JP7215853B2

JP7215853B2 - METAL REMOVAL APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Info

Publication number: JP7215853B2
Application number: JP2018159180A
Authority: JP
Inventors: 健司小林
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2018-08-28
Filing date: 2018-08-28
Publication date: 2023-01-31
Anticipated expiration: 2038-08-28
Also published as: TWI717791B; TW202015119A; WO2020044879A1; JP2020035813A

Description

本発明は、金属除去装置、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a metal removing apparatus, a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

基板処理装置において、基板に処理液を供給して処理が行われる。処理液に異物が含まれていると歩留まりが悪化するため、フィルターを用いて処理液中の異物を除去することが行われる（例えば、特許文献１）。特許文献１の半導体基板洗浄装置では、フィルターでメタル不純物を吸着している。 2. Description of the Related Art In a substrate processing apparatus, processing is performed by supplying a processing liquid to a substrate. If foreign matter is contained in the treatment liquid, the yield deteriorates, so a filter is used to remove the foreign matter in the treatment liquid (for example, Patent Document 1). In the semiconductor substrate cleaning apparatus of Patent Document 1, metal impurities are adsorbed by a filter.

特開平０８－８２２３号公報JP-A-08-8223

しかしながら、フィルターでは、処理液中に含まれる金属が除去できない可能性があった。 However, the filter may not be able to remove the metal contained in the treatment liquid.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は処理液中の金属を除去することができる金属除去装置、基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a metal removing apparatus, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method capable of removing metal in a processing liquid.

本発明に係る金属除去装置は、基板を処理する処理液中に含まれる金属を除去する。金属除去装置は、磁界発生部と、トラップ部と、配管とを備える。前記磁界発生部は、処理液供給源から供給される処理液に磁界を作用させる。前記トラップ部は、前記磁界の作用を受けて処理液中を移動する前記金属を捕捉する。前記配管は、前記処理液供給源に接続される。前記トラップ部は、前記配管に配置される。前記配管は、パーフルオロアルコキシエチレンから形成される。 A metal removing apparatus according to the present invention removes metal contained in a processing liquid for processing a substrate. The metal removing device includes a magnetic field generating section, a trap section, and piping . The magnetic field generator applies a magnetic field to the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply source. The trap section traps the metal moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field. The pipe is connected to the processing liquid supply source. The trap section is arranged in the pipe. The piping is formed from perfluoroalkoxyethylene.

ある実施形態において、前記配管は、流通部を有する。前記流通部は、前記処理液が流通し前記トラップ部に隣接する。前記トラップ部における前記処理液の流速は、前記流通部における前記処理液の流速よりも遅い。 In one embodiment, the pipe has a flow part. The flow section is adjacent to the trap section through which the treatment liquid flows. A flow velocity of the processing liquid in the trap section is slower than a flow velocity of the processing liquid in the circulation section.

ある実施形態において、前記配管は、非磁性体材料から形成される。 In one embodiment, the piping is made of non-magnetic material.

ある実施形態において、前記トラップ部は、前記配管の径が変化する箇所に配置される。 In one embodiment, the trap section is arranged at a location where the diameter of the pipe changes.

ある実施形態において、前記配管は、曲がっている曲がり部をさらに有する。前記トラップ部は、前記曲がり部に配置される。 In one embodiment, the pipe further has a curved bend. The trap portion is arranged at the bend portion.

本発明に係る金属除去装置は、基板を処理する処理液中に含まれる金属を除去する。金属除去装置は、磁界発生部と、トラップ部と、配管とを備える。前記磁界発生部は、処理液供給源から供給される処理液に磁界を作用させる。前記トラップ部は、前記磁界の作用を受けて処理液中を移動する前記金属を捕捉する。前記配管は、前記処理液供給源に接続される。前記トラップ部は、前記配管に配置される。前記トラップ部において、前記配管の内周面は凸凹形状を有する。 A metal removing apparatus according to the present invention removes metal contained in a processing liquid for processing a substrate. The metal removing device includes a magnetic field generating section, a trap section, and piping. The magnetic field generator applies a magnetic field to the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply source. The trap section traps the metal moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field. The pipe is connected to the processing liquid supply source. The trap section is arranged in the pipe. In the trap portion, the inner peripheral surface of the pipe has an uneven shape.

ある実施形態において、前記トラップ部は前記配管から取り外し可能である。または、前記配管の外周面に配置された前記磁界発生部は取り外し可能である。 In one embodiment, the trap part is removable from the pipe. Alternatively, the magnetic field generator arranged on the outer peripheral surface of the pipe is removable.

ある実施形態において、前記磁界発生部は電磁石を含む。前記磁界発生部は、前記処理液に磁界を作用させるか否かを切り換え可能である。 In one embodiment, the magnetic field generator includes an electromagnet. The magnetic field generator can switch whether or not to apply a magnetic field to the treatment liquid.

ある実施形態において、前記金属除去装置は、配管と、処理液収容部とをさらに備える。前記配管は、前記処理液供給源に接続される。前記処理液収容部は、前記配管に接続される。前記処理液収容部は、前記処理液を収容する。前記トラップ部は、前記処理液収容部に配置される。 In one embodiment, the metal removal apparatus further includes a pipe and a treatment liquid container. The pipe is connected to the processing liquid supply source. The processing liquid container is connected to the pipe. The treatment liquid container accommodates the treatment liquid. The trap section is arranged in the processing liquid storage section.

本発明に係る金属除去装置は、基板を処理する処理液中に含まれる金属を除去する。金属除去装置は、磁界発生部と、トラップ部とを備える。前記磁界発生部は、処理液供給源から供給される処理液に磁界を作用させる。前記処理液は無極性または低極性である。 A metal removing apparatus according to the present invention removes metal contained in a processing liquid for processing a substrate. The metal removal device includes a magnetic field generator and a trap section. The magnetic field generator applies a magnetic field to the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply source. The treatment liquid is non-polar or low-polar.

本発明に係る金属除去装置は、基板を処理する処理液中に含まれる金属を除去する。金属除去装置は、磁界発生部と、トラップ部とを備える。前記磁界発生部は、処理液供給源から供給される処理液に磁界を作用させる。前記処理液はイソプロピルアルコールを含む。 A metal removing apparatus according to the present invention removes metal contained in a processing liquid for processing a substrate. The metal removal device includes a magnetic field generator and a trap section. The magnetic field generator applies a magnetic field to the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply source. The treatment liquid contains isopropyl alcohol.

本発明に係る基板処理装置は、上記に記載の金属除去装置を備える。前記金属除去装置を通過した前記処理液によって前記基板を処理する。 A substrate processing apparatus according to the present invention includes the metal removing apparatus described above. The substrate is treated with the treatment liquid that has passed through the metal removal device.

本発明に係る基板処理方法は、処理液供給源から配管に処理液を供給する工程と、磁界発生部によって発生する磁界によって、前記処理液中を移動した金属をトラップ部において捕捉して前記処理液中に含まれる前記金属を除去する工程と、前記金属を除去された前記処理液によって基板を処理する工程とを包含し、前記配管は、パーフルオロアルコキシエチレンから形成される。
本発明に係る基板処理方法は、処理液供給源から配管に処理液を供給する工程と、磁界発生部によって発生する磁界によって、前記処理液中を移動した金属をトラップ部において捕捉して前記処理液中に含まれる前記金属を除去する工程と、前記金属を除去された前記処理液によって基板を処理する工程とを包含し、前記トラップ部において、前記配管の内周面は凸凹形状を有する。
本発明に係る基板処理方法は、処理液供給源から配管に処理液を供給する工程と、磁界発生部によって発生する磁界によって、前記処理液中を移動した金属を捕捉して前記処理液中に含まれる前記金属を除去する工程と、前記金属を除去された前記処理液によって基板を処理する工程とを包含し、前記処理液は無極性または低極性である。
本発明に係る基板処理方法は、処理液供給源から配管に処理液を供給する工程と、磁界発生部によって発生する磁界によって、前記処理液中を移動した金属を捕捉して前記処理液中に含まれる前記金属を除去する工程と、前記金属を除去された前記処理液によって基板を処理する工程とを包含し、前記処理液はイソプロピルアルコールを含む。 A substrate processing method according to the present invention comprises the steps of: supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a pipe; The method includes a step of removing the metal contained in the liquid, and a step of treating the substrate with the processing liquid from which the metal has been removed , wherein the pipe is made of perfluoroalkoxyethylene .
A substrate processing method according to the present invention comprises the steps of: supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a pipe; The method includes a step of removing the metal contained in the liquid, and a step of treating the substrate with the processing liquid from which the metal has been removed. In the trap portion, the inner peripheral surface of the pipe has an uneven shape.
A substrate processing method according to the present invention comprises the steps of: supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a pipe; removing the contained metal; and treating the substrate with the processing liquid from which the metal has been removed, wherein the processing liquid is non-polar or low-polar.
A substrate processing method according to the present invention comprises the steps of: supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to a pipe; removing the contained metal; and treating the substrate with the processing liquid from which the metal has been removed, wherein the processing liquid includes isopropyl alcohol.

ある実施形態において、前記基板処理方法は、捕捉した金属を解放することによって排出する排出工程をさらに包含する。 In one embodiment, the substrate processing method further includes a discharging step of discharging by releasing the captured metal.

本発明の金属除去装置によれば、処理液中の金属を除去することができる。 According to the metal removing apparatus of the present invention, the metal in the processing liquid can be removed.

基板処理装置を示す図である。It is a figure which shows a substrate processing apparatus. （ａ）および（ｂ）は、金属除去装置を示す模式的な断面図である。(a) and (b) are schematic cross-sectional views showing a metal removing apparatus. 本発明の実施形態における金属除去装置の金属の捕捉結果を示す図である。It is a figure which shows the capture|acquisition result of the metal of the metal removal apparatus in embodiment of this invention. 金属除去装置を示す模式的な断面図である。It is a typical sectional view showing a metal removing device. （ａ）～（ｄ）は、金属除去装置を示す模式的な断面図である。(a) to (d) are schematic cross-sectional views showing a metal removing apparatus. 金属除去装置を示す模式的な断面図である。It is a typical sectional view showing a metal removing device. 基板処理装置を示す平面図である。It is a top view which shows a substrate processing apparatus. 基板処理装置の配管を示す図である。It is a figure which shows the piping of a substrate processing apparatus. 処理液キャビネットの配管を示す図である。It is a figure which shows the piping of a process liquid cabinet.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. Also, in the embodiment of the present invention, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are orthogonal to each other, the X-axis and Y-axis are parallel to the horizontal direction, and the Z-axis is parallel to the vertical direction.

［実施形態１］
図１を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００について説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。 [Embodiment 1]
A substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. First, the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing apparatus 100. As shown in FIG. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 processes a substrate W with a processing liquid. Specifically, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer type that processes substrates W one by one. The substrate W is substantially disc-shaped.

基板処理装置１００は、処理ユニット１と、供給調節部２と、金属除去装置２００とを備える。 The substrate processing apparatus 100 includes a processing unit 1 , a supply adjustment section 2 and a metal removing apparatus 200 .

処理ユニット１は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。具体的には、処理ユニット１は、チャンバー１０と、スピンチャック１１と、ノズル１２と、供給配管１３と、ノズル移動ユニット１４と、カップ１６とを含む。 The processing unit 1 processes the substrate W by discharging a processing liquid onto the substrate W. FIG. Specifically, the processing unit 1 includes a chamber 10 , a spin chuck 11 , a nozzle 12 , a supply pipe 13 , a nozzle moving unit 14 and a cup 16 .

チャンバー１０は略箱形状を有する。チャンバー１０は、基板Ｗ、スピンチャック１１、ノズル１２、供給配管１３の一部、ノズル移動ユニット１４、およびカップ１６を収容する。スピンチャック１１は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック１１は、チャンバー１０内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線Ａ１の回りに基板Ｗを回転させる。 Chamber 10 has a generally box shape. Chamber 10 accommodates substrate W, spin chuck 11 , nozzle 12 , part of supply pipe 13 , nozzle moving unit 14 , and cup 16 . The spin chuck 11 holds the substrate W and rotates. Specifically, the spin chuck 11 rotates the substrate W around the rotation axis A1 while horizontally holding the substrate W within the chamber 10 .

スピンチャック１１は、複数のチャック部材１１０と、スピンベース１１１と、スピンモーター１１２とを含む。複数のチャック部材１１０は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース１１１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材１１０を支持する。スピンモーター１１２は、スピンベース１１１を回転させることによって、複数のチャック部材１１０に保持された基板Ｗを回転軸線Ａ１の回りに回転させる。 The spin chuck 11 includes multiple chuck members 110 , a spin base 111 and a spin motor 112 . A plurality of chuck members 110 hold the substrate W in a horizontal posture. The spin base 111 has a substantially disc shape and supports the plurality of chuck members 110 in a horizontal posture. The spin motor 112 rotates the substrate W held by the plurality of chuck members 110 around the rotation axis A1 by rotating the spin base 111 .

ノズル１２は、基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は、例えば、無極性または低極性である。処理液は、例えば、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ：ＩＰＡ）を含む。 The nozzle 12 ejects the processing liquid toward the substrate W. As shown in FIG. The processing liquid is, for example, non-polar or low-polar. The treatment liquid contains, for example, isopropyl alcohol (IPA).

供給配管１３はノズル１２に接続される。供給配管１３はノズル１２に処理液を供給する。 A supply pipe 13 is connected to the nozzle 12 . A supply pipe 13 supplies the processing liquid to the nozzle 12 .

供給調節部２は、ノズル１２への処理液の供給量を調節する。供給調節部２は、チャンバー１０の外部において供給配管１３に配置される。なお、供給調節部２は、チャンバー１０の内部において供給配管１３に配置されてもよい。 The supply adjuster 2 adjusts the amount of treatment liquid supplied to the nozzle 12 . The supply control unit 2 is arranged in the supply pipe 13 outside the chamber 10 . The supply adjusting unit 2 may be arranged in the supply pipe 13 inside the chamber 10 .

具体的には、供給調節部２は、ノズル１２への処理液の供給量をゼロにして、ノズル１２への処理液の供給を停止する。供給調節部２は、ノズル１２への処理液の供給量をゼロより多くして、ノズル１２へ処理液を供給する。供給調節部２は、ノズル１２へ供給する処理液の流量を調節する。 Specifically, the supply adjustment unit 2 sets the supply amount of the processing liquid to the nozzles 12 to zero, and stops the supply of the processing liquid to the nozzles 12 . The supply control unit 2 increases the supply amount of the processing liquid to the nozzles 12 from zero and supplies the processing liquid to the nozzles 12 . The supply adjustment unit 2 adjusts the flow rate of the treatment liquid supplied to the nozzles 12 .

さらに具体的には、供給調節部２は、バルブ２０と、流量計２１と、流量調整バルブ２２とを含む。ノズル１２に対する処理液の供給開始および供給停止は、バルブ２０によって切り替えられる。具体的には、バルブ２０は、開閉バルブであり、開状態と閉状態とに切り替え可能である。開状態とは、ノズル１２に向かって供給配管１３内を流れる処理液を通過させる状態のことである。閉状態とは、供給配管１３からノズル１２への処理液の供給を停止する状態のことである。 More specifically, supply control unit 2 includes valve 20 , flow meter 21 , and flow control valve 22 . A valve 20 switches between starting and stopping the supply of the treatment liquid to the nozzle 12 . Specifically, the valve 20 is an open/close valve that can be switched between an open state and a closed state. The open state is a state in which the processing liquid flowing through the supply pipe 13 toward the nozzle 12 is allowed to pass. A closed state is a state in which the supply of the processing liquid from the supply pipe 13 to the nozzle 12 is stopped.

流量計２１は、ノズル１２に供給される処理液の流量を検出する。流量調整バルブ２２は、ノズル１２に供給される処理液の流量を調整する。バルブ２０が開状態になると、処理液が、流量調整バルブ２２の開度に対応する流量で供給配管１３からノズル１２に供給される。その結果、ノズル１２から処理液が吐出される。開度は、流量調整バルブ２２が開いている程度を示す。 A flow meter 21 detects the flow rate of the processing liquid supplied to the nozzle 12 . The flow rate control valve 22 adjusts the flow rate of the processing liquid supplied to the nozzle 12 . When the valve 20 is opened, the processing liquid is supplied from the supply pipe 13 to the nozzle 12 at a flow rate corresponding to the degree of opening of the flow control valve 22 . As a result, the processing liquid is discharged from the nozzles 12 . The degree of opening indicates the extent to which the flow control valve 22 is open.

カップ１６は略筒形状を有する。カップ１６は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。 The cup 16 has a substantially cylindrical shape. The cup 16 receives the processing liquid discharged from the substrate W. As shown in FIG.

ノズル移動ユニット１４は、回動軸線Ａ２の回りに回動して、ノズル１２を水平に移動させる。具体的には、ノズル移動ユニット１４は、ノズル１２の処理位置と待機位置との間で、ノズル１２を水平に移動させる。処理位置は、基板Ｗの上方の位置を示す。待機位置は、スピンチャック１１およびカップ１６よりも外側の位置を示す。また、ノズル移動ユニット１４は、ノズル１２を鉛直に移動させることもできる。 The nozzle moving unit 14 rotates around the rotation axis A2 to move the nozzle 12 horizontally. Specifically, the nozzle moving unit 14 horizontally moves the nozzle 12 between the processing position of the nozzle 12 and the standby position. The processing position indicates a position above the substrate W. FIG. A standby position indicates a position outside the spin chuck 11 and the cup 16 . The nozzle moving unit 14 can also move the nozzle 12 vertically.

金属除去装置２００は、基板Ｗを処理する処理液中に含まれる金属を除去する。基板処理装置１００は、金属除去装置２００を通過した処理液によって基板Ｗを処理する。 The metal removing apparatus 200 removes metal contained in the processing liquid with which the substrate W is processed. The substrate processing apparatus 100 processes the substrate W with the processing liquid that has passed through the metal removing apparatus 200 .

図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して、本発明の実施形態に係る金属除去装置２００について説明する。図２（ａ）および図２（ｂ）は、金属除去装置２００を示す模式的な断面図である。 A metal removal apparatus 200 according to an embodiment of the present invention will now be described with reference to FIGS. 2(a) and 2(b). 2(a) and 2(b) are schematic cross-sectional views showing the metal removing apparatus 200. FIG.

図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、金属除去装置２００は、トラップ部２１０と、磁界発生部２２０と、配管２３０とを備える。 As shown in FIGS. 2( a ) and 2 ( b ), the metal removal device 200 includes a trap section 210 , a magnetic field generation section 220 and a pipe 230 .

配管２３０は、基板Ｗを処理する処理液が流通する。ここでは、処理液は、配管２３０内を図の左方から右方に流れる。すなわち、図の左側が上流側であり、図の右側が下流側である。処理液の流速は、例えば、０．６４ｍ／秒である。処理液には、不純物として金属Ｍが含まれる。金属は、例えば、アルミニウム、クロム、鉄および亜鉛である。金属除去装置２００は、処理液中に含まれる金属を除去する。配管２３０は、処理液供給源に接続される。配管２３０は、処理液が流通する流通部２３４を有する。流通部２３４は、トラップ部２１０に隣接する。配管２３０は、例えば、非磁性体材料から形成される。詳しくは、配管２３０は、例えば、パーフルオロアルコキシエチレンから形成される。 A processing liquid for processing the substrate W flows through the pipe 230 . Here, the processing liquid flows through the pipe 230 from left to right in the figure. That is, the left side of the figure is the upstream side and the right side of the figure is the downstream side. The flow velocity of the treatment liquid is, for example, 0.64 m/sec. The treatment liquid contains metal M as an impurity. Metals are, for example, aluminium, chromium, iron and zinc. The metal removing device 200 removes metal contained in the processing liquid. Piping 230 is connected to a processing liquid supply. The pipe 230 has a flow portion 234 through which the processing liquid flows. The flow section 234 is adjacent to the trap section 210 . The pipe 230 is made of, for example, a non-magnetic material. Specifically, the pipe 230 is made of perfluoroalkoxyethylene, for example.

磁界発生部２２０は、例えば、ネオジウム磁石である。磁界発生部２２０ａは、Ｎ極の磁石である。磁界発生部２２０ｂは、Ｓ極の磁石である。磁界発生部２２０は、例えば、配管２３０の外周面２３２に取り付けられる。詳しくは、磁界発生部２２０ａと磁界発生部２２０ｂとで配管２３０を挟み込むように、磁界発生部２２０ａと磁界発生部２２０ｂとは、配管２３０の外周面２３２に取り付けられる。したがって、磁界発生部２２０は、トラップ部２１０内の処理液に磁界Ｈを作用させる。磁束密度は、例えば、２００ｍＴである。なお、磁界発生部２２０は、電磁石でもよい。磁界発生部２２０が電磁石である場合、処理液に磁界Ｈを作用させるか否かを容易に切り換えることができる。 The magnetic field generator 220 is, for example, a neodymium magnet. The magnetic field generator 220a is an N pole magnet. The magnetic field generator 220b is an S pole magnet. The magnetic field generator 220 is attached to the outer peripheral surface 232 of the pipe 230, for example. Specifically, the magnetic field generator 220a and the magnetic field generator 220b are attached to the outer peripheral surface 232 of the pipe 230 so that the pipe 230 is sandwiched between the magnetic field generator 220a and the magnetic field generator 220b. Therefore, the magnetic field generating section 220 applies the magnetic field H to the treatment liquid in the trap section 210 . Magnetic flux density is, for example, 200 mT. Note that the magnetic field generator 220 may be an electromagnet. When the magnetic field generator 220 is an electromagnet, it is possible to easily switch whether or not to apply the magnetic field H to the treatment liquid.

トラップ部２１０は、配管２３０に配置される。具体的には、トラップ部２１０は、配管２３０の一部を構成する。詳しくは、トラップ部２１０は、配管２３０のうち、磁界発生部２２０が配置されている部分を示す。トラップ部２１０には、処理液供給源から供給された処理液が流通する。図２（ａ）に示すように、磁界Ｈによって、処理液に含まれる金属Ｍがトラップ部２１０に向けて移動する。したがって、図２（ｂ）に示すように、トラップ部２１０は、磁界Ｈの作用を受けて処理液中を移動する金属Ｍを捕捉する。 The trap part 210 is arranged in the pipe 230 . Specifically, the trap part 210 forms part of the pipe 230 . Specifically, the trap section 210 indicates a portion of the pipe 230 where the magnetic field generating section 220 is arranged. The processing liquid supplied from the processing liquid supply source flows through the trap section 210 . As shown in FIG. 2A, the magnetic field H causes the metal M contained in the treatment liquid to move toward the trap section 210 . Therefore, as shown in FIG. 2(b), the trap section 210 traps the metal M moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field H. As shown in FIG.

続いて、本発明の実施形態における基板処理方法について説明する。基板処理方法は、供給工程と、除去工程と、処理工程とを含む。供給工程において、図２（ａ）に示すように、処理液供給源から配管２３０に処理液を供給する。除去工程において、図２（ｂ）に示すように、磁界発生部２２０によって発生する磁界によって、処理液中を移動した金属を捕捉して処理液中に含まれる金属を除去する。処理工程において、金属を除去された処理液によって基板Ｗを処理する。本発明の実施形態における基板処理方法によれば、金属を除去された処理液によって基板Ｗを処理することができる。したがって、歩留まりを向上させることができる。また、基板処理方法は、排出工程をさらに含むことが好ましい。排出工程において、捕捉した金属を解放することによって排出する。金属の排出については図８および図９を参照して後述する。 Next, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described. The substrate processing method includes a supply process, a removal process, and a treatment process. In the supply step, as shown in FIG. 2A, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply source to the pipe 230 . In the removing step, as shown in FIG. 2(b), the magnetic field generated by the magnetic field generator 220 captures the metal that has moved in the processing liquid and removes the metal contained in the processing liquid. In the processing step, the substrate W is processed with the processing liquid from which the metal has been removed. According to the substrate processing method of the embodiment of the present invention, the substrate W can be processed with the processing liquid from which the metal has been removed. Therefore, yield can be improved. Moreover, it is preferable that the substrate processing method further includes a discharge step. In the discharge step, the captured metal is discharged by releasing it. Metal ejection is described below with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.

図３を参照して、本発明の実施形態における金属除去装置の金属の捕捉結果について説明する。図３は、本発明の実施形態における金属除去装置の金属の捕捉結果を示す図である。図３において、横軸は、処理液中に含まれる金属を示す。図３において、縦軸は、処理液中に含まれる金属の量を示す。縦軸の単位は、Ｅ１０ａｔｏｍｏｓ／ｃｍ²である。図３において、データＬ１は、配管に磁界発生部を設けなかった場合のデータを示す。図３において、データＬ２は、配管２３０に磁界発生部２２０を設けた場合のデータを示す。測定条件として、処理液は、ＩＰＡであり、磁束密度は、２００ｍＴであり、処理液の流速は、０．６４ｍ／秒であり、配管２３０の直径は１０ｍｍである。 With reference to FIG. 3, the metal capture result of the metal removal device in the embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a diagram showing the result of metal capture by the metal removal device in the embodiment of the present invention. In FIG. 3, the horizontal axis indicates the metal contained in the treatment liquid. In FIG. 3, the vertical axis indicates the amount of metal contained in the treatment liquid. The unit of the vertical axis is E10 atoms/cm ² . In FIG. 3, data L1 indicates data when no magnetic field generator is provided in the piping. In FIG. 3 , data L2 indicates data when the magnetic field generator 220 is provided in the pipe 230 . As measurement conditions, the treatment liquid is IPA, the magnetic flux density is 200 mT, the flow velocity of the treatment liquid is 0.64 m/sec, and the diameter of the pipe 230 is 10 mm.

図３に示すように、データＬ１に比べて、データＬ２では、処理液に含まれる金属の量が減っていることが確認できた。特に、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）および亜鉛（Ｚｎ）が減っていることが確認できた。アルミニウムは、磁性体としては磁性が弱いが、アルミニウムが処理液中から除去されていることが確認できた。磁性が強い鉄と一緒に塊となって、鉄と一緒にアルミニウムがトラップ部２１０によって捕捉されるためである。 As shown in FIG. 3, it was confirmed that the amount of metal contained in the treatment liquid was smaller in data L2 than in data L1. In particular, it was confirmed that aluminum (Al), chromium (Cr), iron (Fe) and zinc (Zn) were reduced. Although aluminum has weak magnetism as a magnetic material, it was confirmed that aluminum was removed from the treatment liquid. This is because the trap part 210 traps the aluminum together with the iron, which has strong magnetism, together with the iron.

以上、図１～図３を参照して説明したように、トラップ部２１０は、磁界Ｈの作用を受けて処理液中を移動する金属を捕捉する。したがって、処理液中の金属を除去することができる。その結果、処理液の純度が向上し、歩留まりを向上させることができる。 As described above with reference to FIGS. 1 to 3, the trap section 210 traps metal moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field H. FIG. Therefore, the metal in the processing liquid can be removed. As a result, the purity of the processing liquid is improved, and the yield can be improved.

また、トラップ部２１０は、配管２３０に配置される。したがって、配管２３０内に流れる処理液中の金属を除去することができる。その結果、処理液の純度が向上し、歩留まりを向上させることができる。 Also, the trap part 210 is arranged in the pipe 230 . Therefore, the metal in the processing liquid flowing through the pipe 230 can be removed. As a result, the purity of the processing liquid is improved, and the yield can be improved.

また、配管２３０は、非磁性体材料から形成される。したがって、磁界発生部２２０がトラップ部２１０内の処理液に磁界を作用させる妨げにならない。このため、磁界発生部２２０がトラップ部２１０内の処理液に磁界を作用させることができる。その結果、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉することができる。 Also, the pipe 230 is made of a non-magnetic material. Therefore, the magnetic field generating section 220 does not interfere with applying the magnetic field to the treatment liquid in the trap section 210 . Therefore, the magnetic field generating section 220 can apply a magnetic field to the processing liquid in the trap section 210 . As a result, the trap part 210 can trap the metal moved in the treatment liquid by the magnetic field H. FIG.

また、処理液は、無極性または低極性である。したがって、磁界発生部２２０がトラップ部２１０内の処理液に磁界を作用させることができる。その結果、イオン交換方式のフィルターでは除去できない処理液中の金属を捕捉することができる。 Also, the treatment liquid is non-polar or low-polar. Therefore, the magnetic field generating section 220 can apply a magnetic field to the treatment liquid in the trap section 210 . As a result, it is possible to capture metals in the treatment liquid that cannot be removed by an ion exchange filter.

［実施形態２］
図１～図３を参照して説明した金属除去装置２００では、トラップ部２１０は配管２３０に配置されていたが、トラップ部２１０は処理液収容部２５０に配置されてもよい。 [Embodiment 2]
In the metal removing apparatus 200 described with reference to FIGS. 1 to 3, the trap section 210 is arranged in the pipe 230, but the trap section 210 may be arranged in the processing liquid storage section 250. FIG.

図４を参照して、本発明の実施形態２に係る金属除去装置２００について説明する。図４は、金属除去装置２００を示す模式的な断面図である。トラップ部２１０が処理液収容部２５０に配置される点で、実施形態２に係る金属除去装置２００は、実施形態１に係る金属除去装置２００と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。 A metal removing apparatus 200 according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the metal removing device 200. As shown in FIG. The metal removing apparatus 200 according to the second embodiment is mainly different from the metal removing apparatus 200 according to the first embodiment in that the trap section 210 is arranged in the processing liquid storage section 250 . In the following, differences of the second embodiment from the first embodiment will be mainly described.

図４に示すように、金属除去装置２００は、トラップ部２１０と、磁界発生部２２０と、配管２３０とに加えて、処理液供給源２４０と、処理液収容部２５０とを備える。 As shown in FIG. 4 , the metal removal apparatus 200 includes a trap section 210 , a magnetic field generation section 220 , a pipe 230 , a processing liquid supply source 240 and a processing liquid storage section 250 .

磁界発生部２２０は、処理液収容部２５０の外周面に取り付けられる。 The magnetic field generator 220 is attached to the outer peripheral surface of the treatment liquid container 250 .

配管２３０は、処理液供給源２４０に接続されている。 The pipe 230 is connected to a processing liquid supply source 240 .

処理液供給源２４０は、配管２３０を介して処理液収容部２５０に処理液を供給する。処理液供給源２４０は、例えば、タンクである。 The processing liquid supply source 240 supplies the processing liquid to the processing liquid container 250 through the pipe 230 . The processing liquid supply source 240 is, for example, a tank.

処理液収容部２５０は、配管２３０に接続されている。処理液収容部２５０は、処理液を収容する。処理液収容部２５０は、例えば、処理液供給源２４０よりも小さいタンクである。処理液収容部２５０における処理液の流速は０に近い。 The treatment liquid container 250 is connected to the pipe 230 . The treatment liquid container 250 contains the treatment liquid. The processing liquid container 250 is, for example, a tank that is smaller than the processing liquid supply source 240 . The flow velocity of the processing liquid in the processing liquid container 250 is close to zero.

トラップ部２１０は、処理液収容部２５０に配置される。処理液収容部２５０における処理液の流速は０に近い。したがって、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉し易くなる。その結果、処理液中の金属を除去することができる。 The trap section 210 is arranged in the processing liquid storage section 250 . The flow velocity of the processing liquid in the processing liquid container 250 is close to zero. Therefore, the trap part 210 can easily trap the metal that has moved in the treatment liquid due to the magnetic field H. FIG. As a result, the metal in the processing liquid can be removed.

［実施形態３］
図１～図３を参照して説明した金属除去装置２００では、トラップ部２１０は配管２３０の直線状の部分に配置されていたが、トラップ部２１０は配管２３０の直線状の部分以外に配置されてもよい。 [Embodiment 3]
In the metal removing apparatus 200 described with reference to FIGS. 1 to 3, the trap section 210 is arranged in the linear portion of the pipe 230, but the trap section 210 is arranged in a portion other than the linear portion of the pipe 230. may

図５（ａ）～（ｄ）を参照して、本発明の実施形態３に係る金属除去装置２００について説明する。図５（ａ）～（ｄ）は、金属除去装置２００を示す模式的な断面図である。トラップ部２１０が配管２３０の直線状の部分以外に配置されている点で、実施形態３に係る金属除去装置２００は、実施形態１に係る金属除去装置２００と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態１と異なる点を主に説明する。なお、図５（ａ）～図５（ｄ）では、図面の簡略化のため、磁界発生部２２０は省略している。 A metal removing apparatus 200 according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 5(a) to 5(d). 5A to 5D are schematic cross-sectional views showing the metal removal device 200. FIG. The metal removing apparatus 200 according to the third embodiment is mainly different from the metal removing apparatus 200 according to the first embodiment in that the trap part 210 is arranged at a portion other than the linear portion of the pipe 230 . In the following, differences of the third embodiment from the first embodiment will be mainly described. Note that the magnetic field generator 220 is omitted in FIGS. 5(a) to 5(d) for simplification of the drawings.

図５（ａ）に示すように、配管２３０の径は、ｄ１からｄ２に大きくなっている。トラップ部２１０は、配管２３０の径が変化する箇所に配置される。配管２３０の径が変化する箇所では、処理液の流速は低下する。すなわち、トラップ部２１０における処理液の流速は、流通部２３４における処理液の流速よりも遅い。したがって、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉し易くなる。 As shown in FIG. 5(a), the diameter of the pipe 230 increases from d1 to d2. The trap part 210 is arranged at a location where the diameter of the pipe 230 changes. The flow velocity of the processing liquid decreases where the diameter of the pipe 230 changes. That is, the flow velocity of the treatment liquid in the trap section 210 is slower than the flow velocity of the treatment liquid in the circulation section 234 . Therefore, the trap part 210 can easily trap the metal that has moved in the treatment liquid due to the magnetic field H. FIG.

図５（ｂ）に示すように、配管２３０は、曲がり部２３５を有する。曲がり部２３５は、配管２３０が曲がっている箇所である。トラップ部２１０は、曲がり部２３５に配置される。曲がり部２３５では、圧力損失によって、処理液の流速は低下する。すなわち、トラップ部２１０における処理液の流速は、流通部２３４における処理液の流速よりも遅い。したがって、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉し易くなる。その結果、処理液中の金属を除去することができる。 As shown in FIG. 5B, the pipe 230 has a bend 235. As shown in FIG. A bent portion 235 is a portion where the pipe 230 is bent. The trap portion 210 is located at the bend portion 235 . At the curved portion 235, the flow velocity of the processing liquid decreases due to pressure loss. That is, the flow velocity of the treatment liquid in the trap section 210 is slower than the flow velocity of the treatment liquid in the circulation section 234 . Therefore, the trap part 210 can easily trap the metal that has moved in the treatment liquid due to the magnetic field H. FIG. As a result, the metal in the processing liquid can be removed.

図５（ｃ）に示すように、配管２３０は、曲がり部２３５を有する。曲がり部２３５は、配管２３０が曲がっている箇所である。曲がり部２３５において、配管２３０が凹んでいる。トラップ部２１０は、曲がり部２３５に配置される。曲がり部２３５では、圧力損失によって、処理液の流速は低下する。すなわち、トラップ部２１０における処理液の流速は、流通部２３４における処理液の流速よりも遅い。したがって、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉し易くなる。その結果、処理液中の金属を除去することができる。 As shown in FIG. 5(c), the pipe 230 has a bent portion 235. As shown in FIG. A bent portion 235 is a portion where the pipe 230 is bent. The pipe 230 is recessed at the bend 235 . The trap portion 210 is located at the bend portion 235 . At the curved portion 235, the flow velocity of the processing liquid decreases due to pressure loss. That is, the flow velocity of the treatment liquid in the trap section 210 is slower than the flow velocity of the treatment liquid in the circulation section 234 . Therefore, the trap part 210 can easily trap the metal that has moved in the treatment liquid due to the magnetic field H. FIG. As a result, the metal in the processing liquid can be removed.

図５（ｄ）に示すように、配管２３０は、複数の曲がり部２３５を有する。曲がり部２３５は、配管２３０が曲がっている箇所である。トラップ部２１０は、複数の曲がり部２３５のそれぞれに配置される。曲がり部２３５では、圧力損失によって、処理液の流速は低下する。すなわち、トラップ部２１０における処理液の流速は、流通部２３４における処理液の流速よりも遅い。したがって、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉し易くなる。その結果、処理液中の金属を除去することができる。 As shown in FIG. 5(d), the pipe 230 has a plurality of bends 235. As shown in FIG. A bent portion 235 is a portion where the pipe 230 is bent. The trap portion 210 is arranged at each of the plurality of bends 235 . At the curved portion 235, the flow velocity of the processing liquid decreases due to pressure loss. That is, the flow velocity of the treatment liquid in the trap section 210 is slower than the flow velocity of the treatment liquid in the circulation section 234 . Therefore, the trap part 210 can easily trap the metal that has moved in the treatment liquid due to the magnetic field H. FIG. As a result, the metal in the processing liquid can be removed.

［実施形態４］
なお、配管２３０の内周面２３３は、凸凹形状を有していてもよい。 [Embodiment 4]
In addition, the inner peripheral surface 233 of the pipe 230 may have an uneven shape.

図６を参照して、本発明の実施形態４に係る金属除去装置２００について説明する。図６は、金属除去装置２００を示す模式的な断面図である。配管２３０の内周面２３３が凸凹形状を有する点で、実施形態４に係る金属除去装置２００は、実施形態１に係る金属除去装置２００と主に異なる。以下、実施形態４が実施形態１と異なる点を主に説明する。 A metal removal apparatus 200 according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the metal removing device 200. As shown in FIG. The metal removing device 200 according to the fourth embodiment is mainly different from the metal removing device 200 according to the first embodiment in that the inner peripheral surface 233 of the pipe 230 has an uneven shape. Differences of the fourth embodiment from the first embodiment will be mainly described below.

図６に示すように、トラップ部２１０において、配管２３０の内周面２３３は、凹凸形状を有する。したがって、トラップ部２１０は、磁界Ｈによって処理液中を移動した金属を捕捉し易くなる。その結果、処理液中の金属を除去することができる。 As shown in FIG. 6, in the trap portion 210, the inner peripheral surface 233 of the pipe 230 has an uneven shape. Therefore, the trap part 210 can easily trap the metal that has moved in the treatment liquid due to the magnetic field H. FIG. As a result, the metal in the processing liquid can be removed.

［実施形態５］
図７～図９を参照して、本発明の実施形態５に係る基板処理装置１００について説明する。実施形態５が複数の処理ユニット１を備えている点で、実施形態５は実施形態１と異なる。以下、実施形態５が実施形態１と異なる点を主に説明する。 [Embodiment 5]
A substrate processing apparatus 100 according to Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 9. FIG. Embodiment 5 differs from Embodiment 1 in that Embodiment 5 includes a plurality of processing units 1 . The following mainly describes the differences of the fifth embodiment from the first embodiment.

まず、図７を参照して、基板処理装置１００について説明する。図７は、基板処理装置１００を示す平面図である。図７に示すように、基板処理装置１００は、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、複数の処理ユニット１と、複数の流体ボックス４と、処理液キャビネット５とを備える。 First, the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a plan view showing the substrate processing apparatus 100. FIG. As shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, a center robot CR, a plurality of processing units 1, a plurality of fluid boxes 4, and a processing liquid cabinet 5. Prepare.

ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。流体ボックス４の各々は流体機器を収容する。処理液キャビネット５は処理液を収容する。 Each load port LP accommodates a plurality of substrates W in a stack. The indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the processing units 1 . Each of the processing units 1 processes the substrate W by ejecting a processing liquid onto the substrate W. FIG. Each fluid box 4 houses a fluid device. The processing liquid cabinet 5 contains processing liquids.

具体的には、複数の処理ユニット１は、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（実施形態５では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット１（実施形態５では３つの処理ユニット１）を含む。複数の流体ボックス４は、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。処理液キャビネット５内の処理液は、いずれかの流体ボックス４を介して、流体ボックス４に対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１に供給される。 Specifically, the plurality of processing units 1 form a plurality of towers TW (four towers TW in the fifth embodiment) arranged to surround the center robot CR in plan view. Each tower TW includes a plurality of vertically stacked processing units 1 (three processing units 1 in the fifth embodiment). A plurality of fluid boxes 4 correspond to a plurality of towers TW, respectively. The processing liquid in the processing liquid cabinet 5 is supplied to all the processing units 1 included in the tower TW corresponding to the fluid box 4 via one of the fluid boxes 4 .

また、実施形態５では、基板処理装置１００は、チャンバー１０ごとに、スピンチャック１１とノズル１２と供給調節部２とを備える。チャンバー１０の各々は、スピンチャック１１とノズル１２と供給調節部２とを収容する。 Moreover, in the fifth embodiment, the substrate processing apparatus 100 includes the spin chuck 11 , the nozzle 12 and the supply control unit 2 for each chamber 10 . Each chamber 10 accommodates a spin chuck 11 , a nozzle 12 and a supply control unit 2 .

次に、図８および図９を参照して、ノズル１２への処理液の供給について説明する。図８は、基板処理装置１００の配管を示す図である。図９は、処理液キャビネット５の配管を示す図である。図８に示すように、基板処理装置１００は、各タワーＴＷにおいて、処理ユニット１ごとに、供給配管１３と分岐配管１９と供給調節部２とバルブ２３とを備えている。供給調節部２は、タワーＴＷに対応する流体ボックス４に収容される。各供給配管１３の一部はチャンバー１０に収容され、各供給配管１３の他の一部は流体ボックス４に収容される。分岐配管１９は、供給配管１３から分岐した配管を示す。分岐配管１９は、バルブ２３を介して処理液キャビネット５のドレンタンク７０（図９）に接続される。バルブ２３を開閉するとによって、分岐配管１９内の処理液を排出するか否かを制御している。例えば、バルブ２３を開状態することによって、分岐配管１９内の処理液をドレンタンク７０に排出する。 Next, the supply of the processing liquid to the nozzles 12 will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG. FIG. 8 is a diagram showing the piping of the substrate processing apparatus 100. As shown in FIG. FIG. 9 is a diagram showing the piping of the processing liquid cabinet 5. As shown in FIG. As shown in FIG. 8, the substrate processing apparatus 100 includes a supply pipe 13, a branch pipe 19, a supply control section 2, and a valve 23 for each processing unit 1 in each tower TW. The supply adjuster 2 is housed in a fluid box 4 corresponding to the tower TW. A portion of each supply pipe 13 is housed in the chamber 10 and another portion of each supply pipe 13 is housed in the fluid box 4 . A branch pipe 19 indicates a pipe branched from the supply pipe 13 . The branch pipe 19 is connected to the drain tank 70 (FIG. 9) of the processing liquid cabinet 5 via the valve 23 . By opening and closing the valve 23, it is controlled whether or not the processing liquid in the branch pipe 19 is discharged. For example, by opening the valve 23 , the processing liquid in the branch pipe 19 is drained to the drain tank 70 .

図９に示すように、処理液キャビネット５は、複数の一次フィルターと、複数の二次フィルターと、複数のバルブと、複数の流量調整バルブと、複数の処理液タンクと、複数の配管と、ドレンタンク７０とを有する。複数の一次フィルターは、一次フィルター５１と、一次フィルター５２とを含む。複数の二次フィルターは、二次フィルター６１と、二次フィルター６３と、二次フィルター６５と、二次フィルター６７とを含む。複数のバルブは、バルブ５３と、バルブ５４と、バルブ５５と、バルブ５９と、バルブ６２、バルブ６４と、バルブ６６と、バルブ６８とを含む。複数の流量調整バルブは、流量調整バルブ５６と、流量調整バルブ６０とを含む。複数の処理液タンクは、処理液タンク５７と、処理液タンク５８とを含む。複数の配管は、配管２３０ａと、配管２３０ｂと、配管２３０ｃと、配管２３０ｄと、配管２３０ｅとを含む。 As shown in FIG. 9, the processing liquid cabinet 5 includes a plurality of primary filters, a plurality of secondary filters, a plurality of valves, a plurality of flow control valves, a plurality of processing liquid tanks, a plurality of pipes, and a drain tank 70 . The multiple primary filters include primary filter 51 and primary filter 52 . The plurality of secondary filters includes secondary filter 61 , secondary filter 63 , secondary filter 65 and secondary filter 67 . The plurality of valves includes valve 53 , valve 54 , valve 55 , valve 59 , valve 62 , valve 64 , valve 66 and valve 68 . The plurality of flow control valves includes flow control valve 56 and flow control valve 60 . The plurality of processing liquid tanks includes a processing liquid tank 57 and a processing liquid tank 58 . The plurality of pipes includes pipe 230a, pipe 230b, pipe 230c, pipe 230d, and pipe 230e.

配管２３０ａは、一次フィルター５１の上流側に接続される配管を示す。配管２３０ｂは、一次フィルター５２の下流側に接続され、処理液タンク５７および処理液タンク５８の上流側に接続される配管を示す。配管２３０ｃは、処理液タンク５７および処理液タンク５８の下流側に接続される配管を示す。配管２３０ｄは、二次フィルター６１、二次フィルター６３、二次フィルター６５および二次フィルター６７の上流側に接続される分岐した配管を示す。配管２３０ｅは、流体ボックス４の上流側に接続される分岐した配管を示す。 A pipe 230 a indicates a pipe connected to the upstream side of the primary filter 51 . A pipe 230 b represents a pipe connected to the downstream side of the primary filter 52 and to the upstream side of the processing liquid tank 57 and the processing liquid tank 58 . A pipe 230 c indicates a pipe connected downstream of the processing liquid tanks 57 and 58 . 230 d of piping shows the branched piping connected to the upstream of the secondary filter 61, the secondary filter 63, the secondary filter 65, and the secondary filter 67. FIG. A pipe 230 e indicates a branched pipe connected to the upstream side of the fluid box 4 .

処理液（ＩＰＡ）は、配管２３０ａを流通して一次フィルター５１に供給される。一次フィルター５１と、一次フィルター５２とは、配管を流れる処理液から異物を除去する。一次フィルター５１は、一次フィルター５２と接続している。一次フィルター５１は、バルブ５３を介してドレンタンク７０と接続している。一次フィルター５２は、バルブ５４を介してドレンタンク７０と接続している。金属除去装置２００は、例えば、配管２３０ａ中のいずれかの箇所に配置される。したがって、一次フィルター５１には、金属除去装置２００によって金属を除去された処理液が供給される。 The treatment liquid (IPA) is supplied to the primary filter 51 through the pipe 230a. The primary filters 51 and 52 remove foreign substances from the processing liquid flowing through the pipes. Primary filter 51 is connected to primary filter 52 . Primary filter 51 is connected to drain tank 70 via valve 53 . Primary filter 52 is connected to drain tank 70 via valve 54 . The metal removing device 200 is arranged, for example, at any point in the pipe 230a. Therefore, the primary filter 51 is supplied with the treatment liquid from which the metal has been removed by the metal removing device 200 .

一次フィルター５２は、配管２３０ｂを介して、処理液タンク５７と処理液タンク５８とに接続している。処理液タンク５７と処理液タンク５８とには処理液が収容されている。処理液タンク５７は、バルブ５５および流量調整バルブ５６を介してドレンタンク７０と接続している。処理液タンク５８は、バルブ５９および流量調整バルブ６０を介してドレンタンク７０と接続している。金属除去装置２００は、例えば、配管２３０ｂ中のいずれかの箇所に配置される。したがって、処理液タンク５７および処理液タンク５８には、金属除去装置２００によって金属を除去された処理液が供給される。 The primary filter 52 is connected to the processing liquid tank 57 and the processing liquid tank 58 via a pipe 230b. The processing liquid tank 57 and the processing liquid tank 58 contain the processing liquid. The processing liquid tank 57 is connected to the drain tank 70 via the valve 55 and the flow control valve 56 . The processing liquid tank 58 is connected to the drain tank 70 via the valve 59 and the flow control valve 60 . The metal removing device 200 is arranged, for example, at any point in the pipe 230b. Therefore, the processing liquid from which the metal has been removed by the metal removing device 200 is supplied to the processing liquid tank 57 and the processing liquid tank 58 .

処理液タンク５７は、配管２３０ｃおよび配管２３０ｄを介して、二次フィルター６５および二次フィルター６７と接続している。処理液タンク５８は、配管２３０ｃおよび配管２３０ｄを介して、二次フィルター６１および二次フィルター６３と接続している。配管２３０ｄは、配管２３０ｃが分岐した配管である。二次フィルター６５と、二次フィルター６７とは、配管を流れる処理液から異物を除去する。金属除去装置２００は、例えば、配管２３０ｃ中のいずれかの箇所に配置される。また、金属除去装置２００は、例えば、配管２３０ｄ中のいずれかの箇所に配置される。したがって、二次フィルター６１、二次フィルター６３、二次フィルター６５および二次フィルター６７には、金属除去装置２００によって金属を除去された処理液が供給される。 The processing liquid tank 57 is connected to the secondary filters 65 and 67 via pipes 230c and 230d. The processing liquid tank 58 is connected to the secondary filters 61 and 63 via pipes 230c and 230d. The pipe 230d is a branch of the pipe 230c. The secondary filters 65 and 67 remove foreign matter from the processing liquid flowing through the pipes. The metal removing device 200 is arranged, for example, at any point in the pipe 230c. Also, the metal removing device 200 is arranged, for example, at any location in the pipe 230d. Therefore, the secondary filter 61 , the secondary filter 63 , the secondary filter 65 and the secondary filter 67 are supplied with the treatment liquid from which the metal has been removed by the metal removing device 200 .

二次フィルター６１、二次フィルター６３、二次フィルター６５および二次フィルター６７の各々は、配管２３０ｅを介して流体ボックス４と接続している。配管２３０ｅは、分岐した配管である。金属除去装置２００は、例えば、分岐した配管２３０ｅ中のいずれかの箇所に配置される。したがって、流体ボックス４には、金属除去装置２００によって金属を除去された処理液が供給される。 Each of secondary filter 61, secondary filter 63, secondary filter 65 and secondary filter 67 is connected to fluid box 4 via pipe 230e. The pipe 230e is a branched pipe. The metal removing device 200 is arranged, for example, at any point in the branched pipe 230e. Therefore, the fluid box 4 is supplied with the processing liquid from which the metal has been removed by the metal removing device 200 .

また、金属除去装置２００は、例えば、一次フィルター５１、一次フィルター５２、二次フィルター６１、二次フィルター６３、二次フィルター６５および二次フィルター６７の各々に配置される。詳しくは、一次フィルター５１、一次フィルター５２、二次フィルター６１、二次フィルター６３、二次フィルター６５および二次フィルター６７の各々のハウジングに、磁界発生部２２０が取り付けられる。したがって、フィルターでは除去できない金属を、金属除去装置２００によって除去することができる。 Moreover, the metal removing device 200 is arranged in each of the primary filter 51, the primary filter 52, the secondary filter 61, the secondary filter 63, the secondary filter 65, and the secondary filter 67, for example. Specifically, the magnetic field generator 220 is attached to each housing of the primary filter 51 , primary filter 52 , secondary filter 61 , secondary filter 63 , secondary filter 65 and secondary filter 67 . Therefore, the metal removing device 200 can remove metals that cannot be removed by the filter.

再び、図８を参照する。図８に示すように、金属除去装置２００は、流体ボックス４内の供給調節部２の上流側に接続される配管中のいずれかの箇所に配置される。また、金属除去装置２００は、流量調整バルブ２２の下流側に配置されるノズル１２までの供給配管１３中のいずれかの箇所に配置される。したがって、金属除去装置２００によって金属を除去された処理液を、基板Ｗに向けてノズル１２は吐出する。 Again, refer to FIG. As shown in FIG. 8 , the metal removing device 200 is arranged at any point in the piping connected to the upstream side of the supply adjusting section 2 inside the fluid box 4 . Also, the metal removing device 200 is arranged at any point in the supply pipe 13 up to the nozzle 12 arranged on the downstream side of the flow control valve 22 . Therefore, the nozzle 12 discharges toward the substrate W the processing liquid from which the metal has been removed by the metal removing apparatus 200 .

なお、トラップ部２１０は配管２３０から取り外し可能であることが好ましい。例えば、トラップ部２１０は、継ぎ手を介して配管２３０を接続されており、取り外し可能にしてよい。この場合、三方弁を用いることによってバイパスルートを設けることによって処理液の流れを止めることなくトラップ部２１０を取り外せることが好ましい。また、配管２３０の外周面２３２に配置された磁界発生部２２０は、取り外し可能であることが好ましい。磁界発生部２２０を取り外すことによって、磁界が無くなる。その結果、トラップ部２１０によって捕捉されていた金属がトラップ部２１０から解放される。この場合、トラップ部２１０から解放された金属は、ドレンタンク７０に排出されることが好ましい。 Note that the trap part 210 is preferably removable from the pipe 230 . For example, the trap section 210 is connected to the pipe 230 via a joint and may be made removable. In this case, it is preferable that the trap part 210 can be removed without stopping the flow of the treatment liquid by providing a bypass route by using a three-way valve. Further, the magnetic field generator 220 arranged on the outer peripheral surface 232 of the pipe 230 is preferably removable. By removing the magnetic field generator 220, the magnetic field disappears. As a result, the metal trapped by trap section 210 is released from trap section 210 . In this case, the metal released from the trap part 210 is preferably discharged to the drain tank 70 .

また、磁界発生部２２０が電磁石である場合、電磁石に与える電流を停止することによって、処理液に磁界Ｈを作用させなくすることができる。したがって、トラップ部２１０によって捕捉されていた金属がトラップ部２１０から解放される。トラップ部２１０から解放された金属は、ドレンタンク７０に排出されることが好ましい。 Further, when the magnetic field generator 220 is an electromagnet, the magnetic field H can be prevented from acting on the treatment liquid by stopping the current applied to the electromagnet. Therefore, the metal trapped by trap section 210 is released from trap section 210 . The metal released from the trap section 210 is preferably discharged to the drain tank 70 .

図８に示す供給配管１３中に配置される金属除去装置２００を例にして、捕捉した金属の排出を説明する。まず、電磁石に与える電流を停止することによって、処理液に磁界Ｈを作用させなくする。その結果、トラップ部２１０によって捕捉されていた金属がトラップ部２１０から解放される。この際、バルブ２３を開状態することによって、分岐配管１９内の処理液がドレンタンク７０に排出される。すなわち、トラップ部２１０から解放された金属は、ドレンタンク７０に排出される。 Taking the metal removal device 200 arranged in the supply pipe 13 shown in FIG. 8 as an example, the discharge of captured metals will be described. First, by stopping the current applied to the electromagnet, the magnetic field H is not applied to the treatment liquid. As a result, the metal trapped by trap section 210 is released from trap section 210 . At this time, the processing liquid in the branch pipe 19 is discharged to the drain tank 70 by opening the valve 23 . That is, the metal released from the trap part 210 is discharged to the drain tank 70 .

以上、図面（図１～図９）を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数等は、図面作成の都合上から実際とは異なる。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 9). However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the present invention. In order to facilitate understanding, the drawings schematically show each component mainly, and the thickness, length, number, etc. of each component illustrated are different from the actual ones due to the convenience of drawing. . In addition, the material, shape, dimensions, etc. of each component shown in the above embodiment are examples and are not particularly limited, and various changes are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention. be.

２００金属除去装置
２１０トラップ部
２２０、２２０ａ、２２０ｂ磁界発生部
２３０、２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅ配管
２３２外周面
２３３内周面
２３４流通部
２３５曲がり部
２４０処理液供給源
２５０処理液収容部
Ｍ金属
Ｗ基板 200 Metal removing device 210 Trap parts 220, 220a, 220b Magnetic field generating parts 230, 230a, 230b, 230c, 230d, 230e Piping 232 Outer peripheral surface 233 Inner peripheral surface 234 Flow part 235 Bent part 240 Processing liquid supply source 250 Processing liquid storage section M Metal W Substrate

Claims

A metal removing apparatus for removing metal contained in a processing liquid for processing a substrate,
a magnetic field generator that applies a magnetic field to the processing liquid supplied from the processing liquid supply source;
a trap section for trapping the metal moving in the processing liquid under the action of the magnetic field; and a pipe connected to the processing liquid supply source .
with
The trap part is arranged in the pipe,
The metal removal device , wherein the piping is formed from perfluoroalkoxyethylene .

The pipe has a flow part,
the flow section is adjacent to the trap section through which the treatment liquid flows;
2. The metal removal apparatus according to claim 1 , wherein the flow velocity of said treatment liquid in said trap section is slower than the flow velocity of said treatment liquid in said circulation section.

3. The metal removing apparatus according to claim 1 , wherein said piping is made of non-magnetic material.

The metal removing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein the trap section is arranged at a location where the diameter of the pipe changes.

The pipe further has a curved bend,
5. The metal removal apparatus according to any one of claims 1 to 4 , wherein said trap portion is arranged at said bend portion.

A metal removing apparatus for removing metal contained in a processing liquid for processing a substrate,
a magnetic field generator that applies a magnetic field to the processing liquid supplied from the processing liquid supply source;
a trap section for trapping the metal moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field;
a pipe connected to the processing liquid supply source;
with
The trap part is arranged in the pipe,
The metal removing device, wherein the pipe has an uneven inner peripheral surface in the trap section.

7. The metal removal according to any one of claims 1 to 6 , wherein the trap part is removable from the pipe, or the magnetic field generator arranged on the outer peripheral surface of the pipe is removable. Device.

8. The metal removing apparatus according to any one of claims 1 to 7 , wherein said magnetic field generator includes an electromagnet, and can switch whether or not to apply a magnetic field to said treatment liquid.

a pipe connected to the processing liquid supply source;
a processing liquid storage unit that is connected to the pipe and stores the processing liquid,
2. The metal removing apparatus according to claim 1, wherein said trap section is arranged in said processing liquid storage section.

A metal removing apparatus for removing metal contained in a processing liquid for processing a substrate,
a magnetic field generator that applies a magnetic field to the processing liquid supplied from the processing liquid supply source;
a trap section for trapping the metal moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field;
The metal removal apparatus, wherein the treatment liquid is non-polar or low-polar.

A metal removing apparatus for removing metal contained in a processing liquid for processing a substrate,
a magnetic field generator that applies a magnetic field to the processing liquid supplied from the processing liquid supply source;
a trap section for trapping the metal moving in the treatment liquid under the action of the magnetic field;
The metal removal apparatus, wherein the processing liquid includes isopropyl alcohol.

Equipped with the metal removal apparatus according to any one of claims 1 to 11 ,
A substrate processing apparatus for processing the substrate with the processing liquid that has passed through the metal removal apparatus.

supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to the piping;
a step of removing the metal contained in the treatment liquid by trapping the metal that has moved in the treatment liquid in the trap section by the magnetic field generated by the magnetic field generation section;
and processing a substrate with the processing solution from which the metal has been removed ;
The substrate processing method , wherein the pipe is made of perfluoroalkoxyethylene .

supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to the piping;
a step of removing the metal contained in the treatment liquid by trapping the metal that has moved in the treatment liquid in the trap section by the magnetic field generated by the magnetic field generation section;
a step of treating a substrate with the treatment liquid from which the metal has been removed;
encompasses
The substrate processing method, wherein in the trap part, the inner peripheral surface of the pipe has an uneven shape.

supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to the piping;
a step of capturing the metal that has migrated in the treatment liquid and removing the metal contained in the treatment liquid by a magnetic field generated by a magnetic field generating unit;
a step of treating a substrate with the treatment liquid from which the metal has been removed;
encompasses
The substrate processing method, wherein the processing liquid is non-polar or low-polar.

supplying a processing liquid from a processing liquid supply source to the piping;
a step of capturing the metal that has migrated in the treatment liquid and removing the metal contained in the treatment liquid by a magnetic field generated by a magnetic field generating unit;
processing a substrate with the processing liquid from which the metal has been removed;
encompasses
The substrate processing method, wherein the processing liquid contains isopropyl alcohol.

17. The substrate processing method according to any one of claims 13 to 16 , further comprising a discharging step of discharging by releasing captured metal.