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JP7240907B2 - Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device - Google Patents
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JP7240907B2 - Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device Download PDF

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Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a light-emitting device and a method for manufacturing a light-emitting device.

LED(light-emitting diode)素子等の発光素子を利用した発光装置が、照明等に広く利用されている。 Light-emitting devices using light-emitting elements such as LED (light-emitting diode) elements are widely used for illumination and the like.

例えば、セラミックス基板又は金属基板等の基板の上にLED(発光ダイオード)素子等の発光素子が実装されたCOB(Chip On Board)型の発光装置が提案されている。こうした発光装置によると、蛍光体を含む樹脂により青色光を発する発光素子を封止し、発光素子からの光により蛍光体を励起させて得られる光と、青色光とを混合させることにより、用途に応じた光を得ることができる。 For example, there has been proposed a COB (Chip On Board) type light emitting device in which a light emitting element such as an LED (light emitting diode) element is mounted on a substrate such as a ceramic substrate or a metal substrate. According to such a light-emitting device, a light-emitting element that emits blue light is sealed with a resin containing a phosphor, and the light obtained by exciting the phosphor with the light from the light-emitting element is mixed with the blue light to achieve a desired application. You can get the light according to

複数の発光素子は、例えば、矩形の輪郭を有するように基板上に配置される(例えば特許文献1参照)。 A plurality of light emitting elements are arranged on a substrate so as to have, for example, a rectangular outline (see Patent Document 1, for example).

図1は、従来例の発光装置を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a conventional light emitting device.

発光装置100は、基板111と、基板111上に配置された複数の発光装置120と、複数の発光素子120を囲むように基板111上に配置される枠体140と、蛍光体を含み、複数の発光素子120を封止するように枠体140の内側に配置される封止層150を備える。 The light emitting device 100 includes a substrate 111, a plurality of light emitting devices 120 arranged on the substrate 111, a frame 140 arranged on the substrate 111 so as to surround the plurality of light emitting elements 120, and a phosphor. A sealing layer 150 is arranged inside the frame 140 so as to seal the light emitting element 120 of the light emitting element 120 .

複数の発光素子120は、全体として、矩形の輪郭120aを有するように基板111上に配置される。 The plurality of light emitting elements 120 are arranged on the substrate 111 so as to have a rectangular outline 120a as a whole.

枠体140も、複数の発光素子120と同様に矩形の輪郭を有するように、複数の発光素子120を囲むように配置される。 The frame 140 is also arranged to surround the plurality of light emitting elements 120 so as to have a rectangular outline like the plurality of light emitting elements 120 .

複数の発光素子120が発する光は封止層150の表面から出射するので、枠体140により囲まれている封止層150の表面は発光領域100aを形成する。 Since the light emitted by the plurality of light emitting elements 120 is emitted from the surface of the sealing layer 150, the surface of the sealing layer 150 surrounded by the frame 140 forms the light emitting region 100a.

ここで、矩形の輪郭120aが有する4つの頂点に位置する発光素子120bと枠体140との間は、発光素子120bから出射する光との不要な干渉が生じることを防止する観点から、所定の距離Rだけ隔てられている。 Here, from the viewpoint of preventing unnecessary interference with light emitted from the light emitting element 120b, a predetermined distance between the light emitting element 120b located at the four vertices of the rectangular outline 120a and the frame 140 are separated by a distance R.

発光素子120bと枠体140との間の距離を、所定の距離Rだけ離間させることが困難な場合には、矩形の輪郭120aの頂点の位置に発光素子を配置しないようにする場合もあり得る。 If it is difficult to separate the light emitting element 120b and the frame 140 by the predetermined distance R, there may be a case where the light emitting element is not placed at the vertex position of the rectangular contour 120a. .

特開2011-228369号公報JP 2011-228369 A

発光装置の性能を表す指標として、発光領域内に配置される発光素子の数を、発光領域の面積で割った商として得られる発光密度がある。使用される発光素子が同じであれば、一般に発光密度が高い程、高い輝度の発光装置が得られる。 As an indicator of the performance of a light-emitting device, there is a light-emitting density obtained by dividing the number of light-emitting elements arranged in a light-emitting region by the area of the light-emitting region. If the light-emitting elements used are the same, the higher the light-emitting density, the higher the brightness of the light-emitting device.

図1に示す発光装置では、矩形の輪郭120aの4つの頂点に位置する発光素子120bと枠体140との間の距離を所定の距離以上に保つという制約により、発光領域を小さくすることに対して制限を受ける。 In the light-emitting device shown in FIG. 1, the distance between the light-emitting elements 120b located at the four vertices of the rectangular outline 120a and the frame 140 is kept at a predetermined distance or more. limited by

特に、矩形の輪郭120aの頂点となる位置に発光素子を配置できない場合には、発光領域内に配置される発光素子の数が減少することにより、発光密度の低下を招く。 In particular, if the light-emitting elements cannot be placed at the vertices of the rectangular outline 120a, the number of light-emitting elements placed in the light-emitting region is reduced, resulting in a decrease in light-emitting density.

そこで、本明細書では、発光領域を低減して発光密度を向上する発光装置を提案することを課題とする。 Therefore, an object of this specification is to propose a light-emitting device that reduces the light-emitting region and improves the light-emitting density.

本明細書に開示する発光装置は、基板と、基板上に配置される複数の発光素子と、基板上において、複数の発光素子を囲むように配置される枠体と、複数の発光素子を封止するように枠体の内側に配置される封止層と、を備え、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形であり、枠体の内縁は、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を為し、多角形の各頂点には、枠体の内側から外側に向かって突出する突出部が配置されることを特徴とする。 A light-emitting device disclosed in this specification includes a substrate, a plurality of light-emitting elements arranged on the substrate, a frame arranged on the substrate so as to surround the plurality of light-emitting elements, and a frame enclosing the plurality of light-emitting elements. and a sealing layer arranged inside the frame so as to stop the light emitting elements, and the shape tracing the outermost edges of the plurality of light emitting elements arranged on the substrate is a polygon having a quadrangle or more in a plan view. The inner edge of the frame forms a polygon that traces the outermost edges of a plurality of light emitting elements arranged on the substrate, and each vertex of the polygon has a It is characterized in that a protruding protrusion is arranged.

また、発光装置では、突出部は、第1部分と、第1部分よりも外側に配置され、第1部分よりも厚さの薄い第2部分と、を有することが好ましい。 Further, in the light-emitting device, it is preferable that the projecting portion has a first portion and a second portion arranged outside the first portion and having a thickness smaller than that of the first portion.

特に、発光装置では、基板上に配置される第2の基板を備え、突出部は、第2の基板上に配置され、第1部分が配置される第2の基板の部分は凹んでいることが好ましい。 In particular, the light emitting device comprises a second substrate arranged on the substrate, wherein the protrusion is arranged on the second substrate and the portion of the second substrate on which the first portion is arranged is recessed. is preferred.

また、発光装置では、突出部は、枠体を形成する長尺状の枠連続体が、内側から外側に向かって捲回するように配置されて形成されていることが好ましい。 Further, in the light-emitting device, it is preferable that the projecting portion is formed by arranging a long frame continuous body forming a frame so as to be wound from the inside to the outside.

特に、発光装置では、枠連続体は、枠連続体同士が重なることなく捲回していることが好ましい。 In particular, in the light-emitting device, the continuous frame body is preferably wound without overlapping each other.

本明細書に開示する発光装置の製造方法は、複数の発光素子を基板上に配置する第1工程であって、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形となる第1工程と、長尺状の枠連続体を用いて、基板上において、複数の発光素子を囲むように枠体を形成する第2工程であって、枠体の内縁は、基板上に配置された複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を有し、多角形の各頂点において、枠体の内側から外側に向かって突出する突出部を有するように、枠体を形成する第2工程と、複数の発光素子を封止するように、枠体の内側に封止層を形成する第3工程と、を備えることを特徴とする。 The method for manufacturing a light-emitting device disclosed in this specification is the first step of arranging a plurality of light-emitting elements on a substrate, and the shape obtained by tracing the outermost edges of the plurality of light-emitting elements arranged on the substrate is a plane. A first step of forming a polygon with four or more sides when viewed, and a second step of forming a frame on a substrate so as to surround a plurality of light emitting elements using an elongated frame continuum. , the inner edge of the frame has the same polygonal shape as the outermost edges of the plurality of light emitting elements arranged on the substrate, and each vertex of the polygon protrudes from the inside to the outside of the frame. A second step of forming a frame so as to have a protrusion, and a third step of forming a sealing layer inside the frame so as to seal a plurality of light emitting elements. do.

また、発光装置の製造方法において、第2工程では、一の突出部が配置される内縁の第1の頂点と隣接する内縁の第2の頂点側から当該第1の頂点に向かって伸びてきた枠連続体を、第1の頂点において、内側から外側に向かって捲回させた後、第1の頂点と隣接する内縁の第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を形成することが好ましい。 Further, in the method for manufacturing a light-emitting device, in the second step, from the side of the second vertex of the inner edge adjacent to the first vertex of the inner edge where the one protrusion is arranged, the protrusion extends toward the first vertex. The frame continuous body is wound from the inside to the outside at the first vertex, and then arranged so as to extend toward the third vertex of the inner edge adjacent to the first vertex to form a protrusion. preferably.

特に、発光装置の製造方法において、第1の頂点において、枠連続体を、内側から外側に向かって捲回させて交差させた後第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を形成することが好ましい。 In particular, in the method for manufacturing a light-emitting device, at the first vertex, the frame continuum is wound from the inside to the outside and intersected, and then arranged so as to extend toward the third vertex, forming a protrusion. is preferably formed.

更に、発光装置の製造方法において、第1工程と第2工程との間に、突出部が形成される部分に凹部を有する第2の基板を基板上に配置する第4工程を備え、第2工程では、第1の頂点において、枠連続体を、内側から外側に向かって捲回させて凹部上で枠体同士を交差させた後、第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を第2の基板上に形成することが好ましい。 Further, the method for manufacturing a light-emitting device includes, between the first step and the second step, a fourth step of disposing a second substrate having a recess in a portion where the protrusion is formed, on the substrate; In the step, at the first vertex, the frame continuum is wound from the inside to the outside so that the frames intersect each other on the recess, and then arranged so as to extend toward the third vertex, Preferably, the protrusion is formed on the second substrate.

また、発光装置の製造方法において、枠連続体を、第1の頂点において、枠体同士が重なることなく内側から外側に向かって捲回させた後、第3の頂点に向かって伸びるように配置して、突出部を形成することが好ましい。 Further, in the method for manufacturing a light-emitting device, the frame continuous body is wound from the inside to the outside at the first vertex without overlapping the frames, and then arranged so as to extend toward the third vertex. It is preferable to form the protruding portion by

上述した本明細書に開示する発光装置は、発光領域を低減して発光密度を向上する。 The light-emitting device disclosed herein described above reduces the light-emitting area to improve the light-emitting density.

従来例の発光装置を示す図である。It is a figure which shows the light-emitting device of a conventional example. (A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の平面図であり、(B)は(A)のA-A´線断面図であり、(C)は(A)のB-B´線断面図である。(A) is a plan view of one embodiment of a light-emitting device disclosed in this specification, (B) is a cross-sectional view taken along the line AA' of (A), and (C) is B of (A). -B' line sectional drawing. (A)は、図2に示す発光装置の発光領域を説明する図であり、(B)は、図1に示す従来例の発光装置の発光領域を説明する図である。(A) is a diagram for explaining the light emitting region of the light emitting device shown in FIG. 2, and (B) is a diagram for explaining the light emitting region of the conventional light emitting device shown in FIG. 本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例1の要部を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a main part of Modification 1 of one embodiment of the light emitting device disclosed in this specification; (A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例2を示す平面図であり、(B)は(A)のA-A´線断面図であり、(C)は(A)のB-B´線断面図である。(A) is a plan view showing Modification 2 of one embodiment of the light-emitting device disclosed in this specification, (B) is a cross-sectional view taken along the line AA′ of (A), and (C) is a It is a BB' cross-sectional view of (A). 本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例3の要部を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a main part of Modification 3 of one embodiment of the light-emitting device disclosed in this specification. 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その1)である。1 is a diagram (part 1) for explaining steps of an embodiment of a method for manufacturing a light-emitting device disclosed in this specification; FIG. 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その2)である。FIG. 2 is a diagram (part 2) illustrating steps of an embodiment of a method for manufacturing a light-emitting device disclosed in this specification; 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その3)である。FIG. 3 is a diagram (part 3) explaining steps of an embodiment of a method for manufacturing a light-emitting device disclosed in this specification; 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その4)である。FIG. 4 is a diagram (part 4) for explaining steps of an embodiment of a method for manufacturing a light-emitting device disclosed in this specification; 本明細書に開示する発光装置の製造方法の一実施形態の工程を説明する図(その5)である。FIG. 5 is a diagram (No. 5) explaining steps of an embodiment of a method for manufacturing a light-emitting device disclosed in the present specification;

以下、本明細書で開示する発光装置の好ましい一実施形態を、図を参照して説明する。但し、本発明の技術範囲はそれらの実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。 A preferred embodiment of the light-emitting device disclosed in this specification will be described below with reference to the drawings. However, the technical scope of the present invention is not limited to those embodiments, but extends to the invention described in the claims and equivalents thereof.

図2(A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の平面図であり、図2(B)は図2(A)のA-A´線断面図であり、図2(C)は図2(A)のB-B´線断面図である。図2(A)においては、封止層の表示を省略している。図2(B)においては、発光素子とワイヤとの接続関係を示す為に、A-A´線断面には含まれないワイヤも示している。 FIG. 2A is a plan view of an embodiment of the light-emitting device disclosed in this specification, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line AA′ of FIG. C) is a cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 2(A). In FIG. 2A, illustration of the sealing layer is omitted. In FIG. 2B, wires that are not included in the AA' cross section are also shown in order to show the connection relationship between the light emitting elements and the wires.

発光装置1は、実装基板11(基板)と、回路基板12(第2の基板)と、複数の発光素子20と、枠体40と、封止層50を備える。また、実装基板11及び回路基板12に付す括弧内には特許請求の範囲に記載した発明特定事項を示す(以下同様)。 The light-emitting device 1 includes a mounting substrate 11 (substrate), a circuit board 12 (second substrate), a plurality of light-emitting elements 20 , a frame 40 and a sealing layer 50 . In addition, matters specifying the invention described in the scope of claims are indicated in parentheses attached to the mounting board 11 and the circuit board 12 (the same shall apply hereinafter).

実装基板11は、一例として、矩形の形状を有し、アルミ製の基板である。実装基板11は、平坦な表面を有することが好ましい。回路基板12と、複数の発光素子20と、枠体40と、封止層50は、実装基板11の平坦な表面上に配置されて支持される。 The mounting board 11 is, for example, a rectangular board made of aluminum. The mounting substrate 11 preferably has a flat surface. The circuit board 12 , the plurality of light emitting elements 20 , the frame 40 , and the sealing layer 50 are arranged and supported on the flat surface of the mounting board 11 .

回路基板12は、一例として、実装基板11と同じ輪郭を有し、実装基板11上に配置される。回路基板12は、その中央部に矩形の開口部12aを有する。回路基板12は、裏面が接着シート等の接着部材によって実装基板11の上に貼り付けられて固定される。回路基板12の表面には、開口部12aを取り囲むように、一対の配線パターン13A、13Bが配置される。また、回路基板12の表面で対角に位置する2つの角部には、発光装置1を外部電源(図示せず)に接続するための一対の接続電極17A及び17Bが配置される。一方の接続電極17Aはアノードであり、他方の接続電極17Bはカソードである。一対の接続電極17A及び17Bに外部電源から直流電圧が印加されることによって、発光素子20は発光する。回路基板12、及び一対の配線パターン13A、13Bは、絶縁性の膜であるソルダレジスト14によって覆われて保護される。一対の接続電極17A及び17Bは、例えば、ソルダレジスト14によって覆われていない実装基板11の上面に形成された配線パターン13A、13bが露出して形成される。 As an example, the circuit board 12 has the same outline as the mounting board 11 and is arranged on the mounting board 11 . The circuit board 12 has a rectangular opening 12a in its central portion. The back surface of the circuit board 12 is attached and fixed onto the mounting board 11 by an adhesive member such as an adhesive sheet. A pair of wiring patterns 13A and 13B are arranged on the surface of the circuit board 12 so as to surround the opening 12a. A pair of connection electrodes 17A and 17B for connecting the light-emitting device 1 to an external power source (not shown) are arranged at two diagonal corners on the surface of the circuit board 12 . One connection electrode 17A is an anode and the other connection electrode 17B is a cathode. The light emitting element 20 emits light by applying a DC voltage from an external power supply to the pair of connection electrodes 17A and 17B. The circuit board 12 and the pair of wiring patterns 13A and 13B are covered and protected by a solder resist 14 that is an insulating film. The pair of connection electrodes 17A and 17B are formed by exposing the wiring patterns 13A and 13b formed on the upper surface of the mounting substrate 11 that are not covered with the solder resist 14, for example.

発光素子20は、矩形上に形成された青色系の半導体発光素子(以下、青色LED素子とも称する)である。複数の発光素子20が、開口部12a内の実装基板11上に配置される。発光素子20は、その上面が実装基板11の表面と平行に配置されることが好ましい。発光素子20として、例えば発光波長域が440~455nmのInGaN系化合物半導体等を用いることができる。 The light emitting element 20 is a blue semiconductor light emitting element (hereinafter also referred to as a blue LED element) formed in a rectangular shape. A plurality of light emitting elements 20 are arranged on the mounting substrate 11 in the opening 12a. The light emitting element 20 is preferably arranged so that its upper surface is parallel to the surface of the mounting substrate 11 . As the light emitting element 20, for example, an InGaN-based compound semiconductor having an emission wavelength range of 440 to 455 nm can be used.

実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形である。本明細書では、実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁をなぞった形状を、以下、複数の発光素子20の輪郭20aともいう。図2(A)に示す例では、9個の発光素子20が、3行3列に配置されており、全体として矩形の輪郭20aを形成する。なお、複数の発光素子20は、4角形以上の多角形の輪郭を有していればよく、図2(A)に示すように、4角形に限定されるものではない。 A shape obtained by tracing the outermost edges of the plurality of light emitting elements 20 arranged on the mounting substrate 11 is a polygon having four or more sides in a plan view. In this specification, the shape along the outermost edges of the plurality of light emitting elements 20 arranged on the mounting substrate 11 is hereinafter also referred to as the outline 20a of the plurality of light emitting elements 20 . In the example shown in FIG. 2A, nine light emitting elements 20 are arranged in three rows and three columns, forming a rectangular outline 20a as a whole. Note that the plurality of light emitting elements 20 may have a polygonal contour of at least four, and is not limited to a quadrangle as shown in FIG. 2(A).

発光素子20の上面には一対の素子電極(図示せず)が配置される。近接する発光素子20の素子電極は、ワイヤ30によって電気的に接続される。開口部12aの外周側に位置する発光素子20の第1の素子電極は、ワイヤ30によって、回路基板12の配線パターン13A又は13Bと電気的に接続され、第2の素子電極は、ワイヤ30によって、隣接する発光素子20の素子電極と電気的に接続される。複数の発光素子20は、一対の接続電極17A及び17Bの間に直列接続されることによって、一対の配線パターン13A、13B及びワイヤ30を介して直流電流が供給される。 A pair of device electrodes (not shown) are arranged on the upper surface of the light emitting device 20 . Device electrodes of adjacent light emitting devices 20 are electrically connected by wires 30 . The first element electrode of the light emitting element 20 located on the outer peripheral side of the opening 12a is electrically connected to the wiring pattern 13A or 13B of the circuit board 12 by the wire 30, and the second element electrode is electrically connected by the wire 30. , are electrically connected to the element electrodes of the adjacent light emitting elements 20 . A plurality of light emitting elements 20 are connected in series between a pair of connection electrodes 17A and 17B, and are supplied with direct current via a pair of wiring patterns 13A and 13B and wires 30 .

枠体40は、長尺状の枠連続体41により形成されており、複数の発光素子20を囲むように、開口部12aの周囲に沿って配置される。枠体40の内縁43は、実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁をなぞった形状(輪郭20a)と同じ矩形を有する。 The frame 40 is formed of an elongated frame continuum 41 and is arranged along the periphery of the opening 12 a so as to surround the plurality of light emitting elements 20 . The inner edge 43 of the frame 40 has the same rectangular shape (contour 20 a ) that traces the outermost edges of the plurality of light emitting elements 20 arranged on the mounting substrate 11 .

複数の発光素子20が発光する光は封止層50の表面50aから出射するので、枠体40により囲まれている封止層50の表面50aは発光領域1aを形成する。 Since the light emitted by the plurality of light emitting elements 20 is emitted from the surface 50a of the sealing layer 50, the surface 50a of the sealing layer 50 surrounded by the frame 40 forms the light emitting region 1a.

枠体40は、枠体40における矩形の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dにおいて、複数の発光素子20が配置される内側(発光領域1a側)から外側(発光領域1a側とは反対側)に向かって突出する突出部42a、42b、42c、42dを有する。本明細書において、枠体40の内側は、枠体40に対して発光領域1a側を意味し、枠体40の外側は、枠体40に対して発光領域1a側とは反対側を意味する。 The frame body 40 is arranged at vertexes 40a, 40b, 40c, and 40d of a rectangular inner edge 43 of the frame body 40, from the inside (light emitting region 1a side) where the plurality of light emitting elements 20 are arranged to the outside (opposite to the light emitting region 1a side). side) are provided. In this specification, the inside of the frame 40 means the side of the frame 40 on the side of the light emitting region 1a, and the outside of the frame 40 means the side of the frame 40 opposite to the side of the light emitting region 1a. .

突出部42a、42b、42c、42dを除いた枠体40の断面形状は、枠連続体41が伸びる方向において、ほぼ同じ高さを有する。また、図2(B)に示すように、突出部42a、42b、42c、42dを除いた枠体40の断面形状は、枠連続体41が伸びる方向と直行する方向において、中央が高く周辺が低く、上方に向かって凸である。 The cross-sectional shape of the frame 40 excluding the projections 42a, 42b, 42c, and 42d has substantially the same height in the direction in which the frame continuum 41 extends. In addition, as shown in FIG. 2B, the cross-sectional shape of the frame 40 excluding the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d is such that the center is high in the direction perpendicular to the direction in which the frame continuum 41 extends, and the periphery is high. Low and convex upwards.

また、突出部42a、42b、42c、42dにおける枠体40の断面形状は、図2(C)に示すように、内側に配置される第1部分P1と、第1部分P1よりも外側に配置され、第1部分P1よりも厚さの薄い第2部分P2とを有する。これは、長尺状の枠連続体41が、頂点40a、40b、40c、40dにおいて、内側から外側に向かって捲回した後重なるように交差して、突出部42a、42b、42c、42dが形成されること(図10(A)参照)に起因している。このことについては、発光装置の製造方法の説明において、更に後述する。 In addition, as shown in FIG. 2C, the cross-sectional shape of the frame 40 at the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d is such that the first portion P1 is arranged inside and the first portion P1 is arranged outside the first portion P1. and a second portion P2 having a thickness smaller than that of the first portion P1. This is because the elongated frame continuum 41 is wound from the inside to the outside at the apexes 40a, 40b, 40c, and 40d, and then crosses so as to overlap, and the protrusions 42a, 42b, 42c, and 42d are formed. This is due to the formation (see FIG. 10A). This will be further described later in the description of the manufacturing method of the light emitting device.

枠体40は、長尺状の枠連続体41を用いて、突出部42a、42b、42c、42dを有するように内縁43の頂点40a、40b、40c、40dが形成されることにより、矩形の輪郭20aの頂点に位置する発光素子20bと枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dとの間を、所定の距離Rだけ離間させると共に、発光領域1aが低減しないようになされている。 The frame body 40 uses a long frame continuum 41 to form the vertexes 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 so as to have protrusions 42a, 42b, 42c, and 42d, thereby forming a rectangular shape. The light-emitting element 20b located at the vertex of the outline 20a and the vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 of the frame 40 are separated by a predetermined distance R, and the light-emitting region 1a is not reduced. there is

枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dの内側の角度は、約90度を有することが、発光領域1aの面積を低減する観点から好ましい。これにより、枠連続体41が隣接する頂点40a、40b、40c、40d同士をより短い距離で接続できるからである。 The inner angles of the vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 of the frame 40 are preferably about 90 degrees from the viewpoint of reducing the area of the light emitting region 1a. This is because the adjacent vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of the frame continuum 41 can be connected at shorter distances.

図2(A)に示すように、突出部42a、42b、42c、42dは、2つの直線状の枠連続体41の部分と接続している。突出部42aの外側の部分と直線状の枠連続体41の外側の部分とがなす角度θは、鈍角(90度よりも大きく180度よりも小さい)であることが、枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dの内側の角度が、約90度になるように枠体40を形成する上で好ましい。 As shown in FIG. 2A, the protrusions 42a, 42b, 42c, and 42d are connected to the two linear frame continuum 41 portions. The angle θ between the outer portion of the projecting portion 42a and the outer portion of the linear frame continuum 41 is an obtuse angle (larger than 90 degrees and smaller than 180 degrees). It is preferable to form the frame 40 so that the inner angles of the vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of are about 90 degrees.

枠体40の内縁43が矩形の場合には、上述したように、枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dの内側の角度は、約90度を有することが好ましい。枠体40の内縁43の頂点の内側の角度は、輪郭20aが形成する多角形の各頂点の内角の角度と一致することが、大きな発光領域の面積を得る観点から好ましい。 When the inner edge 43 of the frame 40 is rectangular, the inner angles of the vertices 40a, 40b, 40c, 40d of the inner edge 43 of the frame 40 are preferably about 90 degrees, as described above. From the viewpoint of obtaining a large light emitting region, it is preferable that the inner angles of the vertices of the inner edge 43 of the frame 40 match the angles of the inner angles of the vertices of the polygon formed by the outline 20a.

枠体40は、白色の成形樹脂で形成されることが好ましい。例えば、枠連続体41は、酸化チタン等の微粒子が分散されたシリコン樹脂又はエポキシ樹脂を用いて形成される。 The frame 40 is preferably made of white molding resin. For example, the frame continuum 41 is formed using silicon resin or epoxy resin in which fine particles such as titanium oxide are dispersed.

封止層50は、透光性を有する樹脂に蛍光体が含有された部材であり、複数の発光素子20を封止するために枠体40の内側に配置される。図2(B)及び図2(C)に示すように、発光装置1では、封止層50の表面50aの位置は、枠体40の頂点よりも低く、枠体40の側面の部分にある。蛍光体は、発光素子20が出射した青色光を吸収して黄色光に波長変換する、例えばYAG(yttrium aluminum garnet)等の粒子状の蛍光体材料であり、青色光と蛍光体により波長変換された黄色光とが混合されることにより白色光が得られる。封止層50は、例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の樹脂に蛍光体が含有されて形成され得る。封止層50は、青色光を吸収して他の色の光に波長変換する蛍光体を有していてもよい。また、発光素子20が白色系の半導体発光素子(例えば、発光素子20の近傍にのみ蛍光体材料を局在させたもの)である場合には、封止層50は、蛍光体を有していなくてもよい。 The sealing layer 50 is a member in which a phosphor is contained in translucent resin, and is arranged inside the frame 40 in order to seal the plurality of light emitting elements 20 . As shown in FIGS. 2B and 2C, in the light-emitting device 1, the surface 50a of the sealing layer 50 is positioned lower than the top of the frame 40 and on the side surface of the frame 40. . The phosphor is a particulate phosphor material such as YAG (yttrium aluminum garnet) that absorbs the blue light emitted by the light emitting element 20 and converts the wavelength into yellow light. White light is obtained by mixing with yellow light. The encapsulation layer 50 may be formed, for example, by containing a phosphor in resin such as epoxy resin or silicon resin. The encapsulating layer 50 may have a phosphor that absorbs blue light and converts the wavelength to light of another color. When the light emitting element 20 is a white semiconductor light emitting element (for example, a phosphor material is localized only in the vicinity of the light emitting element 20), the sealing layer 50 contains a phosphor. It doesn't have to be.

発光素子20から枠体40に向けて出射された光は、枠体40の内側、即ち発光素子20側の表面で反射されて発光装置1の上方に出射される。 Light emitted from the light emitting element 20 toward the frame 40 is reflected on the inner side of the frame 40 , that is, the surface on the side of the light emitting element 20 , and emitted upward from the light emitting device 1 .

発光装置1の発光領域1aが、図1に示す従来例の発光装置よりも低減することを、図3(A)及び図3(B)を参照しながら、以下に説明する。 The fact that the light emitting region 1a of the light emitting device 1 is smaller than that of the conventional light emitting device shown in FIG. 1 will be described below with reference to FIGS. 3(A) and 3(B).

図3(A)は、図2に示す発光装置の発光領域を説明する図であり、図3(B)は、図1に示す従来例の発光装置の発光領域を説明する図である。 3A is a diagram for explaining the light emitting region of the light emitting device shown in FIG. 2, and FIG. 3B is a diagram for explaining the light emitting region of the conventional light emitting device shown in FIG.

図3(A)では、発光装置1の枠体40及び複数の発光素子20を含む主要な構成要素以外の構成要素の図示は省略されている。 In FIG. 3A, illustration of components other than the main components including the frame 40 and the plurality of light emitting elements 20 of the light emitting device 1 is omitted.

枠体40の内縁43に囲まれて規定される発光領域1aは、矩形の形状を有しており、縦方向の長さはL1であり、横方向の長さはL2である。図3(A)に示す例では、発光領域1aは、正方形のように示されているが、長方形であってもよい。 The light-emitting region 1a defined by being surrounded by the inner edge 43 of the frame 40 has a rectangular shape with a vertical length of L1 and a horizontal length of L2. In the example shown in FIG. 3A, the light emitting area 1a is shown as square, but may be rectangular.

複数の発光素子20により形成される矩形の輪郭20aの4つの頂点に位置する発光素子20bと枠体40の対応する内縁43の頂点40a、40b、40c、40dとの間は、発光素子20bから発光される光との不要な干渉が生じることを防止する観点から、所定の距離Rだけ隔てられている。 Between the light emitting elements 20b located at the four vertices of the rectangular outline 20a formed by the plurality of light emitting elements 20 and the corresponding vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 of the frame 40, there is space from the light emitting elements 20b. They are separated by a predetermined distance R from the viewpoint of preventing unnecessary interference with emitted light.

図3(A)に示す発光装置1の発光領域1aの面積S1は、下記式(1)で表される。
S1=L1×L2 (1)
The area S1 of the light emitting region 1a of the light emitting device 1 shown in FIG. 3A is represented by the following formula (1).
S1=L1×L2 (1)

図3(B)も、図3(A)と同様に、発光装置100の枠体140及び複数の発光素子120を含む主要な構成要素以外の構成要素の図示は省略されている。 Similarly to FIG. 3A, FIG. 3B also omits illustration of components other than the main components including the frame 140 and the plurality of light emitting elements 120 of the light emitting device 100 .

発光装置100は、9個の発光素子120を有する。9個の発光素子120は、3行3列に配置されており、全体として矩形の輪郭120aを有する。 The light emitting device 100 has nine light emitting elements 120 . The nine light emitting elements 120 are arranged in three rows and three columns, and have a rectangular outline 120a as a whole.

枠体140の内縁143は、複数の発光素子120が形成する輪郭120aと同様に矩形の輪郭を有する。枠体140により囲まれている封止層(図示せず)の表面は発光領域100aを形成する。 An inner edge 143 of the frame 140 has a rectangular outline similar to the outline 120a formed by the plurality of light emitting elements 120 . The surface of the sealing layer (not shown) surrounded by the frame 140 forms the light emitting region 100a.

枠体140の矩形の内縁143は、4つの頂点140a、140b、140c、140dを有する。 A rectangular inner edge 143 of the frame 140 has four vertices 140a, 140b, 140c, 140d.

発光装置100における複数の発光素子120及び矩形の輪郭120aの形状及び寸法は、図3(A)に示す発光装置1の発光素子20及び輪郭20aと同じである。 The shapes and dimensions of the plurality of light emitting elements 120 and the rectangular outline 120a in the light emitting device 100 are the same as those of the light emitting element 20 and the outline 20a of the light emitting device 1 shown in FIG.

発光装置100でも、矩形の輪郭120aの頂点に位置する発光素子120bと枠体140の対応する内縁143の頂点140a、140b、140c、140dとの間は、発光素子120bから発光される光との不要な干渉が生じることを防止する観点から、発光装置1と同様に所定の距離Rだけ隔てられている。 In the light emitting device 100 as well, the light emitted from the light emitting element 120b is separated from the light emitting element 120b located at the vertex of the rectangular contour 120a and the corresponding vertices 140a, 140b, 140c, and 140d of the inner edge 143 of the frame 140. From the viewpoint of preventing unnecessary interference, they are separated by a predetermined distance R as in the case of the light emitting device 1 .

矩形の輪郭120aの4つの頂点に位置する発光素子120bと枠体140の対応する内縁143の頂点140a、140b、140c、140dとの間の領域は、半径Rの1/4円の扇形の形状を有する。 The regions between the light-emitting elements 120b located at the four vertices of the rectangular outline 120a and the corresponding vertices 140a, 140b, 140c, and 140d of the inner edge 143 of the frame 140 are fan-shaped with a radius R of a quarter circle. have

図3(B)には、図3(A)に示す発光装置1の発光領域1aを鎖線で示す。発光領域1aは、発光領域100aに対して、4つの頂点140a、140b、140c、140dにおいて内接するように配置されている。発光装置100の発光領域100aは、発光装置1の発光領域1aよりも大きい。 In FIG. 3B, the light-emitting region 1a of the light-emitting device 1 shown in FIG. 3A is indicated by chain lines. The light-emitting region 1a is arranged so as to inscribe the light-emitting region 100a at four vertexes 140a, 140b, 140c, and 140d. A light emitting region 100 a of the light emitting device 100 is larger than a light emitting region 1 a of the light emitting device 1 .

枠体140における内縁143の4つの頂点140a、140b、140c、140d以外の部分では、発光領域1aと発光領域100aの枠体141との間は、所定の長さL3だけ離間している。ここで、L3<Rである。 In portions other than the four vertices 140a, 140b, 140c, and 140d of the inner edge 143 of the frame 140, the light-emitting region 1a and the frame 141 of the light-emitting region 100a are separated by a predetermined length L3. Here, L3<R.

発光領域100aの面積S2は、下記式(2)で表される。
S2=(L1+2×L3)×(L2+2×L3)-4×(R-πR/4) (2)
The area S2 of the light emitting region 100a is represented by the following formula (2).
S2=(L1+2×L3)×(L2+2×L3)−4×(R 2 −πR 2 /4) (2)

発光装置100の発光領域100aの面積S2と、発光装置1の発光領域1aの面積S1との差ΔSは、下記式(3)で表される。 A difference ΔS between the area S2 of the light emitting region 100a of the light emitting device 100 and the area S1 of the light emitting region 1a of the light emitting device 1 is represented by the following formula (3).

ΔS=2(L1L3+L2L3)-R(4-π) (3) ΔS=2(L1L3+L2L3)−R 2 (4−π) (3)

ΔS>0であるので、発光装置1の発光領域1aの面積S1は、発光装置100の発光領域100aの面積S2よりもΔSだけ小さい。 Since ΔS>0, the area S1 of the light emitting region 1a of the light emitting device 1 is smaller than the area S2 of the light emitting region 100a of the light emitting device 100 by ΔS.

発光装置1が有する発光素子20の数は、発光装置100が有する発光素子120の数と同じなので、発光装置1の発光密度は、発光装置100よりも増大する。 Since the number of light-emitting elements 20 included in light-emitting device 1 is the same as the number of light-emitting elements 120 included in light-emitting device 100 , light-emitting device 1 has a higher light emission density than light-emitting device 100 .

発光装置1では、枠体40が、長尺状の枠連続体41を用いて、突出部42a、42b、42c、42dを有するように内縁43の頂点40a、40b、40c、40dが形成されることにより、枠連続体41の内側が、頂点40a、40b、40c、40dにおいて、輪郭20aの頂点と同様に約90度の角度を有するように形成されている。 In the light emitting device 1, the frame body 40 uses the elongated frame continuous body 41, and the apexes 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 are formed so as to have protrusions 42a, 42b, 42c, and 42d. As a result, the inside of the frame continuum 41 is formed to have angles of approximately 90 degrees at the vertices 40a, 40b, 40c, and 40d, like the vertices of the outline 20a.

これにより、発光装置1では、矩形の輪郭20aの頂点に位置する発光素子20bと枠体40の内縁43の頂点40a、40b、40c、40dとの間を、所定の距離Rだけ離間させると共に、発光装置100に比べ、発光領域を低減させることが可能となる。 As a result, in the light emitting device 1, the light emitting element 20b located at the vertex of the rectangular outline 20a and the vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 of the frame 40 are separated by a predetermined distance R, Compared to the light emitting device 100, it is possible to reduce the light emitting area.

上述した本実施形態の発光装置1によれば、発光領域1aを低減して発光密度を向上できる。 According to the light-emitting device 1 of this embodiment described above, the light-emitting region 1a can be reduced to improve the light-emitting density.

次に、上述した本明細書の発光装置の変型例1~3を、図4~図6を参照しながら、以下に説明する。 Modifications 1 to 3 of the light emitting device of the present specification described above will now be described with reference to FIGS. 4 to 6. FIG.

図4は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例1の要部を示す図である。 FIG. 4 is a diagram showing a main part of Modification 1 of one embodiment of the light emitting device disclosed in this specification.

変型例1の発光装置1では、突出部42a、42b、42c、42dの形状が、上述した実施形態(図2(C)参照)とは異なっている。 In the light emitting device 1 of Modification 1, the shapes of the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d are different from those of the above-described embodiment (see FIG. 2(C)).

図4は、図2(C)に対応する図である。 FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 2(C).

変型例1の発光装置1では、回路基板12は、突出部42a、42b、42c、42dが配置される部分に凹部12bを有する。凹部12bは、他の部分よりも実装基板11側に凹んでいる。 In the light-emitting device 1 of Modification 1, the circuit board 12 has recesses 12b in portions where the projections 42a, 42b, 42c, and 42d are arranged. The recessed portion 12b is recessed toward the mounting substrate 11 side more than other portions.

凹部12b内に配置される配線パターン13B(又は配線パターン13A)の部分も、回路基板12の凹部12bの形状に対応して凹んだ形状を有する。 A portion of the wiring pattern 13B (or wiring pattern 13A) arranged in the recess 12b also has a recessed shape corresponding to the shape of the recess 12b of the circuit board 12 .

突出部42aの第1部分P1は、凹部12bの部分に配置される。凹部12bが回路基板12における他の部分よりも凹んでいる深さは、突出部42aの第1部分P1の厚さと第2部分P2の厚さとの差と一致することが好ましい。突出部42aの上面は、内側から外側に向かってほぼ同じ高さを有する。これにより、発光装置1の高さを低くして、発光装置1が照明装置に組み込まれて使用される時に、発光装置1の収納容積を低減することができる。 The first portion P1 of the protrusion 42a is arranged in the portion of the recess 12b. It is preferable that the depth to which the recess 12b is recessed from the other portions of the circuit board 12 matches the difference between the thickness of the first portion P1 and the second portion P2 of the projecting portion 42a. The upper surface of the projecting portion 42a has substantially the same height from the inside to the outside. As a result, the height of the light emitting device 1 can be lowered, and the storage volume of the light emitting device 1 can be reduced when the light emitting device 1 is incorporated in a lighting device and used.

なお、凹部12bは、回路基板12の一部を欠落させて形成してもよい。この場合、凹部12bの深さは、回路基板12の厚さと一致する。 Note that the recess 12b may be formed by removing a part of the circuit board 12 . In this case, the depth of recess 12b matches the thickness of circuit board 12 .

上述した突出部42aに対する説明は、他の突出部42b、42c、42dに対しても適宜適用される。 The above description of the projecting portion 42a also applies appropriately to the other projecting portions 42b, 42c, and 42d.

図5(A)は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例2を示す平面図であり、図5(B)は図5(A)のA-A´線断面図であり、図5(C)は図5(A)のB-B´線断面図である。 FIG. 5A is a plan view showing Modification 2 of one embodiment of the light-emitting device disclosed in this specification, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line AA′ of FIG. 5(C) is a cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 5(A).

変型例2の発光装置1では、突出部42a、42b、42c、42dの形状が、上述した実施形態とは異なっている。 In the light emitting device 1 of Modification 2, the shapes of the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d are different from those in the above-described embodiment.

変型例2の発光装置1では、上述した実施形態と同様に、突出部42a、42b、42c、42dは、枠体40を形成する長尺状の枠連続体41により形成されている。 In the light emitting device 1 of Modified Example 2, similarly to the embodiment described above, the projecting portions 42 a, 42 b, 42 c, and 42 d are formed by the elongated frame continuous body 41 forming the frame 40 .

枠体40では、内縁43の頂点40a、40b、40c、40dにおいて、内側から外側に向かって枠体同士が重なることなく、突出部42a、42b、42c、42dが形成される。 In the frame 40, projections 42a, 42b, 42c, and 42d are formed at the vertices 40a, 40b, 40c, and 40d of the inner edge 43 so that the frames do not overlap from the inside to the outside.

枠連続体41は、内縁43の頂点40b側から頂点40aに向かって伸びてきて、頂点40aにおいて、内側から外側に向かう方向で屈折し、先端部で頂点40d側に向かって捲回し、再び内側へ折り返して伸びた後、枠体同士が重なることなく頂点40dに向かって伸びるように配置されて、突出部42aが形成される。 The frame continuum 41 extends from the vertex 40b side of the inner edge 43 toward the vertex 40a, bends at the vertex 40a in a direction from the inside to the outside, winds at the tip portion toward the vertex 40d side, and turns inside again. After being folded back and extended, the frames are arranged so as to extend toward the vertex 40d without overlapping each other to form the projecting portion 42a.

突出部42aにおいて、折り返されて対向する枠連続体41同士の間には、隙間が形成されている。 In the projecting portion 42a, a gap is formed between the frame continuous bodies 41 that are folded back and face each other.

図5(C)に示すように、突出部42aの上面の形状は、内側から外側に向かってほぼ同じ高さを有する。これにより、発光装置1の高さを低くして、発光装置1が照明装置に組み込まれて使用される時に、発光装置1の収納容積を低減することができる。 As shown in FIG. 5(C), the shape of the upper surface of the projecting portion 42a has substantially the same height from the inside to the outside. As a result, the height of the light emitting device 1 can be lowered, and the storage volume of the light emitting device 1 can be reduced when the light emitting device 1 is incorporated in a lighting device and used.

上述した突出部42aに対する説明は、他の突出部42b、42c、42dに対しても適宜適用される。 The above description of the projecting portion 42a also applies appropriately to the other projecting portions 42b, 42c, and 42d.

図6は、本明細書に開示する発光装置の一実施形態の変型例3の要部を示す図である。 FIG. 6 is a diagram showing a main part of Modification 3 of one embodiment of the light emitting device disclosed in this specification.

変型例3の発光装置1では、枠体40の形状が、上述した実施形態とは異なっている。 In the light-emitting device 1 of Modification 3, the shape of the frame 40 is different from that of the above-described embodiment.

図6では、発光装置1の枠体40及び複数の発光素子20の輪郭20aを含む主要な構成要素以外の構成要素の図示は省略されている。 In FIG. 6, illustration of components other than the main components including the frame 40 of the light emitting device 1 and the contours 20a of the plurality of light emitting elements 20 is omitted.

変型例3の発光装置1では、複数の発光素子20は、全体として、8角形の輪郭20aを有するように、実装基板11上に配置される。本明細書では、輪郭20aは、図6に示すように、実装基板11上に配置された複数の発光素子20の最外縁に内接するようになぞった形状である。 In the light-emitting device 1 of Modification 3, the plurality of light-emitting elements 20 are arranged on the mounting substrate 11 so as to have an octagonal outline 20a as a whole. In this specification, the contour 20a is a shape traced so as to be inscribed in the outermost edges of the plurality of light emitting elements 20 arranged on the mounting substrate 11, as shown in FIG.

枠体40の内縁43は、複数の発光素子20が形成する輪郭20aと同様に8角形の輪郭20aを有する。 An inner edge 43 of the frame 40 has an octagonal contour 20a similar to the contour 20a formed by the plurality of light emitting elements 20 .

枠体40は、枠体40における8角形の内縁43の頂点40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g、40hにおいて、内側(発光領域1a側)から外側(発光領域1a側とは反対側)に向かって突出する突出部42a、42b、42c、42d、42e、42f、43g、43hを有する。 The frame body 40 has vertices 40a, 40b, 40c, 40d, 40e, 40f, 40g, and 40h of an octagonal inner edge 43 in the frame body 40. 42a, 42b, 42c, 42d, 42e, 42f, 43g, and 43h projecting toward the side).

なお、複数の発光素子20が形成する輪郭20aは、4角形又は8角形に限定されるものではない。複数の発光素子20が形成する輪郭20aは、5角形、7角形又は9角形以上であってもよい。枠体40の内縁43は、複数の発光素子20が形成する輪郭20aと対応する形状を有することが好ましい。 Note that the outline 20a formed by the plurality of light emitting elements 20 is not limited to a quadrangle or an octagon. The contour 20a formed by the plurality of light emitting elements 20 may be a pentagon, a heptagon, or a nine or more polygon. The inner edge 43 of the frame 40 preferably has a shape corresponding to the outline 20a formed by the plurality of light emitting elements 20 .

本発明の発光装置によれば、複数の発光素子の輪郭に対応する形状の輪郭を有する枠体の内縁が、その頂点に突出部を有することにより、発光領域を低減して発光密度を向上できる。すなわち、発光領域を低減するためには枠体に頂点を持たせ、各頂点に対し突起部を設ければ良い。この結果、例えば、実装用の基板に配線パターンや電極を直接的に形成できる場合は、回路基板(第2の基板)を使用しなくても良くなる。 According to the light-emitting device of the present invention, the inner edge of the frame having a contour corresponding to the contours of the plurality of light-emitting elements has a protrusion at its vertex, thereby reducing the light-emitting region and improving the light-emitting density. . In other words, in order to reduce the light emitting area, the frame should have vertices and a protrusion should be provided for each apex. As a result, for example, when wiring patterns and electrodes can be directly formed on a substrate for mounting, it becomes unnecessary to use a circuit substrate (second substrate).

次に、本明細書に開示する発光装置1の製造方法の一実施形態を、図7~図11を参照しながら、以下に説明する。 Next, an embodiment of a method for manufacturing the light emitting device 1 disclosed in this specification will be described below with reference to FIGS. 7 to 11. FIG.

まず、図7(A)~図7(C)に示すように、実装基板11と開口部12Aを有する回路基板12とを接着する。なお、回路基板12上には、予め印刷法等の技術を用いて、一対の配線パターン13A、13Bが形成され、さらに、一対の配線パターン13A、13B上に、ソルダレジスト14のパターンが形成されている。一対の接続電極17A、17Bは、ソルダレジスト14により覆われていない部分の配線パターン13A、13Bにより形成される。また、ソルダレジスト14は、回路基板12の開口部12a及び一対の配線パターン13A、13Bの一部が露出するように、矩形の開口部14aを有する。図7(A)は、図2(A)に対応する平面図であり、図7(B)は図7(A)のA-A´線断面図であり、図7(C)は図7(A)のB-B´線断面図である。この説明は、以下の工程における他の図面に対しても適宜適用される。 First, as shown in FIGS. 7A to 7C, the mounting board 11 and the circuit board 12 having the opening 12A are bonded. A pair of wiring patterns 13A and 13B are formed in advance on the circuit board 12 using a technique such as a printing method, and a pattern of solder resist 14 is formed on the pair of wiring patterns 13A and 13B. ing. A pair of connection electrodes 17A and 17B are formed by wiring patterns 13A and 13B in portions not covered with the solder resist 14 . The solder resist 14 also has a rectangular opening 14a so that the opening 12a of the circuit board 12 and the pair of wiring patterns 13A and 13B are partially exposed. 7(A) is a plan view corresponding to FIG. 2(A), FIG. 7(B) is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 7(A), and FIG. 7(C) is a cross-sectional view of FIG. It is a BB' cross-sectional view of (A). This explanation is appropriately applied to other drawings in the following steps.

次に、図8(A)~図8(C)に示すように、回路基板12の開口部12aから露出している実装基板11上に、複数の発光素子20がダイボンドにより接着される。 Next, as shown in FIGS. 8A to 8C, a plurality of light emitting elements 20 are adhered by die bonding onto the mounting board 11 exposed from the opening 12a of the circuit board 12. Next, as shown in FIG.

次に、図9(A)~図9(C)に示すように、近接する発光素子20同士をワイヤ30で互いに電気的に接続し、また開口部12aの外周側に位置する発光素子20を、ワイヤ30を用いて配線パターン13A又は13Bに接続する。一例では、ワイヤ30は、超音波溶着によって発光素子20に接続される。本実施形態では、3個の発光素子20が直列接続された3つの列が、一対の配線パターン13A、13Bの間に並列に接続される。 Next, as shown in FIGS. 9(A) to 9(C), adjacent light emitting elements 20 are electrically connected to each other by wires 30, and the light emitting elements 20 located on the outer peripheral side of the opening 12a are removed. , are connected to the wiring patterns 13A or 13B using wires 30. FIG. In one example, wire 30 is connected to light emitting element 20 by ultrasonic welding. In this embodiment, three columns in which three light emitting elements 20 are connected in series are connected in parallel between a pair of wiring patterns 13A and 13B.

次に、図10(A)~図10(C)に示すように、開口部12aの周囲に沿って、回路基板12及び一対の配線パターン13A、13Bの上に、枠体40が複数の発光素子20を囲むように形成される。枠体40は、ソルダレジスト14の開口部14Aの内側に沿って形成されて、ワイヤ30と配線パターン13A又は13Bとの接点を覆う。 Next, as shown in FIGS. 10(A) to 10(C), a frame 40 is placed on the circuit board 12 and the pair of wiring patterns 13A and 13B along the periphery of the opening 12a. It is formed so as to surround the element 20 . The frame 40 is formed along the inner side of the opening 14A of the solder resist 14 to cover the contacts between the wires 30 and the wiring patterns 13A or 13B.

枠体40の材料として、例えば、酸化チタン等の微粒子が分散されたシリコン樹脂又はエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。 As the material of the frame 40, for example, resin such as silicon resin or epoxy resin in which fine particles such as titanium oxide are dispersed can be used.

枠体40を形成する方法として、例えば、液体の樹脂を、ディスペンサによりソルダレジスト14の開口部14Aの内側に沿って塗布した後、硬化する技術を用いることができる。硬化した樹脂は、長尺状の枠連続体41を形成する。 As a method of forming the frame 40, for example, a technique of applying a liquid resin along the inside of the opening 14A of the solder resist 14 with a dispenser and then curing the same can be used. The cured resin forms an elongated frame continuum 41 .

枠体40の形成において、例えば、内縁43の頂点40aに配置される突出部42aは、以下のように形成される。 In forming the frame 40, for example, the projecting portion 42a arranged at the vertex 40a of the inner edge 43 is formed as follows.

図10(A)中の矢印に示すように、突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する内縁43の頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する。次に、頂点40aにおいて、液体の樹脂を内側から外側に向かって伸びるように基板上に塗布し、液体の樹脂を頂点40b側へ捲回させて再び内側へ折り返して伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を既に塗布された樹脂上に重なるように交差させて塗布した後、突出部40aが配置される頂点40aと隣接する内縁43の頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する。他の突出部42b,42c、42dが形成される場所についても、同様に液体の樹脂が塗布される。次に、塗布した樹脂を硬化させることにより、突出部42a、42b,42c、42dを有する枠体40が形成される。 As indicated by the arrow in FIG. 10A, a liquid resin is applied onto the substrate so as to extend from the vertex 40b side of the inner edge 43 adjacent to the vertex 40a on which the projecting portion 40a is arranged toward the vertex 40a. apply. Next, at the vertex 40a, the liquid resin is applied on the substrate so as to extend from the inside to the outside, and the liquid resin is wound to the vertex 40b side and applied on the substrate so as to extend by folding back inward again. do. Next, after applying the liquid resin so as to overlap and cross over the already applied resin, the liquid resin is applied so as to extend toward the vertex 40d of the inner edge 43 adjacent to the vertex 40a where the protruding portion 40a is arranged. apply. The liquid resin is similarly applied to the locations where the other protrusions 42b, 42c, and 42d are to be formed. Next, by curing the applied resin, the frame 40 having the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d is formed.

なお、内縁43の頂点40a、頂点40b及び頂点40dは、液体の樹脂が硬化されて形成されるので、突出部42aが形成される時点では、内縁43の頂点40a、頂点40b及び頂点40dはまだ形成されていない。上述した説明において、「突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する内縁43の頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する」ことは、「突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する内縁43の頂点40b側から将来頂点40aが形成される位置に向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する」ことを意味する。また、「突出部40aが配置される頂点40aと隣接する内縁43の頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する」は、「突出部40aが配置される頂点40aと隣接する将来内縁43の頂点40dが形成される位置に向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する」ことを意味する。このことは、他の同様の説明に対しても適宜適用される。 In addition, since the apex 40a, the apex 40b and the apex 40d of the inner edge 43 are formed by curing the liquid resin, the apex 40a, the apex 40b and the apex 40d of the inner edge 43 are not yet formed at the time when the projecting portion 42a is formed. not formed. In the above description, "applying the liquid resin onto the substrate so as to extend from the side of the vertex 40b of the inner edge 43 adjacent to the vertex 40a of the inner edge 43 where the protrusion 40a is arranged toward the vertex 40a" means " The liquid resin is applied onto the substrate so as to extend from the vertex 40b side of the inner edge 43 adjacent to the vertex 40a of the inner edge 43 where the protrusion 40a is arranged toward the position where the vertex 40a will be formed in the future. . Further, "apply liquid resin so as to extend toward the vertex 40d of the inner edge 43 adjacent to the vertex 40a where the protruding portion 40a is arranged" means "the future inner edge adjacent to the vertex 40a where the protruding portion 40a is arranged." It means to apply a liquid resin so as to extend toward the position where the vertex 40d of 43 is formed. This also applies to other similar explanations as appropriate.

図10(C)に示すように、内縁43の頂点40aにおいて、液体の樹脂が交差した部分が硬化することにより、第1部分P1が形成され、交差しない部分により第2部分P2が形成される。 As shown in FIG. 10(C), at the vertex 40a of the inner edge 43, the intersecting portion of the liquid resin is cured to form the first portion P1, and the non-intersecting portion forms the second portion P2. .

図10(A)に示す例では、突出部42a、42b,42c、42dは隙間を有していないが、液体の樹脂を基板上への塗布する仕方によっては、内側から外側へ向かって塗布される樹脂と、外側から内側へ向かって塗布される樹脂との間に隙間が形成される場合もある。 In the example shown in FIG. 10A, the protrusions 42a, 42b, 42c, and 42d do not have gaps, but depending on how the liquid resin is applied onto the substrate, the liquid resin may be applied from the inside to the outside. A gap may be formed between the resin that is applied from the outside and the resin that is applied from the outside to the inside.

次に、図2(A)~図2(C)に示すように、枠体40の内側に蛍光体を含む樹脂が充填されて、複数の発光素子20を封止するように、封止層50が形成される。これにより、図2に示す発光装置1が得られる。 Next, as shown in FIGS. 2A to 2C, the inside of the frame 40 is filled with a resin containing a phosphor, and a sealing layer is formed so as to seal the plurality of light emitting elements 20. 50 are formed. Thereby, the light-emitting device 1 shown in FIG. 2 is obtained.

次に、上述した発光装置の製造方法の変型例1及び変型例2の製造方法を、以下に説明する。 Next, manufacturing methods of modified example 1 and modified example 2 of the method for manufacturing the light emitting device described above will be described below.

まず、発光装置の製造方法の変型例1について、以下に説明する。 First, Modified Example 1 of the manufacturing method of the light emitting device will be described below.

発光装置の製造方法の変型例1は、図4に示す突出部を有する発光装置の製造方法である。 Modification 1 of the method for manufacturing a light-emitting device is a method for manufacturing a light-emitting device having protrusions shown in FIG.

変型例1では、図7に示す工程において、図4に示すように、突出部42a、42b、42c、42dの第1部分P1が配置される部分に凹部12bを有する回路基板12が、実装基板11上に配置される。凹部12b内に配置される配線パターン13B(又は配線パターン13A)の部分も、回路基板12の凹部12bの形状に対応して凹んだ形状を有する。 In Modified Example 1, in the process shown in FIG. 7, as shown in FIG. 4, the circuit board 12 having the recesses 12b in the portions where the first portions P1 of the protrusions 42a, 42b, 42c, and 42d are arranged is mounted on the mounting board. 11. A portion of the wiring pattern 13B (or wiring pattern 13A) arranged in the recess 12b also has a recessed shape corresponding to the shape of the recess 12b of the circuit board 12 .

図8及び図9に示す工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様である。 The steps shown in FIGS. 8 and 9 are the same as in the embodiment of the method for manufacturing the light emitting device described above.

次に、図10に示す工程では、図10(A)中の矢印に示すように、突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する。次に、頂点40aにおいて、液体の樹脂を凹部12bにより凹んだ部分に塗布した後内側から外側に向かって伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を頂点40b側へ捲回させて再び内側へ折り返して伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を凹部12bにより凹んだ部分に既に塗布された樹脂上に重なるように交差させて塗布した後、突出部40aが配置される頂点40aと隣接する頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する。他の突出部42b,42c、42dが形成される場所についても、同様に液体の樹脂が塗布される。次に、塗布した樹脂を硬化させることにより、突出部42a、42b,42c、42dを有する枠体40が形成される。 Next, in the process shown in FIG. 10, as indicated by the arrow in FIG. 10A, the inner edge 43 on which the projecting portion 40a is arranged extends from the side of the vertex 40b adjacent to the vertex 40a toward the vertex 40a. A liquid resin is applied onto the substrate. Next, at the vertex 40a, the liquid resin is applied to the portion recessed by the recess 12b and then applied onto the substrate so as to extend from the inside to the outside. Next, the liquid resin is wound toward the vertex 40b and then applied to the substrate so as to fold back and extend inward. Next, after applying liquid resin so as to overlap and cross over the already applied resin in the recessed portion 12b, the resin is applied so as to extend toward the vertex 40d adjacent to the vertex 40a where the protruding portion 40a is arranged. Apply liquid resin to The liquid resin is similarly applied to the locations where the other protrusions 42b, 42c, and 42d are to be formed. Next, by curing the applied resin, the frame 40 having the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d is formed.

図4に示すように、回路基板12の凹部12bにより凹んだ部分に塗布された樹脂が硬化することにより、第1部分P1が形成され、交差しない部分により第2部分P2が形成される。 As shown in FIG. 4, the first portion P1 is formed by curing the resin applied to the recessed portion of the circuit board 12, and the non-intersecting portion forms the second portion P2.

後の工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様にして、図4に示す発光装置が得られる。 The subsequent steps are performed in the same manner as in the embodiment of the manufacturing method of the light emitting device described above, and the light emitting device shown in FIG. 4 is obtained.

次に、発光装置の製造方法の変型例2について、以下に説明する。 Next, Modified Example 2 of the manufacturing method of the light emitting device will be described below.

発光装置の製造方法の変型例2は、図5に示す突出部を有する発光装置の製造方法である。 Modification 2 of the method for manufacturing a light-emitting device is a method for manufacturing a light-emitting device having protrusions shown in FIG.

図7~図9に示す工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様である。 The steps shown in FIGS. 7 to 9 are the same as in the embodiment of the method for manufacturing the light emitting device described above.

次に、図11に示す工程では、図11(A)中の矢印に示すように、突出部40aが配置される内縁43の頂点40aと隣接する頂点40b側から頂点40aに向かって伸びるように液体の樹脂を基板上に塗布する。次に、頂点40aにおいて、液体の樹脂を内側から外側に向かって伸びるように基板上に塗布し、液体の樹脂を頂点40d側へ捲回させて再び内側へ折り返して伸びるように基板上に塗布する。次に、液体の樹脂を既に塗布された樹脂と重ならないように塗布し、突出部40aが配置される頂点40aと隣接する頂点40dに向かって伸びるように液体の樹脂を塗布する。他の突出部42b,42c、42dが形成される場所についても、同様に液体の樹脂が塗布される。次に、塗布した樹脂を硬化させることにより、突出部42a、42b,42c、42dを有する枠体40が形成される。 Next, in the process shown in FIG. 11, as indicated by the arrow in FIG. 11A, the inner edge 43 on which the projecting portion 40a is arranged extends from the side of the vertex 40b adjacent to the vertex 40a toward the vertex 40a. A liquid resin is applied onto the substrate. Next, at the vertex 40a, the liquid resin is applied onto the substrate so as to extend from the inside to the outside. do. Next, the liquid resin is applied so as not to overlap with the resin that has already been applied, and the liquid resin is applied so as to extend toward the vertex 40d adjacent to the vertex 40a where the projecting portion 40a is arranged. The liquid resin is similarly applied to the locations where the other protrusions 42b, 42c, and 42d are to be formed. Next, by curing the applied resin, the frame 40 having the projecting portions 42a, 42b, 42c, and 42d is formed.

後の工程は、上述した発光装置の製造方法の実施形態と同様にして、図5に示す発光装置が得られる。 The subsequent steps are performed in the same manner as in the embodiment of the manufacturing method of the light emitting device described above, and the light emitting device shown in FIG. 5 is obtained.

本発明では、上述した実施形態の発光装置及び発光装置の製造方法は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更が可能である。 In the present invention, the light-emitting device and the method for manufacturing the light-emitting device of the above-described embodiments can be modified as appropriate without departing from the gist of the present invention.

例えば、上述した実施形態では、突出部は、ソルダレジスト上に配置されていなかったが、突出部の一部は、ソルダレジスト上に配置されるようにしてもよい。 For example, in the above-described embodiments, the protruding portion was not arranged on the solder resist, but part of the protruding portion may be arranged on the solder resist.

1 発光装置
1a、100a 発光領域
11 実装基板(基板)
12 回路基板(第2の基板)
12a 開口部
12b 凹部
13A、13B 配線パターン
14 ソルダレジスト
17A、17B 接続電極
20 発光素子
20a 輪郭
30 ワイヤ
40、140 枠体
40a、40b、40c、40d、40e、40f、40g,40h 頂点
140a、140b、140c、140d 頂点
41 枠連続体
42a、42b、42c、42d、42e、42f、42g,42h 突出部
43 内縁
P1 第1部分
P2 第2部分
50 封止層
50a 封止層の表面
Reference Signs List 1 light emitting device 1a, 100a light emitting region 11 mounting substrate (substrate)
12 circuit board (second board)
12a opening 12b recess 13A, 13B wiring pattern 14 solder resist 17A, 17B connection electrode 20 light emitting element 20a contour 30 wire 40, 140 frame 40a, 40b, 40c, 40d, 40e, 40f, 40g, 40h vertex 140a, 140b, 140c, 140d vertex 41 frame continuum 42a, 42b, 42c, 42d, 42e, 42f, 42g, 42h protrusion 43 inner edge P1 first part P2 second part 50 sealing layer 50a surface of sealing layer

Claims (4)

基板と、
前記基板上に配置される複数の発光素子と、
前記基板上において、前記複数の発光素子を囲むように配置される枠体と、
前記複数の発光素子を封止するように前記枠体の内側に配置される封止層と、
を備え、
前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形であり、
前記枠体の内縁は、前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を為し、前記多角形の各頂点には、前記枠体の内側から外側に向かって突出する突出部が配置され、
前記突出部は、
第1部分と、
前記第1部分よりも前記外側に配置され、前記第1部分よりも厚さの薄い第2部分と、を有する、ことを特徴とする発光装置。
a substrate;
a plurality of light emitting elements arranged on the substrate;
a frame arranged on the substrate so as to surround the plurality of light emitting elements;
a sealing layer arranged inside the frame so as to seal the plurality of light emitting elements;
with
a shape obtained by tracing the outermost edges of the plurality of light emitting elements arranged on the substrate is a polygon having four or more sides in a plan view;
The inner edge of the frame forms a polygon having the same shape as the outermost edges of the plurality of light emitting elements arranged on the substrate, and each vertex of the polygon has a A protruding part protruding toward is arranged,
The protrusion is
a first part;
and a second portion arranged outside the first portion and thinner than the first portion.
前記基板上に配置される第2の基板を備え、
前記突出部は、前記第2の基板上に配置され、
前記第1部分が配置される前記第2の基板の部分は凹んでいる請求項に記載の発光装置。
comprising a second substrate disposed on the substrate;
the protrusion is disposed on the second substrate;
2. The light emitting device of claim 1 , wherein the portion of the second substrate on which the first portion is arranged is recessed.
複数の発光素子を基板上に配置する第1工程であって、前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状は、平面視で、4角形以上の多角形となる第1工程と、
長尺状の枠連続体を用いて、前記基板上において、前記複数の発光素子を囲むように枠体を形成する第2工程であって、前記枠体の内縁は、前記基板上に配置された前記複数の発光素子の最外縁をなぞった形状と同じ多角形を有し、前記多角形の各頂点において、前記枠体の内側から外側に向かって突出する突出部を有するように、前記枠体を形成する第2工程と、
前記複数の発光素子を封止するように、前記枠体の内側に封止層を形成する第3工程と、を備え、
前記第2工程では、
一の前記突出部が配置される前記内縁の第1の頂点と隣接する前記内縁の第2の頂点側から当該第1の頂点に向かって伸びてきた前記枠連続体を、前記第1の頂点において、前記内側から前記外側に向かって捲回させた後、前記第1の頂点と隣接する前記内縁の第3の頂点に向かって伸びるように配置して、前記突出部を形成し、
前記第1の頂点において、前記枠連続体を、前記内側から前記外側に向かって捲回させて交差させた後前記第3の頂点に向かって伸びるように配置して、前記突出部を形成する、ことを特徴とする発光装置の製造方法。
In a first step of arranging a plurality of light emitting elements on a substrate, a shape obtained by tracing the outermost edges of the plurality of light emitting elements arranged on the substrate is a polygon having a quadrilateral or more in a plan view. a first step;
A second step of forming a frame so as to surround the plurality of light emitting elements on the substrate using an elongated frame continuum, wherein an inner edge of the frame is arranged on the substrate. The frame has the same polygon as a shape tracing the outermost edges of the plurality of light emitting elements, and has a protrusion projecting outward from the inside of the frame at each vertex of the polygon. a second step of forming a body;
a third step of forming a sealing layer inside the frame so as to seal the plurality of light emitting elements ;
In the second step,
The frame continuum extending from the side of the second vertex of the inner edge adjacent to the first vertex of the inner edge where one of the protrusions is arranged toward the first vertex is positioned at the first vertex. wherein, after being wound from the inner side toward the outer side, the protruding portion is arranged so as to extend toward a third vertex of the inner edge adjacent to the first vertex, and
At the first vertex, the frame continuum is wound from the inner side toward the outer side and crossed, and then arranged so as to extend toward the third vertex to form the protruding portion. A method of manufacturing a light-emitting device, characterized by :
前記第1工程と前記第2工程との間に、前記突出部が形成される部分に凹部を有する第2の基板を前記基板上に配置する第4工程を備え、
前記第2工程では、前記第1の頂点において、前記枠連続体を、前記内側から前記外側に向かって捲回させて前記凹部上で前記枠連続体同士を交差させた後、前記第3の頂点に向かって伸びるように配置して、前記突出部を前記第2の基板上に形成する請求項に記載の発光装置の製造方法。
Between the first step and the second step, a fourth step of placing a second substrate having a recess in a portion where the protrusion is formed on the substrate,
In the second step, at the first vertex, the frame continuous body is wound from the inner side toward the outer side to cross the frame continuous bodies on the recess, and then the third 4. The method of manufacturing a light-emitting device according to claim 3 , wherein the protrusion is formed on the second substrate so as to extend toward a vertex.
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