JP7280225B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に係る。

半導体素子を製造するためには蒸着、写真、蝕刻洗浄等のような様々な工程が遂行される。この中で、写真工程は塗布工程、露光工程、そして現像工程を含む。塗布工程は基板上にフォトレジストのような感光液を塗布する工程である。露光工程は塗布されたフォトレジスト膜上にフォトマスクを通じて光源の光を露出させて基板上に回路パターンを露光する工程である。そして、現像工程は基板の露光処理された領域を選択的に現像する工程である。

現像工程は一般的に現像液供給段階、リンス液供給段階、そして乾燥段階を含む。乾燥段階には基板を支持するスピンチャックを回転させ、スピンチャックが基板に加える遠心力を利用して基板に残留する現像液又はリンス液を乾燥するスピン乾燥を遂行する。これと異なりに、乾燥段階には超臨界流体を供給して超臨界乾燥を遂行することができる。超臨界乾燥は基板上に残留する現像液又はリンス液に表面張力が低い有機溶剤を供給する。これによって、基板上に残留する現像液又はリンス液を有機溶剤で置換する。そして、超臨界状態の流体を供給して基板の上の有機溶剤を乾燥させる。

しかし、基板に形成されたパターンとパターンとの距離（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）が微細化されることによって、上述したスピン乾燥を遂行する場合、パターンが崩れるか、或いは曲がるリーニング（Ｌｅａｎｉｎｇ）現象が発生される。また、基板に形成されたパターンとパターンとの距離が微細化されることによって、基板上に残留する有機物質を適切に除去されない。このような有機物質は基板処理の効率を低下させる。

韓国特許公開第１０－２０１８－００２１２６３号公報

本発明の目的は基板の処理効率を高めることがきる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

また、本発明の目的は基板上に残留する有機物を効率的に除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明が解決しようとする課題はここに制限されなく、言及されないその他の課題は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、内部空間を有する光処理チャンバーと、前記内部空間で基板を支持する支持部と、前記内部空間で基板に光を照射して、基板に残留する有機物質を除去する照射部と、を含み、前記照射部は、基板に第１光を照射する第１光源と、基板に前記第１光と異なる波長範囲を有する第２光を照射する第２光源と、を含むことができる。

一実施形態によれば、前記照射部は、基板に前記第１光、そして前記第２光と異なる波長範囲を有する第３光を照射する第３光源をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記第１光源はフラッシュランプであり、前記第２光源は赤外線ランプと紫外線ランプの中でいずれか１つであり、前記第３光源は赤外線ランプと紫外線ランプの中で他の１つである。

一実施形態によれば、前記第１光源はフラッシュランプ、赤外線ランプ、そして紫外線ランプの中でいずれか１つであり、前記第２光源はフラッシュランプ、赤外線ランプ、そして紫外線ランプの中で他の１つである。

一実施形態によれば、前記第１光源はフラッシュランプであり、前記第２光源は赤外線ランプ、そして紫外線ランプの中でいずれか１つである。
一実施形態によれば、前記支持部は、基板を支持する支持プレートと、前記支持プレートを昇降する昇降駆動器と、をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記支持部は、基板を支持する支持プレートと、前記支持プレートを回転させる回転駆動器と、をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記照射部は、前記照射部が照射する光を前記支持部に支持された基板の表面に向かって反射させる反射板をさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記照射部は、前記照射部が含む光源の温度を下げる冷却流体が循環される第１冷却ラインをさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記光処理チャンバーは、前記第１冷却ラインと連結されて冷却流体が循環される第２冷却ラインをさらに含むことができる。

一実施形態によれば、前記装置は、超臨界流体を供給して基板を処理する超臨界チャンバーと、前記超臨界チャンバー、そして前記光処理チャンバーの間に基板を搬送する移送ユニットと、制御器を含み、前記制御器は、前記超臨界チャンバーで基板を処理し、前記超臨界チャンバーで処理された基板を前記光処理チャンバーに搬送するように前記超臨界チャンバー、前記移送ユニット、そして前記光処理チャンバーを制御することができる。

一実施形態によれば、前記装置は、有機溶剤を供給して基板を処理する液処理チャンバーと、前記液処理チャンバー、そして前記光処理チャンバーとの間に基板を搬送する移送ユニットと、制御器を含み、前記制御器は、前記液処理チャンバーで基板を処理し、前記液処理チャンバーで処理された基板を前記光処理チャンバーに搬送するように前記液処理チャンバー、前記移送ユニット、そして前記光処理チャンバーを制御することができる。

一実施形態によれば、前記装置は、基板が収容される容器が置かれるロードポートを有するインデックス部と、前記インデックス部と連結され、基板を処理する工程処理部と、を含み、前記光処理チャンバーは、前記インデックス部に提供されることができる。

一実施形態によれば、前記光処理チャンバーは、前記ロードポートに設置されることができる。

一実施形態によれば、前記インデックス部は、前記ロードポートが設置される前面パネル、前記前面パネルと対向されるように配置される背面パネル、そして上部から見る時、前記前面パネルと前記背面パネルを連結する側面パネルを含み、前記光処理チャンバーは、前記側面パネルに設置されることができる。

一実施形態によれば、前記光を照射する光源はバー（Ｂａｒ）形状を有し、前記光源は前記支持部の上部で交互に配置されることができる。

一実施形態によれば、前記光を照射する光源は各々ブロック形状を有し、前記光源は横方向及び／又は縦方向に複数が配列されることができる。

一実施形態によれば、前記照射部は、前記支持部の上部に配置されるプレートをさらに含み、前記ブロック形状の光源の各々は前記プレートに脱着可能に提供されることができる。
一実施形態によれば、前記光源は、上部から見る時、隣接する光源が互いに異なるように交互に前記プレートに裝着されることができる。

また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、前記基板に光を照射して残留する有機物質を除去する光処理段階を含み、前記光処理段階には前記基板に照射される前記光は第１光と前記第１光と異なる波長範囲を第２光を含むことができる。

一実施形態によれば、前記光処理段階には前記第１光、そして前記第２光と異なる波長範囲を有する第３光をさらに照射して前記有機物質を除去することができる。

一実施形態によれば、前記第１光は設定間隔毎に交互にエネルギーが変化する閃光、赤外線光、そして紫外線光の中でいずれか１つであり、前記第２光は前記閃光、前記赤外線光、そして前記紫外線光の中で他の１つである。

一実施形態によれば、前記第１光は前記閃光であり、前記第２光は前記赤外線光、そして前記紫外線光の中でいずれか１つである。

一実施形態によれば、前記光処理段階には前記基板と前記光を照射する照射部との距離を調節することができる。

一実施形態によれば、前記方法は、超臨界流体を供給して基板を処理する超臨界処理段階をさらに含み、前記光処理段階は、前記超臨界処理段階の後に遂行されることができる。

一実施形態によれば、前記方法は、有機溶剤を供給して基板を処理する液処理段階をさらに含み、前記光処理段階は、前記液処理段階の後に遂行されることができる。

一実施形態によれば、前記第１光と前記第２光は前記基板に同時に照射されることができる。

一実施形態によれば、前記基板に前記光が印加される間に前記基板又は前記光を照射する光源が回転されることができる。

本発明の一実施形態によれば、基板の処理効率を高めることがきる。

また、本発明の一実施形態によれば、基板上に残留する有機物を効率的に除去することができる。

また、本発明の一実施形態によれば、既存の基板処理装置にも容易に光処理チャンバーを裝着することができる。

本発明の効果が上述した効果によって制限されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

本発明の基板処理装置を概略的に示した平面図である。 図１の液処理チャンバーに提供される基板処理装置を示す図面である。 図１の超臨界チャンバーに提供される基板処理装置を示す図面である。 本発明の一実施形態による光処理チャンバーを示す断面図である。 図４の照射部を示す平面図である。 図４の照射部の断面図である。 図４の光処理チャンバーで基板に光を照射する形状を示す図面である。 図４の第２光源で第２光を照射して基板を処理する形状を示す図面である。 図４の第１光源で第１光を照射して基板を処理する形状を示す図面である。 第１光が基板に伝達するエネルギー変化を時間に応じて示した図面である。 図４の第１光及び第３光が基板に伝達するエネルギー変化を時間に応じて示した図面である。 本発明の他の実施形態による光処理チャンバーの一部を示す図面である。 本発明の他の実施形態による光処理チャンバーを示す断面図である。 図１３の照射部を示す平面図である。 本発明の他の実施形態による光処理チャンバーの一部を示す図面である。 本発明の他の実施形態による光処理チャンバーを示す図面である。 他の実施形態による基板処理装置を概略的に示した平面図である。 図１７に図示されたインデックス部を示す要部斜視図である。 ロードポートに設置された光処理チャンバーを示す側断面図である。

本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施形態を有することができるので、特定実施形態態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な実施形態に対して限定しようすることではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変換、均等物、乃至代替物を含むことと理解されなければならない。本発明を説明することにおいて、関連された公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることができていると判断される場合、その詳細な説明を省略する。

本出願で使用した用語は単なる特定な実施形態を説明するために使用されたことであり、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。本出願で、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。

第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されることができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。

以下、添付した図面を参照して本発明に係る実施形態を詳細に説明し、添付図面を参照して説明することにおいて、図面符号に相関無しで同一であるか、或いは対応する構成要素は同一な参照番号を付与し、これに対する重複される説明は省略する。

図１は本発明の基板処理設備を概略的に示した平面図である。

図１を参照すれば、基板処理装置１０はインデックス部１００と工程処理部２００を含む。

インデックス部１００はロードポート１２０、インデックスチャンバー１４０、そして光処理チャンバー３００を含むことができる。

ロードポート１２０、インデックスチャンバー１４０、そして工程処理部２００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、インデックスチャンバー１４０、そして工程処理部２００が配列された方向を第１の方向１２とする。そして、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面に垂直である方向を第３方向１６とする。

ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤーＣが安着される。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。図１では４つのロードポート１２０が提供されたことと図示した。しかし、ロードポート１２０の数は工程処理部２００の工程効率及びフットプリント等の条件に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤーＣには基板Ｗの縁を支持するように提供されたスロット（図示せず）が形成される。スロットは第３方向１６に複数が提供される。基板Ｗは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるようにキャリヤーＣ内に位置される。キャリヤーＣとしては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。

インデックスチャンバー１４０はロードポート１２０とロードロックチャンバー２２０との間に位置される。インデックスチャンバー１４０は前面パネル、背面パネルそして両側面パネルを含む直方体の形状を有し、その内部にはロードポート１２０に安着されたキャリヤーＣとロードロックチャンバー２２０そして光処理チャンバー３００の間に基板Ｗを搬送するためのインデックスロボット１４４が提供される。図示せずが、インデックスチャンバー１４０は内部空間に粒子汚染物が流入されることを防止するために、ベント（ｖｅｎｔｓ）、層流システム（ｌａｍｉｎａｒ ｆｌｏｗ ｓｙｓｔｅｍ）のような制御された空気流動システムを含むことができる。

光処理チャンバー３００はインデックスチャンバー１４０の一側面に提供されることができる。光処理チャンバー３００の具体的な構成は後述する。

工程処理部２００はロードロックチャンバー２２０、移送チャンバー２４０、液処理チャンバー２６０、そして超臨界チャンバー２８０を含むことができる。

移送チャンバー２４０はその横方向が第１方向１２と平行に配置される。第２方向１４に沿って移送チャンバー２４０の一側及び他側には各々液処理チャンバー２６０又は超臨界チャンバー２８０が配置される。移送チャンバー２４０の一側に位置した液処理チャンバー２６０と移送チャンバー２４０の他側に位置した超臨界チャンバー２８０は移送チャンバー２４０を基準に互いに対称になるように提供されることができる。

液処理チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の長さ方向に沿って配置されることができる。また、液処理チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置されることができる。即ち、移送チャンバー２４０の一側には液処理チャンバー２６０がＡＸＢ（ＡとＢは各々１以上の自然数）の配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された液処理チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された液処理チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に液処理チャンバー２６０が４つ又は６つが提供される場合、液処理チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。液処理チャンバー２６０の数は増加するか、又は減少してもよい。上述したことと異なりに、液処理チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、上述したことと異なりに、液処理チャンバー２６０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。

超臨界チャンバー２８０は上述した液処理チャンバー２６０と類似に提供されることができる。超臨界チャンバー２８０は移送チャンバー２４０の他側で上述した液処理チャンバー２６０と類似に配置されることができる。また、上述した例では移送チャンバー２４０の一側に液処理チャンバー２６０が提供され、他側に超臨界チャンバー２８０が提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、液処理チャンバー２６０と超臨界チャンバー２８０の配置は多様に変形されることができる。

ロードロックチャンバー２２０はインデックスチャンバー１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。ロードロックチャンバー２２０は移送チャンバー２４０とインデックスチャンバー１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。ロードロックチャンバー２２０はその内部に基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供され、スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。ロードロックチャンバー２２０でインデックスチャンバー１４０と対向する面と移送チャンバー２４０と対向する面の各々が開放された形態に提供されることができる。

移送チャンバー２４０はロードロックチャンバー２２０、液処理チャンバー２６０、そして超臨界チャンバー２８０の間に基板Ｗを搬送することができる。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供されることができる。ガイドレール２４２はその横方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。

以下では、基板Ｗを搬送する構成を移送ユニットに定義する。一例として、移送ユニットには移送チャンバー２４０、そしてインデックスチャンバー１４０が含まれることができる。また、移送ユニットには移送チャンバー２４０に提供されるメーンロボット２４４、そしてインデックスロボット１４４が含まれることができる。

液処理チャンバー２６０内には基板Ｗに対して洗浄工程を遂行する基板処理装置が提供されることができる。例えば、前記洗浄工程はアルコール成分が含まれた処理流体を使用して基板Ｗ洗浄、ストリップ、有機残余物（ｏｒｇａｎｉｃｒｅｓｉｄｕｅ）を除去する工程である。各々の液処理チャンバー２６０内に提供された基板処理装置は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。選択的に各々の液処理チャンバー２６０内の基板処理装置は同一な構造を有することができる。選択的に液処理チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する液処理チャンバー２６０に提供された基板処理装置は互いに同一な構造を有し、異なるグループに属する液処理チャンバー２６０に提供された基板処理装置は互いに異なる構造を有することができる。例えば、液処理チャンバー２６０が２つのグループに分けられる場合、移送チャンバー２４０の一側には第１グループの液処理チャンバー２６０が提供され、移送チャンバー２４０の他側には第２グループの液処理チャンバー２６０が提供されることができる。選択的に移送チャンバー２４０の一側及び他側の各々で下層には第１グループの液処理チャンバー２６０が提供され、上層には第２グループの液処理チャンバー２６０が提供されることができる。第１グループの液処理チャンバー２６０と第２グループの液処理チャンバー２６０は各々使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類に応じて区分されることができる。以下では、液処理チャンバー２６０に提供される基板処理装置の一例に対して説明する。

図２は図１の液処理チャンバーに提供される基板処理装置を示す図面である。図２を参照すれば、液処理チャンバーに提供される基板処理装置２６００は処理容器２６２０、基板支持ユニット２６４０、昇降ユニット２６６０、そして液供給ユニット２６８０を含む。液処理チャンバー２６０に提供される基板処理装置２６００は基板Ｗに処理液を供給することができる。処理液はケミカル、リンス液、そして有機溶剤である。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、リン酸（Ｐ_２Ｏ_５）、フッ酸（ＨＦ）、そして水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）を含むことができる。ケミカルはＤＳＰ（Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）混合液である。リンス液は純水（Ｈ_２０）である。有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液である。

処理容器２６２０は内部に基板が処理される処理空間を提供する。処理容器２６２０は上部が開放された筒形状を有する。処理容器２６２０は内部回収筒２６２２及び外部回収筒２６２６を有する。各々の回収筒２６２２、２６２６は工程に使用された処理液の中で互いに異なる処理液を回収する。内部回収筒２６２２は基板支持ユニット２６４０を囲む環状のリング形状に提供され、外部回収筒２６２６は内部回収筒２６２６を囲む環状のリング形状に提供される。内部回収筒２６２２の内側空間２６２２ａ及び内部回収筒２６２２は内部回収筒２６２２に処理液が流入される第１流入口２６２２ａとして機能する。内部回収筒２６２２と外部回収筒２６２６との間の空間２６２６ａは外部回収筒２６２６に処理液が流入される第２流入口２６２６ａとして機能する。一例によれば、各々の流入口２６２２ａ、２６２６ａは互いに異なる高さに位置されることができる。各々の回収筒２６２２、２６２６の底面の下には回収ライン２６２２ｂ、２６２６ｂが連結される。各々の回収筒２６２２、２６２６に流入された処理液は回収ライン２６２２ｂ、２６２６ｂを通じて外部の処理液再生システム（図示せず）に提供されて再使用されることができる。

基板支持ユニット２６４０は処理空間で基板Ｗを支持する。基板支持ユニット２６４０は工程進行の中で基板Ｗを支持及び回転させる。基板支持ユニット３４０は支持板２６４２、支持ピン２６４４、チョクピン２６４６、そして回転駆動部材を有する。支持板２６４２は大体に円形の板形状に提供され、上面及び底面を有する。下部面は上部面に比べて小さい直径を有する。上面及び底面はその中心軸が互いに一致するように位置される。

支持ピン２６４４は複数に提供される。支持ピン２６４４は支持板２６４２の上面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置し支持板２６４２から上部に突出される。支持ピン２６４４は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン２６４４は支持板２６４２の上部面から基板Ｗが一定距離離隔されるように基板Ｗの背面縁を支持する。

チョクピン２６４６は複数に提供される。チョクピン２６４６は支持板２６４２の中心で支持ピン２６４４より遠く離れるように配置される。チョクピン２６４６は支持板２６４２の上面から上に突出されるように提供される。チョクピン２６４６は支持板２６４２が回転される時、基板Ｗが正位置から側方向に離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。チョクピン２６４６は支持板２６４２の半径方向に沿って外側位置と内側位置との間に直線移動が可能するように提供される。外側位置は内側位置に比べて支持板２６４２の中心から遠く離れた場所である。基板Ｗが支持板２６４２にローディング又はアンローディングの時、チョクピン２６４６は外側位置に位置され、基板Ｗに対して工程遂行の時、チョクピン２６４６は内側位置に位置される。内側位置はチョクピン２６４６と基板Ｗの側部が互いに接触される位置であり、外側位置はチョクピン２６４６と基板Ｗが互いに離隔される場所である。

回転駆動部材２６４８、２６４９は支持板２６４２を回転させる。支持板２６４２は回転駆動部材２６４８、２６４９によって自分の中心軸を中心に回転可能である。回転駆動部材２６４８、２６４９は支持軸２６４８及び駆動部２６４９を含む。支持軸２６４８は第３方向１６に向かう筒形状を有する。支持軸２６４８の上端は支持板２６４２の底面に固定結合される。一例によれば、支持軸２６４８は支持板２６４２の底面中心に固定結合されることができる。駆動部２６４９は支持軸２６４８が回転されるように駆動力を提供する。支持軸２６４８は駆動部２６４９によって回転され、支持板２６４２は支持軸２６４８と共に回転可能である。

昇降ユニット２６６０は処理容器２６２０を上下方向に直線移動させる。処理容器２６２０が上下に移動されることによって支持板２６４２に対する処理容器２６２０の相対高さが変更される。昇降ユニット２６６０は基板Ｗが支持板２６４２にローディングされるか、或いはアンローディングされる時、支持板２６４２が処理容器２６２０の上部に突出されるように処理容器２６２０は下降される。また、工程が進行される時には基板Ｗに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒２６２２、２６２６に流入されるように処理容器２６２０の高さが調節する。昇降ユニット２６６０はブラケット２６６２、移動軸２６６４、そして駆動器２６６６を有する。ブラケット２６６２は処理容器２６２０の外壁に固定設置され、ブラケット２６６２には駆動器２６６６によって上下方向に移動される移動軸２６６４が固定結合される。選択的に、昇降ユニット２６６０は支持板２６４２を上下方向に移動させることができる。

液供給ユニット２６８０は基板Ｗに処理液を供給する。液供給ユニット２６８０は複数に提供され、各々は互いに異なる種類の処理液を供給することができる。液供給ユニット２６８０は移動部材２６８１及びノズル２６９０を含むことができる。

移動部材２６８１はノズル２６９０を工程位置及び待機位置に移動させる。ここで、工程位置はノズル２６９０が基板支持ユニット２６４０に支持された基板Ｗと対向される位置であり、待機位置はノズル２６９０が工程位置をずれた位置として定義する。一例によれば、工程位置は前処理位置及び後処理位置を含む。前処理位置はノズル２６９０が第１供給位置に処理液を供給する位置であり、後処理位置はノズル２６９０が第２供給位置に処理液を供給する位置に提供される。第１供給位置は第２供給位置より基板Ｗの中心にさらに近い位置であり、第２供給位置は基板の端部を含む位置である。選択的に第２供給位置は基板の端部に隣接する領域である。

移動部材２６８１は支持軸２６８６、アーム２６８２、そして駆動器２６８８を含む。支持軸２６８６は処理容器２６２０の一側に位置される。支持軸２６８６はその横方向が第３方向に向かうロード形状を有する。支持軸２６８６は駆動器２６８８によって回転可能するように提供される。支持軸２６８６は昇降移動が可能するように提供される。アーム２６８２は支持軸２６８６の上端に結合される。アーム２６８２は支持軸２６８６から垂直に延長される。アーム２６８２の終端にはノズル２６９０が固定結合される。支持軸２６８６が回転されることによって、ノズル２６９０はアーム２６８２と共にスイング移動可能である。ノズル２６９０はスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。選択的に、アーム２６８２はその長さ方向に向かって前進及び後進移動が可能するように提供されることができる。上部から見る時、ノズル２６９０が移動される経路は工程位置で基板Ｗの中心軸と一致されることができる。

図３は図１の超臨界チャンバーに提供される基板処理装置を示す図面である。図３を参照すれば、超臨界チャンバー２８０は基板Ｗに超臨界流体を供給することができる。超臨界流体は超臨界状態の二酸化炭素である。超臨界チャンバー２８０に提供される基板処理装置２８００はハウジング２８１０流体供給部２８３０、そして排出部２８６０を含む。基板Ｗはハウジング２８１０内の処理空間で支持手段（図示せず）によって支持される。

ハウジング２８１０は超臨界工程が遂行される空間を提供する。ハウジング２８１０は互いに組み合わせて内部に処理空間を提供する下部ボディー２８１１と上部ボディー２８１２を含む。上部ボディー２８１２はその位置が固定され、下部ボディー２８１１は昇下降される。基板Ｗがハウジング２８１０内に搬入されるか、或いはここから搬出される時には下部ボディー２８１１と上部ボディー２８１２が互いに離隔され、基板Ｗに対して工程進行の時には下部ボディー２８１１と上部ボディー２８１２が互いに密着される。

流体供給部２８３０はハウジング２８１０の内部に超臨界流体を供給する。超臨界流体は超臨界状態の二酸化炭素である。排出部２８６０はハウジング２８１０から超臨界流体を排出する。排出部２８６０は下部ハウジング２８１１に提供される。

図４は本発明の一実施形態による光処理チャンバーを示す断面図であり、図５は図４の照射部を示す平面図であり、図６は図４の照射部の断面図である。

図４乃至図６を参照すれば、光処理チャンバー３００には基板処理装置３０００が提供される。光処理チャンバー３００は液処理チャンバー２６０で処理された基板Ｗに光を照射することができる。また、光処理チャンバー３００は超臨界チャンバー２６０で処理された基板Ｗに光を照射することができる。例えば、光処理チャンバー３００は超臨界チャンバー２６０で乾燥処理された基板Ｗに光を照射することができる。光処理チャンバー３００は基板Ｗに光を照射して基板Ｗ上に残留する有機物を除去することができる。

光処理チャンバー３００に提供される基板処理装置３０００はチャンバー３１００、支持部３２００、そして照射部３３００を含むことができる。

チャンバー３１００は内部空間を有することができる。チャンバー３１００は直方体の形状を有することができる。チャンバー３１００は上部が開放された直方体形状を有することができる。チャンバー３１００の一側面には開放された開口３１１０を有し、開放された開口３１１０はインデックスチャンバー１４００と連結されて基板が搬入されるか、或いは搬出される通路として使用されることができる。開放された開口３１１０はドア３１２０によって開閉されることができる。

支持部３２００はチャンバー３１００の内部空間で基板Ｗを支持することができる。支持部３２００はチャンバー３１００の内部空間に提供されることができる。支持部３２００は支持プレート３２１０、昇降駆動器３２１２、そして回転駆動器３２１４を含むことができる。

支持プレート３２１０は基板Ｗを支持することができる。支持プレート３２１０は板形状を有することができる。支持プレート３２１０は基板Ｗを支持する案着面を有することができる。支持プレート３２１０は側面から見た時、上部に行くほど、その面積が広くなる上広下狭の形状を有することができる。支持プレート３２１０は基板Ｗを真空方式に固定することができる。これと異なりに、支持プレート３２１０はクランピング方式に基板Ｗを固定してもよい。また、別の固定装置無しで基板Ｗが支持プレート３２１０の安着面に置かれることもあり得る。

昇降駆動器３２１２は支持プレート３２１０を昇降させることができる。昇降駆動器３２１２は支持プレート３２１０を昇降させて、基板Ｗと照射部３３００との間の距離を調節することができる。例えば、照射部３３００で光を照射する時には支持プレート３２１０を上昇させて基板Ｗと照射部３３００との間の距離が狭くなることができる。逆に照射部３３００で光照射をしない場合には支持プレート３２１０を下降させて基板Ｗと照射部３３００との間の距離が広くなることができる。また、支持プレート３３００の高さは基板Ｗに光を照射する間にも変更されることができる。

回転駆動器３２１４は支持プレート３２１０を回転させることができる。回転駆動器３２１４は支持プレート３２１０の下部に提供されることができる。回転駆動器３２１４は支持プレート３２１０の下面と結合されることができる。回転駆動器３２１４は照射部３３００が光を照射する時、支持プレート３２１０を回転させることができる。このため、基板Ｗ上に光の照射が均一に行われるようにすることができる。

照射部３３００はチャンバー３１００の上部に配置されることができる。照射部３３００は支持部３２００に支持された基板Ｗに光を照射することができる。照射部３３００はハウジング３３０１、光源３１０、３３２０、３３３０、反射板３３４０を含むことができる。光源３３１０、３３２０、３３３０は第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０を含むことができる。

ハウジング３３０１は内部空間を有することができる。ハウジング３３０１は直方体の形状を有することができる。ハウジング３３０１は下部が開放された直方体形状を有することができる。ハウジング３３０１はチャンバー３１００と対応する形状を有することができる。ハウジング３３０１はチャンバー３１００と組み合わせて内部空間を形成することができる。ハウジング３３０１はチャンバー３１００の上部に提供されて互いに組合されることができる。

第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０は光を照射することができる。第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０はバー（Ｂａｒ）形状を有することができる。上部から見る時、第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０は隣接する光源が互いに異なるように交互に配置されることができる。上部から見る時、第２光源３３１０、第１光源３３２０、そして第３光源３３３０は順に配置されることができる。また、第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０は互いに異なる高さに配置されることができる。一例として、第１光源３３１０は第２光源３３２０より高い位置に配置されることができる。第１光源３３１０は第２光源３３３０より高い位置に配置されることができる。第２光源３３２０、そして第３光源３３３０は同一の高さに配置されることができる。

第１光源３３１０は基板Ｗに第１光Ｌ１を照射することができる。第２光源３３２０は基板Ｗに第２光Ｌ２を照射することができる。第３光源３３３０は基板Ｗに第３光Ｌ３を照射することができる。第１光源３３１０は閃光を照射するフラッシュランプ、赤外線光を照射する赤外線ランプ、紫外線光を照射する紫外線ランプの中でいずれか１つである。第２光源３３２０は閃光を照射するフラッシュランプ、赤外線光を照射する赤外線ランプ、紫外線光を照射する紫外線ランプの中でいずれか１つである。第３光源３３３０は閃光を照射するフラッシュランプ、赤外線光を照射する赤外線ランプ、紫外線光を照射する紫外線ランプの中でいずれか１つである。

以下では、第１光源３３１０がフラッシュランプであり、第２光源３３２０が紫外線ランプであり、第３光源３３３０が赤外線ランプであることを例として説明する。しかし、これに限定されることではなく、第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３００の種類は多様に変更されることができる。

また、図面では照射部３３００が第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０を全て含むことを例として図示したが、これに限定されることではない。例えば、光源の中で選択された光源のみが使用されることができる。例えば、照射部３３００には第１光源３３１０が単独に提供されることができる。また、照射部３３００には第２光源３３２０が単独に提供されることができる。また、照射部３３００には第３光源３３３０が単独に提供されることができる。また、照射部３３００には第１光源３３１０と第２光源３３２０が提供されることができる。また、照射部３３００には第１光源３３１０と第３光源３３３０が提供されることができる。また、照射部３３００には第２光源３３２０と第３光源３３３０が提供されることができる。

また、以下で、第１光源３３１０が照射する光を第１光Ｌ１とし、第２光源３３２０が照射する光を第２光Ｌ２とし、第３光源３３３０が照射する光を第３光Ｌ３として定義する。

第１光Ｌ１と第２光Ｌ２は互いに異なる波長範囲を有することができる。第１光Ｌ１と第３光Ｌ３は互いに異なる波長範囲を有することができる。第２光Ｌ２と第３光Ｌ３は互いに異なる波長範囲を有することができる。

一例として、第１光Ｌ１は３００～１０００ｎｍの波長範囲を有することができる。また、第１光源３３１０がフラッシュランプで提供される場合、第１光源３３１０が照射する閃光は設定間隔毎に交互にエネルギーが変化することができる。また、第１光源３３１０が照射する第１光Ｌ１の輻射熱は基板Ｗ上に付着された有機物Ｐに伝達されることができる。

また、第２光Ｌ２は４００ｎｍ以上の波長範囲を有することができる。また、第２光源３３２０が紫外線ランプで提供される場合、第２光Ｌ２は２５４ｎｍ又は１８５ｎｍの波長を有することができる。第２光Ｌ２が２５４ｎｍの波長を有する場合、第２光Ｌ２はオゾン（Ｏ_３）を分解することができる。このため、活性酸素を発生させることができる。第２光Ｌ２が１８５ｎｍの波長を有する場合、第２光Ｌ２は酸素（Ｏ_２）を分解することができる。このため、活性酸素を発生させることができる。また、第２光源３３２０は２５４ｎｍの波長の第２光Ｌ２と１８５ｎｍ波長の第２光Ｌ２を同時に照射することができる。この場合、オゾン（Ｏ_３）と酸素（Ｏ_２）から活性酸素を発生させることができるので、基板処理効率を高めることができる。

また、第３光Ｌ３は８００ｎｍ以上の波長範囲を有することができる。また、第３光源３３３０が赤外線ランプで提供される場合、第３光Ｌ３は基板Ｗ上に付着された有機物Ｐに熱を伝達することができる。このため、有機物Ｐを炭化させることができる。

反射板３３４０は照射部３３００で照射する光を支持部３２００に支持された基板Ｗの表面に反射させることができる。例えば、反射板３３４０は第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０で照射する光を基板Ｗの表面に反射させることができる。また、反射板３３４０は光を反射することができる材質で提供されることができる。反射板３３４０は第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０を囲むように提供されることができる。例えば、反射板３３４０は第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０の上部領域を囲む形状を有することができる。また、反射板３３４０は側面から見たとき、でラウンド（Ｒｏｕｎｄ）になった形状を有することができる。例えば、反射板３３４０は一側が開放された円筒形状を有することができる。

第１光源３３１０、第２光源３３２０、そして第３光源３３３０が光を照射すれば、各々の光源の温度が上昇する。このため、光処理チャンバー３００に提供される基板処理装置３０００はクーリング手段を有することができる。例えば、クーリング手段はハウジング３３０１に設置される第１冷却ライン３０１０とチャンバー３１００に設置される第２冷却ライン３０２０、そして第１冷却ライン３０１０に冷媒を供給する冷媒供給源３０３０を含むことができる。冷媒は冷却流体である。冷却流体は冷却水である。また、冷媒は冷却ガスである。冷媒供給源３０３０を通じて供給される冷却流体は第１冷却ライン３０１０と第２冷却ライン３０２０を循環するようにされる。第１冷却ライン３０１０と第２冷却ライン３０２０は互いに連結されることができる。

制御器（図示せず）は基板処理装置１０を制御することができる。制御器は以下で説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置１０を制御することができる。例えば、制御器は液処理チャンバー２６０で基板Ｗを処理し、液処理チャンバー２６０で処理された基板Ｗを光処理チャンバー３００に搬送するように液処理チャンバー２６０、移送ユニット、そして光処理チャンバー３００を制御することができる。また、制御器は超臨界チャンバー２８０で基板Ｗを処理し、超臨界チャンバー２８０で処理された基板Ｗを光処理チャンバー３００に搬送するように超臨界チャンバー２８０、移送ユニット、そして光処理チャンバー３００を制御することができる。

以下では本発明の他の実施形態に係る基板処理方法に対して説明する。本発明の一実施形態による基板処理方法は、液処理段階、超臨界処理段階、そして光処理段階を含むことができる。

液処理段階は基板Ｗに有機溶剤等の処理液を供給して基板を処理する段階である。液処理段階は液処理チャンバー２６０で遂行されることができる。超臨界処理段階は超臨界流体を供給して基板Ｗを処理する段階である。超臨界処理段階は超臨界チャンバー２８０で遂行されることができる。光処理段階は基板Ｗに光を照射して基板Ｗ上に残留する有機物質を除去する段階である。光処理段階は光処理チャンバー３００で遂行されることができる。光処理段階は超臨界処理段階の後に遂行されることができる。光処理段階は液処理段階の後に遂行されることができる。例えば、液処理段階、超臨界処理段階、そして光処理段階は順次的に遂行されることができる。

以下では、光処理段階の例を詳細に説明する。図７は図４の光処理チャンバーで基板に光を照射する形状を示す図面である。図７を参照すれば、照射部３３００は支持部３２００に支持された基板Ｗに光を照射することができる。照射部３３００は支持部に支持された基板Ｗに第１光Ｌ１、第２光Ｌ２、そして第３光Ｌ３を照射することができる。第１光Ｌ１と第２光Ｌ２は同時又は順次的に照射されることができる。第１光Ｌ１と第３光Ｌ３は同時又は順次的に照射されることができる。第２光Ｌ２と第３光Ｌ３は同時又は順次的に照射されることができる。第１光Ｌ１、第２光Ｌ２、第３光Ｌ３は同時又は順次的に照射されることができる。光が基板Ｗに照射される間に基板Ｗは回転されることができる。これと異なりに、光が基板Ｗに照射される間に光を照射する光源が回転してもよい。また、光が基板Ｗに照射される間に基板Ｗと照射部３３００との間の距離を調節することができる。

図８は図４の第２光源で第２光を照射して基板を処理する形状を示す図面であり、図９は図４の第１光源で第１光を照射して基板を処理する形状を示す図面である。

図８を参照すれば、基板Ｗに第２光Ｌ２が照射されることができる。第２光Ｌ２は紫外線光である。第２光Ｌ２は４００ｎｍ以下の波長を有することができる。第２光Ｌ２は２５４ｎｍ又は１８５ｎｍの波長を有することができる。第２光Ｌ２は活性物質を発生させることができる。第２光Ｌ２は酸素又はオゾンから活性酸素を発生させることができる。第２光Ｌ２が発生させる活性酸素は基板Ｗに付着された有機物Ｐと反応することができる。活性酸素と反応する有機物Ｐは分解されることができる。また、活性酸素と反応する有機物Ｐは酸化されることができる。このため、有機物Ｐの粒子サイズは小さくなることができる。

図９を参照すれば、第２光Ｌ２が照射された後、基板Ｗに第１光Ｌ１が照射されることができる。第１光Ｌ１は閃光である。第１光Ｌ１は３００～１０００ｎｍの波長範囲を有することができる。第１光Ｌ１が照射する閃光は輻射熱を発生させることができる。第１光Ｌ１が発生させる輻射熱は基板Ｗ上に付着された有機物Ｐを除去することができる。例えば、輻射熱は有機物Ｐを昇華させることができる。

上述した例では第２光Ｌ２が照射された後、第１光Ｌ１が照射されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、第１光Ｌ１と第２光Ｌ２は同時に基板Ｗに照射されることができる。

図１０は第１光が基板に伝達するエネルギー変化を時間に応じて示した図面であり、図１１は図４の第１光及び第３光が基板に伝達するエネルギー変化を時間に応じて示した図面である。

図１０と図１１を参照すれば、第１光源３３１０が照射する第１光Ｌ１は閃光である。第１光源３３１０が照射する閃光は設定間隔毎に交互にエネルギーが変化することができる。このため、第１光源３３１０は同一出力で光を照射しても、さらに高いエネルギーを基板Ｗに伝達することができる。この時、第１光源３３１０が単独に第１光Ｌ１を照射すれば、第１光Ｌ１のエネルギーが低い時間帯では有機物Ｐが適切に除去されないこともあり得る。このため、本発明の一実施形態によれば、第１光Ｌ１と第３光Ｌ３を基板Ｗに同時に照射することができる。このため、第１光Ｌ１のエネルギーが低い時間帯で、基板Ｗに伝達されるエネルギーを高めることができる。即ち、第３光Ｌ３を照射して、基板Ｗの温度を上昇及び維持させることができる。また、第１光Ｌ１を通じて基板Ｗ上に付着された有機物Ｐを効果的に除去することができる。

また、上述した第１光Ｌ１と、第２光Ｌ２、そして第３光Ｌ３を基板Ｗに照射すれば、活性酸素を発生させて基板Ｗに付着された有機物Ｐの粒子サイズを減らし、基板Ｗの温度を上昇及び維持させ、基板Ｗに同一の出力であっても高いエネルギーを有する光を照射して有機物Ｐを効果的に除去することができる。

図１２は本発明の他の実施形態による熱処理チャンバーの一部を示す図面である。図１２を参照すれば、光処理チャンバーに提供される基板処理装置３０００ａは反射板３３４０ａを含むことができる。反射板３３４０ａは第１光源３３１０ａ、第２光源３３２０ａ、そして第３光源３３３０ａを各々囲むように提供されることができる。本実施形態では３つの光源が設置されるので、反射板も図３つが設置されることができる。ハウジング３３０１ａ、第１冷却ライン３０１０ａ、第１光源３３１０ａ、第２光源３３２０ａ、そして第３光源３３３０ａの構成は上述した内容と同一又は類似であるので、詳細な説明は省略する。

図１３は本発明の他の実施形態による光処理チャンバーを示す断面図であり、図１４は図１３の照射部を示す平面図である。本発明の他の実施形態による光処理チャンバーに提供される基板処理装置３０００ｂは照射部３３００ｂを除く、上述した内容と同一又は類似であるので、相違点を中心に説明する。

照射部３３００ｂはプレート３３５０ｂを含むことができる。プレート３３５０ｂは支持部３２１０ｂの上部に配置されることができる。プレート３３５０ｂは駆動部材３３５２ｂと結合されることができる。駆動部材３３５２ｂはプレート３３５０ｂを回転させることができる。

光を照射する光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂは各々ブロック形状を有することができる。光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂは各々ブロック形状に提供されて、プレート３３５０ｂに脱着可能に提供されることができる。各々の光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂはピンを有し、プレート３３５０ｂには前記ピンが挿入されるホールが形成されることができる。また、光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂは横方向及び／又は縦方向に複数が配列されることができる。ここで、横方向及び／又は縦方向は一直線の方向のみを意味することではない。また、上部から見る時、隣接する光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂが互いに異なるように交互にプレート３３５０ｂに裝着されることができる。この場合、光源がバー（Ｂａｒ）形状に提供される場合よりより均一に基板Ｗに光を照射されることができる。

図１４では光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂが全体的に円形状に配置されることと図示したが、図１５に図示されたように上部から見る時、光源３３１０ｂ、３３２０ｂ、３３３０ｂは直線上に配置されることができる。

図１６は本発明の他の実施形態による光処理チャンバーを示す図面である。光処理チャンバー３００ｄが有するチャンバー３１００ｄの下にはバッファチャンバー４００が提供されることができる。

バッファチャンバー４００は基板を一時的に保管することができる多数のスロット４１０を含むことができる。基板はチャンバー３１００ｄで有機物Ｐの除去を完了した後、バッファチャンバー４００に移送されることができ、バッファチャンバー４００で基板Ｗの搬送が可能な温度まで冷却処理された後、インデックスロボット１４４によってキャリヤーに移送されることができる。図示せずが、バッファチャンバー４００には基板の温度を下げるための手段が追加されることができる。

図１７は他の実施形態による基板処理装置を概略的に示した平面図であり、図１８は図１７に図示されたインデックス部を示す要部斜視図であり、図１９はロードポートに設置された光処理チャンバーを示す側断面図である。

図１７乃至図１９を参照すれば、他の例に係る基板処理装置１０ｅはインデックス部１００ｅと工程処理部２００ｅ、光処理チャンバー３００ｅを含み、これらは図１に図示されたインデックス部１００と工程処理部２００、そして光処理チャンバー３００と大体に類似な構成と機能で提供するので、以下では、本実施形態との相違点を中心に他の例を説明する。

他の例で、光処理チャンバー３００ｅはロードポート１２０ｅに装着されることにその特徴がある。したがって、半導体生産ラインに既に設置された基板処理設備にも大きい設計変更無しで光処理チャンバー３００ｅを追加的に装着して運用することができる。

一例として、光処理チャンバー３００ｅはインデックス部１００ｅの前方に配置された４つのロードポート１２０ｅの中で１つのロードポートに搭載されることができ、超臨界乾燥工程の後にキャリヤーＣに搬出される前に基板表面の有機物除去工程を追加することができる。

このために、光処理チャンバー３００ｅはロードポート１２０ｅに装着された状態でドアオープナー１２３０によって開閉されることができるキャリヤードア３６００を含むことができる。

キャリヤードア３６００には一般的なキャリヤー（ＦＯＵＰ）のドアと同様にレジストレーションピン孔３６０１、ラッチキー孔３６０２等が設けられている。レジストレーションピン孔３６０１は位置決定のために利用されることであり、ラッチキー孔３６０２はキャリヤードア３６００を開閉するために利用される構成である。

一方、ロードポート１２０ｅは駆動テーブル１２１０とポートドア１２２０を含み、ポートドア１２２０はインデックスチャンバー１００ｅの前面一部を構成する。また、本実施形態ではインデックスチャンバー１００ｅの壁面はＳＥＭＩ規格のＦＯＵＰに対応するＦｌＭＳ面の一部を構成する。

ポートドア１２２０に表示された符号１２２１はレジストレーションピン、符号１２２２はラッチキーであり、全てポートドア１２２０の表面上に設置されている。レジストレーションピン１２２１はキャリヤードア３６００に設置されたレジストレーションピン孔３６０１に挿入された状態で位置決定を行うためのことである。また、ラッチキー１２２２はキャリヤードア３６００に設置されたラッチキー孔３６０２に挿入されて回転することによって、クランピング機具の結合部材（図示せず）をチャンバー３１００から除去することができ、これによって、キャリヤードア３６００を開放することができる。このような動作はＳＥＭＩ規格のＦＯＵＰドア開閉と同様に行われることができる。

以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。

３００ 光処理チャンバー
３０００ 光処理チャンバーに提供される基板処理装置
３０１０ 第１冷却ライン
３０２０ 第２冷却ライン
３０３０ 冷媒供給源
３１００ チャンバー
３１１０ 開口
３１２０ ドア
３２００ 支持部
３２１０ 支持プレート
３２１２ 昇降駆動器
３２１４ 回転駆動器
３３００ 照射部
３３０１ ハウジング
３３１０ 第１光源
３３２０ 第２光源
３３３０ 第３光源
３３４０ 反射板
Ｌ１ 第１光
Ｌ２ 第２光
Ｌ３ 第３光
Ｐ 有機物質

Claims (18)

1. 基板処理装置であって、
   内部空間を有する光処理チャンバーと、
   前記内部空間で基板を支持する支持部と、
   前記内部空間で基板に光を照射して、基板に残留する有機物質を除去する照射部と、を含む基板処理装置であり、
   前記照射部は、
   基板に第１光を照射する第１光源と、
   基板に前記第１光と異なる波長範囲を有する第２光を照射する第２光源と、
   基板に前記第１光、そして前記第２光と異なる波長範囲を有する第３光を照射する第３光源を含み、
   前記第１光は、輻射熱を発生させることができる３００～１０００ｎｍの波長範囲の光であり、
   前記第２光は、オゾン（Ｏ _３ ）及び酸素（Ｏ _２ ）から活性酸素を発生させることができる１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、又は４００ｎｍ以上の波長の光であり、
   前記第３光は、前記基板上に付着された有機物質にさらに熱を伝達して前記有機物質を炭化させることができる８００ｎｍ以上の波長範囲の光である基板処理装置。
2. 前記光処理チャンバーで有機物質が除去された基板を冷却処理するバッファチャンバーをさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記バッファチャンバーは、前記光処理チャンバーの下部に提供され、
   前記バッファチャンバーは、
   基板を一時的に保管することができる多数のスロットと、
   基板の温度を下げるための冷却手段と、を含む請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記第１光源は、フラッシュランプであり、
   前記第２光源は、紫外線ランプであり、
   前記第３光源は、赤外線ランプである請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記照射部は、
   前記照射部が照射する光を前記支持部に支持された基板の表面に向かって反射させる反射板をさらに含む請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
6. 前記照射部は、
   前記照射部が含む光源の温度を下げる冷却流体が循環される第１冷却ラインをさらに含む請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
7. 前記基板処理装置は、
   超臨界流体を供給して基板を処理する超臨界チャンバーと、
   前記超臨界チャンバー、そして前記光処理チャンバーの間に基板を搬送する移送ユニットと、
   制御器と、を含み、
   前記制御器は、
   前記超臨界チャンバーで基板を処理し、前記超臨界チャンバーで処理された基板を前記光処理チャンバーに搬送するように前記超臨界チャンバー、前記移送ユニット、そして前記光処理チャンバーを制御する請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
8. 前記基板処理装置は、
   有機溶剤を供給して基板を処理する液処理チャンバーと、
   前記液処理チャンバー、そして前記光処理チャンバーの間に基板を搬送する移送ユニットと、
   制御器と、を含み、
   前記制御器は、
   前記液処理チャンバーで基板を処理し、前記液処理チャンバーで処理された基板を前記光処理チャンバーに搬送するように前記液処理チャンバー、前記移送ユニット、そして前記光処理チャンバーを制御する請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
9. 前記基板処理装置は、
   基板が収容される容器が置かれるロードポートを有するインデックス部と、
   前記インデックス部と連結され、基板を処理する工程処理部と、を含み、
   前記光処理チャンバーは、
   前記インデックス部に提供される請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
10. 前記光処理チャンバーは、
    前記ロードポートに設置される請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記インデックス部は、
    前記ロードポートが設置される前面パネル、前記前面パネルと対向されるように配置される背面パネル、そして上部から見る時、前記前面パネルと前記背面パネルを連結する側面パネルを含み、
    前記光処理チャンバーは、
    前記側面パネルに設置される請求項９に記載の基板処理装置。
12. 前記光を照射する光源は、バー（Ｂａｒ）形状を有し、
    前記光源は、前記支持部の上部で交互に配置される請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
13. 前記光を照射する光源は、各々ブロック形状を有し、
    前記光源は横方向及び／又は縦方向に複数が配列される請求項１乃至請求項４のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
14. 前記照射部は、
    前記支持部の上部に配置されるプレートをさらに含み、
    前記ブロック形状の光源の各々は、前記プレートに脱着可能に提供される請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 基板処理方法であって、
    基板に光を照射して残留する有機物質を除去する光処理段階を含む基板処理方法であり、
    前記光処理段階には前記基板に照射される前記光は第１光と前記第１光と異なる波長範囲の第２光を含み、
    前記光処理段階には前記第１光、そして前記第２光と異なる波長範囲を有する第３光をさらに照射して前記有機物質が除去され、
    前記第１光は、輻射熱を発生させることができる３００～１０００ｎｍの波長範囲の光であり、
    前記第２光は、オゾン（Ｏ _３ ）及び酸素（Ｏ _２ ）から活性酸素を発生させることができる１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、又は４００ｎｍ以上の波長の光であり、
    前記第３光は、前記基板上に付着された有機物質にさらに熱を伝達して前記有機物質を炭化させることができる８００ｎｍ以上の波長範囲の光であることを含む基板処理方法。
16. 前記光処理段階には前記基板と前記光を照射する照射部との距離が調節される請求項１５に記載の基板処理方法。
17. 前記基板処理方法は、
    有機溶剤を供給して基板を処理する液処理段階をさらに含み、
    前記光処理段階は、前記液処理段階の後に遂行される請求項１５に記載の基板処理方法。
18. 前記基板に前記光が印加される間に前記基板又は前記光を照射する光源が回転される請求項１５に記載の基板処理方法。

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