JP7345379B2 - ゲッタリング性評価装置 - Google Patents

Description

本発明は、ゲッタリング性評価装置に関する。

近年では、被加工物であるデバイスの小型化や軽量化等のため、デバイス形成後のウエーハを薄く加工する。しかしながら、例えば、ウエーハを研磨して１００μｍ以下に薄くすると、デバイスにとって有害な金属元素の動きを抑制するゲッタリング性が低下して、デバイスの動作不良が生じるおそれがある。この問題を解決するために、金属元素を捕獲するゲッタリング層をウエーハ中に形成し、ウエーハに励起光とマイクロ波とを照射して過剰キャリアを生成し、反射したマイクロ波の減衰時間に基づいて、ゲッタリング層のゲッタリング性能（以下、ゲッタリング性と記す）を評価する方法が提案されている（特許文献１、２参照）。

特開２０１６－０１２５９４号公報 特開２０１６－０１２５９５号公報

上記した従来の方法でウエーハのゲッタリング性の評価を行う際には、ゲッタリング性の評価対象のウエーハを、排気流路の溝が刻まれたステンレスなどの金属ベースにアルミナセラミックスのポーラス材料が接合されて構成されたチャックテーブルの保持面で吸着保持する。ここで、アルミナセラミックスはマイクロ波を透過する性質があり、一方、金属はマイクロ波を反射する性質があるため、上記のチャックテーブルにウエーハを吸着保持してマイクロ波を照射すると、マイクロ波がウエーハ及びポーラス材料を透過して金属ベースで反射される。金属ベースには排気流路の溝が刻まれており、また、マイクロ波の伝達強度はフリスの伝達公式に従い、伝達距離の２乗に反比例して減衰するため、金属ベースの排気流路の溝の凹凸に応じて受信器に届くマイクロ波の強度が変化してしまう。

毎回同一座標の一点でウエーハのゲッタリング性の評価を行う場合には問題にならないが、ウエーハの全面あるいは複数箇所でウエーハのゲッタリング性の評価を行う場合には、ゲッタリング性の評価結果が各点での金属ベースの形状に依存してしまい、比較評価できないという課題があった。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルによるゲッタリング性の評価への影響を低減するゲッタリング性評価装置を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のゲッタリング性評価装置は、ウエーハにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、ウエーハにマイクロ波を照射し、ウエーハで反射したマイクロ波を受信する送受信ユニットと、を含み、ウエーハを研削して生成した研削歪を含むゲッタリング層がゲッタリング性を有するか否かを判定するゲッタリング判定手段と、該ウエーハを保持面で保持するチャックテーブルと、を備えたゲッタリング性評価装置であって、該チャックテーブルは、該保持面を構成し、該マイクロ波を反射または吸収する性質を有する導電性の非金属ポーラス部材と、該保持面を露出させて該非金属ポーラス部材を囲繞するとともに該非金属ポーラス部材に負圧を伝達する負圧伝達路を備えたベース部材と、を有することを特徴とする。

該非金属ポーラス部材は、該マイクロ波の反射率と該マイクロ波の吸収率との総和が８０％以上の材料で構成されていてもよい。

該非金属ポーラス部材は、ポーラスＳｉＣまたはポーラスカーボンを含んでいてもよい。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のゲッタリング性評価装置は、ウエーハにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、ウエーハにマイクロ波を照射し、ウエーハで反射したマイクロ波を受信する送受信ユニットと、を有し、ウエーハを研削して生成した研削歪を含むゲッタリング層がゲッタリング性を有するか否かを判定するゲッタリング判定手段と、該ウエーハを保持面で保持するチャックテーブルと、を備えたゲッタリング性評価装置であって、該チャックテーブルは、該保持面を構成する該マイクロ波に対して透過性を有するポーラス部材と、該ポーラス部材に負圧を伝達する負圧伝達路を備えたベース部材と、該ポーラス部材より下側に配設されて該ポーラス部材を支持するとともに該負圧伝達路からの負圧を該ポーラス部材へと伝達する伝達路を有し、該マイクロ波に対して透過性を有する材料からなる支持部材と、該支持部材より下側に配設され、該マイクロ波を反射する導電材料からなる平坦な表面を有する反射板と、を含むことを特徴とする。

該反射板は、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰ、のいずれかを含んでいてもよい。

また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のゲッタリング性評価装置は、ウエーハにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、ウエーハにマイクロ波を照射し、ウエーハで反射したマイクロ波を受信する送受信ユニットと、を有し、ウエーハを研削して生成した研削歪を含むゲッタリング層がゲッタリング性を有するか否かを判定するゲッタリング判定手段と、該ウエーハを保持面で保持するチャックテーブルと、を備えたゲッタリング性評価装置であって、該チャックテーブルは、該保持面を構成する該マイクロ波に対して透過性を有するポーラス部材と、該ポーラス部材に負圧を伝達する負圧伝達路を備えたベース部材と、該ポーラス部材より下側に配設されて該ポーラス部材を支持するとともに該負圧伝達路からの負圧を該ポーラス部材へと伝達する伝達路を有し、該マイクロ波に対して透過性を有する材料からなる支持部材と、該支持部材より下側に配設され、該マイクロ波を吸収する材料からなる電波吸収体と、を含むことを特徴とする。

該電波吸収体は、磁性電波吸収体、誘電性電波吸収体、導電性電波吸収体、λ/４型電波吸収体のいずれかを含んでいてもよい。

本発明は、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルによるゲッタリング性の評価に対する影響を低減することができる。

図１は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置の評価対象のウエーハを示す斜視図である。 図２は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置の構成例の斜視図である。 図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。 図４は、図２のゲッタリング性評価装置のベース部材の斜視図である。 図５は、実施形態１の変形例１に係るゲッタリング性評価装置の断面図である。 図６は、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置の構成例の斜視図である。 図７は、図６のゲッタリング性評価装置の支持部材の斜視図である。 図８は、図６のゲッタリング性評価装置のベース部材の斜視図である。 図９は、実施形態２の変形例２に係るゲッタリング性評価装置の断面図である。 図１０は、実施形態３に係るゲッタリング性評価装置の構成例の断面図である。 図１１は、実施形態４に係る研削研磨装置の構成例の斜視図である。 図１２は、実施例及び比較例に係るゲッタリング性評価装置が受信したマイクロ波の反射波の強度分布を示すグラフである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１の評価対象のウエーハ１００を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１の構成例の斜視図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４は、図２のゲッタリング性評価装置１のベース部材２２の斜視図である。

実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、ウエーハ１００中に形成されたゲッタリング層１１０のゲッタリング性能（以下、ゲッタリング性と記す）を測定、評価する装置である。ここで、ゲッタリング層１１０は、金属元素を捕獲する層である。なお、実施形態１では、ゲッタリング性評価装置１は、ウエーハ１００中に形成されたゲッタリング層１１０の互いに異なる複数の所定の位置１２０のゲッタリング性能を測定、評価するが、本発明では、ゲッタリング性評価装置１は、ウエーハ１００中に形成されたゲッタリング層１１０を所定の間隔ごとに全面測定し、全面のゲッタリング性能を測定、評価しても良い。実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１の評価対象のウエーハ１００は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素等を母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等である。ウエーハ１００は、図１に示すように、表面１０１に格子状に形成される複数の分割予定ライン１０２によって区画された領域にデバイス１０３が形成されている。

ウエーハ１００は、表面１０１の裏側の裏面１０４に研削加工などが施されて、所定の厚みまで薄化された後に、ゲッタリング層１１０がウエーハ１００の内部に形成されて、ゲッタリング性評価装置１によりゲッタリング層１１０のゲッタリング性が評価される。ゲッタリング層１１０のゲッタリング性とは、デバイス１０３にとって有害な銅などの金属元素の動きを抑制する効果の大きさをいう。ウエーハ１００の表面１０１に形成されるデバイス１０３は、例えば、メモリ（フラッシュメモリやＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリ）であり、裏面１０４から金属（例えば、銅元素）により汚染されることが望ましくない。

なお、ウエーハ１００のゲッタリング層１１０は、実施形態１では、ウエーハ１００の裏面１０４を研削して生成した研削歪を含んでいる。本発明では、ゲッタリング層１１０は研削に限定されず、乾式研磨、砥粒を含まない薬液を用いた湿式の化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing、ＣＭＰ）、プラズマエッチング、レーザービーム照射、イオンビーム照射等のその他の処理により形成されてもよい。

実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、図２及び図３に示すように、ゲッタリング判定手段１０と、チャックテーブル２０と、移動手段３０と、各部を制御する制御ユニット４０と、を備える。

ゲッタリング判定手段１０は、図２及び図３に示すように、ゲッタリング性を評価する複数の所定の位置１２０のうち、いずれか１つの所定の位置１２０において、ゲッタリング層１１０が所定の値のゲッタリング性を有するか否かを判定する手段であり、レーザービーム照射ユニット１１と、送受信ユニット１２と、判定部１３と、を含む。

レーザービーム照射ユニット１１は、チャックテーブル２０上のウエーハ１００の所定の位置１２０にレーザービーム１５を照射して、所定の位置１２０のゲッタリング層１１０を励起して過剰キャリアを生成し、送受信ユニット１２から照射されるマイクロ波１７の反射率を増大させる。レーザービーム照射ユニット１１が照射するレーザービーム１５は、実施形態１では、例えばパルス状であり、所定の波長を有することにより、ゲッタリング層１１０の励起光となる。レーザービーム照射ユニット１１が照射するレーザービーム１５の所定の波長は、実施形態１では、例えば、９０４ｎｍ、５３２ｎｍ、３４９ｎｍ等である。

ゲッタリング判定手段１０は、送受信ユニット１２により所定の位置１２０にマイクロ波１７の照射を開始し、その後、マイクロ波１７が照射された所定の位置１２０にレーザービーム照射ユニット１１によりレーザービーム１５の照射を開始する。その後、ゲッタリング判定手段１０は、レーザービーム照射ユニット１１によるレーザービーム１５の照射を停止し、レーザービーム１５の照射を停止してから一定時間経過後、送受信ユニット１２によるマイクロ波１７の照射を停止する。送受信ユニット１２は、マイクロ波１７を照射している間、所定の位置１２０のゲッタリング層１１０によって反射されるか、または、所定の位置１２０のゲッタリング層１１０を透過した後にチャックテーブル２０によって反射したマイクロ波の反射波１８を受信する。送受信ユニット１２が受信するマイクロ波の反射波１８の強度は、レーザービーム１５を照射している間では、過剰キャリアの発生に伴いマイクロ波１７の反射率が増大することにより、大きくなり、レーザービーム１５の照射を停止した後では、キャリアの再結合に伴いマイクロ波１７の反射率が徐々に低下することにより、徐々に減衰する。送受信ユニット１２が照射するマイクロ波１７は、実施形態１では、周波数が２５ＧＨｚであるが、本発明ではこれに限定されない。

判定部１３は、送受信ユニット１２が受信したマイクロ波の反射波１８の情報を取得し、このマイクロ波の反射波１８の減衰時間に基づいて、マイクロＰＣＤ（Photo Conductivity Decay）法を使用して金属元素を捕獲する要素を定量化することで、所定の位置１２０のゲッタリング層１１０のゲッタリング性を評価し、予め設定した所定の値と比較することで、所定の値のゲッタリング性を有するか否かを判定する。

チャックテーブル２０は、図２及び図３に示すように、非金属ポーラス部材２１と、ベース部材２２と、ステージ２３と、を有する。非金属ポーラス部材２１は、多数のポーラス孔を備え、水平面に沿って平坦な保持面２４を構成する。非金属ポーラス部材２１は、マイクロ波を反射または吸収する性質を有する。また、非金属ポーラス部材２１は、導電性を有し、非金属材料で構成される。

ここで、マイクロ波を反射または吸収する性質を有するとは、マイクロ波の反射率とマイクロ波の吸収率との総和が８０％以上であることをいう。すなわち、非金属ポーラス部材２１は、マイクロ波の反射率とマイクロ波の吸収率との総和が８０％以上である。非金属ポーラス部材２１は、マイクロ波の反射率とマイクロ波の吸収率との総和が９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。

なお、マイクロ波の反射率は、反射前のマイクロ波の光束に対するマイクロ波の反射波の光束の割合のことである。また、マイクロ波の吸収率は、吸収前のマイクロ波の光束に対する吸収されたマイクロ波の光束の割合のことである。また、マイクロ波の透過率は、透過前のマイクロ波の光束に対する透過波のマイクロ波の光束の割合のことである。

また、導電性を有するとは、導電率が１×１０^－６Ｓ／ｍ以上であることをいう。すなわち、非金属ポーラス部材２１は、導電率が１×１０^－６Ｓ／ｍ以上である。非金属ポーラス部材２１は、導電率が１×１０^－５Ｓ／ｍ以上であることが好ましい。非金属ポーラス部材２１は、このような高い導電性を有するので、上記したようなマイクロ波を反射または吸収する性質を好適に有するものとなる。

また、非金属材料で構成されるとは、単体の状態の金属元素の含有割合が１質量％以下の材料で構成されることをいう。すなわち、非金属ポーラス部材２１は、単体の状態の金属元素の含有割合が１質量％以下の材料で構成される。非金属ポーラス部材２１は、このように単体の状態の金属元素の含有割合が低いので、保持面２４からの単体の状態の金属元素によるウエーハ１００の汚染が好適に抑制される。

非金属ポーラス部材２１は、ポーラスＳｉＣまたはポーラスカーボンを含む。非金属ポーラス部材２１は、ポーラスＳｉＣで構成されていてもよいし、ポーラスカーボンで構成されていてもよいし、ポーラスＳｉＣとポーラスカーボンとで構成されていてもよいし、ポーラスＳｉＣ及びポーラスカーボンと同様のマイクロ波を反射または吸収する性質並びに導電性を有する非金属材料が含まれていてもよい。なお、ポーラスＳｉＣ及びポーラスカーボンは、共に適量の焼結助剤を含んでいても良い。

ポーラスＳｉＣは、多数のポーラス孔を備え、概ねＳｉＣ（シリコンカーバイド）で構成されたものである。例えば、ポーラスＳｉＣを含む非金属ポーラス部材２１は、導電率が約１×１０^－５Ｓ／ｍであり、比誘電率が約１０であり、厚みが３ｍｍである。この非金属ポーラス部材２１は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率が約４７％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の吸収率が約５３％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が約０．２％以下である。この非金属ポーラス部材２１は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率と吸収率との総和が約１００％である。なお、ポーラスＳｉＣを含む非金属ポーラス部材２１は、厚みが３ｍｍに限定されない。また、ポーラスＳｉＣを含む非金属ポーラス部材２１は、厚みや温度等に応じて、マイクロ波の反射率、吸収率及び透過率が変動する。

ポーラスカーボンは、多数のポーラス孔を備え、概ねカーボンで構成されたものである。例えば、ポーラスカーボンを含む非金属ポーラス部材２１は、導電率が約１×１０^４Ｓ／ｍであり、比誘電率が約１であり、厚みが３ｍｍである。この非金属ポーラス部材２１は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率が約９９．８％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の吸収率が約０．２％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率がほとんど０％である。この非金属ポーラス部材２１は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率と吸収率との総和が約１００％である。なお、ポーラスカーボンを含む非金属ポーラス部材２１は、厚みが３ｍｍに限定されない。また、ポーラスカーボンを含む非金属ポーラス部材２１は、厚みや温度等に応じて、マイクロ波の反射率、吸収率及び透過率が変動する。

ベース部材２２は、ステージ２３上に固定されている。ベース部材２２は、図４に示すように、上面中央部に形成された円形の窪み２２－１の内周面に、ポーラス部材嵌込部２５が形成されている。ベース部材２２は、ポーラス部材嵌込部２５に非金属ポーラス部材２１を嵌め込んで固定することで、保持面２４を露出させて非金属ポーラス部材２１を囲繞する。

ベース部材２２は、図４に示すように、ポーラス部材嵌込部２５の下側にあたる円形の窪み２２－１の底面に、吸引路２６と、排気流路の溝２７とが形成されている。吸引路２６と排気流路の溝２７とは、共に、ベース部材２２の円形の窪み２２－１の底面に凹凸を形成する。吸引路２６は、窪み２２－１の底面からベース部材２２の中心部分を上下方向に貫通して形成されており、ステージ２３の中心部分に形成された貫通穴を介して吸引源２９に接続されている。排気流路の溝２７は、互いに同心円状に形成された溝２７－１，２７－２，２７－３と、溝２７－１，２７－２，２７－３を径方向に接続する４本の溝２７－４とを有する。吸引路２６と排気流路の溝２７とは、円形の窪み２２－１の底面上で互いに連通しており、吸引源２９からの負圧を非金属ポーラス部材２１の下面に伝達する負圧伝達路２８を構成する。負圧伝達路２８が非金属ポーラス部材２１の下面に伝達した負圧は、非金属ポーラス部材２１内の多数のポーラス孔を介して、保持面２４に伝達される。

チャックテーブル２０は、このように負圧伝達路２８によって非金属ポーラス部材２１内の多数のポーラス孔を介して保持面２４に伝達される負圧により、保持面２４でウエーハ１００の表面１０１側を下側から吸引保持し、ウエーハ１００の裏面１０４側を上側に露出させる。

移動手段３０は、図２及び図３に示すように、ゲッタリング判定手段１０に接続されている。移動手段３０は、チャックテーブル２０上のウエーハ１００に対して相対的にゲッタリング判定手段１０を移動させることで、レーザービーム照射ユニット１１によるレーザービーム１５の照射位置と、送受信ユニット１２によるマイクロ波１７の照射位置とを移動させて、ゲッタリング性を評価する所定の位置１２０を移動させる。

制御ユニット４０は、ゲッタリング性評価装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット４０は、ウエーハ１００のゲッタリング性の評価をゲッタリング性評価装置１に実行させるものである。制御ユニット４０は、負圧伝達路２８と吸引源２９の間の開閉弁の開閉を切り替える。

判定部１３及び制御ユニット４０は、実施形態１では、コンピュータプログラムを実行可能な１台のコンピュータである。判定部１３及び制御ユニット４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Read Only Memory）又はＲＡＭ（Random Access Memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。この演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行して、ゲッタリング性評価装置１を制御するための制御信号を生成する。この演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタ－フェース装置を介してゲッタリング性評価装置１の各構成要素に出力する。

判定部１３及び制御ユニット４０の各機能は、実施形態１では、上記した演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行することにより実現される。判定部１３及び制御ユニット４０は、本発明ではこれに限定されず、例えば、それぞれが独立したコンピュータシステムに基づいて実現されていてもよい。

以上のような構成を有する実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１の動作について以下に説明する。ゲッタリング性評価装置１は、ゲッタリング性を評価する位置１２０を、複数の所定の位置１２０のうちのいずれか１つに位置付けて、チャックテーブル２０の保持面２４で吸引保持したウエーハ１００に、送受信ユニット１２によりマイクロ波１７を照射する。ゲッタリング性評価装置１は、送受信ユニット１２によりマイクロ波１７を照射した状態で、レーザービーム照射ユニット１１によりレーザービーム１５を一定時間照射してゲッタリング層１１０を励起して過剰キャリアを生成し、その後、レーザービーム照射ユニット１１によるレーザービーム１５の照射を停止する。ゲッタリング性評価装置１は、送受信ユニット１２によりマイクロ波１７を照射している間、送受信ユニット１２により、過剰キャリアを生成したゲッタリング層１１０によって反射されるか、または、マイクロ波１７が励起したゲッタリング層１１０を透過した後にチャックテーブル２０によって反射したマイクロ波の反射波１８を受信する。ゲッタリング性評価装置１は、判定部１３により、送受信ユニット１２が受信したマイクロ波の反射波１８の減衰時間に基づいて、上で位置付けたいずれか１つの所定の位置１２０のゲッタリング層１１０のゲッタリング性を評価する。

そして、ゲッタリング性評価装置１は、移動手段３０によりチャックテーブル２０上のウエーハ１００に対して相対的にゲッタリング判定手段１０を移動させることで、ゲッタリング性を評価する位置１２０を、複数の所定の位置１２０のうちの別の次の１つに位置付けて、先と同様に、ゲッタリング層１１０のゲッタリング性の評価を実施する。このように、ゲッタリング性評価装置１は、複数の所定の位置１２０を１つずつ順番に位置付けて、ゲッタリング層１１０のゲッタリング性の評価を実施する。

実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、チャックテーブル２０が、保持面２４を構成しマイクロ波を反射または吸収する性質を有する導電性の非金属ポーラス部材２１を有する。このため、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、送受信ユニット１２により照射されたマイクロ波１７の光束の８０％以上が、非金属ポーラス部材２１の平坦な保持面２４により反射または吸収され、反射された分がマイクロ波の反射波１８の一部となって送受信ユニット１２により受信されるため、ベース部材２２の凹凸に到達しない。そして、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、非金属ポーラス部材２１の平坦な保持面２４により反射されてマイクロ波の反射波１８の一部となった成分が、送受信ユニット１２及び判定部１３が取り扱う測定信号上でＤＣ（Direct Current）成分となるため、判定部１３がこの成分を測定信号から容易に除去できる。よって、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８がベース部材２２の凹凸によって強度が変化してしまう可能性を低減できるので、すなわち、所定の位置１２０によらずマイクロ波の反射波１８の強度を均一にできるので、ウエーハ１００を吸引保持するチャックテーブル２０によるゲッタリング性の評価への影響を低減することができるという作用効果を奏する。

実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、非金属ポーラス部材２１が、ポーラスＳｉＣまたはポーラスカーボンを含んでいる。このため、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１は、より高い割合のマイクロ波１７の光束を、非金属ポーラス部材２１の平坦な保持面２４で反射または吸収させることができるので、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８がベース部材２２の凹凸によって強度が変化してしまう可能性を確実に低減でき、ウエーハ１００を吸引保持するチャックテーブル２０によるゲッタリング性の評価への影響を確実に低減することができるという作用効果を奏する。

〔変形例１〕
本発明の実施形態１の変形例１に係るゲッタリング性評価装置１－２を図面に基づいて説明する。図５は、実施形態１の変形例１に係るゲッタリング性評価装置１－２の断面図である。図５は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

変形例１に係るゲッタリング性評価装置１－２は、図５に示すように、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１において、チャックテーブル２０をチャックテーブル２０－２に変更したものである。チャックテーブル２０－２は、チャックテーブル２０において、吸引路２６及び排気流路の溝２７によって構成された負圧伝達路２８を備えるベース部材２２を、吸引路２６及び複数の貫通孔２７－５によって構成された負圧伝達路２８－２を備えるベース部材２２－２に変更したものである。複数の貫通孔２７－５は、ベース部材２２－２を上下方向に貫通して形成されており、円形の窪み２２－１の底面上で吸引路２６と連通している。吸引路２６と複数の貫通孔２７－５とは、共に、ベース部材２２－２の円形の窪み２２－１の底面に凹凸を形成する。

実施形態１の変形例１に係るゲッタリング性評価装置１－２は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１において、負圧伝達路２８を構成する排気流路の溝２７を、負圧伝達路２８－２を構成する複数の貫通孔２７－５に変更したものである。このため、実施形態１の変形例１に係るゲッタリング性評価装置１－２は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１と同様の作用効果を奏する。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３を図面に基づいて説明する。図６は、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３の構成例の斜視図である。図７は、図６のゲッタリング性評価装置１－３の支持部材５３の斜視図である。図８は、図６のゲッタリング性評価装置１－３のベース部材５２の斜視図である。図６から図８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、図６に示すように、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１において、チャックテーブル２０をチャックテーブル５０に変更したものである。チャックテーブル５０は、図６に示すように、ポーラス部材５１と、ベース部材５２と、支持部材５３と、反射板５４と、ステージ５５と、を含む。

ポーラス部材５１は、保持面２４と同様の保持面５６を構成し、マイクロ波に対して透過性を有する。ここで、マイクロ波に対して透過性を有するとは、マイクロ波の透過率が８０％以上であることをいう。すなわち、ポーラス部材５１は、マイクロ波の透過率が８０％以上である。ポーラス部材５１は、マイクロ波の透過率が９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。

また、ポーラス部材５１は、導電性を有さない、すなわち導電率が１×１０^－６Ｓ／ｍ未満である。すなわち、ポーラス部材５１は、導電率が１×１０^－６Ｓ／ｍ未満である。ポーラス部材５１は、導電率が１×１０^－１０Ｓ／ｍ未満であることが好ましい。ポーラス部材５１は、このような低い導電性を有するので、上記したように、好適にマイクロ波に対して透過性を有するものとなる。また、ポーラス部材５１は、非金属ポーラス部材２１と同様に、非金属材料で構成される。

ポーラス部材５１は、ポーラスアルミナセラミックスを含む。ポーラス部材５１は、ポーラスアルミナセラミックスで構成されていても良いし、ポーラスアルミナセラミックスと同様のマイクロ波に対して透過性を有し、導電性を有さない材料が含まれていても良い。なお、ポーラスアルミナセラミックスは、適量の焼結助剤を含んでいても良い。

ポーラスアルミナセラミックスは、多数のポーラス孔を備え、概ねアルミナセラミックスで構成されたものである。例えば、ポーラスアルミナセラミックスを含むポーラス部材５１は、導電率が１×１０^－１４Ｓ／ｍ未満であり、厚みが３ｍｍである。このポーラス部材５１は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が約１００％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率が約０％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の吸収率が約０％である。このポーラス部材５１は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率と吸収率との総和が約０％である。なお、ポーラスアルミナセラミックスを含むポーラス部材５１は、厚みが３ｍｍに限定されない。このポーラス部材５１は、厚みや温度等にほとんど依らず、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が概ね１００％である。

ベース部材５２は、ステージ５５上に固定されている。ベース部材５２は、図６に示すように、上面中央部に形成された円形の窪み５２－１の内周面で、支持部材５３を保持する。ベース部材５２は、支持部材５３を保持する位置の下側に、反射板５４を配設する空間が形成されている。ベース部材５２は、円形の窪み５２－１の内周面で支持部材５３を保持し、支持部材５３上にポーラス部材５１が支持されることで、保持面５６を露出させてポーラス部材５１を囲繞する。

ベース部材５２は、図８に示すように、円形の窪み５２－１の底面に、吸引路６１と、排気流路の溝６２とが形成されている。吸引路６１と排気流路の溝６２とは、共に、ベース部材５２の円形の窪み５２－１の底面に凹凸を形成する。吸引路６１は、窪み５２－１の底面からベース部材５２の中心部分を上下方向に貫通して形成されており、ステージ５５の中心部分に形成された貫通穴を介して吸引源５９に接続されている。排気流路の溝６２は、外周に円形に形成された溝６２－１と、溝６２－１を径方向に接続する溝６２－２とを有する。吸引路６１と排気流路の溝６２とは、円形の窪み５２－１の底面上で互いに連通しており、吸引源５９からの負圧を支持部材５３の下面へと伝達する負圧伝達路６５を構成する。

支持部材５３は、図６に示すように、ポーラス部材５１より下側に配設されて、上面５３－１でポーラス部材５１を支持する。支持部材５３は、ポーラス部材５１と同様に、マイクロ波に対して透過性を有する材料からなる。

支持部材５３は、アルミナセラミックスとポリアセタールとの少なくとも一方を含む。支持部材５３は、アルミナセラミックスで構成されていても良いし、ポリアセタールで構成されていても良いし、アルミナセラミックスとポリアセタールとで構成されていてもよいし、アルミナセラミックス及びポリアセタールと同様のマイクロ波に対して透過性を有し、導電性を有さない材料が含まれていても良い。なお、アルミナセラミックスやポリアセタールは、適量の焼結助剤や添加物等を含んでいても良い。

例えば、アルミナセラミックスを含む支持部材５３は、導電率が１×１０^－１４Ｓ／ｍ未満であり、厚みが１０ｍｍである。この支持部材５３は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が約１００％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率が約０％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の吸収率が約０％である。この支持部材５３は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率と吸収率との総和が約０％である。なお、アルミナセラミックスを含む支持部材５３は、厚みが１０ｍｍに限定されない。この支持部材５３は、厚みや温度等にほとんど依らず、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が概ね１００％である。

また、例えば、ポリアセタールを含む支持部材５３は、導電率が１×１０^－１４Ｓ／ｍ未満であり、厚みが１０ｍｍである。この支持部材５３は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が約１００％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率が約０％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の吸収率が約０％である。この支持部材５３は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率と吸収率との総和が約０％である。なお、ポリアセタールを含む支持部材５３は、厚みが１０ｍｍに限定されない。この支持部材５３は、厚みや温度等にほとんど依らず、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率が概ね１００％である。

支持部材５３は、図７に示すように、上面５３－１に、吸引路６３と、排気流路の溝６４とが形成されている。吸引路６３と排気流路の溝６４とは、共に、支持部材５３の上面５３－１に凹凸を形成する。吸引路６３は、支持部材５３の中心部分を上下方向に貫通して形成されており、負圧伝達路６５及びステージ５５の中心部分に形成された貫通穴を介して吸引源５９に接続されている。排気流路の溝６４は、互いに同心円状に形成された溝６４－１，６４－２，６４－３と、溝６４－１，６４－２，６４－３を径方向に接続する４本の溝６４－４とを有する。吸引路６３と排気流路の溝６４とは、上面５３－１上で互いに連通しており、負圧伝達路６５からの負圧をポーラス部材５１の下面へと伝達する伝達路６６を構成する。伝達路６６がポーラス部材５１の下面に伝達した負圧は、ポーラス部材５１内の多数のポーラス孔を介して、保持面５６に伝達される。

チャックテーブル５０は、このように負圧伝達路６５及び伝達路６６によってポーラス部材５１内の多数のポーラス孔を介して保持面５６に伝達される負圧により、保持面５６でウエーハ１００の表面１０１側を下側から吸引保持し、ウエーハ１００の裏面１０４側を上側に露出させる。

反射板５４は、支持部材５３より下側に配設される。具体的には、反射板５４は、ベース部材５２の円形の窪み５２－１において、支持部材５３を保持する位置の下側に形成される空間に配設される。反射板５４は、ポーラス部材５１及び支持部材５３の下側、かつ、円形の窪み５２－１の底面の凹凸（吸引路６１と排気流路の溝６２）より上側に配設される。

反射板５４は、平坦な表面５７を有し、マイクロ波を反射する導電材料からなる。ここで、マイクロ波を反射するとは、マイクロ波の反射率が８０％以上であることをいう。すなわち、反射板５４は、マイクロ波の反射率が８０％以上である。反射板５４は、マイクロ波の反射率が９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。また、導電材料とは、導電性を有する材料のことをいい、上記したように、導電率が１×１０^－６Ｓ／ｍ以上の材料のことをいう。反射板５４は、このような高い導電性を有するので、上記したようなマイクロ波を反射する性質を好適に有するものとなる。

反射板５４は、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic、炭素繊維強化プラスチック）、のいずれかを含む。反射板５４は、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰのいずれかで構成されていても良く、これらのうち２つ以上の複合材料で構成されていても良い。反射板５４は、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰと同様の、マイクロ波を反射する導電材料が含まれていても良い。なお、反射板５４は、適量の添加物を含んでいても良い。

ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰを含む反射板５４は、いずれも高い導電性を有しており、厚みが３ｍｍである。この反射板５４は、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の反射率が約１００％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の吸収率がほとんど０％であり、周波数が２５ＧＨｚのマイクロ波の透過率がほとんど０％である。なお、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰを含む反射板５４は、厚みが３ｍｍに限定されず、厚みや温度等に応じて、マイクロ波の反射率、吸収率及び透過率が変動する。

以上のような構成を有する実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、チャックテーブル５０が、マイクロ波に対して透過性を有するポーラス部材５１及び支持部材５３より下側に配設され、マイクロ波を反射する導電材料からなる平坦な表面５７を有する反射板５４を備える。このため、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、送受信ユニット１２により照射されたマイクロ波１７の光束の８０％以上が、支持部材５３の凹凸を透過し、反射板５４の平坦な表面５７により反射され、マイクロ波の反射波１８の一部となって送受信ユニット１２により受信されるため、ベース部材５２の凹凸に到達しない。そして、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、反射板５４の平坦な表面５７により反射されてマイクロ波の反射波１８の一部となった成分が、送受信ユニット１２及び判定部１３が取り扱う測定信号上でＤＣ成分となるため、判定部１３がこの成分を測定信号から容易に除去できる。よって、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８がベース部材５２の凹凸及び支持部材５３の凹凸によって強度が変化してしまう可能性を低減できるので、ウエーハ１００を吸引保持するチャックテーブル５０によるゲッタリング性の評価への影響を低減することができるという作用効果を奏する。

実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、反射板５４が、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰ、のいずれかを含む。このため、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３は、より高い割合のマイクロ波１７の光束を、反射板５４の平坦な表面５７で反射させることができるので、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８がベース部材５２の凹凸及び支持部材５３の凹凸によって強度が変化してしまう可能性を確実に低減でき、ウエーハ１００を吸引保持するチャックテーブル５０によるゲッタリング性の評価への影響を確実に低減することができるという作用効果を奏する。

〔変形例２〕
本発明の実施形態２の変形例２に係るゲッタリング性評価装置１－４を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態２の変形例２に係るゲッタリング性評価装置１－４の断面図である。図９は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

変形例２に係るゲッタリング性評価装置１－４は、図９に示すように、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３において、チャックテーブル５０をチャックテーブル５０－２に変更したものである。チャックテーブル５０－２は、チャックテーブル５０において、ベース部材５２をベース部材５２－２に変更し、支持部材５３を支持部材５３－２に変更したものである。

ベース部材５２－２は、ベース部材５２において、排気流路の溝６２に代えて、内部に複数の吸引路６７が形成されたものである。吸引路６１は、ベース部材５２－２の円形の窪みの底面に凹凸を形成する。ベース部材５２－２に形成された吸引路６１及び複数の吸引路６７は、互いに連通しており、吸引源５９からの負圧を支持部材５３－２の内部へと伝達する負圧伝達路６５－２を構成する。

支持部材５３－２は、支持部材５３において、吸引路６３及び排気流路の溝６４に代えて、複数の孔６８と吸引路６９とが形成されたものである。複数の孔６８は、支持部材５３－２の上面から上半分の深さに形成されており、下側で吸引路６９と連通している。吸引路６９は、複数の孔６８を径方向に接続するとともに、外周で負圧伝達路６５－２の複数の吸引路６７と連通する。複数の孔６８は、支持部材５３－２の上面に凹凸を形成する。支持部材５３－２に形成された複数の孔６８及び吸引路６９は、互いに連通しており、負圧伝達路６５－２からの負圧をポーラス部材５１の下面へと伝達する伝達路６６－２を構成する。

実施形態２の変形例２に係るゲッタリング性評価装置１－４は、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３において、負圧伝達路６５及び伝達路６６の構造を変更して負圧伝達路６５－２及び伝達路６６－２としたものである。このため、実施形態２の変形例２に係るゲッタリング性評価装置１－４は、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３と同様の作用効果を奏する。

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５の構成例の断面図である。図１０は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、図１０に示すように、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３において、チャックテーブル５０をチャックテーブル５０－３に変更したものである。チャックテーブル５０－３は、チャックテーブル５０において、反射板５４を電波吸収体７４に変更したものである。

電波吸収体７４は、実施形態２に係る反射板５４と同様に、支持部材５３より下側に配設される。具体的には、電波吸収体７４は、実施形態２に係る反射板５４と同様に、ベース部材５２の円形の窪み５２－１において、支持部材５３を保持する位置の下側に形成される空間に配設される。電波吸収体７４は、ポーラス部材５１及び支持部材５３の下側、かつ、円形の窪み５２－１の底面の凹凸（吸引路６１と排気流路の溝６２）より上側に配設される。

電波吸収体７４は、マイクロ波を吸収する材料からなる。ここで、マイクロ波を吸収するとは、マイクロ波の吸収率が８０％以上であることをいう。すなわち、電波吸収体７４は、マイクロ波の吸収率が８０％以上である。電波吸収体７４は、マイクロ波の吸収率が９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましい。

電波吸収体７４は、磁性電波吸収体、誘電性電波吸収体、導電性電波吸収体、λ/４型電波吸収体のいずれかを含む材料が好適に使用される。磁性電波吸収体、誘電性電波吸収体、導電性電波吸収体、λ/４型電波吸収体は、例えば厚みが３ｍｍの場合、いずれもマイクロ波の吸収率が約１００％である。

以上のような構成を有する実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、チャックテーブル５０－３が、マイクロ波に対して透過性を有するポーラス部材５１及び支持部材５３より下側に配設され、マイクロ波を吸収する材料からなる電波吸収体７４を備える。このため、実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、送受信ユニット１２により照射されたマイクロ波１７の光束の８０％以上が、支持部材５３の凹凸を透過し、電波吸収体７４により吸収されるため、ベース部材５２の凹凸に到達しない。よって、実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、実施形態２に係るゲッタリング性評価装置１－３と同様に、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８の強度がベース部材５２の凹凸及び支持部材５３の凹凸によって変化してしまう可能性を低減できるので、ウエーハ１００を吸引保持するチャックテーブル５０－３によるゲッタリング性の評価への影響を低減することができるという作用効果を奏する。

実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、電波吸収体７４が、磁性電波吸収体、誘電性電波吸収体、導電性電波吸収体、λ/４型電波吸収体のいずれかを含む。このため、実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、より高い割合のマイクロ波１７の光束を、電波吸収体７４で吸収させることができるので、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８がベース部材５２の凹凸及び支持部材５３の凹凸によって強度が変化してしまう可能性を確実に低減でき、ウエーハ１００を吸引保持するチャックテーブル５０によるゲッタリング性の評価への影響を確実に低減することができるという作用効果を奏する。

なお、実施形態３に係るゲッタリング性評価装置１－５は、電波吸収体７４としてポリウレタンなどの発泡体を使用する場合、発泡体が連続気泡であれば、この連続気泡が負圧伝達路６５と同様の作用をもたらすため、ベース部材５２に負圧伝達路６５（吸引路６１と排気流路の溝６２）を設けなくても良い。

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係る研削研磨装置２００を図面に基づいて説明する。図１１は、実施形態４に係る研削研磨装置２００の構成例の斜視図である。図１１は、上記実施形態と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態４に係る研削研磨装置２００は、図１１に示すように、実施形態１に係るチャックテーブル２０をターンテーブル２１０上に配置し、ターンテーブル２１０上のウエーハ１００の搬入出位置に向けて、実施形態１に係るゲッタリング判定手段１０が設けられている。このように、実施形態４に係る研削研磨装置２００は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１が組み込まれている。

実施形態４に係る研削研磨装置２００は、チャックテーブル２０上で吸引保持したウエーハ１００を、ターンテーブル２１０上の粗研削位置、仕上げ研削位置及び研磨位置で、粗研削ユニット２２０、仕上げ研削ユニット２３０及び研磨ユニット２４０によりそれぞれ粗研削、仕上げ研削及び研磨をした後に、搬入出位置でゲッタリング判定手段１０により、粗研削、仕上げ研削及び研磨によってウエーハ１００中に形成されたゲッタリング層１１０のゲッタリング性を評価する。

実施形態４に係る研削研磨装置２００は、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１を備え、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１によりゲッタリング性を評価するので、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１と同様の作用効果を奏する。また、実施形態４に係る研削研磨装置２００は、粗研削ユニット２２０による粗研削、仕上げ研削ユニット２３０による仕上げ研削、及び、研磨ユニット２４０による研磨によってウエーハ１００の裏面１０４側に形成したゲッタリング層１１０を、同一装置内にある実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１により、研削及び研磨後にそのまま容易にゲッタリング性を評価することができるという作用効果を奏する。

なお、実施形態４に係る研削研磨装置２００は、本発明では、実施形態１に係るチャックテーブル２０に代えて、その他の各実施形態及び各変形例に係るチャックテーブル２０－２，５０，５０－２，５０－３をターンテーブル２１０上に配置してもよい。

〔実施例〕
次に、本発明の発明者らは、実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１の効果を確認した。確認においては、ポーラスＳｉＣを含む非金属ポーラス部材２１を有するチャックテーブル２０を使用する実施例と、非金属ポーラス部材２１に代えてアルミナセラミックスを含む従来のポーラス部材を有し、その他の構成は実施形態１に係るゲッタリング性評価装置１と同様である従来のチャックテーブルを使用する比較例とのそれぞれにおいて、所定の位置１２０をウエーハ１００上の所定の経路に沿って移動させた際に、送受信ユニット１２が受信するマイクロ波の反射波１８の強度の変化を検出した。図１２は、実施例及び比較例に係るゲッタリング性評価装置が受信したマイクロ波の反射波の強度分布を示すグラフである。

ポーラスＳｉＣを含む非金属ポーラス部材２１を有するチャックテーブル２０を使用した実施例では、図１２に実線で示すように、マイクロ波の反射波１８の強度が概ね一定となる曲線３０１が得られた。一方、従来のチャックテーブルを使用した比較例では、図１２に破線で示すように、マイクロ波の反射波の強度が大きく変化する曲線３０２が得られた。

図１５によれば、比較例では評価領域によってマイクロ波の反射波の強度が大きく変化したのに対し、実施例では所定の位置１２０に依らずマイクロ波の反射波１８の強度が概ね一定であった。比較例は、照射されたマイクロ波は、アルミナセラミックスを含む従来のポーラス部材を透過して、ポーラス部材の下側のベース部材２２の凹凸を構成する窪み２２－１の底面と排気流路の溝２７の底面とで反射される。このとき、比較例において、マイクロ波は、送受信ユニット１２と窪み２２－１の底面との距離が１６ｍｍであり、排気流路の溝２７の深さが１ｍｍである場合、排気流路の溝２７の底面で反射されたマイクロ波の伝播距離が窪み２２－１の底面で反射されたマイクロ波の伝播距離よりも２ｍｍ増加する。比較例において、マイクロ波の反射波は、フリスの伝達公式により、排気流路の溝２７の底面で反射されたマイクロ波の受信強度（受信電力）が窪み２２－１の底面で反射されたマイクロ波の受信強度（受信電力）よりも２１％減少することが明らかとなった。これに対し、実施例は、照射されたマイクロ波１７は、非金属ポーラス部材２１の平坦な保持面２４によって反射される。

従って、図１５によれば、本発明は、チャックテーブル２０が、保持面２４を構成しマイクロ波を反射または吸収する性質を有する導電性の非金属ポーラス部材２１を有することにより、送受信ユニット１２により照射されたマイクロ波１７の光束の８０％以上が、ベース部材２２の凹凸に到達しないため、所定の位置１２０を移動させた際に、マイクロ波の反射波１８がベース部材２２の凹凸によって強度が変化してしまう可能性を低減できることがわかった。

なお、本発明は上記実施形態、変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態及び変形例に係るゲッタリング性評価装置１，１－２，１－３，１－４，１－５において、ゲッタリング判定手段１０により、レーザービーム１５を照射する領域と照射しない領域との２箇所で測定したマイクロ波の反射波１８の差である差動信号に基づいて、ゲッタリング層１１０のゲッタリング性を評価してもよい。また、上記実施形態及び変形例に係るゲッタリング性評価装置１，１－２，１－３，１－４，１－５は、ウエーハ１００のゲッタリング層１１０のゲッタリング性を評価するものであるが、本発明では、ゲッタリング性を評価する装置に限定されず、マイクロＰＣＤ法により、ウエーハ１００およびゲッタリング層１１０のゲッタリング性以外の材料特性を測定する装置でも良い。

１，１－２，１－３，１－４，１－５ ゲッタリング性評価装置（材料特性を測定する装置）
１０ ゲッタリング判定手段
１１ レーザービーム照射ユニット
１２ 送受信ユニット
２０，２０－２，５０，５０－２，５０－３ チャックテーブル
２１ 非金属ポーラス部材
２２，２２－２ ベース部材
２４，５６ 保持面
２８，２８－２，６５，６５－２ 負圧伝達路
５１ ポーラス部材
５２，５２－２ ベース部材
５３，５３－２ 支持部材
５４ 反射板
６６，６６－２ 伝達路
７４ 電波吸収体
１００ ウエーハ
１１０ ゲッタリング層

Claims (7)

1. ウエーハにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、ウエーハにマイクロ波を照射し、ウエーハで反射したマイクロ波を受信する送受信ユニットと、を含み、ウエーハを研削して生成した研削歪を含むゲッタリング層がゲッタリング性を有するか否かを判定するゲッタリング判定手段と、
   該ウエーハを保持面で保持するチャックテーブルと、
   を備えたゲッタリング性評価装置であって、
   該チャックテーブルは、
   該保持面を構成し、該マイクロ波を反射または吸収する性質を有する導電性の非金属ポーラス部材と、
   該保持面を露出させて該非金属ポーラス部材を囲繞するとともに該非金属ポーラス部材に負圧を伝達する負圧伝達路を備えたベース部材と、
   を有することを特徴とする、ゲッタリング性評価装置。
2. 該非金属ポーラス部材は、該マイクロ波の反射率と該マイクロ波の吸収率との総和が８０％以上の材料で構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のゲッタリング性評価装置。
3. 該非金属ポーラス部材は、ポーラスＳｉＣまたはポーラスカーボンを含むことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のゲッタリング性評価装置。
4. ウエーハにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、ウエーハにマイクロ波を照射し、ウエーハで反射したマイクロ波を受信する送受信ユニットと、を有し、ウエーハを研削して生成した研削歪を含むゲッタリング層がゲッタリング性を有するか否かを判定するゲッタリング判定手段と、
   該ウエーハを保持面で保持するチャックテーブルと、
   を備えたゲッタリング性評価装置であって、
   該チャックテーブルは、
   該保持面を構成する該マイクロ波に対して透過性を有するポーラス部材と、
   該ポーラス部材に負圧を伝達する負圧伝達路を備えたベース部材と、
   該ポーラス部材より下側に配設されて該ポーラス部材を支持するとともに該負圧伝達路からの負圧を該ポーラス部材へと伝達する伝達路を有し、該マイクロ波に対して透過性を有する材料からなる支持部材と、
   該支持部材より下側に配設され、該マイクロ波を反射する導電材料からなる平坦な表面を有する反射板と、
   を含むことを特徴とする、ゲッタリング性評価装置。
5. 該反射板は、ステンレス、鉄および鉄を含む合金、アルミニウムおよびアルミニウムを含む合金、銅および銅を含む合金、チタン、ＣＦＲＰ、のいずれかを含むことを特徴とする、請求項４に記載のゲッタリング性評価装置。
6. ウエーハにレーザービームを照射するレーザービーム照射ユニットと、ウエーハにマイクロ波を照射し、ウエーハで反射したマイクロ波を受信する送受信ユニットと、を有し、ウエーハを研削して生成した研削歪を含むゲッタリング層がゲッタリング性を有するか否かを判定するゲッタリング判定手段と、
   該ウエーハを保持面で保持するチャックテーブルと、
   を備えたゲッタリング性評価装置であって、
   該チャックテーブルは、
   該保持面を構成する該マイクロ波に対して透過性を有するポーラス部材と、
   該ポーラス部材に負圧を伝達する負圧伝達路を備えたベース部材と、
   該ポーラス部材より下側に配設されて該ポーラス部材を支持するとともに該負圧伝達路からの負圧を該ポーラス部材へと伝達する伝達路を有し、該マイクロ波に対して透過性を有する材料からなる支持部材と、
   該支持部材より下側に配設され、該マイクロ波を吸収する材料からなる電波吸収体と、
   を含むことを特徴とする、ゲッタリング性評価装置。
7. 該電波吸収体は、磁性電波吸収体、誘電性電波吸収体、導電性電波吸収体、λ/４型電波吸収体のいずれかを含むことを特徴とする、請求項６に記載のゲッタリング性評価装置。

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