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JP7346249B2 - Ultrasonic flaw detection inspection equipment and reflection source identification method - Google Patents
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JP7346249B2 - Ultrasonic flaw detection inspection equipment and reflection source identification method - Google Patents

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Description

この発明は超音波探傷検査装置、および反射源特定方法に関し、特に、少ない探触子で反射源の識別が可能な、超音波探傷検査装置、および反射源特定方法に関する。 The present invention relates to an ultrasonic flaw detection inspection device and a reflection source identification method, and more particularly to an ultrasonic flaw detection inspection device and a reflection source identification method that can identify reflection sources with a small number of probes.

従来の超音波エコーを受信する複数の検出信号を処理する探触子を含む超音波探傷検査装置が、例えば、特開2005-152608号公報(特許文献1)に記載されている。同公報によれば、超音波送受信装置は、超音波用探触子と、超音波用探触子から複数の異なる方向に同時に複数の超音波ビームを送信させるために、各々の超音波トランスデューサについて複数の駆動波形を合成することによって得られる合成駆動波形に関する情報を生成する駆動波形合成手段と、駆動波形合成手段によって生成された情報に従って複数の駆動信号を生成する複数の送信回路であって、それぞれの超音波トランスデューサに供給される駆動信号の最大電圧に対応して複数種類の最大出力電圧が定められた複数の送信回路と、超音波エコーを受信した複数の超音波トランスデューサから出力される複数の検出信号をそれぞれ処理する複数の受信回路とを備えている。その結果、マルチビーム送信を行う超音波送受信装置において、送信ビームの数の増加に伴う超音波トランスデューサの耐圧の増加や消費電力の増加を抑えている。 A conventional ultrasonic flaw detection inspection apparatus including a probe that receives ultrasonic echoes and processes a plurality of detection signals is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2005-152608 (Patent Document 1). According to the publication, the ultrasonic transmitter/receiver includes an ultrasonic probe and a transducer for each ultrasonic transducer in order to simultaneously transmit multiple ultrasonic beams in multiple different directions from the ultrasonic probe. A drive waveform synthesis means that generates information regarding a composite drive waveform obtained by synthesizing a plurality of drive waveforms, and a plurality of transmission circuits that generate a plurality of drive signals according to the information generated by the drive waveform synthesis means, A plurality of transmitting circuits each having a plurality of types of maximum output voltages corresponding to the maximum voltage of the drive signal supplied to each ultrasonic transducer, and a plurality of output voltages output from the plurality of ultrasonic transducers that have received ultrasonic echoes. and a plurality of receiving circuits that process the detection signals, respectively. As a result, in an ultrasonic transmitting/receiving device that performs multi-beam transmission, an increase in the breakdown voltage of the ultrasonic transducer and an increase in power consumption due to an increase in the number of transmission beams can be suppressed.

特開2005-152608号公報(要約)JP2005-152608A (Summary)

超音波探傷検査装置においては、複数の探触子を用いて超音波を送受信し、各々の探触子で得られた波形データを合成処理した後、結果を画像として表示する。この際、実際にきず等の反射源のある位置とは別に、エコーが表示され、きず位置の特定が困難となることがある。 In an ultrasonic flaw detection inspection device, a plurality of probes are used to transmit and receive ultrasonic waves, waveform data obtained by each probe is synthesized, and the results are displayed as an image. At this time, an echo may be displayed separately from the actual position of the reflection source such as a flaw, making it difficult to identify the flaw position.

この発明は上記のような問題に応えるためになされたもので、実際にきずが存在する反射源がある位置のエコーとそれ以外のエコーの識別が容易に可能な、超音波探傷検査装置、およびその方法を提供することを目的とする。 This invention was made in response to the above-mentioned problems, and provides an ultrasonic flaw detection inspection device that can easily distinguish between echoes at a position where a reflection source where an actual flaw exists and echoes at other locations are located. The purpose is to provide a method for doing so.

この発明に係る超音波探傷検査装置は、複数の探触子からの反射エコーを受信して、時間を遅延させてそれらを加算して合成する波形合成手段を含み、波形合成手段は、複数の探触子が反射エコーを受ける所定の合成エリア内で、複数の探触子からの反射エコーを受信して、波形合成を行い、反射エコーは実際にきずのある位置からの実像反射エコーと、実際はきずのない位置からの虚像エコーとを含み、実像エコーと虚像エコーとを判別するエコー判別手段を含み、エコー判別手段は、一定以上の探触子からの前記反射エコーを用いて前記実像エコーと前記虚像エコーとを判別する。 The ultrasonic flaw detection inspection apparatus according to the present invention includes a waveform synthesis unit that receives reflected echoes from a plurality of probes, delays the time, adds them, and synthesizes them, and the waveform synthesis unit includes a plurality of Within a predetermined synthesis area where the probe receives reflected echoes, the reflected echoes from multiple probes are received and waveform synthesis is performed. Actually, the echo discrimination means includes a virtual image echo from a position where there is no flaw, and includes an echo discrimination means for discriminating between the real image echo and the virtual image echo, and the echo discrimination means uses the reflected echoes from a certain number of probes to detect the real image echo. and the virtual image echo.

好ましくは、一定以上は、60%以上である。 Preferably, the certain value or more is 60% or more.

さらに好ましくは、エコー判別手段は、反射エコーのピークの数をカウントする、ピーク数カウント手段を含む。 More preferably, the echo discrimination means includes a peak number counting means for counting the number of peaks of reflected echoes.

波形合成手段は、反射エコーに対して所定の参照波形データとの相関情報を反映した、波形のピークを得るための波形相関処理を行う、波形相関処理手段を含んでもよい。 The waveform synthesis means may include a waveform correlation processing means that performs waveform correlation processing on the reflected echo to obtain a waveform peak that reflects correlation information with predetermined reference waveform data.

波形相関処理手段は、参照波形としてチャープ波を用いてもよい。 The waveform correlation processing means may use a chirp wave as the reference waveform.

この発明の他の局面においては、反射源特定方法は、複数の探触子からの反射エコーを受信して、時間を遅延させてそれらを加算して合成する波形合成ステップを含み、波形合成ステップにおいては、複数の探触子が反射エコーを受ける所定の合成エリア内で、複数の探触子からの反射エコーを受信して、波形合成を行い、反射エコーは実際にきずのある位置からの実像反射エコーと、実際はきずのない位置からの虚像エコーとを含み、実像エコーと虚像エコーとを判別するエコー判別ステップを含み、エコー判別ステップは、一定以上の探触子からの反射エコーを用いて実像エコーと虚像エコーとを判別する。 In another aspect of the present invention, the reflection source identification method includes a waveform synthesis step of receiving reflected echoes from a plurality of probes and adding and synthesizing them with a time delay, the waveform synthesis step In this method, the reflected echoes from multiple probes are received within a predetermined synthesis area where multiple probes receive the reflected echoes, and the waveforms are synthesized. The method includes a real image reflected echo and a virtual image echo from a position where there is actually no flaw, and includes an echo discrimination step for discriminating between the real image echo and the virtual image echo, and the echo discrimination step uses reflected echoes from a certain level or more of the probe. to distinguish between real image echo and virtual image echo.

この発明によれば、実際にきずのある位置からの実像反射エコーと、実際はきずのない位置からの虚像エコーとを判別し、一定以上の探触子からの反射エコーを用いて実像エコーと虚像エコーとを判別するため、実際にきずが存在する反射源がある位置のエコーとそれ以外のエコーの識別が容易に可能な、超音波探傷検査装置、およびその方法を提供できる。 According to this invention, a real image reflected echo from a position where there is actually a flaw is discriminated from a virtual image echo from a position where there is actually no flaw, and the real image echo and the virtual image are distinguished using the reflected echoes from a probe of a certain number or more. In order to distinguish between echoes, it is possible to provide an ultrasonic flaw detection inspection apparatus and a method thereof that can easily distinguish between echoes at a position where a reflection source where an actual flaw is located and echoes other than the echoes.

この発明の一実施の形態に係る波形合成処理の仕組みを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a mechanism of waveform synthesis processing according to an embodiment of the present invention. 波形合成をするエリアおよびエリア内の各交点で波形データを合成し、グラフ化した状態を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating an area for waveform synthesis and a state in which waveform data is synthesized at each intersection within the area and graphed. 波形相関処理の仕組みを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a mechanism of waveform correlation processing. きずのない位置で表示されるエコーを示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an echo displayed at a position without a flaw. 虚像と実際にきずのある位置でのエコーの識別方法を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a method for distinguishing between a virtual image and an echo at a position where a flaw actually exists. 虚像の正体を説明する図である。It is a figure explaining the true nature of a virtual image. 探触子が2つの場合で、きずが1個ある場合の反射エコーの状態を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing the state of reflected echoes when there are two probes and one flaw. 探触子が2つの場合で、きずが2個ある場合の反射エコーの状態を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing the state of reflected echoes when there are two probes and two flaws. 超音波探傷装置を示すブロック図である。It is a block diagram showing an ultrasonic flaw detection device. 超音波探傷装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart showing the operation of the ultrasonic flaw detection device. 超音波探傷装置の動作を示すフローチャートである。It is a flowchart showing the operation of the ultrasonic flaw detection device. 測線数と測線数に対するきずエコーのピーク検出個数を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the number of survey lines and the number of detected peaks of flaw echoes with respect to the number of survey lines. 波形合成位置におけるピーク個数を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the number of peaks at a waveform synthesis position.

以下、この発明の一実施の形態を、図面を参照して説明する。この実施の形態においては、複数の探触子を用いて超音波を送受信し、各々の探触子で得られた波形データを合成処理した後、結果を画像として表示する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In this embodiment, ultrasonic waves are transmitted and received using a plurality of probes, and after the waveform data obtained by each probe is synthesized, the results are displayed as an image.

複数の探触子からの受信波形を合成する波形合成処理についてまず説明する。波形合成処理おいては、複数の探触子からの受信波形に対して、時間を遅延させる操作と加算演算により、波形の重ね合わせを行う。この手順を図1 に示す。また、試験体、複数の探触子、所定の波形合成位置、およびきず位置の反射エコーの図を図2に示す。 First, waveform synthesis processing for synthesizing received waveforms from a plurality of probes will be explained. In the waveform synthesis process, waveforms received from a plurality of probes are superimposed by a time delay operation and an addition operation. This procedure is shown in Figure 1. Further, FIG. 2 shows a diagram of reflected echoes of the test specimen, a plurality of probes, a predetermined waveform synthesis position, and a flaw position.

図1および図2を参照して、この実施の形態においては、複数の探触子20a~20eを用いて、鋼の平板のような試験体22に設けられた、きずのような反射源21からの反射波(エコー)を受信する。ここで、複数の探触子20a~20eまでの反射源21からの距離が異なるため、反射源21から探触子20a~20eまでの伝搬時間が図1(A)に示すようにt1~t5に変化する。そこで、この伝搬時間を図1(B)に示すように同一時間tになるように伝搬時間を補正する。そして、図1(C)に示すように複数の探触子20a~20eの受信波形を重ね合わせて波形合成を行う。 Referring to FIGS. 1 and 2, in this embodiment, a reflection source 21 such as a flaw is provided on a test specimen 22 such as a flat steel plate using a plurality of probes 20a to 20e. Receive reflected waves (echoes) from Here, since the distances from the reflection source 21 to the plurality of probes 20a to 20e are different, the propagation time from the reflection source 21 to the probes 20a to 20e is t1 to t5 as shown in FIG. 1(A). Changes to Therefore, the propagation time is corrected so that it becomes the same time t as shown in FIG. 1(B). Then, as shown in FIG. 1C, the received waveforms of the plurality of probes 20a to 20e are superimposed to perform waveform synthesis.

なお、超音波としてSH波超音波を使用するのが好ましいが、SH波超音波でなくてもよい。 Although it is preferable to use SH wave ultrasound as the ultrasound, it is not necessary to use SH wave ultrasound.

その結果、合成する所定のエリア27内の各交点位置で波形データを合成し、グラフ化(画像化)する。その例を図2(B)に示す。図2(B)は複数の探触子20a~20eによる波形を合成するエリアのきず位置の反射エコーを示す図である。 As a result, the waveform data are synthesized at each intersection position within the predetermined area 27 to be synthesized and graphed (imaged). An example is shown in FIG. 2(B). FIG. 2(B) is a diagram showing reflected echoes at flaw positions in an area where waveforms from a plurality of probes 20a to 20e are combined.

ここで、きずを特定するための波形を合成するエリア27は、きずが存在する領域を含む矩形の領域であり、この例では、波形合成するエリアは、5mmの格子に分割されている。 Here, the area 27 for synthesizing waveforms for identifying flaws is a rectangular area including the area where the flaw exists, and in this example, the area for waveform synthesis is divided into 5 mm grids.

また、ここでは、図2(B)の位置は図2(A)の所定のエリア27と対応しており、図2(A)の波形合成する縦a、横bの位置は図2(B)の縦(奥行き方向)、横(探触子配置方向)の位置に対応する。 In addition, here, the position in FIG. 2(B) corresponds to the predetermined area 27 in FIG. 2(A), and the vertical position a and horizontal position b for waveform synthesis in FIG. ) corresponds to the vertical (depth direction) and horizontal (probe placement direction) positions.

次に、探触子で受信波形のピークを検出しやすいようにするための波形相関処理について説明する。図3は、波形相関処理を説明するための図である。 Next, waveform correlation processing for making it easier to detect the peak of the received waveform with the probe will be described. FIG. 3 is a diagram for explaining waveform correlation processing.

波形相関処理では、測定データに対して参照波形データ31(ここではチャープ波(時間とともに周波数が変化する波)を使用)との相関を調べ、その後、測定データに相関情報を反映する処理を行う。 In the waveform correlation processing, the correlation between the measured data and the reference waveform data 31 (here, a chirp wave (a wave whose frequency changes over time) is used) is checked, and then the correlation information is reflected in the measured data. .

これにより、S/N(信号/ノイズ比)を大幅に向上させる効果が期待でき、これまでにノイズに埋もれて、ノイズときずのエコーとの識別が難しかった対象物の検査が可能になる。 This can be expected to significantly improve the S/N (signal/noise ratio), making it possible to inspect objects that were previously buried in noise and difficult to distinguish between noise and scratch echoes.

なお、前述した波形合成データは、波形相関処理後のS/N比の良好な波形データを使用している。 Note that the waveform synthesis data described above uses waveform data with a good S/N ratio after waveform correlation processing.

図3(A)は、基準データを示す図であり、基準データは基準波形(参照波形データ31)と基準波形データとを含む。N個の演算領域の中に選択領域がありそこに参照波形が表示されている。図3(B)は、測定データを示す図であり、測定データは、測定波形と測定波形データとを含む。この測定波形データに参照波形データを重ねる。具体的には、以下の演算を行う。 FIG. 3A is a diagram showing reference data, and the reference data includes a reference waveform (reference waveform data 31) and reference waveform data. There is a selection area among the N calculation areas, and a reference waveform is displayed there. FIG. 3(B) is a diagram showing measurement data, and the measurement data includes a measurement waveform and measurement waveform data. Reference waveform data is superimposed on this measured waveform data. Specifically, the following calculations are performed.

1/N×Σ(Di×Ri)
ここで、Dは測定波形データであり、Rは基準波形データであり、Nは基準波形データの個数である。
1/N×Σ(Di×Ri)
Here, D is measurement waveform data, R is reference waveform data, and N is the number of reference waveform data.

このようにして、相関演算を行い、相関処理後データを得る。 In this way, a correlation calculation is performed and data after correlation processing is obtained.

具体的には、次のようになる。図3(C)~図3(F)は、得られた具体的な波形を示す図である。図3(C)に示すように、基準データとなる参照データはここではチャープ波である。 Specifically, it is as follows. FIGS. 3(C) to 3(F) are diagrams showing specific waveforms obtained. As shown in FIG. 3(C), the reference data serving as standard data is a chirp wave here.

図3(D)に示すように、試験体22からの反射源エコーと参照波形を重ねたデータが得られると、上記した相関演算が行われ、図3(E)に示すように、反射エコーの得られた位置でピーク値が得られ、図3(F)に示すように、相関処理後のデータが得られる。 As shown in FIG. 3(D), when data in which the reflection source echo from the test object 22 and the reference waveform are superimposed is obtained, the correlation calculation described above is performed, and as shown in FIG. 3(E), the reflected echo A peak value is obtained at the position where , and as shown in FIG. 3(F), data after correlation processing is obtained.

次に、きずのない位置で表示されるエコーについて説明する。エコーは、実際にきずのある位置で表示される必要があるが、現実には、きずのない位置で表示されるエコーもある。ここでは、きずのない位置で表示されるエコーのことを虚像と呼ぶ。図4は、X軸を探触子配置方向とし、Y軸を奥行き方向とした場合に、人工きずを施した試験体22の波形データを合成した図である。図4を参照して、□で囲んだ領域29中に実際に人工きずのある位置が表示され、それ以外の箇所32a,32bにもエコーが表示されている。このような状態では、実際のきず位置の特定は困難である。 Next, an explanation will be given of echoes displayed at positions with no flaws. Echoes need to be displayed at locations where there are actually flaws, but in reality, some echoes are displayed at locations where there are no flaws. Here, the echo displayed at a position without flaws is called a virtual image. FIG. 4 is a diagram in which the waveform data of the test specimen 22 with artificial flaws is synthesized, where the X-axis is the probe arrangement direction and the Y-axis is the depth direction. Referring to FIG. 4, the actual position of the artificial flaw is displayed in a region 29 surrounded by squares, and echoes are also displayed at other locations 32a and 32b. In such a state, it is difficult to identify the actual flaw position.

次に、虚像と実際に人工きずのある位置でのエコー(実像)の識別を行う方法について説明する。 Next, a method for distinguishing between a virtual image and an echo (real image) at a position where an artificial flaw actually exists will be explained.

図5は、図4と同様に、X軸を複数の探触子配置方向とし、Y軸を奥行き方向とした場合の、実際に人工きずのある位置からのエコーと、虚像とを示す図である。図5(A)は5測線の場合を示す図であり、図5(B)は10測線の場合を示す図であり、図5(C)は20測線の場合を示す図である。なお、図5(A)~図5(C)において、実際にきずのある位置に〇を付している。 Similar to FIG. 4, FIG. 5 is a diagram showing echoes from the actual position of an artificial flaw and a virtual image when the X-axis is the direction of multiple probe arrangement and the Y-axis is the depth direction. be. FIG. 5(A) is a diagram showing the case of 5 measuring lines, FIG. 5(B) is a diagram showing the case of 10 measuring lines, and FIG. 5(C) is a diagram showing the case of 20 measuring lines. In addition, in FIGS. 5(A) to 5(C), positions where flaws are actually present are marked with a circle.

また、ここでは、探触子の図示を省略しているが、基本的に図2(A)と同様である。 Although the probe is not shown here, it is basically the same as in FIG. 2(A).

ここで、測線とは探触子の数であり、5測線の場合は5個の探触子を横に並べ、10測線の場合は、5個の探触子を5測線の場合よりも一方向にずらして配置して測定し、20測線の場合は、5個の探触子を10測線の場合よりもさらに一方向にずらして配置して測定したものである。5個の探触子の場合、その直線上にある9個の人工きず25a~25i(実際は探触子の配列方向に3つの人工きずは重なっている)の並んでいる3測線と人工きずの無い位置(2測線)に各探触子から超音波を送信して受信するため、5測線の場合は総データ数は25(送信5×受信5)になり、同様に、10測線の場合は総データ数は50(送信5×受信5×2)になり、図5(C)では20測線であるが、総データ数は190になる(これは、探触子が重なり合って配置できない箇所があるためである)。 Here, the measurement line is the number of probes; in the case of 5 measurement lines, 5 probes are arranged horizontally, and in the case of 10 measurement lines, the 5 probes are arranged more closely than in the case of 5 measurement lines. In the case of 20 transverse lines, the five probes were disposed further shifted in one direction than in the case of 10 transverse lines. In the case of five probes, the nine artificial flaws 25a to 25i (actually, the three artificial flaws overlap in the direction in which the probes are arranged) are lined up on the three measuring lines and the artificial flaws. Since ultrasonic waves are transmitted and received from each probe to a position that does not exist (2 survey lines), in the case of 5 survey lines, the total number of data is 25 (5 transmission x 5 reception), and similarly, in the case of 10 survey lines, the total number of data is 25 (5 transmission x 5 reception). The total number of data is 50 (5 transmission x 5 reception x 2), and although there are 20 survey lines in Figure 5(C), the total number of data is 190 (this is because there are places where the probes overlap and cannot be placed). ).

図5(A)に示す5測線では、虚像のデータがそれらを挟む実像のデータと同様の強度を有している(図中、クスハッチングで示す)。図5(B)に示す10測線では、虚像のデータは実像のデータより低い強度を示している(図中、ハッチングで示す)。図5(C)に示す20測線では、虚像のデータはほぼ表示されないような低い強度を示す(図中、表示なし)。 In the five survey lines shown in FIG. 5A, the data of the virtual image has the same intensity as the data of the real image sandwiching them (indicated by cross-hatching in the figure). In the 10 measurement lines shown in FIG. 5(B), the virtual image data shows a lower intensity than the real image data (indicated by hatching in the figure). In the 20 measurement lines shown in FIG. 5(C), the virtual image data exhibits such a low intensity that it is hardly displayed (not shown in the figure).

図5(A)~(C)に示すように、5測線から10測線、20測線というように、データ数を増加することで、きずの位置(25a~25i、図中斜線で示す部分)ときずのない位置の差が明確になり(虚像の数が相対的に減り)、実像エコーと虚像エコーの識別性は向上していることが分かる。 As shown in FIGS. 5(A) to 5(C), by increasing the number of data from the 5th line to the 10th line to the 20th line, the flaw positions (25a to 25i, the shaded areas in the figure) It can be seen that the difference between the positions without distortion becomes clear (the number of virtual images is relatively reduced), and the distinguishability between the real image echo and the virtual image echo is improved.

すなわち、探触子または測線(データ数)を増やすことにより、虚像と実際に人工きずのある位置でのエコーの識別を行うことが可能になる。 That is, by increasing the number of probes or survey lines (number of data), it becomes possible to distinguish between a virtual image and an echo at a position where an actual artificial flaw exists.

以上から、データ数が多いほど、識別性は向上することが分かるが、探傷の手間がかかる。 From the above, it can be seen that the greater the number of data, the better the identifiability, but the more time and effort it takes for flaw detection.

この問題に対処するために、次に虚像の正体について説明する。 In order to deal with this problem, the true nature of virtual images will be explained next.

図6は、虚像の正体を説明するための図である。図6(A)~(D)は、きずが1つ(図中、○で示す)の場合に、3つの探触子30a,30b,30cできずからの反射エコーをこれらの探触子30a,30b,30cで受けた場合の反射エコー(探触子の下に横線で示す)を示す図である。ここで、図6(A)では、きずの位置は探触子30cから最も近く、次に探触子30bが近く、探触子30aが最も遠い。したがって、反射エコーの大きさは、探触子30cの位置が最も大きく、探触子30bの位置が次に大きく、探触子30aの位置が最も小さい。ここで、反射エコーの大きさを水平線の長さで示している。 FIG. 6 is a diagram for explaining the true nature of a virtual image. 6(A) to (D) show that when there is one flaw (indicated by a circle in the figure), the reflected echoes from the three failed probes 30a, 30b, and 30c are reflected from these probes 30a. , 30b and 30c (indicated by horizontal lines below the probes). Here, in FIG. 6A, the position of the flaw is closest to the probe 30c, then the probe 30b is the next closest, and the probe 30a is the farthest. Therefore, the magnitude of the reflected echo is largest at the position of the probe 30c , second largest at the position of the probe 30b , and smallest at the position of the probe 30a . Here, the magnitude of the reflected echo is shown by the length of the horizontal line.

これらの反射エコーを、きずのある位置(図中×で示す)で波形合成処理したデータを図6(B)に示す。ここで、点線で囲んだ部分33は、波形合成をきずのある位置で行った場合を示す。ここに示すように、この場合は、3つの探触子30a,30b,30cの反射エコーが全て含まれる。 FIG. 6B shows data obtained by waveform synthesis processing of these reflected echoes at the flawed position (indicated by an x in the figure). Here, a portion 33 surrounded by a dotted line indicates a case where waveform synthesis is performed at a position where there is a flaw. As shown here, in this case, all the reflected echoes of the three probes 30a, 30b, and 30c are included.

図6(C)は、波形合成をきず位置(○)から少し離れた位置(×)(ここでは、例えば、探触子30bの真上)で行った場合を示す図である。ここに示すように、3つの探触子30a,30b,30cの受信エコーは点線で囲んだ部分33に入らない。 FIG. 6C is a diagram showing a case where waveform synthesis is performed at a position (x) slightly away from the flaw position (○) (here, for example, right above the probe 30b). As shown here, the received echoes of the three probes 30a, 30b, and 30c do not fall within the area 33 surrounded by the dotted line.

具体的には、探触子30cでは、きず位置に近いため、強い(長さの長い)データが得られるが、図6(B)の場合よりも距離が離れるため、受信エコーは点線よりも近い側に移動する。一方で、探触子30bや30bでは、図6(B)と同様の強さのデータが得られるが、測定位置に近いため、受信エコーは点線よりも遠い側に移動する。 Specifically, since the probe 30c is close to the flaw position, strong (long) data can be obtained, but since the distance is further away than in the case of FIG. 6(B), the received echo is smaller than the dotted line. Move to the closer side. On the other hand, with the probes 30b and 30b, data with the same intensity as in FIG. 6(B) is obtained, but because they are close to the measurement position, the received echo moves to the side farther from the dotted line.

図6(D)は、波形合成をきず位置(○)からさらに離れた位置(×)で行った場合を示す図である。ここに示すように、探触子30a,30cの受信エコーは点線で囲んだ部分33に入っていないが、探触子30bの受信エコーは点線で囲んだ部分33に入っている。これは、きずのない位置で波形合成を行っても、合成する位置以外のきずエコーのビーム路程が合成する位置までの距離と一致したために、合成エコーとして表示されたものであり、虚像である。 FIG. 6(D) is a diagram showing a case where waveform synthesis is performed at a position (×) further away from the flaw position (◯). As shown here, the received echoes of the probes 30a and 30c are not included in the area 33 surrounded by the dotted line, but the received echoes of the probe 30b are included in the area 33 surrounded by the dotted line. This is because even if waveform synthesis is performed at a position without flaws, the beam path of the flaw echo at a position other than the position to be combined matches the distance to the position to be combined, so it is displayed as a composite echo and is a virtual image. .

次に、きずが2つある場合について説明する。図6(E)は、3つの探触子30a,30b,30cから超音波を出力し、きず1(実線の○で示す)ときず2(点線の○で示す)からの反射エコーをこれらの探触子で受けた場合の反射エコー(探触子の下に横線で示す図である。ここでも、きず1の反射エコーを実線で、きず2の反射エコーを点線で示す。ここで、きず1の位置は探触子30cから最も近く、次に探触子30bが近く、探触子30aが最も遠い。また、きず2の位置は探触子30bから最も近く、探触子30aと探触子30caから等距離にある。 Next, a case where there are two flaws will be explained. In Fig. 6(E), ultrasonic waves are output from three probes 30a, 30b, and 30c, and the reflected echoes from flaw 1 (indicated by a solid line ○) and flaw 2 (indicated by a dotted line ○) are collected from these. The reflected echo received by the probe (shown by the horizontal line below the probe). Again, the reflected echo from flaw 1 is shown by a solid line, and the reflected echo from flaw 2 is shown by a dotted line. The position of flaw 1 is closest to the probe 30c, the next closest is the probe 30b, and the farthest is the probe 30a.The position of flaw 2 is the closest to the probe 30b, and the position of flaw 2 is the closest to the probe 30b and It is equidistant from the tentacle 30ca.

この場合、きず1の反射エコーの大きさを水平の実線で示した場合、図6(A)と同様に、探触子30cの位置が最も大きく、探触子30bの位置が次に大きく、探触子30aの位置が最も小さい。一方、きず2の反射エコーの大きさは、探触子20bの位置が最も大きく、探触子30aと30cの位置の大きさは同じである。 In this case, when the magnitude of the reflected echo of flaw 1 is shown by a horizontal solid line, the position of the probe 30c is the largest, the position of the probe 30b is the next largest, as in FIG. 6(A), The position of the probe 30a is the smallest. On the other hand, the magnitude of the reflected echo of the flaw 2 is greatest at the position of the probe 20b, and the magnitude at the positions of the probes 30a and 30c is the same.

一方、きず2の反射エコーの大きさを水平の点線で示した場合、図6(E)に示すように、きず2の反射エコーの大きさは、探触子30bの位置が最も大きく、探触子30aと30cの位置の大きさは次の大きさで同じである。 On the other hand, when the magnitude of the reflected echo of flaw 2 is indicated by a horizontal dotted line, as shown in FIG. The positions of the tentacles 30a and 30c have the same size as shown below.

これらの反射エコーを、所定の位置で波形合成処理したデータを図6(F)に示す。ここで、きず1を実線の○で、波形合成位置を実線の×で表している。ここで、点線で囲んだ部分33は、波形合成をきずのある位置(探触子30cの真上の位置)で行った場合を示す。ここに示すように、きず1の位置からの3つの探触子30a,30b,30cの反射エコーが全て含まれる。 FIG. 6F shows data obtained by waveform synthesis processing of these reflected echoes at predetermined positions. Here, flaw 1 is represented by a solid line ◯, and the waveform synthesis position is represented by a solid line ×. Here, a portion 33 surrounded by a dotted line indicates a case where waveform synthesis is performed at a position where there is a flaw (a position directly above the probe 30c). As shown here, all the reflected echoes of the three probes 30a, 30b, and 30c from the position of flaw 1 are included.

一方、きず2の位置からの反射エコーは、探触子30aの位置での反射エコーは、きず1よりも大きいため、点線で囲んだ部分33より近く(図6(F)において、点線で囲んだ部分33の下側)に生成され、探触子30bの位置での反射エコーは、きず1よりも大きいため、点線で囲んだ部分より近くに生成され、探触子30cの位置での反射エコーは、きず1よりも小さいため、点線で囲んだ部分より遠く(図6(F)において、点線で囲んだ部分33の上側)に生成される。 On the other hand, the reflected echo from the position of flaw 2 is larger than the reflected echo at the position of probe 30a, so it is closer to the area 33 surrounded by the dotted line (in FIG. Since the reflected echo at the position of the probe 30b is larger than flaw 1, it is generated closer to the part surrounded by the dotted line, and the reflected echo at the position of the probe 30c Since the echo is smaller than flaw 1, it is generated further away than the area surrounded by the dotted line (in FIG. 6F, above the area 33 surrounded by the dotted line).

図6(G)は、きず2の位置で波形合成を行った場合の図である。ここでも、波形合成位置を実線の×で表している。ここで、点線で囲んだ部分33は、波形合成をきず2のある位置(探触子30bの真上の位置)で行った場合を示す。ここに示すように、きず2の位置からの3つの探触子30a,30b,30cの反射エコーが全て含まれる。 FIG. 6(G) is a diagram when waveform synthesis is performed at the position of flaw 2. Here again, the waveform synthesis position is represented by a solid line x. Here, a portion 33 surrounded by a dotted line shows the case where waveform synthesis is performed at the position where the flaw 2 is located (the position directly above the probe 30b). As shown here, all the reflected echoes of the three probes 30a, 30b, and 30c from the position of flaw 2 are included.

一方、きず1の位置からの反射エコーは、探触子30aの位置での反射エコーは、きず2よりも小さいため、点線で囲んだ部分33より遠くに生成され、探触子30bの位置での反射エコーは、きず2よりも小さいため、点線で囲んだ部分より遠くに生成され、探触子30cの位置での反射エコーは、きず2よりも大きいため、点線で囲んだ部分33より近くに生成される。 On the other hand, since the reflected echo from the position of flaw 1 is smaller than the reflected echo from the position of probe 30a than flaw 2, it is generated further away from the part 33 surrounded by the dotted line, and is generated at the position of probe 30b. The reflected echo at the position of the probe 30c is smaller than the flaw 2, so it is generated farther away than the part surrounded by the dotted line, and the reflected echo at the position of the probe 30c is larger than the flaw 2, so it is generated closer than the part 33 surrounded by the dotted line. is generated.

以上のように、この場合も、探触子の位置で波形合成をすると、所定の点線で囲んだ部分33に反射エコーを検出することができる。 As described above, in this case as well, when waveform synthesis is performed at the position of the probe, a reflected echo can be detected in the portion 33 surrounded by the predetermined dotted line.

図6(H)は、波形合成をきず1(実線の○)およびきず2(点線の○)とは異なる位置(×)で行った場合を示す図である。ここに示すように、探触子30a,30cの受信エコーは点線で囲んだ部分33に入っていないが、探触子30bの受信エコーは点線で囲んだ部分に入っている。これは、図6(D)の場合と同様に、きずのない位置で波形合成を行った場合に、合成する位置以外のきずエコーのビーム路程が合成する位置までの距離と一致したために、合成エコーとして表示されたものである。 FIG. 6(H) is a diagram showing a case where waveform synthesis is performed at a different position (x) from flaw 1 (solid line ◯) and flaw 2 (dotted line ◯). As shown here, the received echoes of the probes 30a and 30c are not included in the area 33 surrounded by the dotted line, but the received echoes of the probe 30b are included in the area surrounded by the dotted line. This is because when waveform synthesis is performed at a position without flaws, as in the case of Fig. 6(D), the beam path of the flaw echo at a position other than the position to be synthesized matches the distance to the position to be synthesized. This is displayed as an echo.

以上のように、虚像を排除して、実際の反射エコーのみを得るには、きずのある位置でのみ波形を合成すればよいことがわかる。 As described above, it can be seen that in order to eliminate the virtual image and obtain only the actual reflected echo, it is sufficient to synthesize the waveforms only at the flawed positions.

逆にいうと、きずの位置を特定するには、所定の波形合成位置に入るエコーのデータ数が多ければよいことがわかる。 Conversely, it can be seen that in order to identify the position of a flaw, it is sufficient to have a large number of echo data that falls within a predetermined waveform synthesis position.

次に、この具体的な方法について説明する。図7は、探触子が2つの場合で、きずが1個ある場合の反射エコーの状態を示す模式図である。図7(A)を参照して、○で示す1つのきずに対して2つの探触子30a,30bから超音波を出力し、きずからの反射エコーをこれらの探触子30a,30bで受けた場合の反射エコーを示す図である。 Next, this specific method will be explained. FIG. 7 is a schematic diagram showing the state of reflected echoes when there are two probes and one flaw. Referring to FIG. 7(A), ultrasonic waves are output from two probes 30a and 30b to one flaw indicated by a circle, and echoes reflected from the flaw are received by these probes 30a and 30b. FIG. 3 is a diagram showing reflected echoes when

きずのある位置で波形合成する図7(B)に示す場合、点線で囲んだ合成位置に反射エコーが2つ得られているため、この位置にきずがあると判断できる。 In the case shown in FIG. 7B in which waveforms are synthesized at a flawed position, two reflected echoes are obtained at the combined position surrounded by the dotted line, so it can be determined that there is a flaw at this position.

図7(C)に示す場合、点線で囲んだ所定の検出位置35で、探触子30a、30bからの反射エコーが得られていない。したがって、この位置にきずは無いと判断できる。 In the case shown in FIG. 7C, no reflected echo from the probes 30a and 30b is obtained at a predetermined detection position 35 surrounded by a dotted line. Therefore, it can be determined that there is no flaw at this location.

図7(D)に示す場合は、点線で囲んだ所定の検出位置35で、反射エコーは1つしか得られていない。したがって、この位置にきずは無いと判断できる。 In the case shown in FIG. 7(D), only one reflected echo is obtained at a predetermined detection position 35 surrounded by a dotted line. Therefore, it can be determined that there is no flaw at this location.

次に、2つのきずがある場合について説明する。図8は、探触子が2つの場合で、きずが2個ある場合の反射エコーの状態を示す模式図である。図8(A)は、2つのきずに対して2つの探触子30a,30bから超音波を出力し、きずからの反射エコーをこれらの探触子で受けた場合の反射エコーを示す図である。 Next, a case where there are two flaws will be explained. FIG. 8 is a schematic diagram showing the state of reflected echoes when there are two probes and two flaws. FIG. 8(A) is a diagram showing the reflected echoes when ultrasonic waves are output from two probes 30a and 30b to two flaws and the reflected echoes from the flaws are received by these probes. be.

図8(B)は、2つのきずの位置の一方の位置である、点線で囲んだ合成位置35に反射エコーが2つ得られているため、この位置にきずがあると判断できる。 In FIG. 8B, two reflected echoes are obtained at a composite position 35 surrounded by a dotted line, which is one of the two flaw positions, so it can be determined that there is a flaw at this position.

図8(C)に示す場合、2つのきずの位置の他方の位置である点線で囲んだ所定の検出位置35で、探触子30a、30bからの反射エコーが得られている。したがって、この位置にもきずがあると判断できる。 In the case shown in FIG. 8C, reflected echoes from the probes 30a and 30b are obtained at a predetermined detection position 35 surrounded by a dotted line, which is the other of the two flaw positions. Therefore, it can be determined that there is a flaw at this location as well.

図8(D)に示す場合は、点線で囲んだ所定の検出位置35で、反射エコーは1つしか得られていない。したがって、この位置にきずは無いと判断できる。 In the case shown in FIG. 8(D), only one reflected echo is obtained at a predetermined detection position 35 surrounded by a dotted line. Therefore, it can be determined that there is no flaw at this location.

以上のように、測線が2つの場合に、虚像を排除して、実際の反射エコーのみを得るには、所定の波形合成位置に入るエコーの反射エコーの数が2つあれば良いと判断できる。これは、データの数が1つでは、たまたま、所定の位置に反射エコーが得られたと思われるためである。 As described above, when there are two survey lines, it can be determined that in order to eliminate the virtual image and obtain only the actual reflected echoes, it is sufficient to have two reflected echoes of the echoes that enter the predetermined waveform synthesis position. . This is because if the number of data is one, it seems that a reflected echo was obtained at a predetermined position by chance.

次に、この実施の形態に係る超音波探傷装置の構成について説明する。図9は、この実施の形態に係る超音波探傷装置10の構成を示すブロック図である。 Next, the configuration of the ultrasonic flaw detection apparatus according to this embodiment will be explained. FIG. 9 is a block diagram showing the configuration of the ultrasonic flaw detection apparatus 10 according to this embodiment.

図9を参照して、超音波探傷装置10は、複数の探触子20a~20cと、複数の探触子20a~20cからのデータを処理する、パソコンのような制御部11とを含む。制御部11は、制御部11全体を制御するCPU12と、CPU12に接続された、入出力機器13と、RAM等の記憶部14と、ディスプレイ15と、探触子からの送受信データを送受信装置18を介して入出力するためのインターフェース16とを含む。 Referring to FIG. 9, ultrasonic flaw detection apparatus 10 includes a plurality of probes 20a to 20c and a control unit 11 such as a personal computer that processes data from the plurality of probes 20a to 20c. The control unit 11 includes a CPU 12 that controls the entire control unit 11, an input/output device 13 connected to the CPU 12, a storage unit 14 such as a RAM, a display 15, and a transmitting/receiving device 18 for transmitting and receiving data from the probe. and an interface 16 for inputting and outputting via.

次に、この実施の形態に係る超音波探傷装置10の動作について説明する。図10は、この実施の形態に係る超音波探傷装置の動作を示すフローチャートである。 Next, the operation of the ultrasonic flaw detection apparatus 10 according to this embodiment will be explained. FIG. 10 is a flowchart showing the operation of the ultrasonic flaw detection apparatus according to this embodiment.

図10を参照して、制御部10のCPU11は、複数の探触子20a~20cからの反射エコーのデータを受信し(S11)、反射エコーを合成する(S12)。そして、各位置での合成データに基づいて、反射エコーが、実際のきずを表すものか、虚像かを判別し(S13)、その位置を特定する(S14)。 Referring to FIG. 10, CPU 11 of control unit 10 receives data of reflected echoes from a plurality of probes 20a to 20c (S11), and synthesizes the reflected echoes (S12). Then, based on the composite data at each position, it is determined whether the reflected echo represents an actual flaw or a virtual image (S13), and its position is specified (S14).

図11は、図10のS13で示した判別処理を示すフローチャートである。図11を参照して、この処理においては、合成位置に一定以上のデータがあるか否かを判断し(S131)、一定以上のデータがあれば(S131でYES)、実際のきずであると判断し、それ以外であれば(S131でNO)、虚像であると判断する(S133)。そしてS13に戻る。 FIG. 11 is a flowchart showing the determination process shown in S13 of FIG. Referring to FIG. 11, in this process, it is determined whether or not there is more than a certain amount of data at the composite position (S131), and if there is more than a certain amount of data (YES in S131), it is determined that it is an actual flaw. If it is otherwise (NO in S131), it is determined that it is a virtual image (S133). Then, the process returns to S13.

したがって、CPU12は、波形合成手段、エコー判別手段、ピーク数カウント手段、波形相関処理手段として、作動する。 Therefore, the CPU 12 operates as waveform synthesis means, echo discrimination means, peak number counting means, and waveform correlation processing means.

次に、この実像エコーと虚像エコーとを判別する、一定以上の数について説明する。発明者は、実際に、9個のきずについて、測線数と測線数に対するきずエコーのピークの検出個数の割合を調べた。その結果を図12に示す。 Next, a description will be given of a number greater than a certain value that is used to distinguish between the real image echo and the virtual image echo. The inventor actually investigated the number of survey lines and the ratio of the number of detected flaw echo peaks to the number of survey lines for nine flaws. The results are shown in FIG.

図12を参照して、ここではX軸として測線数を、Y軸として測線数に対するきずエコーのピークの検出個数の割合を、9個のきずについてプロットしている。 Referring to FIG. 12, here, the number of survey lines is plotted as the X-axis, and the ratio of the number of detected flaw echo peaks to the number of survey lines is plotted as the Y-axis for nine flaws.

ここで、a~iは、それぞれ、きず1~きず9に対応している。なお、dで示すきず4は、測線の多い部分(右端)では一部現れているが、測線の少ない部分は、ほとんどが、gで表されている、きず7に重なっている。 Here, a to i correspond to flaws 1 to 9, respectively. Note that flaw 4, indicated by d, partially appears in the part with many survey lines (right end), but most of the part with few survey lines overlaps with flaw 7, indicated by g.

図12に示すように、いずれのきずについても、測線本数に拘わらず、60%以上であることが分かる。 As shown in FIG. 12, it can be seen that all flaws are 60% or more regardless of the number of survey lines.

なお、このことは、先に図7~図8で説明した、きずが1個の場合もカバーしている。 Note that this also covers the case where there is only one flaw, which was previously explained with reference to FIGS. 7 and 8.

すなわち、探触子の送受信データの数(送信×受信)の組合わせの数)の6割以上であれば実像と判断できる。 That is, if the number of data transmitted and received by the probe is 60% or more (the number of combinations of transmission x reception), it can be determined that the image is a real image.

なお、上記実施の形態においては、反射エコーの数を所定の波形合成位置で数える場合について説明したが、これに限らず、画像認識技術を用いてピークを検出してもよい。 In the above embodiment, a case has been described in which the number of reflected echoes is counted at a predetermined waveform synthesis position, but the present invention is not limited to this, and peaks may be detected using image recognition technology.

図13は、波形合成するエリアの各交点位置で波形を合成したときの、各交点位置(波形合成位置)におけるピーク個数を示したグラフである。 FIG. 13 is a graph showing the number of peaks at each intersection position (waveform synthesis position) when waveforms are synthesized at each intersection position of the waveform synthesis area.

図13を参照して、探触子5個で、データ数が25測線(送信5個×受信5個、25測線データ)の場合の波形データの相関係数を合成処理し、反射エコーのピーク数をカウントした結果であり、15個以上のピーク数が得られていれば、実像と判断できる。 Referring to FIG. 13, the correlation coefficients of the waveform data when the number of data is 25 lines (5 transmission x 5 reception, 25 line data) with 5 probes are synthesized, and the peak of the reflected echo is This is the result of counting the number of peaks, and if 15 or more peaks are obtained, it can be determined that it is a real image.

このことからも、探触子の送受信データの数(送信×受信)の組合わせの数)の6割以上であれば実像と判断できることがわかる。 From this, it can be seen that if it is 60% or more of the number of data transmitted and received by the probe (the number of combinations of transmission x reception), it can be determined that it is a real image.

図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、本発明は、図示した実施形態に限定されるものではない。本発明と同一の範囲内において、または均等の範囲内において、図示した実施形態に対して種々の変更を加えることが可能である。 Although embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, the present invention is not limited to the illustrated embodiments. Various modifications can be made to the illustrated embodiments within the same scope or equivalent scope of the present invention.

この発明によれば、実際にきずのある位置からの実像反射エコーと、実際はきずのない位置からの虚像エコーとを判別し、少なくとも2つの探触子からの反射エコーを用いて実像エコーと虚像エコーとを判別するため、実際にきずが存在する反射源がある位置のエコーとそれ以外のエコーの識別が容易に可能な超音波探傷検査装置を提供できるため、超音波探傷検査装置として有利に利用される。 According to this invention, a real image reflected echo from a position where there is actually a flaw is discriminated from a virtual image echo from a position where there is actually no flaw, and the real image echo and the virtual image are distinguished using the reflected echoes from at least two probes. It is possible to provide an ultrasonic flaw detection inspection device that can easily distinguish between echoes at the location of the reflection source where a flaw actually exists and other echoes, which is advantageous as an ultrasonic flaw detection inspection device. used.

10 超音波探傷装置、11 制御部、12 CPU、13 I/O、14 メモリ、15 ディスプレイ、16 I/F、18 送受信装置、20,30 探触子、21 反射源、22 試験体、27 所定のエリア、29 領域、31 参照波形データ。 10 Ultrasonic flaw detection device, 11 Control unit, 12 CPU, 13 I/O, 14 Memory, 15 Display, 16 I/F, 18 Transmission/reception device, 20, 30 Probe, 21 Reflection source, 22 Test object, 27 Predetermined area, 29 area, 31 reference waveform data.

Claims (6)

複数の探触子を用いて、試験体の反射源からの反射エコーを受信して、時間を遅延させてそれらを加算して合成する波形合成手段を含み、
前記波形合成手段は、前記複数の探触子が前記反射エコーを受ける所定の合成エリア内で、前記反射源からの反射エコーの波形データを受信して、前記試験体に設定した前記合成エリア内の位置に基づく時間だけ前記波形データを遅延させてそれらを加算して、波形合成を行い、
記合成エリア内の位置に基づく時間だけ前記波形データを遅延させたときに前記位置に対応するタイミングにピークを有する前記波形データの数をカウントし、前記カウントしたカウント数に基づいて、前記位置におけるきずの有無を判断するエコー判別手段を含む、超音波探傷検査装置。
A waveform synthesis means for receiving reflected echoes from a reflection source of the test object using a plurality of probes, and adding and synthesizing the reflected echoes with a time delay;
The waveform synthesis means receives the waveform data of the reflected echoes from the reflection source within a predetermined synthesis area where the plurality of probes receive the reflected echoes, and the waveform synthesis means receives the waveform data of the reflected echoes from the reflection source within a predetermined synthesis area where the plurality of probes receive the reflected echoes. delaying the waveform data by a time based on the position of and adding them to perform waveform synthesis;
When the waveform data is delayed by a time based on the position in the synthesis area, the number of the waveform data having a peak at the timing corresponding to the position is counted, and based on the counted number, the waveform data at the position is An ultrasonic flaw detection inspection device including an echo discrimination means for determining the presence or absence of flaws in the .
前記エコー判別手段は、前記複数の探触子からの前記反射エコーの測線数に対する、前記合成エリア内の位置に基づく時間だけ前記波形データを遅延させたときに、前記位置に対応するタイミングにピークを有する測線数の割合が一定以上かどうかを判断し、前記割合が一定以上であれば、前記位置にきずあると判別し、
前記一定以上は、60%以上である、請求項1に記載の超音波探傷検査装置。
The echo discrimination means may be configured to delay the waveform data by a time based on the position in the synthesis area with respect to the number of lines of the reflected echoes from the plurality of probes, and to determine the timing corresponding to the position . Determining whether the ratio of the number of survey lines having a peak is above a certain level, and if the ratio is above a certain level, determining that there is a flaw at the position;
The ultrasonic flaw detection inspection apparatus according to claim 1, wherein the certain value or more is 60% or more.
前記エコー判別手段は、前記反射エコーのピークの数をカウントする、ピーク数カウント手段を含む、請求項2に記載の超音波探傷検査装置。 3. The ultrasonic flaw detection and inspection apparatus according to claim 2, wherein the echo discrimination means includes a peak number counting means for counting the number of peaks of the reflected echoes. 前記波形合成手段は、前記反射エコーに対して所定の参照波形データとの相関情報を反映した、波形のピークを得るための波形相関処理を行う、波形相関処理手段を含む、請求項1~3のいずれかに記載の超音波探傷検査装置。 3. The waveform synthesis means includes waveform correlation processing means for performing waveform correlation processing on the reflected echo to obtain a waveform peak that reflects correlation information with predetermined reference waveform data. The ultrasonic flaw detection inspection device according to any one of the above. 前記波形相関処理手段は、参照波形としてチャープ波を用いる、請求項4に記載の超音波探傷検査装置。 5. The ultrasonic flaw detection inspection apparatus according to claim 4, wherein said waveform correlation processing means uses a chirp wave as a reference waveform. 複数の探触子を用いて、試験体の反射源からの反射エコーを受信して、時間を遅延させてそれらを加算して合成する波形合成ステップを含み、
波形合成ステップにおいては、前記複数の探触子が前記反射エコーを受ける所定の合成エリア内で、前記反射源からの反射エコーの波形データを受信して、前記試験体に設定した前記合成エリア内の位置に基づく時間だけ前記波形データを遅延させてそれらを加算して、波形合成を行い、
前記合成エリア内の位置に基づく時間だけ前記波形データを遅延させたときに前記位置に対応するタイミングにピークを有する前記波形データの数をカウントし、前記カウントしたカウント数に基づいて、前記位置におけるきずの有無を判断する、エコー判別ステップを含む、超音波探傷検査装置を用いた反射源特定方法。
a waveform synthesis step of receiving reflected echoes from a reflecting source of the test object using a plurality of probes, and adding and synthesizing them with a time delay;
In the waveform synthesis step, the plurality of probes receive the waveform data of the reflected echo from the reflection source within a predetermined synthesis area where the reflected echoes are received, and the waveform data of the reflected echo from the reflection source is received within the synthesis area set on the test specimen. delaying the waveform data by a time based on the position of and adding them to perform waveform synthesis;
When the waveform data is delayed by a time based on the position in the synthesis area, the number of waveform data having a peak at the timing corresponding to the position is counted, and based on the counted number, the waveform data at the position is A reflection source identification method using an ultrasonic flaw detection inspection device, including an echo discrimination step to determine the presence or absence of a flaw.
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