JP7325355B2 - Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Description
本開示は、リードフレームのタイバー部を切断する半導体製造装置、およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。 The present disclosure relates to a semiconductor manufacturing apparatus for cutting tie bar portions of lead frames and a method of manufacturing a semiconductor device using the same.
半導体装置の製造に関して、リードフレームには、複数のリード間を接続して樹脂封止(モールド)時の樹脂漏れを防ぐダムの役割をするため、タイバー部が設けられている。各リードの電位が異なるため、モールドが完了した後、リードを接続しているタイバー部をタイバーカット金型で切り離す必要があるが、タイバー部を切り離す際に切断屑が発生する。このとき、タイバーカット金型の上金型が上昇するときの負圧、タイバーカット金型の構成部品の帯磁、摩耗、または切断屑のバリ等により切断屑が引き上げられるカス上がり現象が発生するという問題があった。 In the manufacture of semiconductor devices, a lead frame is provided with a tie bar portion to serve as a dam that connects a plurality of leads and prevents resin leakage during resin sealing (molding). Since the potential of each lead is different, it is necessary to cut off the tie bar section connecting the leads after the molding is completed with a tie bar cutting die, but cutting debris is generated when cutting off the tie bar section. At this time, the negative pressure when the upper die of the tie-bar cut die rises, the magnetization of the tie-bar cut die components, wear, or burrs of the cut chips, etc., cause the scrap lifting phenomenon in which the chips are pulled up. I had a problem.
このような問題を解消するために、例えば、特許文献1には、ダイの上面にリードを支持し、ストリッパープレートでリードを押さえた状態で、Vノッチパンチをリードに当接して切断することで、切断屑を出さないような切断方法が開示されている。
In order to solve such a problem, for example, in
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、リードを支持するダイとストリッパープレートとの間隔を広めに設定し、Vノッチパンチの当接部分を中心としてリードがたわむことを利用して切断しているため、リードフレームの寸法精度が低下するという問題があった。
However, in the technique described in
そこで、本開示は、切断屑の発生を抑制し、かつ、リードフレームの寸法精度の低下を抑制できる技術を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present disclosure is to provide a technique capable of suppressing the generation of cutting debris and suppressing deterioration in the dimensional accuracy of lead frames.
本開示に係る半導体製造装置は、リードフレームのタイバー部を切断する先端部を有するパンチと、切断開始位置と前記切断開始位置よりも下方に位置する切断位置との間で移動可能なように前記パンチを支持するパンチガイドと、前記パンチが前記切断位置にある状態で前記パンチの前記先端部が挿入される凹部を有し、前記パンチガイドとで前記タイバー部を挟んで固定するダイとを備え、前記パンチの前記先端部は下方に突出するV字形状であり、前記パンチが前記切断位置にある状態で、前記凹部の入口側における前記タイバー部と接触する全ての箇所はR面取り形状である。
The semiconductor manufacturing apparatus according to the present disclosure includes a punch having a tip portion for cutting the tie bar portion of the lead frame, and the punch movable between a cutting start position and a cutting position located below the cutting start position. a punch guide that supports a punch; and a die that has a recess into which the tip of the punch is inserted while the punch is at the cutting position, and that fixes the tie bar portion between the punch guide and the die. , the tip of the punch has a V- shape protruding downward, and all the points on the inlet side of the recess that come into contact with the tie bar when the punch is in the cutting position are rounded. be.
本開示によれば、ダイとパンチガイドとでタイバー部を挟んで固定した状態でタイバー部を切断するため、タイバー部の切断時にリードフレームのたわみをなくすことで、リードフレームの寸法精度の低下を抑制できる。さらにパンチが切断位置にある状態で凸形状の先端部がダイの凹部に挿入されるため、タイバー部を1箇所で切断し、タイバー部の切断箇所をダイの凹部の奥側に折り曲げることができることから、切断屑の発生を抑制できる。 According to the present disclosure, since the tie bar portion is cut while the tie bar portion is sandwiched and fixed between the die and the punch guide, the dimensional accuracy of the lead frame is prevented from being lowered by eliminating the deflection of the lead frame when cutting the tie bar portion. can be suppressed. Furthermore, since the tip of the convex shape is inserted into the concave portion of the die while the punch is in the cutting position, the tie bar portion can be cut at one point, and the cut portion of the tie bar portion can be bent toward the inner side of the concave portion of the die. Therefore, generation of shavings can be suppressed.
<実施の形態1>
実施の形態1について、図面を用いて以下に説明する。図1は、実施の形態1に係る半導体製造装置1が備えるパンチ6が切断開始位置にある状態を示す断面図である。図2は、半導体製造装置1が備えるパンチ6が切断位置にある状態を示す断面図である。
<
図1と図2に示すように、半導体製造装置1は、モールドが完了した後、リードフレーム2における複数のリード間を接続するタイバー部3を切断する装置であり、パンチ6、パンチガイド8、およびダイ7を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a
パンチ6は、リードフレーム2のタイバー部3を切断する先端部6aを備えている。先端部6aは下方に突出する凸形状である。より具体的には、先端部6aはV字形状である。
The
パンチガイド8は、パンチ6が切断開始位置(図1に示す位置)と、切断開始位置よりも下方に位置する切断位置(図2に示す位置)との間で移動可能なようにパンチ6の両側部を支持している。
The
ダイ7は、パンチガイド8の下方に配置され、タイバー部3を固定するための台座である。具体的には、タイバー部3は、パンチガイド8とダイ7とで上下に挟まれた状態で固定されている。ダイ7の上面側には下方に凹む凹部7aが形成されており、凹部7aの入口側は直角になっている。なお、凹部7aの入口側とは、凹部7aの内部における入口側の領域とダイ7の上面における凹部7aの周囲の領域とを含む。
The die 7 is arranged below the
ここで、リードフレーム2は複数のタイバー部3を含むため、凹部7aは複数形成され、パンチ6も複数である。複数の凹部7aはダイ7における各パンチ6の先端部6aに対応する位置に形成されており、複数のパンチ6を用いることでリードフレーム2が含む複数のタイバー部3を同時に切断することが可能である。
Here, since the
図2に示すように、パンチ6が切断位置にある状態でパンチ6の先端部6aは凹部7aに挿入される。また、リードフレーム2の厚み、すなわち、タイバー部3の厚みは0.2mm以上1.0mm以下である。パンチ6が切断位置にある状態で、パンチ6の側部と凹部7aの側面との間隔はタイバー部3の厚みよりも大きいため、タイバー部3の切断後、パンチ6を上方の切断開始位置にスムーズに移動させることが可能となる。
As shown in FIG. 2, the
次に、半導体製造装置1を用いた半導体装置の製造方法について説明する。最初に、ダイ7の上面にタイバー部3が載置されるようにリードフレーム2をセットし、パンチガイド8を上方から下方に移動させて、ダイ7とパンチガイド8とでタイバー部3を挟んで固定する。
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the
次に、パンチ6を切断開始位置から下方に移動させることで、パンチ6の先端部6aの先端がタイバー部3に当接した後、先端部6aによりタイバー部3が切断され、パンチ6が下方の切断位置に到達したとき、タイバー部3の切断箇所がパンチ6の側部と凹部7aの側面との間に挟み込まれて、凹部7aの奥側に折り曲げられる。
Next, by moving the
以上のように、実施の形態1に係る半導体製造装置1は、リードフレーム2のタイバー部3を切断する先端部6aを有するパンチ6と、切断開始位置と切断開始位置よりも下方に位置する切断位置との間で移動可能なようにパンチ6を支持するパンチガイド8と、パンチ6が切断位置にある状態でパンチ6の先端部6aが挿入される凹部7aを有し、パンチガイド8とでタイバー部3を挟んで固定するダイ7とを備え、パンチ6の先端部6aは下方に突出する凸形状である。
As described above, the
また、実施の形態1に係る半導体装置の製造方法は、ダイ7とパンチガイド8とでタイバー部3を挟んで固定する工程(a)と、パンチ6を切断開始位置から切断位置に移動させることで、パンチ6の先端部6aでタイバー部3を切断し切断箇所を凹部7aの奥側に折り曲げる工程(b)とを備えている。
In addition, the method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment includes the step (a) of fixing the
したがって、ダイ7とパンチガイド8とでタイバー部3を挟んで固定した状態でタイバー部3を切断するため、タイバー部3の切断時にリードフレーム2のたわみをなくすことで、リードフレーム2の寸法精度の低下を抑制できる。さらにパンチ6が切断位置にある状態で凸形状の先端部6aがダイ7の凹部7aに挿入されるため、タイバー部3を1箇所で切断し、タイバー部3の切断箇所をダイ7の凹部7aの奥側に折り曲げることができることから、切断屑の発生を抑制できる。
Therefore, since the
以上より、切断屑による品質トラブルの発生を抑制することができるため、半導体装置の歩留り向上を図ることが可能となる。 As described above, it is possible to suppress the occurrence of quality troubles due to cutting waste, so that it is possible to improve the yield of semiconductor devices.
<実施の形態2>
次に、実施の形態2に係る半導体製造装置1Aについて説明する。図3は、実施の形態2に係る半導体製造装置1Aが備えるパンチ6が切断位置にある状態を示す断面図である。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
<
Next, a
図3に示すように、実施の形態2では、凹部7aの入口側はR面取り形状である。または、凹部7aの入口側はC面取り形状であってもよい。
As shown in FIG. 3, in
実施の形態1では、凹部7aの入口側は直角であったため、タイバー部3の切断箇所が凹部7aの入口側の形状に沿って直角に曲げられたとき、当該箇所に亀裂が生じる可能性が考えられるが、凹部7aの入口側をR面取り形状またはC面取り形状とすることで、タイバー部3の切断箇所が凹部7aの入口側の形状に沿って曲面状に曲げられる。
In the first embodiment, since the entrance side of the
以上のように、実施の形態2に係る半導体製造装置1Aでは、凹部7aの入口側はR面取り形状またはC面取り形状であるため、タイバー部3の切断箇所を曲面状に曲げることで、当該箇所に亀裂が生じることを抑制できる。
As described above, in the
<実施の形態3>
次に、実施の形態3に係る半導体製造装置1Bについて説明する。図4は、実施の形態3に係る半導体製造装置1Bが備えるパンチ6が切断開始位置にある状態を示す断面図である。図5は、半導体製造装置1Bが備えるパンチ6が切断位置にある状態を示す断面図である。なお、実施の形態3において、実施の形態1,2で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
<
Next, a
図4に示すように、実施の形態3では、タイバー部3における切断予定箇所の裏面に切り欠き3aが形成されている。切り欠き3aはタイバー部3の厚みの1/3程度の深さであり、切り欠き3aの断面形状は上方を頂点とする三角形になるように形成されている。
As shown in FIG. 4, in the third embodiment, a
実施の形態1,2では、パンチ6の先端部6aがV字形状に形成されていたが、先端部6aが摩耗した場合、タイバー部3の切断時にパンチ6とタイバー部3との間で滑りが発生する可能性がある。この場合、タイバー部3の切断箇所および切断断面形状が安定しなくなり、リードフレーム2の寸法精度が低下する可能性がある。
In
図4と図5に示すように、実施の形態3では、タイバー部3における切断予定箇所の裏面に切り欠き3aが形成されたため、タイバー部3の切断時にかかる応力が切り欠き3aに集中し、切り欠き3aに沿ってタイバー部3を切断することができる。
As shown in FIGS. 4 and 5, in the third embodiment, the
次に、切り欠き3aの形成方法について説明する。ダイ7とパンチガイド8とでタイバー部3を挟んで固定する前に、切り欠き3aの形状に対応する突起を有するダイにタイバー部3を押し込むことで、タイバー部3における切断予定箇所の裏面に切り欠き3aを形成する。次に、リードフレーム2を1パッケージ分搬送した後、実施の形態1,2の場合と同様に、工程(a)と工程(b)を行う。
Next, a method for forming the
以上のように、実施の形態3に係る半導体装置の製造方法は、工程(a)の前に、タイバー部3における切断予定箇所の裏面に切り欠き3aを形成する工程(c)をさらに備えている。
As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment further includes the step (c) of forming the
したがって、先端部6aが摩耗した場合にも、タイバー部3の切断時にかかる応力が切り欠き3aに集中し、切り欠き3aに沿ってタイバー部3を切断することができる。さらに、タイバー部3における切断予定箇所の厚みが薄くなることで、タイバー部3を低負荷で切断することができる。
Therefore, even if the
なお、切り欠き3aの断面形状は三角形に限定されることなく、溝形状であってもよい。これにより、パンチ6とタイバー部3の切断箇所との位置決め制御が容易となる。
Note that the cross-sectional shape of the
<実施の形態4>
次に、実施の形態4に係る半導体製造装置1Cについて説明する。図6は、実施の形態4に係る半導体製造装置1Cが備えるパンチ16が切断開始位置にある状態を示す断面図である。図7は、半導体製造装置1Cが備えるパンチ16が切断位置にある状態を示す断面図である。なお、実施の形態4において、実施の形態1~3で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
<Embodiment 4>
Next, a semiconductor manufacturing apparatus 1C according to Embodiment 4 will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where the
図6と図7に示すように、実施の形態4では、半導体製造装置1Cはパンチ6に代えて、先端部16aを有するパンチ16を備えている。先端部16aは、鉛直部16bと傾斜部16cとを有する凸形状である。また、凹部7aの入口側における鉛直部16bに対向する箇所は直角であり、凹部7aの入口側におけるそれ以外の箇所はR面取り形状またはC面取り形状である。また、パンチ16が切断位置にある状態で、タイバー部3の切断側でのパンチ16の側部と凹部7aの側面との間隔は、タイバー部3の曲げ側でのパンチ16の側部と凹部7aの側面との間隔よりも小さい。具体的には、タイバー部3の切断側でのパンチ16の側部と凹部7aの側面との間隔は、タイバー部3の厚みの8%以上10%以下程度である。
As shown in FIGS. 6 and 7, in the fourth embodiment, a semiconductor manufacturing apparatus 1C has a
リードフレーム2の厚みが厚い場合(例えば0.5mm以上)において、実施の形態1の構成では、パンチ6の先端がタイバー部3を押圧した際に、タイバー部3における押圧された箇所が伸張し、切断まで至らない可能性がある。
When the
実施の形態4では、上記の構成を採用することで、パンチ16のせん断力を増加させることができるため、安定した切断が可能となる。
In Embodiment 4, by adopting the above configuration, the shearing force of the
以上のように、実施の形態4に係る半導体製造装置1Cでは、パンチ16の先端部16aは鉛直部16bと傾斜部16cとを有し、凹部7aの入口側における鉛直部16bに対向する箇所は直角である。
As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus 1C according to the fourth embodiment, the
したがって、パンチ16のせん断力を増加させることができるため、リードフレーム2の厚みが厚い場合にも安定した切断が可能となる。また、パンチ16の先端部16aには傾斜部16cが設けられているため、タイバー部3における切断箇所を切り落とすことなく、凹部7aの奥側に曲げることができ、切断屑の発生を抑制できる。
Therefore, since the shearing force of the
なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 In addition, it is possible to freely combine each embodiment, and to modify or omit each embodiment as appropriate.
1,1A,1B,1C 半導体製造装置、2 リードフレーム、3 タイバー部、3a 切り欠き、6 パンチ、6a 先端部、7 ダイ、7a 凹部、8 パンチガイド、16 パンチ、16a 先端部、16b 鉛直部、16c 傾斜部。
Claims (4)
切断開始位置と前記切断開始位置よりも下方に位置する切断位置との間で移動可能なように前記パンチを支持するパンチガイドと、
前記パンチが前記切断位置にある状態で前記パンチの前記先端部が挿入される凹部を有し、前記パンチガイドとで前記タイバー部を挟んで固定するダイと、を備え、
前記パンチの前記先端部は下方に突出するV字形状であり、
前記パンチが前記切断位置にある状態で、前記凹部の入口側における前記タイバー部と接触する全ての箇所はR面取り形状である、半導体製造装置。 a punch having a tip portion for cutting the tie bar portion of the lead frame;
a punch guide that supports the punch so as to be movable between a cutting start position and a cutting position located below the cutting start position;
a die that has a recess into which the tip of the punch is inserted while the punch is in the cutting position, and that holds and fixes the tie bar portion with the punch guide;
The tip of the punch has a V shape protruding downward ,
A semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein, when the punch is in the cutting position, all portions on an entrance side of the recess that come into contact with the tie bar portion have an R-chamfered shape.
(a)前記ダイと前記パンチガイドとで前記タイバー部を挟んで固定する工程と、
(b)前記パンチを前記切断開始位置から前記切断位置に移動させることで、前記パンチの前記先端部で前記タイバー部を切断し切断箇所を前記凹部の奥側に折り曲げる工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。 A manufacturing method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1 or claim 2 ,
(a) a step of sandwiching and fixing the tie bar portion between the die and the punch guide;
(b) a step of moving the punch from the cutting start position to the cutting position, thereby cutting the tie bar portion with the tip portion of the punch and bending the cut portion toward the inner side of the recess;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
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