JP7293442B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

表示装置、及び表示装置の作製方法に関する。

近年、液晶は多様なデバイスに応用されており、特に薄型、軽量の特徴を持つ液晶表示装
置（液晶ディスプレイ）は幅広い分野のディスプレイにおいて用いられている。

液晶表示装置には、バックライトからの光を用いる透過モードの透過型液晶表示装置と、
外部の光を反射させた反射光を用いる反射モードの反射型液晶表示装置がある。さらに、
透過モード及び反射モードを有する半透過型液晶表示装置が提案されている。特許文献１
は、一画素の中に透過領域及び反射領域を含む半透過型液晶表示装置を開示している。

米国特許第６６５４０７６号明細書

しかし、透過モード及び反射モードは異なる特徴及び最適条件を有しており、一方を基準
とすると他方のパフォーマンスが低下するという問題がある。よって、特許文献１に示す
ように、透過領域と反射領域において液晶の厚さを異ならせ、透過モード及び反射モード
の透過率を均一にする等の試みがなされている。

より高画質な透過モード及び反射モードを有する表示装置を提供することを目的の一とす
る。

また、該表示装置をより高い歩留まり及び生産性で作製する方法を提供することを目的の
一とする。

本発明の一態様は、第１の基板と、第１のトランジスタを含む層と、第１の画素電極層、
第１の液晶、及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、第２のトランジスタを含む
層と、第２の画素電極層、第２の液晶、及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子とを
有し、第１の基板、第１のトランジスタを含む層、第１の画素電極層、第１の液晶、第１
の対向電極層、第２のトランジスタを含む層、第２の画素電極層、第２の液晶、第２の対
向電極層は順に積層され、第１の対向電極層と第２のトランジスタを含む層とは接し、第
２の画素電極層と第２のトランジスタを含む層とは接し、第１の表示素子は透過型表示素
子であり、第２の表示素子は反射型表示素子であり、第１の基板、第１の画素電極層、第
１の対向電極層、及び第２の対向電極層は透光性を有し、第２の画素電極層は反射性を有
する表示装置である。

また、上記態様において、第２のトランジスタを含む層は、第２のトランジスタと第２の
画素電極層とを電気的に接続する配線層と、第２のトランジスタと第２の画素電極層との
間に絶縁膜とを有し、絶縁膜は第２の画素電極層に達する開口を有し、配線層は開口に設
けられてもよい。

また、本発明の一態様は、第１の基板と、第１のトランジスタを含む層と、第１の画素電
極層、第１の液晶、及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、接着層と、第２のト
ランジスタを含む層と、第２の画素電極層、第２の液晶、及び第２の対向電極層を含む第
２の表示素子とを有し、第１の基板、第１のトランジスタを含む層、第１の画素電極層、
第１の液晶、第１の対向電極層、接着層、第２のトランジスタを含む層、第２の画素電極
層、第２の液晶、第２の対向電極層は順に積層され、接着層によって第１の対向電極層及
び第２のトランジスタを含む層は固着され、第１の表示素子は透過型表示素子であり、第
２の表示素子は反射型表示素子であり、第１の基板、第１の画素電極層、第１の対向電極
層、及び第２の対向電極層は透光性を有し、第２の画素電極層は反射性を有する表示装置
である。

また、上記態様において、第１のトランジスタと電気的に接続する第１の端子と、第１の
端子と電気的に接続する第１のフレキシブルプリント回路基板と、第２のトランジスタと
電気的に接続する第２の端子と、第２の端子と電気的に接続する第２のフレキシブルプリ
ント回路基板とを有してもよい。

また、上記態様において、第１の液晶の厚さと第２の液晶の厚さとは異なってもよい。

また、上記態様において、第１の液晶の材料と第２の液晶の材料とは異なってもよい。

また、上記態様において、第１の表示素子の駆動モードはＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍ
ｅｎｔモードであり、第２の表示素子の駆動モードはＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃモー
ドであってもよい。

また、上記態様において、第１のトランジスタの構造と第２のトランジスタの構造とは異
なってもよい。

また、本発明の一態様は、第１の基板上に第１のトランジスタを含む層と、第１のトラン
ジスタを含む層上に第１の画素電極層とを形成し、作製用基板に剥離層を形成し、剥離層
上に第２の画素電極層と、第２の画素電極層上に第２のトランジスタを含む層と、第２の
トランジスタを含む層上に第１の対向電極層と、第１の対向電極層上に第１の液晶と、第
１の液晶を囲む第１のシール材と、第１のシール材を囲む樹脂層とを形成し、第１の液晶
が第１の画素電極層と第１の対向電極層との間に封入されるように、第１の基板と作製用
基板とを第１のシール材及び樹脂層とによって貼り合わせ、作製基板を、剥離層を用いて
剥離し、剥離層を除去して第２の画素電極層を露出させ、第２の基板上に、第２の対向電
極層と、第２の液晶と、第２の液晶を囲む第２のシール材とを形成し、第２の液晶が第２
の画素電極層と第２の対向電極層との間に封入されるように、第１の基板と第２の基板と
を第２のシール材によって貼り合わせ、第１の基板、第２の基板、第１の画素電極層、第
１の対向電極層、及び第２の対向電極層は透光性を有し、第２の画素電極層は反射性を有
する表示装置の作製方法である。

また、本発明の一態様は、第１の基板上に第１のトランジスタを含む層と、第１のトラン
ジスタを含む層上に第１の画素電極層とを形成し、作製用基板に剥離層を形成し、剥離層
上に第２の画素電極層と、第２の画素電極層上に第２のトランジスタを含む層と、第２の
トランジスタを含む層上に第１の対向電極層と、第１の対向電極層上に第１の液晶と、第
１の液晶を囲む第１のシール材と、第１のシール材を囲む樹脂層とを形成し、第１の液晶
が第１の画素電極層と第１の対向電極層との間に封入されるように、第１の基板と作製用
基板とを第１のシール材及び樹脂層とによって貼り合わせ、作製基板を、剥離層を用いて
剥離し、剥離層にアッシング処理して膜厚を減少させ、膜厚を減少させた剥離層にラビン
グ処理することによって、膜厚を減少させた剥離層を配向膜として機能させ、第２の基板
上に、第２の液晶と、第２の液晶を囲む第２のシール材とを形成し、第２の液晶が第２の
画素電極層と第２の対向電極層との間に封入されるように、第１の基板と第２の基板とを
第２のシール材によって貼り合わせ、第１の基板、第２の基板、第１の画素電極層、第１
の対向電極層、及び第２の対向電極層は透光性を有し、第２の画素電極層は反射性を有す
る表示装置の作製方法である。

また、上記態様において、アッシング処理によって第２のトランジスタと電気的に接続す
る第２の端子を露出させ、第２の端子と電気的に接続する第２のフレキシブルプリント回
路基板を設けてもよい。

また、上記態様において、樹脂層を選択的に除去することによって、第１のトランジスタ
と電気的に接続する第１の端子を露出させ、第１の端子と電気的に接続する第１のフレキ
シブルプリント回路基板を設けてもよい。

また、上記態様において、第１の端子上に離型層を形成し、離型材を用いて樹脂層を選択
的に除去してもよい。

また、本発明の一態様は、第１の基板上に、第１のトランジスタを含む層と、第１の画素
電極層とを形成し、第１の作製基板上に、第１の剥離層と、第１の対向電極層と、第１の
液晶と、を形成し、前記第１の液晶が前記第１の画素電極層と前記第１の対向電極層との
間に封入されるように、前記第１の基板と前記第１の作製用基板とを貼り合わせ、第２の
作製基板上に、第２の剥離層と、第２のトランジスタを含む層と、第２の画素電極層と、
第２の液晶と、第２の対向電極層と、を形成し、第１の作製用基板を第１の剥離層を用い
て剥離し、第２の作製用基板を第２の剥離層を用いて剥離し、第１の対向電極層と第２の
トランジスタを含む層とを接着層を介して貼り合わせ、第１の基板、第１の画素電極層、
第１の対向電極層、及び第２の対向電極層は透光性を有し、第２の画素電極層は反射性を
有する表示装置の作製方法である。

また、上記態様において、第１の作製用基板を剥離した後、第１の剥離層にアッシング処
理して膜厚を減少させ、第２の作製用基板を剥離した後、第２の剥離層にアッシング処理
して膜厚を減少させてもよい。

また、上記態様において、第１の作製用基板を剥離する前に第１のトランジスタと電気的
に接続する第１の端子に電気的に接続する第１のフレキシブルプリント回路基板を設け、
第２の作製用基板を剥離する前に第２のトランジスタと電気的に接続する第２の端子に電
気的に接続する第２のフレキシブルプリント回路基板を設けてもよい。

また、上記態様において、第１の画素電極層、第１の液晶、及び第１の対向電極層を含む
第１の表示素子は透過型表示素子であり、第２の画素電極層、第２の液晶、及び第２の対
向電極層を含む第２の表示素子は反射型表示素子であってもよい。

また、上記態様において、第１の液晶の厚さと第２の液晶の厚さとは異なってもよい。

また、上記態様において、第１の液晶の材料と第２の液晶の材料とは異なってもよい。

また、上記態様において、第１の表示素子の駆動モードはＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍ
ｅｎｔモードであり、第２の表示素子の駆動モードはＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃモー
ドであってもよい。

また、上記態様において、第１のトランジスタの構造と第２のトランジスタの構造とは異
なってもよい。

また、本発明の一態様は、第１の基板上に、第１の画素電極層を形成し、作製基板上に、
剥離層と、第２の画素電極層と、第１の対向電極層と、第１のシール材に囲まれた第１の
液晶と、を順に形成し、第１の基板と作製基板とを対向させ、第１の基板と作製基板を、
第１の液晶を封入するように貼り合わせ、作製基板を、剥離層を用いて剥離し、第２の基
板上に、第２の液晶と、第２の液晶を囲む第２のシール材とを形成し、第２の液晶が第２
の画素電極層と第２の対向電極層との間に封入されるように、第１の基板と第２の基板と
を第２のシール材によって貼り合わせ、第１のシール材と第２のシール材は重畳し、第１
のシール材の第１の液晶と接する側の端部は、第２のシール材の第２の液晶と接する側の
端部より内側に位置する表示装置の作製方法である。

また、本発明の一態様は、第１の基板上に第１のトランジスタを含む層と、第１のトラン
ジスタを含む層上に第１の画素電極層とを形成し、作製用基板に剥離層を形成し、剥離層
上に第２の画素電極層と、第２の画素電極層上に第２のトランジスタを含む層と、第２の
トランジスタを含む層上に第１の対向電極層と、第１の対向電極層上に第１の液晶と、第
１の液晶を囲む第１のシール材と、第１のシール材を囲む樹脂層とを形成し、第１の液晶
が第１の画素電極層と第１の対向電極層との間に封入されるように、第１の基板と作製用
基板とを第１のシール材及び樹脂層とによって貼り合わせ、作製基板を、剥離層を用いて
剥離し、第２の基板上に、第２の液晶と、第２の液晶を囲む第２のシール材とを形成し、
第２の液晶が第２の画素電極層と第２の対向電極層との間に封入されるように、第１の基
板と第２の基板とを第２のシール材によって貼り合わせ、第１のシール材と第２のシール
材は重畳し、第１のシール材の第１の液晶と接する側の端部は、第２のシール材の第２の
液晶と接する側の端部より内側に位置する表示装置の作製方法である。

また、上記態様において、第１のシール材の幅と第２のシール材の幅とは異なってもよい
。

また、上記態様において、第１のシール材及び第２のシール材は同じ材料で作られてもよ
い。

また、上記態様において、第１のシール材及び第２のシール材は異なる材料で作られても
よい。

また、上記態様において、第１のシール材の厚さと第２のシール材の厚さとは異なっても
よい。

また、上記態様において、第１のシール材を囲む樹脂層を形成し、第２のシール材は樹脂
層に重畳してもよい。

また、上記態様において、第１の基板、第２の基板、第１の画素電極層、第１の対向電極
層、及び第２の対向電極層は透光性を有し、第２の画素電極層は反射性を有し、第１の画
素電極層、第１の液晶、及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子は透過型表示素子で
あり、第２の画素電極層、第２の液晶、及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子は反
射型表示素子であってもよい。

材料や膜厚等が最適化された透過型表示素子及び反射型表示素子を、要求される高い電気
的及び物理的特性を付与されたトランジスタによってそれぞれ駆動することができるため
、高画質及び高性能な表示装置を提供することが可能となる。かつ、一対の基板間に積層
して設けられているため、表示装置の大型化を抑制できる。

表示装置の一形態を説明する図。 表示装置の作製方法の一形態を説明する図。 表示装置の作製方法の一形態を説明する図。 表示装置の一形態を説明する図。 表示装置の一形態を説明する図。 表示装置の作製方法の一形態を説明する図。 表示装置の作製方法の一形態を説明する図。 表示装置の一形態を説明する図。 表示装置の作製方法の一形態を説明する図。 情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。 情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 情報処理装置の駆動方法を説明するフロー図。 電子機器の構成を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の説明に限定されず、趣
旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者
であれば容易に理解される。従って、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有す
る部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

なお、第１、第２、又は第３として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又
は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の
」等と適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞
と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の
酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）
、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）等
に分類される。例えば、トランジスタの半導体膜に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸
化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、
及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半
導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶこと
ができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導
体を有するトランジスタと換言することができる。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔ
ａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ
）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合が
ある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例
を表す。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、
材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では
半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄ
ｅを、トランジスタの半導体膜に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（ま
たはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能で
ある。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッ
チングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ
ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることが
できる。

また、本明細書等において、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導
電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性
領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領
域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域と
は、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド
状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶
縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ
以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを
有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉ
ｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナ
ローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に
、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップ
を有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有す
る成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記Ｃ
ＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタの半導体膜に用いる場
合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い
電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳまたはＣＡＣ－ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材
（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ
ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

（実施の形態１）
表示装置及び表示装置の作製方法の一形態について図１乃至図８を用いて説明する。

図１に表示装置の一形態の断面図を示す。図１の表示装置は、円偏光板３０１ａ、透光性
の第１の基板１００、ゲート電極層１０１と、ゲート絶縁膜１０２と、半導体膜１０３と
、ソース電極層またはドレイン電極層として機能する配線層１０４ａ及び配線層１０４ｂ
とを含むトランジスタ１９１、光源として用いることのできるバックライトからの光から
トランジスタ１９２を保護する遮光膜３０５、絶縁膜１０５、平坦化膜として機能する絶
縁膜１０６、第１の画素電極層１０７、配向膜として機能する絶縁膜１０８ａ、スペーサ
１７５、第１の液晶１１２、配向膜として機能する絶縁膜１０８ｂ、第１の対向電極層１
０９、平坦化膜として機能する絶縁膜１１０、カラーフィルタとして機能する着色層１１
７、絶縁膜１６５、ゲート電極層１６１、ゲート絶縁膜１６２、半導体膜１６３、ソース
電極層またはドレイン電極層として機能する配線層１６４ａ及び配線層１６４ｂとを含む
トランジスタ１９２、絶縁膜１４５、第２の画素電極層１６７ａ、１６７ｂ、配向膜とし
て機能する絶縁膜１６８ａ、第２の液晶１２２、配向膜として機能する絶縁膜１６８ｂス
ペーサ１７６、第２の対向電極層１６９、オーバーコート膜として機能する絶縁膜１２９
、カラーフィルタとして機能する着色層１２７、ブラックマトリクスとして機能する遮光
膜１２８、透光性の第２の基板１２０、円偏光板３０１ｂが積層されており、第１の基板
１００及び第２の基板１２０の間の構成物はシール材１１３ａ、１１３ｂ、シール材１２
３ａ、１２３ｂ、樹脂層１１４ａ、１１４ｂ、樹脂層１２４ａ、１２４ｂで封止され、ト
ランジスタ１９１と電気的に接続する端子１７１は異方性導電膜１１５を介してフレキシ
ブルプリント回路基板１１６に、トランジスタ１９２と電気的に接続する端子１７２は異
方性導電膜１２５を介してフレキシブルプリント回路基板１２６に電気的に接続されてい
る。

図１に示す表示装置は、シール材１１３ａ、１１３ｂとシール材１２３ａ、１２３ｂとが
重畳し、シール材１１３ａ、１１３ｂの第１の液晶１１２と接する側の端部が、シール材
１２３ａ、１２３ｂの第２の液晶１２２と接する側の端部と概略一致、またはより表示装
置内側に位置するように配置される。

透光性の第１の画素電極層１０７、第１の液晶１１２、及び透光性の第１の対向電極層１
０９を含む第１の表示素子５１０は、透過型液晶表示素子であり、矢印のように光源から
の光を透過させることで表示を行う。また、第１の表示素子５１０を透過した光をさらに
カラーフィルタとして機能する着色層１１７に通過させることによってカラー表示を行う
ことができる。第１の表示素子５１０は駆動用のトランジスタ１９１と電気的に接続され
る。

光源としてバックライトを用いることができる。光源として、冷陰極管や白色のダイオー
ドを用いることができる。また、反射板、拡散板等の光学部材を設けてもよい。また、反
射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルム、または集光フィルム
等の機能フィルム、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の
膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜等を含む機能フィルムを設けてもよい
。

反射性の第２の画素電極層１６７ａ、１６７ｂ、第２の液晶１２２、及び透光性の第２の
対向電極層１６９を含む第２の表示素子５２０は、反射型液晶表示素子であり、矢印のよ
うに外から第２の液晶１２２へ入射する光を反射性の第２の画素電極層１６７ａ、１６７
ｂによって反射し、再度第２の液晶１２２を透過して外部へ取り出すことで表示を行う。
また、第２の表示素子５２０に入射前後にカラーフィルタとして機能する着色層１２７を
通過することによってカラー表示を行うことができる。

第２の表示素子５２０は駆動用のトランジスタ１９２と電気的に接続される。図１のトラ
ンジスタ１９２は作製用基板ではボトムゲート型トランジスタとして形成されるが、第１
の基板１００側に転置される際図１のように上下が逆転する。よって、作製用基板上では
、第２の画素電極層１６７ａ、１６７ｂ、絶縁膜１４５、絶縁膜１４６、トランジスタ１
９２の順に形成されるので、トランジスタ１９２の配線層１６４ａは、絶縁膜１４５、絶
縁膜１４６、ゲート絶縁膜１６２に形成された第２の画素電極層１６７ｂに達する開口に
おいて、第２の画素電極層１６７ｂと電気的に接続する。

本明細書において、トランジスタ１９１、遮光膜３０５、絶縁膜１０５、及び絶縁膜１０
６を含む層を、トランジスタ１９１を含む層と呼び、トランジスタ１９２、絶縁膜１１０
、着色層１１７、絶縁膜１６５、絶縁膜１４６、絶縁膜１４５を含む層を、トランジスタ
１９２を含む層と呼ぶ。トランジスタ１９２を含む層は第１の液晶１１２と第２の液晶１
２２との間に位置し、第１の対向電極層１０９及び第２の画素電極層１６７ｂと接する。

スペーサ１７５、１７６は柱状スペーサでも球状スペーサでもよい。本実施の形態では透
過型表示素子である第１の表示素子５１０と反射型表示素子である第２の表示素子５２０
とでは液晶の厚さ（セルギャップ）が異なるので、用いるスペーサの高さや大きさも異な
る例を示す。

一対の基板間にありながら、透過型表示素子用及び反射型表示素子用のトランジスタ及び
液晶は別々であるため、それぞれ最適な材料及び条件を選択できる。かつ、一対の基板間
に積層して設けられているため、表示装置の大型化を抑制できる。

よって、透過型表示素子用液晶と、反射型表示素子用液晶とは異なる材料とすることがで
き、その厚さ（液晶の表示に寄与する領域における液晶の膜厚方向における厚さ）も異な
る設計とすることができる。例えば、ＶＡモードを用いる透過型表示素子の液晶の厚さは
、３μｍ以上５μｍ以下、ＴＮモードを用いる反射型表示素子の液晶の厚さは、１．５μ
ｍ以上２．５μｍ以下とすることができる。

これにより、透過型液晶表示素子である第１の表示素子５１０のセルギャップと、反射型
液晶表示素子である第２の表示素子５２０のセルギャップとを別々に、調整することがで
き、設計の自由度を高めることができる。

または、透過型液晶表示素子である第１の表示素子５１０のリタデーションと、第２の表
示素子５２０のリタデーションとを別々に、調整することができ、設計の自由度を高める
ことができる。

配向不良を引き起こし易いセルギャップが異なる領域を、同一の液晶内に形成する必要が
ない。これにより、第２の表示素子５２０の開口率を、大きくすることができる。

また、表示素子の駆動モード（方式）も透過型表示素子及び反射型表示素子において異な
るモードを用いることができる。例えば、透過型表示素子の駆動モードとしてＶｅｒｔｉ
ｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ（ＶＡ）モードを用い、反射型表示素子の駆動モードとして
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ（ＴＮ）モードを用いると好ましい。これにより、コン
トラストを高めることができる。また透過型表示素子の駆動モードとしてはブルー相を示
す液晶材料を用いる方式でもよい。両駆動モード共に黒表示状態を得る液晶分子の配向状
態が基板に対して垂直となる。この方式と円偏光板を使用することにより、両駆動モード
共にコントラストを高めることができる。

また、透過型表示素子の駆動モードとして、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－Ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等を用いることができる。

さらに、透過型表示素子用と、反射型表示素子用にそれぞれカラーフィルタとして機能す
る着色層、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。着色層の膜厚も液
晶同様透過型表示素子用と、反射型表示素子用にそれぞれ最適な条件で設定することがで
きる。例えば、透過型表示素子用の着色層の膜厚を１．５μｍ以下、反射型表示素子用の
着色層の膜厚を１μｍ以下とすることができる。

図１の表示装置においては、表示装置内の透過率の均一化を考慮して、光が２回通過する
反射型表示素子用の着色層１２７を、光が一回のみ透過する透過型表示素子用の着色層１
１７の膜厚より薄く設定している。しかし、反射性を有する第２の画素電極層の反射率や
、外光及びバックライトの光の強度等によっても透過率は変動するので、適宜調整すれば
よい。また、着色層１１７を透過型表示素子である第１の表示素子５１０とトランジスタ
１９２との間に設ける構成としているが、着色層１２７と同じ場所（例えば積層して）、
反射型表示素子である第２の表示素子５２０と第２の基板１２０との間に設ける構成とし
てもよい。

図１等の表示装置の作製方法の一形態を図２（Ａ）乃至（Ｈ）を用いて説明する。なお、
図２（Ａ）乃至（Ｈ）では円偏光板、配向膜、画素電極層、対向電極層等は簡略化のため
省略している。

第１の基板１０上に透過型表示素子を駆動するトランジスタを含む層１１を形成する。図
示しないが、トランジスタを含む層１１上には第１の画素電極層が設けられている。

作製用基板４０上に剥離層４１を形成する。

剥離層４１は有機材料を用いても、無機材料を用いてもよい。

まず剥離層４１に有機材料を用いる例を説明する。剥離層４１として樹脂層を用いること
ができる。樹脂層は、厚さが０．１μｍ以上３μｍ以下とすることが好ましい。樹脂層は
、例えば以下のように形成することができる。作製用基板４０上に低粘度の熱硬化性の樹
脂材料を塗布し、熱処理により硬化させて樹脂層を形成する。

樹脂層に用いることのできる材料としては、代表的には熱硬化性のポリイミドが挙げられ
る。特に感光性のポリイミドを用いることが好ましい。感光性のポリイミドは、表示パネ
ルの平坦化膜等に好適に用いられる材料であるため、形成装置や材料を共有することがで
きる。そのため本明細書で開示する発明の一形態の構成を実現するために新たな装置や材
料を必要としない。

また、樹脂層に感光性の樹脂材料を用いることにより、露光及び現像処理を施すことで、
樹脂層を加工することが可能となる。例えば、開口部を形成することや、不要な部分を除
去することができる。さらに露光方法や露光条件を最適化することで、表面に凹凸形状を
形成することも可能となる。例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いた露
光技術や、多重露光技術等を用いればよい。

なお、非感光性の樹脂材料を用いてもよい。このとき、樹脂層上にレジストマスクやハー
ドマスクを形成して開口部や凹凸形状を形成する方法を用いることもできる。

剥離層４１として樹脂層を用いる場合、作製用基板４０と樹脂層とを剥離する際、これら
の密着性を低下させる方法として、レーザ光を照射することが挙げられる。例えば、レー
ザ光に線状のレーザを用い、これを走査することにより、レーザ光を照射することが好ま
しい。これにより、支持基板の面積を大きくした際の工程時間を短縮することができる。
レーザ光としては、波長３０８ｎｍのエキシマレーザを好適に用いることができる。

次に剥離層４１に無機材料を用いる例を説明する。無機材料を用いる剥離層４１は、スパ
ッタリング法やプラズマＣＶＤ法、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法
、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタ
ル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オ
スミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を
主成分とする合金材料、又は前記元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は
積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合
でもよい。

無機材料を用いる剥離層４１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデ
ン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステン
の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層
、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成す
る。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデン
の合金に相当する。

無機材料を用いる剥離層４１が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン
層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目と
して、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化
物、酸化窒化物又は窒化酸化物を形成する。

なお、作製用基板４０の剥離方法としては、レーザ光の照射、ガスや溶液等による剥離層
へのエッチング、鋭いナイフやメス等による機械的な削除を行い、剥離層と半導体素子層
とを剥離しやすい状態にしてから、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこと
もできる。また、剥離層と素子層との界面に液体を浸透させて基板から素子層を剥離して
もよい。

剥離層４１上に、絶縁膜４２を形成する。

絶縁膜４２上に反射型表示素子を駆動するトランジスタを含む層２１を形成する。図示し
ないが、トランジスタを含む層２１と絶縁膜４２との間には第２の画素電極層が設けられ
、第１の液晶１２の側には第１の対向電極層が設けられている。液晶１２を封入する領域
を囲んでシール材１３ａ、１３ｂを形成し、シール材１３ａ、１３ｂの外側を封止するよ
うに樹脂層１４ａ、１４ｂを形成する。なお、トランジスタを含む層２１がシール材１３
ｂ及び樹脂層１４ｂ上に延在するのは、トランジスタを含む層２１が有する外部に電気的
に接続するための端子が存在するからである。本実施の形態では、樹脂層１４ａ、１４ｂ
はシール材１３ａ、１３ｂより粘度の低い樹脂材料を用いる。トランジスタを含む層２１
及び第１の対向電極層上に第１の液晶１２を形成する。

第１の画素電極層とトランジスタを含む層１１が形成された第１の基板１０と、第１の液
晶１２まで形成した作製用基板４０とを対向させ、第１の液晶１２を封入するように貼り
合わせる（図２（Ａ）参照）。シール材１３ａ、１３ｂ、及び樹脂層１４ａ、１４ｂを熱
や光等によって硬化させ、貼り合わせ箇所を固着させる。

なお、第１の液晶１２を形成した後であっても本実施の形態のように、第１の液晶１２を
下方に向けて貼り合わせても、第１の液晶１２が下方に垂れるといった問題は生じない。
第１の液晶１２は非常に少量であり、かつ減圧下で貼り合わせるため第１の液晶１２の表
面張力によって第１の液晶１２は作製用基板４０側に保持されるからである。これは第２
の液晶２２を用いた、貼り合わせ工程においても同様である。第１の液晶１２を形成する
方法として、ディスペンス法（滴下法）を用いることができる。

次に作製用基板４０を剥離する（図２（Ｂ）参照）。また、剥離層４１及び絶縁膜４２を
除去してトランジスタを含む層２１に接して設けられる第２の画素電極層を露出させる。
その後、第２の画素電極層上に配向膜（図示しない）を形成する（図２（Ｃ）参照）。

第２の基板２０上に第２の液晶２２を封入する領域を囲んでシール材２３ａ、２３ｂを形
成し、第２の液晶２２を形成する。

トランジスタを含む層２１、第２の画素電極層、及び配向膜が形成された第１の基板１０
と、第２の液晶２２まで形成した第２の基板２０とを対向させ、第２の液晶２２を封入す
るように貼り合わせる（図２（Ｄ）及び（Ｅ）参照）。シール材２３ａ、２３ｂを熱や光
等によって硬化させ、貼り合わせ箇所を固着させる。

上記貼り合わせ工程において、シール材２３ａ、２３ｂには力（圧着等による押力等）が
印加され、力（圧着等による押力等）は、シール材２３ａ、２３ｂ下に設けられる第１の
液晶１２及びシール材１３ａ、１３ｂにも及ぶ。第１の液晶１２にシール材２３ａ、２３
ｂが重畳した状態で、力（圧着等による押力等）が第１の液晶１２に印加されると、第１
の液晶１２の損傷や、セルギャップの不均一化を招く恐れがある。

よって、貼り合わせ工程は、シール材１３ａ、１３ｂとシール材２３ａ、２３ｂとが重畳
するように行う。また、シール材１３ａ、１３ｂの第１の液晶１２と接する側の端部が、
シール材２３ａ、２３ｂの第２の液晶２２と接する側の端部と概略一致、またはより表示
装置内側に位置するように配置する。上記構成にすることによって、第１の液晶１２とシ
ール材２３ａ、２３ｂとは重畳せず、貼り合わせ工程において第１の液晶１２に局所的な
力が印加されないため、第１の液晶１２への損傷やセルギャップの不均一化を抑制するこ
とができる。また、貼り合わせ工程自体は、的確な条件（印加する力の強さ等）で行うこ
とができるために、歩留まりよく信頼性の高い表示装置を作製することができる。

シール材１３ａ、１３ｂとシール材２３ａ、２３ｂの材料や形成条件は、同じとしても異
ならしてもよい。そのため、シール材１３ａ、１３ｂとシール材２３ａ、２３ｂの高さ（
厚さ）や幅（膜厚と垂直方向）も、同じであっても異なっていてもよい。

また、シール材１３ａ、１３ｂを囲む樹脂層１４ａ、１４ｂとシール材２３ａ、２３ｂと
が重畳してもよい。

図３（Ａ）乃至（Ｃ）に、シール材１３ａ、１３ｂとシール材２３ａ、２３ｂとの配置関
係及び形状の具体例を示す。

図３（Ａ）乃至（Ｃ）は、シール材１３ａ、１３ｂの高さ（厚さ）ｈ１がシール材２３ａ
、２３ｂの高さ（厚さ）ｈ２より高い（大きい）例であるが、シール材１３ａ、１３ｂの
高さ（厚さ）ｈ１がシール材２３ａ、２３ｂの高さ（厚さ）ｈ２より低く（小さく）ても
よく、シール材１３ａ、１３ｂの高さ（厚さ）ｈ１及びシール材２３ａ、２３ｂの高さ（
厚さ）ｈ２が概略同じでもよい。

図３（Ａ）は、シール材１３ａ１、１３ｂ１の幅ｄ１とシール材２３ａ１、２３ｂ１の幅
ｄ２とが概略同じ例である。また、シール材１３ａ１、１３ｂ１の第１の液晶１２側の端
部と、シール材２３ａ１、２３ｂ１の第２の液晶２２側の端部とが概略一致する例である
。また、シール材１３ａ１、１３ｂ１の第１の液晶１２と反対側の端部と、シール材２３
ａ１、２３ｂ１の第２の液晶２２側と反対側の端部とが概略一致する例である。

図３（Ｂ）は、シール材１３ａ２、１３ｂ２の幅ｄ１がシール材２３ａ２、２３ｂ２の幅
ｄ２より小さい例である。また、シール材１３ａ２、１３ｂ２の第１の液晶１２側の端部
が、シール材２３ａ２、２３ｂ２の第２の液晶２２側の端部より表示装置内側に位置する
例である。また、シール材１３ａ２、１３ｂ２の第１の液晶１２と反対側の端部も、シー
ル材２３ａ２、２３ｂ２の第２の液晶２２側と反対側の端部より表示装置内側に位置する
例である。また、シール材２３ａ２、２３ｂ２は樹脂層１４ａ、１４ｂに重畳している。

図３（Ｃ）は、シール材１３ａ３、１３ｂ３の幅ｄ１がシール材２３ａ３、２３ｂ３の幅
ｄ２より大きい例である。また、シール材１３ａ３、１３ｂ３の第１の液晶１２側の端部
が、シール材２３ａ３、２３ｂ３の第２の液晶２２側の端部より表示装置内側に位置する
例である。また、シール材１３ａ３、１３ｂ３の第１の液晶１２と反対側の端部は、シー
ル材２３ａ３、２３ｂ３の第２の液晶２２側と反対側の端部より表示装置外側に位置する
例である。

トランジスタを含む層１１及びトランジスタを含む層２１が有する外部へ電気的に接続す
る端子とフレキシブルプリント回路基板が接続しやすくするために、第２の基板２０の端
部を一部除去し、第２の基板２９とする（図２（Ｆ）参照）。

トランジスタを含む層１１が有する外部へ電気的に接続する端子を取り出すために、端子
を覆う樹脂層１４ａを一部除去し、樹脂層８２に加工する（図２（Ｇ）参照）。露出され
たトランジスタを含む層１１が有する端子に、異方性導電膜１５を介してフレキシブルプ
リント回路基板１６を電気的に接続し、トランジスタを含む層２１が有する端子に、異方
性導電膜２５を介してフレキシブルプリント回路基板２６を電気的に接続する（図２（Ｈ
）参照）。

また、図１に示すトランジスタ１９１及びトランジスタ１９２は、ボトムゲート型トラン
ジスタの例であるが、異なる構造でもよい。図２（Ａ）乃至（Ｈ）で示したように、表示
装置の作製工程において、透過型表示素子を駆動するトランジスタと反射型表示素子を駆
動するトランジスタとは別工程で形成されるため、両トランジスタ間において構成、材料
、及び作製工程には制約が生じない。よって、駆動する表示素子や回路構成によってトラ
ンジスタの構造も自由に選択することができる。本明細書に開示する表示装置に適用でき
るトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート型、又はボトムゲート型の
スタガ型及びプレーナ型等を用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領
域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは
３つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、半導体膜のチャネル領域の上
下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型で
もよい。

図１の表示装置のようにボトムゲート型トランジスタ同士、トップゲート型トランジスタ
同士、及びボトムゲート型トランジスタ及びトップゲート型トランジスタの組み合わせ、
また、デュアルゲート型トランジスタを組みあわせて用いてもよい。

例えば、図１の表示装置においては、トランジスタ１９２はボトムゲート型トランジスタ
であるが、転置時に上下が逆転するため、半導体膜１６３がバックライト側に位置する。
しかし、半導体膜１６３にバックライトの光が入射すると、トランジスタの電気特性が変
動する恐れがある。図１の表示装置においては、トランジスタ１９１のゲート電極層１０
１と同材料及び同工程によって半導体膜１６３とバックライトの間に遮光膜３０５を形成
し、バックライトの光から半導体膜１６３を保護する構成としている。

図１の表示装置の変更例を図４に示す。図４の表示装置においては、下方に設けられる透
過型表示素子である第１の表示素子５１０を駆動するトランジスタ１９３にデュアルゲー
ト型トランジスタ、上方に設けられる反射型表示素子である第２の表示素子５２０を駆動
するトランジスタ１９４にトランジスタ１９３と構造が異なるデュアルゲート型トランジ
スタを用いている。

トランジスタ１９３は図１に示すトランジスタ１９１において、ゲート電極層１０１及び
半導体膜１０３上に重畳する導電層３０１が設けられている。

トランジスタ１９４は、絶縁膜１４５上に導電層３５７、絶縁膜３５６、半導体膜３５３
、ゲート絶縁膜３５２、ゲート電極層３５１、ソース電極層またはドレイン電極層として
機能する配線層３５４ａ、３５４ｂを有し、配線層３５４ａは、絶縁膜３５５、絶縁膜３
５６、絶縁膜１４５に形成された開口において第２の画素電極層１６７ｂに電気的に接続
する。

導電層３０１はゲート電極層１０１と電気的に接続し同電位としてもよいし、独立に異な
る電位を供給されてもよい。同様に、導電層３５７はゲート電極層３５１と電気的に接続
し同電位としてもよいし、独立に異なる電位を供給されてもよい。

トランジスタ１９３、１９４のように、トランジスタにおいて半導体膜のチャネル形成領
域上下をゲート電極で重畳する構造とすると、しきい値電圧のシフト等のトランジスタの
電気特性の変動を抑制できるほか、動作の高速化等も行うことができる。

図５に表示装置の一形態の断面図を示す。図５の表示装置は、円偏光板３０１ａ、透光性
の第１の基板１００、ゲート電極層１０１と、ゲート絶縁膜１０２と、半導体膜１０３と
、ソース電極層またはドレイン電極層として機能する配線層１０４ａ及び配線層１０４ｂ
とを含むトランジスタ１９１、絶縁膜１０５、平坦化膜として機能する絶縁膜１０６、第
１の画素電極層１０７、配向膜として機能する絶縁膜１０８ａ、スペーサ１７５、第１の
液晶１１２、配向膜として機能する絶縁膜１０８ｂ、第１の対向電極層１０９、平坦化膜
として機能する絶縁膜１１０、カラーフィルタとして機能する着色層１１７、絶縁膜１３
２、接着層１５０、絶縁膜１４２、ゲート電極層１６１、ゲート絶縁膜１６２、半導体膜
１６３、ソース電極層またはドレイン電極層として機能する配線層１６４ａ及び配線層１
６４ｂとを含むトランジスタ１９２、絶縁膜１６５、第２の画素電極層１６７ａ、１６７
ｂ、スペーサ１７６、配向膜として機能する絶縁膜１６８ａ、第２の液晶１２２、配向膜
として機能する絶縁膜１６８ｂ第２の対向電極層１６９、オーバーコート膜として機能す
る絶縁膜１２９、カラーフィルタとして機能する着色層１２７、ブラックマトリクスとし
て機能する遮光膜１２８、透光性の第２の基板１２０、円偏光板３０１ｂが積層されてお
り、第１の基板１００及び第２の基板１２０の間の構成物はシール材１１３ａ、１１３ｂ
、シール材１２３ａ、１２３ｂ、樹脂層１１４ａ、１１４ｂ、樹脂層１２４ａ、１２４ｂ
で封止され、トランジスタ１９１と電気的に接続する端子１７１は異方性導電膜１１５を
介してフレキシブルプリント回路基板１１６に、トランジスタ１９２と電気的に接続する
端子１７２は異方性導電膜１２５を介してフレキシブルプリント回路基板１２６に電気的
に接続されている。絶縁膜１３２及び絶縁膜１４２と接着層１５０は接しており、透過型
表示素子である第１の表示素子５１０と反射型表示素子である第２の表示素子５２０は接
着層１５０を介して固着されている。

図５の表示装置においては、第１の画素電極層１０７は、絶縁膜１０５及び絶縁膜１０６
に形成された配線層１０４ａに達する開口において、配線層１０４ａと接して形成され、
電気的に接続する。また、第２の画素電極層１６７ｂは、絶縁膜１６５及び絶縁膜１６６
に形成された配線層１６４ａに達する開口において、配線層１６４ａと接して形成され、
電気的に接続する。

図５の表示装置においては、スペーサ１７５を第１の画素電極層１０７と配向膜として機
能する絶縁膜１０８ａとの間に設ける例を示すが、スペーサ１７５は第１の対向電極層１
０９と配向膜として機能する絶縁膜１０８ｂとの間でも、配向膜として機能する絶縁膜１
０８ａと配向膜として機能する絶縁膜１０８ｂとの間に設けてもよい。スペーサ１７６も
第１の画素電極層１６７ｂと配向膜として機能する絶縁膜１６８ａとの間に設ける例を示
すが、同様に、スペーサ１７６は第２の対向電極層１６９と配向膜として機能する絶縁膜
１６８ｂとの間でも、配向膜として機能する絶縁膜１６８ａと配向膜として機能する絶縁
膜１６８ｂとの間に設けてもよい。スペーサは柱状スペーサでも球状スペーサでもよい。
本実施の形態では透過型表示素子である第１の表示素子５１０と反射型表示素子である第
２の表示素子５２０とではセルギャップが異なるので、用いるスペーサの高さや大きさも
異なる例を示す。

図５等の表示装置の作製方法の一形態を図６（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、
（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、及び（Ｅ）を用いて説明する。なお、図６（Ａ１）、（Ａ
２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、及び（Ｅ）では円偏光板、配
向膜、画素電極層、対向電極層等は簡略化のため省略している。

第１の基板１０上に透過型表示素子を駆動するトランジスタを含む層１１を形成する。図
示しないが、トランジスタを含む層１１上には第１の画素電極層が設けられている。

作製用基板３０上に剥離層３１を形成し、剥離層３１上に絶縁膜３２を形成する。剥離層
３１は、剥離層４１と同様に有機材料を用いても、無機材料を用いてもよい。

図示しないが、絶縁膜３２上には第１の対向電極層が設けられている。液晶１２を封入す
る領域を囲んでシール材１３ａ、１３ｂを形成し、シール材１３ａ、１３ｂの外側を封止
するように樹脂層１４ａ、１４ｂを形成する。なお、トランジスタを含む層１１がシール
材１３ａ及び樹脂層１４ａ下に延在するのは、トランジスタを含む層１１が有する外部に
電気的に接続するための端子が存在するからである。図２に示す場合と同様に、樹脂層１
４ａ、１４ｂはシール材１３ａ、１３ｂより粘度の低い樹脂材料を用いる。トランジスタ
を含む層１１と、第１の対向電極層と、の間に第１の液晶１２を形成する。

第１の液晶１２、第１の画素電極層、及びトランジスタを含む層１１が形成された第１の
基板１０と、第１の対向電極層が形成された作製用基板３０とを対向させ、第１の液晶１
２を封入するように貼り合わせる（図６（Ａ１）参照）。シール材１３ａ、１３ｂ、及び
樹脂層１４ａ、１４ｂを熱や光等によって硬化させ、貼り合わせ箇所を固着させる。

なお、第１の液晶１２を作製用基板３０側に形成し第１の液晶１２を下方に向けて貼り合
わせても、第１の液晶１２が下方に垂れるといった問題は生じない。第１の液晶１２は非
常に少量であり、かつ減圧下で貼り合わせるため第１の液晶１２の表面張力によって第１
の液晶１２は作製用基板３０側に保持されるからである。これは第２の液晶２２を用いた
、貼り合わせ工程においても同様である。第１の液晶１２を形成する方法として、ディス
ペンス法（滴下法）を用いることができる。

次に作製用基板３０を剥離する（図６（Ｂ１）参照）。また、剥離層３１を除去して絶縁
膜３２を露出させる（図６（Ｃ１）参照）。

作製用基板４０上に剥離層４１を形成する。その後、剥離層４１上に、絶縁膜４２を形成
する。

絶縁膜４２上に反射型表示素子を駆動するトランジスタを含む層２１を形成する。図示し
ないが、トランジスタを含む層２１上には第２の画素電極層が設けられ、第２の基板２０
側には第２の対向電極層が設けられている。液晶２２を封入する領域を囲んでシール材２
３ａ、２３ｂを形成し、シール材２３ａ、２３ｂの外側を封止するように樹脂層２４ａ、
２４ｂを形成する。なお、トランジスタを含む層２１がシール材２３ｂ及び樹脂層２４ｂ
下に延在するのは、トランジスタを含む層２１が有する外部に電気的に接続するための端
子が存在するからである。本実施の形態では、樹脂層２４ａ、２４ｂはシール材２３ａ、
２３ｂより粘度の低い樹脂材料を用いる。トランジスタを含む層２１及び第２の画素電極
層上に第１の液晶２２を形成する。

第２の液晶２２、第２の画素電極層、及びトランジスタを含む層２１が形成された作製用
基板４０と、第２の対向電極層が形成された第２の基板２０とを対向させ、第２の液晶２
２を封入するように貼り合わせる（図６（Ａ２）参照）。シール材２３ａ、２３ｂ、及び
樹脂層２４ａ、２４ｂを熱や光等によって硬化させ、貼り合わせ箇所を固着させる。

次に作製用基板４０を剥離する（図６（Ｂ２）参照）。また、剥離層４１を除去して絶縁
膜４２を露出させる（図６（Ｃ２）参照）。

なお、図６の表示装置の作製方法においては、剥離層３１、４１によって作製用基板３０
、４０を剥離する前に、露出されたトランジスタを含む層１１が有する端子に、異方性導
電膜１５を介してフレキシブルプリント回路基板１６を電気的に接続し、トランジスタを
含む層２１が有する端子に、異方性導電膜２５を介してフレキシブルプリント回路基板２
６を電気的に接続する例を示す。フレキシブルプリント回路基板を設ける工程は、剥離層
３１、４１によって作製用基板３０、４０を剥離した後であってもよく、接着層５０によ
って、透過型表示素子と反射型表示素子とが固着された後でもよい。

次に、絶縁膜３２と絶縁膜４２との間に接着層５０を形成し、接着層５０を用いて絶縁膜
３２と絶縁膜４２とを貼り合わせる（図６（Ｄ）参照）。以上の工程により、第１の基板
１０と第２の基板２０との間に、透過型液晶素子及び反射型液晶素子が接着層５０を介し
て積層した表示装置を作製することができる。なお、接着層５０は透光性を有する。

なお、図６（Ｄ）の表示装置は、透過型表示素子を封止する樹脂層の端部と反射型表示素
子を封止する樹脂層の端部とが一致せず、トランジスタを含む層１１の端子（及びフレキ
シブルプリント回路基板１６）に反射型表示素子を封止する樹脂層２４ａが重畳する例で
ある。図６（Ｅ）の表示装置のように透過型表示素子を封止する樹脂層の端部と反射型表
示素子を封止する樹脂層の端部が一致するように第２の基板２０及び樹脂層２４ａを一部
除去し、第２の基板２９及び樹脂層８１としてもよい。

また、図５等の表示装置の作製方法の他の例を図７（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ
２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、及び（Ｅ）を用いて説明する。図６（Ａ１）、（Ａ
２）、（Ｂ１）、及び（Ｂ２）のように図７（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、及び（Ｂ２
）まで工程を行い、作製用基板３０、４０をそれぞれ剥離する。図７では、剥離層３１、
４１に樹脂層を用いる例を示す。

次に、露出する剥離層３１、４１の一部を除去し、薄膜化した樹脂層３６、４６を形成す
る（図７（Ｃ１）（Ｃ２）参照）。剥離層３１、４１を除去する方法には、特に限定はな
く、ウエットエッチング法、ドライエッチング法等を用いることができる。本実施の形態
では、酸素プラズマを用いたアッシング処理により、剥離層３１、４１を除去する。アッ
シング処理は、制御性が高い、面内均一性がよく大判基板を用いた処理に適している、等
の利点がある。

図７のように、剥離層として用いる樹脂層を薄膜化し残存させてもよい。薄膜化すること
によって樹脂層が残存していても、透過率の低下や表示装置の厚型化を抑制することがで
きる。

次に、樹脂層３６と樹脂層４６との間に接着層５０を形成し、接着層５０を用いて樹脂層
３６と樹脂層４６とを貼り合わせる（図７（Ｄ）参照）。以上の工程により、第１の基板
１０と第２の基板２０との間に、透過型液晶素子及び反射型液晶素子が接着層５０を介し
て積層した表示装置を作製することができる。なお、接着層５０は透光性を有する。

なお、図７（Ｅ）の表示装置においても、図６（Ｅ）の表示装置と同様に、透過型表示素
子を封止する樹脂層の端部と反射型表示素子を封止する樹脂層の端部が一致するように第
２の基板２０及び樹脂層２４ａを一部除去し、第２の基板２９及び樹脂層８１としてもよ
い。

また、図５に示すトランジスタ１９１及びトランジスタ１９２は、ボトムゲート型トラン
ジスタの例であるが、異なる構造でもよい。図６（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２
）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、及び（Ｅ）で示したように、表示装置の作製工程にお
いて、透過型表示素子を駆動するトランジスタと反射型表示素子を駆動するトランジスタ
とは別工程で形成されるため、両トランジスタ間において構成、材料、及び作製工程には
制約が生じない。よって、駆動する表示素子や回路構成によってトランジスタの構造も自
由に選択することができる。本明細書に開示する表示装置に適用できるトランジスタの構
造は特に限定されず、例えばトップゲート型、又はボトムゲート型のスタガ型及びプレー
ナ型等を用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成される
シングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリ
プルゲート構造であっても良い。また、半導体膜のチャネル領域の上下にゲート絶縁層を
介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。

図５の表示装置のようにボトムゲート型トランジスタ同士、トップゲート型トランジスタ
同士、及びボトムゲート型トランジスタ及びトップゲート型トランジスタの組み合わせ、
また、デュアルゲート型トランジスタを組みあわせて用いてもよい。

図５の表示装置の変更例を図８に示す。図８の表示装置においては、下方に設けられる透
過型表示素子である第１の表示素子５１０を駆動するトランジスタ１９３にデュアルゲー
ト型トランジスタ、上方に設けられる反射型表示素子である第２の表示素子５２０を駆動
するトランジスタ１９４にトランジスタ１９３と構造が異なるデュアルゲート型トランジ
スタを用いている。

トランジスタ１９３は図５に示すトランジスタ１９１において、ゲート電極層１０１及び
半導体膜１０３上に重畳する導電層３０１が設けられている。

トランジスタ１９４は、絶縁膜１４２上に導電層３５７、絶縁膜３５６、半導体膜３５３
、ゲート絶縁膜３５２、ゲート電極層３５１、ソース電極層またはドレイン電極層として
機能する配線層３５４ａ、３５４ｂを有し、配線層３５４ａ、３５４ｂは絶縁膜３５５に
形成された開口において半導体膜３５３と電気的に接続する。また、配線層３５４ａは、
絶縁膜１６６に形成された開口において第２の画素電極層１６７ｂに電気的に接続する。

トランジスタの半導体膜のチャネル形成領域にバックライトの光が入射すると、トランジ
スタの電気特性が変動する恐れがある。導電層３５７はバックライトの光から半導体膜３
５３のチャネル形成領域を保護する機能も有する。

第１の基板１０、１００、第２の基板２０、１２０としては、透光性を有する基板を用い
ることができる。例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、無ア
ルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス
、強化ガラス、化学強化ガラス、サファイアガラス等のガラス基板、石英基板、プラスチ
ック基板、樹脂フィルム等を用いることができる。

なお、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パ
ネルの使用者に近い側に配置される第２の基板２０、１２０に好適に用いることができる
。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。また、第
２の基板２０、１２０には、例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用
いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることがで
きる。

作製用基板４０としては、上記第１の基板１０、１００、第２の基板２０、１２０に用い
ることができる材料から選択された材料を用いることができるが、透光性を有する必要は
ない。例えば、アルミニウム基板やステンレス基板等の金属基板、シリコンや炭化シリコ
ンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導
体基板、ＳＯＩ基板等を作製用基板４０に用いることができる。

第１の画素電極層１０７、第１の対向電極層１０９、第２の対向電極層１６９は、可視光
を透過する透光性導電膜を用いることができる。例えば、インジウム錫酸化物、酸化イン
ジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した導電材料、酸化インジウムに酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ_２）を混合した導電材料、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステ
ンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含む
インジウム錫酸化物、グラフェン等を用いることができる。また、下記の第２の画素電極
層１６７ａ、１６７ｂで用いることのできる金属材料であっても、透光性を有する程度薄
膜化した導電膜を形成できる材料であったら用いることができる。

第２の画素電極層１６７ａ、１６７ｂは、可視光を反射する反射性導電膜を用いることが
できる。例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハ
フニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃ
ｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属、又はその合金、
若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。また、上
記透光性導電膜を上記反射性導電膜と積層して用いてもよい。また、上記第２の画素電極
層１６７ａ、１６７ｂ表面に凹凸を設けてもよい。これにより、入射する光をさまざまな
方向に反射して、白色の表示をすることができる。

第１の液晶１１２及び第２の液晶１２２として、例えば、ネマチック液晶、または、ブル
ー相を示す液晶材料を用いることができる。また、ネガ型液晶、ポジ型液晶を用いること
ができ、例えば、ＶＡモードの表示素子にネガ型液晶を用い、ＴＮモードの表示素子にポ
ジ型液晶を用いることができる。

または、本明細書で開示する表示装置の一形態に用いることのできる液晶材料として、例
えば、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液
晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。または、コレステリック相、スメクチック
相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す液晶材料を用いることがで
きる。

具体的には、ポリマーネットワークを含む液晶材料を、第１の液晶１１２及び第２の液晶
１２２に用いることができる。例えば、液晶材料と、液晶材料から相分離したポリマーと
、を含む複合材料を、第１の液晶１１２及び第２の液晶１２２に用いることができる。具
体的には、モノマーおよび液晶材料を含む混合物を光重合する方法により、液晶材料から
相分離したポリマーを作製することができる。

配向膜として機能する絶縁膜１０８ａ、１０８ｂ、１６８ａ、１６８ｂとして、例えば、
ポリイミド等を含む材料を用いることができる。具体的には、液晶材料が所定の方向に配
向するようにラビング処理または光配向技術を用いて形成された材料を用いることができ
る。

例えば、可溶性のポリイミドを含む膜を配向膜として機能する絶縁膜１０８ａ、１０８ｂ
、１６８ａ、１６８ｂに用いることができる。これにより、配向膜として機能する絶縁膜
１０８ａ、１０８ｂ、１６８ａ、１６８ｂを形成する際に必要とされる温度を低くするこ
とができる。その結果、配向膜として機能する絶縁膜１０８ａ、１０８ｂ、１６８ａ、１
６８ｂを形成する際に他の構成に与える損傷を軽減することができる。

第１の液晶１１２及び第２の液晶１２２のギャップを支えるスペーサを設けてもよい。ス
ペーサは柱状スペーサ又は球状スペーサを用いることができる。図１および図５の表示装
置は、柱状スペーサをスペーサ１７５、１７６として用いる例である。スペーサ１７５は
第１の画素電極層１０７と配向膜として機能する絶縁膜１０８ａとの間に設けられる。ま
た、図１の表示装置において、スペーサ１７６は第２の対向電極層１６９と配向膜として
機能する絶縁膜１６８ｂとの間に設けられ、図５の表示装置において、スペーサ１７６は
第２の画素電極層１６７ｂと配向膜として機能する絶縁膜１６８ａとの間に設けられてい
る。

スペーサとしては、例えば、有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を
用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイ
ミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択
された複数の樹脂の複合材料等をスペーサに用いることができる。また、感光性を有する
材料を用いて形成してもよい。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等をシール材１３ａ、１３ｂ、
１１３ａ、１１３ｂ、１２３ａ、１２３ｂに用いることができる。例えば、熱溶融性の樹
脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、シール材１３ａ、１３ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、
１２３ａ、１２３ｂに用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料をシール材１３ａ、１３ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、１２３ａ、１２３ｂに
用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤をシール材１３ａ、
１３ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、１２３ａ、１２３ｂに用いることができる。

例えば、シール材１３ａ、１３ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、１２３ａ、１２３ｂに用いるこ
とができる材料を樹脂層１４ａ、１４ｂ、１１４ａ、１１４ｂ、１２４ａ、１２４ｂに用
いることができる。

接着層５０、１５０としては透光性を有している材料であればよく、シール材１３ａ、１
３ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、１２３ａ、１２３ｂや樹脂層１４ａ、１４ｂ、１１４ａ、１
１４ｂ、１２４ａ、１２４ｂに用いることのできる透光性を有する材料を用いることがで
きる。

絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料
を、絶縁膜１０５、１０６、１１０、１６５、１４６、１４５、１２９、３５５等に用い
ることができる。

遮光膜１２８は、光を反射、又は吸収し、遮光性を有する材料を用いる。例えば、黒色の
有機樹脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミド等の樹脂材料に、顔料系
の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また、
遮光性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コ
バルト、銅、タングステン、又はアルミニウム等を用いればよい。

着色層１１７、１２７に用いることのできる有彩色の透光性樹脂としては、感光性、非感
光性の有機樹脂を用いることができる。感光性の有機樹脂層を用いるとレジストマスク数
を削減することができるため、工程が簡略化し好ましい。

有彩色は、黒、灰、白等の無彩色を除く色であり、着色層１１７、１２７はカラーフィル
タとして機能させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される。
有彩色としては、赤色、緑色、青色等を用いることができる。また、シアン、マゼンタ、
イエロー（黄）等を用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、着色層に
おいて透過する光は、その有彩色の光の波長にピークを有するということである。着色層
１１７、１２７は、含ませる着色材料の濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚
を適宜制御するとよい。

ゲート電極層１０１、１６１、３５１、導電層３０１、遮光膜３０５、導電層３５７、配
線層１０４ａ、１０４ｂ、１６４ａ、１６４ｂ、端子１７１、１７２の材料は、モリブデ
ン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の
金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成すること
ができる。また、ゲート電極層１０１、１６１、３５１の材料は、酸化インジウム酸化ス
ズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛
酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸
化インジウム酸化亜鉛、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物等の導電性材料を適用
することもできる。また、上記導電性材料と、上記金属材料の積層構造とすることもでき
る。

ゲート絶縁膜１０２、１６２、絶縁膜１０５、１０６、１１０、１２９、１４５、１４６
、１６５、３５５、３５６は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を適宜用いて形成すること
ができる。ゲート絶縁膜１０２、１６２、絶縁膜１０５、１０６、１１０、１２９、１４
５、１４６、１６５、３５５、３５６の材料としては、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜
、酸化ガリウム亜鉛膜、酸化亜鉛膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シ
リコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜を用いて形成することが
できる。また、ゲート絶縁膜の材料として酸化ハフニウム、酸化イットリウム、ハフニウ
ムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリ
ケート（ＨｆＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌ_ｘ
Ｏ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、酸化ランタン等のｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることでゲートリ
ーク電流を低減できる。さらに、ゲート絶縁膜１０２、１６２は、単層構造としてもよい
し、積層構造としてもよい。

また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁膜１０６、１１０、１２９は、ポリイミド、アク
リル等の有機材料を用いて、スピンコート、印刷法等のウエットプロセスにより形成する
こともできる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）等を用いるこ
とができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶
縁膜を形成してもよい。

半導体膜１０３、１６３として、１４族の元素を含む半導体を用いることができる。具体
的には、シリコンを含む半導体を半導体膜に用いることができる。例えば、単結晶シリコ
ン、ポリシリコン、微結晶シリコンまたはアモルファスシリコン等を用いることができる
。

また、ガリウムヒ素を含む半導体等の化合物半導体を用いることができる。

また、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体等の有機半導体を用いることがで
きる。

例えば、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物
半導体等の酸化物半導体を用いることができる。

また、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタはオフ状態におけるリーク電流が低
いという利点がある。よって、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くす
ることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未
満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる
。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動
に伴う消費電力を低減することができる。

上記のように、材料や膜厚等が最適化された透過型表示素子及び反射型表示素子を、要求
される高い電気的及び物理的特性を付与されたトランジスタによってそれぞれ駆動するこ
とができるため、高画質及び高性能な表示装置を提供することが可能となる。かつ、一対
の基板間に積層して設けられているため、表示装置の大型化を抑制できる。また、歩留ま
りよく高信頼性の表示装置を作製することができる。

なお、本実施の形態の表示装置は、反射型表示素子を用いて、消費電力を低減することが
できる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示する
ことができる。または、光の透過を制御する透過型表示素子とバックライト等を用いて、
暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、透過型表示素子及び反射型表
示素子間は絶縁膜が設けられているので、当該絶縁膜により、透過型表示素子及び反射型
表示素子間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼
性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態２）
図１等の表示装置の作製方法の一形態を図９（Ａ）乃至（Ｇ）を用いて説明する。なお、
図９（Ａ）乃至（Ｇ）では円偏光板、配向膜、画素電極層、対向電極層等は簡略化のため
省略している。また、本実施の形態は実施の形態１の図２に示す作製方法の変更例であり
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
実施の形態１を参照することができるため、その繰り返しの説明は省略する。

実施の形態１で図２（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明したように、第１の画素電極層とトラ
ンジスタを含む層１１が形成された第１の基板１０と、第１の液晶１２まで形成した作製
用基板４０とを、第１の液晶１２を封入するように、シール材１３ａ、１３ｂ、及び樹脂
層１４ａ、１４ｂを用いて貼り合わせる。シール材１３ａ、１３ｂ、及び樹脂層１４ａ、
１４ｂを熱や光等によって硬化させ、貼り合わせ箇所を固着させた後、作製用基板４０を
剥離する（図９（Ａ）参照）。

本実施の形態では、反射型表示素子を駆動するトランジスタを含む層６１は、絶縁膜４２
を貫通し、かつ剥離層である樹脂層６３の凹部に設けられる端子６２を有している。

本実施の形態では、剥離層として、感光性を有する有機材料を用い、多階調マスクを用い
たフォトリソグラフィ工程を用いて凹部を有する樹脂層６３に加工して用いる例を示す。
多階調マスクによって露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ
工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。

凹部を有する樹脂層６３上に絶縁膜４２を形成し、凹部が露出するように絶縁膜４２をエ
ッチング処理で加工する。その後、樹脂層６３の凹部に接するようにトランジスタを含む
層６１に端子６２を形成する。

また、透過型表示素子を駆動するトランジスタを含む層１１に含まれる端子を覆う離型層
７０を形成する。離型層７０上には貼り合わせ工程の際に用いられる樹脂層１４ａが設け
られている。

離型層７０は、離型層７０上に設けられた樹脂層１４ａの一部分のみを選択的に除去する
ために用いられる。

離型層７０に用いることのできる材料としては、水に対して９０°以上１８０°以下の接
触角を備える材料、フッ素含有基を含む材料、具体的には、側鎖にパーフルオロアルキル
基を含む高分子化合物、側鎖にパーフルオロアルキル基を含むアクリル樹脂もしくはメタ
アクリル樹脂等を、離型層７０に用いることができる。例えば、炭素数が４以上１２以下
好ましくは６以上１２以下のパーフルオロアルキル基等を含む高分子化合物を用いること
ができる。例えば、離型層７０として、パーフルオロアルキル基を備える有機化合物を含
む、厚さ２μｍ以下好ましくは０．３μｍ以下より好ましくは０．１μｍ以下の膜を用い
ることができる。

作製用基板４０を剥離した後、露出する樹脂層６３の一部を除去し、端子６２を露出させ
、薄膜化した樹脂層４６を形成する（図９（Ｂ）参照）。樹脂層６３を除去する方法には
、特に限定はなく、ウエットエッチング法、ドライエッチング法等を用いることができる
。本実施の形態では、酸素プラズマを用いたアッシング処理により、樹脂層６３を除去す
る。アッシング処理は、制御性が高い、面内均一性がよく大判基板を用いた処理に適して
いる、等の利点がある。

薄膜化した樹脂層４６上面に対してラビング処理を行う。これにより、樹脂層４６を配向
膜として機能する絶縁膜４８として用いることができる。回転するラビングロール４７を
樹脂層４６に押し当てた状態で、図９（Ｃ）の矢印で示すように、第１の基板１０をスラ
イドさせることにより、樹脂層４６に一軸配向処理を施すことができる。

なお、ここでは樹脂層６３を薄膜化し、これを配向膜として用いる場合の例を示したが、
樹脂層６３の薄膜化において、表面の平坦性が低下してしまう場合がある。その場合には
、上記樹脂層６３の薄膜化の工程において、樹脂層６３を除去した後、さらに配向膜とな
る樹脂等を形成してもよい。そして、当該樹脂等に対してラビング処理を行い、配向膜を
形成することができる。

第２の基板２０上に液晶２２を封入する領域を囲んでシール材２３ａ、２３ｂを形成し、
液晶２２を形成する。

トランジスタを含む層１１、第２の画素電極層、及び配向膜が形成された第１の基板１０
と、第２の液晶２２まで形成した第２の基板２０とを対向させ、第２の液晶２２を封入す
るように貼り合わせる（図９（Ｄ）及び（Ｅ）参照）。シール材２３ａ、２３ｂを熱や光
等によって硬化させ、貼り合わせ箇所を固着させる。

トランジスタを含む層１１及びトランジスタを含む層６１が有する外部へ電気的に接続す
る端子とフレキシブルプリント回路基板が接続しやすくするために、第２の基板２０の端
部を一部除去し、第２の基板２９とする。

樹脂層１４ａ、絶縁膜４２、及び配向膜として機能する絶縁膜４８において離型層７０と
重なる領域に、開口７１を形成する。例えば、粘着テープを離型層７０と重なる領域の樹
脂層１４ａ、絶縁膜４２、及び配向膜として機能する絶縁膜４８に貼付し、貼付した粘着
テープを剥離する。これにより、離型層７０と重なる領域の樹脂層１４ａ、絶縁膜４２、
及び配向膜として機能する絶縁膜４８のみを選択的に、粘着テープと共に取り除き、樹脂
層１４ａ、絶縁膜４２、及び配向膜として機能する絶縁膜４８に開口７１を形成すること
ができる。その結果、離型層７０に達する開口７１を有する樹脂層８３、絶縁膜８４、及
び配向膜８５を形成することができる（図９（Ｆ）参照）。

開口７１に異方性導電膜１５を形成し、トランジスタを含む層１１が有する端子に、異方
性導電膜１５を介してフレキシブルプリント回路基板１６を電気的に接続する。開口７１
に離型層７０は残存するが、異方性導電膜１５を圧着する際に異方性導電膜１５中に含ま
れる導電粒子によって除去または破壊され、端子とフレキシブルプリント回路基板１６は
導通することができる。なお、異方性導電膜１５の形成前に離型層７０を除去してもよい
。

また、トランジスタを含む層６１が有する露出された端子６２に、異方性導電膜２５を介
してフレキシブルプリント回路基板２６を電気的に接続する（図９（Ｇ）参照）。

上記のように、材料や膜厚等が最適化された透過型表示素子及び反射型表示素子を、要求
される高い電気的及び物理的特性を付与されたトランジスタによってそれぞれ駆動するこ
とができるため、高画質及び高性能な表示装置を提供することが可能となる。かつ、一対
の基板間に積層して設けられているため、表示装置の大型化を抑制できる。

なお、本実施の形態の表示装置は、反射型表示素子を用いて、消費電力を低減することが
できる。または、外光が明るい環境下において高いコントラストで画像を良好に表示する
ことができる。または、光の透過を制御する透過型表示素子とバックライト等を用いて、
暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、絶縁膜を用いて、透過型表示
素子及び反射型表示素子間は絶縁膜が設けられているので、透過型表示素子及び反射型表
示素子間における不純物の拡散を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な表示装置を提供することができる。

本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本明細書で開示する発明の一形態の情報処理装置の構成について、図
１０乃至図１２を参照しながら説明する。

図１０（Ａ）は本明細書で開示する発明の一形態の情報処理装置の構成を説明するブロッ
ク図である。図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）は、情報処理装置２００の外観の一例を説
明する投影図である。

図１１は、本明細書で開示する発明の一形態のプログラムを説明するフローチャートであ
る。図１１（Ａ）は、本明細書で開示する発明の一形態のプログラムの主の処理を説明す
るフローチャートであり、図１１（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートであ
る。

図１２は、本明細書で開示する発明の一形態のプログラムの割り込み処理を説明するフロ
ーチャートである。

＜情報処理装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２００は、入出力装置２２０と、演算装置２１０と
、を有する（図１０（Ａ）参照）。入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される
。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図１０（Ｂ）または図１０（
Ｃ）参照）。

入出力装置２２０は表示部２３０および入力部２４０を備える（図１０（Ａ）参照）。入
出力装置２２０は検知部２５０を備える。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備え
ることができる。

入出力装置２２０は画像情報Ｖ１または制御情報ＳＳを供給される機能を備え、位置情報
Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。

演算装置２１０は位置情報Ｐ１または検知情報Ｓ１を供給させる機能を備える。演算装置
２１０は画像情報Ｖ１を供給する機能を備える。演算装置２１０は、例えば、位置情報Ｐ
１または検知情報Ｓ１に基づいて動作する機能を備える。

なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、
筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

表示部２３０は画像情報Ｖ１に基づいて画像を表示する機能を備える。表示部２３０は制
御情報ＳＳに基づいて画像を表示する機能を備える。

入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。

検知部２５０は検知情報Ｓ１を供給する機能を備える。検知部２５０は、例えば、情報処
理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を
備える。検知部２５０は、例えば、情報処理装置２００が使用される環境の環境光の色度
を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

これにより、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の
筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

これにより、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。具体的には、
反射型表示素子を用いる表示方法を選択し、例えば、電力の消費を抑制することができる
。または、透過型表示素子の表示素子を用いる方法を選択し、例えば、暗い場所で表示を
することができる。または、反射型表示素子および透過型表示素子を用いる方法を選択し
、反射型表示素子を用いて表示される画像と重なるように、透過型表示素子を用いて、例
えば、解説等を鮮やかに表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた
新規な情報処理装置を提供することができる。

以下に、情報処理装置を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明
確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある
。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに
入力部でもある。

《構成例》本明細書で開示する発明の一形態の情報処理装置２００は、筐体または演算装
置２１０を有する。

演算装置２１０は、演算部２１１、記憶部２１２、伝送路２１４、入出力インターフェー
ス２１５を備える。

また、本明細書で開示する発明の一形態の情報処理装置は、入出力装置２２０を有する。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０および通信部２９０を
備える。

《情報処理装置》本明細書で開示する発明の一形態の情報処理装置は、演算装置２１０ま
たは入出力装置２２０を備える。

《演算装置２１０》演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また
、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

《演算部２１１》演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報
、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタ
を用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》入出力インターフェース２１５は端子
または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１
４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することが
できる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入
出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記
憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０》入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０、検知部２５０
または通信部２９０を備える。

《表示部２３０》表示部２３０は、制御部と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パ
ネルと、を有する。例えば、実施の形態１または実施の形態２で説明する表示装置を表示
部２３０に用いることができる。

《入力部２４０》さまざまなヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いること
ができる（図１０参照）。

例えば、キーボード、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いること
ができる。なお、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる
。表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を
、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タ
ップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析
し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることが
できる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の
操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッ
チパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる
。

《検知部２５０》検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備え
る。具体的には、照度情報、姿勢情報、圧力情報、位置情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ ｐ
ｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度セ
ンサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報
を取得する機能を備える。

《プログラム》本明細書で開示する発明の一形態のプログラムは、下記のステップを有す
る（図１１（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１１（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、
当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する
。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることが
できる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。
また、第１の表示方法、第２の表示方法または第３の表示方法を所定の表示方法に用いる
ことができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１１（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお
、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことが
できる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果
を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理
から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを
起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定
のモードまたは所定の表示方法を用いて情報を表示する（図１１（Ａ）（Ｓ３）参照）。
なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示
する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１、情報Ｖ１１または情報Ｖ１２を表示
する情報に用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。
または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。こ
れにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する異なる３つの方法を、第１の表示方法乃至第３の表示方
法に関連付けることができる。これにより、選択された表示方法に基づいて表示をするこ
とができる。

《第１のモード》具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査
線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付け
ることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像
の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操
作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表
示することができる。

《第２のモード》具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分
に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法
を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を
供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消
費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の
頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、バックライトをパルス状に発光させて、画像情報を表示することがで
きる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いること
ができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短
縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発
光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

《第１の表示方法》具体的には、反射型表示素子を表示に用いる方法を、第１の表示方法
に用いることができる。これにより、例えば、消費電力を低減することができる。または
、明るい環境下において、高いコントラストで画像情報を良好に表示することができる。

《第２の表示方法》具体的には、透過型表示素子を表示に用いる方法を、第２の表示方法
に用いることができる。これにより、例えば、暗い環境下で画像を良好に表示することが
できる。または、良好な色再現性で写真等を表示することができる。または、動きの速い
動画を滑らかに表示することができる。

なお、透過型表示素子を用いて画像情報Ｖ１を表示する場合、照度情報に基づいて画像情
報Ｖ１を表示する明るさを決定することができる。例えば、照度が５千ルクス以上１０万
ルクス未満の場合、照度が５千ルクス未満の場合より明るくなるように、透過型表示素子
を用いて画像情報Ｖ１を表示する。

《第３の表示方法》具体的には、反射型表示素子および透過型表示素子を表示に用いる方
法を、第３の表示方法に用いることができる。これにより、消費電力を低減することがで
きる。または、暗い環境下で画像を良好に表示することができる。または、良好な色再現
性で写真等を表示することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することが
できる。

ところで、反射型表示素子および透過型表示素子を表示に用いて、表示の明るさを調節す
る機能を、調光機能ということができる。例えば、反射型表示素子の明るさを、透過型表
示素子が調節するバックライトからの光等を用いて補うことができる。

また、反射型表示素子および透過型表示素子を表示に用いて、表示の色味を調節する機能
を、調色機能ということができる。例えば、反射型表示素子の色合いを、透過型表示素子
が調節するバックライトからの光を用いて変えることができる。具体的には、反射型表示
素子が表示する黄味を帯びた色合いを、透過型表示素子により青色に調節された光を用い
て白色に近づけることができる。これにより、例えば、文字情報を普通紙に印刷された文
字のように表示することができる。または、目にやさしい表示をすることができる。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令
が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１１（Ａ）（Ｓ４）
参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１１（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図
１１（Ｂ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用さ
れる環境の照度を検出する（図１１（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環
境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する。例えば、照
度が所定の値以上の場合に、第１の表示方法に決定し、照度が所定の値未満の場合、第２
の表示方法に決定する。または、照度が所定の範囲の場合、第３の表示方法に決定しても
よい（図１１（Ｂ）（Ｓ７）参照）。

具体的には、照度が１０万ルクス以上の場合、第１の表示方法に決定し、照度が５千ルク
ス未満の場合、第２の表示方法に決定し、照度が１０万ルクス未満５千ルクス以上の場合
、第３の表示方法に決定してもよい。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、第３の
表示方法において透過型表示素子を用いて、表示の色味を調節してもよい。

また、例えば、第１の表示方法を用いる場合は、第１のステータスの制御情報ＳＳを供給
し、第２の表示方法を用いる場合は、第２のステータスの制御情報ＳＳを供給し、第３の
表示方法を用いる場合は、第３のステータスの制御情報ＳＳを供給する。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１１（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例２．＞
本明細書で開示する発明の一形態の情報処理装置の別の構成について、図１２を参照しな
がら説明する。

図１２は、本明細書で開示する発明の一形態のプログラムを説明するフローチャートであ
る。図１２は、図１１（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフロ
ーチャートである。

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更
するステップを割り込み処理に有する点が、図１１（Ｂ）を参照しながら説明する割り込
み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いるこ
とができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図
１２参照）。

《第６のステップ》第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７
のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（
図１２（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件
に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは
０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

《第７のステップ》第７のステップにおいて、モードを変更する（図１２（Ｕ７）参照）
。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモー
ドを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

《第８のステップ》第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１２（Ｕ８）
参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》例えば、ポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ド
ラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、
「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速
度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果
をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器
等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付ける
ことができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめく
り命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を
実行する際に用いるページをめくる速度等を決定する引数を、所定のイベントを用いて与
えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する
他の部分を表示する「スクロール命令」等を、所定のイベントに関連付けることができる
。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度等を決定する引数
を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令等を、所定のイベントに
関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベント
に関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５
０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得す
る命令等を、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断して
もよい。具体的には、特定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる
場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校また
は大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いるこ
とができる（図１０（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して
、会議資料に用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１または２に示す表示装置を有する本明細書で開示する発
明の一形態の情報処理装置を有する電子機器について、図１３を用いて説明を行う。

図１３（Ａ）乃至図１３（Ｈ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体
５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー５００
５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力
、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、
音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい
又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、等を有することがで
きる。

図１３（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ５００９、
赤外線ポート５０１０、等を有することができる。図１３（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯
型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示
部５００２、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１３（Ｃ）はゴーグ
ル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部５００２、支持部５０１２、
イヤホン５０１３、等を有することができる。図１３（Ｄ）は携帯型遊技機であり、上述
したものの他に、記録媒体読込部５０１１、等を有することができる。図１３（Ｅ）はテ
レビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ５０１４、シャ
ッターボタン５０１５、受像部５０１６、等を有することができる。図１３（Ｆ）は携帯
型遊技機であり、上述したものの他に、第２表示部５００２、記録媒体読込部５０１１、
等を有することができる。図１３（Ｇ）は持ち運び型テレビ受像器であり、上述したもの
の他に、信号の送受信が可能な充電器５０１７、等を有することができる。

図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例
えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパ
ネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウエア（プログラ
ム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュ
ータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を
行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示す
る機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、
一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示
する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を
表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、
静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する
機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像
を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図１３（Ａ）乃至図１３（Ｇ
）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有する
ことができる。

図１３（Ｈ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボ
タン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有
する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領
域を有している。なお、表示パネル７３０４としては、矩形状の表示領域としてもよい。
表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表
示することができる。

なお、図１３（Ｈ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例え
ば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム
）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュー
タネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行
う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する
機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光素子を
その表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

１０ 基板
１１ 層
１２ 液晶
１３ａ シール材
１３ａ１ シール材
１３ａ２ シール材
１３ａ３ シール材
１３ｂ シール材
１３ｂ１ シール材
１３ｂ２ シール材
１３ｂ３ シール材
１４ａ 樹脂層
１４ｂ 樹脂層
１５ 異方性導電膜
１６ フレキシブルプリント回路基板
２０ 基板
２１ 層
２２ 液晶
２３ａ シール材
２３ａ１ シール材
２３ａ２ シール材
２３ａ３ シール材
２３ｂ シール材
２３ｂ１ シール材
２３ｂ２ シール材
２３ｂ３ シール材
２４ａ 樹脂層
２４ｂ 樹脂層
２５ 異方性導電膜
２６ フレキシブルプリント回路基板
２９ 基板
３０ 作製用基板
３１ 剥離層
３２ 絶縁膜
３６ 樹脂層
４０ 作製用基板
４１ 剥離層
４２ 絶縁膜
４６ 樹脂層
４７ ラビングロール
４８ 絶縁膜
５０ 接着層
６１ 層
６２ 端子
６３ 樹脂層
７０ 離型層
７１ 開口
８１ 樹脂層
８２ 樹脂層
８３ 樹脂層
８４ 絶縁膜
８５ 配向膜
１００ 基板
１０１ ゲート電極層
１０２ ゲート絶縁膜
１０３ 半導体膜
１０４ａ 配線層
１０４ｂ 配線層
１０５ 絶縁膜
１０６ 絶縁膜
１０７ 画素電極層
１０８ａ 絶縁膜
１０８ｂ 絶縁膜
１０９ 対向電極層
１１０ 絶縁膜
１１２ 液晶
１１３ａ シール材
１１３ｂ シール材
１１４ａ 樹脂層
１１４ｂ 樹脂層
１１５ 異方性導電膜
１１６ フレキシブルプリント回路基板
１１７ 着色層
１２０ 基板
１２２ 液晶
１２３ａ シール材
１２３ｂ シール材
１２４ａ 樹脂層
１２４ｂ 樹脂層
１２５ 異方性導電膜
１２６ フレキシブルプリント回路基板
１２７ 着色層
１２８ 遮光膜
１２９ 絶縁膜
１３２ 絶縁膜
１４２ 絶縁膜
１４５ 絶縁膜
１４６ 絶縁膜
１５０ 接着層
１６１ ゲート電極層
１６２ ゲート絶縁膜
１６３ 半導体膜
１６４ａ 配線層
１６４ｂ 配線層
１６５ 絶縁膜
１６６ 絶縁膜
１６７ａ 画素電極層
１６７ｂ 画素電極層
１６８ａ 絶縁膜
１６８ｂ 絶縁膜
１６９ 対向電極層
１７１ 端子
１７２ 端子
１７５ スペーサ
１７６ スペーサ
１９１ トランジスタ
１９２ トランジスタ
１９３ トランジスタ
１９４ トランジスタ
２００ 情報処理装置
２１０ 演算装置
２１１ 演算部
２１２ 記憶部
２１４ 伝送路
２１５ 入出力インターフェース
２２０ 入出力装置
２３０ 表示部
２４０ 入力部
２５０ 検知部
２９０ 通信部
３０１ 導電層
３０１ａ 円偏光板
３０１ｂ 円偏光板
３０５ 遮光膜
３５１ ゲート電極層
３５２ ゲート絶縁膜
３５３ 半導体膜
３５４ａ 配線層
３５４ｂ 配線層
３５５ 絶縁膜
３５６ 絶縁膜
３５７ 導電層
４０１ ゲート電極層
４３８ ゲート絶縁膜
５１０ 表示素子
５２０ 表示素子
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００５ 操作キー
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５００９ スイッチ
５０１０ 赤外線ポート
５０１１ 記録媒体読込部
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５０１４ アンテナ
５０１５ シャッターボタン
５０１６ 受像部
５０１７ 充電器
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ アイコン
７３０６ アイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金

Claims (4)

1. 第１の基板と、
   第１のトランジスタを含む層と、
   第１の画素電極層及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、
   第２のトランジスタを含む層と、
   第２の画素電極層及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子と、を有し、
   前記第１の基板、前記第１のトランジスタを含む層、前記第１の表示素子、前記第２のトランジスタを含む層、及び前記第２の表示素子は順に積層され、
   前記第２のトランジスタを含む層が有する第１の絶縁膜は、前記第１の対向電極層と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタを含む層が有する第２の絶縁膜は、前記第２の画素電極層と接する領域を有し、
   断面視において、前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に位置し、
   前記第１の基板、前記第１の画素電極層、前記第１の対向電極層、及び前記第２の対向電極層の各々は、透光性を有する、表示装置。
2. 第１の基板と、
   第１のトランジスタを含む層と、
   第１の画素電極層及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、
   第２のトランジスタを含む層と、
   第２の画素電極層及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子と、を有し、
   前記第１の基板、前記第１のトランジスタを含む層、前記第１の表示素子、前記第２のトランジスタを含む層、及び前記第２の表示素子は順に積層され、
   前記第２のトランジスタを含む層は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１の対向電極層と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２の画素電極層と接する領域を有し、
   断面視において、前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に位置し、
   前記第２のトランジスタが有する配線層は、前記第２の絶縁膜に設けられた開口を介して、前記第２の画素電極層と電気的に接続され、
   前記第１の基板、前記第１の画素電極層、前記第１の対向電極層、及び前記第２の対向電極層の各々は、透光性を有する、表示装置。
3. 第１の基板と、
   第１のトランジスタを含む層と、
   第１の画素電極層及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、
   第２のトランジスタを含む層と、
   第２の画素電極層及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子と、を有し、
   前記第１の基板、前記第１のトランジスタを含む層、前記第１の表示素子、前記第２のトランジスタを含む層、及び前記第２の表示素子は順に積層され、
   前記第２のトランジスタを含む層は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、着色層と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１の対向電極層と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２の画素電極層と接する領域を有し、
   断面視において、前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に位置し、
   前記第２のトランジスタが有する配線層は、前記第２の絶縁膜に設けられた開口を介して、前記第２の画素電極層と電気的に接続され、
   断面視において、前記着色層は、前記第２の画素電極層と重なる領域と、前記第２の画素電極層と重ならない領域と、を有し、
   前記第１の基板、前記第１の画素電極層、前記第１の対向電極層、及び前記第２の対向電極層の各々は、透光性を有する、表示装置。
4. 第１の基板と、
   第１のトランジスタを含む層と、
   第１の画素電極層及び第１の対向電極層を含む第１の表示素子と、
   第２のトランジスタを含む層と、
   第２の画素電極層及び第２の対向電極層を含む第２の表示素子と、を有し、
   前記第１の基板、前記第１のトランジスタを含む層、前記第１の表示素子、前記第２のトランジスタを含む層、及び前記第２の表示素子は順に積層され、
   前記第２のトランジスタを含む層は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜と、着色層と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１の対向電極層と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁膜は、前記第２の画素電極層と接する領域を有し、
   断面視において、前記第２のトランジスタは、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に位置し、
   前記第２のトランジスタが有する配線層は、前記第２の絶縁膜に設けられた開口を介して、前記第２の画素電極層と電気的に接続され、
   断面視において、前記着色層は、前記第２の画素電極層と重なる領域と、前記第２の画素電極層と重ならない領域と、前記第１の対向電極層を介して前記第１の画素電極層と重なる領域と、を有し、
   前記第１の基板、前記第１の画素電極層、前記第１の対向電極層、及び前記第２の対向電極層の各々は、透光性を有する、表示装置。

Images