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JP7320940B2 - Wafer holding device and wafer carrier holding device - Google Patents
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JP7320940B2 - Wafer holding device and wafer carrier holding device - Google Patents

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Description

本発明は、ウェハ保持装置及び該ウェハ搬送保持装置に関するものである。 The present invention relates to a wafer holding device and a wafer transfer and holding device.

半導体製品に設けられているデバイスは、シリコンウェハ(以下、単に「ウェハ」という)上にエッチングレジストとして感光性樹脂を塗付した後、エッチングすることにより形成される。ウェハは、デバイスがエッチングされたパターン面の裏面をバッググラインダによって研削されるが、この裏面研削の際には、パターン面には予めバッググラインド(BG)テープが貼り付けられている。 A device provided in a semiconductor product is formed by coating a silicon wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") with a photosensitive resin as an etching resist and then etching the silicon wafer. The wafer is ground by a back grinder on the back surface of the pattern surface on which the devices are etched. During this back grinding, a back grind (BG) tape is previously attached to the pattern surface.

このような裏面研削されたウェハの搬送は、ウェハの裏面全面を吸着する全面吸着パッド(例えば、特許文献1参照)や、ウェハの表面に空気流を吐出してウェハとの間に発生した負圧でウェハを保持するベルヌーイノズルを備えた保持装置(例えば、特許文献2参照)が知られている。 Such back-grinded wafers can be transported using a full-surface suction pad (see, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-100000) that suctions the entire back surface of the wafer, or a vacuum that is generated between the wafer and the wafer by discharging an air flow onto the front surface of the wafer. A holding device having a Bernoulli nozzle that holds a wafer with pressure is known (see, for example, Patent Document 2).

特開2010-50265号公報JP 2010-50265 A 特許第6254432号公報Japanese Patent No. 6254432

しかしながら、特許文献1に係る全面吸着パッドで極めて薄いウェハを吸着する場合、吸着パッドとウェハとの間に研削屑が噛み込むと、ウェハが割れたり、デバイスが汚染される虞があるという問題がある。 However, when an extremely thin wafer is sucked by the full-surface suction pad according to Patent Document 1, there is a risk that the wafer may crack or the device may be contaminated if grinding dust gets caught between the suction pad and the wafer. be.

また、特許文献2に係る保持装置は、反ったウェハでは適切な負圧が得られずにウェハが脱落したり、高速で吐出される空気流がウェハの加工面を汚染してウェハ内のクラックを誘発する虞があるという問題があった。 Further, in the holding device according to Patent Document 2, when a wafer is warped, an appropriate negative pressure cannot be obtained, causing the wafer to fall off. There is a problem that there is a risk of inducing

そこで、ウェハにダメージを与えることなく薄いウェハを保持するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。 Therefore, there arises a technical problem to be solved in order to hold the thin wafer without damaging the wafer, and an object of the present invention is to solve this problem.

上記目的を達成するために、本発明に係るウェハ保持装置は、ウェハを吸着保持するウェハ吸着保持装置であって、前記ウェハのデバイス形成領域より大径のリング状に形成され、前記ウェハの外周縁に当接可能な吸着パッドと、前記吸着パッドを下面に埋設するフレームと、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドとウェハとの間に負圧を生じさせる真空源と、を備えている。 In order to achieve the above object, a wafer holding device according to the present invention sucks and holds a wafer, and is formed in a ring shape having a diameter larger than a device forming region of the wafer. A suction pad that can abut on a peripheral edge, a frame that embeds the suction pad on the bottom surface, and a vacuum source that is connected to the suction pad and generates a negative pressure between the suction pad and the wafer. .

この構成によれば、吸着パッドがウェハ中央のデバイス形成領域に非接触でウェハの外周縁を負圧で吸着保持することにより、従来のようなウェハを全面吸着する場合と比べて、研削屑の噛み込みに起因するウェハの損傷やデバイスの汚染を抑制することができる。また、吸着パッドがウェハの外周縁に接触することにより、反ったウェハであっても吸着保持することができる。 According to this configuration, the suction pad sucks and holds the outer peripheral edge of the wafer with a negative pressure without contacting the device forming area at the center of the wafer. Wafer damage and device contamination due to biting can be suppressed. In addition, even a warped wafer can be held by suction because the suction pad comes into contact with the outer periphery of the wafer.

また、本発明に係るウェハ保持装置は、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドとウェハとの間に圧縮空気を供給する空気源をさらに備えていることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the wafer holding device according to the present invention further includes an air source connected to the suction pad and supplying compressed air between the suction pad and the wafer.

この構成によれば、吸着パッドと吸着パッドに吸着保持されたウェハとの間に圧縮空気を供給することにより、これらの吸着を容易に解除することができる。 According to this configuration, the suction can be easily released by supplying compressed air between the suction pad and the wafer held by suction on the suction pad.

また、本発明に係るウェハ保持装置は、前記フレームは、円板状に形成され、該フレームを上下に貫通する連通孔が形成されており、前記連通孔には、前記フレーム内に圧縮空気を供給する空気源が接続されていることが好ましい。 Further, in the wafer holding device according to the present invention, the frame is formed in a disk shape, and a communication hole is formed through the frame vertically. A supply air source is preferably connected.

この構成によれば、ウェハ保持装置がウェハを吸着保持している際に、連通孔を介してフレーム内に供給される圧縮空気の圧力でウェハをフレーム側に押圧するような種々の圧力を相殺することにより、ウェハの割れを抑制することができる。 According to this configuration, when the wafer holding device sucks and holds the wafer, the pressure of the compressed air supplied into the frame through the communication hole cancels out various pressures that press the wafer toward the frame. By doing so, cracking of the wafer can be suppressed.

また、本発明に係るウェハ保持装置は、前記フレームは、円板状に形成され、該フレームを上下に貫通する連通孔が形成されており、前記連通孔には、前記フレーム内に保湿水を供給する給水源が接続されていることが好ましい。 Further, in the wafer holding device according to the present invention, the frame is formed in a disk shape, and a communication hole is formed vertically through the frame. A supply of water supply is preferably connected.

この構成によれば、ウェハ保持装置がウェハを吸着保持している際に、連通孔を介してフレーム内に供給される保湿水の圧力でウェハをフレーム側に押圧するような種々の圧力を相殺することにより、ウェハの割れを抑制することができる。また、ウェハ保持装置がウェハを吸着保持されている間に、ウェハ表面を湿潤状態に維持するため、ウェハ表面に研削屑が固着することを抑制できる。 According to this configuration, when the wafer holding device sucks and holds the wafer, the pressure of the moisturizing water supplied into the frame through the communication hole cancels out various pressures that press the wafer toward the frame. By doing so, cracking of the wafer can be suppressed. Moreover, since the wafer surface is maintained in a wet state while the wafer holding device is sucking and holding the wafer, it is possible to suppress adhesion of grinding dust to the wafer surface.

また、本発明に係るウェハ搬送保持装置は、上述したウェハ保持装置と、前記フレームに接続され、前記ウェハ保持装置を搬送する搬送機構と、を備えていることが好ましい。 Moreover, it is preferable that a wafer transfer/holding device according to the present invention includes the wafer holding device described above and a transfer mechanism connected to the frame for transferring the wafer holding device.

この構成によれば、搬送機構がウェハ保持装置を任意の場所に移動させることができる。 According to this configuration, the transfer mechanism can move the wafer holding device to an arbitrary location.

本発明は、吸着パッドがウェハ中央のデバイス形成領域に非接触でウェハの外周縁を負圧で吸着保持することにより、従来のようなウェハを全面吸着する場合と比べて、研削屑の噛み込みに起因するウェハの損傷やデバイスの汚染を抑制することができる。また、吸着パッドがウェハの外周縁に接触することにより、反ったウェハであっても吸着保持することができる。 According to the present invention, the suction pad sucks and holds the outer peripheral edge of the wafer with a negative pressure without contacting the device forming area at the center of the wafer. It is possible to suppress wafer damage and device contamination caused by In addition, even a warped wafer can be held by suction because the suction pad comes into contact with the outer periphery of the wafer.

本発明の一実施形態に係るウェハ搬送保持装置を備えたウェハ受け渡しシステムを示す模式図。FIG. 1 is a schematic diagram showing a wafer transfer system provided with a wafer transfer/holding device according to one embodiment of the present invention; フレームを示す平面図及び底面図。The top view and bottom view which show a flame|frame. フレームを示す一部切欠き側面図。Partially cutaway side view showing the frame. 吸着保持装置の要部を示す断面図。Sectional drawing which shows the principal part of an adsorption holding apparatus. ウェハを第1のチャックから第2のチャックに搬送する手順を示す模式図。FIG. 4 is a schematic diagram showing a procedure for transferring a wafer from a first chuck to a second chuck;

本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。 An embodiment of the present invention will be described based on the drawings. In addition, hereinafter, when referring to the number, numerical value, amount, range, etc. of the constituent elements, unless otherwise specified or clearly limited to a specific number in principle, it is limited to the specific number It does not matter if it is more than or less than a certain number.

また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。 In addition, when referring to the shape and positional relationship of components, etc., unless otherwise specified or in principle clearly considered otherwise, etc. include.

また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。 In addition, the drawings may exaggerate characteristic parts by enlarging them in order to make the characteristics easier to understand. In addition, in cross-sectional views, hatching of some components may be omitted in order to facilitate understanding of the cross-sectional structure of the components.

図1は、ウェハ受け渡しシステム1を示す模式図である。ウェハ受け渡しシステム1は、本発明の一実施形態に係るウェハ搬送保持装置2と、第1のチャック3と、第2のチャック4と、を備えている。ウェハ受け渡しシステム1は、例えばウェハWを平面加工する研削装置、研磨装置、洗浄装置等と併用され、極めて薄いウェハW(例えば、厚み25μm)を装置間で移送するものである。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a wafer delivery system 1. As shown in FIG. A wafer transfer system 1 includes a wafer carrier/holding device 2, a first chuck 3, and a second chuck 4 according to one embodiment of the present invention. The wafer transfer system 1 is used together with, for example, a grinding device, a polishing device, a cleaning device, etc., for planarizing the wafer W, and transfers an extremely thin wafer W (for example, a thickness of 25 μm) between devices.

ウェハ搬送保持装置2は、第1のチャック3に載置されたウェハWを第2のチャック4に移送するものである。例えば、第1のチャック3は、研削装置においてウェハWを吸着保持するウェハチャックであり、第2のチャック4は洗浄装置においてウェハWを吸着保持するウェハチャック等である。なお、第2のチャック4は、第1のチャック3と同様の構成であるから、以下、第1のチャック3の構成を例に説明し、第2のチャック4については第1のチャック3と重複する構成を同様の符号を付して重複する説明を省略する。 The wafer carrier/holding device 2 transfers the wafer W placed on the first chuck 3 to the second chuck 4 . For example, the first chuck 3 is a wafer chuck that sucks and holds the wafer W in the grinding device, and the second chuck 4 is a wafer chuck that sucks and holds the wafer W in the cleaning device. Since the second chuck 4 has the same configuration as the first chuck 3, the configuration of the first chuck 3 will be described below as an example, and the second chuck 4 is the same as the first chuck 3. Duplicate configurations are denoted by the same reference numerals, and duplicate descriptions are omitted.

第1のチャック3は、平面加工された被加工面を上方に向け、デバイスが形成されたデバイス面を下方に向けた状態でウェハWを吸着保持する。第1のチャック3は、セラミック等の緻密体からなる基台11と、基台11の上面に埋設されてセラミック等の多孔質材料からなる円盤状の吸着体12と、を備えている。基台11の外径寸法は、ウェハWより僅かに大径に設定されている。吸着体12の外径寸法は、ウェハWより僅かに小径に設定されている。 The first chuck 3 sucks and holds the wafer W with the planarized surface to be processed facing upward and the device surface on which devices are formed facing downward. The first chuck 3 includes a base 11 made of a dense body such as ceramic, and a disk-shaped adsorbent 12 embedded in the upper surface of the base 11 and made of a porous material such as ceramic. The outer diameter of the base 11 is set to be slightly larger than that of the wafer W. As shown in FIG. The outer diameter of the attracting body 12 is set to be slightly smaller than that of the wafer W. As shown in FIG.

第1のチャック3は、基台11の内部に形成された図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、吸着体12に載置されたウェハWが吸着体12に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ウェハWと吸着体12との吸着が解除される。 The first chuck 3 has a pipe line (not shown) formed inside the base 11 . The pipeline is connected to a vacuum source, a compressed air source, or a water supply source via a rotary joint (not shown). When the vacuum source is activated, the wafer W placed on the suction body 12 is held by the suction body 12 by suction. Further, when the compressed air source or the water supply source is activated, the adsorption between the wafer W and the adsorption body 12 is released.

ウェハ搬送保持装置2は、ウェハ保持装置5と、ウェハ保持装置5を搬送する搬送機構6と、を備えている。 The wafer carrier/holding device 2 includes a wafer holding device 5 and a carrier mechanism 6 for carrying the wafer holding device 5 .

ウェハ保持装置5は、吸着パッド51と、フレーム52と、を備えている。図2は、ウェハ保持装置5の平面図及び底面図である。図3は、ウェハ保持装置5の一部切欠断面図である。図4は、フレーム52の外周縁を示す部分拡大図である。 The wafer holding device 5 has a suction pad 51 and a frame 52 . 2A and 2B are a plan view and a bottom view of the wafer holding device 5. FIG. FIG. 3 is a partially cutaway cross-sectional view of the wafer holding device 5. As shown in FIG. FIG. 4 is a partially enlarged view showing the outer peripheral edge of the frame 52. As shown in FIG.

吸着パッド51は、ウェハWの外径寸法より僅かに小さいリング状に形成されている。また、吸着パッド51の内径寸法は、ウェハW中央に多数のデバイスが並設されたデバイス形成領域より大きく設定されている。 The suction pad 51 is formed in a ring shape slightly smaller than the outer diameter of the wafer W. As shown in FIG. In addition, the inner diameter of the suction pad 51 is set larger than the device forming area in which a large number of devices are arranged side by side in the center of the wafer W. As shown in FIG.

吸着パッド51は、セラミックや樹脂等の多孔質材料からなる。吸着パッド51を樹脂製材料で形成した場合には、吸着パッド51をウェハWに柔軟に接触させることができる。また、樹脂製の吸着パッド51は、研削屑の噛み込みに起因するウェハWの撓み量を緩和することができる。 The suction pad 51 is made of a porous material such as ceramics or resin. When the suction pad 51 is made of a resin material, the suction pad 51 can be brought into contact with the wafer W flexibly. In addition, the suction pad 51 made of resin can reduce the deflection amount of the wafer W caused by the biting of the grinding dust.

フレーム52は、周縁が僅かに厚肉な略円板状に形成されている。フレーム52は、セラミック等の緻密体からなる。フレーム52の周縁に沿って形成された環状溝53には、吸着パッド51が埋設されている。 The frame 52 is formed in a substantially disc shape with a slightly thick peripheral edge. The frame 52 is made of a dense body such as ceramic. A suction pad 51 is embedded in an annular groove 53 formed along the periphery of the frame 52 .

フレーム52の周縁には、12個の管路54が互いに等間隔に設けられている。管路54は、フレーム52の上面から環状溝53まで貫通している。管路54は、図示しない切換弁を介して真空源S1及び圧縮空気源S2に接続されている。真空源S1が起動すると、ウェハWが吸着パッド51に吸着保持される。また、圧縮空気源S2が起動すると、ウェハWと吸着パッド51との吸着が解除される。 Twelve conduits 54 are provided at equal intervals on the periphery of the frame 52 . The conduit 54 penetrates from the upper surface of the frame 52 to the annular groove 53 . The conduit 54 is connected to the vacuum source S1 and the compressed air source S2 via switching valves (not shown). When the vacuum source S1 is activated, the wafer W is held by the suction pad 51 by suction. Further, when the compressed air source S2 is activated, the suction between the wafer W and the suction pad 51 is released.

フレーム52には、フレーム52を上下に貫通する連通孔55が形成されている。連通孔55には、保湿水(純水)を供給する給水源S3に接続されている。なお、給水源S3の代わりに、圧縮空気を供給する圧縮空気源を連通孔55に接続しても構わない。 A communication hole 55 is formed in the frame 52 so as to vertically penetrate the frame 52 . The communication hole 55 is connected to a water supply source S3 that supplies moisturizing water (pure water). A compressed air source for supplying compressed air may be connected to the communication hole 55 instead of the water supply source S3.

搬送機構6は、公知の搬送ロボットであり、複数のリンク62から成る伸縮アーム61を水平方向に伸縮自在に構成されている。搬送機構6の先端には、図示しないボルトでフレーム52が締結されている。なお、図2中の符号56は、ボルトを挿通するボルト孔である。 The transport mechanism 6 is a well-known transport robot, and is configured such that an extendable arm 61 made up of a plurality of links 62 can extend and retract in the horizontal direction. A frame 52 is fastened to the tip of the transport mechanism 6 with a bolt (not shown). Reference numeral 56 in FIG. 2 denotes bolt holes through which bolts are inserted.

ウェハ受け渡しシステム1の動作は、図示しない制御手段によって制御される。制御手段は、ウェハ受け渡しシステム1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御手段は、例えばコンピュータであり、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御手段の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作するものにより実現されても良い。 The operation of the wafer transfer system 1 is controlled by control means (not shown). The control means controls each component constituting the wafer delivery system 1 . The control means is, for example, a computer, and is composed of a CPU, a memory, and the like. Note that the function of the control means may be realized by controlling using software, or may be realized by operating using hardware.

次に、ウェハ受け渡しシステム1の動作を図5に基づいて説明する。
[ウェハ受取工程]
Next, the operation of the wafer transfer system 1 will be explained with reference to FIG.
[Wafer receiving process]

まず、図5(a)に示すように、ウェハWが吸着保持された第1のチャック3の上方までフレーム52を移動させる。その後、搬送機構6がフレーム52をさらに降下させて、吸着パッド51がウェハWの周縁に密着する。 First, as shown in FIG. 5A, the frame 52 is moved above the first chuck 3 holding the wafer W by suction. Thereafter, the transport mechanism 6 further lowers the frame 52 so that the suction pads 51 are in close contact with the peripheral edge of the wafer W. As shown in FIG.

次に、図5(b)に示すように、第1のチャック3とウェハWとの間に圧縮空気(エアー)を吐出して、第1のチャック3とウェハWとの吸着を解除する。また、この圧縮空気の吐出と同期して、吸着パッド51とウェハWとの間に負圧を生じさせて吸着パッド51にウェハWを吸着させて、ウェハWを第1のチャック3から吸着パッド51に受け渡す。 Next, as shown in FIG. 5B, compressed air (air) is discharged between the first chuck 3 and the wafer W to release the suction between the first chuck 3 and the wafer W. Next, as shown in FIG. In synchronism with the discharge of the compressed air, a negative pressure is generated between the suction pad 51 and the wafer W to cause the suction pad 51 to suction the wafer W, thereby moving the wafer W from the first chuck 3 to the suction pad. Hand over to 51.

一般的に、ウェハW中央には研削痕が残存しがちであるが、吸着パッド51は、ウェハWのデバイス領域に非接触でウェハWの外周縁を負圧で吸着保持するため、吸着パッド51とウェハWとの間に研削屑が噛み込むことを抑制することができる。 In general, grinding marks tend to remain in the center of the wafer W. and the wafer W can be suppressed from being bitten by grinding dust.

ウェハWを第1のチャック3からフレーム52に受け渡す際に、連通孔55を介してフレーム52とウェハWとで形成される密閉空間R内に保湿水が供給される。これにより、ウェハWに作用するデバイス面側から吹き出される圧縮空気の圧力と被研削面側から供給される保湿水の圧力とが相殺され、圧縮空気の圧力に起因して薄くて大径のウェハWが割れることを抑制できる。例えば、第1のチャック3から吹き出される圧縮空気が0.2MPaに設定される場合、連通孔55を介してフレーム52内に供給される保湿水の圧力は0.2MPaかそれより僅かに大きい圧力(0.3MPa等)に設定される。 When transferring the wafer W from the first chuck 3 to the frame 52 , moisturizing water is supplied into the closed space R formed by the frame 52 and the wafer W through the communication hole 55 . As a result, the pressure of the compressed air blown out from the device surface side acting on the wafer W and the pressure of the moisturizing water supplied from the side to be ground are offset, and the wafer W becomes thin and large in diameter due to the pressure of the compressed air. It is possible to suppress cracking of the wafer W. For example, when the compressed air blown out from the first chuck 3 is set to 0.2 MPa, the pressure of moisturizing water supplied into the frame 52 through the communication hole 55 is 0.2 MPa or slightly higher. It is set to a pressure (such as 0.3 MPa).

また、ウェハWに保湿水を供給することにより、ウェハWの被加工面を湿潤状態に維持することができるため、被加工面に残存する研削屑の固着を抑制することができる。 In addition, since the surface to be processed of the wafer W can be maintained in a wet state by supplying the moisturizing water to the wafer W, it is possible to suppress adhesion of grinding dust remaining on the surface to be processed.

そして、ウェハWが吸着パッド51に吸着された後に、図5(c)に示すように、搬送機構6がフレーム52を上昇させる。
[BGテープ洗浄工程]
After the wafer W is sucked by the suction pad 51, the transfer mechanism 6 raises the frame 52 as shown in FIG. 5(c).
[BG tape washing process]

次に、ウェハWの移送中に、ウェハWの下方に配置された洗浄ブラシ70でウェハWのデバイス面側に貼着されたBGテープを洗浄する。具体的には、図5(d)に示すように、公知の構成から成る洗浄ブラシ70を水平軸回りに回転させながらウェハWに押し付けることにより、BGテープに付着した研削屑を除去する。 Next, while the wafer W is being transferred, the cleaning brush 70 arranged below the wafer W cleans the BG tape attached to the device surface side of the wafer W. FIG. Specifically, as shown in FIG. 5(d), a cleaning brush 70 having a known structure is pressed against the wafer W while being rotated about a horizontal axis, thereby removing the grinding debris adhering to the BG tape.

また、洗浄ブラシ70でBGテープを洗浄する際に、連通孔55を介してフレーム52とウェハWとで形成される密閉空間R内に保湿水が供給される。これにより、ウェハWに作用するデバイス面側から洗浄ブラシ70を押し付ける圧力と被研削面側から供給される保湿水の圧力とが相殺され、洗浄ブラシ70をウェハWに押し付ける押圧力に起因して薄くて大径のウェハWが割れることを抑制できる。 Also, when cleaning the BG tape with the cleaning brush 70 , moisturizing water is supplied into the closed space R formed by the frame 52 and the wafer W through the communication hole 55 . As a result, the pressure acting on the wafer W pressing the cleaning brush 70 from the device surface side and the pressure of the moisturizing water supplied from the surface to be ground side are offset, and the pressing force pressing the cleaning brush 70 against the wafer W It is possible to suppress cracking of the thin and large-diameter wafer W.

また、ウェハWに保湿水を供給することにより、被加工面を湿潤状態に維持することができるため、被加工面に残存する研削屑の固着を抑制することができる。
[ウェハ受渡工程]
In addition, since the surface to be processed can be maintained in a wet state by supplying moisturizing water to the wafer W, it is possible to suppress adhesion of grinding dust remaining on the surface to be processed.
[Wafer delivery process]

まず、図5(e)に示すように、ウェハWが吸着保持するフレーム52を第2のチャック4の上方まで移動させる。その後、搬送機構6がフレーム52をさらに降下させて、ウェハWが第2のチャック4に密着する。 First, as shown in FIG. 5E, the frame 52 holding the wafer W by suction is moved above the second chuck 4 . After that, the transport mechanism 6 further lowers the frame 52 to bring the wafer W into close contact with the second chuck 4 .

次に、図5(f)に示すように、管路54から圧縮空気(エアー)を吐出させて、吸着パッド51とウェハWとの吸着を解除する。また、この圧縮空気の吐出と同期して、第2のチャック4とウェハWとの間に負圧を生じさせて第2のチャック4にウェハWを吸着させて、ウェハWを吸着パッド51から第2のチャック4に受け渡す。 Next, as shown in FIG. 5F, compressed air is discharged from the pipe line 54 to release the suction between the suction pad 51 and the wafer W. Then, as shown in FIG. Also, in synchronism with the discharge of the compressed air, a negative pressure is generated between the second chuck 4 and the wafer W to cause the second chuck 4 to adsorb the wafer W, thereby pulling the wafer W from the adsorption pad 51. Transfer to second chuck 4 .

ウェハWをフレーム52から第2のチャック4に受け渡す際に、連通孔55を介してフレーム52とウェハWとで形成される密閉空間R内に保湿水が供給される。これにより、密閉空間R内に拡散した保湿水が研削屑等の密閉空間R内への浸入を抑制する。 When transferring the wafer W from the frame 52 to the second chuck 4 , moisturizing water is supplied into the closed space R formed by the frame 52 and the wafer W through the communication hole 55 . As a result, the moisturizing water diffused in the closed space R suppresses the infiltration of grinding dust and the like into the closed space R.

また、ウェハWに保湿水を供給することにより、被加工面を湿潤状態に維持することができるため、被加工面に残存する研削屑の固着を抑制することができる。 Moreover, since the surface to be processed can be maintained in a wet state by supplying moisturizing water to the wafer W, adhesion of grinding dust remaining on the surface to be processed can be suppressed.

そして、ウェハWが第2のチャック4に吸着された後に、図5(g)に示すようにフレーム52を第2のチャック4から遠ざかるように移動させる。 After the wafer W is sucked by the second chuck 4, the frame 52 is moved away from the second chuck 4 as shown in FIG. 5(g).

このようにして、本発明の実施形態に係るウェハ保持装置5によれば、吸着パッド51がウェハW中央のデバイス形成領域に非接触でウェハWの外周縁を負圧で吸着保持することにより、従来のようなウェハWを全面吸着する場合と比べて、研削屑の噛み込みに起因するウェハWの損傷やデバイスの汚染を抑制することができる。また、吸着パッド51がウェハWの外周縁に接触することにより、反ったウェハWであっても吸着保持することができる。 In this manner, according to the wafer holding device 5 according to the embodiment of the present invention, the suction pad 51 sucks and holds the outer peripheral edge of the wafer W with negative pressure without contacting the device forming region at the center of the wafer W, Damage to the wafer W and contamination of the devices due to biting of grinding dust can be suppressed compared to the conventional case where the entire surface of the wafer W is sucked. Moreover, since the suction pad 51 contacts the outer peripheral edge of the wafer W, even a warped wafer W can be held by suction.

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。 In addition, the present invention can be modified in various ways without departing from the spirit of the present invention, and it is natural that the present invention extends to such modifications.

1 ・・・ウェハ受け渡しシステム
2 ・・・ウェハ搬送保持装置
3 ・・・第1のチャック
4 ・・・第2のチャック
5 ・・・ウェハ保持装置
6 ・・・搬送機構
11 ・・・基台
12 ・・・吸着体
51 ・・・吸着パッド
52 ・・・フレーム
53 ・・・環状溝
54 ・・・管路
55 ・・・連通孔
56 ・・・ボルト孔
61 ・・・伸縮アーム
62 ・・・リンク
70 ・・・洗浄ブラシ
S1 ・・・真空源
S2 ・・・圧縮空気源
S3 ・・・給水源
W ・・・ウェハ
REFERENCE SIGNS LIST 1 ... Wafer delivery system 2 ... Wafer carrier and holder 3 ... First chuck 4 ... Second chuck 5 ... Wafer holder 6 ... Transfer mechanism 11 ... Base REFERENCE SIGNS LIST 12: Adsorbent 51: Adsorption pad 52: Frame 53: Annular groove 54: Pipe line 55: Communication hole 56: Bolt hole 61: Telescopic arm 62: Link 70 Washing brush S1 Vacuum source S2 Compressed air source S3 Water source W Wafer

Claims (2)

ウェハを吸着保持する保持装置であって、
前記ウェハのデバイス形成領域より大径のリング状に形成され、前記ウェハの外周縁に当接可能な吸着パッドと、
前記吸着パッドを下面に埋設するフレームと、
前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドとウェハとの間に負圧を生じさせる真空源と、
前記フレームを上下に貫通する連通孔に接続され、前記ウェハを前記フレーム側へ押圧する外圧を相殺するように前記ウェハを下方に圧する保湿水を前記フレーム内に供給する給水源と、
を備えていることを特徴とするウェハ保持装置。
A holding device for sucking and holding a wafer,
a suction pad formed in a ring shape having a diameter larger than the device forming region of the wafer and capable of coming into contact with an outer peripheral edge of the wafer;
a frame embedding the suction pad on the bottom surface;
a vacuum source connected to the suction pad to create a negative pressure between the suction pad and the wafer;
a water supply source that is connected to a communication hole vertically penetrating the frame and supplies moisturizing water into the frame to press the wafer downward so as to offset the external pressure that presses the wafer toward the frame;
A wafer holding device comprising:
請求項1記載のウェハ保持装置と、
前記フレームに接続され、前記ウェハ保持装置を搬送する搬送機構と、
を備えていることを特徴とするウェハ搬送保持装置。
A wafer holding device according to claim 1 ;
a transfer mechanism connected to the frame for transferring the wafer holding device;
A wafer carrier and holder, comprising:
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