JP7241564B2 - Exposure apparatus and article manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、露光装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and an article manufacturing method.
半導体デバイスなどの製造工程(リソグラフィ工程)では、基板を露光する露光装置が用いられうる。露光装置では、例えば、光源からの光を遮断する遮光部材を有するシャッタが設けられ、当該シャッタを駆動して基板への光の照射と非照射とを切り換えることにより、基板の露光量を制御することができる。 2. Description of the Related Art An exposure apparatus that exposes a substrate may be used in a manufacturing process (lithography process) for semiconductor devices and the like. In an exposure apparatus, for example, a shutter having a light shielding member that blocks light from a light source is provided, and the exposure amount of the substrate is controlled by driving the shutter to switch between irradiation and non-irradiation of light to the substrate. be able to.
特許文献1には、エンコーダのミスカウントや空気圧の圧力低下などのシャッタの駆動誤差によるシャッタの半開きを検知する方法が開示されている。特許文献1に記載された方法では、シャッタ閉情報が入力されたときのカウンタ値(受光素子からの信号の電圧値)と、シャッタ開情報が入力されたときのカウンタ値との偏差を求め、その偏差を基準値と比較することによりシャッタの半開きを検知している。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-200000 discloses a method of detecting a half-open shutter due to a shutter drive error such as an encoder miscount or a decrease in air pressure. In the method described in
露光装置のシャッタでは、高エネルギの光が遮光部材に照射されることによって当該遮光部材が劣化し、その一部が欠損(破損)したり薄化したりといった異常が生じる場合がある。この場合、光源からの光の光路に遮光部材が配置されるようにシャッタを正常に駆動したとしても、欠損や薄化などの異常が生じた遮光部材の一部から光が漏れてしまう。このような漏れ光は、近年における回路バターンの微細化の要求において、基板の露光量を高精度に制御することを困難にしうる。したがって、露光装置では、遮光部材からの漏れ光を検出して、当該遮光部材の異常を精度よく検知することが望まれている。 In the shutter of the exposure apparatus, when the light shielding member is irradiated with high-energy light, the light shielding member deteriorates, and an abnormality such as partial loss (damage) or thinning of the light shielding member may occur. In this case, even if the shutter is normally driven so that the light shielding member is arranged in the optical path of the light from the light source, light leaks from a part of the light shielding member that has an abnormality such as a defect or thinning. Such leaked light can make it difficult to control the exposure amount of the substrate with high accuracy in the recent demand for finer circuit patterns. Therefore, in the exposure apparatus, it is desired to detect leakage light from the light shielding member and accurately detect an abnormality of the light shielding member.
しかしながら、欠損や薄化などの異常が生じた遮光部材からの漏れ光は、その断面積や光強度が非常に小さい。そのため、特許文献1のように、シャッタ閉情報の入力時とシャッタ開情報の入力時とでのカウンタ値の偏差を用いる方式では、当該漏れ光を検出することが困難になりうる。
However, the cross-sectional area and light intensity of leaked light from a light shielding member that has an abnormality such as a defect or thinning is very small. For this reason, it may be difficult to detect the leaked light in the method of using the deviation of the counter value between when the shutter closed information is input and when the shutter open information is input, as in
そこで、本発明は、遮光部材の異常を精度よく検知するために有利な露光装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an exposure apparatus that is advantageous for accurately detecting an abnormality in a light shielding member.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板を露光する露光装置であって、光源からの光を遮断する第1遮光部材を有するシャッタと、前記シャッタを通過した前記光を検出する検出部と、前記シャッタを駆動することにより前記基板の露光処理を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記第1遮光部材が前記光の光路に配置された第1状態での前記検出部の検出結果と、前記第1遮光部材が前記光の光路に配置されずに前記検出部への前記光の入射が遮断された第2状態での前記検出部の検出結果とを比較することにより、前記第1遮光部材の異常を検知する、ことを特徴とする。 To achieve the above object, an exposure apparatus as one aspect of the present invention is an exposure apparatus for exposing a substrate, comprising a shutter having a first light shielding member for blocking light from a light source, and a light beam passing through the shutter. a detection unit that detects the light; and a control unit that controls exposure processing of the substrate by driving the shutter, wherein the control unit includes the first light shielding member arranged in the optical path of the light. A detection result of the detection unit in a first state, and a detection result of the detection unit in a second state in which the first light blocking member is not arranged in the optical path of the light and the light is blocked from entering the detection unit. An abnormality of the first light shielding member is detected by comparing the detection result.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects or other aspects of the present invention will be made clear by preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、遮光部材の異常を精度よく検知するために有利な露光装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an exposure apparatus that is advantageous for accurately detecting an abnormality in a light shielding member.
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態の露光装置100の構成例を示す概略図である。露光装置100は、物品としての半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッドなどのデバイスの製造工程(リソグラフィ工程)に用いられるリソグラフィ装置であり、基板を露光することにより基板上にパターンを形成する。本実施形態の場合、露光装置100は、ステッパ方式またはスキャン方式により原版(マスク、レチクル)のパターン像を基板上に投影することで基板を露光し、原版のパターンを基板に転写する投影露光装置でありうる。しかしながら、それに限られず、露光装置100は、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で基板(インプリント材)を露光することでインプリント材を硬化させ、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であってもよい。
<First embodiment>
A first embodiment according to the present invention will be described. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of an
露光装置100は、光源部LSからの光で原版(不図示)を照明する照明光学系ILと、原版のパターンを基板に投影する投影光学系(不図示)と、検出部8と、電流ドライバ10と、周波数/電圧変換器11と、電圧/周波数変換器12とを有する。また、露光装置100は、サーボアンプ13と、乗算器14と、ポジションカウンタ15と、露光量カウンタ16と、制御部17とを有する。
The
光源部LSは、基板を露光するための光(露光光)を射出する光源1(例えば紫外線ランプ)と、光源1からの光を集光して照明光学系ILに導く楕円ミラー2とを含む。また、照明光学系ILは、光源部LSからの光で原版を照明する時間(即ち、基板への光の照射時間)を制御するための機構を有する。当該機構は、例えば、シャッタ3と、レンズ4と、ハーフミラー5と、モータ6と、エンコーダ7とを含む。
The light source unit LS includes a light source 1 (for example, an ultraviolet lamp) that emits light (exposure light) for exposing a substrate, and an
シャッタ3は、例えば、光源部LSからの光を遮断する複数の遮光部材31(羽根、遮光領域)を有する回転体として構成され、複数の遮光部材間の光通過領域32で光を通過させる。本実施形態のシャッタ3は、等間隔(等角度)で配置された3つの遮光部材31によって構成されているが、2つ又は4つ以上の遮光部材31で構成されてもよいし、1つの遮光部材31で構成されてもよい。モータ6は、シャッタ3を回転させるための駆動源である。エンコーダ7は、シャッタ3の回転位置を計測するための計測器である。シャッタ3を通過した光は、レンズ4を介してハーフミラー5に入射し、ハーフミラー5によって当該光の一部が検出部8に導かれる。図1に示す例では、シャッタ3を通過した光のうち、ハーフミラー5で反射された一部の光が検出部8に導かれる。検出部8は、ハーフミラー5から導かれた当該一部の光の強度を検出するフォトデテクタを含み、その出力は、基板に照射される光の照度(強度)、および基板の露光量を計測するために用いられうる。ここで、基板の露光量は、基板に照射される光の照度の時間積分によって定義されるものとする。
The
電流ドライバ10は、モータ6に電流を供給してモータ6を駆動する。周波数/電圧変換器(FVC;Frequency Voltage Converter)11は、エンコーダ7から出力される、シャッタの回転速度に比例したパルス列を電圧に変換する。電圧/周波数変換器(VFC;Voltage Frequency Converter)12は、検出部8から出力される、基板の露光量に比例したアナログ電圧をパルス列に変換する。
A
サーボアンプ13は、シャッタ3の実際の回転速度が2次指令値24(によって指示されるシャッタ3の回転速度)と一致するように、シャッタ3の実際の回転速度と2次指令値24との差分に比例する出力を電流ドライバ10に供給する。乗算器14は、シャッタ3の回転速度を指示する1次指令値21と、ゲインコントロールデータ20とに基づいて、2次指令値24を生成する。
The
ポジションカウンタ15は、シャッタ3の回転位置を監視して位置データ22を出力する。露光量カウンタ16は、VFC12から出力されたパルスをカウントすることで、検出部8に入射する光の時間的積分量、即ち、基板の露光量を監視して露光量データ23を出力する。
A position counter 15 monitors the rotational position of the
制御部17は、CPUおよびメモリ(記憶部)を含み、露光装置100の各部を統括的に制御して、基板における複数のショット領域の各々に対する露光処理を制御する。例えば、制御部17は、露光処理において、基板の露光量が目標露光量になるように、シャッタ3を回転駆動することによって基板への光の照射と非照射とを制御する。具体的には、制御部17は、遮光部材31により光源部LSからの光を遮断している遮光状態から、光源部LSからの光が光通過領域32を通過している光通過状態へ、そして再び遮光状態に移行するように、シャッタ3の回転駆動を制御する。
The
図2は、シャッタ3の駆動状態と基板に照射される光の照度との関係を示す図である。露光処理では、光源部LSからの光の光路上にシャッタ3の遮光部材31が配置されている遮光状態(図2の状態(1))からシャッタ3の回転が開始される。シャッタ3の回転が開始されると、シャッタ3の光通過領域32を光が徐々に通過し始め(図2の状態(2))、光の全体が光通過領域32を通過している光通過状態(図2の状態(3))でシャッタ3の回転が停止される。そして、基板の露光量が目標露光量になるように、シャッタ3の回転が再び開始される(図2の状態(4))。シャッタ3の回転が開始されると、遮光部材31により光が徐々に遮断され始め(図2の状態(5))、光路上に遮光部材31が配置されている遮光状態(図2の状態(6))でシャッタ3の回転が停止される。ここでは、露光処理において、遮光状態および光通過状態の各々でシャッタ3の回転を停止させたが、例えば、遮光状態から光通過状態を経て再び遮光状態に至る一連の動作を、シャッタ3の回転を停止させることなく連続して行ってもよい。
FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the driving state of the
このように構成された露光装置100では、シャッタ3の遮光部材31に高エネルギの光が照射されることによって遮光部材31が劣化し、その一部が欠損(破損)したり薄化したりする場合がある。この場合、光源部LSからの光の光路全体に遮光部材31が配置されるようにシャッタ3を正常に駆動したとしても、欠損や薄化などの異常が生じた遮光部材31の一部から光が漏れてしまう。このような漏れ光は、その断面積や光強度が非常に小さいが、近年における回路パターンの微細化の要求においては、基板の露光量を高精度に制御することを困難にしうる。したがって、露光装置100では、シャッタの遮光部材31からの漏れ光を検出して、当該遮光部材31の異常を精度よく検知することが望まれている。
In the
そこで、本実施形態の露光装置100(制御部17)は、光源部LSからの光の光路上にシャッタ3の第1遮光部材が配置されずに検出部8への光の入射が遮断された第2状態での検出部8の検出結果を得る。そして、シャッタ3の第1遮光部材が光路上に配置されるようにシャッタ3を駆動した第1状態での検出部8の検出結果と、第2状態での検出部8の検出結果とを比較することにより、当該第1遮光部材の異常を検知する。ここで、第1遮光部材とは、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、異常を検知する対象の遮光部材のことである。即ち、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31の各々について異常を検知する場合、複数の遮光部材31の各々が第1遮光部材として設定されうる。また、第2状態は、例えば、光源部LSからの光の光路上にシャッタ3の第1遮光部材を配置させずに、第1遮光部材とは異なる遮光部材を光源部LSと検出部8との間の光路上に配置することによって生成されうる。本実施形態の場合、第2状態は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、異常を検知する対象の遮光部材(第1遮光部材)とは異なる遮光部材が光源部LSからの光の光路上に配置されるようにシャッタ3を駆動することによって生成されうる。
Therefore, in the exposure apparatus 100 (control unit 17) of the present embodiment, the first light blocking member of the
本実施形態におけるシャッタ3の遮光部材31の異常を検知する方法について、図3~図4を参照しながら説明する。以下では、シャッタ3が遮光部材31A~31Cによって構成され、遮光部材31Cに異常(欠損、亀裂)が生じている例について説明する。
A method for detecting an abnormality of the
まず、露光処理におけるシャッタ3の駆動と検出部8で検出される光強度との対応関係について、図3を参照しながら説明する。図3は、シャッタ3の駆動状態と検出部8の検出結果(光強度)との対応関係を示す図である。図3の状態(1)は、シャッタ3の遮光部材31Aが光路上に配置されている状態を示している。制御部17は、この状態(1)において検出部8に光(光強度)の検出を行わせ、その検出結果(光強度A01)を得る。基板(ショット領域)の露光処理を開始する場合には、制御部17は、図3の状態(2)に示すように、シャッタ3の光通過領域32が光路上に配置されるようにシャッタ3を駆動する。そして、露光処理を終了する場合には、制御部17は、図3の状態(3)に示すように、シャッタ3の遮光部材31Bが光路上に配置されるようにシャッタ3を駆動する。制御部17は、この状態(3)において検出部8に光の検出を行わせ、その検出結果(光強度B01)を得る。
First, the correspondence relationship between the drive of the
また、次のショット領域の露光処理を開始する場合には、制御部17は、図3の状態(4)に示すように、シャッタ3の光通過領域32が光路上に配置されるようにシャッタ3を駆動する。そして、露光処理を終了する場合には、制御部17は、図3の状態(5)に示すように、シャッタ3の遮光部材31Cが光路上に配置されるようにシャッタ3を駆動する。制御部17は、この状態(5)において検出部8に光の検出を行わせ、その検出結果(光強度C01)を得る。図3に示す例では、遮光部材31Cに異常が生じているため、状態(5)で得られた光強度C01は、状態(1)で得られた光強度A01、および、状態(3)で得られた光強度B01と比べて高くなる。
When starting exposure processing for the next shot area, the
次に、遮光部材31C(第1遮光部材)の異常の検知方法について、図4を参照しながら説明する。図4は、第1遮光部材の異常の検知方法を示すフローチャートである。以下では、遮光部材31Cを第1遮光部材とし、当該遮光部材31Cの異常の検知を行う例について説明する。この例では、図3の状態(5)が第1状態に対応し、図3の状態(1)および(3)が第2状態に対応しうる。なお、以下に説明する異常の検知方法は、遮光部材31Cを第1遮光部材とする場合に限られず、遮光部材31A~31Bの各々を第1遮光部材とした場合にも同様に適用することができる。
Next, a method for detecting an abnormality of the
S11では、制御部17は、光源部LSからの光の光路上に遮光部材31C(第1遮光部材)が配置された第1状態であるか否かを判断する。遮光部材31Cが光路上に配置されていない場合にはS11を繰り返し、遮光部材31Cが光路上に配置された場合にはS12に進む。S12では、制御部17は、遮光部材31Cが光路上に配置された状態で検出部8に光(光強度)を検出させ、その検出結果(光強度C01)をメモリ(記憶部)に記憶する。
In S11, the
S13では、制御部17は、S12で得られた検出部8の検出結果と、他の遮光部材31A~31Bを光路上に配置した状態(第2状態)で得られた検出部8の検出結果とを比較し、それらの差分を求める。例えば、制御部17は、上述したように、遮光部材31A~31Bを光路上に配置したときに検出部8に光(光強度)を検出させ、その検出結果(光強度A01、光強度B01)をメモリに記憶している。制御部17は、その検出結果のうち最新のものを記憶部から読み出し、S12で得られた検出部8の検出結果との差分を求める。具体的には、制御部17は、遮光部材31Cを光路上に配置したときに検出部8で得られた光強度C01と、遮光部材31Aを光路上に配置したときに検出部8で得られた光強度A01との差分(|C01-A01|)を求める。同様に、制御部17は、遮光部材31Cを光路上に配置したときに検出部8で得られた光強度C01と、遮光部材31Bを光路上に配置したときに検出部8で得られた光強度B01との差分(|C01-B01|)を求める。
In S13, the
S14では、制御部17は、S13で得られた差分が閾値以上であるか否かを判断する。閾値は、例えば、検出部8の検出結果に生じるノイズ成分および遮光部材31の個体差などを分離することができる値に設定されるとよく、実験やシミュレーションなどによって決定されうる。S13で得られた差分が閾値未満である場合には、遮光部材31Cに異常がないとしてS15に進む。S15では、制御部17は、遮光部材31C(第1遮光部材)の異常検知を終了するか否かを判断する。例えば、制御部17は、基板における複数のショット領域の各々に対して露光処理が終了した場合に遮光部材31Cの異常の検知を終了すると判断してもよい。遮光部材31Cの異常検知を引き続き行う場合にはS11に戻る。
In S14, the
一方、S14の工程において、S13で得られた差分が閾値以上である場合には、遮光部材31Cの異常を検知したとしてS16に進む。S16では、制御部17は、遮光部材31Cの異常を検知した旨を報知する。遮光部材31Cの異常を検知した旨の報知方法としては、露光装置100に設けられた表示部(ディスプレイ)に当該旨を表示する方法であってもよいし、ユーザのコンピュータに当該旨を送信する方法であってもよい。また、制御部17は、遮光部材31Cの異常を検知した旨に加えて又は代わりに、シャッタ3の交換を促す情報を報知してもよい。
On the other hand, in the process of S14, when the difference obtained in S13 is equal to or greater than the threshold value, it is assumed that an abnormality of the
上述したように、本実施形態の露光装置100は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31の各々を光路上に配置した状態での検出部8の検出結果を比較することにより、各遮光部材31の異常を検知する。例えば、遮光部材31Cを光路上に配置した第1状態での検出部8の検出結果と、他の遮光部材31A、31Bを光路上に配置した第2状態での検出部8の検出結果とを比較することにより、遮光部材31Cの異常を検知することができる。つまり、本実施形態によれば、遮光部材からの微小な漏れ光を検出して、当該遮光部材の異常を精度よく検知することができる。
As described above, the
<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態について説明する。本実施形態では、第1遮光部材を光路上に配置した第1状態での検出部8の検出結果の経時変化と、検出部8への光の入射を遮断した第2状態での検出部8の検出結果の経時変化とを比較することにより、第1遮光部材の異常を検知する。本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであり、露光装置の構成および用語の定義など第1実施形態と同様のものについては、ここでの説明を省略する。
<Second embodiment>
A second embodiment according to the present invention will be described. In this embodiment, the change over time of the detection result of the
本実施形態におけるシャッタ3の遮光部材31の異常を検知する方法について説明する。本実施形態における遮光部材31の異常の検知方法は、図4に示すフローチャートに従って行われうるが、S13の工程が第1実施形態と異なる。以下では、第1実施形態と異なるS13の工程について説明する。
A method for detecting an abnormality of the
本実施形態におけるS13では、制御部17は、第1状態で得られた検出部8の検出結果の経時変化と、第2状態で得られた検出部8の検出結果の経時変化とを比較し、それらの差分を求める。具体的には、制御部17は、遮光部材31Cを光路上に配置した第1状態で得られた検出部8の検出結果の経時変化と、他の遮光部材31A~31Bを光路上に配置した第2状態で得られた検出部8の検出結果の経時変化とを比較し、それらの差分を求める。本工程について、図5を参照しながら説明する。図5は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31の各々について、光源部LSからの光の光路上に配置した回数(即ち、遮光回数)と検出部8の検出結果(光強度)との対応関係を示す図である。図5では、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31A~31Cの各々のついて11回の遮光が行われ、各遮光時に検出部8で検出された光強度が示されている。
In S13 in the present embodiment, the
例えば、制御部17は、遮光部材31Cについて、今回(11回目)の遮光時に検出部8で検出された光強度C11と前回(10回目)の遮光時に検出部8で検出された光強度C10との変化ΔC(=C11-C10)を求める。また、制御部17は、遮光部材31A~31Bの各々について、今回(11回目)と前回(10回目)とでの光強度の変化ΔA(=A11-A10)、ΔB(=B11-B10)を経時変化として求める。そして、制御部17は、遮光部材同士で、求めた変化の差分を求める。具体的には、制御部17は、遮光部材31Cについての変化ΔCと、遮光部材31Aについての変化ΔAとの差分(|ΔC-ΔA|)を求める。同様に、制御部17は、遮光部材31Cについての変化ΔCと、遮光部材31Bについての変化ΔBとの差分(|ΔC-ΔB|)を求める。
For example, with respect to the
このように、本実施形態では、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31の各々について、遮光時における検出部8の検出結果の経時変化を比較することにより、各遮光部材31の異常を検知する。本実施形態によっても、第1実施形態と同様に、遮光部材からの微小な漏れ光を検出して、当該遮光部材の異常を精度よく検知することができる。
As described above, in the present embodiment, for each of the plurality of
<第3実施形態>
本発明に係る第3実施形態について説明する。第1~第2実施形態では、検出部8への光の入射を遮断した第2状態を、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、第1遮光部材とは異なる遮光部材を用いて生成する方法について説明した。本実施形態では、シャッタ3から離間して設けられて光源部LSからの光を遮断する第2遮光部材を用いて当該第2状態を生成する方法について説明する。ここで、本実施形態は、第1~第2実施形態を基本的に引き継ぐものであり、露光装置の基本構成および用語の定義など第1~第2実施形態と同様のものについては、ここでの説明を省略する。
<Third Embodiment>
A third embodiment according to the present invention will be described. In the first and second embodiments, the second state in which light is blocked from entering the
図6は、本実施形態の露光装置の構成を示す図である。本実施形態では、光源部LSと検出部8との間の光路上に挿入可能な第2遮光部材50が設けられる。第2遮光部材50は、例えば、光源部LSからの光を遮断する部材であり、図6に示す例では、不図示の駆動機構によって光源部LSとシャッタ3との間の光路上に挿入される。制御部17は、第2遮光部材50を光路上に挿入することにより、検出部8への光の入射を遮断した第2状態を生成し、その第2状態における検出部8の検出結果(光強度)を事前に取得してメモリ(記憶部)に記憶しておく。
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the exposure apparatus of this embodiment. In this embodiment, a second
本実施形態におけるシャッタ3の遮光部材31の異常を検知する方法について説明する。本実施形態における遮光部材31の異常の検知方法は、第2遮光部材50を光路上から外した状態において、図4に示すフローチャートに従って行われうるが、S13の工程が第1実施形態と異なる。本実施形態におけるS13では、制御部17は、S12で得られた検出部8の検出結果と、第2遮光部材50を光路上に挿入した状態(第2状態)で事前に得られた検出部8の検出結果とを比較し、それらの差分を求める。
A method for detecting an abnormality of the
このように、本実施形態では、シャッタ3の第1遮光部材を光路上に配置した第1状態での検出部8の検出結果と、第2遮光部材50を光路上に挿入した第2状態での検出部8の検出結果とを比較することにより、第1遮光部材の異常を検知する。第1遮光部材としては、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31の各々が適用されうる。本実施形態によっても、第1~第2実施形態と同様に、遮光部材からの微小な漏れ光を検出して、当該遮光部材の異常を精度よく検知することができる。
As described above, in this embodiment, the detection result of the
ここで、本実施形態では、第2遮光部材50を光路上に挿入することにより、検出部8への光の入射を遮断した第2状態を生成したが、それに限られるものではない。例えば、第2遮光部材50を用いずに、光源部LS(光源1)を消灯することにより第2状態を生成してもよい。この場合においても、制御部17は、第2状態における検出部8の検出結果(光強度)を事前に取得してメモリ(記憶部)に記憶しておくとよい。
Here, in the present embodiment, by inserting the second
<第4実施形態>
本発明に係る第4実施形態について説明する。本実施形態では、第1遮光部材の異常を検知した場合におけるシャッタ3の駆動の制御方法について説明する。本実施形態は、第1~第3実施形態を基本的に引き継ぐものであり、露光装置の構成および用語の定義など第1~第3実施形態と同様のものについては、ここでの説明を省略する。
<Fourth Embodiment>
A fourth embodiment according to the present invention will be described. In the present embodiment, a method of controlling driving of the
本実施形態の露光装置(制御部17)は、複数の遮光部材31のうち第1遮光部材(例えば遮光部材31C)の異常を検知した場合、第1遮光部材を除く残りの遮光部材(例えば遮光部材31A、31B)を用いて遮光を行うようにシャッタ3の駆動を制御する。つまり、本実施形態の露光装置は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち異常を有する遮光部材が検知された場合、当該異常を有する遮光部材を用いずに、残りの遮光部材を用いて基板の露光処理を継続する。以下に、本実施形態における基板の露光処理について、図7を参照しながら説明する。図7は、本実施形態における基板の露光処理を示すフローチャートである。
When an abnormality is detected in the first light shielding member (for example, the
S21では、制御部17は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、異常が検知された遮光部材31があるか否かを判断する。以下では、異常が検知された遮光部材31を「異常遮光部材」と呼ぶことがある。異常遮光部材がある場合にはS22に進み、異常遮光部材がない場合にはS24に進む。S22では、制御部17は、次の遮光に用いられる予定の遮光部材31(次の遮光部材31)が異常遮光部材であるか否かを判断する。次の遮光部材31が異常遮光部材である場合にはS23に進み、次の遮光部材31が異常遮光部材でない場合にはS24に進む。
In S<b>21 , the
S23では、制御部17は、シャッタ3の回転方向の設定を変更する。例えば、制御部17は、シャッタ3の回転方向の設定を、これまでの回転方向とは逆の回転方向に変更する。この工程により、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、異常遮光部材を用いずに、異常遮光部材を除く残りの遮光部材を用いて基板の露光処理を継続することができる。
In S<b>23 , the
S24では、制御部17は、基板における複数のショット領域のうち、露光を行う対象のショット領域(対象ショット領域)に対して露光処理を行う。具体的には、制御部17は、シャッタ3を回転駆動して光源部LSからの光を光通過領域32で通過させ、その後、基板の露光量が目標露光量になるように、シャッタ3を回転駆動して光源部LSからの光を遮光部材31で遮断する。このとき、S23でシャッタ3の回転方向の設定が変更されている場合には、制御部17は、変更後の回転方向でシャッタ3の回転駆動を行うことにより光源部LSからの光の通過と遮断とを制御する。
In S24, the
S25では、制御部17は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、光源部LSからの光の光路上に現在配置されている遮光部材の異常を検知する。具体的には、光路上に現在配置されている遮光部材を第1遮光部材とすると、制御部17は、第1遮光部材が光路上に配置されている第1状態で検出部8に光(光強度)を検出させる。そして、制御部17は、第1状態での検出部8の検出結果と、検出部8への光の入射を遮断した第2状態での検出部8の検出結果とを比較することにより、当該第1遮光部材の異常を検知する。本工程における第1遮光部材の異常の検知は、例えば、図4に示すフローチャートに従って行われうる。
In S<b>25 , the
S26では、制御部17は、基板における複数のショット領域の全てに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていないショット領域がある場合にはS21に戻り、露光処理を行っていないショット領域を対象ショット領域に設定して露光処理を行う。一方、全てのショット領域に対して露光処理を行った場合には終了する。
In S26, the
次に、本実施形態におけるシャッタ3の回転駆動の一例について、図8を参照しながら説明する。図8は、シャッタ3の回転駆動の一例を示す図である。図8では、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、遮光部材31Cに欠損(亀裂)が生じ、遮光部材31Cが異常遮光部材として特定された例を示している。
Next, an example of rotational driving of the
状態(1)では、S25の工程により、遮光部材31Cに異常(亀裂)が生じていると判断される(即ち、遮光部材31Cが異常遮光部材であると特定される)。また、遮光部材31Cの次に遮光で用いられる予定の遮光部材31Aは異常遮光部材ではないため、S22の工程では「No」と判断されてS24に進み、状態(2)→(3)に示すように、これまでの回転方向でシャッタ3を回転駆動して露光処理を行う。また、遮光部材31Aの次に遮光で用いられる予定の遮光部材Bも異常遮光部材ではないため、S22の工程では「No」と判断されてS24に進み、状態(4)→(5)に示すように、これまでの回転方向でシャッタ3を回転駆動して露光処理を行う。
In the state (1), it is determined in the process of S25 that the
一方、遮光部材31Bの次に遮光で用いられる予定の遮光部材31Cは異常遮光部材として特定されているため、S22の工程では「Yes」と判断されてS23に進み、シャッタ3の回転方向が逆向きに設定される。そして、状態(6)→(3)に示すように、逆向きに設定された回転方向でシャッタ3を回転駆動して露光処理を行い、露光処理の終了時には遮光部材31Aで遮光する。また、変更後のシャッタ3の回転方向では、異常遮光部材として特定された遮光部材31Cが、遮光部材Aの次に遮光で用いられる予定となる。そのため、S22の工程では「Yes」と判断されてS23に進み、シャッタ3の回転方向が再び逆向きに設定される(即ち、シャッタ3の回転方向が元に戻される)。そして、状態(4)→(5)に示すように、再び逆向きに設定された回転方向でシャッタ3を回転駆動して露光処理を行い、露光処理の終了時には遮光部材31Bで遮光する。
On the other hand, the
このように、本実施形態では、遮光部材31Cが異常遮光部材として特定された場合、遮光部材31A、31Bを交互に用いて遮光を行うようにシャッタ3の回転駆動を制御する。これにより、遮光部材31Cを除く残りの遮光部材31A、31Bを用いて露光処理を継続することができるため、基板の露光量を高精度に制御することができるとともに、スループットの点でも有利になりうる。
As described above, in the present embodiment, when the
<第5実施形態>
本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態では、第1遮光部材の異常を検知した場合におけるシャッタ3の駆動の制御方法について説明する。本実施形態は、第1~第4実施形態を基本的に引き継ぐものであり、露光装置の構成および用語の定義など第1~第4実施形態と同様のものについては、ここでの説明を省略する。
<Fifth Embodiment>
A fifth embodiment according to the present invention will be described. In the present embodiment, a method of controlling driving of the
シャッタ3の遮光部材31に異常が検知されても、露光処理で設定される目標露光量によっては、当該遮光部材31からの漏れ光による露光処理への影響が小さい場合がある。例えば、露光処理で設定される目標露光量が、漏れ光で増加されうる露光量に対して非常に大きい場合には、露光処理での遮光に用いられる遮光部材として、異常を有する遮光部材を用いることができる。しかしながら、上述したように、基板の露光量は、基板に照射される光の照度の時間積分によって定義される。つまり、異常を有する遮光部材で遮光している時間が長いほど、漏れ光による露光エネルギが蓄積されうる(即ち、漏れ光による露光量の増加が大きくなりうる)。この場合、露光処理で過露光が生じ、基板上にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。
Even if an abnormality is detected in the
特に、基板における複数のショット領域のうち、最後に露光処理を行うショット領域(以下、最後のショット領域)においては、露光処理の終了後に漏れ光に曝されている時間が他のショット領域と比べて長くなりうるため、上述した過露光が顕著になりうる。例えば、最後のショット領域では、露光処理の後に、基板の搬入および搬出、露光パターンの変更のための原版の交換などの準備が行われうる。そのため、露光処理が行われた位置から最後のショット領域を移動させるまでに時間を要し、露光処理の後に漏れ光に曝されている時間が他のショット領域と比べて長くなりうる。 In particular, among a plurality of shot areas on the substrate, the shot area that is subjected to the last exposure process (hereinafter referred to as the last shot area) has a longer exposure time to the leaked light after the exposure process than the other shot areas. can be long, so the overexposure mentioned above can be significant. For example, in the last shot area, after the exposure process, preparations such as loading and unloading of the substrate and exchange of the original for changing the exposure pattern can be performed. Therefore, it takes time to move the last shot area from the position where the exposure process was performed, and the time of exposure to leaked light after the exposure process can be longer than other shot areas.
そこで、本実施形態の露光装置(制御部17)は、最後のショット領域に対する露光処理の終了時に用いられる遮光部材が、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち異常遮光部材を除く残りの遮光部材になるように、シャッタの回転駆動を制御する。例えば、図9に示すように、基板における複数のショット領域110~116のうち、最後のショット領域116に対する露光処理の終了時に使用される予定の遮光部材が、異常遮光部材として特定された遮光部材31Cである場合を想定する。この場合、制御部17は、図10に示す例のように、最後のショット領域116に対する露光処理の終了時に使用される遮光部材が、遮光部材31Cとは異なる遮光部材31B(遮光部材31Aであってもよい)になるように、シャッタ3の回転駆動を制御する。以下に、本実施形態における基板の露光処理について、図11を参照しながら説明する。図11は、本実施形態における基板の露光処理を示すフローチャートである。
Therefore, in the exposure apparatus (control unit 17) of the present embodiment, the light shielding members used at the end of the exposure processing for the last shot area are the remaining
S31では、制御部17は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、異常が検知された遮光部材31(異常遮光部材)があるか否かを判断する。異常遮光部材がある場合にはS32に進み、異常遮光部材がない場合にはS35に進む。S32では、制御部17は、次に露光処理を行うショット領域(次のショット領域)が最後のショット領域か否かを判断する。次のショット領域が最後のショット領域である場合にはS33に進み、次のショット領域が最後のショット領域でない場合にはS35に進む。S33では、制御部17は、最後のショット領域に対する露光処理の終了時に使用される予定の遮光部材31(最後に使用予定の遮光部材31)が異常遮光部材であるか否かを判断する。最後に使用予定の遮光部材31が異常遮光部材である場合にはS34に進み、最後に使用予定の遮光部材31が異常遮光部材でない場合にはS35に進む。
In S<b>31 , the
S34では、制御部17は、シャッタ3の回転方向の設定を変更する。例えば、制御部17は、シャッタ3の回転方向の設定を、これまでの回転方向とは逆の回転方向に変更する。この工程により、最後のショット領域の終了時に、異常遮光部材を除く残りの遮光部材を用いて遮光が行われるように、シャッタ3の回転駆動を制御することができる。
In S<b>34 , the
S35~S37は、図7に示すフローチャートのS24~S26と同様の工程である。具体的には、S35では、制御部17は、基板における複数のショット領域のうち、露光を行う対象のショット領域(対象ショット領域)に対して露光処理を行う。S36では、制御部17は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、光源部LSからの光の光路上に現在配置されている遮光部材の異常を検知する。本工程における第1遮光部材の異常の検知は、例えば、図4に示すフローチャートに従って行われうる。また、S37では、制御部17は、基板における複数のショット領域の全てに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていないショット領域がある場合にはS31に戻り、露光処理を行っていないショット領域を対象ショット領域に設定して露光処理を行う。一方、全てのショット領域に対して露光処理を行った場合には終了する。
S35 to S37 are the same steps as S24 to S26 in the flow chart shown in FIG. Specifically, in S<b>35 , the
このように、本実施形態では、最後のショット領域に対する露光処理の終了時に用いられる遮光部材が、異常遮光部材を除く残りの遮光部材になるように、シャッタ3の回転駆動を制御する。これにより、最後のショット領域において、異常遮光部材からの漏れ光の影響を低減し、露光量を高精度に制御することができる。
As described above, in the present embodiment, the rotational drive of the
<第6実施形態>
本発明に係る第6実施形態について説明する。上述した第5実施形態では、最後のショット領域に対する露光処理を行う直前において、最後に使用予定の遮光部材が異常遮光部材か否かを判断し、その判断結果に応じてシャッタ3の回転駆動を制御する例について説明した。しかしながら、それに限られず、最後に使用予定の遮光部材が異常遮光部材となることが事前に把握されうる場合には、当該把握した時点においてシャッタ3の回転駆動を制御してもよい。本実施形態では、最後に使用予定の遮光部材が異常遮光部材となることが事前に把握された場合にシャッタ3の回転駆動を制御する例について、図12を参照しながら説明する。図12は、本実施形態における基板の露光処理を示すフローチャートである。
<Sixth embodiment>
A sixth embodiment according to the present invention will be described. In the above-described fifth embodiment, it is determined whether or not the last light shielding member to be used is an abnormal light shielding member immediately before the exposure processing for the last shot area is performed, and the rotation of the
S41では、制御部17は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、異常が検知された遮光部材31(異常遮光部材)があるか否かを判断する。異常遮光部材がある場合にはS42に進み、異常遮光部材がない場合にはS44に進む。S42では、制御部17は、このままのシャッタ3の回転駆動で各ショット領域に対する露光処理を進めていった場合、最後に使用予定の遮光部材31が異常遮光部材になるか否かを判断する。最後に使用予定の遮光部材31が異常遮光部材になる場合にはS43に進み、最後に使用予定の遮光部材31が異常遮光部材にならない場合にはS44に進む。
In S<b>41 , the
S43では、制御部17は、シャッタ3の回転方向の設定を変更する。例えば、制御部17は、シャッタ3の回転方向の設定を、これまでの回転方向とは逆の回転方向に変更する。この工程により、最後のショット領域の終了時に、異常遮光部材を除く残りの遮光部材を用いて遮光が行われるように、シャッタ3の回転駆動を制御することができる。
In S<b>43 , the
S44~S46は、図7に示すフローチャートのS24~S26と同様の工程である。具体的には、S44では、制御部17は、基板における複数のショット領域のうち、露光を行う対象のショット領域(対象ショット領域)に対して露光処理を行う。S45では、制御部17は、シャッタ3を構成する複数の遮光部材31のうち、光源部LSからの光の光路上に現在配置されている遮光部材の異常を検知する。本工程における第1遮光部材の異常の検知は、例えば、図4に示すフローチャートに従って行われうる。また、S46では、制御部17は、基板における複数のショット領域の全てに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていないショット領域がある場合にはS41に戻り、露光処理を行っていないショット領域を対象ショット領域に設定して露光処理を行う。一方、全てのショット領域に対して露光処理を行った場合には終了する。
S44 to S46 are the same steps as S24 to S26 in the flow chart shown in FIG. Specifically, in S<b>44 , the
このように、本実施形態では、最後のショット領域に対する露光処理の終了時に用いられる遮光部材が、異常遮光部材を除く残りの遮光部材になるように、シャッタ3の回転駆動を制御する。これにより、第5実施形態と同様に、最後のショット領域において、異常遮光部材からの漏れ光の影響を低減し、露光量を高精度に制御することができる。
As described above, in the present embodiment, the rotational drive of the
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像(加工)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of method for manufacturing article>
The method for manufacturing an article according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method for manufacturing an article according to the present embodiment includes a step of forming a latent image pattern on a photosensitive agent applied to a substrate using the exposure apparatus (the step of exposing the substrate), and a step of forming the latent image pattern in this step. and developing (processing) the substrate. In addition, such manufacturing methods include other well-known steps (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of article performance, quality, productivity, and production cost compared to conventional methods.
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the claims are appended to make public the scope of the invention.
1:光源、3:シャッタ、31:遮光部材、32:光通過領域、8:検出部、17:制御部、50:第2遮光部材、100:露光装置 1: light source, 3: shutter, 31: light shielding member, 32: light passing area, 8: detection unit, 17: control unit, 50: second light shielding member, 100: exposure device
Claims (10)
光源からの光を遮断する第1遮光部材を有するシャッタと、
前記シャッタを通過した前記光を検出する検出部と、
前記シャッタを駆動することにより前記基板の露光処理を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記第1遮光部材が前記光の光路に配置された第1状態での前記検出部の検出結果と、前記第1遮光部材が前記光の光路に配置されずに前記検出部への前記光の入射が遮断された第2状態での前記検出部の検出結果とを比較することにより、前記第1遮光部材の異常を検知する、ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus for exposing a substrate,
a shutter having a first light blocking member that blocks light from a light source;
a detection unit that detects the light that has passed through the shutter;
a control unit that controls exposure processing of the substrate by driving the shutter;
including
The control unit controls the detection result of the detection unit in a first state in which the first light shielding member is arranged in the optical path of the light, and the detection unit in the state in which the first light shielding member is not arranged in the optical path of the light. and detecting an abnormality of the first light shielding member by comparing the detection result of the detection unit in a second state in which the light is blocked from entering the exposure apparatus.
前記制御部は、前記第2状態において、前記複数の遮光部材のうち前記第1遮光部材とは異なる遮光部材が前記光の光路に配置されるように前記シャッタの駆動を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 The shutter has a plurality of light shielding members including the first light shielding member, and is configured to allow the light to pass through a light passage region between the plurality of light shielding members,
The control unit controls driving of the shutter so that, in the second state, a light shielding member different from the first light shielding member among the plurality of light shielding members is arranged in the optical path of the light. 2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein:
前記制御部は、前記第2状態において、前記光源と前記検出部との間の光路に前記第2遮光部材を挿入する、ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 further comprising a second light shielding member spaced apart from the shutter and shielding the light;
2. An exposure apparatus according to claim 1 , wherein said control section inserts said second light blocking member into an optical path between said light source and said detection section in said second state.
前記制御部は、前記第1遮光部材の異常を検知した場合、前記複数の遮光部材のうち前記第1遮光部材を除く残りの遮光部材を用いて前記光の遮断を行うように前記シャッタの駆動を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の露光装置。 The shutter has a plurality of light shielding members including the first light shielding member, and is configured to allow the light to pass through a light passage region between the plurality of light shielding members,
The controller drives the shutter so as to block the light using the remaining light shielding members of the plurality of light shielding members excluding the first light shielding member when an abnormality of the first light shielding member is detected. 6. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the exposure apparatus controls
前記基板は、前記露光処理がそれぞれ行われる複数のショット領域を含み、
前記制御部は、前記第1遮光部材の異常を検知した場合、前記複数のショット領域のうち最後のショット領域に対する前記露光処理の終了時に用いられる遮光部材が、前記複数の遮光部材のうち前記第1遮光部材を除く残りの遮光部材になるように、前記シャッタの駆動を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の露光装置。 The shutter has a plurality of light shielding members including the first light shielding member, and is configured to allow light to pass through a light passage region between the plurality of light shielding members,
the substrate includes a plurality of shot areas where the exposure processing is performed, respectively;
When the controller detects an abnormality of the first light shielding member, the light shielding member used at the end of the exposure process for the last shot area among the plurality of shot areas is the first light shielding member among the plurality of light shielding members. 7. The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein driving of said shutter is controlled so that the remaining light shielding members except for one light shielding member.
前記制御部は、前記第1遮光部材の異常を検知した場合における前記シャッタの駆動の制御として、前記シャッタの回転方向を変更する、ことを特徴とする請求項6又は7に記載の露光装置。 The shutter is configured to switch between blocking of the light by each light shielding member and passage of the light by the light passing region by rotating,
8. The exposure apparatus according to claim 6, wherein the control section changes the rotation direction of the shutter as the drive control of the shutter when an abnormality of the first light shielding member is detected.
前記露光工程で露光された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 an exposure step of exposing a substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 9;
and a processing step of processing the substrate exposed in the exposure step,
A method for manufacturing an article, comprising manufacturing an article from the substrate processed in the processing step.
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