JP7285731B2 - Method for forming a circular substrate - Google Patents
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Description
本発明は、基板から該基板よりも小さい円形基板を形成する円形基板の形成方法に関する。 The present invention relates to a circular substrate forming method for forming a circular substrate smaller than the substrate from a substrate.
通常インゴットをスライスしてウェーハを形成するが、所定の領域のウェーハの質が不良であった場合や、設備上の都合等によりインゴットをスライスして形成されたウェーハ等の基板から円形基板をくり抜いて形成する場合がある(例えば、特許文献1参照及び特許文献2参照)。基板から円形基板をくり抜く際には、切削ブレードやコアドリルが利用されている。
Wafers are usually formed by slicing an ingot. However, if the quality of the wafer in a predetermined area is poor or due to equipment reasons, a circular substrate is cut out from a substrate such as a wafer formed by slicing an ingot. (see, for example,
コアドリルは、切削ブレードによる加工に比べて短時間基板から円形基板をくり抜くことができるというメリットがある。しかしながら、コアドリルを用いる場合、加工液が加工点に供給されにくく、加工熱による加工品質の悪化や工具の異常摩耗等が問題となっている。更に、くりぬいた後の円形基板が、コアドリル内に挟まってしまうという問題もある。 A core drill has the advantage of being able to hollow out a circular substrate from a substrate in a short period of time compared to machining with a cutting blade. However, when a core drill is used, it is difficult to supply the machining fluid to the machining point, and there are problems such as deterioration of machining quality due to machining heat and abnormal wear of the tool. Furthermore, there is also the problem that the circular substrate after hollowing out is caught in the core drill.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、加工品質の悪化を抑制することができる円形基板の形成方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of forming a circular substrate that can suppress deterioration of processing quality.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の円形基板の形成方法は、基板から該基板よりも小さい円形基板を形成する円形基板の形成方法であって、該基板の裏面にテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープを介して該基板を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップを実施する前または後に、該基板の外周側で該基板を囲繞する該基板の厚みよりも高い堤防壁を配置する堤防壁配置ステップと、該堤防壁配置ステップを実施した後、該堤防壁の内側に液体を供給して該基板を水没させる液体供給ステップと、該液体供給ステップを実施した後、該基板よりも小さい直径を有したコアドリルを回転させつつ該コアドリルで該基板の表面から該テープに至るまで切削して円形基板を形成する切削ステップと、該切削ステップを実施した後、該テープ上から該円形基板を取り外す取り外しステップと、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems and achieve the object, the present invention provides a method for forming a circular substrate in which a circular substrate smaller than the substrate is formed from a substrate, and a circular substrate is formed on the back surface of the substrate. a tape applying step of applying a tape; a holding step of holding the substrate on a holding table through the tape; a bank wall placement step of placing a bank wall higher than the thickness of a substrate; a liquid supplying step of supplying a liquid to the inside of the bank wall after performing the bank wall placement step to submerge the substrate; After performing the supplying step, a cutting step of rotating a core drill having a diameter smaller than that of the substrate and cutting with the core drill from the surface of the substrate to the tape to form a circular substrate; and a removing step of removing the circular substrate from the tape after performing.
前記円形基板の形成方法では、該切削ステップは、該コアドリルに切削液を供給しつつ遂行されても良い。 In the method for forming a circular substrate, the cutting step may be performed while supplying a cutting fluid to the core drill.
前記円形基板の形成方法では、該切削ステップでは、該コアドリルを該基板の表面に切り込ませた後、該テープに至るまで該テープに対して近接移動及び離反移動を繰り返しても良い。 In the method for forming a circular substrate, in the cutting step, after cutting the surface of the substrate with the core drill, the tape may be repeatedly moved toward and away from the tape.
本願発明は、加工品質の悪化を抑制することができるという効果を奏する。 ADVANTAGE OF THE INVENTION This invention is effective in the ability to suppress deterioration of processing quality.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 A form (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or changes in configuration can be made without departing from the gist of the present invention.
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係る円形基板の形成方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る円形基板の形成方法の加工対象の基板の一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係る円形基板の形成方法により形成される円形基板の一例を示す斜視図である。図3は、実施形態1に係る円形基板の形成方法の流れを示すフローチャートである。
[Embodiment 1]
A method for forming a circular substrate according to
実施形態1に係る円形基板の形成方法は、図1に示す円板状の基板1から基板1よりも外径11が小さい図2に示す円形基板10を切り取って、円形基板10を形成する方法である。基板1及び円形基板10は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハである。円形基板10は、基材の表面12に図示しないデバイスが形成される。デバイスは、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路等である。
A method of forming a circular substrate according to the first embodiment is a method of forming a
また、実施形態1では、基板1は、図1に示すように、結晶方位を示すノッチ3が形成され、円形基板10は、図2に示すように、結晶方位を示すオリエンテーションフラット13が形成されている。なお、本発明では、基板1は、ノッチ3の代わりにオリエンテーションフラットが形成されても良い。
In
実施形態1に係る円形基板の形成方法は、図3に示すように、テープ貼着ステップST1と、識別マーク形成ステップST2と、堤防壁配置ステップST3と、保持ステップST4と、液体供給ステップST5と、切削ステップST6と、取り外しステップST7とを備える。 As shown in FIG. 3, the method of forming a circular substrate according to the first embodiment includes a tape attaching step ST1, an identification mark forming step ST2, a bank wall arranging step ST3, a holding step ST4, and a liquid supplying step ST5. , a cutting step ST6 and a removing step ST7.
(テープ貼着ステップ)
図4は、図3に示された円形基板の形成方法のテープ貼着ステップ後の基板を示す斜視図である。テープ貼着ステップST1は、基板1の表面2の裏側の裏面4にテープ20を貼着するステップである。
(Tape sticking step)
4 is a perspective view of the substrate after the taping step of the method of forming the circular substrate shown in FIG. 3; FIG. The tape attaching step ST1 is a step of attaching the
実施形態1において、テープ貼着ステップST1では、基板1の裏面4に基板1よりも大径な円板状のテープ20を貼着し、テープ20の外周縁に環状フレーム21を貼着して、図4に示すように、環状フレーム21により基板1を支持する。
In the first embodiment, in the tape attaching step ST1, a disk-
(識別マーク形成ステップ)
図5は、図3に示された円形基板の形成方法の識別マーク形成ステップを模式的に示す斜視図である。図6は、図3に示された円形基板の形成方法の識別マーク形成ステップ後の基板の平面図である。識別マーク形成ステップST2は、基板1に円形基板10のオリエンテーションフラット13となるハーフカット溝22を形成するステップである。
(Identification mark forming step)
5 is a perspective view schematically showing an identification mark forming step in the method of forming the circular substrate shown in FIG. 3. FIG. 6 is a plan view of the substrate after the identification mark forming step of the circular substrate forming method shown in FIG. 3. FIG. The identification mark forming step ST2 is a step of forming a half-
実施形態1において、識別マーク形成ステップST2では、図5に示す切削装置30が基板1をテープ20を介して図示しないチャックテーブルに吸引保持する。実施形態1において、識別マーク形成ステップST2では、切削装置30が、図5に示すように、ノッチ3が示す結晶方位と同一の結晶方位を示すオリエンテーションフラット13と平行にチャックテーブルと切削ユニット31とを相対的に移動させながら切削ブレード32を基板1の厚み方向の中央まで切り込ませる。
In
実施形態1において、識別マーク形成ステップST2では、切削装置30が、基板1の外縁間に基板1の表面から凹のハーフカット溝22を形成する。実施形態1では、ハーフカット溝22は、図6に示すように、基板1のノッチ3寄りの端部と、基板1の中央部とにそれぞれ形成される。ハーフカット溝22間の間隔は、円形基板10の外径11よりも若干大きい。なお、実施形態1において、識別マーク形成ステップST2では、切削装置30が切削加工によりハーフカット溝22を形成したが、本発明では、基板1に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してアブレーション加工によりハーフカット溝22を形成しても良い。また、本発明では、ハーフカット溝22の代わりに、基板1を分割する分割溝を切削加工又はレーザビームを照射するアブレーション加工により形成しても良く、チョッパー痕等を形成しても良い。
In the first embodiment, in the identification mark forming step ST2, the cutting
(堤防壁配置ステップ)
図7は、図3に示された円形基板の形成方法の堤防壁配置ステップを示す斜視図である。実施形態1において、堤防壁配置ステップST3は、保持ステップST4を実施する前に、基板1の外周側でかつ基板1を囲繞する基板1の厚み5よりも高い堤防壁23を配置するステップである。
(Dike wall placement step)
FIG. 7 is a perspective view showing the embankment placement step of the method of forming the circular substrate shown in FIG. In
実施形態1において、堤防壁配置ステップST3では、内径が基板1の外径よりも大きく、かつ外径が環状フレーム21の内径よりも小さいとともに、基板1の厚み5よりも厚み24が厚いリング状の堤防壁23を準備する。堤防壁23は、例えば、樹脂からなる。堤防壁配置ステップST3では、堤防壁23の一方の端面25を基板1の外周側でかつ環状フレーム21の内周側のテープ20に貼着し、一方の端面25を全周に亘ってテープ20に密着させる。実施形態1では、堤防壁23を基板と同軸となる位置に配置したが、本発明では、必ずしも同軸に配置しなくても良い。
In
(保持ステップ)
図8は、図3に示された円形基板の形成方法の保持ステップを一部断面で示す側面図である。保持ステップST4は、テープ20を介して基板1を図8に示す切削装置40の保持テーブル41で保持するステップである。
(holding step)
8 is a side view, partly in section, showing a holding step in the method of forming the circular substrate shown in FIG. The holding step ST4 is a step of holding the
実施形態1において、保持ステップST4では、図5に示す切削装置40が、基板1をテープ20を介して保持テーブル41の保持面42に吸引保持し、保持テーブル41の周囲のクランプ部43で環状フレーム21をクランプする。
In
(液体供給ステップ)
図9は、図3に示された円形基板の形成方法の液体供給ステップの要部を示す斜視図である。図10は、図3に示された円形基板の形成方法の液体供給ステップを一部断面で示す側面図である。液体供給ステップST5は、堤防壁配置ステップST3を実施した後、堤防壁23の内側に液体26を供給して基板1を液体26内に水没させるステップである。
(liquid supply step)
9 is a perspective view showing the essential part of the liquid supply step of the method of forming the circular substrate shown in FIG. 3. FIG. FIG. 10 is a side view showing, in partial cross section, the liquid supply step of the method for forming the circular substrate shown in FIG. The liquid supply step ST5 is a step of supplying the liquid 26 to the inside of the
実施形態1において、液体供給ステップST5では、切削装置40が、図9に示すように、液体供給ノズル44から液体26を堤防壁23の内側に供給する。実施形態1において、液体26は、純水である。実施形態1において、液体供給ステップST5では、液体26を堤防壁23の内側に充填して、図10に示すように、液体26内に基板1を水没させる。
In the first embodiment, in the liquid supply step ST5, the cutting
(切削ステップ)
図11は、図3に示された円形基板の形成方法の切削ステップの要部を示す斜視図である。図12は、図3に示された円形基板の形成方法の切削ステップの要部を示す断面図である。切削ステップST6は、液体供給ステップST5を実施した後、基板1よりも小さい直径を有したコアドリル45を回転させつつコアドリル45で基板1の表面2からテープ20に至るまで切削して円形基板10を形成するステップである。
(cutting step)
11 is a perspective view showing the main part of the cutting step of the method of forming the circular substrate shown in FIG. 3. FIG. 12 is a cross-sectional view showing the main part of the cutting step in the method of forming the circular substrate shown in FIG. 3. FIG. In the cutting step ST6, after performing the liquid supply step ST5, the
実施形態1において、切削ステップST6では、切削装置40が、下端にコアドリル45が装着されたスピンドル46を鉛直方向と平行な軸心回りに回転させる。コアドリル45は、金属等で構成された上側の開口が塞がれた円筒状の中空ボディ47と、中空ボディ47の環状の下面に設けられた切削刃48とを備える。切削刃48は、例えば、砥粒が結合材で固定された砥石であり、中空ボディ47の内周面及び外周面と面一に形成されている。中空ボディ47の内径は、円形基板10の外径11と等しい。
In the first embodiment, in the cutting step ST6, the cutting
切削ステップST6では、切削装置40が、図11及び図12に示すように、コアドリル45に液体供給ノズル44から切削液である液体26を供給しつつスピンドル46により回転されたコアドリル45を基板1の表面2に切削刃48がハーフカット溝22を跨るように、接触させる。切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45を保持テーブル41の保持テーブル41に近付けて、基板1にコアドリル45の切削刃48を切り込ませる。こうして、実施形態1において、切削ステップST6は、コアドリル45に液体26を供給しつつ遂行される。
In the cutting step ST6, the cutting
実施形態1において、切削ステップST6では、切削装置40が、基板1に切削刃48を切り込ませ、基板1を切削刃48で円形にくり抜くことができる。実施形態1において、切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45(切削刃48)を基板1の表面2から裏面4まで切り込ませる、即ちテープ20に至るまで切削ことで、基板1を切断して、基板1から円形基板10を切り取る。
In the first embodiment, in the cutting step ST6, the cutting
コアドリル45は、構造上、切削刃48で基板1を加工する加工点(すなわち、切削刃48と基板1とが接触する接触点)に対して、大量の液体26を供給するのは難しい。そのため、コアドリル45は、加工点で発生する熱が適切に排出されず、この熱による加工精度の低下や切削刃48の異常摩耗等が問題になり易かった。
Structurally, the
そこで、実施形態1において、切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45(切削刃48)を基板1の表面2から裏面4まで切り込ませてテープ20に至るまでの間に、コアドリル45を保持テーブル41に接近する方向(下方)への近接移動と保持テーブル41から離れる方向(上方)への離反移動とを繰り返す。即ち、切削ステップST6では、コアドリル45を基板1に表面2に切り込ませた後、テープ20に至るまでのテープ20に対して近接移動と離反移動とを繰り返す。
Therefore, in the first embodiment, in the cutting step ST6, the cutting
切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45を下方に移動させる近接移動し、切削刃48が基板1の表面2に接触すると、基板1の一部が削り取られて、表面2側に溝が形成される。コアドリル45を近接移動の条件(例えば、移動の速度等)は、加工点で発生する熱の影響が問題にならない範囲で調整される。例えば、コアドリル45の回転数が3000rpm以上でかつ5000rpm以下(例えば、4000rpm)の場合には、近接移動の速度を、3μm/秒以上でかつ7μm/秒以下(例えば、5μm/秒)、近接移動の時間を、切削刃48と基板1とが接触した時点から3秒以上でかつ7秒以下(例えば、4秒)にすると良い。
In the cutting step ST6, the cutting
切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45を近接移動した後には、コアドリル45を上方に移動させる離反移動する。これにより、液体供給ノズル44から供給される液体26が、溝の内側に流れ込む。コアドリル45を離反移動させる際の条件(例えば、移動の速度等)は、溝の内側に適切な量の液体が供給される範囲で調整される。例えば、近接移動の速度より大きな10μm/秒以上でかつ30μm/秒以下(例えば、20μm/)の速度で、基板1の表面2に接触しない高さまで切削刃48を離反移動する。
In the cutting step ST6, the cutting
なお、コアドリル45の近接移動の時間に対して、コアドリル45の離反移動の時間が長くなり過ぎると、円形基板10の生産性が低下する。また、コアドリル45の近接移動の時間が長くなり過ぎると、加工点で発生する熱の影響が問題になり易い。そこで、コアドリル45の近接移動の時間t1と、コアドリル45の離反移動の時間t2とは、例えば、1≦t1/t2≦15、好ましくは、2≦t1/t2≦10を満たす範囲で調整される。ただし、本発明では、コアドリル45を移動させる際の条件は、必ずしも前述した条件を満たす範囲でなくても良い。
If the time required for the
切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45を離反移動させた後には、コアドリル45を再び近接移動させる。これにより、基板1の一部が更に削り取られて、表面2側の溝が深くなる。なお、コアドリル45の近接移動の条件は、前述した条件と同じでも良いし、異なっても良い。
In the cutting step ST6, the cutting
上述のように、切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45の離反移動によって、加工点(溝の内側)に適切な量の液体26を浸入させている。そのため、実施形態1において、切削ステップは、後の近接移動によって基板1を再び加工する際にも、加工点で発生する熱が適切に排出され易くなる。切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45を近接移動させた後には、コアドリル45を再び離反移動させる。このように、実施形態1において、切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45の近接移動と離反移動とを繰り返すことによって、加工点で発生する熱に起因する問題を解消できる。
As described above, in the cutting step ST6, the cutting
実施形態1において、切削ステップST6では、切削装置40が、コアドリル45で基板1をくり抜き、円形基板10を形成した後には、同様の手順で、コアドリル45で基板1を予め定められた所定回数くり抜き、円形基板10を予め定められた所定数形成する。なお、切削ステップST6において形成された円形基板10は、テープ20に貼着されている。
In the first embodiment, in the cutting step ST6, the cutting
(取り外しステップ)
図13は、図3に示された円形基板の形成方法の取り外しステップの要部を示す斜視図である。取り外しステップST7は、切削ステップST6を実施した後、テープ20上から円形基板10を取り外すステップである。実施形態1において、取り外しステップST7では、堤防壁23をテープ20から取り外し、液体26を除去した後、図示しないピックアップ装置が、図13に示すように、円形基板10を一枚ずつテープ20から剥がして、ピックアップする。実施形態1に係る円形基板の形成方法により形成された円形基板10は、表面12にデバイスが形成される。
(removal step)
13 is a perspective view showing a main part of a removing step in the method of forming the circular substrate shown in FIG. 3. FIG. The removing step ST7 is a step of removing the
以上説明したように、実施形態1に係る円形基板の形成方法は、基板1を液体26内に水没させた状態で切削ステップST6においてコアドリル45で基板1を切削するため、液体26が加工点に浸入し易く、加工熱による加工品質の悪化や工具の異常摩耗等を抑制することができる。その結果、実施形態1に係る円形基板の形成方法は、加工品質の悪化を抑制することができるという効果を奏する。
As described above, in the method for forming a circular substrate according to the first embodiment, since the
また、実施形態1に係る円形基板の形成方法は、基板1がテープ20に貼着されているため、基板1から形成された円形基板10がテープ20に貼着され続けることとなる。その結果、実施形態1に係る円形基板の形成方法は、形成した円形基板10がコアドリル45内に挟まることを抑制することができる。
Further, in the method for forming a circular substrate according to the first embodiment, since the
〔変形例〕
本発明の実施形態1の変形例に係る円形基板の形成方法を図面に基づいて説明する。図14は、実施形態1の変形例に係る円形基板の形成方法の流れを示すフローチャートである。なお、図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Modification]
A method for forming a circular substrate according to a modification of
変形例に係る円形基板の形成方法は、図14に示すように、識別マーク形成ステップST2後に保持ステップST4を実施し、保持ステップST4後に堤防壁配置ステップST3を実施すること以外、実施形態1に係る円形基板の形成方法と同じである。即ち、変形例に係る円形基板の形成方法は、保持ステップST4を実施した後に堤防壁配置ステップST3を実施する。
As shown in FIG. 14, the method of forming a circular substrate according to a modification is similar to that of
変形例に係る円形基板の形成方法は、基板1を液体26内に水没させた状態で切削ステップST6においてコアドリル45で基板1を切削するため、液体26が加工点に浸入し易く、実施形態1と同様に、加工品質の悪化を抑制することができるという効果を奏する。
In the method of forming a circular substrate according to the modification, since the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 In addition, this invention is not limited to the said embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
1 基板
2 表面
4 裏面
5 厚み
10 円形基板
20 テープ
23 堤防壁
26 液体(切削液)
41 保持テーブル
45 コアドリル
ST1 テープ貼着ステップ
ST3 堤防壁配置ステップ
ST4 保持ステップ
ST5 液体供給ステップ
ST6 切削ステップ
ST7 取り外しステップ
REFERENCE SIGNS
41 holding table 45 core drill ST1 tape application step ST3 embankment placement step ST4 holding step ST5 liquid supply step ST6 cutting step ST7 removal step
Claims (3)
該基板の裏面にテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープを介して該基板を保持テーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施する前または後に、該基板の外周側で該基板を囲繞する該基板の厚みよりも高い堤防壁を配置する堤防壁配置ステップと、
該堤防壁配置ステップを実施した後、該堤防壁の内側に液体を供給して該基板を水没させる液体供給ステップと、
該液体供給ステップを実施した後、該基板よりも小さい直径を有したコアドリルを回転させつつ該コアドリルで該基板の表面から該テープに至るまで切削して円形基板を形成する切削ステップと、
該切削ステップを実施した後、該テープ上から該円形基板を取り外す取り外しステップと、を備えた円形基板の形成方法。 A circular substrate forming method for forming a circular substrate smaller than the substrate from a substrate, comprising:
a tape attaching step of attaching a tape to the back surface of the substrate;
a holding step of holding the substrate on a holding table via the tape;
before or after carrying out the holding step, an embankment placing step of arranging an embankment surrounding the substrate on the outer peripheral side thereof and having a height higher than the thickness of the substrate;
a liquid supply step of supplying a liquid to the inside of the embankment wall to submerge the substrate after performing the embankment placement step;
a cutting step of rotating a core drill having a smaller diameter than the substrate and cutting from the surface of the substrate to the tape to form a circular substrate after performing the liquid supply step;
and a removing step of removing the circular substrate from the tape after performing the cutting step.
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012113801A (en) | 2010-11-02 | 2012-06-14 | Hoya Corp | Method of manufacturing glass substrate for magnetic disk |
| JP2018075694A (en) | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of substrate |
| JP2018113352A (en) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | Chuck table and processing device |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0279949A1 (en) * | 1987-02-11 | 1988-08-31 | BBC Brown Boveri AG | Process for manufacturing semiconductor components |
| JPH0596409A (en) * | 1991-10-03 | 1993-04-20 | Hitachi Seiko Ltd | Processing of hard-to-cut material |
-
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| JP2018075694A (en) | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | Manufacturing method of substrate |
| JP2018113352A (en) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社ディスコ | Chuck table and processing device |
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