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JP7317638B2 - Electroforming mold manufacturing method - Google Patents
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Description

本発明は、例えば流路基板等を形成するための電鋳金型製造方法に関する。 The present invention relates to an electroforming mold manufacturing method for forming, for example, a channel substrate.

電鋳金型は、微細かつ繊細な構造を樹脂部材に付与するために当該樹脂部材の成型の際に使用されている。微細かつ繊細な構造を得るための手法として、電鋳金型を用いて好適に製造する方法が知られている。 Electroforming molds are used in molding resin members in order to impart fine and delicate structures to the resin members. As a technique for obtaining a fine and delicate structure, a suitable manufacturing method using an electroforming mold is known.

このような電鋳金型は、ステンレス製や樹脂製の電鋳金型用マスターを準備し、このマスターに電鋳ニッケル等の金属メッキを施し、この金属メッキ形状を電鋳金型材料に転写することで製造されている。(例えば、特許文献1参照。) Such an electroforming mold is made by preparing an electroforming mold master made of stainless steel or resin, applying metal plating such as electroforming nickel to this master, and transferring the metal plating shape to the electroforming mold material. manufactured. (For example, see Patent Document 1.)

特開2008-57004号公報JP-A-2008-57004

電鋳金型を用いて製造する樹脂部材の一例として、流路基板が知られている。この流路基板は、基板面上に適量の試験液を流すための流路が形成されており、この流路に血液など、微量の試験液を流してバイオ・化学的分析を行うものである。この流路の形状は微細かつ繊細な構造が求められ、それと同時に複雑な形状の流路基板が求められている。 A channel substrate is known as an example of a resin member manufactured using an electroforming mold. This flow path substrate has a flow path formed on the surface of the substrate for allowing an appropriate amount of test liquid to flow, and a small amount of test liquid such as blood is flowed through this flow path for bio/chemical analysis. . The shape of the flow path is required to have a fine and delicate structure, and at the same time, a flow path substrate having a complicated shape is required.

本発明は、上述の要求に応えるべく、微細かつ繊細な構造、あるいは複雑な構造であっても、その構造を正確に樹脂部材に付与できる電鋳金型の製造方法を提供することを目的とするものである。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electroforming mold that can accurately give a structure to a resin member even if it is a fine and delicate structure or a complicated structure, in order to meet the above-mentioned demands. It is.

第一基板に凹部を形成し、前記第一基板の凹部内面を含む凹部形成面上に第一金属層を形成する工程と、前記第一金属層をメッキシード層として給電し、前記第一基板の凹部内をメッキで充填すると共に前記第一基板の表面上にメッキ層を形成する工程と、前記第一基板の表面上に形成されたメッキ層を除去する工程と、第二基板に凹部を形成し、前記第二基板の凹部内面を含む凹部形成面上に第一金属層を形成する工程と、前記第一金属層をメッキシード層として給電し、前記第二基板の凹部内をメッキで充填すると共に前記第二基板の表面上にメッキ層を形成する工程と、前記第二基板の表面上に形成されたメッキ層を除去する工程と、前記第一基板と前記第二基板を、各々の基板に設けられたメッキ充填された凹部同士を対向配置して接合する工程と、前記第一基板と前記第二基板の接合面と対向する何れか一方の面を研磨し、前記凹部内に充填されたメッキの一部を露出させる工程と、前記第一基板と前記第二基板の何れか一方で、前記メッキの一部が露出した基板表面に第二金属層を形成する工程と、前記第二金属層をメッキシード層として給電し、基板表面部において一定の厚みになるまでメッキ成長させて前記第一基板と第二基板の凹部内から基板表面部まで連通する金属メッキ形状部を形成する工程と、前記第一基板と第二基板のみを除去して前記金属メッキ形状部のみを露出させる工程と、を有する電鋳金型製造方法とする。 forming a recess in a first substrate and forming a first metal layer on the recess forming surface including the inner surface of the recess of the first substrate; feeding power to the first metal layer as a plating seed layer; forming a plated layer on the surface of the first substrate, removing the plated layer formed on the surface of the first substrate, and forming the recessed portion in the second substrate. and forming a first metal layer on the concave portion forming surface including the inner surface of the concave portion of the second substrate; supplying power to the first metal layer as a plating seed layer and plating the inside of the concave portion of the second substrate; filling and forming a plated layer on the surface of the second substrate; removing the plated layer formed on the surface of the second substrate; a step of arranging and joining the plated-filled recesses provided in the substrates of the above, and polishing one of the surfaces facing the joining surfaces of the first substrate and the second substrate, exposing a portion of the filled plating; forming a second metal layer on the surface of either the first substrate or the second substrate where the plating is partially exposed; Power is supplied to the second metal layer as a plating seed layer, and plating is grown on the surface of the substrate until it reaches a certain thickness to form a metal plating shape portion that communicates from the recesses of the first and second substrates to the surface of the substrate. and a step of removing only the first substrate and the second substrate to expose only the metal-plated shape portion.

前記第一基板及び前記第二基板は、シリコン基板であり、前記第一基板の凹部と前記第二基板の凹部は、エッチング手法により形成することができる。 The first substrate and the second substrate are silicon substrates, and the concave portion of the first substrate and the concave portion of the second substrate can be formed by an etching technique.

前記第一基板の凹部と前記第二基板の凹部は、断面視略半円形状に形成することができる。 The concave portion of the first substrate and the concave portion of the second substrate can be formed in a substantially semicircular shape when viewed in cross section.

前記第一金属層と前記第二金属層は、メッキシード層であり、Au/Cr、Au/Ti、又はCr/Tiで構成することができる。 The first metal layer and the second metal layer are plating seed layers and can be composed of Au/Cr, Au/Ti, or Cr/Ti.

前記第一基板と第二基板を接合する工程は、各々の基板面の一部に形成された金属接合層を介して接合することができる。 In the step of bonding the first substrate and the second substrate, they can be bonded via a metal bonding layer formed on a part of each substrate surface.

前記金属接合層は、Au又はAuSnで構成することができる。 The metal bonding layer can be composed of Au or AuSn.

本発明の電鋳金型製造方法によれば、微細かつ繊細な構造、あるいは複雑な構造であっても、その構造を正確に樹脂部材に付与できる電鋳金型の製造方法を提供できる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the electroforming mold manufacturing method of the present invention, it is possible to provide an electroforming mold manufacturing method that can accurately give a structure to a resin member even if it has a fine and delicate structure or a complicated structure.

流路基板の一例を示す図で、(a)は平面図。(b)はA-A断面図。It is a figure which shows an example of a flow-path board|substrate, (a) is a top view. (b) is a cross-sectional view along AA. 本発明の一実施形態の電鋳金型製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the electroforming metal mold|die manufacturing method of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の電鋳金型製造方法を説明するための図。The figure for demonstrating the electroforming metal mold|die manufacturing method of one Embodiment of this invention.

図1は、流路基板の一例を示す図で、(a)は平面図。(b)はA-A断面図である。1は流路基板で、その基板面上には、試験液等を流すための流路2が形成されている。この流路2は断面凹状に形成され、基板面上において帯状に配設されている。この流路2に微量の試験液を流してバイオ・化学的分析がなされるものである。 FIG. 1 is a diagram showing an example of a flow path substrate, and (a) is a plan view. (b) is a cross-sectional view taken along the line AA. Reference numeral 1 denotes a channel substrate, and a channel 2 for flowing a test liquid or the like is formed on the substrate surface. The channel 2 is formed to have a concave cross-section and is arranged in a belt shape on the substrate surface. A small amount of test liquid is allowed to flow through the channel 2 for bio/chemical analysis.

この流路2の形状は、分析対象となる試験液により微細かつ繊細な形状が求められるが、例えば、血液分析に用いる場合には、血管を模した形状が好適とされ、図1(b)の断面図に示す通り、断面視で円形の凹部形状とすることが求められることになる。
図1に示した流路基板1は、電鋳金型を用いて樹脂部材により製造されたものである。
以下、前記流路基板1の製造に用いる本発明の電鋳金型製造方法について説明する。
The shape of the channel 2 is required to be fine and delicate depending on the test liquid to be analyzed. As shown in the cross-sectional view of FIG.
The flow path substrate 1 shown in FIG. 1 is manufactured from a resin member using an electroforming mold.
The electroforming mold manufacturing method of the present invention used for manufacturing the channel substrate 1 will be described below.

本発明の一実施形態の電鋳金型製造方法について、図2及び図3を参照して詳細に説明する。
図2は、本発明の一実施形態の電鋳金型製造方法を説明するための図で、(a)~(g)は、電鋳金型を製造するための母基板を成す第一基板の製造過程を工程毎に示したものである。
An electroforming mold manufacturing method according to one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.
FIG. 2 is a diagram for explaining an electroforming mold manufacturing method according to an embodiment of the present invention, and (a) to (g) show the manufacturing of a first substrate forming a mother substrate for manufacturing an electroforming mold. The process is shown step by step.

先ず、(a)に示すように、第一基板3を準備する。第一基板3は、例えば、サイズがφ4インチのシリコン基板で電鋳金型を作製するための母基板となるものであるが、図においては、その側面の一部断面のみを示している。 First, as shown in (a), the first substrate 3 is prepared. The first substrate 3 is, for example, a silicon substrate having a size of φ4 inches and serves as a mother substrate for producing an electroforming mold.

図2(b)~(d)は、第一基板3に凹部3aを形成する工程を示している。図2(b)に図示する4はレジストマスクであり、このレジストマスク4は、開口部4aを有しており、第一基板3に成膜したレジスト膜をフォトリソエッチングにより、適宜形成される。 2(b) to (d) show the steps of forming the recess 3a in the first substrate 3. FIG. Reference numeral 4 in FIG. 2B denotes a resist mask. This resist mask 4 has an opening 4a and is appropriately formed by photolithographic etching of a resist film formed on the first substrate 3. As shown in FIG.

図2(c)に示すように、レジストマスク4を形成した後、当該レジストマスク4をエッチングマスクとして用い、第一基板3に用いたシリコン基板をエッチングすることで凹部3aを形成する。本実施形態においては、例えば、SF6ガスによる等方性エッチングを採用している。これにより、図2(c)に示すように、断面視半円形状を成す凹部が得られる。 As shown in FIG. 2C, after the resist mask 4 is formed, the silicon substrate used for the first substrate 3 is etched using the resist mask 4 as an etching mask to form the concave portions 3a. In this embodiment, for example, isotropic etching using SF6 gas is employed. Thereby, as shown in FIG.2(c), the recessed part which comprises cross-sectional view semicircle shape is obtained.

続いて、第一基板3の表面に残るレジストマスク4をすべて除去し、図2(d)に示すように凹部3aが形成された状態にする。尚、図示していないが、ここで形成される凹部3aは、平面的には、図1において示す流路に対応する形状で基板面に配設されるものである。 Subsequently, all of the resist mask 4 remaining on the surface of the first substrate 3 is removed, leaving the recesses 3a formed as shown in FIG. 2(d). Although not shown, the concave portion 3a formed here is arranged on the substrate surface in a shape corresponding to the flow path shown in FIG. 1 in plan view.

続いて、図2(e)に示すように、第一基板3の凹部3aの内面を含む凹部形成面上に第一金属層5を形成する。第一金属層5は、例えば、Au/Cr、Au/Ti、又はCr/Ti等の材質を適宜選択して使用でき、蒸着、スパッタ等の手法で成膜することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 2( e ), the first metal layer 5 is formed on the recess forming surface including the inner surface of the recess 3 a of the first substrate 3 . For the first metal layer 5, for example, a material such as Au/Cr, Au/Ti, or Cr/Ti can be appropriately selected and used, and can be formed by a method such as vapor deposition or sputtering.

続いて、図2(f)に示すように、前記第一基板3に形成した第一金属層5をメッキシード層とし、これに給電し、電解メッキ手法によりメッキ成長させる。これにより前記凹部3a内をメッキ充填する。さらに、この凹部3aを完全に埋めきるよう、凹部3aから連通して第一基板3の表面上に至るまでメッキ成長させメッキ層5aを形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 2(f), the first metal layer 5 formed on the first substrate 3 is used as a plating seed layer, power is supplied to the seed layer, and the plating is grown by an electrolytic plating method. As a result, the inside of the concave portion 3a is filled with plating. Furthermore, the plated layer 5a is formed by plating growth from the recessed portion 3a to the surface of the first substrate 3 so as to completely fill the recessed portion 3a.

その後、第一基板3の表面に形成されたメッキ層5aの内、第一基板3の表面部が露出するまで研磨して除去する。こうすることにより、凹部3a内にのみメッキ層5aを残す。 Thereafter, the plated layer 5a formed on the surface of the first substrate 3 is polished and removed until the surface portion of the first substrate 3 is exposed. By doing so, the plated layer 5a is left only in the concave portion 3a.

続いて、図2(g)に示すように、第一基板3のメッキ層5aが充填された基板面に金属接合層6を形成する。この金属接合層6は、例えば、Au又はAuSn等の材料から選択される。ここまでの工程において、第一基板3が完成する。 Subsequently, as shown in FIG. 2G, a metal bonding layer 6 is formed on the surface of the first substrate 3 filled with the plated layer 5a. This metal bonding layer 6 is selected from materials such as Au or AuSn, for example. Through the steps up to this point, the first substrate 3 is completed.

続いて、前記工程にて形成された第一基板3と同様に、第二基板を形成する。特に図示はしないが、この第二基板は、基板サイズや基板面に形成される凹部形状、基板面上の形成位置については、第一基板と同様に形成される。 Subsequently, a second substrate is formed in the same manner as the first substrate 3 formed in the above process. Although not particularly illustrated, the second substrate is formed in the same manner as the first substrate in terms of the size of the substrate, the shape of the recess formed on the substrate surface, and the formation position on the substrate surface.

図3は、本発明の一実施形態の電鋳金型製造方法を説明するための図で、(a)~(e)は、第一基板と第二基板を母基板として用い製造する電鋳金型の製造過程を工程毎に示した図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining the electroforming mold manufacturing method of one embodiment of the present invention, (a) to (e) are electroforming molds manufactured using the first substrate and the second substrate as mother substrates. It is the figure which showed the manufacturing process of this for every process.

図3(a)は、前記工程にて形成された第一基板3と第二基板7を貼り合わせる工程を示している。本図では、第一基板3を下側に、第二基板7を第一基板3の上方に配置した構成である。貼り合わせの位置関係は、第一基板3の凹部3aに充填されたメッキ層5aと第二基板7の凹部7aに充填されたメッキ層5aが対向した位置関係で貼り合わされる。各々の凹部3a、7aに充填されたメッキ層5aは断面視略半円形状とされているため、貼り合わせた状態においては、断面視略円形状と成って結合される。 FIG. 3(a) shows a step of bonding the first substrate 3 and the second substrate 7 formed in the above step. In this figure, the configuration is such that the first substrate 3 is arranged on the lower side and the second substrate 7 is arranged above the first substrate 3 . The positional relationship of bonding is such that the plated layer 5a filled in the concave portion 3a of the first substrate 3 and the plated layer 5a filled in the concave portion 7a of the second substrate 7 face each other. Since the plated layer 5a filled in each of the recesses 3a and 7a has a substantially semicircular cross-sectional shape, the two parts are combined with a substantially circular cross-sectional shape in the bonded state.

第一基板3、第二基板7には、金属接合層6が形成されている。基板同士の接合は、各々の基板に形成された金属接合層6を介し、約300℃で加熱・加圧して金属接合が行われる。この金属接合層6は、例えば、Au又はAuSn等の材料から適宜選択される。 A metal bonding layer 6 is formed on the first substrate 3 and the second substrate 7 . Bonding of the substrates is performed by applying heat and pressure at about 300° C. through the metal bonding layer 6 formed on each substrate. This metal bonding layer 6 is appropriately selected from materials such as Au and AuSn, for example.

前記工程において、第一基板3と第二基板7の接合手段として金属接合を例に説明したが、接着剤を用いた接合手段を採用することもできる。その場合は、第二基板7の金属接合層6は必要ないため、金属接合層形成工程は不要になる。 In the above process, metal bonding is used as an example of bonding means for bonding the first substrate 3 and the second substrate 7, but bonding means using an adhesive may also be employed. In that case, since the metal bonding layer 6 of the second substrate 7 is not required, the metal bonding layer forming step is unnecessary.

図3(b)は、貼り合わされた基板の内、一方の基板表面を研磨し、充填されたメッキの一部を露出する工程である。
本図では、上側に配置された第二基板7の基板表面を研磨し、メッキ層5aの一部を露出させる。
FIG. 3(b) is a step of polishing the surface of one of the bonded substrates to expose a portion of the filled plating.
In this figure, the substrate surface of the second substrate 7 arranged on the upper side is polished to expose a part of the plated layer 5a.

続いて、図3(c)に示すように、研磨した基板表面上に第二金属膜8を形成する。この第二金属膜8は、Au/Cr、Au/Ti、又はCr/Ti等の材質を適宜選択して使用でき、蒸着、スパッタ等の手法で成膜することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 3(c), a second metal film 8 is formed on the polished substrate surface. The second metal film 8 can be formed by appropriately selecting materials such as Au/Cr, Au/Ti, or Cr/Ti, and can be formed by a method such as vapor deposition or sputtering.

続いて、前記第二金属層8をメッキシード層として、給電し電解メッキ手法により図3(d)に示す如くメッキ成長させる。このメッキは第二基板7の表面上に、一定の厚みを持って形成される。また、これにより、凹部内を充填する金属メッキと結合された状態となり、図に示すような金属メッキ形状部9が形成される。 Subsequently, using the second metal layer 8 as a plating seed layer, the plating is grown as shown in FIG. This plating is formed on the surface of the second substrate 7 with a certain thickness. In addition, as a result, the recess is joined with the metal plating filling the recess, forming the metal plating shape portion 9 as shown in the figure.

図3(e)は、前工程で形成された金属メッキ形状部を露出し電鋳金型を形成する工程を示す図である。
前記第一基板3と第二基板7は、シリコン基板で構成しているため、エッチング溶液を用いてすべて溶解除去する。また、残留するメッキシード層として用いた金属層や、接合用に用いた金属層も適宜溶解液を選択利用して溶解除去する。こうすることで金属メッキ形状部9のみを露出することができる。
このようにして残った金属メッキ形状部9が、図1で例示したような流路基板を製造するための電鋳金型として完成する。
完成した電柱金型を用いれば、図1に例示した断面視略円形状の流路を有する流路基板を容易に形成することができる。
FIG. 3(e) is a diagram showing a process of exposing the metal-plated shape portion formed in the previous process to form an electroforming mold.
Since the first substrate 3 and the second substrate 7 are composed of silicon substrates, they are all dissolved and removed using an etching solution. Also, the remaining metal layer used as the plating seed layer and the metal layer used for bonding are also removed by dissolution using an appropriate dissolving solution. By doing so, only the metal plated shape portion 9 can be exposed.
The metal-plated shape portion 9 left in this way is completed as an electroforming mold for manufacturing the channel substrate as illustrated in FIG.
By using the completed utility pole mold, it is possible to easily form the flow path substrate having the substantially circular flow path illustrated in FIG.

1 流路基板
2 流路
3 第一基板
3a 凹部
4 レジストマスク
4a 開口部
5a メッキ層
5 第一金属層
6 金属接合層
7 第二基板
7a 凹部
8 第二金属層
9 金属メッキ形状部
1 channel substrate 2 channel 3 first substrate 3a recess 4 resist mask 4a opening 5a plating layer 5 first metal layer 6 metal bonding layer 7 second substrate 7a recess 8 second metal layer 9 metal plating shape

Claims (6)

第一基板に凹部を形成し、前記第一基板の凹部が形成された面であり、前記凹部内面と前記凹部内面を除く表面とを含む凹部形成面上に第一金属層を形成する工程と、
前記第一金属層をメッキシード層として給電し、前記第一基板の凹部内をメッキで充填すると共に前記第一基板の前記表面上にメッキ層を形成する工程と、
前記第一基板の前記表面上に形成されたメッキ層を除去する工程と、
第二基板に凹部を形成し、前記第二基板の凹部が形成された面であり、前記凹部内面と前記凹部内面を除く表面とを含む凹部形成面上に第一金属層を形成する工程と、
前記第一金属層をメッキシード層として給電し、前記第二基板の凹部内をメッキで充填すると共に前記第二基板の前記表面上にメッキ層を形成する工程と、
前記第二基板の前記表面上に形成されたメッキ層を除去する工程と、
前記第一基板と前記第二基板を、各々の基板に設けられたメッキ充填された前記凹部同士を対向配置して接合する工程と、
前記第一基板と前記第二基板の接合面と対向する何れか一方の面を研磨し、前記凹部内に充填されたメッキの一部を露出させる研磨工程と、
前記研磨工程において研磨された前記第一基板または前記第二基板の研磨面に第二金属層を形成する工程と、
前記第二金属層をメッキシード層として給電し、前記研磨面において一定の厚みになるまでメッキ成長させて前記第一基板と第二基板の凹部内から基板表面部まで連通する金属メッキ形状部を形成する工程と、
前記第一基板と第二基板のみを除去して前記金属メッキ形状部のみを露出させる工程と、
を有することを特徴とする電鋳金型製造方法。
forming a recess in a first substrate, and forming a first metal layer on the surface of the first substrate on which the recess is formed, the recess forming surface including the inner surface of the recess and a surface excluding the inner surface of the recess; ,
supplying power to the first metal layer as a plating seed layer, filling the recesses of the first substrate with plating, and forming a plating layer on the surface of the first substrate;
removing a plated layer formed on the surface of the first substrate;
forming a recess in a second substrate, and forming a first metal layer on the surface of the second substrate on which the recess is formed, the recess forming surface including the inner surface of the recess and a surface excluding the inner surface of the recess; ,
a step of supplying power to the first metal layer as a plating seed layer, filling the recesses of the second substrate with plating, and forming a plating layer on the surface of the second substrate;
removing the plated layer formed on the surface of the second substrate;
a step of bonding the first substrate and the second substrate by arranging the recesses filled with plating provided in each substrate so as to face each other;
a polishing step of polishing one of the surfaces of the first substrate and the second substrate facing the bonding surface to expose a portion of the plating filled in the recess;
forming a second metal layer on the polished surface of the first substrate or the second substrate polished in the polishing step;
Power is supplied to the second metal layer as a plating seed layer, and plating is grown on the polished surface until it reaches a certain thickness to form a metal-plated shape portion that communicates from the concave portion of the first substrate and the second substrate to the surface portion of the substrate. forming;
removing only the first substrate and the second substrate to expose only the metal plating shape;
An electroforming mold manufacturing method characterized by having
前記第一基板及び前記第二基板は、シリコン基板であり、前記第一基板の凹部と前記第二基板の凹部は、エッチング手法により形成されることを特徴とする請求項1に記載の電鋳金型製造方法。 The electroformed gold according to claim 1, wherein the first substrate and the second substrate are silicon substrates, and the concave portion of the first substrate and the concave portion of the second substrate are formed by etching. mold manufacturing method. 前記第一基板の凹部と前記第二基板の凹部は、断面視略半円形状に形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電鋳金型製造方法。 3. The electroforming mold manufacturing method according to claim 1, wherein the concave portion of the first substrate and the concave portion of the second substrate are formed in a substantially semicircular shape when viewed in cross section. 前記第一金属層と前記第二金属層は、メッキシード層であり、Au/Cr、Au/Ti、又はCr/Tiから成ることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の電鋳金型製造方法。 The electroformed gold according to claim 1, 2 or 3, wherein the first metal layer and the second metal layer are plating seed layers and are made of Au/Cr, Au/Ti, or Cr/Ti. mold manufacturing method. 前記第一基板及び前記第二基板の各々の前記表面及び前記凹部内を充填するメッキ充填部の表面に、前記第一基板と前記第二基板とを接合するための接合金属層を形成する工程を備え、
前記第一基板と第二基板を接合する工程は、前記第一基板及び前記第二基板の各々の前記接合金属層を介して前記第一基板と前記第二基板とを接合することを特徴とする請求項1、2、3又は4に記載の電鋳金型製造方法。
A step of forming a bonding metal layer for bonding the first substrate and the second substrate on the surface of each of the first substrate and the second substrate and the surface of the plating filling portion filling the recess. with
The step of bonding the first substrate and the second substrate includes bonding the first substrate and the second substrate via the bonding metal layer of each of the first substrate and the second substrate. The electroforming mold manufacturing method according to claim 1, 2, 3 or 4.
前記接合金属層は、Au又はAuSnから成ることを特徴とする請求項5に記載の電鋳金型製造方法。 6. The electroforming mold manufacturing method according to claim 5 , wherein the bonding metal layer is made of Au or AuSn.
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