JP7347582B2

JP7347582B2 - Angular velocity sensors, electronic devices and moving objects

Info

Publication number: JP7347582B2
Application number: JP2022077997A
Authority: JP
Inventors: 直上阪
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2020-01-15
Filing date: 2022-05-11
Publication date: 2023-09-20
Anticipated expiration: 2036-01-13
Also published as: JP2023155492A; JP2022116029A; JP7074147B2; JP2020076782A; JP7578166B2

Description

本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体に関する。 The present invention relates to an electronic device, a method for manufacturing an electronic device, an electronic device, and a moving body.

従来、例えば、シリコンＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて物理量を検出する機能素子を備えた電子デバイスとして、半導体基板あるいはガラス基板などのパッケージ基板（基体）上に、シリコン基板などから形成された機能素子を設けて、封止材によって気密封止された加速度センサーやジャイロセンサーなどが知られている。 Conventionally, for example, electronic devices equipped with functional elements that detect physical quantities using silicon MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology have been formed from a silicon substrate or the like on a package substrate (substrate) such as a semiconductor substrate or a glass substrate. Accelerometers, gyro sensors, and the like are known that are provided with functional elements and hermetically sealed with a sealing material.

このような電子デバイスとして、例えば、特許文献１では、封止材としての低融点ガラスを減圧雰囲気下で流動点以上に加熱して、ベース基板とリッドとを接合してパッケージを製造することが開示されている。特許文献１に記載の低融点ガラスには、ギャップ材が含まれており、このギャップ材によって、ベース基板とリッドとの間隔を一定にして、低融点ガラスを確実に存在させて接合する電子デバイスの製造方法が開示されている。 For such an electronic device, for example, Patent Document 1 discloses that a package can be manufactured by heating low melting point glass as a sealing material above its pour point in a reduced pressure atmosphere and bonding a base substrate and a lid. Disclosed. The low melting point glass described in Patent Document 1 contains a gap material, and this gap material makes the distance between the base substrate and the lid constant, and the electronic device is bonded with the low melting point glass reliably present. A manufacturing method is disclosed.

特開２０１４－３８９６９号公報Japanese Patent Application Publication No. 2014-38969

しかしながら、特許文献１に記載されている電子デバイスの製造方法では、低融点ガラスに接合機能を有していないギャップ材を入れることにより、低融点ガラスに含まれる接合機能を有する成分の含有量が減少し、ベース基板とリッドとの接合強度が低下するおそれがあった。 However, in the method for manufacturing an electronic device described in Patent Document 1, by adding a gap material that does not have a bonding function to the low melting point glass, the content of the component that has a bonding function contained in the low melting point glass is reduced. There was a risk that the bonding strength between the base substrate and the lid would decrease.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 The present invention has been made to solve at least part of the above-mentioned problems, and can be realized in the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る電子デバイスは、基体と、前記基体上に接合された機能素子と、接合材を介して前記基体上の接合部に接合され、前記機能素子を覆って前記基体との間に内部空間を形成している蓋体と、を備え、前記基体の前記蓋体側の面と前記蓋体の前記基体側の面とに当接された間隙部材を含んでおり、前記間隙部材の高さは、前記接合材の厚さより大きいことを特徴とする。 [Application Example 1] An electronic device according to this application example includes a base, a functional element bonded on the base, and a bonded portion on the base via a bonding material. a lid forming an internal space between the lid and the base, and a gap member abutted on a surface of the base on the lid side and a surface of the lid on the base side, The height of the gap member is greater than the thickness of the bonding material.

この構成によれば、接合材を介して、基体と蓋体とを接合する際に、間隙部材の高さにより、基体と蓋体との間隔が規定される。その結果、接合部に付与される接合材の量によらず、基体と蓋体との間に接合材を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。 According to this configuration, when the base body and the lid body are joined together via the bonding material, the distance between the base body and the lid body is defined by the height of the gap member. As a result, the bonding material can be reliably inserted at a constant height (amount) between the base and the lid, regardless of the amount of the bonding material applied to the joint portion.

従って、接合部に付与される接合材の量が規定量より多い場合であっても、基体と蓋体との間隔が大きくなることを抑制することができる。また、接合部に付与される接合材の量が規定量より少ない場合であっても、基体と蓋体との間隔が小さくなることを抑制することができる。その結果、基体と蓋体との間隔を一定にして確実に接合することができることから、接合強度の劣化を低減させて、信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。 Therefore, even if the amount of bonding material applied to the bonding portion is greater than the specified amount, it is possible to prevent the distance between the base body and the lid from increasing. Furthermore, even if the amount of bonding material applied to the bonding portion is less than the specified amount, it is possible to prevent the distance between the base body and the lid from becoming small. As a result, the base and the lid can be reliably joined with a constant distance between them, thereby reducing deterioration in joint strength and providing a highly reliable electronic device.

［適用例２］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記間隙部材の高さは、前記機能素子の厚さと略同じであることを特徴とする。 [Application Example 2] In the electronic device according to the above application example, the height of the gap member is substantially the same as the thickness of the functional element.

この構成によれば、間隙部材と機能素子とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。 According to this configuration, the gap member and the functional element can be easily formed all at once from the same substrate, and cost reduction can be achieved.

［適用例３］上記適用例に係る電子デバイスは、前記間隙部材は、前記機能素子と同じ材料で形成されていることを特徴とする。 [Application Example 3] The electronic device according to the above application example is characterized in that the gap member is made of the same material as the functional element.

この構成によれば、間隙部材を形成するためだけの製造工程を必要としないことで、コストアップさせずに間隙部材を得ることができる。 According to this configuration, a manufacturing process only for forming the gap member is not required, so that the gap member can be obtained without increasing costs.

［適用例４］上記適用例に係る電子デバイスは、前記間隙部材は、前記機能素子を囲んで配置されていることを特徴とする。 [Application Example 4] The electronic device according to the above application example is characterized in that the gap member is arranged to surround the functional element.

この構成によれば、接合材を介して、基体と蓋体とを接合する際に、機能素子の周囲に亘って、間隙部材の高さにより、基体と蓋体との間隔が規定される。その結果、接合部に付与される接合材の量によらず、機能素子の周囲に亘って、基体と蓋体との間に接合材を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。その結果、基体と蓋体とを確実に接合することができる。 According to this configuration, when the base and the lid are bonded via the bonding material, the distance between the base and the lid is defined by the height of the gap member around the functional element. As a result, regardless of the amount of bonding material applied to the joint, it is possible to reliably insert the bonding material at a constant height (amount) between the base and the lid around the functional element. can. As a result, the base and the lid can be reliably joined.

［適用例５］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記間隙部材は、シリコンを含んで形成されていることを特徴とする。 [Application Example 5] In the electronic device according to the above application example, the gap member is formed to include silicon.

この構成によれば、間隙部材を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で間隙部材を形成することができる。 According to this configuration, when forming the gap member, it is possible to apply processing techniques used for manufacturing silicon semiconductor devices. As a result, the gap member can be formed finely and with high accuracy.

［適用例６］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記蓋体は、シリコンを含んで形成されていることを特徴とする。 [Application Example 6] In the electronic device according to the above application example, the lid body is formed to include silicon.

この構成によれば、蓋体を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で蓋体を形成することができる。 According to this configuration, when forming the lid body, it is possible to apply processing techniques used for manufacturing silicon semiconductor devices. As a result, the lid can be formed finely and with high precision.

［適用例７］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記間隙部材は、前記蓋体と一体になっていることを特徴とする。 [Application Example 7] In the electronic device according to the above application example, the gap member is integrated with the lid body.

この構成によれば、間隙部材と蓋体とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。 According to this configuration, the gap member and the lid body can be easily formed all at once from the same substrate, and cost reduction can be achieved.

［適用例８］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基体は、ガラスを含んで形成されていることを特徴とする。 [Application Example 8] In the electronic device according to the above application example, the base body is formed to include glass.

この構成によれば、基体と機能素子との間に絶縁性を保つ際に、基体に絶縁膜を介在させる必要が無く、容易に絶縁分離をすることができる。 According to this configuration, when maintaining insulation between the base body and the functional element, there is no need to interpose an insulating film on the base body, and insulation separation can be easily performed.

［適用例９］上記適用例に係る電子デバイスは、前記接合材は、低融点ガラスを含んで形成されていることを特徴とする。 [Application Example 9] The electronic device according to the above application example is characterized in that the bonding material includes low melting point glass.

この構成によれば、基体と蓋体とを接合する際に、樹脂や金属やソーダガラスなどで接合する場合と比較して低温度で接合することができる。その結果、基体と蓋体とが高温にさらされることを低減し、破損を抑制することができる。 According to this configuration, the base and the lid can be joined at a lower temperature than when they are joined using resin, metal, soda glass, or the like. As a result, exposure of the base body and the lid body to high temperatures can be reduced, and damage can be suppressed.

［適用例１０］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、基体上に、機能素子を接合する第１接合工程と、間隙部材を形成するエッチング工程と、可撓性を有する接合材を介して、前記機能素子を覆って前記基体との間に内部空間を形成するように、前記基体の接合部に蓋体を接合する第２接合工程と、を備え、前記第２接合工程では、前記間隙部材を、前記基体の前記蓋体側の面と前記蓋体の前記基体側の面とに当接させるステップを含み、前記間隙部材の高さは、前記接合材の厚さより大きいことを特徴とする。 [Application Example 10] The method for manufacturing an electronic device according to this application example includes a first bonding step of bonding a functional element onto a substrate, an etching step of forming a gap member, and a flexible bonding material. a second bonding step of bonding a lid to a bonding portion of the base so as to cover the functional element and form an internal space between the base and the base; The method includes the step of bringing a gap member into contact with a surface of the base on the lid body side and a surface of the lid body on the base body side, and the height of the gap member is greater than the thickness of the bonding material. do.

この方法によれば、接合材を介して、基体と蓋体とを接合する際に、間隙部材の高さにより、基体と蓋体との間隔が規定される。その結果、接合部に付与される接合材の量によらず、基体と蓋体との間に一定の高さで接合材を確実に挿入することができる。 According to this method, when the base body and the lid body are joined together via the bonding material, the distance between the base body and the lid body is defined by the height of the gap member. As a result, the bonding material can be reliably inserted at a constant height between the base body and the lid body, regardless of the amount of the bonding material applied to the joint portion.

従って、接合部に付与される接合材の量が規定量より多い場合であっても、基体と蓋体との間隔が大きくなることを抑制することができる。また、接合部に付与される接合材の量が規定量より少ない場合でも、基体と蓋体との間隔が小さくなることを抑制することができる。その結果、基体と蓋体とを確実に接合することができることから、接合強度が劣化することを低減させて、信頼性の高い電子デバイスの製造方法を提供できる。 Therefore, even if the amount of bonding material applied to the bonding portion is greater than the specified amount, it is possible to prevent the distance between the base body and the lid from increasing. Furthermore, even if the amount of bonding material applied to the bonding portion is less than the specified amount, it is possible to prevent the distance between the base body and the lid from becoming small. As a result, since the base body and the lid body can be reliably joined, deterioration of the joint strength can be reduced, and a highly reliable method of manufacturing an electronic device can be provided.

［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする。 [Application Example 11] An electronic device according to this application example includes the electronic device described above.

このような電子機器によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることによって、信頼性の高い電子機器を得ることができる。 According to such electronic equipment, a highly reliable electronic equipment can be obtained by being equipped with the above-mentioned electronic device.

［適用例１２］本適用例に係る移動体は、上記に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする。 [Application Example 12] A mobile object according to this application example is characterized by including the electronic device described above.

このような移動体によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることによって、信頼性の高い移動体を得ることができる。 According to such a moving object, a highly reliable moving object can be obtained by mounting the above-mentioned electronic device.

電子デバイスの一例としての加速度センサーの概略構成を模式的に示す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing a schematic configuration of an acceleration sensor as an example of an electronic device. 加速度センサーの概略構成を模式的に示し、図１のＡ－Ａ線における正断面図。FIG. 2 is a front cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, schematically showing the general configuration of an acceleration sensor. 図２の間隙部材および突起部を拡大した正断面図。FIG. 3 is an enlarged front sectional view of the gap member and protrusion in FIG. 2; 本実施形態に係る加速度センサーの製造方法の概略を示すフローチャート。1 is a flowchart outlining a method for manufacturing an acceleration sensor according to the present embodiment. 加速度センサーの製造方法の工程フロー１を示す正断面図。FIG. 3 is a front cross-sectional view showing process flow 1 of the method for manufacturing an acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー２，４を示す正断面図。FIG. 4 is a front cross-sectional view showing process flows 2 and 4 of the method for manufacturing an acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー３を示す正断面図。FIG. 3 is a front cross-sectional view showing process flow 3 of the method for manufacturing an acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー５を示す正断面図。FIG. 7 is a front cross-sectional view showing process flow 5 of the method for manufacturing an acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー６を示す正断面図。FIG. 6 is a front cross-sectional view showing process flow 6 of the method for manufacturing an acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー７を示す正断面図。FIG. 7 is a front cross-sectional view showing process flow 7 of the method for manufacturing an acceleration sensor. 変形例１に係る加速度センサーを模式的に示し、間隙部材および突起部を拡大した正断面図。FIG. 7 is a front cross-sectional view schematically showing an acceleration sensor according to Modification Example 1 and enlarging a gap member and a protrusion. 変形例２に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 7 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to Modification 2; 変形例３に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。7 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to modification 3. FIG. 変形例４に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 7 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to modification example 4; 変形例５に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 7 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to modification 5; 変形例６に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 7 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to modification 6. 電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を模式的に示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic device including an electronic device. 電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を模式的に示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile phone (including a PHS) as an electronic device including an electronic device. 電子デバイスを備えている電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成を模式的に示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of a digital still camera as an electronic device including an electronic device. 電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を模式的に示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view schematically showing an automobile as an example of a moving object equipped with an electronic device.

以下、本実施形態について説明する。なお、以下で説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。また、以下では、説明の便宜上、各図において、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ軸方向側を「上」、－Ｚ軸方向側を「下」という。 This embodiment will be described below. Note that the present embodiment described below does not unduly limit the content of the present invention described in the claims. Furthermore, not all of the configurations described in this embodiment are essential components of the present invention. In addition, for convenience of explanation, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are illustrated as three mutually orthogonal axes in each figure below, and the direction parallel to the X-axis is referred to as the "X-axis direction" and the Y-axis The direction parallel to is called the "Y-axis direction," and the direction parallel to the Z-axis is called the "Z-axis direction." Further, the +Z-axis direction side is referred to as "upper", and the -Z-axis direction side is referred to as "lower".

＜実施形態＞
［加速度センサー］
図１～図３を用いて、本発明の実施形態に係る電子デバイスとしての加速度センサーの構造について説明する。図１および図２は、本実施形態に係る電子デバイスの一例としての加速度センサーの概略構成を模式的に示しており、図１は、平面図、図２は、図１のＡ－Ａ線における正断面図である。 <Embodiment>
[Accelerometer]
The structure of an acceleration sensor as an electronic device according to an embodiment of the present invention will be described using FIGS. 1 to 3. 1 and 2 schematically show a schematic configuration of an acceleration sensor as an example of an electronic device according to the present embodiment. FIG. 1 is a plan view, and FIG. FIG.

図１および図２に示すように、本実施形態に係る加速度センサー１００は、基体１０と、溝部１５と、配線２０と、外部接続端子３０と、蓋体５０と、接合材６０と、機能素子８０と、間隙部材９０と、を含んで構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the acceleration sensor 100 according to the present embodiment includes a base 10, a groove 15, a wiring 20, an external connection terminal 30, a lid 50, a bonding material 60, and a functional element. 80 and a gap member 90.

また、加速度センサー１００は、溝部１６，１７と、配線２２，２４と、外部接続端子３２，３４と、貫通孔５８と、封止部材７０とを含んでいる。なお、便宜上、図１では、蓋体５０、貫通孔５８、および封止部材７０を透視して図示している。 Further, the acceleration sensor 100 includes grooves 16 and 17, wirings 22 and 24, external connection terminals 32 and 34, a through hole 58, and a sealing member 70. For convenience, the lid 50, the through hole 58, and the sealing member 70 are shown in a transparent manner in FIG.

（基体）
基体１０は、ガラス（ホウ珪酸ガラス）で形成されている。基体１０の材質は、ガラスに限定されることなく、例えば、シリコンであってもよい。図２に示すように、基体１０は、基体１０の上面（以下、第１面１１と呼ぶ）と、第１面１１と反対側の下面（第２面１２と呼ぶ）と、を有している。第１面１１には、凹部１４が設けられている。 (Base)
The base body 10 is made of glass (borosilicate glass). The material of the base body 10 is not limited to glass, and may be silicon, for example. As shown in FIG. 2, the base 10 has an upper surface (hereinafter referred to as the first surface 11) and a lower surface opposite to the first surface 11 (hereinafter referred to as the second surface 12). There is. A recess 14 is provided on the first surface 11 .

凹部１４の＋Ｚ軸方向には、機能素子８０の可動部８６および可動電極部８７が配置され、可動部８６および可動電極部８７は、凹部１４によって基体１０に妨害されることなく、所望の方向に可動することができる。Ｚ軸方向から見た平面視において、凹部１４の形状は特に限定されないが、本実施形態では長方形である。 The movable part 86 and the movable electrode part 87 of the functional element 80 are arranged in the +Z-axis direction of the recess 14, and the movable part 86 and the movable electrode part 87 can be moved in a desired direction without being obstructed by the base 10 by the recess 14. can be moved to. In plan view from the Z-axis direction, the shape of the recess 14 is not particularly limited, but is rectangular in this embodiment.

溝部１５は、基体１０の第１面１１に設けられており、基体１０および蓋体５０によって囲まれる内部空間５６の内側から外側に向かって延在している。溝部１５は、例えば、配線２０および外部接続端子３０の平面形状に対応した平面形状を有している。 The groove portion 15 is provided on the first surface 11 of the base body 10 and extends from the inside of the internal space 56 surrounded by the base body 10 and the lid body 50 toward the outside. The groove portion 15 has a planar shape corresponding to the planar shape of the wiring 20 and the external connection terminal 30, for example.

同様に、溝部１６，１７は、基体１０の第１面１１に凹部１４の外周に沿うように設けられている。具体的に説明すると、溝部１６は、外部接続端子３２から－Ｘ軸方向に延在し、凹部１４の外周に沿って、凹部１４の＋Ｙ軸方向側、－Ｘ軸方向側を経て、－Ｙ軸方向側の最も＋Ｘ軸方向側に配置されている固定電極部８８まで設けられている。 Similarly, the grooves 16 and 17 are provided on the first surface 11 of the base 10 along the outer periphery of the recess 14 . Specifically, the groove 16 extends from the external connection terminal 32 in the −X-axis direction, and extends along the outer periphery of the recess 14 through the +Y-axis direction side and the −X-axis direction side of the recess 14, and extends from the −Y-axis direction. A fixed electrode portion 88 is provided, which is located closest to the +X-axis direction side in the axial direction.

溝部１７は、外部接続端子３４から－Ｘ軸方向に延在し、溝部１６の外側に沿って、凹部１４の＋Ｙ軸方向側、－Ｘ軸方向側を経て、－Ｙ軸方向側の最も＋Ｘ軸方向側に配置されている固定電極部８９まで設けられている。 The groove 17 extends from the external connection terminal 34 in the −X-axis direction, passes through the +Y-axis direction side of the recess 14, the −X-axis direction side, and the most + A fixed electrode portion 89 disposed on the axial side is also provided.

溝部１５，１６，１７の深さ（Ｚ軸方向の大きさ）は、配線２０，２２，２４および外部接続端子３０，３２，３４の厚み（Ｚ軸方向の大きさ）よりも大きい。これにより、配線２０，２２，２４および外部接続端子３０，３２，３４が、第１面１１よりも＋Ｚ軸方向に突出することを抑制することができる。 The depth (size in the Z-axis direction) of the groove portions 15, 16, 17 is larger than the thickness (size in the Z-axis direction) of the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34. Thereby, the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34 can be prevented from protruding beyond the first surface 11 in the +Z-axis direction.

（配線）
配線２０は、溝部１５内に設けられている。具体的には、配線２０は、溝部１５の底面を規定する基体１０の面に設けられている。配線２０は、機能素子８０と外部接続端子３０とを電気的に接続している。配線２０は、溝部１５内に設けられたコンタクト部４０を介して、機能素子８０の固定部８１に接続されている。 (wiring)
The wiring 20 is provided within the groove 15. Specifically, the wiring 20 is provided on the surface of the base 10 that defines the bottom surface of the groove 15 . The wiring 20 electrically connects the functional element 80 and the external connection terminal 30. The wiring 20 is connected to the fixed part 81 of the functional element 80 via the contact part 40 provided in the groove part 15 .

配線２２は、溝部１６内に設けられている。具体的には、配線２２は、溝部１６の底面を規定する基体１０の面に設けられている。配線２２は、機能素子８０と外部接続端子３２とを電気的に接続している。配線２２は、コンタクト部４２を介して、機能素子８０の固定電極部８８に接続されている。 The wiring 22 is provided within the groove 16. Specifically, the wiring 22 is provided on the surface of the base 10 that defines the bottom surface of the groove 16. The wiring 22 electrically connects the functional element 80 and the external connection terminal 32. The wiring 22 is connected to the fixed electrode section 88 of the functional element 80 via the contact section 42 .

配線２４は、溝部１７内に設けられている。具体的には、配線２４は、溝部１７の底面を規定する基体１０の面に設けられている。配線２４は、機能素子８０と外部接続端子３４とを電気的に接続している。配線２４は、コンタクト部４４を介して、機能素子８０の固定電極部８９に接続されている。 The wiring 24 is provided within the groove 17. Specifically, the wiring 24 is provided on the surface of the base 10 that defines the bottom surface of the groove 17. The wiring 24 electrically connects the functional element 80 and the external connection terminal 34. The wiring 24 is connected to a fixed electrode section 89 of the functional element 80 via the contact section 44 .

外部接続端子３０は、溝部１５内の配線２０上に設けられている。外部接続端子３０は、内部空間５６の外側に配置されており、Ｚ軸方向から見た平面視において、蓋体５０の端子孔５５と重なる位置に設けられている。端子孔５５は、外部装置（図示せず）と外部接続端子３０とを接続するために、蓋体５０をＺ軸方向に貫通させた孔である。 The external connection terminal 30 is provided on the wiring 20 within the groove portion 15 . The external connection terminal 30 is disposed outside the internal space 56, and is provided at a position overlapping the terminal hole 55 of the lid body 50 when viewed from above in the Z-axis direction. The terminal hole 55 is a hole that penetrates the lid body 50 in the Z-axis direction in order to connect an external device (not shown) and the external connection terminal 30.

同様に、外部接続端子３２は、溝部１６内の配線２２上に設けられており、外部接続端子３４は、溝部１７内の配線２４上に設けられている。外部接続端子３２，３４は、内部空間５６の外側に配置されている。外部接続端子３０，３２，３４は、Ｙ軸方向に沿って並んで配置されている。 Similarly, the external connection terminal 32 is provided on the wiring 22 in the groove 16, and the external connection terminal 34 is provided on the wiring 24 in the groove 17. The external connection terminals 32 and 34 are arranged outside the internal space 56. The external connection terminals 30, 32, and 34 are arranged side by side along the Y-axis direction.

配線２０，２２，２４、および外部接続端子３０，３２，３４の材質は、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、アルミニウム、金、白金、チタン、タングステン、クロムなどである。コンタクト部４０，４２，４４の材質は、例えば、金、銅、アルミニウム、白金、チタン、タングステン、クロムなどである。 The materials of the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34 include, for example, ITO (Indium Tin Oxide), aluminum, gold, platinum, titanium, tungsten, and chromium. The material of the contact parts 40, 42, 44 is, for example, gold, copper, aluminum, platinum, titanium, tungsten, chromium, or the like.

配線２０，２２，２４、および外部接続端子３０，３２，３４の材質が、ＩＴＯなどの透明電極材料であると、基体１０が透明である場合に、例えば、配線２０，２２，２４上や外部接続端子３０，３２，３４上に存在する異物を、基体１０の第２面１２側から容易に確認することができる。 If the wires 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34 are made of a transparent electrode material such as ITO, when the base 10 is transparent, for example, Foreign matter present on the connection terminals 30, 32, and 34 can be easily confirmed from the second surface 12 side of the base body 10.

なお、上記では、一例として、３つの配線２０，２２，２４および３つの外部接続端子３０，３２，３４を備える加速度センサー１００について説明したが、配線および外部接続端子の数は、機能素子８０の形状や数によって適宜変更することができる。 Note that although the acceleration sensor 100 including three wirings 20, 22, 24 and three external connection terminals 30, 32, 34 has been described above as an example, the number of wirings and external connection terminals varies depending on the number of wirings and external connection terminals of the functional element 80. The shape and number can be changed as appropriate.

（蓋体）
蓋体５０は、接合材６０を介して、基体１０の第１面１１上に接合され、機能素子８０を覆って基体１０との間に内部空間５６を形成している。蓋体５０は、シリコンで形成されている。 (lid body)
The lid body 50 is bonded to the first surface 11 of the base body 10 via the bonding material 60, covers the functional element 80, and forms an internal space 56 between the lid body 50 and the base body 10. The lid body 50 is made of silicon.

蓋体５０は、蓋体５０の上面（以下、第３面５１と呼ぶ）と、第３面５１と反対側の下面（第４面５２と呼ぶ）と、を有している。第４面５２には、凹部５７が設けられている。また、蓋体５０の凹部５７は、機能素子８０を収容する内部空間５６を規定する第５面５４を有している。内部空間５６は、例えば、窒素ガスのような不活性ガス雰囲気や減圧状態で密閉されている。 The lid 50 has an upper surface (hereinafter referred to as the third surface 51) of the lid 50 and a lower surface opposite to the third surface 51 (referred to as the fourth surface 52). A recess 57 is provided in the fourth surface 52 . Further, the recess 57 of the lid 50 has a fifth surface 54 that defines an internal space 56 in which the functional element 80 is accommodated. The internal space 56 is sealed, for example, in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or in a reduced pressure state.

突起部５３は、蓋体５０のうち－Ｚ軸方向に突出している部分であり、蓋体５０の外周部に設けられている。 The protrusion 53 is a portion of the lid 50 that protrudes in the −Z-axis direction, and is provided on the outer periphery of the lid 50.

（接合材）
基体１０と蓋体５０とは、接合部６１において、接合材６０によって接合されている。
接合材６０としては、例えば、低融点ガラスが挙げられる。なお、接合材６０は、特に限定されず、例えば、鉛珪酸（ＰｂＯ－ＳｉＯ₂）塩、ホウ酸（Ｂ₂Ｏ₃）塩、リン酸（Ｐ₂Ｏ₅）塩、ゲルマン酸（ＧｅＯ₂）塩、タリウム酸（Ｔｌ₂Ｏ）塩、モリブデン酸（ＭｏＯ₃）塩、テルル酸（ＴｅＯ₂）塩、バナジウム酸（Ｖ₂Ｏ₅）塩などが挙げられる。 (bonding material)
The base body 10 and the lid body 50 are joined together at a joining part 61 using a joining material 60 .
As the bonding material 60, for example, low melting point glass can be used. Note that the bonding material 60 is not particularly limited, and includes, for example, lead silicate (PbO-SiO ₂ ) salt, boric acid (B ₂ O ₃ ) salt, phosphoric acid (P ₂ O ₅ ) salt, and germanic acid (GeO ₂ ). salts, thallic acid (Tl ₂ O) salts, molybdic acid (MoO ₃ ) salts, telluric acid (TeO ₂ ) salts, vanadate acid (V ₂ O ₅ ) salts, and the like.

これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて、つまり、混合または積層して用いることができる。接合材６０の構成材料は、基体１０や蓋体５０の材料に応じて適宜決定すればよい。 One of these may be used alone or two or more may be used in combination, that is, in a mixture or in a stacked manner. The constituent material of the bonding material 60 may be appropriately determined depending on the materials of the base body 10 and the lid body 50.

（貫通孔）
貫通孔５８は、蓋体５０の第３面５１から第５面５４まで、蓋体５０をＺ軸方向に貫通しており、内部空間５６と連通している。貫通孔５８は、第３面５１から第５面５４に向かうにつれて、開口径が小さくなるテーパー形状になっている。 (through hole)
The through hole 58 passes through the lid 50 in the Z-axis direction from the third surface 51 to the fifth surface 54 of the lid 50 and communicates with the internal space 56 . The through hole 58 has a tapered shape whose opening diameter decreases from the third surface 51 toward the fifth surface 54.

こうすることによって、後述する半田ボールを溶融する時に、半田ボールの落下を防止することができる。また、第３面５１から第５面５４に向かうにつれて、開口面積が狭くなっていく構造のため、より確実に封止することができる。 By doing so, it is possible to prevent the solder balls from falling when melting the solder balls, which will be described later. Moreover, since the opening area becomes narrower from the third surface 51 toward the fifth surface 54, more reliable sealing can be achieved.

封止部材７０は、貫通孔５８内に設けられ貫通孔５８を塞いでいる。封止部材７０によって、内部空間５６は、密閉されている。封止部材７０の材質は、例えば、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＳｎＰｂ、ＰｂＡｇ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＺｎＢｉなどの合金である。 The sealing member 70 is provided within the through hole 58 and closes the through hole 58. The interior space 56 is sealed by the sealing member 70 . The material of the sealing member 70 is, for example, an alloy such as AuGe, AuSi, AuSn, SnPb, PbAg, SnAgCu, or SnZnBi.

貫通孔５８および封止部材７０が設けられていることにより、貫通孔５８を通して、内部空間５６を、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気とすることができる。また、貫通孔５８を通して、内部空間５６の真空度を調整することができる。 By providing the through hole 58 and the sealing member 70, the interior space 56 can be made into an inert gas atmosphere such as nitrogen gas through the through hole 58. Further, the degree of vacuum in the internal space 56 can be adjusted through the through hole 58.

（機能素子）
機能素子８０は、内部空間５６に収容されており、基体１０の第１面１１に接合されている。以下では、機能素子８０が、水平方向（Ｘ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー素子（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）である場合について説明する。 (Functional element)
The functional element 80 is housed in the internal space 56 and bonded to the first surface 11 of the base 10 . In the following, a case will be described in which the functional element 80 is an acceleration sensor element (capacitive MEMS acceleration sensor element) that detects acceleration in the horizontal direction (X-axis direction).

機能素子８０は、固定部８１，８２と、連結部８４，８５と、可動部８６と、可動電極部８７と、固定電極部８８，８９と、を含んでいる。機能素子８０の材質は、例えば、リン、ボロンなどの不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。 The functional element 80 includes fixed parts 81 and 82, connecting parts 84 and 85, a movable part 86, a movable electrode part 87, and fixed electrode parts 88 and 89. The material of the functional element 80 is, for example, silicon doped with impurities such as phosphorus and boron to provide conductivity.

固定部８１，８２は、基体１０の第１面１１に接合されている。固定部８１，８２は、Ｚ軸方向から見た平面視において、凹部１４の外周縁を跨ぐように設けられている。 The fixing parts 81 and 82 are joined to the first surface 11 of the base body 10. The fixing parts 81 and 82 are provided so as to straddle the outer peripheral edge of the recessed part 14 when viewed from above in the Z-axis direction.

連結部８４，８５は、可動部８６を固定部８１，８２に連結している。連結部８４，８５は、所望のばね定数を持ち、可動部８６がＸ軸方向に変位するように構成されている。 Connecting parts 84 and 85 connect movable part 86 to fixed parts 81 and 82. The connecting parts 84 and 85 have a desired spring constant and are configured so that the movable part 86 is displaced in the X-axis direction.

連結部８４は、Ｙ軸方向に蛇行しながら、Ｘ軸方向に延びる形状をなす２つの梁８４ａ，８４ｂによって構成されている。同様に、連結部８５は、Ｙ軸方向に蛇行しながら、Ｘ軸方向に延びる形状をなす２つの梁８５ａ，８５ｂによって構成されている。 The connecting portion 84 is composed of two beams 84a and 84b that extend in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction. Similarly, the connecting portion 85 is composed of two beams 85a and 85b that extend in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction.

可動部８６は、固定部８１と固定部８２との間に設けられている。Ｚ軸方向から見た平面視において、可動部８６は、Ｘ軸方向に沿った長辺を有する長方形である。 The movable part 86 is provided between the fixed part 81 and the fixed part 82. In plan view from the Z-axis direction, the movable portion 86 is a rectangle with long sides along the X-axis direction.

可動部８６は、Ｘ軸方向の加速度の変化に応じて、連結部８４，８５を弾性変形させながら、＋Ｘ軸方向または－Ｘ軸方向に変位する。このような変位に伴って、可動電極部８７と固定電極部８８との間の隙間の大きさ、および可動電極部８７と固定電極部８９との間の隙間の大きさが変化する。 The movable portion 86 is displaced in the +X-axis direction or the −X-axis direction while elastically deforming the connecting portions 84 and 85 in response to changes in acceleration in the X-axis direction. With such displacement, the size of the gap between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 88 and the size of the gap between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 89 change.

すなわち、このような変位に伴って、可動電極部８７と固定電極部８８との間の静電容量の大きさ、および可動電極部８７と固定電極部８９との間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、機能素子８０は、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。 That is, with such displacement, the magnitude of the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 88 and the magnitude of the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 89 decrease. changes. Based on these changes in capacitance, the functional element 80 can detect acceleration in the X-axis direction.

可動電極部８７は、可動部８６に接続されており、複数設けられている。可動電極部８７は、可動部８６から＋Ｙ軸方向および－Ｙ軸方向に突出し、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に沿って並んでいる。 The movable electrode section 87 is connected to the movable section 86, and a plurality of movable electrode sections 87 are provided. The movable electrode portions 87 protrude from the movable portion 86 in the +Y-axis direction and the −Y-axis direction, and are arranged along the X-axis direction in a comb-like shape.

固定電極部８８，８９は、一方の端部が固定端として、基体１０の第１面１１に接合され、他方の端部が自由端として、可動部８６側へ延出している。固定電極部８８は、配線２２と電気的に接続され、固定電極部８９は、配線２４と電気的に接続されている。 The fixed electrode parts 88 and 89 have one end connected to the first surface 11 of the base 10 as a fixed end, and the other end as a free end extending toward the movable part 86 side. The fixed electrode section 88 is electrically connected to the wiring 22, and the fixed electrode section 89 is electrically connected to the wiring 24.

固定電極部８８，８９は、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に交互にそれぞれ複数並んでいる。固定電極部８８，８９は、可動電極部８７に対して間隔を隔てて対向して設けられ、可動電極部８７の－Ｘ軸方向側に固定電極部８８が配置され、＋Ｘ軸方向側に固定電極部８９が配置されている。 A plurality of fixed electrode portions 88 and 89 are arranged alternately in the X-axis direction so as to form a comb-teeth shape. The fixed electrode parts 88 and 89 are provided to face the movable electrode part 87 at a distance, with the fixed electrode part 88 being arranged on the -X axis direction side of the movable electrode part 87, and the fixed electrode part 89 being fixed on the +X axis direction side of the movable electrode part 87. An electrode section 89 is arranged.

固定部８１，８２、連結部８４，８５、可動部８６、および可動電極部８７は、一体で形成されている。 The fixed parts 81, 82, the connecting parts 84, 85, the movable part 86, and the movable electrode part 87 are integrally formed.

基体１０と機能素子８０（固定部８１，８２および固定電極部８８，８９）との接合方法は、例えば、基体１０の材質がアルカリ金属イオンを有するガラスであり、機能素子８０の材質がシリコンである場合は、陽極接合法を適用することができる。本実施形態においては、陽極接合によって基体１０と機能素子８０とが接合されている。 The method for joining the base body 10 and the functional element 80 (fixed parts 81, 82 and fixed electrode parts 88, 89) is, for example, when the material of the base body 10 is glass containing alkali metal ions, and the material of the functional element 80 is silicon. In some cases, anodic bonding can be applied. In this embodiment, the base 10 and the functional element 80 are bonded together by anodic bonding.

加速度センサー１００では、外部接続端子３０，３２を用いることにより、可動電極部８７と固定電極部８８との間の静電容量を測定することができる。さらに、加速度センサー１００では、外部接続端子３０，３４を用いることにより、可動電極部８７と固定電極部８９との間の静電容量を測定することができる。 In the acceleration sensor 100, the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 88 can be measured by using the external connection terminals 30 and 32. Furthermore, in the acceleration sensor 100, the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 89 can be measured by using the external connection terminals 30 and 34.

このように加速度センサー１００では、可動電極部８７と固定電極部８８との間の静電容量、および可動電極部８７と固定電極部８９との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に加速度を検出することができる。 In this manner, in the acceleration sensor 100, the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 88 and the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 89 are measured separately, and the capacitance between the movable electrode section 87 and the fixed electrode section 89 is measured separately. Based on the measurement results, acceleration can be detected with high accuracy.

なお、上記では、機能素子８０が、Ｘ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子である場合について説明したが、機能素子８０は、Ｙ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子であってもよいし、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー素子であってもよい。 In addition, although the case where the functional element 80 is an acceleration sensor element that detects acceleration in the X-axis direction has been described above, the functional element 80 may be an acceleration sensor element that detects acceleration in the Y-axis direction. However, it may be an acceleration sensor element that detects acceleration in the vertical direction (Z-axis direction).

また、機能素子８０は、加速度センサー素子に限定されず、例えば、角速度を検出するジャイロセンサー素子や、圧力を検出する圧力センサー素子であってもよい。また、加速度センサー１００には、このような機能素子８０が複数搭載されていてもよいし、異なる機能を有する素子が組み合わされていてもよい。 Further, the functional element 80 is not limited to an acceleration sensor element, and may be, for example, a gyro sensor element that detects angular velocity or a pressure sensor element that detects pressure. Further, the acceleration sensor 100 may be equipped with a plurality of such functional elements 80, or may be a combination of elements having different functions.

（間隙部材）
次に、間隙部材９０について、図２、図３を用いて説明する。図３は、図２の間隙部材および突起部を拡大した正断面図である。図２および図３に示すように、本実施形態の間隙部材９０は、Ｚ軸方向から見た平面視において、基体１０の第１面１１の機能素子８０の外側に、機能素子８０を挟んで対向する位置に配置されており、基体１０の第１面１１と蓋体５０の第４面５２とに当接して設けられている。 (Gap member)
Next, the gap member 90 will be explained using FIGS. 2 and 3. FIG. 3 is an enlarged front sectional view of the gap member and protrusion of FIG. 2. FIG. As shown in FIGS. 2 and 3, the gap member 90 of the present embodiment is arranged on the outside of the functional element 80 on the first surface 11 of the base 10, with the functional element 80 sandwiched therebetween, in a plan view from the Z-axis direction. They are arranged at opposing positions and are provided in contact with the first surface 11 of the base body 10 and the fourth surface 52 of the lid body 50.

間隙部材９０のＺ軸方向の長さ（以下、高さという）ｈ１は、接合材６０の高さ、つまり、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２より高くなっている（ｈ１＞ｈ２）。突起部５３の高さｈ３は、間隙部材９０の高さｈ１より低くなっている（ｈ１＞ｈ３）。接合材６０の高さｈ２と突起部５３の高さｈ３とを合わせると、間隙部材９０の高さｈ１に一致している（ｈ１＝ｈ２＋ｈ３）。 The length h1 of the gap member 90 in the Z-axis direction (hereinafter referred to as height) is higher than the height of the bonding material 60, that is, the distance h2 between the base body 10 and the lid body 50 (h1>h2). The height h3 of the protrusion 53 is lower than the height h1 of the gap member 90 (h1>h3). The height h2 of the bonding material 60 and the height h3 of the projection 53 match the height h1 of the gap member 90 (h1=h2+h3).

接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２は、基体１０と蓋体５０との接合強度の観点から決定される。本実施形態では、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２は、１０μｍ程度である。 The height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base 10 and the lid 50) is determined from the viewpoint of the bonding strength between the base 10 and the lid 50. In this embodiment, the height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base body 10 and the lid body 50) is approximately 10 μm.

同様に、突起部５３の高さｈ３は、機能素子８０の厚みを考慮して決定される。間隙部材９０の高さｈ１は、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２と、突起部５３の高さｈ３とによって、決定される。 Similarly, the height h3 of the protrusion 53 is determined in consideration of the thickness of the functional element 80. The height h1 of the gap member 90 is determined by the height h2 of the bonding material 60 (distance between the base 10 and the lid 50) and the height h3 of the protrusion 53.

このとき、間隙部材９０の高さｈ１は、機能素子８０の厚さと同じであってもよい。一例として、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２が１０μｍ、突起部５３の高さｈ３が２０μｍの場合には、間隙部材９０の高さｈ１は３０μｍとなる。 At this time, the height h1 of the gap member 90 may be the same as the thickness of the functional element 80. As an example, when the height h2 of the bonding material 60 (distance between the base 10 and the lid 50) is 10 μm and the height h3 of the protrusion 53 is 20 μm, the height h1 of the gap member 90 is 30 μm.

また、間隙部材９０のＹ軸方向の長さ（以下、幅という）Ｗ１は、５０μｍ程度であり、接合材６０の幅Ｗ２は２００μｍ程度であり、突起部５３の幅Ｗ３は２００μｍ程度であることが望ましい。 Further, the length (hereinafter referred to as width) W1 of the gap member 90 in the Y-axis direction is approximately 50 μm, the width W2 of the bonding material 60 is approximately 200 μm, and the width W3 of the protrusion 53 is approximately 200 μm. is desirable.

間隙部材９０の幅Ｗ１、接合材６０の幅Ｗ２、および突起部５３の幅Ｗ３が大きすぎると機能素子８０に接触してしまい、検出精度が低下するおそれがある。一方、間隙部材９０の幅Ｗ１、接合材６０の幅Ｗ２、および突起部５３の幅Ｗ３が小さすぎると、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２を規定することが難しい。 If the width W1 of the gap member 90, the width W2 of the bonding material 60, and the width W3 of the protrusion 53 are too large, they may come into contact with the functional element 80, resulting in a decrease in detection accuracy. On the other hand, if the width W1 of the gap member 90, the width W2 of the bonding material 60, and the width W3 of the protrusion 53 are too small, the height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base 10 and the lid 50) cannot be defined. is difficult.

間隙部材９０の材質は、例えば、ガラス（ホウ珪酸ガラス）、シリコンなどを挙げることができる。間隙部材９０は、機能素子８０と同じ材料で形成されていてもよく、例えば、リン、ボロンなどの不純物をドープされることにより導電性が付与されたシリコンで構成されていてもよい。 Examples of the material of the gap member 90 include glass (borosilicate glass) and silicon. The gap member 90 may be made of the same material as the functional element 80, and may be made of, for example, silicon doped with impurities such as phosphorus or boron to provide conductivity.

［加速度センサーの製造方法］
次に、本実施形態に係る電子デバイスとしての加速度センサー１００の製造方法について、図４～図１０を参照しながら説明する。図４は、本実施形態に係る加速度センサーの製造方法の概略を示すフローチャートである。図５～図１０は、加速度センサーの製造方法を示す工程フロー図（各工程における加速度センサーを模式的に示す正断面図）であり、図５は、工程フロー１を示し、図６は、工程フロー２，４を示し、図７は、工程フロー３を示し、図８は、工程フロー５を示し、図９は、工程フロー６を示し、図１０は、工程フロー７を示している。なお、図５～図１０の各図における断面位置は、図２と同様である。 [Manufacturing method of acceleration sensor]
Next, a method for manufacturing the acceleration sensor 100 as an electronic device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 4 to 10. FIG. 4 is a flowchart outlining the method for manufacturing an acceleration sensor according to this embodiment. 5 to 10 are process flow diagrams (front cross-sectional views schematically showing the acceleration sensor in each process) showing a method for manufacturing an acceleration sensor, FIG. 5 shows process flow 1, and FIG. Flows 2 and 4 are shown, FIG. 7 is a process flow 3, FIG. 8 is a process flow 5, FIG. 9 is a process flow 6, and FIG. 10 is a process flow 7. Note that the cross-sectional positions in each of FIGS. 5 to 10 are the same as in FIG. 2.

図４に示すように、加速度センサー１００の製造方法は、準備工程として、基体準備工程（ステップＳ１０１）と、シリコン基板準備工程（ステップＳ１０２）と、蓋体準備工程（ステップＳ１０３）とを含んでいる。 As shown in FIG. 4, the method for manufacturing the acceleration sensor 100 includes a base preparation step (step S101), a silicon substrate preparation step (step S102), and a lid preparation step (step S103) as preparation steps. There is.

また、加速度センサー１００の製造方法は、第１接合工程（ステップＳ１０４）と、エッチング工程（ステップＳ１０５）と、第２接合工程（ステップＳ１０６）と、を含んでいる。さらに、加速度センサー１００の製造方法は、封止工程（ステップＳ１０７）を含んでいてもよい。 Furthermore, the method for manufacturing the acceleration sensor 100 includes a first bonding process (step S104), an etching process (step S105), and a second bonding process (step S106). Furthermore, the method for manufacturing the acceleration sensor 100 may include a sealing step (step S107).

（１）基体準備工程（ステップＳ１０１）
図５に示すように、基体１０を準備する。基体１０の第１面１１に、凹部１４および溝部１５，１６，１７を形成する（図１参照）。凹部１４および溝部１５，１６，１７は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により形成される。基体１０は、例えば、アルカリ金属イオンを有する、例えば、ホウ珪酸ガラス製で形成されている。 (1) Substrate preparation step (step S101)
As shown in FIG. 5, a base 10 is prepared. A recess 14 and grooves 15, 16, and 17 are formed on the first surface 11 of the base 10 (see FIG. 1). The recess 14 and the grooves 15, 16, and 17 are formed by, for example, photolithography and etching. The base body 10 is made of, for example, borosilicate glass containing, for example, alkali metal ions.

溝部１５，１６，１７内に、それぞれ配線２０，２２，２４を形成する。次に、基体１０の第１面１１側の配線２０上に、配線２０と電気的に接続されるように、外部接続端子３０およびコンタクト部４０を形成する。 Wirings 20, 22, and 24 are formed in the grooves 15, 16, and 17, respectively. Next, external connection terminals 30 and contact portions 40 are formed on the wiring 20 on the first surface 11 side of the base 10 so as to be electrically connected to the wiring 20.

同様に、配線２２上に、配線２２と電気的に接続されるように、外部接続端子３２およびコンタクト部４２を形成する（図１参照）。また、配線２４上に、配線２４と電気的に接続されるように、外部接続端子３４およびコンタクト部４４を形成する（図１参照）。 Similarly, external connection terminals 32 and contact portions 42 are formed on the wiring 22 so as to be electrically connected to the wiring 22 (see FIG. 1). Further, external connection terminals 34 and contact portions 44 are formed on the wiring 24 so as to be electrically connected to the wiring 24 (see FIG. 1).

配線２０，２２，２４は、例えば、導電層（図示せず）を、スパッタ法やＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって成膜した後、該導電層を、パターニングすることにより形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。 The wirings 20, 22, and 24 are formed, for example, by forming a conductive layer (not shown) by sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition), or the like, and then patterning the conductive layer. Patterning is performed using photolithography and etching techniques.

別の方法としては、フォトレジストでパターニング後に導電膜を成膜し、フォトレジストと同時に不要な膜を剥離することで配線を形成するリフトオフ法で行うこともできる。
外部接続端子３０，３２，３４およびコンタクト部４０，４２，４４は、例えば、配線２０，２２，２４と同じ方法で形成される。 Another method is a lift-off method in which a conductive film is formed after patterning with a photoresist, and an unnecessary film is peeled off at the same time as the photoresist to form wiring.
The external connection terminals 30, 32, 34 and the contact portions 40, 42, 44 are formed, for example, by the same method as the wirings 20, 22, 24.

以上の工程により、凹部１４、配線２０，２２，２４、外部接続端子３０，３２，３４、およびコンタクト部４０，４２，４４などが設けられた基体１０を準備する。 Through the above steps, the base 10 provided with the recess 14, the wirings 20, 22, 24, the external connection terminals 30, 32, 34, the contact parts 40, 42, 44, etc. is prepared.

（２）シリコン基板準備工程（ステップＳ１０２）
図６に示すように、機能素子８０を形成する元基板としてのシリコン基板８を基体１０上に載置して準備する。 (2) Silicon substrate preparation process (step S102)
As shown in FIG. 6, a silicon substrate 8 as a source substrate on which a functional element 80 is to be formed is placed on a base 10 and prepared.

（３）蓋体準備工程（ステップＳ１０３）
図７に示すように、蓋体５０を準備する。蓋体５０の材質は、例えば、シリコン、ガラスなどを適用することができる。基体１０と蓋体５０との間に内部空間５６を形成する凹部５７や、第３面５１から第５面５４に貫通する貫通孔５８を形成する。凹部５７や貫通孔５８の形成には、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を適用することができる。 (3) Lid body preparation process (step S103)
As shown in FIG. 7, a lid 50 is prepared. The material of the lid body 50 may be, for example, silicon, glass, or the like. A recess 57 forming an internal space 56 between the base 10 and the lid 50 and a through hole 58 penetrating from the third surface 51 to the fifth surface 54 are formed. Photolithography technology and etching technology can be applied to forming the recess 57 and the through hole 58.

（４）第１接合工程（ステップＳ１０４）
また、図６に示すように、シリコン基板準備工程（ステップＳ１０２）で準備したシリコン基板８を陽極接合によって基体１０に接合する。陽極接合の条件としては、例えば、３００℃程度の加熱を行いながら、８００Ｖから１ｋＶ程度の直流電圧を印加することが好ましい。
なお、陽極接合における加熱温度は、２５０℃から５００℃程度の範囲を適用することができる。よって、基体１０とシリコン基板８の接する部分の領域とが接合される。 (4) First joining process (step S104)
Further, as shown in FIG. 6, the silicon substrate 8 prepared in the silicon substrate preparation step (step S102) is bonded to the base body 10 by anodic bonding. As conditions for anodic bonding, for example, it is preferable to apply a DC voltage of about 800 V to 1 kV while heating to about 300° C.
Note that the heating temperature in anodic bonding can range from about 250°C to 500°C. Therefore, the region where the base body 10 and the silicon substrate 8 are in contact with each other is bonded.

基体１０とシリコン基板８（機能素子８０）とを陽極接合することにより、接合強度を高め、安定した接合を行うことができる。これにより、シリコン基板８に対してエッチングなどを行うことが可能となる。 By anodic bonding the base body 10 and the silicon substrate 8 (functional element 80), bonding strength can be increased and stable bonding can be performed. This makes it possible to perform etching and the like on the silicon substrate 8.

（５）エッチング工程（ステップＳ１０５）
図８に示すように、第１接合工程（ステップＳ１０４）において基体１０に陽極接合されたシリコン基板８にパターニングして、機能素子８０（図１および図２参照）、間隙部材９０（図１および図２参照）を形成する。 (5) Etching process (step S105)
As shown in FIG. 8, the silicon substrate 8 anodically bonded to the base 10 in the first bonding step (step S104) is patterned to include functional elements 80 (see FIGS. 1 and 2) and gap members 90 (see FIGS. 1 and 2). (see Figure 2).

パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチングもしくはウエットエッチングを用いることができる。好適には、誘電結合プラズマ（ＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ））技術を使ったドライエッチング法を用いる。なお、パターニング前にシリコン基板８を所望の厚さに薄くしてもよい。 For patterning, photolithography technique and dry etching or wet etching can be used. Preferably, a dry etching method using an inductively coupled plasma (ICP) technique is used. Note that the silicon substrate 8 may be thinned to a desired thickness before patterning.

（６）第２接合工程（ステップＳ１０６）
図９に示すように、蓋体準備工程（ステップＳ１０３）で準備した蓋体５０の突起部５３の下面に接合材６０としての低融点ガラスをスクリーン印刷法を用いて塗布し、蓋体５０を基体１０に接合する。 (6) Second bonding process (step S106)
As shown in FIG. 9, low-melting glass as a bonding material 60 is applied to the lower surface of the protrusion 53 of the lid 50 prepared in the lid preparation step (step S103) using a screen printing method, and the lid 50 is attached. It is bonded to the base body 10.

具体的には、蓋体５０は、エッチング工程（ステップＳ１０５）で形成された機能素子８０を内部空間５６内に収納し、間隙部材９０の一方の端を、基体１０の蓋体５０側の面に当接させ、間隙部材９０の他方の端を、蓋体５０の基体１０側の面とに当接させる。このとき、間隙部材９０の高さは、接合材６０の厚さより大きいことが好ましい。 Specifically, the lid 50 accommodates the functional element 80 formed in the etching process (step S105) in the internal space 56, and connects one end of the gap member 90 to the surface of the base 10 on the lid 50 side. and the other end of the gap member 90 is brought into contact with the surface of the lid body 50 on the base body 10 side. At this time, the height of the gap member 90 is preferably greater than the thickness of the bonding material 60.

その後、低融点ガラスを介して基体１０と蓋体５０とを重ねて熱処理を行う。これにより、低融点ガラスを介して、基体１０と蓋体５０とを接合強度を高め、安定した接合を行うことができる。これにより、蓋体５０による気密封止を確実に行うことができる。 Thereafter, the base body 10 and the lid body 50 are stacked on each other with a low melting point glass interposed therebetween, and heat treatment is performed. Thereby, the bonding strength between the base body 10 and the lid body 50 can be increased through the low melting point glass, and stable bonding can be performed. Thereby, the hermetic sealing by the lid body 50 can be reliably performed.

（７）封止工程（ステップＳ１０７）
図１０に示すように、貫通孔５８によって、内部空間５６の雰囲気を調整し、貫通孔５８を封止部材７０で塞ぐことによって内部空間５６を密封する。このとき、例えば、貫通孔５８を通して、内部空間５６を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気にしてもよいし、減圧状態にしてもよい。 (7) Sealing process (step S107)
As shown in FIG. 10, the atmosphere of the internal space 56 is adjusted by the through hole 58, and the internal space 56 is sealed by closing the through hole 58 with a sealing member 70. At this time, for example, the internal space 56 may be made into an inert gas (nitrogen gas) atmosphere through the through hole 58, or may be made into a reduced pressure state.

例えば、機能素子８０が加速度センサー素子である場合、内部空間５６は、減圧状態であることが望ましい。これにより、加速度センサー素子の振動現象が空気粘性によって減衰することを抑制できる。 For example, when the functional element 80 is an acceleration sensor element, it is desirable that the internal space 56 be in a reduced pressure state. Thereby, it is possible to suppress the vibration phenomenon of the acceleration sensor element from being attenuated by air viscosity.

具体的には、貫通孔５８内に球状の半田ボール（図示せず）を配置し、半田ボールをレーザー光の照射によって溶融させることによって、封止部材７０が形成される。 Specifically, the sealing member 70 is formed by placing a spherical solder ball (not shown) in the through hole 58 and melting the solder ball by irradiation with laser light.

なお、貫通孔５８を設けなくても、第２接合工程（ステップＳ１０６）を減圧した雰囲気で実施することにより、内部空間５６は減圧状態にできる。これにより、工程の簡略化を図ることができる。
以上の工程により、加速度センサー１００を製造することができる。 Note that even if the through hole 58 is not provided, the internal space 56 can be brought into a reduced pressure state by performing the second bonding step (step S106) in a reduced pressure atmosphere. Thereby, the process can be simplified.
Through the above steps, the acceleration sensor 100 can be manufactured.

なお、前述の実施形態では、第１接合工程（ステップＳ１０４）の陽極接合を用いる方法で説明したが、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、複数回の陽極接合を行う製造方法に適用可能であり、２回を超える（３回以上）の陽極接合を行う場合についても適用することができる。 In addition, in the above-mentioned embodiment, a method using anodic bonding in the first bonding step (step S104) was described, but the method for manufacturing an electronic device according to the present invention is applicable to a manufacturing method that performs anodic bonding multiple times. This can also be applied to cases where anodic bonding is performed more than twice (three times or more).

また、上述では第１接合工程で陽極接合を用いる方法で説明したが、他の接着物質を用いない接合方法で実施する場合でも、本発明は適用できる。具体的には、低温プラズマ活性化接合などの接合面の平坦度や清浄度が必要な直接接合技術に対しても適用することができる。 Moreover, although the method using anodic bonding in the first bonding step has been described above, the present invention can also be applied to a case where a bonding method that does not use any other adhesive substance is used. Specifically, it can also be applied to direct bonding techniques that require flatness and cleanliness of the bonding surface, such as low-temperature plasma activated bonding.

以上のことから、本実施形態に係る加速度センサー１００によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）基体１０の蓋体５０側の面１１と蓋体５０の基体１０側の第４面５２とに当接された間隙部材９０を含んでいるので、接合材６０（低融点ガラス）を介して、基体１０と蓋体５０とを接合する際に、間隙部材９０の高さにより、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が規定される。
その結果、接合部６１に付与される接合材６０の量によらず、基体１０と蓋体５０との間に接合材６０を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。つまり、接合部６１に付与される接合材６０の量が規定量より多い場合であっても、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が大きくなることを抑制することができる。
また、接合部６１に付与される接合材６０の量が規定量より少ない場合でも、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が小さくなることを抑制することができる。その結果、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２を一定にして確実に接合することができることから、接合強度が劣化することを低減させて信頼性の高い加速度センサー１００を得ることができる。 From the above, according to the acceleration sensor 100 according to this embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Since it includes the gap member 90 that is in contact with the surface 11 of the base 10 on the lid 50 side and the fourth surface 52 of the lid 50 on the base 10 side, the bonding material 60 (low melting point glass) is When joining the base body 10 and the lid body 50 via the gap member 90, the distance h2 between the base body 10 and the lid body 50 is defined by the height of the gap member 90.
As a result, the bonding material 60 can be reliably inserted at a constant height (amount) between the base body 10 and the lid body 50, regardless of the amount of the bonding material 60 applied to the bonding portion 61. That is, even if the amount of bonding material 60 applied to bonding portion 61 is larger than the specified amount, it is possible to suppress the distance h2 between base body 10 and lid body 50 from increasing.
Further, even if the amount of bonding material 60 applied to bonding portion 61 is less than the specified amount, it is possible to suppress the distance h2 between base body 10 and lid body 50 from becoming smaller. As a result, since the distance h2 between the base body 10 and the lid body 50 can be kept constant and they can be reliably joined, deterioration of the joint strength can be reduced and a highly reliable acceleration sensor 100 can be obtained.

（２）間隙部材９０と機能素子８０とが同じ材料で形成されているので、間隙部材９０を形成するためだけの製造工程を必要としないことで、コストアップさせずに間隙部材９０を得ることができる。 (2) Since the gap member 90 and the functional element 80 are made of the same material, a manufacturing process only for forming the gap member 90 is not required, so the gap member 90 can be obtained without increasing cost. I can do it.

（３）間隙部材９０と機能素子８０とがシリコンで形成されているので、間隙部材９０と機能素子８０とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。 (3) Since the gap member 90 and the functional element 80 are made of silicon, the gap member 90 and the functional element 80 can be easily formed all at once from the same substrate, and costs can be reduced.

（４）間隙部材９０が機能素子８０を囲んで配置されているので、低融点ガラスを介して、基体１０と蓋体５０とを接合する際に、間隙部材９０の高さｈ１により、機能素子８０の周囲に亘って、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が規定される。
その結果、接合部６１に付与される接合材６０の量によらず、機能素子８０の周囲に亘って、基体１０と蓋体５０との間に接合材６０を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。その結果、基体１０と蓋体５０とを確実に接合することができる。 (4) Since the gap member 90 is arranged surrounding the functional element 80, the height h1 of the gap member 90 allows the functional element to be A distance h2 between the base body 10 and the lid body 50 is defined around the circumference of the base body 80.
As a result, regardless of the amount of the bonding material 60 applied to the bonding portion 61, the bonding material 60 is applied at a constant height (amount) between the base body 10 and the lid body 50 around the functional element 80. It can be inserted securely. As a result, the base body 10 and the lid body 50 can be reliably joined.

（５）間隙部材９０はシリコンを含んで形成されているので、間隙部材９０を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で間隙部材９０を形成することができる。 (5) Since the gap member 90 is formed including silicon, processing techniques used for manufacturing silicon semiconductor devices can be applied when forming the gap member 90. As a result, the gap member 90 can be formed finely and with high precision.

（６）蓋体５０はシリコンを含んで形成されているので、蓋体５０を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で蓋体５０を形成することができる。 (6) Since the lid 50 is formed containing silicon, processing techniques used for manufacturing silicon semiconductor devices can be applied when forming the lid 50. As a result, the lid body 50 can be formed finely and with high precision.

（７）基体１０はガラスを含んで形成されているので、基体１０と機能素子８０との間に絶縁性を保つ際に、基体１０に絶縁膜を介在させる必要が無く、容易に絶縁分離をすることができる。 (7) Since the base body 10 is formed including glass, there is no need to interpose an insulating film on the base body 10 when maintaining insulation between the base body 10 and the functional element 80, and insulation separation can be easily performed. can do.

（８）基体１０と蓋体５０とを接合する際に、低融点ガラスで接合するので、低温度で接合することができる。その結果、基体１０と蓋体５０とが高温にさらされることを低減し、破損を抑制することができる。 (8) When the base body 10 and the lid body 50 are bonded together, they are bonded using low melting point glass, so they can be bonded at low temperature. As a result, exposure of the base body 10 and the lid body 50 to high temperatures can be reduced, and damage can be suppressed.

（変形例１）
図１１は、変形例１に係る加速度センサーを模式的に示し、間隙部材および突起部を拡大した正断面図である。上記実施形態では、図２のように、加速度センサー１００は、基体１０の蓋体５０側の面と蓋体５０の基体１０側の面とに当接された間隙部材９０を含んでいる構成であるものとして説明したが、この構成に限定するものではない。
以下、変形例１に係る加速度センサー２００について説明する。なお、実施形態と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。 (Modification 1)
FIG. 11 is a front cross-sectional view schematically showing an acceleration sensor according to Modification Example 1, with the gap member and the projection portion enlarged. In the above embodiment, as shown in FIG. 2, the acceleration sensor 100 includes a gap member 90 that is in contact with the surface of the base 10 on the lid 50 side and the surface of the lid 50 on the base 10 side. Although the description has been made assuming that there is a certain configuration, it is not limited to this configuration.
The acceleration sensor 200 according to Modification 1 will be described below. Note that the same components as those in the embodiment are given the same numbers, and redundant explanations will be omitted.

間隙部材２９０は、蓋体２５０と一体に形成されており、材質は、例えば、ガラス（ホウ珪酸ガラス）、シリコンである。 The gap member 290 is formed integrally with the lid 250 and is made of, for example, glass (borosilicate glass) or silicon.

本変形例に係る加速度センサー２００の製造方法では、実施形態で説明したエッチング工程（ステップＳ１０５）では、間隙部材９０を形成せず、蓋体準備工程（ステップＳ１０３）において、間隙部材２９０を形成する。形成には、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を適用することができる。 In the method for manufacturing the acceleration sensor 200 according to this modification, the gap member 90 is not formed in the etching process (step S105) described in the embodiment, but the gap member 290 is formed in the lid preparation process (step S103). . Photolithography technology and etching technology can be applied to the formation.

以上述べたように、本変形例に係る加速度センサー２００によれば、実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。 As described above, according to the acceleration sensor 200 according to this modification, in addition to the effects of the embodiment, the following effects can be obtained.

間隙部材２９０は、蓋体２５０と一体になっていることによって、間隙部材２９０と蓋体２５０とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。 Since the gap member 290 is integrated with the lid body 250, the gap member 290 and the lid body 250 can be easily formed all at once from the same substrate, and cost reduction can be achieved.

また、上記の実施形態において、機能素子８０を挟んで対向するように間隙部材９０が２辺に配置されることに限定されない。図１２～図１６は、変形例に係る間隙部材９０の配置を示す概略平面図である。 Further, in the above embodiment, the gap members 90 are not limited to being arranged on two sides so as to face each other with the functional element 80 interposed therebetween. 12 to 16 are schematic plan views showing the arrangement of gap members 90 according to modified examples.

（変形例２）
図１２に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、機能素子８０の少なくとも１つの角部に沿って、設けられていてもよい。図１２では、間隙部材９０は、機能素子８０の４つの角部の各部に配置されている。 (Modification 2)
As shown in FIG. 12, in the above acceleration sensor, the gap member 90 may be provided along at least one corner of the functional element 80. In FIG. 12, the gap members 90 are arranged at each of the four corners of the functional element 80. In FIG.

（変形例３）
図１３に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、機能素子８０の対角線上の対向する位置に設けられていてもよい。図１３においては、間隙部材９０が、機能素子８０の＋Ｘ軸方向、かつ＋Ｙ軸方向の角部と、機能素子の－Ｘ軸方向、かつ－Ｙ軸方向の角部に設けられている例を示している。 (Modification 3)
As shown in FIG. 13, in the acceleration sensor described above, the gap member 90 may be provided at diagonally opposite positions of the functional element 80. FIG. 13 shows an example in which gap members 90 are provided at corners of the functional element 80 in the +X-axis direction and +Y-axis direction, and at corners of the functional element in the -X-axis direction and -Y-axis direction. It shows.

（変形例４）
図１４に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、機能素子８０の周囲に沿って設けられていてもよい。 (Modification 4)
As shown in FIG. 14, in the above acceleration sensor, the gap member 90 may be provided along the periphery of the functional element 80.

（変形例５）
図１５に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って、機能素子８０の外側に設けられていてもよい。 (Modification 5)
As shown in FIG. 15, in the above acceleration sensor, the gap member 90 may be provided outside the functional element 80 along the X-axis direction and the Y-axis direction.

（変形例６）
図１６に示すように、上記の加速度センサーおいて、間隙部材９０は、Ｘ軸方向に沿って、機能素子８０を挟み込む位置に設けられていてもよい。 (Modification 6)
As shown in FIG. 16, in the above acceleration sensor, the gap member 90 may be provided at a position sandwiching the functional element 80 along the X-axis direction.

［電子機器］
次に、上記の電子デバイスを備えている電子機器について説明する。図１７は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を模式的に示す斜視図である。 [Electronics]
Next, an electronic device including the above electronic device will be described. FIG. 17 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic device including an electronic device.

図１７に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、上記で説明した電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）が内蔵されている。 As shown in FIG. 17, the personal computer 1100 includes a main body 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display 1101. The display unit 1106 is connected to the main body 1104 through a hinge structure. It is rotatably supported. Such a personal computer 1100 includes the electronic device described above (for example, the acceleration sensor 100).

図１８は、上記の電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を模式的に示す斜視図である。図１８に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。このような携帯電話機１２００には、電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）が内蔵されている。 FIG. 18 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile phone (including a PHS) as an electronic device including the above electronic device. As shown in FIG. 18, the mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display section 1201 is arranged between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. . Such a mobile phone 1200 has a built-in electronic device (eg, acceleration sensor 100).

図１９は、上記の電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）を備えている電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成を模式的に示す斜視図である。なお、図１９には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。 FIG. 19 is a perspective view schematically showing the configuration of a digital still camera as an electronic device including the above electronic device (eg, acceleration sensor 100). Note that FIG. 19 also simply shows connections with external devices.

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐｌｅｄＤｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。 Here, while a normal camera exposes a silver halide photographic film to a light image of a subject, the digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject using an imaging element such as a CCD (Charge Coupled Device). Generate an imaging signal (image signal).

デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。 A display section 1310 is provided on the back (front side in the figure) of the case (body) 1302 of the digital still camera 1300, and is configured to display information based on an imaging signal from a CCD. It functions as a viewfinder that displays images as electronic images.

また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。 Furthermore, a light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, etc. is provided on the front side (back side in the figure) of the case 1302. When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD imaging signal at that time is transferred and stored in the memory 1308.

また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。 Further, in this digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input/output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302.
A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312, and a personal computer 1440 is connected to the data communication input/output terminal 1314, as necessary.

さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、電子デバイスが内蔵されている。 Furthermore, the image pickup signal stored in the memory 1308 is outputted to a television monitor 1430 or a personal computer 1440 by a predetermined operation. Such a digital still camera 1300 has a built-in electronic device.

このような電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、小型化が図られ信頼性に優れている。 Since such electronic equipment includes the electronic device described above, the effects described in the above embodiments are reflected, and the electronic equipment is miniaturized and has excellent reliability.

なお、上記の電子デバイスを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。 In addition to these, examples of electronic equipment equipped with the above-mentioned electronic devices include inkjet discharge devices (e.g., inkjet printers), laptop personal computers, televisions, video cameras, video tape recorders, and various navigation devices. , pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices, word processors, workstations, videophones, security TV monitors, electronic binoculars, POS terminals, medical equipment (e.g. electronic thermometers, blood pressure Examples include blood glucose meters, electrocardiogram measuring devices, ultrasound diagnostic devices, electronic endoscopes), fish finders, various measuring devices, instruments, and flight simulators.

いずれの場合にも、これらの電子機器は、上記の電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。 In either case, since these electronic devices include the above electronic device, the effects described in the above embodiments are reflected, and they are excellent in reliability.

［移動体］
次に、上記の電子デバイスを備えている移動体について説明する。図２０は移動体の一例としての自動車を模式的に示す斜視図である。自動車１５００には、上記の電子デバイスが搭載されている。 [Mobile object]
Next, a mobile object equipped with the above electronic device will be described. FIG. 20 is a perspective view schematically showing an automobile as an example of a moving object. The automobile 1500 is equipped with the electronic device described above.

例えば、図２０に示すように、移動体としての自動車１５００には、電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）を内蔵して、タイヤ１５０３などを制御する電子制御ユニット１５０２が車体１５０１に搭載されている。これによれば、自動車１５００は、上記の電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。 For example, as shown in FIG. 20, an automobile 1500 as a moving object has an electronic control unit 1502 mounted on a vehicle body 1501 that incorporates an electronic device (for example, an acceleration sensor 100) and controls tires 1503 and the like. . According to this, since the automobile 1500 includes the above-mentioned electronic device, the effects described in the above-described embodiment are reflected and the automobile 1500 has excellent reliability.

なお、上記の電子デバイスは、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：ＴｉｒｅＰｒｅｓｓｕｒｅＭｏｎｉｔｏｒｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システムなどの電子制御ユニット（ＥＣＵ：ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＣｏｎｔｒｏｌＵｎｉｔ）に広く適用できる。 In addition, the above electronic devices include keyless entry, immobilizer, car navigation system, car air conditioner, anti-lock brake system (ABS), air bag, tire pressure monitoring system (TPMS), It can be widely applied to electronic control units (ECUs) such as engine controls, battery monitors for hybrid and electric vehicles, and vehicle attitude control systems.

上記の電子デバイスは、上記自動車１５００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の姿勢検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。 The above-mentioned electronic device can be suitably used as an attitude detection sensor for a mobile body including not only the automobile 1500 but also a self-propelled robot, a self-propelled transport device, a train, a ship, an airplane, an artificial satellite, etc. In either case, the effects described in the above embodiments are reflected, and a highly reliable moving body can be provided.

なお、上述した電子デバイスは、加速度センサー１００に限定されるものではなく、機能素子が角速度検出機能を備えている角速度センサー、機能素子が圧力検出機能を備えている圧力センサー、機能素子が重量検出機能を備えている重量センサーや、これらのセンサー（加速度センサーを含む）が複合した複合センサーなどであってもよい。
また、電子デバイスは、機能素子が振動片である振動子、発振器、周波数フィルターなどであってもよい。 Note that the electronic device described above is not limited to the acceleration sensor 100, but includes an angular velocity sensor whose functional element has an angular velocity detection function, a pressure sensor whose functional element has a pressure detection function, and a pressure sensor whose functional element has a pressure detection function. It may be a weight sensor that has a function, a composite sensor that combines these sensors (including an acceleration sensor), or the like.
Further, the electronic device may be a vibrator whose functional element is a vibrating element, an oscillator, a frequency filter, or the like.

８…シリコン基板、１０…基体、１１…第１面、１２…第２面、１４…凹部、１５，１６，１７…溝部、２０，２２，２４…配線、３０，３２，３４…外部接続端子、４０，４２，４４…コンタクト部、５０…蓋体、５１…第３面、５２…第４面、５３…突起部、５４…第５面、５５…端子孔、５６…内部空間、５７…凹部、５８…貫通孔、６０…接合材、６１…接合部、７０…封止部材、８０…機能素子、８１…固定部、８２…固定部、８４…連結部、８４ａ…梁、８５…連結部、８５ａ…梁、８６…可動部、８７…可動電極部、８８…固定電極部、８９…固定電極部、９０…間隙部材、１００…電子デバイスとしての加速度センサー、２００…加速度センサー、２５０…蓋体、２９０…間隙部材、１１００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１０１…表示部、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…電子機器としての携帯電話機、１２０１…表示部、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…電子機器としてのデジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…移動体としての自動車、１５０１…車体、１５０２…電子制御ユニット、１５０３…タイヤ。 8... Silicon substrate, 10... Base, 11... First surface, 12... Second surface, 14... Recess, 15, 16, 17... Groove, 20, 22, 24... Wiring, 30, 32, 34... External connection terminal , 40, 42, 44... Contact portion, 50... Lid, 51... Third surface, 52... Fourth surface, 53... Projection, 54... Fifth surface, 55... Terminal hole, 56... Internal space, 57... Recessed portion, 58... Through hole, 60... Joining material, 61... Joining part, 70... Sealing member, 80... Functional element, 81... Fixing part, 82... Fixing part, 84... Connection part, 84a... Beam, 85... Connection Part, 85a... Beam, 86... Movable part, 87... Movable electrode part, 88... Fixed electrode part, 89... Fixed electrode part, 90... Gap member, 100... Acceleration sensor as an electronic device, 200... Acceleration sensor, 250... Lid body, 290... Gap member, 1100... Personal computer as an electronic device, 1101... Display section, 1102... Keyboard, 1104... Main body section, 1106... Display unit, 1200... Mobile phone as an electronic device, 1201... Display section, 1202... Operation button, 1204... Earpiece, 1206... Mouthpiece, 1300... Digital still camera as an electronic device, 1302... Case, 1304... Light receiving unit, 1306... Shutter button, 1308... Memory, 1310... Display section, 1312 ...Video signal output terminal, 1314...Input/output terminal, 1430...Television monitor, 1440...Personal computer, 1500...Car as a moving object, 1501...Vehicle body, 1502...Electronic control unit, 1503...Tire.

Claims

When the three axes that are perpendicular to each other are the X axis, Y axis, and Z axis,
a base including a first surface and a second surface that are perpendicular to the Z-axis and in a front-back relationship with each other, and in which a functional element having a function of detecting angular velocity based on a change in capacitance is integrated;
The functional element is housed in an internal space that is perpendicular to the Z-axis and includes a third surface and a fourth surface that are in a front-back relationship with each other, and that is provided between the surface of the integrated base on the functional element side. a lid body, the fourth surface of which is bonded to the integrated base via a bonding material;
a gap member disposed between the lid body and the integrated base body;
a through hole provided in the lid body and closed by a sealing member;
including;
The functional element is sealed in a vacuum state,
The height of the gap member in the Z-axis direction is greater than the thickness of the bonding material in the Z-axis direction,
The gap member and the bonding material are provided apart from each other,
The angular velocity sensor is characterized in that the gap member is arranged in a circumferential shape surrounding the functional element in a plan view from the Z-axis direction, and is in physical contact with the base body.

In claim 1,
The angular velocity sensor is characterized in that the gap member is integrated with the lid body.

In claim 1 or 2,
Wiring connected to the functional element is provided on the first surface of the integrated base,
An angular velocity sensor that intersects with the bonding material when viewed in plan from the Z-axis direction.

In any one of claims 1 to 3,
An angular velocity sensor characterized in that the material of the gap member includes silicon.

In any one of claims 1 to 4,
The gap member extends from the lid toward the base,
The lid includes a first protrusion separated from the gap member,
The angular velocity sensor is characterized in that the bonding material is provided between the first protrusion and the base body.

In claim 5 ,
The length of the gap member extending from the lid body is h1,
The thickness of the bonding material is h2,
When the length of the first protrusion extending from the lid body is h3,
h1=h2+h3
An angular velocity sensor characterized by the following:

In claim 5 or 6,
The angular velocity sensor is characterized in that the first protrusion has a width of 50 um or more and 200 um or less when viewed in plan from the Z-axis direction.

In any one of claims 1 to 7,
The angular velocity sensor is characterized in that the gap member has a width of 50 um or more and 200 um or less when viewed in plan from the Z-axis direction.

An electronic device comprising the angular velocity sensor according to any one of claims 1 to 8.

A moving body comprising the angular velocity sensor according to any one of claims 1 to 8.