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JP7267986B2 - Information processing apparatus, determination method, calculation method, program, lithography system, and article manufacturing method - Google Patents
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Information processing apparatus, determination method, calculation method, program, lithography system, and article manufacturing method Download PDF

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

本発明は、情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an information processing apparatus, determination method, calculation method, program, lithography system, and article manufacturing method.

半導体デバイス、MEMS、またはフラットパネルディスプレイなどの物品の製造において、基板上に形成するパターンの微細化が進み、リソグラフィ装置の解像力、重ね合わせ精度、生産性等に関する性能の向上への要求が高まっている。 In the manufacture of articles such as semiconductor devices, MEMS, or flat panel displays, patterns formed on substrates have become finer, and there has been a growing demand for improvements in the resolution, overlay accuracy, productivity, etc. of lithography equipment. there is

リソグラフィ装置に関する性能の向上への要求を満たすためには、リソグラフィ装置に関する性能の低下を招く可能性のある異常を解消する必要がある。 In order to meet the demand for increased performance of lithographic apparatus, there is a need to eliminate anomalies that can lead to decreased performance of the lithographic apparatus.

特許文献1では、エンジニアを介することなく半導体製造装置の異常を自動的に解消することが可能な半導体製造装置の管理方法が開示されている。複数台の半導体製造装置の中から半導体集積回路の不良発生原因となる半導体製造装置を特定し、半導体製造装置の内部状態が正常状態か否かを判定する。そして、正常状態から逸脱している場合は、内部状態が正常状態に復帰するように入力を制御する。 Patent Literature 1 discloses a management method of a semiconductor manufacturing apparatus capable of automatically resolving an abnormality in the semiconductor manufacturing apparatus without the intervention of an engineer. A semiconductor manufacturing apparatus that causes a defect in a semiconductor integrated circuit is specified from among a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses, and it is determined whether or not the internal state of the semiconductor manufacturing apparatus is normal. If the state deviates from the normal state, the input is controlled so that the internal state returns to the normal state.

特開2011-54804号公報JP 2011-54804 A

特許文献1では、半導体製造装置の内部状態を表す装置パラメータであるEES(Equipment Engineering System)データから、主成分分析により主成分ベクトルを算出する。そして、主成分ベクトルが属する主成分空間において、主成分ベクトルが正常状態を表す領域に属するか否かを判定する。しかし、正常状態を表す領域は、半導体製造装置おいて適用される処理条件によって異なる場合がある。つまり、EESデータが取得された際に半導体製造装置において適用される処理条件によって、正常状態であるか否かを判定するための正常状態を表す領域の範囲が変わることがある。よって、処理条件を考慮して正常状態を表す領域を決定しないと、正確に半導体製造装置の内部状態が正常状態か否かを判定することが困難となり得る。 In Patent Document 1, principal component vectors are calculated by principal component analysis from EES (equipment engineering system) data, which are device parameters representing the internal state of a semiconductor manufacturing device. Then, in the principal component space to which the principal component vector belongs, it is determined whether or not the principal component vector belongs to the region representing the normal state. However, the region representing the normal state may differ depending on the processing conditions applied in the semiconductor manufacturing equipment. In other words, depending on the processing conditions applied in the semiconductor manufacturing apparatus when the EES data is acquired, the range of the region representing the normal state for determining whether the state is normal may change. Therefore, unless the area representing the normal state is determined in consideration of the processing conditions, it may be difficult to accurately determine whether the internal state of the semiconductor manufacturing apparatus is normal.

そこで本発明は、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定して、異常を解消するための保全方法を決定することができる情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィシステム、および物品の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides an information processing apparatus, a determination method, a calculation method, a program, a lithography system, and an information processing apparatus capable of accurately determining an abnormality occurring in a lithography apparatus and determining a maintenance method for resolving the abnormality. It aims at providing the manufacturing method of articles.

上記課題を解決する本発明の一側面としての情報処理装置は、パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき第1許容範囲を算出すると共に、前記取得手段により取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき前記第1許容範囲とは異なる第2許容範囲を算出する算出手段と、前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データが前記第1許容範囲外にある場合に前記第3収集データに異常が発生していると判定し、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データが前記第2許容範囲外にある場合に前記第4収集データに異常が発生していると判定する判定手段と、を有する。 An information processing apparatus as one aspect of the present invention for solving the above-described problems provides a plurality of lithography processes performed under first process conditions that predetermine the conditions of lithography processes performed in a pattern forming lithography apparatus. and acquiring a first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a second process condition that predefines a condition of the lithographic process, different from the first process conditions. 2 acquisition means for acquiring collected data; calculating a first allowable range based on accumulated data of the first collected data acquired by the acquisition means ; and calculating the second collected data acquired by the acquisition means. calculating means for calculating a second allowable range different from the first allowable range based on the accumulated data; If it is outside the first allowable range, it is determined that an abnormality has occurred in the third collected data, and the fourth collected data related to lithography processing performed under the second processing conditions is within the second allowable range. and determining means for determining that an abnormality has occurred in the fourth collected data when it is outside the range.

本発明によれば、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定して、異常を解消するための保全方法を決定することができる情報処理装置、判定方法、算出方法、プログラム、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, an information processing apparatus, a determination method, a calculation method, a program, a lithography apparatus, capable of accurately determining an abnormality occurring in a lithography apparatus and determining a maintenance method for resolving the abnormality. A lithography system and method for manufacturing an article can be provided.

リソグラフィシステムを示した図である。1 depicts a lithography system; FIG. 露光装置を示した図である。It is the figure which showed the exposure apparatus. 情報処理装置のハードウェア構成を示した図である。It is the figure which showed the hardware constitutions of the information processing apparatus. 診断装置のCPUの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of CPU of a diagnostic apparatus. 露光装置の異常を判定する方法を示したフローチャートである。4 is a flow chart showing a method of determining an abnormality in an exposure device; ロットデータを示した図である。FIG. 4 is a diagram showing lot data; ロットデータが蓄積される蓄積データを示した図である。FIG. 4 is a diagram showing accumulated data in which lot data is accumulated; 蓄積データに蓄積された基準データを示した図である。FIG. 4 is a diagram showing reference data accumulated in accumulated data; 同期精度データと許容範囲を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing synchronization accuracy data and an allowable range; 同期精度データと複数の許容範囲を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing synchronization accuracy data and a plurality of allowable ranges; 検知された異常と保全方法の関係の一例を示した図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of the relationship between detected abnormalities and maintenance methods; 保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。4 is a flow chart illustrating a method of determining a maintenance method; 履歴情報を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing history information; 同期精度異常の要因を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing factors of synchronization accuracy abnormality; 要因分析を用いて保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。1 is a flow chart illustrating a method of determining a maintenance strategy using factor analysis; ウエハステージの偏差の波形を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a waveform of deviation of a wafer stage; 異常の要因と保全方法の関係を示した図である。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the cause of abnormality and the maintenance method; 複数の診断装置と集中管理装置が構成されたリソグラフィシステムを示した図である。1 illustrates a lithography system configured with multiple diagnostic devices and a centralized control device; FIG.

以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

本実施例では、複数のリソグラフィ装置と診断装置からなるリソグラフィシステムについて説明する。図1はリソグラフィシステムを示した図である。本実施例のリソグラフィシステム100は、ウエハ(基板)にパターンを形成するリソグラフィ装置200乃至203と、リソグラフィ装置の異常を判定してリソグラフィ装置を保全するための保全方法を決定する診断装置300とを有する。ここで、リソグラフィ装置を保全するための保全方法とは、リソグラフィ装置の異常を解消するために実行される方法である。例えば、後述のウエハステージの位置の誤差に関する異常が判定された場合、リソグラフィ装置を保全するためにウエハステージの振動を低減するための保全方法が実行され得る。また、リソグラフィ装置は、パターンが形成されたレチクル(マスク、原版)に光を照射して、レチクルからの光でウエハ上のショット領域にパターンを投影する露光装置を含み得る。また、リソグラフィ装置は、例えば、ウエハ上に供給されたインプリント材と型(原版、モールド)とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の形状が転写された組成物を形成するインプリント装置を含み得る。また、リソグラフィ装置は、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置を含み得る。また、リソグラフィ装置は、例えば、感光媒体などを基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、露光装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含み得る。また、図1においては、リソグラフィ装置200乃至203が構成されているが、リソグラフィ装置の数は4に限定されるものではない。 In this example, a lithography system comprising a plurality of lithographic apparatus and diagnostic apparatus is described. FIG. 1 shows a lithography system. The lithography system 100 of this embodiment includes lithography apparatuses 200 to 203 that form patterns on wafers (substrates), and a diagnosis apparatus 300 that determines an abnormality in the lithography apparatus and determines a maintenance method for maintaining the lithography apparatus. have. Here, a maintenance method for maintaining the lithographic apparatus is a method that is performed to eliminate an abnormality in the lithographic apparatus. For example, if an anomaly related to a wafer stage positional error, described below, is determined, a maintenance method may be implemented to reduce vibration of the wafer stage to maintain the lithographic apparatus. Also, the lithography apparatus may include an exposure apparatus that irradiates a reticle (mask, master) on which a pattern is formed with light and projects the pattern onto a shot area on the wafer with the light from the reticle. In addition, the lithography apparatus, for example, brings an imprint material supplied onto a wafer into contact with a mold (original plate, mold), and applies energy for curing to the imprint material, thereby forming a composition having the shape of the mold transferred. It may include an imprinting device that forms an object. The lithographic apparatus can also include a writing apparatus that writes on a substrate with a charged particle beam (such as an electron beam or an ion beam) through a charged particle optical system to form a pattern on the substrate. In addition, the lithography apparatus includes, for example, a coating apparatus that applies a photosensitive medium or the like onto the surface of a substrate, a developing apparatus that develops a substrate on which a pattern has been transferred, and an apparatus such as an exposure apparatus in the manufacture of articles such as devices. It may also include a manufacturing apparatus that performs steps other than the step of carrying out. Also, although lithographic apparatuses 200 to 203 are configured in FIG. 1, the number of lithographic apparatuses is not limited to four.

次に、リソグラフィ装置200乃至203の一例として、パターンが形成されたレチクルからの光でウエハを露光する露光装置について説明する。図2はリソグラフィ装置の一例としての露光装置を示した図である。本実施例に係る露光装置204は、レチクルステージ及びウエハステージを同期駆動させながら露光するステップアンドスキャン方式の露光装置(スキャナ)として説明する。また、露光装置204はスキャナに限られず、ウエハステージを静止させた状態で露光するステップアンドリピート方式の露光装置(ステッパ)としても良い。図2の例では、露光装置204は光源7、照明光学系8、レチクルステージ2、投影光学系3、ウエハステージ6、ウエハチャック5、及び制御部16を有する。また、露光装置204は、レーザ干渉計9、レーザ干渉計10、フォーカスセンサ11、ウエハ搬送部12、レチクル搬送部14、及びアライメントスコープ15を有する。また、図2では、投影光学系3の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な平面内で互いに直交する2方向をX軸方向及びY軸方向とする。 Next, as an example of the lithography apparatuses 200 to 203, an exposure apparatus that exposes a wafer with light from a reticle on which a pattern is formed will be described. FIG. 2 shows an exposure apparatus as an example of a lithographic apparatus. The exposure apparatus 204 according to this embodiment will be described as a step-and-scan exposure apparatus (scanner) that performs exposure while synchronously driving the reticle stage and the wafer stage. Further, the exposure device 204 is not limited to a scanner, and may be a step-and-repeat type exposure device (stepper) that performs exposure while the wafer stage is stationary. In the example of FIG. 2, the exposure apparatus 204 has a light source 7, an illumination optical system 8, a reticle stage 2, a projection optical system 3, a wafer stage 6, a wafer chuck 5, and a controller 16. The exposure apparatus 204 also has a laser interferometer 9 , a laser interferometer 10 , a focus sensor 11 , a wafer transfer section 12 , a reticle transfer section 14 and an alignment scope 15 . In FIG. 2, the direction parallel to the optical axis of the projection optical system 3 is defined as the Z-axis direction, and the two directions perpendicular to each other in a plane perpendicular to the Z-axis direction are defined as the X-axis direction and the Y-axis direction.

光源7としては、例えば高圧水銀ランプ、ArFエキシマレーザ、及びKrFエキシマレーザなどがある。また、光源7は、露光装置のチャンバ内部にあるとは限らず、外付けになっている構成もあり得る。光源7を出た光は照明光学系8を介して、不図示のレチクル1(原版、マスク)を照明する。レチクル1は、感光材が塗布されたウエハ4(基板)上に転写するパターンが描画されており、レチクルステージ2に搭載される。レチクルステージ2は、レチクルチャック(不図示)を介してレチクルを吸着保持し、例えば、リニアモータ(不図示)により移動可能に構成される。 Examples of the light source 7 include a high-pressure mercury lamp, ArF excimer laser, and KrF excimer laser. Further, the light source 7 is not necessarily inside the chamber of the exposure apparatus, and may be externally attached. Light emitted from a light source 7 illuminates a reticle 1 (original, mask) (not shown) through an illumination optical system 8 . A reticle 1 has a pattern to be transferred onto a wafer 4 (substrate) coated with a photosensitive material, and is mounted on a reticle stage 2 . The reticle stage 2 attracts and holds a reticle via a reticle chuck (not shown), and is movable by, for example, a linear motor (not shown).

投影光学系3は、レチクル1に描画されたパターンの像を、ウエハチャック5上に載置されたウエハ4上に投影(露光)する。パターンの像をウエハ4上に投影する際に、投影光学系3を介して投影倍率(例えば、1/4)で反転縮小した像が、ウエハ4上に投影される。パターンの像が投影される領域をショット領域とすると、ウエハ4には複数のショット領域が設定され、順次、ショット領域への投影が繰り返し行われる。 The projection optical system 3 projects (exposes) the image of the pattern drawn on the reticle 1 onto the wafer 4 placed on the wafer chuck 5 . When projecting the image of the pattern onto the wafer 4 , the image is reversed and reduced at a projection magnification (for example, 1/4) through the projection optical system 3 and projected onto the wafer 4 . Assuming that an area onto which a pattern image is projected is a shot area, a plurality of shot areas are set on the wafer 4, and projection onto the shot areas is repeated in sequence.

ウエハステージ6はリニアモータ(不図示)に駆動されることによって、X方向、Y方向に移動可能である。ウエハチャック5は、ウエハステージ6上に搭載され、ウエハ4を保持する。ウエハステージ6はウエハチャック5をZ方向、θ方向、ωX方向、およびωY方向に位置決めする。このように、ウエハチャック5に保持されたウエハ4は、ウエハステージ6、およびウエハチャック5の駆動によって移動する。 The wafer stage 6 is movable in the X and Y directions by being driven by a linear motor (not shown). A wafer chuck 5 is mounted on the wafer stage 6 and holds the wafer 4 . The wafer stage 6 positions the wafer chuck 5 in the Z direction, .theta. direction, .omega.X direction, and .omega.Y direction. Thus, the wafer 4 held by the wafer chuck 5 is moved by driving the wafer stage 6 and the wafer chuck 5 .

レーザ干渉計9は、レチクルステージ2のY方向の位置を計測し、かつレチクルステージ2の姿勢を計測する。レーザ干渉計9には、同様にレチクルステージ2のX方向の位置を計測するためのレーザ干渉計(不図示)を含む。また、レーザ干渉計10は、ウエハ4を搭載するウエハステージ6のY方向の位置を計測し、かつウエハステージ6の姿勢を計測する。また、レーザ干渉計10には、同様にウエハステージ6のX方向の位置を計測するレーザ干渉計(不図示)を含む。レチクルステージ2とウエハステージ6とは、レーザ干渉計9、レーザ干渉計10によって計測された位置に基づき、後述の制御部16により位置が制御される。 A laser interferometer 9 measures the position of the reticle stage 2 in the Y direction and also measures the attitude of the reticle stage 2 . The laser interferometer 9 similarly includes a laser interferometer (not shown) for measuring the position of the reticle stage 2 in the X direction. The laser interferometer 10 also measures the Y-direction position of the wafer stage 6 on which the wafer 4 is mounted, and also measures the attitude of the wafer stage 6 . The laser interferometer 10 also includes a laser interferometer (not shown) that similarly measures the position of the wafer stage 6 in the X direction. The positions of the reticle stage 2 and the wafer stage 6 are controlled by a controller 16 described later based on the positions measured by the laser interferometers 9 and 10 .

フォーカスセンサ11は、ウエハ4に対して光(複数のビーム)を投射する投光系11aと、ウエハからの反射光を受光する受光系11bと、受光系からの光を検出し制御部16へ検出信号を出力する検出部(不図示)とを含む。投光系11aと受光系11bは、投影光学系3の射出部付近を挟むように設置され、投光系11aがウエハに斜入射光を照射し、受光系11bが反対側で反射した光を取り込む。フォーカスセンサ11により検出された検出信号から、後述の制御部16がウエハ4のZ方向の位置を計測して、ウエハステージ6によるウエハ4の移動を制御する。 The focus sensor 11 includes a light projecting system 11a for projecting light (a plurality of beams) onto the wafer 4, a light receiving system 11b for receiving reflected light from the wafer, and a controller 16 for detecting light from the light receiving system. and a detector (not shown) that outputs a detection signal. The light projecting system 11a and the light receiving system 11b are installed so as to sandwich the vicinity of the exit part of the projection optical system 3. The light projecting system 11a irradiates the wafer with obliquely incident light, and the light receiving system 11b receives the light reflected on the opposite side. take in. A control unit 16 , which will be described later, measures the position of the wafer 4 in the Z direction from the detection signal detected by the focus sensor 11 and controls the movement of the wafer 4 by the wafer stage 6 .

ウエハ搬送部12はウエハ4を搬送する。ウエハ搬送部12は、ウエハ4を収納するウエハ収納容器(不図示)等からウエハステージ6にウエハ4を搬送する。また、ウエハ搬送部12は、ウエハステージ6からウエハ収納容器等へウエハ4を搬送する。 A wafer transfer unit 12 transfers the wafer 4 . The wafer transfer unit 12 transfers the wafer 4 from a wafer storage container (not shown) or the like that stores the wafer 4 to the wafer stage 6 . A wafer transfer section 12 transfers the wafer 4 from the wafer stage 6 to a wafer container or the like.

レチクル搬送部14はレチクル1を搬送する。レチクル搬送部14は、レチクル1を収納するレチクル収納容器(不図示)等からレチクルステージ2にレチクル1を搬送する。また、レチクル搬送部14は、レチクルステージ2からレチクル収納容器等へレチクル1を搬送する。 A reticle transport unit 14 transports the reticle 1 . The reticle transport unit 14 transports the reticle 1 to the reticle stage 2 from a reticle storage container (not shown) that stores the reticle 1 or the like. A reticle transport unit 14 transports the reticle 1 from the reticle stage 2 to a reticle storage container or the like.

アライメントスコープ15は、ウエハチャック5に保持されたウエハ4の位置決め(アライメント)を行うために、ウエハ4上に形成されたマークを撮像したデジタル画像信号を取得する。アライメントスコープ15は、ウエハ4からの反射光の明るさ、即ち濃淡に応じた濃淡画像信号を出力するイメージセンサ(不図示)と、そのイメージセンサから得られる濃淡画像信号をデジタル画像信号に変換するA/D変換器(不図示)を備える。後述の制御部16は、取得されたデジタル画像信号を用いてウエハ4上に形成されたマークの位置を検出して、検出したマークの位置に基づきウエハステージ6を制御してウエハ4の位置決めを行う。 The alignment scope 15 obtains digital image signals of marks formed on the wafer 4 in order to position (align) the wafer 4 held by the wafer chuck 5 . The alignment scope 15 includes an image sensor (not shown) that outputs a grayscale image signal corresponding to the brightness of the reflected light from the wafer 4, that is, the grayscale, and converts the grayscale image signal obtained from the image sensor into a digital image signal. An A/D converter (not shown) is provided. A control unit 16, which will be described later, detects the position of a mark formed on the wafer 4 using the acquired digital image signal, and controls the wafer stage 6 based on the detected position of the mark to position the wafer 4. conduct.

制御部16は、露光装置204の各部の動作および調整などを制御することでウエハ4を露光する処理を制御する。制御部16は、例えば、FPGA(Field Programmable Gate Arrayの略。)などのPLD(Programmable Logic Deviceの略。)、ASIC(Application Specific Integrated Circuitの略。)、プログラムが組み込まれたコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合せによって構成されうる情報処理装置である。また、制御部16は複数の情報処理装置から構成され得る。また、制御部16は、露光装置204の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成しても良いし、露光装置204の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成しても良い。また、制御部16は、後述の記憶装置等から取得した処理条件を適用してウエハ4の露光処理(リソグラフィ処理)を実行するように制御する。露光処理に適用される処理条件には、例えば、ウエハ搬送部12によりウエハ4をウエハステージ6に搬送するときの速度、経路などを定めた搬送条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、ウエハステージ6によりウエハ4を位置決めするときの許容誤差などを定めた位置決め条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、フォーカスセンサ11による計測するときの光の照射時間、照射タイミングなどを定めた計測条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、ウエハ4を露光するときのレチクル1の識別子、ウエハ4上のショット領域のレイアウト、照明モードなど定めた露光条件が含まれ得る。また、露光処理に適用される処理条件には、例えば、露光装置204内の温度や気圧を定めた環境条件、露光装置の機種、ソフトウェアのバージョンなどの情報を含むセットアップ条件が含まれ得る。 The control unit 16 controls the processing of exposing the wafer 4 by controlling the operation and adjustment of each unit of the exposure device 204 . The control unit 16 is, for example, a PLD (abbreviation of Programmable Logic Device) such as FPGA (abbreviation of Field Programmable Gate Array), ASIC (abbreviation of Application Specific Integrated Circuit), a computer in which a program is installed, or these It is an information processing device that can be configured by a combination of all or part of. Also, the control unit 16 may be composed of a plurality of information processing devices. Further, the control unit 16 may be configured integrally with other parts of the exposure apparatus 204 (within a common housing), or may be configured separately from other parts of the exposure apparatus 204 (within another housing). may be configured. Further, the control unit 16 performs control so that exposure processing (lithography processing) of the wafer 4 is performed by applying processing conditions obtained from a storage device or the like, which will be described later. The processing conditions applied to the exposure process may include, for example, transfer conditions that determine the speed, route, etc., when the wafer transfer unit 12 transfers the wafer 4 to the wafer stage 6 . Further, the processing conditions applied to the exposure processing may include, for example, positioning conditions that define the allowable error when the wafer 4 is positioned by the wafer stage 6 . Further, the processing conditions applied to the exposure processing may include, for example, measurement conditions that define the light irradiation time, irradiation timing, and the like for measurement by the focus sensor 11 . Further, the processing conditions applied to the exposure processing may include predetermined exposure conditions such as the identifier of the reticle 1 when exposing the wafer 4, the layout of shot areas on the wafer 4, and the illumination mode. Further, the processing conditions applied to the exposure processing may include, for example, environmental conditions that define the temperature and atmospheric pressure in the exposure apparatus 204, setup conditions including information such as the model of the exposure apparatus and software version.

図3は情報処理装置のハードウェア構成を示した図である。情報処理装置の各ハードウェア構成は、プログラムに従って機能する。図3の例では、CPU301は、プログラムに従って制御のための演算を行い、バス308に接続された各構成要素を制御する処理装置である。ROM302は、データ読出し専用のメモリであり、プログラムやデータが格納されている。RAM303は、データ読み書き用のメモリであり、プログラムやデータの保存用に用いられる。RAM303は、CPU301の演算の結果等のデータの一時保存用に用いられる。記憶装置304も、プログラムやデータの保存用に用いられる。記憶装置304は、情報処理装置のオペレーティングシステム(OS)のプログラム、およびデータの一時保存領域としても用いられる。記憶装置304は、RAM303に比べてデータの入出力は遅いが、大容量のデータを保存することが可能である。記憶装置304は、保存するデータを長期間にわたり参照できるように、永続的なデータとして保存できる不揮発性記憶装置であることが望ましい。記憶装置304は、主に磁気記憶装置(HDD)で構成されるが、CD、DVD、メモリカードといった外部メディアを装填してデータの読み込みや書き込みを行う装置であっても良い。入力装置305は、情報処理装置に文字やデータを入力するための装置であり、各種のキーボードやマウスなどが該当する。表示装置306は、情報処理装置の操作に必要な情報や処理結果などを表示するための装置であり、CRT又は液晶モニターなどが該当する。通信装置307は、ネットワークに接続してTCP/IP等の通信プロトコルによるデータ通信を行い、他の情報処理装置と相互に通信を行う場合に使用される。また、情報処理装置には高速な演算処理を可能とするために、不図示のGPU(Graphics Processor Unitの略。)が構成されていても良い。 FIG. 3 is a diagram showing the hardware configuration of the information processing apparatus. Each hardware configuration of the information processing apparatus functions according to a program. In the example of FIG. 3, the CPU 301 is a processing device that performs control operations according to a program and controls each component connected to the bus 308 . A ROM 302 is a data read-only memory, and stores programs and data. A RAM 303 is a memory for reading and writing data, and is used for storing programs and data. The RAM 303 is used for temporary storage of data such as results of calculations by the CPU 301 . Storage device 304 is also used for storing programs and data. The storage device 304 is also used as an operating system (OS) program of the information processing apparatus and a temporary storage area for data. The storage device 304 is slower in data input/output than the RAM 303, but can store a large amount of data. The storage device 304 is desirably a non-volatile storage device that can be stored as permanent data so that the stored data can be referenced over a long period of time. The storage device 304 is mainly composed of a magnetic storage device (HDD), but may be a device that loads external media such as a CD, DVD, or memory card to read and write data. The input device 305 is a device for inputting characters and data to the information processing device, and corresponds to various keyboards and mice. A display device 306 is a device for displaying information necessary for operating the information processing device, processing results, and the like, and corresponds to a CRT, a liquid crystal monitor, or the like. The communication device 307 is used when connecting to a network and performing data communication using a communication protocol such as TCP/IP and communicating with other information processing devices. Further, the information processing apparatus may include a GPU (abbreviation for Graphics Processor Unit) (not shown) in order to enable high-speed arithmetic processing.

次に、診断装置300について説明する。診断装置300は情報処理装置であり、例えば、図3の例で示される構成を含む。診断装置300は、通信装置307を介して複数の露光装置204とデータを通信するために接続している。図4は診断装置300のCPUの構成を示す図である。診断装置300のCPUは、取得部401、蓄積部402、異常判定部403、保全部404、及び出力部405を含む。 Next, diagnostic device 300 will be described. The diagnostic device 300 is an information processing device and includes, for example, the configuration shown in the example of FIG. The diagnostic apparatus 300 is connected to communicate data with a plurality of exposure apparatuses 204 via a communication device 307 . FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the CPU of the diagnostic device 300. As shown in FIG. The CPU of diagnostic device 300 includes acquisition section 401 , accumulation section 402 , abnormality determination section 403 , maintenance section 404 , and output section 405 .

次に、診断装置300が露光装置の異常を判定する方法について説明する。図5は露光装置の異常を判定する方法を示したフローチャートである。まず、ステップ501において、取得部401は、露光装置204からロットデータを取得する。また、取得部401は、ロットデータと共に、露光装置を特定する情報(例えば、露光装置を示すID)、ロットデータが取得されたときに適用された処理条件を特定する情報(例えば、処理条件を示すID)を取得する。 Next, a method by which the diagnosis apparatus 300 determines an abnormality in the exposure apparatus will be described. FIG. 5 is a flow chart showing a method for judging an abnormality in the exposure apparatus. First, at step 501 , the acquisition unit 401 acquires lot data from the exposure apparatus 204 . In addition to the lot data, the acquisition unit 401 also acquires information specifying the exposure apparatus (for example, an ID indicating the exposure apparatus) and information specifying the processing conditions applied when the lot data was acquired (for example, the processing conditions). (ID shown).

ここで、ロットデータについて説明する。図6はロットデータの一例を示した図である。露光装置204を用いてウエハ4の露光を行う場合、複数のウエハ4(例えば、25枚のウエハ4)を含むロットという単位で扱う。また、同じロットに属する複数のウエハ4に対して露光を行う場合、同じ処理条件が適用される。また、ウエハ上の露光すべき領域として複数のショット領域(例えば、100のショット領域)のレイアウトが予め定められ、露光装置204はウエハ上の複数のショット領域に対して露光を繰り返し行う。また、図6の例では、ロットに属するウエハの枚数を25枚、ウエハ上のショット領域の数を100としているが、これらの数に限られない。 Here, lot data will be explained. FIG. 6 is a diagram showing an example of lot data. When exposing the wafers 4 using the exposure apparatus 204, each lot is treated as a unit containing a plurality of wafers 4 (for example, 25 wafers 4). Also, when exposure is performed on a plurality of wafers 4 belonging to the same lot, the same processing conditions are applied. A layout of a plurality of shot areas (for example, 100 shot areas) is predetermined as areas to be exposed on the wafer, and the exposure device 204 repeatedly exposes the plurality of shot areas on the wafer. Also, in the example of FIG. 6, the number of wafers belonging to the lot is 25 and the number of shot areas on the wafer is 100, but the numbers are not limited to these.

ロットデータは、そのようなロットに属する複数のウエハに対して同じ処理条件を適用して露光を行ったときに収集されたデータ(以下、収集データとする。)の集まりである。ロットデータは階層的な構造となっており、ウエハの複数のショット領域に対して露光を行った時に収集された収集データが、ウエハ毎、又はショット領域毎に分類されて格納されている。また、図6の例では、同期精度データ、照度データがショット領域毎に、ステージ偏差データ、アライメント計測データがウエハ毎に分類されて格納されている。ここで、同期精度データとは、対象のショット領域を露光するためにレチクルステージ2とウエハステージ6を、例えばY軸方向において同期して駆動させる期間におけるレチクルステージ2とウエハステージ6との相対的な位置の誤差を示すデータである。また、同期精度データは、レチクルステージ2とウエハステージ6とが同期して駆動される期間において収集された、レチクルステージ2とウエハステージ6とに関する後述のステージ偏差データに基づき制御部16により求められる。同期精度データが大きくなると、重ね合わせ性能や像性能に影響が生じるので、同期精度データを監視することで露光装置204の異常を判定することができる。また、照度データとは、ショット領域が露光される期間においてショット領域に照射する光の強度を示す値である。照度データは、例えば、ショット領域を露光する期間において、照明光学系8内に配置され光の強度を計測する光量センサ(不図示)により計測された結果に基づき、制御部16により求められる。また、ステージ偏差データとは、ウエハが露光される期間においてレチクルステージ2、及びウエハステージ6の少なくとも一方の制御における、目標位置と計測位置との偏差を示す値である。ステージ偏差データは、レーザ干渉計9、レーザ干渉計10の計測結果に基づき、制御部16により求められる。また、アライメント計測データは、対象のウエハ4上に形成されたマークを撮像して得られたデジタル画像信号の波形データやデジタル画像信号の評価(波形データの対称性、デジタル画像信号のコントラスト)を示すデータを含み得る。アライメント計測データは、アライメントスコープ15の計測結果に基づき、制御部16により求められる。また、収集データは同期精度データ、照度データ、ステージ偏差データ、及びアライメント計測データに限られない。また、収集データは、例えば、時系列データであっても良いし、時系列データから求めた最大値、最小値、平均値、中央値、及び標準偏差のうち少なくとも1つの値を含んでも良い。また、収集データは、主成分分析により求められた主成分ベクトルを示す情報を含んでも良い。また、ロットデータは、露光装置204の制御部16により、露光装置204の各ユニット、機器等から収集され、通信装置307を介して診断装置300に出力する。ここで、制御部16は、1つのロットデータを診断装置300に出力しても良いし、複数のロットデータをまとめて診断装置300に出力しても良い。また、制御部16は、ロットデータを記憶装置304に記憶しておき、記憶装置304に記憶されたロットデータを出力しても良い。また、制御部16は、ロットデータと共に露光装置を特定する情報、ロットデータが収集されたときに適用された処理条件を特定する情報を出力しても良い。 Lot data is a collection of data (collected data hereinafter) collected when a plurality of wafers belonging to such a lot are exposed under the same processing conditions. The lot data has a hierarchical structure, and collected data collected when a plurality of shot areas of a wafer are exposed is stored classified for each wafer or each shot area. Further, in the example of FIG. 6, synchronization accuracy data and illuminance data are classified and stored for each shot area, and stage deviation data and alignment measurement data are classified and stored for each wafer. Here, the synchronization accuracy data refers to the relative accuracy of the reticle stage 2 and the wafer stage 6 during the period in which the reticle stage 2 and the wafer stage 6 are synchronously driven, for example, in the Y-axis direction to expose the target shot area. This is data indicating the positional error. Synchronization accuracy data is obtained by the control unit 16 based on later-described stage deviation data regarding the reticle stage 2 and the wafer stage 6 collected during the period when the reticle stage 2 and the wafer stage 6 are driven synchronously. . If the synchronization accuracy data becomes large, it affects the overlay performance and image performance. Therefore, by monitoring the synchronization accuracy data, an abnormality of the exposure apparatus 204 can be determined. Also, the illuminance data is a value indicating the intensity of light with which the shot area is irradiated during the period in which the shot area is exposed. The illuminance data is obtained by the control unit 16 based on the result of measurement by a light intensity sensor (not shown) arranged in the illumination optical system 8 and measuring the intensity of light during the exposure period of the shot area, for example. Further, the stage deviation data is a value indicating the deviation between the target position and the measured position in the control of at least one of the reticle stage 2 and wafer stage 6 during the wafer exposure period. The stage deviation data is obtained by the controller 16 based on the measurement results of the laser interferometers 9 and 10 . Further, the alignment measurement data includes waveform data of the digital image signal obtained by imaging the marks formed on the target wafer 4 and evaluation of the digital image signal (symmetry of the waveform data, contrast of the digital image signal). may include data indicating Alignment measurement data is obtained by the controller 16 based on the measurement results of the alignment scope 15 . Collected data is not limited to synchronization accuracy data, illuminance data, stage deviation data, and alignment measurement data. Also, the collected data may be, for example, time-series data, and may include at least one of the maximum value, minimum value, average value, median value, and standard deviation obtained from the time-series data. Collected data may also include information indicating principal component vectors obtained by principal component analysis. Also, lot data is collected from each unit, device, etc. of the exposure apparatus 204 by the control unit 16 of the exposure apparatus 204 and output to the diagnosis apparatus 300 via the communication apparatus 307 . Here, the control unit 16 may output one lot data to the diagnostic device 300 , or may collectively output a plurality of lot data to the diagnostic device 300 . Further, the control unit 16 may store lot data in the storage device 304 and output the lot data stored in the storage device 304 . The control unit 16 may also output information specifying the exposure apparatus and information specifying the processing conditions applied when the lot data was collected together with the lot data.

ここで、図5の説明に戻る。ステップ502において、蓄積部402は、取得部401により取得されたロットデータを蓄積データ(第1情報)に蓄積して、診断装置300の記憶装置304に記憶する。また、蓄積部402は、取得部401から露光装置を特定する情報、処理条件を特定する情報を取得して、ロットデータを露光装置毎、処理条件毎に分類して蓄積する。つまり、蓄積部402は、取得部401により取得されたロットデータの露光装置、処理条件と同一の露光装置、処理条件のデータに、取得されたロットデータを蓄積する。 Now, return to the description of FIG. In step 502 , the accumulation unit 402 accumulates the lot data acquired by the acquisition unit 401 into accumulation data (first information), and stores it in the storage device 304 of the diagnostic device 300 . Further, the storage unit 402 acquires the information specifying the exposure apparatus and the information specifying the processing conditions from the acquisition unit 401, classifies the lot data for each exposure apparatus and for each processing condition, and stores them. That is, the accumulation unit 402 accumulates the acquired lot data in the data of the exposure apparatus, the same exposure apparatus as the processing conditions, and the processing conditions of the lot data acquired by the acquisition unit 401 .

ここで、複数の露光装置204から取得されたロットデータが蓄積された蓄積データについて説明する。図7はロットデータが蓄積される蓄積データの一例を示した図である。蓄積データは階層的な構造となっており、複数の露光装置から取得されたロットデータが露光装置毎、処理条件毎に分類されて蓄積されている。また、ある露光装置において複数のロットに対して同じ処理条件で露光が行われた場合、同じ処理条件に対して複数のロットデータが蓄積されうる。また、蓄積データには、同じ処理条件に対して蓄積されている複数のロットデータに関する統計値を含む基準データ(第2情報)が蓄積される。また、図7の例では、露光装置の数を4、処理条件の数を10としているが、これらの数に限られない。 Accumulated data obtained by accumulating lot data obtained from a plurality of exposure apparatuses 204 will now be described. FIG. 7 is a diagram showing an example of accumulated data in which lot data is accumulated. Accumulated data has a hierarchical structure, and lot data acquired from a plurality of exposure apparatuses are classified and accumulated for each exposure apparatus and for each processing condition. Further, when exposure is performed on a plurality of lots under the same processing conditions in a given exposure apparatus, a plurality of lot data can be accumulated under the same processing conditions. The accumulated data also accumulates reference data (second information) including statistical values relating to a plurality of lot data accumulated for the same processing conditions. In addition, in the example of FIG. 7, the number of exposure apparatuses is 4 and the number of processing conditions is 10, but the numbers are not limited to these.

また、基準データの一例について説明する。図8は蓄積データに蓄積された基準データの一例を示した図である。基準データは、ロットデータに含まれる収集データ毎に、収集データの最大値、最小値、平均値、中央値、標準偏差、及び許容範囲を含み得る。ここで、許容範囲とは、収集データの異常を判定するためのものであり、収集データが許容範囲から外れた場合に異常と判定される。また、基準データは、最頻値、変動係数、分散などの他の統計値を含み得る。また、基準データに含まれるデータは、時系列データでも良い。また、基準データは、ロットデータと同様にウエハ毎、ショット領域毎にデータが構成されるようにしても良い。 Also, an example of reference data will be described. FIG. 8 is a diagram showing an example of reference data accumulated in accumulated data. The reference data may include the maximum value, minimum value, average value, median value, standard deviation, and allowable range of each collected data included in the lot data. Here, the allowable range is for judging whether the collected data is abnormal, and when the collected data is out of the allowable range, it is judged to be abnormal. Reference data may also include other statistics such as mode, coefficient of variation, and variance. Also, the data included in the reference data may be time-series data. Also, the reference data may be configured for each wafer and for each shot area in the same manner as the lot data.

ここで、図5の説明に戻る。ステップ503において、異常判定部403は、蓄積部402により蓄積されたロットデータと基準データとを用いて異常を判定する。ここで、ロットデータに含まれる複数のデータのうち同期精度データを用いて異常を判定する例について説明する。図9は同期精度データと許容範囲の一例を示した図である。図9は、処理条件1における同期精度データE(黒丸の印)、処理条件2における同期精度データE(黒三角の印)を表している。また、m、mはそれぞれ同期精度データE、同期精度データEの中央値である。例えば、処理条件1と処理条件2とでは露光条件に含まれる、ウエハ4上のショット領域のレイアウトが異なることにより、同期精度データに違いが生じる。例えば、処理条件1におけるレイアウトではショット領域の数を100、処理条件2におけるレイアウトではショット領域の数を50とする。その場合、ショット領域の大きさが異なるため露光を行う際に駆動されるレチクルステージ2及びウエハステージ6の経路、速度、加速度などが異なる。処理条件1を適用して露光する場合、レチクルステージ2及びウエハステージ6の加減速を繰り返す回数が多くなり、レチクルステージ2及びウエハステージ6の加減速を繰り返す間隔が短くなる。そのため、処理条件1を適用して露光する場合、レチクルステージ2及びウエハステージ6の偏差が大きくなる。前述の通り同期精度データはステージ偏差データから求められるので、同期精度データEの中央値mの方が同期精度データEの中央値mより大きくなる傾向がある。そのため、図9に示すように処理条件1と処理条件2とで、同期精度データに違いが生じる。また、中央値m、mは、それぞれ同一の露光装置、同一の処理条件における基準データに含まれる値である。また、蓄積データに蓄積された複数のロットデータが更新されると、中央値m、mは更新され得る。図9に示す同期精度データにおいて、同期精度データの許容範囲をr以上r以下と設定した場合、同期精度データE1-1、及びE2-1は異常と判定されるが、同期精度データE1-2、及びE2-2は正常と判定される。しかし、処理条件毎に同期精度データを見ると、同期精度データE1-2、E2-2は、それぞれ中央値m、mから大きく離れており、異常な同期精度データと判定するべきである。そこで、異常判定部403は、同期精度データEの許容範囲をr以上r以下、同期精度データEの許容範囲をr以上r以下と設定することにより、同期精度データE1-2、及びE2-2を異常と判定することができる。つまり、異常判定部403は、処理条件毎に許容範囲を定めることにより、適切に異常を判定することができる。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは予め定められても良い。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、中央値m、mに対する差分に基づき定められても良い。具体的には、r=m-a、r=m+b、r=m-c、r=m+d(a、b、c、dは予め定められた正値である。)と定められても良い。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、中央値m、mに対する比率に基づき定められても良い。具体的には、r=em、r=fm、r=gm、r=hm(e、f、g、hは予め定められた正値であり、0<e<1、f>1、0<g<1、h>1である。)と定められても良い。また、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、蓄積データに基づき演算により求められても良い。例えば、許容範囲を定めるr、r、r、及びrは、蓄積データのロットデータの中で正常と判断されたデータから算出された標準偏差に基づき定められても良い。具体的には、r=m-σ、r=m+σ、r=m-σ、r=m+σ(σ、σは標準偏差である。)としても良い。また、許容範囲を中央値m、mを基準として定めたが、最大値、最小値、平均値などの他の統計値を基準としても良い。また、基準データは、ロットデータが取得された露光装置と同一の露光装置、同一の処理条件の基準データとして説明したが、基準となる露光装置をロットデータが取得された露光装置と異なる露光装置、同一の処理条件としても良い。また、ここでは同期精度データについて説明したが、ロットデータに複数の収集データが含まれる場合には、収集データ毎に異常を判定する。 Now, return to the description of FIG. In step 503, the abnormality determination unit 403 determines abnormality using the lot data accumulated by the accumulation unit 402 and the reference data. Here, an example of judging abnormality using synchronization accuracy data among a plurality of data included in lot data will be described. FIG. 9 is a diagram showing an example of synchronization accuracy data and an allowable range. FIG. 9 shows synchronization accuracy data E 1 (black circles) under processing condition 1 and synchronization accuracy data E 2 (black triangles) under processing condition 2 . Also, m 1 and m 2 are the median values of the synchronization accuracy data E 1 and the synchronization accuracy data E 2 , respectively. For example, processing conditions 1 and 2 have different layouts of shot areas on the wafer 4, which are included in the exposure conditions, resulting in different synchronization accuracy data. For example, the layout under processing condition 1 has 100 shot areas, and the layout under processing condition 2 has 50 shot areas. In this case, the paths, speeds, accelerations, etc. of the reticle stage 2 and the wafer stage 6 that are driven during exposure are different because the sizes of the shot areas are different. When processing condition 1 is applied for exposure, the number of repetitions of acceleration/deceleration of the reticle stage 2 and wafer stage 6 is increased, and the interval of repetition of acceleration/deceleration of the reticle stage 2 and wafer stage 6 is shortened. Therefore, when exposure is performed by applying the processing condition 1, the deviation of the reticle stage 2 and the wafer stage 6 becomes large. Since the synchronization accuracy data is obtained from the stage deviation data as described above, the median value m1 of the synchronization accuracy data E1 tends to be larger than the median value m2 of the synchronization accuracy data E2 . Therefore, as shown in FIG. 9, the synchronization accuracy data differs between the processing conditions 1 and 2. FIG. Median values m 1 and m 2 are values included in the reference data for the same exposure apparatus and the same processing conditions. Also, when the plurality of lot data accumulated in the accumulated data are updated, the median values m 1 and m 2 can be updated. In the synchronization accuracy data shown in FIG. 9, when the allowable range of the synchronization accuracy data is set to r 1 or more and r 4 or less, the synchronization accuracy data E 1-1 and E 2-1 are determined to be abnormal, but the synchronization accuracy Data E 1-2 and E 2-2 are determined to be normal. However, looking at the synchronization accuracy data for each processing condition, the synchronization accuracy data E 1-2 and E 2-2 are far from the median values m 1 and m 2 , respectively, and should be judged as abnormal synchronization accuracy data. is. Therefore, the abnormality determination unit 403 sets the allowable range of the synchronization accuracy data E1 to r1 or more and r2 or less, and sets the allowable range of the synchronization accuracy data E2 to r3 or more and r4 or less. -2 and E 2-2 can be determined as abnormal. In other words, the abnormality determination unit 403 can appropriately determine an abnormality by defining an allowable range for each processing condition. Also, r 1 , r 2 , r 3 , and r 4 that define the allowable range may be predetermined. Also, r 1 , r 2 , r 3 , and r 4 that define the allowable range may be determined based on the difference to the median values m 1 and m 2 . Specifically, r 1 =m 1 −a, r 2 =m 1 +b, r 3 =m 2 −c, r 4 =m 2 +d (where a, b, c, and d are predetermined positive values Yes.) Also, r 1 , r 2 , r 3 , and r 4 defining the allowable ranges may be determined based on ratios to median values m 1 and m 2 . Specifically, r 1 =em 1 , r 2 =fm 1 , r 3 =gm 2 , r 4 =hm 2 (e, f, g, h are predetermined positive values, 0<e< 1, f>1, 0<g<1, h>1.). Also, r 1 , r 2 , r 3 , and r 4 that define the allowable range may be calculated based on accumulated data. For example, r 1 , r 2 , r 3 , and r 4 that define the allowable range may be determined based on the standard deviation calculated from the data determined to be normal among the lot data of the accumulated data. Specifically, r 1 =m 1 −σ 1 ,r 2 =m 11 ,r 3 =m 2 −σ 2 ,r 4 =m 221 and σ 2 are standard deviations. ). Also, although the allowable range is determined based on the median values m 1 and m 2 , other statistical values such as the maximum value, the minimum value, and the average value may be used as the standard. The reference data is the same exposure apparatus as the exposure apparatus from which the lot data was acquired, and the reference data has the same processing conditions. , the same processing conditions may be used. Also, although the synchronization accuracy data has been described here, if the lot data includes a plurality of pieces of collected data, abnormality is determined for each piece of collected data.

ここで、図5の説明に戻る。ステップ504において、ステップ503で行われた判定の結果、異常と判定された場合はステップ505に進み、異常と判定されなかった場合はステップ506に進む。ステップ505において、異常判定部403は、異常と判定されたロットデータが取得された露光装置204を特定する情報を診断装置300の記憶装置304に記憶する。また、異常判定部403は、露光装置204を特定する情報と共に、異常と判定されたロットデータの処理条件、異常と判定された収集データ(例えば、同期精度データ)等の関連するデータを診断装置300の記憶装置304に記憶する。 Now, return to the description of FIG. In step 504 , if the result of determination in step 503 is that it is determined to be abnormal, the process proceeds to step 505 , and if it is not determined to be abnormal, the process proceeds to step 506 . In step 505 , the abnormality determination unit 403 stores information specifying the exposure apparatus 204 from which the lot data determined to be abnormal has been acquired in the storage device 304 of the diagnosis apparatus 300 . In addition to the information specifying the exposure apparatus 204, the abnormality determination unit 403 transmits related data such as processing conditions for lot data determined to be abnormal and collected data determined to be abnormal (synchronization accuracy data, for example) to the diagnostic apparatus. 300 in storage device 304 .

次に、ステップ506において、蓄積部402は、既に蓄積されている複数のロットデータと新たに蓄積したロットデータとに基づき基準データを更新する。例えば、更新するデータが統計値である場合には、既に蓄積されている複数のロットデータと新たに蓄積したロットデータとに基づき統計値を算出して基準データを更新する。また、異常を判定するべき収集データが複数ある場合には、ステップ501からステップ506までを収集データの数だけ繰り返し行う。 Next, in step 506, the accumulation unit 402 updates the reference data based on the lot data already accumulated and the newly accumulated lot data. For example, if the data to be updated is a statistical value, the statistical value is calculated based on a plurality of already accumulated lot data and newly accumulated lot data to update the reference data. Also, if there are a plurality of pieces of collected data for which abnormality should be determined, steps 501 to 506 are repeated by the number of pieces of collected data.

また、異常判定部403は、ステップ503において、複数の許容範囲を設定して、段階的なレベルに分類された異常を判定することもできる。図10は同期精度データと複数の許容範囲の一例を示した図である。図10では、処理条件1における同期精度データEに対して、許容範囲を定めるr31、r32、r41、及びr42を用いて、複数の許容範囲が設定されている。異常判定部403は、r32以上r41以下の許容範囲にある同期精度データE1n(黒丸の印)を正常と判定する。また、異常判定部403は、r32以上r32以下の許容範囲、及びr41以上r42以下の許容範囲にある同期精度データE1e(黒三角の印)を軽度の異常と判定する。また、異常判定部403は、r31以下の範囲、及びr42以上の範囲にある同期精度データE1e(バツの印)を重度の異常と判定する。これにより、異常判定部403は、段階的なレベルに分類された異常を判定することができる。例えば、許容範囲を定めるr31、r32、r41、及びr42は、図7の許容範囲を定める値と同様に予め定められていても良いし、演算により求めても良い。例えば、許容範囲を定めるr31、r32、r41、及びr42は、蓄積データのロットデータの中で正常と判断されたデータから算出された標準偏差に基づき定められても良い。例えば、r31=m-iσ、r32=m-jσ、r41=m+jσ、r42=m+iσ(σは標準偏差、i、jは正値であり、i>jである。)と定められても良い。 Further, in step 503, the abnormality determination unit 403 can set a plurality of allowable ranges and determine abnormality classified into gradual levels. FIG. 10 is a diagram showing an example of synchronization accuracy data and a plurality of allowable ranges. In FIG. 10, a plurality of allowable ranges are set using r 31 , r 32 , r 41 , and r 42 that define the allowable range for the synchronization accuracy data E 1 under the processing condition 1 . The abnormality determination unit 403 determines that the synchronization accuracy data E 1n (marked with a black circle) within the allowable range of r 32 to r 41 is normal. Further, the abnormality determination unit 403 determines that the synchronization accuracy data E 1e (marked with a black triangle) within the allowable range of r 32 to r 32 and the allowable range of r 41 to r 42 are mildly abnormal. In addition, the abnormality determination unit 403 determines that the synchronization accuracy data E 1e (marked with a cross) in the range of r 31 or less and r 42 or more are severely abnormal. Thereby, the abnormality determination unit 403 can determine an abnormality classified into a stepwise level. For example, r 31 , r 32 , r 41 , and r 42 that define the allowable range may be predetermined in the same way as the values that define the allowable range in FIG. 7, or may be calculated. For example, r 31 , r 32 , r 41 , and r 42 that define the allowable range may be determined based on the standard deviation calculated from the data determined to be normal among the lot data of the accumulated data. For example, r 31 = m 1 - iσ 1 , r 32 = m 1 - jσ 1 , r 41 = m 1 + jσ 1 , r 42 = m 1 + iσ 11 is standard deviation, i, j are positive values , i>j.).

次に、診断装置300が異常と判定されたロットデータが取得された露光装置204を保全する保全方法を決定する方法について説明する。保全部404は、異常判定部403により異常と判定されたロットデータが取得された露光装置204を保全する保全方法を決定する。ここで、収集データにおいて判定された異常と保全方法の関係について説明する。図11は、判定された異常と保全方法の関係を示す図である。例えば、同期精度データにおいて判定された同期精度異常に対しては、フィルタ調整、制御パラメータ調整が保全方法として選択され得る。フィルタ調整は、ウエハステージ6またはレチクルステージ2の振動を低減するための保全方法であり、ウエハステージ6またはレチクルステージ2を制御するための指令値から、ある周波数成分の振動を除去するフィルタを調整する保全方法である。制御パラメータ調整は、制御部16においてウエハステージ6またはレチクルステージ2の駆動特性に関する制御パラメータを調整する保全方法である。 Next, a method for determining a maintenance method for maintaining the exposure apparatus 204 from which lot data determined to be abnormal by the diagnostic apparatus 300 is acquired will be described. The maintenance unit 404 determines a maintenance method for maintaining the exposure apparatus 204 from which lot data determined to be abnormal by the abnormality determination unit 403 is obtained. Here, the relationship between the abnormality determined in the collected data and the maintenance method will be described. FIG. 11 is a diagram showing the relationship between determined abnormalities and maintenance methods. For example, for synchronization accuracy anomalies determined in synchronization accuracy data, filter adjustment, control parameter adjustment may be selected as maintenance methods. Filter adjustment is a maintenance method for reducing vibration of the wafer stage 6 or reticle stage 2, and adjusts a filter that removes vibration of a certain frequency component from the command value for controlling the wafer stage 6 or reticle stage 2. It is a conservation method to Control parameter adjustment is a maintenance method for adjusting control parameters relating to the drive characteristics of the wafer stage 6 or reticle stage 2 in the control unit 16 .

また、照度データにおいて判定された照度異常に対しては、スリット調整、光軸調整が保存方法として選択され得る。スリット調整は、ウエハ4上のショット領域に露光する際に露光光が均一に照射されるように照明光学系8に構成されるスリットを調整する保全方法である。光軸調整は、照明光学系8における光軸内及び光軸外のテレセントリックを調整する保全方法である。 In addition, slit adjustment or optical axis adjustment can be selected as a storage method for the illuminance abnormality determined in the illuminance data. Slit adjustment is a maintenance method for adjusting the slit formed in the illumination optical system 8 so that the shot area on the wafer 4 is uniformly irradiated with the exposure light. The optical axis adjustment is a maintenance method for adjusting the telecentricity of the illumination optical system 8 inside and outside the optical axis.

また、アライメント計測データにおいて判定されたアライメント計測異常に対しては、サンプルショット探索、アライメント照明系最適化、テンプレート更新が保全方法として選択され得る。サンプルショット探索は、制御部16がウエハステージ6を駆動してアライメントスコープ15で観察することで指定されたウエハ4の代替位置における他のアライメントマークを探索して位置合わせする保全方法である。また、アライメント照明系最適化は、アライメントマークの検出精度を上げるようにアライメント照明系を調整する保全方法である。テンプレート更新は、テンプレートマッチングによりアライメントマークを検出する際に、相関度が向上するように制御部16がテンプレートを自動更新する保全方法である。 Also, sample shot search, alignment illumination system optimization, and template update can be selected as maintenance methods for alignment measurement abnormalities determined in alignment measurement data. The sample shot search is a maintenance method in which the controller 16 drives the wafer stage 6 and observes it with the alignment scope 15 to search for another alignment mark at the designated alternative position on the wafer 4 and align it. Alignment illumination system optimization is a maintenance method for adjusting the alignment illumination system so as to increase the detection accuracy of alignment marks. Template update is a maintenance method in which the control unit 16 automatically updates the template so as to improve the degree of correlation when detecting alignment marks by template matching.

図12は、保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。ステップ1201において、保全部404は、異常と判定された収集データに対応する保全方法を履歴情報(第3情報)において検索する。ここで、履歴情報について説明する。図13は、履歴情報の一例を示す図である。履歴情報には、収集データに基づき判定された異常種別、異常と判定された収集データが収集された日時、異常と判定された収集データが収集された露光装置、及び、収集データが収集された時に適用されていた処理条件1が含まれ得る。また、履歴情報には、異常を解消するために実行された保全方法、及び、保全方法が実行されて異常が解消されたか否かの実行結果(成功、又は失敗)が含まれ得る。つまり、履歴情報には、過去に露光装置で発生した異常に対して実行された保全方法とその実行結果の情報が、露光装置、処理条件等の情報と共に記録されている。また、履歴情報は、ロットデータと同様に、診断装置300の取得部401により取得され、蓄積部402により蓄積される。 FIG. 12 is a flow chart illustrating a method of determining a maintenance strategy. In step 1201, the maintenance unit 404 searches history information (third information) for a maintenance method corresponding to collected data determined to be abnormal. Here, history information will be described. FIG. 13 is a diagram showing an example of history information. The history information includes the type of abnormality determined based on the collected data, the date and time when the collected data determined to be abnormal was collected, the exposure apparatus from which the collected data determined to be abnormal was collected, and the collected data. Processing Condition 1, which was applied at the time, may be included. The history information may also include the maintenance method executed to resolve the abnormality, and the execution result (success or failure) indicating whether the maintenance method was executed to resolve the abnormality. In other words, in the history information, maintenance methods that have been executed for abnormalities that occurred in the exposure apparatus in the past and information on the execution results thereof are recorded together with information such as the exposure apparatus and processing conditions. Also, the history information is acquired by the acquiring unit 401 of the diagnostic device 300 and accumulated by the accumulating unit 402 in the same manner as the lot data.

図12の説明に戻る。ステップ1201において、保全部404は、履歴情報の中から、同一の異常、同一の露光装置、及び同一の処理条件で、実行された保全方法のうち結果が成功となっているデータという検索条件で保全方法を検索する。例えば、図13に示すように、露光装置1において処理条件1が適用されて露光処理が行われている際に、同期精度異常が発生したとする。この場合、保全部404は、履歴情報の中から、異常が同期精度異常であり、露光装置が露光装置1であり、処理条件が処理条件1であり、保全方法を実行した実行結果が成功であるデータという検索条件で保全方法を検索する。図13の例では、一番上にあるデータが検索条件に合うデータとなり、保全方法としてフィルタ調整が検索される。ここで、検索条件に合うデータが複数ある場合には、時刻が新しいデータに含まれる保全方法を優先して検索条件に合う保全方法としても良いし、複数のデータにおいて成功している保全方法の数が多い保全方法を優先して検索条件に合う保全方法としても良い。また、ここでは、異常、露光装置、処理条件のすべてが同一のデータを検索条件として設定したが、異常、露光装置、及び処理条件のうち少なくとも1つのデータを検索条件として設定しても良い。 Returning to the description of FIG. In step 1201, the maintenance unit 404 searches the history information under the search condition of the data for which the result is a success among the maintenance methods executed under the same abnormality, the same exposure apparatus, and the same processing conditions. Search for conservation methods. For example, as shown in FIG. 13, it is assumed that a synchronization accuracy abnormality occurs while exposure processing is being performed with processing condition 1 applied in the exposure apparatus 1 . In this case, the maintenance unit 404 determines from the history information that the abnormality is synchronization accuracy abnormality, the exposure apparatus is exposure apparatus 1, the processing condition is processing condition 1, and the execution result of executing the maintenance method is successful. Search for a maintenance method with a search condition of certain data. In the example of FIG. 13, the data at the top is the data that meets the search criteria, and filter adjustment is searched as the maintenance method. Here, if there are multiple data that meet the search conditions, the maintenance method that is included in the data with the newest time may be prioritized as the maintenance method that satisfies the search conditions. It is also possible to give priority to maintenance methods with a large number of maintenance methods and set them as maintenance methods that match the search conditions. Also, here, the same data for all of the abnormality, the exposure apparatus, and the processing conditions are set as the search conditions, but at least one data of the abnormality, the exposure apparatus, and the processing conditions may be set as the search conditions.

ステップ1202において、保全部404は、検索条件に合う保全方法が存在するかを判定する。検索条件に合う保全方法が存在すると判定された場合、ステップ1203に進む。ステップ1203において、保全部404は、異常と判定された収集データが収集された露光装置に対する保全方法を、検索された保全方法に決定する。また、ステップ1202において、検索条件にある保全方法が存在しないと判定された場合、ステップ1204に進む。 At step 1202, the maintenance unit 404 determines whether there is a maintenance method that meets the search conditions. If it is determined that there is a maintenance method that meets the search conditions, the process proceeds to step 1203 . In step 1203, the maintenance unit 404 determines the searched maintenance method as the maintenance method for the exposure apparatus from which the collected data determined to be abnormal has been collected. Also, if it is determined in step 1202 that there is no maintenance method that satisfies the search conditions, the process proceeds to step 1204 .

ステップ1204において、保全部404は、予め定められた異常と保全方法の関係を示す情報において、判定された異常に対応する保全方法を検索する。例えば、図11に示す関係が予め定められていた場合、同期精度異常に対応する保全方法として、フィルタ調整、及び制御パラメータ調整が検索される。複数の保全方法が検索された場合は、予め設定されたデフォルトの保全方法を選択すればよい。例えば、デフォルトの保全方法が制御パラメータ調整に設定されている場合は保全方法として制御パラメータ制御が選択される。また、履歴情報においてより多く実行されている保全方法を選択しても良い。例えば、図12の例では同期精度異常に対して最も多く実行された保全方法であるフィルタ調整が保全方法として選択される。ステップ1205において、保全部404は、検索条件に合う保全方法が存在するかを判定する。検索条件に合う保全方法が存在と判定された場合、ステップ1206に進む。ステップ1206において、保全部404は、異常と判定された収集データが収集された露光装置に対する保全方法を、検索された保全方法に決定する。また、ステップ1205において、検索条件にある保全方法が存在しない場合、処理を終了する。 At step 1204, the maintenance unit 404 searches for a maintenance method corresponding to the determined abnormality in the information indicating the relationship between the predetermined abnormality and the maintenance method. For example, if the relationship shown in FIG. 11 is predetermined, filter adjustment and control parameter adjustment are retrieved as maintenance methods for dealing with synchronization accuracy abnormality. If a plurality of maintenance methods are retrieved, a preset default maintenance method may be selected. For example, if the default maintenance method is set to control parameter adjustment, control parameter control is selected as the maintenance method. Also, a maintenance method that has been executed more frequently in the history information may be selected. For example, in the example of FIG. 12, filter adjustment, which is the maintenance method executed most often for synchronization accuracy failure, is selected as the maintenance method. At step 1205, the maintenance unit 404 determines whether there is a maintenance method that meets the search conditions. If it is determined that there is a maintenance method that meets the search conditions, the process proceeds to step 1206 . In step 1206, the maintenance unit 404 determines the searched maintenance method as the maintenance method for the exposure apparatus from which the collected data determined to be abnormal has been collected. Also, in step 1205, if there is no maintenance method that satisfies the search conditions, the process is terminated.

出力部405は、保全部404により決定された保全方法を、異常が判定された収集データが収集されたリソグラフィ装置に対して、ステップ1203、又はステップ1206で決定された保全方法を実行させるための指令(コマンド)を出力する。該指令を受けたリソグラフィ装置は該指令に従って保全方法を実行する。また、ステップ1205で保全方法が存在しないと判定された場合は、出力部405は、異常が判定された収集データが収集されたリソグラフィ装置にエラーまたは警告を出力させるための指令を出力しても良い。また、ステップ1205で保全方法が存在しないと判定された場合は、出力部405は、異常が判定された収集データが収集されたリソグラフィ装置に手動で保全する手順を出力させるための指令を出力しても良い。 The output unit 405 outputs the maintenance method determined by the maintenance unit 404 to the lithographic apparatus from which the collected data determined to be abnormal has been collected. Outputs instructions (commands). A lithographic apparatus that has received the command performs a maintenance method according to the command. Also, if it is determined in step 1205 that no maintenance method exists, the output unit 405 may output a command to output an error or warning to the lithographic apparatus from which the collected data determined to be abnormal was collected. good. If it is determined in step 1205 that there is no maintenance method, the output unit 405 outputs a command to output a manual maintenance procedure to the lithographic apparatus from which the collected data determined to be abnormal was collected. can be

以上のように本実施例では、リソグラフィ装置に適用された処理条件毎に蓄積されたデータに基づき異常を判定することにより、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができる。また、判定された異常に対して、実行された保存方法とその実行結果の情報が含まれる履歴情報に基づき保全方法を決定することにより、異常を解消できる保全方法を実行することができる。 As described above, in the present embodiment, an abnormality occurring in the lithographic apparatus can be accurately determined by determining an abnormality based on data accumulated for each processing condition applied to the lithographic apparatus. Further, by determining a maintenance method for the determined abnormality based on history information including information on the storage method executed and the execution result thereof, a maintenance method capable of resolving the abnormality can be executed.

本実施例では、異常の要因分析を用いて保全方法を決定する例について説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1に従い得る。 In this embodiment, an example in which a maintenance method is determined using an abnormality factor analysis will be described. Matters not mentioned here can follow the first embodiment.

異常判定部403により判定された異常の要因分析について説明する。ここでは、検知された異常の一例として同期精度の異常について説明する。図14は異常と異常の要因との関係を示した図である。同期精度異常の要因は、まず、ウエハステージ6の要因とレチクルステージ2の要因とに分類される。ウエハステージ6の要因には、例えば、初期位置異常、発振、異物付着などがある。初期位置異常とは、各ショット領域について露光を開始する時のウエハステージ6の初期位置の誤差が許容範囲を超えていることである。また、発振とは、ウエハステージ6に振動が発生することである。また、異物付着とは、異物が基板、又はウエハチャック5に付着することである。レチクルステージ2の要因についても同様である。 A factor analysis of an abnormality determined by the abnormality determination unit 403 will be described. Here, an abnormality in synchronization accuracy will be described as an example of the detected abnormality. FIG. 14 is a diagram showing the relationship between anomalies and causes of the anomalies. Factors of synchronization accuracy abnormality are first classified into wafer stage 6 factors and reticle stage 2 factors. Factors of the wafer stage 6 include, for example, an initial position error, oscillation, adhesion of foreign matter, and the like. The initial positional error means that the error of the initial position of the wafer stage 6 at the start of exposure for each shot area exceeds the allowable range. Oscillation means that the wafer stage 6 vibrates. Also, the adherence of foreign matter means that foreign matter adheres to the substrate or the wafer chuck 5 . The same is true for the factor of reticle stage 2 .

次に、要因分析により特定された要因について保全する保全方法について説明する。図15は要因分析を用いて保全方法を決定する方法を示したフローチャートである。ステップ1501において、保全部404は、異常と判定された収集データを取得する。ここでは、判定された異常が同期精度異常であり、取得する収集データをステージ偏差データとする。 Next, a maintenance method for maintaining the factors identified by the factor analysis will be described. FIG. 15 is a flow chart showing a method of determining a maintenance method using factor analysis. At step 1501, the maintenance unit 404 acquires collected data determined to be abnormal. Here, the judged abnormality is synchronization accuracy abnormality, and the collected data to be acquired is stage deviation data.

ここで、露光装置204をスキャナとした場合におけるステージ偏差データについて説明する。図16は、ウエハステージ6の偏差の波形の一例を示した図である。図16のグラフでは、縦軸は偏差、横軸は時間を表している。また、図16のグラフは、ウエハ4上において複数のショット領域に露光処理が順次行われている期間の偏差の波形を示している。図16において、点線で区切った区間はショット領域を露光している期間(A)と露光していない期間(B)とを示している。期間Aにおいて走査露光が行われるので、ウエハステージ6は等速運動するように駆動される。また、期間Bにおいては次のショット領域に露光領域を移動させるためにウエハステージ6は加速度運動するように駆動される。図16(a)は、ウエハステージ6の制御が正常な場合のグラフであり、同期精度に異常が発生していない場合のグラフである。また、図16(b)は、初期位置異常が要因となり同期精度異常が発生している場合のグラフである。初期位置異常が要因となる場合、期間Aの開始時に大きな偏差が発生することが特徴である。また、図16(c)は、発振が要因となり同期精度異常が発生している場合のグラフである。発振が要因となる場合、全期間にわたり偏差の波形が大きな振幅で振動することが特徴である。また、図16(d)は、ウエハチャック5に異物が付着している場合のグラフであり、異物付着が要因となり同期精度異常が発生している場合のグラフである。基板が要因となる場合、偏差の波形が不規則に大きな変化が発生することが特徴である。このように、同期精度異常の要因により、ウエハステージ6の偏差の波形に特徴があり、診断装置300は、ウエハステージ6の偏差の波形の特徴から同期精度異常の要因を推定することができる。 Here, stage deviation data when the exposure device 204 is a scanner will be described. FIG. 16 is a diagram showing an example of the deviation waveform of the wafer stage 6. As shown in FIG. In the graph of FIG. 16, the vertical axis represents deviation and the horizontal axis represents time. Also, the graph of FIG. 16 shows the waveform of the deviation during the period in which the exposure processing is sequentially performed on a plurality of shot areas on the wafer 4 . In FIG. 16, sections separated by dotted lines indicate a period (A) during which the shot area is exposed and a period (B) during which the shot area is not exposed. Since scanning exposure is performed in the period A, the wafer stage 6 is driven to move at a constant speed. In period B, the wafer stage 6 is accelerated to move the exposure area to the next shot area. FIG. 16(a) is a graph when the control of the wafer stage 6 is normal, and is a graph when no abnormality has occurred in the synchronization accuracy. FIG. 16(b) is a graph when synchronization accuracy abnormality occurs due to initial position abnormality. It is characteristic that a large deviation occurs at the start of the period A when the initial position error is the factor. Further, FIG. 16(c) is a graph when synchronization accuracy abnormality occurs due to oscillation. When oscillation is the factor, it is characterized by the waveform of the deviation oscillating with a large amplitude over the entire period. FIG. 16(d) is a graph in the case where a foreign substance adheres to the wafer chuck 5, and is a graph in the case where synchronization accuracy abnormality occurs due to the foreign substance adherence. When the substrate is the factor, it is characterized by irregular and large changes in the waveform of the deviation. As described above, the deviation waveform of the wafer stage 6 has characteristics due to the cause of the synchronization accuracy abnormality, and the diagnosis apparatus 300 can estimate the cause of the synchronization accuracy abnormality from the characteristics of the deviation waveform of the wafer stage 6 .

ここで図15の説明に戻る。ステップ1502において、保全部404は、収集データを分析して、発生している異常の要因を推定する。異常の要因を推定する方法として、相関係数による要因推定、周波数解析による要因推定などの公知技術を用いることができる。また、収集された収集データの情報を用いて、決定木、ランダムフォレスト、サポートベクターマシン、ニューラルネットワークを用いても良い。ステップ1503において、保全部404は、異常の要因と保全方法との関係の情報(第4情報)において、推定した要因に対応した保全方法を検索する。 Returning to the description of FIG. 15 here. At step 1502, the maintenance unit 404 analyzes the collected data and estimates the cause of the abnormality that has occurred. As a method for estimating the cause of abnormality, known techniques such as factor estimation by correlation coefficient and factor estimation by frequency analysis can be used. Also, a decision tree, a random forest, a support vector machine, or a neural network may be used using the information of collected collected data. At step 1503, the maintenance unit 404 searches for a maintenance method corresponding to the estimated cause in the information (fourth information) on the relationship between the cause of the abnormality and the maintenance method.

ここで、異常の要因と保全方法の関係について説明する。図17は、異常の要因と保全方法の関係を示した図である。ステップ1502において初期位置異常という要因が推定された場合、保全方法として制御パラメータ調整が対応する。また、発振という要因が推定された場合、保全方法としてフィルタ調整が対応する。また、異物付着という要因がすいてされた場合、保全方法としてチャッククリーニングが対応する。図17に示す異常の要因と保全方法の関係は一例であり、異常の要因と保全方法の関係は図17に示す例に限られない。 Here, the relationship between the cause of the abnormality and the maintenance method will be described. FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the cause of abnormality and the maintenance method. If the factor of the initial position error is estimated in step 1502, control parameter adjustment corresponds as a maintenance method. In addition, when the factor of oscillation is estimated, filter adjustment is taken as a maintenance method. In addition, when the factor of adhesion of foreign matter is removed, chuck cleaning is used as a maintenance method. The relationship between the cause of abnormality and the maintenance method shown in FIG. 17 is an example, and the relationship between the cause of abnormality and the maintenance method is not limited to the example shown in FIG.

ここで図15の説明に戻る。ステップ1504において、保全部404は、推定した要因に対応した保全方法が存在するか判定する。保全方法が存在している場合は、ステップ1505に進み、保全方法が存在していない場合は処理を終了する。ステップ1505において、保全部404は、異常と判定された収集データが収集された露光装置に対する保全方法を、検索された保全方法に決定する。 Returning to the description of FIG. 15 here. At step 1504, the maintenance unit 404 determines whether there is a maintenance method corresponding to the estimated factor. If the maintenance method exists, the process proceeds to step 1505, and if the maintenance method does not exist, the process ends. In step 1505, the maintenance unit 404 determines the retrieved maintenance method as the maintenance method for the exposure apparatus from which the collected data determined to be abnormal has been collected.

また、ここではウエハステージ6について説明したが、レチクルステージ2についても同様に保全方法を決定することができる。また、本実施例における保全方法の決定方法は、実施例1における保全方法の決定方法に代えて実施することもできるし、実施例1における保全方法の決定方法を組み合わせて実施することもできる。その場合、2つの決定方法で決定された保全方法に優先順位を付けて保全方法を決定するようにしても良いし、複数の保全方法を露光装置204に出力して、露光装置204において選択させるようにしても良い。 Also, although the wafer stage 6 has been described here, the maintenance method can be similarly determined for the reticle stage 2 as well. Further, the maintenance method determination method in the present embodiment can be implemented in place of the maintenance method determination method in the first embodiment, or can be implemented in combination with the maintenance method determination method in the first embodiment. In that case, the maintenance methods determined by the two determination methods may be prioritized to determine the maintenance method, or a plurality of maintenance methods may be output to the exposure apparatus 204 and selected by the exposure apparatus 204. You can do it.

以上により、リソグラフィ装置の異常の要因を推定して保全方法を決定することにより、異常を解消できる保全方法を決定することができる。 As described above, by estimating the cause of the abnormality of the lithographic apparatus and determining the maintenance method, it is possible to determine the maintenance method that can eliminate the abnormality.

次に、本実施例に係るリソグラフィシステムについて説明する。なお、ここで言及しない事項は、実施例1及び実施例2に従い得る。 Next, a lithography system according to this embodiment will be described. Matters not mentioned here can conform to the first and second embodiments.

本実施例に係るリソグラフィシステムは、複数の診断装置と集中管理装置が構成されている。図18は、複数の診断装置と集中管理装置が構成されたリソグラフィシステムの一例を示している。本実施例のリソグラフィシステム101は、リソグラフィ装置210乃至217と、リソグラフィ装置の異常を判定してリソグラフィ装置を保全するための保全方法を決定する第1診断装置310、及び第2診断装置311と、集中管理装置312とを有する。また、リソグラフィ装置210乃至213は第1診断装置310に接続され、リソグラフィ装置214乃至217は第2診断装置311に接続される。第1診断装置310、及び第2診断装置311は、集中管理装置312に接続される。また、図18においては、リソグラフィ装置210乃至207が構成されているが、リソグラフィ装置の数は8に限定されるものではない。また、図18においては、第1診断装置310、及び第2診断装置311が構成されているが、診断装置の数は2に限定されるものではない。 A lithography system according to this embodiment includes a plurality of diagnostic apparatuses and a centralized control apparatus. FIG. 18 shows an example of a lithography system configured with multiple diagnostic devices and a centralized control device. The lithographic system 101 of this embodiment includes lithographic apparatus 210-217, a first diagnostic apparatus 310 and a second diagnostic apparatus 311 for determining an abnormality in the lithographic apparatus and determining a maintenance method for maintaining the lithographic apparatus; and a centralized control device 312 . Also, the lithographic apparatuses 210 - 213 are connected to a first diagnostic apparatus 310 and the lithographic apparatuses 214 - 217 are connected to a second diagnostic apparatus 311 . The first diagnostic device 310 and the second diagnostic device 311 are connected to a centralized control device 312 . Also, although lithographic apparatuses 210 to 207 are configured in FIG. 18, the number of lithographic apparatuses is not limited to eight. Also, although the first diagnostic device 310 and the second diagnostic device 311 are configured in FIG. 18, the number of diagnostic devices is not limited to two.

第1診断装置310、第2診断装置311、及び集中管理装置312は、実施例1で説明した情報処理装置である。集中管理装置312は、第1診断装置310、及び第2診断装置311を介して、リソグラフィ装置210乃至217のロットデータを取得して、蓄積データとして記憶装置304に記憶する。また、集中管理装置312は、同様に、履歴情報を取得して記憶装置304に記憶する。集中管理装置312は、蓄積データ、履歴情報に基づいて、基準データ、収集データの許容範囲を定めるデータ、異常と保全方法の対応を示すデータ、異常の要因と保全方法の対応を示すデータなどを取得する。集中管理装置312は、取得した基準データなどの情報を第1診断装置310、及び第2診断装置311に出力する。第1診断装置310、及び第2診断装置311は、集中管理装置312から取得した基準データなどの情報に基づき、リソグラフィ装置の異常の判定、保全方法の決定を行う。第1診断装置310、及び第2診断装置311のそれぞれは、他の診断装置に接続しているリソグラフィ装置から取得したロットデータ、履歴情報などに基づき取得された基準データなどの情報を利用することができる。 The first diagnostic device 310, the second diagnostic device 311, and the central control device 312 are the information processing devices described in the first embodiment. The centralized control device 312 acquires lot data of the lithography apparatuses 210 to 217 via the first diagnostic device 310 and the second diagnostic device 311 and stores them in the storage device 304 as accumulated data. Also, the centralized control device 312 similarly acquires history information and stores it in the storage device 304 . Based on accumulated data and history information, the centralized control device 312 stores reference data, data that defines the allowable range of collected data, data that indicates the correspondence between anomalies and maintenance methods, and data that indicates the correspondence between causes of anomalies and maintenance methods. get. The central control device 312 outputs information such as the acquired reference data to the first diagnostic device 310 and the second diagnostic device 311 . A first diagnostic device 310 and a second diagnostic device 311 determine an abnormality of the lithographic apparatus and determine a maintenance method based on information such as reference data acquired from the centralized control device 312 . Each of the first diagnostic apparatus 310 and the second diagnostic apparatus 311 uses information such as lot data acquired from a lithographic apparatus connected to another diagnostic apparatus, reference data acquired based on history information, and the like. can be done.

集中管理装置312は、基準データなどの情報を定期的に第1診断装置310、及び第2診断装置311に出力しても良いし、第1診断装置310、及び第2診断装置311からの要求に応じて出力しても良い。 The centralized control device 312 may periodically output information such as reference data to the first diagnostic device 310 and the second diagnostic device 311, and may receive requests from the first diagnostic device 310 and the second diagnostic device 311. may be output according to

以上により、リソグラフィ装置に発生している異常を正確に判定することができ、異常を解消できる保全方法を実行することができる。 As described above, an abnormality occurring in the lithographic apparatus can be accurately determined, and a maintenance method capable of resolving the abnormality can be executed.

(物品の製造方法)
本実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス(半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など)などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する(パターンを基板に形成する)工程と、露光された基板を現像する(基板を処理する)工程を含む。また、かかる製造方法は、インプリント装置を用いて、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、型の形状が転写された組成物を形成する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど)を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性および生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(Product manufacturing method)
The method for manufacturing an article according to the present embodiment is suitable for manufacturing articles such as devices (semiconductor elements, magnetic storage media, liquid crystal display elements, etc.). Such a manufacturing method includes a step of exposing a substrate coated with a photosensitive agent (forming a pattern on the substrate) and a step of developing the exposed substrate (processing the substrate) using an exposure apparatus. Moreover, such a manufacturing method includes a step of contacting an imprint material supplied on a substrate and a mold using an imprint apparatus to form a composition having the shape of the mold transferred. Such manufacturing methods may also include other well-known steps (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The method for manufacturing an article according to this embodiment is advantageous in at least one of performance, quality, productivity and production cost of the article as compared with conventional methods.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。リソグラフィ装置の一例として、露光装置について説明したが、これらに限定されるものではない。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist thereof. Although an exposure apparatus has been described as an example of a lithographic apparatus, it is not so limited.

リソグラフィ装置の一例として、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、型の形状が転写された組成物を形成するインプリント装置などの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置の一例として、荷電粒子光学系を介して荷電粒子線(電子線やイオンビームなど)で基板に描画を行って、基板にパターン形成を行う描画装置などの装置であっても良い。また、感光媒体を基板の表面上に塗布する塗布装置、パターンが転写された基板を現像する現像装置など、デバイス等の物品の製造において、前述のようなインプリント装置等の装置が実施する工程以外の工程を実施する製造装置も含みうる。 An example of the lithographic apparatus may be an imprinting apparatus that brings an imprinting material supplied onto a substrate into contact with a mold to form a composition having the shape of the mold transferred. Further, as an example of a lithography apparatus, an apparatus such as a drawing apparatus that forms a pattern on a substrate by drawing on a substrate with a charged particle beam (such as an electron beam or an ion beam) through a charged particle optical system may be used. . In addition, in manufacturing articles such as devices, such as a coating device that applies a photosensitive medium onto the surface of a substrate and a developing device that develops a substrate on which a pattern has been transferred, a process performed by an apparatus such as an imprinting apparatus as described above. It may also include manufacturing equipment that performs processes other than the above.

また、実施例1乃至実施例3は、単独で実施するだけでなく、実施例1乃至実施例3の組合せで実施することができる。 In addition, Examples 1 to 3 can be implemented not only independently, but also in combination with Examples 1 to 3.

Claims (24)

パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき第1許容範囲を算出すると共に、前記取得手段により取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき前記第1許容範囲とは異なる第2許容範囲を算出する算出手段と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データが前記第1許容範囲外にある場合に前記第3収集データに異常が発生していると判定し、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データが前記第2許容範囲外にある場合に前記第4収集データに異常が発生していると判定する判定手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring means for acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second processing conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
calculating a first allowable range based on the accumulated data of the first collected data obtained by the obtaining means , and calculating the first allowable range based on the accumulated data of the second collected data obtained by the obtaining means; a calculation means for calculating a second allowable range different from the allowable range;
determining that an abnormality has occurred in the third collected data when third collected data related to lithography processing performed under the first processing condition is outside the first allowable range; determining means for determining that an abnormality has occurred in the fourth collected data when the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition is outside the second allowable range;
An information processing device comprising:
前記判定手段により前記第3収集データ又は前記第4収集データが異常であると判定された場合、前記リソグラフィ装置を保全するための保全方法を決定する決定手段を有することを特徴とする、請求項1に記載の情報処理装置。 determining means for determining a maintenance method for maintaining the lithographic apparatus when the determining means determines that the third collected data or the fourth collected data is abnormal; 1. The information processing device according to 1. 前記決定手段は、前記判定手段により前記第3収集データ又は前記第4収集データが異常であると判定された場合、
前記異常の種別と、前記第3収集データ又は前記第4収集データが収集された際に行われたリソグラフィ処理に適用された処理条件と、前記リソグラフィ装置を保全するために実行された保全方法と、前記保全方法に対応した実行結果とに基づいて保全方法を決定することを特徴とする、請求項2に記載の情報処理装置。
When the determining means determines that the third collected data or the fourth collected data is abnormal,
a type of the anomaly, a processing condition applied to a lithographic process performed when the third collected data or the fourth collected data was collected, and a maintenance method performed to maintain the lithographic apparatus; 3. The information processing apparatus according to claim 2, wherein the maintenance method is determined based on the execution result corresponding to the maintenance method.
前記決定手段は、前記判定手段により前記第3収集データ又は前記第4収集データが異常であると判定された場合、
前記第3収集データ又は前記第4収集データに発生している異常の要因と、前記異常の要因に対応する、前記リソグラフィ装置を保全するために実行される保全方法とに基づいて前記保全方法を決定することを特徴とする、請求項2に記載の情報処理装置。
When the determining means determines that the third collected data or the fourth collected data is abnormal,
determining the maintenance method based on a cause of an abnormality occurring in the third collected data or the fourth collected data and a maintenance method corresponding to the cause of the abnormality and executed to maintain the lithographic apparatus; 3. The information processing apparatus according to claim 2, wherein the determination is made.
前記決定手段により決定された前記保全方法を実行するための指令を出力する出力手段を有することを特徴とする、請求項2ないし4のいずれか1項に記載の情報処理装置。 5. An information processing apparatus according to claim 2, further comprising output means for outputting a command for executing said maintenance method determined by said determination means. 前記第3収集データが取得された場合に前記第3収集データに基づき前記第1許容範囲を更新して、前記第4収集データが取得された場合に前記第4収集データに基づき前記第2許容範囲を更新する更新手段を有することを特徴とする、請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の情報処理装置。 updating the first allowable range based on the third collected data when the third collected data is obtained, and updating the second allowable range based on the fourth collected data when the fourth collected data is obtained; 6. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 5, further comprising updating means for updating the range. 前記第1収集データ、前記第2収集データ、前記第3収集データ、及び前記第4収集データは、前記リソグラフィ装置に備えられる複数のステージの相対的な位置の誤差を示す同期精度データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の情報処理装置。 The first collected data, the second collected data, the third collected data, and the fourth collected data include synchronization accuracy data indicating relative positional errors of a plurality of stages provided in the lithographic apparatus. 7. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized by: 前記第1収集データ、前記第2収集データ、前記第3収集データ、及び前記第4収集データは、前記リソグラフィ装置に備えられる光学系により照射される光の照度を示す照度データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の情報処理装置。 The first collected data, the second collected data, the third collected data, and the fourth collected data include illuminance data indicating the illuminance of light emitted by an optical system provided in the lithographic apparatus. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein: 前記第1収集データ、前記第2収集データ、前記第3収集データ、及び前記第4収集データは、前記リソグラフィ装置に備えられるステージの制御における、目標位置と計測位置との偏差を示すステージ偏差データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の情報処理装置。 The first collected data, the second collected data, the third collected data, and the fourth collected data are stage deviation data indicating a deviation between a target position and a measurement position in controlling a stage provided in the lithography apparatus. 9. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, comprising: 前記第1収集データ、前記第2収集データ、前記第3収集データ、及び前記第4収集データは、前記パターンを形成する基板のマークを撮像して得られる画像信号に関するアライメント計測データを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の情報処理装置。 The first collected data, the second collected data, the third collected data, and the fourth collected data include alignment measurement data related to image signals obtained by imaging marks on the substrate forming the pattern. 10. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 9. 前記第1許容範囲は前記第1収集データに関する統計値に基づき算出され、前記第2許容範囲は前記第1収集データに関する統計値に基づき算出されることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の情報処理装置。 11. The first allowable range is calculated based on statistical values relating to the first collected data, and the second allowable range is calculated based on statistical values relating to the first collected data. The information processing device according to any one of . 前記第1許容範囲は、前記第1収集データに関する平均値及び標準偏差、または前記第1収集データに関する中央値及び標準偏差に基づき算出され、前記第2許容範囲は、前記第2収集データに関する平均値及び標準偏差、または前記第2収集データに関する中央値及び標準偏差に基づき算出されることを特徴とする請求項11に記載の情報処理装置。 The first acceptable range is calculated based on the mean and standard deviation for the first collected data, or the median and standard deviation for the first collected data, and the second acceptable range is the mean for the second collected data 12. The information processing apparatus according to claim 11, which is calculated based on a value and standard deviation, or a median value and standard deviation of the second collected data. 前記第1許容範囲は、前記第1収集データに関する平均値からの差分、前記第1収集データに関する中央値からの差分、前記平均値に対する比率、及び前記中央値に対する比率のいずれかに基づき算出され、前記第2許容範囲は、前記第2収集データに関する平均値からの差分、前記第2収集データに関する中央値からの差分、前記平均値に対する比率、及び前記中央値に対する比率のいずれかに基づき算出されることを特徴とする請求項11に記載の情報処理装置。 The first allowable range is calculated based on one of the difference from the average value of the first collected data, the difference from the median value of the first collected data, the ratio to the average value, and the ratio to the median value. , the second allowable range is calculated based on one of the difference from the average value of the second collected data, the difference from the median value of the second collected data, the ratio to the average value, and the ratio to the median value 12. The information processing apparatus according to claim 11, wherein: 前記第1許容範囲及び第2許容範囲は、複数の許容範囲を含み、段階的なレベルに分類された異常が判定されることを特徴とする請求項1ないし請求項13のいずれか1項に記載の情報処理装置。 14. Any one of claims 1 to 13, wherein the first allowable range and the second allowable range include a plurality of allowable ranges, and abnormalities classified into stepwise levels are determined. The information processing device described. 前記第1処理条件及び前記第2処理条件は、搬送条件、位置決め条件、計測条件、露光条件、セットアップ条件の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の情報処理装置。 15. The first processing condition and the second processing condition include at least one of a transport condition, a positioning condition, a measurement condition, an exposure condition, and a setup condition. The information processing device according to . 前記取得手段は複数のリソグラフィ装置から前記第1収集データ及び前記第2収集データを取得し、前記算出手段は前記複数の前記リソグラフィ装置のそれぞれに対して前記第1許容範囲及び前記第2許容範囲を求めることを特徴とする請求項1ないし請求項15のいずれか1項に記載の情報処理装置。 The obtaining means obtains the first collected data and the second collected data from a plurality of lithographic apparatuses, and the calculating means calculates the first tolerance and the second tolerance for each of the plurality of lithographic apparatuses. 16. The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 15, wherein a is obtained. パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得手段と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データに異常が発生していると判定するための第1許容範囲を前記取得手段により取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき算出すると共に、前記第1許容範囲とは異なり、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データに異常が発生していると判定するための第2許容範囲を前記取得手段により取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき算出する算出手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring means for acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second processing conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
The first collected data obtained by the obtaining means defines a first allowable range for determining that an abnormality has occurred in third collected data related to lithography processing performed under the first processing conditions. is calculated based on the accumulated data , and it is determined that there is an abnormality in the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition, different from the first allowable range. a calculating means for calculating a second allowable range for performing based on data in which the second collected data acquired by the acquiring means is accumulated ;
An information processing device comprising:
パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき第1許容範囲を算出すると共に、前記取得工程で取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき前記第1許容範囲とは異なる第2許容範囲を算出する算出工程と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データが前記第1許容範囲外にある場合に前記第3収集データに異常が発生していると判定し、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データが前記第2許容範囲外にある場合に前記第4収集データに異常が発生していると判定する判定工程と、
を有することを特徴とする判定方法。
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring step of acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second process conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
calculating a first allowable range based on the accumulated data of the first collected data obtained in the obtaining step ; and calculating the first allowable range based on the accumulated second collected data obtained in the obtaining step a calculating step of calculating a second allowable range different from the allowable range;
determining that an abnormality has occurred in the third collected data when third collected data related to lithography processing performed under the first processing condition is outside the first allowable range; a determination step of determining that an abnormality has occurred in the fourth collected data when the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition is outside the second allowable range;
A determination method characterized by having
パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき第1許容範囲を算出すると共に、前記取得工程で取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき前記第1許容範囲とは異なる第2許容範囲を算出する算出工程と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データが前記第1許容範囲外にある場合に前記第3収集データに異常が発生していると判定し、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データが前記第2許容範囲外にある場合に前記第4収集データに異常が発生していると判定する判定工程と、
を有する判定方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring step of acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second process conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
calculating a first allowable range based on the accumulated data of the first collected data obtained in the obtaining step ; and calculating the first allowable range based on the accumulated second collected data obtained in the obtaining step a calculating step of calculating a second allowable range different from the allowable range;
determining that an abnormality has occurred in the third collected data when third collected data related to lithography processing performed under the first processing condition is outside the first allowable range; a determination step of determining that an abnormality has occurred in the fourth collected data when the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition is outside the second allowable range;
A program characterized by causing a computer to execute a determination method having
請求項1乃至17のいずれか1項に記載の情報処理装置と、
基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置と、を有することを特徴とするリソグラフィシステム。
an information processing apparatus according to any one of claims 1 to 17;
A lithography system, comprising: a lithography apparatus for forming a pattern on a substrate.
基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程で前記パターンが形成された前記基板から物品を製造する製造工程と、を有し、
前記形成工程は、
パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき求められた第1許容範囲を算出すると共に、前記取得工程で取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき前記第1許容範囲とは異なる第2許容範囲を算出する算出工程と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データが前記第1許容範囲外にある場合に前記第3収集データに異常が発生していると判定し、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データが前記第2許容範囲外にある場合に前記第4収集データに異常が発生していると判定する判定工程と、を有する
ことを特徴とする物品の製造方法。
a forming step of forming a pattern on a substrate;
a manufacturing step of manufacturing an article from the substrate on which the pattern has been formed in the forming step;
The forming step includes
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring step of acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second process conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
calculating a first allowable range obtained based on the accumulated data of the first collected data obtained in the obtaining step, and based on the accumulated data of the second collected data obtained in the obtaining step; a calculating step of calculating a second allowable range different from the first allowable range;
determining that an abnormality has occurred in the third collected data when third collected data related to lithography processing performed under the first processing condition is outside the first allowable range; a determining step of determining that an abnormality has occurred in the fourth collected data when the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition is outside the second allowable range; A method for manufacturing an article, characterized by comprising:
パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得工程と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データに異常が発生していると判定するための第1許容範囲を前記取得工程で取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき算出すると共に、前記第1許容範囲とは異なり、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データに異常が発生していると判定するための第2許容範囲を前記取得工程で取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき算出する算出工程と、
を有することを特徴とする算出方法。
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring step of acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second process conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
The first collected data obtained in the obtaining step defines a first allowable range for determining that an abnormality has occurred in third collected data related to lithography processing performed under the first processing conditions. is calculated based on the accumulated data , and it is determined that there is an abnormality in the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition, different from the first allowable range. a calculating step of calculating a second allowable range for performing based on the accumulated data of the second collected data obtained in the obtaining step ;
A calculation method characterized by having
パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得工程と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データに異常が発生していると判定するための第1許容範囲を前記取得工程で取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき算出すると共に、前記第1許容範囲とは異なり、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データに異常が発生していると判定するための第2許容範囲を前記取得工程で取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき算出する算出工程と、
を有する算出方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring step of acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second process conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
The first collected data obtained in the obtaining step defines a first allowable range for determining that an abnormality has occurred in third collected data related to lithography processing performed under the first processing conditions. is calculated based on the accumulated data , and it is determined that there is an abnormality in the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition, different from the first allowable range. a calculating step of calculating a second allowable range for performing based on the accumulated data of the second collected data obtained in the obtaining step ;
A program characterized by causing a computer to execute a calculation method having
基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程で前記パターンが形成された前記基板から物品を製造する製造工程と、を有し、
前記形成工程は、
パターンを形成するリソグラフィ装置において行われるリソグラフィ処理の条件を予め定める第1処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第1収集データを取得すると共に、前記第1処理条件とは異なり、前記リソグラフィ処理の条件を予め定める第2処理条件が適用されて行われた複数のリソグラフィ処理のそれぞれに関連する第2収集データを取得する取得工程と、
前記第1処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第3収集データに異常が発生していると判定するための第1許容範囲を前記取得工程で取得された前記第1収集データが蓄積されたデータに基づき算出すると共に、前記第1許容範囲とは異なり、前記第2処理条件が適用されて行われたリソグラフィ処理に関連する第4収集データに異常が発生していると判定するための第2許容範囲を前記取得工程で取得された前記第2収集データが蓄積されたデータに基づき算出する算出工程と、
を有する
ことを特徴とする物品の製造方法。
a forming step of forming a pattern on a substrate;
a manufacturing step of manufacturing an article from the substrate on which the pattern has been formed in the forming step;
The forming step includes
obtaining first collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under a first process condition that predetermines conditions of a lithographic process performed in a pattern forming lithographic apparatus; an acquiring step of acquiring second collected data associated with each of a plurality of lithographic processes performed under second process conditions that predetermine the conditions of the lithographic processes;
The first collected data obtained in the obtaining step defines a first allowable range for determining that an abnormality has occurred in third collected data related to lithography processing performed under the first processing conditions. is calculated based on the accumulated data , and it is determined that there is an abnormality in the fourth collected data related to the lithographic processing performed under the second processing condition, different from the first allowable range. a calculating step of calculating a second allowable range for performing based on the accumulated data of the second collected data obtained in the obtaining step ;
A method for manufacturing an article, comprising:
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