JP7351071B2 - 焼結体 - Google Patents
焼結体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7351071B2 JP7351071B2 JP2022536919A JP2022536919A JP7351071B2 JP 7351071 B2 JP7351071 B2 JP 7351071B2 JP 2022536919 A JP2022536919 A JP 2022536919A JP 2022536919 A JP2022536919 A JP 2022536919A JP 7351071 B2 JP7351071 B2 JP 7351071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- less
- yalo
- peak
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
- C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/30—Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6
- C01F17/32—Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6 oxide or hydroxide being the only anion, e.g. NaCeO2 or MgxCayEuO
- C01F17/34—Aluminates, e.g. YAlO3 or Y3-xGdxAl5O12
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62695—Granulation or pelletising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
- H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
- C04B2235/3222—Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
- C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/666—Applying a current during sintering, e.g. plasma sintering [SPS], electrical resistance heating or pulse electric current sintering [PECS]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/0203—Protection arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Geology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
とりわけイットリウム(Y)を含む化合物は、化学的なプラズマ耐性が高いことが知られている。また近年では、微細化が進む半導体製造装置において、高出力のプラズマが用いられるため、物理的なスパッタ耐性も同時に求められることから、高硬度を有するイットリウムとアルミニウムの複合酸化物であるガーネット構造のY3Al5O12(イットリウム-アルミニウム-ガーネット、以下「YAG」ともいう。)が注目されている。また他のイットリウムとアルミニウムの複合酸化物としてペロブスカイト型YAlO3(YAP)やモノクリニック型Y4Al2O9(イットリウム-アルミニウム-モノクリニック、以下「YAM」ともいう。)が知られている。
一方、YAGと同じイットリウムとアルミニウムの複合酸化物であるペロブスカイト型YAlO3(YAP)に関する知見としては、特許文献3にて、Al2O3やY2O3の混合物を成型したものを反応焼結により作製した焼結体のプラズマ耐性の評価を行っている。しかし、その焼結体の詳細な組成や物性については明らかでなかった。
ペロブスカイト型YAlO3を含む平均粒子径1μm以下の原料粉末の成形体を得る工程と、前記成形体を、5MPa以上100MPa以下の圧力下、1200℃以上1700℃以下の温度で焼結することにより前記焼結体を得る工程と、を有する、焼結体の製造方法の製造方法を提供する。
ペロブスカイト型YAlO3を含む平均粒子径1μm以下の原料粉末の成形体を得る工程と、前記成形体を、無加圧下、1400℃以上1900℃以下の温度で焼結する工程と、を有する、焼結体の製造方法を提供する。
本発明者は、YAPを含む高硬度な焼結体が耐熱衝撃性に優れた特性を持つことを見出した。これにより本発明の焼結体は、従来のプラズマ耐性の高いY-O結合(YAPの他にY2O3やYAGなど)を含む焼結体では適用が難しかった温度環境下での部品などに使用可能であり、従来の焼結体より耐食性部材としての適用範囲に優れる。なお、本明細書における「プラズマ耐性」は、プラズマに対する耐食性を指し、「対プラズマ耐性」や「対プラズマ耐食性」と呼ばれることもある。
本発明の焼結体をX線回折測定に付すと、YAlO3に由来する回折ピークが観察される。本発明の焼結体は、ハロゲン系ガスを用いたプラズマエッチングにおいて高い耐食性を示す。YAlO3には、立方晶及び直方晶の2つの相が存在することが知られている。本発明の焼結体では、これら2つの相のうち、直方晶であるYAlO3に由来する回折ピークが観察される。この場合、ハロゲン系ガスを用いたプラズマエッチングに対して安定性の高いものとなるためである。
ハロゲン系ガスを用いたプラズマエッチングに対する耐食性を一層高める観点から、S3/S1及びS4/S1の値はそれぞれ独立に0.7以下であることが好ましく、0.4以下であることがより好ましく、0.1以下であることが特に好ましく、立方晶Y3Al5O12の(420)ピーク及び単斜晶Y4Al2O9の(-221)ピークが観察されないことが最も好ましい。
ハロゲン系ガスを用いたプラズマエッチングに対する耐食性を更に一層高める観点及び機械的強度を高める点から、S5/S1の値は0.05以下であることが好ましく、0.01以下であることがより好ましく、0.01未満であることが更に一層好ましく、立方晶Y2O3の(222)ピークが観察されないことが最も好ましい。
また、CuKα線を用いたX線回折測定において三方晶Al2O3の(104)ピークは、通常2θ=35°に観察される。具体的には35.2°±0.15°に観察される。
また、CuKα線を用いたX線回折測定において立方晶Y3Al5O12の(420)ピークは、通常2θ=33°付近に観察される。具体的には33.3°±0.15°の範囲に観察される。
更に、CuKα線を用いたX線回折測定において単斜晶Y4Al2O9の(-221)ピークは、通常2θ=30°付近に観察される具体的には29.6°±0.15°の範囲に観察される。
更に、CuKα線を用いたX線回折測定において立方晶Y2O3の(222)ピークは、通常2θ=29°付近に観察される具体的には29.2°±0.15°の範囲に観察される。
本発明者は、ペロブスカイト型YAlO3の焼結体が特定以上のビッカース硬度を有することで驚くべきことに、優れた耐熱衝撃性を有することを見出した。本発明の焼結体はビッカース硬度が11GPa以上である。当該ビッカース硬度を有することで耐熱衝撃性を高めることができる理由は明確ではないが、高硬度であると塑性変形が起こりにくく、結晶界面での転位蓄積の許容が大きいため、熱衝撃に対しても熱応力の許容が大きくなったことが理由の一つと推測している。またビッカース硬度が所定値以上のペロブスカイト型YAlO3焼結体は、ハロゲン系プラズマ耐食性にも優れる。本発明の焼結体において、ビッカース硬度は12GPa以上であることが好ましく、13GPa以上であることがより好ましい。またビッカース硬度は大きいほど好ましいものではあるが、焼結体の製造容易性の観点からは、17GPa以下であることがより好ましく、16GPa以下であることが更に好ましい。
ビッカース硬度は後述する実施例に記載の方法にて測定できる。
本発明ではペロブスカイト型YAlO3の緻密な焼結体であることを反映して、絶対密度の高いものである。密度の高い焼結体とすることにより、ハロゲン系腐食ガスの遮断性を高いものとすることが可能である。本発明の焼結体は緻密性が高く、ハロゲン系腐食ガスの遮断性に優れるため、これを例えば半導体装置の構成部材に用いた場合、この部材内部へのハロゲン系腐食ガスの流入を防止できる。このため本発明の焼結体は、ハロゲン系腐食ガスによる腐食防止性能の高いものである。このようにハロゲン系腐食ガスの遮断性が高い部材は、例えば、エッチング装置の真空チャンバー構成部材やエッチングガス供給口、フォーカスリング、ウェハーホルダーなどに好適に用いられる。本発明の焼結体をより緻密なものにする観点から、該焼結体は密度が5.1g/cm3以上であることが好ましく、5.2g/cm3以上であることがより好ましく、5.3g/cm3以上が特に好ましい。
更に、耐食性向上の観点から、気孔率、特に開気孔率(OP)は小さいほうが好ましい。開気孔率は下記に記載する方法で求められ1%以下が好ましく、0.1%以下がさらに好ましく、0.01%以下が特に好ましい。
本発明の焼結体は、結晶粒の平均粒径が小さいことが焼結体表面の粒子が脱落した場合でも大きさが小さいため表面粗さが滑らかであり、加工時の加工性と歩留まりが向上する点から好ましい。本発明の焼結体において、結晶粒の平均粒径は10μm以下であることが好ましく、9μm以下であることがより好ましく、8μm以下であることが特に好ましい。焼結体の結晶粒の平均粒径は1μm以上であることが、焼結が進行しており、焼結体の強度が得られるため好ましい。結晶粒の平均粒径が上記範囲内である焼結体は、後述する好適な焼結体の製造方法において、原料粒径、成形条件、焼結条件を調整することにより得ることができる。焼結体の結晶粒の平均粒径は後述する実施例に記載の方法にて測定できる。
次に本発明の焼結体の好適な製造方法について説明する。本製造方法は以下の製造方法1又は製造方法2である。
YAlO3を含む平均粒子径1μm以下の原料粉末の成形体を得る工程(以下、「成形工程」ともいう。)と、前記成形体を、以下の焼結工程1又は焼結工程2にて焼結する工程。焼結工程2を採用する場合は、成形工程における加圧力を20MPa以上200MPa以下とすることが好ましい。
焼結工程1:前記成形体を、5MPa以上100MPa以下の圧力下、1200℃以上1700℃以下の温度で焼結することにより前記焼結体を得る(以下、「焼結工程1」ともいう。)。
焼結工程2:前記成形体を、無加圧下、1400℃以上1900℃以下の温度で焼結する工程。
前記成形工程に供される原料粉末は平均粒子径D50が1μm以下であって、YAlO3を含む。当該原料粉末は、ペロブスカイト型YAlO3を主相とする組成を有することが好ましい。
本発明者は、平均粒子径D50が1μm以下であって、YAlO3を含み、好ましくはペロブスカイト型YAlO3を主相とする原料粉末を用いることで、以下に記載する2点で優れた焼結体を作製出来ることを見出した。まず1点目にこの原料粉末の真密度が高いため、成形体の密度も高めることが可能となる。つまり焼結後の理論密度との差が小さくなりグレイン(粒子)の隙間である気孔の形成が抑制され高密度かつ高硬度の焼結体を作製することができる点。2点目にYAlO3を含む原料粉末ではなく、Al2O3及びY2O3の混合粉末を用いると焼結体においてAl2O3やY2O3が一部残存しやすく機械的強度の低下やハロゲン系ガスに対する耐食性が低下しやすいという問題点があった。これはAl2O3及びY2O3の混合粉末を用いる場合、反応焼結の際にAl2O3粒子とY2O3粒子の粒子径の差が生じたり、成形体中の隣接粒子の配置が偏析したりすることを回避しづらいことが原因とみられる。これに対し、本製造方法では前駆体時からYAlO3を含み、好ましくはペロブスカイト型YAlO3を主相とする組成となっていることから、Al2O3やY2O3の残存が起こりにくい。
なお上述した通り、CuKα線を用いたX線回折測定にてペロブスカイト型YAlO3を主相とするとは、当該X線回折測定における最大ピーク高さのピークが直方晶YAlO3に由来することを指す。上述のとおり走査範囲は2θ=20°~60°である。
なお、平均粒子径は、原料粉末を造粒した後に成形する場合には、造粒前に測定する粒子径である。
マイクロトラック・ベル社製Microtrac MT3300EXIIを用いた。0.2質量%ヘキサメタリン酸を溶解させた純水に、粉末試料を適正濃度であると装置が判定するまで投入して、内蔵の超音波分散処理を施した後測定を行いD50の値を得た。超音波分散の条件は40W、5分間とした。
上記原料粉末の製造方法としては、例えば以下が挙げられる。一例として、アルミニウム源とイットリウム源とを混合して焼成して、ペロブスカイト型YAlO3を主相とするイットリウム及びアルミニウムの複合酸化物原料を得る方法が挙げられる。例えばアルミニウム源としては、酸化アルミニウム、オキシ水酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、炭酸アルミニウム及び塩基性炭酸アルミニウムから選ばれる1種又は2種以上が挙げられる。イットリウム源としては酸化イットリウム、オキシ水酸化イットリウム、水酸化イットリウム及び炭酸イットリウムから選ばれる1種又は2種以上が挙げられる。アルミニウム源とイットリウム源との混合比率はアルミニウム源のアルミニウム1モルに対してイットリウム源のイットリウムが0.85モル超1.15モル以下であることが好適である。焼成温度は所望の組成を容易に得られ、また後工程の粉砕がしやすい点から800℃以上1550℃以下が好適であり、850℃以上1500℃以下とすることがより好ましい。
また後工程で成形の加工性を向上するために添加剤としてバインダーや可塑剤を加えても良い。このときの添加剤としては、PVA、PVB、ポリアクリル酸系重合体やポリカルボン酸系共重合体、などを用いることができる。このときの添加剤の成分としては、200℃以上1000℃以下で分解するものが好ましい。
十分に粉砕したYAPを含むイットリウムとアルミニウムの複合酸化物スラリーの乾燥を行い成形体の原料粉末を得る。乾燥には静置乾燥、熱風乾燥、凍結乾燥及び噴霧乾燥(スプレードライヤー)などの各種乾燥方法を用いることができる。
上記で得られたYAPを含むイットリウムとアルミニウムの原料粉末を成型により押し固めることで成形体を作製する。成形には金型プレス法、ラバープレス(静水圧プレス)法、シート成形法、押し出し成形法、鋳込み成形法等を用いることができる。
また、焼結工程において常圧焼結を行う場合、成形工程において、一軸加圧による金型プレス成形を行うことも可能である。この場合の加圧力としては、静水圧成形の場合より下限値は大きい40MPa以上であることが、高密度の焼結体を得る点で好ましく、200MPa以下であることがそれ以上の加圧を施しても密度の向上が得られない点や装置・器具の消耗を低減できる点で好ましい。金型ブレス成形による加圧力は、80MPa以上140MPa以下であることがより好ましい。
成形工程で得られた成形体を、大気または雰囲気制御中で焼結を行う。焼結法としては常圧焼結法と加圧焼結法がある。加圧焼結法としては、ホットプレス、パルス通電加圧(SPS)、熱間等方圧加圧(HIP)を用いることができる。常圧焼結の焼結温度としては1400℃以上1900℃以下であることが好ましい。1400℃以上であることで緻密化が進みやすいほか、添加したバインダーの分解・蒸発が進む等の利点を有する。1900℃以下であることでYAPの溶融を抑える、電気炉のエネルギー消費を抑える等の利点を有する。これらの観点から、焼結温度は1500℃以上1700℃以下がより好ましい。
或いは、加圧焼結する場合には例えば5MPa以上100MPa以下の圧力下、1200℃以上1700℃以下の温度で焼結する方法が挙げられる。
以下の方法工程:
平均粒子径d50が5μm未満のセラミック粉末を分散させることによってスリップを製造する工程、
平均粒子径d50が 1mm未満の顆粒を前記スリップから流動層造粒によって製造する工程、
前記顆粒を簡単な非サイクルのプレスにより生成形体にする工程、
前記生成形体を焼結して焼結体にする工程、および
前記焼結体を後圧縮する工程
を特徴とする、前記方法で製造されたものを除くことが好ましく、2mmのセラミック物体の肉厚の際に、300nm~4000nm(又は300nm~800nm)の波長範囲において10%超のRITを有する透明セラミック物体を製造する方法であって、前記の方法工程で製造されたものを除くことがより好ましい。なおd50は本明細書の平均粒子径D50と同様の方法で測定できるが、その場合、顆粒の測定の際には、超音波処理を行わないものとする。
焼結体が不透明である場合、透明セラミックスで必要な光散乱要因(粒界のばらつきや異相の存在)を厳密に制御する必要がなく、比較的安価にプラズマ耐性の高い焼結体を提供する点で好ましい。ただし、ここでいう不透明とは2mmのセラミック物体の肉厚の際に、300nm~4000nm(又は300nm~800nm)において10%以下のRITを有することを要さず、例えば照度500ルクス~1000ルクスの何れかの照度の室内において、文字が記入された用紙の上をセラミック物体で覆った場合には、被覆された箇所の文字が読めなくなる程度であることも含む。例えば後述する実施例又はそれと同様の製法で得られた焼結体は通常、厚さ1mmにおいて不透明である。
なお、スラリーの粉末中のBET比表面積は測定装置としてマウンテック社製Macsorbを用い、BET1点法で求めた。測定用のガスとしては窒素30体積%-ヘリウム70体積%の混合ガスを、キャリブレーション用のガスとしては純窒素を用いた。BET比表面積の測定に供するスラリーの乾燥はスラリー20gを120℃の環境で2時間乾燥させることにより行った。
また、各実施例及び比較例の焼結体に関する下記条件のX線回折測定において、直方晶YAlO3以外のYAlO3相のピーク、立方晶Y3Al5O12以外のY3Al5O12相のピーク、単斜晶Y4Al2O9以外のY4Al2O9相のピーク、三方晶Al2O3以外のAl2O3相のピーク、及び立方晶Y2O3以外のY2O3相のピークはいずれも観察されなかった。
第1工程の原料となるYAlO3粉末としては、Al2O3(D50=0.4μm)とY2O3(D50=0.4μm)をモル比でAl2O3:Y2O3=1:1の割合で混合後、1400℃で5時間焼成して得られたペロブスカイト型YAlO3粉末を用いた。
(第1工程)
YAlO3粉末15kgを純水とともに湿式粉砕して500g/LのYAlO3粒子スラリーとした。湿式粉砕後のYAlO3粒子はMicrotrac MT3300EXIIにより測定したD50が0.4μmであり、スラリーの一部を採取し上記方法にて、乾燥させた粉末をBET1点法を用いて測定したBET比表面積が10m2/gであった。
第1工程で得られたスラリーに、バインダーとして有機物バインダー(200℃以上1000℃以下で分解)を、イットリウムとアルミニウムの複合酸化物に対して約5質量%となるように添加した後に、均一に分散するように十分に撹拌した。
第2工程で得られたスラリーをスプレードライヤー(大川原加工機(株)製)を用いて造粒・乾燥し、造粒物を得た。得られた造粒物のスプレードライヤーの操作条件は以下に示すとおりとした。
・スラリー供給速度:75mL/min
・アトマイザー回転数:12500rpm
・入口温度:250℃
第3工程で得られたYAlO3粉末(造粒物)を、φ50mmの成型金型に投入した後に油圧プレスにて100MPaの圧力で一軸成形を行い、成形体を得た。
第4工程で得られたYAlO3成形体をY2O3製の敷板に乗せて大気雰囲気下、電気炉中で焼成して焼結体を得た。最終的な焼成温度は1650℃で焼成時間は5時間保持した。
得られた実施例の焼結体について、以下の方法で評価した。
<組成>
焼結体のXRD測定を行った。XRDの測定条件は下記とした。なお、XRDは標準試料台のサンプルホルダーを取り付ける部分に直接焼結体を差し込んで測定した。得られたX線回折図に基づき、直方晶YAlO3の(112)ピーク、立方晶Y3Al5O12の(420)ピーク、単斜晶Y4Al2O9の(-221)ピーク、三方晶Al2O3の(104)ピーク、及び立方晶Y2O3の(222)ピークについて相対強度を算出した。結果を表1に示す。なお、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
〔X線回折測定〕
・装置:UltimaIV(株式会社リガク製)
・線源:CuKα線
・管電圧:40kV
・管電流:40mA
・スキャン速度:2度/min
・ステップ:0.02度
・スキャン範囲:2θ=20°~60°
密度及び開気孔率はアルキメデス法にて測定した。具体的には、株式会社島津製作所製の精密電子天秤AUX320を用いて、乾燥重量(W1)、水中重量(W2)及び飽水重量(W3)の測定を行い、密度(g/cm3)と開気孔率(質量%)を以下の式を用いて求めた。
・密度=W1/(W3-W2)
・開気孔率=(W3-W1)/(W3-W2)×100
焼結体を粗研磨の後に平均粒径0.05μmのダイヤモンドスラリーを用いて研磨した。この試料を用いて、JIS R1610 に基いて、ビッカース硬度を測定した。測定には、ビッカース硬度計MVK-G1(明石製作所)を用いた。ビッカース硬度試験の条件は、荷重100gf(0.980665N)で、JIS R1610の4.6.11の規定に沿う圧痕を採用し、15秒保持とし、10点測定し、平均値を求めた。圧痕を光学顕微鏡により観察し、圧痕の大きさを測定した。ビッカース硬度HV[MPa]は、以下の式により算出した。
HV=(0.1891F)/d2(MPa)
ここで、F は試験荷重[N]、dは圧痕の対角線長さの平均[mm]である。
<結晶粒の平均粒径(結晶粒径)>
インターセプト法を用いて結晶粒の平均粒径を測定した。インターセプト法は、走査型電子顕微鏡(SEM)画像上で直線を引き、1つの線が1つの粒子を横切る長さを結晶粒径とし、この平均値を結晶粒の平均粒径とするものである。SEM画像(写真)上に、対角線方向に5本の直線を平行に引く。5本の直線は、矩形状のSEM画像(写真)における前記直線と平行な対角線方向と交差するもう一つの対角線方向において互いに向き合う二つの角部の間の距離を6等分する位置に引くものとする。前記の直線は、画像の一方の端に最も近い粒界から、当該画像の他方の端に最も近い粒界まで引くものとする。これを異なる2視野分行う。2視野における計10本の直線それぞれの長さの合計と、粒界との交点の数から下記式1にて計算する。ただし、この交点の数には、直線の両端は含まないものとする。
(式1)結晶粒の平均粒径=2視野分の計10本の直線の長さの合計/(2視野分の直線の総本数+2視野分の計10本の直線における粒界との交点の総数)
SEM画像の倍率は、当該画像中に観察される結晶粒の数が、10個~30個となる倍率とする(ただし、ここでカウントする結晶粒には、一の結晶粒全体が画像中に観察されるもののみを含め、一部が切れて見えないものは含めないものとする)。
サンプルは破断して断面を切り出した後、断面を鏡面研磨し、次いでアルゴン雰囲気下で焼成し、サーマルエッチングした。焼成温度は焼結体の融点に基づき、1500℃とした。保持時間は5時間とした。次いでエッチングした面をSEMで撮影して画像を得た。実施例1の焼結体について得られたSEM画像を図1に示し、比較例3の焼結体について得られたSEM画像を図2に示す。
組成と密度より、Yの原子数密度を計算した。X線回折測定において、主相以外の成分に由来する回折ピークが観察された場合には、XRF測定にてY2O3とAl2O3の成分分析をして各種成分の成分比を求め、当該成分比に基づいてYの原子数密度を求めた。XRF測定には、リガク社製ZSXprimusIIの酸化物計算モードを用いた。
φ40mm×5mmのサイズの焼結体を評価した。試験温度としては110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃及び200℃の温度とした。焼結体は各試験温度に対し2つずつ用意した。オーブンにて所定の試験温度でそれぞれ焼結体を5時間保持し加熱した後、4℃±1℃の水中に投入した。少なくとも1つの焼結体にクラックが発生しない最大の温度を熱衝撃破壊温度とした。
20mm×20mm×2mm厚さに切断加工した各焼結体の片面を鏡面研磨後、鏡面研磨面の表面粗さを測定した。
鏡面研磨面の表面粗さを測定した試料をエッチング装置(サムコ株式会社製のRIE-10NR)のチャンバーに鏡面側が上を向いた状態で載置し、プラズマエッチングを行い、照射後の表面粗さを測定した。プラズマエッチング条件は以下のとおりにした。表面粗さは触針式表面粗さ測定器(JIS B0651:2001)を用いて、算術平均粗さ(Ra)を求めた。触針式表面粗さ測定器としては、KLA-Tencor社製の触針式プロファイラP-7を用いた。算術平均粗さ(Ra)の測定条件は、評価長さ:5mm、測定速度:100μm/sとしし、3点の平均値を求めた。
(プラズマエッチング条件)
・雰囲気ガス:CF4/O2/Ar=15/30/20 (cc/min)
・高周波電力:RF 300W
・圧力:5Pa
・エッチング時間:4時間
実施例1の第5工程における焼成温度を1600℃とした以外は実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。なお得られた焼結体のX線回折測定において、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
実施例1の第5工程における焼成温度を1550℃とした以外は実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。なお得られた焼結体のX線回折測定において、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
Al2O3(D50=0.4μm)とY2O3(D50=0.4μm)をモル比でAl2O3:Y2O3=10:11の割合で混合後、1400℃で5時間焼成して得た複合酸化物粉末を、実施例1における第1工程における原料であるYAlO3粉末の代わりに用いた。複合酸化物粉末は上記条件のX線回折測定に供したところ、直方晶YAlO3の(210ピーク)と単斜晶Y4Al2O9の(-221)ピークを持ち両ピークの強度比がYAlO3:Y4Al2O9=100:14であった。また湿式粉砕後の複合酸化物粉末は、Microtrac MT3300EXIIにて測定したD50が0.4μmであった。スラリーの一部を採取し上記方法にて、乾燥させた粉末をBET1点法を用いて測定したBET比表面積は9m2/gであった。
その点以外は、実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。なお得られた焼結体のX線回折測定において、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
Al2O3(D50=0.4μm)とY2O3(D50=0.4μm)をモル比でAl2O3:Y2O3=11:10の割合で混合後1400℃で5時間焼成して得た複合酸化物粉末を、実施例1の第1工程における原料となるYAlO3粉末の代わりに用いた。複合酸化物粉末は上記条件のX線回折測定に供したところ、直方晶YAlO3の(112)ピークと立方晶Y3Al5O12の(420)ピークを持ち両ピークの強度比がYAlO3:Y3Al5O12=100:15であった。また湿式粉砕後の複合酸化物粉末は、Microtrac MT3300EXIIにて測定したD50が0.4μmであった。スラリーの一部を採取し上記方法にて、乾燥させた粉末をBET1点法を用いて測定したBET比表面積は10m2/gであった。
その点以外は、実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。なお得られた焼結体のX線回折測定において、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
実施例1の第1工程における原料であるYAlO3粉末に変えて、Y2O3粉末を用いた。湿式粉砕後のY2O3粉末は、Microtrac MT3300EXIIにて測定したD50が0.5μmであった。その点以外は実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。
実施例1の第1工程における原料であるYAlO3粉末に変えて、Y3Al5O12粉末を用いた。湿式粉砕後のY3Al5O12粉末は、Microtrac MT3300EXIIにて測定したD50が0.4μmであった。その点以外は実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。
本比較例は、特許文献3に相当する比較例である。実施例1の第1工程における原料粉末について、YAlO3粉末に替えて、Al2O3粉末4.7kgとY2O3粉末10.3kgとを用いた。湿式粉砕後の原料粉末(Al2O3及びY2O3とを合わせて湿式粉砕した混合粉末)は、Microtrac MT3300EXIIにて測定したD50が0.5μmであった。その点以外は実施例1と同様にして焼結体を得て評価した。なお得られた焼結体のX線回折測定において、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
比較例3の第5工程における焼成温度を1550℃とした以外は比較例3と同様にして焼結体を得て評価した。なお得られた焼結体のX線回折測定において、YAlO3、Y3Al5O12及びY4Al2O9、Al2O3、Y2O3以外の成分に由来するピークは観察されなかった。
一方、Y2O3又はYAGを主相とする比較例1及び2は耐熱衝撃性に劣ること、YAPを主相としても、特定のビッカース硬度を満たさない比較例3及び4も、耐熱衝撃性に劣ることが判る。各実施例はプラズマエッチング照射試験における表面粗さRaの変化が、Y密度が各実施例よりも高いY2O3を用いた比較例1、従来用いられてきた耐食性材料であるYAGを用いた比較例2、YAPを主相としても、特定のビッカース硬度を満たさない比較例3及び4のいずれに比しても抑制されており、ハロゲンガス存在下での対プラズマ耐食性に優れる。
Claims (6)
- ペロブスカイト型YAlO3を主相とする焼結体であって、ビッカース硬度が11GPa以上であり、結晶粒の平均粒径が10μm以下であり、密度が5.3g/cm3以上であり、CuKα線を用いたX線回折測定においてY 3 Al 5 O 12 相及びY 4 Al 2 O 9 相が観察されないか、或いは、立方晶Y 3 Al 5 O 12 のピーク又は単斜晶Y 4 Al 2 O 9 のピークが観察され、後者の場合、直方晶YAlO 3 の(112)ピーク強度をS1とし、立方晶Y 3 Al 5 O 12 の(420)ピーク強度をS3とし、単斜晶Y 4 Al 2 O 9 の(-221)ピーク強度をS4としたとき、S1に対するS3の比であるS3/S1の値及びS1に対するS4の比であるS4/S1の値が0.1以下であり、直方晶YAlO 3 の(112)ピークのピーク高さを100としたときに、YAlO 3 、Y 3 Al 5 O 12 、Y 4 Al 2 O 9 以外の成分に由来する最大ピークのピーク高さが10以下である焼結体。
- 開気孔率が1%以下である、請求項1に記載の焼結体。
- 請求項1又は2に記載の焼結体の製造方法であって、
YAlO3を含む平均粒子径1μm以下の原料粉末の成形体を得る工程と、前記成形体を、5MPa以上100MPa以下の圧力下、1200℃以上1700℃以下の温度で焼結することにより前記焼結体を得る工程と、を有する、焼結体の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の焼結体の製造方法であって、
YAlO3を含む平均粒子径1μm以下の原料粉末を加圧力20MPa以上200MPa以下の成形工程に供して成形体を得る工程と、前記成形体を、無加圧下、1400℃以上1900℃以下の温度で焼結する工程と、を有する、焼結体の製造方法。 - 前記YAlO3を含む平均粒子径1μm以下の原料粉末のBET比表面積が7m2/g以上13m2/g以下である、請求項3又は4に記載の焼結体の製造方法。
- ハロゲン系ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を、請求項1又は2に記載の焼結体により形成した耐プラズマ部材。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021010693 | 2021-01-26 | ||
| JP2021010693 | 2021-01-26 | ||
| PCT/JP2021/045146 WO2022163150A1 (ja) | 2021-01-26 | 2021-12-08 | 焼結体 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022163150A1 JPWO2022163150A1 (ja) | 2022-08-04 |
| JPWO2022163150A5 JPWO2022163150A5 (ja) | 2023-01-25 |
| JP7351071B2 true JP7351071B2 (ja) | 2023-09-27 |
Family
ID=82653252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022536919A Active JP7351071B2 (ja) | 2021-01-26 | 2021-12-08 | 焼結体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230391676A1 (ja) |
| JP (1) | JP7351071B2 (ja) |
| KR (1) | KR102629372B1 (ja) |
| CN (1) | CN116635349A (ja) |
| TW (1) | TWI845877B (ja) |
| WO (1) | WO2022163150A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116621214B (zh) * | 2023-04-12 | 2025-07-25 | 福建省云智新材料科技有限公司 | 一种锂离子电池正极材料用纳米氧化镧的制备方法与应用 |
| WO2024249195A1 (en) * | 2023-05-31 | 2024-12-05 | Coorstek, Inc. | Polycrystalline materials comprising yttrium aluminum perovskite and methods of making the same |
| WO2026080248A1 (en) * | 2024-10-11 | 2026-04-16 | Coorstek, Inc. | Polycrystalline rare earth aluminum perovskite materials and methods of making the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000044235A (ja) | 1998-07-29 | 2000-02-15 | Natl Res Inst For Metals | イットリウム・アルミニウム複合酸化物の製造方法 |
| JP2013224226A (ja) | 2012-04-19 | 2013-10-31 | Nippon Tungsten Co Ltd | 複合セラミックス及び半導体製造装置の構成部材 |
| WO2020217552A1 (ja) | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用又は焼結用粉末 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3420377B2 (ja) * | 1995-03-29 | 2003-06-23 | 京セラ株式会社 | イットリウム−アルミニウム−ガーネット焼結体の製造方法 |
| JP3488373B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2004-01-19 | 京セラ株式会社 | 耐食性部材 |
| US6447937B1 (en) | 1997-02-26 | 2002-09-10 | Kyocera Corporation | Ceramic materials resistant to halogen plasma and components using the same |
| JP4493264B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2010-06-30 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材 |
| JP4560387B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-10-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 溶射用粉末、溶射方法及び溶射皮膜 |
| JP2006199562A (ja) | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Kyocera Corp | 耐食性部材およびそれを用いた半導体・液晶製造装置用部材 |
| JP2008251765A (ja) | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置 |
| US8815122B2 (en) * | 2010-10-29 | 2014-08-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Polycrystalline scintillator for detecting soft X-rays |
| US20140374931A1 (en) * | 2011-11-10 | 2014-12-25 | Ceramtec-Etec Gmbh | Method for producing transparent ceramic objects by means of fluidized bed granulation |
| JP5911036B1 (ja) * | 2014-11-21 | 2016-04-27 | 日本イットリウム株式会社 | 焼結体 |
| JP2018184336A (ja) | 2017-04-26 | 2018-11-22 | 国立大学法人東北大学 | 複合体セラミックス及びその製造方法 |
| WO2022154936A2 (en) * | 2020-12-18 | 2022-07-21 | Heraeus Conamic North America Llc | Plasma resistant yttrium aluminum oxide chamber components |
-
2021
- 2021-12-08 US US18/266,216 patent/US20230391676A1/en active Pending
- 2021-12-08 JP JP2022536919A patent/JP7351071B2/ja active Active
- 2021-12-08 CN CN202180086145.6A patent/CN116635349A/zh active Pending
- 2021-12-08 WO PCT/JP2021/045146 patent/WO2022163150A1/ja not_active Ceased
- 2021-12-08 KR KR1020237018423A patent/KR102629372B1/ko active Active
- 2021-12-14 TW TW110146709A patent/TWI845877B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000044235A (ja) | 1998-07-29 | 2000-02-15 | Natl Res Inst For Metals | イットリウム・アルミニウム複合酸化物の製造方法 |
| JP2013224226A (ja) | 2012-04-19 | 2013-10-31 | Nippon Tungsten Co Ltd | 複合セラミックス及び半導体製造装置の構成部材 |
| WO2020217552A1 (ja) | 2019-04-26 | 2020-10-29 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用又は焼結用粉末 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| SMOLEN Jら,Influence of high-energy milling parameters on the synthesis of single phase yttrium aluminium perovskite(YAP),materialy ceramiczne ,2020年,vol.72 no.4,p.235-246 |
| SUDHANSHU RANJAN,SINTERING AND MECHANICAL PROPERTIES OF ALUMINA-YTTRIUM ALUMINATE COMPOSITES,DEPARTMENT OF CERAMIC ENGINEERING NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY Rourkela,A THESIS SUBMITTED IN P,2015年05月,P1-35,http://ethsis.nitrkl.ac.in/7062/ |
| 浜野健也編,ファインセラミックスハンドブック,1984年02月10日,P.266 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202229206A (zh) | 2022-08-01 |
| US20230391676A1 (en) | 2023-12-07 |
| KR102629372B1 (ko) | 2024-01-29 |
| TWI845877B (zh) | 2024-06-21 |
| CN116635349A (zh) | 2023-08-22 |
| KR20230132767A (ko) | 2023-09-18 |
| WO2022163150A1 (ja) | 2022-08-04 |
| JPWO2022163150A1 (ja) | 2022-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7351071B2 (ja) | 焼結体 | |
| KR102879377B1 (ko) | 마그네슘 알루미네이트 스피넬을 포함하는 세라믹 소결체 | |
| KR102532969B1 (ko) | 희토류 옥시불화물 소결체 및 그 제조 방법 | |
| US12486202B2 (en) | Multilayer sintered ceramic body and method of making | |
| US7407904B2 (en) | Yttria sintered body and corrosion-resistant material, and manufacturing method | |
| CN110072826B (zh) | 透明AlN烧结体及其制法 | |
| KR102510280B1 (ko) | 고순도 및 고밀도 이트륨 알루미늄 가넷 소결체 및 이의 제조방법 | |
| KR20120132247A (ko) | 내플라즈마 특성을 갖는 희토류 산화물-알루미나계 세라믹 및 그 제조방법 | |
| EP4032701A1 (en) | Multilayer sintered ceramic body | |
| JP7799810B2 (ja) | 半導体処理チャンバで使用するためのyagを含むuv活性化赤色セラミック体 | |
| TWI864883B (zh) | 用於燒結實質上不含未反應的氧化釔及富含釔相之大直徑yag層之程序 | |
| JP2023545369A (ja) | ジルコニア強化アルミナセラミック焼結体 | |
| JP7785179B2 (ja) | 多層焼結セラミック体及び作製方法 | |
| TWI910379B (zh) | 燒結體用材料及燒結體 | |
| EP4215360A1 (en) | Multilayer sintered ceramic body and method of making | |
| WO2026071052A1 (ja) | 焼結体及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221227 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221227 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20221227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230207 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20230404 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230602 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230815 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230824 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7351071 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |