JP7260458B2

JP7260458B2 - Method for manufacturing light emitting device

Info

Publication number: JP7260458B2
Application number: JP2019206190A
Authority: JP
Inventors: 貴章加藤; 良平山下
Original assignee: Nichia Corp; Aoi Electronics Co Ltd
Current assignee: Nichia Corp; Aoi Electronics Co Ltd
Priority date: 2019-11-14
Filing date: 2019-11-14
Publication date: 2023-04-18
Anticipated expiration: 2039-11-14
Also published as: JP2021082628A

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device.

面内に配置した複数のＬＥＤ（発光ダイオード）と、蛍光体とを組み合わせた発光装置が提案されている（特許文献１参照）。また、基板上に複数のＬＥＤを配置し、それぞれのＬＥＤへの配線を一括して形成する方法が提案されている（特許文献２参照）。 A light-emitting device has been proposed in which a plurality of LEDs (light-emitting diodes) arranged in a plane and a phosphor are combined (see Patent Document 1). Also, a method has been proposed in which a plurality of LEDs are arranged on a substrate and wiring to each LED is collectively formed (see Patent Document 2).

特開２００８－２７０３１４号公報JP 2008-270314 A 特開２０１１－１９９１９３号公報JP 2011-199193 A

特許文献２においては、発光層を含む積層体と、積層体に電力を供給する配線構造物に相当する補強樹脂および金属ピラーとの間に、封止部に相当する絶縁膜が形成されている。しかし、絶縁膜と補強樹脂とが接触する部分の形状は平坦であり、従って接触面積が小さく、絶縁膜と補強樹脂との間に十分な接合力を確保することが難しい。この結果、補強樹脂が絶縁膜および積層体から剥離する恐れがあり、発光装置の耐久性が低下するという課題がある。 In Patent Document 2, an insulating film corresponding to a sealing portion is formed between a laminate including a light-emitting layer and reinforcing resin and metal pillars corresponding to a wiring structure for supplying power to the laminate. . However, the shape of the portion where the insulating film and the reinforcing resin are in contact is flat, so the contact area is small, and it is difficult to ensure sufficient bonding strength between the insulating film and the reinforcing resin. As a result, there is a risk that the reinforcing resin will peel off from the insulating film and the laminate, resulting in a problem of reduced durability of the light emitting device.

本発明の第１の態様によると、発光装置は、配線構造物と、前記配線構造物に電気的に接続されている複数の光源ユニットと、前記配線構造物と前記複数の光源ユニットとに接して配置されている封止部と、を備え、前記配線構造物は、前記複数の光源ユニットの側に凹凸部を有し、前記凹凸部の少なくとも一部は前記封止部と接触している。 According to a first aspect of the present invention, a light emitting device includes a wiring structure, a plurality of light source units electrically connected to the wiring structure, and in contact with the wiring structure and the plurality of light source units. and a sealing portion arranged in the same manner as the wiring structure, wherein the wiring structure has an uneven portion on the side of the plurality of light source units, and at least part of the uneven portion is in contact with the sealing portion. .

本発明の第１の態様によれば、光源ユニットと配線構造物との間の接合力が強化された発光装置を実現できる。 According to the first aspect of the present invention, it is possible to realize a light-emitting device with enhanced bonding strength between the light source unit and the wiring structure.

図１（ａ）～図１（ｃ）は、第１実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。1A to 1C are cross-sectional views showing manufacturing steps for manufacturing a light emitting device according to a first embodiment; FIG. 図２（ａ）～図２（ｂ）は、図１に続く第１実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。図２（ｃ）は第１実施形態の発光装置を示す図。2(a) and 2(b) are cross-sectional views showing manufacturing steps for manufacturing the light emitting device of the first embodiment continued from FIG. 1. FIG. FIG. 2C is a diagram showing the light emitting device of the first embodiment; 図３は、変形例の発光装置を示す図。図３（ａ）は変形例１を示す図、図３（ｂ）は変形例２を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a light-emitting device of a modified example; FIG. 3(a) is a diagram showing Modification 1, and FIG. 3(b) is a diagram showing Modification 2. FIG. 図４（ａ）～図４（ｄ）は、第２実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。4A to 4D are cross-sectional views showing manufacturing steps for manufacturing the light emitting device of the second embodiment. 図５（ａ）～図５（ｃ）は、図４に続く第２実施形態の発光装置を製造する製造工程を示す断面図。5A to 5C are cross-sectional views showing manufacturing steps for manufacturing the light emitting device according to the second embodiment following FIG. 図６（ａ）は、第２実施形態の発光装置を示す図。図６（ｂ）は変形例３の発光装置を示す図。図６（ｃ）は変形例４の発光装置を示す図。FIG. 6A is a diagram showing a light emitting device according to a second embodiment; FIG. 6B is a diagram showing a light-emitting device of Modification 3; FIG. 6C is a diagram showing a light-emitting device of Modification 4; 図７は、さらなる変形例の発光装置を示す図。図７（ａ）は変形例５の発光装置を示す図。図７（ｂ）は変形例６の発光装置を示す図。FIG. 7 is a diagram showing a light-emitting device of a further modified example; FIG. 7A is a diagram showing a light-emitting device of Modification 5. FIG. FIG. 7B is a diagram showing a light-emitting device of Modification 6;

（発光装置の第１実施形態）
以下、図１から図２を参照しつつ、第１実施形態の発光装置１の製造方法を説明する。図１（ａ）～図１（ｃ）は、第１実施形態の発光装置１を製造する製造工程を示す断面図である。 (First Embodiment of Light Emitting Device)
Hereinafter, a method for manufacturing the light emitting device 1 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1A to 1C are cross-sectional views showing manufacturing steps for manufacturing the light emitting device 1 of the first embodiment.

（工程１）
同一面内に複数の発光部１０が配置されている、被加工基板９を用意する。
図１（ａ）は、被加工基板９の断面図を示している。複数の発光部１０は、サファイア基板等の光透過部材１１ａの面上の、同一面内に配置されている。 (Step 1)
A substrate 9 to be processed is prepared on which a plurality of light emitting units 10 are arranged in the same plane.
FIG. 1(a) shows a cross-sectional view of the substrate 9 to be processed. A plurality of light emitting units 10 are arranged in the same plane on the surface of a light transmitting member 11a such as a sapphire substrate.

発光部１０はＧａＮ（窒化ガリウム）等の半導体を含むＬＥＤであり、光透過部材１１ａに近い側から、ｎ型半導体層２、発光層４、ｐ型半導体層５、および透明電極６が順次積層されている。ｎ型半導体層２、発光層４、ｐ型半導体層５、および透明電極６を覆って、保護膜７が形成されている。
発光部１０には、ｎ型半導体層２に電力を供給するためのｎ型電極パッド３、およびｐ型半導体層５に電力を供給するためのｐ型電極パッド８も形成されている。ｎ型電極パッド３、およびｐ型電極パッド８の上面は保護膜７から露出している。
発光層４を含む発光部１０の少なくとも一部は、有機材料で構成されていてもよい。 The light-emitting part 10 is an LED containing a semiconductor such as GaN (gallium nitride), and an n-type semiconductor layer 2, a light-emitting layer 4, a p-type semiconductor layer 5, and a transparent electrode 6 are sequentially stacked from the side near the light transmitting member 11a. It is A protective film 7 is formed to cover the n-type semiconductor layer 2 , the light-emitting layer 4 , the p-type semiconductor layer 5 and the transparent electrode 6 .
An n-type electrode pad 3 for supplying power to the n-type semiconductor layer 2 and a p-type electrode pad 8 for supplying power to the p-type semiconductor layer 5 are also formed in the light emitting section 10 . The top surfaces of the n-type electrode pad 3 and the p-type electrode pad 8 are exposed from the protective film 7 .
At least part of the light emitting section 10 including the light emitting layer 4 may be made of an organic material.

発光部１０は、図１（ａ）および以降の各図の左右方向のみでなく、奥行き方向にも複数並んで形成されており、発光部１０が形成された光透過部材１１ａの面に垂直な方向から見れば、その面上には複数の発光部１０が格子状に配列して形成されている。
また、図１（ａ）および以降の各図においては、左右方向に並ぶ３個の発光部１０を示しているが、発光部１０の数は左右方向および奥行き方向のいずれについても３個以上、例えば数百個以上であっても良い。 A plurality of light-emitting portions 10 are arranged side by side not only in the horizontal direction of FIG. When viewed from the direction, a plurality of light emitting units 10 are arranged in a lattice pattern on the surface.
In addition, in FIG. 1(a) and each subsequent figure, three light-emitting units 10 arranged in the left-right direction are shown. For example, it may be several hundred or more.

なお、図１（ａ）においては、各発光部１０に含まれるｎ型半導体層２は、光透過部材１１ａの面内方向に連続して形成されている。しかし、ｎ型半導体層２は各発光部１０毎に分離して形成されていても良い。
図１（ａ）に示した構造は、透明基板上に複数のＬＥＤを形成するための公知の方法により製造することができる。 In addition, in FIG. 1A, the n-type semiconductor layer 2 included in each light emitting portion 10 is continuously formed in the in-plane direction of the light transmitting member 11a. However, the n-type semiconductor layer 2 may be formed separately for each light emitting section 10 .
The structure shown in FIG. 1(a) can be fabricated by known methods for forming multiple LEDs on a transparent substrate.

（工程２）
図１（ｂ）に示すように、光透過部材１１ａの、発光部１０が形成された面とは反対側の面に、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａを、順次形成する。
波長変換部材１２ａは、一例として、蛍光体を含んだ樹脂からなる蛍光体シートであっても良い。また、波長変換部材１２ａは、蛍光体の特性が異なる複数の蛍光体シートを積層して形成したものであっても良い。
保護部材１３ａは、一例として、樹脂からなる透明な保護シートであっても良い。 (Step 2)
As shown in FIG. 1(b), a wavelength converting member 12a and a protective member 13a are sequentially formed on the surface of the light transmitting member 11a opposite to the surface on which the light emitting section 10 is formed.
As an example, the wavelength conversion member 12a may be a phosphor sheet made of resin containing phosphor. Also, the wavelength conversion member 12a may be formed by laminating a plurality of phosphor sheets having different phosphor characteristics.
The protective member 13a may be, for example, a transparent protective sheet made of resin.

（工程３）
図１（ｃ）に示すように、図１（ｂ）に示した光透過部材１１ａ上の複数の発光部１０に、絶縁部材と導電層とを含む配線構造物の一例としての、配線基板２０を貼り付ける。図１（ｃ）は、図１（ｂ）とは上下方向を反転して示している。 (Step 3)
As shown in FIG. 1(c), a wiring substrate 20 as an example of a wiring structure including an insulating member and a conductive layer in a plurality of light-emitting portions 10 on the light transmitting member 11a shown in FIG. 1(b). paste. FIG. 1(c) is shown by reversing the vertical direction of FIG. 1(b).

配線基板２０は、ガラス基板２６上に形成された絶縁性基板２５と、絶縁性基板２５内に形成された下層配線２１、中層配線２２、および上層配線２３とを含む。ただし、配線構造物の一例としての配線基板２０は、ガラス基板２６は含まない。下層配線２１、中層配線２２、および上層配線２３は、その少なくとも一部が、相互に電気的に接続されている。絶縁性基板２５は、配線基板２０のうちの絶縁部を構成している。
光透過部材１１ａ上に形成されている発光部１０のｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８と、配線基板２０上の上層配線２３とは、貼り合わせ前に上層配線２３上に形成されていたはんだ２４により、電気的に接合される。
配線基板２０は、例えば、特開２０１８－１９０７８２号公報に記載される方法により製造することができるので、その製造方法の詳細の説明は省略する。 The wiring substrate 20 includes an insulating substrate 25 formed on a glass substrate 26 , and lower layer wirings 21 , middle layer wirings 22 and upper layer wirings 23 formed in the insulating substrate 25 . However, the wiring board 20 as an example of the wiring structure does not include the glass substrate 26 . At least a part of the lower layer wiring 21, the middle layer wiring 22 and the upper layer wiring 23 are electrically connected to each other. The insulating substrate 25 constitutes an insulating portion of the wiring substrate 20 .
The n-type electrode pad 3 or the p-type electrode pad 8 of the light emitting section 10 formed on the light transmitting member 11a and the upper layer wiring 23 on the wiring substrate 20 are formed on the upper layer wiring 23 before bonding. They are electrically joined by solder 24 .
The wiring board 20 can be manufactured, for example, by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-190782, so detailed description of the manufacturing method is omitted.

（工程４）
工程３の終了後、図２（ａ）に示すように、隣り合う発光部１０同士を分割するように、光透過部材１１ａ、波長変換部材１２ａ、および保護部材１３ａをダイシングソーで切断し、空隙部２７を形成する。空隙部２７の幅は、切断に用いたダイシングソーのブレードの厚さに相当する。ダイシングソーにより切断された光透過部材１１ａ、波長変換部材１２ａ、および保護部材１３ａを、それぞれ、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３と呼ぶ。 (Step 4)
After step 3, as shown in FIG. 2(a), the light transmitting member 11a, the wavelength converting member 12a, and the protective member 13a are cut with a dicing saw so as to divide the adjacent light emitting portions 10 to form a gap. A part 27 is formed. The width of the gap 27 corresponds to the thickness of the blade of the dicing saw used for cutting. The light transmission member 11a, the wavelength conversion member 12a, and the protection member 13a cut by the dicing saw are called the light transmission member 11, the wavelength conversion member 12, and the protection member 13, respectively.

また、発光部１０と、それぞれの発光部１０と一体的に構成されている光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３とを、合わせて光源ユニット１５とも呼ぶ。
後述する変形例に示すように、光源ユニット１５は、必ずしも光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３の全てを有している必要は無く、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３のいずれか１つ以上が省略されていても良い。 Further, the light emitting section 10 and the light transmitting member 11, the wavelength converting member 12, and the protective member 13 which are integrally formed with each light emitting section 10 are collectively referred to as a light source unit 15 as well.
As shown in a modified example to be described later, the light source unit 15 does not necessarily have all of the light transmitting member 11, the wavelength converting member 12, and the protective member 13, and the light transmitting member 11, the wavelength converting member 12, and one or more of the protective member 13 may be omitted.

このダイシングソーでの光透過部材１１ａ等の切断に際し、ダイシングソーにより、配線基板２０に含まれる絶縁性基板２５の発光部１０側の面に、溝２８を形成する。溝２８の幅は、切断に用いたダイシングソーのブレードの厚さに相当する。
あるいは、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａの切断後に、空隙部２７を介して、ダイシングソーにより、絶縁性基板２５の発光部１０側の面に溝２８を形成しても良い。
あるいは、配線基板２０を複数の発光部１０に貼り付ける以前に、配線基板２０の絶縁性基板２５に予め溝２８を形成しておいても良い。 When cutting the light transmitting member 11a and the like with this dicing saw, a groove 28 is formed in the surface of the insulating substrate 25 included in the wiring substrate 20 on the side of the light emitting portion 10 with the dicing saw. The width of the groove 28 corresponds to the thickness of the dicing saw blade used for cutting.
Alternatively, after cutting the wavelength conversion member 12a and the protection member 13a, the groove 28 may be formed in the surface of the insulating substrate 25 on the light emitting section 10 side through the gap 27 by a dicing saw.
Alternatively, the grooves 28 may be formed in advance in the insulating substrate 25 of the wiring substrate 20 before the wiring substrate 20 is attached to the plurality of light emitting portions 10 .

（工程５）
切断されて形成された複数の光源ユニット１５を、封止部３０で封止する。封止部３０として、エポキシ樹脂等の樹脂材料を使用する。
図２（ｂ）は、光源ユニット１５と配線基板２０の間、および光源ユニット１５の相互間の空隙部２７に封止部３０が形成された状態を示している。すなわち、封止部３０は、空隙部２７、および複数の光源ユニット１５と配線基板２０との間に充填され、光源ユニット１５と配線基板２０とに接触して配置されている。 (Step 5)
A plurality of light source units 15 formed by cutting are sealed with a sealing portion 30 . A resin material such as epoxy resin is used as the sealing portion 30 .
FIG. 2B shows a state in which the sealing portion 30 is formed in the space 27 between the light source unit 15 and the wiring board 20 and between the light source units 15 . That is, the sealing portion 30 is filled between the gap portion 27 and between the plurality of light source units 15 and the wiring substrate 20 and arranged in contact with the light source units 15 and the wiring substrate 20 .

配線基板２０に含まれる絶縁性基板２５の溝２８の少なくとも一部にも封止部３０が充填される。すなわち、封止部３０は、溝２８の少なくとも一部とも接触している。
封止部３０が溝２８に充填されることにより、封止部３０と配線基板２０との接触面積が増すとともにアンカー効果が発揮され、配線基板２０と封止部３０との接合力を強化することができる。 At least part of the groove 28 of the insulating substrate 25 included in the wiring substrate 20 is also filled with the sealing portion 30 . That is, the sealing portion 30 is also in contact with at least part of the groove 28 .
By filling the groove 28 with the sealing portion 30, the contact area between the sealing portion 30 and the wiring substrate 20 is increased, and an anchor effect is exhibited, thereby strengthening the bonding strength between the wiring substrate 20 and the sealing portion 30. be able to.

なお、接合力を強化するための構造は上述の溝２８に限られるものではなく、配線基板２０の発光部１０側の面に、溝、穴、突起等の凹凸部を形成することで、配線基板２０と封止部３０との接合力を強化することができる。凹凸部により、封止部３０と接触する配線基板２０の面積が増加しているので、封止部３０は、凹凸部の全面に渡って配線基板２０と接触せずとも、少なくとも一部と接触することで、アンカー効果も加わり、十分な接合力を発揮することができる。 The structure for strengthening the bonding force is not limited to the grooves 28 described above. The bonding strength between the substrate 20 and the sealing portion 30 can be strengthened. Since the area of the wiring substrate 20 that contacts the sealing portion 30 is increased by the uneven portion, the sealing portion 30 does not contact the wiring substrate 20 over the entire surface of the uneven portion, but is in contact with at least a portion of the wiring substrate 20 . By doing so, an anchor effect is also added, and sufficient bonding strength can be exhibited.

以上の例では、溝２８等の凹凸部は、配線基板２０の絶縁部（絶縁性基板２５）の表面に形成するとしたが、配線基板２０に形成されている配線層（上層配線２３等）を凹凸部としても良い。
ただし、配線層は、絶縁性基板２５に対してそれほど高い接合力を有するものではなく、配線基板２０から剥離する恐れもある。従って、溝２８等の凹凸部を配線基板２０の絶縁部（絶縁性基板２５）の表面に形成することにより、配線基板２０と封止部３０との接合力を一層強化することができる。 In the above example, the uneven portions such as the grooves 28 are formed on the surface of the insulating portion (insulating substrate 25) of the wiring substrate 20. It is good also as an uneven part.
However, the wiring layer does not have a very high bonding strength to the insulating substrate 25 and may be separated from the wiring substrate 20 . Therefore, by forming uneven portions such as the grooves 28 on the surface of the insulating portion (insulating substrate 25) of the wiring substrate 20, the bonding strength between the wiring substrate 20 and the sealing portion 30 can be further enhanced.

（工程６）
保護部材１３の上面に形成された封止部３０を、研磨等により除去する。一例として、封止部３０の上面が保護部材１３の上面と同一平面（面一）になるように、封止部３０を研磨等により除去する。
図２（ｃ）は、保護部材１３の上面に形成された封止部３０が除去された状態を示す図である。 (Step 6)
The sealing portion 30 formed on the upper surface of the protective member 13 is removed by polishing or the like. As an example, the sealing portion 30 is removed by polishing or the like so that the top surface of the sealing portion 30 is flush with the top surface of the protective member 13 .
FIG. 2(c) is a diagram showing a state in which the sealing portion 30 formed on the upper surface of the protective member 13 is removed.

（工程７）
配線基板２０に密着しているガラス基板２６を、配線基板２０から剥離する。その後、配線基板２０に含まれる下層配線２１の一部に接して、はんだボール３１を形成することで、第１実施形態の発光装置１が完成する。
図２（ｃ）は、第１実施形態の発光装置１を示している。 (Step 7)
The glass substrate 26 in close contact with the wiring board 20 is separated from the wiring board 20 . After that, solder balls 31 are formed in contact with a portion of the lower wiring 21 included in the wiring substrate 20, thereby completing the light emitting device 1 of the first embodiment.
FIG. 2(c) shows the light emitting device 1 of the first embodiment.

（第１実施形態の発光装置の変形例１）
図３（ａ）は、上述の第１実施形態の発光装置１に対する変形例１の発光装置１ａを示す図である。変形例１の発光装置１ａの構成は、上述の第１実施形態の発光装置１と概ね共通しているが、光源ユニット１５が波長変換部材１２および保護部材１３を有しない点が異なっている。 (Modification 1 of the light emitting device of the first embodiment)
FIG. 3A is a diagram showing a light emitting device 1a of Modification 1 of the light emitting device 1 of the first embodiment described above. The configuration of the light-emitting device 1a of Modification 1 is generally the same as that of the light-emitting device 1 of the above-described first embodiment, but differs in that the light source unit 15 does not have the wavelength converting member 12 and the protective member 13 .

変形例１の発光装置１ａは、上述の第１実施形態の発光装置１の製造工程の工程２において、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａの形成を省略することにより、製造することができる。
変形例１の発光装置１ａの製造に際しては、上述の工程６において、一例として封止部３０の上面が光透過部材１１の上面と同一平面（面一）になるように、封止部３０を研磨等により除去する。 The light-emitting device 1a of Modification 1 can be manufactured by omitting the formation of the wavelength conversion member 12a and the protective member 13a in step 2 of the manufacturing process of the light-emitting device 1 of the above-described first embodiment.
When manufacturing the light-emitting device 1a of Modification 1, in the above-described step 6, as an example, the sealing portion 30 is placed so that the upper surface of the sealing portion 30 and the upper surface of the light transmitting member 11 are flush with each other. Remove by polishing or the like.

（第１実施形態の発光装置の変形例２）
図３（ｂ）は、上述の第１実施形態の発光装置１に対する変形例２の発光装置１ｂを示す図である。変形例２の発光装置１ｂの構成は、上述の変形例１と概ね共通しているが、複数の光源ユニット１５を覆う１つの波長変換部材１２ａを有する点が異なっている。 (Modification 2 of the light emitting device of the first embodiment)
FIG. 3(b) is a diagram showing a light emitting device 1b of Modification 2 of the light emitting device 1 of the above-described first embodiment. The configuration of the light-emitting device 1b of Modification 2 is generally the same as that of Modification 1 described above, but differs in that it has one wavelength conversion member 12a that covers the plurality of light source units 15 .

変形例２の発光装置１ｂは、上述の変形例１の発光装置１ａを製造した後に、複数の光源ユニット１５のそれぞれの光透過部材１１の上に、波長変換部材１２ａを一括して形成することにより、製造することができる。 In the light-emitting device 1b of Modification 2, after the light-emitting device 1a of Modification 1 is manufactured, the wavelength converting members 12a are collectively formed on the light-transmitting members 11 of the plurality of light source units 15. can be manufactured by

（発光装置の第２実施形態）
以下、図４から図６を参照して、第２実施形態の発光装置１ｃについて説明する。
後述する図６（ａ）に示した第２実施形態の発光装置１ｃの構成および製造方法は、その多くの部分が上述の第１実施形態の発光装置１と共通している。従って、以下では同一の構成には同一の符号を付して、適宜説明を省略する。 (Second Embodiment of Light Emitting Device)
The light emitting device 1c of the second embodiment will be described below with reference to FIGS. 4 to 6. FIG.
The configuration and manufacturing method of the light emitting device 1c of the second embodiment shown in FIG. 6A, which will be described later, have many parts in common with the light emitting device 1 of the first embodiment described above. Therefore, hereinafter, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

第２実施形態の発光装置１ｃの製造方法は、図１（ｂ）に示した上述の工程２までは、上述の第１実施形態の発光装置１の製造方法と同一である。
従って、以下では、第２実施形態の発光装置１ｃの製造に固有の工程３Ａ以降について説明する。 The manufacturing method of the light-emitting device 1c of the second embodiment is the same as the manufacturing method of the light-emitting device 1 of the above-described first embodiment up to the above-described step 2 shown in FIG. 1(b).
Therefore, the steps 3A and subsequent steps unique to the manufacture of the light emitting device 1c of the second embodiment will be described below.

（工程３Ａ）
光透過部材１１ａ上に、発光部１０を覆って絶縁膜３４を形成し、フォトリソグラフィ工程により、ｎ型電極パッド３およびｐ型電極パッド８上の絶縁膜３４に、開口部を形成する。そして、絶縁膜３４上および上記の開口部に、無電解メッキまたはスパッタ等により銅等の導体を成膜することによりシード層３５を形成する。
図４（ａ）は、シード層３５が形成された状態を示している。 (Step 3A)
An insulating film 34 is formed on the light transmitting member 11a to cover the light emitting section 10, and openings are formed in the insulating film 34 on the n-type electrode pad 3 and the p-type electrode pad 8 by a photolithography process. Then, a seed layer 35 is formed by depositing a conductor such as copper on the insulating film 34 and in the opening by electroless plating, sputtering, or the like.
FIG. 4A shows a state where the seed layer 35 is formed.

（工程４Ａ）
光透過部材１１ａ上に、シード層３５を覆ってフォトレジスト３６を形成する。そして、所定のフォトマスクを用いてフォトレジスト３６を露光し、現像を行い、フォトレジスト３６上の所定位置に開口部を形成する。この開口部から露出したシード層３５を電極として、この開口部に銅等の導体を電解メッキすることにより導電層３７を形成する。
図４（ｂ）は、導電層３７が形成された状態を示している。 (Step 4A)
A photoresist 36 is formed on the light transmitting member 11a to cover the seed layer 35. As shown in FIG. Then, the photoresist 36 is exposed using a predetermined photomask and developed to form openings at predetermined positions on the photoresist 36 . Using the seed layer 35 exposed from the opening as an electrode, the opening is electroplated with a conductor such as copper to form a conductive layer 37 .
FIG. 4B shows the state in which the conductive layer 37 is formed.

（工程５Ａ）
図４（ｂ）に示した状態から、フォトレジスト３６を剥離し、シード層３５および導電層３７を覆って、新たにフォトレジスト３８を形成する。そして、所定のフォトマスクを用いてフォトレジスト３８を露光し、現像を行い、フォトレジスト３８上の所定位置に開口部を形成する。この開口部から露出した導電層３７を電極として、この開口部に銅等の導体を電解メッキすることにより柱状電極３９を形成する。
図４（ｃ）は、柱状電極３９が形成された状態を示している。 (Step 5A)
From the state shown in FIG. 4B, the photoresist 36 is removed, and a new photoresist 38 is formed covering the seed layer 35 and the conductive layer 37 . Then, the photoresist 38 is exposed using a predetermined photomask and developed to form an opening at a predetermined position on the photoresist 38 . Using the conductive layer 37 exposed from the opening as an electrode, the opening is electroplated with a conductor such as copper to form a columnar electrode 39 .
FIG. 4(c) shows a state in which the columnar electrodes 39 are formed.

（工程６Ａ）
図４（ｃ）に示した状態から、フォトレジスト３８を剥離し、シード層３５を除去する。シード層３５の除去は、導電層３７をマスクとしてシード層３５をエッチングすることにより行う。
図４（ｄ）は、シード層３５が除去された状態を示している。 (Step 6A)
From the state shown in FIG. 4C, the photoresist 38 is stripped and the seed layer 35 is removed. The seed layer 35 is removed by etching the seed layer 35 using the conductive layer 37 as a mask.
FIG. 4(d) shows a state where the seed layer 35 has been removed.

（工程７Ａ）
導電層３７、柱状電極３９、および絶縁膜３４を、絶縁部材４１で封止する。すなわち、絶縁部材４１を、図４（ｄ）中の柱状電極３９の上端面と同じ高さまで充填する。絶縁部材４１として、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を使用する。
図５（ａ）は、導電層３７、柱状電極３９、および絶縁膜３４が絶縁部材４１により封止された状態を示している。図５（ａ）は、図４（ａ）～図４（ｄ）の各図とは上下方向を反転して示している。 (Step 7A)
Conductive layer 37 , columnar electrode 39 , and insulating film 34 are sealed with insulating member 41 . That is, the insulating member 41 is filled up to the same height as the upper end surface of the columnar electrode 39 in FIG. 4(d). As the insulating member 41, for example, a resin material such as epoxy resin is used.
5A shows a state in which the conductive layer 37, the columnar electrodes 39, and the insulating film 34 are sealed with the insulating member 41. FIG. FIG. 5(a) is shown by reversing the vertical direction from each of FIGS. 4(a) to 4(d).

導電層３７および柱状電極３９はどちらも、光透過部材１１ａの面内方向（図中の左右方向および奥行方向）に配線を行うための配線層とすることができる。配線層である導電層３７および柱状電極３９により、後述するはんだボール３１を、ｎ型電極パッド３およびｐ型電極パッド８の直下以外の位置に形成することができる。
従って、絶縁膜３４および絶縁部材４１と、絶縁部材４１に接している導電層３７、柱状電極３９およびシード層３５とは、全体として絶縁部材と導電層を含む配線構造物の一例としての再配線層４０を構成している。そして、絶縁膜３４および絶縁部材４１は、再配線層４０のうちの絶縁部を構成している。 Both the conductive layer 37 and the columnar electrode 39 can be wiring layers for wiring in the in-plane direction (horizontal direction and depth direction in the figure) of the light transmitting member 11a. Solder balls 31 , which will be described later, can be formed at positions other than directly below the n-type electrode pad 3 and the p-type electrode pad 8 by the conductive layer 37 and the columnar electrode 39 , which are wiring layers.
Therefore, the insulating film 34 and the insulating member 41, and the conductive layer 37, the columnar electrode 39, and the seed layer 35 in contact with the insulating member 41 collectively form a rewiring structure as an example of a wiring structure including the insulating member and the conductive layer. It constitutes layer 40 . The insulating film 34 and the insulating member 41 constitute an insulating portion of the rewiring layer 40 .

（工程８Ａ）
図５（ｂ）に示すように、隣り合う発光部１０同士を分割するように、保護部材１３ａ、波長変換部材１２ａ、光透過部材１１ａ、ｎ型半導体層２、および保護膜７を、保護部材１３ａの側からダイシングソーで切断し、空隙部４２を形成する。さらに、空隙部４２に沿って、ダイシングソーにより絶縁膜３４に溝４３を形成する。上述のとおり、絶縁膜３４は再配線層４０の一部であるから、溝４３は再配線層４０に形成されている。 (Step 8A)
As shown in FIG. 5(b), a protective member 13a, a wavelength converting member 12a, a light transmitting member 11a, an n-type semiconductor layer 2, and a protective film 7 are separated from each other so as to divide adjacent light emitting portions 10. A gap 42 is formed by cutting from the 13a side with a dicing saw. Further, grooves 43 are formed in the insulating film 34 along the gaps 42 by a dicing saw. Since the insulating film 34 is a part of the rewiring layer 40 as described above, the trench 43 is formed in the rewiring layer 40 .

空隙部４２および溝４３は、発光部１０の図５（ｂ）中の左右のみではなく、紙面の奥行き方向にも形成する。
溝４３の形成は、上述の空隙部４２を形成する光透過部材１１ａ等の切断と同時に行っても良く、空隙部４２の形成後に別途、形成された空隙部４２を介して行っても良い。
空隙部４２の幅および溝４３の幅は、使用したダイシングソーのブレードの厚さに相当する。 The gap 42 and the groove 43 are formed not only on the left and right sides of the light emitting section 10 in FIG. 5B, but also on the depth direction of the paper surface.
The formation of the grooves 43 may be performed simultaneously with the cutting of the light transmitting member 11a forming the above-described voids 42, or may be performed through the voids 42 formed separately after the voids 42 are formed.
The width of the gap 42 and the width of the groove 43 correspond to the thickness of the blade of the dicing saw used.

上述の第１実施形態と同様に、ダイシングソーにより切断された光透過部材１１ａ、波長変換部材１２ａ、および保護部材１３ａを、それぞれ、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３と呼ぶ。
同じく上述の第１実施形態と同様に、発光部１０と、それぞれの発光部１０と一体的に構成されている光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３とを、合わせて光源ユニット１５とも呼ぶ。また、光源ユニット１５は、必ずしも光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３の全てを有している必要は無く、光透過部材１１、波長変換部材１２、および保護部材１３のいずれか１つ以上が省略されていても良い。 As in the first embodiment described above, the light transmitting member 11a, the wavelength converting member 12a, and the protective member 13a cut by the dicing saw are called the light transmitting member 11, the wavelength converting member 12, and the protective member 13, respectively. .
Similarly to the above-described first embodiment, the light emitting section 10, and the light transmitting member 11, the wavelength converting member 12, and the protective member 13 integrally formed with each light emitting section 10 are combined to form a light source unit. Also called 15. Further, the light source unit 15 does not necessarily have all of the light transmission member 11, the wavelength conversion member 12, and the protection member 13, and any one of the light transmission member 11, the wavelength conversion member 12, and the protection member 13 One or more may be omitted.

工程８Ａにおける切断後も、複数の光源ユニット１５は、はんだ２４および絶縁膜３４を介して、絶縁部材４１により一体的に保持されている。また、複数の光透過部材１１、波長変換部材１２および保護部材１３も、複数の光源ユニット１５のそれぞれと密着しており、光源ユニット１５を介して絶縁部材４１により一体的に保持されている。 Even after cutting in step 8A, the plurality of light source units 15 are integrally held by the insulating member 41 via the solder 24 and the insulating film 34 . Also, the plurality of light transmitting members 11 , the wavelength conversion member 12 and the protective member 13 are also in close contact with each of the plurality of light source units 15 and integrally held by the insulating member 41 via the light source units 15 .

（工程９Ａ）
工程８Ａにおける切断により形成された複数の光源ユニット１５を、封止部４４で封止する。封止部４４として、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料を使用する。なお、高反射性の特性を持つ樹脂材料や、遮光性の高い特性を持つ樹脂材料を用いても良い。
図５（ｃ）は、複数の光源ユニット１５が、封止部４４で封止された状態を示している。封止部４４を構成する封止材は、複数の保護部材１３のそれぞれの間から空隙部４２に流入し、空隙部４２および溝４３内に充填される。従って、封止部４４は、光源ユニット１５の側面、および溝４３を含む絶縁膜３４の表面と接触している。 (Step 9A)
A plurality of light source units 15 formed by cutting in step 8A are sealed with a sealing portion 44 . A resin material such as an epoxy resin is used as the sealing portion 44 . A resin material having high reflectivity or a resin material having high light shielding properties may be used.
FIG. 5C shows a state in which the plurality of light source units 15 are sealed with the sealing portion 44 . The sealing material forming the sealing portion 44 flows into the gap portion 42 from between the plurality of protective members 13 and fills the gap portion 42 and the groove 43 . Therefore, the sealing portion 44 is in contact with the side surfaces of the light source unit 15 and the surface of the insulating film 34 including the grooves 43 .

絶縁膜３４の表面に溝４３が形成されているために、封止部４４が溝４３に流入することにより、絶縁膜３４と封止部４４の接触面積を増大させ、再配線層４０の一部である絶縁膜３４と封止部４４との接合力を増大させることができる。
なお、接合力を強化するための構造は上述の溝４３に限られるものではない。例えば、溝４３は、絶縁膜３４を貫通し、絶縁部材４１の一部に達する深さまで形成されていても良い。すなわち、絶縁膜３４および絶縁部材４１を含む再配線層４０の発光部１０側の面に、溝、穴、突起等の凹凸部を形成することで、再配線層４０と封止部４４との接合力を強化することができる。凹凸部は、上述のようにダイシングソーにより空隙部４２を形成した後に、空隙部４２を通じて再配線層４０をドリル等で掘削して形成しても良い。 Since the groove 43 is formed on the surface of the insulating film 34 , the sealing portion 44 flows into the groove 43 , thereby increasing the contact area between the insulating film 34 and the sealing portion 44 . The bonding strength between the insulating film 34 and the sealing portion 44 can be increased.
Note that the structure for strengthening the joining force is not limited to the grooves 43 described above. For example, the trench 43 may be formed to a depth that penetrates the insulating film 34 and reaches a portion of the insulating member 41 . That is, by forming uneven portions such as grooves, holes, and projections on the surface of the rewiring layer 40 including the insulating film 34 and the insulating member 41 on the light emitting portion 10 side, the rewiring layer 40 and the sealing portion 44 are separated from each other. Bonding force can be strengthened. The uneven portion may be formed by drilling the rewiring layer 40 through the gap 42 with a drill or the like after forming the gap 42 with a dicing saw as described above.

また、溝４３等の凹凸部は、再配線層４０の絶縁部（絶縁膜３４または絶縁部材４１）の表面に形成するとしたが、再配線層４０に含まれる導電層３７または柱状電極３９を凹凸部としても良い。
ただし、上述の第１実施形態と同様に、溝４３等の凹凸部を再配線層４０の絶縁部（絶縁膜３４または絶縁部材４１）の表面に形成することにより、再配線層４０と封止部４４との接合力を一層強化することができる。 In addition, although the uneven portions such as the grooves 43 are formed on the surface of the insulating portion (the insulating film 34 or the insulating member 41) of the rewiring layer 40, the conductive layer 37 or the columnar electrodes 39 included in the rewiring layer 40 are formed as uneven portions. It can be used as a department.
However, as in the first embodiment described above, by forming uneven portions such as the grooves 43 on the surface of the insulating portion (the insulating film 34 or the insulating member 41) of the rewiring layer 40, the rewiring layer 40 and the sealing are formed. The joining force with the portion 44 can be further strengthened.

（工程１０Ａ）
保護部材１３の上面に形成された封止部４４を、研磨等により除去する。一例として、封止部４４の上面が保護部材１３の上面と同一平面（面一）になるように、封止部４４を研磨等により除去する。また、それぞれの発光部１０に形成されている柱状電極３９の端面（図５（ｃ）中では下端面）に、はんだボール３１を形成する。これにより、第２実施形態の発光装置１ｃが完成する。
図６（ａ）は、完成した第２実施形態の発光装置１ｃを示している。 (Step 10A)
The sealing portion 44 formed on the upper surface of the protective member 13 is removed by polishing or the like. As an example, the sealing portion 44 is removed by polishing or the like so that the top surface of the sealing portion 44 is flush with the top surface of the protective member 13 . Also, solder balls 31 are formed on the end surfaces (lower end surfaces in FIG. 5C) of the columnar electrodes 39 formed on the respective light emitting portions 10 . This completes the light emitting device 1c of the second embodiment.
FIG. 6(a) shows the completed light emitting device 1c of the second embodiment.

（第２実施形態の発光装置の変形例３）
図６（ｂ）は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃに対する変形例３の発光装置１ｄを示す図である。変形例３の発光装置１ｄの構成は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃと概ね共通しているが、光源ユニット１５が波長変換部材１２および保護部材１３を有しない点が異なっている。 (Modification 3 of the light emitting device of the second embodiment)
FIG. 6(b) is a diagram showing a light emitting device 1d of Modification 3 of the light emitting device 1c of the above-described second embodiment. The configuration of the light-emitting device 1d of Modification 3 is generally the same as that of the light-emitting device 1c of the above-described second embodiment, but differs in that the light source unit 15 does not have the wavelength converting member 12 and the protective member 13. FIG.

変形例３の発光装置１ｄは、上述の第２実施形態の発光装置１ｃの製造工程の工程２において、波長変換部材１２ａおよび保護部材１３ａの形成を省略することにより、製造することができる。
変形例３の発光装置１ｄの製造に際しては、上述の工程１０Ａにおいて、一例として封止部４４の上面が光透過部材１１の上面と同一平面（面一）になるように、封止部４４を研磨等により除去する。 The light-emitting device 1d of Modification 3 can be manufactured by omitting the formation of the wavelength converting member 12a and the protective member 13a in step 2 of the manufacturing process of the light-emitting device 1c of the above-described second embodiment.
When manufacturing the light-emitting device 1d of Modified Example 3, in the above-described step 10A, as an example, the sealing portion 44 is placed so that the top surface of the sealing portion 44 is flush with the top surface of the light transmitting member 11. Remove by polishing or the like.

（第２実施形態の発光装置の変形例４）
図６（ｃ）は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃに対する変形例４の発光装置１ｅを示す図である。変形例４の発光装置１ｅの構成は、上述の変形例３と概ね共通しているが、複数の光源ユニット１５を覆う１つの波長変換部材１２ａを有する点が異なっている。 (Modification 4 of the light emitting device of the second embodiment)
FIG. 6(c) is a diagram showing a light emitting device 1e of Modification 4 of the light emitting device 1c of the above-described second embodiment. The configuration of the light-emitting device 1 e of Modification 4 is generally the same as that of Modification 3 described above, but differs in that it has one wavelength conversion member 12 a covering the plurality of light source units 15 .

変形例４の発光装置１ｅは、上述の変形例３の発光装置１ｄを製造した後に、複数の光源ユニット１５のそれぞれの光透過部材１１の上に、波長変換部材１２ａを一括して形成することにより、製造することができる。 In the light emitting device 1e of Modification 4, after manufacturing the light emitting device 1d of Modification 3, the wavelength converting members 12a are collectively formed on the light transmitting members 11 of the plurality of light source units 15. can be manufactured by

（第２実施形態の発光装置の変形例５）
図７（ａ）は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃに対する変形例５の発光装置１ｆを示す図である。変形例５の発光装置１ｆの構成は、上述の第２実施形態の発光装置１ｃと概ね共通しているため、以下では、同一の構成には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。 (Modification 5 of the light emitting device of the second embodiment)
FIG. 7(a) is a diagram showing a light emitting device 1f of Modified Example 5 of the light emitting device 1c of the above-described second embodiment. Since the configuration of the light-emitting device 1f of Modification 5 is substantially the same as that of the light-emitting device 1c of the above-described second embodiment, hereinafter, the same configurations are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

上述の各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅにおいては、配線（下層配線２１、中層配線２２、上層配線２３、導電層３７、柱状電極３９）は、１つの発光部１０内のｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８と、はんだボール３１とを電気的に接続する。
一方、図７（ａ）に示した変形例５の発光装置１ｆでは、少なくとも一部の導電層３７は、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成されている。 In the light-emitting devices 1, 1a to 1e of each of the embodiments and modifications described above, the wiring (lower-layer wiring 21, middle-layer wiring 22, upper-layer wiring 23, conductive layer 37, columnar electrode 39) is arranged in one light-emitting section 10. n-type electrode pad 3 or p-type electrode pad 8 and solder ball 31 are electrically connected.
On the other hand, in the light-emitting device 1f of Modified Example 5 shown in FIG. 7A, at least a portion of the conductive layer 37 is formed so as to electrically connect the plurality of light-emitting portions 10 to each other.

なお、図７（ａ）では、一例として一部の導電層３７が、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｐ型電極パッド８とを電気的に接続した例を示しているが、配線の構成は、これに限るものではない。
すなわち、導電層３７は、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｎ型電極パッド３とを電気的に接続しても良く、３個以上の発光部１０に含まれるｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８のそれぞれを、相互に電気的に接続しても良い。
導電層３７は、図７（ａ）に示したように紙面内の左右方向の一方向に限らず、紙面に垂直な方向等の任意の方向に形成されていても良い。 In FIG. 7A, as an example, a part of the conductive layer 37 electrically connects the n-type electrode pad 3 of one light emitting unit 10 and the p-type electrode pad 8 of another light emitting unit 10. , but the wiring configuration is not limited to this.
That is, the conductive layer 37 may electrically connect the n-type electrode pad 3 of one light-emitting unit 10 and the n-type electrode pad 3 of another light-emitting unit 10, and may be included in three or more light-emitting units 10. The n-type electrode pad 3 or the p-type electrode pad 8 may be electrically connected to each other.
The conductive layer 37 may be formed in any direction, such as a direction perpendicular to the paper surface, without being limited to one horizontal direction in the paper surface as shown in FIG. 7A.

なお、導電層３７が、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成される場合、導電層３７は、再配線層４０を、発光部１０側の再配線層４０に垂直な方向から見た上面視で、溝４３等の凹凸部と交差して形成されることになる。従って、溝４３等の凹凸部が、再配線層４０の絶縁部材４１に達する深さまで形成されていると、溝４３の形成に際して、導電層３７を破損する恐れがある。従って、変形例５の発光装置１ｆにおいては、溝４３等の凹凸部の最深部が、絶縁膜３４の内部になるように留めておく。 Note that when the conductive layer 37 is formed so as to electrically connect the plurality of light emitting units 10 to each other, the conductive layer 37 causes the rewiring layer 40 to be perpendicular to the rewiring layer 40 on the light emitting unit 10 side. When viewed from the top in the direction, it is formed so as to intersect with the concave and convex portions such as the grooves 43 and the like. Therefore, if the recesses and protrusions such as the grooves 43 are formed to a depth reaching the insulating member 41 of the rewiring layer 40, the conductive layer 37 may be damaged when the grooves 43 are formed. Therefore, in the light-emitting device 1f of Modified Example 5, the deepest part of the concave-convex portion such as the groove 43 is kept inside the insulating film 34 .

なお、上述の変形例３および変形例４の発光装置１ｄ、１ｅにおいても、変形例４の発光装置１ｆと同様に、導電層３７を、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成しても良い。 In the light-emitting devices 1d and 1e of Modifications 3 and 4 described above, as in the light-emitting device 1f of Modification 4, the conductive layer 37 is arranged so as to electrically connect the plurality of light-emitting portions 10 to each other. may be formed to

（第１実施形態の発光装置の変形例６）
図７（ｂ）は、上述の第１実施形態の発光装置１に対する変形例６の発光装置１ｇを示す図である。変形例６の発光装置１ｇの構成は、上述の第１実施形態の発光装置１と概ね共通しているため、以下では、同一の構成には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。 (Modification 6 of Light Emitting Device of First Embodiment)
FIG. 7(b) is a diagram showing a light emitting device 1g of Modification 6 of the light emitting device 1 of the above-described first embodiment. Since the configuration of the light emitting device 1g of Modification 6 is substantially the same as that of the light emitting device 1 of the above-described first embodiment, the same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

変形例６の発光装置１ｇは、上述の変形例６の発光装置１ｆと同様に、少なくとも一部の中層配線２２が、複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成されている。
なお、図７（ｂ）では、一例として一部の中層配線２２が、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｐ型電極パッド８とを電気的に接続した例を示しているが、配線の構成は、これに限るものではない。 In the light-emitting device 1g of Modification 6, at least a part of the middle-layer wirings 22 are formed so as to electrically connect the plurality of light-emitting portions 10 to each other, similarly to the light-emitting device 1f of Modification 6 described above. .
In FIG. 7B, as an example, a part of the intermediate layer wiring 22 electrically connects the n-type electrode pad 3 of one light emitting unit 10 and the p-type electrode pad 8 of another light emitting unit 10. , but the wiring configuration is not limited to this.

すなわち、中層配線２２は、１つの発光部１０のｎ型電極パッド３と他の発光部１０のｎ型電極パッド３とを電気的に接続しても良く、３個以上の発光部１０に含まれるｎ型電極パッド３またはｐ型電極パッド８のそれぞれを、相互に電気的に接続しても良い。
中層配線２２は、図７（ｂ）に示したように紙面内の左右方向の一方向に限らず、紙面に垂直な方向等の任意の方向に形成されていても良い。
また、中層配線２２に代えて、下層配線２１または上層配線２３が、上記と同様に複数の発光部１０を相互に電気的に接続するように形成されていても良い。 That is, the middle layer wiring 22 may electrically connect the n-type electrode pad 3 of one light-emitting unit 10 and the n-type electrode pad 3 of another light-emitting unit 10, and may be included in three or more light-emitting units 10. The n-type electrode pad 3 or the p-type electrode pad 8 may be electrically connected to each other.
The middle-layer wiring 22 may be formed in any direction, such as a direction perpendicular to the paper surface, not limited to one horizontal direction in the paper surface as shown in FIG. 7(b).
Further, instead of the middle layer wiring 22, the lower layer wiring 21 or the upper layer wiring 23 may be formed so as to electrically connect the plurality of light emitting portions 10 to each other in the same manner as described above.

（各実施形態および各変形例の発光装置に対する補足説明）
以上で説明した各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅのいずれにおいても、発光部１０が発する第１波長の光は、単一波長の光であっても良く、波長幅を有する光であっても良い。波長変換部材１２は、第１波長の光の全てを第２波長の光に変換しても良く、第１波長の光の一部を第２波長の光に変換しても良い。第２波長の光は、第１波長の光とは波長が異なる光であり、単一波長の光であっても良く、波長幅を有する光であっても良い。波長変換部材１２として蛍光体を含む材料を使用する場合には、一般的に第２波長は、第１波長よりも波長が長くなる。 (Supplementary explanation for the light-emitting device of each embodiment and each modification)
In any of the light emitting devices 1, 1a to 1e of each of the embodiments and modifications described above, the light of the first wavelength emitted by the light emitting section 10 may be light of a single wavelength. It may be the light that has. The wavelength conversion member 12 may convert all of the light of the first wavelength into light of the second wavelength, or may convert part of the light of the first wavelength into light of the second wavelength. The light of the second wavelength is light having a wavelength different from that of the light of the first wavelength, and may be light of a single wavelength or light having a wavelength width. When using a material containing a phosphor as the wavelength conversion member 12, the second wavelength is generally longer than the first wavelength.

以上で説明した、各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅは、必ずしもはんだボール３１を備えなくても良いが、柱状電極３９の端面または下層配線２１が、はんだボール３１を備えることにより、発光装置１、１ａの電子基板等への実装時のコストの低減が図れる。ただし、発光装置１、１ａ～１ｅを実装すべき電子基板等に予めはんだが形成されている場合には、はんだボール３１は不要である。 Although the light-emitting devices 1, 1a to 1e of each of the embodiments and modifications described above do not necessarily have the solder balls 31, the end faces of the columnar electrodes 39 or the lower layer wirings 21 have the solder balls 31. As a result, the cost for mounting the light emitting device 1, 1a on an electronic substrate or the like can be reduced. However, if the electronic substrate or the like on which the light emitting devices 1, 1a to 1e are to be mounted has solder formed in advance, the solder balls 31 are unnecessary.

以上で説明した、各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅにおいて、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の表面に形成する溝２８、４３等の凹凸部の段差は、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の厚さの１／５以上、かつ４／５以下とすることができる。段差がこの範囲より小さいと、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）と封止部３０、４４との接触面積を十分に増大させることができず、段差がこの範囲より大きいと、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の機械的な強度を弱めてしまう恐れがある。 In the light-emitting devices 1, 1a to 1e of the embodiments and modifications described above, the steps of the uneven portions such as the grooves 28, 43 formed on the surface of the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40) can be 1/5 or more and 4/5 or less of the thickness of the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40). If the step is smaller than this range, the contact area between the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40) and the sealing portions 30 and 44 cannot be sufficiently increased. There is a risk of weakening the mechanical strength of the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40).

以上で説明した各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅのいずれにおいても、溝２８、４３等の凹凸部は、上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成されている。ここで上面視とは、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）を、光源ユニット１５側の、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）に垂直な方向から見た場合を言う。
封止部３０、４４は、主に複数の光源ユニット１５のそれぞれの間を通って、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）の近傍に流入する。従って、溝部を上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成することにより、封止部３０、４４を高効率で溝部に充填することができ、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）と封止部３０、４４との接合力をさらに強化することができる。 In any of the light emitting devices 1, 1a to 1e of each of the embodiments and modifications described above, the uneven portions such as the grooves 28, 43 are formed at least partly around the plurality of light source units 15 when viewed from above. It is Here, the top view means that the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40) is viewed from a direction perpendicular to the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40) on the light source unit 15 side. To tell.
The sealing portions 30 and 44 mainly pass between the plurality of light source units 15 and flow into the vicinity of the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40). Therefore, by forming the grooves in at least a part of the periphery of the plurality of light source units 15 in a top view, the grooves can be filled with the sealing portions 30 and 44 with high efficiency, and the wiring structure (wiring substrate 20, The bonding strength between the rewiring layer 40) and the sealing portions 30 and 44 can be further enhanced.

以上で説明した、各実施形態および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｆのいずれにおいても、光透過部材１１を省略しても良い。この場合、工程１において図１（ａ）に示した被加工基板９に代えて、機械的強度の高い波長変換部材１２ａ上に直接複数の発光部１０が形成された被加工基板を用意すれば良い。 The light transmitting member 11 may be omitted in any of the light emitting devices 1, 1a to 1f of the embodiments and modifications described above. In this case, instead of the substrate to be processed 9 shown in FIG. good.

（第１実施形態、第２実施形態、および各変形例の発光装置の効果）
第１実施形態、第２実施形態、および各変形例の発光装置１、１ａ～１ｅによれば、以下の作用効果が得られる。
（１）第１実施形態、第２実施形態、および各変形例の発光装置１、ａ～１ｅは、配線構造物（配線基板２０、再配線層４０）と、配線構造物に電気的に接続されている複数の光源ユニット１５と、配線構造物と複数の光源ユニット１５とに接して配置されている封止部３０、４４とを備え、配線構造物は、複数の光源ユニット１５の側に凹凸部（溝２８、４３）を有し、凹凸部の少なくとも一部は封止部３０、４４と接触している。
この構成により、配線構造物の凹凸部により、配線構造物と封止部３０、４４との接触面積が増大するとともに、アンカー効果が発揮される。そのため、光源ユニット１５を保持する封止部３０、４４と配線構造物との間の接合力が強化された発光装置を実現できる。 (Effects of Light-Emitting Devices of First Embodiment, Second Embodiment, and Modifications)
According to the light emitting devices 1, 1a to 1e of the first embodiment, the second embodiment, and the modifications, the following effects are obtained.
(1) The light-emitting devices 1, a to 1e of the first embodiment, the second embodiment, and each modification are electrically connected to the wiring structure (wiring substrate 20, rewiring layer 40) and the wiring structure. and sealing portions 30 and 44 arranged in contact with the wiring structure and the plurality of light source units 15, and the wiring structure is provided on the side of the plurality of light source units 15. It has uneven portions (grooves 28 , 43 ), and at least part of the uneven portions are in contact with the sealing portions 30 , 44 .
With this configuration, the uneven portions of the wiring structure increase the contact area between the wiring structure and the sealing portions 30 and 44, and exhibit an anchor effect. Therefore, it is possible to realize a light emitting device in which the bonding strength between the sealing portions 30 and 44 holding the light source unit 15 and the wiring structure is enhanced.

（２）さらに、凹凸部（溝２８、４３）は、配線構造物のうちの絶縁性の部材で構成された絶縁部（絶縁性基板２５、絶縁部材４１）に形成されている構成とすることで、配線構造物と封止部３０、４４との接合力を一層強化することができる。
（３）さらに、凹凸部は、配線構造物の複数の光源ユニット１５の側の面に形成された溝部（溝２８、４３）とすることもできる。 (2) Further, the uneven portions (grooves 28, 43) are formed in the insulating portion (insulating substrate 25, insulating member 41) made of an insulating member in the wiring structure. , the bonding strength between the wiring structure and the sealing portions 30 and 44 can be further enhanced.
(3) Further, the uneven portions may be grooves (grooves 28 and 43) formed on the surface of the wiring structure on the side of the plurality of light source units 15. FIG.

（４）さらに、溝部（溝２８、４３）は、上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成されている構成とすることで、配線構造物と封止部３０、４４との接合力をさらに強化することができる。封止部３０、４４は、主に複数の光源ユニット１５のそれぞれの間を通って、配線構造物の近傍に流入する。従って、溝部を上面視で複数の光源ユニット１５の周囲の少なくとも一部に形成することにより、封止部３０、４４を高効率で溝部に充填することができるためである。 (4) Further, the grooves (grooves 28, 43) are formed in at least part of the periphery of the plurality of light source units 15 when viewed from above, so that the wiring structure and the sealing portions 30, 44 can further strengthen the bonding strength of The sealing portions 30 and 44 mainly pass between the plurality of light source units 15 and flow into the vicinity of the wiring structure. Therefore, by forming the groove at least partly around the plurality of light source units 15 in top view, the groove can be filled with the sealing portions 30 and 44 with high efficiency.

（５）さらに、溝部（溝２８、４３）の幅を、複数の光源ユニット１５の間の間隔に等しくすると、ダイシングソーによる切断により複数の光源ユニット１５を形成する工程（工程４、工程８Ａ）において、上記の切断と同時に溝部を形成することができ、溝部の形成工程のコストダウンが図れる。
（６）さらに、凹凸部の段差を、配線構造物の厚さの１／５以上、かつ４／５以下とすることで、光源ユニット１５を保持する封止部３０、４４と配線構造物との間の接合力を強化するとともに、配線構造物の機械的強度を維持することができる。 (5) Further, a step of forming a plurality of light source units 15 by cutting with a dicing saw when the width of the grooves (grooves 28, 43) is made equal to the spacing between the plurality of light source units 15 (step 4, step 8A). In the above, the grooves can be formed at the same time as the above-mentioned cutting, and the cost of the process of forming the grooves can be reduced.
(6) Further, by setting the step of the uneven portion to 1/5 or more and 4/5 or less of the thickness of the wiring structure, the sealing portions 30 and 44 holding the light source unit 15 and the wiring structure The mechanical strength of the wiring structure can be maintained while strengthening the bonding force between the wires.

（７）さらに、複数の光源ユニット１５のそれぞれは、配線構造物に電気的に接続されている発光部１０と、発光部１０の、配線構造物とは反対側に配置されている光透過部材１１と、を有する構成としても良い。この構成により、発光部１０を、光透過部材１１により機械的および化学的に保護することができる。
（８）さらに、複数の光源ユニット１５のそれぞれは、光透過部材１１の配線構造物とは反対側に配置され、複数の発光部１０から発する第１波長の光を第２波長の光に変換する波長変換部をさらに有する構成としても良い。この構成により、より広い波長域を有する光を発生する発光装置を実現できる。 (7) Further, each of the plurality of light source units 15 includes a light-emitting portion 10 electrically connected to the wiring structure, and a light-transmitting member disposed on the opposite side of the light-emitting portion 10 to the wiring structure. 11 and . With this configuration, the light-emitting section 10 can be mechanically and chemically protected by the light-transmitting member 11 .
(8) Furthermore, each of the plurality of light source units 15 is arranged on the opposite side of the light transmitting member 11 from the wiring structure, and converts light of the first wavelength emitted from the plurality of light emitting units 10 into light of the second wavelength. It is good also as a structure which further has the wavelength conversion part which carries out. With this configuration, it is possible to realize a light-emitting device that emits light having a wider wavelength range.

（９）さらに、複数の光源ユニット１５の配線構造物とは反対側に、複数の光源ユニット１５から発する第１波長の光を第２波長の光に変換する波長変換部を有する構成としても良い。この構成により、より広い波長域を有する光を発生する発光装置を実現できる。
（１０）さらに、配線構造物を、絶縁性基板２５と絶縁性基板２５内に形成された配線（２１～２３）とを有する配線基板２０とすることで、発光装置１、１ａ、１ｂの機械的強度を一層高めることができる。 (9) Furthermore, a configuration may be adopted in which a wavelength conversion section for converting light of the first wavelength emitted from the plurality of light source units 15 into light of the second wavelength is provided on the side opposite to the wiring structure of the plurality of light source units 15. . With this configuration, it is possible to realize a light-emitting device that emits light having a wider wavelength range.
(10) Further, by using the wiring substrate 20 having the insulating substrate 25 and the wirings (21 to 23) formed in the insulating substrate 25 as the wiring structure, the mechanical structure of the light emitting devices 1, 1a, 1b It is possible to further increase the target strength.

上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。 Although various embodiments and modifications have been described above, the present invention is not limited to these contents. Other aspects conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention.

１，１ａ～１ｅ…発光装置、２…ｎ型半導体層、３…ｎ型電極パッド、４…発光層、５…ｐ型半導体層、６…透明電極、７…保護膜、８…ｐ型電極パッド、９…被加工基板、１０…発光部、１１，１１ａ…光透過部材、１２，１２ａ…波長変換部材、１３，１３ａ…保護部材、２０…配線基板、２１…下層配線、２２…中層配線、２３…上層配線、２５…絶縁性基板（絶縁部）、２４…はんだ、２７…空隙部、２８，４３…溝（凹凸部）、３０，４４…封止部、３１…はんだボール、３４…絶縁膜、３５…シード層、３６，３８…フォトレジスト、３７…導電層、３９…柱状電極、４０…再配線層、４１…絶縁部材（絶縁部） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a-1e... Light-emitting device, 2... n-type semiconductor layer, 3... n-type electrode pad, 4... light-emitting layer, 5... p-type semiconductor layer, 6... transparent electrode, 7... protective film, 8... p-type electrode Pad 9 Substrate to be processed 10 Light-emitting portion 11, 11a Light-transmitting member 12, 12a Wavelength converting member 13, 13a Protective member 20 Wiring substrate 21 Lower-layer wiring 22 Middle-layer wiring , 23... Upper layer wiring 25... Insulating substrate (insulating portion) 24... Solder 27... Gap portion 28, 43... Groove (uneven portion) 30, 44... Sealing portion 31... Solder ball 34... Insulating film 35 Seed layer 36, 38 Photoresist 37 Conductive layer 39 Columnar electrode 40 Rewiring layer 41 Insulating member (insulating portion)

Claims

preparing a substrate to be processed on which a plurality of light emitting units are arranged in the same plane;
arranging a wiring structure on the side opposite to the direction in which light is emitted from the plurality of light emitting units, and electrically connecting the plurality of light emitting units and the wiring structure;
cutting the substrate to be processed with a dicing saw from the side opposite to the surface on which the plurality of light emitting portions are electrically connected to the wiring structure so as to cut between the plurality of adjacent light emitting portions; forming a light source unit including the same number of the light emitting units as the light emitting units;
sealing a gap between the light source unit and the wiring structure and between the light source units with a sealing part;
grooves are formed in a surface of the wiring structure facing the light-emitting portions, at least partly around the plurality of light-emitting portions in top view when cutting between the plurality of light-emitting portions;
The sealing portion is filled so as to be in contact with at least a portion of the groove ,
A method of manufacturing a light-emitting device , wherein the width of the groove is equal to the interval between the adjacent light source units .

In the method for manufacturing the light emitting device according to claim 1,
The method for manufacturing a light-emitting device, wherein the groove is formed in an insulating portion made of an insulating member in the wiring structure.

In the method for manufacturing the light emitting device according to claim 1,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein the wiring structure is a wiring substrate having an insulating substrate and wiring formed in the insulating substrate.

In the method for manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 3 ,
The method of manufacturing a light-emitting device, wherein the step of the groove is 1/5 or more and 4/5 or less of the thickness of the wiring structure.

In the method for manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 4,
Each of the plurality of light source units,
A method of manufacturing a light -emitting device, further comprising a light-transmitting member disposed on the opposite side of the light-emitting portion from the wiring structure.

In the method for manufacturing a light emitting device according to claim 5 ,
Each of the plurality of light source units,
A method for manufacturing a light-emitting device, further comprising: a wavelength conversion section disposed on the opposite side of the light-transmitting member from the wiring structure and configured to convert light of a first wavelength emitted from the plurality of light-emitting sections into light of a second wavelength. .

In the method for manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 6 ,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein a surface of the light source unit opposite to the wiring structure and a surface of the sealing portion opposite to the wiring structure are on the same plane.

In the method for manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 5 ,
A method of manufacturing a light-emitting device, comprising: a wavelength conversion section that converts light of a first wavelength emitted from the plurality of light source units into light of a second wavelength on the side opposite to the wiring structure of the plurality of light source units.