JP7340976B2 - ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ハードマスク形成用組成物及び電子部品の製造方法に関する。

一般に、半導体製造に際しては、シリコンウェーハ等の基板上にレジスト膜を形成した積層体に、ドライエッチングを含む処理、たとえばレジスト膜に選択的露光を施すことにより該レジスト膜にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてドライエッチングを行い、基板上にパターンを形成する等の処理が行われている。

レジスト膜を用いたパターン形成方法としては、３層レジスト法が知られている（たとえば特許文献１参照）。３層レジスト法は、まず、支持体上に、有機材料を用いて有機ハードマスク層を形成し、その上に無機材料を用いて無機ハードマスク層を形成した後、さらにその上にレジスト膜を形成する。次いで、通常のリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして無機ハードマスク層をエッチングすることにより無機ハードマスクパターンを形成し、次いで無機ハードマスク層パターンをマスクとして、有機ハードマスク層をエッチングすることにより、有機ハードマスクパターンを形成する。そして、該有機ハードマスクパターンをマスクとして支持体のエッチングを行い、支持体を加工する。
また、３層レジスト法よりも工程数が少ない２層レジスト法も提案されている（たとえば特許文献２、３参照）。２層レジスト法では、支持体上に、３層レジスト法と同様にして有機ハードマスク層を設けた後、その上にレジスト膜を設ける。次いで、通常のリソグラフィ技術によりレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、有機ハードマスク層をエッチングすることにより、有機ハードマスクパターンを形成する。そして、該有機ハードマスクパターンをマスクとして支持体のエッチングを行い、支持体を加工する。

有機ハードマスク層を形成する方法としては、従来、化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法ということがある）が知られている。ＣＶＤ法では、ハードマスク形成材料としてアモルファスカーボンが用いられるが、スループットが遅い、高額な設備投資が必要である等の問題がある。
そのため、近年、スピンオンコーティング（ｓｐｉｎ－ｏｎ－ｃｏａｔｉｎｇ）法による成膜が導入されており（例えば、特許文献４）、該方法に適用可能な有機ハードマスク形成材料が提案されている。スピンオンコーティング法は、ＣＶＤ法と比較して、スループットが高く、かつ既存のスピンコーターを使用可能であるというメリットがある。

特開２００１－５１４２２号公報 特開昭６１－２３９２４３号公報 特開昭６２－２５７４４号公報 特開２０１５－９１７７５号公報

有機ハードマスク形成材料には、基板加工のマスクとしての機能を果たすために、高エッチング耐性が求められる。しかしながら、スピンオンコーティング法により形成された有機ハードマスク層は、一般的に、ＣＶＤ法によるアモルファスカーボン層と比較してエッチング耐性が低く、パターン転写の際に不具合が生じることがある。そのため、スピンオンコーティング法に適用可能で、かつ高エッチング耐性を有する有機ハードマスク形成材料の開発が求められている。
一方、半導体デバイスの製造プロセスでは、一般的に、基板の加工が複数回行われる。加工後の基板には種々の段差が生じているため、さらなる加工を行う場合には、有機ハードマスク材料には埋め込み性・平坦化特性に優れた材料が求められる。有機ハードマスク材料の埋め込み性が不十分である場合、有機ハードマスク層と基板との間に空洞（ボイド）が生じ、有機ハードマスク層のマスク性能が低下するおそれがある。

本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、高エッチング耐性を有し、かつ埋め込み性に優れたハードマスク形成用組成物及び前記ハードマスク形成用組成物を用いた電子部品の製造方法を提供することを課題とする。

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するハードマスク形成用組成物であって、芳香環及び極性基を含む樹脂（Ｐ）と、芳香環に縮合したオキサジン環、及びフルオレン環からなる群より選択される少なくとも一種の構造を含む化合物（ＯＦ）と、を含有する、ハードマスク形成用組成物である。

本発明の第２の態様は、支持体上に、前記第１の態様にかかるハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターンを形成する工程、前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程を有する、電子部品の製造方法である。

本発明の第３の態様は、支持体上に、前記第１の態様にかかるハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターンを形成する工程、前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程を有する、電子部品の製造方法である。

本発明によれば、高エッチング耐性を有し、かつ埋め込み性に優れたハードマスク形成用組成物及び前記ハードマスク形成用組成物を用いた電子部品の製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法に用いる支持体の一例を示す断面図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるハードマスク層（ｍ１）を形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるレジスト膜を形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法におけるレジストパターンを形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法における無機パターンを形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法における樹脂パターンを形成する工程の一例を説明する図である。 本発明の一実施形態にかかる電子部品を製造する方法における支持体を加工する工程の一例を説明する図である。

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（－Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（－ＣＨ_２－）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

＜ハードマスク形成用組成物＞
本発明の第１の態様に係るハードマスク形成用組成物は、リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するための組成物である。本実施形態のハードマスク形成用組成物は、芳香環及び極性基を含む樹脂（Ｐ）（以下、「樹脂（Ｐ）」という。）と、芳香環に縮合したオキサジン環、及びフルオレン環からなる群より選択される少なくとも一種の構造を含む化合物（ＯＦ）と、を含有する。

≪樹脂（Ｐ）≫
樹脂（Ｐ）は、芳香環及び極性基を含む樹脂である。

樹脂（Ｐ）が含む芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、炭素数５～２０がより好ましく、炭素数６～１６がさらに好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
樹脂（Ｐ）が含む芳香環は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。
樹脂（Ｐ）が、複数種類の構成単位を有する場合、少なくとも１種類の構成単位は芳香環を含む。

樹脂（Ｐ）が含む極性基は、特に限定されないが、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、アルコキシ基、及びエポキシ基等が挙げられる。前記アルコキシ基は、炭素数１～５が好ましく、炭素数１～３がより好ましい。中でも、極性基としては、ヒドロキシ基又はカルボキシ基が好ましく、ヒドロキシ基がより好ましい。
樹脂（Ｐ）が含む極性基は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。
樹脂（Ｐ）が、複数種類の構成単位を含む場合、少なくとも１種類の構成単位は極性基を含む。

樹脂（Ｐ）において、極性基は、上述の芳香環の水素原子を置換する置換基として存在していることが好ましい。すなわち、樹脂（Ｐ）は、１個以上の水素原子が極性基を有する置換基で置換された芳香環を含む構成単位を有する樹脂であることが好ましい。

樹脂（Ｐ）は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解したときに、２５（室温）℃で、３０質量％以上の濃度で溶解可能であるものが好ましい。ＰＧＭＥＡは、ハードマスク形成用組成物の溶剤として一般的に用いられる有機溶媒である。樹脂（Ｐ）が、ＰＧＭＥＡに対して３０質量％以上の濃度で溶解可能であることにより、有機ハードマスク層の厚膜化（例えば、膜厚２．０μｍ以上）にも対応可能となる。そのような観点から、樹脂（Ｐ）は、ビスナフトール骨格（２個のナフトールが単結合又は２価の連結基で連結された構造）を含まないことが好ましい。より具体的には、樹脂（Ｐ）は、下記一般式（１）で表される構造を含まないことが好ましい。

［式中、Ｒａは、単結合又は２価の連結基を表す。＊は結合手を表す。］

前記一般式（１）中、Ｒａは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒａにおける２価の連結基は、特に限定されず、いかなる連結基であってもよい。

樹脂（Ｐ）の好ましい例としては、後述の樹脂（Ｐ－１）、樹脂（Ｐ－２）及び樹脂（Ｐ－３）が挙げられる。

［樹脂（Ｐ－１）］
樹脂（Ｐ）の好ましい例としては、下記一般式（ｕ１１－１）で表される構成単位（ｕ１１）と、下記一般式（ｕ１２－１）で表される構成単位（ｕ１２）と、を有する樹脂（以下、「樹脂（Ｐ－１）」という）が挙げられる。

［式中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい炭素数１０～３０の多環式芳香族炭化水素基である。Ｒ^１２は、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は水素原子である。］

〔構成単位（ｕ１１）〕
構成単位（ｕ１１）は、前記一般式（ｕ１１－１）で表される構成単位である。前記一般式（ｕ１１－１）中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい炭素数１０～３０の多環式芳香族炭化水素基である。該多環式芳香族炭化水素基は、炭素数１２～２５が好ましく、炭素数１２～２０がより好ましい。なお、該炭素数には、置換基が含む炭素原子は含まないものとする。以下、同様に、特に言及しない限り、炭素数には、置換基が含む炭素原子は含まないものとする。

Ｒ^１１における多環式芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも２つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されない。芳香環の炭素数は５～２０であることが好ましく、５～１８がより好ましく、６～１６がさらに好ましい。

芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ペリレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピロリジン環、ピリジン環、チオフェン環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、キノリン環、ベンゾチオフェン環等が挙げられる。
Ｒ^１１における多環式芳香族炭化水素基として具体的には、芳香族炭化水素環の縮合環または芳香族複素環の縮合環から水素原子を３つ除いた基（アリーレン基またはヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン、ペリレン等）から水素原子を３つ除いた基等が挙げられる。

Ｒ^１１における多環式芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３のものがより好ましい。好ましい置換基としては、炭素数１～３の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。エッチング耐性を高める観点から、Ｒ^１１における多環式芳香族炭化水素基は、置換基を有しないものが好ましい。

Ｒ^１１における多環式芳香族炭化水素基としては、芳香族炭化水素環の縮合環から水素原子を３つ除いた基、又は２以上の芳香環を含む芳香族化合物から水素原子を３つ除いた基が好ましく、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、又はペリレンから水素原子を３つ除いた基がより好ましい。

Ｒ^１１の具体例を以下に示す。下記式中、「＊」は、酸素原子に結合する結合手を示す。

構成単位（ｕ１１）の具体例を以下に示す。

樹脂（Ｐ－１）が有する構成単位（ｕ１１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－１）中の構成単位（ｕ１１）の割合は、樹脂（Ｐ－１）を構成する全構成単位の合計に対して１～６０モル％が好ましく、３～５０モル％がより好ましい。
構成単位（ｕ１１）の割合を前記好ましい範囲の下限値以上とすると、エッチング耐性及び耐熱性が向上する。また、構成単位（ｕ１１）の割合を前記好ましい範囲の上限値以下とすると、他の構成単位とのバランスをとることができる。

〔構成単位（ｕ１２）〕
構成単位（ｕ１２）は、前記一般式（ｕ１２－１）で表される構成単位である。前記一般式（ｕ１２－１）中、Ｒ^１２は、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は水素原子である。該芳香族炭化水素基は、炭素数６～２５が好ましい。

Ｒ^１２における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～２０であることが好ましく、５～１８がより好ましく、６～１６がさらに好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピロリジン環、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒ^１２における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

Ｒ^１２における芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３のものがより好ましい。好ましい置換基としては、炭素数１～３の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。エッチング耐性を高める観点から、Ｒ^１２における芳香族炭化水素基は、置換基を有しないものが好ましい。

Ｒ^１２における芳香族炭化水素基の具体例を以下に示す。下記式中、「＊」は、炭素原子に結合する結合手を示す。

構成単位（ｕ１２）の具体例を以下に示す。

樹脂（Ｐ－１）が有する構成単位（ｕ１２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－１）中の構成単位（ｕ１２）の割合は、樹脂（Ｐ－１）を構成する全構成単位の合計に対して３０～７０モル％が好ましく、４０～６０モル％がより好ましく、５０モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ１２）の割合を前記好ましい範囲の下限値以上とすると、エッチング耐性及び耐熱性が向上する。また、構成単位（ｕ１２）の割合を前記好ましい範囲の上限値以下とすると、他の構成単位とのバランスをとることができる。

〔他の構成単位〕
樹脂（Ｐ－１）は、上記構成単位（ｕ１１）及び（ｕ１２）に加えて、他の構成単位を有していてもよい。他の構成単位としては、例えば、下記一般式（ｕ１３－１）で表される構成単位（ｕ１３）が挙げられる。

［式中、Ｒ^１３は、置換基を有してもよい炭素数１～２０の炭化水素基又は水素原子である。］

（構成単位（ｕ１３））
樹脂（Ｐ－１）は、前記一般式（ｕ１３－１）で表される構成単位（ｕ１３）を有していることが好ましい。構成単位（ｕ１３）は、樹脂（Ｐ－１）のエッチング耐性の向上に有効である。

前記一般式（ｕ１３－１）中、Ｒ^１３は、置換基を有してもよい炭素数１～２０の炭化水素基又は水素原子である。Ｒ^１３における炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。

Ｒ^１３における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。該脂肪族炭化水素基としては、より具体的には、直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、炭素数１～５がより好ましく、炭素数１～３がさらに好ましい。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数３～１０であることが好ましく、３～５がより好ましい。
直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基などの直鎖状アルキル基；イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基などの分岐鎖状アルキル基；ビニル基、プロペニル基（アリル基）、２－ブテニル基などの直鎖状アルケニル基：１－メチルビニル基、２－メチルビニル基、１－メチルプロペニル基、２－メチルプロペニル基などの分岐鎖状アルケニル基；エチニル基、プロパルギル基、３－ペンチニル基などの直鎖状アルキニル基；１－メチルプロパルギル基などの分岐鎖状アルキニル基が挙げられる。

Ｒ^１３における直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

Ｒ^１３における構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子１個を除いた基）、脂肪族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基等が挙げられる。前記アルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素環は、炭素数が３～１０であることが好ましく、３～６であることがより好ましい。

前記脂肪族炭化水素環は、多環であってもよく、単環であってもよい。
単環の脂肪族炭化水素環としては、炭素数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環の脂肪族炭化水素環としては、炭素数７～１０のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン等が挙げられる。

Ｒ^１３における環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。
また、該置換基は、脂環構造を構成する炭素原子の一部を置換するものであってもよい。該置換基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、－Ｎ－等が挙げられる。

Ｒ^１３における炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～２０であることが好ましく、５～１８がより好ましく、６～１６がさらに好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピロリジン環、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒ^１３における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

Ｒ^１３における芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。

上記の中でも、Ｒ^１３における炭化水素基としては、樹脂の炭素量を高くして耐エッチング性を向上できることから、芳香族炭化水素基が好ましく、多環式芳香族炭化水素基がより好ましい。中でも、置換基を有しないものがさらに好ましい。

Ｒ^１３の具体例を以下に示す。下記式中、「＊」は、窒素原子に結合する結合手を示す。

構成単位（ｕ１３）の具体例を以下に示す。

樹脂（Ｐ－１）が有する構成単位（ｕ１３）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－１）が構成単位（ｕ１３）を有する場合、樹脂（Ｐ－１）中の構成単位（ｕ１３）の割合は、樹脂（Ｐ－１）を構成する全構成単位の合計に対して１～６０モル％が好ましく、３～５０モル％がより好ましい。
構成単位（ｕ１３）の割合を前記好ましい範囲の下限値以上とすると、エッチング耐性及び耐熱性が向上する。また、構成単位（ｕ１３）の割合を前記好ましい範囲の上限値以下とすると、他の構成単位とのバランスをとることができる。

樹脂（Ｐ－１）は、他の構成単位として前記構成単位（ｕ１３）以外の構成単位を有していてもよい。そのような構成単位としては、エッチング耐性の観点から、炭素量の高い構成単位が好ましい。例えば、芳香族炭化水素基を含む構成単位（前記構成単位（ｕ１１）～（ｕ１３）のいずれかに該当するものは除く）等が例示される。

樹脂（Ｐ－１）としては、例えば、構成単位（ｕ１１）及び構成単位（ｕ１２）を有する樹脂；構成単位（ｕ１１）、構成単位（ｕ１２）及び構成単位（ｕ１３）を有する樹脂；等が挙げられる。
そのような樹脂としては、構成単位（ｕ１１）を誘導するモノマーと構成単位（ｕ１２）を誘導するモノマーとの共重合体；構成単位（ｕ１１）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ１２）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ１３）を誘導するモノマーと、の共重合体；等が挙げられる。

樹脂（Ｐ－１）の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００～５０００００程度が好ましく、３０００～５００００程度がより好ましい。樹脂（Ｐ－１）のＭｗが、前記好ましい範囲内であると、エッチング耐性及び耐熱性が良好である。
樹脂（Ｐ－１）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０～４．０程度が好ましく、１．０～３．０程度がより好ましく、１．０～２．５程度がさらに好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。
樹脂（Ｐ－１）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

樹脂（Ｐ－１）は、例えば、構成単位（ｕ１１）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ１２）を誘導するモノマーと、任意に、その他の構成単位（例えば、構成単位（ｕ１３））を誘導するモノマーと、を酸触媒の存在下で縮合させることにより製造することができる。構成単位（ｕ１１）を誘導するモノマーとしては、通常、フェノール化合物を用いることができる。また、構成単位（ｕ１２）を誘導するモノマーとしては、通常、アルデヒド化合物を用いることができる。酸触媒としては、特に限定されないが、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸等が例示される。

樹脂（Ｐ－１）の具体例を以下に示す。

［樹脂（Ｐ－２）］
樹脂（Ｐ）の好ましい例としては、下記一般式（ｕ２１－１）で表される構成単位（ｕ２１）、下記一般式（ｕ２２－１）で表される構成単位（ｕ２２）と、を有する樹脂（以下、「樹脂（Ｐ－２）」という）もまた挙げられる。

［式中、Ｒ^２１は、少なくとも１つのヒドロキシ基を有するフェノール化合物に由来する有機基である。Ｒ^２２は、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は水素原子である。］

〔構成単位（ｕ２１）〕
構成単位（ｕ２１）は、前記一般式（ｕ２１－１）で表される構成単位である。前記一般式（ｕ２１－１）中、Ｒ^２１は、少なくとも１つのヒドロキシ基を有するフェノール化合物に由来する有機基である。

Ｒ^２１における有機基が由来するフェノール化合物は、アルデヒドと縮合して、ノボラック樹脂又はレゾール樹脂を形成できるものが好ましい。そのようなフェノール化合物としては、例えば、フェノール；ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－クレゾール等のクレゾール類；２，３－キシレノール、２，５－キシレノール、３，５－キシレノール、３，４－キシレノール等のキシレノール類；ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－エチルフェノール、２，３，５－トリメチルフェノール、２，３，５－トリエチルフェノール、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、３－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、２－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、２－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２－ｔｅｒｔ－ブチル－５－メチルフェノール等のアルキルフェノール類；ｐ－メトキシフェノール、ｍ－メトキシフェノール、ｐ－エトキシフェノール、ｍ－エトキシフェノール、ｐ－プロポキシフェノール、ｍ－プロポキシフェノール等のアルコキシフェノール類；ｏ－イソプロペニルフェノール、ｐ－イソプロペニルフェノール、２－メチル－４－イソプロペニルフェノール、２－エチル－４－イソプロペニルフェノール等のイソプロペニルフェノール類；フェニルフェノール等のアリールフェノール類；４，４’－ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、ヒドロキノン、ピロガロール、９，９－ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）フルオレン、９，９－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）フルオレン、１，１－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）シクロヘキサン等のポリヒドロキシフェノール類等が挙げられる。
溶媒に対する溶解性の観点から、前記フェノール化合物は、フェノール骨格（少なくとも１個のヒドロキシ基を有するベンゼン環）を含むことが好ましく、ビスナフトール骨格（２個のナフトールが単結合又は２価の連結基で連結された構造）を含まないことが好ましい。

構成単位（ｕ２１）の具体例を以下に示す。

［式（ｕ２１－１－１）中、ｎは０～３の整数である。］

樹脂（Ｐ－２）が有する構成単位（ｕ２１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－２）中の構成単位（ｕ２１）の割合は、樹脂（Ｐ－２）を構成する全構成単位の合計に対して３０～７０モル％が好ましい。

〔構成単位（ｕ２２）〕
構成単位（ｕ２２）は、前記一般式（ｕ２２－１）で表される構成単位である。前記一般式（ｕ２２－１）中、Ｒ^２２は、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は水素原子である。該芳香族炭化水素基は、炭素数６～２５が好ましく、炭素数６～２０がより好ましく、炭素数６～１５がさらに好ましい。

Ｒ^２２における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～２０であることが好ましく、５～１８がより好ましく、６～１６がさらに好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピロリジン環、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒ^２２における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。

Ｒ^２２における芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３のものがより好ましい。好ましい置換基としては、炭素数１～５の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。

より具体的には、構成単位（ｕ２２）は、アルデヒド化合物から誘導される構成単位が好ましい。アルデヒド化合物の具体例としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、フルフラール、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α－フェニルプロピルアルデヒド、β－フェニルプロピルアルデヒド、ｏ－ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ－ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ－ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ－メチルベンズアルデヒド、ｍ－メチルベンズアルデヒド、ｐ－メチルベンズアルデヒド、ｏ－クロロベンズアルデヒド、ｍ－クロロベンズアルデヒド、ｐ－クロロベンズアルデヒド、桂皮アルデヒド、４－イソプロピルベンズアルデヒド、４－イソブチルベンズアルデヒド、４－フェニルベンズアルデヒド等が挙げられる。

構成単位（ｕ２２）の具体例を以下に示す。

樹脂（Ｐ－２）が有する構成単位（ｕ２２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－２）中の構成単位（ｕ２２）の割合は、樹脂（Ｐ－２）を構成する全構成単位の合計に対して３０～７０モル％が好ましい。

樹脂（Ｐ－２）は、上記構成単位（ｕ２１）及び構成単位（ｕ２２）に加えて、他の構成単位を含んでいてもよい。他の構成単位としては、例えば、炭化水素基を含む構成単位等が例示される。

樹脂（Ｐ－２）としては、構成単位（ｕ２１）及び構成単位（ｕ２２）を有する樹脂等が挙げられる。そのような樹脂としては、構成単位（ｕ２１）を誘導するモノマーと構成単位（ｕ２２）を誘導するモノマーとの共重合体等が挙げられる。
より具体的には、樹脂（Ｐ－２）は、ノボラック樹脂又はレゾール樹脂であることが好ましく、ノボラック樹脂であることがより好ましい。

樹脂（Ｐ－２）の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００～１０００００程度が好ましい。
樹脂（Ｐ－２）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１～５０程度が好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。
樹脂（Ｐ－２）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

樹脂（Ｐ－２）は、例えば、構成単位（ｕ２１）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ２２）を誘導するモノマーと、を酸触媒又はアルカリ触媒の存在下で縮合させることにより製造することができる。構成単位（ｕ２１）を誘導するモノマーとしては、通常、フェノール化合物を用いることができる。また、構成単位（ｕ２２）を誘導するモノマーとしては、通常、アルデヒド化合物を用いることができる。酸触媒としては、特に限定されないが、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸等が例示される。

樹脂（Ｐ－２）は、市販のノボラック樹脂又はレゾール樹脂等であってもよい。市販のノボラック樹脂としては、例えば、住友ベークライト製のＰＲ－５３３６４、ＰＲ－５３３６５等が挙げられる。

樹脂（Ｐ－２）の具体例を以下に示す。

［樹脂（Ｐ－３）］
樹脂（Ｐ）の好ましい例としては、下記一般式（ｕ３１－１）で表される構成単位（ｕ３１）を有する樹脂（以下、「樹脂（Ｐ－３）」という）もまた挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、（ｎ_ａｘ１＋１）価の芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１～３の整数である。］

〔構成単位（ｕ３１）〕
構成単位（ｕ３１）は、前記一般式（ｕ３１－１）で表される構成単位である。

前記式（ｕ３１－１）中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。
Ｒにおける炭素数１～５のアルキル基は、炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Ｒにおける炭素数１～５のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数１～５のアルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Ｒとしては、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が最も好ましい。

前記式（ｕ３１－１）中、Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。
Ｙａ^ｘ１における２価の連結基としては、例えば、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む２価の連結基が好適なものとして挙げられる。

・置換基を有していてもよい２価の炭化水素基：
Ｙａ^ｘ１が置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。

・・Ｙａ^ｘ１における脂肪族炭化水素基
該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

・・・直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基
該直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が１～１０であることが好ましく、炭素数１～６がより好ましく、炭素数１～４がさらに好ましく、炭素数１～３が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基［－ＣＨ_２－］、エチレン基［－（ＣＨ_２）_２－］、トリメチレン基［－（ＣＨ_２）_３－］、テトラメチレン基［－（ＣＨ_２）_４－］、ペンタメチレン基［－（ＣＨ_２）_５－］等が挙げられる。
該分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が２～１０であることが好ましく、炭素数３～６がより好ましく、炭素数３又は４がさらに好ましく、炭素数３が最も好ましい。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、－ＣＨ（ＣＨ_３）－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－等のアルキルメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＣＨ_３）－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２ＣＨ_２－、－ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）ＣＨ_２－、－Ｃ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２－ＣＨ_２－等のアルキルエチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２－等のアルキルトリメチレン基；－ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２－等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましい。

前記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数１～５のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。

・・・構造中に環を含む脂肪族炭化水素基
該構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基（脂肪族炭化水素環から水素原子２個を除いた基）、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が３～２０であることが好ましく、炭素数３～１２であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３～６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから２個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７～１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数１～５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－が好ましい。

・・Ｙａ^ｘ１における芳香族炭化水素基
該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、炭素数５～２０がより好ましく、炭素数６～１５がさらに好ましく、炭素数６～１２が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子２つを除いた基（アリーレン基又はヘテロアリーレン基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子２つを除いた基；前記芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子１つを除いた基（アリール基又はヘテロアリール基）の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに１つ除いた基）等が挙げられる。前記のアリール基又はヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、炭素数１～２であることがより好ましく、炭素数１であることが特に好ましい。

前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば、当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数１～５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子及びハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。

・ヘテロ原子を含む２価の連結基：
Ｙａ^ｘ１がヘテロ原子を含む２価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとして、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基［式中、Ｙ^２１およびＹ^２２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい２価の炭化水素基であり、Ｏは酸素原子であり、ｍ”は０～３の整数である。］等が挙げられる。
前記のへテロ原子を含む２価の連結基が－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－の場合、そのＨはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基（アルキル基、アシル基等）は、炭素数が１～１０であることが好ましく、１～８であることがさらに好ましく、１～５であることが特に好ましい。
一般式－Ｙ^２１－Ｏ－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－、－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２１－、－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－、－Ｙ^２１－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｙ^２２－または－Ｙ^２１－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－Ｙ^２２－中、Ｙ^２１およびＹ^２２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基である。該２価の炭化水素基としては、前記２価の連結基としての説明で挙げた（置換基を有していてもよい２価の炭化水素基）と同様のものが挙げられる。
Ｙ^２１としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数１～５の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基又はエチレン基が特に好ましい。
Ｙ^２２としては、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基又はアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数１～５の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～３の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基において、ｍ”は０～３の整数であり、０～２の整数であることが好ましく、０又は１がより好ましく、１が特に好ましい。つまり、式－［Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ］_ｍ”－Ｙ^２２－で表される基としては、式－Ｙ^２１－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｙ^２２－で表される基が特に好ましい。中でも、式－（ＣＨ_２）_ａ’－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｂ’－で表される基が好ましい。該式中、ａ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が最も好ましい。ｂ’は、１～１０の整数であり、１～８の整数が好ましく、１～５の整数がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が最も好ましい。

Ｙａ^ｘ１としては、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－］、エーテル結合（－Ｏ－）、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましく、中でも単結合が特により好ましい。

前記式（ｕ３１－１）中、Ｗａ^ｘ１は、（ｎ_ａｘ１＋１）価の芳香族炭化水素基である。
Ｗａ^ｘ１における芳香族炭化水素基としては、芳香環から（ｎ_ａｘ１＋１）個の水素原子を除いた基が挙げられる。ここでの芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５～３０であることが好ましく、炭素数５～２０がより好ましく、炭素数６～１５がさらに好ましく、炭素数６～１２が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。

前記式（ｕ３１－１）中、ｎ_ａｘ１は、１～３の整数であり、１又は２が好ましく、１がより好ましい。

構成単位（ｕ３１）の具体例を以下に示す。
下記の式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。

樹脂（Ｐ－３）が有する構成単位（ｕ３１）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－３）中の構成単位（ｕ３１）の割合は、樹脂（Ｐ－３）を構成する全構成単位の合計に対して３０～１００モル％が好ましく、５０～１００モル％がより好ましく、６０～１００モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ３１）の割合を前記好ましい範囲の下限値以上とすると、エッチング耐性が向上する。

〔他の構成単位〕
樹脂（Ｐ－３）は、上記構成単位（ｕ３１）に加えて、他の構成単位を有していてもよい。他の構成単位としては、例えば、下記一般式（ｕ３２－１）で表される構成単位（ｕ３２）が挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ３は、単結合又は２価の連結基である。Ｌａ^ｘ３は－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮ（Ｒ’）－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨＣＯ－又は－ＣＯＮＨＣＳ－であり、Ｒ’は水素原子又はメチル基を示す。但し、Ｌａ^ｘ３が－Ｏ－の場合、Ｙａ^ｘ３は－ＣＯ－にはならない。Ｒａ^ｘ３は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。］

前記式（ｕ３２－１）中、Ｒは、前記式（ｕ３１－１）中のＲと同様である。

前記式（ｕ３２－１）中、Ｙａ^ｘ３は、単結合又は２価の連結基である。
Ｙａ^ｘ３における２価の連結基としては、上述した一般式（ｕ３１－１）中のＹａ^ｘ１における２価の連結基と同様のものが挙げられる。中でも、Ｙａ^ｘ３としては、単結合、エステル結合［－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－］、エーテル結合（－Ｏ－）、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましい。

前記式（ｕ３２－１）中、Ｌａ^ｘ３は－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮ（Ｒ’）－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨＣＯ－又は－ＣＯＮＨＣＳ－である。前記式中のＲ’は水素原子又はメチル基を示す。但し、Ｌａ^ｘ３が－Ｏ－の場合、Ｙａ^ｘ３は－ＣＯ－にはならない。

前記式（ｕ３２－１）中、Ｒａ^ｘ３は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ｒａ^ｘ３における炭化水素基は、炭素数１～２０が好ましく、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。中でも、Ｒａ^ｘ３における炭化水素基は、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、炭素数１～３の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がさらに好ましい。

Ｒａ^ｘ３における炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、及び芳香族炭化水素基の置換基としてそれぞれ挙げたものと同様のものが挙げられる。

構成単位（ｕ３２）の具体例を以下に示す。
下記の式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。

樹脂（Ｐ－３）が有する構成単位（ｕ３２）は、１種でもよく２種以上でもよい。
樹脂（Ｐ－３）中の構成単位（ｕ３２）の割合は、樹脂（Ｐ－３）を構成する全構成単位の合計に対して０～６０モル％が好ましく、０～５０モル％がより好ましく、０～４０モル％がさらに好ましい。
構成単位（ｕ３２）の割合を前記好ましい範囲の上限値以下とすると、エッチング耐性が向上する。

樹脂（Ｐ－３）は、他の構成単位として前記構成単位（ｕ３２）以外の構成単位を有していてもよい。そのような構成単位としては、エッチング耐性の観点から、炭素量の高い構成単位が好ましい。例えば、芳香族炭化水素基を含む構成単位（前記構成単位（ｕ３１）又は（ｕ３２）に該当するものは除く）等が例示される。

樹脂（Ｐ－３）としては、例えば、構成単位（ｕ３１）を有する樹脂；構成単位（ｕ３１）及び構成単位（ｕ３２）を有する樹脂；等が挙げられる。
そのような樹脂としては、構成単位（ｕ３１）を誘導するモノマーの重合体；構成単位（ｕ３１）を誘導するモノマーと、構成単位（ｕ３２）を誘導するモノマーと、の共重合体；等が挙げられる。

樹脂（Ｐ－３）の質量平均分子量（Ｍｗ）（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算基準）は、特に限定されるものではなく、１０００～５０００００程度が好ましく、３０００～５００００程度がより好ましい。樹脂（Ｐ－３）のＭｗが、前記好ましい範囲内であると、エッチング耐性が良好である。
樹脂（Ｐ－３）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、特に限定されず、１．０～４．０程度が好ましく、１．０～３．０程度がより好ましい。なお、Ｍｎは数平均分子量を示す。
樹脂（Ｐ－３）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

樹脂（Ｐ－３）は、各構成単位を誘導するモノマーを重合溶媒に溶解し、ここに、例えばアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスイソ酪酸ジメチル（たとえばＶ－６０１など）等のラジカル重合開始剤を加えて重合することにより製造することができる。

樹脂（Ｐ－３）の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されない。下記式中、Ｒ^αは、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。

樹脂（Ｐ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。樹脂（Ｐ）は、例えば、上述の樹脂（Ｐ－１）、樹脂（Ｐ－２）、及び樹脂（Ｐ－３）をそれぞれ単独で用いてもよく、これらを組み合わせて用いてもよい。
樹脂（Ｐ）としては、例えば、樹脂（Ｐ－１）を含む樹脂；樹脂（Ｐ－２）を含む樹脂；樹脂（Ｐ－３）を含む樹脂；樹脂（Ｐ－１）及び樹脂（Ｐ－２）を含む樹脂；樹脂（Ｐ－１）及び樹脂（Ｐ－３）を含む樹脂；樹脂（Ｐ－２）及び樹脂（Ｐ－３）を含む樹脂；樹脂（Ｐ－１）、樹脂（Ｐ－２）及び樹脂（Ｐ－３）を含む樹脂；等が挙げられる。

ハードマスク形成用組成物中の樹脂（Ｐ）の割合は、ハードマスク形成用組成物に含まれる全ての樹脂の総質量に対し、７０～１００質量％が好ましく、８０～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％がさらに好ましく、９５～１００質量％が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。該割合が前記好ましい範囲の下限値以上であると、ハードマスク形成用組成物のエッチング耐性及び埋め込み性が向上する。

≪化合物（ＯＦ）≫
化合物（ＯＦ）は、芳香環に縮合したオキサジン環、及びフルオレン環からなる群より選択される少なくとも一種の構造を含む化合物である。
化合物（ＯＦ）は、芳香環に縮合したオキサジン環を含む化合物であってもよく、フルオレン環を含む化合物であってもよく、芳香環に縮合したオキサジン環及びフルオレン環を含む化合物であってもよい。

［芳香環に縮合したオキサジン環を含む化合物］
芳香環に縮合したオキサジン環を含む化合物としては、下記一般式（ｏ１－１）で表される構造を含む化合物（Ｏ１）が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｏ１は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ａｒ^ｏ１は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。Ｒ^ｏ２は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ^ｏ１は、０～４の整数である。ｎ^ｏ１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎ^ｏ２は、０～３の整数である。ｎ^ｏ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。＊及び＊＊は、それぞれ独立して、水素原子又は結合手を表す。］

前記一般式（ｏ１－１）中、Ｒ^ｏ１は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。
Ｒ^ｏ１における炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭素数１～２０の炭化水素基で挙げたものと同様のものが挙げられる。
中でも、Ｒ^ｏ１における炭化水素基としては、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。該直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、炭素数１～５が好ましく、炭素数１～３がより好ましく、炭素数１又は２がさらに好ましい。

Ｒ^ｏ１における１～２０の炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の置換基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基の置換基、及び芳香族炭化水素基の置換基としてそれぞれ挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｏ１－１）中、Ａｒ^ｏ１は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。Ａｒ^ｏ１は、炭素数６～１４がより好ましく、炭素数６～１０がさらに好ましい。
該芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン等が挙げられる。中でも、Ａｒ^ｏ１における芳香族炭化水素環としては、ベンゼン又はナフタレンが好ましく、ベンゼンがより好ましい。

前記一般式（ｏ１－１）中、Ｒ^ｏ２は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。
Ｒ^ｏ２における炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭素数１～２０の炭化水素基で挙げたものと同様のものが挙げられる。中でも、Ｒ^ｏ２における炭化水素基としては、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素数１～１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。該直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基は、炭素数１～５が好ましく、炭素数１～３がより好ましく、炭素数１又は２がさらに好ましい。

Ｒ^ｏ２における１～２０の炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における直鎖状もしくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の置換基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基の置換基、及び芳香族炭化水素基の置換基としてそれぞれ挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ｒ^ｏ２としては、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数１～５が好ましく、炭素数１～３がより好ましく、炭素数１又は２がさらに好ましい。

前記一般式（ｏ１－１）中、ｎ^ｏ１は、０～４の整数である。ｎ^ｏ１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。
ｎ^ｏ１としては、０～３の整数が好ましく、０～２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、０が特に好ましい。

前記一般式（ｏ１－１）中、ｎ^ｏ２は、０～３の整数である。ｎ^ｏ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。該環構造としては、例えばシクロヘキサン環、シクロヘキセン環等の脂環構造、アザシクロヘキサン環、アザシクロヘキセン環等の脂肪族複素環構造、ピリジン環等の芳香族複素環構造などが挙げられる。
ｎ^ｏ２としては、０～２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、０が特に好ましい。

前記一般式（ｏ１－１）中、＊及び＊＊は、それぞれ独立して、水素原子又は結合手である。該結合手は、一般式（ｏ１－１）で表される構造以外の原子への結合を表す。

前記一般式（ｏ１－１）中のＡｒ^ｏ１がベンゼン環である場合、式中の「＊」で表される結合手に対し、オキサジン環の－Ｏ－の位置は、該ベンゼン環のパラ位、メタ位及びオルト位のいずれでもよいが、化合物（Ｏ１）の合成容易性の観点から、パラ位が好ましい。また、Ａｒ^ｏ１がナフタレン環であり、式中の「＊」で表される結合手がナフタレン環の２位である場合、オキサジン環の－Ｏ－の位置としては、ナフタレン環の６位が好ましい。

化合物（Ｏ１）の好ましい例としては、下記一般式（ｏ１－１－１）で表される構造を含む化合物（以下、「化合物（Ｏ１－１）」という）、及び下記一般式（ｏ１－１－２）で表される構造を含む化合（以下、「化合物（Ｏ１－２）」という）が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｏ１１は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ａｒ^ｏ１１は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。Ｒ^ｏ２１は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ^ｏ１１は、０～４の整数である。ｎ^ｏ１１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１１はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎ^ｏ２１は、０～３の整数である。ｎ^ｏ２１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２１はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２１のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１１中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。Ｒ^ｏ３１は、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。＊は、結合手を表す。］

［式中、Ｒ^ｏ１２は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ａｒ^ｏ１２は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。Ｒ^ｏ２２は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ^ｏ１２は、０～４の整数である。ｎ^ｏ１２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１２はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎ^ｏ２２は、０～４の整数である。ｎ^ｏ２２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２２はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２２のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１２中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。＊＊は、結合手を表す。］

前記一般式（ｏ１－１－１）及び一般式（ｏ１－１－２）中、Ｒ^ｏ１１及びＲ^ｏ１２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ｒ^ｏ１１及びＲ^ｏ１２としては、前記一般式（ｏ１－１）中のＲ^ｏ１で挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｏ１－１－１）中、Ａｒ^ｏ１１は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。前記一般式（ｏ１－１－２）中、Ａｒ^ｏ１２は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。Ａｒ^ｏ１１及びＡｒ^ｏ１２は、炭素数６～１４がより好ましく、炭素数６～１０がさらに好ましい。Ａｒ^ｏ１１及びＡｒ^ｏ１２としては、前記一般式（ｏ１－１）中のＡｒ^ｏ１で挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｏ１－１－１）及び一般式（ｏ１－１－２）中、Ｒ^ｏ２１及びＲ^ｏ２２は、それぞれ独立にヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ｒ^ｏ２１及びＲ^ｏ２２としては、前記一般式（ｏ１－１）中のＲ^ｏ２で挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｏ１－１－１）及び一般式（ｏ１－１－２）中、ｎ^ｏ１１及びｎ^ｏ１２は、それぞれ独立に、０～４の整数である。ｎ^ｏ１１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１１はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎ^ｏ１２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１２はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。

前記一般式（ｏ１－１－１）中、ｎ^ｏ２１は、０～３の整数であり、０～２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。ｎ^ｏ２１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２１はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２１のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１１中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。該環構造としては、前記一般式（ｏ１－１）中のＲ^ｏ２において挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｏ１－１－２）中、ｎ^ｏ２２は、０～４の整数であり、０～３の整数が好ましく、０～２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、０が特に好ましい。ｎ^ｏ２２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２２はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２２のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１２中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。該環構造としては、前記一般式（ｏ１－１）中のＲ^ｏ２において挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｏ－１－１）中、Ｒ^ｏ３１は、水素原子又は炭素数１～２０の炭化水素基である。
Ｒ^ｏ３１における炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭素数１～２０の炭化水素基で挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｒ^ｏ３１における炭素数１～２０の炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。

Ｒ^ｏ３１における炭素数１～２０の炭化水素基が、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基である場合、該置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
また、該置換基は、脂肪族炭化水素鎖のメチレン基（－ＣＨ_２－）を置換する基であってもよい。そのような置換基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

Ｒ^ｏ３１における炭素数１～２０の炭化水素基が、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基である場合、該置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。前記置換基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
また、該置換基は、脂環構造を構成する炭素原子の一部を置換するものであってもよい。該置換基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、－Ｎ－等が挙げられる。

Ｒ^ｏ３１における炭素数１～２０の炭化水素基が、芳香族炭化水素基である場合、該置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。前記置換基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

Ｒ^ｏ３１における炭素数１～２０の炭化水素基としては、置換基を有していてもよい炭素数５～２０の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数６～１６の芳香族炭化水素基がより好ましい。

Ｒ^ｏ３１の具体例としては、炭素数１～５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基など）、炭素数１～５のアルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基など）、炭素数１～５のアルコキシアルキル基（メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基など）、炭素数１～５のシアノアルキル基（シアノメチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、シアノブチル基など）、アリール基（フェニル基、ナフチル基など）、アラルキル基（ベンジル基、ナフチルメチル基など）、ハロゲン化アリール基（モノフルオロフェニル基、モノフルオロナフチル基、ジフルオロフェニル基、ジフルオロナフチル基など）、ハロゲン化アラルキル基（ジフルオロベンジル基、ジフルオロナフチルメチル基）、及びフリル基等が挙げられる。
これらの中でも、Ｒ^ｏ３１としては、アリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。

前記化合物（Ｏ１－１）の好ましい例としては、下記一般式（ｏ１－１－１ａ）で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｏ１１、Ａｒ^ｏ１１、Ｒ^ｏ２１、ｎ^ｏ１１、ｎ^ｏ２１、及びＲ^ｏ３１は、前記一般式（ｏ１－１－１）におけるものと同様である。ｎ^ｏ３１は、１～５の整数を表す。Ｒ^ｏ４１は、置換基を有していてもよいｎ^ｏ３１価の炭化水素基を表す。］

一般式（ｏ１－１－１ａ）中、ｎ^ｏ３１は、１～５の整数である。ｎ^ｏ３１は、２～５の整数が好ましく、２～４の整数がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。

一般式（ｏ１－１－１ａ）中、Ｒ^ｏ４１は、置換基を有していてもよいｎ^ｏ３１価の炭化水素基を表す。
Ｒ^ｏ４１におけるｎ^ｏ３１価の炭化水素基は、炭素数１～３０が好ましい。

Ｒ^ｏ４１におけるｎ^ｏ３１価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。

該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

前記直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１～３０が好ましく、炭素数１～２０がより好ましく、炭素数１～１５がより好ましく、炭素数１～１０がさらに好ましく、炭素数１～６が特に好ましい。直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよいが、飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３で挙げたものからｎ^ｏ３１－１個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
前記直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、オキソ基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
また、該置換基は、脂肪族炭化水素鎖のメチレン基（－ＣＨ_２－）を置換する基であってもよい。そのような置換基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＮＨ－、－ＮＨ－Ｃ（＝ＮＨ）－（Ｈはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。）、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－等が挙げられる。

前記の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基（脂肪族炭化水素環からｎ^ｏ３１個の水素原子を除いた基）、脂肪族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基からｎ^ｏ３１－１個の水素原子を除いた基、脂肪族炭化水素環のｎ^ｏ３１個の水素原子がアルキレン基で置換された基等が挙げられる。前記アルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素環は、炭素数が３～１０であることが好ましく、３～６であることがより好ましい。前記脂肪族炭化水素環は、多環であってもよく、単環であってもよい。脂肪族炭化水素環としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３で挙げたものと同様のものが挙げられる。
前記の環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。
また、該置換基は、脂環構造を構成する炭素原子の一部を置換するものであってもよい。該置換基としては、例えば、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－、－Ｓ（＝Ｏ）_２－Ｏ－、－Ｎ－等が挙げられる。

Ｒ^ｏ４１における芳香族炭化水素基は、単環式でも多環式でもよい。該芳香族炭化水素基が含む芳香環としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３で挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｒ^ｏ４１における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環からｎ^ｏ３１個の水素原子を除いた基；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）からｎ^ｏ３１個の水素原子を除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の１個の水素原子がアルキレン基で置換された基からｎ^ｏ３１個の水素原子を除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環のｎ^ｏ３１個の水素原子がアルキレン基で置換された基等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１～４であることが好ましく、１～２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。
Ｒ^ｏ４１における芳香族炭化水素基は、置換基を有してもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボニル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。前記置換基におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。

上記の中でも、Ｒ^ｏ４１におけるｎ^ｏ３１価の炭化水素基としては、炭素数６～３０の芳香族炭化水素基、及び炭素数１～１０の直鎖状若しくは分岐鎖状の飽和脂肪族炭化水素基等が好ましい。

Ｒ^ｏ４１の具体例としては、下記一般式（Ｒｏ４１－１）～（Ｒｏ４１－８）で表される基が挙げられる。

上記式（Ｒｏ４１－１）～（Ｒｏ４１－８）中、＊は、上記式（ｏ１－１－１ａ）中のＡｒ^ｏ１１における芳香族炭化水素環の炭素原子に結合する結合手を表す。

上記式（Ｒｏ４１－１）中、Ｒ^Ａは、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ１は、０～４の整数である。ｎ１が２以上の場合、複数のＲ^Ａは同一であってもよく、異なっていてもよい。ｍ１は、２～６の整数である。但し、ｎ１＋ｍ１≦６である。ｎ１としては、０及び１が好ましく、０がより好ましい。ｍ１としては、２、３、４及び６が好ましく、３がより好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－２）中、Ｒ^Ｂは、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ２は、０又は１である。ｍ２は、２又は３である。但し、ｎ２＋ｍ２≦３である。ｎ２としては、０が好ましい。ｍ２としては、３が好ましい。ｎ３としては、２及び３が好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－３）中、Ｒ^Ｃは、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ３は、０～２の整数である。ｎ３が２の場合、複数のＲ^Ｃは同一でも異なっていてもよい。ｍ３は、２～４の整数である。但し、ｎ３＋ｍ３＝４である。ｎ３としては、２及び３が好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－４）中、Ｒ^Ｄ１及びＲ^Ｄ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ４ａ及びｎ４ｂは、それぞれ独立して、０～４の整数である。ｎ４ａが２以上の場合、複数のＲ^Ｄ１は同一でも異なっていてもよい。ｎ４ｂが２以上の場合、複数のＲ^Ｄ２は同一でも異なっていてもよい。ｎ４ａ及びｎ４ｂとしては、０及び１が好ましく、０がより好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－５）中、Ｒ^Ｅ１～Ｒ^Ｅ３は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ５ａ、ｎ５ｂ及びｎ５ｃは、それぞれ独立して、０～４の整数である。ｎ５ａが２以上の場合、複数のＲ^Ｅ１は同一でも異なっていてもよい。ｎ５ｂが２以上の場合、複数のＲ^Ｅ２は同一でも異なっていてもよい。ｎ５ｃが２以上の場合、複数のＲ^Ｅ３は同一でも異なっていてもよい。ｎ５ａ、ｎ５ｂ及びｎ５ｃとしては、０及び１が好ましく、０がより好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－６）中、Ｒ^Ｆは、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ６ａは、０～４の整数である。ｎ６ａが２以上の場合、複数のＲ^Ｆは同一でも異なっていてもよい。ｎ６ａとしては、０及び１が好ましく、０がより好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－７）中、Ｒ^Ｇ１及びＲ^Ｇ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ７ａ及びｎ７ｂは、それぞれ独立して、０～２の整数である。ｎ７ａが２の場合、２つのＲＧ１は同一でも異なっていてもよい。ｎ７ｂが２の場合、２つのＲＧ２は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^Ｇ３は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ７ｃは、０～４の整数である。ｎ７ｃが２以上の場合、複数のＲ^Ｇ３は同一でも異なっていてもよい。ｍ７ａ及びｍ７ｂは、それぞれ独立して、１～３の整数である。ｎ７ａ＋ｍ７ａは３である。ｎ７ｂ＋ｍ７ｂは３である。ｎ７ｃとしては、０及び１が好ましく、０がより好ましい。

上記式（Ｒｏ４１－８）中、Ｒ^Ｈは、炭素数２～２０のｍ８価の脂肪族炭化水素基であり、ｍ８は１～４の整数が好ましく、３又は４がより好ましい。

前記式（Ｒｏ４１－１）～（Ｒｏ４１－８）中、Ｒ^Ａ～Ｒ^Ｇ２における置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３で挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ｒ^ｏ４１としては、上記式（Ｒｏ４１－１）～（Ｒｏ４１－８）で表される基が好ましく、式（Ｒｏ４１－３）又は式（Ｒｏ４１－８）で表される基がより好ましい。

前記化合物（Ｏ１－２）の好ましい例としては、下記一般式（ｏ１－１－２ａ）で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｏ１２、Ａｒ^ｏ１２、Ｒ^ｏ２２、ｎ^ｏ１２、ｎ^ｏ２２、及びＲ^ｏ３２は、前記一般式（ｏ１－１－２）におけるものと同様である。ｎ^ｏ３２は、１～５の整数を表す。Ｒ^ｏ４２は、置換基を有していてもよいｎ^ｏ３２価の炭化水素基を表す。］

一般式（ｏ１－１－２ａ）中、ｎ^ｏ３２は、１～５の整数である。ｎ^ｏ３２は、２～５の整数が好ましく、２～４の整数がより好ましく、２又は３がさらに好ましい。

一般式（ｏ１－１－２ａ）中、Ｒ^ｏ４２は、置換基を有していてもよいｎ^ｏ３２価の炭化水素基を表す。
Ｒ^ｏ４２における置換基を有していてもよいｎ^ｏ３２価の炭化水素基は、置換基を有していてもよい炭素数１～３０が好ましい。前記の置換基を有していてもよい炭素数１～３０のｎ^ｏ３２価の炭化水素基としては、前記一般式（ｏ１－１－１ａ）中のＲ^ｏ４１で挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ｒ^ｏ４２の具体例としては、下記式（Ｒｏ４２－１）～（Ｒｏ４２－１１）で表される基が挙げられる。

上記式（Ｒｏ４２－１）～（Ｒｏ４２－１１）中、＊は、上記一般式（ｏ１－１－２ａ）中の窒素原子に結合する結合手を示す。

上記式（Ｒｏ４２－１）中、Ｒ^Ｊは、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ９は、０～４の整数である。ｎ９が２以上の場合、複数のＲ^Ｊは同一でも異なっていてもよい。ｍ９は、２～６の整数である。但し、ｎ９＋ｍ９≦６である。

上記式（Ｒｏ４２－２）中、Ｒ^Ｌは、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ１０は、０又は１である。ｍ１０は、２又は３である。但し、ｎ１０＋ｍ１０≦３である。

上記式（Ｒｏ４２－３）中、Ｒ^Ｍは、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ１１は、０～２の整数である。ｎ１１が２の場合、複数のＲ^Ｍは同一でも異なっていてもよい。ｍ１１は、２～４の整数である。但し、ｎ１１＋ｍ１１＝４である。

上記式（Ｒｏ４２－４）中、Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ１２ａ及びｎ１２ｂは、それぞれ独立して、０～４の整数である。ｎ１２ａが２以上の場合、複数のＲ^Ｎ１は同一でも異なっていてもよい。ｎ１２ｂが２以上の場合、複数のＲ^Ｎ２は同一でも異なっていてもよい。ｐ^１及びｐ^２は、それぞれ独立して、０～４の整数であり、０～２が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。Ｒ^Ｎ３及びＲ^Ｎ４は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ１２ｃ及びｎ１２ｄは、それぞれ独立して、０～４の整数である。ｎ１２ｃが２以上の場合、複数のＲ^Ｎ３は同一でも異なっていてもよい。ｎ１２ｄが２以上の場合、複数のＲ^Ｎ４は同一でも異なっていてもよい。

上記式（Ｒｏ４２－５）中、Ｘ^１は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－又は炭素数１～１０のアルカンジイル基である。

上記式（Ｒｏ４２－６）中、Ｒ^Ｐは、それぞれ独立して、炭素数１～５のアルカンジイル基である。
上記式（Ｒｏ４２－８）中、Ｘ^２は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－又は炭素数１～１０のアルカンジイル基である。

上記式（Ｒｏ４２－１０）中、Ｒ^Ｑは、２価の脂肪族炭化水素基又は２価の脂肪族複素環基である。

上記式（Ｒｏ４２－１１）中、Ｒ^Ｒは、アレーンジイル基である。

前記式（Ｒｏ４２－１）～（Ｒｏ４２－１１）中、Ｒ^Ｊ～Ｒ^Ｎ４における置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３で挙げたものと同様のものが挙げられる。

Ｒ^ｏ４２としては、式（Ｒｏ４２－１）～（Ｒｏ４２－１１）で表される基が好ましく、式（Ｒｏ４２－１）～（Ｒｏ４２－５）で表される基がより好ましい。

化合物（Ｏ１）の具体例を以下に挙げるが、化合物（Ｏ１）はこれらに限定されない。なお、下記例示した化合物のうち、化合物（Ｏ１－４）は、後述する「フルオレン環を含む化合物」にも該当する化合物である。

［フルオレン環を含む化合物］
フルオレン環を含む化合物は、フルオレン環に加えて、少なくとも１個の極性基を有することが好ましい。該極性基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、アルコキシ基、及びエポキシ基等が挙げられる。中でも、極性基としては、ヒドロキシ基、及びエポキシ基が好ましい。

フルオレン環を含む化合物としては、下記一般式（ｆ１－１）で表される構造を含む化合物（Ｆ１）が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ｒ^ｆ３及びＲ^ｆ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、又はスルホ基を表す。ｎ^ｆ１及びｎ^ｆ２は、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。］

一般式（ｆ１－１）中、Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２における炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭素数１～２０の炭化水素基で挙げたものと同様のものが挙げられる。より具体的には、炭素数１～２０の分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、炭素数３～２０の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、及び炭素数５～２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
中でも、Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２における炭素数１～２０の炭化水素基としては、炭素数５～２０の芳香族炭化水素基が好ましい。好ましい例としては、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環から水素原子１つを除いた基（アリーレン基又はヘテロアリーレン基）が挙げられる。中でも、フェニル基、又はナフチル基が好ましい。

Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２における炭素数１～２０の炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２が、炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基である場合、該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、スルホ基、アルコキシ基、及びエポキシ基等が挙げられる。
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２が、炭素数３～２０の構造中に環を含む脂肪族炭化水素基である場合、該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、スルホ基、アルコキシ基、エポキシ基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、グリシジル基、グリシドキシ基等が挙げられる。
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２が^、炭素数５～２０の芳香族炭化水素基である場合、該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、スルホ基、アルコキシ基、エポキシ基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、グリシジル基、グリシドキシ基等が挙げられる。
前記置換基におけるアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基としては、炭素数１～５のものが好ましく、炭素数１～３がより好ましい。

Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２における炭素数１～２０の炭化水素基は、少なくとも１個の極性基を有していることが好ましい。該極性基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、アルコキシ基（炭素数１～５が好ましい）、及びエポキシ基等が挙げられる。これらの中でも、極性基としては、ヒドロキシ基、又はエポキシ基が好ましい。

前記一般式（ｆ１－１）中、Ｒ^ｆ３及びＲ^ｆ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、又はスルホ基を表す。Ｒ^ｆ３及びＲ^ｆ４における置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭素数１～２０の炭化水素基で挙げたものと同様のものが挙げられる。

一般式（ｆ１－１）中、ｎ^ｆ１及びｎ^ｆ２は、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。ｎ^ｆ１及びｎ^ｆ２は、０～３の整数が好ましく、０～２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、０が特に好ましい。

化合物（Ｆ１）の好ましい例としては、下記一般式（ｆ１－１－１）で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｆ１１及びＲ^ｆ２１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６～２０の芳香族炭化水素基である。Ｒ^ｆ３１及びＲ^ｆ４１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、又はスルホ基を表す。Ｘ^ｆ１１及びＸ^ｆ２１は、それぞれ独立に、極性基を表す。ｎ^ｆ１１及びｎ^ｆ２１は、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。］

前記一般式（ｆ１－１－１）中、Ｒ^ｆ１１及びＲ^ｆ２１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６～２０の芳香族炭化水素基である。Ｒ^ｆ１１及びＲ^ｆ２１における炭素数６～２０の芳香族炭化水素基としては、前記一般式（ｆ１－１）中のＲ^ｆ１及びＲ^ｆ２における芳香族炭化水素基として挙げたものと同様のものが挙げられる。中でも、Ｒ^ｆ１１及びＲ^ｆ２１における芳香族炭化水素基としては、フェニル基、又はナフチル基が好ましい。

Ｒ^ｆ１１及びＲ^ｆ２１における炭素数６～２０の芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、スルホ基、アルコキシ基、エポキシ基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、グリシジル基、グリシドキシ基等が挙げられる。中でも、該置換基としては、アルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましく、炭素数１～３のアルキル基がさらに好ましい。

前記一般式（ｆ１－１－１）中、Ｒ^ｆ３１及びＲ^ｆ４１は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、又はスルホ基を表す。Ｒ^ｆ３１及びＲ^ｆ４１における置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基としては、前記一般式（ｕ１３－１）中のＲ^１３における炭素数１～２０の炭化水素基で挙げたものと同様のものが挙げられる。

前記一般式（ｆ１－１－１）中、ｎ^ｆ１１及びｎ^ｆ２１は、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。ｎ^ｆ１１及びｎ^ｆ２１は、０～３の整数が好ましく、０～２の整数がより好ましく、０又は１がさらに好ましく、０が特に好ましい。

前記一般式（ｆ１－１－１）中、Ｘ^ｆ１１及びＸ^ｆ２１は、それぞれ独立に、極性基を表す。Ｘ^ｆ１１及びＸ^ｆ２１における極性基としては、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、アルコキシ基（炭素数１～５が好ましい）、エポキシ基、グリシジル基、グリシドキシ基等が挙げられる。中でも、極性基としては、ヒドロキシ基、エポキシ基、グリシジル基、グリシドキシ基が好ましい。

化合物（Ｆ１）の具体例を以下に挙げるが、化合物（Ｆ１）はこれらに限定されない。

化合物（ＯＦ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。化合物（ＯＦ）は、例えば、前記化合物（Ｏ１）であってもよく、前記化合物（Ｆ１）であってもよく、前記化合物（Ｏ１）及び化合物（Ｆ１）のいずれにも該当する化合物であってもよい。あるいは、化合物（Ｏ１）及び化合物（Ｆ１）を併用してもよい。また、２種以上の化合物（Ｏ１）を併用してもよく、２種以上の化合物（Ｆ１）を併用してもよい。

ハードマスク形成用組成物中の化合物（ＯＦ）の含有量は、ハードマスク形成用組成物に含まれる樹脂（Ｐ）１００質量部に対して、１０～１００質量部が好ましく、２０～１００質量部がより好ましく、３０～１００質量部がさらに好ましい。化合物（ＯＦ）の含有量が前記好ましい範囲の下限値以上であると、ハードマスク形成用組成物の埋め込み性が向上する。一方、化合物（ＯＦ）の含有量が前記好ましい範囲の上限値以下であると、エッチング耐性が向上する。
化合物（ＯＦ）が化合物（Ｏ１）である場合、ハードマスク形成用組成物中の化合物（Ｏ１）の含有量は、ハードマスク形成用組成物に含まれる樹脂（Ｐ）１００質量部に対して、１０～１００質量部が好ましく、２０～８０質量部がより好ましく、３０～６０質量部がさらに好ましい。
化合物（ＯＦ）が化合物（Ｆ１）である場合、ハードマスク形成用組成物中の化合物（Ｆ１）の含有量は、ハードマスク形成用組成物に含まれる樹脂（Ｐ）１００質量部に対して、１０～１００質量部が好ましく、２０～１００質量部がより好ましく、３０～１００質量部がさらに好ましい。

≪任意成分≫
本実施形態のハードマスク形成用組成物は、前記樹脂（Ｐ）及び化合物（ＯＦ）に加えて、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、架橋剤、架橋促進触媒、光酸発生剤、吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤、溶剤等が挙げられる。

架橋剤としては、メチロール基もしくはアルコキシメチル基を有するグリコールウリルなどのアミノ系架橋剤、及びメラミン系架橋剤等が挙げられる。具体例としては、例えば、（株）三和ケミカルのニカラック〔登録商標〕シリーズ（ニカラックＭＸ２７０など）が挙げられる。架橋剤成分の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して１～５０質量部であることが好ましく、１～４０質量部であることがより好ましい。架橋剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

架橋促進触媒としては、例えば、ｐ－トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムｐ－トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、及びナフタレンカルボン酸等の酸性化合物；２，４，４，６－テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２－ニトロベンジルトシレート、及びその他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤が挙げられる。架橋促進触媒の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、０．０００１～２０質量％であることが好ましく、０．０００５～１０質量％がより好ましく、０．０１～３質量％がさらに好ましい。架橋促進触媒は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

光酸発生剤としては、例えば、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系光酸発生剤類；フェニル－ビス（トリクロロメチル）－ｓ－トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸発生剤類；及びベンゾイントシレート、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系光酸発生剤類；等が挙げられる。光酸発生剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、０．２～１０質量部であることが好ましく、０．４～５質量部であることが好ましい。光酸発生剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

吸光剤としては、例えば、「工業用色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や「染料便覧」（有機合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ １，３，４，５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９０，９３，１０２，１１４及び１２４；Ｃ．Ｉ．Ｄ ｉｓｐｅｒｓｅ Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，３０，３１，４４，５７，７２及び７３；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｒｅｄ １，５，７，１３，１７，１９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｖｉｏｌｅｔ ４３；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｂｌｕｅ ９６；Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ Ａｇｅｎｔ １１２，１３５及び１６３；Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｏｒａｎｇｅ２及び４５；Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｒｅｄ １，３，８，２３，２４，２５，２７及び４９；Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｇｒｅｅｎ １０；Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｒｏｗｎ２等が挙げられる。吸光剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。吸光剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

レオロジー調整剤としては、例えば、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体；ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体；ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体；メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体；及びノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体；等が挙げられる。レオロジー調整剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、３０質量部未満が好ましい。レオロジー調整剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

接着補助剤としては、例えば、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類；トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類；ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’－ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類；ビニルトリクロロシラン、γ－クロロプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類；ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２－メルカプトベンズイミダゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環式化合物；１，１－ジメチルウレア、１，３－ジメチルウレア等の尿素；及びチオ尿素化合物；等が挙げられる。接着補助剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、５質量部未満であることが好ましく、２質量部未満であることがより好ましい。接着補助剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類；ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類；ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類；及びポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類；等のノニオン系界面活性剤、並びにエフトップ〔登録商標〕ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２［三菱マテリアル電子化成（株）（旧（株）トーケムプロダクツ）製、商品名］、メガファック〔登録商標〕Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ－３０、同Ｒ－４０［ＤＩＣ（株）（旧大日本インキ（株））製、商品名］、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガード〔登録商標〕ＡＧ７１０、サーフロン〔登録商標〕Ｓ－３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等が挙げられる。界面活性剤の配合量は、ハードマスク形成用組成物中の全樹脂成分１００質量部に対して、２．０質量部以下が好ましく、１．０質量部以下がより好ましい。界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

溶剤は、前記樹脂（Ｐ）及び化合物（ＯＦ）、並びに前記任意成分を溶解するために用いられる。溶剤としては、例えば、γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノンなどのケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体［これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい］；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等が挙げられる。これらの中でも、レベリング性をより向上させる観点から、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、乳酸エチル、乳酸ブチル、γ－ブチロラクトン、及びシクロヘキサノン、並びにこれらの混合溶剤等が好ましい。

溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤としてもよい。混合溶剤としては、例えば、ＰＧＭＥ及びＰＧＭＥＡの混合溶剤が例示される。
溶剤の使用量は、特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。例えば、ハードマスク形成用組成物中の樹脂成分濃度が１～５０質量％、好ましくは１５～３５質量％の範囲内となるように、溶剤を配合することができる。

本実施形態のハードマスク形成用組成物は、芳香環及び極性基を含む樹脂（Ｐ）と、芳香環に縮合したオキサジン環、及びフルオレン環からなる群より選択される少なくとも一種の構造を含む化合物（ＯＦ）と、を併用することにより、良好なエッチング耐性を有し、かつ埋め込み性が改善されたハードマスク層を形成することができる。これは、ハードマスク層を形成する際の加熱により、樹脂（Ｐ）が有する極性基と化合物（ＯＦ）との間で脱水縮合等の相互作用が起こり、その結果、エッチング耐性及び埋め込み性が向上するものと推測される。
本実施形態のハードマスク形成用組成物を用いることにより、基板が段差を有する場合であっても、マスク性能が高い平坦化されたハードマスク層を形成することができる。

＜電子部品の製造方法＞
≪第１実施形態≫
本発明の第２の態様に係る電子部品の製造方法は、
支持体上に、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程（以下「工程（ｉ）」という。）、
前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程（以下、「工程（ｉｉ）」という。）、
前記ハードマスク層（ｍ２）上に、レジスト膜を形成する工程（以下、「工程（ｉｉｉ）」）、
前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターンを形成する工程（以下、「工程（ｉｖ）」という。）、
前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターンを形成する工程（以下、「工程（ｖ）」という）、
前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程（以下、「工程（ｖｉ）」という）、及び
前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程（以下、「工程（ｖｉｉ）」という。）
を有する。
以下、本実施形態の電子部品の製造方法について、図１～図８を参照しながら具体例を説明する。ただし、本実施形態に係る製造法は、これに限定されるものではない。

図１は、基板１１及び加工層１２からなる支持体１０を示す。
まず、支持体１０上に、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する（図２；工程（ｉ））。
次に、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する（図３；工程（ｉｉ））。また、必要に応じて、ハードマスク層（ｍ２）上に反射防止膜（ＢＡＲＣ）２０を成膜する。
次に、ハードマスク層（ｍ２）上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜３０を形成する（図４；工程（ｉｉｉ））。
次に、レジスト膜を露光し、現像することにより、ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターン３０ｐを形成する（図５；工程（ｉｖ））。
次に、レジストパターン３０ｐをマスクとしてハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターン（ｍ２ｐ）を形成する（図６；工程（ｖ））。
次に、無機パターン（ｍ２ｐ）をマスクとしてハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する（図７；工程（ｖｉ））。
次に、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして支持体１０を加工し、パターン１２ｐを形成する（図８；工程（ｖｉｉ））。
このようにして、基板１１にパターン１２ｐを備えた電子部品１００を製造することができる。

［工程（ｉ）］
工程（ｉ）は、支持体１０上に、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程である。

支持体１０としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等が挙げられる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体１０は、前記基板１１上に加工層１２が成膜されたものであってもよい。加工層１２としては、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ｐ－Ｓｉ、α－Ｓｉ、Ｗ、Ｗ－Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｌ－Ｓｉ等種々のＬｏｗ－ｋ膜及びそのストッパー膜等が挙げられる。加工層１２の厚さは、通常、５０～１０，０００ｎｍとすることができる。また、深掘加工を行なう場合、加工層１２の厚さは、１０００～１００００ｎｍとすることができる。なお、加工層１２を成膜する場合、基板１１と加工層１２とは、通常、異なる材質のものが用いられる。

ハードマスク層（ｍ１）の形成には、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いる。具体的には、支持体１０上に、第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を、スピンコート法等で塗布する。次いで、ベークして硬化させることにより、ハードマスク層（ｍ１）を形成する。ベークは、通常、１００℃～５００℃、好ましくは２００℃～４５０℃、より好ましくは３００℃～４００℃の範囲で行う。ベーク温度を前記範囲の上限値以下とすることにより、樹脂の酸化反応によるエッチング耐性の低下を抑制することができる。また、ベーク温度を前記範囲の下限値以上とすることにより、後述の工程（ｉｉ）での成膜時の高温による変質を抑制することができる。ベーク時間は、通常、１０～６００秒、好ましくは３０～３００秒、より好ましくは５０～２００秒とすることができる。

ハードマスク層（ｍ１）の膜厚は、特に限定されず、加工層１２の厚さに応じて適宜設定可能である。ハードマスク層（ｍ１）の膜厚は、例えば、３０～２０，０００ｎｍとすることができる。また、深掘加工を行なう場合、ハードマスク層（ｍ１）の膜厚は、１，０００ｎｍ以上とすることが好ましい。この場合、ハードマスク層（ｍ１）の膜厚としては、１，０００～２０，０００ｎｍが好ましく、１，０００～１５，０００ｎｍがより好ましい。

［工程（ｉｉ）］
工程（ｉｉ）は、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程である。

ハードマスク層（ｍ２）を形成するための無機材料は、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。無機材料としては、例えば、ケイ素酸化膜（ＳｉＯ_２膜）、ケイ素窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４膜）、及びケイ素酸化窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等が挙げられる。中でも、反射防止膜としての効果が高いＳｉＯＮ膜が好ましい。ハードマスク層（ｍ２）の形成には、ＣＶＤ法やＡＬＤ法等を用いることができる。
ハードマスク層（ｍ２）の膜厚としては、５～２００ｎｍ程度が例示され、１０～１００ｎｍ程度が好ましい。

ハードマスク層（ｍ２）の形成にＣＶＤ法やＡＬＤ法を用いる場合、温度が高温（４００℃程度）となるため、ハードマスク層（ｍ１）には高温耐性が求められる。前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物は、耐熱性に優れ、４００℃程度の高温に曝露されてもシュリンク等が生じにくい。そのため、ＣＶＤ法やＡＬＤ法で成膜される無機ハードマスク層と組み合わせて、好適に用いることができる。

ハードマスク層（ｍ２）を形成後、必要に応じて、ハードマスク層（ｍ２）上に、反射防止膜（ＢＡＲＣ）２０を形成してもよい。ＢＡＲＣ２０は、有機ＢＡＲＣであってもよく、無機ＢＡＲＣであってもよい。ＢＡＲＣは、従来公知の方法を用いて形成することができる。

［工程（ｉｉｉ）］
工程（ｉｉｉ）は、ハードマスク層（ｍ２）上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜３０を形成する工程である。

レジスト組成物は、特に限定されず、一般に、露光工程を用いた方法に好適なレジスト材料として提案されているものを使用することができる。レジスト組成物は、ポジ型であってもよく、ネガ型であってもよい。レジスト組成物としては、例えば、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有するもの等が例示される。

レジスト膜３０の形成は、特に限定されず、レジスト膜３０の形成に一般的に用いられる方法を用いればよい。例えば、ハードマスク層（ｍ２）上に（ＢＡＲＣ２０を形成した場合はハードマスク層（ｍ２）上のＢＡＲＣ２０上に）、レジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク（ポストアプライベーク（ＰＡＢ））処理を、例えば８０～１５０℃の温度条件にて４０～１２０秒間、好ましくは６０～９０秒間施してレジスト膜３０を形成することができる。
レジスト膜３０の膜厚は、特に限定されないが、一般的に、３０～５００ｎｍ程度が例示される。

［工程（ｉｖ）］
工程（ｉｖ）は、レジスト膜３０を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターン３０ｐを形成する工程である。

レジスト膜３０の露光は、ＡｒＦ露光装置、ＫｒＦ露光装置、電子線描画装置、ＥＵＶ露光装置等の露光装置を用いて行なうことができる。露光に用いる波長は、特に限定されず、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、ＥＢ（電子線）、並びにＸ線及び軟Ｘ線等の放射線等を用いて行うことができる。レジスト膜３０の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光（ドライ露光）であってもよく、液浸露光（Ｌｉｑｕｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）であってもよい。

例えば、レジスト膜３０に対して、所定のパターンが形成されたフォトマスク（マスクパターン）を介した露光、又はフォトマスクを介さない電子線の直接照射による描画等により選択的露光を行う。その後、ベーク（ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ））処理を、たとえば８０～１５０℃の温度条件にて４０～１２０秒間、好ましくは６０～９０秒間施す。

次に、前記レジスト膜３０を現像処理する。現像処理に用いる現像液は、レジスト組成物の種類、現像方法に応じて、一般的に使用される現像液から適宜選択することができる。例えば、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液（有機系現像液）を用いて行う。
アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば０．１～１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。

現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、たとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、支持体表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法（ダイナミックディスペンス法）等が挙げられる。

現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
溶剤現像プロセスの場合、前記現像処理またはリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液またはリンス液を、超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後またはリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理（ポストベーク）を行ってもよい。

このようにして、ハードマスク層（ｍ２）上に、レジストパターン３０ｐを形成することができる。

［工程（ｖ）］
工程（ｖ）は、前記レジストパターン３０ｐをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターン（ｍ２ｐ）を形成する工程である。

ハードマスク層（ｍ２）のエッチング処理の方法は、特に限定されず、一般的なドライエッチング法等を用いることができる。エッチングの方法としては、例えば、ダウンフローエッチングやケミカルドライエッチング等の化学的エッチング；スパッタエッチングやイオンビームエッチング等の物理的エッチング；ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）等の化学的・物理的エッチングが例示される。
例えば、平行平板型ＲＩＥでは、ＲＩＥ装置のチャンバーに多層積層体を入れ、必要なエッチングガスを導入する。チャンバー内の、上部電極と平行に置かれた多層積層体のホルダーに高周波電圧を加えると、エッチングガスがプラズマ化される。プラズマ中では正・負のイオンや電子などの電荷粒子、中性活性種などのエッチング種が存在している。これらのエッチング種が下部レジスト層に吸着すると、化学反応が生じ、反応生成物が表面から離脱して外部へ排気され、エッチングが進行する。

ハードマスク層（ｍ２）をエッチングするために用いられるエッチングガスとしては、例えば、ハロゲン系のガスが挙げられる。ハロゲン系のガスとしては、水素原子の一部または全部がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子で置換された炭化水素ガスが例示される。より具体的には、テトラフルオロメタン（ＣＦ_４）ガス、トリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）ガス等のフッ化炭素系ガス；テトラクロロメタン（ＣＣｌ_４）ガス等の塩化炭素系ガス等が挙げられる。

［工程（ｖｉ）］
工程（ｖｉ）は、前記無機パターン（ｍ２ｐ）をマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する工程である。

エッチング処理の方法は、特に限定されず、上記工程（ｖｉ）と同様に、一般的なドライエッチング方法等を用いることができる。ハードマスク層（ｍ１）をエッチングするために用いられるエッチングガスとしては、例えば、酸素ガス、二酸化硫黄ガス、ハロゲン系ガス等が挙げられる。例えば、エッチングガスとして酸素ガスを用いた酸素プラズマエッチング等が好ましく例示される。

［工程（ｖｉｉ）］
工程（ｖｉｉ）は、前記樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして前記支持体１０を加工する工程である。

支持体１０の加工は、例えば、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして加工層１２にエッチング処理を施すことにより行うことができる。エッチング処理の方法は、特に限定されず、上記工程（ｖｉ）と同様に、一般的なドライエッチング方法等を用いることができる。加工層１２をエッチングするために用いられるエッチングガスとしては、例えば、ハロゲン系ガスが挙げられる。

本実施形態の電子部品の製造方法においては、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いて、ハードマスク層（ｍ１）を形成するため、ハードマスク層（ｍ１）の厚膜化（１μｍ以上）が可能である。そのため、ハードマスク層（ｍ１）から形成される樹脂パターンを、深掘加工のマスクとして好適に用いることができる。

なお、上記では、３層レジスト法により電子部品を製造する方法を説明したが、２層レジスト法により電子部品を製造してもよい。その場合、ハードマスク層（ｍ１）上には、ハードマスク層（ｍ２）ではなく、レジスト膜３０を形成する。
そして、前記工程（ｉｖ）と同様に、レジスト膜３０を露光し、現像することにより、ハードマスク層（ｍ１）上にレジストパターン３０ｐを形成する。
次に、前記工程（ｖｉ）と同様に、レジストパターン３０ｐをマスクとしてハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する。
その後は、前記工程（ｖｉｉ）と同様に、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして支持体１０を加工し、パターン１２ｐを形成する。
このようにして、２層レジスト法によっても電子部品を製造することができる。

したがって、本発明は、
支持体上に、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、
前記ハードマスク層（ｍ１）上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ１）上にレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び
前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程
を有する、電子部品の製造方法、もまた提供する。

≪第２実施形態≫
本発明の第３の態様に係る電子部品の製造方法は、
支持体上に、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程（以下、「工程（ｉ）’」という。）、
前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターンを形成する工程、（以下、「工程（ｖ）’」という。）
前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程（以下、「工程（ｖｉ）’」という。）、及び
前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程（以下、「工程（ｖｉｉ）’」という。）
を有する。

第３の態様に係る電子部品の製造方法は、レジスト膜の形成を行わず、無機材料からなる無機パターンを直接ハードマスク層（ｍ１）上に形成することを除いて、前記第２の態様に係る電子部品の製造方法と同様である。
以下、本実施形態の電子部品の製造方法について、図１、図２及び図６～８を参照しながら具体例を説明する。ただし、本実施形態に係る製造方法は、これに限定されるものではない。

まず、支持体１０上、前記第１の態様に係るハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する（図１～図２；工程（ｉ）’）。本工程は、前記第２の態様に係る電子部品の製造方法における工程（ｉ）と同様である。

次に、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターン（ｍ２ｐ）を形成する（図６；工程（ｖ）’）。無機パターン（ｍ２ｐ）を形成するための無機材料としては、前記第２の態様に係る電子部品の製造方法における工程（ｉｉ）で例示した無機材料と同様のもの、及び前記無機材料を含有するレジスト組成物等が挙げられる。無機パターン（ｍ２ｐ）の形成方法は、特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。例えば、ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料を含有するレジスト組成物を用いて、無機レジスト膜を形成し、露光及び現像を行なうことで、ハードマスク層（ｍ１）上に無機パターン（ｍ２ｐ）を形成することができる。

次に、無機パターン（ｍ２ｐ）をマスクとしてハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターン（ｍ１ｐ）を形成する（図７；工程（ｖｉ）’）。本工程は、前記第２の態様に係る電子部品の製造方法における工程（ｖｉ）と同様である。
次に、樹脂パターン（ｍ１ｐ）をマスクとして支持体１０を加工し、パターン１２ｐを形成する（図８；工程（ｖｉｉ）’）。本工程は、前記第２の態様に係る電子部品の製造方法における工程（ｖｉｉ）と同様である。
このようにしても、基板１１にパターン１２ｐを備えた電子部品１００を製造することができる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

＜樹脂（Ｐ）の製造例＞
≪樹脂（Ｐ－１－１）≫
温度計、還流管、窒素導入管を繋いだ三口フラスコで、９－ナフチルカルバゾール１０．００ｇ（３４．０９ｍｍｏｌ）、ベンズアルデヒド３６．１７ｇ（４０．９ｍｍｏｌ）、及び１－ピレノール６６．９６ｇ（３０６．８ｍｍｏｌ）を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７５．４２ｇに溶解した後、パラトルエンスルホン酸１０％ＰＭ溶液８７．５３ｇを添加し、反応温度１２０℃で１０時間加熱撹拌した。その後、反応液を室温まで冷却した。
得られた反応液を大量のメタノール（ＭｅＯＨ）に滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した褐色粉体を大量のメタノールにて洗浄、乾燥して樹脂（Ｐ－１－１）を８５ｇ（収率７５％）得た。
この樹脂（Ｐ－１－１）について、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）は４，４００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２．１０であった。

≪樹脂（Ｐ－２－１）≫
定法により、ｍ－クレゾール及びｐ－クレゾールと、ホルムアルデヒドとを酸触媒下で付加縮合させることにより、下記の樹脂（Ｐ－２－１）を得た。この樹脂（Ｐ－２－１）について、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）は２１，０００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は２６であった。

≪樹脂（Ｐ－３－１－１）、樹脂（Ｐ－３－１－２）、樹脂（Ｐ－３－２）≫
定法により、各構成単位を誘導するモノマーをラジカル重合することにより、樹脂（Ｐ－３－１－１）、樹脂（Ｐ－３－１―２）、及び樹脂（Ｐ－３－２）をそれぞれ合成した。これらの樹脂について、ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）、及び分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を合わせて示す。

（実施例１～１６、比較例１～８）
＜ハードマスク形成用組成物の調製＞
表１～３に示す各成分を混合して溶解し、各例のハードマスク形成用組成物（固形分濃度：１８～２０質量％）をそれぞれ調製した。

表１～３中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ｐ）－１：上記の樹脂（Ｐ－１－１）。
（Ｐ）－２：上記の樹脂（Ｐ－２－１）。
（Ｐ）－３：上記の樹脂（Ｐ－３－１－１）。
（Ｐ）－４：上記の樹脂（Ｐ－３－１－２）。
（Ｐ）－５：上記の樹脂（Ｐ－３－２）。
（Ｏ）－１：下記化合物（Ｏ１－１）。
（Ｏ）－２：下記化合物（Ｏ１－２）。
（Ｏ）－３：下記化合物（Ｏ１－３）。
（Ｏ）－４：下記化合物（Ｏ１－４）。
（Ｆ）－１：下記化合物（Ｆ１－１）。
（Ｆ）－２：下記化合物（Ｆ１－２）。
（Ｃ）－１：下記化合物（Ｃ－１）。
（Ａ）－１：フッ素系界面活性剤、ＤＩＣ株式会社製の商品名「Ｒ－４０」。
（Ｓ）－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）／γ－ブチロラクトン＝７５／２５（質量比）の混合溶剤。
（Ｓ）－２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）／シクロヘキサノン＝７５／２５（質量比）の混合溶剤。
（Ｓ）－３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）。

［エッチング耐性］
シリコンウェーハ上に、実施例１～１６及び比較例１～８の各ハードマスク形成用組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布した。その後、大気雰囲気下にて、表４～６に示す温度で９０秒間ベーク（焼成）し、厚さ１．０μｍのハードマスク層を形成し、ハードマスク層付き基板を得た。
前記ハードマスク層付き基板を、エッチング装置を用いて、Ｎ_２／Ｏ_２＝４０／８０ｓｃｃｍ、Ｐｒｅｓｓ＝２０ｍｔｏｒｒ、ＲＦ－Ｐｏｗｅｒ＝３５０Ｗ、９０秒条件にて処理し、処理前後の平均膜厚からエッチング速度（ｎｍ／ｓｅｃ）を算出した。
エッチング速度の評価は、同じ樹脂成分を用いた実施例及び比較例毎に、添加物１を添加していない比較例（比較例１、４、６、７、８）におけるエッチング速度を１００％としたときの相対エッチング速度（比率）を算出し、下記評価基準に基づき評価した。その結果を表４～６に示した。
評価基準
（実施例１～７、比較例２、３）
ＡＡ：比較例１のエッチング速度に対する比率が１００％以下
Ａ ：比較例１のエッチング速度に対する比率が１００％超１０５％以下
Ｂ ：比較例１のエッチング速度に対する比率が１０５％超１１０％以下
Ｃ ：比較例１のエッチング速度に対する比率が１１０％超
（実施例８～１３、比較例５）
ＡＡ：比較例４のエッチング速度に対する比率が１００％以下
Ａ ：比較例４のエッチング速度に対する比率が１００％超１０５％以下
Ｂ ：比較例４のエッチング速度に対する比率が１０５％超１１０％以下
Ｃ ：比較例４のエッチング速度に対する比率が１１０％超
（実施例１４）
ＡＡ：比較例６のエッチング速度に対する比率が１００％以下
Ａ ：比較例６のエッチング速度に対する比率が１００％超１０５％以下
Ｂ ：比較例６のエッチング速度に対する比率が１０５％超１１０％以下
Ｃ ：比較例６のエッチング速度に対する比率が１１０％超
（実施例１５）
ＡＡ：比較例７のエッチング速度に対する比率が１００％以下
Ａ ：比較例７のエッチング速度に対する比率が１００％超１０５％以下
Ｂ ：比較例７のエッチング速度に対する比率が１０５％超１１０％以下
Ｃ ：比較例７のエッチング速度に対する比率が１１０％超
（実施例１６）
ＡＡ：比較例８のエッチング速度に対する比率が１００％以下
Ａ ：比較例８のエッチング速度に対する比率が１００％超１０５％以下
Ｂ ：比較例８のエッチング速度に対する比率が１０５％超１１０％以下
Ｃ ：比較例８のエッチング速度に対する比率が１１０％超

［埋め込み性］
ピッチ２００ｎｍ、ラインアンドスペース１００ｎｍ、深さ２００ｎｍのシリコンウェーハ段差基板（被加工基板）上に、実施例１～１６及び比較例１～８各ハードマスク形成用組成物をそれぞれ、スピンコート法により塗布した。その後、大気雰囲気下にて、表１～３に示す温度で９０秒間ベーク（焼成）し、厚さ３００ｎｍのハードマスク層を形成し、ハードマスク層付き段差基板を得た。
前記ハードマスク層付き段差基板の断面形状を走査型電子顕微鏡（製品名：ＳＵ８０００、メーカー名：日立ハイテクノロジーズ社製）にて観察し、下記評価基準に基づき、埋め込み性を評価した。その結果を表４～６に示した。
評価基準
〇：良好（ボイドが観察されない）
×：不良（ボイドが観察される）

表４～６に示す結果から、実施例１～１６のハードマスク形成用組成物では、優れたエッチング耐性と優れた埋め込み性とを両立できることが確認された。

（実施例１７～１８、比較例９）
＜ハードマスク形成用組成物の調製＞
表７に示す各成分を混合して溶解し、各例のハードマスク形成用組成物（固形分濃度：１８～２０質量％（実施例１７、１８）；２５質量％（比較例９））をそれぞれ調製した。

表７中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［ ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ｐ）－１：上記の樹脂（Ｐ－１－１）。
（Ｐ）－２：上記の樹脂（Ｐ－２－１）。
（Ｏ）－３：上記化合物（Ｏ１－３）。
（Ａ）－１：フッ素系界面活性剤、ＤＩＣ株式会社製の商品名「Ｒ－４０」。
（Ｓ）－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）／γ－ブチロラクトン＝７５／２５（質量比）の混合溶剤。
（Ｓ）－２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）／シクロヘキサノン＝７５／２５（質量比）の混合溶剤。
（Ｓ）－３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）。

［エッチング耐性］
シリコンウェーハ上に、実施例１７～１８及び比較例９の各ハードマスク形成用組成物をそれぞれ、スピンナーを用いて塗布し、上記と同様にハードマスク層付き基板を得た。前記ハードマスク層付き基板を、エッチング装置を用いて、Ｎ_２／Ｏ_２＝４０／８０ｓｃｃｍ、Ｐｒｅｓｓ＝２０ｍｔｏｒｒ、ＲＦ－Ｐｏｗｅｒ＝３５０Ｗ、９０秒条件にて処理し、処理前後の平均膜厚からエッチング速度（ｎｍ／ｓｅｃ）を算出した。
エッチング速度の評価は、比較例９におけるエッチング速度を１００％としたときの相対エッチング速度（比率）を算出し、下記評価基準に基づき評価した。その結果を表８に示した。
評価基準
ＡＡ：比較例９のエッチング速度に対する比率が１００％以下
Ａ ：比較例９のエッチング速度に対する比率が１００％超１０５％以下
Ｂ ：比較例９のエッチング速度に対する比率が１０５％超１１０％以下
Ｃ ：比較例９のエッチング速度に対する比率が１１０％超

＜埋め込み性＞
上記と同様にハードマスク層付き段差基板を作製し、前記ハードマスク層付き段差基板の断面形状を走査型電子顕微鏡（製品名：ＳＵ８０００、メーカー名：日立ハイテクノロジーズ社製）にて観察し、下記評価基準に基づき、埋め込み性を評価した。その結果を表８に示した。
評価基準
〇：良好（ボイドが観察されない）
×：不良（ボイドが観察される）

表８に示す結果から、実施例１７～１８のハードマスク形成用組成物では、比較例９と比較して、エッチング耐性が向上することが確認された。

（樹脂の溶解性試験）
上記の樹脂（Ｐ－１－１）、樹脂（Ｐ－２－１）、樹脂（Ｐ－３－１－１）、樹脂（Ｐ－３－１－２）、及び樹脂（Ｐ－３－２）、並びに下記樹脂（Ｐ２－１）を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に対して、３０質量％となるように溶解した。
その結果、樹脂（Ｐ－１－１）、樹脂（Ｐ－２－１）、樹脂（Ｐ－３－１－１）、樹脂（Ｐ－３－１－２）、及び樹脂（Ｐ－３－２）は、ＰＧＭＥＡに対する溶解性が良好で、３０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調製することができた。一方、樹脂（Ｐ２－１）は、ＰＧＭＥＡに対する溶解性が不良であり、３０質量％のＰＧＭＥＡ溶液を調製することができなかった。

１０ 支持体
１１ 基板
１２ 加工層
１２ｐ パターン
２０ ＢＡＲＣ層
３０ レジスト膜
３０ｐ レジストパターン
ｍ１、ｍ２ ハードマスク層
ｍ１ｐ 樹脂パターン
ｍ２ｐ 無機パターン
１００ 電子部品

Claims (5)

1. リソグラフィで用いられるハードマスクを形成するハードマスク形成用組成物であって、
   芳香環及び極性基を含む樹脂（Ｐ）と、
   芳香環に縮合したオキサジン環、及びフルオレン環からなる群より選択される少なくとも一種の構造を含む化合物（ＯＦ）と、
   を含有し、
   前記樹脂（Ｐ）が、
   下記一般式（ｕ１１－１）で表される構成単位（ｕ１１）と、下記一般式（ｕ１２－１）で表される構成単位（ｕ１２）と、を有し、且つビスナフトール骨格を含まない樹脂（Ｐ－１）；
   下記一般式（ｕ２１－１－１）で表される構成単位（ｕ２１）と、下記一般式（ｕ１２－１）で表される構成単位（ｕ１２）と、を有し、且つビスナフトール骨格を含まない樹脂（Ｐ－２）；又は
   下記一般式（ｕ３１－１）で表される構成単位（ｕ３１）を有し、前記構成単位（ｕ３１）の割合が、前記樹脂（Ｐ）を構成する全構成単位の合計に対して３０～１００モル％であり、且つビスナフトール骨格を含まない樹脂（Ｐ－３）であり、
   前記化合物（ＯＦ）が、
   下記一般式（ｏ１－１）で表される構造を含む化合物（Ｏ１）；又は
   下記一般式（ｆ１－１）で表される化合物（Ｆ１）である、
   ハードマスク形成用組成物。
   

   

   ［式中、Ｒ^１１は、置換基を有してもよい炭素数１０～３０の多環式芳香族炭化水素基である。Ｒ^１２は、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基である。］
   

   

   ［式中、ｎは０～３の整数である。Ｒ^２２は、置換基を有してもよい炭素数６～３０の芳香族炭化水素基又は水素原子である。］
   

   

   ［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ１は、単結合又は２価の連結基である。Ｗａ^ｘ１は、（ｎ_ａｘ１＋１）価の芳香族炭化水素基である。ｎ_ａｘ１は、１～３の整数である。］
   

   

   ［式中、Ｒ^ｏ１は、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ａｒ^ｏ１は、炭素数６～２０の単環又は多環の芳香族炭化水素環を表す。Ｒ^ｏ２は、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。ｎ^ｏ１は、０～４の整数である。ｎ^ｏ１が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ１はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。ｎ^ｏ２は、０～３の整数である。ｎ^ｏ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^ｏ２はそれぞれ同じであっても異なっていてもよく、複数のＲ^ｏ２のうちの２つ以上が互いに結合してこれらが結合するＡｒ^ｏ１中の炭素原子と共に環員数４～２０の環構造を形成してもよい。＊及び＊＊は、それぞれ独立して、水素原子又は結合手を表す。］
   

   

   ［式中、Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基である。Ｒ^ｆ３及びＲ^ｆ４は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、又はスルホ基を表す。ｎ^ｆ１及びｎ^ｆ２は、それぞれ独立に、０～４の整数を表す。］
2. 前記樹脂（Ｐ－３）は、さらに、下記一般式（ｕ３２－１）で表される構成単位（ｕ３２）を有する、請求項１に記載のハードマスク形成用組成物。
   

   

   ［式中、Ｒは、水素原子、炭素数１～５のアルキル基又は炭素数１～５のハロゲン化アルキル基である。Ｙａ^ｘ３は、単結合又は２価の連結基である。Ｌａ^ｘ３は－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮ（Ｒ’）－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨＣＯ－又は－ＣＯＮＨＣＳ－であり、Ｒ’は水素原子又はメチル基を示す。但し、Ｌａ^ｘ３が－Ｏ－の場合、Ｙａ^ｘ３は－ＣＯ－にはならない。Ｒａ^ｘ３は、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。］
3. 前記化合物（Ｆ１）が少なくとも１個の極性基を有する、請求項１に記載のハードマスク形成用組成物。
4. 支持体上に、請求項１～３のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、
   前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなるハードマスク層（ｍ２）を形成する工程、
   前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジスト膜を形成する工程、
   前記レジスト膜を露光し、現像することにより、前記ハードマスク層（ｍ２）上にレジストパターンを形成する工程、
   前記レジストパターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ２）にエッチング処理を施して、無機パターンを形成する工程、
   前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び
   前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程
   を有する、電子部品の製造方法。
5. 支持体上に、請求項１～３のいずれか一項に記載のハードマスク形成用組成物を用いてハードマスク層（ｍ１）を形成する工程、
   前記ハードマスク層（ｍ１）上に、無機材料からなる無機パターンを形成する工程、
   前記無機パターンをマスクとして前記ハードマスク層（ｍ１）にエッチング処理を施して、樹脂パターンを形成する工程、及び
   前記樹脂パターンをマスクとして前記支持体を加工する工程
   を有する、電子部品の製造方法。

Images