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JP7248016B2 - R-t-b系焼結磁石の製造方法 - Google Patents
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JP7248016B2 - R-t-b系焼結磁石の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明はR-T-B系焼結磁石の製造方法に関する。
R-T-B系焼結磁石(Rは希土類元素うちの少なくとも一種であり、Ndを必ず含む。TはFeまたはFeとCoであり、Bは硼素である)は永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ(VCM)、電気自動車用(EV、HV、PHVなど)モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品などに使用されている。
R-T-B系焼結磁石は、主としてR214B化合物からなる主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。主相であるR214B化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料であり、R-T-B系焼結磁石の特性の根幹をなしている。
高温では、R-T-B系焼結磁石の保磁力HcJ(以下、単に「HcJ」という場合がある)が低下するため、不可逆熱減磁が起こる。そのため、特に電気自動車用モータに使用されるR-T-B系焼結磁石では、高いHcJを有することが要求されている。
R-T-B系焼結磁石において、R214B化合物中のRに含まれる軽希土類元素RL(例えば、NdやPr)の一部を重希土類元素RH(例えば、DyやTb)で置換すると、HcJが向上することが知られている。RHの置換量の増加に伴い、HcJは向上する。
しかし、R214B化合物中のRLをRHで置換すると、R-T-B系焼結磁石のHcJが向上する一方、残留磁束密度Br(以下、単に「Br」という場合がある)が低下する。また、特にDy及びTbの重希土類元素は、資源存在量が少ないうえ、産出地が限定されているなどの理由から、供給が安定しておらず、価格が大きく変動するなどの問題を有している。そのため、近年、Dy及びTbの重希土類元素をできるだけ使用することなく、HcJを向上させることが求められている。
特許文献1は、重希土類元素の使用量を抑えるために、HcJを高める必要がある部分に、Dyなどの重希土類元素の含有量が相対的に多い単位磁石を配置し、他の部分には重希土類元素の含有量が相対的に少ない単位磁石を配置して、これら複数の単位磁石を接合する技術を開示している。単位磁石の接合面は、重希土類元素を含有する金属粉末と有機物とを混合したペーストを介して接触した状態で加熱される。
特許文献2は、希土類元素と他の金属元素の合金粉末を介してR-T-B系希土類焼結磁石とケイ素鋼板などの異材種部材とを接合する技術を開示している。
特開2015-73045号公報 特開平8-116633号公報
特許文献1に開示されている接合技術によれば、Dyなどの重希土類元素の含有量が相対的に多い単位磁石と重希土類元素の含有量が相対的に少ない単位磁石とを配置しているため、重希土類元素の使用量を低減することができる。しかし、単位磁石の接合面は、重希土類元素を含有する金属粉末と有機物とを混合したペーストを介して接触した状態で加熱することにより接合されている(すなわち、重希土類元素の拡散により接合させている)。
近年、電気自動車用モータ等の用途において、Dy及びTbを使用しなくても高いHcJを有するR-T-B系焼結磁石が求められている。また、特許文献1及び2に開示されている接合技術は、R-T-B系希土類焼結磁石どうし、またはR-T-B系希土類焼結磁石と鉄系金属部材とを接合することが可能になる。しかし、本発明者による検討の結果、高速で回転することが必要なモータなどに用いられる場合、より高い接合強度を実現し得る新しい接合技術が必要であることがわかった。
本発明の様々な実施形態は、高い接合強度を実現しつつ、Dy及びTbを使用しなくても高いBrと高いHcJを有するR-T-B系焼結磁石の製造方法を提供する。
本開示のR-T-B系焼結磁石の製造方法は、例示的な実施形態において、組成が異なる複数のR1-T-B系焼結磁石素材(R1は、Nd及びPrの少なくとも一方を含む希土類元素)を準備用意する工程と、R2:65質量%以上97質量%以下(R2は、Nd及びPrの少なくとも一方を含む希土類元素であり、R2全体に対するDy及びTbの合計含有量が50質量%以下である)、及びM:3質量%以上35質量%以下(Mは、Ga、Cu、In、Al、Sn及びCoからなる群から選択された少なくとも1つ)を含有し、アトマイズ法によって作製されたR2-M合金粉末を準備用意する工程と、前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材の間に前記R2-M合金粉末を配置し、450℃以上1000℃以下の温度で前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材を接合する工程とを包含する。
ある実施形態において、R2全体に対するDy及びTbの合計含有量が15質量%以下である。
ある実施形態において、R2はPrを必ず含み、MはGaを必ず含む。
ある実施形態において、前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材は、相対的に保磁力の高い第1のR1-T-B系焼結磁石素材と、相対的に保磁力の低い第2のR1-T-B系焼結磁石素材とを含んでいる。
ある実施形態において、前記第1のR1-T-B系焼結磁石素材及び第2のR1-T-B系焼結磁石素材の少なくとも一方は、2mm以下の厚さを有している。
ある実施形態において、前記第1のR1-T-B系焼結磁石素材及び第2のR1-T-B系焼結磁石素材の少なくとも一方は、1mm以下の厚さを有している。
本開示の実施形態によると、アトマイズ法によって作製されたR2-M合金粉末の粉末を用いて接合を実行するため、高い接合強度を実現しつつ、Dy及びTbを使用しなくても、高いBr及びHcJを有するR-T-B系焼結磁石を製造することができる。
R-T-B系焼結磁石の一部を拡大して模試的に示す断面図である。 図1Aの破線矩形領域内をさらに拡大して模式的に示す断面図である。 従来の粉砕によって形成された合金粉末の模式的断面図である。 本開示の実施形態によるアトマイズ法によって形成された合金粉末の模式的断面図である。 本開示の実施形態によるR1-T-B系焼結磁石素材の接合前の状態を模式的に示す斜視図である。 本開示の実施形態によるR1-T-B系焼結磁石素材の接合中の状態を模式的に示す斜視図である。 本開示の実施形態によるR-T-B系焼結磁石の製造方法における工程の例を示すフローチャートである。
図1Aは、R-T-B系焼結磁石の一部を拡大して模式的に示す断面図であり、図1Bは図1Aの破線矩形領域内をさらに拡大して模式的に示す断面図である。図1Aには、一例として長さ5μmの矢印が大きさを示す基準の長さとして参考のために記載されている。図1A及び図1Bに示されるように、R-T-B系焼結磁石は、主としてR214B化合物からなる主相12と、主相12の粒界部分に位置する粒界相14とから構成されている。粒界相14は、図1Bに示されるように、2つのR214B化合物粒子(グレイン)が隣接する二粒子粒界相14aと、3つのR214B化合物粒子が隣接する粒界三重点14bとを含む。
主相12であるR214B化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料である。したがって、R-T-B系焼結磁石では、主相12であるR214B化合物の存在比率を高めることによってBrを向上させることができる。R214B化合物の存在比率を高めるためには、原料合金中のR量、T量、B量を、R214B化合物の化学量論比(R量:T量:B量=2:14:1)に近づければよい。
本発明者は、RとともにGa、Cu、In、Al、Sn及びCoからなる群から選択された少なくとも1つを粒界に拡散することにより、粒界相を改質してHcJを高めることが可能になることがわかった。このような粒界相の改質には、R1-T-B系焼結磁石素材(R1は、Nd及びPrの少なくとも一方を含む希土類元素)を準備して、R1-T-B系焼結磁石素材の表面から金属元素M(Ga、Cu、In、Al、Sn及びCoからなる群から選択された少なくとも1つ)を粒界に供給して粒界内を拡散させることが好ましい。このような金属元素Mの拡散は、65質量%以上97質量%以下のR2(Nd及びPrの少なくとも一方を含む希土類元素)と3質量%以上35質量%以下のMとの合金、すなわち、R2-M合金の粉末を用いて行うことができる。これにより、Dy及びTbを使用しなくても高いBrと高いHcJを有するR-T-B系焼結磁石を得ることができる。
本発明者はさらに検討した結果、アトマイズ法によって作製されたR2-M合金粉末(R2-M合金のアトマイズ粉)をR1-T-B系焼結磁石素材の表面に塗布して拡散のための熱処理を行うとき、他の個体部材をR1-T-B系焼結磁石素材に接合させるための優れた融着剤として利用し得ることがわかった。すなわち、R2-M合金のアトマイズ粉は、二粒子粒界へ導入するための拡散源として機能するとともに、R1-T-B系焼結磁石どうしの表面を接合して均一に結合する粉末としても機能し得ることがわかった。これは、R2-M合金を粉砕して形成した粉末粒子に比べて、アトマイズ粉の粒子の形状及び大きさの分布が一様であることに起因する。その結果、接合面に巣が形成されにくくなり、接合強度が向上する。
図2は、従来の粉砕(例えばインゴット法やストリップキャステキング法により原料合金を作製した後、粉砕したもの)によって形成された合金粉末50の模式的断面図である。合金粉末は2個の固体部材20の間に配置されており、部材20の対向する表面(接合される面)20Sが作る空隙内に位置している。図2からわかるように、個々の粉末粒子50Pの形状及びサイズがばらばらである。合金粉末50は、合金を粉砕することによって作製されているため、粒子50Pには扁平な部分、鋭角状の凸部、複雑な破断面などが存在する。
一方、図3は、本開示の実施形態によるアトマイズ法によって形成されたR2-M合金粉末30の模式的断面図である。図3に示されるように、アトマイズ法によって形成されたR2-M合金粉末30を構成する個々の粒子30Pは、球状である。このような球状の粉末粒子30Pは、対向する固体部材20の表面(接合される面)20Sの間に配置し、固体部材20の表面20Sを近接させると、対向する表面20Sが作る空隙を均一に埋めるように再配列し得る。このため、接合時に不要な巣を形成することなく、接合面20Sの密着度を高めることが可能になる。
図4は、本開示の実施形態によるR1-T-B系焼結磁石素材の接合前の状態を模式的に示す斜視図である。図示されている例において、R1-T-B系焼結磁石素材22、24、26が積層される。下端に位置する第1のR1-T-B系焼結磁石素材22と、中央に位置する第2のR1-T-B系焼結磁石素材24との間には、アトマイズ法によって形成されたR2-M合金粉末30の層が形成されている。また中央に位置する第2のR1-T-B系焼結磁石素材24と、上端に位置する第3のR1-T-B系焼結磁石素材26との間にも、同様に、アトマイズ法によって形成されたR2-M合金粉末30の層が形成されている。図4の例において、R2-M合金粉末30は、第1のR1-T-B系焼結磁石素材22の上面、及び第2のR1-T-B系焼結磁石素材24の上面に塗布されている。しかし、アトマイズ法によって形成されたR2-M合金粉末30は、第2のR1-T-B系焼結磁石素材24の底面及び/または第3のR1-T-B系焼結磁石素材26の底面に塗布されていてもよく、第2のR1-T-B系焼結磁石素材の表面全体や第1及び第3のR1-T-B系焼結磁石の表面全体に塗布されていてもよい。
図5は、本開示の実施形態によるR1-T-B系焼結磁石素材の接合中の状態を模式的に示す斜視図である。図5に示される状態において、第1のR1-T-B系焼結磁石素材22と第2のR1-T-B系焼結磁石素材24はR2-M合金粉末30を挟んで近接する。第2のR1-T-B系焼結磁石素材24と第3のR1-T-B系焼結磁石素材26とは、R2-M合金粉末30を挟んで近接する。
ある態様において、積層方向に加圧されてもよい。図5に示される状態で熱処理を行うことにより、R2-M合金粉末が溶融し、第1のR1-T-B系焼結磁石素材22と第2のR1-T-B系焼結磁石素材24とが接合するとともに、第2のR1-T-B系焼結磁石素材24と第3のR1-T-B系焼結磁石素材2とが接合する。こうして、これらの磁石素材が一体化したR-T-B系焼結磁石が作製される。
この接合工程において、R2-M合金粉末30に含まれていた希土類元素R2及び金属元素MがR1-T-B系焼結磁石素材22、23、24の接合面から粒界を介して内部に拡散する。アトマイズ法によって作製されたR2-M合金粉末30は、拡散源としてのみならず、優れた接合助剤としても機能して接合強度の向上に寄与する。
なお、Pr-Ga合金などのR2-M合金は、延性が高く一般に粉砕性が悪い。このため、粉砕に長時間を要し、量産性に問題がある。本開示の実施形態では、R2-M合金のアトマイズ粉を使用することにより、粉砕を行うことなく粉末粒子(例えば200μm以下の粒径を有する粒子)を得ることが可能となる。
本開示によるR-T-B系焼結磁石の製造方法は、図6に例示されるように、複数のR1-T-B系焼結磁石素材を準備する工程S10と、アトマイズ法により作製されたR2-M合金粉末を準備する工程S20とを含む。複数のR1-T-B系焼結磁石素材を準備する工程S10とアトマイズ法により作製されたR2-M合金粉末を準備する工程S20との順序は任意であり、それぞれ、異なる場所で製造されたR1-T-B系焼結磁石素材とR2-M合金アトマイズ粉を用いてもよい。
さらに本開示によるR-T-B系焼結磁石の製造方法は、複数のR1-T-B系焼結磁石素材の間にR2-M合金粉末を配置する工程S30と、複数のR1-T-B系焼結磁石素材を接合する工程S40とを含む。
以下、本開示のR-T-B系焼結磁石の製造方法の実施形態をより詳細に説明する。
1.R1-T-B系焼結磁石素材を準備する工程
まず、複数のR1-T-B系焼結磁石素材を準備する。R1-T-B系焼結磁石素材は、公知の任意のR-T-B系焼結磁石であってもよい。本実施形態で使用可能なR1-T-B系焼結磁石素材の典型例は、以下の組成を有する。
希土類元素R1:27.5~35.0質量%
B(B(ボロン)の一部はC(カーボン)で置換されていてもよい):0.80~0.99質量%
Ga:0~0.8質量%
添加金属元素M(Al、Cu、Zr、Nbからなる群から選択された少なくとも1種):0~2質量%
T(Feを主とする遷移金属元素であって、Coを含んでもよい)及び不可避不純物:残部
また、好ましくは、下記不等式(1)を満足する。
[T]/55.85>14[B]/10.8 (1)
ここで、[T]は質量%で示すTの含有量であり、[B]は質量%で示すBの含有量である。
この不等式を満足するということは、Bの含有量がR214B化合物の化学量論組成比よりも少ない、すなわち、主相(R214B化合物)形成に使われるT量に対して相対的にB量が少ないことを意味している。
式(1)を満足したR1-T-B系焼結磁石素材に対してR2-M合金粉末を拡散させることで、Dy及びTbを使用しなくてもより高いBrとHcJを得ることができる。
なお、希土類元素R1は、主として軽希土類元素RL(Nd、Prから選択される少なくとも1種の元素)であるが、Dy及びTb等の重希土類元素を含有していてもよい。ただし、Dy及びTb等の重希土類元素の使用量は、R1-T-B系焼結磁石素材全体の2%以下が好ましく、もっとも好ましくは、R1-T-B系焼結磁石素材は、Dy及びTb等の重希土類元素を含有しない(不可避的不純物を含む)。
本開示の実施形態では、図4に示される例において、第1のR1-T-B系焼結磁石素材22及び第3のR1-T-B系焼結磁石素材26の一方または両方の組成は、第2のR1-T-B系焼結磁石素材24の組成と異なる。接合する複数のR1-T-B系焼結磁石素材のうち、少なくとも1個のR1-T-B系焼結磁石素材は、他のR1-T-B系焼結磁石素材に比べて高い保磁力HcJを達成するように、重希土類元素として、少量のDy及びTbの少なくとも一方を含んでもよい。例えば、1個のR1-T-B系焼結磁石の一部が高い保磁力HcJを示すことが要求される場合、一部のR1-T-B系焼結磁石素材に対して選択的に重希土類元素を添加してもよい。ただし、Dy及びTbはできるだけ使用しない方が好ましいため、Dy及びTbの合計含有量はR1-T-B系焼結磁石全体の5%以下が好ましく、1%以下がさらに好ましく、もっとも好ましくはDy及びTbを含有しない。 上記組成のR1-T-B系焼結磁石素材は、公知の任意の製造方法によって製造され得る。R1-T-B系焼結磁石素材は焼結上がりでもよいし、切削加工や研磨加工が施されていてもよい。
図4に示される例において、第1及び第3のR1-T-B系焼結磁石素材22、26は、第2のR1-T-B系焼結磁石素材24よりも薄く作製され得る。例えば、第1及び第3のR1-T-B系焼結磁石素材22、26の厚さは2mm以下(または1mm以下)であり、第2のR1-T-B系焼結磁石素材24の厚さは2mm超(または1mm以上)であり得る。
2.アトマイズ法により作製されたR2-M合金粉末を準備する工程
(R2) R2は、Nd及びPrの少なくとも一方を含む希土類元素であり、R2全体に対するDy及びTbの合計含有量が50質量%以下である。例えば、R2がR2-M合金全体の80質量%の場合は、Dy及びTbの合計含有量は、40質量%以下となる。好ましくは、R2全体に対するDy及びTbの合計含有量が15質量%以下である。もっとも好ましくは、R2-M合金粉末は、Dy及びTb等の重希土類元素を含有しない(不可避的不純物を含む)。R2は、R2-M合金全体の65質量%以上97質量%以下である。R2は、好ましくはPrを必ず含み、R2に占めるPrの量は、40質量%以上が好ましく、さらに好ましくは70質量%以上である。
(M) Mは、Ga、Cu、In、Al、Sn及びCoからなる群から選択された少なくとも1つである。Mは、R2-M合金全体の3質量%以上35質量%以下である。Mは、好ましくはGaを必ず含み、Mに占めるGaの量は、50質量%以上である。R2-M合金は、不可避的不純物を含んでいてもよい。最も好ましくは、R2に占めるPrの量が70質量%以上で、かつ、Mに占めるGaの量が50質量%以上であるR2-M合金粉末を使用する。これによりGaを主相結晶粒の内部にほとんど導入させずに二粒子粒界へ導入させることができる。Gaを含む液相が二粒子粒界に導入されることによりDyやTbを使用しなくても高いHcJを得ることができる。
本開示の実施形態において、R2-M合金粉末は、アトマイズ法によって作製されている。アトマイズ法は、溶湯噴霧法とも呼ばれる粉末作製方法の1種であり、ガスアトマイズ法、プラズマアトマイズ法などの公知のアトマイズ法を含む。例えばガスアトマイズ法によれば、金属または合金を溶解炉で溶融して溶湯を形成し、その溶湯を窒素またはアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中に噴霧して凝固させる。噴霧された溶湯は、微細な液滴として飛散するため、高速度で冷却されて凝固する。作製される粉末粒子は、それぞれ、球形の形状を持つため、粉砕を行う必要はない。アトマイズ法によって作製される粉末粒子のサイズは、例えば10μm~200μmの範囲に分布する。
アトマイズ法によれば、噴霧される合金溶湯の液滴が小さく、各液滴の重量に対する表面積が相対的に大きいため、冷却速度が高くなる。そのため、形成される粉末粒子は、非晶質または微結晶質である。なお、これらの粉末粒子に対しては、接合工程の前に付加的に熱処理を行って非晶質を結晶化させてもよい。
R2-M合金粉末の粒度は篩わけすることによって調整され得る。また、篩わけで排除される粉末が10質量%以内であれば、その影響は少ないので、篩わけせずに用いてもよい。
3.複数のR1-T-B系焼結磁石素材の間にR2-M合金粉末を配置する工程
R1-T-B系焼結磁石素材の間に前記R2-M合金粉末を配置する(言い換えると、複数のR1-T-B系焼結磁石素材でR2-M合金粉末を挟む)。配置方法は、両方のR1-T-B系焼結磁石素材の表面にR2-M合金粉末を塗布することにより配置してもよいし、一方のR1-T-B系焼結磁石素材の表面にR2-M合金粉末を塗布するだけでもよい。また、R2-M合金粉末は、R1-T-B系焼結磁石素材の表面全体に塗布してもよいし、図4に示すように接合面のみでもよい。また、組成の異なる2種類以上のR2-M合金粉末を用いてもよい。R2-M合金粉末を複数のR1-T-B系焼結磁石素材の表面に塗布する方法は、特定の塗布方法に限定されない。塗布対象の表面に粘着剤を塗布する塗布工程と、粘着剤を塗布した領域にR2-M合金粉末を付着させる工程を行ってもよい。粘着剤としては、PVA(ポリビニルアルコール)、PVB(ポリビニルブチラール)、PVP(ポリビニルピロリドン)などがあげられる。粘着剤が水系の粘着剤の場合、塗布の前にR-T-B系焼結磁石素材を予備的に加熱してもよい。予備加熱の目的は余分な溶媒を除去し粘着力をコントロールすること、及び、均一に粘着剤を付着させることである。加熱温度は60~100℃が好ましい。揮発性の高い有機溶媒系の粘着剤の場合はこの工程は省略してもよい。
R-T-B系焼結磁石素材表面に粘着剤を塗布する方法は、どのようなものでも良い。塗布の具体例としては、スプレー法、浸漬法、ディスペンサーによる塗布などがあげられる。粘着剤の塗布量は、例えば1.02×10-5~5.10×10-5g/mm2であり得る。
4.複数のR1-T-B系焼結磁石を接合する工程
本開示によれば、R1-T-B系焼結磁石素材とR2-M合金粉末(アトマイズ粉)とが接した状態で接合のための熱処理を開始する。その結果、高い接合強度を実現しつつ、R1-T-B系焼結磁石の粒界相が磁石内部の全体にわたって改質されて高いBr及びHcJを実現する。
接合のための熱処理は、450℃以上1000℃以下の温度で、5分以上720分以下の時間、実行され得る。熱処理は、比較的高い温度(700℃以上1000℃以下)で熱処理を行った後比較的低い温度(450℃以上600℃以下)で熱処理(二段熱処理)をしてもよい。好ましい条件は、730℃以上980℃以下で5分から500分程度の熱処理を施し、冷却後(室温まで冷却後、または440℃以上550℃以下まで冷却後)、さらに440℃以上550℃以下で5分から500分程度熱処理をすることが挙げられる。熱処理の雰囲気ガスは、窒素または不活性ガスであり得る。雰囲気ガスは減圧されていてもよい。
本開示を実施例によりさらに詳細に説明するが、本開示はそれらに限定されるものではない。
実験例1
R1-T-B系焼結磁石素材がおよそ表1のNo.1-A及び1-Bに示す組成となるように、各元素を秤量してストリップキャスト法により鋳造し、フレーク状の合金を得た。得られたフレーク状の合金を水素加圧雰囲気で水素脆化させた後、550℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉100質量%に対して0.04質量%添加、混合した後、気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて、窒素雰囲気中で乾式粉砕し、粒径D50が4.3μmの合金粉末を得た。前記合金粉末に、液体潤滑剤を微粉砕粉100質量%に対して、0.3質量%添加、混合した後、磁界中成形し、成形体を得た。なお、成形装置は、磁場印加方向と加圧法方向とが直行する、いわゆる直角磁界成形装置(横磁界成形装置)を用いた。得られた成形体を、真空中、1000℃以上1050℃以下(サンプル毎に焼結による緻密化が十分起こる温度を選定)で4時間焼結し、R1-T-B系焼結磁石素材(No.1-A及び1-B)を複数個準備した。焼結磁石の密度は7.5Mg/m3以上であった。また、得られたR1-T-B系焼結磁石素材を機械加工し、長さ10mm×幅5mm×厚さ3mm(厚さが磁化方向)にした。得られたR1-T-B焼結磁石素材の成分の結果を表1に示す。なお、表1における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP-OES)を使用して測定した。また、R1-T-B系焼結磁石素材はいずれも不等式(1)を満足していた。
Figure 0007248016000001
次に、表2のNo.1-aに示す組成の合金粉末をアトマイズ法により作製することにより、R2-M合金粉末を準備した。得られたR2-M合金粉末の粒度は106μm以下であった。さらに表2のNo.1-bに示す組成の合金になるように各元素を秤量してストリップキャスト法により鋳造し、フレーク状の合金を得た。得られたフレーク状の合金を水素加圧雰囲気で水素脆化させた後、550℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉100質量%に対して0.04質量%添加、混合した後、気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて、窒素雰囲気中で乾式粉砕し、粒径D50が4.3μmの合金粉末を得た。
Figure 0007248016000002
次に、表1のNo.1-A及び1-BのR1-T-B系焼結磁石素材表面全面に粘着剤を塗布した。塗布方法は、R1-T-B系焼結磁石素材をホットプレート上で60℃に加熱後、スプレー法でR1-T-B系焼結磁石素材に粘着剤を塗布した。粘着剤としてPVP(ポリビニルピロリドン)を用いた。
次に、粘着剤を塗布したR1-T-B系焼結磁石素材(No.1-A及び1-B)に対して、表2のNo.1-aの拡散源(R2-M合金粉末)を付着させた。付着方法は、容器に拡散源を広げ、粘着剤を塗布したR1-T-B系焼結磁石素材を常温まで降温させた後、容器内で拡散源をR1-T-B系焼結磁石素材全面にまぶすように付着させた。
次に、R1-T-B系焼結磁石素材(No.1-A及び1-B)とR2-M合金粉末(No.1-a)とが接した状態で、R1-T-B系焼結磁石素材No.1-Aと1-Bとを厚さ(3mm)方向に重ね(長さ10mm×幅5mmの面どうしを接触させ)、熱処理を行うことでR1-T-B系焼結磁石素材を接合し、R-T-B系焼結磁石(No.1-1)を得た。熱処理は、900℃で8時間の熱処理を行った後室温まで冷却し、さらに500℃で6時間の熱処理(二段熱処理)を行った。同様の方法で、R1-T-B系焼結磁石素材(No.1-A及び1-B)に対して、表2のNo.1-bの拡散源を付着させ、同様の方法で熱処理を行ってR1-T-B系焼結磁石素材を接合し、R-T-B系焼結磁石(No.1-2)を得た。
得られたR-T-B系焼結磁石の接合面における巣の発生を確認した。巣が多く発生すると、接着強度が低下したり、巣を起点とした剥がれが起きる可能性があるため、特に高速で回転することが必要なモータなどにR-T-B系焼結磁石が用いられる場合、巣の発生を抑える必要がある。
R-T-B系焼結磁石(No.1-1及び1-2)をそれぞれ機械加工により切断研磨し接合面を含む任意の接合磁石の断面(幅5mm×厚さ6mmにおける磁石断面)を走査電子顕微鏡(SEM:日本電子製JCM-7001F)で観察した。観察領域は500μm×500μmであり、視認により接合面における巣の発生を確認した。巣の発生が接合面の10%以下(100×巣の部分の面積/接合部分の面積)を本発明とする。結果を表3に示す。巣の発生が10%以下の場合を〇と10%を超える場合を×と記載する。さらに、R-T-B系焼結磁石の磁気特性の結果を表3に示す。磁気特性は、B-Hトレーサを用いて測定した。
Figure 0007248016000003
表3に示すように本発明例は巣の発生が抑えられているのに対し、比較例(ストリップキャスト法で作製した拡散源を用いた場合)は巣の発生が抑えられていない。
実験例2
およそ表4のNo.2-A及び2-Bに示す組成となるように、実験例1と同様にしてR1-T-B系焼結磁石素材を準備した。得られたR1-T-B系焼結磁石素材を機械加工し、長さ10mm×幅5mm×厚さ3mm(厚さが磁化方向)にした。得られたR1-T-B焼結磁石素材の成分の結果を表4に示す。なお、表4における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP-OES)を使用して測定した。さらに、実験例1のNo.1-A及び1-BのR1-T-B系焼結磁石素材を準備した。
Figure 0007248016000004
次に、表5のNo.2-a~2-eに示す組成の合金粉末をアトマイズ法により作製することにより、R2-M合金粉末を準備した。さらに、実験例1の1-aのR2-M合金粉末を準備した。得られたR2-M合金粉末の粒度は106μm以下であった。

Figure 0007248016000005
次に、表6に示す条件で、実験例1と同様にしてR1-T-B系焼結磁石素材を接合し、R-T-B系焼結磁石を得た。表6のNo.2-1は、No.1-A及び1-BのR1-T-B系焼結磁石素材表面全面に粘着剤を実験例1と同様にして塗布し、粘着剤を塗布したR1-T-B系焼結磁石素材(No.1-A及び1-B)に対して、No.2-aのR-2M合金粉末を実験例1と同様にして付着させた。次に、R1-T-B系焼結磁石素材(No.1-A及び1-B)とR2-M合金粉末(No.2-a)とが接した状態で、R1-T-B系焼結磁石素材No.1-Aと1-Bとを厚さ方向(3mm)に重ね、実験例1と同様にして熱処理を行うことでR1-T-B系焼結磁石素材を接合し、R-T-B系焼結磁石(No.2-1)を得たものである。No.2-2~2-7も同様に記載している。得られたR-T-B系焼結磁石に対し、実験例1と同様にして、視認により接合面における巣の発生を確認した。さらに、R-T-B系焼結磁石の磁気特性を測定した。結果を表6に示す。
Figure 0007248016000006
表6に示すように、本発明例はいずれも巣の発生が抑えられている。
本発明によれば、高いBrと高いHcJを有するR-T-B系焼結磁石を作製することができる。本発明の焼結磁石は、高温下に晒されるハイブリッド車搭載用モータ等の各種モータや家電製品等に好適である。
12 R214B化合物からなる主相
14 粒界相
14a 二粒子粒界相

14b 粒界三重点
20 固体部材
30 R2-M合金粉末
22、24、26 R1-T-B系焼結磁石素材
50 合金粉末

Claims (6)

  1. 組成が異なる複数のR1-T-B系焼結磁石素材(R1は、Nd及びPrの少なくとも一方を含む希土類元素、Tは、Feを主とする遷移金属元素であって、Coを含んでもよい)を準備する工程と、
    R2:65質量%以上97質量%以下(R2は、Prを含む希土類元素であり、R2全体に対するPrの含有量は40質量%以上であり、R2全体に対するDy及びTbの合計含有量が50質量%以下である)、及び
    M:3質量%以上35質量%以下(Mは、Ga、Cu、In、Al、Sn及びCoからなる群から選択された少なくとも1つ)を含有し、アトマイズ法によって作製されたR2-M合金粉末を準備する工程と、
    前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材のそれぞれの表面に1.02×10 -5 ~5.10×10 -5 g/mm の塗布量で粘着剤を塗布する工程と、
    前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材のそれぞれの前記粘着剤に前記R2-M合金粉末を付着させる工程と、
    前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材の間に前記R2-M合金粉末を配置した状態で、前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材を厚さ方向に重ねる工程と
    450℃以上1000℃以下の温度で前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材を接合する工程と、
    を包含する、R-T-B系焼結磁石の製造方法。
  2. R2全体に対するDy及びTbの合計含有量が15質量%以下である、請求項1に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
  3. はGaを必ず含む、請求項1又は2に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
  4. 前記複数のR1-T-B系焼結磁石素材は、相対的に保磁力の高い第1のR1-T-B系焼結磁石素材と、相対的に保磁力の低い第2のR1-T-B系焼結磁石素材とを含んでいる、請求項1から3のいずれかに記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
  5. 前記第1のR1-T-B系焼結磁石素材及び第2のR1-T-B系焼結磁石素材の少なくとも一方は、2mm以下の厚さを有している、請求項に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
  6. 前記第1のR1-T-B系焼結磁石素材及び第2のR1-T-B系焼結磁石素材の少なくとも一方は、1mm以下の厚さを有している、請求項に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
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