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JP7312288B2 - Potential measuring device - Google Patents
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Description

本開示は、電位測定装置に関する。 The present disclosure relates to potential measuring devices.

例えば、特許文献1には、観察される試料の電気生理学的活動を、マイクロ電極を用いて測定する測定装置が記載されている。 For example, Patent Literature 1 describes a measuring device that measures electrophysiological activity of a sample to be observed using microelectrodes.

特表2002-523726号公報Japanese Patent Publication No. 2002-523726

特許文献1に記載された測定装置では、測定中にマイクロ電極と観察される試料との接触面積の安定的な確保、及び接触位置が変化することを防止できない。本開示の一態様は、物理的および電気的に安定して生体の電位変化を測定できる電位測定装置を提供することを目的とする。 The measurement apparatus described in Patent Document 1 cannot stably ensure the contact area between the microelectrode and the observed sample during measurement, and cannot prevent the contact position from changing. An object of one aspect of the present disclosure is to provide a potential measuring device capable of measuring potential changes in a living body in a physically and electrically stable manner.

本開示の一態様の電位測定装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主表面上に配置された導電性配線と、前記導電性配線に電気的に接続された電極と、前記導電性配線を覆うように前記主表面上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁層と、前記電極の露出部分の上に設けられ、前記絶縁基板の厚さ方向において前記絶縁層よりも外側に突出する導電体と、平面視において前記主表面上に前記導電体を取り囲む絶縁性の周壁と、を備える。 A potential measuring device according to one aspect of the present disclosure includes an insulating substrate, a conductive wiring arranged on a main surface of the insulating substrate, an electrode electrically connected to the conductive wiring, and the conductive wiring. an insulating layer formed on the main surface so as to cover the main surface and having an opening for exposing the electrode; and an insulating layer provided on the exposed portion of the electrode and protruding outside the insulating layer in the thickness direction of the insulating substrate. and an insulating peripheral wall surrounding the conductor on the main surface in plan view.

本開示の他の一態様の電位測定装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の主表面から突出する絶縁性の凸部と、前記主表面上に形成された導電性配線と、前記導電性配線を覆うように前記主表面上に形成され、前記凸部を露出させる開口を有する絶縁層と、前記凸部の露出部分の天面を覆うように、前記凸部上に形成された電極と、を備え、前記電極は、前記絶縁基板の厚さ方向に前記絶縁層よりも外側に突出している。 A potential measuring device according to another aspect of the present disclosure includes an insulating substrate, an insulating protrusion projecting from a main surface of the insulating substrate, conductive wiring formed on the main surface, and the conductive wiring. an insulating layer formed on the main surface so as to cover and having an opening for exposing the convex portion; an electrode formed on the convex portion so as to cover the top surface of the exposed portion of the convex portion; and the electrode protrudes outward from the insulating layer in the thickness direction of the insulating substrate.

本開示の別の一態様の電位測定装置は、主表面に凹部を有する絶縁基板と、前記主表面上に配置された導電性配線と、前記導電性配線に電気的に接続され、前記凹部の底面上に設けられた電極と、前記導電性配線を覆うように前記主表面上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁層と、前記電極の露出部分の上に設けられ、前記絶縁基板の厚さ方向において前記主表面よりも外側に突出する導電体と、を備える。 A potential measuring device according to another aspect of the present disclosure includes an insulating substrate having a recess on its main surface, a conductive wiring disposed on the main surface, electrically connected to the conductive wiring, an electrode provided on a bottom surface; an insulating layer formed on the main surface so as to cover the conductive wiring and having an opening for exposing the electrode; a conductor protruding outside the main surface in the thickness direction of the substrate.

電位測定装置の一例を示す模式的平面図である。It is a schematic plan view showing an example of a potential measuring device. 第一実施形態の電極構造体の一例を示す、図1のII矢視部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II in FIG. 1, showing an example of the electrode structure of the first embodiment; 第一実施形態の電極構造体の製造方法の一例を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing an example of a method for manufacturing the electrode structure of the first embodiment; 第一実施形態の電極構造体の製造方法の一部を例示する模式図である。It is a schematic diagram which illustrates a part of manufacturing method of the electrode structure of 1st embodiment. 第一実施形態の電位測定装置の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the usage form of the electric potential measuring apparatus of 1st embodiment. 第二実施形態の電極構造体の一例を示す、図1のII矢視部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II in FIG. 1, showing an example of an electrode structure according to a second embodiment; 複数の突起の一例を示す、図1のII矢視部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view viewed from arrow II in FIG. 1, showing an example of a plurality of protrusions; 第二実施形態の電極構造体の製造方法の一例を示すフローチャートである。6 is a flow chart showing an example of a method for manufacturing an electrode structure according to a second embodiment; 第二実施形態の電極構造体の製造方法の一部を例示する模式図である。It is a schematic diagram which illustrates a part of manufacturing method of the electrode structure of 2nd embodiment. 第二実施形態の電極構造体の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the usage form of the electrode structure of 2nd embodiment. 第三実施形態の電極構造体の一例を示す、図1のII矢視部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II in FIG. 1, showing an example of an electrode structure according to a third embodiment; 第三実施形態の導電体の一例を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing an example of a conductor according to a third embodiment; 第三実施形態の電極構造体の製造方法の一例を示すフローチャートである。6 is a flow chart showing an example of a method for manufacturing an electrode structure according to the third embodiment; 第三実施形態の電極構造体の製造方法の一部を例示する模式図である。It is a schematic diagram which illustrates a part of manufacturing method of the electrode structure of 3rd embodiment. 第三実施形態の電位測定装置の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the form of usage of the electric potential measuring apparatus of 3rd embodiment. 第四実施形態の電極構造体の一例を示す、図1のII矢視部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II in FIG. 1, showing an example of an electrode structure according to a fourth embodiment; 第五実施形態の電位測定装置の一例を示す模式的平面図である。FIG. 11 is a schematic plan view showing an example of a potential measuring device of a fifth embodiment; 第五実施形態の電極構造体の一例を示す、図12のXIII矢視部分断面図である。13 is a partial cross-sectional view taken along arrow XIII in FIG. 12, showing an example of the electrode structure of the fifth embodiment; FIG. 第五実施形態の電位測定装置の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the form of usage of the electric potential measuring apparatus of 5th embodiment. 第五実施形態の電位測定装置の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the form of usage of the electric potential measuring apparatus of 5th embodiment. 第六実施形態の電位測定装置の一例を示す、図12のXIII矢視部分断面図である。FIG. 13 is a partial cross-sectional view viewed from arrow XIII in FIG. 12, showing an example of the potential measuring device of the sixth embodiment. 第六実施形態の電位測定装置の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the usage form of the electric potential measuring apparatus of 6th embodiment. 第七実施形態の電位測定装置の一例を示す、図1のII矢視部分断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view of FIG. 1, showing an example of a potential measuring device according to a seventh embodiment; 第七実施形態の電位測定装置の利用形態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the usage form of the electric potential measuring apparatus of 7th embodiment.

以下、本開示の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、各図面については、同一又は同等の要素には同一の符号が付されているため、重複する説明は繰り返さない。 Embodiments of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. In each drawing, the same or equivalent elements are denoted by the same reference numerals, and duplicate description will not be repeated.

(第一実施形態)
図1~図4を用いて、本実施形態の電位測定装置101を説明する。
(First embodiment)
A potential measuring device 101 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.

図1は、電位測定装置101の一例を示す模式的平面図である。電位測定装置101は、絶縁基板102と、導電性配線103と、複数の電極構造体104と、絶縁層201(図2参照)とを備える。絶縁基板102は、例えば、ガラス板により形成される。絶縁基板102の両面のうち、生体試料401(図4参照)が配置される側を向く面を、主表面という。 FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of the potential measuring device 101. FIG. The potential measuring device 101 includes an insulating substrate 102, conductive wiring 103, a plurality of electrode structures 104, and an insulating layer 201 (see FIG. 2). The insulating substrate 102 is made of, for example, a glass plate. Of both surfaces of the insulating substrate 102, the surface facing the side on which the biological sample 401 (see FIG. 4) is arranged is called the main surface.

以下の説明では、説明の便宜上、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向を、「高さ」とも称する。絶縁基板102の主表面が向く方向(図2の上方向)を、電位測定装置101の上方向とする。絶縁基板102の裏面が向く方向(図2の下方向)を、電位測定装置101の下方向とする。本実施形態の電位測定装置101では、上方向に向かうほど高さが大きい。 In the following description, for convenience of explanation, the height direction parallel to the thickness direction of the insulating substrate 102 is also referred to as "height". The direction in which the main surface of insulating substrate 102 faces (the upward direction in FIG. 2) is the upward direction of potential measuring device 101 . The direction in which the back surface of the insulating substrate 102 faces (the downward direction in FIG. 2) is the downward direction of the potential measuring device 101 . In the potential measuring device 101 of this embodiment, the height increases as it goes upward.

導電性配線103は、絶縁基板102の主表面上に配置され、複数の電極構造体104のそれぞれに電気的に接続する。導電性配線103は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide、酸化インジウム)、又はAl(アルミニウム)系の合金により形成される。複数の電極構造体104の各々は、絶縁基板102の主表面上に露出して配置され、電極(図2参照)を含んで構成される。 Conductive traces 103 are disposed on the main surface of insulating substrate 102 and electrically connect to each of the plurality of electrode structures 104 . The conductive wiring 103 is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or Al (aluminum) alloy. Each of the plurality of electrode structures 104 is arranged exposed on the main surface of the insulating substrate 102 and includes an electrode (see FIG. 2).

図2は、図1のII矢視部分断面図である。図2に示すように、絶縁層201は、導電性配線103を覆うように絶縁基板102の主表面上に形成され、電極202を露出させる開口204を有する。絶縁層201は、例えば、窒化シリコン(Si4)、酸化シリコン(SiO)等により形成される。本実施形態では、複数の開口204が平面視(図1参照)でドットマトリクス状に並ぶように、絶縁層201に形成されている。 FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II in FIG. As shown in FIG. 2, insulating layer 201 is formed on the main surface of insulating substrate 102 to cover conductive wiring 103 and has openings 204 exposing electrodes 202 . The insulating layer 201 is made of, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 ), or the like. In this embodiment, a plurality of openings 204 are formed in the insulating layer 201 so as to be arranged in a dot matrix when viewed from above (see FIG. 1).

複数の電極構造体104は、夫々、複数の開口204に一つずつ配置される。各電極構造体104は、電極202と、導電体203とを備える。電極202と導電体203とは、絶縁基板102の厚さ方向に沿って積層されている。詳細には、電極202は、開口204内において絶縁基板102の主表面上に形成される。電極202の少なくとも一部は、開口204から上方向に露出する。電極202は、導電性配線103に電気的に接続される。電極202は、例えば、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Al(アルミニウム)、またはその合金により形成される。 A plurality of electrode structures 104 are respectively disposed in the plurality of openings 204 . Each electrode structure 104 comprises an electrode 202 and a conductor 203 . The electrodes 202 and conductors 203 are laminated along the thickness direction of the insulating substrate 102 . Specifically, electrodes 202 are formed on the main surface of insulating substrate 102 within openings 204 . At least part of the electrode 202 is exposed upward from the opening 204 . The electrodes 202 are electrically connected to the conductive traces 103 . The electrodes 202 are made of, for example, Ta (tantalum), Mo (molybdenum), Al (aluminum), or alloys thereof.

導電体203は、電極202の露出部分の上に設けられ、絶縁基板102の厚さ方向において絶縁層201よりも外側(即ち、上方向)に突出する。換言すると、導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として絶縁層201よりも高い位置まで突出する。 The conductor 203 is provided on the exposed portion of the electrode 202 and protrudes outward (that is, upward) from the insulating layer 201 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, conductor 203 protrudes to a position higher than insulating layer 201 with respect to the main surface of insulating substrate 102 in the height direction parallel to the thickness direction of insulating substrate 102 .

絶縁層201は、導電性配線103を覆う配線被覆部201Aと、各電極202の周縁を覆う電極被覆部201Bと、絶縁基板102と直接接触する基準部201Cとを含む。配線被覆部201A及び電極被覆部201Bは、基準部201Cよりも上方向に盛り上がっている。従って、配線被覆部201A及び電極被覆部201Bの各表面の高さは、基準部201Cの表面の高さよりも大きい。基準部201Cのうちで各電極構造体104の周囲にある部分を、電極周囲部201Dという。電極周囲部201Dは、平面視で、各電極構造体104の全体を含み、且つ各電極構造体104よりも外側に延びる。 The insulating layer 201 includes a wiring covering portion 201A that covers the conductive wiring 103, an electrode covering portion 201B that covers the periphery of each electrode 202, and a reference portion 201C that is in direct contact with the insulating substrate . The wire covering portion 201A and the electrode covering portion 201B swell upward from the reference portion 201C. Therefore, the height of each surface of the wire covering portion 201A and the electrode covering portion 201B is greater than the height of the surface of the reference portion 201C. A portion of the reference portion 201C surrounding each electrode structure 104 is referred to as an electrode surrounding portion 201D. The electrode surrounding portion 201D includes the entire electrode structure 104 and extends outside the electrode structure 104 in plan view.

絶縁層201の表面のうちで電極周囲部201Dの表面を、基準面210という。導電体203のうちで絶縁基板102から最も離れた位置にある端部(即ち、導電体203の上端部)は、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる平面状の天面205である。例えば、基準面210から天面205までの上下方向(厚さ方向)の距離L1は、5μm以上である。距離L1は、5μm以上且つ100μm以下であってもよい。 Among the surfaces of the insulating layer 201 , the surface of the electrode peripheral portion 201</b>D is referred to as a reference surface 210 . The farthest end of the conductor 203 from the insulating substrate 102 (that is, the upper end of the conductor 203 ) is a planar top surface 205 extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 . For example, the distance L1 in the vertical direction (thickness direction) from the reference surface 210 to the top surface 205 is 5 μm or more. The distance L1 may be 5 μm or more and 100 μm or less.

導電体203の表面は導電材料により形成される。導電体203の表面は、化学反応せず、生体に対して毒性がない材料からなることが好ましい。例えば、導電体203は、Au(金)またはPt(白金)の少なくともいずれか一方からなる。これにより、導電体203に酸化膜が形成されることを防止できる。また、金は白金よりも硬度が低いため、導電体203を金により形成することで、天面205を白金よりも容易に加工することができる。 The surface of the conductor 203 is made of a conductive material. The surface of the conductor 203 is preferably made of a material that does not chemically react and is non-toxic to living organisms. For example, the conductor 203 is made of at least one of Au (gold) and Pt (platinum). Thereby, formation of an oxide film on the conductor 203 can be prevented. In addition, since gold has a lower hardness than platinum, forming the conductor 203 from gold makes it possible to process the top surface 205 more easily than from platinum.

さらに、平面視において天面205の面積は、電極202の面積よりも大きい。換言すると、導電体203の高さ方向の投影面積は、電極202の高さ方向の投影面積よりも大きい。図2に例示する導電体203は、天面205から絶縁基板102の主表面に向かって先細るテーパ形状を有する。これにより、電極202の全体が天面205の下方に配置されるため、電極202の全体は平面視で天面205によって覆われる。 Furthermore, the area of the top surface 205 is larger than the area of the electrode 202 in plan view. In other words, the projected area of the conductor 203 in the height direction is larger than the projected area of the electrode 202 in the height direction. Conductor 203 illustrated in FIG. 2 has a tapered shape that tapers from top surface 205 toward the main surface of insulating substrate 102 . As a result, the entire electrode 202 is arranged below the top surface 205, so that the entire electrode 202 is covered with the top surface 205 in a plan view.

図3Aは、本実施形態の電極構造体104の製造方法の一例を示すフローチャートである。図3Bは、図3Aに例示する電極構造体104の製造方法の一部を例示する模式図である。なお、以下の製造方法の前工程において、複数の電極202及び導電性配線103が絶縁基板102上にパターニングされる。さらに、複数の電極202及び導電性配線103を覆うように、絶縁層201が絶縁基板102上に積層される。絶縁基板102上に積層される絶縁層201が、複数の電極202を露出するようエッチングされることで、絶縁層201に複数の開口204が形成される。これらの前工程は、公知の手法により実行されればよい。前工程で得られた電位測定装置101を用いて、以下の製造方法が実行される。 FIG. 3A is a flow chart showing an example of a method for manufacturing the electrode structure 104 of this embodiment. FIG. 3B is a schematic diagram illustrating a part of the method for manufacturing the electrode structure 104 illustrated in FIG. 3A. It should be noted that the plurality of electrodes 202 and the conductive wiring 103 are patterned on the insulating substrate 102 in the pre-process of the manufacturing method described below. Furthermore, an insulating layer 201 is laminated on the insulating substrate 102 so as to cover the plurality of electrodes 202 and the conductive wiring 103 . A plurality of openings 204 are formed in the insulating layer 201 by etching the insulating layer 201 laminated on the insulating substrate 102 so as to expose the plurality of electrodes 202 . These pre-processes should just be performed by a well-known method. The following manufacturing method is performed using the potential measuring device 101 obtained in the previous step.

まず、ステップS301において、メッキ技術で電極上に柱状のメッキを形成する。 First, in step S301, a columnar plating is formed on an electrode using a plating technique.

ステップS302において、くさび形状の金型311が、各導電材料310の突出端312に対して、絶縁基板102の主表面に向かう方向に押し当てられる(図3BのS3031)。各導電材料310の突出端312がくさび形状の金型311によって、絶縁基板102の厚さ方向と交差する複数の方向に押し広げられる(図3BのS3032)。ステップS303において、平面状の金型313が、各導電材料310の突出端312に対して、絶縁基板102の主表面に向かう方向に押し当てられる。各導電材料310の突出端312が平面状の金型313によって、絶縁基板102の主表面と略平行に押し広げられることで、天面205が形成される(図3BのS3041)。これにより、導電体203が形成される。このとき、平面視において導電体203の面積が電極202の面積以上になるように、導電材料310の突出端312が広げられる。 In step S302, a wedge-shaped mold 311 is pressed against the projecting end 312 of each conductive material 310 in a direction toward the main surface of the insulating substrate 102 (S3031 in FIG. 3B). The protruding ends 312 of each conductive material 310 are spread by a wedge-shaped mold 311 in a plurality of directions crossing the thickness direction of the insulating substrate 102 (S3032 in FIG. 3B). In step S<b>303 , a planar mold 313 is pressed against the projecting end 312 of each conductive material 310 in a direction toward the main surface of the insulating substrate 102 . The projecting ends 312 of the conductive materials 310 are spread by a planar mold 313 substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 to form the top surface 205 (S3041 in FIG. 3B). Thereby, a conductor 203 is formed. At this time, the projecting end 312 of the conductive material 310 is widened so that the area of the conductor 203 becomes equal to or larger than the area of the electrode 202 in plan view.

以上の製造工程により、上記実施形態に示す電位測定装置101が得られる。次に、電位測定装置101の利用形態の一例について説明する。図4は、図2に示す導電体203を有する電位測定装置101の利用形態の一例を示す図である。 Through the manufacturing process described above, the potential measuring device 101 shown in the above embodiment is obtained. Next, an example of usage of the potential measuring device 101 will be described. FIG. 4 is a diagram showing an example of usage of the potential measuring device 101 having the conductor 203 shown in FIG.

電位測定装置101が生体試料401の電位変化を測定する場合、絶縁基板102の主表面側(即ち上側)にある絶縁層201及び導電体203の各表面を、緩衝液402に浸す。生体試料401は、生体細胞、生体組織の少なくともいずれかを含み、固体状又はジェル状である。緩衝液402は、生体内において生体試料401の周辺に存在する液体であり、導電性の液体である。緩衝液402は、細胞外液であってもよい。例えば、生体試料401が脳細胞である場合、緩衝液402は、脳脊髄液、生理食塩水等である。 When the potential measuring device 101 measures the potential change of the biological sample 401 , each surface of the insulating layer 201 and the conductor 203 on the main surface side (that is, the upper side) of the insulating substrate 102 is immersed in the buffer solution 402 . The biological sample 401 contains at least one of biological cells and biological tissue, and is solid or gel. The buffer solution 402 is a liquid that exists around the biological sample 401 in vivo and is a conductive liquid. Buffer 402 may be extracellular fluid. For example, when the biological sample 401 is brain cells, the buffer 402 is cerebrospinal fluid, physiological saline, or the like.

次いで、絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、生体試料401を配置する。このとき、生体試料401を複数の導電体203に押し当てる。導電体203が絶縁層201よりも突出して形成されているので、生体試料401を導電体203の天面205のみに接触させることができる。これにより、生体試料401は導電体203のみに電気的に接続できる。 Next, the biological sample 401 is placed facing the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward). At this time, the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 203 . Since the conductor 203 is formed to protrude from the insulating layer 201 , the biological sample 401 can be brought into contact only with the top surface 205 of the conductor 203 . Thereby, the biological sample 401 can be electrically connected only to the conductor 203 .

ここで、導電体203の天面205の面積が電極202の面積以上に形成されることにより、電極202の全体は平面視で天面205によって覆われる。これにより、例えば生体試料401の一部が天面205の縁部から下方に垂れ下がった場合でも、その垂れ下がった試料部分が電極202に接触することが抑制される。また、導電体203が天面205から絶縁基板102の主表面に向かって先細るテーパ形状を有する。これにより、例えば生体試料401の一部が天面205の縁部から下方に垂れ下がった場合でも、その垂れ下がった試料部分が導電体203のうちで天面205以外の部分に接触することを抑制できる。従って、生体試料401は、より確実に導電体203のみに電気的に接続できる。 Here, by forming the area of the top surface 205 of the conductor 203 to be equal to or larger than the area of the electrode 202, the entire electrode 202 is covered with the top surface 205 in plan view. As a result, for example, even if part of the biological sample 401 hangs downward from the edge of the top surface 205 , the hanging sample portion is prevented from coming into contact with the electrode 202 . Conductor 203 has a tapered shape tapering from top surface 205 toward the main surface of insulating substrate 102 . As a result, for example, even if part of the biological sample 401 hangs down from the edge of the top surface 205, the hanging sample portion can be prevented from contacting any part of the conductor 203 other than the top surface 205. . Therefore, the biological sample 401 can be electrically connected only to the conductor 203 more reliably.

さらに、導電体203の天面205の面積が電極202の面積よりも大きく形成されることにより、電極202を小さく形成しつつ、生体試料401と導電体203との接触面積を大きくできる。また、電極202を小さく形成することにより、絶縁基板102の主表面上において、導電性配線103等に使用できる面積を広くできる。 Furthermore, since the area of the top surface 205 of the conductor 203 is formed to be larger than the area of the electrode 202, the contact area between the biological sample 401 and the conductor 203 can be increased while forming the electrode 202 small. Also, by forming the electrode 202 small, the area available for the conductive wiring 103 and the like on the main surface of the insulating substrate 102 can be increased.

なお、電位測定装置101に配置された生体試料401が複数の導電体203の天面205で支持された状態では、隣り合う二つの導電体203の間にある電極周囲部201Dにおいて、生体試料401の一部が垂れ下がりやすい。従って、基準面210から天面205までの距離L1は、電極周囲部201Dにおいて垂れ下がる生体試料401の一部が絶縁層201の基準面210に接触しない程度の大きさ(例えば、10μm以上)であることが好ましい。 In addition, when the biological sample 401 placed in the potential measuring device 101 is supported by the top surfaces 205 of the plurality of conductors 203, the biological sample 401 part of is easy to hang down. Therefore, the distance L1 from the reference surface 210 to the top surface 205 is a size (for example, 10 μm or more) such that a portion of the biological sample 401 hanging down in the electrode peripheral portion 201D does not come into contact with the reference surface 210 of the insulating layer 201. is preferred.

導電体203が化学反応(酸化等)した場合、導電体203の表面に、生体において毒性のある物質(金属酸化物等)が形成されるおそれがある。導電体203の表面に、生体において毒性のある物質が形成された状態において、生体試料401が、導電体203の天面205に接触した場合、生体試料401の表面に、生体において毒性のある物質が付着するおそれがある。 When the conductor 203 undergoes a chemical reaction (oxidation or the like), a substance (metal oxide or the like) that is toxic to living organisms may be formed on the surface of the conductor 203 . When the biological sample 401 contacts the top surface 205 of the conductor 203 in a state where a substance toxic to the living body is formed on the surface of the conductor 203, a substance toxic to the living body is formed on the surface of the biological sample 401. may adhere.

また、電極構造体104を緩衝液402に浸している状態において、導電体203に形成された金属酸化物が、導電体203から剥離した場合、緩衝液402に当該金属酸化物が混入するおそれがある。その状態において、生体試料401を導電体203の天面205に押し当てた場合、緩衝液402に混入した金属酸化物が、生体試料401の表面に付着するおそれがある。 Further, when the metal oxide formed on the conductor 203 is separated from the conductor 203 while the electrode structure 104 is immersed in the buffer solution 402 , the buffer solution 402 may be mixed with the metal oxide. be. In this state, when the biological sample 401 is pressed against the top surface 205 of the conductor 203 , metal oxides mixed in the buffer solution 402 may adhere to the surface of the biological sample 401 .

しかし、金または白金の少なくともいずれかにより導電体203を形成することで、表面における化学反応を防止できる。それにより、導電体203の表面において、生体において毒性のある物質が形成されることを防止できる。その結果、生体試料401が、導電体203の天面205に接触した場合、生体試料401の表面に、生体において毒性のある物質が付着することを防止できる。同様に、金または白金の少なくともいずれかにより導電体203の表面を形成することにより、緩衝液402を介して、生体試料401の表面に、生体において毒性のある物質が付着することを防止できる。 However, by forming the conductor 203 from at least one of gold and platinum, chemical reactions on the surface can be prevented. As a result, it is possible to prevent the formation of substances that are toxic to living organisms on the surface of the conductor 203 . As a result, when the biological sample 401 comes into contact with the top surface 205 of the conductor 203, it is possible to prevent substances that are toxic to the living body from adhering to the surface of the biological sample 401. FIG. Similarly, by forming the surface of the conductor 203 with at least one of gold and platinum, it is possible to prevent substances toxic in the living body from adhering to the surface of the biological sample 401 via the buffer solution 402 .

(変形例1)
導電体203は、2種類以上のメッキで形成し、最表面を金または白金の少なくともいずれかにより形成されてもよい。これにより、導電体203に酸化膜が形成されることが防止できる。その結果、上記と同様の理由により、生体試料401の表面に、生体において毒性のある物質が付着することを防止できる。
(Modification 1)
The conductor 203 may be formed by two or more types of plating, and the outermost surface may be formed of at least one of gold and platinum. Thereby, formation of an oxide film on the conductor 203 can be prevented. As a result, for the same reason as described above, it is possible to prevent substances that are toxic in the living body from adhering to the surface of the biological sample 401 .

(変形例2)
導電体203の天面205に、金または白金の少なくともいずれかによるメッキ加工が施されてもよい。これにより、導電体203の天面205に酸化膜が形成されることが防止できる。その結果、生体試料401が導電体203の天面205に接触した際に、生体において毒性のある物質が、生体試料401の表面に付着することを防止することができる。
(Modification 2)
The top surface 205 of the conductor 203 may be plated with at least one of gold and platinum. Thereby, formation of an oxide film on the top surface 205 of the conductor 203 can be prevented. As a result, when the biological sample 401 comes into contact with the top surface 205 of the conductor 203 , it is possible to prevent substances that are toxic to the living body from adhering to the surface of the biological sample 401 .

(第二実施形態)
次に、図5~図7を参照して、第二実施形態について説明する。以下の各実施形態では、第一実施形態と実質的に共通の機能を有する構成および処理を共通の符号で参照して説明を省略し、第一実施形態と異なる点を説明する。
(Second embodiment)
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. 5 to 7. FIG. In each of the following embodiments, configurations and processes having substantially the same functions as those of the first embodiment will be referred to by common reference numerals, description thereof will be omitted, and differences from the first embodiment will be described.

図5Aは、図1のII矢視部分断面図であり、本実施形態の電極構造体104の一例を示す。本実施形態の電極構造体104は、複数の導電体203に替えて、複数の導電体510を備える。図5Aに示す導電体510の天面511に、絶縁基板102の厚さ方向と略平行な方向に複数の突起501を有する。 FIG. 5A is a partial cross-sectional view taken along arrow II in FIG. 1 and shows an example of the electrode structure 104 of this embodiment. The electrode structure 104 of this embodiment includes a plurality of conductors 510 instead of the plurality of conductors 203 . A top surface 511 of a conductor 510 shown in FIG. 5A has a plurality of projections 501 in a direction substantially parallel to the thickness direction of the insulating substrate 102 .

図5Bは、複数の突起501の一例を示す図1のII矢視部分断面図である。図5Bに例示する距離L2は、複数の突起501の下方向の端部である基部503から、複数の突起501の上方向の頂点502までの上下方向(厚さ方向)の距離である。以下の説明では、説明の便宜上、距離L2を、複数の突起501の「高さ」と称する。 FIG. 5B is a partial cross-sectional view taken along arrow II in FIG. 1 showing an example of the plurality of protrusions 501. FIG. A distance L2 illustrated in FIG. 5B is a distance in the vertical direction (thickness direction) from the base 503, which is the downward end of the plurality of projections 501, to the upward vertex 502 of the plurality of projections 501. As shown in FIG. In the following description, the distance L2 is referred to as the "height" of the plurality of protrusions 501 for convenience of description.

図6Aは、本実施形態の電極構造体104の製造方法の一例を示すフローチャートである。図6Bは、図6Aに例示する電極構造体104の製造方法の一部を例示する模式図である。上記の前工程で得られた電位測定装置101を用いて、以下の製造方法が実行される。図6Aに示すステップS301~S303は図3Aに示すステップS301~S303と同様であるため、詳細な説明を省略する。 FIG. 6A is a flow chart showing an example of a method for manufacturing the electrode structure 104 of this embodiment. FIG. 6B is a schematic diagram illustrating a part of the method for manufacturing the electrode structure 104 illustrated in FIG. 6A. The following manufacturing method is performed using the potential measuring device 101 obtained in the preceding step. Since steps S301 to S303 shown in FIG. 6A are the same as steps S301 to S303 shown in FIG. 3A, detailed description thereof will be omitted.

ステップS303の処理の後、ステップS601において、複数の凹凸を有する金型611が、各導電材料310の突出端312に対して、絶縁基板102の主表面に向かう方向に押し当てられる(図6BのS6011)。これにより、各導電材料310の突出端312に、金型611の凹凸に対応する複数の凹凸が形成される(図6BのS6012)。これにより、導電体510が形成される。また、ステップS601において、複数の溝が形成された金型611が、各導電材料310の突出端312に対して、絶縁基板102の主表面に向かう方向に押し当てられてもよい。これにより、各導電材料310の突出端312に、金型611の溝に対応する複数の凹凸が形成される。 After the process in step S303, in step S601, a mold 611 having a plurality of unevenness is pressed against projecting ends 312 of each conductive material 310 in a direction toward the main surface of insulating substrate 102 (see FIG. 6B). S6011). As a result, a plurality of irregularities corresponding to the irregularities of the mold 611 are formed on the projecting end 312 of each conductive material 310 (S6012 in FIG. 6B). Thereby, a conductor 510 is formed. Also, in step S601, a mold 611 having a plurality of grooves formed therein may be pressed against projecting ends 312 of each conductive material 310 in a direction toward the main surface of insulating substrate . As a result, a plurality of protrusions and recesses corresponding to the grooves of the mold 611 are formed on the projecting end 312 of each conductive material 310 .

導電体510の天面511に形成された複数の凹凸のうち、複数の凸部を複数の突起501という。本実施形態では、複数の突起501の各々は、基部503から頂点502に向けて先細る形状である。または、各導電材料310の突出端312に、絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、レーザー光を照射して凹凸を形成することにより、導電体510の天面511に複数の突起501が形成されてもよい。 Among the plurality of projections and depressions formed on the top surface 511 of the conductor 510 , the plurality of protrusions are referred to as the plurality of protrusions 501 . In this embodiment, each of the plurality of protrusions 501 has a tapered shape from the base 503 toward the apex 502 . Alternatively, the protruding end 312 of each conductive material 310 is irradiated with a laser beam toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward) to form unevenness. protrusions 501 may be formed.

次に、電位測定装置101の利用形態の一例について説明する。図7は、図5Aに示す導電体510を有する電位測定装置101の利用形態の一例を示す図である。 Next, an example of usage of the potential measuring device 101 will be described. FIG. 7 is a diagram showing an example of usage of the potential measuring device 101 having the conductor 510 shown in FIG. 5A.

上記の通り、下方向に生体試料401を複数の導電体510に押し当てた場合、まず、各導電体510の天面511に形成された複数の突起501の頂点502に、生体試料401が接触する。さらに、下方向に生体試料401を複数の導電体510に押し当てた場合、各導電体510の天面511に形成された複数の突起501に沿って、生体試料402が各突起501の基部503に接触する位置まで嵌まり込む。生体試料401は、複数の導電体510によって下方から支持されると共に、各導電体510の天面511に形成された複数の凹凸が形成された隙間なく接触する。これにより、生体試料401が各導電体510の天面511上で滑ることを抑制し、生体試料401と導電体510とを物理的に安定して接触させることができる。その結果、生体試料401と導電体510とが電気的に接続した場合に、電位測定装置101は生体試料401における同一の位置の電位変化を正確に測定できる。 As described above, when the biological sample 401 is pressed downward against the plurality of conductors 510 , first, the biological sample 401 comes into contact with the apexes 502 of the plurality of protrusions 501 formed on the top surface 511 of each conductor 510 . do. Furthermore, when the biological sample 401 is pressed downward against the plurality of conductors 510 , the biological sample 402 moves along the plurality of projections 501 formed on the top surface 511 of each conductor 510 , and the base 503 of each projection 501 . It fits up to the position where it touches the The biological sample 401 is supported from below by a plurality of conductors 510 and is in contact with the top surface 511 of each conductor 510 without gaps formed by a plurality of irregularities. This prevents the biological sample 401 from slipping on the top surface 511 of each conductor 510 , and allows the biological sample 401 and the conductors 510 to be brought into physical and stable contact. As a result, when the biological sample 401 and the conductor 510 are electrically connected, the potential measuring device 101 can accurately measure the potential change at the same position in the biological sample 401 .

また、生体試料401が、複数の突起501に沿って嵌まり込むことによって、天面511が平面に形成される場合よりも、生体試料401と天面511との接触面積を大きくできる。これにより、生体試料401と導電体510とが電気的に接続した場合に、生体試料401における電流集中及び接触抵抗のばらつきを抑制できる。さらに、これにより、生体試料401と導電体510とが電気的に接続した場合に、局所的な異常反応を抑制できる。 In addition, by fitting the biological sample 401 along the plurality of protrusions 501, the contact area between the biological sample 401 and the top surface 511 can be made larger than when the top surface 511 is formed flat. As a result, when the biological sample 401 and the conductor 510 are electrically connected, current crowding and variations in contact resistance in the biological sample 401 can be suppressed. Furthermore, this makes it possible to suppress local abnormal reactions when the biological sample 401 and the conductor 510 are electrically connected.

また、複数の突起501は、生体試料401の弾性に応じた高さであることが好ましい。つまり、複数の突起501の高さは、電位測定対象の生体試料401の弾性に応じて決定されることが好ましい。生体試料401の弾性が高いほど、生体試料401を複数の導電体510に押し当てた場合、生体試料402を複数の突起501に容易に嵌め込むことができる。そのため、生体試料401の弾性が高いほど、複数の突起501が深く形成されてもよい。換言すると、生体試料401が柔らかいほど、複数の突起501が深く形成されてもよい。 Also, the plurality of protrusions 501 preferably have a height corresponding to the elasticity of the biological sample 401 . That is, it is preferable that the heights of the plurality of projections 501 are determined according to the elasticity of the biological sample 401 to be measured for potential. The higher the elasticity of the biological sample 401 , the easier it is to fit the biological sample 402 into the plurality of protrusions 501 when the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 510 . Therefore, the higher the elasticity of the biological sample 401, the deeper the plurality of projections 501 may be formed. In other words, the softer the biological sample 401, the deeper the protrusions 501 may be formed.

(第三実施形態)
次に、図8~図10を参照して、第三実施形態について説明する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. 8 to 10. FIG.

図8Aは、図1のII矢視部分断面図であり、本実施形態の電極構造体104の一例を示す。本実施形態の電極構造体104は、複数の導電体203に替えて、複数の導電体810を備える。各導電体810は、台座部801と、先端部802とを有する。図8Bは、本実施形態の導電体810の一例を示す平面図である。 FIG. 8A is a partial cross-sectional view taken along arrow II in FIG. 1 and shows an example of the electrode structure 104 of this embodiment. The electrode structure 104 of this embodiment includes a plurality of conductors 810 instead of the plurality of conductors 203 . Each conductor 810 has a base portion 801 and a tip portion 802 . FIG. 8B is a plan view showing an example of the conductor 810 of this embodiment.

台座部801は、電極202に接触して形成される。具体的には、台座部801は、絶縁基板102の主表面に向かう方向(即ち、下方向)の面が、電極202に接触して形成される。また、台座部801は、絶縁基板102の主表面に向かう方向とは逆方向(即ち、上方向)に、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる天面803を有する。 The pedestal portion 801 is formed in contact with the electrode 202 . Specifically, the pedestal portion 801 is formed such that the surface facing the main surface of the insulating substrate 102 (that is, the downward direction) is in contact with the electrode 202 . The pedestal 801 also has a top surface 803 extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 in a direction opposite to the direction toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, upward).

先端部802は、平面視で台座部801の中央部に設けられ、且つ絶縁基板102の厚さ方向において台座部801から外側に突出する。換言すると、先端部802は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として台座部801よりも高い位置まで突出する。さらに、絶縁基板102の主表面から離れるにしたがって先細る円錐状である。 The tip portion 802 is provided in the central portion of the base portion 801 in plan view, and protrudes outward from the base portion 801 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, tip portion 802 protrudes to a position higher than pedestal portion 801 with respect to the main surface of insulating substrate 102 in the height direction parallel to the thickness direction of insulating substrate 102 . Furthermore, it has a conical shape that tapers away from the main surface of the insulating substrate 102 .

先端部802の突出端は、上端面804である。上端面804は、絶縁基板102の主表面と同一側(即ち上方向)を向き、且つ絶縁基板102の主表面と略平行な円形状の平面である。さらに、先端部802は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、上端面804から突出する突起805を有する。以下の説明では、説明の便宜上、絶縁基板102の厚み方向における、先端部802の面804から突起805の先端までの距離L3を、突起805の高さと称する。 The protruding end of tip 802 is upper end surface 804 . The upper end surface 804 is a circular plane facing the same side (ie, upward) as the main surface of the insulating substrate 102 and substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 . Further, the tip portion 802 has a protrusion 805 protruding from the upper end surface 804 in the height direction parallel to the thickness direction of the insulating substrate 102 . In the following description, for convenience of explanation, the distance L3 from the surface 804 of the tip portion 802 to the tip of the protrusion 805 in the thickness direction of the insulating substrate 102 is referred to as the height of the protrusion 805 .

平面視における導電体810の表面積は、平面視における電極202の表面積以上である。そのため、導電体810の絶縁基板102の主表面と同一側を向く部分の表面積は、平面視における電極202の表面積以上である。換言すると、導電体810の高さ方向の投影面積は、電極202の高さ方向の投影面積以上である。 The surface area of the conductor 810 in plan view is greater than or equal to the surface area of the electrode 202 in plan view. Therefore, the surface area of the portion of conductor 810 facing the same side as the main surface of insulating substrate 102 is greater than or equal to the surface area of electrode 202 in plan view. In other words, the projected area of the conductor 810 in the height direction is greater than or equal to the projected area of the electrode 202 in the height direction.

図9Aは、本実施形態の電極構造体104の製造方法の一例を示すフローチャートである。図9Bは、図9Aに例示する電極構造体104の製造方法の一部を例示する模式図である。 FIG. 9A is a flow chart showing an example of a method for manufacturing the electrode structure 104 of this embodiment. FIG. 9B is a schematic diagram illustrating a part of the method for manufacturing the electrode structure 104 illustrated in FIG. 9A.

上記の前工程で得られた電位測定装置101を用いて、以下の製造方法が実行される。以下の製造方法を実行する前に、筒体912にワイヤ913が挿入される。詳細には、筒体912の長手方向の両端部を、第一端部911A及び第二端部911Bという。筒体912は、筒体912の径方向中心を長手方向に貫通するワイヤ孔を有する。ワイヤ913は、筒体912を貫通するようにワイヤ孔に挿入される。ここで、筒体912の第一端部911Aには、第二端部911B側に向かって凹む切り欠き914を有する。切り欠き914の内壁は、先端部802の外形に沿う形状を有する。 The following manufacturing method is performed using the potential measuring device 101 obtained in the preceding step. A wire 913 is inserted into the cylindrical body 912 before executing the following manufacturing method. Specifically, both longitudinal end portions of the tubular body 912 are referred to as a first end portion 911A and a second end portion 911B. The tubular body 912 has a wire hole that extends longitudinally through the radial center of the tubular body 912 . A wire 913 is inserted into the wire hole so as to pass through the cylindrical body 912 . Here, the first end portion 911A of the tubular body 912 has a notch 914 recessed toward the second end portion 911B side. The inner wall of the notch 914 has a shape that follows the contour of the tip 802 .

ステップS901において、筒体912の第一端部911A側から引き出されたワイヤ913の先端に放電によりボール形状部910を形成する。ボール形状部910は、金および白金の少なくともいずれか一方からなる。 In step S901, the ball-shaped portion 910 is formed at the tip of the wire 913 pulled out from the first end portion 911A side of the tubular body 912 by electric discharge. Ball-shaped portion 910 is made of at least one of gold and platinum.

ステップS902において、ボール形状部910を筐体912で、絶縁基板102の主表面に向かう方向(即ち、下方向)に天面803に押し当て、熱と超音波で接合する(図9BのS9011)。例えば、電極がAl(アルミニウム)であり、ワイヤ913がAu(金)である場合、天面803とボール形状部910との境界部分に、AlとAuとの合金による共晶を形成して、天面803とボール形状部910とが接合される。平面視において天面803の面積が、電極202の面積以上になるように天面803が広げられる。これにより、台座部801が形成される。 In step S902, the ball-shaped portion 910 is pressed against the top surface 803 in the direction toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward) with the housing 912, and is bonded by heat and ultrasonic waves (S9011 in FIG. 9B). . For example, when the electrodes are made of Al (aluminum) and the wires 913 are made of Au (gold), a eutectic is formed by an alloy of Al and Au at the boundary between the top surface 803 and the ball-shaped portion 910. The top surface 803 and the ball-shaped portion 910 are joined together. The top surface 803 is widened so that the area of the top surface 803 is greater than or equal to the area of the electrode 202 in plan view. Thus, a pedestal portion 801 is formed.

絶縁基板102の主表面に向かう方向に、筒体912が軟性のボール形状部910に押し当てられた場合、ボール形状部910の一部が、筒体912の内壁に形成された切り欠き914に沿って、筒体912内に押し込まれる(図9BのS9021)。ステップS903において、筒体912を上方向に引き上げることで、筒体912とボール形状部910とを切り離す。これにより、筒体912内のボール形状部910が、切り欠き914の形状に沿った外形で、台座部801上に成型される。その結果、切り欠き914の形状に沿った外形の先端部802が、台座部801上に形成される(図9BのS9031)。つまり、本実施形態の導電体810は、所謂、ワイヤボンディングにより形成できる。 When cylindrical body 912 is pressed against soft ball-shaped part 910 in the direction toward the main surface of insulating substrate 102 , part of ball-shaped part 910 is pushed into notch 914 formed in the inner wall of cylindrical body 912 . It is pushed into the cylindrical body 912 along the direction (S9021 in FIG. 9B). In step S903, the cylindrical body 912 and the ball-shaped portion 910 are separated by pulling the cylindrical body 912 upward. As a result, the ball-shaped portion 910 inside the cylindrical body 912 is formed on the base portion 801 with an outer shape that follows the shape of the notch 914 . As a result, the front end portion 802 having an outer shape along the shape of the notch 914 is formed on the base portion 801 (S9031 in FIG. 9B). That is, the conductor 810 of this embodiment can be formed by so-called wire bonding.

次に、電位測定装置101の利用形態の一例について説明する。図10は、図8Aに示す導電体203を有する電位測定装置101の利用形態の一例を示す図である。 Next, an example of usage of the potential measuring device 101 will be described. FIG. 10 is a diagram showing an example of usage of the potential measuring device 101 having the conductor 203 shown in FIG. 8A.

上記の通り、絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、生体試料401を複数の導電体810に押し当てた場合、まず、各導電体810の突起805が生体試料401に刺さり込む。さらに、下方向に生体試料401を複数の導電体810に押し当てた場合、生体試料401が、各導電体810の突起805に刺さり込んだ状態で、各導電体810の台座部801の天面803と先端部802の側面とに沿って接触して、複数の導電体810に固定される。これにより、生体試料401が、導電体203上で滑ることを抑制し、生体試料401と導電体810とを物理的に安定して接触させることができる。その結果、生体試料401と導電体810とが電気的に接続した場合に、電位測定装置101が生体試料401における同一の位置の電位変化を測定できる。 As described above, when the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 810 toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward), first, the projections 805 of each conductor 810 stick into the biological sample 401. enter. Furthermore, when the biological sample 401 is pressed downward against the plurality of conductors 810 , the biological sample 401 sticks to the projections 805 of the conductors 810 and the top surface of the pedestal portion 801 of each conductor 810 . It is fixed to a plurality of conductors 810 in contact along 803 and the side of tip 802 . Thereby, the biological sample 401 is prevented from slipping on the conductor 203, and the biological sample 401 and the conductor 810 can be physically stably brought into contact with each other. As a result, when the biological sample 401 and the conductor 810 are electrically connected, the potential measuring device 101 can measure potential changes at the same position in the biological sample 401 .

さらに、生体試料401が、突起805に刺さり込んだ状態で、台座部801の天面803と、先端部802の側面とに沿って接触することで、生体試料401と導電体810との接触面積を大きくできる。これにより、導電体810の天面が平面に形成される場合よりも、生体試料401と導電体810との接触面積を大きくできる。その結果、生体試料401と導電体810とが電気的に接続した場合に、生体試料401における電流集中及び接触抵抗のばらつきを抑制できる。さらに、これにより、生体試料401と導電体810とが電気的に接続した場合に、局所的な異常反応を抑制できる。 Further, the contact area between the biological sample 401 and the conductor 810 is increased by contacting the top surface 803 of the base portion 801 and the side surface of the distal end portion 802 while the biological sample 401 is stuck in the protrusion 805 . can be increased. Thereby, the contact area between the biological sample 401 and the conductor 810 can be made larger than when the top surface of the conductor 810 is formed flat. As a result, when the biological sample 401 and the conductor 810 are electrically connected, it is possible to suppress current crowding and variations in contact resistance in the biological sample 401 . Furthermore, this makes it possible to suppress local abnormal reactions when the biological sample 401 and the conductor 810 are electrically connected.

また、生体試料401が突起805に刺さり込むことにより、電位測定装置101は、生体試料401の内部の電位変化を測定できる。さらに、筒体912の切り欠き914の形状を調整することで、先端部802の形状を容易に調整できる。これにより、絶縁基板102の厚み方向に略平行な突起805の高さを容易に調整できる。また、突起805の高さを調整することにより、電位測定装置101が、生体試料401の内部の電位変化を測定する位置を容易に調整できる。 In addition, when the biological sample 401 sticks into the projection 805 , the potential measuring device 101 can measure the potential change inside the biological sample 401 . Furthermore, by adjusting the shape of the notch 914 of the cylindrical body 912, the shape of the distal end portion 802 can be easily adjusted. Thereby, the height of the protrusion 805 substantially parallel to the thickness direction of the insulating substrate 102 can be easily adjusted. Further, by adjusting the height of the projection 805, the position where the potential measuring device 101 measures the potential change inside the biological sample 401 can be easily adjusted.

また、ワイヤ913を利用して導電体810を形成することにより、金属にメッキ加工を施すことなく、金および白金の少なくともいずれかの金属で形成された導電体810を形成できる。これにより、導電体810の表面に、生体において毒性のある物質が付着することを防止できる。また、メッキ加工を施した場合、導電体810に対する外的な力により、メッキが剥離する場合がある。メッキが剥離した場合、生体において毒性のある物質が、導電体810の表面に露出するおそれがある。しかし、導電体810にメッキ加工を施さず、導電体810が金および白金の少なくともいずれかの金属で形成されることにより、生体において毒性のある物質が導電体810の表面に露出することを回避できる。その結果、導電体810が生体にとって安全な状態を長期間維持できる。 Further, by forming the conductor 810 using the wire 913, the conductor 810 can be formed of at least one of gold and platinum without plating the metal. This can prevent substances that are toxic in living organisms from adhering to the surface of the conductor 810 . Moreover, when plating is applied, the plating may peel off due to an external force on the conductor 810 . When the plating peels off, there is a risk that a substance that is toxic to living organisms will be exposed on the surface of the conductor 810 . However, since the conductor 810 is not plated and is made of at least one of gold and platinum, it is possible to avoid exposure of the surface of the conductor 810 to substances that are toxic to living organisms. can. As a result, the conductor 810 can maintain a safe state for a living body for a long period of time.

(第四実施形態)
次に、図11を参照して、第四実施形態について説明する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG.

図11は、図1のII矢視部分断面図であり、本実施形態の電極構造体104の一例を示す。本実施形態の電位測定装置101は、導電体203に替えて、凸部1101を備える。 FIG. 11 is a partial cross-sectional view taken along arrow II in FIG. 1 and shows an example of the electrode structure 104 of this embodiment. The potential measuring device 101 of this embodiment includes a convex portion 1101 instead of the conductor 203 .

凸部1101は、絶縁基板102の主表面から突出して形成され、絶縁性である。例えば、凸部1101は、窒化シリコン(Si4)、酸化シリコン(SiO)等により形成される。 Projection 1101 is formed to protrude from the main surface of insulating substrate 102 and is insulative. For example, the convex portion 1101 is made of silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 ), or the like.

絶縁層1102は、導電性配線103を覆うように主表面上に形成され、凸部1101を露出させる開口1103を有する。絶縁層1102は、例えば、窒化シリコン(Si4)、酸化シリコン(SiO)等により形成される。本実施形態では、複数の開口1103が平面視(図1参照)でドットマトリクス状に並ぶように、絶縁層1102に形成されている。 Insulating layer 1102 is formed on the main surface to cover conductive line 103 and has opening 1103 exposing projection 1101 . The insulating layer 1102 is made of, for example, silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxide (SiO 2 ), or the like. In this embodiment, a plurality of openings 1103 are formed in the insulating layer 1102 so as to be arranged in a dot matrix when viewed from above (see FIG. 1).

絶縁層1102は、配線被覆部201Aと、各凸部1101の周縁を覆う凸部被覆部1102Bと、基準部201Cとを含む。配線被覆部201A及び凸部被覆部1102Bは、基準部201Cよりも上方向に盛り上がっている。さらに、凸部被覆部1102Bは、配線被覆部201Aよりも上方向に盛り上がっている。従って、凸部被覆部1102Bの各表面の高さは、配線被覆部201Aの表面の高さよりも大きい。 The insulating layer 1102 includes a wire covering portion 201A, a convex portion covering portion 1102B covering the periphery of each convex portion 1101, and a reference portion 201C. The wire covering portion 201A and the convex portion covering portion 1102B swell above the reference portion 201C. Furthermore, the convex covering portion 1102B rises upward from the wiring covering portion 201A. Therefore, the height of each surface of the projection covering portion 1102B is greater than the height of the surface of the wire covering portion 201A.

凸部1101は、絶縁基板102の厚さ方向に絶縁層1102(配線被覆部201A)よりも外側(上方向)に突出する。絶縁層802の表面のうちで配線被覆部201Aの端部(即ち、配線被覆部201Aの上端部)を、天面1110という。凸部1101のうちで絶縁基板102から最も離れた位置にある端部(即ち、凸部1101の上端部)は、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる平面状の天面1111である。 The convex portion 1101 protrudes outward (upward) from the insulating layer 1102 (wiring covering portion 201A) in the thickness direction of the insulating substrate 102 . Among the surfaces of the insulating layer 802 , the end portion of the wire covering portion 201</b>A (that is, the upper end portion of the wire covering portion 201</b>A) is referred to as a top surface 1110 . The end of the protrusion 1101 that is farthest from the insulating substrate 102 (that is, the upper end of the protrusion 1101 ) is a planar top surface 1111 extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 .

電極202は、凸部1101の露出部分の天面1111を覆うように、凸部1101上に形成される。電極202は、絶縁基板102の厚さ方向に絶縁層1102よりも外側に突出している。電極202のうちで絶縁基板102から最も離れた位置にある端部(即ち、電極202の上端部)は、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる平面状の天面1112である。例えば、天面1110から天面1112までの上下方向(厚さ方向)の距離L4は、5μm以上である。距離L4は、5μm以上且つ100μm以下であってもよい。 The electrode 202 is formed on the convex portion 1101 so as to cover the top surface 1111 of the exposed portion of the convex portion 1101 . The electrode 202 protrudes outside the insulating layer 1102 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . The farthest end of the electrode 202 from the insulating substrate 102 (that is, the upper end of the electrode 202 ) is a planar top surface 1112 extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 . For example, the distance L4 in the vertical direction (thickness direction) from the top surface 1110 to the top surface 1112 is 5 μm or more. The distance L4 may be 5 μm or more and 100 μm or less.

複数の凸部1101及び導電性配線103が絶縁基板102上にパターニングされる。さらに、複数の凸部1101及び導電性配線103を覆うように、絶縁層1102が絶縁基板102上に積層される。絶縁基板102上に積層される絶縁層1102が、複数の凸部1101を露出するようエッチングされることで、絶縁層1102に複数の開口1103が形成される。凸部1101の天面1111を覆うように、電極202が凸部1101上に積層される。 A plurality of protrusions 1101 and conductive lines 103 are patterned on the insulating substrate 102 . Furthermore, an insulating layer 1102 is laminated on the insulating substrate 102 so as to cover the plurality of protrusions 1101 and the conductive wiring 103 . A plurality of openings 1103 are formed in the insulating layer 1102 by etching the insulating layer 1102 stacked on the insulating substrate 102 to expose the plurality of projections 1101 . An electrode 202 is laminated on the convex portion 1101 so as to cover the top surface 1111 of the convex portion 1101 .

これにより、電極202は距離L4の高さ分、絶縁層1102よりも上方に突出する。絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、生体試料401を複数の電極202に押し当てた場合、電極202が絶縁層1102よりも突出して形成されているので、上記と同様の理由により、生体試料401を電極202の天面1112のみに接触させることができる。これにより、生体試料401は電極202のみに電気的に接続できる。 As a result, the electrode 202 protrudes above the insulating layer 1102 by the height of the distance L4. When the biological sample 401 is pressed against the plurality of electrodes 202 toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward), the electrodes 202 are formed to protrude from the insulating layer 1102. For some reason, the biological sample 401 can be brought into contact only with the top surface 1112 of the electrode 202 . Thereby, the biological sample 401 can be electrically connected only to the electrode 202 .

(第五実施形態)
次に、図12~図15を参照して、第五実施形態について説明する。
(Fifth embodiment)
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 12 to 15. FIG.

図12は、電位測定装置1201の一例を示す模式的平面図である。電位測定装置1201は、絶縁基板102と、導電性配線103と、複数の電極構造体104と、絶縁層1301(図13参照)と、複数の周壁1202とを備える。 FIG. 12 is a schematic plan view showing an example of the potential measuring device 1201. As shown in FIG. The potential measuring device 1201 includes an insulating substrate 102 , conductive wiring 103 , multiple electrode structures 104 , an insulating layer 1301 (see FIG. 13), and multiple peripheral walls 1202 .

複数の周壁1202の各々は、平面視において絶縁基板102の主表面上において、各電極構造体104を取り囲むように形成される。導電性配線103は、平面視において、各周壁1202を貫通して、各周壁1202の内側にある電極構造体104に接続する。周壁1202は、絶縁材料により形成される。本実施形態の周壁1202は、無機絶縁材料により形成され、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンにより形成される。 Each of the plurality of peripheral walls 1202 is formed to surround each electrode structure 104 on the main surface of the insulating substrate 102 in plan view. The conductive wiring 103 penetrates each peripheral wall 1202 and connects to the electrode structure 104 inside each peripheral wall 1202 in plan view. Peripheral wall 1202 is formed of an insulating material. The peripheral wall 1202 of this embodiment is made of an inorganic insulating material, such as silicon oxide or silicon nitride.

図13は、図12のXIII矢視部分断面図である。図13に示すように、周壁1202は、絶縁基板102の厚さ方向において、電極202及び導電性配線103よりも外側(即ち、上方向)に突出する。換言すると、周壁1202は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として電極202及び導電性配線103よりも高い位置まで突出する。 13 is a partial cross-sectional view taken along arrow XIII in FIG. 12. FIG. As shown in FIG. 13, the peripheral wall 1202 protrudes outward (that is, upward) beyond the electrodes 202 and the conductive wirings 103 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, the peripheral wall 1202 protrudes to a position higher than the electrodes 202 and the conductive wirings 103 with respect to the main surface of the insulating substrate 102 in the height direction parallel to the thickness direction of the insulating substrate 102 .

絶縁層1301は、導電性配線103と、周壁1202とを覆うように絶縁基板102の主表面上に形成される。絶縁層1301は、電極202を露出させる開口204を有する。 Insulating layer 1301 is formed on the main surface of insulating substrate 102 so as to cover conductive wiring 103 and peripheral wall 1202 . The insulating layer 1301 has openings 204 that expose the electrodes 202 .

絶縁層1301は、配線被覆部201Aと、電極被覆部201Bと、各周壁1202を覆う周壁被覆部1301Bと、基準部201Cとを含む。電極被覆部201Bは、平面視で、周壁1202の内側に設けられて、電極202の周縁を覆う。周壁被覆部1301Bは、配線被覆部201A及び電極被覆部201Bよりも上方向に盛り上がっている。従って、周壁被覆部1301Bの各表面の高さは、配線被覆部201A及び電極被覆部201Bの高さよりも大きい。 The insulating layer 1301 includes a wire covering portion 201A, an electrode covering portion 201B, a peripheral wall covering portion 1301B covering each peripheral wall 1202, and a reference portion 201C. The electrode covering portion 201B is provided inside the peripheral wall 1202 and covers the peripheral edge of the electrode 202 in plan view. The peripheral wall covering portion 1301B protrudes upward from the wiring covering portion 201A and the electrode covering portion 201B. Therefore, the height of each surface of the peripheral wall covering portion 1301B is greater than the heights of the wiring covering portion 201A and the electrode covering portion 201B.

絶縁層1301の表面のうちで電極周囲部201Dの表面を、基準面1303という。周壁被覆部1301Bのうちで絶縁基板102から最も離れた位置にある端部(即ち、周壁被覆部1301Bの上端部)は、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる平面状の天面1304である。例えば、基準面1303から天面1304までの上下方向(厚さ方向)の距離L5は、5μm以上である。距離L5は、5μm以上且つ100μm以下であってもよい。 Among the surfaces of the insulating layer 1301 , the surface of the electrode peripheral portion 201</b>D is referred to as a reference surface 1303 . The end portion of the peripheral wall covering portion 1301B that is farthest from the insulating substrate 102 (that is, the upper end portion of the peripheral wall covering portion 1301B) is a planar top surface 1304 extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102. be. For example, the distance L5 in the vertical direction (thickness direction) from the reference surface 1303 to the top surface 1304 is 5 μm or more. The distance L5 may be 5 μm or more and 100 μm or less.

導電体203は、電極202の露出部分の上に設けられ、開口204を貫通して絶縁層1301の上方に突出する。導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向において周壁1202よりも外側に突出している。換言すると、導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として周壁1202よりも高い位置まで突出する。例えば、導電体203の高さは、基準面1303を基準として、周壁1202の高さの1.1倍以内である。または、導電体203の高さと周壁1202の高さとの差分は、100μm以下である。ここで、周壁1202の高さとは、絶縁基板102の厚み方向における、基準面1303から天面1304までの距離L5である。 A conductor 203 is provided on the exposed portion of the electrode 202 and protrudes above the insulating layer 1301 through the opening 204 . The conductor 203 protrudes outside the peripheral wall 1202 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, conductor 203 protrudes to a position higher than peripheral wall 1202 with respect to the main surface of insulating substrate 102 in the height direction parallel to the thickness direction of insulating substrate 102 . For example, the height of the conductor 203 is within 1.1 times the height of the peripheral wall 1202 with reference to the reference plane 1303 . Alternatively, the difference between the height of the conductor 203 and the height of the peripheral wall 1202 is 100 μm or less. Here, the height of the peripheral wall 1202 is the distance L5 from the reference surface 1303 to the top surface 1304 in the thickness direction of the insulating substrate 102 .

更に導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向において絶縁層1301よりも外側(即ち、上方向)に突出する。換言すると、導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として周壁被覆部1301よりも高い位置まで突出する。 Furthermore, the conductor 203 protrudes outward (that is, upward) from the insulating layer 1301 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, conductor 203 protrudes to a position higher than peripheral wall covering portion 1301 with respect to the main surface of insulating substrate 102 in the height direction parallel to the thickness direction of insulating substrate 102 .

本実施形態の電極構造体104の製造方法の前工程において、複数の電極202と複数の周壁1202と導電性配線103とが絶縁基板102上にパターニングされる。複数の電極202と複数の周壁1202と導電性配線103とを覆うように、絶縁層1301が絶縁基板102上に積層される。絶縁基板102上に積層される絶縁層1301が、複数の電極202を露出するようエッチングされることで、絶縁層1301に複数の開口204が形成される。そして、当該前工程で得られた電位測定装置1201を用いて、複数の導電材料301が複数の電極202の上に一つずつ形成される。 A plurality of electrodes 202 , a plurality of peripheral walls 1202 and conductive wiring 103 are patterned on insulating substrate 102 in the pre-process of the method of manufacturing electrode structure 104 of the present embodiment. An insulating layer 1301 is laminated on the insulating substrate 102 so as to cover the electrodes 202 , the peripheral walls 1202 and the conductive wiring 103 . A plurality of openings 204 are formed in the insulating layer 1301 by etching the insulating layer 1301 laminated on the insulating substrate 102 to expose the plurality of electrodes 202 . Then, using the potential measuring device 1201 obtained in the previous step, a plurality of conductive materials 301 are formed on the plurality of electrodes 202 one by one.

図14は、電位測定装置1001の利用形態の一例を示す図である。緩衝液402は導電性であるため、電極202が通電した場合、緩衝液402を介して、生体試料401と導電体203とが接触する部分以外において、生体試料401の電位変化が発生するおそれがある。しかし、導電体203を周壁1202で取り囲むことにより、周壁1202と導電体203間の緩衝液402を少なくできる。 FIG. 14 is a diagram showing an example of usage of the potential measuring device 1001. As shown in FIG. Since the buffer solution 402 is conductive, when the electrode 202 is energized, there is a possibility that the potential change of the biological sample 401 occurs through the buffer solution 402 except for the portion where the biological sample 401 and the conductor 203 are in contact with each other. be. However, by surrounding the conductor 203 with the peripheral wall 1202, the buffer solution 402 between the peripheral wall 1202 and the conductor 203 can be reduced.

さらに、平面視において周壁1202と導電体203との間隔が狭いほど、周壁1202と導電体203間の緩衝液402をより一層少なくできる。これにより、周壁1202は絶縁性であるため、生体試料401と導電体203とが接触する部分以外において、生体試料401の電位変化が発生することを抑制できる。 Furthermore, the narrower the distance between the peripheral wall 1202 and the conductor 203 in plan view, the less the buffer solution 402 between the peripheral wall 1202 and the conductor 203 can be. Accordingly, since the peripheral wall 1202 is insulative, it is possible to suppress the potential change of the biological sample 401 except for the portion where the biological sample 401 and the conductor 203 are in contact with each other.

また、周壁1202と導電体203間の緩衝液402が少ないほど、生体試料401が、導電体203の天面205に接触する位置から離れた位置に、緩衝液402を介して通電する恐れを抑制できる。そのため、周壁1202と導電体203間の緩衝液402が少ないほど、生体試料401と導電体203とが接触する部分以外において、生体試料401の電位変化が発生することを抑制できる。 In addition, the smaller the amount of buffer solution 402 between the peripheral wall 1202 and the conductor 203, the less likely the biological sample 401 is energized via the buffer solution 402 to a position away from the position where the biological sample 401 contacts the top surface 205 of the conductor 203. can. Therefore, the smaller the buffer solution 402 between the peripheral wall 1202 and the conductor 203, the more the potential change of the biological sample 401 can be suppressed except for the portion where the biological sample 401 and the conductor 203 are in contact with each other.

また、絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、生体試料401を複数の導電体203に押し当てた場合、周壁1202が導電体203を取り囲むことにより、生体試料401を導電体203の天面205と周壁1202とのみに接触させることができる。生体試料401が導電体203の天面205と周壁1202の天面1304とのみに接触することで、周壁1202は絶縁性であるため、生体試料401は、導電体203のみに電気的に接続できる。 In addition, when the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 203 toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward), the peripheral wall 1202 surrounds the conductors 203 so that the biological sample 401 is not exposed to the conductors. Only the top surface 205 of 203 and the peripheral wall 1202 can be brought into contact. Since the biological sample 401 contacts only the top surface 205 of the conductor 203 and the top surface 1304 of the peripheral wall 1202, the peripheral wall 1202 is insulative, so the biological sample 401 can be electrically connected only to the conductor 203. .

また、絶縁基板102の主表面に向けて、生体試料401を複数の導電体203に押し当てた場合、周壁1202が導電体203を取り囲むことにより、生体試料401が、導電体203の天面205の縁部から下方に垂れ下がり、電極202に接触することが抑制される。これにより、生体試料401は、より確実に導電体203のみに電気的に接続できる。 Further, when the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 203 toward the main surface of the insulating substrate 102 , the peripheral wall 1202 surrounds the conductors 203 , so that the biological sample 401 is placed on the top surface 205 of the conductors 203 . , and is prevented from coming into contact with the electrode 202 . Thereby, the biological sample 401 can be electrically connected only to the conductor 203 more reliably.

なお、生体試料401の弾性が高い場合絶縁基板102の主表面に向けて、生体試料401を導電体203に押し当てた際に、生体試料401のうち、導電体203の天面205に接触していない部分が、絶縁基板102の主表面に向けて、垂れ下がりやすい。そのため、生体試料401の弾性が高く、生体試料401が変形しやすい場合、導電体203の天面205と、周壁1202の天面1304との差が大きくてもよい。換言すると、生体試料401の弾性が高く、生体試料401が変形しやすい場合、導電体203の高さと周壁1202の高さとの差分の許容範囲が大きくなる。 Note that when the biological sample 401 has high elasticity, when the biological sample 401 is pressed against the conductor 203 toward the main surface of the insulating substrate 102, the top surface 205 of the conductor 203 of the biological sample 401 is contacted. The portion that is not exposed tends to hang down toward the main surface of the insulating substrate 102 . Therefore, when the biological sample 401 has high elasticity and is easily deformed, the difference between the top surface 205 of the conductor 203 and the top surface 1304 of the peripheral wall 1202 may be large. In other words, when the biological sample 401 has high elasticity and is easily deformed, the allowable range for the difference between the height of the conductor 203 and the height of the peripheral wall 1202 increases.

一方、生体試料401の弾性が低い場合、絶縁基板102の主表面に向けて、生体試料401を導電体203に押し当てた際に、生体試料401のうち、導電体203の天面205に接触していない部分が、絶縁基板102の主表面に向けて、垂れ下がりにくい。そのため、生体試料401の弾性が低く、生体試料401が変形しにくい場合、導電体203の高さと周壁1202の高さとの差分が小さいことが好ましい。 On the other hand, when the elasticity of the biological sample 401 is low, when the biological sample 401 is pressed against the conductor 203 toward the main surface of the insulating substrate 102, the biological sample 401 contacts the top surface 205 of the conductor 203. The non-stretched portion is less likely to hang down toward the main surface of insulating substrate 102 . Therefore, when the biological sample 401 has low elasticity and is difficult to deform, it is preferable that the difference between the height of the conductor 203 and the height of the peripheral wall 1202 is small.

また、図15は、図11に例示する導電体203を有する電位測定装置1201に周壁1202を適用した利用形態の一例を示す。図15に示すように、凸部1102上に形成された電極202に、絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、生体試料401を押し当てもよい。図15に示す構成においても、周壁1202が電極202を取り囲むため、電位測定装置1201は、上記と同様の効果を奏することができる。 Also, FIG. 15 shows an example of a mode of use in which a peripheral wall 1202 is applied to the potential measuring device 1201 having the conductor 203 illustrated in FIG. As shown in FIG. 15, the biological sample 401 may be pressed against the electrode 202 formed on the projection 1102 toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward). Also in the configuration shown in FIG. 15, since the peripheral wall 1202 surrounds the electrode 202, the potential measuring device 1201 can achieve the same effect as described above.

(第六実施形態)
次に、図16を参照して、第六実施形態について説明する。本実施形態に係る電位測定装置1201は、図13に示す周壁1202に替えて、周壁1602を備える。
(Sixth embodiment)
Next, with reference to FIG. 16, a sixth embodiment will be described. A potential measuring device 1201 according to this embodiment includes a peripheral wall 1602 instead of the peripheral wall 1202 shown in FIG.

図16は、図12のXIII矢視部分断面図である。 16 is a partial cross-sectional view taken along arrow XIII in FIG. 12. FIG.

絶縁層1603は、導電性配線103を覆うように絶縁基板102の主表面上に形成され、電極202を露出させる開口204を有する。絶縁層1603は、配線被覆部201Aと、電極被覆部201Bと、基準部201Cとを含む。絶縁層1603の表面のうちで、基準部201Cのうちで各電極構造体104の周囲は、電極周囲部201Dである。絶縁層1601の表面のうちで電極周囲部201Dの表面は、基準面210である。 Insulating layer 1603 is formed on the main surface of insulating substrate 102 to cover conductive wiring 103 and has openings 204 exposing electrodes 202 . Insulating layer 1603 includes wire covering portion 201A, electrode covering portion 201B, and reference portion 201C. On the surface of the insulating layer 1603, the periphery of each electrode structure 104 in the reference portion 201C is an electrode periphery portion 201D. Among the surfaces of the insulating layer 1601 , the surface of the electrode peripheral portion 201</b>D is the reference plane 210 .

周壁1602は、有機絶縁材料により形成され、例えば、樹脂材料により形成されてもよく、例えば、ポリイミド系材料により形成されてもよい。周壁1602は、絶縁層1603上に形成される。具体的には、周壁1602は、基準部201C上に形成される。周壁1602のうちで絶縁基板102から最も離れた位置にある端部(即ち、周壁1602の上端部)は、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる天面1604である。例えば、基準面210から天面1604までの上下方向(厚さ方向)の距離L6は、5μm以上且つ100μm以下であってもよい。 The peripheral wall 1602 is made of an organic insulating material, for example, it may be made of a resin material, or it may be made of a polyimide-based material, for example. A peripheral wall 1602 is formed on the insulating layer 1603 . Specifically, the peripheral wall 1602 is formed on the reference portion 201C. The end of the peripheral wall 1602 farthest from the insulating substrate 102 (that is, the upper end of the peripheral wall 1602 ) is a top surface 1604 extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102 . For example, the distance L6 in the vertical direction (thickness direction) from the reference surface 210 to the top surface 1604 may be 5 μm or more and 100 μm or less.

周壁1602は、絶縁基板102の厚さ方向において、導電体203よりも外側(即ち、上方向)に突出する。換言すると、導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として周壁1602よりも高い位置まで突出する。導電体203の高さは、基準面210を基準として、周壁1602の高さの1.1倍以内である。または、導電体203の高さと周壁1602の高さとの差分は、100μm以下である。ここで、周壁1602の高さとは、絶縁基板102の厚み方向における、基準面210から天面1604までの距離L6である。 The peripheral wall 1602 protrudes outward (that is, upward) from the conductor 203 in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, conductor 203 protrudes to a position higher than peripheral wall 1602 with respect to the main surface of insulating substrate 102 in the height direction parallel to the thickness direction of insulating substrate 102 . The height of the conductor 203 is within 1.1 times the height of the peripheral wall 1602 with reference to the reference plane 210 . Alternatively, the difference between the height of the conductor 203 and the height of the peripheral wall 1602 is 100 μm or less. Here, the height of the peripheral wall 1602 is the distance L6 from the reference surface 210 to the top surface 1604 in the thickness direction of the insulating substrate 102 .

図17は、本実施形態の電位測定装置1201の利用形態の一例を示す図である。 FIG. 17 is a diagram showing an example of usage of the potential measuring device 1201 of this embodiment.

周壁1602が有機絶縁材料により形成されることにより、周壁1602が無機絶縁材料により形成される場合よりも、周壁1602を任意の形状に形成することが容易になるとともに、周壁1602を高く形成することが容易になる。それにより、周壁1602を無機絶縁材料により形成する場合よりも、生体試料401と導電体203とが接触する位置と、絶縁層201との差を大きくできる。 By forming the peripheral wall 1602 from an organic insulating material, it becomes easier to form the peripheral wall 1602 into an arbitrary shape than when the peripheral wall 1602 is formed from an inorganic insulating material, and the peripheral wall 1602 can be formed higher. becomes easier. Thereby, the difference between the position where the biological sample 401 and the conductor 203 contact and the insulating layer 201 can be made larger than when the peripheral wall 1602 is formed of an inorganic insulating material.

生体試料401と導電体203とが接触する位置と、絶縁層201との差を大きくなることで、生体試料401の一部が天面205の縁部から下方に垂れ下がった場合でも、その垂れ下がった試料部分が電極202に接触することが抑制される。その結果、絶縁基板102の主表面に向けて(即ち下方向に)、生体試料401を複数の導電体203に押し当てた場合、生体試料401と導電体203とが接触する位置と、絶縁層1603との差が大きいほど、導電性配線103の絶縁の安定性を向上させることができる。 By increasing the difference between the contact position between the biological sample 401 and the conductor 203 and the insulating layer 201, even if a part of the biological sample 401 hangs down from the edge of the top surface 205, the hanging down can be prevented. Contact of the sample portion with the electrode 202 is suppressed. As a result, when the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 203 toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward), the position where the biological sample 401 and the conductors 203 contact and the insulating layer The greater the difference from 1603, the more stable the insulation of the conductive wiring 103 can be improved.

(第七実施形態)
次に、図18~図19を参照して、第七実施形態について説明する。
(Seventh embodiment)
Next, a seventh embodiment will be described with reference to FIGS. 18 and 19. FIG.

図18は、図12のXIII矢視部分断面図である。導電体203は、図2、図5または図8に示す形状であってもよい。または、電極構造体104の構造は、図11に例示する構造であってもよい。 18 is a partial cross-sectional view taken along arrow XIII in FIG. 12. FIG. Conductor 203 may be shaped as shown in FIG. 2, FIG. 5 or FIG. Alternatively, the structure of the electrode structure 104 may be the structure illustrated in FIG.

絶縁基板102は、主表面に複数の凹部1801を有する。本実施形態では、複数の開口1804が、平面視(図12参照)でドットマトリクス状に並ぶように、絶縁基板102の主表面に形成されている。複数の電極202は、夫々、複数の凹部1801の底面1802上に設けられ、導電性配線103に電気的に接続される。絶縁層1803は、導電性配線103を覆うように絶縁基板102の主表面上に形成され、複数の電極202を夫々露出させる複数の開口1804を有する。 Insulating substrate 102 has a plurality of recesses 1801 on its main surface. In this embodiment, a plurality of openings 1804 are formed on the main surface of the insulating substrate 102 so as to be arranged in a dot matrix when viewed from above (see FIG. 12). A plurality of electrodes 202 are provided on the bottom surfaces 1802 of the plurality of recesses 1801 and electrically connected to the conductive wiring 103 . An insulating layer 1803 is formed on the main surface of insulating substrate 102 to cover conductive wiring 103 and has a plurality of openings 1804 exposing a plurality of electrodes 202, respectively.

絶縁層1803は、配線被覆部201Aと、電極被覆部201Bと、基準部1803Cと、絶縁層凹部1803Dとを含む。基準部1803Cは、絶縁基板102と直接接触し、配線被覆部201Aから導電性配線103が形成された面と略平行に伸びる。絶縁層凹部1803Dは、絶縁基板102と直接接触し、凹部1801の表面を覆う。絶縁層凹部1803Dのうち、電極202の周囲を覆う部分を、電極周囲部1803Eという。 The insulating layer 1803 includes a wire covering portion 201A, an electrode covering portion 201B, a reference portion 1803C, and an insulating layer concave portion 1803D. The reference portion 1803C is in direct contact with the insulating substrate 102 and extends substantially parallel to the surface on which the conductive wiring 103 is formed from the wiring covering portion 201A. The insulating layer recess 1803</b>D directly contacts the insulating substrate 102 and covers the surface of the recess 1801 . A portion of the insulating layer concave portion 1803D that covers the periphery of the electrode 202 is referred to as an electrode peripheral portion 1803E.

配線被覆部201Aは、基準部1803Cよりも上方向に盛り上がっている。従って、配線被覆部201Aの各表面の高さは、基準部1803Cの表面の高さよりも大きい。電極周囲部1803Eは、平面視で、各電極構造体104の全体を取り囲み、且つ各電極構造体104よりも外側に延びる。 The wire covering portion 201A rises above the reference portion 1803C. Therefore, the height of each surface of the wire covering portion 201A is greater than the height of the surface of the reference portion 1803C. The electrode surrounding portion 1803E surrounds the entire electrode structure 104 and extends outside the electrode structure 104 in plan view.

絶縁層1803の表面のうちで電極周囲部1803Eの表面を、基準面1810という。また、配線被覆部201Aの表面のうちで、絶縁基板102から最も離れた位置にある端部(即ち、配線被覆部201Aの上端部)は、絶縁基板102の主表面と略平行に広がる平面状の天面1805である。例えば、基準面1810から天面205までの上下方向(厚さ方向)の距離L7は、5μm以上である。距離L7は、5μm以上且つ100μm以下であってもよい。 Among the surfaces of the insulating layer 1803, the surface of the electrode peripheral portion 1803E is referred to as a reference surface 1810. FIG. In addition, of the surface of the wire covering portion 201A, the end farthest from the insulating substrate 102 (that is, the upper end portion of the wire covering portion 201A) has a planar shape extending substantially parallel to the main surface of the insulating substrate 102. is the top surface 1805 of the . For example, a distance L7 in the vertical direction (thickness direction) from the reference surface 1810 to the top surface 205 is 5 μm or more. The distance L7 may be 5 μm or more and 100 μm or less.

複数の電極構造体104は、夫々、複数の開口1804に一つずつ配置される。導電体203は、電極202の露出部分の上に設けられる。導電体203は、絶縁基板10の厚さ方向において主表面よりも外側(即ち、上方向)に突出する。具体的には、導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向において、配線被覆部201Aの天面1805よりも外側に突出している。換言すると、導電体203は、絶縁基板102の厚さ方向と平行な高さ方向において、絶縁基板102の主表面を基準として絶縁層1803の上端部(即ち、配線被覆部201Aの天面1805)よりも高い位置まで突出する。例えば、導電体203の天面205の高さは、絶縁層1803の上端部の高さの1.1倍以内である。または、導電体203の高さと、絶縁層1803の上端部との高さとの差分は、100μm以下である。 A plurality of electrode structures 104 are respectively disposed in the plurality of openings 1804 . A conductor 203 is provided over the exposed portion of the electrode 202 . The conductor 203 protrudes outward (that is, upward) from the main surface in the thickness direction of the insulating substrate 10 . Specifically, the conductor 203 protrudes outward from the top surface 1805 of the wire covering portion 201A in the thickness direction of the insulating substrate 102 . In other words, the conductor 203 is located at the upper end of the insulating layer 1803 (that is, the top surface 1805 of the wire covering portion 201A) with the main surface of the insulating substrate 102 as a reference in the height direction parallel to the thickness direction of the insulating substrate 102. protrude higher than For example, the height of the top surface 205 of the conductor 203 is within 1.1 times the height of the upper end of the insulating layer 1803 . Alternatively, the difference between the height of the conductor 203 and the height of the upper end of the insulating layer 1803 is 100 μm or less.

本実施形態の電極構造体104の製造方法の前工程において、複数の凹部1801を形成するように、絶縁基板103を加工する。複数の凹部1801のそれぞれの底面1802上に、電極202がパターニングされる。さらに、導電性配線103が絶縁基板102にパターニングされる。さらに、複数の電極202及び導電性配線103が絶縁基板102上にパターニングされる。さらに、複数の電極202及び導電性配線103を覆うように、絶縁層201が絶縁基板102上に積層される。絶縁基板102上に積層される絶縁層201が、複数の電極202を露出される。そして、当該前工程で得られた電位測定装置1201を用いて、複数の導電材料301が複数の電極202の上に一つずつ形成される。 In the pre-process of the method for manufacturing the electrode structure 104 of this embodiment, the insulating substrate 103 is processed so as to form a plurality of recesses 1801 . An electrode 202 is patterned on the bottom surface 1802 of each of the plurality of recesses 1801 . Further, conductive traces 103 are patterned on the insulating substrate 102 . Furthermore, a plurality of electrodes 202 and conductive traces 103 are patterned on the insulating substrate 102 . Furthermore, an insulating layer 201 is laminated on the insulating substrate 102 so as to cover the plurality of electrodes 202 and the conductive wiring 103 . An insulating layer 201 stacked on an insulating substrate 102 has a plurality of electrodes 202 exposed. Then, using the potential measuring device 1201 obtained in the previous step, a plurality of conductive materials 301 are formed on the plurality of electrodes 202 one by one.

次に、本実施形態の電位測定装置101の利用形態の一例について説明する。図19は、本実施形態の電位測定装置101の利用形態の一例を示す図である。 Next, an example of usage of the potential measuring device 101 of this embodiment will be described. FIG. 19 is a diagram showing an example of usage of the potential measuring device 101 of this embodiment.

絶縁基板102の主表面に向けて(即ち、下方向に)、生体試料401を複数の導電体203に押し当てた場合、凹部1801に形成された電極202上に導電体203が形成されることにより、導電体203の天面205と、絶縁層1803の上端部(即ち、配線被覆部201Aの天面1805)とのみに生体試料401を接触させることができる。これにより、上記と同様の理由により、生体試料401は、導電体203のみに電気的に接続される。 When the biological sample 401 is pressed against the plurality of conductors 203 toward the main surface of the insulating substrate 102 (that is, downward), the conductors 203 are formed on the electrodes 202 formed in the recesses 1801. Thus, the biological sample 401 can be brought into contact only with the top surface 205 of the conductor 203 and the upper end portion of the insulating layer 1803 (that is, the top surface 1805 of the wire covering portion 201A). As a result, the biological sample 401 is electrically connected only to the conductor 203 for the same reason as described above.

さらに、凹部1801に形成された電極202上に導電体203が形成されることにより、電極202を周壁1202または周壁1602で取り囲むことなく、生体試料401と導電体203とが接触する位置と、絶縁層1603との差を大きくできる。これにより、上記と同様の理由により、導電性配線103の絶縁の安定性が向上する。 Further, since the conductor 203 is formed on the electrode 202 formed in the recess 1801, the electrode 202 is not surrounded by the peripheral wall 1202 or the peripheral wall 1602, and the position where the biological sample 401 and the conductor 203 are in contact with each other is insulated. The difference from layer 1603 can be increased. This improves the stability of the insulation of the conductive wiring 103 for the same reason as described above.

なお、生体試料401の弾性が高く、生体試料401が変形しやすい場合には、上記と同様の理由により、導電体203の高さと絶縁層1803の上端部との高さの差分の許容範囲が大きくなる。同様に、生体試料401の弾性が低く、生体試料401が変形しにくい場合、上記と同様の理由により、導電体203の高さと絶縁層1803の上端部との高さの差分が小さいことが好ましい。 Note that when the biological sample 401 has high elasticity and is easily deformed, for the same reason as described above, the allowable range for the difference in height between the height of the conductor 203 and the upper end of the insulating layer 1803 is limited. growing. Similarly, when the biological sample 401 has low elasticity and is difficult to deform, it is preferable that the height difference between the height of the conductor 203 and the upper end of the insulating layer 1803 is small for the same reason as described above. .

本開示は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記の実施の形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えてもよい。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments. It may be replaced with a possible configuration.

10 絶縁基板、101 電位測定装置、102 絶縁基板、103 導電性配線、104 電極構造体、201 絶縁層、201A 配線被覆部、201B 電極被覆部、201C 基準部、201D 電極周囲部、202 電極、203 導電体、204 開口、205 天面、210 基準面、310 導電材料、311 金型、312 突出端、313 金型、401 生体試料、402 緩衝液、501 突起、502 頂点、503 基部、510 導電体、511 天面、611 金型、801 台座部、802 先端部、803 天面、804 上端面、805 突起、810 導電体、910 ボール形状部、911A 第一端部、911B 第二端部、912 筒体、913 ワイヤ、1101 凸部、1102 絶縁層、1102B 凸部被覆部、1103 開口、1110 天面、1111 天面、1112 天面、1201 電位測定装置、1202 周壁、1301 絶縁層、1301B 周壁被覆部、1303 基準面、1304 天面、1601 絶縁層、1602 周壁、1603 絶縁層、1604 天面、1801 凹部、1802 底面、1803 絶縁層、1803C 基準部、1803D 絶縁層凹部、1803E 電極周囲部、1804 開口、1805 天面、1810 基準面 Reference Signs List 10 insulating substrate 101 potential measuring device 102 insulating substrate 103 conductive wiring 104 electrode structure 201 insulating layer 201A wire covering portion 201B electrode covering portion 201C reference portion 201D electrode surrounding portion 202 electrode 203 Conductor, 204 Opening, 205 Top surface, 210 Reference surface, 310 Conductive material, 311 Mold, 312 Protruding end, 313 Mold, 401 Biological sample, 402 Buffer solution, 501 Projection, 502 Vertex, 503 Base, 510 Conductor , 511 top surface, 611 mold, 801 base portion, 802 tip portion, 803 top surface, 804 upper end surface, 805 protrusion, 810 conductor, 910 ball-shaped portion, 911A first end portion, 911B second end portion, 912 Cylindrical body 913 Wire 1101 Projection 1102 Insulating layer 1102B Projection covering 1103 Opening 1110 Top surface 1111 Top surface 1112 Top surface 1201 Potential measuring device 1202 Peripheral wall 1301 Insulating layer 1301B Peripheral wall covering Part 1303 reference surface 1304 top surface 1601 insulating layer 1602 peripheral wall 1603 insulating layer 1604 top surface 1801 recessed portion 1802 bottom surface 1803 insulating layer 1803C reference portion 1803D insulating layer recessed portion 1803E electrode surrounding portion 1804 opening, 1805 top surface, 1810 reference surface

Claims (9)

絶縁基板と、
前記絶縁基板の主表面上に配置された導電性配線と、
前記導電性配線に電気的に接続された電極と、
前記導電性配線を覆うように前記主表面上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁層と、
前記電極の露出部分の上に設けられ、前記絶縁基板の厚さ方向において前記絶縁層よりも外側に突出する導電体と、
平面視において前記主表面上に前記導電体を取り囲む絶縁性の周壁と、を備えた、電位測定装置。
an insulating substrate;
a conductive trace disposed on the main surface of the insulating substrate;
an electrode electrically connected to the conductive wiring;
an insulating layer formed on the main surface so as to cover the conductive wiring and having an opening exposing the electrode;
a conductor provided on the exposed portion of the electrode and protruding outside the insulating layer in the thickness direction of the insulating substrate;
and an insulating peripheral wall surrounding the conductor on the main surface in a plan view.
前記周壁は有機絶縁材料または無機絶縁材料の少なくともいずれか一方からなる、請求項1に記載の電位測定装置。 2. The potential measuring device according to claim 1, wherein said peripheral wall is made of at least one of an organic insulating material and an inorganic insulating material. 前記導電体は、前記絶縁基板の厚さ方向において前記周壁よりも外側に突出している、請求項1に記載の電位測定装置。 2. The potential measuring device according to claim 1, wherein said conductor protrudes outside said peripheral wall in the thickness direction of said insulating substrate. 前記導電体の高さは、前記周壁の高さの1.1倍以内である、請求項3に記載の電位測定装置。 4. The potential measuring device according to claim 3, wherein the height of said conductor is within 1.1 times the height of said peripheral wall. 前記導電体の高さと前記周壁の高さとの差分は、100μm以下である、請求項3に記載の電位測定装置。 4. The potential measuring device according to claim 3, wherein the difference between the height of said conductor and the height of said peripheral wall is 100 [mu]m or less. 前記導電体は金および白金の少なくともいずれか一方からなる、請求項1に記載の電位測定装置。 2. The potential measuring device according to claim 1, wherein said conductor is made of at least one of gold and platinum. 主表面に凹部を有する絶縁基板と、
前記主表面上に配置された導電性配線と、
前記導電性配線に電気的に接続され、前記凹部の底面上に設けられた電極と、
前記導電性配線を覆うように前記主表面上に形成され、前記電極を露出させる開口を有する絶縁層と、
前記電極の露出部分の上に設けられ、前記絶縁基板の厚さ方向において前記主表面よりも外側に突出する導電体と、を備えた、電位測定装置。
an insulating substrate having recesses on its main surface;
a conductive trace disposed on the major surface;
an electrode electrically connected to the conductive wiring and provided on the bottom surface of the recess;
an insulating layer formed on the main surface so as to cover the conductive wiring and having an opening exposing the electrode;
a conductor provided on an exposed portion of the electrode and protruding outside the main surface in the thickness direction of the insulating substrate.
前記導電体は金および白金の少なくともいずれか一方からなる、請求項に記載の電位測定装置。 8. The potential measuring device according to claim 7 , wherein said conductor is made of at least one of gold and platinum. 平面視において前記導電体の面積は、前記電極の面積より大きい、請求項に記載の電位測定装置。 8. The potential measuring device according to claim 7 , wherein an area of said conductor is larger than an area of said electrode in plan view.
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