JP7344628B2 - フォトマスクブランク、フォトマスク及び半導体素子の製造方法 - Google Patents

Description

一具現例は、向上した性能を有するフォトマスクブランク、及びフォトマスクに関する。他の具現例は、高い精度でさらに欠陥の発生が減少した半導体素子の製造方法に関する。

半導体デバイスなどの高集積化により、半導体デバイスの回路パターンの微細化が求められている。これにより、ウエハの表面上にフォトマスクを用いて回路パターンを現像する技術であるリソグラフィー技術の重要性が益々高まっている。

微細化された回路パターンを現像するためには、露光工程で用いられる露光光源の短波長化が要求される。最近用いられている露光光源としてはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）などがある。

一方、フォトマスクにはバイナリマスク（Ｂｉｎａｒｙ ｍａｓｋ）と位相反転マスク（Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｍａｓｋ）などがある。

バイナリマスクは、光透過性基板上に遮光層パターンが形成された構成を有する。バイナリマスクは、パターンが形成された面において、遮光層を含まない透過部は露光光を透過させ、遮光層を含む遮光部は露光光を遮断することによって、ウエハ表面のレジスト膜上にパターンを露光させる。但し、バイナリマスクは、パターンが微細化されるほど、露光工程で透過部の縁部で発生する光の回折により微細パターンの現像に問題が発生することがある。

位相反転マスクとしては、レベンソン型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）、アウトリガー型（Ｏｕｔｒｉｇｇｅｒ ｔｙｐｅ）、及びハーフトーン型（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅ ｔｙｐｅ）がある。その中でハーフトーン型位相反転マスクは、光透過性基板上に半透過膜で形成されたパターンが形成された構成を有する。ハーフトーン型位相反転マスクは、パターンが形成された面において、半透過層を含まない透過部は露光光を透過させ、半透過層を含む半透過部は減衰された露光光を透過させる。前記減衰された露光光は、透過部を通過した露光光と比較して位相差を有するようになる。これにより、透過部の縁部で発生する回折光は、半透過部を透過した露光光によって相殺され、位相反転マスクは、ウエハの表面にさらに精巧な微細パターンを形成することができる。

関連先行技術として、韓国公開特許第１０－２０１２－０１２１３３３号、韓国登録特許第１０－１３０８８３８号などがある。

一具現例は、向上した性能を有するフォトマスクブランク、及びフォトマスクを提供する。他の具現例は、高い精度でさらに欠陥の発生が減少した半導体素子の製造方法を提供する。

上記目的を達成するために、一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜と；を含む。

前記遮光膜は、第１硬度を有する第１遮光層と；第２硬度を有する第２遮光層と；を含む。前記第１遮光層は、前記第２遮光層よりも前記光透過性基板の近くに配置されてもよい。

前記第１硬度は、前記第２硬度よりも大きい値であってもよい。

前記第２硬度は、前記第１硬度の０．１５倍～０．５５倍であってもよい。

前記第２硬度は、０．３ｋＰａ～０．５５ｋＰａであってもよい。

前記第２遮光層のヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。

他の一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜と；を含み、前記遮光膜は、第１硬度を有する第１遮光層と；前記第１遮光層上に配置され、第２硬度を有する第２遮光層と；を含む。

前記第２硬度は０．３ｋＰａ～０．５５ｋＰａであってもよい。

前記第１遮光層と前記第２遮光層の厚さ比は１：０．０２～０．２５であってもよい。

前記遮光膜は、１９３ｎｍの波長に対する透過率が１以上であってもよい。

前記第２遮光層のヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。

他の一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜と；を含み、前記遮光膜は、第１硬度を有する第１遮光層と；前記第１遮光層上に配置され、第２硬度を有する第２遮光層と；を含む。前記第１遮光層は、前記第２遮光層よりも前記光透過性基板の近くに配置されてもよい。

前記第１硬度は、前記第２硬度よりも大きい値であってもよい。

前記第２硬度は、前記第１硬度の０．１５倍～０．５５倍であってもよい。

前記第２硬度は０．３ｋＰａ～０．５５ｋＰａであってもよい。

前記第２遮光層のヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。

他の一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層のパターン化された遮光膜と；を含み、前記パターン化された遮光膜は、第１硬度を有するパターン化された第１遮光層と；前記第１遮光層上に配置され、第２硬度を有するパターン化された第２遮光層と；を含む。

前記第２硬度は０．５５ｋＰａ以下であってもよい。

前記第２硬度は０．３ｋＰａ～０．５５ｋＰａであってもよい。

前記第１遮光層と前記第２遮光層の厚さ比は１：０．０２～０．２５であってもよい。

前記遮光膜は、１９３ｎｍの波長に対する透過率が１以上であってもよい。

前記第２遮光層のヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。

他の一具現例に係る半導体素子の製造方法は、対象基板を準備する準備ステップと；前記対象基板の一面上にフォトマスクを適用してパターン化し、パターン化された対象基板を製造するパターン化ステップと；を含んで半導体素子を製造する。

前記フォトマスクは、上述したフォトマスクが適用される。

上記目的を達成するために、一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜と；を含む。

前記遮光膜は、第１ヤング率を有する第１遮光層と；第２ヤング率を有する第２遮光層と；を含む。前記第１遮光層は、前記第２遮光層よりも前記光透過性基板の近くに配置されてもよい。

前記第１ヤング率は、前記第２ヤング率よりも大きい値であってもよい。

前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．１５倍～０．５５倍であってもよい。

前記第２ヤング率は１．０ｋＰａ～４．２ｋＰａであってもよい。

前記第２遮光層の硬度は０．５５ｋＰａ以下であってもよい。

他の一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜と；を含み、前記遮光膜は、第１ヤング率を有する第１遮光層と；前記第１遮光層上に配置され、第２ヤング率を有する第２遮光層と；を含む。

前記第２ヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。

前記第２遮光層の厚さは３０ｎｍ以上であってもよい。

前記第２遮光層は、互いに異なる１６個の位置で測定した凝着力の標準偏差が前記凝着力の平均の８％以下の値を有することができる。

前記第２遮光層は、互いに異なる１６個の位置で測定した分離力の標準偏差が前記分離力の平均の５％以下の値を有することができる。

他の一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜と；を含み、前記遮光膜は、第１ヤング率を有する第１遮光層と；前記第１遮光層上に配置され、第２ヤング率を有する第２遮光層と；を含む。前記第１遮光層は、前記第２遮光層よりも前記光透過性基板の近くに配置されてもよい。

前記第１ヤング率は、前記第２ヤング率よりも大きい値であってもよい。

前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．１５倍～０．５５倍であってもよい。

前記第２ヤング率は１．０ｋＰａ～４．２ｋＰａであってもよい。

前記第２遮光層の硬度は０．５５ｋＰａ以下であってもよい。

他の一具現例に係るフォトマスクブランクは、光透過性基板と；前記光透過性基板上に配置される多層のパターン化された遮光膜と；を含み、前記パターン化された遮光膜は、第１ヤング率を有するパターン化された第１遮光層と；前記第１遮光層上に配置され、第２ヤング率を有するパターン化された第２遮光層と；を含む。

前記第１ヤング率は、前記第２ヤング率よりも大きい値であってもよい。

前記第２ヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。

前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．１５倍～０．５５倍であってもよい。

前記第２ヤング率は１．０ｋＰａ～４．２ｋＰａであってもよい。

前記第２遮光層の硬度は０．５５ｋＰａ以下であってもよい。

他の一具現例に係る半導体素子の製造方法は、対象基板を準備する準備ステップと；前記対象基板の一面上にフォトマスクを適用してパターン化し、パターン化された対象基板を製造するパターン化ステップと；を含んで半導体素子を製造する。

前記フォトマスクは、上述したフォトマスクが適用される。

一具現例のフォトマスクブランクは、硬度が調節された遮光膜を適用することで、他の性能は同等以上に維持すると共に、パーティクルによる欠陥の程度を減少させることができるフォトマスクブランクを提供できる。

他の具現例のフォトマスクは、さらに細かくなった線幅のパターンを適用しても、パーティクルによる欠陥の発生が減少し、より向上した遮光効果を得ることができるフォトマスクを提供できる。

更に他の具現例の半導体素子の製造方法は、上述したフォトマスクを活用して、より欠陥が少ない半導体素子を製造できる。

一具現例に係るフォトマスクブランクの構造を断面で説明する概念図である。 一具現例に係るフォトマスクの構造を断面で説明する概念図である。 他の一具現例に係るフォトマスクブランクの構造を断面で説明する概念図である。 他の一具現例に係るフォトマスクの構造を断面で説明する概念図である。 図２のＡの拡大概念図である。 比較例の断面及びパーティクルの形成に関連する図６ＡのＡ部分の拡大概念図である。 比較例の断面及びパーティクルの形成に関連する図６ＡのＡ部分の拡大概念図である。 それぞれ、実験実施例の比較例１及び比較例２でスクラッチ性パーティクルの形成例を示す写真（検査器にＨＦフィルターを適用した後の結果）である。 それぞれ、実験実施例の比較例１及び比較例２でスクラッチ性パーティクルの形成例を示す写真（検査器にＨＦフィルターを適用した後の結果）である。

以下、具現例の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように、実施例について詳細に説明する。しかし、具現例は、様々な異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。

本明細書で使用される程度の用語「約」、「実質的に」などは、言及された意味に固有の製造及び物質の許容誤差が提示されるとき、その数値で又はその数値に近接した意味で使用され、具現例の理解を助けるために正確又は絶対的な数値が言及された開示内容を非良心的な侵害者が不当に利用することを防止するために使用される。

本明細書全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ」という用語は、マーカッシュ形式の表現に記載された構成要素からなる群から選択される１つ以上の混合又は組み合わせを意味するものであって、前記構成要素からなる群から選択される１つ以上を含むことを意味する。

本明細書全体において、「Ａ及び／又はＢ」の記載は、「Ａ、Ｂ、または、Ａ及びＢ」を意味する。

本明細書全体において、「第１」、「第２」又は「Ａ」、「Ｂ」のような用語は、特に説明がない限り、同一の用語を互いに区別するために使用される。

本明細書において、Ａ上にＢが位置するという意味は、Ａ上にＢが位置したり、それらの間に別の層が位置しながらＡ上にＢが位置したりすることができることを意味し、Ａの表面に当接してＢが位置することに限定されて解釈されない。

本明細書において、単数の表現は、特に説明がなければ、文脈上解釈される単数又は複数を含む意味で解釈される。

本明細書に添付された図面は、具現例の概念を適切に説明する目的で誇張して表現され得、図面によって具現例が限定されて解釈されない。

本明細書において、露光波長は１９３ｎｍのＡｒＦ波長として説明するが、特に言及がない限り、具現例の権利範囲が、前記波長が適用されることに限定されて解釈されない。

半導体素子の高集積化に伴い、半導体基板上にさらに微細化された回路パターンを形成することが要求される。半導体基板上に現像されるパターンの線幅がさらに微細化するに伴い、パーティクルによる欠陥に対してもより厳しい制御が必要である。

半導体素子のパターン形成のマスクとして適用されるフォトマスクは、優れた解像度を有することが必須である。ディスプレイ用フォトマスクとは異なり、パターンが拡大されて適用される半導体用フォトマスクでは、特にその解像度や欠陥に対してさらに厳しい条件の適用が必要であると考えられる。断面において、パターンの上部の角（図２などでＡで表示）が実質的に直角に形成されることが理想的であるが、現実的に完全に直角に形成されることは容易ではない。特に、フォトマスクは、エッチング過程で角部などに由来するパーティクルが形成され得、このパーティクルは、フォトマスクのスクラッチ性パーティクルとして作用し得る。すなわち、このパーティクルは、エッチング、洗浄などの過程で基板やパターンに損傷を与えることがあり、これは、結局、フォトマスクのパターン、そして、これから製造される半導体パターンへの欠陥の発生に繋がり得る。発明者らは、フォトマスクの遮光膜を２層以上の構造で形成し、各層間の硬度などの特性を制御して、パーティクルの発生を実質的に抑制できるという点を確認し、具現例を提示する。

図１及び図３は、それぞれ、一具現例及び他の一具現例に係るフォトマスクブランクの構造を断面で説明する概念図であり、図２及び図４は、それぞれ、一具現例及び他の一具現例に係るフォトマスクの構造を断面で説明する概念図である。図５は、図２のＡの拡大概念図である。以下、図１乃至図５を参照して、具現例をより詳細に説明する。

フォトマスクブランク１００及びフォトマスク３００
前記目的を達成するために、具現例の一実施例に係るフォトマスクブランク１００は、光透過性基板１０と；前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜３０と；を含む。

前記遮光膜３０は、第１硬度を有する第１遮光層３０１と；第２硬度を有する第２遮光層３０２と；を含む。

前記第１遮光層３０１は、前記第２遮光層３０２よりも前記光透過性基板１０の近くに配置される。

前記フォトマスクブランク１００は、光透過性基板１０と遮光膜３０との間に配置される位相反転膜２０をさらに含むことができる。

前記フォトマスクブランク１００は、遮光膜３０上に配置されるハードコーティング層（図示せず）をさらに含むことができる。

前記フォトマスクブランク１００は、遮光膜３０上に位置するハードコーティング層（図示せず）、及び前記ハードコーティング層上に位置するフォトレジスト膜（図示せず）をさらに含むことができる。

前記目的を達成するために、具現例の一実施例に係るフォトマスク３００は、光透過性基板１０と；前記光透過性基板上に配置される多層のパターン化された遮光膜３３と；を含む。

前記パターン化された遮光膜３３は、第１硬度を有するパターン化された第１遮光層３３１と；第２硬度を有するパターン化された第２遮光層３３２と；を含む。

前記パターン化された第１遮光層３３１は、前記パターン化された第２遮光層３３２よりも前記光透過性基板１０の近くに配置される。

前記フォトマスク３００は、光透過性基板１０とパターン化された遮光膜３３との間に配置されるパターン化された位相反転膜２３をさらに含むことができる。

前記フォトマスク３００は、パターン化された遮光膜３３上に配置されるハードコーティング層（図示せず）をさらに含むことができる。前記ハードコーティング層は、ハードマスク層と呼ばれることもあり、パターン化されたものであり得る。

前記パターン化された遮光膜、前記パターン化された位相反転膜は、前記フォトマスクブランクの遮光膜、位相反転膜がそれぞれパターン化されて形成されてもよい。

遮光膜３０は、入射する露光光を少なくとも一定部分遮断する特性を有する。また、光透過性基板１０と遮光膜３０との間に位相反転膜２０などが位置する場合、遮光膜３０は、前記位相反転膜２０などをパターンの形状通りにエッチングする工程において、位相反転膜などの隣り合う膜と区分されるエッチング特性を有することで、エッチングマスクとしての役割を行うこともある。

具現例において、遮光膜３０は、第１硬度を有するパターン化された第１遮光層３３１と；第２硬度を有するパターン化された第２遮光層３３２と；を含む。

以下で特に言及がなければ、パターン化された遮光膜、パターン化された第１遮光層、パターン化された第２遮光層などについての説明は、遮光膜、第１遮光層、第２遮光層などについての説明にそのまま適用される。

前記第１硬度は、前記第２硬度よりも大きい値であってもよい。

第２遮光層は、遮光膜において上部に位置する。第１遮光層は、遮光膜において下部に位置する。このとき、第２遮光層の硬度は、第１遮光層の硬度よりも小さい値であってもよい。

第２遮光層は、光透過性基板から遠い側に位置する。このとき、光透過性基板から遠い側ということは、第１遮光層を基準とする第２遮光層の相対位置が、光透過性基板からさらに遠いことを意味する。このとき、第２遮光層の硬度は、第１遮光層の硬度よりも小さい値であってもよい。

第２遮光層の硬度を第１遮光層の硬度よりも小さい値を有するようにすることによって、遮光膜の一部の消失により発生し得るパーティクルの発生頻度を減少させることができ、パーティクルを原因とするスクラッチの発生可能性も著しく低減させることができる。また、発生するパーティクルの大きさも単層の遮光膜と比較して小さく形成されるので、スクラッチ性パーティクルの生成をさらに抑制することができる（図５、図６Ａ及び図６Ｂ参照）

前記第２硬度は、前記第１硬度の０．１５～０．５５倍であってもよい。前記第２硬度は、前記第１硬度の０．２～０．４倍であってもよい。前記第２硬度が前記第１硬度の０．１５倍未満である場合、塩素系ガスなどのエッチャントを適用したエッチングにおいてエッチング率が遅くなることがある。前記第２硬度が前記第１硬度の０．５５倍を超える場合、パーティクルによる損傷の可能性を低下させる効果がわずかになり得る。前記第２硬度は、前記第１硬度の０．２～０．４倍である場合、光学密度の増加による遮光膜のエッチング特性低下の可能性を最小化すると共に、パーティクルによる損傷の可能性を低下させる効果を十分に得ることができる。

前記第２硬度は０．５５ｋＰａ以下であってもよい。前記第２硬度は０．３～０．５５ｋＰａであってもよい。前記第２硬度は０．４２～０．５２ｋＰａであってもよい。前記第２硬度は０．４５～０．５１ｋＰａであってもよい。このような範囲で、前記第１遮光層は、遮光膜全体において適切な光学特性を有すると共に、パーティクルによるスクラッチ発生の抑制効果を適切に誘導することができる。

前記第１硬度は１～３ｋＰａであってもよい。前記第１硬度は１．１～２．５ｋＰａであってもよい。前記第１硬度は１．３～２．５ｋＰａであってもよい。このような第１硬度の範囲を有する場合、遮光膜全体において適切な透過率、光学密度及びエッチング特性を有することができ、特に１９３ｎｍの波長の光源の適用にさらに適し得る。

前記第１遮光層３０１は第１ヤング率を有することができる。

前記第２遮光層３０２は第２ヤング率を有することができる。

前記第１ヤング率は、前記第２ヤング率よりも大きい値であってもよい。

第２遮光層は、遮光膜において上部に位置する。第１遮光層は、遮光膜において下部に位置する。このとき、第２遮光層のヤング率は、第１遮光層のヤング率よりも小さい値であってもよい。

第２遮光層は、光透過性基板から遠い側に位置する。このとき、光透過性基板から遠い側ということは、第１遮光層を基準とする第２遮光層の相対位置が、光透過性基板からさらに遠いことを意味する。このとき、第２遮光層のヤング率は、第１遮光層のヤング率よりも小さい値であってもよい。

第２遮光層のヤング率を第１遮光層のヤング率よりも小さい値を有するようにすることによって、遮光膜の一部の消失により発生し得るパーティクルの発生頻度を減少させることができ、パーティクルを原因とするスクラッチの発生可能性も著しく低減させることができる。

前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．１５～０．５５倍であってもよい。前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．２０～０．４５倍であってもよい。前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．２３～０．４２倍であってもよい。

前記第２ヤング率が前記第１ヤング率の０．１５倍未満である場合、塩素系ガスなどのエッチャントを適用したエッチングにおいてエッチング率が遅くなることがある。前記第２ヤング率が前記第１ヤング率の０．５５倍を超える場合、パーティクル発生の低減効果がわずかになり得る。前記第２ヤング率は、前記第１ヤング率の０．２～０．４５倍である場合、塩素系エッチングガスなどのエッチャントを適用するエッチングにおいてエッチング特性の低下を最小化すると共に、パーティクルの発生による損傷の可能性を低下させる効果を十分に得ることができる。

前記第２ヤング率は１．０ｋＰａ以上であってもよい。前記第２ヤング率は１．０～４．２ｋＰａであってもよい。前記第２ヤング率は１．２～３．７ｋＰａであってもよい。前記第２ヤング率は２．３～３．５ｋＰａであってもよい。このような範囲で、前記第１遮光層は、遮光膜全体において適切なエッチング特性を有すると共に、パーティクル発生の抑制効果を適切に誘導することができる。

前記第１ヤング率は７～１３ｋＰａであってもよい。前記第１ヤング率は７．３～１２ｋＰａであってもよい。前記第１ヤング率は８～１１．８ｋＰａであってもよい。このような第１ヤング率の範囲を有する場合、遮光膜全体において適切な透過率、光学密度及びエッチング特性を有することができ、特に１９３ｎｍの波長の光源の適用にさらに適し得る。

前記硬度及び前記ヤング率は、ＡＦＭにより測定可能である。具体的には、Ｐａｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ社（装備モデルＸＥ－１５０）のＡＦＭ装備を用いて、スキャン速度０．５Ｈｚ、コンタクトモード（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｍｏｄｅ）、カンチレバー（Ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ）モデルであるＰａｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ社のＰＰＰ－ＣＯＮＴＳＣＲを適用して測定する。測定対象内の１６個の地点で凝着力などを測定してその平均値を取り、これから得られる硬度又はヤング率の値を、前記の硬度又はヤング率の値とする。測定時に適用される測定用チップは、シリコン素材のＢｅｒｋｏｖｉｃｈチップ（チップのポアソン比：０．０７）が適用され、硬度及びヤング率の測定結果は、Ｏｌｉｖｅｒ ａｎｄ Ｐｈａｒｒモデルを適用してＡＦＭ装備社が提供したプログラムによって得られる値を取って提示する。

前記測定により、分離力、凝着力なども得られる。互いに異なる１６個の位置で測定した分離力及び／又は凝着力は、測定値全体においてその偏差が小さいという特徴を有し、これは、測定位置全体において前記遮光膜の物性が均一であるという特徴を有することを意味する。

前記第２遮光層３０２の互いに異なる１６個の位置（各位置は、互いに少なくとも１ｃｍ以上離れた位置を適用することが好ましい）で測定した凝着力（Ａｄｈｅｓｉｏｎ ｅｎｅｒｇｙ）は、その標準偏差が前記凝着力の平均の８％以下であってもよく、６％以下であってもよく、または５％以下であってもよい。前記標準偏差は、前記凝着力の平均の０．００１％以上であってもよい。このような特徴を有するフォトマスクブランク１００又はフォトマスク３００は、全体的に微細なパターンが形成されても、均一にパーティクル形成の抑制、そしてパーティクルによるスクラッチ形成の低減効果を有することができる。

前記第２遮光層３０２の凝着力は０．２５ｆＪ以上であってもよい。前記第２遮光層３０２の凝着力は０．３０ｆＪ以上であってもよい。前記第２遮光層３０２の凝着力は０．４ｆＪ以下であってもよい。

遮光膜３０及びパターン化された遮光膜３３
具現例において、遮光膜３０は、光透過性基板１０の上面（ｔｏｐ ｓｉｄｅ）上に位置することができる。遮光膜３０は、光透過性基板１０の下面（ｂｏｔｔｏｍ ｓｉｄｅ）側で前記第２遮光層３０２の凝着力が、前記第１遮光層３０１の凝着力よりも０．１０ｆＪ以上大きい値であってもよい。前記第２遮光層３０２の凝着力は、前記第１遮光層３０１の凝着力よりも０．１５ｆＪ以下で大きい値であってもよい。

前記第２遮光層３０２の互いに異なる１６個の位置で測定した分離力（Ｐｕｌｌ ｏｆｆ ｆｏｒｃｅ）は、その標準偏差が前記分離力の平均の５％以下であってもよく、３％以下であってもよく、または２％以下であってもよい。前記標準偏差は、前記分離力の平均の０．００１％以上であってもよい。このような特徴を有するフォトマスクブランク１００又はフォトマスク３００は、全体的に微細なパターンが形成されても、均一にパーティクル形成の抑制、そしてパーティクルによるスクラッチ形成の低減効果を有することができる。

前記第２遮光層３０２の分離力は４．０ｎＮ以上であってもよい。前記第２遮光層３０２の分離力は４．１ｎＮ以上であってもよい。前記第２遮光層３０２の分離力は４．８ｎＮ以下であってもよい。

前記第２遮光層３０２の分離力は、前記第１遮光層３０１の分離力よりも０．６ｎＮ以上大きい値であってもよい。前記第２遮光層３０２の分離力は、前記第１遮光層３０１の分離力よりも１．２ｎＮ以下で大きい値であってもよい。

前記第１遮光層３０１と前記第２遮光層３０２は１：０．０２～０．２５の厚さ比を有することができる。前記第１遮光層３０１と前記第２遮光層３０２は１：０．０４～０．１８の厚さ比を有することができる。このような第１遮光層と第２遮光層をいずれも含む遮光膜３０は、透過率、光学密度などの条件を満たすと共に、パーティクルの発生及びスクラッチを低減する特性を有することができる。

前記第２遮光層３０２は３０～８０ｎｍの厚さであってもよい。前記第２遮光層３０２は４０～７０ｎｍの厚さであってもよい。このような厚さで前記第２遮光層を形成する場合、パーティクル形成の低減効果がより優れ得る。

前記厚さ又は厚さの比率は、断面の顕微鏡写真から確認される層の区分などで確認することができ、厚さを確認できる方法であれば、制限なしに適用可能である。

前記遮光膜３０は、１９３ｎｍの波長に対する透過率が１以上であってもよく、または１．３３以上であってもよい。前記遮光膜３０は、１９３ｎｍの波長に対する透過率が１．３８以上であってもよく、または１．４以上であってもよい。前記遮光膜３０は、１９３ｎｍの波長に対する透過率が１．６以下であってもよい。

前記遮光膜３０は、１９３ｎｍの波長に対する光学密度が２．０以下であってもよく、または１．８７以下であってもよい。前記遮光膜３０は、１９３ｎｍの波長に対する光学密度が１．８以上であってもよく、または１．８３以上であってもよい。

前記遮光膜３０と位相反転膜２０を含む積層体の光学密度は３．０以上であってもよい。

遮光膜がこのような透過率及び光学密度を有するとき、フォトマスク又はフォトマスクブランクに意図する優れた遮光効果を付与することができる。

前記第１遮光層３０１と前記第２遮光層３０２は、それぞれ層内に金属元素を含有する。

前記金属としては遷移金属が適用されてもよく、前記遷移金属として、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ及びＨｆからなる群から選択されたいずれか１つを含むことができる。より具体的に、前記第１遮光層３０１及び／又は前記第２遮光層３０２はクロムを含有することができる。

前記第１遮光層３０１又は第２遮光層３０２に含まれる金属は、その含量によって遮光特性を付与すると同時に、硬度などの物理的特性にも影響を及ぼす。しかし、遮光層の密度、遮光層に含まれた元素の結晶化の程度、遮光層内の非金属元素の含量、遮光層内での各構成元素の配置などの様々な要素によってその物性に差が発生し得る。

前記第２遮光層３０２は、前記第１遮光層３０１よりも高い金属含量を有することができる。但し、硬度特性とヤング率特性などを限定的に制御するものではなく、フォトマスクに求められる全体的な光学特性、エッチング特性なども全て満たさなければならないため、単純に金属含量のみを高めることでは全体的な物性の制御が難しいことがある。

前記第２遮光層３０２と第１遮光層３０１の硬度などの物性の差は、前記で言及した金属の含量と共に、蒸着のためのスパッタリング過程で適用する不活性ガスの含量比、第１遮光層及び第２遮光層の形成に適用される反応性ガスの比率などによっても調節され得る。具体的な内容は後述する。

その他の薄膜
位相反転膜、ハードマスク膜、フォトレジスト膜などがフォトマスクブランク又はフォトマスクに適用され得るという点は、上述した通りである。

フォトマスクブランク１００は、光透過性基板１０、位相反転膜２０、遮光膜３０、フォトレジスト膜（図示せず）などが順次積層され得、前記遮光膜と前記フォトレジスト膜との間にハードマスク膜（図示せず）がさらに配置されてもよい。

位相反転膜２０は、光透過性基板１０と遮光膜３０との間に位置することができる。位相反転膜２０は、前記位相反転膜２０を透過する露光光の光の強度を減衰し、位相差を調節して、転写パターンの縁部に発生する回折光を実質的に抑制する役割を行う。

光透過性基板１０の波長１９３ｎｍの露光光に対する透過率は８５％以上であってもよい。前記透過率は８７％以上であってもよい。前記透過率は９９．９９％以下であってもよい。例示的に、光透過性基板１０は、合成石英基板が適用されてもよい。このような場合、光透過性基板１０は、前記光透過性基板１０を透過する光の減衰（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）を抑制することができる。但し、光透過性基板１０の素材は、露光光に対する光透過性を有し、フォトマスク３００に適用できる素材であれば制限されない。

位相反転膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対する位相差が１７０～１９０°であってもよい。位相反転膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対する位相差が１７５～１８５°であってもよい。位相反転膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対する透過率が３～１０％であってもよい。位相反転膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対する透過率が４～８％であってもよい。このような場合、前記位相反転膜２０が含まれたフォトマスク３００の解像度が向上することができる。

位相反転膜２０は、遷移金属及び珪素を含むことができる。位相反転膜２０は、遷移金属、珪素、酸素及び窒素を含むことができる。前記遷移金属はモリブデンであってもよい。

パターン化された位相反転膜２３についての説明は、前記の位相反転膜２０についての説明がそのまま適用される。

ハードマスク（図示せず）は、パターンエッチング時にフォトレジスト膜が崩れるパターン崩壊現象を抑制する役割を行うことができる。また、遮光膜３０のパターン化過程においてエッチングマスク膜としての機能を行うこともできる。

ハードマスクは、珪素、窒素及び酸素から選択されたいずれか１つを含むことができる。例示的に、前記ハードマスクは、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどが適用されてもよいが、これに限定されるものではない。

活用及び製造
フォトマスク３００は、前記フォトマスクブランク１００を目的とするデザインに従ってパターン化したもので、パターン化過程は、少なくとも数回のエッチング及び洗浄工程を経る。例示的に、フォトレジスト膜に露光及び現像を通じて意図するパターンを形成し、選択的エッチングによりハードマスク膜などを露出させる。以降、ハードマスク膜及び遮光膜に比較的大きな選択比を有するエッチャントを活用して、ハードマスク膜及び遮光膜のデザインに従って予め定められた部分を除去する。このとき、エッチャントを変更して位相反転膜も共に除去することができる。以降、必要に応じて、ハードマスク膜及び遮光膜の一部又は全部を除去し、除去過程にもエッチャントを適用する。エッチャントは、各膜の特性に応じて選択的に適用し、乾式エッチングの場合、フッ素系エッチャント、塩素系エッチャントなどが反応性ガス（酸素など）や非活性ガス（窒素、ヘリウムなど）と混合されて選択的に使用され得る。また、各エッチングステップでエッチャントを除去し、エッチングの程度が適切であるかを確認する目的で洗浄過程が行われ得る。このような過程で洗浄液によって、または膜の密度などが一定でない部分が外部的な衝撃（例示的に洗浄液などによる物理的な衝撃など）やエッチャントによる化学的な損傷、またはこれらの相互作用によって意図しないパーティクルの形態で異物が発生することがあり、これによるスクラッチ性欠陥も発生することがある。

具現例のフォトマスクブランク及び／又はフォトマスクは、遮光膜自体を多層で形成しながら、互いに上／下に配置される２つの層の物性を調節するか、または上部に位置する遮光膜の硬度及び／又はヤング率などを制御して、現像、洗浄などの過程でパーティクルなどの異物の発生を減少させ、たとえパーティクルが発生しても、これにより発生するスクラッチ性欠陥を減少させることができる。また、このような特性は、遮光膜が有する光学的な特性、厚さ特性、エッチング特性などを一定レベル以上に維持しながら得ることができる利点である。

以下、遮光膜の製造方法を説明する。

遮光膜の製造方法は、スパッタリングチャンバ内に基板及びスパッタリングターゲットを設置する準備ステップと；スパッタリングチャンバ内に雰囲気ガスを注入し、スパッタリングターゲットに電力を加えて基板上に遮光膜を成膜する成膜ステップと；成膜された遮光膜を熱処理して残留応力を制御し、安定化させる熱処理ステップと；安定化された遮光膜を冷却させる冷却ステップと；を含む。

前記基板は、光透過性基板、または光透過性基板上に位相反転膜が蒸着されたものが適用されてもよい。

前記成膜ステップは、第１遮光層を成膜する１次成膜過程と；前記第１遮光層上に第２遮光層を成膜する２次成膜過程と；を含む。

前記１次成膜過程と前記２次成膜過程は順次行われて、それぞれ第１遮光層と第２遮光層を形成し、金属ターゲットが雰囲気ガスと共に適用される。

金属ターゲットは、反応性スパッタリングの場合、目的とする金属のターゲットが適用され得、例えば、遷移金属としてクロムを適用しようとする場合、クロムターゲットが適用され得る。

雰囲気ガスは、目的とする第１遮光層及び／又は第２遮光層の組成、厚さ、密度などによって異なって適用され得、非活性ガスと反応性ガスが混用される。

前記非活性ガスとしては、アルゴンガス、ヘリウムガスなどが単独でまたは混用されて適用されてもよい。前記非活性ガスの適用は、スパッタリング過程で蒸着過程に関与し、後で熱処理などで除去されて膜の密度の制御と関連するものと考えられる。

前記反応性ガスとしては、窒素元素、酸素元素などを含むガスが単独でまたは混用されて適用されてもよい。必要に応じて、二酸化炭素も共に適用されてもよい。例示的に、前記反応性ガスとしては、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｎ_２、ＮＯ、ＮＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ_３、Ｎ_２Ｏ_４、Ｎ_２Ｏ_５などが適用されてもよいが、これに限定されるものではない。このようなガスは、その適用量によって薄膜の組成に影響を及ぼし得、膜内の元素の結合の程度、エッチングの程度、パーティクル形成の程度などにも影響を及ぼし得る。

前記１次成膜過程の雰囲気ガスである１次雰囲気ガスは、非活性ガスとして、アルゴンガスとヘリウムなどの低分子非活性ガスが共に適用されてもよい。前記非活性ガスとしてアルゴンガスだけでなく、ヘリウムなどの低分子非活性ガスが共に適用される場合、製造される遮光層の密度などの制御に役立ち得る。前記１次雰囲気ガスは反応性ガスを含むことができ、前記反応性ガスは、上述した窒素、酸素などを含有するガスが適用されてもよい。前記１次雰囲気ガス中の反応性ガスの含量は、後述する２次雰囲気ガス中の反応性ガスの含量と関連付けられて硬度、ヤング率などをより効率的に制御できるようにする。

前記２次成膜過程の雰囲気ガスである２次雰囲気ガスは、非活性ガスとしてアルゴンガスを適用する。硬度などの十分な制御のために、ヘリウムなどの低分子不活性ガスは別途に適用しない。但し、反応性ガスの含量を調節して硬度などを調節する。

前記１次雰囲気ガスに含まれる反応性ガスの含量を基準とする前記２次雰囲気ガスに含まれる反応性ガスの含量の比率は０．７～１．１の体積比であってもよく、０．８～１．０５の体積比であってもよく、または０．８５～０．９５の体積比であってもよい。このような体積比率で前記反応性ガスを適用する場合、第１遮光層及び第２遮光層の硬度、ヤング率などの制御がより容易である。

スパッタリング過程で適用される電源は、ＤＣ電源を使用してもよく、またはＲＦ電源を使用してもよい。スパッタリング過程で適用される電力は０．５～５．０ｋＷとして適用できる。

前記１次成膜過程と前記２次成膜過程でのスパッタリング時間は、１００：７～３２の比率で適用できる。このような場合、意図する適切な厚さ比率を有する遮光膜を得ることができる。

前記熱処理ステップは、基板に全体的に均一に熱を加える過程であり、スパッタリング過程などで発生し得る残留応力などを除去し、フォトマスクブランクの反り現象などをさらに緩和することができる。前記熱処理ステップでの温度は１５０～３３０℃であってもよい。前記熱処理ステップでの熱処理は、昇温時間を除いて約５～５０分間行われてもよい。

前記冷却ステップは、空冷方式で１０～３０℃まで冷却することができ、前記空冷は、非活性ガス又は乾燥空気が適用されてもよい。

このように製造された遮光膜３０は、それぞれ遷移金属と、酸素及び窒素のうちの少なくともいずれか１つとを含む第１遮光層３０１及び第２遮光層３０２を含む。

第２遮光層３０２は遷移金属を５０～８０ａｔ％含むことができる。第２遮光層３０２は遷移金属を５５～７５ａｔ％含むことができる。第２遮光層３０２は遷移金属を６０～７０ａｔ％含むことができる。第２遮光層３０２の酸素含量と窒素含量を合わせた値は１０～３０ａｔ％であってもよい。第２遮光層３０２の酸素含量と窒素含量を合わせた値は１５～２５ａｔ％であってもよい。第２遮光層３０２は窒素を５～１５ａｔ％含むことができる。第２遮光層２２は窒素を７～１３ａｔ％含むことができる。

第１遮光層３０１は遷移金属を３０～６０ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は遷移金属を３１～５５ａｔ％含むことができ、または３５～５５ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は遷移金属を４０～５０ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１の酸素含量と窒素含量を合わせた値は４０～７０ａｔ％であってもよい。第１遮光層３０１の酸素含量と窒素含量を合わせた値は４５～６５ａｔ％であってもよい。第１遮光層３０１の酸素含量と窒素含量を合わせた値は５０～６０ａｔ％であってもよい。第１遮光層３０１は酸素を２０～３７ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は酸素を２３～３３ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は酸素を２５～３０ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は窒素を２０～３５ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は窒素を２６～３３ａｔ％含むことができる。第１遮光層３０１は窒素を２６～３０ａｔ％含むことができる。

前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ及びＨｆのうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。前記遷移金属はＣｒであってもよい。

前記位相反転膜、前記ハードマスク膜、前記フォトマスク膜などは通常の製造方法により製造可能であり、その方法には特に制限がない。

半導体素子の製造方法
上述したフォトマスクを活用してより欠陥の少ない半導体素子の製造が可能である。

一具現例に係る半導体素子の製造方法は、準備ステップ及びパターン化ステップを含む。前記準備ステップは、パターン化の対象となる対象基板を準備するステップである。

前記対象基板は、ウエハ、ウエハ上に電気伝導性層又は絶縁層が形成されたもの、ガラス基板などが適用されてもよいが、これに限定されるものではない。

前記パターン化ステップは、前記対象基板の一面上にフォトマスクを適用して、リソグラフィー工程を通じてパターン化された対象基板を製造するステップである。リソグラフィー工程としては通常のリソグラフィー工程が適用されてもよく、具体的に１９３ｎｍのＡｒＦ光源を適用したリソグラフィー工程が適用され得る。

具体的には、光源と；前記光源の光経路上に位置するフォトマスクと；フォトレジスト膜を含む対象基板と；を配置し、前記光源から発して（ｅｍｉｔｔｉｎｇ）前記フォトマスクを通過した光が、前記対象基板のフォトレジスト膜に伝達される。このとき、前記対象基板のフォトレジスト膜は、前記光によってその性質が変化し、これを現像するなどの過程を通じて対象基板上にパターンを形成する。

前記パターン化された対象基板は、電気伝導性層の形成、平坦化、絶縁層の形成などの過程を繰り返して半導体素材の微細配線パターンを有するようになり、半導体素子に作製され得る。

前記半導体素子の製造方法は、上述した具現例を適用してより欠陥の少ないパターンを得ることができ、優れた品質の半導体素子の効率的な製造が可能である。

以下、具体的な実施例を通じてより具体的に説明する。以下の実施例は、本発明の理解を助けるための例示に過ぎず、本発明の範囲がこれに限定されるものではない。

製造例：遮光膜の製造
横６インチ、縦６インチ、厚さ０．２５インチの合成石英の光透過性基板上に１９３ｎｍの波長に対して約１８０°の同一の位相反転効果を有する同一の基板を設け、以下の遮光膜の製造に適用した。

前記基板をＤＣスパッタリング装備のチャンバ内に配置し、クロムターゲットがＴ／Ｓ距離が２５５ｍｍ、基板とターゲットとの間の角度が２５°をなすようにした。第１遮光層の成膜時に適用した電力は１．８５ｋＷｈであり、第２遮光層の成膜時に適用された電力は１．５ｋＷｈであった。

基板を回転させながら下記の雰囲気ガスを適用して、表１のようにスパッタリングを行い、それぞれ第１遮光層と第２遮光層を順次形成して遮光膜を形成した。熱処理は２００℃で１５分間同一に適用し、熱処理を終えた遮光膜は、２０℃の雰囲気で５分間乾燥空気を適用して冷却処理した。

＃第１遮光層の形成時に適用される反応性ガスを基準とする第２遮光層の形成時に適用される反応性ガスの比率（体積比）
＊反応性ガス４３は、Ｎ_２とＣＯ_２をそれぞれ１１と３２の体積比で適用する。
＊＊反応性ガス４７は、Ｎ_２とＣＯ_２をそれぞれ１１と３６の体積比で適用する。
＊＊＊反応性ガス５３は、Ｎ_２とＣＯ_２をそれぞれ２４と２９の体積比で適用する。
－第２遮光層の反応性ガスは、全量Ｎ_２を適用する。

実験例：硬度、ヤング率などの物性の評価
硬度、ヤング率、分離力、凝着力などの測定はＡＦＭで測定した。Ｐａｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ社（装備モデルＸＥ－１５０）のＡＦＭ装備を用いて、スキャン速度０．５Ｈｚ、コンタクトモード（Ｃｏｎｔａｃｔ Ｍｏｄｅ）、カンチレバー（Ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ）モデルであるＰａｒｋ Ｓｙｓｔｅｍ社のＰＰＰ－ＣＯＮＴＳＣＲを適用して測定し、測定対象内の１６個の地点で凝着力などを測定してその平均値を取り、これから得られる硬度又はヤング率の値を、上の硬度又はヤング率の値として下記の表３に示した。実施例２の１６個の地点での実測データは、表２に提示した。測定時に適用される測定用チップは、シリコン素材のＢｅｒｋｏｖｉｃｈチップ（チップのポアソン比：０．０７）が適用され、硬度及びヤング率の測定結果は、Ｏｌｉｖｅｒ ａｎｄ Ｐｈａｒｒモデルを適用してＡＦＭ装備社が提供したプログラムによって得られる値を取った。

＊標準偏差は、エクセルのＳＴＤＥＶ．Ｓ関数を適用する。

光学特性は、エリプソメーターを用いて通常の方法で測定し、遮光膜全体の透過率及び光学密度を硬度、ヤング率などの情報と共に下記の表３に示した。

エッチング比は、塩素系ガスを適用した通常の乾式エッチング方法により全て同じ条件で行った。

＊硬度比は、第１遮光層の硬度を基準とする第２遮光層の硬度の比率。
＊＊ヤング率比は、第１遮光層のヤング率を基準とする第２遮光層のヤング率の比率。

比較例１は、硬度などが制御されていない単層の遮光膜であって、洗浄工程などでパーティクルが多数形成され、その原因の一つとして、遮光膜パターンの角部に発生するダメージに注目し、このようなパーティクルの発生を抑制し、パーティクルが発生してもフォトマスクに損傷が加えられないように硬度、ヤング率などを制御した。フォトマスクの遮光膜に求められる光学的な特性などを維持しながら、硬度などのパーティクルの発生を低減できる特徴を有するようにしなければならないため、比較例２のように第２遮光層の金属含量を過度に高める場合には、硬度の制御効果がわずかであるので、パーティクルの改善効果がわずかとなり、第２遮光層の硬度を過度に下げる場合には、エッチング特性の制御が難しかった。実施例１～３の場合、適切なエッチング特性などを維持しながら、意図する硬度、ヤング率などの制御効果を得ることができるという点を確認した。

特に実施例２の場合には、膜全体において一定の物性が確認され、パーティクルの低減効果、パーティクル性スクラッチの低減効果などが最も優れることを確認した。比較例の場合、スクラッチ性欠陥の評価結果は、検査器を通じて検査（ＨＦフィルターでイメージ検査）を行った例示を図７及び図７Ｂに示した。図７Ａは、比較例１の検査結果であって、大型スクラッチ性パーティクルの誘発、及びパーティクルが多数発生したことが確認できた。図６Ａ及び図６Ｂの模式図で示したように、発生するパーティクルの大きさが大きく、これによりスクラッチ性パーティクルも容易に誘発されるものと考えられる。図７Ｂは、比較例２の検査結果であって、スクラッチ性パーティクルの大きさ及び個数は減少したが、パーティクルの発生頻度が依然としてかなり高いという点を確認した。

以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲は、これに限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。

１００ フォトマスクブランク
３００ フォトマスク
１０ 光透過性基板
２０ 位相反転膜
２３ パターン化された位相反転膜
３０ 遮光膜
３３ パターン化された遮光膜
３０１ 第１遮光層
３０２ 第２遮光層
３３１ パターン化された第１遮光層
３３２ パターン化された第２遮光層
Ｐ パーティクル

Claims (8)

1. 光透過性基板と、
   前記光透過性基板上に配置される多層の遮光膜とを含み、
   前記遮光膜は、
   第１硬度を有する第１遮光層と、
   第２硬度を有する第２遮光層とを含み、
   前記第１遮光層は、前記第２遮光層よりも前記光透過性基板の近くに配置され、
   前記第１硬度は、前記第２硬度よりも大きい値であり、
   前記第２硬度は、前記第１硬度の０．１５倍～０．５５倍である、フォトマスクブランク。
2. 前記第２硬度は０．３ｋＰａ～０．５５ｋＰａである、請求項１に記載のフォトマスクブランク。
3. 前記第２遮光層のヤング率は１．０ｋＰａ以上である、請求項１に記載のフォトマスクブランク。
4. 前記第２遮光層は、互いに異なる１６個の位置で測定した凝着力の標準偏差が前記凝着力の平均の８％以下である、請求項１に記載のフォトマスクブランク。
5. 前記第１遮光層と前記第２遮光層の厚さ比は１：０．０２～０．２５である、請求項１に記載のフォトマスクブランク。
6. 前記遮光膜は、１９３ｎｍの波長で光学密度が１．８以上である、請求項１に記載のフォトマスクブランク。
7. 光透過性基板と、
   前記光透過性基板上に配置される多層のパターン化された遮光膜とを含み、
   前記パターン化された遮光膜は、
   第１硬度を有するパターン化された第１遮光層と、
   前記第１硬度よりも小さい値である第２硬度を有するパターン化された第２遮光層とを含み、
   前記第２硬度は、前記第１硬度の０．１５倍～０．５５倍であり、
   前記パターン化された第１遮光層は、前記パターン化された第２遮光層よりも前記光透過性基板の近くに配置される、フォトマスク。
8. 対象基板を準備する準備ステップと、
   前記対象基板の一面上にフォトマスクを適用してパターン化し、パターン化された対象基板を製造するパターン化ステップとを含んで半導体素子を製造し、
   前記フォトマスクは、請求項７に記載のものである、半導体素子の製造方法。