JP7292159B2 - 基板処理装置及び空気供給方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置及び空気供給方法に関する。

特許文献１には、第１の処理ユニット部と第２の処理ユニット部とが装置正面側に一方向に併設された処理ステーションを有する基板処理装置が開示されている。第１の処理ユニット部は、レジスト塗布処理ユニットが３段及び反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットが２段、下方から順に５段に重ねられ、第２の処理ユニット部は、現像処理ユニットが５段に重ねられている。また、特許文献１の基板処理装置には、装置外に設けられた空調機からの清浄な空気を各処理ユニット部に供給するためのダクトが２本設けられている。ダクトを介して供給された空気は、処理ステーションの上部に設けられたＵＬＰＡフィルタにより清浄化され、ダウンフローで各処理ユニットに供給される。

特開２００７－８８４８５号公報

本開示にかかる技術は、処理ユニットを複数有する基板処理装置において、各処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減する。

本開示の一態様は、基板を処理する処理ユニットを複数有する基板処理装置であって、前記処理ユニットに空気を供給する複数のダクトを有し、前記ダクト毎に、当該ダクトと空気の供給源とを連結する接続管を有し、前記複数のダクトは、互いに異なる数の前記処理ユニットが接続され、下記（Ａ）及び（Ｂ）の条件のうち、（Ａ）前記ダクトがそれぞれ、当該ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、（Ｂ）前記接続管がそれぞれ、当該接続管が連結する前記ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、少なくともいずれか一方を満たし、前記ダクト内の空気の流速及び前記接続管を介して前記ダクトに供給される空気の流速の少なくともいずれか一方が前記ダクト間で等しい。

本開示によれば、処理ユニットを複数有する基板処理装置において、各処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減することができる。

本実施形態に係る基板処理装置としての塗布現像装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 図１の塗布現像装置の内部構成の概略を模式的に示す、縦断正面図である。 図１の塗布現像装置の内部構成の概略の正面側から見た様子を模式的に示す図である。 図１の塗布現像装置の内部構成の概略の背面側から見た様子を模式的に示す図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックの内部を部分的且つ概略的に示す斜視図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックの内部を部分的且つ概略的に示す上面図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックの上部を部分的且つ概略的に示す正面図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックの上部を部分的且つ概略的に示す斜視図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックとキャリアブロックの下面を部分的且つ概略的に示す斜視図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックとキャリアブロックの下面を部分的且つ概略的に示す下面図である。 図１の塗布現像装置の処理ブロックの下部を概略的に示す斜視図である。 処理ブロックの側方に設けられる、電装品を収納するキャビネットの一例を示す斜視図である。 図１２の部分拡大図である。

半導体デバイスの製造プロセス等におけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所望のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理では、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が行われる。これらの処理のうち、レジスト膜形成処理及び現像処理等、露光処理以外の処理は、基板処理装置である塗布現像装置で行われている。

塗布現像処理装置では、ウェハを液処理する液処理ユニット等の各種処理ユニットが設けられている。また、例えば液処理ユニットそれぞれに、当該ユニット内の雰囲気を清浄に保つために清浄な空気が供給されている。この清浄な空気の供給のため、ダクトが設けられ、各液処理ユニットそれぞれに接続されている（特許文献１参照）。

ところで、例えば液処理ユニットの搭載数が多い場合等において、複数（例えば２本）のダクトが設けられることがある。また、ダクトを複数設ける場合に、各ダクトに接続される処理ユニットの数がダクト間で異なることがある。このように各ダクトへの処理ユニットの接続数が異なると、ダクト間で空気の流速が異なってしまうことがある。例えば、同じ寸法の第１及び第２のダクトが設けられ、処理ユニットの接続数が、第１のダクトより第２のダクトの方が少なく、各処理ユニットへの空気の流量が等しい場合、第１のダクトより第２のダクトの方が空気の流速が遅くなる。ダクトを通じて供給される空気は、ダクト内での流速が遅いと、ダクト内により長時間存在することになるため、ダクト外からの熱の影響によって、より高温になり、また、相対的に湿度が下がってしまう。したがって、流速の遅い第２のダクトでは、第１のダクトに比べて、ダクト上流側に接続された処理ユニットとダクト下流側に接続された処理ユニットとで、供給される空気の温度差や湿度差が大きくなってしまう。

また、各ダクトに接続される処理ユニットの数がダクト間で異なると、各ダクトに供給される空気の温度や湿度が異なってしまうことがある。例えば、第１及び第２のダクトが設けられ、第２のダクトの方が処理ユニットの接続数が少なく、各処理ユニットへの空気の流量が等しい場合、第１及び第２のダクトと空気の供給源とをそれぞれ連結する第１及び第２の接続管の寸法が等しいと、第１の接続管より第２の接続管の方が空気の流速が遅くなる。接続管を介して各ダクトに供給される空気は、接続管内での流速が遅いと、接続管内により長時間存在することになるため、接続管外からの熱の影響によって、より高温になり、また、相対的に湿度が下がってしまう。そのため、上述のように第１の接続管より第２の接続管の方が空気の流速が遅いと、第１の接続管を介して第１のダクトに供給される空気に比べて、第２の接続管を介して第２のダクトに供給される空気の温度が高温になる。したがって、第１のダクトに接続された処理ユニットと、第２のダクトに接続された処理ユニットとで、供給される空気の温度差や湿度差が生じてしまう。
各処理ユニットとで、供給される空気の温度や湿度が異なると、例えば、処理ユニットでレジスト膜を形成する場合に膜厚差等がユニット間で生じてしまう。

そこで、本開示にかかる技術は、処理ユニットを複数有する基板処理装置において、各処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減する。
特に、複数のダクトを有し処理ユニットの接続数がダクト間で異なる基板処理装置において、各処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減する。

以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び空気供給方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図１は、基板処理装置としての塗布現像装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。図２は、塗布現像装置１の内部構成の概略を模式的に示す、縦断正面図である。図３及び図４は、塗布現像装置１の内部構成の概略の正面側及び背面側から見た様子を模式的に示す図である。

塗布現像装置１は、図１に示すように、キャリアブロックＢ１と、処理ブロックＢ２と、中継ブロックとしてのインターフェイスブロックＢ３とが、この順で幅方向（図のＸ方向）に沿って並ぶように設けられている。以下の説明では、上述の幅方向を左右方向として説明する場合がある。インターフェイスブロックＢ３の右側（図のＸ方向正側）には露光装置Ｅが接続されている。

キャリアブロックＢ１は、複数枚の基板としてのウェハＷをまとめて搬送するためのキャリアＣが搬入出されるブロックである。
キャリアブロックＢ１には、キャリア載置台１１が設けられている。キャリア載置台１１には、例えば塗布現像装置１の外部からキャリアＣを搬入出する際に、キャリアＣが載置される載置板１２が設けられている。載置板１２は、幅方向（図のＸ方向）と水平面内で直交する奥行き方向（図のＹ方向）に沿って、複数（図の例では４つ）設けられている。また、キャリアブロックＢ１には、キャリア載置台１１と処理ブロックＢ２との間に、ウェハ搬送機構１３が設けられている。ウェハ搬送機構１３は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、奥行き方向に移動自在に構成された搬送アーム１３ａを有し、各載置板１２上のキャリアＣと、後述の受渡タワー２１との間で、ウェハＷを搬送できる。

処理ブロックＢ２は、露光前または露光後のウェハＷを処理する処理ユニットが設けられたブロックであり、本実施形態では、左右方向（図のＸ方向）に連接された複数（図の例では２つ）のサブブロックＢ２１、Ｂ２２からなる。以下では、キャリアブロックＢ１側のサブブロックＢ２１を左側サブブロックＢ２１、インターフェイスブロックＢ３側のサブブロックＢ２２を右側サブブロックＢ２２という。

左側サブブロックＢ２１及び右側サブブロックＢ２２は、図２～図４に示すように、上下方向に多層化されており、それぞれ第１～第６層ブロックＬ１～Ｌ６、第１～第６層ブロックＰ１～Ｐ６を有する。各層ブロックには、各種処理ユニットが設けられている。

左側サブブロックＢ２１は、キャリアブロックＢ１側に、第１～第６層ブロックＰ１～Ｐ６に跨るように受渡タワー２１が設けられている。
受渡タワー２１は、複数の受渡モジュールが上下方向に積層されたものである。この受渡タワー２１は、第１～第６層ブロックＬ１～Ｌ６の各層ブロックに対応する高さ位置に、受渡モジュールが設けられている。具体的には、受渡タワー２１は、第１層ブロックＬ１に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ１１、ＣＰＬ１１が設けられている。同様に、第２～第６層ブロックＬ２～Ｌ６に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ１２～ＴＲＳ１６、ＣＰＬ１２～ＣＰＬ１６が設けられている。なお、「ＴＲＳ」が付されている受渡モジュールと「ＣＰＬ」が付されている受渡モジュールは、略同様に構成されており、後者のみが、ウェハＷが載置されるステージに当該ウェハＷの温度を調節するため媒体の流路が形成されている点で異なる。

また、受渡タワー２１は、キャリアブロックＢ１内のウェハ搬送機構１３がアクセス可能な高さ位置に、具体的には、受渡モジュールＣＰＬ１２と受渡モジュールＴＲＳ１３との間の位置に、受渡モジュールＴＲＳ１０が設けられている。この受渡モジュールＴＲＳ１０は、例えば、左側サブブロックＢ２１とキャリアブロックＢ１との間でのウェハ搬入出時に用いられる。

受渡タワー２１は、図１に示すように、左側サブブロックＢ２１における奥行き方向中央の位置に設けられており、当該受渡タワー２１の奥側（図のＹ方向正側）には、ウェハ搬送機構２２が設けられている。ウェハ搬送機構２２は、進退自在且つ昇降自在に構成された搬送アーム２２ａを有し、受渡タワー２１の各受渡モジュール間で、ウェハＷを搬送できる。

続いて、左側サブブロックＢ２１の第１～第６層ブロックＬ１～Ｌ６について説明する。なお、図１では、左側サブブロックＢ２１については、第１層ブロックＬ１の構成が示されており、以下では、まず第１層ブロックＬ１について具体的に説明する。

図１に示すように、第１層ブロックＬ１の奥行き方向中央には、受渡タワー２１から幅方向に延びる搬送領域Ｍ１が、奥行き方向中央に形成されている。

第１層ブロックＬ１における、搬送領域Ｍ１より手前側（図のＹ方向負側）の領域と奥側（図のＹ方向正側）の領域それぞれに、各種ユニットが設けられている。
具体的には、第１層ブロックＬ１の手前側の領域には、処理液によりウェハＷを液処理する液処理ユニットである反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１が設けられ、奥側の領域には、各種ユニットを有する縦型ユニットＴ１１～Ｔ１４が設けられている。

反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１は、ウェハＷ上に反射防止膜を形成する。反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック３１と、スピンチャック３１上のウェハＷを囲みウェハＷから飛散した処理液を回収するカップ３２と、を有する。これらスピンチャック３１とカップ３２との組が幅方向に沿って２つ設けられている。また、反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１は、スピンチャック３１に保持されたウェハＷに反射防止膜形成用の処理液を吐出するノズル３３が設けられている。このノズル３３は、カップ３２間を移動自在に構成されており、カップ３２間で共有される。

縦型ユニットＴ１１～Ｔ１４は、幅方向に沿って左側（図のＸ方向負側）からこの順で設けられている。縦型ユニットＴ１１、Ｔ１２はそれぞれ、ウェハＷに対し疎水化処理を行う疎水化処理ユニットを有し、各ユニット内において疎水化処理ユニットは、例えば上下方向２段に積層されている。縦型ユニットＴ１３、Ｔ１４はそれぞれ、ウェハＷに対し加熱処理を行う加熱ユニットを有し、各ユニット内において加熱ユニットは、例えば上下方向２段に積層されている。

また、第１層ブロックＬ１では、上述の搬送領域Ｍ１に、ウェハ搬送機構Ｍ１１が設けられている。ウェハ搬送機構Ｍ１１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、幅方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アームＭ１１ａを有する。この搬送アームＭ１１ａにより、受渡タワー２１と反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１との間、反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１と縦型ユニットＴ１３、Ｔ１４との間等で、ウェハＷを受け渡すことができる。搬送アームＭ１１ａは、右側サブブロックＢ２２の後述の受渡タワー４１にもアクセスすることができる。

第２層ブロックＬ２は、第１層ブロックＬ１と同様に構成されている。なお、図等において、第２層ブロックＬ２に設けられている搬送領域をＭ２とし、反射防止膜形成ユニットをＢＣＴ２とし、縦型ユニットをＴ２１～Ｔ２６とする。また、搬送領域Ｍ２に設けられたウェハ搬送機構をＭ２１とし、ウェハ搬送機構Ｍ２１が有する搬送アームをＭ２１ａとする。

第３層ブロックＬ３と第１層ブロックＬ１とでは、手前側に設けられている液処理ユニットの種類と、奥側に設けられている縦型ユニットの構成が異なる。第３層ブロックＬ３では、液処理ユニットとして、反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１の代わりに、露光後のウェハＷに対して現像処理を行う現像ユニットＤＥＶ１が設けられている。なお、現像ユニットＤＥＶ１のノズル３３からは処理液として現像液が供給される。また、第３層ブロックＬ３では、縦型ユニットＴ３１～Ｔ３４がそれぞれ上述の加熱ユニットを有している。なお、図等において、第３層ブロックＬ３に設けられている搬送領域をＭ３とし、搬送領域Ｍ３に設けられたウェハ搬送機構をＭ３１とし、ウェハ搬送機構Ｍ３１が有する搬送アームをＭ３１ａとする。

第４～第６層ブロックＬ４～Ｌ６は、第３層ブロックＬ３と同様に構成されている。なお、図等において、第４～第６層ブロックＬ４～Ｌ６に設けられている搬送領域をＭ４～Ｍ６とし、現像ユニットをＤＥＶ２～ＤＥＶ４とし、縦型ユニットをＴ４１～Ｔ４６、Ｔ５１～Ｔ５６、Ｔ６１～Ｔ６６とする。また、搬送領域Ｍ４～Ｍ６に設けられたウェハ搬送機構をＭ４１、Ｍ５１、Ｍ６１とし、ウェハ搬送機構Ｍ４１、Ｍ５１、Ｍ６１が有する搬送アームをそれぞれ、Ｍ４１ａ、Ｍ５１ａ、Ｍ６１ａとする。

右側サブブロックＢ２２は、図１に示すように、左側サブブロックＢ２１の搬送領域Ｍ１～Ｍ６と幅方向（図のＸ方向）隣接する位置に、受渡タワー４１を有する。受渡タワー４１は、図２に示すように、右側サブブロックＢ２２の第１～第６層ブロックＰ１～Ｐ６に跨るように設けられている。

この受渡タワー４１は、複数の受渡モジュールが上下方向に積層されている。受渡タワー４１は、第１～第６層ブロックＬ１～Ｌ６及び第１～第６層ブロックＰ１～Ｐ６の各層ブロックに対応する高さ位置に、受渡モジュールが設けられている。具体的には、受渡タワー４１は、第１層ブロックＬ１及び第１層ブロックＰ１に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ２１が設けられている。同様に、第２層ブロックＬ２及び第２層ブロックＰ２に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ２２が設けられている。また、第３～第６層ブロックＬ３～Ｌ６及び第３～第６層ブロックＰ３～Ｐ６に対応する位置に受渡モジュールＴＲＳ２３～ＴＲＳ２６、ＣＰＬ２３～ＣＰＬ２６が設けられている。
また、受渡タワー４１は、後述のウェハ搬送機構Ｑ１１、Ｑ２１、Ｑ３１がアクセス可能な高さ位置に、受渡モジュールＴＲＳ２０が設けられている。この受渡モジュールＴＲＳ２０は、例えば、右側サブブロックＢ２２から左側サブブロックＢ２１へのウェハＷの搬入時に用いられる。

また、右側サブブロックＢ２２は、図１に示すように、受渡タワー４１の奥側（図のＹ方向正側）にウェハ搬送機構４２が設けられている。ウェハ搬送機構４２は、進退自在且つ昇降自在に構成された搬送アーム４２ａを有し、受渡タワー４１の各受渡モジュール間で、ウェハＷを搬送できる。

続いて、右側サブブロックＢ２２の第１～第６層ブロックＰ１～Ｐ６について説明する。
本実施形態では、第４～第６層ブロックＰ４～Ｐ６には液処理ユニット等の処理ユニットが設けられるが、第１～第３層ブロックＰ１～Ｐ３には処理ユニットは設けられない。以下、具体的に説明する。なお、図１では、右側サブブロックＢ２２については、第１～第６層ブロックＰ１～Ｐ６のうち、第４層ブロックＰ４の構成が示されている。

右側サブブロックＢ２２の第４層ブロックＰ４と左側サブブロックＢ２１の第３層ブロックＬ３とでは、手前側に設けられている液処理ユニットの種類の構成が異なる。右側サブブロックＢ２２の第４層ブロックＰ４では、液処理ユニットとして、現像ユニットＤＥＶ１の代わりに、反射防止膜が形成されたウェハＷ上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成ユニットＣＯＴ１が設けられている。なお、レジスト膜形成ユニットＣＯＴ１のノズル３３からは処理液としてレジスト液が供給される。図等において、第４層ブロックＰ４に設けられている搬送領域をＱ４とし、縦型ユニットをＵ４１～Ｕ４４とする。搬送領域Ｑ４に設けられたウェハ搬送機構をＱ４１とし、ウェハ搬送機構Ｑ４１が有する搬送アームをＱ４１ａとする。搬送アームＱ４１ａにより、受渡タワー４１とレジスト膜形成ユニットＣＯＴ１との間、レジスト膜形成ユニットＣＯＴ１と縦型ユニットＵ１１～１４との間等で、ウェハＷを受け渡すことができる。搬送アームＱ４１ａは、インターフェイスブロックＢ３の後述の受渡タワー５１にもアクセスすることができる。

第５、第６層ブロックＰ５、Ｐ６は、第４層ブロックＰ４と同様に構成されている。なお、図等において、第５、第６層ブロックＰ５、Ｐ６に設けられている搬送領域をＱ５、Ｑ６とし、レジスト膜形成ユニットをＣＯＴ２、ＣＯＴ３とし、縦型ユニットをＵ５１～Ｕ５４、Ｕ６１～Ｕ６４とする。また、搬送領域Ｑ５、Ｑ６に設けられたウェハ搬送機構をＱ５１、Ｑ６１とし、ウェハ搬送機構Ｑ５１、Ｑ６１が有する搬送アームをＱ５１ａ、Ｑ６１ａとする。

第４～第６層ブロックＰ４～Ｐ６と同様に、第１～第３層ブロックＰ１～Ｐ３には、搬送領域Ｑ１～Ｑ３が設けられ、搬送領域Ｑ１～Ｑ３には、搬送アームＱ４１ａ、Ｑ５１ａ、Ｑ６１ａを有するウェハ搬送機構Ｑ４１、Ｑ５１、Ｑ６１が設けられている。ただし、第１～第３層ブロックＰ１～Ｐ３では、第４～第６層ブロックＰ４～Ｐ６と異なり、搬送アームＱ４１ａ、Ｑ５１ａ、Ｑ６１ａは、受渡タワー４１とインターフェイスブロックＢ３の後述の受渡タワー５１との間で、ウェハＷを受け渡す際に用いられる。また、第１～第３層ブロックＰ１～Ｐ３では、第４～第６層ブロックＰ４～Ｐ６と異なり、搬送領域Ｑ１～Ｑ３より手前側と奥側の領域に、処理ユニットは設けられない。第１～第３層ブロックＰ１～Ｐ３において、例えば、搬送領域Ｑ１～Ｑ３より手前側の領域は、レジスト液等の各種処理液を貯留する処理液ボトルや各種処理液を圧送するポンプ等を収納するケミカル室ＣＨＥとして用いられる。

さらに、処理ブロックＢ２では、図１及び図３に示すように、左側サブブロックＢ２１及び右側サブブロックＢ２２それぞれにダクト２３、４３が設けられている。具体的には、左側サブブロックＢ２１では、反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１、ＢＣＴ２及び現像ユニットＤＥＶ１～ＤＥＶ４の液処理ユニットとキャリアブロックＢ１との間に、ダクト２３が設けられている。右側サブブロックＢ２２では、平面視におけるレジスト膜形成ユニットＣＯＴ１～ＣＯＴ３とインターフェイスブロックＢ３との間に、ダクト４３が設けられている。

ダクト２３、４３は、空気の供給源としての空調機Ｓからの清浄な空気を各液処理ユニットに供給する。反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１、ＢＣＴ２、現像ユニットＤＥＶ１～ＤＥＶ４及びレジスト膜形成ユニットＣＯＴ１～ＣＯＴ３それぞれには、フィルタユニットＦが上部に設けられている。フィルタユニットＦは、例えばＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタやガイド板を有している。フィルタユニットＦは、空調機Ｓからファンによって送風される空気を、ＵＬＰＡフィルタで清浄化し、ガイド板によって例えば下降流（ダウンフロー）でカップ３２へ向けて供給する。各液処理ユニットのフィルタユニットＦの下流端はダクト２３、４３に接続され、ダクト２３、４３の上流端には、接続管としてのフレキシブル管２４、４４の一端がそれぞれ接続されている。フレキシブル管２４、４４の他端には上述の空調機Ｓが接続されている。

インターフェイスブロックＢ３は、図１に示すように、左側サブブロックＢ２１の奥行き方向中央の領域に隣接する位置に、受渡タワー５１が設けられている。
この受渡タワー５１は、複数の受渡モジュールが上下方向に積層されている。受渡タワー５１は、右側サブブロックＢ２２の第１～第３層ブロックＰ１～Ｐ３の各層ブロックに対応する高さ位置にそれぞれ、受渡モジュールＴＲＳ３１～ＴＲＳ３３が設けられている。

また、インターフェイスブロックＢ３は、露光装置Ｅ側（図のＸ方向正側）にウェハ搬送機構５２が設けられている。ウェハ搬送機構５２は、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、且つ、奥行き方向（図のＹ方向）に移動自在に構成された搬送アーム５２ａを有する。搬送アーム５２ａにより、受渡タワー５１と露光装置Ｅとの間で、ウェハＷを搬送できる。

以上のように構成される塗布現像装置１は、制御部１００を有している。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。このプログラム格納部には、上述の各種処理ユニットやウェハ搬送機構等の駆動系の動作を制御して、ウェハＷに対して各種処理を行うためのプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部１００にインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

次に、以上のように構成された塗布現像装置１を用いて行われる塗布現像処理について説明する。

まず、複数のウェハＷを収納したキャリアＣが、塗布現像装置１のキャリアブロックＢ１に搬入される。そして、ウェハ搬送機構１３により、キャリアＣ内の各ウェハＷが、受渡タワー２１の受渡モジュールＴＲＳ１０に順次搬送され、処理ブロックＢ２の左側サブブロックＢ２１に搬入される。

続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構２２によって、例えば、受渡タワー２１の受渡モジュールＴＲＳ１１に搬送される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ１１により、例えば、縦型ユニットＴ１１（疎水化処理ユニット）に搬送され、疎水化処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ１１により、例えば、受渡モジュールＣＰＬ１１→反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１→縦型ユニットＴ１３（熱処理ユニット）の順に搬送され、反射防止膜が形成される。

続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ１１により、受渡タワー４１の受渡モジュールＴＲＳ２１に搬送され、処理ブロックＢ２の右側サブブロックＢ２２に搬入される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４２により、例えば、受渡モジュールＣＰＬ２４に搬送され、第４層ブロックＰ４に搬入される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ４１により、レジスト膜形成ユニットＣＯＴ１→縦型ユニットＵ４１（熱処理ユニット）→受渡モジュールＴＲＳ２４の順に搬送され、反射防止膜上にレジスト膜が形成される。

続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４２により、例えば、第１層ブロックＰ１に対応する受渡モジュールＴＲＳ２０に搬送される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ１１により、インターフェイスブロックＢ３の受渡タワー５１の受渡モジュールＴＲＳ３１に搬送される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送機構５２により、露光装置Ｅに搬送され、露光される。露光後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構５２により、例えば受渡タワー５１の受渡モジュールＴＲＳ３３に搬送される。続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｑ３１により、処理ブロックＢ２に再度搬入され、受渡タワー４１の第３層ブロックＰ３に対応する受渡モジュールＴＲＳ２０に搬送される。

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構４２により、例えば、受渡タワー４１の受渡モジュールＴＲＳ２４に搬送される。続いて、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ４１により、左側サブブロックＢ２１に搬入され、例えば、縦型ユニットＴ４１（熱処理ユニット）に搬送され、ＰＥＢ処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ４１により、受渡モジュールＣＰＬ２４→現像ユニットＤＥＶ１の順に搬送される。これにより、ウェハＷに対し現像処理が行われ、当該ウェハＷ上にレジストパターンが形成される。

現像処理後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構Ｍ４１により、縦型ユニットＴ４３（熱処理ユニット）→受渡モジュールＣＰＬ１４に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送機構２２によって、受渡モジュールＴＲＳ１０に搬送される。そして、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１３により、処理ブロックＢ２から搬出され、キャリアＣに戻される。

続いて、ダクト２３、４３及びフレキシブル管２４、４４についてより詳細に説明する。なお、以下では、ダクト２３、４３を通じて反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１、ＢＣＴ２、現像ユニットＤＥＶ１～ＤＥＶ４及びレジスト膜形成ユニットＣＯＴ１～ＣＯＴ３の各液処理ユニット内に供給される空気の流量は、ユニット間で互いに等しいものとする。

ダクト２３、４３は、図３に示すように上下方向に延びるように設けられている。ダクト２３は、下端部から上端部にかけて、反射防止膜形成ユニットＢＣＴ１、ＢＣＴ２及び現像ユニットＤＥＶ１～ＤＥＶ４の６つの液処理ユニットが接続されている。一方、ダクト４３は、上下方向中央部から上端部にかけて、レジスト膜形成ユニットＣＯＴ１～ＣＯＴ３の３つの液処理ユニットが接続されている。つまり、ダクト２３、４３とで、接続される液処理ユニットの数が互いに異なっている。

また、ダクト２３、４３の長さは互いに等しい。それに対し、ダクト２３、４３の内部の断面積は、当該ダクトに接続されている液処理ユニットへの空気の総流量に応じた値となっている。本実施形態では、液処理ユニット間で当該ユニットに供給される空気の流量は互いに等しいため、ダクト２３、４３の内部の断面積は、当該ダクトに接続されている液処理ユニットの数に応じた値となっている。液処理ユニットの接続数はダクト２３が６つでありダクト４３が３つであるため、ダクト４３の内部の断面積は、ダクト２３の１／２と、小さくなっている。
このように、ダクト２３、４３の内部の断面積を、当該ダクトに接続されている液処理ユニットへの空気の総流量に応じた値とすることで、流速の速いダクト２３にダクト４３の流速を合わせている。これにより、ダクト２３、４３とで、当該ダクト内における空気の流速を等しくしている。

また、フレキシブル管２４、４４の長さは互いに等しい。それに対し、フレキシブル管２４、４４の内部の断面積は、当該フレキシブル管が連結するダクトに接続されている液処理ユニットへの空気の総流量に応じた値となっている。本実施形態では、液処理ユニット間で当該ユニットに供給される空気の流量は互いに等しいため、フレキシブル管２４、４４の内部の断面積は、当該フレキシブル管が連結するダクトに接続されている液処理ユニットの数に応じた値となっている。液処理ユニットの接続数はダクト２３が６つでありダクト４３が３つであるため、フレキシブル管４４の内部の断面積は、フレキシブル管２４の１／２となっている。
このように、フレキシブル管２４、４４の内部の断面積を、当該フレキシブル管が連結するダクトに接続されている液処理ユニットへの空気の総流量に応じた値とすることで、流速の速いフレキシブル管２４の流速にフレキシブル管４４の流速を合わせている。これにより、フレキシブル管２４、４４とで、当該フレキシブル管内における空気の流速を等しくしている。つまり、ダクト２３、４３とでは、フレキシブル管を介して当該ダクトに供給される空気の流速が等しい。

以上の説明では、ダクト２３、４３内の空気の流速と、フレキシブル管２４、４４を介してダクト２３、４３に供給される空気の流速との両方が、ダクト間で等しかったが、いずれか一方がダクト間で等しくてもよい。

以上のように、本実施形態では、塗布現像装置１が、液処理ユニットに空気を供給する２つのダクト２３、４３を有し、ダクト毎に、当該ダクトと空調機Ｓとを連結するフレキシブル管２４、４４を有し、２つのダクト２３、４３は、互いに異なる数の液処理ユニットが接続されている。そして、本実施形態では、ダクト２３、４３内の空気の流速及びフレキシブル管２４、４４を介してダクト２３、４３に供給される空気の流速の少なくともいずれか一方がダクト間で等しい。
ダクト２３、４３内の空気の流速がダクト間で等しい場合は、液処理ユニットの接続数が少ないダクト４３内に空気が滞在する時間が、上記接続数が多いダクト２３内に滞在する時間より長くなることがない。そのため、液処理ユニットの接続数が少ないダクト４３において、ダクト上流側に接続された液処理ユニットとダクト下流側に接続された液処理ユニット（例えばレジスト膜形成ユニットＣＯＴ１と同ユニットＣＯＴ３）とで、供給される空気の温度差や湿度差が大きくなるのを防ぐことができる。さらに、ダクト２３、４３内の空気の流速がダクト間で等しい場合、ダクト２３に接続される第ｎ（ｎは４～６の整数）層ブロックの液処理ユニットと、ダクト４３に接続される第ｎ層ブロックの液処理ユニットとの間で、供給される空気の温度差や湿度差を小さくすることができる。
また、フレキシブル管２４、４４を介してダクト２３、４３に供給される空気の流速がダクト間で等しい場合、言い換えると、フレキシブル管２４、４４管内での空気の流速がフレキシブル管で等しい場合は、以下の通りである。すなわち、この場合、液処理ユニットの接続数が少ないダクト４３を連結するフレキシブル管４４内に空気が滞在する時間が、上記接続数が多いダクト２３を連結するフレキシブル管２４内に滞在する時間より長くなることがない。そのため、上記接続数が少ないダクト４３を連結するフレキシブル管４４から当該ダクト４３に供給される空気の温度や湿度と、上記接続数が少ないダクト２３を連結するフレキシブル管２４から当該ダクト２３に供給される空気の温度や湿度とで、大きな差が生じることがない。したがって、ダクト２３に接続される液処理ユニットと、ダクト４３に接続される液処理ユニットとの間での、供給される空気の温度差や湿度差を低減することができる。
したがって、本実施形態によれば、各液処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減することができる。

なお、輸送の観点等から処理ブロックを複数のサブブロックから構成したときに、設計効率等の理由から、略同サイズのサブブロックを用いる場合があり、この場合、サブブロック内の空間が、液処理ユニットや熱処理ユニット等だけでは埋まらないときがある。例えば、このようなときに、本実施形態のように、ダクト間で、液処理ユニットの接続数が異なることがある。

続いて、塗布現像装置１における、温度や湿度の液処理ユニット間差を低減するための他の構成について説明する。

図５及び図６はそれぞれ、処理ブロックＢ２の内部を部分的且つ概略的に示す斜視図及び上面図である。
ダクト２３は、図５に示すように、当該ダクト２３の外側の熱から当該ダクト２３内を流れる空気を断熱する断熱部材２３ａで覆われている。断熱部材２３ａは、例えば、熱伝導率の低い樹脂材料で形成される。図の例では、断熱部材２３ａは、直方体形状に形成されているダクト２３の手前側（図のＹ方向負側）、左側（図のＸ方向負側）及び奥側（図のＹ方向正側）の上下方向全体を覆っている。
また、断熱部材２３ａは、図６に示すように、ダクト２３の外周面との間に空気層２３ｂが形成されるように、当該ダクト２３に取り付けられる。

上述のように断熱部材２３ａを設けることにより、ダクト２３内を流れる空気がダクト外部の影響により昇温するのを防ぐことができる。ダクト２３内を流れる空気が外部の影響を受けて昇温すると、ダクト上流側に接続された液処理ユニットとダクト下流側に接続された液処理ユニットで、供給される空気の温度差や湿度差が大きくなってしまう。これに対し、断熱部材２３ａを設けダクト２３内を流れる空気がダクト外部の影響により昇温するのを防ぐことで、上記温度差や湿度差が大きくなるのを防ぐことができる。
また、空気層２３ｂが形成されるよう断熱部材２３ａを取り付けることで、ダクト外部からダクト内の空気への影響をより低減することができる。そのため、ダクト上流側の液処理ユニットとダクト下流側の液処理ユニット間での、供給される空気の温度差や湿度差を、より低減することができる。

なお、図示は省略するが、ダクト４３にも同様に断熱部材が設けられている。

図７及び図８はそれぞれ、処理ブロックＢ２の上部を部分的且つ概略的に示す正面図及び斜視図である。
図７に示すように、処理ブロックＢ２は、各種処理ユニットやダクト２３、４３を収納する筐体１０を有している。そして、処理ブロックＢ２は、液処理ユニット等に対する電装品がユニット化された複数の電装ユニット２００が筐体１０の上方に設けられている。

筐体１０の天井面１０ａには、図８に示すように、電装ユニット２００を奥行き方向（図のＹ方向）に移動させ、当該電装ユニット２００を天井面１０ａに対して着脱させるための１対のガイドレール２１０が設けられている。ガイドレール２１０には、奥行き方向に延びるようにガイド溝２１１が形成されている。

電装ユニット２００は、ユニット本体２０１を有し、ユニット本体２０１の内部に、電装品が収納されている。電装品には、例えば制御機器、増幅器、電源、ドライバ、接触器、ブレーカ等が含まれる。
ユニット本体２０１の下側には、突起部材２０２が設けられている。突起部材２０２は、奥行き方向に延びる突起２０３を有する。電装ユニット２００は、ガイドレール２１０のガイド溝２１１と、突起部材２０２の突起２０３とにより、ガイドレール２１０に沿って奥行き方向に移動自在に構成されている。

そして、本例では、電装ユニット２００の突起部材２０２は、ユニット本体２０１の下面に対し、支持部材２０４を介して取り付けられている。支持部材２０４は、上下方向に延びるように形成された脚部２０５を有する。この脚部２０５を有する支持部材２０４によって、電装ユニット２００は、嵩上げされ、筐体１０の上方における、当該筐体１０の天井面１０ａから離間した位置に設けられる。これにより、処理ブロックＢ２における、筐体１０の天井面１０ａに近い液処理ユニットに供給される空気が、電装ユニット２００からの熱の影響を受けることがない。したがって、電装ユニット２００からの熱が原因となって、上記天井面１０ａに近い液処理ユニットとその他の液処理ユニットとで、供給される空気に温度差や湿度差が生じることがない。
なお、このように、電装ユニット２００を嵩上げする場合は、ユニット本体２０１内の電装品の実装密度を高める等して、ユニット本体２０１の高さを、嵩上げした分、縮めることが好ましい。

図９及び図１０はそれぞれ、処理ブロックＢ２とキャリアブロックＢ１の下面を部分的且つ概略的に示す斜視図及び下面図である。
図９及び図１０に示すように、処理ブロックＢ２の筐体１０の下面からは、ダクト２３に接続されたフレキシブル管２４が延びており、露出している。このフレキシブル管２４の下面視における周囲には、仕切り板２４ａが設けられている。仕切り板２４ａの設置位置の具体例は以下の通りである。

キャリアブロックＢ１の下面には、排気孔３０１が設けられている。排気孔３０１は、キャリアブロックＢ１の内部の圧力等を調整するためのファン（図示せず）によって排気される空気を、キャリアブロックＢ１外に排出するためのものである。下面視における、この排気孔３０１とフレキシブル管２４との間に、仕切り板２４ａは設けられている。
なお、仕切り板２４ａは、フレキシブル管２４の奥側（図のＹ方向正側）にも設けてもよい。さらにフレキシブル管２４の手前側（図のＹ方向負側）にも仕切り板２４ａを設けてもよい。

上述のように仕切り板２４ａを設けることで、フレキシブル管２４内の空気が、周囲の熱の影響、特に、キャリアブロックＢ１の下面の排気孔３０１からの排気の熱の影響を受けることがない。したがって、フレキシブル管２４の外側からの熱が原因となって、フレキシブル管２４で連結されるダクト２３に接続される液処理ユニットと、フレキシブル管４４で連結されるダクト４３に接続される液処理ユニットとで、供給される空気に温度差や湿度差が生じることがない。

図１１は、処理ブロックＢ２の下部を概略的に示す斜視図である。
図示するように、処理ブロックＢ２には、筐体１０の下面と、塗布現像装置１が設置される床面ＦＬとの間の隙間を正面から覆うカバー４００を有している。そして、カバー４００には、奥行き方向に貫通する貫通孔４０１が多数の形成されている。
このようなカバー４００を設けることにより、筐体１０の下側に熱が籠るのを防ぐことができる。そのため、筐体１０の下面に近い液処理ユニットが、筐体１０の下側に籠った熱の影響を受けることがない。したがって、筐体１０の下側に籠った熱が原因となって、筐体１０の下面に近い処理ユニットとその他の処理ユニットとで、温度差や湿度差が生じることがない。

なお、塗布現像装置１は、電装品を収納するキャビネットが処理ブロックＢ２の側方に設けられることがある。
図１２は、上記キャビネットの一例を示す斜視図である。
図のキャビネット５００は、電装品を収納する箱体５０１が設けられている。箱体５０１は、例えば、処理ブロックＢ２の右側サブブロックＢ２２の第４層ブロックＰ４の右側図のＸ方向正側）に設けられている。

箱体５０１は、天板５１０と、天板が取り付けられる枠体５２０とを有している。
天板５１０には、上下方向に貫通する貫通孔５１１が形成されている。これにより、箱体５０１内の電装品の熱が当該箱体５０１の中に籠ることがない。そのため、箱体５０１の近傍の液処理ユニットやダクト４３内の空気が、箱体５０１に籠った熱の影響を受けることがない。したがって、箱体５０１内に籠った熱が原因となって、当該箱体５０１に近い処理ユニットとその他の処理ユニットとで、温度差や湿度差が生じることがない。

また、処理ブロックＢ２の筐体１０は、キャビネット５００側の側面の箱体５０１より上方に、幅方向に貫通する貫通孔１０ｂが形成されている。貫通孔１０ｂを形成することにより、箱体５０１から処理ブロックＢ２に伝わった熱を、貫通孔１０ｂを介して逃がすことができる。

さらに、キャビネット５００は、箱体５０１の天板５１０と対向する位置に、天板５１０の貫通孔５１１を上方から覆う覆い板５０２を有する。覆い板５０２を設けることにより、不図示のスプリンクラーから放水されたときに、箱体５０１内の電装品が故障するのを防ぐことができる。なお、覆い板５０２と天板５１０との距離は例えば１５０ｍｍである。

図１３は、図１２の部分拡大図である。
図示するように、箱体５０１の天板５１０には側面視Ｌ字状の脚部５１２が設けられている。脚部５１２を介して天板５１０を枠体５２０の上面に取り付けることにより、天板５１０と枠体５２０との間に隙間５２１を形成することができる。この隙間５２１を介して、箱体５０１内の電装品の熱を逃がすことができる。

以上の例では、処理ブロックＢ２は、２つのサブブロックからなっていたが、３以上のサブブロックからなっていてもよい。
また、処理ブロックＢ２は、１つのブロックから構成されてもよい。この場合、受渡タワー４１やウェハ搬送機構４２は省略される。また、この場合、ウェハ搬送機構Ｑ１１、Ｑ２１、Ｑ３１は省略され、ウェハ搬送機構Ｍ１１、Ｍ２１、Ｍ３１が受渡タワー５１にもアクセス可能に構成される。さらに、ウェハ搬送機構Ｑ４１、Ｑ５１、Ｑ６１も省略され、ウェハ搬送機構Ｍ４１がＣＯＴ１及び縦型ユニットＵ４１～Ｕ４４にもアクセス可能に構成され、ウェハ搬送機構Ｍ５１、Ｍ６１も同様に構成される。

また、以上の例では、液処理ユニットの接続数が少ないダクトにおいても、上記接続数が複数であったが、上記接続数が少ないダクトについては、上記接続数は１つであってもよい。以上の例では、上記接続数が少ないダクトと多いダクトの上記接続数の比は、１：２であったが、これより大きくても小さくてもよい。つまり、ダクト間で上記接続数が異なればよい。
また、以上の例は、ダクト内の空気の流速がダクト間で「等しい」ようにし、且つ、接続管を介してダクトに供給される空気の流速がダクト間で「等しい」ようにする、ものであるが、ここでの「等しい」とは流速の実測値の厳密な一致を要求するものではない。ダクト又は接続管が以上の例で開示した構造を有することで、各処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減する、という効果を発揮させる限り、比較の結果、多少の差異の有る流速の実測値でも、「等しい」の範囲に包含される。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板を処理する処理ユニットを複数有する基板処理装置であって、
前記処理ユニットに空気を供給する複数のダクトを有し、
前記ダクト毎に、当該ダクトと空気の供給源とを連結する接続管を有し、
前記複数のダクトは、互いに異なる数の前記処理ユニットが接続され、
前記ダクト内の空気の流速及び前記接続管を介して前記ダクトに供給される空気の流速の少なくともいずれか一方が前記ダクト間で等しい、基板処理装置。
前記（１）によれば、処理ユニットを複数有する基板処理装置において、各処理ユニットに供給される清浄な空気の温度や湿度のユニット間差を低減することができる。

（２）下記（Ａ）及び（Ｂ）の条件のうち、
（Ａ）前記ダクトがそれぞれ、当該ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、
（Ｂ）前記接続管がそれぞれ、当該接続管が連結する前記ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、
少なくともいずれか一方を満たす、前記（１）に記載の基板処理装置。

（３）前記ダクトは、当該ダクトの外側の熱から当該ダクト内を流れる空気を断熱する断熱部材で覆われている、前記（１）または（２）に記載の基板処理装置。

（４）前記ダクトと前記断熱部材との間に空気層が形成されている、前記（３）に記載の基板処理装置。

（５）前記処理ユニットを収納する筐体を有する、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（６）電装品を有し、
前記電装品は、前記筐体の上方における、当該筐体から離間した位置に設けられている、前記（５）に記載の基板処理装置。

（７）前記筐体は、前記ダクトを収納し、当該筐体の下面から前記接続管が延びており、
当該接続管の下面視における周囲に仕切り板が設けられている、前記（５）または（６）に記載の基板処理装置。

（８）前記基板を複数収容したキャリアが搬入出されるキャリアブロックを有し、
前記キャリアブロックが前記筐体に隣接しており、
下面視における、前記キャリアブロックの下面に形成された排気孔と、前記接続管との間に、前記仕切り板が設けられている、前記（７）に記載の基板処理装置。

（９）前記筐体の下面と当該基板処理装置が設置される床面との間の隙間を覆うカバーを有し、
前記カバーは、貫通孔が形成されている、前記（５）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（１０）前記筐体の側方に、電装品を収納する箱体が設けられたキャビネットを有する、前記（５）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（１１）前記箱体の天板は、貫通孔が形成されている、前記（１０）に記載の基板処理装置。

（１２）前記キャビネットは、前記箱体の天板と対向する位置に、当該天板の貫通孔を上方から覆う覆い板を有する、前記（１１）に記載の基板処理装置。

（１３）前記箱体は、天板と、該天板が取り付けられる枠体を有し、
前記枠体と前記天板との間には隙間が設けられている、前記（１０）～（１２）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（１４）前記筐体の側面の前記箱体より上方に貫通孔が形成されている、前記（１０）～（１３）のいずれか１に記載の基板処理装置。

（１５）基板を処理する処理ユニットを複数有する基板処理装置において、前記処理ユニットそれぞれに清浄な空気を供給する空気供給方法であって、
前記基板処理装置は、
前記処理ユニットに空気を供給する複数のダクトを有し、
前記ダクト毎に、当該ダクトと空気の供給源とを接続する接続管を有し、
前記複数のダクトは、互いに異なる数の前記処理ユニットが接続され、
前記ダクト内の空気の流速及び前記接続管を介して前記ダクトに供給される空気の流速の少なくともいずれか一方が前記ダクト間で等しく、
当該空気供給方法は、
前記空気の供給源からの空気を、前記接続管及び前記ダクトを介して、前記処理ユニットそれぞれに清浄な空気を供給する空気供給方法。

１ 塗布現像装置
ＢＣＴ１、ＢＣＴ２ 反射防止膜形成ユニット
ＣＯＴ１～ＣＯＴ３ レジスト膜形成ユニット
ＤＥＶ１～ＤＥＶ４ 現像ユニット
２３、４３ ダクト
２４、４４ フレキシブル管
Ｗ ウェハ

Claims (14)

1. 基板を処理する処理ユニットを複数有する基板処理装置であって、
   前記処理ユニットに空気を供給する複数のダクトを有し、
   前記ダクト毎に、当該ダクトと空気の供給源とを連結する接続管を有し、
   前記複数のダクトは、互いに異なる数の前記処理ユニットが接続され、
   下記（Ａ）及び（Ｂ）の条件のうち、
   （Ａ）前記ダクトがそれぞれ、当該ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、
   （Ｂ）前記接続管がそれぞれ、当該接続管が連結する前記ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、
   少なくともいずれか一方を満たし、
   前記ダクト内の空気の流速及び前記接続管を介して前記ダクトに供給される空気の流速の少なくともいずれか一方が前記ダクト間で等しい、基板処理装置。
2. 前記ダクトは、当該ダクトの外側の熱から当該ダクト内を流れる空気を断熱する断熱部材で覆われている、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ダクトと前記断熱部材との間に空気層が形成されている、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記処理ユニットを収納する筐体を有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 電装品を有し、
   前記電装品は、前記筐体の上方における、当該筐体から離間した位置に設けられている、請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記筐体は、前記ダクトを収納し、当該筐体の下面から前記接続管が延びており、
   当該接続管の下面視における周囲に仕切り板が設けられている、請求項４または５に記載の基板処理装置。
7. 前記基板を複数収容したキャリアが搬入出されるキャリアブロックを有し、
   前記キャリアブロックが前記筐体に隣接しており、
   下面視における、前記キャリアブロックの下面に形成された排気孔と、前記接続管との間に、前記仕切り板が設けられている、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記筐体の下面と当該基板処理装置が設置される床面との間の隙間を覆うカバーを有し、
   前記カバーは、貫通孔が形成されている、請求項４～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記筐体の側方に、電装品を収納する箱体が設けられたキャビネットを有する、請求項４～８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記箱体の天板は、貫通孔が形成されている、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記キャビネットは、前記箱体の天板と対向する位置に、当該天板の貫通孔を上方から覆う覆い板を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記箱体は、天板と、該天板が取り付けられる枠体を有し、
    前記枠体と前記天板との間には隙間が設けられている、請求項９～１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
13. 前記筐体の側面の前記箱体より上方に貫通孔が形成されている、請求項９～１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
14. 基板を処理する処理ユニットを複数有する基板処理装置において、前記処理ユニットそれぞれに清浄な空気を供給する空気供給方法であって、
    前記基板処理装置は、
    前記処理ユニットに空気を供給する複数のダクトを有し、
    前記ダクト毎に、当該ダクトと空気の供給源とを接続する接続管を有し、
    前記複数のダクトは、互いに異なる数の前記処理ユニットが接続され、
    下記（Ａ）及び（Ｂ）の条件のうち、
    （Ａ）前記ダクトがそれぞれ、当該ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、
    （Ｂ）前記接続管がそれぞれ、当該接続管が連結する前記ダクトに接続されている前記処理ユニットへの空気の総流量に応じた断面積を有すること、
    少なくともいずれか一方を満たし、
    前記ダクト内の空気の流速及び前記接続管を介して前記ダクトに供給される空気の流速の少なくともいずれか一方が前記ダクト間で等しく、
    当該空気供給方法は、
    前記空気の供給源からの空気を、前記接続管及び前記ダクトを介して、前記処理ユニットそれぞれに清浄な空気を供給する空気供給方法。

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