JP7340838B2 - ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 - Google Patents
ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7340838B2 JP7340838B2 JP2019085341A JP2019085341A JP7340838B2 JP 7340838 B2 JP7340838 B2 JP 7340838B2 JP 2019085341 A JP2019085341 A JP 2019085341A JP 2019085341 A JP2019085341 A JP 2019085341A JP 7340838 B2 JP7340838 B2 JP 7340838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- breaking
- scribe line
- tape
- dicing tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0428—Apparatus for mechanical treatment or grinding or cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Description
このようにして、上方からブレイクバーをスクライブラインS1に向かって押し下げることにより、基板Wを左右の受刃との間で3点支持曲げ方式により撓ませて先ずX方向のスクライブラインS1に沿ってブレイクして長尺状の基板に分断し、次いで、同様な手段によりY方向のスクライブラインS2に沿ってブレイクして方形状または矩形状のチップに分断している。
ここで、前記ダイシングテープ並びに被覆テープは、リング状のダイシングフレイムに保持するようにするのがよい。
これにより、ウエハーをダイシングテープと被覆テープとの間で真空パックのように挟み付けて更に安定よく固定保持することが可能となる。
上記の被覆テープ3をガラスウエハーWに貼り付けるには、例えば図2(b)に示すように、被覆テープ貼り付け装置Aの台盤7上にガラスウエハーWを載置し、その上面に粘着面を下向きにして被覆テープ3を載置し、その上方から押し型8で軽く押しつけることにより行うことができる。
次いで、上方から先端を細くしたブレイクバー6をスクライブラインS1に向かって押し下げることにより、基板Wを受刃5、5の間で三点支持曲げ方式により撓ませて先ずX方向のスクライブラインS1に沿ってブレイクして長尺状の基板に分断する。次いで、テーブル4を90度回転させて、上記と同様な手段によりY方向のスクライブラインS2をブレイクして1.25mm四方のチップに分断する。尚、上記した受け刃とブレイクバーによる3点支持曲げ方式のブレイク手段は周知であるので、ここではブレイクバー昇降機構などの詳細な説明は省略する。
特に、ガラスウェハーWをX方向スクライブラインS1に沿って分断された長尺状の基板を、Y方向のスクライブラインS2に沿ってブレイクする際に、従来では長尺状基板のX方向に沿った左右両辺が切り離されていることで基板が不安定となり、「ソゲ」や「カケ」などの不具合が多発していたが、本発明方法では安定した固定保持により上記のような不具合の発生を抑制して高品質のチップを得ることができる。
更に、分断されるチップの形状は方形に限らず、矩形状であってもよいことは勿論である。
また、(微細孔加工のアスペクト比(深さZ/穴径D)と同様の)加工の困難さに関係するY/Z比(基板厚さ(Z方向)と、長尺状基板に切り出した後にブレイクする側であるY方向の長さとの比)は、1.5/1~3/1の範囲で選択される。一般に、このY/Z比が3以下になると加工の困難度が増し、従来の基板固定方法(片面は粘着テープ貼り付けで固定、片面は保護フィルムのみ)ではソゲが多発し、加工品質が悪くなっていたが、本発明方法の採用により3以下でもソゲを大きく低減することができ、加工品質を向上させることが可能となった。
また、上記実施例では、左右一対の受け刃とブレイクバー(ブレイクプレートともいう)とによる3点支持曲げ方式で基板を撓ませてブレイクするようにしたが、受け刃に代えてクッション材を基板下方に配置してブレイクバーの押付により基板を撓ませるようにすることも可能である。また、ガラスウェハーに代えてシリコンウェハーであってもよい。
その他本発明では、その目的を達成し、請求の範囲を逸脱しない範囲内で適宜修正、変更することが可能である。
S2 Y方向のスクライブライン
A 被覆テープ貼り付け装置
B ブレイク装置
W ウエハー
1 ダイシングフレイム
2 ダイシングテープ
3 被覆テープ
4 テーブル
5 受刃
6 ブレイクバー
Claims (4)
- ウエハーの片面に互いに直交するX方向、Y方向の格子状のスクライブラインが加工され、厚さ方向がZ方向とされ、粘着性のあるダイシングテープに貼り付けて固定されたウエハーのブレイク方法であって、
前記スクライブラインは、前記ウエハーをX方向のスクライブラインに沿ってブレイクした後でY方向のスクライブラインに沿ってブレイクする前の長尺状基板のときに前記ウエハーの基板厚さであるZ方向長さとY方向の長さとの比であるY/Z比が1.5/1~3/1となるようにY方向のスクライブライン幅が加工され、
前記ウエハーのブレイクに先立って、当該ウエハーの前記ダイシングテープを貼り付けた面とは反対側の面に粘着性のある被覆テープを貼り付けて、前記ウエハーを前記被覆テープと前記ダイシングテープとによって上下両面から挟みつけて固定し、
次いで、前記スクライブラインを形成した面とは反対側の面の上方からブレイクバーを押しつけてウエハーを撓ませることにより、前記スクライブラインに沿ってウエハーをブレイクするようにしたウエハーのブレイク方法。 - 前記被覆テープは、前記ウエハーの周囲を取り囲むようにリング状の接合部分を介して前記ダイシングテープに接合されている請求項1に記載のウエハーのブレイク方法。
- 前記ダイシングテープ並びに被覆テープが、リング状のダイシングフレイムに保持されている請求項1または請求項2に記載のウエハーのブレイク方法。
- 前記被覆テープが、ウエハーの前記スクライブラインを形成した面に貼り付けられている請求項1~請求項3の何れかに記載のウエハーのブレイク方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019085341A JP7340838B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 |
| TW109104168A TWI842825B (zh) | 2019-04-26 | 2020-02-11 | 晶圓之裂斷方法 |
| CN202010112135.2A CN111863612A (zh) | 2019-04-26 | 2020-02-24 | 晶片的分割方法和分割装置 |
| KR1020200040487A KR102916403B1 (ko) | 2019-04-26 | 2020-04-02 | 웨이퍼의 브레이크 방법 및 브레이크 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019085341A JP7340838B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020181931A JP2020181931A (ja) | 2020-11-05 |
| JP7340838B2 true JP7340838B2 (ja) | 2023-09-08 |
Family
ID=72985075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019085341A Active JP7340838B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7340838B2 (ja) |
| KR (1) | KR102916403B1 (ja) |
| CN (1) | CN111863612A (ja) |
| TW (1) | TWI842825B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025220670A1 (ja) * | 2024-04-17 | 2025-10-23 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板加工方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113764546A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-07 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种Mini-LED器件、LED显示模块及其制作方法 |
| JP7680932B2 (ja) * | 2021-10-21 | 2025-05-21 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2024036843A (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-18 | 大日本印刷株式会社 | 電子部品加工用保護フィルムおよび電子部品の製造方法 |
| CN115863226B (zh) * | 2023-02-28 | 2023-05-05 | 天津伍嘉联创科技发展股份有限公司 | 一种可自动折断晶片检查移载的折取机 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058671A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ブレーキング装置 |
| JP2016040079A (ja) | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法及び分断装置 |
| JP2016043505A (ja) | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法及び分断装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0574931A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Toyota Motor Corp | 集積回路用配線基板の製造方法 |
| JPH11274653A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体レ−ザ基板の劈開方法 |
| JP4848153B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2011-12-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4767122B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-09-07 | 株式会社東京精密 | テープの貼り替え方法及び該テープの貼り替え方法を使用した基板の分割方法 |
| JP6067348B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2017-01-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP2015230964A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6417828B2 (ja) | 2014-09-30 | 2018-11-07 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置 |
-
2019
- 2019-04-26 JP JP2019085341A patent/JP7340838B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-11 TW TW109104168A patent/TWI842825B/zh active
- 2020-02-24 CN CN202010112135.2A patent/CN111863612A/zh active Pending
- 2020-04-02 KR KR1020200040487A patent/KR102916403B1/ko active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013058671A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ブレーキング装置 |
| JP2016040079A (ja) | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法及び分断装置 |
| JP2016043505A (ja) | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法及び分断装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2025220670A1 (ja) * | 2024-04-17 | 2025-10-23 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 基板加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200125444A (ko) | 2020-11-04 |
| CN111863612A (zh) | 2020-10-30 |
| KR102916403B1 (ko) | 2026-01-23 |
| TW202040661A (zh) | 2020-11-01 |
| JP2020181931A (ja) | 2020-11-05 |
| TWI842825B (zh) | 2024-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7340838B2 (ja) | ウエハーのブレイク方法並びにブレイク装置 | |
| JP5037138B2 (ja) | ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置 | |
| JP6039363B2 (ja) | 脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 | |
| US7371431B2 (en) | Method for producing small, sheet glass plates and larger sheet glass plates as semifinished products for producing the former | |
| CN100546004C (zh) | 工件的截断方法和装置、划线和截断方法、以及带截断功能的划线装置 | |
| TWI529790B (zh) | Breaking device | |
| JP4965896B2 (ja) | 脆い破壊材料のけがきされた加工物を機械的に破壊する方法 | |
| TWI620635B (zh) | 彈性支撐板、斷裂裝置及分斷方法 | |
| JP2011035245A (ja) | 板状ワークの分割方法 | |
| JP2016040079A (ja) | 脆性材料基板の分断方法及び分断装置 | |
| TWI620636B (zh) | 斷裂裝置及分斷方法 | |
| TWI620634B (zh) | 擴展器、斷裂裝置及分斷方法 | |
| JP6009240B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP2012182342A (ja) | 半導体基板のエキスパンド装置およびエキスパンド処理方法 | |
| KR20150044374A (ko) | 탄성 지지판, 파단장치 및 분단방법 | |
| JP5330907B2 (ja) | 脆性材料基板の分断方法 | |
| JP6175155B2 (ja) | 脆性材料基板の分断装置 | |
| JP6406532B2 (ja) | 脆性材料基板の分断装置 | |
| JP5930840B2 (ja) | 板状物の加工方法 | |
| JP2016104578A (ja) | 脆性材料基板の分断装置 | |
| TWI913311B (zh) | 貼合基板之加工方法 | |
| JP7308549B2 (ja) | 貼り合わせ基板の加工方法 | |
| JP5913483B2 (ja) | 脆性材料基板の分断方法並びに分断装置 | |
| JP3367482B2 (ja) | ウェハ分割装置及びウェハ分割方法 | |
| KR20050082451A (ko) | 플라스틱 필름 lcd의 스크라이빙 방법 및 그 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220324 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230307 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230426 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230801 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230822 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7340838 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |