JP7323774B2 - 光源装置および外部共振器型レーザモジュール - Google Patents
光源装置および外部共振器型レーザモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP7323774B2 JP7323774B2 JP2019107917A JP2019107917A JP7323774B2 JP 7323774 B2 JP7323774 B2 JP 7323774B2 JP 2019107917 A JP2019107917 A JP 2019107917A JP 2019107917 A JP2019107917 A JP 2019107917A JP 7323774 B2 JP7323774 B2 JP 7323774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light source
- support member
- source device
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02375—Positioning of the laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0653—Mode suppression, e.g. specific multimode
- H01S5/0654—Single longitudinal mode emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
図3、図4Aおよび図4Bを参照して、本開示による光源装置が備えるレーザモジュール24の基本構成例を説明する。図3は、レーザモジュール24から出射されたレーザビームBの方向を示す斜視図である。図4Aは、XZ面におけるレーザモジュール24の構成例を模式的に示す上面図である。図4Bは、YZ面におけるレーザモジュール24の構成例を模式的に示す側面図である。
<光源装置>
図6は、本開示の実施形態における光源装置100の構成例を示す図である。図6に示された光源装置100は、光ファイバ10と、ビーム光源20と、光結合器30とを備えている。ビーム光源20は、ピーク波長λが異なる複数のレーザビームBを同軸に重畳して波長結合ビームWを生成して出射する。
光結合器30の詳細は図14を用いて後述する。
次に、図15を参照して、本開示によるダイレクトダイオードレーザ(DDL)装置の実施形態を説明する。図15は、本実施形態におけるDDL装置1000の構成例を示す図である。
Claims (12)
- ピーク波長が異なる複数のレーザビームをそれぞれ出射する複数の外部共振器型レーザモジュールと、
前記複数のレーザビームを同軸に重畳して波長結合ビームを生成するビームコンバイナと、
を備え、
前記複数の外部共振器型レーザモジュールのそれぞれは、リトロー型配置のコリメートレーザ光源および特定の波長の光を選択する回折格子を有しており、
前記複数の外部共振器型レーザモジュールは、前記複数のレーザビームが前記ビームコンバイナの同一領域に異なる角度で入射するように配列されており、
前記複数の外部共振器型レーザモジュールのそれぞれは、
前記コリメートレーザ光源および前記回折格子を支持するサポート部材と、
各外部共振器型レーザモジュールから出射されるレーザビームの軸方向を補正するように前記サポート部材を回転可能に支持するベースと、
を備えている、光源装置。 - 前記サポート部材および前記ベースは、それぞれ、前記レーザビームの軸方向に対して平行な方向に長軸を有しており、
前記ベースの前記長軸が前記ベースを載せる台に対して鉛直軸の周りに回転可能に前記ベースを前記台に接続する第1調整機構と、
前記サポート部材の前記長軸が前記ベースに対して水平軸の周りに回転可能に前記サポート部材を接続する第2調整機構と、
を有している、請求項1に記載の光源装置。 - 前記サポート部材の前記長軸の方向における長さは、80mm以上であり、
前記サポート部材の前記長軸に直交する水平方向における幅は、12mm以下であり、
前記第1調整機構および前記第2調整機構の前記水平方向における幅は、前記サポート部材の前記幅以下である、請求項2に記載の光源装置。 - 前記第2調整機構は、前記サポート部材の前記長軸方向における中心よりも端部に近い
位置に設けられている、請求項3に記載の光源装置。 - 前記第2調整機構は、前記サポート部材を前記ベースに連結しており、
前記第2調整機構は、前記ベースに対する前記サポート部材の回転運動以外の運動を規制している、請求項2から4のいずれかに記載の光源装置。 - 前記コリメートレーザ光源は、
封止された半導体レーザパッケージ内に収容されたレーザダイオードと、
前記レーザダイオードから出射されたレーザ光をコリメートするレンズと、
を有している、請求項1から5のいずれかに記載の光源装置。 - 前記複数の外部共振器型レーザモジュールの各ピーク波長は、350nm以上550nm以下の範囲にある、請求項1から6のいずれかに記載の光源装置。
- 前記複数の外部共振器型レーザモジュールの各ピーク波長は、400nm以上470nm以下の範囲にある、請求項7に記載の光源装置。
- 前記複数の外部共振器型レーザモジュールの個数は5個以上である、請求項1から8のいずれかに記載の光源装置。
- 前記複数のレーザビームが前記ビームコンバイナの前記同一領域に入射する前記角度の間隔は、1度以下である、請求項1から9のいずれかに記載の光源装置。
- 前記複数のレーザビームの前記ピーク波長の間隔は、5nm以下である、請求項10に記載の光源装置。
- レーザビームを出射する外部共振器型レーザモジュールであって、
リトロー型配置のコリメートレーザ光源および特定の波長の光を選択する回折格子と、
前記コリメートレーザ光源および前記回折格子を支持するサポート部材と、
前記レーザビームの軸方向を補正するように前記サポート部材を回転可能に支持するベースと、
を備える、外部共振器型レーザモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019107917A JP7323774B2 (ja) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 光源装置および外部共振器型レーザモジュール |
| US16/896,448 US11387623B2 (en) | 2019-06-10 | 2020-06-09 | Light source device and external cavity laser module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019107917A JP7323774B2 (ja) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 光源装置および外部共振器型レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020202280A JP2020202280A (ja) | 2020-12-17 |
| JP7323774B2 true JP7323774B2 (ja) | 2023-08-09 |
Family
ID=73650901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019107917A Active JP7323774B2 (ja) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | 光源装置および外部共振器型レーザモジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11387623B2 (ja) |
| JP (1) | JP7323774B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117581431A (zh) * | 2021-06-29 | 2024-02-20 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| WO2023021675A1 (ja) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置、および、照明装置 |
| US20250167509A1 (en) * | 2022-02-28 | 2025-05-22 | Enplas Corporation | Optical receptacle and optical module |
| CN119787093A (zh) * | 2025-01-07 | 2025-04-08 | 北京中宸芯光科技有限公司 | 一种半导体激光器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012939A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Ushio Inc | レーザ装置の光源ユニット用テーブル装置 |
| JP2011205061A (ja) | 2010-03-04 | 2011-10-13 | Komatsu Ltd | レーザ装置、レーザシステムおよび極端紫外光生成装置 |
| JP2017204530A (ja) | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 三菱電機株式会社 | 外部共振半導体レーザ装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6192062B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Beam combining of diode laser array elements for high brightness and power |
| US6868099B1 (en) * | 1999-11-04 | 2005-03-15 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Frequency-narrowed high power diode laser system with external cavity |
| US8565275B2 (en) * | 2008-04-29 | 2013-10-22 | Daylight Solutions, Inc. | Multi-wavelength high output laser source assembly with precision output beam |
| JP5536401B2 (ja) | 2008-10-16 | 2014-07-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置および極端紫外光光源装置 |
| WO2011081212A1 (ja) | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 国立大学法人千葉大学 | 外部共振器レーザ |
| JP6054028B2 (ja) | 2011-02-09 | 2016-12-27 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置および極端紫外光生成システム |
| JP6206974B2 (ja) | 2012-09-21 | 2017-10-04 | 国立大学法人 千葉大学 | 外部共振器レーザ |
| US11646549B2 (en) * | 2014-08-27 | 2023-05-09 | Nuburu, Inc. | Multi kW class blue laser system |
| JP2018088499A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-07 | スペクトラ・クエスト・ラボ株式会社 | 曲がり導波路レーザチップを用いる外部共振器レーザ |
| CN113632329A (zh) * | 2019-01-28 | 2021-11-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 用于对准波长光束组合谐振器的系统和方法 |
-
2019
- 2019-06-10 JP JP2019107917A patent/JP7323774B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-09 US US16/896,448 patent/US11387623B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000012939A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Ushio Inc | レーザ装置の光源ユニット用テーブル装置 |
| JP2011205061A (ja) | 2010-03-04 | 2011-10-13 | Komatsu Ltd | レーザ装置、レーザシステムおよび極端紫外光生成装置 |
| JP2017204530A (ja) | 2016-05-10 | 2017-11-16 | 三菱電機株式会社 | 外部共振半導体レーザ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200388991A1 (en) | 2020-12-10 |
| US11387623B2 (en) | 2022-07-12 |
| JP2020202280A (ja) | 2020-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7277716B2 (ja) | 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置、および光結合器 | |
| JP7323774B2 (ja) | 光源装置および外部共振器型レーザモジュール | |
| CN105122561B (zh) | 用于激光束的波长耦合的方法 | |
| JP5747355B2 (ja) | 外部共振器レーザ | |
| US20100002734A1 (en) | Continuous wavelength tunable laser source with optimum positioning of pivot axis for grating | |
| JP7212274B2 (ja) | 光源装置、ダイレクトダイオードレーザ装置 | |
| US9285596B2 (en) | Free-space combining of laser beam radiation | |
| US12562551B2 (en) | Wavelength beam combining device, direct diode laser device, and laser processing machine | |
| JP7280498B2 (ja) | 光源装置 | |
| JP2022508765A (ja) | 階段状スロー軸コリメータを有するレーザシステム | |
| US10864600B2 (en) | Laser machining device | |
| US12539558B2 (en) | Laser head configurations and techniques for materials processing | |
| JP2006128656A (ja) | 外部共振型半導体レーザ | |
| JP2020120000A (ja) | 光源ユニット | |
| JP2024053203A (ja) | レーザ発振器及びそれを用いたレーザ加工装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220510 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230131 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230418 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230421 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230627 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230710 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7323774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |