JP7355362B2 - 磁心、磁心の製造方法、及び磁心を備えたバラン - Google Patents

Description

本発明は、バランの磁心、磁心を備えた対称バラン、及びバランの磁心を製造する方法に関する。

バランは、不平衡線路と平衡線路との変換として用いられる素子である。不平衡２線式線路は、２つの導体の一方が接地された線路、例えば、外部シールドが接地された同軸ケーブルとすることができる。平衡２線式線路は、２つの導体のいずれも接地されておらず、両線が略同一の対地インピーダンスを有する線路とすることができる。よって、バランは、不平衡線路を平衡線路から分離させる変成器とすることができる。このような変成器を使用すれば、不平衡線路から平衡線路へのインピーダンス整合もできる。

バランの最も重要な構成要素は磁心であろう。バランの磁心の特性は所望の応用に応じて適合させることができる。例えば、磁心は、所望の周波数範囲及び当該バランによって変換される信号の電力に応じて適合させなくてはならない。

このような背景に対して、本発明の目的は、広い周波数範囲で使用可能な改良されたバランの磁心の提供である。また、本発明は、高電力放散のバランの磁心、例えば磁気損失による電力放散が起こるバランの磁心の提供を目的とする。

本発明は、独立請求項の特徴を備えた、磁心、バラン、及び磁心の製造方法によって上記の課題を解決する。さらなる有利な実施形態は、従属請求項の主題である。

第１の態様によれば、バランの磁心が提供される。当該磁心は、複数の少なくとも２つの磁心要素と、少なくとも１つのヒートシンクとを備える。前記複数の磁心要素及び前記少なくとも１つのヒートシンクは同心円状に配置される。具体的には、前記少なくとも１つのヒートシンクは前記複数の磁心要素の間に配置される。３つ以上の磁心要素がある場合、２つの磁心要素間のそれぞれにヒートシンクを配置することができる。

第２の態様によれば、バランが提供される。当該バランは、本発明の上記第１の態様にかかる磁心を少なくとも１つ備える。具体的には、当該バランは、対称バランとすることができる。

第３の態様によれば、バランの磁心を製造する方法が提供される。当該方法は、複数の少なくとも２つの磁心要素を設ける工程と、少なくとも１つのヒートシンクを設ける工程とを含む。当該方法は、前記複数の磁心要素及び前記少なくとも１つのヒートシンクを同心円状に配置する工程をさらに含む。具体的には、前記少なくとも１つのヒートシンクは前記複数の磁心要素の間に配置される。３つ以上の磁心要素がある場合、２つの磁心要素間のそれぞれにヒートシンクを配置することができる。

本発明は、磁心がバランの最も重要な要素であることに基づいている。バランの、周波数範囲、耐熱負荷能力、ひいては電力処理能力などの特性は、バランの磁心の特性によって制限される。

故に、本発明は、この知見を踏まえ、改良された磁心の提供を目的とする。具体的には、本発明は、幅広の周波数範囲で使用可能であり、故にバランの帯域幅を高くすることができるバランの磁心の提供を目的とする。さらに、本発明は、より高い電力処理能力を備えたバランの磁心の提供を目的とする。

このために、本発明は、同心円状に配置された複数の磁心要素を備えた磁心を提供する。よって、該複数の磁心要素は、すべての磁心要素が同じ対称軸を有するように配置されている。さらに、各磁心要素は１つ又は複数のヒートシンクによって分離されている。具体的には、隣り合う２つの磁心要素間にヒートシンクが配置されている。

２つ以上の磁心要素を使用することによって、前記複数の少なくとも２つの磁心要素の各々を所定の特性、例えば、所定の周波数範囲に適合させることができる。２つ以上の磁心要素を使用することによって、各磁心要素を別々の周波数範囲に最適化させることができる。このように、複数の磁心要素を備えた磁心の周波数範囲は、各磁心要素の周波数範囲の組み合わせを基に広げることができる。例えば、磁心要素の周波数範囲は、磁心要素に用いた材料又は材料組成、磁心要素の厚さ及び／又は長さ、或いは当該磁心要素を特徴づける他のパラメータを基に適合させることができる。よって、このような磁心を備えたバランは、各磁心要素の周波数範囲の組み合わせを基に周波数範囲、すなわち、帯域幅を広げることができる。

各磁心要素間にヒートシンクを配置することによって、磁心要素が発生させた熱ネルギーを放散させることができる。例えば、磁心要素における磁力損失のエネルギーを、磁心に熱的接続した状態で配置されたヒートシンクによって放散させることができる。このようにすれば、ヒートシンクによって磁心要素から熱エネルギーを放散させることができ、このようにして磁心の電力処理能力を高めることできる。例えば、寄生共振は制振によって取り除くことができるが、該共振の制振により生じる熱エネルギーを当該ヒートシンクによって放散させることができる。

さらに、２つの磁心要素間にヒートシンクを配置することによって、各磁心要素を相互に離して配置することができ、複数の磁心要素の配置を該磁心要素間のヒートシンクによって機械的に安定させることができる。このようすれば、複数の磁心要素を含む配置を堅固なものにすることができる。

本発明のさらなる実施形態は、副請求項の主題であり、図面を参照した以下の説明の主題である。

可能な実施形態では、前記磁心は、少なくとも２つの磁心要素と、少なくとも２つのヒートシンクとを備える。

さらに、前記磁心は、４つ以上の磁心要素を備えることができる場合もある。具体的には、隣り合う２つの磁心要素間のそれぞれにヒートシンクを配置することができる。したがって、ヒートシンクの数は磁心要素の数より１つ少なくすることができる。複数の磁心要素を使用することによって、磁心の性質、ひいてはこのような磁心を備えたバランの性質を、広い範囲、具体的には広い周波数範囲で適合させることができる。

可能な実施形態では、前記複数の磁心要素の各々はフェライトを含む。

フェライトは、酸化鉄（ＩＩＩ）と少量の１つ又は複数の付加的な金属元素を含むセラミック材料である。具体的には、前記磁心はソフトフェライトを含むことができる。ソフトフェライトは保磁力が低く、その磁化が変わり易い。しかしながら、他の適切な材料、具体的には、任意の適切な軟磁性材料を磁心の磁心要素に使用することもできる。

可能な実施形態では、前記複数の磁心要素の各々は同じ材料を含む。

例えば、前記磁心のすべての磁心要素を同じ軟磁性材料で製造することができる。すべての磁心要素に同じ材料を使用することによって、各磁心要素の物性が同じになり、このようにして熱的強度等を避けることができる。

代替的な実施形態では、前記複数の磁心要素の各々の材料がそれぞれ異なる。

各磁心要素に異なる材料を使用することによって、各磁心要素の特性、例えば周波数範囲又は帯域幅を容易に適合させることができる。例えば、各磁心要素の製造にそれぞれ異なる軟磁性材料を使用することができる。例えば、前記複数の磁心要素の各々にタイプの異なるフェライトを使用することができる。具体的には、高い周波数範囲に適合させる内側の磁心に第１のフェライトを使用し、低い周波数範囲に関連する外側の磁心要素に別のフェライトを使用することができる。

可能な実施形態では、前記少なくとも１つのヒートシンクは金属材料又はセラミック材料を含む。

さらに、適切な熱伝導率を有する任意の種類の材料を前記少なくとも１つのヒートシンクに使用することができる。磁心に２つ以上のヒートシンクを適用する場合、各ヒートシンクは同じ材料を含むことができる。或いは、各ヒートシンクにそれぞれ異なる材料を使用することも可能である。

ヒートシンクに電気伝導材料を使用することによって、ヒートシンクは漂遊磁場に対する遮蔽を行うこともできる。このようすれば、高周波数性能をさらに向上させることができる。

しかしながら、他の適切な材料を使用することもできる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ，「テフロン（登録商標）」）又は他のポリマーをヒートシンクに使用することができる。

可能な実施形態では、前記複数の磁心要素の各々を、バランの帯域幅が所定の帯域幅となるように適合させる。

高い周波数は、最も内側の磁心のみ、又は内側の磁心のいくつかのみを磁化することができる。逆に、低い周波数は、外側の磁心要素も磁化することができる。例えば各磁心要素にそれぞれ異なる材料又は異なるサイズを選択するなどして各磁心要素の特性を適合させることによって、これに応じて具体的には各周波数に対する磁心の特性を適合させることができる。

可能な実施形態では、前記複数の磁心要素は円筒形状を有することができる。加えて又は或いは、前記少なくとも１つのヒートシンクは円筒形状を有することができる。具体的には、前記磁心要素及び／又は前記少なくとも１つのヒートシンクは中空の円筒形状を有することができる。

磁心要素及びヒートシンクに中空の円筒体を用いることによって、複数の磁心要素及びヒートシンクからの磁心の組み立てを単純化することができる。例えば、各構成要素を押し合わせることができる。しかしながら、他の組み立て方も可能である。さらに、別の適切な形状、例えば、楕円形、矩形又は正方形断面などを有する磁心要素及びヒートシンクを用いることも可能である。

可能な実施形態では、前記少なくとも１つのヒートシンクの各々は、隣接する２つの磁心要素と熱的接続した状態で配置される。例えばヒートシンクを関連する磁心要素の近くに大きな間隔を空けずに配置することによって、ヒートシンクと磁心要素とを熱的接続させることができる。さらに、サーマルコンパウンド又は熱伝導性接着剤をヒートシンクと磁心要素との熱的接続に用いることもできる。

可能な実施形態では、前記磁心は冷却器をさらに備えることができる。該冷却器は前記少なくとも１つのヒートシンクに熱的結合させることができる。該冷却器は、前記少なくとも１つのヒートシンクから熱エネルギーを放散させるように適合させることができる。

熱エネルギーを放散させるために付加的な冷却器を適用することによって、磁心で発生した熱エネルギーを効率的に放散させることができる。前記冷却器は任意の種類の適切な冷却器とすることができる。具体的には、前記冷却器は、熱エネルギーを放散させるための表面が大きい能動冷却器又は受動冷却器とすることができる。

可能な実施形態では、前記冷却器は液冷装置を備えることができる。

前記液冷装置は、熱エネルギーをヒートシンクから熱エネルギーの放散のための別の空間的位置に移送する液体又は流体を備えることができる。例えば、前記液体は、水又はその他の流体とすることができる。

可能な実施形態では、前記冷却器は空冷装置を備えることができる。

例えば、前記冷却器は、強制空気によって熱エネルギーを放散させる装置を備えることができる。このために、ファン等を用いることができる。

バランの可能な実施形態では、当該バランは対称バランとすることができる。

例えば、当該バランを１：１バランとすることができる。具体的には、不平衡伝送線路のインピーダンスを対称伝送線路のインピーダンスと一致させることができる。該バランは１：１の変流を行うことができる。該バランは１：１の変圧をも行うことができる。

しかしながら、他の種類のバランに前記磁心を適用することも可能である。例えば、当該バランは、他の変成比の１：４の変成を行うバランの一部とすることができる。

当該バランは任意の種類の高周波装置に用いることができる。例えば、前記バランは、増幅器、測定器、アンテナの結合などに用いることができる。

以上の理由から、本発明によれば、広い帯域幅及び高い電力処理能力を有する、不平衡線路と平衡線路の変換を行うバランを実現可能である。このために、磁心を同心円状の複数の磁心要素で構成する。各磁心要素間に、磁心要素で生じた熱エネルギーを放散させるためのヒートシンクをさらに配置する。このようすれば、バラン組立体を非常にコンパクトにすることができ、容積空間を最適に使用することができる。

本発明及びその利点をより完全に理解するために、ここで、以下の説明を添付の図面と併せて参照する。以下では、図面の概略図に明示した例示的な実施形態を使って本発明をより詳細に説明する。図面は以下の通りである。

本発明の一実施形態にかかる磁心の断面図である。 本発明の別の実施形態にかかる磁心の断面図である。 本発明の一実施形態にかかる磁心の概略図である。 本発明の一実施形態にかかるバランの回路図である。 本発明のさらなる実施形態にかかるバランの回路図である。 本発明にかかる方法の実施形態のブロック図である。

添付の図面は、本発明の実施形態のさらなる理解を提供するよう意図したものである。該図面には実施形態を図示しており、これは、本明細書とともに、本発明の原理及び概念の説明に寄与する。他の実施形態及び言及する利点の多くは図面を考慮すると明らかになる。図面の各要素は必ずしも同一の縮尺で示されているとは限らない。

図面において、同様の、機能的に同等であり同じように動作する要素、特徴及び構成物には、特段の記載がない限り、いずれの場合も同様の参照符号を付している。

図１に、一実施形態にかかる磁心１の断面図を示す。磁心１は、例えばバランに用いることができる。図１に見られるように、磁心１は、複数の少なくとも２つの磁心要素１１、１２を備えることができる。さらに、磁心１は、少なくとも１つのヒートシンク２１を備える。ヒートシンク２１は、２つの磁心要素１１、１２の間に配置されている。磁心要素１１、１２は、中空の円筒体として製造することができる。これに応じて、ヒートシンク２１も中空の円筒形状を有することができる。具体的には、２つの磁心要素１１、１２及びヒートシンク２１の寸法は、各要素が相互にぴったりと嵌合するような寸法とすることができる。言い換えると、内側の磁心要素１１の外径はヒートシンク２１の内径と略一致している。これに応じて、外側の磁心要素１２の内径はヒートシンク２１の外径と略一致している。このようにすれば、ヒートシンク２１と磁心要素１１、１２とを熱的接続させることができる。

例えば、磁心要素１１、１２及びヒートシンク２１を押し合わせることができる。しかしながら、熱伝導性接着剤を用いて磁心要素１１、１２とヒートシンク２１とを一体化させることができる場合もある。さらに、ヒートシンク２１と磁心要素１１、１２とを熱的結合させるためにサーマルコンパウンドを用いることもできる。

また、図１に見られるように、最も内側の磁心要素１１は中空の円筒体とすることができる。すなわち、最も内側の磁心要素１１は内開口を有することができる。このようにすれば、バランを形成する際に該開口内に１つ又は複数の導体を通すことができる。

図２に、磁心１のさらなる実施形態を示す。図２にかかる磁心１は、大部分は先述の磁心１と対応している。したがって、図１についての説明は図２の磁心１にも当てはまり、その逆も同様で、図２についての説明を図１の磁心に適用することもできる。

図２の磁心１は、磁心要素１３及びヒートシンク２２をさらに備える点で先述の磁心１と異なる。しかしながら、本発明は、２つ又は３つの磁心要素１１、１２、１３及び１つ又は２つのヒートシンク２１、２２だけに限定されないことが理解される。さらに、任意の適切な数の磁心要素１１、１２、１３及び任意の適切な数のヒートシンク２１、２２を使用することができる。具体的には、磁心要素１１、１２、１３の数はヒートシンク２１、２２の数より１つ多くすることができる。

各磁心要素１１、１２、１３はすべて、同じ材料で製造することができる。具体的には、軟磁性フェライトなどの適切なフェライトを磁心要素１１、１２、１３に使用することができる。しかしながら、磁心用の他の適切な材料を使用することもできることが理解される。各磁心要素１１、１２、１３の大きさを適合させることによって、各磁心要素の特性を適合させることができる。例えば、信号が磁心１の内開口内を伝達される場合、高い周波数は最も内側の磁心要素１１のみを磁化する。したがって、最も内側の磁心要素１１の寸法は高い周波数成分に対する所望の特性を基に適合させることができる。さらに、磁心１の内開口内を案内される信号の低い周波数成分は、最も内側の磁心要素１１だけでなくさらに磁心要素１２及び１３も磁化する。したがって、これら磁心要素１２、１３の寸法は、これらを磁化する周波数に応じて適合させることができる。したがって、各磁心要素１１、１２、１３の長さ及び／又は厚さはそれぞれの周波数に応じて適合させることができる。

或いは、磁心要素１１、１２、１３にそれぞれ異なる材料を使用することも可能である。例えば、磁心要素１１、１２、１３ごとに異なる材料を使用することができる。例えば、磁心用のカスタマイズされた材料をＦｅｒｒｏｘｃｕｂｅ社から入手することができる。しかしながら、磁心用の他の適切な材料、具体的には、磁心用のカスタマイズされた材料を使用することもできる。既述の通り、高い周波数は内側の磁心要素１１のみを磁化し、低い周波数は外側の磁心要素１３も磁化することができる。したがって、各磁心要素１１、１２、１３に適切な材料を選択することによって、これに応じて磁心１の周波数特性を適合させることができる。例えば、高い周波数によって磁化される内側の磁心要素にはＦｅｒｒｏｘｃｕｂｅ社の４Ｃ５を使用することができ、低い周波数によって磁化される外側の磁心要素１２又は１３にはＦｅｒｒｏｘｃｕｂｅ社のＮ３０を使用することができる。

ヒートシンク２１、２２は、磁心１で発生した熱エネルギーを伝導するための任意の適切な材料を含むことができる。例えば、ヒートシンク２１、２２は金属及び／又はセラミックを含むことができる。しかしながら、他の適切な材料、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ，テフロン）などのポリマーをヒートシンクとして使用することもできる。ヒートシンク２１、２２は、磁心要素１１、１２、１３で発生した熱エネルギーを放散させることができる。例えば、寄生共振を取り除くことができ、該寄生共振のエネルギーを、ヒートシンク２１、２２によって放散される熱エネルギーに変換することができる。

ヒートシンク２１、２２が電気伝導性材料、例えば金属を含む場合、ヒートシンク２１、２２は漂遊磁場に対する遮蔽を行うこともできる。このようすれば、該遮蔽により、高周波数性能についてさらなる改良がもたらされる。

図３に、さらなる実施形態にかかる磁心１の概略図を示す。本実施形態の磁心１は、上述のような磁心要素１１、１２、１３及びヒートシンク２１、２２に加えて、冷却器３０をさらに備える。冷却器３０は、ヒートシンク２１、２２に熱的結合させることができる。よって、冷却器３０は、磁心要素１１、１２、１３から該冷却器３０に伝導された熱エネルギーを放散させることができる。冷却器３０は、熱エネルギーを放出するための冷却要素を備えた受動冷却器とすることができる。或いは、冷却器３０は、能動冷却器とすることができる。例えば、冷却器３０は、強制空冷を行うためのファンを備えることができる。別の実施形態では、冷却器３０は、液冷システムを備えた冷却器とすることができる。例えば、熱エネルギーをヒートシンクからの環境に放散させるために水又は別の流体を用いることができる。このために、流体を循環させるためのポンプ（図示せず）を使用することもできる。しかしながら、熱エネルギーを放散させるために他の種類の冷却器３０を適用することもできることが理解される。

図４に、一実施形態にかかるバラン２の概略回路図を示す。図４に見られるように、バラン２は不平衡ポート１００を備える。不平衡ポートの第１の端子１０１は接地することができる。不平衡ポート１００の他方の端子１０２は信号線と接続することができる。例えば、不平衡ポートは同軸ケーブル３００と接続することができる。しかしながら、他のケーブルを用いることもできる。ケーブル３００は磁心１の内側部分に配置することができる。ケーブル３００の他方端は平衡ポート２００と接続することができる。平衡ポート２００は第１の端子２０１及び第２の端子２０２を備えることができる。例えば、第１の端子２０１は同軸ケーブル３００の内部導体と接続することができ、第２の端子２０２は同軸ケーブル３００のシールドと接続することができる。

図５に、バラン２のさらなる実施形態を示す。図５にかかるバラン２は２つのケーブル３０１、３０２を備える。不平衡ポート１００の第１の端子１０１は第２同軸ケーブル３０２の内部コネクタと接続することができる。不平衡ポート１００の第２の端子１０２は第１同軸ケーブル３０１の内部コネクタ及び第２同軸ケーブル３０２のシールドと接続することができる。さらに、第１同軸ケーブル３０１と第２同軸ケーブル３０２のシールドを平衡ポート２００の位置で相互に接続することができる。さらに、第１同軸ケーブル３０１の内部コネクタは平衡ポート２００の第１の端子２０１と接続することができ、第２同軸ケーブル３０２の内部コネクタは平衡ポート２００の第２の端子２０２と接続することができる。各同軸ケーブル３０１、３０２の周囲に磁心１を配置することができる。

上述の図４及び図３にかかるバランの実施形態は、２つの例示的な実施形態を示しているにすぎない。しかしながら、本発明は上記のバラン２に限定されないことが理解される。さらに、本発明にかかる磁心１は、不平衡線路と平衡線路とを結合するための他の種類のバランに用いることもできる。

以下の図６に基づく方法の説明では、分かりやすくするために、上記の図１乃至図５に基づく磁心１及びバラン２の説明における参照符号をそのまま用いる。

図６に、バランの磁心を製造する方法のブロック図を示す。該方法は、複数の少なくとも２つの磁心要素１１、１２、１３を設ける工程Ｓ１と、少なくとも１つのヒートシンク２１、２２を設ける工程Ｓ２とを含む。さらに、該方法は、複数の磁心要素１１、１２、１３及び少なくとも１つのヒートシンク２１、２２を同心円状に配置する工程Ｓ３を含む。具体的には、少なくとも１つのヒートシンク２１、２２は複数の磁心要素１１、１２、１３の間に配置される。

該方法は、冷却器３０を少なくとも１つのヒートシンク２１、２２に熱的結合させる工程をさらに含むことができる。

要約すると、本発明は、バランの磁心及びこの磁心を備えたバランに関する。具体的には、複数の磁心要素を備え、該磁心要素が同心円状に配置された磁心が提供される。さらに、隣り合う２つの磁心要素の間にヒートシンクが配置される。磁心に複数の磁心要素を使用することによって、各磁心要素をそれぞれ異なる周波数範囲に適合させることができる。このようにすれば、磁心を周波数範囲が広いバランに用いることができる。さらに、磁心で発生した熱エネルギーを磁心要素間のヒートシンクによって放散させることができる。このようにすれば、磁心及びこの磁心を備えたバランの電力処理能力が向上する。

１ 磁心
２ バラン
１１ 磁心要素
１２ 磁心要素
１３ 磁心要素
２１ ヒートシンク
２２ ヒートシンク
３０ 冷却器
１００ 不平衡ポート
２００ 平衡ポート
３００ 同軸ケーブル
３０１ 同軸ケーブル
３０２ 同軸ケーブル

Claims (11)

1. バラン（２）の磁心（１）であって、
   複数の少なくとも２つの磁心要素（１１、１２、１３）と、
   少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）と、
   前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）に熱的結合された冷却器（３０）とを備え、
   前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）及び前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）は同心円状に配置され、前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）は前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）の間に配置され、
   前記冷却器（３０）は液冷装置を備え、前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）からの熱エネルギーを放散させるように適合された磁心（１）。
2. 少なくとも３つの磁心要素（１１、１２、１３）と、少なくとも２つのヒートシンク（２１、２２）とを備えた請求項１記載の磁心（１）。
3. 前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）の各々はフェライトを含む請求項１又は２記載の磁心（１）。
4. 前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）の各々は同じ材料を含む請求項１乃至３のいずれかに記載の磁心（１）。
5. 前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）の各々の材料がそれぞれ異なる請求項１乃至３のいずれかに記載の磁心（１）。
6. 前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）は金属材料又はセラミック材料を含む請求項１乃至５のいずれかに記載の磁心（１）。
7. 前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）及び／又は前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）は、円筒形状、具体的には中空の円筒形状を有する請求項１乃至６のいずれかに記載の磁心（１）。
8. 前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）の各々は、隣接する２つの磁心要素（１１、１２、１３）と熱的接続した状態で配置されている請求項１乃至７のいずれかに記載の磁心（１）。
9. 前記冷却器（３０）は空冷装置を備える請求項１記載の磁心（１）。
10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の磁心（１）を少なくとも１つ備えたバラン（２）。
11. バラン（２）の磁心（１）を製造する方法であって、
    複数の少なくとも２つの磁心要素（１１、１２、１３）を設ける工程（Ｓ１）と、
    少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）を設ける工程（Ｓ２）と、
    前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）及び前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）を同心円状に配置する工程（Ｓ３）と、
    液冷装置を備え、前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）からの熱エネルギーを放散させるように適合された冷却器（３０）を、前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）に、熱的に結合させる工程とを含み、
    前記少なくとも１つのヒートシンク（２１、２２）は前記複数の磁心要素（１１、１２、１３）の間に配置される方法。
    

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