33 is obtained, and the electrode layer 3 composed of the first layer 3a, the second layer 3b and the third layer 3c is obtained.

この後は、たとえば酸化ルテニウムなどの抵抗体を含む抵抗体ペーストを厚膜印刷し、これを焼成することにより、抵抗体層4を形成する。また、たとえばガラスペーストを厚膜印刷し、これを焼成することにより、保護層55を形成する。 Thereafter, resistor layer 4 is formed by printing a thick film of a resistor paste containing a resistor such as ruthenium oxide and firing it. Also, the protective layer 55 is formed by, for example, printing a thick film of glass paste and baking it.

なお、下層金属膜310bおよび上層金属膜320bのパターニングによって下層31bおよび上層32bを有する第2層3bを形成した後、保護層55を形成するまでの間に、通常の焼成温度(たとえば800℃程度)よりもたとえば50℃程度高い温度で焼成工程を行うことが好ましい。これは、たとえば抵抗体層4の焼成工程を兼ねてもよい。これにより、上層32bの少なくとも一部が、グレーズ層2に対して沈降し、沈降部322bとなる。一方、上述した組成の第1層3aおよび下層31bは、グレーズ層2に対してほとんど沈降しない。なお、当該沈降工程を含まない製造方法であってもよい。 After forming the second layer 3b having the lower layer 31b and the upper layer 32b by patterning the lower layer metal film 310b and the upper layer metal film 320b, before forming the protective layer 55, a normal firing temperature (for example, about 800° C. ), it is preferable to carry out the firing step at a temperature higher than that by about 50° C., for example. This may also serve as a baking step for the resistor layer 4, for example. As a result, at least a portion of the upper layer 32b sinks with respect to the glaze layer 2 to form a sinking portion 322b. On the other hand, the first layer 3a and the lower layer 31b having the compositions described above hardly settle with respect to the glaze layer 2 . A manufacturing method that does not include the sedimentation step may be used.

そして、駆動IC71の実装およびワイヤ61のボンディング、基板1および配線基板74の放熱部材75への取り付けなどを行うことにより、サーマルプリントヘッドA1が得られる。 Then, the thermal print head A1 is obtained by mounting the drive IC 71, bonding the wires 61, and attaching the substrate 1 and the wiring substrate 74 to the heat dissipation member 75.

次に、サーマルプリントヘッドA1およびサーマルプリントヘッドA1の製造方法の作用について説明する。 Next, the operation of the thermal print head A1 and the method for manufacturing the thermal print head A1 will be described.

本実施形態によれば、図24および図25に示すように、第1層3aと上層32bとの間には下層31bが介在しており、第1層3aと上層32bとは接していない。図30に示す第1金属膜30aの形成の後に、第1層3aを形成するためのパターニングを施すと、第1層3aから露出するグレーズ層2のうち、第1金属膜30aによって覆われていた部分には、第1金属膜30aに含まれていたガラス成分等が残存する可能性がある。このようなガラス成分が残存したグレーズ層2に、上層金属膜320bを直接形成すると、第2層3bを形成するためのパターニングを施しても、グレーズ層2上に上層金属膜320bの第2金属であるAgが残存してしまうおそれが大きいことが、発明者らの研究により判明した。このようなAgの残存は、隣り合う個別電極帯状部38同士を不当に導通させる要因となりうる。本実施形態においては、第1金属膜30aが形成されていたグレーズ層2上に上層金属膜320bを形成する必要がない。さらに、発明者らの研究によれば、グレーズ層2に上述したガラスの残存があっても、レジネートAgペーストの印刷および焼成によって形成した下層金属膜310bをパターニングによって除去すると、下層金属膜310bはAgの残存等が生じないという知見が得られた。これは、下層金属膜310b上に上層金属膜320bを形成し、下層金属膜310bと上層金属膜320bとをパターニングによって除去した場合であっても同様であった。したがって、サーマルプリントヘッドA1によれば、隣り合う個別電極連結部37同士が不当に導通することを回避可能であり、共通電極33と個別電極36とのピッチをより縮めることが可能である。したがって、サーマルプリントヘッドA1の印刷の高精細化を図ることができる。 According to this embodiment, as shown in FIGS. 24 and 25, the lower layer 31b is interposed between the first layer 3a and the upper layer 32b, and the first layer 3a and the upper layer 32b are not in contact with each other. After the formation of the first metal film 30a shown in FIG. 30, patterning for forming the first layer 3a is performed. A glass component or the like contained in the first metal film 30a may remain in the portion where the first metal film 30a is exposed. If the upper metal film 320b is directly formed on the glaze layer 2 in which such a glass component remains, the second metal of the upper metal film 320b remains on the glaze layer 2 even if the patterning for forming the second layer 3b is performed. The research by the inventors has revealed that there is a great possibility that Ag, which is the above, may remain. Such residual Ag can be a cause of improper conduction between the adjacent individual electrode strip portions 38 . In this embodiment, it is not necessary to form the upper metal film 320b on the glaze layer 2 on which the first metal film 30a is formed. Furthermore, according to the research of the inventors, even if the above-mentioned glass remains in the glaze layer 2, when the lower metal film 310b formed by printing and baking the resinate Ag paste is removed by patterning, the lower metal film 310b is It was found that Ag residue and the like did not occur. This was the same even when the upper metal film 320b was formed on the lower metal film 310b and the lower metal film 310b and the upper metal film 320b were removed by patterning. Therefore, according to the thermal print head A1, it is possible to avoid undue conduction between the adjacent individual electrode connecting portions 37, and the pitch between the common electrode 33 and the individual electrodes 36 can be further reduced. Therefore, high-definition printing of the thermal print head A1 can be achieved.

また、ガラスフリットAgペーストを用いて形成した上層32bは、レジネートAgペーストを用いて形成した下層31bよりも厚く仕上げやすい。このため、個別電極36のより大きな領域を2第2層3bによって形成すれば、個別電極36の低抵抗化に有利である。 Further, the upper layer 32b formed using the glass frit Ag paste is thicker than the lower layer 31b formed using the resinate Ag paste and is easier to finish. Therefore, forming a larger region of the individual electrode 36 with the second layer 3b is advantageous in reducing the resistance of the individual electrode 36. FIG.

本実施形態においては、抵抗体層4は、第1層3aのみに接しており、第2層3bには接していない。第1層3aに含まれる第1金属としてのAuは、第2層3bに含まれる第2金属としてのAgよりも抵抗体層4への拡散度合いが小さい。このため、サーマルプリントヘッドA1の使用において、電極層3および抵抗体層4に電位差や温度が生じた場合に、電極層3を構成する成分が抵抗体層4に拡散することを防止することが可能である。したがって、電極層3および抵抗体層4の劣化を抑制することができる。 In this embodiment, the resistor layer 4 is in contact only with the first layer 3a and is not in contact with the second layer 3b. Au as the first metal contained in the first layer 3a has a smaller degree of diffusion into the resistor layer 4 than Ag as the second metal contained in the second layer 3b. Therefore, when a potential difference or temperature occurs between the electrode layer 3 and the resistor layer 4 during use of the thermal print head A1, the components constituting the electrode layer 3 can be prevented from diffusing into the resistor layer 4. It is possible. Therefore, deterioration of the electrode layer 3 and the resistor layer 4 can be suppressed.

図24および図25に示すように、下層31bの下層被覆部311bは、第1層3a上において上層32bから露出している。この下層被覆部311bの露出部分の存在により、上層32bと第1層3aとが接することをより確実に防止することができる。 As shown in FIGS. 24 and 25, the lower layer covering portion 311b of the lower layer 31b is exposed from the upper layer 32b on the first layer 3a. Due to the presence of the exposed portion of the lower layer covering portion 311b, contact between the upper layer 32b and the first layer 3a can be more reliably prevented.

本実施形態においては、上層被覆部321bは、下層31bを介してz方向視において第1層3aと重なっている。すなわち、個別電極連結部37のうち第1層3aが含まれない領域において、下層31bのみによって導通経路をなす部位が存在せず、下層31bおよび上層32bの双方によって個別電極連結部37が構成されている。これは、個別電極36の低抵抗化に好ましい。 In the present embodiment, the upper layer covering portion 321b overlaps the first layer 3a as viewed in the z-direction via the lower layer 31b. That is, in the region of the individual electrode connecting portion 37 that does not include the first layer 3a, there is no portion that forms a conductive path only by the lower layer 31b, and the individual electrode connecting portion 37 is formed by both the lower layer 31b and the upper layer 32b. ing. This is preferable for reducing the resistance of the individual electrode 36 .

第2層3bの上層32bの沈降部322bがグレーズ層2に沈降していることにより、沈降部322bをグレーズ層2によって保護することができる。第2層3bは、保護層55によって覆われているものの、保護層55は、グレーズ層2と比べて気泡等の含有割合が一般的に高い。この点、焼成条件等に起因して、気泡等が少ない相対的に緻密な層として仕上げやすいグレーズ層2によって沈降部322bを覆う構成は、第2層3bの保護に好ましい。グレーズ層2がガラスからなることにより、サーマルプリントヘッドA1の製造工程において沈降部322bを意図的にグレーズ層2に沈降させることができる。 Since the sedimentation part 322b of the upper layer 32b of the second layer 3b is sedimented in the glaze layer 2, the sedimentation part 322b can be protected by the glaze layer 2. As shown in FIG. Although the second layer 3 b is covered with the protective layer 55 , the protective layer 55 generally has a higher content of air bubbles and the like than the glaze layer 2 . In this regard, the configuration in which the sedimentation portion 322b is covered with the glaze layer 2, which can be easily finished as a relatively dense layer with few air bubbles due to the firing conditions, etc., is preferable for protecting the second layer 3b. Since the glaze layer 2 is made of glass, the sedimentation portion 322b can be intentionally deposited on the glaze layer 2 in the manufacturing process of the thermal print head A1.

ボンディング部39を第2層3bの上層32bおよび第3層3cによって構成することにより、沈降部322bがグレーズ層2に対して顕著に沈降する場合であっても、第3層3cをグレーズ層2から確実に露出させることができる。これにより、ボンディング部39へのワイヤ61のボンディングを行うことができる。また、ボンディング部39の厚さは、上層32bの厚さと第3層3cの厚さとを合計した厚さとなっている。ワイヤ61のボンディングにおいては、圧力や振動がボンディング部39に負荷される。ボンディング部39が相対的に厚いことにより、このような外的負荷によってボンディング部39が損傷することを回避することができる。 By configuring the bonding portion 39 with the upper layer 32b of the second layer 3b and the third layer 3c, even if the sinking portion 322b subsides remarkably with respect to the glaze layer 2, the third layer 3c can be attached to the glaze layer 2. can be reliably exposed from Thereby, the wire 61 can be bonded to the bonding portion 39 . Also, the thickness of the bonding portion 39 is the sum of the thickness of the upper layer 32b and the thickness of the third layer 3c. In bonding the wire 61 , pressure and vibration are applied to the bonding portion 39 . Since the bonding portion 39 is relatively thick, it is possible to avoid damage to the bonding portion 39 due to such an external load.

図35は、サーマルプリントヘッドA1の個別電極連結部37の具体例を示す要部拡大平面図であり、第1層3a、下層31bおよび上層32bのみを示している。なお、同図においては、上層32bの一部を除去して描写することにより、下層31bの形成範囲を明示しており、除去された上層32bを想像線で示している。 FIG. 35 is an enlarged plan view showing a specific example of the individual electrode connecting portion 37 of the thermal print head A1, showing only the first layer 3a, the lower layer 31b and the upper layer 32b. In addition, in the same drawing, a formation range of the lower layer 31b is clearly shown by removing a part of the upper layer 32b for illustration, and the removed upper layer 32b is indicated by an imaginary line.

図28~図34を参照して説明した製造方法においては、個別電極連結部37における第1層3a、下層31bおよび上層32bの幅設定は別段意図されておらず、互いに同一の幅でもよいし、上述した構成の範疇において異なっていてもよい。同図に示す具体例は、第1層3a、下層31bおよび上層32bを概ね同一の幅に揃える思想の下に形成されたものである。 In the manufacturing method described with reference to FIGS. 28 to 34, the width setting of the first layer 3a, the lower layer 31b and the upper layer 32b in the individual electrode connecting portion 37 is not specifically intended, and they may have the same width. , may differ within the scope of the configurations described above. The specific example shown in the figure is formed under the idea that the first layer 3a, the lower layer 31b, and the upper layer 32b have approximately the same width.

図示された例においては、第1層3aの幅W1に対して、下層31bの幅W21が狭く、上層32bの幅W22が広い構成となっている。これは、上述した製造方法において、下層31bおよび上層32bを一括してパターニングする際に、下層金属膜310bおよび上層金属膜320bが積層された部分よりも、下層金属膜310bが単層で存在する部分の方が、エッチング等によって除去が進展しやすいことに起因している。このため、仮に、下層31bと上層32bとを同一の幅に仕上げようとしても、下層31bの幅W21の方が上層32bの幅W22よりも狭い傾向が生じやすいのである。このような傾向が生じる場合には、幅W21、幅W22と幅W1とが大きく乖離することを回避する観点から、図示された大小関係とすることが好ましい。 In the illustrated example, the width W21 of the lower layer 31b is narrower than the width W1 of the first layer 3a, and the width W22 of the upper layer 32b is wider. This is because, in the manufacturing method described above, when the lower layer 31b and the upper layer 32b are collectively patterned, the lower metal film 310b exists as a single layer rather than the laminated portion of the lower metal film 310b and the upper metal film 320b. This is due to the fact that the removal of the portion is more likely to proceed by etching or the like. Therefore, even if the lower layer 31b and the upper layer 32b are finished to have the same width, the width W21 of the lower layer 31b tends to be narrower than the width W22 of the upper layer 32b. If such a tendency occurs, from the viewpoint of avoiding a large divergence between the width W21, the width W22, and the width W1, it is preferable to adopt the illustrated size relationship.

図36および図37は、本開示の他の実施形態を示している。なお、同図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。 Figures 36 and 37 show another embodiment of the present disclosure. In addition, in the same figure, the same code|symbol as the said embodiment is attached|subjected to the same or similar element as the said embodiment.

図36は、本開示の第4実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA2においては、個別電極連結部37における第1層3a、下層31bおよび上層32bの積層構造が、上述した実施形態と異なっている。 FIG. 36 shows a thermal printhead according to a fourth embodiment of the present disclosure. In the thermal print head A2 of this embodiment, the laminated structure of the first layer 3a, the lower layer 31b and the upper layer 32b in the individual electrode connecting portion 37 is different from that of the embodiment described above.

本実施形態においては、上層32bの上層被覆部321bは、下層31bと重なるものの、第1層3aおよび下層被覆部311bとは重なっていない。すなわち、上層32bは、z方向視において第1層3aから離間している。また、第1層3a(下層被覆部311b)と上層32b(上層被覆部321b)との間には、下層31bのみによって構成された第2層3bが存在している。 In this embodiment, the upper layer covering portion 321b of the upper layer 32b overlaps with the lower layer 31b, but does not overlap with the first layer 3a and the lower layer covering portion 311b. That is, the upper layer 32b is separated from the first layer 3a when viewed in the z direction. A second layer 3b composed only of the lower layer 31b exists between the first layer 3a (lower layer covering portion 311b) and the upper layer 32b (upper layer covering portion 321b).

このような実施形態によっても、サーマルプリントヘッドA2の印刷の高精細化を図ることができる。また、本実施形態においては、上層32bは、副走査方向yにおいて第1層3aの端縁31aから離間した領域に形成されている。このため、上層32bを形成するための上層金属膜320bは、第1層3aを形成するための第1金属膜30aが形成されていた領域から完全に離間した領域に設けることができる。これは、上述した意図しない上層金属膜320bの残存等を回避するのに適している。 According to such an embodiment as well, it is possible to achieve high-definition printing of the thermal print head A2. Further, in this embodiment, the upper layer 32b is formed in a region separated from the edge 31a of the first layer 3a in the sub-scanning direction y. Therefore, the upper metal film 320b for forming the upper layer 32b can be provided in a region completely separated from the region where the first metal film 30a for forming the first layer 3a was formed. This is suitable for avoiding the above-described unintended remaining of the upper metal film 320b.

図37に示す本開示の第5実施形態に基づくサーマルプリントヘッドA3は、グレーズ層2の構成が上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、グレーズ層2は、蓄熱部22および補助部23を有する。 A thermal printhead A3 according to the fifth embodiment of the present disclosure shown in FIG. 37 differs from the embodiments described above in the configuration of the glaze layer 2 . In this embodiment, the glaze layer 2 has a heat storage portion 22 and an auxiliary portion 23 .

蓄熱部22は、主走査方向xに延びる帯状であり、図中上方に若干膨出した断面円弧形状である。抵抗体層4は、蓄熱部22上に形成されている。蓄熱部22は、抵抗体層4の発熱部41から発せられた熱が、基板1へと過度に伝達されることを抑制するためのものである。また、共通電極33の複数の共通電極帯状部34および複数の個別電極36の個別電極帯状部38は、蓄熱部22上に形成されている。 The heat accumulating portion 22 has a band shape extending in the main scanning direction x, and has an arcuate cross-section that bulges slightly upward in the figure. The resistor layer 4 is formed on the heat storage section 22 . The heat storage part 22 is for suppressing excessive transmission of the heat generated from the heat generating part 41 of the resistor layer 4 to the substrate 1 . A plurality of common electrode strip portions 34 of the common electrode 33 and individual electrode strip portions 38 of a plurality of individual electrodes 36 are formed on the heat storage portion 22 .

補助部23は、基板1のうち蓄熱部22から露出した部分を覆うように形成されている。蓄熱部22は、相対的に粗面である基板1の表面を覆うことにより、電極層3を形成するのに適した平滑面を構成するためのものである。 Auxiliary portion 23 is formed to cover a portion of substrate 1 exposed from heat storage portion 22 . The heat storage part 22 is for forming a smooth surface suitable for forming the electrode layer 3 by covering the relatively rough surface of the substrate 1 .

蓄熱部22および補助部23は、たとえばガラスからなる。かかるガラスの具体的選定は、蓄熱部22の蓄熱機能および補助部23の平滑機能を十分に発揮させることを鑑みてなされる。なお、補助部23の材料として、蓄熱部22の材料となるガラスペーストよりも低粘度のガラスペーストを用いることが好ましい。 Heat storage portion 22 and auxiliary portion 23 are made of glass, for example. The specific selection of such glass is made in view of sufficiently exhibiting the heat storage function of the heat storage portion 22 and the smoothing function of the auxiliary portion 23 . As the material of the auxiliary portion 23, it is preferable to use a glass paste having a viscosity lower than that of the glass paste used as the material of the heat storage portion 22. FIG.

このような実施形態によってもサーマルプリントヘッドA3の印刷の高精細化を図ることができる。 According to such an embodiment as well, it is possible to achieve high-definition printing of the thermal print head A3.

第3~第5実施形態は、以下の付記を含む。
[付記1]
基板と、
電極層と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、
前記電極層は、前記抵抗体層と前記基板との間に介在する第1層と、前記抵抗体層から離間し且つ前記第1層に導通する第2層と、を有し、
前記第1層は、第1金属およびガラスを含み、
前記第2層は、第2金属およびガラスを含み且つ前記第1層を覆う下層被覆部を有する下層と、前記第2金属およびガラスを含み且つ前記第1層と接しないとともに前記下層を覆う上層被覆部を有する上層と、を含み、
前記下層は、前記上層よりもガラスの含有率が小である、サーマルプリントヘッド。
[付記2]
前記下層のガラスは、前記上層のガラスよりも粒径が小である、付記1に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記3]
前記下層の前記第2金属は、前記上層の前記第2金属よりも粒径が小である、付記2に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記4]
前記第1金属は、前記第2金属よりも前記抵抗体層への拡散度合いが小である、付記1ないし3のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記5]
前記下層は、前記上層よりも薄い、付記1ないし4のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記6]
前記第2層は、前記第1層よりも厚い、付記5に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記7]
前記下層は、前記第1層よりも厚い、付記6に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記8]
前記第1金属は、Auである、付記1ないし7のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記9]
前記第2金属は、Agである、付記1ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記10]
前記抵抗体層は、酸化ルテニウムを含む、付記1ないし9のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記11]
前記下層被覆部は、前記上層から露出している、付記1ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記12]
前記上層被覆部は、平面視において前記第1層と重なる、付記11に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記13]
前記基板に形成されたグレーズ層を備える、付記1ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記14]
前記グレーズ層は、ガラスからなる、付記13に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記15]
前記基板は、セラミックスからなる、付記1ないし14のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記16]
前記基板は、AlNからなる、付記15に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記17]
前記電極層は、主走査方向に延びる共通電極連結部およびこの共通電極連結部から副走査方向に延びる複数の共通電極帯状部を有する共通電極と、各々が副走査方向に延びており、かつ主走査方向において隣り合う前記共通電極帯状部どうしの間に位置する個別電極帯状部を各々が有する複数の個別電極と、を有している、付記1ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記18]
前記抵抗体層は、前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部と交差している、付記17に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記19]
前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部は、前記基板と前記抵抗体層との間に介在している、付記18に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記20]
前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部は、前記第1層によって構成されている、付記19に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記21]
前記個別電極は、前記個別電極帯状部に対して副走査方向において前記抵抗体層とは反対側に繋がる個別電極連結部を有しており、
前記個別電極連結部は、前記第1層および前記第2層からなる、付記20に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記22]
前記個別電極連結部において、前記上層から露出する前記下層被覆部の幅は、前記上層の幅よりも小である、付記21に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記23]
前記抵抗体層を覆う保護層を備える、付記1ないし22のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
[付記24]
前記保護層は、ガラスからなる、付記23に記載のサーマルプリントヘッド。
[付記25]
基板にグレーズ層を形成する工程と、
前記グレーズ層上に第1金属を含む第1金属膜を形成する工程と、
前記第1金属膜をパターニングすることにより、第1層を形成する工程と、
前記第1層の少なくとも一部を覆う、第2金属を含む下層金属膜を形成する工程と、
前記下層金属膜の少なくとも一部を覆い且つ前記第1金属膜に接しない、前記第2金属を含む上層金属膜を形成する工程と、
前記下層金属膜および前記上層金属膜をパターニングすることにより第2層を形成する工程と、
前記第1層の一部を覆い且つ前記第2層から離間する抵抗体層を形成する工程と、
を備え、
前記下層金属膜を形成する工程においては、前記第2金属と有機化合物とを含むレジネート第2金属ペーストを印刷により塗布する工程と、当該レジネート第2金属ペーストを焼成する工程とを含み、
前記上層金属膜を形成する工程においては、前記第2金属とガラスフリットとを含むガラスフリット第2金属ペーストを印刷により塗布する工程と、当該ガラスフリット第2金属ペーストを焼成する工程とを含む、サーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記26]
前記第1金属膜を形成する工程においては、前記第1金属と有機化合物とを含むレジネート第1金属ペーストを印刷により塗布する工程と、当該レジネート第1金属ペーストを焼成する工程とを含む、付記25に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記27]
前記第2層を形成する工程においては、平面視において前記第1層と重なるように前記第2層を形成する、付記25または26に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記28]
前記第1金属は、Auである、付記25ないし27のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[付記29]
前記第2金属は、Agである、付記25ないし28のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
The third to fifth embodiments include the following remarks.
[Appendix 1]
a substrate;
an electrode layer;
A thermal printhead comprising a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction,
The electrode layer has a first layer interposed between the resistor layer and the substrate, and a second layer separated from the resistor layer and electrically connected to the first layer,
the first layer comprises a first metal and glass;
The second layer includes a lower layer containing a second metal and glass and having a lower layer covering portion covering the first layer, and an upper layer containing the second metal and glass and not in contact with the first layer and covering the lower layer. an upper layer having a covering,
The thermal printhead, wherein the lower layer has a lower glass content than the upper layer.
[Appendix 2]
2. The thermal printhead of claim 1, wherein the lower layer glass has a smaller particle size than the upper layer glass.
[Appendix 3]
2. The thermal printhead according to appendix 2, wherein the second metal in the lower layer has a smaller grain size than the second metal in the upper layer.
[Appendix 4]
4. The thermal printhead according to any one of Appendices 1 to 3, wherein the first metal has a smaller degree of diffusion into the resistor layer than the second metal.
[Appendix 5]
5. The thermal printhead according to any one of Appendices 1 to 4, wherein the lower layer is thinner than the upper layer.
[Appendix 6]
6. The thermal printhead of Claim 5, wherein the second layer is thicker than the first layer.
[Appendix 7]
7. The thermal printhead of Claim 6, wherein the lower layer is thicker than the first layer.
[Appendix 8]
8. The thermal printhead according to any one of appendices 1 to 7, wherein the first metal is Au.
[Appendix 9]
9. The thermal printhead according to any one of Appendices 1 to 8, wherein the second metal is Ag.
[Appendix 10]
10. The thermal printhead of any one of Appendixes 1-9, wherein the resistor layer comprises ruthenium oxide.
[Appendix 11]
11. The thermal printhead according to any one of Appendices 1 to 10, wherein the lower layer covering portion is exposed from the upper layer.
[Appendix 12]
12. The thermal printhead according to Appendix 11, wherein the upper layer covering portion overlaps the first layer in plan view.
[Appendix 13]
13. The thermal printhead of any one of Appendixes 1-12, comprising a glaze layer formed on the substrate.
[Appendix 14]
14. The thermal printhead of Claim 13, wherein the glaze layer is made of glass.
[Appendix 15]
15. The thermal printhead according to any one of appendices 1 to 14, wherein the substrate is made of ceramics.
[Appendix 16]
16. The thermal printhead of clause 15, wherein the substrate is made of AlN.
[Appendix 17]
The electrode layer includes a common electrode having a common electrode connection portion extending in the main scanning direction and a plurality of common electrode strip portions extending in the sub-scanning direction from the common electrode connection portion; 13. A thermal printhead according to any one of Clauses 1 to 12, comprising a plurality of individual electrodes each having an individual electrode strip located between said common electrode strips adjacent in the scanning direction.
[Appendix 18]
18. The thermal printhead of Clause 17, wherein the resistor layer intersects the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips.
[Appendix 19]
19. The thermal printhead of Clause 18, wherein the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips are interposed between the substrate and the resistor layer.
[Appendix 20]
20. The thermal printhead of Claim 19, wherein the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips are configured by the first layer.
[Appendix 21]
The individual electrode has an individual electrode connecting portion that is connected to the individual electrode strip portion on the side opposite to the resistor layer in the sub-scanning direction,
21. The thermal printhead according to appendix 20, wherein the individual electrode connecting portion is composed of the first layer and the second layer.
[Appendix 22]
22. The thermal printhead according to appendix 21, wherein the width of the lower layer covering portion exposed from the upper layer in the individual electrode connecting portion is smaller than the width of the upper layer.
[Appendix 23]
23. A thermal printhead according to any one of the appendices 1 to 22, comprising a protective layer covering the resistor layer.
[Appendix 24]
24. The thermal printhead of Claim 23, wherein the protective layer is made of glass.
[Appendix 25]
forming a glaze layer on a substrate;
forming a first metal film containing a first metal on the glaze layer;
forming a first layer by patterning the first metal film;
forming a lower layer metal film containing a second metal covering at least a portion of the first layer;
forming an upper metal film containing the second metal that covers at least a portion of the lower metal film and does not contact the first metal film;
forming a second layer by patterning the lower metal film and the upper metal film;
forming a resistor layer covering a portion of the first layer and spaced apart from the second layer;
with
The step of forming the lower layer metal film includes a step of applying a resinate second metal paste containing the second metal and an organic compound by printing, and a step of firing the resinate second metal paste,
In the step of forming the upper layer metal film, a step of applying a glass frit second metal paste containing the second metal and a glass frit by printing, and a step of firing the glass frit second metal paste. A method for manufacturing a thermal printhead.
[Appendix 26]
The step of forming the first metal film includes a step of applying a resinate first metal paste containing the first metal and an organic compound by printing, and a step of firing the resinate first metal paste. 26. The method of manufacturing a thermal printhead according to 25 above.
[Appendix 27]
27. The method of manufacturing a thermal print head according to appendix 25 or 26, wherein in the step of forming the second layer, the second layer is formed so as to overlap the first layer in plan view.
[Appendix 28]
28. The method of manufacturing a thermal printhead according to any one of Appendices 25 to 27, wherein the first metal is Au.
[Appendix 29]
29. The method of manufacturing a thermal printhead according to any one of appendices 25 to 28, wherein the second metal is Ag.

本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The thermal printhead and the method of manufacturing the thermal printhead according to the present disclosure are not limited to the embodiments described above. The specific configuration of the thermal printhead and the method of manufacturing the thermal printhead according to the present disclosure can be modified in various ways.

A1,A2:サーマルプリントヘッド
1 :基板
2 :グレーズ層
3 :電極層
3a :第1層
3b :第2層
3c :第3層
4 :抵抗体層
22 :蓄熱部
23 :補助部
30a :第1金属膜
30b :第2金属膜
30c :第3金属膜
31a :端縁
31b :被覆部
32b :沈降部
33 :共通電極
34 :共通電極帯状部
35 :連結部
35b :金属膜
36 :個別電極
37 :連結部
38 :個別電極帯状部
39 :ボンディング部
41 :発熱部
55 :保護層
61 :ワイヤ
72 :封止樹脂
73 :コネクタ
74 :配線基板
75 :放熱部材
301a :端縁
351 :Ag層

A1~A3:サーマルプリントヘッド
1 :基板
2 :グレーズ層
3 :電極層
3a :第1層
3b :第2層
3c :第3層
4 :抵抗体層
22 :蓄熱部
23 :補助部
30a :第1金属膜
30b :第2金属膜
31a :端縁
31b :下層
32b :上層
33 :共通電極
34 :共通電極帯状部
35 :共通電極連結部
35b :金属膜
36 :個別電極
37 :個別電極連結部
38 :個別電極帯状部
39 :ボンディング部
41 :発熱部
55 :保護層
61 :ワイヤ
71 :駆動IC
72 :封止樹脂
73 :コネクタ
74 :配線基板
75 :放熱部材
301a :端縁
310b :下層金属膜
311b :下層被覆部
320b :上層金属膜
321b :上層被覆部
322b :沈降部
351 :Ag層
A1, A2: Thermal print head 1 : Substrate 2 : Glaze layer 3 : Electrode layer 3a : First layer 3b : Second layer 3c : Third layer 4 : Resistor layer 22 : Heat storage section 23 : Auxiliary section 30a : First Metal film 30b : Second metal film 30c : Third metal film 31a : Edge 31b : Coating portion 32b : Sedimentation portion 33 : Common electrode 34 : Common electrode strip portion 35 : Connecting portion 35b : Metal film 36 : Individual electrode 37 : Connecting portion 38 : Individual electrode strip portion 39 : Bonding portion 41 : Heat generating portion 55 : Protective layer 61 : Wire 72 : Sealing resin 73 : Connector 74 : Wiring substrate 75 : Heat dissipation member 301a : Edge 351 : Ag layer

A1 to A3: Thermal print head 1 : Substrate 2 : Glaze layer 3 : Electrode layer 3a : First layer 3b : Second layer 3c : Third layer 4 : Resistor layer 22 : Heat storage section 23 : Auxiliary section 30a : First Metal film 30b : Second metal film 31a : Edge 31b : Lower layer 32b : Upper layer 33 : Common electrode 34 : Common electrode strip 35 : Common electrode connecting portion 35b : Metal film 36 : Individual electrode 37 : Individual electrode connecting portion 38 : Individual electrode strip portion 39 : Bonding portion 41 : Heat generating portion 55 : Protective layer 61 : Wire 71 : Driving IC
72: sealing resin 73: connector 74: wiring board 75: heat dissipation member 301a: edge 310b: lower layer metal film 311b: lower layer covering portion 320b: upper layer metal film 321b: upper layer covering portion 322b: sedimentation portion 351: Ag layer

Claims (24)

基板と、
電極層と、
主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、
前記電極層は、前記抵抗体層と前記基板との間に介在する第1層と、前記抵抗体層から離間し且つ前記第1層に導通する第2層と、を有し、
前記第1層は、第1金属およびガラスを含み、
前記第2層は、第2金属およびガラスを含み且つ前記第1層を覆う下層被覆部を有する下層と、前記第2金属およびガラスを含み且つ前記第1層と接しないとともに前記下層を覆う上層被覆部を有する上層と、を含み、
前記下層は、前記上層よりもガラスの含有率が小である、サーマルプリントヘッド。
a substrate;
an electrode layer;
A thermal printhead comprising a resistor layer including a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction,
The electrode layer has a first layer interposed between the resistor layer and the substrate, and a second layer separated from the resistor layer and electrically connected to the first layer,
the first layer comprises a first metal and glass;
The second layer includes a lower layer containing a second metal and glass and having a lower layer covering portion covering the first layer, and an upper layer containing the second metal and glass and not in contact with the first layer and covering the lower layer. an upper layer having a covering,
The thermal printhead, wherein the lower layer has a lower glass content than the upper layer.
前記下層のガラスは、前記上層のガラスよりも粒径が小である、請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。 2. The thermal printhead of claim 1, wherein the lower layer of glass has a smaller grain size than the upper layer of glass. 前記下層の前記第2金属は、前記上層の前記第2金属よりも粒径が小である、請求項2に記載のサーマルプリントヘッド。 3. A thermal printhead according to claim 2, wherein said second metal in said lower layer has a smaller grain size than said second metal in said upper layer. 前記第1金属は、前記第2金属よりも前記抵抗体層への拡散度合いが小である、請求項1ないし3のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 4. A thermal printhead according to claim 1, wherein said first metal has a smaller degree of diffusion into said resistor layer than said second metal. 前記下層は、前記上層よりも薄い、請求項1ないし4のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 5. A thermal printhead according to any one of claims 1 to 4, wherein said lower layer is thinner than said upper layer. 前記第2層は、前記第1層よりも厚い、請求項5に記載のサーマルプリントヘッド。 6. The thermal printhead of claim 5, wherein said second layer is thicker than said first layer. 前記下層は、前記第1層よりも厚い、請求項6に記載のサーマルプリントヘッド。 7. The thermal printhead of claim 6, wherein said lower layer is thicker than said first layer. 前記第1金属は、Auである、請求項1ないし7のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 8. A thermal printhead according to any one of claims 1 to 7, wherein said first metal is Au. 前記第2金属は、Agである、請求項1ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 9. A thermal printhead according to any one of claims 1 to 8, wherein said second metal is Ag. 前記抵抗体層は、酸化ルテニウムを含む、請求項1ないし9のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 10. The thermal printhead of any one of claims 1-9, wherein the resistor layer comprises ruthenium oxide. 前記下層被覆部は、前記上層から露出している、請求項1ないし10のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 11. The thermal printhead according to any one of claims 1 to 10, wherein said lower layer covering portion is exposed from said upper layer. 前記上層被覆部は、平面視において前記第1層と重なる、請求項11に記載のサーマルプリントヘッド。 12. The thermal printhead according to claim 11, wherein the upper layer covering portion overlaps with the first layer in plan view. 前記基板に形成されたグレーズ層を備える、請求項1ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 13. A thermal printhead according to any preceding claim, comprising a glaze layer formed on the substrate. 前記グレーズ層は、ガラスからなる、請求項13に記載のサーマルプリントヘッド。 14. The thermal printhead of claim 13, wherein the glaze layer is made of glass. 前記基板は、セラミックスからなる、請求項1ないし14のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 15. A thermal printhead according to claim 1, wherein said substrate is made of ceramics. 前記基板は、AlNからなる、請求項15に記載のサーマルプリントヘッド。 16. The thermal printhead of claim 15, wherein the substrate is made of AlN. 前記電極層は、主走査方向に延びる共通電極連結部およびこの共通電極連結部から副走査方向に延びる複数の共通電極帯状部を有する共通電極と、各々が副走査方向に延びており、かつ主走査方向において隣り合う前記共通電極帯状部どうしの間に位置する個別電極帯状部を各々が有する複数の個別電極と、を有している、請求項1ないし12のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The electrode layer includes a common electrode having a common electrode connection portion extending in the main scanning direction and a plurality of common electrode strip portions extending in the sub-scanning direction from the common electrode connection portion; 13. The thermal printhead according to any one of claims 1 to 12, comprising a plurality of individual electrodes each having an individual electrode strip positioned between said common electrode strips adjacent in the scanning direction. . 前記抵抗体層は、前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部と交差している、請求項17に記載のサーマルプリントヘッド。 18. The thermal printhead of claim 17, wherein the resistor layer intersects the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips. 前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部は、前記基板と前記抵抗体層との間に介在している、請求項18に記載のサーマルプリントヘッド。 19. The thermal printhead of claim 18, wherein the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips are interposed between the substrate and the resistor layer. 前記複数の共通電極帯状部および前記複数の個別電極帯状部は、前記第1層によって構成されている、請求項19に記載のサーマルプリントヘッド。 20. The thermal printhead of claim 19, wherein the plurality of common electrode strips and the plurality of individual electrode strips are configured by the first layer. 前記個別電極は、前記個別電極帯状部に対して副走査方向において前記抵抗体層とは反対側に繋がる個別電極連結部を有しており、
前記個別電極連結部は、前記第1層および前記第2層からなる、請求項20に記載のサーマルプリントヘッド。
The individual electrode has an individual electrode connecting portion that is connected to the individual electrode strip portion on the side opposite to the resistor layer in the sub-scanning direction,
21. A thermal printhead according to claim 20, wherein said individual electrode connecting portion comprises said first layer and said second layer.
前記個別電極連結部において、前記上層から露出する前記下層被覆部の幅は、前記上層の幅よりも小である、請求項21に記載のサーマルプリントヘッド。 22. A thermal printhead according to claim 21, wherein the width of said lower layer covering portion exposed from said upper layer in said individual electrode connecting portion is smaller than the width of said upper layer. 前記抵抗体層を覆う保護層を備える、請求項1ないし22のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 23. A thermal printhead according to any preceding claim, comprising a protective layer covering said resistor layer. 前記保護層は、ガラスからなる、請求項23に記載のサーマルプリントヘッド 24. The thermal printhead of Claim 23, wherein the protective layer is made of glass .
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