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JP7225981B2 - Information processing device, information processing method, and program - Google Patents
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Description

本発明は、情報処理装置、情報処理方法、及びプログラムに関する。 The present invention relates to an information processing device, an information processing method, and a program.

近年、不揮発性半導体メモリの一種であるフラッシュメモリが電子機器等に広く使用されている。特に、NAND型フラッシュメモリは、大容量化が進み、データ保存(ストレージ)用のデバイスとして主流になりつつある。NAND型フラッシュメモリは、データの書き込み及び読み出しは、ページと呼ばれる複数のビット単位で行われ、データの消去は、ブロックと呼ばれる複数のページ単位で一括して行われる。フラッシュメモリでは、データの上書きを行うことはできないため、データを書き込む場合には、ブロック単位でデータを一括消去してから新たなデータを書き込む必要がある。 In recent years, flash memory, which is a type of nonvolatile semiconductor memory, is widely used in electronic devices and the like. In particular, NAND-type flash memory has been increasing in capacity and is becoming mainstream as a device for data storage (storage). In a NAND flash memory, data is written and read in units of multiple bits called pages, and data is erased collectively in units of multiple pages called blocks. Since data cannot be overwritten in a flash memory, when writing data, it is necessary to collectively erase data in units of blocks and then write new data.

フラッシュメモリは、メモリセル(以下、単にセルという。)に設けられた浮遊ゲート内に注入される電荷によってデータを記憶する構成を有しており、データの保持には電源供給が不要である。しかしながら、放電等により浮遊ゲートの電荷量が時間変化するため、フラッシュメモリのデータ保持(データリテンション)時間は有限である。また、フラッシュメモリは、セルのデータ書き換え時にゲート絶縁膜に電荷トラップ等による劣化が生じるため、書き換え回数が大きくなるほどデータ保持時間が短くなることが知られている。 A flash memory has a structure in which data is stored by charges injected into floating gates provided in memory cells (hereinafter simply referred to as cells), and no power supply is required to hold data. However, since the charge amount of the floating gate changes with time due to discharge or the like, the data retention time of the flash memory is finite. In addition, it is known that the data retention time of a flash memory becomes shorter as the number of times of rewriting increases because the gate insulating film of the flash memory deteriorates due to charge trapping or the like when data is rewritten in the cell.

このような特性を有するフラッシュメモリは、一般的にハードディスク等の磁気記憶装置に比べて、データ保持時間が短く、かつ書き換え可能回数も少ない。NAND型フラッシュメモリは、大容量化、高速化が容易である一方で、データ保持特性及び書き換え特性の面では、磁気記憶装置よりも不利と言われている。さらに、NAND型フラッシュメモリは、近年大容量化を進めるために、1つのセルの浮遊ゲートが蓄積する電荷量を制御することにより、1セル当たり2ビット以上のデータを記憶させるMLC(Multi-Level Cell)技術が採用されている。このMLC技術は、大容量化には有利である一方で、データ保持特性及び書き換え特性を低下させ、使用寿命を低下させる。 A flash memory having such characteristics generally has a shorter data retention time and a smaller number of rewritable times than a magnetic storage device such as a hard disk. A NAND flash memory can be easily increased in capacity and speed, but is said to be disadvantageous compared to a magnetic memory device in terms of data retention characteristics and rewrite characteristics. Furthermore, in recent years, in order to increase the capacity of NAND-type flash memory, the amount of charge accumulated in the floating gate of one cell is controlled to store two or more bits of data per cell. Cell) technology is adopted. While this MLC technology is advantageous for increasing capacity, it degrades data retention and rewriting characteristics and shortens service life.

このようなNAND型フラッシュメモリの使用寿命を延ばすことを目的とした、ウェアレベリング(wear levelling)と呼ばれる技術が一般に知られている。ウェアレベリングとは、例えば、ブロックごとにデータの書き換え回数を記録しておき、データの書き込みの際に、書き換え回数の少ないブロックに優先して書き込みを行うことで、ブロックごとの書き換え回数のばらつきを平準化する技術である。 A technique called wear leveling is generally known for the purpose of extending the service life of such a NAND flash memory. Wear leveling is, for example, recording the number of times data is rewritten for each block, and prioritizing blocks with the least number of rewrites when writing data. It is a technique for leveling.

また、フラッシュメモリの使用寿命を延ばすために、リフレッシュ処理を行う技術が知られている(例えば、特許文献1,2参照)。例えば、特許文献1では、フラッシュメモリが書き換えられた回数に応じてデータ保持時間を予測し、データ保持時間の経過前に保持されているデータを読み出して再び書き込むことが提案されている。 Also, there is known a technique of performing refresh processing in order to extend the useful life of a flash memory (for example, see Patent Documents 1 and 2). For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200002 proposes predicting a data retention time according to the number of times a flash memory has been rewritten, reading data retained before the data retention time elapses, and rewriting the data.

さらに、フラッシュメモリが組み込まれた製品の使用寿命(製品寿命)を延ばすことを目的とした技術が知られている(例えば、特許文献3参照)。特許文献3では、画像形成装置に使用されるカートリッジ等の消耗品にフラッシュメモリが搭載されている場合において、消耗品の使用量とフラッシュメモリへのアクセス頻度(書き換え頻度)とに基づいて、消耗品の製品寿命が尽きるまでフラッシュメモリの書き換え寿命を維持させるように、アクセス頻度を制御することが提案されている。 Furthermore, there is known a technique for extending the service life (product life) of a product incorporating a flash memory (see, for example, Patent Document 3). In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200011, when a flash memory is installed in a consumable item such as a cartridge used in an image forming apparatus, the amount of consumption of the consumable item and the frequency of access (rewrite frequency) to the flash memory are used to determine the amount of consumption. It has been proposed to control the access frequency so as to maintain the rewrite life of the flash memory until the end of the product life.

上記のようなフラッシュメモリは、情報処理システムを構成するサーバ装置等に組み込まれ、他の装置との送受信で得られる各種データが書き込まれることがある。例えば、ネットワークに接続された複数の画像形成装置の状態等を監視するサーバ装置にフラッシュメモリが組み込まれている場合には、当該フラッシュメモリには、データを書き込む機能に応じて異なる種類のデータが書き込まれる。 The flash memory as described above may be incorporated in a server device or the like that constitutes an information processing system, and various data obtained by transmission/reception with other devices may be written therein. For example, when flash memory is incorporated in a server device that monitors the status of a plurality of image forming apparatuses connected to a network, different types of data are stored in the flash memory according to the data writing function. written.

このような情報処理システムにおいて、フラッシュメモリに書き込まれるデータのデータ量や書き換え頻度は、データの種類によって大きく異なる。例えば、画像形成装置の使用量に応じた課金に使用されるカウンタ情報は、データ量は小さいが、常に最新の情報が求められるので重要度が高く、書き換え頻度が高い。一方、画像形成装置のメンテナンス、レポートなどに関するデータは、情報が多岐に渡るため比較的データ量が大きいが、常に最新の情報が求められる訳ではないので書き換え頻度は低い。 In such an information processing system, the amount of data to be written into the flash memory and the frequency of rewriting largely differ depending on the type of data. For example, the counter information used for billing according to the amount of use of the image forming apparatus has a small amount of data, but since the latest information is always required, the importance is high and the frequency of rewriting is high. On the other hand, data related to image forming apparatus maintenance, reports, and the like have a relatively large amount of data because of the wide variety of information, but the frequency of rewriting is low because the latest information is not always required.

しかしながら、特許文献1~3に記載の技術では、フラッシュメモリへの1回当たりの書き込み時のデータ量や書き換え頻度が、書き込み機能によって大きく異なる状況に対応することはできない。想定以上のデータ量の書き込みが発生した場合には、製品寿命に達する前にフラッシュメモリの書き換え寿命に達して、フラッシュメモリが使用不能になる可能性がある。 However, the techniques described in Patent Literatures 1 to 3 cannot cope with situations in which the amount of data per write to the flash memory and the rewrite frequency differ greatly depending on the write function. If a larger amount of data than expected is written, there is a possibility that the rewrite life of the flash memory will be reached before the end of the product life and the flash memory will become unusable.

開示の技術は、上記事情に鑑みてこれを解決すべくなされたものであり、製品寿命に達する前に書き換え寿命に達することのないようフラッシュメモリを適切に制御することを目的としている。 The technology disclosed has been devised to solve this problem in view of the above circumstances, and aims to appropriately control the flash memory so that the rewrite life does not expire before the product life expires.

開示の技術は、ブロック単位でデータの書き換えが行われるフラッシュメモリが組み込まれた情報処理装置であって、前記フラッシュメモリにデータを書き込む書き込み機能部と、前記フラッシュメモリの周辺の温度を計測する周辺温度計測部と、前記周辺温度計測部により計測された温度に基づいて前記フラッシュメモリの書き換え寿命を予測する書き換え寿命予測部と、前記フラッシュメモリの書き換え回数のブロックごとの合計値を取得する書き換え回数取得部と、前記書き込み機能部による1回当たりのデータの書き換えブロック数を、データの種類ごとに取得する書き換えブロック数取得部と、前記書き込み機能部によるデータの書き換え頻度を、データの種類ごとに取得する書き換え頻度取得部と、前記書き換え回数と、前記書き換えブロック数と、前記書き換え頻度とに基づき、書き換え寿命に到達する時間である書き換え寿命到達時間を予測する書き換え寿命到達時間予測部と、前記書き換え寿命到達時間が所定の製品寿命より短い場合に、前記書き換え頻度を、データの種類ごとに調整する書き換え頻度調整部と、を有する情報処理装置である。 The disclosed technology is an information processing device incorporating a flash memory in which data is rewritten in block units, and includes a write function unit that writes data into the flash memory and a peripheral that measures the temperature around the flash memory. a temperature measurement unit; a rewrite life prediction unit that predicts the rewrite life of the flash memory based on the temperature measured by the ambient temperature measurement unit; an acquisition unit, a rewrite block number acquisition unit that acquires the number of blocks rewritten by the write function unit once for each data type, and a rewrite block number acquisition unit that acquires the number of data rewrites performed by the write function unit for each data type. a rewrite frequency acquisition unit to acquire; a rewrite life end time prediction unit that predicts a rewrite life end time, which is the time until the rewrite life is reached, based on the number of rewrites, the number of rewrite blocks, and the rewrite frequency; and a rewrite frequency adjustment unit that adjusts the rewrite frequency for each data type when the rewrite life reaching time is shorter than a predetermined product life.

本発明によれば、製品寿命に達する前に書き換え寿命に達することのないようフラッシュメモリを適切に制御することができる。 According to the present invention, it is possible to appropriately control a flash memory so as not to reach the end of its rewrite life before reaching the end of its product life.

本発明の一実施形態に係る機器管理システムの全体構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the whole structure of the equipment management system which concerns on one Embodiment of this invention. 機器管理装置のハードウェア構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the hardware constitutions of a device management apparatus. 機器のハードウェア構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the hardware constitutions of an apparatus. 機器管理装置及び機器の機能構成を例示するブロック図である。2 is a block diagram illustrating functional configurations of a device management apparatus and devices; FIG. データ保持時間、温度、及び書き換え回数の関係の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of the relationship between data retention time, temperature, and number of rewrites; 書き換え寿命到達時間の予測方法、及び書き換え頻度の調整方法を説明する図である。It is a figure explaining the prediction method of rewrite life end time, and the adjustment method of rewrite frequency. 書き込み機能(データの種類)の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of a write function (type of data). データ書き換えに関する一連の動作を説明するフローチャートである。4 is a flowchart for explaining a series of operations related to data rewriting; 第1変形例に係るCPUの機能構成を例示するブロック図である。FIG. 11 is a block diagram illustrating a functional configuration of a CPU according to a first modified example; FIG. 第2変形例に係るCPUの機能構成を例示するブロック図である。FIG. 11 is a block diagram illustrating a functional configuration of a CPU according to a second modified example; FIG. 第3変形例に係るCPUの機能構成を例示するブロック図である。FIG. 11 is a block diagram illustrating a functional configuration of a CPU according to a third modified example; FIG. 第4変形例に係るCPUの機能構成を例示するブロック図である。FIG. 12 is a block diagram illustrating a functional configuration of a CPU according to a fourth modified example; FIG. 第8変形例に係るCPUの機能構成を例示するブロック図である。FIG. 21 is a block diagram illustrating a functional configuration of a CPU according to an eighth modified example; FIG. 第9変形例に係る機器管理装置のハードウェア構成を例示する図である。FIG. 21 is a diagram illustrating a hardware configuration of a device management apparatus according to a ninth modification; FIG. 第9変形例に係るCPUの機能構成を例示するブロック図である。FIG. 21 is a block diagram illustrating a functional configuration of a CPU according to a ninth modification; FIG.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の一実施形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態により本発明が限定されるものではない。 An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. In addition, the present invention is not limited by the following embodiments.

[全体構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る情報処理システム1の全体構成を例示する図である。図1に示すように、情報処理システム1は、情報処理装置としての機器管理装置10と、複数の機器20と、リモート管理サーバ装置30とを含む。
[overall structure]
FIG. 1 is a diagram illustrating the overall configuration of an information processing system 1 according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1 , the information processing system 1 includes a device management device 10 as an information processing device, a plurality of devices 20 and a remote management server device 30 .

機器管理装置10は、ネットワーク50を介して複数の機器20と接続されている。また、機器管理装置10は、ネットワーク60を介してリモート管理サーバ装置30と接続されている。ネットワーク50は、例えば、企業のオフィスなどで用いられる社内LAN(Local Area Network)等のネットワークである。ネットワーク60は、例えば、インターネット等の社外ネットワークである。 The device management apparatus 10 is connected to multiple devices 20 via a network 50 . Also, the equipment management apparatus 10 is connected to the remote management server apparatus 30 via the network 60 . The network 50 is, for example, a network such as an in-house LAN (Local Area Network) used in an office of a company. The network 60 is, for example, an external network such as the Internet.

機器管理装置10は、例えば、機器20を利用するユーザのオフィス等に設置される。機器管理装置10には、機器20を制御管理するための管理ソフトウェア(アプリケーションプログラム)が実装されている。 The equipment management apparatus 10 is installed, for example, in the office of the user who uses the equipment 20 . Management software (application program) for controlling and managing the equipment 20 is installed in the equipment management apparatus 10 .

機器管理装置10は、各機器20と通信し、各機器20から稼働情報やカウンタ情報の収集などを行う。機器管理装置10は、各機器20から収集した稼働情報やカウンタ情報をリモート管理サーバ装置30に送信する。 The device management apparatus 10 communicates with each device 20 and collects operation information and counter information from each device 20 . The device management device 10 transmits the operation information and counter information collected from each device 20 to the remote management server device 30 .

機器20は、画像形成装置であり、例えば、複合機(MFP:Multi-Function Peripheral)である。複合機とは、印刷機能、複写機能、スキャナ機能、及びファクシミリ機能のうち少なくとも2つの機能を有する装置である。なお、機器20は、画像形成装置に限られず、ネットワーク機器、電子機器、PCなどであってもよい。また、複数の機器20として、種類の異なる機器が混在していてもよい。 The device 20 is an image forming apparatus, for example, a multi-function peripheral (MFP: Multi-Function Peripheral). A multifunction device is a device that has at least two functions out of a printing function, a copying function, a scanning function, and a facsimile function. Note that the device 20 is not limited to an image forming apparatus, and may be a network device, an electronic device, a PC, or the like. Further, devices of different types may be mixed as the plurality of devices 20 .

機器20が画像形成装置である場合には、上述の稼働情報には、用紙やトナー等の消耗品の残量値、印刷枚数のカウント値、エラー情報などが含まれる。 When the device 20 is an image forming apparatus, the above-described operation information includes the remaining amount of consumables such as paper and toner, the count value of the number of printed sheets, error information, and the like.

複数の機器20は、機器20ごとにネットワーク50を介して機器管理装置10と通信する。 A plurality of devices 20 communicate with the device management apparatus 10 via the network 50 for each device 20 .

リモート管理サーバ装置30は、ネットワーク60を介して機器管理装置10と通信する。リモート管理サーバ装置30は、機器管理装置10を介して取得する稼働情報に基づいて、各機器20を遠隔管理する装置である。リモート管理サーバ装置30は、各機器20の稼働情報やカウンタ情報の集計、消耗品発注、レポート情報の作成、各機器20への更新用ファームウェアの提供などを実施する。 The remote management server device 30 communicates with the device management device 10 via the network 60 . The remote management server device 30 is a device that remotely manages each device 20 based on operation information acquired via the device management device 10 . The remote management server device 30 aggregates operation information and counter information of each device 20, orders consumables, creates report information, provides update firmware to each device 20, and the like.

[機器管理装置10のハードウェア構成]
次に、機器管理装置10のハードウェア構成について説明する。図2は、機器管理装置10のハードウェア構成を例示する図である。
[Hardware Configuration of Device Management Apparatus 10]
Next, the hardware configuration of the device management apparatus 10 will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating the hardware configuration of the device management apparatus 10. As illustrated in FIG.

図2に示すように、機器管理装置10は、CPU(Central Processing Unit)101、RAM(Random Access Memory)102、ROM(Read Only Memory)103、フラッシュメモリ104、温度センサ105、機器I/F106、通信I/F107を有し、これらはバス110を介して互いに接続されている。また、機器I/F106には、表示部108及び操作部109が接続されている。 As shown in FIG. 2, the device management apparatus 10 includes a CPU (Central Processing Unit) 101, a RAM (Random Access Memory) 102, a ROM (Read Only Memory) 103, a flash memory 104, a temperature sensor 105, a device I/F 106, It has a communication I/F 107 and these are connected to each other via a bus 110 . A display unit 108 and an operation unit 109 are connected to the device I/F 106 .

CPU101は、機器管理装置10全体の動作を統括的に制御する。RAM102は、CPU101が情報を処理する際の作業領域として用いられる。ROM103には、起動用プログラムや各種の制御プログラム、アプリケーションプログラム等が格納される。 The CPU 101 centrally controls the operation of the entire device management apparatus 10 . The RAM 102 is used as a work area when the CPU 101 processes information. The ROM 103 stores a startup program, various control programs, application programs, and the like.

フラッシュメモリ104には、機器20の管理に用いる各種管理情報、機器20のステータス情報、稼働情報、カウンタ情報、設定変更情報、動作ログ、更新用ファームウェア、レポート情報等の各種データが書き込まれる。なお、ROM103に代えて、フラッシュメモリ104に起動用プログラム等のプログラムを格納してもよい。 The flash memory 104 is written with various data such as various management information used for managing the device 20, status information of the device 20, operation information, counter information, setting change information, operation logs, update firmware, and report information. It should be noted that a program such as a startup program may be stored in the flash memory 104 instead of the ROM 103 .

温度センサ105は、フラッシュメモリ104の使用環境温度を測定するためのセンサである。 A temperature sensor 105 is a sensor for measuring the operating environment temperature of the flash memory 104 .

フラッシュメモリ104は、NAND型フラッシュメモリである。フラッシュメモリ104には、複数のビット単位からなるページと、複数のページ単位からなるブロックが構成されている。フラッシュメモリ104は、複数のブロックを有する。フラッシュメモリ104に対するデータの書き込み及び読み出しはページ単位で行われ、データの消去はブロック単位で行われる。フラッシュメモリ104では、データの上書きを行うことはできないため、データを書き込む場合には、ブロック単位でデータを一括消去したうえで、消去されたブロック内のページにデータを書き込む必要がある。すなわち、フラッシュメモリ104は、ブロック単位でデータの書き換えが行われる。 The flash memory 104 is a NAND flash memory. The flash memory 104 is configured with a page made up of a plurality of bits and a block made up of a plurality of pages. The flash memory 104 has multiple blocks. Data is written to and read from the flash memory 104 in page units, and data is erased in block units. Since data cannot be overwritten in the flash memory 104, when writing data, it is necessary to collectively erase data in block units and then write data to pages in the erased blocks. That is, in the flash memory 104, data is rewritten in units of blocks.

また、フラッシュメモリ104は、ウェアレベリング機能部104aを有しており、内蔵するコントローラが、外部からの指示によりデータを書き換える際に、書き換え回数の少ないブロックに優先して書き込みを行うことで、ブロックごとの書き換え回数のばらつきを平準化する。 In addition, the flash memory 104 has a wear leveling function unit 104a, and when data is rewritten according to an instruction from the outside, a built-in controller preferentially writes data to a block with a low number of rewrites. Equalize the variation in the number of rewrites for each.

本実施形態では、CPU101の機能により、フラッシュメモリ104に対してデータの書き込み、読み出し、及び消去の制御が行われる。 In this embodiment, the functions of the CPU 101 control writing, reading, and erasing of data in the flash memory 104 .

機器I/F106は、表示部108及び操作部109をバス110に接続するためのインタフェースである。表示部108は、各種の情報を表示するための視覚的ユーザインタフェースであり、例えばLCD(Liquid Crystal Display)などで構成される。操作部109は、キーボードやマウス等、ユーザが機器管理装置10に対して各種の情報を入力するためのユーザインタフェースである。通信I/F107は、機器管理装置10をネットワーク50,60に接続するためのインタフェースである。 A device I/F 106 is an interface for connecting the display unit 108 and the operation unit 109 to the bus 110 . The display unit 108 is a visual user interface for displaying various kinds of information, and is composed of, for example, an LCD (Liquid Crystal Display). The operation unit 109 is a user interface such as a keyboard and a mouse for the user to input various information to the device management apparatus 10 . Communication I/F 107 is an interface for connecting device management apparatus 10 to networks 50 and 60 .

ROM103に格納されたプログラムや、RAM102にロードされたプログラムに従ってCPU101が演算を行うことにより、ソフトウェア制御部が構成される。このソフトウェア制御部と、ハードウェアとの組み合わせによって、機能ブロックが構成される。 A software control unit is configured by the CPU 101 performing calculations according to the programs stored in the ROM 103 and the programs loaded in the RAM 102 . A combination of this software control unit and hardware constitutes a functional block.

なお、機器管理装置10により用いられるプログラムは、インストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルで、記録メディア等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録して、流通させるようにしてもよい。 The program used by the device management apparatus 10 may be recorded in a computer-readable recording medium such as a recording medium in the form of an installable or executable file and distributed.

[機器のハードウェア構成]
次に、機器20のハードウェア構成について説明する。図3は、機器20のハードウェア構成を例示する図である。
[Device hardware configuration]
Next, the hardware configuration of the device 20 will be explained. FIG. 3 is a diagram illustrating the hardware configuration of the device 20. As illustrated in FIG.

図3に示すように、機器20は、CPU201と、ROM202と、RAM203と、外部記憶装置204と、エンジン部205と、操作表示部206と、通信I/F207とを有する。これらの各部は、システムバス208により通信可能に接続されている。 As shown in FIG. 3 , the device 20 has a CPU 201 , a ROM 202 , a RAM 203 , an external storage device 204 , an engine section 205 , an operation display section 206 and a communication I/F 207 . These units are communicably connected by a system bus 208 .

CPU201は、ROM202等に記憶されているプログラムをRAM203に読み出して実行し、機器20の動作を統括的に制御する。ROM202は、機器20により用いられるプログラムを記憶している。RAM203は、CPU201の演算用のワークエリアとして使用される。 The CPU 201 reads a program stored in the ROM 202 or the like into the RAM 203 and executes it, and controls the operation of the device 20 in an integrated manner. ROM 202 stores programs used by device 20 . A RAM 203 is used as a work area for calculation of the CPU 201 .

外部記憶装置204は、画像データ及び印刷データ等の各種データを記憶するHDD、SSD(Solid State Drive)等の記憶装置である。 The external storage device 204 is a storage device such as an HDD or SSD (Solid State Drive) that stores various data such as image data and print data.

エンジン部205は、スキャナ機能、プリンタ機能等を実現するハードウェア装置である。また、エンジン部205は、用紙やトナー等の消耗品の残量を検出するセンサや、印刷枚数をカウントするカウンタや、各種エラーを検出するセンサなどを有している。これらのセンサやカウンタは、上述の稼働情報の取得に用いられる。 An engine unit 205 is a hardware device that implements a scanner function, a printer function, and the like. The engine unit 205 also includes a sensor for detecting the remaining amount of consumables such as paper and toner, a counter for counting the number of printed sheets, and sensors for detecting various errors. These sensors and counters are used to acquire the above-described operation information.

操作表示部206は、例えば、タッチパネル等であり、機器20に対する指示の入力を受け付けるとともに、機器20の状態等の情報を表示する装置である。なお、操作表示部206を、操作部と表示部とに分離してもよい。 The operation display unit 206 is, for example, a touch panel or the like, and is a device that receives input of instructions to the device 20 and displays information such as the state of the device 20 . Note that the operation display unit 206 may be separated into an operation unit and a display unit.

通信I/F207は、ネットワーク50に接続してデータを通信するためのインタフェースである。 A communication I/F 207 is an interface for connecting to the network 50 and communicating data.

[機能構成]
次に、機器管理装置10のCPU101に構成される機能構成について説明する。図4は、CPU101の機能構成を例示するブロック図であり、本実施形態に関わる特徴的な部分のみを示している。
[Function configuration]
Next, a functional configuration configured in the CPU 101 of the device management apparatus 10 will be described. FIG. 4 is a block diagram exemplifying the functional configuration of the CPU 101, showing only the characteristic parts related to this embodiment.

図4において、CPU101には、通信部300と、書き込み機能部301と、周辺温度計測部302と、書き換え寿命予測部303と、書き換え回数取得部304と、書き換えブロック数取得部305と、書き換え頻度取得部306と、書き換え寿命到達時間予測部307と、書き換え頻度調整部308とが構成されている。 4, the CPU 101 includes a communication unit 300, a write function unit 301, an ambient temperature measurement unit 302, a rewrite life prediction unit 303, a rewrite number acquisition unit 304, a rewrite block number acquisition unit 305, and a rewrite frequency An acquisition unit 306, a rewrite life end time prediction unit 307, and a rewrite frequency adjustment unit 308 are configured.

通信部300は、機器20及びリモート管理サーバ装置30と通信し、各種データの送受信を行う。書き込み機能部301は、データの書き込み機能に応じて各種データをフラッシュメモリ104に書き込む機能部である。書き込み機能部301は、書き込むデータのデータ量に応じて1以上のブロックを消去したうえで、消去した1以上のブロックに含まれる1以上のページにデータを書き込む(書き換える)。 The communication unit 300 communicates with the device 20 and the remote management server device 30 to transmit and receive various data. The write function unit 301 is a function unit that writes various data to the flash memory 104 according to the data write function. The write function unit 301 erases one or more blocks according to the amount of data to be written, and then writes (rewrites) data to one or more pages included in the one or more erased blocks.

周辺温度計測部302は、温度センサ105の検出値に基づいて、フラッシュメモリ104の周辺の温度を計測する。 Ambient temperature measurement unit 302 measures the temperature around flash memory 104 based on the value detected by temperature sensor 105 .

書き換え寿命予測部303は、周辺温度計測部302により計測された温度に基づき、フラッシュメモリ104の書き換え寿命を予測する。フラッシュメモリ104のデータ保持時間は温度が高くなるほど小さくなるという特性を有するので、書き換え寿命予測部303により予測される書き換え寿命は、温度が高いほど低くなる。また、書き換え寿命予測部303は、1ブロックの書き換え寿命に、フラッシュメモリ104が有するブロック数を乗じた値を、書き換え寿命として取得する。 The rewrite life prediction unit 303 predicts the rewrite life of the flash memory 104 based on the temperature measured by the ambient temperature measurement unit 302 . Since the data retention time of the flash memory 104 has a characteristic that the higher the temperature, the shorter the rewrite life predicted by the rewrite life prediction unit 303, the higher the temperature. Further, the rewrite life prediction unit 303 acquires a value obtained by multiplying the rewrite life of one block by the number of blocks in the flash memory 104 as the rewrite life.

図5は、フラッシュメモリ104のデータ保持時間、温度、及び書き換え回数の関係の一例を示す図である。図5は、フラッシュメモリ104として、SLC(Single-Level Cell)のNAND型フラッシュメモリを用いた例を示している。図5中の実線は、ブロックを10回書き換えた後におけるデータ保持時間の温度依存性を示している。一点鎖線は、ブロックを10K回書き換えた後におけるデータ保持時間の温度依存性を示している。二点鎖線は、ブロックを100K回書き換えた後におけるデータ保持時間の温度依存性を示している。 FIG. 5 is a diagram showing an example of the relationship between the data retention time of the flash memory 104, the temperature, and the number of times of rewriting. FIG. 5 shows an example in which an SLC (Single-Level Cell) NAND flash memory is used as the flash memory 104 . The solid line in FIG. 5 indicates the temperature dependence of the data retention time after rewriting the block 10 times. The dashed-dotted line shows the temperature dependence of the data retention time after the block has been rewritten 10K times. A two-dot chain line indicates the temperature dependence of the data retention time after the block has been rewritten 100K times.

図5に示すように、フラッシュメモリ104は、周辺の温度が高くなるほどデータ保持時間が短くなる。また、書き換え回数が多くなるほどデータ保持時間が短くなる。例えば、周辺温度Taを55℃とした場合には、100K回の書き換えを行った後では、データ保持時間が約1年となってしまう。例えば、製品寿命を5年と設定した場合には、データ保持時間の最低保証時間Rminを5年とする必要がある。図5の例では、周辺温度Taが55℃で、最低保証時間Rminを5年とするためには、書き換え寿命を約10K以下に抑える必要がある。 As shown in FIG. 5, the flash memory 104 has a shorter data retention time as the ambient temperature increases. In addition, the data retention time becomes shorter as the number of rewrites increases. For example, when the ambient temperature Ta is 55° C., the data retention time is about one year after rewriting 100K times. For example, if the product life is set to 5 years, the minimum guaranteed data retention time Rmin must be 5 years. In the example of FIG. 5, when the ambient temperature Ta is 55.degree.

書き換え寿命予測部303は、図5に示すようなデータ保持時間、温度、及び書き換え回数の関係を表す基準データを保持しており、周辺温度計測部302により計測された温度に基づき、最低保証時間Rmin(例えば5年)を満たす書き換え寿命を求める。 The rewrite life prediction unit 303 holds reference data representing the relationship between data retention time, temperature, and number of rewrites as shown in FIG. A rewrite life that satisfies Rmin (for example, 5 years) is obtained.

図4に戻り、書き換え回数取得部304は、フラッシュメモリ104が有する各ブロックの書き換え回数を取得する。ここで、書き換え回数とは、フラッシュメモリ104の使用開始時から、書き込み機能部301によりデータが書き換えられた回数である。また、書き換え回数取得部304は、各ブロックの書き換え回数をカウントし、そのカウント値の合計値を、書き換え回数として取得する。 Returning to FIG. 4 , the number-of-rewrites obtaining unit 304 obtains the number of times of rewrites for each block in the flash memory 104 . Here, the number of rewrites is the number of times data has been rewritten by the write function unit 301 since the flash memory 104 was started to be used. The number-of-rewrites acquisition unit 304 also counts the number of rewrites for each block, and acquires the total value of the count values as the number of rewrites.

書き換えブロック数取得部305は、書き込み機能部301がデータを書き換える場合における1回当たりのブロック数(書き換えブロック数)を、書き込み機能ごと(すなわち、データの種類ごと)に取得する。 The rewrite block number acquisition unit 305 acquires the number of blocks (number of rewrite blocks) for each write function (that is, each type of data) when the write function unit 301 rewrites data.

書き換え頻度取得部306は、書き込み機能部301がデータを書き換える頻度(書き換え頻度)を、書き込み機能ごと(すなわち、データの種類ごと)に取得する。 The rewrite frequency acquisition unit 306 acquires the frequency at which the write function unit 301 rewrites data (rewrite frequency) for each write function (that is, for each data type).

書き換え寿命到達時間予測部307は、書き換え回数取得部304により取得された書き換え回数(合計値)と、書き換えブロック数取得部305により取得された書き込み機能ごとの書き換えブロック数と、書き換え頻度取得部306により取得された書き込み機能ごとの書き換え頻度とに基づき、書き換え寿命予測部303により予測された書き換え寿命に到達する時間(書き換え寿命到達時間)を予測する。 The rewrite life end time prediction unit 307 calculates the number of rewrites (total value) acquired by the number of rewrites acquisition unit 304, the number of rewrite blocks for each write function acquired by the number of rewrite blocks acquisition unit 305, and the rewrite frequency acquisition unit 306. Based on the rewrite frequency for each write function acquired by the rewrite life predicting unit 303, the time (rewrite life reaching time) predicted by the rewrite life prediction unit 303 is predicted.

例えば、書き換え寿命到達時間予測部307は、まず、書き換え回数と書き換え寿命との差(残りの書き換え可能回数)を求める。また、書き換え寿命到達時間予測部307は、書き込み機能ごとの書き換えブロック数と、書き込み機能ごとの書き換え頻度とに基づき、単位時間当たりに書き換えられる書き換え回数を書き込み機能ごとに求める。そして、書き換え寿命到達時間予測部307は、残りの書き換え可能回数と、単位時間当たりに書き換えられる書き換え回数とに基づいて、書き換え寿命到達時間を求める。 For example, the rewrite life reaching time prediction unit 307 first obtains the difference between the number of rewrites and the rewrite life (remaining rewriteable number of times). Further, the rewrite life end time prediction unit 307 obtains the number of rewrites per unit time for each write function based on the number of rewrite blocks for each write function and the rewrite frequency for each write function. Then, the rewrite life end time predicting unit 307 obtains the rewrite life end time based on the number of remaining rewrites allowed and the number of rewrites performed per unit time.

書き換え頻度調整部308は、機器管理装置10の使用寿命として設定された製品寿命と、書き換え寿命到達時間予測部307により予測された書き換え寿命到達時間とを比較し、書き換え寿命到達時間が製品寿命より短い場合に、書き込み機能部301による書き換え頻度を書き込み機能ごと(すなわち、データの種類ごと)に調整することにより、書き換え寿命到達時間を製品寿命より延ばす。例えば、書き換え頻度調整部308は、重要度の低い書き込み機能の書き換え頻度を低下させることにより、フラッシュメモリ104全体としての書き換え寿命到達時間を製品寿命より延ばす。 The rewriting frequency adjusting unit 308 compares the product life set as the service life of the device management apparatus 10 with the rewriting life reaching time predicted by the rewriting life reaching time prediction unit 307, and determines that the rewriting life reaching time is longer than the product life. If it is short, by adjusting the rewrite frequency by the write function unit 301 for each write function (that is, for each data type), the rewrite life reaching time is extended beyond the product life. For example, the rewrite frequency adjustment unit 308 reduces the rewrite frequency of write functions of low importance, thereby extending the rewrite life reaching time of the flash memory 104 as a whole beyond the product life.

図6は、書き換え寿命到達時間の予測方法、及び書き換え頻度の調整方法を説明する図である。図6において、C0は、ある時点t0において書き換え回数取得部304により取得される書き換え回数の合計値を示している。また、Cmaxは、時点t0において書き換え寿命予測部303により予測される書き換え寿命を示している。 FIG. 6 is a diagram for explaining a method of predicting the rewrite life end time and a method of adjusting the rewrite frequency. In FIG. 6, C0 indicates the total value of the number of rewrites acquired by the number-of-rewrites acquisition unit 304 at time t0. Cmax indicates the rewrite life predicted by the rewrite life prediction unit 303 at time t0.

t1は、書き換え寿命到達時間予測部307により予測される書き換え寿命到達時間の一例を示している。このように書き換え寿命到達時間が製品寿命より短い場合には、書き換え頻度調整部308は、一部の書き込み機能の書き換え頻度を下げることにより、書き換え寿命到達時間を製品寿命より延ばす。t2は、書き換え頻度の調整後の書き換え寿命到達時間を示している。 t1 indicates an example of the rewriting life reaching time predicted by the rewriting life reaching time predicting section 307 . When the rewriting life reaching time is shorter than the product life in this way, the rewriting frequency adjusting unit 308 extends the rewriting life reaching time than the product life by lowering the rewriting frequency of some writing functions. t2 indicates the rewrite life reaching time after the rewrite frequency is adjusted.

図7は、書き込み機能(データの種類)の一例を示す図である。図7に示されるように、フラッシュメモリ104に書き込まれるデータの種類として、機器ステータス情報、異常発生情報、カウンタ情報、レポート情報、設定変更情報、機器稼働情報、動作ログ、更新用ファームウェアなどが挙げられる。例えば、機器ステータス情報は、トナーエンド、トナーニアエンド、その他サプライ状況などを表す情報である。異常発生情報は、異常の種類、発生時刻などを表す情報である。 FIG. 7 is a diagram showing an example of a write function (data type). As shown in FIG. 7, the types of data written to the flash memory 104 include device status information, error occurrence information, counter information, report information, setting change information, device operation information, operation log, update firmware, and the like. be done. For example, the device status information is information indicating toner end, toner near end, other supply status, and the like. The abnormality occurrence information is information representing the type of abnormality, the time of occurrence, and the like.

各書き込み機能(データの種類)には、重要度、データ量、書き換え頻度、優先度などの情報が対応付けられている。重要度、データ量、及び書き換え頻度は、データの種類によって異なる。なお、書き込み機能部301がフラッシュメモリ104に書き込むデータ量は、機器管理装置10が管理する機器20の台数に応じて異なる。 Each write function (type of data) is associated with information such as importance, data amount, rewrite frequency, and priority. The importance, data amount, and rewrite frequency differ depending on the data type. Note that the amount of data written by the write function unit 301 to the flash memory 104 varies depending on the number of devices 20 managed by the device management apparatus 10 .

例えば、機器20の使用量に応じた課金に使用されるカウンタ情報は、データ量は小さいが、常に最新の情報が求められるので重要度が高く、書き換え頻度が高い。また、異常発生情報も機器20のダウンタイム削減のために重要であるが、データ形式は数値やフラグであるのでデータ量は小さい。一方、機器20のメンテナンス、レポート、動作ログ、更新用ファームウェアなどに関するデータは、情報が多岐に渡るため比較的データ量が大きいが、常に最新の情報が求められる訳ではないので重要度は低い。 For example, the counter information used for charging according to the amount of usage of the device 20 has a small amount of data, but since the latest information is always required, the importance is high and the frequency of rewriting is high. In addition, although the abnormality occurrence information is also important for reducing the downtime of the device 20, the amount of data is small because the data format is numerical values and flags. On the other hand, the data related to the maintenance, reports, operation logs, firmware for update, etc. of the device 20 has a relatively large amount of data because of the wide variety of information, but the importance is low because the latest information is not always required.

したがって、重要性の高いデータの書き換え頻度を調整すると、機器20が動作を正常に実行できなくなる恐れがあるため、書き換え頻度調整部308は、主に重要度のデータの書き換え頻度を調整する。 Therefore, if the rewriting frequency of data of high importance is adjusted, the device 20 may not be able to operate normally.

優先度は、重要度とデータ量とに基づいて決定された値である。基本的に、優先度は、重要度が高いほど大きい。図7では、重要度が同じである場合には、データ量が小さいほうの優先度を高く設定している。これは、データ量が小さければ、書き換え頻度が比較的高くても、書き換え対称のブロック数が急激に増えず、影響が小さいためである。 Priority is a value determined based on importance and data amount. Basically, the higher the priority, the higher the priority. In FIG. 7, when the degrees of importance are the same, the priority of the smaller data amount is set higher. This is because if the amount of data is small, the number of blocks to be rewritten does not suddenly increase even if the rewrite frequency is relatively high, and the effect is small.

書き換え頻度調整部308は、優先度に基づき、優先度の低いき込み機能の書き換え頻度を下げることにより、書き換え寿命到達時間を延ばす制御を行ってもよい。 Based on the priority, the rewrite frequency adjustment unit 308 may perform control to extend the rewrite life reaching time by lowering the rewrite frequency of the writing function with low priority.

[動作]
次に、フラッシュメモリ104のデータ書き換えに関する一連の動作について説明する。図8は、データ書き換えに関する一連の動作を説明するフローチャートである。
[motion]
Next, a series of operations for rewriting data in the flash memory 104 will be described. FIG. 8 is a flowchart for explaining a series of operations related to data rewriting.

図8に示すように、まず、ステップS10おいて、周辺温度計測部302がフラッシュメモリ104の周辺の温度を計測する。ステップS11において、書き換え寿命予測部303が、周辺温度計測部302による温度の計測値に基づいて、フラッシュメモリ104の書き換え寿命を予測する。この書き換え寿命は、各ブロックの書き換え可能回数の合計値である。書き換え寿命は、温度の計測値が高いほど低くなる。 As shown in FIG. 8, first, in step S10, the ambient temperature measuring unit 302 measures the ambient temperature of the flash memory 104. FIG. In step S<b>11 , the rewrite life prediction unit 303 predicts the rewrite life of the flash memory 104 based on the temperature measured by the ambient temperature measurement unit 302 . This rewrite life is the total value of the number of times that each block can be rewritten. The rewrite life becomes shorter as the temperature measurement value becomes higher.

ステップS12において、書き換え回数取得部304が、フラッシュメモリ104の現在までの書き換え回数を取得する。この書き換え回数は、各ブロックの書き換え回数の合計値である。ステップS13において、書き換えブロック数取得部305が、データを書き換える際の1回当たりの書き換えブロック数を、書き込み機能(データの種類)ごとに取得する。ステップS14において、書き換え頻度取得部306が、データの書き換え頻度を書き込み機能(データの種類)ごとに取得する。 In step S<b>12 , the number-of-rewrites acquisition unit 304 acquires the number of times of rewrites in the flash memory 104 up to now. This number of rewrites is the total value of the number of rewrites for each block. In step S<b>13 , the rewrite block number acquisition unit 305 acquires the number of rewrite blocks per rewrite when data is rewritten for each write function (type of data). In step S14, the rewrite frequency acquisition unit 306 acquires the data rewrite frequency for each write function (data type).

ステップS15において、書き換え寿命到達時間予測部307が、書き換え回数、書き換えブロック数、及び書き換え頻度に基づき、書き換え寿命に到達する時間(書き換え寿命到達時間)を予測する。ステップS16において、書き換え頻度調整部308が、書き換え寿命到達時間と製品寿命とを比較し、書き換え寿命到達時間が製品寿命未満であるか否かを判定する。製品寿命未満である場合には、ステップS17において、書き換え頻度調整部308により書き換え頻度の調整が行われる。書き換え頻度調整部308は、重要度又は優先度の低いデータの書き換え頻度が低下させることにより、書き換え寿命到達時間を製品寿命より長くする。 In step S15, the rewrite life end time prediction unit 307 predicts the time until the rewrite life end (rewrite life end time) based on the number of rewrites, the number of rewrite blocks, and the rewrite frequency. In step S16, the rewrite frequency adjustment unit 308 compares the rewrite life reaching time and the product life, and determines whether or not the rewriting life reaching time is less than the product life. If it is less than the product life, the rewrite frequency adjustment unit 308 adjusts the rewrite frequency in step S17. The rewrite frequency adjustment unit 308 makes the rewrite life reaching time longer than the product life by lowering the rewrite frequency of data with low importance or priority.

以上のように、本実施形態によれば、フラッシュメモリが組み込まれた製品の製品寿命に達する前に、フラッシュメモリの書き換え寿命に達することのないようフラッシュメモリの書き換えを適切に制御することができる。これにより、製品寿命がフラッシュメモリの書き換え寿命に影響されることを防止することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to appropriately control the rewriting of the flash memory so that the rewriting life of the flash memory does not reach the end of the product life of the product incorporating the flash memory. . This can prevent the product life from being affected by the rewrite life of the flash memory.

以下に、上記実施形態の各種変形例について説明する。 Various modifications of the above embodiment will be described below.

[第1変形例]
上記実施形態では、図7に示すように、データの重要度及び優先度を一定値としているが、重要度及び優先度を機器20の状態等に応じて変化する値としてもよい。
[First modification]
In the above embodiment, as shown in FIG. 7, the importance and priority of data are set to constant values, but the importance and priority may be values that change according to the state of the device 20 or the like.

図9は、第1変形例に係るCPU101の機能構成を例示するブロック図である。本変形例は、CPU101の機能構成に、異常検出部320が追加されている点が上記実施形態の機能構成と異なる。異常検出部320は、機器20から取得される機器ステータス情報や異常発生情報に基づいて、機器20の異常を検出する。 FIG. 9 is a block diagram illustrating the functional configuration of the CPU 101 according to the first modified example. This modification differs from the functional configuration of the above embodiment in that an abnormality detection unit 320 is added to the functional configuration of the CPU 101 . The anomaly detection unit 320 detects an anomaly of the device 20 based on the device status information and the anomaly occurrence information acquired from the device 20 .

書き換え頻度調整部308は、異常検出部320により検出される異常の内容(例えば、異常度)に応じて、上述の重要度及び優先度を高める。例えば、書き換え頻度調整部308は、異常検出部320により異常が検出された場合に、該当する書き込み機能(データ)の重要度及び優先度を高め、異常が解消した場合に重要度及び優先度を元に戻す。 The rewriting frequency adjustment unit 308 increases the above-described importance and priority according to the details of the abnormality (for example, the degree of abnormality) detected by the abnormality detection unit 320 . For example, the rewrite frequency adjustment unit 308 increases the importance and priority of the corresponding write function (data) when an abnormality is detected by the abnormality detection unit 320, and increases the importance and priority when the abnormality is resolved. Undo.

これにより、書き換え頻度の調整を実行している場合であっても、特定の非常に重要な異常が発生した際に、確実にデータを記録することができる。 As a result, data can be reliably recorded when a specific, very important abnormality occurs, even when rewrite frequency adjustment is being performed.

[第2変形例]
図10は、第2変形例に係るCPU101の機能構成を例示するブロック図である。本変形例は、CPU101の機能構成に、残寿命判定部330及び警告部331が追加されている点が上記実施形態の機能構成と異なる。
[Second modification]
FIG. 10 is a block diagram illustrating the functional configuration of CPU 101 according to the second modification. This modified example differs from the functional configuration of the above embodiment in that a remaining life determination unit 330 and a warning unit 331 are added to the functional configuration of the CPU 101 .

残寿命判定部330は、書き換え寿命予測部303により予測される書き換え寿命と、書き換え回数取得部304により取得される書き換え回数とに基づき、書き換え回数が書き換え寿命の一定割合(例えば、90%)以上であるか否か(すなわち、残寿命が一定値未満であるか否か)を判定する。 Based on the rewrite life predicted by the rewrite life prediction unit 303 and the number of rewrites acquired by the rewrite number acquisition unit 304, the remaining life determination unit 330 determines whether the number of rewrites is a certain percentage (for example, 90%) or more of the rewrite life. (that is, whether the remaining life is less than a certain value).

警告部331は、残寿命判定部330により書き換え回数が書き換え寿命の一定割合以上であると判定された場合に、通信部300を介してリモート管理サーバ装置30に警告を送信する。なお、警告部331は、機器管理装置10の表示部108等に警告を報知してもよい。 The warning unit 331 transmits a warning to the remote management server device 30 via the communication unit 300 when the remaining life determination unit 330 determines that the number of rewrites is equal to or greater than a certain percentage of the rewrite life. Note that the warning unit 331 may notify a warning to the display unit 108 or the like of the device management apparatus 10 .

このように、フラッシュメモリの書き換え回数が書き換え寿命に近い場合に予め警告を報知することにより、ユーザは事前にデータのバックアップ等の措置を取ることができ、フラッシュメモリが突然書き換え不能となることによるデータの消失を防止することができる。 In this way, by issuing a warning in advance when the number of rewrites of the flash memory is close to the end of the rewrite life, the user can take measures such as backing up the data in advance. Data loss can be prevented.

[第3変形例]
図11は、第3変形例に係るCPU101の機能構成を例示するブロック図である。本変形例は、CPU101の機能構成に、残寿命判定部330及び転送部332が追加されている点が上記実施形態の機能構成と異なる。残寿命判定部330は、第2変形例における、残寿命判定部330と同一の構成である。
[Third Modification]
FIG. 11 is a block diagram illustrating the functional configuration of CPU 101 according to the third modification. This modification differs from the functional configuration of the above embodiment in that a remaining life determination unit 330 and a transfer unit 332 are added to the functional configuration of the CPU 101 . The remaining life determination unit 330 has the same configuration as the remaining life determination unit 330 in the second modified example.

転送部332は、残寿命判定部330により書き換え回数が書き換え寿命の一定割合以上(残寿命が一定値未満)であると判定された場合に、書き込み機能部301によるフラッシュメモリ104へのデータの書き込みを停止させ、データを、通信部300を介して外部の逐次サーバ等へ転送させる。なお、逐次サーバとは、機器管理装置10から定期的(1日ごと、1週間ごと、1カ月ごと等)にデータを取得するサーバ装置である。 The transfer unit 332 causes the write function unit 301 to write data to the flash memory 104 when the remaining life determination unit 330 determines that the number of rewrites is equal to or greater than a certain percentage of the rewrite life (remaining life is less than a certain value). is stopped, and the data is sequentially transferred to an external server or the like via the communication unit 300 . Note that the sequential server is a server device that acquires data from the device management device 10 periodically (every day, every week, every month, etc.).

このように、フラッシュメモリの書き換え回数が書き換え寿命に近い場合にデータをフラッシュメモリに蓄積せずに外部に転送することにより、フラッシュメモリが突然書き換え不能となることによるデータの消失を防止することができる。 In this way, when the number of rewrites in the flash memory is close to the end of the rewrite life, the data is transferred to the outside without being stored in the flash memory, thereby preventing the data from being lost when the flash memory suddenly becomes unrewritable. can.

[第4変形例]
図12は、第4変形例に係るCPU101の機能構成を例示するブロック図である。本変形例は、CPU101の機能構成に、メモリ追加検知部340及び残寿命比較部341が追加されている点が上記実施形態の機能構成と異なる。本変形例では、機器管理装置10には、フラッシュメモリ104に加えて、新たなフラッシュメモリ(オプションフラッシュメモリ)104bを追加することができる。
[Fourth Modification]
FIG. 12 is a block diagram illustrating the functional configuration of CPU 101 according to the fourth modification. This modification differs from the functional configuration of the above embodiment in that a memory addition detection unit 340 and a remaining life comparison unit 341 are added to the functional configuration of the CPU 101 . In this modification, in addition to the flash memory 104, a new flash memory (optional flash memory) 104b can be added to the device management apparatus 10. FIG.

メモリ追加検知部340は、機器管理装置10に新たなフラッシュメモリ104bが追加(装着)されたことを検知する。残寿命比較部341は、メモリ追加検知部340により新たなフラッシュメモリ104bの追加が検知された場合に、フラッシュメモリ104の残寿命(書き換え寿命到達時間)と、新たなフラッシュメモリ104bの残寿命とを比較し、書き込み機能部301に、残寿命が長い方のフラッシュメモリに対して書き込みを実行させる。 The memory addition detection unit 340 detects that a new flash memory 104 b has been added (attached) to the device management apparatus 10 . When the addition of the new flash memory 104b is detected by the memory addition detection unit 340, the remaining life comparing unit 341 compares the remaining life of the flash memory 104 (rewriting life reaching time) with the remaining life of the new flash memory 104b. are compared, and the write function unit 301 is caused to write to the flash memory with the longer remaining life.

このように、オプションフラッシュメモリが装着されている場合に、残寿命の長い方への書き込みを選択的に行うことで、フラッシュメモリ104の書き換え寿命をさらに延命することができる。 In this way, when the optional flash memory is mounted, the rewrite life of the flash memory 104 can be further extended by selectively writing to the one with the longer remaining life.

[第5変形例]
第5変形例は、書き換え頻度調整部308の機能が上記実施形態と異なる。本変形例では、書き換え頻度調整部308は、フラッシュメモリ104の書き換え頻度を低下させるために、一定時間(例えば、1日)の間、書き込み機能部301に、フラッシュメモリ104に代えて、一時記憶装置としてのRAM102に対してデータの書き込みを行わせる。そして、書き換え頻度調整部308は、一定時間が経過すると、書き込み機能部301に、RAM102からデータを読み出してフラッシュメモリ104に対して書き込みを行わせる。
[Fifth Modification]
The fifth modification differs from the above embodiment in the function of the rewrite frequency adjustment unit 308 . In this modification, the rewrite frequency adjustment unit 308 temporarily stores data in the write function unit 301 instead of the flash memory 104 for a certain period of time (for example, one day) in order to reduce the rewrite frequency of the flash memory 104. Data is written to the RAM 102 as a device. Then, the rewrite frequency adjustment unit 308 causes the write function unit 301 to read data from the RAM 102 and write it to the flash memory 104 after a certain period of time has passed.

このように、一定時間ごとにフラッシュメモリ104へデータを書き込むことで、機器20等から最新のデータを取得しつつ、フラッシュメモリ104の書き換え頻度を低下させることができる。 In this way, by writing data to the flash memory 104 at fixed time intervals, it is possible to obtain the latest data from the device 20 or the like while reducing the frequency of rewriting the flash memory 104 .

[第6変形例]
第6変形例は、書き込み機能部301の機能が上記実施形態と異なる。本変形例では、書き込み機能部301は、フラッシュメモリ104にデータを書き込む際に、フラッシュメモリ104に書き込み済みのデータを参照し、変更がある場合にのみデータを書き込む。
[Sixth Modification]
The sixth modification differs from the above embodiment in the function of the write function unit 301 . In this modification, the write function unit 301 refers to the data already written to the flash memory 104 when writing data to the flash memory 104, and writes the data only when there is a change.

このように、データに変更がある場合にのみ書き込みを行うことで、フラッシュメモリ104の書き換え頻度を低下させることができる。 In this way, by writing data only when there is a change in data, the rewriting frequency of the flash memory 104 can be reduced.

[第7変形例]
第7変形例は、書き換え頻度調整部308の機能が上記実施形態と異なる。本変形例では、書き換え頻度調整部308は、フラッシュメモリ104の書き換え頻度を低下させるために、一定時間(例えば、1日)の間、書き込み機能部301に、書き換え頻度の高いデータを、フラッシュメモリ104に代えて、一時記憶装置としてのRAM102に対して書き込みを行わせる。そして、書き換え頻度調整部308は、一定時間が経過すると、書き込み機能部301に、RAM102からデータを読み出してフラッシュメモリ104に対して書き込みを行わせる。
[Seventh Modification]
The seventh modification differs from the above embodiment in the function of the rewrite frequency adjustment unit 308 . In this modification, the rewrite frequency adjustment unit 308 transfers frequently rewritten data to the write function unit 301 for a certain period of time (for example, one day) in order to reduce the rewrite frequency of the flash memory 104. Instead of 104, writing is performed to RAM 102 as a temporary storage device. Then, the rewrite frequency adjustment unit 308 causes the write function unit 301 to read data from the RAM 102 and write it to the flash memory 104 after a certain period of time has passed.

なお、書き換え頻度調整部308は、書き換え頻度の低いデータについては、RAM102への書き込みは行わせず、フラッシュメモリ104に対して書き込ませる。 Note that the rewrite frequency adjustment unit 308 does not write data with a low rewrite frequency to the flash memory 104 without writing the data to the RAM 102 .

このように、書き換え頻度の高いデータを一時的にRAM102に書き込むことにより、フラッシュメモリ104の書き換え頻度を低下させることができる。 In this way, by temporarily writing data with a high rewriting frequency into the RAM 102, the rewriting frequency of the flash memory 104 can be reduced.

[第8変形例]
図13は、第8変形例に係るCPU101の機能構成を例示するブロック図である。本変形例は、CPU101の機能構成に、温度判定部350及び警告部351が追加されている点が上記実施形態の機能構成と異なる。
[Eighth modification]
FIG. 13 is a block diagram illustrating the functional configuration of CPU 101 according to the eighth modification. This modified example differs from the functional configuration of the above embodiment in that a temperature determination unit 350 and a warning unit 351 are added to the functional configuration of the CPU 101 .

温度判定部350は、周辺温度計測部302により計測された温度が所定温度以上であるか否かを判定する。この所定温度は、例えば、書き換え寿命予測部303により予測される書き換え寿命が、製品寿命に対して不足する温度である。 The temperature determination unit 350 determines whether the temperature measured by the ambient temperature measurement unit 302 is equal to or higher than a predetermined temperature. This predetermined temperature is, for example, the temperature at which the rewrite life predicted by the rewrite life prediction unit 303 is insufficient for the product life.

警告部351は、温度判定部350により周辺温度が所定温度以上であると判定された場合に、通信部300を介してリモート管理サーバ装置30に警告を送信する。なお、警告部351は、機器管理装置10の表示部108等に警告を報知してもよい。 The warning unit 351 transmits a warning to the remote management server device 30 via the communication unit 300 when the temperature determination unit 350 determines that the ambient temperature is equal to or higher than the predetermined temperature. Note that the warning unit 351 may notify a warning to the display unit 108 or the like of the device management apparatus 10 .

このように、フラッシュメモリの周辺温度が所定温度以上となった場合に警告を行うことで、ユーザが使用環境の改善を図り、書き換え寿命を延ばすことができる。 In this way, by issuing a warning when the ambient temperature of the flash memory reaches or exceeds a predetermined temperature, the user can improve the usage environment and extend the rewrite life.

[第9変形例]
図14は、第9変形例に係る機器管理装置10のハードウェア構成を例示する図である。本変形例は、フラッシュメモリ104の周辺温度を低下させるための冷却装置112が追加されている点が上記実施形態のハードウェア構成と異なる。
[Ninth Modification]
FIG. 14 is a diagram illustrating the hardware configuration of the device management apparatus 10 according to the ninth modification. This modification differs from the hardware configuration of the above embodiment in that a cooling device 112 for lowering the ambient temperature of the flash memory 104 is added.

図15は、第9変形例に係るCPU101の機能構成を例示するブロック図である。本変形例は、CPU101の機能構成に、温度判定部350及び冷却装置制御部352が追加されている点が上記実施形態の機能構成と異なる。温度判定部350は、第8変形例における温度判定部350と同一の構成である。 FIG. 15 is a block diagram illustrating the functional configuration of the CPU 101 according to the ninth modification. This modified example differs from the functional configuration of the above embodiment in that a temperature determination unit 350 and a cooling device control unit 352 are added to the functional configuration of the CPU 101 . The temperature determination unit 350 has the same configuration as the temperature determination unit 350 in the eighth modified example.

冷却装置制御部352は、温度判定部350により周辺温度が所定温度以上であると判定された場合に、冷却装置112を制御してフラッシュメモリ104の温度を低下させる。 The cooling device control unit 352 controls the cooling device 112 to lower the temperature of the flash memory 104 when the temperature determination unit 350 determines that the ambient temperature is equal to or higher than the predetermined temperature.

このように、フラッシュメモリの周辺温度が所定温度以上となった場合にフラッシュメモリの温度を低下させることで、書き換え寿命を延ばすことができる。 In this manner, by lowering the temperature of the flash memory when the ambient temperature of the flash memory exceeds a predetermined temperature, the rewrite life can be extended.

なお、上記複数の変形例は、矛盾が生じない限り組み合わせることが可能である。 It should be noted that the plurality of modifications described above can be combined as long as there is no contradiction.

上記で説明した実施形態の各機能は、一又は複数の処理回路によって実現することが可能である。ここで、本明細書における「処理回路」とは、電子回路により実装されるプロセッサのようにソフトウェアによって各機能を実行するようプログラミングされたプロセッサや、上記で説明した各機能を実行するよう設計されたASIC(Application Specific Integrated Circuit)、DSP(digital signal processor)、FPGA(field programmable gate array)や従来の回路モジュール等のデバイスを含むものとする。 Each function of the embodiments described above may be implemented by one or more processing circuits. Here, the "processing circuit" in this specification means a processor programmed by software to perform each function, such as a processor implemented by an electronic circuit, or a processor designed to perform each function described above. ASICs (Application Specific Integrated Circuits), DSPs (digital signal processors), FPGAs (field programmable gate arrays) and devices such as conventional circuit modules.

また、上記各実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。 Moreover, the present invention is not limited to the requirements shown in the above embodiments. These points can be changed within the scope of the present invention, and can be determined appropriately according to the application form.

1 情報処理システム
10 機器管理装置
20 機器
30 リモート管理サーバ装置
101 CPU
102 RAM(一時記憶装置)
104 フラッシュメモリ
104a ウェアレベリング機能部
104b フラッシュメモリ
105 温度センサ
112 冷却装置
300 通信部
301 機能部
302 周辺温度計測部
303 寿命予測部
304 回数取得部
305 ブロック数取得部
306 頻度取得部
307 寿命到達時間予測部
308 頻度調整部
320 異常検出部
330 残寿命判定部
331 警告部
332 転送部
340 メモリ追加検知部
341 残寿命比較部
350 温度判定部
351 警告部
352 冷却装置制御部
1 Information Processing System 10 Device Management Device 20 Device 30 Remote Management Server Device 101 CPU
102 RAM (temporary storage)
104 flash memory 104a wear leveling function unit 104b flash memory 105 temperature sensor 112 cooling device 300 communication unit 301 function unit 302 ambient temperature measurement unit 303 life prediction unit 304 number acquisition unit 305 block number acquisition unit 306 frequency acquisition unit 307 lifetime reaching time prediction Unit 308 Frequency adjustment unit 320 Abnormality detection unit 330 Remaining life determination unit 331 Warning unit 332 Transfer unit 340 Memory addition detection unit 341 Remaining life comparison unit 350 Temperature determination unit 351 Warning unit 352 Cooling device control unit

特開2009-3843号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-3843 特開2010-67098号公報JP-A-2010-67098 特開2009-53681号公報JP-A-2009-53681

Claims (13)

ブロック単位でデータの書き換えが行われるフラッシュメモリが組み込まれた情報処理装置であって、
前記フラッシュメモリにデータを書き込む書き込み機能部と、
前記フラッシュメモリの周辺の温度を計測する周辺温度計測部と、
前記周辺温度計測部により計測された温度に基づいて前記フラッシュメモリの書き換え寿命を予測する書き換え寿命予測部と、
前記フラッシュメモリの書き換え回数のブロックごとの合計値を取得する書き換え回数取得部と、
前記書き込み機能部による1回当たりのデータの書き換えブロック数を、データの種類ごとに取得する書き換えブロック数取得部と、
前記書き込み機能部によるデータの書き換え頻度を、データの種類ごとに取得する書き換え頻度取得部と、
前記書き換え回数と、前記書き換えブロック数と、前記書き換え頻度とに基づき、書き換え寿命に到達する時間である書き換え寿命到達時間を予測する書き換え寿命到達時間予測部と、
前記書き換え寿命到達時間が所定の製品寿命より短い場合に、前記書き換え頻度を、データの種類ごとに調整する書き換え頻度調整部と、
を有する情報処理装置。
An information processing device incorporating a flash memory in which data is rewritten in units of blocks,
a write function unit that writes data to the flash memory;
an ambient temperature measurement unit that measures the temperature around the flash memory;
a rewrite life prediction unit that predicts a rewrite life of the flash memory based on the temperature measured by the ambient temperature measurement unit;
a rewrite count acquisition unit that acquires a total value of the number of rewrites for each block of the flash memory;
a rewrite block number acquisition unit that acquires the number of data rewrite blocks per write function unit for each type of data;
a rewrite frequency acquisition unit that acquires the data rewrite frequency by the write function unit for each data type;
a rewrite life reaching time predicting unit for predicting a rewriting life reaching time, which is the time to reach the rewriting life, based on the number of rewrites, the number of rewrite blocks, and the rewrite frequency;
a rewrite frequency adjustment unit that adjusts the rewrite frequency for each data type when the rewrite life reaching time is shorter than a predetermined product life;
Information processing device having
前記書き換え頻度調整部は、データの種類ごとに優先度を設定し、前記優先度の低いデータの書き換え頻度を低下させる
請求項1に記載の情報処理装置。
The information processing apparatus according to claim 1, wherein the rewrite frequency adjustment unit sets a priority for each type of data, and reduces the rewrite frequency of data with a low priority.
前記書き込み機能部が前記フラッシュメモリに書き込むデータは、管理する機器から送信されるデータを含み、
前記機器から送信されるデータに基づいて異常を検出する異常検出部を有し、
前記書き換え頻度調整部は、前記異常検出部により異常が検出された場合に、該当するデータの優先度を高め、異常が解消した場合に優先度を元に戻す
請求項2に記載の情報処理装置。
The data written by the write function unit to the flash memory includes data transmitted from a device to be managed,
An abnormality detection unit that detects an abnormality based on data transmitted from the device;
3. The information processing apparatus according to claim 2, wherein the rewrite frequency adjustment unit increases the priority of the data when an abnormality is detected by the abnormality detection unit, and restores the priority when the abnormality is resolved. .
前記書き換え回数が前記書き換え寿命の一定割合以上であるか否かを判定する残寿命判定部と、
前記残寿命判定部により前記書き換え回数が前記書き換え寿命の一定割合以上であると判定された場合に警告を行う第1警告部と、
を有する請求項1ないし3いずれか1項に記載の情報処理装置。
a remaining life determination unit that determines whether the number of rewrites is equal to or greater than a certain percentage of the rewrite life;
a first warning unit that issues a warning when the remaining life determination unit determines that the number of rewrites is equal to or greater than a certain percentage of the rewrite life;
4. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, comprising:
前記書き換え回数が前記書き換え寿命の一定割合以上であるか否かを判定する残寿命判定部と、
前記残寿命判定部により前記書き換え回数が前記書き換え寿命の一定割合以上であると判定された場合に、前記書き込み機能部によるデータの書き込みを停止させ、外部へデータを転送させる転送部と、
を有する請求項1ないし3いずれか1項に記載の情報処理装置。
a remaining life determination unit that determines whether the number of rewrites is equal to or greater than a certain percentage of the rewrite life;
a transfer unit that stops data writing by the write function unit and transfers data to the outside when the remaining life determination unit determines that the number of rewrites is equal to or greater than a certain percentage of the rewrite life;
4. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, comprising:
前記フラッシュメモリとは異なる新たなフラッシュメモリが追加されたことを検知するメモリ追加検知部と、
前記メモリ追加検知部により新たなフラッシュメモリの追加が検知された場合に、前記フラッシュメモリの前記書き換え寿命到達時間と、前記新たなフラッシュメモリの前記書き換え寿命到達時間とを比較し、前記書き込み機能部に、前記書き換え寿命到達時間が長い方に対して書き込みを実行させる
請求項1ないし5いずれか1項に記載の情報処理装置。
a memory addition detection unit that detects that a new flash memory different from the flash memory has been added;
When the addition of a new flash memory is detected by the memory addition detection unit, the write function unit compares the rewrite life end time of the flash memory with the rewrite life end time of the new flash memory. 6. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein writing is executed to the one having the longer rewrite life reaching time .
一時記憶装置を有し、
前記書き換え頻度調整部は、前記書き換え頻度を低下させる際に、前記書き込み機能部に、前記フラッシュメモリに代えて、前記一時記憶装置に対してデータの書き込みを行わせる
請求項1ないし6いずれか1項に記載の情報処理装置。
having temporary storage,
7. Any one of claims 1 to 6, wherein the rewrite frequency adjustment unit causes the write function unit to write data to the temporary storage device instead of the flash memory when lowering the rewrite frequency. The information processing device according to the item.
前記書き込み機能部は、前記フラッシュメモリにデータを書き込む際に、前記フラッシュメモリに書き込み済みのデータを参照し、変更がある場合にのみデータを書き込む
請求項1ないし7いずれか1項に記載の情報処理装置。
8. The information according to any one of claims 1 to 7, wherein when writing data to the flash memory, the write function unit refers to data already written to the flash memory, and writes the data only when there is a change. processing equipment.
一時記憶装置を有し、
前記書き換え頻度調整部は、前記書き換え頻度を低下させる際に、前記書き込み機能部に、前記書き換え頻度取得部により取得された前記書き換え頻度の高いデータを、前記フラッシュメモリに代えて、前記一時記憶装置に対して書き込みを行わせる
請求項1ないし6いずれか1項に記載の情報処理装置。
having temporary storage,
When the rewrite frequency is reduced, the rewrite frequency adjustment unit causes the write function unit to transfer the frequently rewritten data acquired by the rewrite frequency acquisition unit to the temporary storage device instead of the flash memory. 7. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein writing is performed to the .
前記周辺温度計測部により計測される温度が所定温度以上であるか否かを判定する温度判定部と、
前記温度判定部により温度が所定温度以上であると判定された場合に警告を行う第2警告部と、
を有する請求項1ないし9いずれか1項に記載の情報処理装置。
a temperature determination unit that determines whether the temperature measured by the ambient temperature measurement unit is equal to or higher than a predetermined temperature;
a second warning unit that issues a warning when the temperature determination unit determines that the temperature is equal to or higher than a predetermined temperature;
The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, comprising:
前記フラッシュメモリの周辺温度を低下させるための冷却装置と、
前記周辺温度計測部により計測される温度が所定温度以上であるか否かを判定する温度判定部と、
前記温度判定部により温度が所定温度以上であると判定された場合に、前記冷却装置を制御して前記フラッシュメモリの温度を低下させる冷却装置制御部と、
を有する請求項1ないし9いずれか1項に記載の情報処理装置。
a cooling device for reducing the ambient temperature of the flash memory;
a temperature determination unit that determines whether the temperature measured by the ambient temperature measurement unit is equal to or higher than a predetermined temperature;
a cooling device control unit that controls the cooling device to reduce the temperature of the flash memory when the temperature determination unit determines that the temperature is equal to or higher than a predetermined temperature;
The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, comprising:
コンピュータが実行する情報処理方法であって、
ブロック単位でデータの書き換えが行われるフラッシュメモリの周辺の温度を計測する周辺温度計測ステップと、
前記周辺温度計測ステップにより計測された温度に基づいて前記フラッシュメモリの書き換え寿命を予測する書き換え寿命予測ステップと、
前記フラッシュメモリの書き換え回数のブロックごとの合計値を取得する書き換え回数取得ステップと、
書き込み機能による1回当たりのデータの書き換えブロック数を、データの種類ごとに取得する書き換えブロック数取得ステップと、
書き込み機能によるデータの書き換え頻度を、データの種類ごとに取得する書き換え頻度取得ステップと、
前記書き換え回数と、前記書き換えブロック数と、前記書き換え頻度とに基づき、書き換え寿命に到達する時間である書き換え寿命到達時間を予測する書き換え寿命到達時間予測ステップと、
前記書き換え寿命到達時間が所定の製品寿命より短い場合に、前記書き換え頻度を、データの種類ごとに調整する書き換え頻度調整ステップと、
を有する情報処理方法。
A computer-executed information processing method comprising:
an ambient temperature measuring step of measuring the ambient temperature of the flash memory in which data is rewritten in units of blocks;
a rewrite life prediction step of predicting a rewrite life of the flash memory based on the temperature measured by the ambient temperature measurement step;
a rewrite count acquisition step of acquiring a total value of the number of rewrites for each block of the flash memory;
a rewrite block number acquiring step of acquiring the number of rewritten blocks of data per write function for each type of data;
a rewrite frequency obtaining step for obtaining data rewrite frequency by the write function for each data type;
a rewriting life reaching time prediction step of predicting a rewriting life reaching time, which is the time to reach the rewriting life, based on the number of rewrites, the number of rewritten blocks, and the rewriting frequency;
a rewrite frequency adjusting step of adjusting the rewrite frequency for each data type when the rewrite life reaching time is shorter than a predetermined product life;
An information processing method comprising:
ブロック単位でデータの書き換えが行われるフラッシュメモリの周辺の温度を計測する周辺温度計測ステップと、
前記周辺温度計測ステップにより計測された温度に基づいて前記フラッシュメモリの書き換え寿命を予測する書き換え寿命予測ステップと、
前記フラッシュメモリの書き換え回数のブロックごとの合計値を取得する書き換え回数取得ステップと、
書き込み機能による1回当たりのデータの書き換えブロック数を、データの種類ごとに取得する書き換えブロック数取得ステップと、
書き込み機能によるデータの書き換え頻度を、データの種類ごとに取得する書き換え頻度取得ステップと、
前記書き換え回数と、前記書き換えブロック数と、前記書き換え頻度とに基づき、書き換え寿命に到達する時間である書き換え寿命到達時間を予測する書き換え寿命到達時間予測ステップと、
前記書き換え寿命到達時間が所定の製品寿命より短い場合に、前記書き換え頻度を、データの種類ごとに調整する書き換え頻度調整ステップと、
をコンピュータに実行させるプログラム。
an ambient temperature measuring step of measuring the ambient temperature of the flash memory in which data is rewritten in units of blocks;
a rewrite life prediction step of predicting a rewrite life of the flash memory based on the temperature measured by the ambient temperature measurement step;
a rewrite count acquisition step of acquiring a total value of the number of rewrites for each block of the flash memory;
a rewrite block number acquiring step of acquiring the number of rewritten blocks of data per write function for each type of data;
a rewrite frequency obtaining step for obtaining data rewrite frequency by the write function for each data type;
a rewriting life reaching time prediction step of predicting a rewriting life reaching time, which is the time to reach the rewriting life, based on the number of rewrites, the number of rewritten blocks, and the rewrite frequency;
a rewrite frequency adjustment step of adjusting the rewrite frequency for each data type when the rewrite life reaching time is shorter than a predetermined product life;
A program that makes a computer run
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