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JP7299474B2 - EFEM - Google Patents
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Description

本発明は、ウェーハの自動搬送に用いられるEFEM(Equipment Front End Module)に関する。 The present invention relates to an EFEM (Equipment Front End Module) used for automatic transfer of wafers.

半導体の製造工程においては、歩留まりや品質の向上のため、クリーンルーム内でウェーハの処理がなされている。近年では、ウェーハの周囲の局所的な空間についてのみ清浄度をより向上させる「ミニエンバイロメント方式」を取り入れ、ウェーハの搬送その他の処理を行う手段が採用されている。ミニエンバイロメント方式では、筐体の内部で略閉止されたウェーハ搬送室(以下「搬送室」)の壁面の一部を構成するとともに、高清浄な内部空間にウェーハが収納された容器であるFOUP(Front-Opening Unified Pod)を載置し、FOUPのドア(以下「FOUPドア」)に密着した状態で当該FOUPドアを開閉させる機能を有するロードポート(Load Port)が搬送室に隣接して設けられている。 In a semiconductor manufacturing process, wafers are processed in a clean room in order to improve yield and quality. In recent years, a "mini-environment system" has been adopted to further improve the cleanliness of only the local space around the wafer, and a means of transporting the wafer and performing other processes has been adopted. In the mini-environment method, a FOUP, which is a container in which wafers are stored in a highly clean inner space, constitutes a part of the wall surface of the wafer transfer chamber (hereinafter referred to as the “transfer chamber”) that is almost closed inside the housing. (Front-Opening Unified Pod) is placed next to the transfer chamber and has the function of opening and closing the FOUP door (hereinafter referred to as "FOUP door") in close contact with the door. It is

ロードポートは、搬送室との間でウェーハの出し入れを行うための装置であり、搬送室とFOUPの間におけるインターフェース部として機能する。そして、FOUPドアに係合可能であってFOUPドアを開閉させるロードポートのドア(以下「ロードポートドア」)を開放すると、搬送室内に配置された搬送ロボット(ウェーハ搬送装置)によって、FOUP内のウェーハを搬送室内に取り出したり、ウェーハを搬送室内からFOUP内に収納できるように構成されている。 The load port is a device for taking wafers in and out of the transfer chamber, and functions as an interface between the transfer chamber and the FOUPs. Then, when a load port door (hereinafter referred to as "load port door") that can be engaged with the FOUP door and opens and closes the FOUP door is opened, a transfer robot (wafer transfer device) arranged in the transfer chamber moves the inside of the FOUP. It is configured so that wafers can be taken out into the transfer chamber and wafers can be stored in the FOUP from the transfer chamber.

そして、半導体の製造工程では、ウェーハ周辺の雰囲気を適切に維持するために、上述のFOUPと呼ばれる格納ポッドが用いられ、FOUPの内部にウェーハを収容して管理している。特に近年では素子の高集積化や回路の微細化が進められており、ウェーハ表面へのパーティクルや水分の付着が生じないように、ウェーハ周辺を高いクリーン度に維持することが求められている。そこで、ウェーハ表面が酸化するなど表面の性状が変化することがないように、FOUPの内部に窒素ガスを充填して、ウェーハ周辺を不活性ガスである窒素雰囲気としたり、真空状態にする処理(パージ処理)も行われている。 In the semiconductor manufacturing process, a storage pod called the above-mentioned FOUP is used in order to properly maintain the atmosphere around the wafer, and the wafer is stored and managed inside the FOUP. In particular, in recent years, the integration of devices and the miniaturization of circuits have progressed, and it is required to maintain a high degree of cleanliness around the wafer so that particles and moisture do not adhere to the wafer surface. Therefore, in order to prevent the wafer surface from being oxidized or otherwise changing the surface properties, the inside of the FOUP is filled with nitrogen gas, and the surroundings of the wafer are made into a nitrogen atmosphere, which is an inert gas, or in a vacuum state ( purge process) is also performed.

また、不活性ガスである窒素で搬送室内が満たされるように構成されたEFEMも案出され、実用化されている(例えば特許文献1)。具体的に、このEFEMは、搬送室の内部で窒素を循環させる搬送室を含む循環流路と、循環流路に窒素を供給するガス供給手段と、循環流路から窒素を排出するガス排出手段とを備える。窒素は、循環流路内の酸素濃度等の変動に応じて適宜供給及び排出される。これにより、窒素を常時供給及び排出する構成と比べて窒素の供給量の増大を抑えつつ、搬送室内を窒素雰囲気に保つことが可能となる。 An EFEM configured to fill the transfer chamber with nitrogen, which is an inert gas, has also been devised and put into practical use (for example, Patent Document 1). Specifically, this EFEM includes a circulation passage including a transfer chamber for circulating nitrogen inside the transfer chamber, gas supply means for supplying nitrogen to the circulation passage, and gas discharge means for discharging nitrogen from the circulation passage. and Nitrogen is appropriately supplied and discharged according to fluctuations in the oxygen concentration in the circulation channel. This makes it possible to keep the inside of the transfer chamber in a nitrogen atmosphere while suppressing an increase in the amount of nitrogen supplied compared to a configuration in which nitrogen is constantly supplied and discharged.

特開2017-212322号公報JP 2017-212322 A

ところで、窒素が供給される空間と大気空間とを隔離している部分近傍(例えば隔離部分から1mmの範囲)における酸素濃度が、オペレータにとって安全な濃度(例えば19.5パーセント以上)に維持する必要がある。これは、オペレータが極端に酸素濃度の低い空間に入ると酸欠状態に陥って卒倒するおそれを回避するためである。 By the way, it is necessary to maintain the oxygen concentration in the vicinity of the part separating the space to which nitrogen is supplied from the atmospheric space (for example, the range of 1 mm from the separated part) at a safe concentration for the operator (for example, 19.5% or more). There is This is to prevent the operator from falling into an oxygen-deficient state and fainting when entering a space with an extremely low oxygen concentration.

本発明は、このような課題に着目してなされたものであって、主たる目的は、EFEMの導入現場におけるオペレータの安全性を高めるために、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気との隔離部分における酸素濃度の低下を抑制可能なEFEMを提供することである。なお、本発明は、FOUP以外のウェーハ収納容器であっても対応可能な技術である。 The present invention has been made with a focus on such problems, and the main purpose is to improve the safety of operators at the site where an EFEM is introduced. An object of the present invention is to provide an EFEM capable of suppressing a decrease in oxygen concentration in a portion isolated from. It should be noted that the present invention is a technique that can be applied to wafer storage containers other than FOUPs.

すなわち、本発明は、壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送空間を内部に構成する搬送室と、ウェーハ搬送空間に配設され、ロードポートに載置されたウェーハ収納容器と処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置とを備え、ウェーハ搬送空間に下降気流を生じさせるとともに、ウェーハ搬送空間において窒素等の不活性ガスを循環させるように構成したEFEMに関するものである。そして、本発明に係るEFEMは、ロードポートとして、搬送室の前壁面の一部を構成し、且つ搬送室の内部空間を開放するための開口部が形成された板状をなすベースと、ベースの開口部を開閉するロードポートドアと、ベースに略水平姿勢で設けた載置台と、載置台に設けたノズルを載置台に載置したウェーハ収納容器の底面に配置されているポートに接触させた状態でウェーハ収納容器の底面側から当該ウェーハ収納容器内の気体雰囲気を窒素等の不活性ガスからなるパージ用気体に置換可能なボトムパージ装置と、ロードポートドアを駆動させるドア駆動機構とを備えたものを適用し、ノズルがポートに接触する第1調整箇所、ベースのうちロードポートドアとの境界部分またはウェーハ収納容器のドアである容器ドアとの境界部分の少なくとも一方を含む第2調整箇所、搬送室とベースとの境界部分である第3調整箇所、ロードポートのうちドア駆動機構の一部を搬送室の外側において収容し且つ内部空間に不活性ガスの下降気流が形成されている駆動系収納ボックスの周である第4調整箇所、これら複数の調整箇所のうち少なくとも1つの調整箇所近傍にエアを噴出する噴出口または気体吸引口を設けていることを特徴としている。 That is, the present invention includes a transfer chamber having a wafer transfer space which is substantially closed by connecting a load port and a processing apparatus to an opening provided in a wall surface, and a load port disposed in the wafer transfer space. A wafer transport device for transporting wafers between a wafer storage container placed on a wafer storage container and a processing device, generating a downward air current in the wafer transport space and circulating an inert gas such as nitrogen in the wafer transport space It relates to an EFEM configured to allow The EFEM according to the present invention includes a plate-shaped base serving as a load port and forming a part of the front wall surface of the transfer chamber and having an opening for opening the internal space of the transfer chamber; A load port door that opens and closes the opening of the wafer storage container, a mounting table provided in a substantially horizontal posture on the base, and a nozzle provided on the mounting table that is brought into contact with the port arranged on the bottom surface of the wafer storage container placed on the mounting table. a bottom purge device capable of replacing the gas atmosphere in the wafer storage container with a purge gas composed of an inert gas such as nitrogen from the bottom side of the wafer storage container in a state where the wafer storage container is closed; and a door driving mechanism for driving the load port door. A first adjustment point where the nozzle contacts the port, and a second adjustment point including at least one of the boundary portion of the base with the load port door or the boundary portion with the container door, which is the door of the wafer storage container. , a third adjustment point which is a boundary portion between the transfer chamber and the base, and a drive in which a part of the door drive mechanism of the load port is housed outside the transfer chamber and a downward air current of inert gas is formed in the inner space. A fourth adjustment point around the system housing box is characterized in that an ejection port for ejecting air or a gas suction port is provided in the vicinity of at least one adjustment point among the plurality of adjustment points.

本発明者は、EFEMの導入現場においてオペレータに危険な酸素濃度の低下状態を招来する要因として、ウェーハ収納容器の底面に設けたポートとロードポートに設けたボトムパージ用ノズルとの間から、ボトムパージ処理に用いる窒素等の不活性ガスが微小ながらもリークすることや、ウェーハ収納容器本体とウェーハ収納容器のドアとの間からウェーハ収納容器内の窒素等の不活性ガスが微小ながらもリークすること、また、搬送室内を窒素等の不活性ガスで満たすように構成されたEFEMであれば、搬送室とロードポートの間や、ロードポートドアを駆動させる機構を収納する駆動系収納ボックス、あるいはロードポートドアからも搬送室内の不活性ガスが微小ながらもリークすることに着目し、これらのリーク部分近傍における酸素濃度が局所的に低下する事態を防止・抑制すべく、本発明に係るEFEMを案出するに至った。 The present inventor has found that the bottom purge process from between the port provided on the bottom surface of the wafer storage container and the bottom purge nozzle provided on the load port is a factor that causes a dangerously low oxygen concentration state for the operator at the site of EFEM introduction. Inert gas such as nitrogen used in the wafer storage container leaks, albeit minutely, and inert gas such as nitrogen in the wafer storage container leaks, although minutely, from between the main body of the wafer storage container and the door of the wafer storage container, In the case of an EFEM configured to fill the transfer chamber with an inert gas such as nitrogen, a drive system storage box or a load port housing a mechanism for driving the load port door, or between the transfer chamber and the load port. Focusing on the fact that the inert gas in the transfer chamber leaks even from the door, albeit minutely, the EFEM according to the present invention was devised in order to prevent or suppress the situation where the oxygen concentration locally decreases in the vicinity of these leaks. came to.

本発明に係るEFEMであれば、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気を隔離している部分(隔離部分)に対して、噴出口からエアを供給するか、当該隔離部分の気体(高濃度の不活性ガス)を気体吸引口で吸引することにより、隔離部分近傍における酸素濃度低下を抑制し、オペレータの安全性を高めることができる。 In the EFEM according to the present invention, air is supplied from the ejection port to a portion (isolated portion) that isolates the atmosphere from the space to which an inert gas such as nitrogen is supplied, or the gas in the isolated portion is By sucking (high-concentration inert gas) through the gas suction port, it is possible to suppress the decrease in oxygen concentration in the vicinity of the isolated portion, thereby enhancing the safety of the operator.

特に、本発明に係るEFEMが、ウェーハ搬送空間に対する不活性ガスの供給量、ボトムパージ装置によるパージ用気体の供給量、または各調整箇所における大気圧側への不活性ガスの漏れ量、これらの何れかの量に応じて、噴出口から噴出するエアの量または気体吸引口による吸引力を調整する調整手段を備えたものであれば、適度なエア供給量または吸引力によって隔離部分近傍における酸素濃度低下を図ることができる。 In particular, the EFEM according to the present invention can measure any of the amount of inert gas supplied to the wafer transfer space, the amount of purge gas supplied by the bottom purge device, or the amount of inert gas leaked to the atmospheric pressure side at each adjustment point. Oxygen concentration in the vicinity of the isolated part can be adjusted by an appropriate amount of air supply or suction force, provided that it is equipped with an adjustment means for adjusting the amount of air ejected from the ejection port or the suction force by the gas suction port according to the amount. can be reduced.

本発明によれば、ウェーハに対する適宜の処理が施されるEFEMの導入現場において、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気との隔離部分における酸素濃度の低下を抑制し、オペレータの安全性を高めることが可能なEFEMを提供することができる。 According to the present invention, at an EFEM introduction site where appropriate processing is performed on wafers, it is possible to suppress the decrease in oxygen concentration in the space where an inert gas such as nitrogen is supplied and the space separated from the atmosphere, thereby ensuring the safety of the operator. It is possible to provide an EFEM capable of enhancing the properties.

同実施形態に係るEFEMとその周辺装置の相対位置関係を示す模式的に示す側面図。FIG. 3 is a side view schematically showing the relative positional relationship between the EFEM and its peripheral devices according to the same embodiment; FOUPがベースから離間し且つロードポートドアが全閉位置にある状態の同実施形態に係るロードポートの側断面を模式的に示す図。FIG. 4 is a diagram schematically showing a side cross section of the load port according to the embodiment with the FOUP separated from the base and the load port door in the fully closed position; 同実施形態におけるロードポートを一部省略して示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing a partially omitted load port in the same embodiment; 図3のx方向矢視図及び当該図4(a)のz-z線断面の拡大模式図。3 and an enlarged schematic diagram of the zz line cross section of FIG. 4(a). 図3のy方向矢視図。The y-direction arrow directional view of FIG. 同実施形態におけるウインドウユニットの全体斜視図。The whole window unit perspective view in the same embodiment. FOUPがベースに接近し且つロードポートドアが全閉位置にある状態を図2に対応して示す図。FIG. 3 is a view corresponding to FIG. 2 and showing a state in which the FOUP is approaching the base and the load port door is in the fully closed position; ロードポートドアが開放位置にある状態を図2に対応して示す図。FIG. 3 is a view corresponding to FIG. 2 and showing a state in which the load port door is in the open position; 同実施形態におけるマッピング部を示す図。The figure which shows the mapping part in the same embodiment. 同実施形態におけるEFEMとその周辺装置の相対位置関係を示す模式的に示す正面図。FIG. 2 is a front view schematically showing the relative positional relationship between the EFEM and its peripheral devices in the same embodiment;

以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本実施形態に係るEFEM(Equipment Front End Module)1は、図1に示すように、半導体の製造工程において、クリーンルームに配置されるロードポート2及び搬送室3を備えたものである。図1には、EFEM1とその周辺装置の相対位置関係を模式的に示す。同図に示すFOUP4は、EFEM1とともに用いられるものである。 As shown in FIG. 1, an EFEM (Equipment Front End Module) 1 according to this embodiment includes a load port 2 and a transfer chamber 3 that are arranged in a clean room in a semiconductor manufacturing process. FIG. 1 schematically shows the relative positional relationship between the EFEM 1 and its peripheral devices. FOUP4 shown in the same figure is used with EFEM1.

搬送室3の内部空間であるウェーハ搬送空間3Sには、ウェーハWをFOUP4と処理装置Mとの間で搬送可能な搬送ロボット31を設けている。搬送室3内に設けたファンフィルタユニット32を駆動させることにより、搬送室3のウェーハ搬送空間3Sに下降気流を生じさせ、清浄度の高い気体である窒素等の不活性ガス(環境ガス)をウェーハ搬送空間3Sで循環させることが可能である。搬送室3のうちロードポート2を配置した前壁面3Aに対向する後壁面3Bには処理装置M(半導体処理装置)が隣接して設けられる。つまり、搬送室3の前壁面3Aに設けられた開口にロードポート2が接続され、且つ後壁面3Bに設けられた開口に処理装置Mが接続されることで、搬送室3の内部に略閉止されたウェーハ搬送空間3Sが形成される。 A transfer robot 31 capable of transferring the wafer W between the FOUP 4 and the processing apparatus M is provided in the wafer transfer space 3S, which is the internal space of the transfer chamber 3 . By driving the fan filter unit 32 provided in the transfer chamber 3, a downward air current is generated in the wafer transfer space 3S of the transfer chamber 3, and an inert gas (environmental gas) such as nitrogen, which is a highly clean gas, is generated. It is possible to circulate in the wafer transfer space 3S. A processing apparatus M (semiconductor processing apparatus) is provided adjacent to a rear wall surface 3B of the transfer chamber 3 that faces a front wall surface 3A on which the load port 2 is arranged. That is, the load port 2 is connected to the opening provided on the front wall surface 3A of the transfer chamber 3, and the processing apparatus M is connected to the opening provided on the rear wall surface 3B of the transfer chamber 3, so that the inside of the transfer chamber 3 is substantially closed. A wafer transfer space 3S is formed.

クリーンルームにおいて、処理装置Mの内部空間MS、搬送室3のウェーハ搬送空間3S及びロードポート2上に載置されるFOUP4の内部空間4Sは高清浄度に維持される。 In the clean room, the inner space MS of the processing apparatus M, the wafer transfer space 3S of the transfer chamber 3, and the inner space 4S of the FOUP 4 placed on the load port 2 are maintained at a high degree of cleanliness.

本実施形態では、図1に示すように、EFEM1の前後方向Dにおいてロードポート2、搬送室3、処理装置Mをこの順で相互に密接させて配置している。なお、EFEM1の作動は、ロードポート2のコントローラ(図3に示す制御部2C)や、EFEM1全体のコントローラ(図1に示す制御部3C)によって制御され、処理装置Mの作動は、処理装置Mのコントローラ(図1に示す制御部MC)によって制御される。ここで、処理装置M全体のコントローラである制御部MCや、EFEM1全体のコントローラである制御部3Cは、ロードポート2の制御部2Cの上位コントローラである。これら各制御部2C,3C,MCは、CPU、メモリ及びインターフェースを備えた通常のマイクロプロセッサ等により構成されるもので、メモリには予め処理に必要なプログラムが格納してあり、CPUは逐次必要なプログラムを取り出して実行し、周辺ハードリソースと協働して所期の機能を実現するものとなっている。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, the load port 2, the transfer chamber 3, and the processing apparatus M are closely arranged in this order in the front-rear direction D of the EFEM 1. As shown in FIG. The operation of the EFEM 1 is controlled by the controller of the load port 2 (the controller 2C shown in FIG. 3) and the controller of the entire EFEM 1 (the controller 3C shown in FIG. 1). is controlled by the controller (control unit MC shown in FIG. 1). Here, the controller MC, which is the controller of the entire processing apparatus M, and the controller 3C, which is the controller of the entire EFEM 1, are upper controllers of the controller 2C of the load port 2. FIG. Each of these control units 2C, 3C, and MC is composed of a normal microprocessor or the like having a CPU, a memory, and an interface. It extracts and executes a specific program and cooperates with peripheral hardware resources to realize the desired function.

FOUP4は、図1及び図2に示すように、開口部である搬出入口41を通じて内部空間4Sを開放可能なFOUP本体42と、搬出入口41を開閉可能なFOUPドア43とを備え、内部に複数枚のウェーハWを上下方向Hに多段状に収容し、搬出入口41を介してこれらウェーハWを出し入れ可能に構成された既知のものである。 As shown in FIGS. 1 and 2, the FOUP 4 includes a FOUP body 42 capable of opening the internal space 4S through a loading/unloading port 41, which is an opening, and a FOUP door 43 capable of opening/closing the loading/unloading port 41. It is known to accommodate a plurality of wafers W in the vertical direction H in a multistage manner and to allow these wafers W to be taken in and out through a loading/unloading port 41 .

FOUP本体42は、内部空間4SにウェーハWを複数段所定ピッチで載せることが可能な棚部(ウェーハ載置棚)を備えたものである。FOUP本体42の底壁には、図2等に示すように、ポート40が所定箇所に設けられている。ポート40は、例えば、FOUP本体42の底壁に形成したポート取付用貫通孔に嵌め込まれた中空筒状のグロメットシールを主体としてなり、チェック弁によって開閉可能に構成されたものである。FOUP本体42の上壁における上向面の中央部に、容器搬送装置(例えばOHT:Over Head Transport)等に把持されるフランジ部を設けている。 The FOUP main body 42 is provided with shelves (wafer mounting shelves) on which the wafers W can be mounted in a plurality of stages at a predetermined pitch in the internal space 4S. A port 40 is provided at a predetermined location on the bottom wall of the FOUP body 42, as shown in FIG. The port 40 is mainly composed of, for example, a hollow cylindrical grommet seal fitted in a port mounting through hole formed in the bottom wall of the FOUP main body 42, and can be opened and closed by a check valve. At the center of the upward surface of the upper wall of the FOUP main body 42, there is provided a flange portion that is gripped by a container transport device (for example, OHT: Over Head Transport).

FOUPドア43は、ロードポート2の後述する載置台23に載置された状態においてロードポート2のロードポートドア22と対面するものであり、概略板状をなす。FOUPドア43には、このFOUPドア43をFOUP本体42にロックし得るラッチキー(図示省略)を設けている。FOUPドア43のうち搬出入口41をFOUPドア43で閉止した状態においてFOUP本体42に接触または近接する所定の部分にガスケット(図示省略)を設け、ガスケットをFOUP本体42に接触させて弾性変形させることで、FOUP4の内部空間4Sを密閉できるように構成されている。 The FOUP door 43 faces the load port door 22 of the load port 2 when mounted on a mounting table 23 (described later) of the load port 2, and has a substantially plate shape. The FOUP door 43 is provided with a latch key (not shown) capable of locking the FOUP door 43 to the FOUP body 42 . A gasket (not shown) is provided at a predetermined portion in contact with or close to the FOUP body 42 in a state in which the loading/unloading port 41 of the FOUP door 43 is closed by the FOUP door 43, and the gasket is brought into contact with the FOUP body 42 and elastically deformed. , so that the internal space 4S of the FOUP 4 can be sealed.

本実施形態に係るロードポート2は、図2乃至図5等に示すように、搬送室3の前壁面3Aの一部を構成し、且つ搬送室3のウェーハ搬送空間3Sを開放するための開口部21aが形成された板状をなすベース21と、ベース21の開口部21aを開閉するロードポートドア22と、ベース21に略水平姿勢で設けた載置台23とを備えている。 The load port 2 according to this embodiment, as shown in FIGS. A plate-shaped base 21 having a portion 21a formed thereon, a load port door 22 for opening and closing the opening 21a of the base 21, and a mounting table 23 provided on the base 21 in a substantially horizontal posture.

ベース21の下端には、キャスタ及び設置脚を有する脚部24を設け、FOUPドア43と対向する位置にウインドウユニット214(図6参照)を設けている。このウインドウユニット214に設けた開口部215が、ウェーハWの通過を許容する開口部である。本実施形態では、同図に示すように、ベース21の開口部21aを周回するシール部5を有するロードポート2を採用し、図2に示すように、ベース21を厚み方向に挟む位置にシール部5,6を設けている。 A leg portion 24 having casters and installation legs is provided at the lower end of the base 21 , and a window unit 214 (see FIG. 6) is provided at a position facing the FOUP door 43 . An opening 215 provided in this window unit 214 is an opening through which the wafer W is allowed to pass. In this embodiment, as shown in FIG. 2, a load port 2 having a seal portion 5 surrounding an opening 21a of a base 21 is employed, and as shown in FIG. Sections 5 and 6 are provided.

載置台23は、ベース21のうち高さ方向中央よりもやや上方寄りの位置に略水平姿勢で配置される水平基台25(支持台)の上部に設けられる。この載置台23は、FOUP本体42の内部空間4Sを開閉可能とするFOUPドア43をロードポートドア22に対向させる向きでFOUP4を載置可能なものである。また、載置台23は、FOUPドア43がベース21の開口部21aに接近する所定のドッキング位置(図7参照)と、FOUPドア43をドッキング位置よりもベース21から所定距離離間した位置(図2参照)との間で、ベース21に対して進退移動可能に構成されている。載置台23は、図3に示すように、上向きに突出させた複数の突起(ピン)231を有し、これらの突起231をFOUP4の底面に形成された穴(図示省略)に係合させることで、載置台23上におけるFOUP4の位置決めを図っている。また、載置台23に対してFOUP4を固定するためのロック爪232を設けている。このロック爪232をFOUP4の底面に設けた被ロック部(図示省略)に引っ掛けて固定したロック状態にすることで、位置決め用の突起231と協働してFOUP4を載置台23上における適正な位置に案内しながら固定することができる。また、FOUP4の底面に設けた被ロック部に対するロック爪232のロック状態を解除することでFOUP4を載置台23から離間可能な状態にすることができる。 The mounting table 23 is provided on top of a horizontal base 25 (support base) that is arranged in a substantially horizontal position at a position slightly above the center in the height direction of the base 21 . The mounting table 23 can mount the FOUP 4 in such a direction that the FOUP door 43 for opening and closing the internal space 4S of the FOUP main body 42 faces the load port door 22 . The mounting table 23 has a predetermined docking position (see FIG. 7) where the FOUP door 43 approaches the opening 21a of the base 21, and a position where the FOUP door 43 is separated from the base 21 by a predetermined distance from the docking position (see FIG. 2). ), and is configured to be movable forward and backward with respect to the base 21 . As shown in FIG. 3, the mounting table 23 has a plurality of protrusions (pins) 231 protruding upward. , the positioning of the FOUP 4 on the mounting table 23 is attempted. Further, lock claws 232 are provided for fixing the FOUP 4 to the mounting table 23 . By hooking the locking claws 232 to a locked portion (not shown) provided on the bottom surface of the FOUP 4 and fixing it in a locked state, the FOUP 4 can be positioned properly on the mounting table 23 in cooperation with the positioning projections 231 . It can be fixed while guiding to. Further, the FOUP 4 can be separated from the mounting table 23 by releasing the locked state of the lock claw 232 with respect to the locked portion provided on the bottom surface of the FOUP 4 .

ロードポートドア22は、FOUPドア43を連結して、FOUPドア43をFOUP本体42から取り外し可能な蓋連結状態と、FOUPドア43に対する連結状態を解除し、且つFOUPドア43をFOUP本体42に取り付けた蓋連結解除状態との間で切替可能な連結機構221(図5参照)を備え、連結機構221によってFOUPドア43を一体化した状態で保持したまま所定の移動経路に沿って移動可能なものである。本実施形態のロードポート2は、ロードポートドア22を、図7に示す位置、つまり、当該ロードポートドア22が保持するFOUPドア43によってFOUP本体42の内部空間4Sを密閉する全閉位置(C)と、図8に示す位置、つまり、当該ロードポートドア22が保持するFOUPドア43をFOUP本体42から離間させて当該FOUP本体42の内部空間4Sを搬送室3内に向かって開放させる開放位置(O)との間で少なくとも移動可能に構成している。本実施形態のロードポート2は、全閉位置(C)に位置付けたロードポートドア22の起立姿勢を維持したまま図8に示す開放位置(O)まで移動させることができ、さらに、図8に示す開放位置(O)から図示しない全開位置まで起立姿勢を維持したまま下方向に移動可能に構成している。このようなロードポートドア22の移動は、ロードポート2に設けたドア駆動機構27によって実現している。 The load port door 22 connects the FOUP door 43 to a lid connected state in which the FOUP door 43 can be removed from the FOUP body 42, releases the connection state to the FOUP door 43, and attaches the FOUP door 43 to the FOUP body 42. The FOUP door 43 can be moved along a predetermined moving path while holding the FOUP door 43 in an integrated state by the connecting mechanism 221 (see FIG. 5). is. In the load port 2 of this embodiment, the load port door 22 is placed in the position shown in FIG. 7, that is, the fully closed position (C ) and the position shown in FIG. 8, that is, the open position where the FOUP door 43 held by the load port door 22 is separated from the FOUP main body 42 and the internal space 4S of the FOUP main body 42 is opened toward the transfer chamber 3. (O) at least. The load port 2 of this embodiment can be moved to the open position (O) shown in FIG. It is constructed such that it can move downward from an open position (O) shown to a fully open position (not shown) while maintaining a standing posture. Such movement of the load port door 22 is realized by a door drive mechanism 27 provided in the load port 2 .

ドア移動機構27は、図2等に示すように、ロードポートドア22を支持する支持フレーム271と、スライド支持部272を介して支持フレーム271を前後方向Dに移動可能に支持する可動ブロック273と、可動ブロック273を上下方向Hに移動可能に支持するスライドレール274と、ロードポートドア22の水平経路に沿った前後方向Dの移動、及び鉛直経路に沿った上下方向Hの移動を行わせるための駆動源(例えば図示しないアクチュエータ)とを備えている。このアクチュエータに対して制御部2Cから駆動指令を与えることで、ロードポートドア22を前後方向D及び上下方向に移動させるものである。なお、前後移動用のアクチュエータと、上下移動用のアクチュエータとを別々に備えた態様であってもよいし、共通のアクチュエータを駆動源として前後移動及び上下移動を行う態様であってもよい。 As shown in FIG. 2 and the like, the door moving mechanism 27 includes a support frame 271 that supports the load port door 22, and a movable block 273 that supports the support frame 271 so as to be movable in the front-rear direction D via slide support portions 272. , slide rails 274 that support the movable block 273 so as to be movable in the vertical direction H, and movement of the load port door 22 in the front-rear direction D along the horizontal path and in the vertical direction H along the vertical path. and a drive source (for example, an actuator not shown). By giving a drive command from the controller 2C to this actuator, the load port door 22 is moved in the longitudinal direction D and the vertical direction. An actuator for front-rear movement and an actuator for vertical movement may be provided separately, or a common actuator may be used as a drive source for front-rear movement and vertical movement.

支持フレーム271は、ロードポートドア22の後部下方を支持するものである。この支持フレーム271は、下方に向かって延材した後に、ベース21に形成したスリット状の挿通孔21bを通過して搬送室3の外側(載置台23側)に張り出した略クランク上の形状をしている。この支持フレーム271を支持するためのスライド支持部272、可動ブロック273、スライドレール274もベース21よりも載置台23側、つまり搬送室3の外側に配置している。これらスライド支持部272、可動ブロック273、スライドレール274は、ロードポートドア22を移動させる際の摺動箇所となる。本実施形態では、これらを搬送室3の外側に配置することで、ロードポートドア22の移動時にパーティクルが万が一発生した場合であっても、挿通孔21bを微小なスリット状に設定していることにより、搬送室3内にパーティクルが進入する事態を防止・抑制することができる。また、本実施形態のロードポート2は、ドア移動機構27のうち搬送室3の外側に配置されるパーツや部分、具体的には、支持フレーム271の一部、スライド支持部272、可動ブロック273及びスライドレール274を被覆する駆動系収納ボックス28を備えている。これにより、ベース21に形成した上述の挿通孔21bを通じて搬送室3内の不活性ガス(環境ガス)がEFEM1の外部に流出しないように設定している。また、駆動系収納ボックス28の内部空間には、不活性ガスの下降気流が形成されている The support frame 271 supports the lower rear portion of the load port door 22 . The support frame 271 extends downward, passes through a slit-shaped insertion hole 21b formed in the base 21, and has a substantially crank-like shape projecting outside the transfer chamber 3 (toward the mounting table 23 side). are doing. A slide support portion 272 , a movable block 273 , and a slide rail 274 for supporting the support frame 271 are also arranged closer to the mounting table 23 than the base 21 , that is, outside the transfer chamber 3 . These slide support portion 272 , movable block 273 , and slide rail 274 serve as sliding portions when the load port door 22 is moved. In this embodiment, by arranging these outside the transfer chamber 3, even if particles are generated when the load port door 22 is moved, the insertion hole 21b is set in a minute slit shape. Therefore, it is possible to prevent or suppress the entry of particles into the transfer chamber 3 . Further, the load port 2 of the present embodiment includes parts and portions of the door moving mechanism 27 that are arranged outside the transfer chamber 3, specifically, a portion of the support frame 271, a slide support portion 272, and a movable block 273. and a drive system storage box 28 covering the slide rail 274 . As a result, the inert gas (environmental gas) in the transfer chamber 3 is prevented from flowing out of the EFEM 1 through the insertion hole 21 b formed in the base 21 . In addition, a descending air current of inert gas is formed in the internal space of the drive system storage box 28.

また、本実施形態のロードポート2は、ドッキング位置に位置付けた載置台23上のFOUP4がベース21から離間する方向に移動することを規制する移動規制部Lを備えている。本実施形態では、移動規制部Lをウインドウユニット214としてユニット化している(図6参照)。 The load port 2 of this embodiment also includes a movement restricting portion L that restricts movement of the FOUP 4 on the mounting table 23 positioned at the docking position in a direction away from the base 21 . In this embodiment, the movement restricting portion L is unitized as a window unit 214 (see FIG. 6).

本実施形態のロードポート2は、FOUP4の内部空間4Sに窒素等の不活性ガスからなるパージ用気体を注入し、FOUP4の内部空間4Sの気体雰囲気をパージ用気体に置換可能なパージ装置Pを備えている(図3参照)。パージ装置Pは、載置台23上に上端部を露出可能な状態で所定箇所に配置される複数のパージノズル9(気体給排装置)を備えたものである。これら複数のパージノズル9は、FOUP4の底面に設けたポート40の位置に応じて載置台23上の適宜位置に取り付けられ、ポート40に接触した状態で接続可能なものである。このようなパージ装置Pを用いたボトムパージ処理は、FOUP4の底部に設けられた複数のポート40のうち、所定数(全部を除く)のポートを「供給ポート」として機能させ、供給ポートに接続したパージノズル9により当該FOUP4内に窒素ガスや不活性ガス又はドライエア等の適宜選択されたパージ用気体を注入するとともに、残りのポート40を「排気ポート」として機能させ、排気ポートに接続したパージノズル9を通じてFOUP4内の気体雰囲気を排出することで、FOUP4内にパージ用気体を充満する処理である。ロードポート2は、ボトムパージ処理時に排気ポートとして機能するポート40に接続したパージノズル9のガス圧(排気圧)を検出する圧力センサ(図示省略)を備えている。 The load port 2 of this embodiment includes a purge device P capable of injecting a purge gas made of an inert gas such as nitrogen into the internal space 4S of the FOUP 4 and replacing the gas atmosphere in the internal space 4S of the FOUP 4 with the purge gas. (See Figure 3). The purge device P is provided with a plurality of purge nozzles 9 (gas supply/discharge device) arranged at predetermined positions on the mounting table 23 in such a manner that the upper end thereof can be exposed. The plurality of purge nozzles 9 are attached to appropriate positions on the mounting table 23 according to the position of the port 40 provided on the bottom surface of the FOUP 4 and can be connected while being in contact with the port 40 . In the bottom purge process using such a purge device P, a predetermined number (excluding all) of the plurality of ports 40 provided on the bottom of the FOUP 4 function as "supply ports" and are connected to the supply ports. An appropriately selected purge gas such as nitrogen gas, inert gas or dry air is injected into the FOUP 4 by the purge nozzle 9, and the remaining port 40 is made to function as an "exhaust port", and the purge nozzle 9 connected to the exhaust port This is a process of filling the FOUP 4 with the purge gas by discharging the gas atmosphere in the FOUP 4 . The load port 2 includes a pressure sensor (not shown) that detects the gas pressure (exhaust pressure) of the purge nozzle 9 connected to the port 40 that functions as an exhaust port during bottom purge processing.

本実施形態のロードポート2は、図9に示すように、FOUP4内におけるウェーハWの有無や収納姿勢を検出可能なマッピング部mを備えている。マッピング部mは、FOUP4内において高さ方向Hに多段状に収納されたウェーハWの有無を検出可能なマッピングセンサ(送信器m1、受信器m2)と、マッピングセンサm1,m2を支持するセンサフレームm3とを有している。マッピング部mは、その全体が搬送室3内の搬送空間に配置されるマッピング退避姿勢と、少なくともマッピングセンサm1,m2がベース21の開口21aを通じてFOUP4内に位置付けられるマッピング姿勢との間で姿勢可能である。マッピング部mは、マッピング退避姿勢やマッピング姿勢を維持したまま高さ方向Hに移動可能に構成されている。図9に示すように、センサフレームm3の一部をドア駆動機構27の一部に取り付けることで、マッピング部mの昇降移動が、ロードポートドア22の昇降移動と一体に行われるように構成している。なお、図9以外の各図ではマッピング部mを省略している。 As shown in FIG. 9, the load port 2 of the present embodiment has a mapping section m capable of detecting the presence or absence of the wafer W in the FOUP 4 and the housing posture. The mapping unit m includes mapping sensors (transmitter m1, receiver m2) capable of detecting the presence or absence of wafers W stored in multiple stages in the height direction H within the FOUP 4, and a sensor frame supporting the mapping sensors m1 and m2. m3. The mapping unit m can be positioned between a mapping retraction posture in which the entirety is arranged in the transfer space within the transfer chamber 3 and a mapping posture in which at least the mapping sensors m1 and m2 are positioned inside the FOUP 4 through the openings 21a of the base 21. is. The mapping unit m is configured to be movable in the height direction H while maintaining the mapping evacuation posture and the mapping posture. As shown in FIG. 9, by attaching a part of the sensor frame m3 to a part of the door driving mechanism 27, the up-and-down movement of the mapping section m is performed integrally with the up-and-down movement of the load port door 22. ing. Note that the mapping unit m is omitted in each figure other than FIG.

マッピングセンサは、信号であるビーム(線光)を発する送信器m1(発光センサ)と、送信器m1から発せられた信号を受信する受信器m2(受光センサ)とから構成される。なお、マッピングセンサを送信器と、送信器から発せられた線光を送信器に向かって反射する反射部とによって構成することも可能である。この場合、送信機は、受信器としての機能も有する。 The mapping sensor is composed of a transmitter m1 (light-emitting sensor) that emits a beam (line light) as a signal, and a receiver m2 (light-receiving sensor) that receives the signal emitted from the transmitter m1. It should be noted that the mapping sensor can also be configured by a transmitter and a reflector that reflects the line light emitted from the transmitter toward the transmitter. In this case, the transmitter also functions as a receiver.

次に、EFEM1の動作フローを説明する。 Next, the operation flow of EFEM1 will be described.

先ず、OHT等の容器搬送装置によりFOUP4がロードポート2の上方まで搬送され、載置台23上に載置される。この際、例えば載置台23に設けた位置決め用突起231がFOUP4の位置決め用凹部に嵌まり、載置台23上のロック爪232をロック状態にする(ロック処理)。本実施形態では、搬送室3の幅方向に3台並べて配置したロードポート2の載置台23にそれぞれFOUP4を載置することができる。また、FOUP4が載置台23上に所定の位置に載置されているか否かを検出する着座センサ(図示省略)によりFOUP4が載置台23上の正規位置に載置されたことを検出するように構成することもできる。 First, the FOUP 4 is conveyed above the load port 2 by a container conveying device such as an OHT and placed on the mounting table 23 . At this time, for example, the positioning projections 231 provided on the mounting table 23 are fitted into the positioning recesses of the FOUP 4, and the lock claws 232 on the mounting table 23 are locked (lock processing). In the present embodiment, the FOUPs 4 can be placed on each of the three FOUPs 23 of the load port 2 arranged side by side in the width direction of the transfer chamber 3 . Further, a seat sensor (not shown) for detecting whether or not the FOUP 4 is placed on the mounting table 23 at a predetermined position detects that the FOUP 4 is placed on the mounting table 23 at a proper position. Can also be configured.

本実施形態のロードポート2では、載置台23上の正規位置にFOUP4が載置された時点で、載置台23に設けた例えば加圧センサの被押圧部をFOUP4のうち底面部が押圧したことを検出する。これをきっかけに、載置台23に設けたパージノズル9(全てのパージノズル9)が載置台23の上面よりも上方へ進出してFOUP4の各ポート40に連結し、各ポート40は閉止状態から開放状態に切り替わる。そして、本実施形態のロードポート2は、パージ装置PによりパージFOUP4の内部空間4Sに窒素ガスを供給して、FOUP4の内部空間4Sを窒素ガスに置換する処理(ボトムパージ処理)を行う。ボトムパージ処理時に、FOUP4内の気体雰囲気は排気ポートとして機能するポート40に接続されているパージノズル9からFOUP4外に排出される。このようなボトムパージ処理によって、FOUP4内の水分濃度及び酸素濃度をそれぞれ所定値以下にまで低下させてFOUP4内におけるウェーハWの周囲環境を低湿度環境及び低酸素環境にする。 In the load port 2 of the present embodiment, when the FOUP 4 is placed on the mounting table 23 at the normal position, the bottom surface of the FOUP 4 presses the pressed portion of the pressure sensor provided on the mounting table 23, for example. to detect Triggered by this, the purge nozzles 9 (all the purge nozzles 9) provided on the mounting table 23 advance upward from the upper surface of the mounting table 23 and are connected to the ports 40 of the FOUP 4, and the ports 40 change from the closed state to the open state. switch to Then, the load port 2 of the present embodiment supplies nitrogen gas to the internal space 4S of the purge FOUP 4 by the purge device P to replace the internal space 4S of the FOUP 4 with nitrogen gas (bottom purge process). During the bottom purge process, the gas atmosphere inside the FOUP 4 is discharged out of the FOUP 4 through the purge nozzle 9 connected to the port 40 functioning as an exhaust port. By such a bottom purge process, the moisture concentration and the oxygen concentration in the FOUP 4 are lowered to a predetermined value or less, respectively, so that the surrounding environment of the wafer W in the FOUP 4 becomes a low-humidity environment and a low-oxygen environment.

本実施形態のロードポート2は、ロック処理後に、図2に示す位置にある載置台23を図7に示すドッキング位置まで移動させて(ドッキング処理)、移動規制部Lを用いてFOUP4の少なくとも両サイドを保持して固定する処理(クランプ処理)を行い、連結機構221を蓋連結状態に切り替え(蓋連結処理)、FOUPドア43をロードポートドア22とともに移動させて、ベース21の開口部21a及びFOUP4の搬出入口41を開放して、FOUP4内の密閉状態を解除する処理(密閉解除処理)を実行する。本実施形態のロードポート2は、ロードポートドア22を開放位置(O)から全開位置に移動させる処理中に、マッピング部mによるマッピング処理を実施する。マッピング処理は、密閉解除処理を実行する直前までマッピング退避姿勢にあるマッピング部mを、ロードポートドア22を全閉位置(C)から開放位置(O)まで移動させた後にマッピング姿勢に切り替え、ロードポートドア22を全開位置に向かって下方へ移動させることで、マッピング部mもマッピング姿勢を維持したまま下方へ移動させ、マッピングセンサm1,m2を用いて、FOUP4内に収納されたウェーハWの有無や収納姿勢を検出する処理である。すなわち、送信器m1から受信器m2に向かって信号を発することで送信器m1と受信器m2との間に形成されている信号経路が、ウェーハWの存在しているところでは遮られ、ウェーハWの存在していないところでは遮られずに受信器m2に達する。これにより、FOUP4内において高さ方向Hに並んで収納されているウェーハWの有無や収納姿勢を順次検出することができる。 After the locking process, the load port 2 of the present embodiment moves the mounting table 23 from the position shown in FIG. 2 to the docking position shown in FIG. The side is held and fixed (clamping process), the connection mechanism 221 is switched to the cover connection state (cover connection process), the FOUP door 43 is moved together with the load port door 22, and the opening 21a of the base 21 and the load port door 22 are moved. The loading/unloading port 41 of the FOUP 4 is opened to release the sealed state inside the FOUP 4 (unsealing process). The load port 2 of the present embodiment performs mapping processing by the mapping unit m during the processing of moving the load port door 22 from the open position (O) to the fully open position. In the mapping process, the mapping part m, which was in the mapping evacuation posture until immediately before the sealing release process is executed, is switched to the mapping posture after the load port door 22 is moved from the fully closed position (C) to the open position (O). By moving the port door 22 downward toward the fully open position, the mapping unit m is also moved downward while maintaining the mapping attitude, and the presence or absence of the wafer W accommodated in the FOUP 4 is detected using the mapping sensors m1 and m2. This is the process of detecting the storage posture. That is, the signal path formed between the transmitter m1 and the receiver m2 is interrupted where the wafer W is present by transmitting a signal from the transmitter m1 to the receiver m2. reaches the receiver m2 unobstructed where there is no . As a result, it is possible to sequentially detect the presence or absence of the wafers W stored in the FOUP 4 in the height direction H and the stored attitude.

密閉解除処理を実行することによって、FOUP本体42の内部空間4Sと搬送室3のウェーハ搬送空間3Sとが連通した状態になり、マッピング処理で検出した情報(ウェーハ位置)に基づいて、搬送室3のウェーハ搬送空間3Sに設けた搬送ロボット31が特定のウェーハ載置棚からウェーハWを取り出したり、特定のウェーハ載置棚にウェーハWを収納する処理(搬送処理)を実施する。 By executing the sealing release process, the inner space 4S of the FOUP body 42 and the wafer transfer space 3S of the transfer chamber 3 are brought into communication, and the transfer chamber 3 is opened based on the information (wafer position) detected by the mapping process. A transfer robot 31 provided in the wafer transfer space 3S carries out a process (transfer process) of taking out a wafer W from a specific wafer mounting shelf or storing the wafer W in a specific wafer mounting shelf.

本実施形態に係るロードポート2は、FOUP4内のウェーハWが全て処理装置Mによる処理工程を終えたものになると、ドア駆動機構27によりロードポートドア22を全閉位置(C)に移動させて、ベース21の開口部21a及びFOUP4の搬出入口41を閉止して、FOUP4の内部空間4Sを密閉する処理(密閉処理)を行い、続いて、連結機構221を蓋連結状態から蓋連結解除状態に切り替える処理(蓋連結解除処理)を実行する。この処理により、FOUP本体42にFOUPドア43を取り付けることができ、ベース21の開口部21a及びFOUP4の搬出入口41はそれぞれロードポートドア22、FOUPドア43によって閉止されて、FOUP4の内部空間4Sは密閉状態になる。 In the load port 2 according to the present embodiment, the load port door 22 is moved to the fully closed position (C) by the door driving mechanism 27 when all the wafers W in the FOUP 4 have finished the processing process by the processing apparatus M. , the opening 21a of the base 21 and the loading/unloading port 41 of the FOUP 4 are closed to seal the internal space 4S of the FOUP 4 (sealing process). A switching process (cover disconnection process) is executed. By this process, the FOUP door 43 can be attached to the FOUP main body 42, the opening 21a of the base 21 and the loading/unloading port 41 of the FOUP 4 are closed by the load port door 22 and the FOUP door 43, respectively, and the internal space 4S of the FOUP 4 is closed. becomes closed.

続いて、本実施形態に係るロードポート2は、移動規制部LによるFOUP4の固定状態(クランプ状態)を解除するクランプ解除処理を行い、次いで、載置台23をベース21から離間する方向に移動させる処理(ドッキング解除処理)を実行した後、載置台23上のロック爪232でFOUP4をロックしている状態を解除する(ロック解除処理)。これにより、所定の処理を終えたウェーハWを格納したFOUP4は、各ロードポート2の載置台23上から容器搬送装置に引き渡され、次工程へと運び出される。 Subsequently, the load port 2 according to the present embodiment performs a clamp releasing process for releasing the fixed state (clamped state) of the FOUP 4 by the movement restricting portion L, and then moves the mounting table 23 away from the base 21. After executing the processing (docking release processing), the state in which the FOUP 4 is locked by the lock claw 232 on the mounting table 23 is released (unlock processing). As a result, the FOUP 4 storing the wafers W that have undergone the predetermined processing is handed over from the mounting table 23 of each load port 2 to the container transfer device and carried out to the next process.

このような動作フローを経る本実施形態に係るEFEM1は、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気空間とを隔離している部分の周囲において、酸素濃度の低下を防止し、オペレータが極端に酸素濃度の低い空間に入ると酸欠状態に陥って卒倒するおそれを回避することが肝要である。 The EFEM 1 according to the present embodiment, which undergoes such an operation flow, prevents the oxygen concentration from decreasing around the portion separating the atmospheric space from the space to which the inert gas such as nitrogen is supplied. It is important to avoid the possibility of falling into an oxygen-deficient state and fainting when entering a space with extremely low oxygen concentration.

本実施形態のように、ボトムパージ処理を実施可能なロードポート2を適用する場合、FOUP4の底面に設けたポート40(グロメット)とロードポート2の載置台23に設けたパージノズル9との間からボトムパージ処理に用いる窒素等の不活性ガスが微小ながらもリークする。 When the load port 2 capable of bottom purge processing is applied as in this embodiment, the bottom purge is performed from between the port 40 (grommet) provided on the bottom surface of the FOUP 4 and the purge nozzle 9 provided on the mounting table 23 of the load port 2. An inert gas such as nitrogen used for processing leaks, albeit minutely.

そこで、本実施形態では、ボトムパージ装置Pを構成するパージノズル9がFOUP4の底面に設けたポート40(グロメット)に接触する箇所を第1調整箇所に設定し、第1調整箇所近傍にエアを噴出する第1噴出口x1を載置台23に設けたロードポート2を適用している。 Therefore, in the present embodiment, the location where the purge nozzle 9 constituting the bottom purge device P contacts the port 40 (grommet) provided on the bottom surface of the FOUP 4 is set as the first adjustment location, and air is ejected near the first adjustment location. A load port 2 having a mounting table 23 provided with a first ejection port x1 is applied.

具体的には、図3に示すように、ボトムパージ処理時にFOUP4の底部に設けられたポートのうち供給ポートとして機能するポート40に接触するパージノズル9の近傍に、上方に向かってエアを噴出する第1噴出口x1を載置台23に設けている。同図には、載置台23に設けた計4つのパージノズル9のうち、供給ポートとして機能するポート40に接続される3つのパージノズル9の各近傍にそれぞれ第1噴出口x1を設けた態様を例示している。 Specifically, as shown in FIG. 3, air is jetted upward near the purge nozzle 9 that contacts a port 40 that functions as a supply port among the ports provided on the bottom of the FOUP 4 during the bottom purge process. 1 ejection port x1 is provided in the mounting table 23 . In the figure, of the four purge nozzles 9 provided on the mounting table 23, three purge nozzles 9 connected to a port 40 functioning as a supply port are each provided with a first ejection port x1 in the vicinity thereof. are doing.

本実施形態では、パージノズル9を、当該パージノズル9がFOUP4のポート40に接触可能な突出位置と、パージノズル9がポート40に接触し得ない退避位置との間で昇降移動可能に構成し、このパージノズル9の昇降移動を、パージノズル9を突没可能に支持する図示しないホルダの内部空間に対するエアの供給・排気によって実現している。そこで、このパージノズル9の昇降移動用の配管を適宜に分岐させて、パージノズル9の昇降移動に用いるエアと同じエア供給源から第1噴出口x1にエアを供給できるように設定している。図3には、各第1噴出口x1から噴出するエアの噴出方向を矢印で模式的に示している。 In this embodiment, the purge nozzle 9 is vertically movable between a projecting position where the purge nozzle 9 can contact the port 40 of the FOUP 4 and a retracted position where the purge nozzle 9 cannot contact the port 40. The vertical movement of the purge nozzle 9 is realized by supplying and exhausting air to and from the inner space of a holder (not shown) that supports the purge nozzle 9 so as to be able to project and retract. Therefore, the piping for vertical movement of the purge nozzle 9 is appropriately branched so that air can be supplied from the same air supply source as the air used for vertical movement of the purge nozzle 9 to the first ejection port x1. In FIG. 3, arrows schematically indicate the direction of air jetting from each of the first jetting ports x1.

そして、ボトムパージ処理の開始と同時または略同時に、第1噴出口x1からエアを噴出して、パージノズル9がFOUP4の底面に設けたポート40に接触する箇所である第1調整箇所に向かって第1噴出口x1からエアを噴出することによって、パージノズル9とポート40との境界部分から窒素等の不活性ガスが大気空間に僅かながらもリークしている場合であっても、第1調整箇所における不活性ガスの濃度を相対的に低下させて、窒素等の不活性ガスが供給される空間であるFOUP4の内部空間4Sと大気空間とを隔離している部分近傍における酸素濃度を、オペレータの安全性を確保可能な所定値以上(例えば19.5パーセント以上)の濃度に維持することができる。 Simultaneously or substantially simultaneously with the start of the bottom purge process, air is ejected from the first ejection port x1, and the purge nozzle 9 is directed toward the first adjustment location where the port 40 provided on the bottom surface of the FOUP 4 is in contact with the first adjustment location. By ejecting air from the ejection port x1, even if an inert gas such as nitrogen leaks into the atmospheric space from the boundary between the purge nozzle 9 and the port 40, even if it is slightly By relatively reducing the concentration of the active gas, the oxygen concentration in the vicinity of the portion separating the inner space 4S of the FOUP 4, which is a space to which an inert gas such as nitrogen is supplied, and the atmospheric space is reduced for operator safety. can be maintained at a concentration equal to or higher than a predetermined value (for example, 19.5 percent or higher) that can ensure the

さらに、本実施形態に係るEFEM1では、ロードポート2のベース21のうちロードポートドア22との境界部分を第2調整箇所に設定し、第2調整箇所近傍にエアを噴出する第2噴出口x2を備えたロードポート2を適用している。 Further, in the EFEM 1 according to the present embodiment, the boundary portion of the base 21 of the load port 2 with the load port door 22 is set as the second adjustment point, and the second ejection port x2 for ejecting air to the vicinity of the second adjustment point. is applied to the load port 2 with

具体的には、図4(a)及び図4(b)に示すように、ロードポート2のベース21のうち、開口部よりも上方の位置に幅方向に延伸する中空状の上カバーx21を設け、上カバーx21の内部にエア供給用配管x22の先端を配置し、エア供給用配管x22から上カバーx21の内部に供給されたエアを、上カバーx21の下向き面に設けた第2噴出口x2から下方に向かって噴出するように構成している。図4(b)は、図4(a)のz-z線断面模式図である。図4(a)では、上カバーx21に所定のパターンを付している。なお、上カバーx21の内部には、第2噴出口x2近傍にフィルタx23を設けるとともに、ベース21と近接する隅部にシール材x24を設けている。図4には、第2噴出口x2から噴出するエアの噴出方向を矢印で模式的に示している。 Specifically, as shown in FIGS. 4A and 4B, a hollow upper cover x21 extending in the width direction is positioned above the opening of the base 21 of the load port 2. the tip of the air supply pipe x22 is arranged inside the upper cover x21, and the air supplied to the inside of the upper cover x21 from the air supply pipe x22 is supplied to the inside of the upper cover x21 as a second ejection port provided on the downward surface of the upper cover x21. It is configured to jet downward from x2. FIG. 4(b) is a schematic cross-sectional view taken along line zz of FIG. 4(a). In FIG. 4A, a predetermined pattern is attached to the upper cover x21. Inside the upper cover x21, a filter x23 is provided in the vicinity of the second ejection port x2, and a sealant x24 is provided at a corner adjacent to the base 21. As shown in FIG. In FIG. 4, arrows schematically indicate the ejection direction of the air ejected from the second ejection port x2.

そして、本実施形態に係るEFEM1は、ボトムパージ処理の開始と同時または略同時に、ロードポート2のベース21のうちロードポートドア22との境界部分である第2調整箇所に第2噴出口x2からエアを噴出する。ロードポート2のベース21のうちロードポートドア22との境界部分である第2調整箇所は、ボトムパージ処理後またはボトムパージ処理中に実施するドッキング処理(図2に示す位置にある載置台23を図7に示すドッキング位置まで移動させる処理)の終了時点で、ロードポート2のベース21とFOUPドア43との境界部分、またFOUP本体42とFOUPドア43との境界部分になる箇所と極めて近い位置になる(図7、図8参照)。したがって、第2噴出口x2から第2調整箇所に向かってエアを噴出することによって、ロードポート2のベース21とロードポートドア22との境界部分や、ロードポート2のベース21とFOUPドア43との境界部分、さらには、FOUP本体42とFOUPドア43との境界部分から窒素等の不活性ガスが大気空間に僅かながらもリークしている場合であっても、第2調整箇所近傍における不活性ガスの濃度を相対的に低下させて、窒素等の不活性ガスが供給される空間である搬送室3の内部空間3SやFOUP4の内部空間4Sと大気空間とを隔離している部分近傍における酸素濃度を、オペレータの安全性を確保可能な所定値以上の濃度に維持することができる。なお、図2、図4、図7及び図8以外の図では第2噴出口x2を含む上カバーx21全体を省略している。 At the same time or substantially at the same time as the start of the bottom purge process, the EFEM 1 according to the present embodiment supplies air from the second ejection port x2 to the second adjustment portion, which is the boundary portion between the load port door 22 and the base 21 of the load port 2. spout out. The second adjustment point, which is the boundary portion between the load port door 22 and the base 21 of the load port 2, is the docking process (the mounting table 23 at the position shown in FIG. 2), the boundary between the base 21 of the load port 2 and the FOUP door 43 and the boundary between the FOUP main body 42 and the FOUP door 43 are located extremely close to each other. (See FIGS. 7 and 8). Therefore, by ejecting air from the second ejection port x2 toward the second adjustment location, the boundary between the base 21 of the load port 2 and the load port door 22 and the base 21 of the load port 2 and the FOUP door 43 can be adjusted. , and further, even if a small amount of inert gas such as nitrogen leaks into the atmospheric space from the boundary between the FOUP main body 42 and the FOUP door 43, the inert gas near the second adjustment point Oxygen in the vicinity of the portion separating the atmospheric space from the inner space 3S of the transfer chamber 3 or the inner space 4S of the FOUP 4, which is a space to which an inert gas such as nitrogen is supplied, by relatively reducing the concentration of the gas. The concentration can be maintained at a predetermined value or higher that can ensure the safety of the operator. 2, 4, 7 and 8, the entire top cover x21 including the second ejection port x2 is omitted.

さらに、本実施形態に係るEFEM1では、図3及び図10に示すように、ウェーハ搬送室3とロードポート2のベース21との境界部分を第3調整箇所に設定し、第3調整箇所近傍にエアを噴出する第3噴出口x3を備えたロードポート2を適用している。 Further, in the EFEM 1 according to the present embodiment, as shown in FIGS. 3 and 10, the boundary portion between the wafer transfer chamber 3 and the base 21 of the load port 2 is set as the third adjustment point, and near the third adjustment point. A load port 2 having a third ejection port x3 for ejecting air is applied.

具体的には、図3に示すように、ロードポート2のベース21を、平板状のベース本体211と、ベース本体211のうち載置台23上に載置したFOUP4と対面する面(前向き面)における左右両サイドに設けたサイドフレーム212と、各サイドフレーム212のうち外側方を向く面に密着する姿勢で設けた中空パイプフレーム213とを備えた構成にしている。各中空パイプフレーム213には、外側方を向く面に開口する第3噴出口x3を高さ方向に沿って所定ピッチで複数設け、各第3噴出口x3から外側方に向かってエアを噴出するように設定している。図10には、各第3噴出口x3から噴出するエアの噴出方向を矢印で模式的に示している。図10では、ロードポート2のベース21のうち所定のパターンを付して示す中空パイプフレーム213以外は省略している。また、図3及び図10以外の図では第3噴出口x3を含む中空パイプフレーム213を省略している。 Specifically, as shown in FIG. 3, the base 21 of the load port 2 is composed of a flat plate-like base body 211 and a surface of the base body 211 facing the FOUP 4 placed on the mounting table 23 (front surface). and a hollow pipe frame 213 provided in such a manner as to be in close contact with the surface of each side frame 212 facing outward. Each hollow pipe frame 213 is provided with a plurality of third ejection ports x3 that are open on the surface facing the outside at a predetermined pitch along the height direction, and air is ejected outward from each of the third ejection ports x3. is set to In FIG. 10, arrows schematically indicate the direction of air jetting from each of the third jetting ports x3. FIG. 10 omits parts of the base 21 of the load port 2 other than the hollow pipe frame 213 shown with a predetermined pattern. Further, in figures other than FIGS. 3 and 10, the hollow pipe frame 213 including the third ejection port x3 is omitted.

そして、本実施形態に係るEFEM1は、適宜の配管で図示しないエア供給源と第3噴出口x3を接続し、当該EFEM1のセットアップ時に搬送室3内に不活性ガスを供給するタイミング、すなわち、搬送室3内に設けたファンフィルタユニット32を駆動させて、搬送室3のウェーハ搬送空間3Sに下降気流を生じさせ、清浄度の高い気体である不活性ガス(環境ガス)がウェーハ搬送空間3Sで循環し始めるタイミングで、搬送室3とベース21との境界部分である第3調整箇所に向かって第3噴出口x3からエアを噴出することによって、搬送室3とベース21との境界部分から不活性ガスが大気空間に僅かながらもリークしている場合であっても、第3調整箇所における不活性ガスの濃度を相対的に低下させて、不活性ガスが供給される空間である搬送室3の内部空間と大気空間とを隔離している部分近傍における酸素濃度を、所定値以上の安全な濃度に維持することができる。 The EFEM 1 according to the present embodiment connects the air supply source (not shown) and the third ejection port x3 with an appropriate pipe, and the timing of supplying the inert gas into the transfer chamber 3 at the time of setting up the EFEM 1, that is, the transfer A fan filter unit 32 provided in the chamber 3 is driven to generate a downward air current in the wafer transfer space 3S of the transfer chamber 3, and an inert gas (environmental gas), which is a highly clean gas, flows in the wafer transfer space 3S. At the timing when the circulation starts, air is ejected from the third ejection port x3 toward the third adjustment point, which is the boundary portion between the transfer chamber 3 and the base 21, thereby removing the air from the boundary portion between the transfer chamber 3 and the base 21. Even if the active gas is slightly leaking into the atmospheric space, the concentration of the inert gas at the third adjustment point is relatively lowered, and the inert gas is supplied to the transfer chamber 3. It is possible to maintain the oxygen concentration in the vicinity of the portion separating the internal space and the atmospheric space at a safe concentration equal to or higher than a predetermined value.

さらに、本実施形態に係るEFEM1では、ロードポート2のうちドア駆動機構27の一部を搬送室3の外側において収容し且つ内部空間に不活性ガスの下降気流が形成されている駆動系収納ボックス28の周を第4調整箇所に設定し、第4調整箇所近傍にエアを噴出する第4噴出口(図示省略)を備えたロードポート2を適用している。 Further, in the EFEM 1 according to the present embodiment, the drive system storage box accommodates a portion of the door drive mechanism 27 of the load port 2 outside the transfer chamber 3 and has a downward airflow of inert gas formed in the interior space. The circumference of 28 is set as a fourth adjustment point, and a load port 2 having a fourth ejection port (not shown) for ejecting air in the vicinity of the fourth adjustment point is applied.

そして、本実施形態に係るEFEM1は、適宜の配管で図示しないエア供給源と第4噴出口を接続し、当該EFEM1のセットアップ時に搬送室3内に不活性ガスを供給するタイミング、すなわち、搬送室3内に設けたファンフィルタユニット32を駆動させて、搬送室3のウェーハ搬送空間3Sに下降気流を生じさせ、清浄度の高い気体である不活性ガス(環境ガス)がウェーハ搬送空間3Sで循環し始めるタイミングで、第4調整箇所に向かって第4噴出口からエアを噴出することによって、駆動系収納ボックス28の周から不活性ガスが大気空間に僅かながらもリークしている場合であっても、第4調整箇所における不活性ガスの濃度を相対的に低下させて、不活性ガスが供給される空間である駆動系収納ボックス28の内部空間と大気空間とを隔離している部分近傍(隔離部分から1mmの範囲)において安全な酸素濃度を維持することができる。 The EFEM 1 according to the present embodiment connects an air supply source (not shown) and a fourth ejection port with an appropriate pipe, and the timing of supplying the inert gas into the transfer chamber 3 at the time of setting up the EFEM 1, that is, the transfer chamber A fan filter unit 32 provided in the chamber 3 is driven to generate a downward air current in the wafer transfer space 3S of the transfer chamber 3, and an inert gas (environmental gas), which is a highly clean gas, circulates in the wafer transfer space 3S. When the inert gas is leaking into the atmospheric space from the periphery of the drive system storage box 28 by jetting air from the fourth jet port toward the fourth adjustment point at the timing of starting to Also, the concentration of the inert gas at the fourth adjustment point is relatively lowered, and the vicinity of the portion separating the inner space of the drive system storage box 28, which is the space to which the inert gas is supplied, from the atmospheric space ( A safe oxygen concentration can be maintained at a distance of 1 mm from the isolation part).

このように、本実施形態に係るEFEM1は、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気を隔離している部分(隔離部分)である第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所に対して、それぞれ第1噴出口x1、第2噴出口x2、第3噴出口x3、第4噴出口からエアを噴出することにより、隔離部分近傍における局所的な酸素濃度低下を抑制し、オペレータの安全性を高めることができる。 As described above, the EFEM 1 according to the present embodiment includes the first adjustment point, the second adjustment point, and the third adjustment point, which are portions (isolation portions) that separate the atmosphere from the space to which an inert gas such as nitrogen is supplied. By ejecting air from the first ejection port x1, the second ejection port x2, the third ejection port x3, and the fourth ejection port to the location and the fourth adjustment location, respectively, the local oxygen concentration in the vicinity of the isolated portion It is possible to suppress the deterioration and improve the safety of the operator.

加えて、本実施形態に係るEFEM1によれば、第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所に対して、それぞれ第1噴出口x1、第2噴出口x2、第3噴出口x3、第4噴出口からエアを噴出することにより、エアの吹き付け先に付着しているパーティクル(例えばラッチキー、レジストレーション・ピンやFOUP4の表面に付着したパーティクル等)を排除することもできる。 In addition, according to the EFEM 1 according to the present embodiment, the first ejection port x1, the second ejection port x2, the second By ejecting air from the 3 ejection ports x3 and the 4th ejection port, it is also possible to remove particles adhering to the air blowing destination (for example, particles adhering to the surface of the latch key, registration pin, and FOUP 4). can.

特に、本実施形態に係るEFEM1は、搬送室3に対する不活性ガスの供給量、ボトムパージ装置によるパージ用気体の供給量、または各調整箇所における大気圧側への不活性ガスの漏れ量、これらの何れかの量に応じて、第1噴出口x1、第2噴出口x2、第3噴出口x3、第4噴出口から噴出するエアの量を調整する噴出量調整手段を備えている。このような構成によれば、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気を隔離している部分(隔離部分)である第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所における酸素濃度低下を適度なエア供給量によって実現することができ、エアの過剰使用の防止・抑制を図ることができる。 In particular, the EFEM 1 according to the present embodiment can measure the amount of inert gas supplied to the transfer chamber 3, the amount of purge gas supplied by the bottom purge device, or the amount of inert gas leaked to the atmospheric pressure side at each adjustment point. There is provided an ejection amount adjusting means for adjusting the amount of air ejected from the first ejection port x1, the second ejection port x2, the third ejection port x3, and the fourth ejection port according to any amount. According to such a configuration, the first adjustment location, the second adjustment location, the third adjustment location, the fourth adjustment location, which are the portions (separation portions) that isolate the space to which the inert gas such as nitrogen is supplied from the atmosphere (separation portions). It is possible to reduce the oxygen concentration at the adjustment location by supplying an appropriate amount of air, thereby preventing or suppressing excessive use of air.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態の構成に限られるものではない。例えば、上述の実施形態では、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気を隔離している部分(隔離部分)である調整箇所(第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所)の近傍にエアを噴出する噴出口を設けた態様を例示したが、調整箇所の近傍に気体吸引口を設けた態様を採用してもよい。この場合、調整箇所(第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所)の近傍に、窒素等の不活性ガスが供給される空間から大気空間に僅かながらもリークする不活性ガスが流れ込み得る例えば準密閉構造のフレームを配置し、当該フレームに設けた気体吸引口でフレーム内を吸引することで、不活性ガスが供給される空間と大気空間とを隔離している部分近傍(隔離部分から1mmの範囲)における酸素濃度を、オペレータにとって安全な濃度に維持することができる。なお、気体吸引口から吸引した不活性ガスは適宜の回収空間(回収容器)に回収するように構成すればよい。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the configurations of the above embodiments. For example, in the above-described embodiment, the adjustment points (the first adjustment point, the second adjustment point, the third adjustment point), which are the portions (separated portions) that separate the space to which the inert gas such as nitrogen is supplied from the atmosphere, , fourth adjustment point), a mode in which a gas suction port is provided in the vicinity of the adjustment point may be adopted. In this case, in the vicinity of the adjustment points (first adjustment point, second adjustment point, third adjustment point, fourth adjustment point), there is a slight leak from the space where the inert gas such as nitrogen is supplied to the atmospheric space. A space to which the inert gas is supplied is isolated from the atmospheric space by arranging, for example, a semi-sealed frame into which the inert gas can flow, and sucking the inside of the frame with a gas suction port provided in the frame. The oxygen concentration in the vicinity of the part (within 1 mm from the isolated part) can be maintained at a safe concentration for the operator. The inert gas sucked from the gas suction port may be recovered in an appropriate recovery space (recovery container).

調整箇所近傍に気体吸引口を設ける構成を採用する場合、搬送室に対する不活性ガスの供給量、ボトムパージ装置によるパージ用気体の供給量、または各調整箇所における大気圧側への不活性ガスの漏れ量、これらの何れかの量に応じて、気体吸引口による吸引力を調整する吸引力調整手段を備えたEFEMであれば、窒素等の不活性ガスが供給される空間と大気を隔離している部分(隔離部分)である第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所における酸素濃度低下を、適度な吸引力によって実現することができる。 When adopting a configuration in which a gas suction port is provided near the adjustment point, the amount of inert gas supplied to the transfer chamber, the amount of purge gas supplied by the bottom purge device, or inert gas leakage to the atmospheric pressure side at each adjustment point If the EFEM is provided with a suction force adjusting means for adjusting the suction force of the gas suction port according to any of these amounts, the space to which the inert gas such as nitrogen is supplied is isolated from the atmosphere. It is possible to reduce the oxygen concentration at the first, second, third, and fourth adjustment points, which are the portions (separate portions) where the air is present, with an appropriate suction force.

また、第1調整箇所、第2調整箇所、第3調整箇所、第4調整箇所の全てに対応付けて噴出口または気体吸引口を設けた態様に代えて、何れか1つの調整箇所のみ、または選択した2つの調整箇所のみ、あるいは選択した3つの選択箇所のみに噴出口または気体吸引口を設けた態様を採用することもできる。 In addition, instead of the aspect in which the ejection port or the gas suction port is provided in association with all of the first adjustment point, the second adjustment point, the third adjustment point, and the fourth adjustment point, only any one adjustment point, or It is also possible to employ a mode in which only two selected adjustment points or only three selected points are provided with ejection ports or gas suction ports.

上述の実施形態では、ウェーハ収納容器としてFOUPを採用した。しかし本発明では、FOUP以外のウェーハ収納容器、例えば、MAC(Multi Application Carrier)、H-MAC(Horizontal-MAC)、FOSB(Front Open Shipping Box)などを用いることも可能である。 In the above-described embodiments, FOUPs are used as wafer storage containers. However, in the present invention, wafer storage containers other than FOUP, such as MAC (Multi Application Carrier), H-MAC (Horizontal-MAC), FOSB (Front Open Shipping Box), etc., can also be used.

上述の実施形態ではボトムパージ処理等に用いる不活性ガスとして窒素ガスを例にしたが、これに限定されず、乾燥ガス、アルゴンガスなど所望のガスを用いることができる。 In the above-described embodiment, nitrogen gas was used as an example of the inert gas used for bottom purge processing and the like, but the inert gas is not limited to this, and a desired gas such as dry gas or argon gas can be used.

また、容器ドア(FOUPドア)が、全閉位置から全開位置に移動する過程で一時的に傾斜姿勢となる(部分円弧状の軌跡を描くような動作を伴う)ものであっても構わない。 In addition, the container door (FOUP door) may temporarily assume an inclined posture (accompanied by an operation that draws a partial arc-shaped trajectory) in the process of moving from the fully closed position to the fully opened position.

その他、各部の具体的構成についても上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。 In addition, the specific configuration of each part is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible without departing from the scope of the present invention.

1…EFEM
2…ロードポート
21…ベース
22…ロードポートドア
23…載置台
27…ドア駆動機構
28…駆動系収納ボックス
3…搬送室
4…ウェーハ収納容器(FOUP)
43…容器ドア(FOUPドア)
9…ノズル
P…ボトムパージ装置
W…ウェーハ
1 EFEM
2 Load port 21 Base 22 Load port door 23 Mounting table 27 Door drive mechanism 28 Drive system storage box 3 Transfer chamber 4 Wafer storage container (FOUP)
43 ... container door (FOUP door)
9 Nozzle P Bottom purge device W Wafer

Claims (2)

壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで閉止されたウェーハ搬送空間を内部に構成する搬送室と、
前記ウェーハ搬送空間に配設され、前記ロードポートに載置されたウェーハ収納容器と前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置とを備え、
前記ウェーハ搬送空間に下降気流を生じさせるとともに、前記ウェーハ搬送空間において不活性ガスを循環させるように構成したEFEMであって、
前記ロードポートが、
前記搬送室の前壁面の一部を構成し、且つ前記搬送室の内部空間を開放するための開口部が形成された板状をなすベースと、
前記ベースの開口部を開閉するロードポートドアと、
前記ベースに略水平姿勢で設けた載置台と、
前記載置台に設けたノズルを前記載置台に載置した前記ウェーハ収納容器の底面に配置されているポートに接触させた状態で前記ウェーハ収納容器の底面側から当該ウェーハ収納容器内の気体雰囲気を前記不活性ガスからなるパージ用気体に置換可能なボトムパージ装置と、
前記ロードポートドアを駆動させるドア駆動機構とを備えたものであり、
前記ノズルが前記ポートに接触する第1調整箇所、
前記ベースのうち前記ロードポートドアとの境界部分または前記ウェーハ収納容器のドアである容器ドアとの境界部分の少なくとも一方を含む第2調整箇所、
前記搬送室と前記ベースとの境界部分である第3調整箇所、
前記ロードポートのうち前記ドア駆動機構の一部を前記搬送室の外側において収容し且つ内部空間に不活性ガスの下降気流が形成されている駆動系収納ボックスの周である第4調整箇所、
の複数の調整箇所のうち少なくとも1つの調整箇所近傍にエアを噴出する噴出口または気体吸引口を設け
前記ウェーハ搬送空間に対する前記不活性ガスの供給量、前記ボトムパージ装置によるパージ用気体の供給量、または前記各調整箇所における大気圧側への前記不活性ガスの漏れ量、これらの何れかの量に応じて、前記噴出口から噴出するエアの量または前記気体吸引口による吸引力を調整する調整手段を備えていることを特徴とするEFEM。
a transfer chamber inside of which a closed wafer transfer space is formed by connecting a load port and a processing apparatus to an opening provided in a wall surface;
a wafer transfer device disposed in the wafer transfer space and configured to transfer wafers between the wafer storage container placed on the load port and the processing device;
An EFEM configured to generate a downward air current in the wafer transfer space and to circulate an inert gas in the wafer transfer space,
The load port is
a plate-shaped base forming a part of the front wall surface of the transfer chamber and having an opening for opening the internal space of the transfer chamber;
a load port door that opens and closes the opening of the base;
a mounting table provided in a substantially horizontal posture on the base;
A gas atmosphere in the wafer storage container is introduced from the bottom surface side of the wafer storage container while the nozzle provided on the mounting table is in contact with the port arranged on the bottom surface of the wafer storage container placed on the mounting table. a bottom purge device that can be replaced with the purge gas composed of the inert gas;
a door drive mechanism for driving the load port door,
a first adjustment point where the nozzle contacts the port;
a second adjustment point including at least one of a boundary portion of the base with the load port door or a boundary portion with the container door that is the door of the wafer storage container;
a third adjustment point that is a boundary portion between the transfer chamber and the base;
a fourth adjustment point around a drive system storage box that accommodates a portion of the door drive mechanism of the load port outside the transfer chamber and that has a downward airflow of inert gas formed in the interior space;
A jet port for jetting air or a gas suction port is provided in the vicinity of at least one adjustment point among a plurality of adjustment points in
any of the amount of inert gas supplied to the wafer transfer space, the amount of purge gas supplied by the bottom purge device, or the amount of leakage of the inert gas to the atmospheric pressure side at each of the adjustment points An EFEM characterized by comprising adjusting means for adjusting the amount of air ejected from the ejection port or the suction force of the gas suction port according to the need .
壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで閉止されたウェーハ搬送空間を内部に構成する搬送室と、
前記ウェーハ搬送空間に配設され、前記ロードポートに載置されたウェーハ収納容器と前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置とを備え、
前記ウェーハ搬送空間に下降気流を生じさせるとともに、前記ウェーハ搬送空間において不活性ガスを循環させるように構成したEFEMであって、
前記ロードポートが、
前記搬送室の前壁面の一部を構成し、且つ前記搬送室の内部空間を開放するための開口部が形成された板状をなすベースと、
前記ベースの開口部を開閉するロードポートドアと、
前記ベースに略水平姿勢で設けた載置台と、
前記載置台に設けたノズルを前記載置台に載置した前記ウェーハ収納容器の底面に配置されているポートに接触させた状態で前記ウェーハ収納容器の底面側から当該ウェーハ収納容器内の気体雰囲気を前記不活性ガスからなるパージ用気体に置換可能なボトムパージ装置と、
前記ロードポートドアを駆動させるドア駆動機構とを備えたものであり、
前記ベースのうち前記ロードポートドアとの境界部分または前記ウェーハ収納容器のドアである容器ドアとの境界部分の少なくとも一方を含む第2調整箇所近傍にエアを噴出する噴出口を前記ベースのうち前記開口部よりも上方の位置に設け、前記噴出口からエアを下方に向かって噴出するように構成していることを特徴とするEFEM。
a transfer chamber inside of which a closed wafer transfer space is formed by connecting a load port and a processing apparatus to an opening provided in a wall surface;
a wafer transfer device disposed in the wafer transfer space and configured to transfer wafers between the wafer storage container placed on the load port and the processing device;
An EFEM configured to generate a downward air current in the wafer transfer space and to circulate an inert gas in the wafer transfer space,
The load port is
a plate-shaped base forming a part of the front wall surface of the transfer chamber and having an opening for opening the internal space of the transfer chamber;
a load port door that opens and closes the opening of the base;
a mounting table provided in a substantially horizontal posture on the base;
A gas atmosphere in the wafer storage container is introduced from the bottom surface side of the wafer storage container while the nozzle provided on the mounting table is in contact with the port arranged on the bottom surface of the wafer storage container placed on the mounting table. a bottom purge device that can be replaced with the purge gas composed of the inert gas;
a door drive mechanism for driving the load port door,
An ejection port for ejecting air is provided in the base in the vicinity of a second adjustment location including at least one of a boundary portion with the load port door or a boundary portion with the container door, which is the door of the wafer storage container, in the base. An EFEM characterized in that it is provided at a position above an opening, and configured to blow air downward from the jet port.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7147826B2 (en) * 2020-10-23 2022-10-05 株式会社三洋物産 game machine
KR102863547B1 (en) * 2022-05-23 2025-09-22 무라다기카이가부시끼가이샤 Container storage device
CN116525508B (en) * 2023-05-23 2024-03-26 乐孜芯创半导体设备(上海)有限公司 Closed wafer box loading port and gas replacement method thereof
TWI857685B (en) * 2023-07-04 2024-10-01 均華精密工業股份有限公司 Multilayer foup storage and load port system
WO2025126901A1 (en) * 2023-12-11 2025-06-19 シンフォニアテクノロジー株式会社 Pod opening/closing device

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110759A (en) 2000-09-22 2002-04-12 Applied Materials Inc Load port for open cassette
JP2003332402A (en) 2002-05-10 2003-11-21 Kondo Kogyo Kk Mini-environment type semiconductor manufacturing equipment
JP2004233021A (en) 2003-02-03 2004-08-19 Namiki Precision Jewel Co Ltd Clean room exhaust system
JP2008075945A (en) 2006-09-20 2008-04-03 Hitachi Plant Technologies Ltd Local cleaning equipment
JP2010056296A (en) 2008-08-28 2010-03-11 Tdk Corp System and method for opening/closing lid of sealed vessel
JP2016164929A (en) 2015-03-06 2016-09-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 Door opening / closing device, transfer device, sorter device, and opening method of storage container
JP2019091753A (en) 2017-11-13 2019-06-13 Tdk株式会社 Load port device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4120285B2 (en) * 2002-06-13 2008-07-16 東京エレクトロン株式会社 Introducing port mechanism of object to be processed and processing system using the same
KR100567433B1 (en) * 2003-10-16 2006-04-04 장동복 Pollutant gas discharge device of semiconductor manufacturing equipment
WO2014157124A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing device
DE112015003423T5 (en) * 2014-07-25 2017-05-04 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Substrate reservoir
JP6632403B2 (en) * 2016-02-02 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 Connection mechanism and connection method for substrate storage container
JP6689672B2 (en) 2016-05-25 2020-04-28 信越ポリマー株式会社 Substrate storage container, management system thereof, and substrate storage container management method

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110759A (en) 2000-09-22 2002-04-12 Applied Materials Inc Load port for open cassette
JP2003332402A (en) 2002-05-10 2003-11-21 Kondo Kogyo Kk Mini-environment type semiconductor manufacturing equipment
JP2004233021A (en) 2003-02-03 2004-08-19 Namiki Precision Jewel Co Ltd Clean room exhaust system
JP2008075945A (en) 2006-09-20 2008-04-03 Hitachi Plant Technologies Ltd Local cleaning equipment
JP2010056296A (en) 2008-08-28 2010-03-11 Tdk Corp System and method for opening/closing lid of sealed vessel
JP2016164929A (en) 2015-03-06 2016-09-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 Door opening / closing device, transfer device, sorter device, and opening method of storage container
JP2019091753A (en) 2017-11-13 2019-06-13 Tdk株式会社 Load port device

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