JP7339559B2 - 発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子に関する。

特許文献１には、ｎ側半導体層の上に設けられたｐ側半導体層上に、ｐ側半導体層を被覆し開口を有する絶縁膜を設け、ｎ側電極を絶縁膜の開口内に設けてｎ側半導体層と導通させている発光素子が開示されている。

特開２０１４－２２６０８号公報

このような発光素子において、発光部における活性層の面積を確保しつつ発光分布を改善することが望まれる。

本発明の一実施形態に係る発光素子は、上面視形状が四角形の基板と、前記基板上に設けられた第１発光部及び第２発光部であって、前記第１発光部及び前記第２発光部のそれぞれは、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に位置する活性層と、を含む前記第１発光部及び前記第２発光部と、前記第１発光部及び前記第２発光部を覆い、前記第１発光部及び前記第２発光部それぞれに設けられた、前記第１半導体層上に位置する複数の第１開口部と、前記第２半導体層上に位置する少なくとも１つの第２開口部と、を含む絶縁層であって、上面視において、複数の前記第１開口部は、前記第２半導体層の外縁よりも外側に設けられた前記絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記第１発光部に設けられた複数の前記第１開口部にて前記第１発光部の前記第１半導体層と電気的に接続された第１電極と、前記第２発光部に設けられた前記第２開口部にて前記第２発光部の前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、前記絶縁層上に設けられ、前記第１発光部に設けられた前記第２開口部にて前記第１発光部の前記第２半導体層と電気的に接続されるとともに、前記第２発光部に設けられた複数の前記第１開口部にて前記第２発光部の前記第１半導体層と電気的に接続された第３電極と、を有し、前記基板は、前記第１発光部及び前記第２発光部から露出する露出部を有し、上面視において、前記露出部は、前記基板の中心を通る直線に重なって設けられている。

本発明の一実施形態に係る発光素子によれば、発光部における活性層の面積を確保しつつ発光分布が改善された発光素子を提供できる。

第１実施形態に係る発光素子を示す模式上面図である。 図１のＩＩＡ－ＩＩＡ線における模式断面図である。 図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線における模式断面図である。 第１実施形態に係る発光素子を示す模式上面図である。 第２実施形態に係る発光素子を示す模式上面図である。 第２実施形態に係る発光素子の第１変形例を示す模式断面図である。 図３Ｂの発光素子の回路構成図である。 第２実施形態に係る発光素子の第２変形例を示す模式断面図である。 第３実施形態に係る発光素子を示す模式上面図である。 第４実施形態に係る発光素子を示す模式上面図である。 第１実施形態に係る発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。 第１実施形態に係る発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。 図６ＢのＶＩＩ－ＶＩＩ線における模式断面図である。 第１実施形態に係る発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。 第１実施形態に係る発光素子を用いた発光装置を示す模式斜視図である。 図８ＢのＩＸ－ＩＸ線における模式断面図である。 第２実施形態に係る第２変形例の発光素子を用いた発光装置を示す模式断面図である。

以下、本発明に係る発光素子及び発光装置の実施形態について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、上面図、断面図の間において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。

＜第１実施形態＞
図１、図２Ａから図２Ｃを参照して、第１実施形態の発光素子１０Ａの構成について説明する。図１は、発光素子１０Ａの構成の詳細を説明するための模式上面図である。図２Ａに示す断面図は、図１に示す上面図のＩＩＡ－ＩＩＡ線における断面を模式的に示したものである。図２Ｂに示す断面図は、図１に示す上面図のＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面を模式的に示したものである。図２Ｃは、発光素子１０Ａの構成の詳細を説明するための模式上面図である。

発光素子１０Ａは、基板１１と、基板１１上に設けられた第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂとを含む。第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂのそれぞれは、第１導電型の第１半導体層１２ｎと、第２導電型の第２半導体層１２ｐと、第１半導体層１２ｎと第２半導体層との間に位置する活性層１２ａとを含んでいる。発光素子１０Ａは、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂを覆う絶縁層１４と、第１発光部１２Ａの第１半導体層１２ｎと電気的に接続された第１電極１５と、第２発光部１２Ｂの第２半導体層１２ｐと電気的に接続された第２電極１６と、第１発光部１２Ａの第２半導体層１２ｐと電気的に接続されるとともに、第２発光部１２Ｂの第１半導体層１２ｎと電気的に接続された第３電極１７と、を含む。第１電極１５は、第１配線部１５１と、第１配線部１５１上に設けられた第１外部接続部１５２と、を含んでもよい。第２電極１６は、第２配線部１６１と、第２配線部１６１上に設けられた第２外部接続部１６２と、を含んでもよい。第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間に電圧を印加することで、第１電極１５、第２電極１６、及び第３電極１７を介して、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂに電流が供給され、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの活性層１２ａが発光する。第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの活性層１２ａから発する光は、主に基板１１の下面及び側面から外部に取り出される。

基板１１は、半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよい。基板１１には、例えば、絶縁性の基板を用いる。本実施形態においては、発光素子１０Ａの光取り出し効率を向上させる観点から透光性を有するサファイア基板を用いることが好ましい。基板１１の上面視形状は四角形である。基板１１の上面視形状は、例えば、矩形とすることができる。本実施形態において、基板１１の上面視形状は、正方形である。基板１１の一辺の長さは、例えば、１００μｍ以上１５００μｍ以下であり、好ましくは１００μｍ以上５００μｍ以下である。

基板１１は、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂから露出する露出部１１Ｒを有している。上面視において、露出部１１Ｒは、基板１１の中心を通る直線に重なって設けられている。本実施形態においては、露出部１１Ｒは、上面視における基板１１の第１対角線２１に重なって設けられている。露出部１１Ｒは、上面視において、第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂとの間に位置している。露出部１１Ｒは、基板１１の一の角部から他の角部まで連続して設けられている。なお、上面視における基板１１の対角線のうち第１対角線２１とは異なる対角線を第２対角線２２とする。基板１１の中心は、第１対角線２１と第２対角線２２とが交差する部分である。露出部１１Ｒの幅は、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下とすることできる。

第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂは、基板１１の上に半導体層が積層された積層体である。基板１１上に設けられた第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂとは電気的に絶縁している。第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂのそれぞれは、第１導電型の第１半導体層１２ｎと、第２導電型の第２半導体層１２ｐと、第１半導体層１２ｎと第２半導体層１２ｐとの間に位置する活性層１２ａと、含む。本実施形態において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。第１半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及び第２半導体層１２ｐは、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１－Ｘ－Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の半導体が好適に用いられる。また、これらの半導体層は、それぞれ単層構造でもよく、組成及び膜厚等の異なる複数の層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に、活性層１２ａは、量子効果が生じる薄膜を積層した単一量子井戸又は多重量子井戸構造であることが好ましい。半導体層にはＳｉ、Ｇｅ等のｎ型不純物及び／又はＭｇ、Ｚｎ等のｐ型不純物をドープすることができる。第１半導体層１２ｎは、例えば、ｎ型不純物がドープされた半導体層を含む。第２半導体層１２ｐは、例えば、ｐ型不純物がドープされた半導体層を含む。

図１に示すように、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの第１半導体層１２ｎの上面視形状は、例えば、略三角形である。上面視において、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂは、直線状の露出部１１Ｒによって離隔され、第１発光部１２Ａの面積と、第２発光部１２Ｂの面積とは、略同じである。これにより、第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂとを直列に接続する場合に、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂに印加される電圧のばらつきを低減でき、第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂとにおける発光のばらつきを抑制することができる。

第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの第１半導体層１２ｎは、上面視において、第１部分１２ｎａと、第１部分１２ｎａよりも内側に位置する第２部分１２ｎｂとを有する。第１部分１２ｎａは、活性層１２ａ及び第２半導体層１２ｐが設けられておらず、活性層１２ａ及び第２半導体層１２ｐから第１半導体層１２ｎが露出している部分である。第２部分１２ｎｂには、活性層１２ａ及び第２半導体層１２ｐが設けられる。上面視において、第１部分１２ｎａは、第２半導体層１２ｐの外縁よりも外側に位置している。上面視において、第１部分１２ｎａは、第２部分１２ｎｂ側に延出する複数の延出部を有し、第１部分１２ｎａの延出部に後述する絶縁層１４の第１開口部１４ｎが位置している。

光反射性電極１３は、図１、図２Ａから図２Ｃに示すように、第２半導体層１２ｐの上面に設けられ、第２半導体層１２ｐと電気的に接続される。光反射性電極１３は、第２半導体層１２ｐの上面の略全面を覆って設けられている。

光反射性電極１３は、第２電極１６及び第３電極１７を介して供給される電流を、第２半導体層１２ｐに拡散させることができる。光反射性電極１３は、活性層１２ａからの光に対して高い光反射性を有することが好ましい。光反射性電極１３は、活性層１２ａからの光に対して、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上の反射率を有することが好ましい。光反射性電極１３は、良好な導電性と光反射性とを有する金属材料を用いることができる。光反射性電極１３には、金属材料として、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｒｕ又はこれらの金属を主成分とする合金を好適に用いることができる。また、光反射性電極１３は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを用いることができる。光反射性電極１３の厚さは、例えば、３００ｎｍ以上１μｍ以下とすることができる。

図１、図２Ａから図２Ｃに示すように、絶縁層１４は、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの表面と、基板１１の露出部１１Ｒの表面とを覆って設けられている。絶縁層１４は、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂそれぞれに設けられた、第１半導体層１２ｎ上に位置する複数の第１開口部１４ｎと、第２半導体層１２ｐ上に位置する少なくとも１つの第２開口部１４ｐと、を含む。上面視において、複数の第１開口部１４ｎは、第２半導体層１２ｐの外縁よりも外側に位置する第１部分１２ｎａ上に位置している。上面視において、複数の第１開口部１４ｎは、島状に設けられている。本実施形態では、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂのそれぞれに３つの第１開口部１４ｎが設けられている。また、第１発光部１２Ａには、２つの第２開口部１４ｐが設けられ、第２発光部１２Ｂには、１つの第２開口部１４ｐが設けられている。

上面視において、第２発光部１２Ｂに設けられた複数の第１開口部１４ｎのうち少なくとも１つは、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間に位置している。これにより、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域に電流を供給させやすくし、発光素子１０Ａの発光分布を改善することができる。第２発光部１２Ｂに設けられた複数の第１開口部１４ｎのうち少なくとも１つは、第２対角線２２上に位置していることが好ましい。これにより、発光素子１０Ａの発光分布をさらに改善することができる。

第１発光部１２Ａに設けられた複数の第１開口部１４ｎのうち少なくとも１つは、第２対角線２２上に位置している。本実施形態において、第１発光部１２Ａに設けられた第１開口部１４ｎの１つは、上面視において、第２対角線２２上における第１外部接続部１５２と基板１１の外縁との間に位置している。これにより、第１外部接続部１５２と基板１１の外縁との間に電流を供給させやすくし、発光素子１０Ａの発光分布を改善することできる。第１配線部１５１は、第２対角線２２上における第１外部接続部１５２と基板１１の外縁との間に設けられた第１開口部１４ｎにて第１半導体層１２ｎと電気的に接続されている。そのため、第２対角線２２上における第１配線部１５１の外縁と基板１１の外縁との間の距離は、第２対角線２２上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の距離よりも短くなっている。

第１開口部１４ｎの大きさは第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの大きさによって適宜設定することができる。第１開口部１４ｎの上面視での形状が、例えば円形の場合、第１開口部１４ｎの直径は、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。第１開口部１４ｎの直径を５μｍ以上とするにより、第１電極１５及び第３電極１７と第１半導体層１２ｎとが接続される面積を増加させ順方向電圧Ｖｆの上昇を抑制することができる。第１開口部１４ｎの直径を２０μｍ以下とすることにより、活性層１２ａを除去する領域を小さくし活性層１２ａの面積が小さくなることを抑制することができる。

第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐは、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域以外に設けられている。第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域に位置する第１発光部１２Ａの第２半導体層１２ｐの面積は小さくなりやすく、第２開口部１４ｐを所望の形状に設けることが難しい。第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐを、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域以外に設けることで、第２開口部１４ｐの形状を所望の形状に設けやすく、発光素子１０Ａの電気的特性を安定化させることができる。

上面視において、第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐの面積は、第１開口部１４ｎの面積よりも大きい。例えば、第１発光部１２Ａに設けられた１つの第２開口部１４ｐの面積は、第１発光部１２Ａに設けられた１つの第１開口部１４ｎの面積の３０倍以上５０倍以下とすることができる。

絶縁層１４としては、酸化物や窒化物を用いることができる。絶縁層１４には、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の材料を含む酸化物又は窒化物を好適に用いることができる。絶縁層１４には、例えば、ＳｉＯ２やＳｉＮなどを用いる。また、絶縁層１４は、これらの酸化物や窒化物を単層で、又は積層したものが利用できる。絶縁層１４として、屈折率の異なる２種以上の誘電体層を用いて積層し、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）膜を構成するようにしてもよい。

図１、図２Ａから図２Ｃに示すように、第１電極１５は、絶縁層１４上に設けられ、第１発光部１２Ａに設けられた複数の第１開口部１４ｎにて第１発光部１２Ａの第１半導体層１２ｎと電気的に接続されている。第１電極１５の一部は、絶縁層１４を介して第２半導体層１２ｐの上方に設けられている。第２電極１６は、第２発光部１２Ｂに設けられた第２開口部１４ｐにて第２発光部１２Ｂの第２半導体層１２ｐと電気的に接続されている。第２電極１６の一部は、絶縁層１４上に設けられている。第３電極１７は、絶縁層１４上に設けられ、第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐにて第１発光部１２Ａの第２半導体層１２ｐと電気的に接続されるとともに、第２発光部１２Ｂに設けられた複数の第１開口部１４ｎにて第２発光部１２Ｂの第１半導体層と電気的に接続されている。第３電極１７は、第１発光部１２Ａと、第２発光部１２Ｂと、露出部１１Ｒとを連続して覆っている。第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂとは、第１電極１５、第２電極１６、及び第３電極１７により直列に接続されている。

本実施形態において、第１電極１５及び第３電極１７は、第１半導体層１２ｎの第１部分１２ｎａ上に位置する第１開口部１４ｎのみで第１半導体層１２ｎと電気的に接続されている。つまり、第１電極１５及び第３電極１７は、第２半導体層１２ｐの外縁よりも内側に位置する第１半導体層１２ｎとは電気的に接続されていない。これにより、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの活性層１２ａの面積を広く確保することができる。第１電極１５及び第３電極１７を第２半導体層１２ｐの外縁よりも内側に位置する第１半導体層１２ｎと電気的に接続させる場合、部分的に活性層１２ａを除去する必要があり発光素子１０Ａの活性層１２ａの面積が小さくなってしまう。なお、第１電極１５及び第３電極１７は、発光分布を悪化させない程度に第２半導体層１２ｐの外縁よりも内側に位置し第１半導体層１２ｎが露出する第３部分と電気的に接続されていてもよい。上面視において、第３部分は、第２半導体層１２ｐに囲まれた部分である。

第１電極１５は、第１半導体層１２ｎ上に設けられた第１配線部１５１と、第１配線部１５１上に設けられ、第１配線部１５１と電気的に接続された第１外部接続部１５２を含む。第１配線部１５１は、第１発光部１２Ａに設けられた複数の第１開口部１４ｎにて第１半導体層１２ｎと電気的に接続されている。第２電極１６は、第２半導体層１２ｐ上に設けられた第２配線部１６１と、第２配線部１６１上に設けられ、第２配線部１６１と電気的に接続された第２外部接続部１６２を含む。第２配線部１６１は、第２発光部１２Ｂに設けられた第２開口部１４ｐにて光反射性電極１３と電気的に接続されている。上面視において、第１配線部１５１と、第２配線部１６１と、第３電極１７とは重ならないように設けられている。上面視において、第２配線部１６１は、第３電極１７に囲まれている。第１対角線２１上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の距離は、第２対角線２２上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の距離と略同じである。

第１配線部１５１、第２配線部１６１、及び第３電極１７には、金属材料を用いることができ、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗなどの単体金属又はこれらの金属を主成分とする合金などを好適に用いることができる。第１配線部１５１、第２配線部１６１、及び第３電極１７として合金を用いる場合は、例えば、ＡｌＳｉＣｕ合金等を用いることができる。また、第１配線部１５１、第２配線部１６１、及び第３電極１７は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。本実施形態において、第１配線部１５１、第２配線部１６１、及び第３電極１７は同じ金属材料を用いた積層構造である。

図２Ｃに示すように、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２は、第２対角線２２上に設けられている。第１対角線２１に平行な方向において、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２とは重ならないように設けられている。このように第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２を配置することで、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の距離を、例えば、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２を基板１１の一辺に平行な方向に対向して配置する場合よりも長くできる。その結果、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２を配線が設けられた基板に接合する際、導電性の異なる２つの配線に跨って第１外部接続部１５２又は第２外部接続部１６２が設けられることを抑制することができる。また、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２を半田などの導電性部材を用いて配線に接合する際、導電性部材によって第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２が電気的に接続されることを抑制できる。つまり、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２とが導電性部材により短絡されることを抑制できる。上面視において、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の最短距離は、例えば、基板１１の一辺の３０％以上６０％以下とすることが好ましく、４０％以上５０％以下とすることがより好ましい。第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の最短距離は、例えば、１２０μｍ以上２５０μｍ以下である。

第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の上面視形状は、略三角形である。本実施形態において、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の上面視形状は、角部が丸まった三角形である。第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２と配線との接合性や位置精度を向上させる観点から、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の大きさを略同じとすることが好ましい。

上面視において、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２は、第１対角線２１に平行な直線部を含む。第１外部接続部１５２の直線部と第２外部接続部１６２の直線部との間の距離が、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の最短距離に相当する。第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２は直線部の長さは、例えば、基板１１の一辺の長さの２０％以上４０％以下とすることができる。第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２がこのような直線部を有することで、第１外部接続部１５２の直線部と第２外部接続部１６２の直線部との間の距離が同じ領域を配置することできる。これにより、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２とが部分的に近くなる部分がなくなり、基板に接合する際に第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２が電気的に接続されることを抑制できる。

第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の材料としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を好適に用いることができる。また、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２は、これらの金属材料を単層で、又は積層したものを利用することができる。第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の厚さは、例えば、３０μｍ以上７０μｍ以下とすることできる。

図１、図２Ａから図２Ｃに示すように、保護膜３０は、絶縁層１４、第１電極１５、第２電極１６、及び第３電極１７の表面を覆って設けられている。保護膜３０は、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの表面を覆っている。保護膜３０は、絶縁層１４、第１電極１５、第２電極１６、及び第３電極１７を保護するための部材である。保護膜３０は、第１配線部１５１上に位置する第３開口部３０ｎと、第２配線部１６１上に位置する第４開口部３０ｐと、を含む。第３開口部３０ｎ及び第４開口部３０ｐには、シード電極１８が設けられている。第１配線部１５１と第１外部接続部１５２との間、第２配線部１６１と第２外部接続部１６２との間にはシード電極１８が設けられている。例えば、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２をめっき法により形成する場合、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２はシード電極１８を起点に成長することで形成される。

以上説明したように、発光素子１０Ａは、第１部分１２ｎａ上に位置する複数の第１開口部１４ｎにて第１半導体層１２ｎと電気的に接続される第１電極１５及び第３電極１７を有する。これにより、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの活性層１２ａの面積を比較的大きく確保しつつ、発光素子１０Ａの発光分布を改善することができる。また、発光素子１０Ａは、基板１１の中心を通る第１対角線２１に重なって設けられた露出部１１Ｒによって隔離された第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂを有する。これにより、直列に接続された第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂに印加される電圧のばらつきを低減し発光分布を改善することができる。

なお、本実施形態では、２つの発光部を含む発光素子１０Ａについて説明したが、３以上の発光部を含む発光素子としてもよい。また、本実施形態では、保護膜３０が設けられた形態を説明したが、保護膜３０は設けなくてもよい。また、本実施形態では、光反射性電極１３が設けられた形態を説明したが、光反射性電極１３は設けなくてもよい。また、シード電極１８が設けられた形態を説明したが、シード電極１８を設けず、第１外部接続部１５２を第１配線部１５１に直接設け、第２外部接続部１６２を第２配線部１６１に直接設けてもよい。また、本実施形態では、基板１１に直線上の露出部１１Ｒを設ける形態を説明したが、露出部１１Ｒを設けずに高抵抗の半導体層を設けることで第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂを電気的に絶縁した形態としてもよい。また、上面視において、露出部１１Ｒを直線のみで設ける形態を説明したが、露出部１１Ｒの一部を曲線としてもよい。また、上面視において、露出部１１Ｒを１つの直線で設ける形態を説明したが、複数の直線を含む露出部１１Ｒとしてもよい。例えば、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域に位置し第１対角線２１に重なる第１直線と、第１直線から連続し基板１１の一辺に平行な第２直線と、を有する露出部１１Ｒとしてもよい。

＜第２実施形態＞
次に図３Ａを参照して、第２実施形態の発光素子１０Ｂの構成について説明する。

発光素子１０Ｂは、図３Ａに示すように、第３電極１７の配置が発光素子１０Ａと主に相違している。以下では、図１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

図３Ａに示すように、本実施形態において、第１対角線２１上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の第１距離は、第２対角線２２上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の第２距離よりも長くなっている。つまり、露出部１１Ｒが設けられている基板１１の外縁から第３電極１７の外縁までの距離を、露出部１１Ｒが設けられていない基板１１の外縁から第３電極１７の外縁までの距離を長くしている。ここで、例えば、後述する発光装置１００Ｂのように、透光部材６０を発光素子１０Ａの外周部に設ける場合、透光部材６０の一部が露出部１１Ｒ上に這い上がるおそれがある。これは、露出部１１Ｒには第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂが設けられておらず、発光素子１０Ａのうち露出部１１Ｒが設けられている領域は他の領域よりも低くなっているためである。蛍光体を含有する透光部材６０が第３電極１７に接触すると、第３電極１７が腐食し発光装置の信頼性を低下させるおそれがある。本実施形態によれば、第１距離を比較的長くしているため、露出部１１Ｒに透光部材６０が這い上がったとしても第３電極１７に達することが抑制され、透光部材６０により第３電極１７が腐食等することを抑制することができる。その結果、発光装置の信頼性を高くすることができる。

第１距離は、例えば、第２距離の１．５倍以上３倍以下とすることができる。第１距離を第２距離の１．５倍以上とすることで、第３電極１７に透光部材６０が達することを抑制しやすくできる。第１距離を第２距離の３倍以下とすることで、第３電極１７を配置する領域を確保しやすくできる。第３電極１７が配置される面積を確保する観点から、第１対角線２１上における第３電極１７の外縁は、第１発光部１２Ａと第２発光部１２Ｂとの間の領域には位置しないように設けられている。

本実施形態においては、第１距離を第２距離よりも長くしたことにより、第１実施形態の発光素子１０Ａに比べて、第３電極１７が配置される領域は小さくなる。第１対角線２１付近に位置する第３電極１７の面積は、第１実施形態の発光素子１０Ａに比べて小さくなっている。後述する発光装置１００Ｃに示すように、第３電極１７が設けられていない領域上には、光反射性を有する第１反射部材５０が設けられる。そのため、第３電極１７が設けられていない領域において、発光素子１０Ａからの光は第１反射部材５０により透光部材６０側に反射される。

＜第２実施形態の変形例＞
次に、図３Ｂを参照して、第２実施形態の第１変形例である発光素子１０Ｂ１の構成について説明する。図３Ｂは、発光素子１０Ｂ１における、図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線に相当する位置の模式断面図である。

発光素子１０Ｂ１は、図３Ｂに示すように、第３電極１７の一部を保護膜３０から露出させていることが発光素子１０Ｂと主に相違している。したがって、図３Ａに示す発光素子１０Ｂの図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線に相当する位置の模式断面図は、第３電極１７の一部が保護膜３０から露出していることを除いて、図３Ｂの模式断面図と同一である。以下では、図１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

図３Ｂに示すように、光反射性電極１３、及び第３電極１７の一部が上下方向に接触して配置されている。光反射性電極１３と第３電極１７の一部とが重なった位置において、光反射性電極１３と接する側と反対側の第３電極１７の一部が保護膜３０から露出し、第３電極１７に露出部１７ａが形成されている。露出部１７ａは、上面視においては、各第１開口部１４ｐに１つずつ形成される。ここで、図３Ｃは、露出部１７ａを含む発光素子１０Ｂ１の回路構成図である。図３Ｃに示すように、第１外部接続部１５２、第１発光部１２Ａ、第３電極１７、第２発光部１２Ｂ、及び第２外部接続部１６２が電気的に直列接続されている。第１発光部１２Ａにおいては、第１外部接続部１５２、シード電極１８、第１配線部１５１、第１半導体層１２ｎ、活性層１２ａ、第２半導体層１２ｐ、光反射性電極１３、及び第３電極１７が電気的に接続される。また、第２発光部１２Ｂにおいては、第３電極１７、第１半導体層１２ｎ、活性層１２ａ、第２半導体層１２ｐ、光反射性電極１３、第２配線部１６１、シード電極１８、及び第２外部接続部１６２が電気的に接続される。第１発光部１２Ａと、第２発光部１２Ｂとの間には第３電極１７が電気的に接続され、各露出部１７ａは、同電位になる。

発光素子１０Ｂ１においては、第１外部接続部１５２、及び第２外部接続部１６２に、例えば、プローブを当接させて検査を行うことにより、第１発光部１２Ａ、及び第２発光部１２Ｂの電気的特性を評価することができる。これにより、発光装置１０Ｂ１においては、第１発光部１２Ａ、及び第２発光部１２Ｂを合わせた電気的特性を評価することができる。これに加え、発光素子１０Ｂ１においては、露出部１７ａのいずれか１つと、第１外部接続部１５２とを用いて、第１発光部１２Ａの電気的特性を評価することができる。さらに、露出部１７ａのいずれか１つと、第２外部接続部１６２とを用いて、第２発光部１２Ｂの電気的特性を評価することができる。したがって、発光素子１０Ｂ１においては、第１発光部１２Ａ、及び第２発光部１２Ｂを合わせた電気的特性に加え、第１発光部１２Ａ、第２発光部１２Ｂのそれぞれについて個別に電気的特性を評価することができる。また、第１発光部１２Ａ、及び第２発光部１２Ｂの電気的特性を個別に評価できるため、発光素子１０Ｂ１の評価の信頼性を向上させることができる。

次に、図３Ｄを参照して、第２実施形態の第２変形例である発光素子１０Ｂ２の構成について説明する。図３Ｄは、発光素子１０Ｂ２における、図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線に相当する位置の模式断面図である。

発光素子１０Ｂ２は、図３Ｄに示すように、第２実施形態の第１変形例の発光素子１０Ｂ１の露出部１７ａの上側に金属層を配置したことが発光素子１０Ｂ１と相違している。以下では、図１０Ｂ１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

図３Ｄに示すように、露出部１７ａの上側に金属層１８ａが配置されている。金属層１８ａの材料は、例えば、シード電極１８と同じ材料が用いられる。この場合、金属層１８ａは、例えば、シード電極１８を形成するタイミングでシード電極１８と同時に形成されてよい。金属層１８ａを設けることにより、プローブを金属層１８ａに当接させることができる。このように第３電極１７の露出部１７ａに金属層１８ａを介してプローブを当接させることにより、第３電極１７が損傷することを抑制できる。

＜第３実施形態＞
次に図４を参照して、第３実施形態の発光素子１０Ｃの構成について説明する。

発光素子１０Ｃは、図４に示すように、第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐの配置が発光素子１０Ａと主に相違している。以下では、図１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

図４に示すように、本実施形態において、１つの第２開口部１４ｐが、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域と、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間以外の領域とに連続して設けられている。これにより、第３電極１７と第１発光部１２Ａの第２半導体層１２ｐとが電気的に接続される領域を第１実施形態の発光素子１０Ａよりも大きくすることできる。その結果、発光素子１０Ａの順方向電圧Ｖｆを低減することができる。

第２対角線２２に平行な方向において、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域に設けられた第２開口部１４ｐの幅は、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間以外の領域に設けられた第２開口部１４ｐの幅よりも小さい。これにより、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の距離をより短くしつつ、第３電極１７と第１発光部１２Ａの第２半導体層１２ｐとが接続される面積を大きく確保しやすくすることができる。なお、本実施形態において、第１外部接続部１５２は、第１電極１５としてもよい。また第２外部接続部１６２は、第２電極１６としてもよい。

＜第４実施形態＞
次に図５を参照して、第４実施形態の発光素子１０Ｄの構成について説明する。以下では、図１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

発光素子１０Ｄは、図５に示すように、基板１１の露出部１１Ｒが基板１１の中心を通り、基板１１の一辺の長さを２等分する直線に重なって設けられている。露出部１１Ｒに平行な方向に直交する方向において、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２とは対向して設けられている。第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの上面視形状は、略四角形である。上面視において、第１発光部１２Ａの面積と、第２発光部１２Ｂの面積は略同じである。第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の上面視形状は、角部が丸まった四角形である。第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂにはそれぞれ４つの第１開口部１４ｎが設けられている。第２発光部１２Ｂに設けられた４つの第１開口部１４ｎのうち２つの第１開口部１４ｎは、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間に位置している。露出部１１Ｒに平行な方向に直交する方向において、第１発光部１２Ａに設けられた４つの第１開口部１４ｎのうち２つの第１開口部１４ｎは、第１外部接続部１５２と基板１１の外縁との間に位置している。第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐは、露出部１１Ｒに沿って設けられている。第１発光部１２Ａに設けられた第２開口部１４ｐは、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間の領域と、第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間以外の領域とに連続して設けられている。なお、本実施形態において、第１外部接続部１５２は、第１電極１５としてもよい。また第２外部接続部１６２は、第２電極１６としてもよい。

本実施形態に係る発光素子１０Ｄにおいても、上述した第１実施形態に係る発光素子１０Ａと同様に、第１発光部１２Ａ及び第２発光部１２Ｂの活性層１２ａの面積を比較的大きく確保しつつ、発光素子１０Ｄの発光分布を改善することができる。

＜発光装置１００Ａ＞
図６Ａ、図６Ｂ、及び図７を参照して、発光素子１０Ａを用いた発光装置１００Ａの構成について説明する。図６Ａ及び図６Ｂは、発光装置１００Ａを示す斜視図である。図７に示す断面図は、図６ＢのＶＩＩ－ＶＩＩ線における断面を模式的に示したものである。

発光装置１００Ａは、図６Ａ、図６Ｂ、及び図７に示すように、発光素子１０Ａと、発光素子１０Ａの側面を覆う被覆部材４０と、発光素子１０Ａの側面及び被覆部材４０の表面を覆う第１反射部材５０と、発光素子１０Ａの基板１１の下面に設けられた透光部材６０と、を有する。

被覆部材４０は、図７に示すように、発光素子１０Ａの側面の少なくとも一部と、透光部材６０の上面とを覆っている。被覆部材４０は、発光素子１０Ａの各側面の一部を覆っている。発光素子１０Ａの基板１１は、被覆部材４０により覆われている。被覆部材４０は、第１反射部材５０と接する部分に曲面を有している。被覆部材４０を設けることで、発光素子１０Ａから出射される光を被覆部材４０の曲面により透光部材６０側に反射させ、光取り出し効率を向上させることができる。

第１反射部材５０は、図７に示すように、発光素子１０Ａの上面の一部及び側面の一部、被覆部材４０の曲面、及び透光部材６０の上面を覆っている。第１反射部材５０は、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の側面を覆っている。第１反射部材５０は、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の一部は覆わないように設けられる。第１反射部材５０から露出する第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の表面は外部との導通部として機能する。第１反射部材５０の上面と、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の上面とは略同一平面上に位置している。

第１反射部材５０には、光反射性を有する樹脂又はセラミックを用いる。第１反射部材５０には、例えば、樹脂に光反射性の物質が含有された樹脂を用いることができる。例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いる。光反射性の物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、アルミナ等を用いる。第１反射部材５０が光反射性を有することで、発光素子１０Ａから出射される光を反射させ、光取り出し効率を向上させることができる。第１反射部材５０は、例えば、発光素子１０Ａから出射される光の波長に対して、６０％以上の反射率、好ましくは７０％以上の反射率を有することが好ましい。

透光部材６０は、発光素子１０Ａの基板１１の下面に設けられている。透光部材６０は、光反射性物質や、発光素子１０Ａから出射される光の一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。透光部材６０は、例えば、樹脂、ガラス、セラミック等により形成することができる。また、蛍光体を含有する透光部材６０は、例えば、蛍光体の焼結体、あるいは樹脂、ガラス、セラミックに蛍光体を含有させたものを用いることができる。

透光部材６０に含有させる蛍光体には、公知の材料を適用することができる。透光部材６０に含有させる蛍光体には、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）、αサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２（Ｓｉ，Ａｌ）Ｆ_６：Ｍｎ）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３）、又は、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ_２又はＡｇＩｎＳｅ_２）等を用いることができる。これらの蛍光体と、発光素子からの光の波長の組み合わせにより、所望の発光色の発光装置を得ることができる。

透光部材６０は、発光素子１０Ａの基板１１の下面を被覆するように配置する場合、接着材を介して接合することができる。接着材は、例えば、エポキシ又はシリコーンのような透光性を有する樹脂を用いることができる。また、透光部材６０と発光素子１０Ａの基板１１の下面との接合には、例えば、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合等による直接接合法を用いてもよい。

＜発光装置１００Ｂ＞
図８Ａ、図８Ｂ、及び図９を参照して、発光素子１０Ａを用いた発光装置１００Ｂの構成について説明する。図８Ａ及び図８Ｂは、発光装置１００Ｂを示す斜視図である。図９に示す断面図は、図８ＢのＩＸ－ＩＸ線における断面を模式的に示したものである。

発光装置１００Ｂは、図８Ａ、図８Ｂ、及び図９に示すように、第１反射部材５０、透光部材６０、及び第２反射部材７０の配置と、被覆部材４０が配置されていないことが発光装置１００Ａと主に相違している。以下では、図６Ａ、図６Ｂ、及び図７に示す発光装置１００Ａと同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

発光装置１００Ｂは、発光素子１０Ａと、発光素子１０Ａの上面の一部を覆う第１反射部材５０と、発光素子１０Ａの基板１１の側面及び下面を覆う透光部材６０と、透光部材６０の下面に設けられた第２反射部材７０と、を有する。

第１反射部材５０は、図９に示すように、発光素子１０Ａの上面の一部と、透光部材６０の上面を覆っている。第１反射部材５０は、基板１１の側面及び下面には設けられていない。これにより、発光素子１０Ａから出射される光のうち第１反射部材５０側に向かう光を透光部材６０側に反射させるとともに、発光素子１０Ａから出射される光を透光部材６０に効率よく入射させることができる。第１反射部材５０の上面は、第１外部接続部１５２及び第２外部接続部１６２の上面よりも下方に位置している。第１外部接続部１５２と第２外部接続部１６２との間に位置する第１反射部材５０の上面は、その他の領域に位置する第１反射部材５０の上面よりも下方に位置している。

透光部材６０は、第１半導体層１２ｎの側面、基板１１の側面及び下面に設けられている。発光素子１０Ａから出射される光の一部は、透光部材６０の側面から取り出される。

第２反射部材７０は、透光部材６０の下面に設けられている。透光部材６０は、第１反射部材５０と第２反射部材７０の間に設けられている。第２反射部材７０には、上述した第１反射部材５０と同様の部材を用いることができる。また、第２反射部材７０には、光反射性を有する金属部材、複数の誘電体層を含むＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を用いることができる。

＜発光装置１００Ｃ＞
図１０を参照して、発光素子１０Ｂ２を用いた発光装置１００Ｃの構成について説明する。図１０は、発光素子１０Ｂ２を用いた発光装置１００Ｃを示す模式断面図である。より詳細には、図１０は、発光装置１００Ｃに含まれる発光素子１０Ｂ２の図１のＩＩＢ－ＩＩＢ線に相当する位置での模式断面図である。発光装置１００Ｃの斜視図は、上述の図８Ａ，図８Ｂと同様である。また、発光装置１００Ｃは、発光素子１０Ｂ２を用いているが、発光素子１０Ｂ、１００Ｂ１のいずれを用いてもよい。

発光装置１００Ｃは、発光素子１０Ｂ２において、第１対角線２１上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の第１距離が、第２対角線２２上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の第２距離よりも長くなっていることが発光装置１００Ｂと主に相違している。以下では、図８Ａ、図８Ｂ、及び図９に示す発光装置１００Ｂと同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。

図１０に示すように、発光装置１００Ｃは、発光素子１０Ｂ２と、発光素子１０Ｂ２の上面の一部を覆う第１反射部材５０と、発光素子１０Ｂ１の基板１１の側面、及び下面を覆う透光部材６０と、透光部材６０の下面に設けられた第２反射部材７０と、を有する。

発光素子１０Ｂ２において、第１対角線２１上における第３電極１７の外縁と基板１１の外縁との間の第１距離が、発光装置１００Ｂの第１距離と比較して短くなっている。つまり、発光素子１０Ｂ２を用いた発光装置１００Ｃは、発光素子１０Ａを用いた発光装置１００Ｂと比較して、第３電極１７が配置される領域が上面視において小さくなる。また、第３電極１７が設けられていない領域上には、光反射性を有する第１反射部材５０が設けられる。そのため、第３電極１７が設けられていない領域において、発光素子１０Ｂ２からの光は第１反射部材５０により透光部材６０側に反射される。これにより、上述の発光装置１００Ｂと比較して、発光素子１０Ｂ２から出射される光のうち第１反射部材５０側に向かう光を透光部材６０側にさらに多く反射させ、発光素子１０Ｂ２から出射される光を透光部材６０に効率よく入射させることができる。したがって、発光装置１００Ｃは、発光装置１００Ｂと比較して、発光分布をさらに改善することができる。

以上、本発明に係る発光素子及び発光装置について、発明を実施するための形態によって具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。

１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｂ１、１０Ｂ２、１０Ｃ、１０Ｄ 発光素子
１１ 基板
１１Ｒ 露出部
１２Ａ 第１発光部
１２Ｂ 第２発光部
１２ｎ 第１半導体層
１２ｎａ 第１部分
１２ｎｂ 第２部分
１２ａ 活性層
１２ｐ 第２半導体層
１３ 光反射性電極
１４ 絶縁層
１４ｎ 第１開口部
１４ｐ 第２開口部
１５ 第１電極
１５１ 第１配線部
１５２ 第１外部接続部
１６ 第２電極
１６１ 第２配線部
１６２ 第２外部接続部
１７ 第３電極
１７ａ 露出部
１８ シード電極
１８ａ 金属層
２１ 第１対角線
２２ 第２対角線
３０ 保護膜
３０ｎ 第３開口部
３０ｐ 第４開口部
４０ 被覆部材
５０ 第１反射部材
６０ 透光部材
７０ 第２反射部材
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ 発光装置

Claims (6)

1. 上面視形状が四角形の基板と、
   前記基板上に設けられた第１発光部及び第２発光部であって、前記第１発光部及び前記第２発光部のそれぞれは、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に位置する活性層と、を含む前記第１発光部及び前記第２発光部と、
   前記第１発光部及び前記第２発光部を覆い、前記第１発光部及び前記第２発光部それぞれに設けられた、前記第１半導体層上に位置する複数の第１開口部と、前記第２半導体層上に位置する少なくとも１つの第２開口部と、を含む絶縁層であって、上面視において、複数の前記第１開口部は、前記第２半導体層の外縁よりも外側に設けられた前記絶縁層と、
   前記絶縁層上に設けられ、前記第１発光部に設けられた複数の前記第１開口部にて前記第１発光部の前記第１半導体層と電気的に接続された第１電極と、
   前記第２発光部に設けられた前記第２開口部にて前記第２発光部の前記第２半導体層と電気的に接続された第２電極と、
   前記絶縁層上に設けられ、前記第１発光部に設けられた前記第２開口部にて前記第１発光部の前記第２半導体層と電気的に接続されるとともに、前記第２発光部に設けられた複数の前記第１開口部にて前記第２発光部の前記第１半導体層と電気的に接続された第３電極と、を有し、
   前記基板は、前記第１発光部及び前記第２発光部から露出する露出部を有し、
   上面視において、前記露出部は、前記基板の中心を通る直線に重なって設けられ、
   前記露出部は、上面視における前記基板の第１対角線上に位置し、
   前記第１電極は、前記第１半導体層上に設けられた第１配線部と、前記第１配線部上に設けられ、前記第１配線部と電気的に接続された第１外部接続部を含み、
   前記第２電極は、前記第２半導体層上に設けられた第２配線部と、前記第２配線部上に設けられ、前記第２配線部と電気的に接続された第２外部接続部を含み、
   前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部は、上面視における前記基板の対角線のうち前記第１対角線とは異なる第２対角線上に設けられ、
   前記第１発光部に設けられた前記第２開口部は、前記第１外部接続部と前記第２外部接続部との間の領域以外に設けられ、
   上面視において、前記第２発光部に設けられた複数の前記第１開口部のうち少なくとも１つは、前記第１外部接続部と前記第２外部接続部との間に位置すると共に、前記第２対角線上に位置する発光素子。
2. 上面視において、前記第１発光部に設けられた複数の前記第１開口部のうち少なくとも１つは、前記第２対角線上に位置すると共に、前記第２対角線上における前記第１外部接続部と前記基板の外縁との間に位置する請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１配線部は、前記第２対角線上における前記第１外部接続部と前記基板の外縁との間に設けられた前記第１開口部にて前記第１半導体層と電気的に接続される請求項２に記載の発光素子。
4. 前記第１対角線上における前記第３電極の外縁と前記基板の外縁との間の第１距離は、前記第２対角線上における前記第３電極の外縁と前記基板の外縁との間の第２距離よりも長い請求項１に記載の発光素子。
5. 上面視において、前記第１発光部に設けられた前記第２開口部の面積は、前記第１開口部の面積よりも大きい請求項１から４のいずれか１つに記載の発光素子。
6. 前記第１発光部の面積と、前記第２発光部の面積と、は略同一である、請求項１に記載の発光素子。
   

Images