JP7223638B2 - Multi-cavity ceramic substrate, manufacturing method thereof, and manufacturing method of ceramic substrate - Google Patents
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Description
本発明は、多数個取りセラミック基板、およびその製造方法に関する。また、本発明は、多数個取りセラミック基板を分割して得られるセラミック基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a multi-cavity ceramic substrate and a manufacturing method thereof. The present invention also relates to a method of manufacturing a ceramic substrate obtained by dividing a multi-cavity ceramic substrate.
複数の基板要素部を含む多数個取りセラミック基板は、個片のセラミック基板となる基板領域(製品エリアとも呼ばれる)と、この基板領域の外側に位置する外周領域とを有している。多数個取りセラミック基板の基板領域には、各基板要素部を個々に分割するために、それぞれの基板要素部の境界に沿って縦横に延びる分割溝が形成されている。 A multi-cavity ceramic substrate including a plurality of substrate element portions has a substrate area (also called a product area) that becomes individual ceramic substrates, and an outer peripheral area positioned outside the substrate area. In the substrate region of the multi-cavity ceramic substrate, division grooves are formed that extend longitudinally and laterally along the boundaries of the respective substrate element portions in order to divide the substrate element portions into individual pieces.
例えば、特許文献1には、導体パターンを印刷形成したセラミックグリーンシートを複数積層して板状成形体とし、導体パターンとセラミックグリーンシートとを一体焼結した積層基板が開示されている。この積層基板の主面には、互いに平行な複数の第1の分割溝、およびこの第1の分割溝と直交する複数の第2の分割溝が設けられている。この積層基板を、第1および第2の分割溝に沿って分割することで、複数の個片積層体が得られる。各個片積層体には、導体パターンによって内部回路素子が形成されている。
For example,
このような積層基板において、個片積層体形成領域の周囲には、焼結時に起こり得る積層基板の変形を抑えるために、導体パターンからなる変形抑止導体層が形成されている。 In such a laminated substrate, a deformation-suppressing conductor layer made of a conductor pattern is formed around the individual-piece laminated body forming region in order to suppress deformation of the laminated substrate that may occur during sintering.
ところで、セラミック基板において、配線などの導電パターンを形成するための金属材料として、タングステン(W)およびモリブデン(Mo)が用いられる場合がある(例えば、特許文献2参照)。 By the way, in ceramic substrates, tungsten (W) and molybdenum (Mo) are sometimes used as metal materials for forming conductive patterns such as wiring (see, for example, Patent Document 2).
タングステンとモリブデンとでは、例えば融点などの化学的性質が異なっている。そのため、特許文献1に開示されているような変形抑止導体層を形成しても、焼結後に起こり得る基板の反りなどの変形を十分に防止することができない可能性がある。
Tungsten and molybdenum have different chemical properties, such as melting points. Therefore, even if a deformation-suppressing conductor layer as disclosed in
そこで、本発明では、導電パターンを形成するための金属材料としてモリブデンおよびタングステンを使用する場合に、反りの発生を抑えることのできる多数個取りセラミック基板を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a multi-cavity ceramic substrate that can suppress the occurrence of warping when molybdenum and tungsten are used as metal materials for forming conductive patterns.
本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板は、複数の基板要素部が並んで配置されている基板領域と、該基板領域の外側に位置する外周領域とを有する。この多数個取りセラミック基板は、複数のセラミック層と、前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上に形成されているモリブデンを含む第1金属層と、前記第1金属層が形成されていない前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上に形成されているタングステンを含む金属層と、前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上に形成されている電解メッキ導通用金属層とを備えている。そして、前記第1金属層が形成されている前記セラミック層の少なくとも一つの層上には、前記外周領域に、モリブデンを含み、かつ前記第1金属層とは電気的に接続されていない第2金属層が形成されている。 A multi-cavity ceramic substrate according to one aspect of the present invention has a substrate region in which a plurality of substrate elements are arranged side by side, and an outer peripheral region positioned outside the substrate region. This multi-cavity ceramic substrate comprises: a plurality of ceramic layers; a first metal layer containing molybdenum formed on at least one of the ceramic layers; It comprises a metal layer containing tungsten formed on at least one of the ceramic layers, and a metal layer for electrolytic plating conduction formed on at least one of the ceramic layers. Then, on at least one of the ceramic layers on which the first metal layer is formed, a second ceramic layer containing molybdenum and not electrically connected to the first metal layer is formed in the outer peripheral region. A metal layer is formed.
上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板において、前記第2金属層は、前記第1金属層が形成されている前記セラミック層のすべての層上の前記外周領域に形成されていてもよい。 In the multi-cavity ceramic substrate according to one aspect of the present invention, the second metal layer is formed in the outer peripheral region on all the ceramic layers on which the first metal layer is formed. good too.
上記の構成によれば、焼結後の多数個取りセラミック基板の反りをさらに改善することができる。 According to the above configuration, it is possible to further reduce warping of the multi-cavity ceramic substrate after sintering.
また、上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板において、前記基板要素部は、前記基板領域に縦横に並んで配置されており、前記基板領域には、前記基板要素部を個々に区画するために縦横に延びるスリット部が形成されており、前記外周領域における前記スリット部の仮想延長線上には、前記第2金属層は形成されていない構成であってもよい。 Further, in the multi-cavity ceramic substrate according to one aspect of the present invention, the substrate element portions are arranged vertically and horizontally in the substrate region, and the substrate element portions are individually arranged in the substrate region. A slit portion extending vertically and horizontally is formed for partitioning, and the second metal layer may not be formed on an imaginary extension line of the slit portion in the outer peripheral region.
上記の構成によれば、多数個取りセラミック基板から個々のセラミック基板を得る際に行われる分割工程において、基板の裁断を容易に行うことができる。 According to the above configuration, the substrate can be easily cut in the dividing step performed when obtaining the individual ceramic substrates from the multi-piece ceramic substrate.
また、上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板において、前記第2金属層は、隣接する前記基板要素部の幅方向の少なくとも中央位置に対応する位置に設けられており、かつ、前記基板要素部の幅の1/2以上の径を有していてもよい。 In the multi-cavity ceramic substrate according to one aspect of the present invention, the second metal layer is provided at a position corresponding to at least a central position in the width direction of the adjacent substrate element portions, and It may have a diameter of 1/2 or more of the width of the substrate element portion.
上記の構成によれば、第2金属層の総面積を小さくしてモリブデンの使用量を減らしながら、焼結時の基板の反り改善効果が低下するのを回避することができる。 According to the above configuration, it is possible to reduce the amount of molybdenum used by reducing the total area of the second metal layer, while avoiding a decrease in the effect of improving the warpage of the substrate during sintering.
また、本発明のもう一つの局面は、複数の基板要素部が並んで配置されている基板領域と、該基板領域の外側に位置する外周領域とを有する多数個取りセラミック基板の製造方法に関する。この製造方法は、複数のセラミック層のそれぞれを形成するセラミック層形成工程と、前記セラミック層形成工程によって形成された前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上にモリブデンを含む第1金属層を形成するモリブデン含有金属層形成工程と、前記セラミック層形成工程によって形成された前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上にタングステンを含む金属層を形成するタングステン含有金属層形成工程とを含む。この製造方法において、前記モリブデン含有金属層形成工程と前記タングステン含有金属層形成工程とは、互いに択一的に実施される。そして、前記モリブデン含有金属層形成工程では、前記外周領域に前記第1金属層とは電気的に接続されていない第2金属層を形成する。 Another aspect of the present invention relates to a method of manufacturing a multi-cavity ceramic substrate having a substrate region in which a plurality of substrate elements are arranged side by side and an outer peripheral region located outside the substrate region. This manufacturing method includes a ceramic layer forming step of forming each of a plurality of ceramic layers, and forming a first metal layer containing molybdenum on at least one of the ceramic layers formed by the ceramic layer forming step. and a tungsten-containing metal layer forming step of forming a tungsten-containing metal layer on at least one of the ceramic layers formed in the ceramic layer forming step. In this manufacturing method, the molybdenum-containing metal layer forming step and the tungsten-containing metal layer forming step are performed alternatively to each other. Then, in the molybdenum-containing metal layer forming step, a second metal layer that is not electrically connected to the first metal layer is formed in the outer peripheral region.
上記の製造方法によれば、モリブデン含有金属層形成工程において、導電パターン用の第1金属層とともに、反り改善用の第2金属層を形成することができる。これにより、追加の工程を行うことなく、基板の反りを改善するための構成を有する多数個取りセラミック基板を製造することができる。 According to the manufacturing method described above, in the step of forming the molybdenum-containing metal layer, the second metal layer for reducing warpage can be formed together with the first metal layer for the conductive pattern. As a result, it is possible to manufacture a multi-cavity ceramic substrate having a structure for improving the warpage of the substrate without performing an additional step.
また、上記の製造方法において、前記基板要素部は、前記基板領域に縦横に並んで配置されており、前記基板領域には、前記基板要素部を個々に区画するために縦横に延びるスリット部が形成されていてもよい。そして、前記モリブデン含有金属層形成工程では、前記スリット部に相当する領域には前記第1金属層を形成せず、かつ、前記外周領域における前記スリット部の仮想延長線上には前記第2金属層を形成しないことも可能である。これにより、スリット部の仮想延長線上には第2金属層が形成されていない多数個取りセラミック基板を製造することができる。 Further, in the above manufacturing method, the substrate element portions are arranged vertically and horizontally in the substrate region, and the substrate region has slit portions extending vertically and horizontally for individually partitioning the substrate element portions. may be formed. In the molybdenum-containing metal layer forming step, the first metal layer is not formed in the region corresponding to the slit portion, and the second metal layer is not formed on the imaginary extension line of the slit portion in the outer peripheral region. It is also possible not to form As a result, it is possible to manufacture a multi-piece ceramic substrate in which the second metal layer is not formed on the imaginary extension line of the slit portion.
また、本発明のさらにもう一つの局面は、セラミック基板の製造方法に関する。この製造方法は、上記の本発明の一局面にかかる製造方法によって多数個取りセラミック基板を製造した後に、前記多数個取りセラミック基板を個々の前記基板要素部に分割する工程を含む。 Moreover, still another aspect of the present invention relates to a method for manufacturing a ceramic substrate. This manufacturing method includes a step of, after manufacturing a multi-cavity ceramic substrate by the above-described manufacturing method according to one aspect of the present invention, dividing the multi-cavity ceramic substrate into the individual substrate element portions.
以上のように、本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板によれば、外周領域にモリブデンを含む第2金属層が形成されていることで、焼結後に起こり得る基板の反りを小さくすることができる。これにより、多数個取りセラミック基板から得られるセラミック基板において不良品の発生率を減少させることができる。特に、基板領域の最外周に位置する基板要素部から得られるセラミック基板において起こり得る反りの発生を好適に抑制し、基板の形状を改善することができる。 As described above, according to the multi-cavity ceramic substrate according to one aspect of the present invention, since the second metal layer containing molybdenum is formed in the outer peripheral region, warpage of the substrate that can occur after sintering is reduced. be able to. As a result, it is possible to reduce the rate of occurrence of defective products in ceramic substrates obtained from multi-cavity ceramic substrates. In particular, it is possible to suitably suppress the occurrence of warpage that may occur in the ceramic substrate obtained from the substrate element portion located on the outermost periphery of the substrate region, and improve the shape of the substrate.
また、本発明のもう一つの局面にかかる多数個取りセラミック基板の製造方法によれば、焼結後に起こり得る基板の反りを小さくすることができる。これにより、基板の形状が改善された多数個取りセラミック基板を得ることができる。 Moreover, according to the method of manufacturing a multi-cavity ceramic substrate according to another aspect of the present invention, it is possible to reduce the warping of the substrate that may occur after sintering. As a result, it is possible to obtain a multi-cavity ceramic substrate having an improved substrate shape.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are given the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof will not be repeated.
〔第1の実施形態〕
本実施形態では、多数個取りセラミック基板1を例に挙げて説明する。多数個取りセラミック基板1から得られるセラミック基板50は、電子機器などの配線基板、回路基板などとして利用される。
[First embodiment]
In this embodiment, a multi-piece
(多数個取りセラミック基板の構成)
図1には、多数個取りセラミック基板1を示す。図1では、左上に多数個取りセラミック基板1全体の平面構成を示し、その右下にこの多数個取りセラミック基板1の一部分(具体的には、破線枠の部分)の拡大図を示す。
(Structure of multi-cavity ceramic substrate)
FIG. 1 shows a multi-piece
多数個取りセラミック基板1は、略平板状の外形を有している。多数個取りセラミック基板1は、複数の基板要素部11を含む製品エリア(基板領域)2と、この製品エリア2の外側に位置する外周エリア(外周領域)3とを有している。
The multi-cavity
製品エリア2は、基板の中央部分を構成している。製品エリア2には、分割されて個々のセラミック基板50となる複数の基板要素部11が縦横に並んで配置されている。各基板要素部11には、各種金属層などからなる導電パターンによって内部回路素子が形成されている。
The
外周エリア3は、基板の外周部分を構成している。外周エリア3は、製品エリア2を取り囲むように設けられている。外周エリア3はセラミック基板50の要素とはならないため、外周エリア3には、内部回路素子は形成されていない。なお、後述するように、第2Mo層24、および電解メッキ導通用配線25は、外周エリア3に形成されている。
The
基板要素部11は、長方形、正方形などの矩形状を有しており、その一辺の径は約5mm程度となっている。製品エリア2において、隣接する各基板要素部11の間には、基板要素部11を個々に区画するために縦横に延びるスリット部12が形成されている。スリット部12は、外周エリア3と最外周の基板要素部11との間にも形成されている。多数個取りセラミック基板1が製造されると、その後、多数個取りセラミック基板1は各スリット部12において切断され、個々の基板要素部11に分割される。これにより、セラミック基板50が得られる。
The
多数個取りセラミック基板1の表面には、スリット部12に対応する位置に溝または切込みが形成されていることが好ましい。これにより、多数個取りセラミック基板1を個々に分割する工程を容易に実施することができる。
It is preferable that the surface of the multi-cavity
図2には、多数個取りセラミック基板1の製品エリア2と外周エリア3との境界を含む部分(具体的には、図1の拡大図に示すA-A線部分)の断面構成を示す。
FIG. 2 shows a cross-sectional configuration of a portion including the boundary between the
多数個取りセラミック基板1は、複数のセラミックシート21を積層して形成されている。セラミックシート21は、例えばアルミナ(Al2O3)を主成分とする高温焼成セラミックで形成することができる。また、別の態様では、セラミックシート21は、ガラス-セラミックなどの中温焼成セラミック(MTCC)で形成されてもよい。
The multi-cavity
図2には、全部で9枚のセラミックシート21を有する多数個取りセラミック基板1が例示されているが、セラミックシートの枚数はこれに限定されない。セラミックシート21の枚数は、最終的に得られるセラミック基板50の用途、仕様などに応じて適宜決められる。本実施形態では、各層のセラミックシートについて個々に言及する場合、最下層のセラミックシートから順に、第1セラミックシート21a,第2セラミックシート21b・・・,第9セラミックシート21iとそれぞれ呼ぶ。
FIG. 2 illustrates the multi-cavity
複数のセラミックシート21の間には、導電パターンとなるモリブデン層(Mo層ともいう)23およびタングステン層(W層ともいう)22が形成されている。Mo層23およびW層22は、最終的に得られるセラミック基板50に所望される回路構成に応じて任意の形状(パターン)となるようにセラミックシート21上に印刷される。
Molybdenum layers (also referred to as Mo layers) 23 and tungsten layers (also referred to as W layers) 22 serving as conductive patterns are formed between the plurality of ceramic sheets 21 . The Mo layer 23 and the W layer 22 are printed on the ceramic sheet 21 so as to have an arbitrary shape (pattern) according to the circuit configuration desired for the finally obtained
Mo層23とW層22とは、複数のセラミックシート21の層間に互いに択一的に形成されている。すなわち、Mo層23は、複数のセラミックシート21のうちの少なくとも一つのシート(図2に示す例では、第4および第5セラミックシート21dおよび21e)上に形成されており、W層22は、Mo層23が形成されていないセラミックシート21のうちの少なくとも一つのシート(図2に示す例では、第1から第3セラミックシート21a,21b、および21c)上に形成されている。
The Mo layer 23 and the W layer 22 are alternatively formed between the layers of the ceramic sheets 21 . That is, the Mo layer 23 is formed on at least one of the plurality of ceramic sheets 21 (the fourth and fifth
ここでは、第4セラミックシート21d上に形成されるMo層を23dとし、第5セラミックシート21e上に形成されるMo層を23eとしている。また、第1セラミックシート21a上に形成されるW層を22aとし、第2セラミックシート21b上に形成されるW層を22bとし、第3セラミックシート21c上に形成されるW層を22cとしている。
Here, the Mo layer formed on the fourth
なお、図2に示すMo層およびW層の配置および組み合わせは、本発明の一例であり、本発明はこの構成に限定はされない。したがって、例えば、第1セラミックシート21a上にMo層を形成し、第2セラミックシート21b上にW層を形成し、第3から第5セラミックシート21c-21e上にMo層をそれぞれ形成するという構成なども可能である。
The arrangement and combination of the Mo layer and W layer shown in FIG. 2 are examples of the present invention, and the present invention is not limited to this configuration. Therefore, for example, a configuration in which a Mo layer is formed on the first
本実施形態にかかる多数個取りセラミック基板1では、Mo層23が形成されているセラミックシート21上の外周エリア3に、追加のMo層(すなわち、基板の反り改善用の第2Mo層24)が形成されている。この第2Mo層24は、製品エリア2内に形成されているMo層23とは電気的に接続されていない。第2Mo層24の厚さは、Mo層23の厚さとほぼ同じであり、例えば、5~20μmとすることができる。
In the multi-cavity
図2に示す例では、第4および第5セラミックシート21dおよび21e上に、第2Mo層24dおよび24eが形成されている。すなわち、Mo層23dと同じ層に第2Mo層24dが形成されており、Mo層23eと同じ層に第2Mo層24eが形成されている。このような第2Mo層24dおよび24eは、Mo層23dおよび24eの形成工程(例えば、印刷工程)と同じ工程内で所定のパターンに形成される。
In the example shown in FIG. 2, second Mo layers 24d and 24e are formed on the fourth and fifth
なお、このような反り改善用の第2金属層は、W層22が形成されている層には形成されていない。これは、後述するように、外周エリア3にタングステンからなる第2金属層を形成すると、焼結後の基板の反りが悪化してしまうためである。
It should be noted that such a warp-improving second metal layer is not formed on the layer where the W layer 22 is formed. This is because, as will be described later, if the second metal layer made of tungsten is formed in the outer
反り改善用の第2Mo層24は、導電パターン用のMo層23が形成されているセラミックシート21のうちの少なくとの一つのシート上に形成されていればよい。これにより、第2Mo層24が形成されていない場合と比較して焼結後の多数個取りセラミック基板1の反りを小さくすることができる。
The warp-improving
なお、反り改善用の第2Mo層24は、導電パターン用のMo層23が形成されているセラミックシート21の全て(図2に示す例では、第4および第5セラミックシート21dおよび21eの両方)のシート上に形成されていることが好ましい。これにより、焼結後の多数個取りセラミック基板1の反りをより大きく改善することができる。
Note that the
また、複数のセラミックシート21のうちの少なくとも一つのシートであって、Mo層23およびW層22が形成されていないシート(図2に示す例では、第6から第8セラミックシート21f,21g、および21h)上には、電解メッキ導通用配線25(図2に示す例では、25f,25g、および25h)が形成されている。
Further, at least one sheet among the plurality of ceramic sheets 21, which is not formed with the Mo layer 23 and the W layer 22 (in the example shown in FIG. 2, the sixth to eighth
電解メッキ導通用配線25は、所定の形状(パターン)となるように所定のセラミックシート21上に印刷される。 The wiring 25 for electrolytic plating conduction is printed on the predetermined ceramic sheet 21 so as to have a predetermined shape (pattern).
図2に示すように、電解メッキ導通用配線25は、製品エリア2だけでなく、外周エリア3にも延設している。例えば、電解メッキ導通用配線25は、外周エリア3において製品エリア2を取り囲むように枠状に形成されている。外周エリア3に延びる電解メッキ導通用配線25は、メッキ用電源に電気的に接続される端子部(図示せず)を有している。
As shown in FIG. 2, the electrolytic plating conduction wiring 25 extends not only to the
また、製品エリア2に延びる電解メッキ導通用配線25は、多数個取りセラミック基板1の内部で金属メッキ層27(例えば、金属メッキ層27i)を構成する内部の金属層と接続されている。これにより、電解メッキ処理時にメッキ用電源から供給される電力を、電解メッキ導通用配線25を介してこの金属層まで供給することができる。
Further, the electrolytic plating conduction wiring 25 extending to the
電解メッキ導通用配線25は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、および銀(Ag)などの金属で形成することができる。例えば、図2に示す例では、第6セラミックシート21f上に形成される電解メッキ導通用配線25fは、Moで形成されている。また、第7および第8セラミックシート21gおよび21h上に形成される電解メッキ導通用配線25gおよび25hは、Wで形成されている。
The electrolytic plating conduction wiring 25 can be made of metal such as tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), and silver (Ag). For example, in the example shown in FIG. 2, the electrolytic
本実施形態では、電解メッキ導通用配線25は、金属メッキ層27が形成されている最上層の第9セラミックシート21iに比較的近い層のセラミックシート(具体的には、第6から第8セラミックシート21f,21g、および21h)上に形成されている。これにより、電解メッキ導通用配線25と金属メッキ層27との電気的接続をより容易に実現できる。
In the present embodiment, the electrolytic plating conduction wiring 25 is formed of a ceramic sheet in a layer relatively close to the uppermost ninth
金属メッキ層27は、多数個取りセラミック基板1の表面(露出した部分)に形成されている。本実施形態では、最上層の第9セラミックシート21i上に、金属メッキ層27iが形成されている。金属メッキ層27は、製品エリア2に形成されている。金属メッキ層27は、ロウ材、半田などの接合材を介して他の部品と接続される。すなわち、金属メッキ層27は、他の部品との接合部としての役割を果たす。なお、電解メッキ処理時には、電解メッキ導通用配線25gのうち第8のセラミックシート21hで覆われていない箇所もメッキされる。これにより、電解メッキ導通用配線25gに部分的に金属メッキ層27gが形成される(図2参照)。
The metal plating layer 27 is formed on the surface (exposed portion) of the multi-cavity
金属メッキ層27は、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、および銀(Ag)などで形成された金属層の表面に、ニッケル(Ni)メッキおよび金(Au)メッキなどを施すことによって形成される。本実施形態では、金属メッキ層27は、WまたはMoで形成された金属層の表面に電解Niメッキによる被覆を施し、その後、Niメッキ被覆上に電解AuメッキによってAuメッキ被覆を施したものである。 The metal plating layer 27 is a metal layer formed of tungsten (W), molybdenum (Mo), copper (Cu), silver (Ag), or the like, and is plated with nickel (Ni), gold (Au), or the like. formed by application. In this embodiment, the metal plated layer 27 is formed by coating the surface of a metal layer made of W or Mo by electrolytic Ni plating, and then coating the Ni plating coating with Au plating by electrolytic Au plating. be.
(第2Mo層の平面形状について)
続いて、第2Mo層24の平面形状について、図1を参照しながら説明する。概略的には、第2Mo層24は、縦横に配列された基板要素部11の外周を取り囲むような形状となっている。第2Mo層24を、このような形状にすることで、多数個取りセラミック基板1の全領域において焼結後の反りの発生を抑えることができる。上述したように、第2Mo層24は、Mo層23とは電気的に接続されていない。また、第2Mo層24は、W層22および電解メッキ導通用配線25などの他の金属層とも電気的に接続されておらず、単独で存在する金属層である。
(Regarding the planar shape of the second Mo layer)
Next, the planar shape of the
より詳細には、図1の拡大図に示すように、第2Mo層24には、部分的に第2Mo層24が形成されていない第2スリット部13が形成されている。第2スリット部13は、スリット部12と対応する位置に形成されている。すなわち、製品エリア2に形成されているスリット部12の外周エリア3への仮想延長線上には、第2Mo層24は形成されていない。これにより、多数個取りセラミック基板1を個々のセラミック基板50に分割する際に、金属で形成された第2Mo層24を切断する必要がなくなるため、基板の分割がより容易になる。
More specifically, as shown in the enlarged view of FIG. 1, the
なお、図2に示す例では、第4および第5セラミックシート21dおよび21eに、2つの第2Mo層24dおよび24eが形成されている。このような構成の場合、2つの第2Mo層24dおよび24eの平面形状をともに、図1に示すような形状とすることが好ましい。これにより、焼結後の基板の反りをより小さくすることができる。但し、本発明の別の実施態様では、2つの第2Mo層24dおよび24eの形状をそろえなくてもよい。
In the example shown in FIG. 2, two second Mo layers 24d and 24e are formed on the fourth and fifth
図3には、多数個取りセラミック基板1における第2Mo層24aの平面形状の変形例を示す。図1に示す例では、第2Mo層24は、製品エリア2の外周全体を取り囲むような略枠形状となっている。すなわち、第2Mo層24に形成されている第2スリット部13の幅は、スリット部12の幅と同程度であって、非常に小さくなっている。
FIG. 3 shows a modification of the planar shape of the
これに対して、図3に示す変形例では、複数個の略長方形状の第2Mo層24aが、最外周の基板要素部11の側辺に隣接するようにそれぞれ形成されている。変形例にかかる構成によれば、第2Mo層24aの材料となるモリブデンの使用量を減らすことができる。
On the other hand, in the modification shown in FIG. 3, a plurality of substantially rectangular second Mo layers 24a are formed adjacent to the sides of the outermost
なお、図3に示すように、第2Mo層24aは、隣接する基板要素部11の幅方向の少なくとも中央位置に対応する位置に設けられていることが好ましい。具体的には、基板要素部11の横方向(L1の方向)に延びる側辺に隣接する第2Mo層24aは、基板要素部11の横方向の中央線C1を跨ぐように設けられていることが好ましい。また、基板要素部11の縦方向(L2の方向)に延びる側辺に隣接する第2Mo層24aは、基板要素部11の縦方向の中央線C2を跨ぐように設けられていることが好ましい。
In addition, as shown in FIG. 3, the
さらに、第2Mo層24aは、基板要素部11の幅の1/2以上の径を有していることが好ましい。具体的には、基板要素部11の横方向の幅をL1とし、縦方向の幅をL2とすると、横方向に延びる側辺に隣接する第2Mo層24aの長手方向の径W1は、W1≧L1×(1/2)となっていることが好ましい。また、縦方向に延びる側辺に隣接する第2Mo層24aの長手方向の径W2は、W2≧L2×(1/2)となっていることが好ましい。
Further, it is preferable that the
上記の構成によれば、第2Mo層24aの総面積を小さくしてモリブデンの使用量を減らしながら、焼結時の基板の反り改善効果が低下するのを回避することができる。
According to the above configuration, it is possible to reduce the total area of the
(多数個取りセラミック基板の製造方法)
続いて多数個取りセラミック基板1の製造方法を説明する。
(Manufacturing method of multi-cavity ceramic substrate)
Next, a method for manufacturing the multi-piece
多数個取りセラミック基板1の製造方法は、少なくとも以下の各工程を含む。
(1)複数のセラミックシート21(図2に示す例では、21aから21i)のそれぞれを形成するシート形成工程(セラミック層形成工程)
(2)上記(1)のシート形成工程によって形成されたセラミックシート21のうちの少なくとも一つのシート上にMo層23(図2に示す例では、23d,23e)を形成するMo層形成工程(モリブデン含有金属層形成工程)
(3)上記(1)のシート形成工程によって形成されたセラミックシート21のうちの少なくとも一つのシート上にW層22(図2に示す例では、22aから22c)を形成するW層形成工程(タングステン含有金属層形成工程)
The manufacturing method of the multi-cavity
(1) A sheet forming step (ceramic layer forming step) for forming each of a plurality of ceramic sheets 21 (21a to 21i in the example shown in FIG. 2).
(2) Mo layer forming step (23d, 23e in the example shown in FIG. 2) of forming Mo layer 23 (23d, 23e in the example shown in FIG. 2) on at least one of the ceramic sheets 21 formed in the sheet forming step of (1) above ( molybdenum-containing metal layer forming step)
(3) A W layer forming step of forming a W layer 22 (22a to 22c in the example shown in FIG. 2) on at least one of the ceramic sheets 21 formed in the sheet forming step of (1) above ( Tungsten-containing metal layer forming step)
(1)のシート形成工程は、例えば、セラミック成分の粉末を主成分とする原料粉末を適当な有機溶剤およびバインダとともに混練してスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法やリップコータ法などの成形方法でシート状に成形することによって実施される。成形されたシートは、所定形状および所定寸法に裁断される。これにより、各セラミックシート21を構成するシート材料が形成される。 In the sheet forming step (1), for example, a raw material powder containing a powder of a ceramic component as a main component is kneaded with an appropriate organic solvent and a binder to prepare a slurry, and the slurry is molded by a doctor blade method, a lip coater method, or the like. It is carried out by forming it into a sheet by a method. The formed sheet is cut into a predetermined shape and size. Thereby, the sheet material forming each ceramic sheet 21 is formed.
(2)のMo層形成工程および(3)のW層形成工程では、(1)のシート形成工程で得られたセラミックシート21上に、所定の導電パターンを形成する。導電パターンの形成は、スクリーン印刷法などの公知の印刷方法を用いて行われる。これにより、セラミックシート21の表面の所望の箇所に、回路素子などを構成する導電パターンが印刷形成される。 In the Mo layer forming step (2) and the W layer forming step (3), a predetermined conductive pattern is formed on the ceramic sheet 21 obtained in the sheet forming step (1). Formation of the conductive pattern is performed using a known printing method such as a screen printing method. As a result, a conductive pattern forming a circuit element or the like is printed on a desired portion of the surface of the ceramic sheet 21 .
本実施形態にかかる製造方法において、(2)のMo層形成工程と、(3)のW層形成工程とは、互いに択一的に実施される。すなわち、1枚のセラミックシート21上には、Mo層23およびW層22の何れかのみが印刷される。 In the manufacturing method according to this embodiment, the Mo layer forming step (2) and the W layer forming step (3) are performed alternatively. That is, only one of the Mo layer 23 and the W layer 22 is printed on one ceramic sheet 21 .
そして、(2)のMo層形成工程では、多数個取りセラミック基板1の外周エリア3に、Mo層23(図2に示す例では、23d,23e)とは電気的に接続されていない第2Mo層24(図2に示す例では、24d,24e)を形成する。ここで、Mo層23は、個々の基板要素部11における導電パターンとして機能する。また、第2Mo層24は、基板を焼結時に起こり得る反りの発生を抑えるために形成される。すなわち、(2)のMo層形成工程では、1枚のセラミックシート21上の製品エリア2に導電パターン用のMo23が印刷されるとともに、同じセラミックシート21の外周エリア3に反り改善用の第2Mo層24が印刷される。
In the Mo layer forming step (2), a second Mo layer which is not electrically connected to the Mo layers 23 (23d and 23e in the example shown in FIG. 2) is placed in the
なお、(2)のMo層形成工程および(3)のW層形成工程では、製品エリア2内の各基板要素部11を個々に区画するために縦横に延びるスリット部12に相当する領域にはMo層23またはW層22を形成しないことが好ましい。さらに、(2)のMo層形成工程では、外周エリア3におけるスリット部12の仮想延長線上には第2Mo層24を形成しないことが好ましい。これにより、外周エリア3の第2Mo層の形成領域には、部分的にMo層が形成されていない第2スリット部13が形成される。
In the Mo layer forming step (2) and the W layer forming step (3), regions corresponding to the
上記のようなスリット部12および第2スリット部13を形成することで、その後に行われる個々のセラミック基板50への分割工程において、基板の裁断を容易に行うことができる。
By forming the
なお、上記(2)および(3)の工程の他に、別のセラミックシート21上に、電解メッキ導通用配線25となる金属層(例えば、Mo層またはW層)を所定形状(パターン)に印刷する工程を行ってもよい。同様に、セラミックシート21上に、電解メッキ後に金属メッキ層27となる金属層(例えば、Mo層またはW層)を所定形状(パターン)に印刷する工程を行ってもよい。これにより、電解メッキ導通用配線25となる金属層または金属メッキ層27となる金属層が形成されたセラミックシート21が得られる。 In addition to the above steps (2) and (3), a metal layer (for example, a Mo layer or a W layer) that will become the electroplating conduction wiring 25 is formed in a predetermined shape (pattern) on another ceramic sheet 21. A printing step may be performed. Similarly, a step of printing a metal layer (for example, a Mo layer or a W layer), which will become the metal plating layer 27 after electroplating, on the ceramic sheet 21 in a predetermined shape (pattern) may be performed. As a result, the ceramic sheet 21 on which the metal layer to be the electrolytic plating conduction wiring 25 or the metal layer to be the metal plating layer 27 is formed is obtained.
以上の各工程で所定形状の金属層が印刷された各セラミックシート21は、その後、所定の順序で積層され、圧着される。一例では、第7セラミックシート21gをベースにして、第6から第1のセラミックシート21f~21aが順に積層、圧着され、第1の積層体が形成される。また、第8のセラミックシート21hをベースにして、第9セラミックシート21iが積層、圧着され、第2の積層体が形成される。その後、第1の積層体の第7セラミックシート21gと、第2の積層体の第8のセラミックシート21hとが圧着される。
Each ceramic sheet 21 printed with a metal layer of a predetermined shape in each of the above steps is then laminated in a predetermined order and pressed. In one example, using the seventh
これにより、厚さが0.5~1.0mm程度の平板状積層体が得られる。各セラミックシート21にはビアホール(図示せず)が形成されており、セラミックシート21間に形成された金属層(すなわち、W層22、Mo層23、電解メッキ導通用配線25、および金属メッキ層27)は適宜接続され、後に回路素子として機能するように構成される。 Thereby, a flat laminate having a thickness of about 0.5 to 1.0 mm is obtained. A via hole (not shown) is formed in each ceramic sheet 21, and metal layers (that is, W layer 22, Mo layer 23, electrolytic plating conduction wiring 25, and metal plating layer) formed between the ceramic sheets 21 27) are appropriately connected and configured to function as circuit elements later.
その後、平板状積層体の表面のスリット部12に対応する位置に、分割溝を形成してもよい。そして、この平板状積層体を焼成する。
After that, dividing grooves may be formed at positions corresponding to the
焼成工程によって焼結された平板状積層体には、その後、電解メッキ処理が施される。これにより、最上層のセラミックシート21(図2に示す例では、第9セラミックシート21i)上に金属メッキ層27(図2に示す例では、金属メッキ層27i)が形成される。電解メッキは、従来公知の方法を用いて実施することができる。電解メッキ処理を複数回行うことによって、Niメッキ被覆とAuメッキ被覆とを有する金属メッキ層27を形成することができる。
The plate-like laminate sintered by the firing step is then subjected to electrolytic plating. Thereby, the metal plating layer 27 (the
以上のような工程によって、多数個取りセラミック基板1は製造される。
Through the steps described above, the multi-piece
さらに、多数個取りセラミック基板1からセラミック基板50を製造する場合には、多数個取りセラミック基板1を個々の基板要素部11に分割する工程を行う。このとき、多数個取りセラミック基板1の表面に分割溝が形成されていると、基板の裁断を容易かつ正確に行うことができる。これにより、セラミック基板50が得られる。
Furthermore, when manufacturing the
(第2金属層による反り改善効果)
続いて、本実施形態にかかる多数個取りセラミック基板1において得られる反り改善効果について説明する。ここでは、比較のために、従来例にかかる多数個取りセラミック基板801、および比較例にかかる多数個取りセラミック基板901において発生する焼結後の反りについても説明する。
(Warpage improvement effect by the second metal layer)
Next, the warpage improvement effect obtained in the multi-cavity
図4には、従来例にかかる多数個取りセラミック基板801の断面構成を示す。図5には、比較例にかかる多数個取りセラミック基板901の断面構成を示す。これらの図は、各基板801および901を、図1の拡大図に示すA-A線部分に相当する部分で切断した場合の構成を示すものである。
FIG. 4 shows a cross-sectional structure of a multi-piece
図4に示す多数個取りセラミック基板801においては、外周エリア3に反り改善用の第2Mo層24が形成されていない。それ以外の点については、多数個取りセラミック基板1と同様の構成を有している。
In the multi-cavity
図5に示す多数個取りセラミック基板901においては、第2Mo層24dおよび24eに加えて、W層22bおよび22cが形成されている第2および第3セラミックシート21bおよび21c上の外周エリア3に第2W層29bおよび29cが形成されている。それ以外の点については、多数個取りセラミック基板1と同様の構成を有している。
In the multi-cavity
これら3種類の多数個取りセラミック基板について、同じ条件で焼成を行ったところ、図6の(a)から(c)に示すように、基板の反り形状に違いが見られた。すなわち、(b)に示す比較例では、(a)に示す従来例の結果と比較して焼結後の基板の反りが悪化することが確認された。これに対して、本実施形態にかかる多数個取りセラミック基板1では、(c)に示すように、(a)に示す従来例の結果と比較して焼結後の基板の反りが小さくなることが確認された。
When these three types of multi-cavity ceramic substrates were fired under the same conditions, differences in the warped shape of the substrates were observed as shown in FIGS. 6(a) to 6(c). That is, in the comparative example shown in (b), it was confirmed that the warp of the substrate after sintering was worse than the result of the conventional example shown in (a). On the other hand, in the multi-cavity
これは、モリブデン(Mo)とタングステン(W)とでは、融点などの熱に対する特性が異なり、焼成時の焼結の進み方が異なるためであると考えられる。Moの融点は、Wの融点と比較して低い。そのため、MoはWよりも焼結しやすいという特性を有する。このような特性を有するMoを含有する金属層を基板の外周エリアに形成することで、焼成時に外周エリアの金属層で焼結がより速く進行し、基板の形状が下向き(すなわち、反りと反対方向)に変化すると考えられる。一方、Wを含有する金属層が基板の外周エリアに形成されている場合には、焼成時に外周エリアのW層で焼結が進行しにくいため、基板の形状が上向き(すなわち、反りと同じ方向)に変化すると考えられる。 This is probably because molybdenum (Mo) and tungsten (W) have different properties against heat such as melting point, and the progress of sintering during firing differs. The melting point of Mo is low compared to that of W. Therefore, Mo has the characteristic of being more easily sintered than W. By forming a metal layer containing Mo having such properties in the peripheral area of the substrate, sintering proceeds faster in the metal layer in the peripheral area during firing, and the shape of the substrate faces downward (that is, opposite to warping). direction). On the other hand, when a metal layer containing W is formed in the outer peripheral area of the substrate, the W layer in the outer peripheral area is difficult to sinter during firing, so the shape of the substrate faces upward (that is, in the same direction as the warp). ).
(第1の実施形態のまとめ)
以上のように、本実施形態にかかる多数個取りセラミック基板1は、複数の基板要素部11が並んで配置されている製品エリア2と、製品エリア2の外側に位置する外周エリア3とを有する。この多数個取りセラミック基板1は、複数のセラミックシート21(例えば、セラミックシート21a~21i)を積層して形成されている。各シート上には、導電パターン用のMo層23、導電パターン用のW層22、および電解メッキ導通用配線25の何れかがそれぞれ形成されている。そして、導電パターン用のMo層23が形成されているセラミックシート21dおよび21d上には、外周エリア3に、モリブデンを含み、かつMo層23とは電気的に接続されていない第2Mo層24が形成されている。
(Summary of the first embodiment)
As described above, the multi-cavity
上記の構成によれば、第2Mo層24が形成されていない多数個取りセラミック基板1と比較して、焼結後の反りを小さくすることができる。すなわち、第2Mo層24は、基板の焼結後に起こり得る反りの発生を抑えるための金属層ということができる。これにより、多数個取りセラミック基板1およびそれから得られるセラミック基板50において、不良品の発生率を減少させることができる。
According to the above configuration, warping after sintering can be reduced compared to the multi-cavity
なお、上記の実施形態において、導電パターン用のW層22は、タングステンを含む金属層と言い換えることができる。また、導電パターン用のMo層23は、モリブデンを含む第1金属層と言い換えることができる。また、反り改善用の第2Mo層24は、モリブデンを含む第2金属層と言い換えることができる。
In the above embodiment, the conductive pattern W layer 22 can be rephrased as a metal layer containing tungsten. Also, the Mo layer 23 for the conductive pattern can be rephrased as a first metal layer containing molybdenum. Also, the
〔第2の実施形態〕
第2の実施形態では、外周エリアに形成された第2Mo層の形状が第1の実施形態とは異なる構成について説明する。図7には、第2の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板101を示す。図7では、左上に多数個取りセラミック基板101全体の平面構成を示し、その右下にこの多数個取りセラミック基板101の一部分(具体的には、破線枠の部分)の拡大図を示す。
[Second embodiment]
In the second embodiment, a configuration in which the shape of the second Mo layer formed in the outer peripheral area is different from that in the first embodiment will be described. FIG. 7 shows a multi-piece
多数個取りセラミック基板101は、複数の基板要素部11を含む製品エリア(基板領域)2と、この製品エリア2の外側に位置する外周エリア(外周領域)3とを有している。多数個取りセラミック基板101において、外周エリア3に形成されている第2Mo層124の形状以外については、第1の実施形態と同様の構成が適用できる。そのため、以下では、第2Mo層124の構成のみについて説明する。
A multi-cavity
第1の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板1では、反り改善用の第2Mo層24の所定の箇所に第2スリット部13が形成されている。これに対して、第2の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板101では、反り改善用の第2Mo層124にスリット部は形成されていない。
In the multi-cavity
すなわち、外周エリア3に形成されている第2Mo層124は、製品エリア2全体を取り囲むように、隙間のない枠形状に形成されている。このような第2Mo層124は、第2Mo層24と比較して形状が単純である。そのため、第2Mo層124は、容易にパターニングすることができる。
That is, the
なお、多数個取りセラミック基板101が図2に示す構成と同様のセラミックシート21の積層体で構成される場合、第4および第5セラミックシート21dおよび21e上に、反り改善用の第2Mo層124dおよび124eが形成される。
When the multi-cavity
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した異なる実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of the claims rather than the above description, and is intended to include all modifications within the meaning and range of equivalents of the scope of the claims. Also, configurations obtained by combining configurations of different embodiments described herein are also included in the scope of the present invention.
1 :多数個取りセラミック基板
2 :製品エリア(基板領域)
3 :外周エリア(外周領域)
11 :基板要素部
12 :スリット部
13 :第2スリット部
21 :セラミックシート(セラミック層)
22 :(導電パターン用の)W層(タングステンを含む金属層)
23 :(導電パターン用の)Mo層(モリブデンを含む第1金属層)
24 :(反り改善用の)第2Mo層(モリブデンを含む第2金属層)
25 :電解メッキ導通用配線(電解メッキ導通用金属層)
27 :金属メッキ層
50 :セラミック基板
101 :多数個取りセラミック基板
124 :(反り改善用の)第2Mo層(モリブデンを含む第2金属層)
C1 :中央線(基板要素部の幅方向の中央位置)
C2 :中央線(基板要素部の幅方向の中央位置)
1: Multi-cavity ceramic substrate 2: Product area (substrate area)
3: Peripheral area (peripheral area)
11: substrate element portion 12: slit portion 13: second slit portion 21: ceramic sheet (ceramic layer)
22: W layer (for conductive pattern) (metal layer containing tungsten)
23: Mo layer (for conductive pattern) (first metal layer containing molybdenum)
24: Second Mo layer (for warpage improvement) (second metal layer containing molybdenum)
25: Wiring for electrolytic plating conduction (metal layer for electrolytic plating conduction)
27: Metal plating layer 50: Ceramic substrate 101: Multi-piece ceramic substrate 124: Second Mo layer (for warpage improvement) (second metal layer containing molybdenum)
C1: center line (center position in the width direction of the board element part)
C2: Center line (center position in the width direction of the board element part)
Claims (7)
複数のセラミック層と、
前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上に形成されているモリブデンを含む第1金属層と、
前記第1金属層が形成されていない前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上に形成されているタングステンを含む金属層と、
前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上に形成されている電解メッキ導通用金属層と
を備えており、
前記第1金属層が形成されている前記セラミック層の少なくとも一つの層上には、前記外周領域に、モリブデンを含み、かつ前記第1金属層とは電気的に接続されていない第2金属層が形成されており、
前記タングステンを含む金属層が形成されている前記セラミック層の前記外周領域に、金属層が形成されていない、又は、タングステンを含む金属層が形成されていない、
多数個取りセラミック基板。 A multi-cavity ceramic substrate having a substrate region in which a plurality of substrate element portions are arranged side by side and an outer peripheral region located outside the substrate region,
a plurality of ceramic layers;
a first metal layer containing molybdenum formed on at least one of the ceramic layers;
a metal layer containing tungsten formed on at least one of the ceramic layers on which the first metal layer is not formed;
a metal layer for electroplating conduction formed on at least one layer of the ceramic layers,
On at least one of the ceramic layers on which the first metal layer is formed, a second metal layer containing molybdenum and not electrically connected to the first metal layer is provided in the outer peripheral region. is formed and
No metal layer is formed, or no metal layer containing tungsten is formed in the outer peripheral region of the ceramic layer where the metal layer containing tungsten is formed,
Multi-cavity ceramic substrate.
前記基板領域には、前記基板要素部を個々に区画するために縦横に延びるスリット部が形成されており、
前記外周領域における前記スリット部の仮想延長線上には、前記第2金属層は形成されていない、請求項1または2に記載の多数個取りセラミック基板。 The substrate element portions are arranged vertically and horizontally in the substrate region,
Slits extending vertically and horizontally are formed in the substrate region for individually partitioning the substrate elements,
3. The multi-cavity ceramic substrate according to claim 1, wherein said second metal layer is not formed on an imaginary extension line of said slit portion in said peripheral region.
複数のセラミック層のそれぞれを形成するセラミック層形成工程と、
前記セラミック層形成工程によって形成された前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上にモリブデンを含む第1金属層を形成するモリブデン含有金属層形成工程と、
前記セラミック層形成工程によって形成された前記セラミック層のうちの少なくとも一つの層上にタングステンを含む金属層を形成するタングステン含有金属層形成工程と
を含み、
前記モリブデン含有金属層形成工程と前記タングステン含有金属層形成工程とは、互いに択一的に実施され、
前記モリブデン含有金属層形成工程では、前記外周領域に前記第1金属層とは電気的に接続されていない第2金属層を形成し、
前記タングステン含有金属層形成工程では、前記外周領域に金属層を形成しない、
多数個取りセラミック基板の製造方法。 A method for manufacturing a multi-cavity ceramic substrate having a substrate region in which a plurality of substrate element portions are arranged side by side and an outer peripheral region positioned outside the substrate region, the method comprising:
a ceramic layer forming step of forming each of a plurality of ceramic layers;
a molybdenum-containing metal layer forming step of forming a first metal layer containing molybdenum on at least one of the ceramic layers formed in the ceramic layer forming step;
a tungsten-containing metal layer forming step of forming a metal layer containing tungsten on at least one of the ceramic layers formed in the ceramic layer forming step;
The molybdenum-containing metal layer forming step and the tungsten-containing metal layer forming step are performed alternatively to each other,
In the molybdenum-containing metal layer forming step, a second metal layer that is not electrically connected to the first metal layer is formed in the outer peripheral region ,
In the tungsten-containing metal layer forming step, no metal layer is formed in the outer peripheral region,
A method for manufacturing a multi-cavity ceramic substrate.
前記基板領域には、前記基板要素部を個々に区画するために縦横に延びるスリット部が形成されており、
前記モリブデン含有金属層形成工程では、前記スリット部に相当する領域には前記第1金属層を形成せず、かつ、前記外周領域における前記スリット部の仮想延長線上には前記第2金属層を形成しない、
請求項5に記載の多数個取りセラミック基板の製造方法。 The substrate element portions are arranged vertically and horizontally in the substrate region,
Slits extending vertically and horizontally are formed in the substrate region for individually partitioning the substrate elements,
In the molybdenum-containing metal layer forming step, the first metal layer is not formed in the region corresponding to the slit portion, and the second metal layer is formed on the imaginary extension line of the slit portion in the outer peripheral region. do not,
6. The method of manufacturing a multi-cavity ceramic substrate according to claim 5.
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