JP7323779B2 - Antenna and plasma processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマ処理装置に設置されるアンテナなどに関する。 The present invention relates to an antenna and the like installed in a plasma processing apparatus.
誘電結合プラズマを用いて基板にプラズマ処理を施すためにプラズマ処理装置が使用されている。これらのプラズマ処理装置では、真空容器内にプラズマを発生させるアンテナが用いられている。 A plasma processing apparatus is used to plasma-process a substrate using an inductively coupled plasma. These plasma processing apparatuses use an antenna for generating plasma in a vacuum vessel.
上記アンテナは、プラズマ処理の対象となる基板の大きさによっては、数メートルの長さとなるため、自重により撓んでしまうという問題がある。 The antenna has a length of several meters depending on the size of the substrate to be plasma-processed, so there is a problem that it bends due to its own weight.
上記の問題を解決するための技術が、特許文献1に開示されている。特許文献1に開示された技術では、アンテナ本体をカバーするカバー部材を、複数の絶縁パイプを接続させて形成しており、隣接する絶縁パイプを連結する連結部を真空容器に接続させている。 A technique for solving the above problem is disclosed in Patent Document 1. In the technique disclosed in Patent Document 1, a cover member that covers an antenna main body is formed by connecting a plurality of insulating pipes, and a connecting portion that connects adjacent insulating pipes is connected to a vacuum vessel.
しかしながら、特許文献1の技術では、複数の絶縁パイプを繋ぎ合わせる必要があるため、製造コストが大きくなってしまうという問題があった。 However, the technique of Patent Literature 1 has a problem that the manufacturing cost increases because it is necessary to connect a plurality of insulating pipes.
本発明の一態様は、アンテナが撓むことを抑制できるとともに、製造コストを削減することができるアンテナおよびプラズマ処理装置を実現することを目的とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide an antenna and a plasma processing apparatus that can suppress bending of the antenna and reduce manufacturing costs.
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るアンテナは、真空容器内に配置され、前記真空容器内にプラズマを発生させるアンテナであって、電流が流れることによりプラズマを発生させるアンテナ導体と、絶縁性を有しており、前記アンテナ導体を覆うカバー部材と、一方の端部が前記カバー部材の鉛直上側に接続され、前記アンテナ導体が延伸する方向に沿って設置される複数の接続部と、前記複数の接続部の前記一方の端部とは反対側の端部が接続され、前記接続部を介して前記カバー部材を支持する支持部と、を備える。 In order to solve the above problems, an antenna according to one aspect of the present invention is an antenna that is arranged in a vacuum vessel and generates plasma in the vacuum vessel, wherein the antenna generates plasma when a current flows. a conductor, a cover member having insulating properties and covering the antenna conductor, and a plurality of a plurality of antenna conductors having one end connected to a vertically upper side of the cover member and installed along the direction in which the antenna conductor extends. a connecting portion; and a supporting portion to which ends of the plurality of connecting portions opposite to the one end are connected and which supports the cover member via the connecting portions.
本発明の一態様によれば、アンテナが撓むことを抑制できるとともに、製造コストを削減することができる。 According to one aspect of the present invention, bending of the antenna can be suppressed, and manufacturing costs can be reduced.
〔実施形態1〕
以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。図1は、本実施形態におけるプラズマ処理装置1の構成を模式的に示す概略図である。図1に示すように、プラズマ処理装置1は、誘電結合プラズマを用いて基板Sにプラズマ処理を施す装置である。ここで、プラズマ処理装置1による基板Sに施す処理は、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリングなどである。なお、プラズマ処理装置1は、プラズマCVD法によって膜形成を行う場合はプラズマCVD装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。
[Embodiment 1]
An embodiment of the present invention will be described in detail below. FIG. 1 is a schematic diagram schematically showing the configuration of a plasma processing apparatus 1 according to this embodiment. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 is an apparatus that subjects a substrate S to plasma processing using inductively coupled plasma. Here, the processing applied to the substrate S by the plasma processing apparatus 1 includes, for example, film formation, etching, ashing, and sputtering by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition). The plasma processing apparatus 1 is also called a plasma CVD apparatus when forming a film by a plasma CVD method, a plasma etching apparatus when performing etching, a plasma ashing apparatus when performing ashing, and a plasma sputtering apparatus when performing sputtering. .
プラズマ処理装置1は、図1に示すように、真空排気されかつガス導入口(不図示)を介してガスが導入される真空容器2と、アンテナ10と、真空容器2内にプラズマ(融合結合プラズマ)を生成するための高周波電流をアンテナ10に供給する高周波電源(不図示)と、基板Sを固定する基板ホルダ3とを備えている。プラズマ処理装置1では、アンテナ10に上記高周波電源から高周波電力を供給することによりアンテナ10に高周波電流が流れる。これにより、真空容器2内に誘導電界が発生してプラズマが生成される。生成されたプラズマは、基板ホルダ3に載置された基板Sの近傍まで拡散し、当該プラズマによって上述した処理が基板Sに対して施される。
As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 1 includes a
図2は、アンテナ10の構成を示すものであり、符号1001に示す図は、図1において、点線で囲んだ領域Aの拡大図であり、符号1002に示す図は、符号1001に示す図におけるB-B線矢視断面図である。アンテナ10は、真空容器2内に配置され、真空容器2内にプラズマを発生させる。図2に示すように、アンテナ10は、アンテナ導体11と、アンテナカバー12(カバー部材)と、ピン13と、プレート14(支持部)とを備える。
FIG. 2 shows the configuration of the
アンテナ導体11は、上述の高周波電源から高周波電流が流れることによりプラズマを発生させる。アンテナ導体11は、導電性を有している。アンテナ導体11は、水平方向に延伸する、中空体の円柱状の金属パイプとなっている。アンテナ導体11の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金、ステンレスなどを用いることができる。アンテナ導体11の水平方向の長さは、例えば、2000~3000mmとしてもよい。アンテナ導体11は、両端が真空容器2によって支持されている。
The
アンテナカバー12は、アンテナ導体11が延伸する方向を軸としてアンテナ導体11を覆うカバー部材である。アンテナカバー12は、絶縁性の部材(例えば、石英)にて形成されている。アンテナカバー12は、中心軸がアンテナ導体11の中心軸と実質的に同一直線上に位置するように配置されている。
The
本実施形態におけるアンテナカバー12の長さ方向に垂直な平面で切断した断面における外径は、25mmであり、内径は23mmとなっているが、これに限られるものではない。アンテナカバー12は、両端が真空容器2によって支持されている。
In the present embodiment, the
ピン13は、上下方向に延伸する円柱状の部材である。ピン13は、絶縁性の部材(例えば、石英)にて形成されている。ピン13は、下方側の端部13aがアンテナカバー12の鉛直上側に接続されており、上方側の端部13bが後述するプレート14に接続されている。ピン13は、アンテナ導体11が延伸する方向に沿って複数設けられている。
The
ピン13は、互いに隣接するピン13同士の間の間隔が例えば100~200mmとなるように設置することができる。本実施形態におけるピン13は、上下方向の長さが10mmであり、ピン13の長さ方向に垂直な平面で切断した断面における外径は1mmであるがこれに限られるものではない。
The
プレート14は、プレート14が延伸する方向(換言すれば、アンテナ導体11が延伸する方向)に垂直な平面で切断した断面形状が矩形となっており、水平方向に延伸する板状の部材である。プレート14は、絶縁性の部材(例えば、石英)にて形成されている。プレート14は、アンテナカバー12の上方に設置されている。プレート14には、上述したように、ピン13の上方側の端部13bが接続されている。これにより、プレート14は、ピン13を介してアンテナカバー12を支持する支持部としての機能を有している。
The
プレート14は、ピン13の長さ方向に垂直な平面で切断した断面における水平方向の長さ(図2の符号1002に示す図における左右方向の長さ)が10mmであり、ピン13の長さ方向に垂直な平面で切断した断面における鉛直方向の長さ(図2の符号1002に示す図における上下方向の長さ)が4mmであるが、これらの長さに限られるものではない。プレート14は、両端が真空容器2によって支持されている。
The
以上のように、本実施形態のアンテナ10は、(1)下方側の端部13aがアンテナカバー12の鉛直上側に接続され、アンテナ導体11が延伸する方向に沿って設置される複数のピン13と、(2)複数のピン13の上方側の端部13bが接続され、ピン13を介してアンテナカバー12を支持するプレート14とを備えている。
As described above, the
上記の構成によれば、アンテナカバー12がピン13を介してプレート14によって支持されるので、アンテナカバー12が撓むことを防止することができる。換言すれば、アンテナカバー12の剛性を向上させることができる。また、アンテナ導体11が撓んだ場合においても、アンテナカバー12が撓んでいないため、アンテナカバー12により支持されることでアンテナ導体11が大きく曲がることを防止することができる。さらに、アンテナ10では、アンテナカバー12を複数の部材を接合させず、1つの部材で構成することができるので、アンテナの製造コストを削減することができる。
According to the above configuration, since the
また、アンテナ10では、アンテナカバー12(換言すれば、アンテナ導体11)を円柱状の細長い形状のピン13を介してプレート14で支持している。その結果、アンテナ導体11によって一様なプラズマを発生させることができる。さらに、ピン13が円柱状の細長い形状となっていることにより、アンテナカバー12とプレート14とを接続する接続部を軽量化することができる。
Further, in the
さらに、アンテナ10では、ピン13をスポット溶接にてアンテナカバー12に接続させることができる。このため、例えば、アンテナカバー12が延伸する方向の全ての領域においてリブなどの補強材を接続する場合に比べて、アンテナ10を容易に製造することができ、また、溶接歪みなどの影響を小さくすることができる。
Further, in the
また、アンテナ10では、アンテナカバー12の両端およびプレート14の両端が真空容器2によって支持されている。これにより、従来のようにアンテナカバーだけが真空容器によって支持されている場合に比べて、アンテナ10を強固に支持することができ、石英によって形成されているアンテナカバー12が破損することを抑制することができるようになっている。
Also, in the
なお、本実施形態におけるアンテナ10では、ピン13が円柱状であったが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のアンテナでは、アンテナカバー12とプレート14とを接続する接続部材として、例えば、直方体状の細長い形状のピンを用いてもよい。
In addition, in the
〔実施形態2〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
[Embodiment 2]
Other embodiments of the invention are described below. For convenience of description, members having the same functions as those of the members described in the above embodiments are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
図3は、本実施形態におけるアンテナ10Aの構成を示すものであり、符号1003に示す図は、図1において、点線で囲んだ領域Aに対応する領域のアンテナ10Aの拡大図であり、符号1004に示す図は、符号1003に示す図におけるC-C線矢視断面図である。
FIG. 3 shows the configuration of the
図2に示すように、アンテナ10Aは、実施形態1におけるプレート14に代えて絶縁パイプ20(支持部)を備えている。また、アンテナ10Aは、実施形態1におけるアンテナ10の構成に加えて補強部材21を備えている。
As shown in FIG. 2, the
絶縁パイプ20は、水平方向に延伸する中空のパイプである。絶縁パイプ20は、絶縁性の部材(例えば、石英)にて形成されている。絶縁パイプ20は、アンテナカバー12の上方に設置されている。絶縁パイプ20には、ピン13の上方側の端部13bが接続されている。これにより、絶縁パイプ20は、ピン13を介してアンテナカバー12を支持する支持部としての機能を有している。絶縁パイプ20は、両端が真空容器2によって支持されている。
The insulating
補強部材21は、絶縁パイプ20の強度を補強する部材である。補強部材21は、金属(例えば、チタン)によって形成された円柱形状となっている。補強部材21は、絶縁パイプ20の内部に設置されている。補強部材21は、他の部材と電位が独立したフローティング状態となっている。
The reinforcing
以上のように、本実施形態のアンテナ10Aでは、アンテナカバー12がピン13を介して絶縁パイプ20によって支持されるので、アンテナカバー12が撓むことを防止することができる。
As described above, in the
さらに、アンテナ10Aでは、絶縁パイプ20の内部に補強部材21が挿入されていることにより、石英によって形成されている絶縁パイプ20が破損することを抑制することができるようになっている。
Furthermore, in the
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be modified in various ways within the scope of the claims, and can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. is also included in the technical scope of the present invention.
1 プラズマ処理装置
2 真空容器
10、10A アンテナ
11 アンテナ導体
12 アンテナカバー(カバー部材)
13 ピン(接続部)
14 プレート(支持部)
20 絶縁パイプ(支持部)
21 補強部材(接続部)
Reference Signs List 1
13 pin (connection part)
14 plate (supporting part)
20 insulating pipe (supporting part)
21 reinforcing member (connection)
Claims (2)
電流が流れることによりプラズマを発生させるアンテナ導体と、
絶縁性を有しており、前記アンテナ導体を覆うカバー部材と、
一方の端部が前記カバー部材の鉛直上側に接続され、前記アンテナ導体が延伸する方向に沿って設置される複数の接続部と、
前記複数の接続部の前記一方の端部とは反対側の端部が接続され、前記接続部を介して前記カバー部材を支持する支持部と、を備え、
前記支持部は、前記アンテナ導体が延伸する方向に延伸する中空の絶縁部材にて構成されており、
前記絶縁部材の内部に、金属を含む補強部材が挿入されていることを特徴とするアンテナ。 An antenna disposed within a vacuum vessel for generating a plasma within the vacuum vessel,
an antenna conductor that generates plasma when current flows;
a cover member having insulating properties and covering the antenna conductor;
a plurality of connection portions, one end of which is connected to the vertically upper side of the cover member and which is installed along the direction in which the antenna conductor extends;
a support portion to which ends of the plurality of connection portions opposite to the one end are connected and which supports the cover member via the connection portions ;
The support portion is composed of a hollow insulating member extending in a direction in which the antenna conductor extends,
An antenna according to claim 1, wherein a reinforcing member containing metal is inserted into the insulating member .
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003179037A (en) | 1999-05-13 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | Inductively coupled plasma processing equipment |
| JP2008251838A (en) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma processing equipment |
| JP2017063000A (en) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 日新電機株式会社 | Antenna and plasma processing apparatus |
| US20170196073A1 (en) | 2013-03-15 | 2017-07-06 | Starfire Industries, Llc | Compact high-voltage plasma source for neutron generation |
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| JP2019087318A (en) | 2017-11-01 | 2019-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003179037A (en) | 1999-05-13 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | Inductively coupled plasma processing equipment |
| JP2008251838A (en) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Plasma processing equipment |
| US20170196073A1 (en) | 2013-03-15 | 2017-07-06 | Starfire Industries, Llc | Compact high-voltage plasma source for neutron generation |
| JP2017063000A (en) | 2015-09-25 | 2017-03-30 | 日新電機株式会社 | Antenna and plasma processing apparatus |
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