JP7357062B2 - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、樹脂 - Google Patents

Description

本発明は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、及び樹脂に関する。

ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）用レジスト以降、光吸収による感度低下を補うべく、化学増幅を利用したパターン形成方法が用いられている。例えば、ポジ型の化学増幅法では、まず、露光部に含まれる光酸発生剤が、光照射により分解して酸を発生する。そして、露光後のベーク（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）過程等において、発生した酸の触媒作用により、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる樹脂が有するアルカリ不溶性の基をアルカリ可溶性の基に変化させる等して現像液に対する溶解性を変化させる。その後、例えば塩基性水溶液を用いて、現像を行う。これにより、露光部を除去して、所望のパターンを得る。
半導体素子の微細化のために、露光光源の短波長化及び投影レンズの高開口数（高ＮＡ）化が進み、現在では、１９３ｎｍの波長を有するＡｒＦエキシマレーザーを光源とする露光機が開発されている。
このような現状のもと、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として、種々の構成が提案されている。

例えば、特許文献１では、レジスト組成物に使用する成分として、下記一般式（Ｉ）で表される塩を含む酸発生剤が開示されている。なお、以下において、このような酸発生剤を「低分子型酸発生剤」ともいう。

特開２０１９－１４７０４号公報

従来の通常のレジスト組成物において、光酸発生剤及び酸拡散制御剤が、それぞれ単独の化合物としてのみ組成物に添加されると、光酸発生剤同士、又は酸拡散制御剤同士で凝集しやすい。そのため、従来の通常のレジスト組成物では、形成されたレジスト膜中に、光酸発生剤の濃度が高い（又は低い。）部分、及び酸拡散制御剤の濃度が高い（又は低い。）部分が存在して、光酸発生剤と酸拡散制御剤との濃度分布の不均一が生じやすい。その結果、レジスト膜が露光された際に、レジスト膜中で生じる酸の量及び拡散にもムラが生じ、現像後に得られるパターンの幅のバラつきの原因となる。
これに対して、従来技術（例えば特許文献１）に開示される低分子型酸発生剤によれば、光酸発生剤に該当する部位と酸拡散制御剤に相当する部位との両方を一分子中に含むため、レジスト膜中で、上記部位のそれぞれの存在比率を一定にし易い特徴がある。

本発明者らは、特許文献１に記載されたレジスト組成物について検討したところ、上記レジスト組成物を用いて形成されるパターンのパターン線幅の揺らぎ（ＬＷＲ（line width roughness））を更に改善する余地があることを知見した。

そこで、本発明は、ＬＷＲ性能に優れるパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、ＬＷＲ性能に優れるパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に使用される樹脂並びにその単量体である化合物を提供することも課題とする。
また、本発明は、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに上記パターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

〔１〕 下記化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂Ｘを含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（化合物）
アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位を２つ以上と、重合性基と、を含む化合物であり、
活性光線又は放射線の照射によって、上記２つ以上の構造部位中の上記アニオン部位に由来する酸性部位を含む酸を発生する、化合物。
〔２〕 上記化合物において、上記アニオン部位のうち、２つ以上のアニオン部位の構造が互いに異なる、〔１〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔３〕 上記化合物が後述する化合物（Ｉ）である、〔１〕又は〔２〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔４〕 上記樹脂Ｘが、更に、酸分解性基を有する繰り返し単位を含む、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔５〕 下記樹脂Ｙを含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（樹脂Ｙ）
酸分解性基と、
第１のアニオン部位と第１のカチオン部位とからなる第１の構造部位を有する基と、
第２のアニオン部位と第２のカチオン部位とからなる第２の構造部位を有する基と、を含む樹脂であり、
上記第１の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第１のアニオン部位に由来する第１の酸性部位を形成し、
上記第２の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第２のアニオン部位に由来する第２の酸性部位を形成し、
上記第２の酸性部位は、上記第１の酸性部位とは異なる構造であり、且つ、その酸解離定数は、上記第１の酸性部位の酸解離定数よりも大きい、樹脂。
〔６〕 上記樹脂Ｙが、
上記酸分解性基を含む繰り返し単位と、
上記第１の構造部位を有する基と上記第２の構造部位を有する基とを含む繰り返し単位と、を含む、〔５〕に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
〔７〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された、レジスト膜。
〔８〕 〔１〕～〔６〕のいずれかに記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、
上記レジスト膜を露光する工程と、
上記露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程と、を有する、パターン形成方法。
〔９〕 〔８〕に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
〔１０〕 アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位を２つ以上と、重合性基と、を含む化合物であり、
活性光線又は放射線の照射によって、上記２つ以上の構造部位中の上記アニオン部位に由来する酸性部位を含む酸を発生する、化合物。
〔１１〕 上記アニオン部位のうち、２つ以上のアニオン部位の構造が互いに異なる、〔１０〕に記載の化合物。
〔１２〕 後述する化合物（Ｉ）である、〔１０〕又は〔１１〕に記載の化合物。
〔１３〕 〔１０〕～〔１２〕のいずれかに記載の化合物に由来する繰り返し単位を含む、樹脂。
〔１４〕 更に、酸分解性基を有する繰り返し単位を含む、〔１３〕に記載の樹脂。
〔１５〕 酸分解性基と、
第１のアニオン部位と第１のカチオン部位とからなる第１の構造部位を有する基と、
第２のアニオン部位と第２のカチオン部位とからなる第２の構造部位を有する基と、を含む樹脂であり、
上記第１の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第１のアニオン部位に由来する第１の酸性部位を形成し、
上記第２の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第２のアニオン部位に由来する第２の酸性部位を形成し、
上記第２の酸性部位は、上記第１の酸性部位とは異なる構造であり、且つ、その酸解離定数は、上記第１の酸性部位の酸解離定数よりも大きい、樹脂。
〔１６〕 上記酸分解性基を含む繰り返し単位と、
上記第１の構造部位を有する基と上記第２の構造部位を有する基とを含む繰り返し単位と、を含む、〔１５〕に記載の樹脂。

本発明によれば、ＬＷＲ性能に優れるパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供できる。
また、本発明によれば、ＬＷＲ性能に優れるパターンを形成できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に使用される樹脂並びにその単量体である化合物を提供できる。
また、本発明によれば、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに上記パターン形成方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供できる。

以下、本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、及び樹脂について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされる場合があるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。
本明細書中における基（原子団）の表記について、本発明の趣旨に反しない限り、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
置換基は、特に断らない限り、１価の置換基が好ましい。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光： Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、及びＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による描画も含む。
本明細書において、「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
本明細書において表記される二価の基の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「Ｘ－Ｙ－Ｚ」なる一般式で表される化合物中の、Ｙが－ＣＯＯ－である場合、Ｙは、－ＣＯ－Ｏ－であってもよく、－Ｏ－ＣＯ－であってもよい。また、上記化合物は「Ｘ－ＣＯ－Ｏ－Ｚ」であってもよく「Ｘ－Ｏ－ＣＯ－Ｚ」であってもよい。

本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、（メタ）アクリルはアクリル及びメタクリルを表す。
本明細書において、樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー社製ＨＬＣ－８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー社製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ－Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ））によるポリスチレン換算値として定義される。

本明細書において酸解離定数（ｐＫａ）とは、水溶液中でのｐＫａを表し、具体的には、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求められる値である。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。

ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４－２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

一方で、ｐＫａは、分子軌道計算法によっても求められる。この具体的な方法としては、熱力学サイクルに基づいて、水溶液中におけるＨ^＋解離自由エネルギーを計算することで算出する手法が挙げられる。Ｈ^＋解離自由エネルギーの計算方法については、例えばＤＦＴ（密度汎関数法）により計算することができるが、他にも様々な手法が文献等で報告されており、これに制限されるものではない。なお、ＤＦＴを実施できるソフトウェアは複数存在するが、例えば、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６が挙げられる。

本明細書中のｐＫａとは、上述した通り、ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求められる値を指すが、この手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用するものとする。
また、本明細書中のｐＫａは、上述した通り「水溶液中でのｐＫａ」を指すが、水溶液中でのｐＫａが算出できない場合には、「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）溶液中でのｐＫａ」を採用するものとする。

本明細書において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

以下においては、本発明の化合物及び樹脂について説明した後、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法について説明する。

［化合物］
本発明の化合物（以下「特定化合物」ともいう。）は、アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位を２つ以上と、重合性基と、を含む化合物であり、
活性光線又は放射線の照射によって、上記２つ以上の構造部位中の上記アニオン部位に由来する酸性部位を含む酸を発生する。
上記特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂Ｘ（以下「特定樹脂Ｘ」ともいう。
）を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下「レジスト組成物」ともいう。）は、ＬＷＲ性能に優れるパターンを形成できる。その作用機序は必ずしも明確ではないが、本発明者らは以下のように推測している。

今般の本発明者らの検討により、従来技術（例えば特許文献１）に開示される低分子型酸発生剤は組成物中で凝集しやすく、この凝集に起因して、レジスト膜中において光酸発生剤に該当する部位と酸拡散制御剤に相当する部位の存在比率の均一性が低下し、形成されるパターンのＬＷＲ性能が所望の要求を満足しない場合があることを知見している。

これに対して、上記特定樹脂Ｘは、アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位を２つ以上有する。このため、構造部位の少なくとも１つを光酸発生剤に相当する機能を有する構造部位Ｘとし、構造部位の少なくとも１つを酸拡散制御剤に相当する機能を有する構造部位Ｙとした場合、光酸発生剤に相当する構造部位と酸拡散制御剤に相当する構造部位との両方を一分子中に含むため、レジスト膜中で、上記構造部位のそれぞれの存在比率を一定にできる。特に、上記特性樹脂は、凝集しやすい塩構造部位（アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位であり、上記構造部位Ｘ及び上記構造部位Ｙが該当する。）が樹脂に担持された構造であるため、特許文献１に開示される低分子型酸発生剤と比べると、組成物中において凝集しにくい。つまり、特許文献１に開示される低分子型酸発生剤と比べると、上記特定樹脂Ｘを使用することで、光酸発生剤に相当する構造部位と酸拡散制御剤に相当する構造部位の存在比率の均一性がより一層維持されやすい。この結果として、レジスト膜が露光された際にも、レジスト膜中で生じる酸の量及び拡散が均一になりやすく、現像後に得られるパターンの幅が安定しやすい（即ち、パターンのＬＷＲ性能が優れる）。このことは、例えば、実施例欄の比較例１－３の結果からも明らかである。

さらに、特許文献１に開示される低分子型酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射によって発生する酸の拡散距離が大きいことから、上記低分子型酸発生剤を含む組成物は、ＥＬ性能が劣る場合がある。

これに対して、本発明者らは、上記特定樹脂Ｘのうち、活性光線又は放射線の照射によって、重合性基と、上記構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、上記構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを含む酸を発生し得る特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂（以下「特定樹脂Ｘ－Ａ」ともいう）によれば、レジスト組成物のＥＬ性能がより一層向上することも明らかとしている。その作用機序は必ずしも明確ではないが、本発明者らは以下のように推測している。
上記特定樹脂Ｘ－Ａ中の上記特定化合物に由来する繰り返し単位は、活性光線又は放射線の照射によって酸を発生する酸性部位として機能し得る。すなわち、上記特定樹脂Ｘ－Ａは、活性光線又は放射線の照射によって、樹脂中に、上記構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と上記構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位を形成できる。すなわち、露光後のこれらの酸性部位は、特定樹脂Ｘ－Ａ中に担持された状態であるため、特許文献１に開示される低分子型酸発生剤と比べると格段に拡散距離が小さい。この結果として、上記特定樹脂Ｘ－Ａを含むレジスト組成物は、ＥＬ性能にも優れる。このことは、例えば、実施例欄の実施例１－１０等の結果からも明らかである。

更に、本発明者らは、下記樹脂Ｙ（以下「特定樹脂Ｙ」ともいう。）を含むレジスト組成物によっても、上記特定樹脂Ｘ－Ａと同様の作用機序により、ＬＷＲ性能に優れるパターンを形成でき、且つＥＬ性能にも優れることを明らかとしている。
（樹脂Ｙ）
酸分解性基と、
第１のアニオン部位と第１のカチオン部位とからなる第１の構造部位を有する基と、
第２のアニオン部位と第２のカチオン部位とからなる第２の構造部位を有する基と、を含む樹脂であり、
上記第１の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第１のアニオン部位に由来する第１の酸性部位を形成し、
上記第２の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第２のアニオン部位に由来する第２の酸性部位を形成し、
上記第２の酸性部位は、上記第１の酸性部位とは異なる構造であり、且つ、その酸解離定数は、上記第１の酸性部位の酸解離定数よりも大きい、樹脂。

以下において、特定化合物並びに特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙについて説明した後、レジスト組成物について説明する。

特定化合物は、重合性基を含む。
上記重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基又は環重合性基がより好ましく、重合性エチレン性不飽和基が更に好ましい。
重合性エチレン性不飽和基としては、具体的には、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、及び下記一般式（Ｗ１）で表される基が挙げられる。
環重合性基としては、エポキシ基及びオキセタン基が挙げられる。
特定化合物中における重合性基の数は特に制限されないが、１～３個が好ましく、１個がより好ましい。

上記一般式（Ｗ１）中、Ｗ^１は、－Ｃ（Ｒ^１１）_２－、－Ｎ（Ｒ^１２）－、－Ｏ－、及び＞Ｃ（＝Ｏ）からなる群より選ばれる基から形成される原子団を表す。Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の置換基を表す。
Ｒ^１１及びＲ^１２で表される１価の置換基としては特に制限されないが、例えば、炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基等が挙げられる。
Ｒ^１１及びＲ^１２としては、なかでも水素原子が好ましい。

上記一般式（Ｗ１）中、Ｔで表される環は、一般式（Ｗ１）中に明示される炭素原子とＷ^１で表される原子団とから形成される、環員原子数が５～７個である環を表す。
Ｔで表される環としては、環員原子数が５又は６個である環（言い換えると、５員環又は６員環）が好ましい。
上記一般式（Ｗ１）中、＊は、結合位置を表す。上記Ｗ^１で表される原子団中の水素原子を１つ除くことにより、＊で表される結合位置が形成される。

特定化合物は、アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位（以下「特定構造部位」ともいう。）を２つ以上含む。
上記特定構造部位において、アニオン部位とカチオン部位とは、各々同等の価数を有し、対で存在する。ここで、アニオン部位とは、負電荷を帯びた原子又は原子団を含む構造部位であり、カチオン部位とは、正電荷を帯びた原子又は原子団を含む構造部位である。

特定化合物は、活性光線又は放射線の照射によって、上記２つ以上の特定構造部位中の上記アニオン部位に由来する酸性部位を含む酸を発生する。つまり、例えば、特定化合物が特定構造部位として構造部位Ｘ及び構造部位Ｙを有する場合、発生する酸は、構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを含む。なかでも、発生する酸は、上記２つ以上の特定構造部位中のアニオン部位に由来する酸性部位と、重合性基とを含むことが好ましい。つまり、例えば、特定化合物が特定構造部位として構造部位Ｘ及び構造部位Ｙを有する場合、発生する酸は、構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、重合性基とを含むことが好ましい。上述の如く、発生する酸に重合性基が含まれる場合、上記特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂（即ち上述した樹脂Ｘ－Ａに該当する。）は、活性光線又は放射線の照射によって、樹脂中に、構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを形成し得る。この結果として、特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂を含むレジスト組成物は、ＥＬ性能に優れる。

特定化合物中、上記特定構造部位としては、下記一般式（Ｄ１）又は下記一般式（Ｄ２）で表される部位が好ましい。なお、下記一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中、Ｐ_１ ^Ｘ１－及びＰ_２ ^Ｘ２－は、アニオン部位に該当する。また、Ｑ_１ ^Ｘ１＋及びＱ_２ ^Ｘ２＋は、カチオン部位に該当する。

一般式（Ｄ１）中、Ｐ_１ ^Ｘ１－は、価数がＸ１である負電荷を帯びた原子団を表す。Ｑ_１ ^Ｘ１＋は、価数がＸ１である正電荷を帯びた原子団を表す。＊は、結合位置を表す。
一般式（Ｄ１）中、Ｐ_２ ^Ｘ２－は、価数がＸ２である負電荷を帯びた原子団を表す。Ｑ_２ ^Ｘ２＋は、価数がＸ２である正電荷を帯びた原子団を表す。＊は、結合位置を表す。
一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中、Ｘ１及びＸ２で表される価数は特に制限されないが、１が好ましい。
一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中、Ｐ_１ ^Ｘ１－及びＰ_２ ^Ｘ２－で表される負電荷を帯びた原子団としては、例えば、後述するアニオン性官能基が好ましい。
一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中、Ｑ_１ ^Ｘ１＋及びＱ_２ ^Ｘ２＋で表される正電荷を帯びた原子団としては、例えば、後述する有機カチオンが好ましい。

なお、特定構造部位が、例えば、一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）で表される部位であり、且つ、一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中のＸ１及びＸ２で表される価数が各々１である場合、活性光線又は放射線の照射によって、Ｐ_１ ^Ｘ１－及びＰ_２ ^Ｘ２－で表されるアニオン部位に由来する一般式（Ｄ１－Ｈ）及び一般式（Ｄ２－Ｈ）で表される酸性部位が形成される。

特定化合物中の特定構造部位の数としては、２つ以上であれば特に制限されないが、例えば、２～４つが好ましく、２つがより好ましい。

特定化合物としては、下記一般式（Ｓ１）又は下記一般式（Ｓ２）で表される化合物が好ましい。

一般式（Ｓ１）中、Ｗ^１１は、重合性基を表す。重合性基としては、既述の通りである。
Ｌ^１１及びＬ^１２は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｌ^１１及びＬ^１２で表される２価の連結基としては特に制限されず、－ＣＯ－、－ＮＲ^Ａ－、－Ｏ－、アルキレン基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３～１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２～６）、２価の脂肪族複素環基（少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、又はＳｅ原子を環構造内に有する５～１０員環が好ましく、５～７員環がより好ましく、５～６員環が更に好ましい。）、及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。上記Ｒ^Ａは、水素原子又は１価の置換基が挙げられる。１価の置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。
また、上記アルキレン基、上記シクロアルキレン基、上記アルケニレン基、及び上記２価の脂肪族複素環基は、置換基で置換されていてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）が挙げられる。
Ｌ^１１としては、なかでも、単結合、又は－Ｏ－及びアルキレン基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）からなる群より選ばれる１種又は２種以上を組み合わせた２価の連結基が好ましい。
Ｌ^１２としては、なかでも、単結合、又はフッ素原子で置換されていてもよいアルキレン基（好ましくは炭素数１～６であり、より好ましくは炭素数１～３。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましく、単結合、又はフッ素原子で置換されたアルキレン基がより好ましく、パーフルオロアルキレン基が更に好ましい。

Ｄ^１１は、上述した一般式（Ｄ２）で表される基を表す。
Ｄ^１２は、上述した一般式（Ｄ１）で表される基を表す。

一般式（Ｓ２）中、Ｗ^２１は、重合性基を表す。重合性基としては、既述の通りである。
Ｌ^２１は、３価の連結基を表す。
Ｌ^２１で表される３価の連結基としては特に制限されないが、例えば、下記一般式（ＬＸ）で表される基が挙げられる。

一般式（ＬＸ）中、Ｌ^３１は、３価の連結基を表す。Ｌ^３２、Ｌ^３３、及びＬ^３４は、それぞれ独立に、単結合又は２価の連結基を表す。＊１は、Ｗ^２１との結合位置を表し、＊２は、Ｄ^２１との結合位置を表し、＊３は、Ｄ^２２との結合位置を表す。

Ｌ^３１で表される３価の連結基としては特に制限されないが、例えば、Ｃ（Ｒ^Ｂ）、窒素原子、３価の炭化水素環基、及び３価の複素環基等が挙げられる。

上記炭化水素環基は、芳香族炭化水素環基であっても、脂肪族炭化水素環基であってもよい。上記炭化水素環基に含まれる炭素数は、６～１８が好ましく、６～１４がより好ましい。
上記複素環基は、芳香族複素環基であっても、脂肪族複素環基であってもよい。上記複素環は、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、又はＳｅ原子を環構造内に有する５～１０員環であることが好ましく、５～７員環がより好ましく、５～６員環が更に好ましい。

Ｒ^Ｂは、水素原子又は１価の置換基を表す。
Ｒ^Ｂで表される１価の置換基としては特に制限されず、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）等が挙げられる。

Ｌ^３１としては、なかでも、ＣＨが好ましい。

Ｌ^３２、Ｌ^３３、及びＬ^３４で表される２価の連結基としては特に制限されず、例えば、－ＣＯ－、－ＮＲ^Ａ－、－Ｏ－、アルキレン基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３～１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２～６）、２価の脂肪族複素環基（少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、又はＳｅ原子を環構造内に有する５～１０員環が好ましく、５～７員環がより好ましく、５～６員環が更に好ましい。）、及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基等が挙げられる。上記Ｒ^Ａは、水素原子又は１価の置換基が挙げられる。１価の置換基としては特に制限されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。
また、上記アルキレン基、上記シクロアルキレン基、上記アルケニレン基、及び上記２価の脂肪族複素環基は、置換基で置換されていてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）が挙げられる。
Ｌ^３３としては、なかでも、単結合、又は－Ｏ－が好ましい。
Ｌ^３２及びＬ^３４としては、なかでも、単結合、又はアルキレン基（好ましくは炭素数１～６。直鎖状でも分岐鎖状でもよい。）が好ましい。

Ｄ^２１及びＤ^２２は、それぞれ独立に、上述した一般式（Ｄ１）で表される基を表す。

次に、上述した一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中のＰ_１ ^Ｘ１－及びＰ_２ ^Ｘ２－で表される負電荷を帯びた原子団について説明する。
Ｐ_１ ^Ｘ１－及びＰ_２ ^Ｘ２－で表される負電荷を帯びた原子団としては、例えば、－ＳＯ_３ ^－及び－ＳＯ_３ ^－を一部分として有する基、－ＣＯＯ^－及び－ＣＯＯ^－を一部分として有する基、－Ｎ^－－を一部分として有する基、並びに、カルボアニオン（－Ｃ^－＜）を一部分として有する基が挙げられる。

Ｐ_１ ^Ｘ１－としては、なかでも、下記一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－１３）で表される基が好ましい。

一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－１３）中、＊は結合位置を表す。
なお、一般式（Ｂ－１２）における＊は、－ＣＯ－及び－ＳＯ_２－のいずれでもない基に対する結合位置であるのも好ましい。

一般式（Ｂ－１）～（Ｂ－５）、及び（Ｂ－１２）中、Ｒ^Ｘ１は、有機基を表す。
Ｒ^Ｘ１としては、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよい。炭素数は１～１５が好ましい。）、シクロアルキル基（単環でも多環でもよい。炭素数は３～２０が好ましい。）、又はアリール基（単環でも多環でもよい。炭素数は６～２０が好ましい。）が好ましい。
なお、一般式（Ｂ－５）においてＲ^Ｘ１中の、Ｎ^－と直接結合する原子は、－ＣＯ－における炭素原子、及び－ＳＯ_２－における硫黄原子のいずれでもないのも好ましい。

Ｒ^Ｘ１におけるシクロアルキル基は単環でも多環でもよい。
Ｒ^Ｘ１におけるシクロアルキル基としては、例えば、ノルボルニル基、及びアダマンチル基が挙げられる。
Ｒ^Ｘ１におけるシクロアルキル基が有してもよい置換基は、アルキル基（直鎖状でも分岐鎖状でもよい。好ましくは炭素数１～５）が好ましい。
Ｒ^Ｘ１におけるシクロアルキル基の環員原子である炭素原子のうちの１個以上が、カルボニル炭素原子で置き換わっていてもよい。
Ｒ^Ｘ１におけるアルキル基の炭素数は１～１０が好ましく、１～５がより好ましい。
Ｒ^Ｘ１におけるアルキル基が有してもよい置換基は、シクロアルキル基、フッ素原子、又はシアノ基が好ましい。
上記置換基としてのシクロアルキル基の例としては、Ｒ^Ｘ１がシクロアルキル基である場合において説明したシクロアルキル基が同様に挙げられる。
Ｒ^Ｘ１におけるアルキル基が、上記置換基としてのフッ素原子を有する場合、上記アルキル基は、パーフルオロアルキル基となっていてもよい。
また、Ｒ^Ｘ１におけるアルキル基は、１つ以上の－ＣＨ_２－がカルボニル基で置換されていてもよい。
Ｒ^Ｘ１におけるアリール基はベンゼン環基が好ましい。
Ｒ^Ｘ１におけるアリール基が有してもよい置換基は、アルキル基、フッ素原子、又はシアノ基が好ましい。上記置換基としてのアルキル基の例としては、Ｒ^Ｘ１がシクロアルキル基である場合において説明したアルキル基が同様に挙げられ、パーフルオロアルキル基が好ましく、パーフルオロメチル基がより好ましい。

一般式（Ｂ－７）及び（Ｂ－１１）中、Ｒ^Ｘ２は、水素原子、又はフッ素原子及びパーフルオロアルキル基以外の置換基を表す。
Ｒ^Ｘ２で表されるフッ素原子及びパーフルオロアルキル基以外の置換基は、パーフルオロアルキル基以外のアルキル基、又はシクロアルキル基が好ましい。
上記アルキル基の例としては、Ｒ^Ｘ１におけるアルキル基からパーフルオロアルキル基を除いたアルキル基が挙げられる。また、上記アルキル基はフッ素原子を有さないのが好ましい。
上記シクロアルキル基の例としては、Ｒ^Ｘ１におけるシクロアルキル基が挙げられる。また、上記シクロアルキル基はフッ素原子を有さないのが好ましい。

一般式（Ｂ－８）中、Ｒ^ＸＦ１は、水素原子、フッ素原子、又はパーフルオロアルキル基を表す。ただし、複数のＲ^ＸＦ１のうち、少なくとも１つはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^ＸＦ１で表されるパーフルオロアルキル基の炭素数は１～１５が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。

一般式（Ｂ－１０）中、Ｒ^ＸＦ２は、フッ素原子又はパーフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^ＸＦ２で表されるパーフルオロアルキル基の炭素数は１～１５が好ましく、１～１０がより好ましく、１～６が更に好ましい。

一般式（Ｂ－９）中、ｎは、０～４の整数を表す。

Ｐ_２ ^Ｘ２－としては、なかでも、下記一般式（Ｃ－１）～（Ｃ－１９）で表される基が好ましい。

特定化合物中に含まれるアニオン部位（アニオン性官能基）のうち、２つ以上のアニオン部位の構造が互いに異なることが好ましい。
アニオン部位（アニオン性官能基）の組み合わせとしては特に制限されないが、例えば、一般式（Ｂ－１０）と一般式（Ｃ－１）との組み合わせ、一般式（Ｂ－１０）と一般式（Ｃ－８）との組み合わせ、一般式（Ｃ－１）と一般式（Ｂ－８）との組み合わせ、一般式（Ｃ－１）と一般式（Ｂ－１）との組み合わせ、又は一般式（Ｂ－２）と一般式（Ｂ－６）との組み合わせが好ましい。上記組み合わせとした場合、各アニオン性部位に由来する酸性部位の酸解離定数の差がより適切となり、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れる。

一般式（Ｄ１）及び一般式（Ｄ２）中のＱ_１ ^Ｘ１＋及びＱ_２ ^Ｘ２＋で表される正電荷を帯びた原子団としては、以下に示す有機カチオンが好ましい。
Ｑ_１ ^Ｘ１＋及びＱ_２ ^Ｘ２＋で表される有機カチオンは、それぞれ独立に、一般式（ＺａＩ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩ））又は一般式（ＺａＩＩ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩＩ））が好ましい。

上記一般式（ＺａＩ）において、
Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３は、それぞれ独立に、有機基を表す。
Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、及びＲ^２０３としての有機基の炭素数は、通常１～３０であり、１～２０が好ましい。また、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の内の２つが結合して形成する基としては、例えば、アルキレン基（例えば、ブチレン基及びペンチレン基）、及び－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－が挙げられる。

一般式（ＺａＩ）における有機カチオンの好適な態様としては、後述する、カチオン（ＺａＩ－１）、カチオン（ＺａＩ－２）、一般式（ＺａＩ－３ｂ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩ－３ｂ））、及び一般式（ＺａＩ－４ｂ）で表される有機カチオン（カチオン（ＺａＩ－４ｂ））が挙げられる。

まず、カチオン（ＺａＩ－１）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－１）は、上記一般式（ＺａＩ）のＲ^２０１～Ｒ^２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウムカチオンである。
アリールスルホニウムカチオンは、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
また、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの１つがアリール基であり、Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの残りの２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のうちの２つが結合して形成する基としては、例えば、１つ以上のメチレン基が酸素原子、硫黄原子、エステル基、アミド基、及び／又はカルボニル基で置換されていてもよいアルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基、又は－ＣＨ_２－ＣＨ_２－Ｏ－ＣＨ_２－ＣＨ_２－）が挙げられる。
アリールスルホニウムカチオンとしては、例えば、トリアリールスルホニウムカチオン、ジアリールアルキルスルホニウムカチオン、アリールジアルキルスルホニウムカチオン、ジアリールシクロアルキルスルホニウムカチオン、及びアリールジシクロアルキルスルホニウムカチオンが挙げられる。

アリールスルホニウムカチオンに含まれるアリール基としては、フェニル基又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環構造を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウムカチオンが２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウムカチオンが必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１～１５の直鎖状アルキル基、炭素数３～１５の分岐鎖状アルキル基、又は炭素数３～１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔ－ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、それぞれ独立に、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキルアルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基が挙げられる。
上記置換基は可能な場合さらに置換基を有していてもよく、例えば、上記アルキル基が置換基としてハロゲン原子を有して、トリフルオロメチル基などのハロゲン化アルキル基となっていてもよい。

次に、カチオン（ＺａＩ－２）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－２）は、式（ＺａＩ）におけるＲ^２０１～Ｒ^２０３が、それぞれ独立に、芳香環を有さない有機基を表すカチオンである。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含む芳香族環も包含する。
Ｒ^２０１～Ｒ^２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１～３０であり、炭素数１～２０が好ましい。
Ｒ^２０１～Ｒ^２０３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基が好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基がより好ましく、直鎖状又は分岐鎖状の２－オキソアルキル基が更に好ましい。

Ｒ^２０１～Ｒ^２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、例えば、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、並びに、炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）が挙げられる。
Ｒ^２０１～Ｒ^２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１～５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。

次に、カチオン（ＺａＩ－３ｂ）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－３ｂ）は、下記一般式（ＺａＩ－３ｂ）で表されるカチオンである。

一般式（ＺａＩ－３ｂ）中、
Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基、又はアリールチオ基を表す。
Ｒ_６ｃ及びＲ_７ｃは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基（ｔ－ブチル基等）、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はアリール基を表す。
Ｒ_ｘ及びＲ_ｙは、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２－オキソアルキル基、２－オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基、又はビニル基を表す。

Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、Ｒ_５ｃとＲ_ｘ、及びＲ_ｘとＲ_ｙは、それぞれ結合して環を形成してもよく、この環は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、又はアミド結合を含んでいてもよい。
上記環としては、芳香族又は非芳香族の炭化水素環、芳香族又は非芳香族のヘテロ環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環が挙げられる。環としては、３～１０員環が挙げられ、４～８員環が好ましく、５又は６員環がより好ましい。

Ｒ_１ｃ～Ｒ_５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ_６ｃとＲ_７ｃ、及びＲ_ｘとＲ_ｙが結合して形成する基としては、ブチレン基及びペンチレン基等のアルキレン基が挙げられる。このアルキレン基中のメチレン基が酸素原子等のヘテロ原子で置換されていてもよい。
Ｒ_５ｃとＲ_６ｃ、及びＲ_５ｃとＲ_ｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基が好ましい。アルキレン基としては、メチレン基及びエチレン基等が挙げられる。

次に、カチオン（ＺａＩ－４ｂ）について説明する。
カチオン（ＺａＩ－４ｂ）は、下記一般式（ＺａＩ－４ｂ）で表されるカチオンである。

一般式（ＺａＩ－４ｂ）中、
ｌは０～２の整数を表す。
ｒは０～８の整数を表す。
Ｒ_１３は、水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基（シクロアルキル基そのものであってもよく、シクロアルキル基を一部に含む基であってもよい。）を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
Ｒ_１４は、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基（シクロアルキル基そのものであってもよく、シクロアルキル基を一部に含む基であってもよい。）を表す。これらの基は置換基を有してもよい。Ｒ_１４は、複数存在する場合はそれぞれ独立して、水酸基等の上記基を表す。
Ｒ_１５は、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成してもよい。２つのＲ_１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ_１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成するのが好ましい。

一般式（ＺａＩ－４ｂ）において、Ｒ_１３、Ｒ_１４、及びＲ_１５のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状である。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－ブチル基、又はｔ－ブチル基等がより好ましい。

次に、一般式（ＺａＩＩ）について説明する。
一般式（ＺａＩＩ）中、Ｒ^２０４及びＲ^２０５は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有するヘテロ環を有するアリール基であってもよい。ヘテロ環を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等が挙げられる。
Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数１～１０の直鎖状アルキル基又は炭素数３～１０の分岐鎖状アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又はペンチル基）、又は炭素数３～１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はノルボルニル基）が好ましい。

Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。Ｒ^２０４及びＲ^２０５のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１～１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３～１５）、アリール基（例えば炭素数６～１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１～１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等が挙げられる。

特定化合物としては、下記化合物（Ｉ）であることも好ましい。下記化合物（Ｉ）は、化合物中のアニオン部位（アニオン性官能基）のうち２つ以上のアニオン部位の構造が互いに異なり、且つこれらアニオン部位に由来する酸性部位の酸解離定数も互いに異なる。
なお、下記化合物（Ｉ）は、更に重合性基も含むが、重合性基の種類及びその好適態様としては既述のとおりである。

化合物（Ｉ）：下記構造部位Ｘと下記構造部位Ｙとを少なくとも１つずつ有し、且つ重合性基を有する化合物であって、活性光線又は放射線の照射によって、上記重合性基と、下記構造部位Ｘに由来する下記第１の酸性部位と、下記構造部位Ｙに由来する下記第２の酸性部位と、を含む酸を発生する化合物
構造部位Ｘ：アニオン部位Ａ_１ ^－とカチオン部位Ｍ_１ ^＋とからなり、且つ活性光線又は放射線の照射によってＨＡ₁で表される第１の酸性部位を形成する構造部位
構造部位Ｙ：アニオン部位Ａ₂ ^-とカチオン部位Ｍ₂ ⁺とからなり、且つ活性光線又は放射線の照射によって、上記構造部位Ｘにて形成される上記第１の酸性部位とは異なる構造のＨＡ₂で表される第２の酸性部位を形成する構造部位
但し、化合物（Ｉ）は、下記条件Ｉを満たす。
条件Ｉ：上記化合物（Ｉ）において上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ₁ ⁺及び上記構造部位Ｙ中の上記カチオン部位Ｍ₂ ⁺をＨ⁺に置き換えてなる化合物ＰＩが、上記構造部位Ｘ中の上記カチオン部位Ｍ₁ ⁺をＨ⁺に置き換えてなるＨＡ₁で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ１と、上記構造部位Ｙ中の上記カチオン部位Ｍ₂ ⁺をＨ⁺に置き換えてなるＨＡ₂で表される酸性部位に由来する酸解離定数ａ２を有し、且つ、上記酸解離定数ａ１よりも上記酸解離定数ａ２の方が大きい。
また、上記化合物ＰＩとは、化合物（Ｉ）に活性光線又は放射線を照射することにより発生する酸に該当する。

なお、酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２は、上述した方法により求められる。化合物ＰＩの酸解離定数ａ１及び酸解離定数ａ２とは、より具体的に説明すると、化合物ＰＩの酸解離定数を求めた場合において、化合物ＰＩ（化合物ＰＩは、「重合性基とＨＡ_１とＨＡ_２を有する化合物」に該当する。）が「重合性基とＡ_１ ^－とＨＡ_２を有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ１であり、上記「重合性基とＡ_１ ^－とＨＡ_２を有する化合物」が「重合性基とＡ_１ ^－とＡ_２ ^－を有する化合物」となる際のｐＫａが酸解離定数ａ２である。

形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れる点で、上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１と上記酸解離定数ａ２との差は、０．１０以上が好ましく、２．０以上がより好ましい。なお、酸解離定数ａ１と上記酸解離定数ａ２との差の上限値は特に制限されないが、例えば、１５．０以下が好ましい。

また、上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ２は、６．５以下が好ましく、レジスト組成物内での化合物（Ｉ）のカチオン部位の安定性がより優れる点で、３．０以下がより好ましく、１．０以下が更に好ましい。なお、酸解離定数ａ２の下限値としては、－４．５以上が好ましい。

また、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れる点で、上記化合物ＰＩにおいて、酸解離定数ａ１は、２．０以下が好ましく、０．５以下がより好ましく、－０．１以下が更に好ましい。なお、酸解離定数ａ１の下限値としては、－１５．０以上が好ましい。

上記構造部位Ｘ及び上記構造部位Ｙとしては、具体的には、上述した特定構造部位が該当する。
上記化合物（Ｉ）としては、具体的には、例えば、上述した一般式（Ｓ１）（但し、Ｄ^１１及びＤ^１２において、Ｘ１及びＸ２で表される価数が各々１であるもの）、及び上述した一般式（Ｓ２）（但し、Ｄ^２１及びＤ^２２において、Ｘ１及びＸ２で表される価数が各々１であるもの）が挙げられる。つまり、化合物（Ｉ）中の構造部位Ｘ及び構造部位Ｙが、上述した一般式（Ｓ１）中のＤ^１１及びＤ^１２の一方及び他方に該当する。また、化合物（Ｉ）中の構造部位Ｘ及び構造部位Ｙが、上述した一般式（Ｓ２）中のＤ^２１及びＤ^２２の一方及び他方に該当する。
化合物（Ｉ）中の、構造部位Ｘ及び構造部位Ｙ中のアニオン部位（アニオン性官能基）を適切に選択することにより、上記酸解離定数ａ１と上記酸解離定数ａ２とを所定範囲とすることができる。
アニオン部位Ａ_１ ^－とアニオン部位Ａ_２ ^－の組み合わせとしては、例えば、上述した一般式（Ｂ－１０）と上述した一般式（Ｃ－１）との組み合わせ、上述した一般式（Ｂ－１０）と上述した一般式（Ｃ－８）との組み合わせ、上述した一般式（Ｃ－１）と上述した一般式（Ｂ－８）との組み合わせ、上述した一般式（Ｃ－１）と上述した一般式（Ｂ－１）との組み合わせ、又は上述した一般式（Ｂ－２）と上述した一般式（Ｂ－６）との組み合わせが好ましい。

特定化合物は、公知の合成手法に準じて合成できる。

以下において、特定化合物の具体例な一例を示す。

［樹脂］
以下において、本発明の樹脂について説明する。本発明の樹脂は、以下の通りである。
特定樹脂Ｘ（第１実施形態）：
上述した特定化合物に由来する繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位」ともいう。）を含む樹脂。
特定樹脂Ｙ（第２実施形態）：
酸分解性基と、
第１のアニオン部位と第１のカチオン部位とからなる第１の構造部位を有する基（以下「第１の構造部位含有基」ともいう。）と、
第２のアニオン部位と第２のカチオン部位とからなる第２構造部位を有する基（以下「第２の構造部位含有基」ともいう。）とを含む樹脂であり、
上記第１の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第１のアニオン部位に由来する第１の酸性部位を形成し、
上記第２の構造部位は、活性光線又は放射線の照射によって、上記第２のアニオン部位に由来する第２の酸性部位を形成し、
上記第２の酸性部位は、上記第１の酸性部位とは異なる構造であり、且つ、その酸解離定数は、上記第１の酸性部位の酸解離定数よりも大きい樹脂。

〔特定樹脂Ｘ（第１実施形態）〕
特定樹脂Ｘは、上述した特定化合物に由来する繰り返し単位（特定繰り返し単位）を含む。
特定繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｘ中の全繰り返し単位に対し、１モル％以上が好ましく、３モル％以上がより好ましく、５モル％以上が更に好ましい。また、その上限値としては、３０モル％以下が好ましく、２０モル％以下がより好ましく、１５モル％以下が特に好ましい。

上記特定樹脂Ｘは、酸の作用により分解して極性が増大する樹脂（以下「酸分解性樹脂」ともいう。）であることが好ましい。
つまり、特定樹脂Ｘが酸分解性樹脂である場合、本発明のパターン形成方法において、典型的には、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。
特定樹脂Ｘは、通常、酸の作用により分解し極性が増大する基（以下、「酸分解性基」ともいう）を含み、酸分解性基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。

＜酸分解性基を有する繰り返し単位＞
酸分解性基とは、酸の作用により分解して極性基を生じる基をいう。酸分解性基は、酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有することが好ましい。つまり、特定樹脂Ｘは、酸の作用により分解し、極性基を生じる基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。この繰り返し単位を有する樹脂は、酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤に対する溶解度が減少する。
極性基としては、アルカリ可溶性基が好ましく、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、リン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基、並びにアルコール性水酸基等が挙げられる。
なかでも、極性基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、又はスルホン酸基が好ましい。

酸の作用により脱離する脱離基としては、例えば、式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。
式（Ｙ１）：－Ｃ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
式（Ｙ２）：－Ｃ（＝Ｏ）ＯＣ（Ｒｘ_１）（Ｒｘ_２）（Ｒｘ_３）
式（Ｙ３）：－Ｃ（Ｒ_３６）（Ｒ_３７）（ＯＲ_３８）
式（Ｙ４）：－Ｃ（Ｒｎ）（Ｈ）（Ａｒ）

式（Ｙ１）及び式（Ｙ２）中、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、アルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）又はシクロアルキル基（単環若しくは多環）、アルケニル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）、又はアリール基（単環若しくは多環）を表す。これらの基は可能な場合、置換基としてフッ素原子又はフッ素原子を有する基を有するのも好ましい。
なお、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の全てがアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）である場合、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のうち少なくとも２つはメチル基であることが好ましい。
なかでも、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表すことが好ましく、Ｒｘ_１～Ｒｘ_３は、それぞれ独立に、直鎖状のアルキル基を表すことがより好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して、単環又は多環を形成してもよい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等の炭素数１～５のアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、並びにノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアリール基としては、炭素数６～１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等が挙げられる。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３のアルケニル基としては、ビニル基が好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成される環としては、シクロアルキル基が好ましい。Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、若しくは、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、若しくは、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましく、炭素数５～６の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒｘ_１～Ｒｘ_３の２つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基、又はビニリデン基で置き換わっていてもよい。また、これらのシクロアルキル基は、シクロアルカン環を構成するエチレン基の１つ以上が、ビニレン基で置き換わっていてもよい。
式（Ｙ１）又は式（Ｙ２）で表される基は、例えば、Ｒｘ_１がメチル基又はエチル基であり、Ｒｘ_２とＲｘ_３とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様も好ましい。

式（Ｙ３）中、Ｒ_３６～Ｒ_３８は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。Ｒ_３７とＲ_３８とは、互いに結合して環を形成してもよい。１価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。Ｒ_３６は水素原子であることも好ましい。
なお、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基には、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基が含まれていてもよい。例えば、上記アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、例えば、メチレン基の１つ以上が、酸素原子等のヘテロ原子及び／又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
また、Ｒ_３８は、繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基と互いに結合して、環を形成してもよい。Ｒ_３８と繰り返し単位の主鎖が有する別の置換基とが互いに結合して形成する基は、メチレン基等のアルキレン基が好ましい。

式（Ｙ３）としては、下記式（Ｙ３－１）で表される基が好ましい。

ここで、Ｌ_１及びＬ_２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とアリール基とを組み合わせた基）を表す。
Ｍは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｑは、ヘテロ原子を含んでいてもよいアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基、アルデヒド基、又はこれらを組み合わせた基（例えば、アルキル基とシクロアルキル基とを組み合わせた基）を表す。
アルキル基及びシクロアルキル基は、例えば、メチレン基の１つが、酸素原子等のヘテロ原子、又はカルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
なお、Ｌ_１及びＬ_２のうち一方は水素原子であり、他方はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
Ｑ、Ｍ、及びＬ_１の少なくとも２つが結合して環（好ましくは、５員若しくは６員環）を形成してもよい。
パターンの微細化の点では、Ｌ_２が２級又は３級アルキル基であることが好ましく、３級アルキル基であることがより好ましい。２級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、３級アルキル基としては、ｔｅｒｔ－ブチル基又はアダマンタン基が挙げられる。これらの態様では、Ｔｇ（ガラス転移温度）及び活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。

式（Ｙ４）中、Ａｒは、芳香環基を表す。Ｒｎは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。ＲｎとＡｒとは互いに結合して非芳香族環を形成してもよい。Ａｒはより好ましくはアリール基である。

繰り返し単位の酸分解性が優れる点から、極性基を保護する脱離基において、極性基（又はその残基）に非芳香族環が直接結合している場合、上記非芳香族環中の、上記極性基（又はその残基）と直接結合している環員原子に隣接する環員原子は、置換基としてフッ素原子等のハロゲン原子を有さないのも好ましい。

酸の作用により脱離する脱離基は、他にも、３－メチル－２－シクロペンテニル基のような置換基（アルキル基等）を有する２－シクロペンテニル基、及び１，１，４，４－テトラメチルシクロヘキシル基のような置換基（アルキル基等）を有するシクロヘキシル基でもよい。

酸分解性基を有する繰り返し単位としては、式（Ａ）で表される繰り返し単位も好ましい。

Ｌ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基を表し、Ｒ_１は水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ_２は酸の作用によって脱離し、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基を表す。ただし、Ｌ_１、Ｒ_１、及びＲ_２のうち少なくとも１つは、フッ素原子又はヨウ素原子を有する。
Ｌ_１は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基を表す。フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい２価の連結基としては、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ―、－ＳＯ－、―ＳＯ_２－、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい炭化水素基（例えば、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基等）、及びこれらの複数が連結した連結基等が挙げられる。なかでも、Ｌ_１としては、－ＣＯ－、又は－アリーレン基－フッ素原子若しくはヨウ素原子を有するアルキレン基－が好ましい。
アリーレン基としては、フェニレン基が好ましい。
アルキレン基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
フッ素原子又はヨウ素原子を有するアルキレン基に含まれるフッ素原子及びヨウ素原子の合計数は特に制限されないが、２以上が好ましく、２～１０がより好ましく、３～６が更に好ましい。

Ｒ_１は、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、フッ素原子若しくはヨウ素原子が有していてもよいアルキル基、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基を表す。
アルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。アルキル基の炭素数は特に制限されないが、１～１０が好ましく、１～３がより好ましい。
フッ素原子又はヨウ素原子を有するアルキル基に含まれるフッ素原子及びヨウ素原子の合計数は特に制限されないが、１以上が好ましく、１～５がより好ましく、１～３が更に好ましい。
上記アルキル基は、ハロゲン原子以外の酸素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。

Ｒ_２は、酸の作用によって脱離し、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい脱離基を表す。
脱離基としては、例えば、上述の式（Ｙ１）～（Ｙ４）で表される基が挙げられる。

酸分解性基を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［００６８］～［０１０８］に記載の繰り返し単位も使用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｘ中の全繰り返し単位に対し、１５～９５モル％が好ましく、３０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％が更に好ましい。

＜ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位＞
特定樹脂Ｘは、ラクトン基、スルトン基、及びカーボネート基からなる群から選択される少なくとも１種を有する繰り返し単位（以下、総称して「ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位」ともいう。）を有していてもよい。
ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位は、ヘキサフルオロプロパノール基等の酸基を有さないのも好ましい。

ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればよい。ラクトン構造又はスルトン構造は、５～７員環ラクトン構造又は５～７員環スルトン構造が好ましい。なかでも、ビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環ラクトン構造に他の環構造が縮環しているもの、又はビシクロ構造若しくはスピロ構造を形成する形で５～７員環スルトン構造に他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。
特定樹脂Ｘは、下記一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造、又は下記一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から、水素原子を１つ以上引き抜いてなるラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。
また、ラクトン基又はスルトン基が主鎖に直接結合していてもよい。例えば、ラクトン基又はスルトン基の環員原子が、特定樹脂Ｘの主鎖を構成してもよい。

上記ラクトン構造又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ_２）を有していてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ_２）としては、炭素数１～８のアルキル基、炭素数４～７のシクロアルキル基、炭素数１～８のアルコキシ基、炭素数１～８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び酸分解性基等が挙げられる。ｎ２は、０～４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在するＲｂ_２は、異なっていてもよく、また、複数存在するＲｂ_２同士が結合して環を形成してもよい。

一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造又は一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造を有する基を有する繰り返し単位としては、例えば、下記一般式（ＡＩ）で表される繰り返し単位等が挙げられる。

一般式（ＡＩ）中、Ｒｂ_０は、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１～４のアルキル基を表す。
Ｒｂ_０のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、及びハロゲン原子が挙げられる。
Ｒｂ_０のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒｂ_０は、水素原子又はメチル基が好ましい。
Ａｂは、単結合、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の基を表す。なかでも、単結合、又は－Ａｂ_１－ＣＯ_２－で表される連結基が好ましい。Ａｂ_１は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又は単環若しくは多環のシクロアルキレン基であり、メチレン基、エチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンチレン基、又はノルボルニレン基が好ましい。
Ｖは、一般式（ＬＣ１－１）～（ＬＣ１－２１）のいずれかで表されるラクトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基、又は一般式（ＳＬ１－１）～（ＳＬ１－３）のいずれかで表されるスルトン構造の環員原子から水素原子を１つ引き抜いてなる基を表す。

ラクトン基又はスルトン基を有する繰り返し単位に、光学異性体が存在する場合、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体を混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）は９０以上が好ましく、９５以上がより好ましい。

カーボネート基としては、環状炭酸エステル基が好ましい。
環状炭酸エステル基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（Ａ－１）で表される繰り返し単位が好ましい。

一般式（Ａ－１）中、Ｒ_Ａ ^１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基（好ましくはメチル基）を表す。
ｎは０以上の整数を表す。
Ｒ_Ａ ^２は、置換基を表す。ｎが２以上の場合、複数存在するＲ_Ａ ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ａは、単結合又は２価の連結基を表す。上記２価の連結基としては、アルキレン基、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有する２価の連結基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、カルボキシル基、又はこれらを組み合わせた２価の基が好ましい。
Ｚは、式中の－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－で表される基と共に単環又は多環を形成する原子団を表す。

ラクトン基、又はスルトン基を有する繰り返し単位しては、例えば、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［０１０９］～［０１２０］に記載の繰り返し単位も使用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
カーボネート基を有する繰り返し単位しては、例えば、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［０１２１］～［０１３２］に記載の繰り返し単位も使用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｘ中の全繰り返し単位に対し、１～５０モル％が好ましく、５～６０モル％がより好ましく、５～５０モル％が更に好ましい。

＜酸基を有する繰り返し単位＞
特定樹脂Ｘは、酸基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
酸基としては、ｐＫａが１３以下の酸基が好ましい。
酸基としては、例えば、カルボキシル基、フェノール性水酸基、フッ素化アルコール基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基）、スルホン酸基、スルホンアミド基、又はイソプロパノール基等が好ましい。
また、上記ヘキサフルオロイソプロパノール基は、フッ素原子の１つ以上（好ましくは１～２つ）が、フッ素原子以外の基（アルコキシカルボニル基等）で置換されてもよい。このように形成された－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－も、酸基として好ましい。また、フッ素原子の１つ以上がフッ素原子以外の基に置換されて、－Ｃ（ＣＦ_３）（ＯＨ）－ＣＦ_２－を含む環を形成してもよい。
酸基を有する繰り返し単位は、上述の酸の作用により脱離する脱離基で極性基が保護された構造を有する繰り返し単位、及び上述のラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位とは異なる繰り返し単位であるのが好ましい。

酸基を有する繰り返し単位は、フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい。

酸基を有する繰り返し単位としては、式（Ｂ）で表される繰り返し単位が好ましい。

Ｒ_３は、水素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよい１価の置換基を表す。
フッ素原子又はヨウ素原子を有していてもよい１価の置換基としては、－Ｌ_４－Ｒ_８で表される基が好ましい。Ｌ_４は、単結合、又はエステル基を表す。Ｒ_８は、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいシクロアルキル基、フッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアリール基、又はこれらを組み合わせた基が挙げられる。

Ｒ_４及びＲ_５は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、又はフッ素原子若しくはヨウ素原子を有していてもよいアルキル基を表す。

Ｌ_２は、単結合、又はエステル基を表す。
Ｌ_３は、（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基、又は（ｎ＋ｍ＋１）価の脂環式炭化水素環基を表す。芳香族炭化水素環基としては、ベンゼン環基、及びナフタレン環基が挙げられる。脂環式炭化水素環基としては、単環であっても、多環であってもよく、例えば、シクロアルキル環基が挙げられる。
Ｒ_６は、水酸基、又はフッ素化アルコール基（好ましくは、ヘキサフルオロイソプロパノール基）を表す。なお、Ｒ_６が水酸基の場合、Ｌ_３は（ｎ＋ｍ＋１）価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。
Ｒ_７は、ハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
ｍは、１以上の整数を表す。ｍは、１～３の整数が好ましく、１～２の整数が好ましい。
ｎは、０又は１以上の整数を表す。ｎは、０～４の整数が好ましい。
なお、（ｎ＋ｍ＋１）は、１～５の整数が好ましい。

酸基を有する繰り返し単位は、（メタ）アクリル酸からなる繰り返し単位でもよい。

酸基を有する繰り返し単位しては、例えば、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［００５０］～［００７５］に記載の繰り返し単位も使用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

酸基を有する繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｘ中の全繰り返し単位に対し、１０～６０モル％が好ましく、１０～５０モル％がより好ましく、１０～４０モル％が更に好ましい。

＜水酸基を有する繰り返し単位＞
特定樹脂Ｘは、水酸基を有する繰り返し単位を有していてもよい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。
水酸基を有する繰り返し単位は、水酸基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましい。
水酸基を有する繰り返し単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。
水酸基を有する繰り返し単位における水酸基は、酸基を構成する水酸基ではないのが好ましい。
水酸基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩＩａ）～（ＡＩＩｄ）で表される繰り返し単位が挙げられる。

一般式（ＡＩＩａ）～（ＡＩＩｄ）において、
Ｒ_１ｃは、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃは、それぞれ独立に、水素原子、水酸基を表す。ただし、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃのうちの少なくとも１つは、水酸基を表す。好ましくは、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃの内の１つ又は２つが水酸基で、残りが水素原子である。より好ましくは、Ｒ_２ｃ～Ｒ_４ｃの内の２つが水酸基で、残りが水素原子である。

水酸基を有する繰り返し単位としては、例えば、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［０１３３］～［０１４２］に記載の繰り返し単位も使用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

水酸基を有する繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｘ中の全繰り返し単位に対して、５～６０モル％が好ましく、５～５０モル％がより好ましく、５～４０モル％が更に好ましい。

＜主鎖の運動性を低下させるための繰り返し単位＞
特定樹脂Ｘは、発生酸の過剰な拡散又は現像時のパターン崩壊を抑制できる観点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高い方が好ましい。Ｔｇは、９０℃より大きいことが好ましく、１００℃より大きいことがより好ましく、１１０℃より大きいことが更に好ましく、１２５℃より大きいことが特に好ましい。なお、過度な高Ｔｇ化は現像液への溶解速度低下を招くため、Ｔｇは４００℃以下が好ましく、３５０℃以下がより好ましい。

特定樹脂ＸのＴｇを大きくするには、特定樹脂Ｘの主鎖の運動性を低下させることが好ましい。特定樹脂Ｘの主鎖の運動性を低下させる方法は、主鎖に環状構造の連結する方法が挙げられる。

・式（Ｅ）で表される繰り返し単位
主鎖に環状構造の連結する方法の例としては、特定樹脂Ｘに式（Ｅ）で表される繰り返し単位を導入する方法が挙げられる。

式（Ｅ）中、Ｒｅは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、置換基を有してもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基等が挙げられる。
「Ｃｙｃｌｉｃ」は、主鎖の炭素原子を含む環状基である。環状基に含まれる原子数は特に制限されない。

式（Ｅ）で表される繰り返し単位の具体例としては、下記繰り返し単位が挙げられる。

上記式中、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシル基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒで表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
Ｒ’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及びアルケニル基、水酸基、アルコキシ基、アシロキシ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、ハロゲン原子、エステル基（－ＯＣＯＲ’’又は－ＣＯＯＲ’’：Ｒ’’は炭素数１～２０のアルキル基又はフッ素化アルキル基）、又はカルボキシル基を表す。なお、上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アリール基、上記アラルキル基、及び上記アルケニル基は、それぞれ、置換基を有してもよい。また、Ｒ’で表される基中の炭素原子に結合している水素原子は、フッ素原子又はヨウ素原子で置換されていてもよい。
ｍは０以上の整数を表す。ｍの上限は特に制限されないが、２以下の場合が多く、１以下の場合がより多い。
また、同一の炭素原子に結合する２つのＲは互いに結合して環を形成していてもよい。
式（Ｅ－２）、式（Ｅ－４）、式（Ｅ－６）、及び式（Ｅ－８）中、２つのＲは、共同して「＝Ｏ」を形成していてもよい。

式（Ｅ）で表される繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｘ中の全繰り返し単位に対して、５～６０モル％が好ましく、１０～５５モル％以上がより好ましい。

特定樹脂ＸのＴｇを大きくする方法としては他にも制限されず、特開２０１９－０４５８６４号公報の段落の［０１０５］～［０１２８］に記載の繰り返し単位を導入する方法も挙げられる。

特定樹脂Ｘは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、解像力、耐熱性、及び感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有していてもよい。

特定樹脂Ｘとしては、（特に、レジスト組成物がＡｒＦ用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いられる場合）繰り返し単位のすべてが（メタ）アクリレート系繰り返し単位で構成されるのも好ましい。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも使用できる。アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の５０モル％以下であることが好ましい。

〔特定樹脂Ｙ（第２実施形態）〕
＜酸分解性基＞
特定樹脂Ｙは、酸の作用により分解し極性が増大する基（酸分解性基）を含み、酸分解性基を有する繰り返し単位を含むことが好ましい。
特定樹脂Ｙが有する「酸分解性基」及び「酸分解性基を有する繰り返し単位」としては、上述の特定樹脂Ｘが有していてもよい「酸分解性基」及び「酸分解性基を有する繰り返し単位」と同義であり、その好適態様も同じである。
特定樹脂Ｙが酸分解性基を有する繰り返し単位を含む場合、酸分解性基を有する繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｙ中の全繰り返し単位に対し、１５～９５モル％が好ましく、３０～８０モル％がより好ましく、３０～７０モル％が更に好ましい。

＜第１の構造部位含有基及び第２の構造部位含有基＞
第１の構造部位含有基及び第２の構造部位含有基とは、上述の特定化合物が含む特定構造部位を含む基が該当する。第１の構造部位含有基及び第２の構造部位含有基は、上記特定構造部位を含みさえすれば、その構造は限定されない。
第１の構造部位含有基及び第２の構造部位含有基としては、上述した一般式（Ｄ１）又は一般式（Ｄ２）で表される部位を含む基が好ましい。

第１の構造部位含有基及び第２の構造部位含有基は、特定樹脂Ｙに何れの形態で含まれていてもよい。例えば、特定樹脂Ｙにおいて、第１の構造部位含有基及び第２の構造部位含有基は主鎖の末端に結合していてもよい。また、特定樹脂Ｙは、第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位及び第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位を各々含んでいてもよい。更に、特定樹脂Ｙは、第１の構造部位含有基と第２の構造部位含有基とを含む繰り返し単位を含んでいてもよい。特定樹脂Ｙは、レジスト組成物に適用された際に、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れる点で、第１の構造部位含有基と第２の構造部位含有基とを含む繰り返し単位を含んでいるのが好ましい。

特定樹脂Ｙにおいて、第２の構造部位含有基中の第２のアニオン部位に由来する第２の酸性部位は、第１の構造部位含有基中の第１のアニオン部位に由来する第１の酸性部位とは異なる構造であり、且つ、その酸解離定数は、第１の酸性部位の酸解離定数よりも大きい。

酸解離定数は、上述した方法により求められる。
なお、特定樹脂Ｙが、第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位及び第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位を各々含んでいる場合、及び、第１の構造部位含有基と第２の構造部位含有基とを含む繰り返し単位を含んでいる場合、特定樹脂Ｙにおける第１の酸性部位の酸解離定数と第２の酸性部位の酸解離定数は、各繰り返し単位を構成する単量体に基づいて算出される。
具体的には、特定樹脂Ｙが第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位及び第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位を各々含んだ構造である場合、第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位を構成する単量体のカチオン部位を水素原子に置き換えた化合物、及び第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位を構成する単量体のカチオン部位を水素原子に置き換えた化合物の各々に対して、上述した方法により酸解離定数を求める。
また、特定樹脂Ｙが第１の構造部位含有基と第２の構造部位含有基とを含む繰り返し単位を含んだ構造である場合、上記繰り返し単位を構成する単量体のカチオン部位を水素原子に置き換えた化合物に対して、上述した方法により酸解離定数を求める。この場合、２段階の解離定数が得られる。

特定樹脂Ｙにおいて、第１の酸性部位の酸解離定数の好適な数値範囲としては、上述した化合物ＰＩ（化合物（Ｉ）に活性光線又は放射線を照射することにより発生する酸に該当する）の酸解離定数ａ１と同様である。また、第２の酸性部位の酸解離定数の好適な数値範囲としては、上述した化合物ＰＩの酸解離定数ａ２と同様である。更に、第１の酸性部位の酸解離定数と第２の酸性部位の酸解離定数との差の好適な数値範囲としては、上述した化合物ＰＩにおける酸解離定数ａ１と酸解離定数ａ２の差と同様である。

第２の酸性部位の酸解離定数を第１の酸性部位の酸解離定数よりも大きくする方法としては、特定樹脂Ｙ中の第１のアニオン部位と第２のアニオン部位を互いに異なる構造とする方法が挙げられる。
第１のアニオン部位（アニオン性官能基）と第２のアニオン部位（アニオン性官能基）の組み合わせとしては、例えば、上述した一般式（Ｂ－１０）と上述した一般式（Ｃ－１）との組み合わせ、上述した一般式（Ｂ－１０）と上述した一般式（Ｃ－８）との組み合わせ、上述した一般式（Ｃ－１）と上述した一般式（Ｂ－８）との組み合わせ、上述した一般式（Ｃ－１）と上述した一般式（Ｂ－１）との組み合わせ、又は上述した一般式（Ｂ－２）と上述した一般式（Ｂ－６）との組み合わせが好ましい。

特定樹脂Ｙが、第１の構造部位含有基と第２の構造部位含有基とを含む繰り返し単位を含む場合、上記繰り返し単位の含有量は、特定樹脂Ｙ中の全繰り返し単位に対し、１モル％以上が好ましく、３モル％以上がより好ましく、５モル％以上が更に好ましい。また、その上限値としては、３０モル％以下が好ましく、２０モル％以下がより好ましく、１５モル％以下が特に好ましい。

なお、特定樹脂Ｙが、第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位及び第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位を各々含む場合、第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位及び第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位の合計含有量は、特定樹脂Ｙ中の全繰り返し単位に対し、１モル％以上が好ましく、３モル％以上がより好ましく、５モル％以上が更に好ましい。また、その上限値としては、３０モル％以下が好ましく、２０モル％以下がより好ましく、１５モル％以下が特に好ましい。第１の構造部位含有基を含む繰り返し単位と第２の構造部位含有基を含む繰り返し単位の含有比（モル比）は、３０/７０～７０/３０が好ましい。

＜ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位＞
特定樹脂Ｙは、ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
特定樹脂Ｙが有する「ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位」としては、上述の特定樹脂Ｘが有していてもよい「ラクトン基、スルトン基、又はカーボネート基を有する繰り返し単位」と同義であり、その好適態様（含有量も含む）も同じである。

＜酸基を有する繰り返し単位＞
特定樹脂Ｙは、酸基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
特定樹脂Ｙが有する「酸基を有する繰り返し単位」としては、上述の特定樹脂Ｘが有していてもよい「酸基を有する繰り返し単位」と同義であり、その好適態様（含有量も含む）も同じである。

＜水酸基を有する繰り返し単位＞
特定樹脂Ｙは、水酸基を有する繰り返し単位を有していてもよい。
特定樹脂Ｙが有する「水酸基を有する繰り返し単位」としては、上述の特定樹脂Ｘが有していてもよい「水酸基を有する繰り返し単位」と同義であり、その好適態様（含有量も含む）も同じである。

＜主鎖の運動性を低下させるための繰り返し単位＞
特定樹脂Ｙは、主鎖の運動性を低下させるための繰り返し単位を有していてもよい。
特定樹脂Ｙが有する「主鎖の運動性を低下させるための繰り返し単位」としては、上述の特定樹脂Ｘが有していてもよい「主鎖の運動性を低下させるための繰り返し単位」と同義であり、その好適態様（含有量も含む）も同じである。

特定樹脂Ｙは、上記の繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性、標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、解像力、耐熱性、及び感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を有していてもよい。

特定樹脂Ｙとしては、（特に、レジスト組成物がＡｒＦ用の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物として用いられる場合）繰り返し単位のすべてが（メタ）アクリレート系繰り返し単位で構成されるのも好ましい。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも使用できる。アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の５０モル％以下であることが好ましい。

〔特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙの物性〕
特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙは、常法に従って（例えばラジカル重合）合成できる。
ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙの重量平均分子量は、１，０００～２００，０００が好ましく、３，０００～２０，０００がより好ましく、５，０００～１５，０００が更に好ましい。特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙの重量平均分子量を、１，０００～２００，０００とすることにより、耐熱性及びドライエッチング耐性の劣化をより一層抑制できる。また、現像性の劣化、及び粘度が高くなって製膜性が劣化することもより一層抑制できる。
特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙの分散度（分子量分布）は、通常１．０～５．０であり、１．０～３．０が好ましく、１．２～３．０がより好ましく、１．２～２．０が更に好ましい。分散度が小さいものほど、解像度、及びレジスト形状がより優れ、更に、レジストパターンの側壁がよりスムーズであり、ラフネス性にもより優れる。

［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物］
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、「レジスト組成物」ともいう。）について説明する。
本発明のレジスト組成物は、上述の特定樹脂Ｘ又は特定樹脂Ｙを含む。
本発明のレジスト組成物は、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。
本発明のレジスト組成物は、典型的には、化学増幅型のレジスト組成物である。
以下、レジスト組成物が含み得る成分について詳述する。

〔特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙ〕
本発明のレジスト組成物は、特定樹脂Ｘ又は特定樹脂Ｙを含む。特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙについては、既述のとおりである。
本発明のレジスト組成物において、特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙの含有量（複数含まれる場合はその合計含有量）は、組成物の全固形分に対して、５０～９９．９質量％が好ましく、６０～９９．０質量％がより好ましい。
なお、固形分とは、組成物中の溶剤を除いた成分を意図し、溶剤以外の成分であれば液状成分であっても固形分とみなす。
また、特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙは、１種で使用してもよいし、２種以上使用してもよい。

本発明のレジスト組成物が、特定樹脂Ｘを含み、上記特定樹脂Ｘが酸分解性基を有さない樹脂である場合、本発明のレジスト組成物は、特定樹脂Ｘとは別に、酸分解性基を有する樹脂（好ましくは、酸分解性基を有する繰り返し単位を含む樹脂）を含むことが好ましい。上記酸分解性基を有する樹脂としては特に制限されず、公知の樹脂が挙げられる。

〔光酸発生剤〕
レジスト組成物は、上述の特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙには該当しない光酸発生剤（上述の特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙ以外の、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物）を含んでいてもよい。その他の光酸発生剤は、露光（好ましくはＥＵＶ光及び／又はＡｒＦの露光）により酸を発生する化合物である。
その他の光酸発生剤は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
その他の光酸発生剤が、低分子化合物の形態である場合、分子量は３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下が更に好ましい。
その他の光酸発生剤が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙとは異なる樹脂に組み込まれていることが好ましい。
本発明において、光酸発生剤が、低分子化合物の形態であるのが好ましい。
その他の光酸発生剤は特に限定されず、なかでも、有機酸を発生する化合物が好ましく、上記有機酸としては、特定化合物が発生し得る有機酸として説明した有機酸が同様に挙げられる。

その他の光酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ－ニトロベンジルスルホネート化合物が挙げられる。
その他の光酸発生剤は、双性イオンであってもよい。

その他の光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物を、単独又はそれらの混合物として適宜選択して使用できる。例えば、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７Ａ１号明細書の段落［０１２５］～［０３１９］、米国特許出願公開２０１５／０００４５４４Ａ１号明細書の段落［００８６］～［００９４］、及び米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０Ａ１号明細書の段落［０３２３］～［０４０２］に開示された公知の化合物を使用してもよい。

レジスト組成物がその他の光酸発生剤を含む場合、その含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物の全固形分に対して、０．１～４０質量が好ましく、０．５～２０質量％がより好ましく、０．５～１０質量％が更に好ましい。
その他の光酸発生剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を使用してもよい。

〔溶剤〕
レジスト組成物は、溶剤を含んでいてもよい。
溶剤は、（Ｍ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等）、並びに、（Ｍ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル（プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、又はプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等）、乳酸エステル（乳酸エチル等）、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン（２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、又はシクロペンタノン等）、ラクトン（γ－ブチロラクトン等）、及びアルキレンカーボネート（プロピレンカーボネート等）からなる群より選択される少なくとも１つの少なくとも一方を含んでいるのが好ましい。なお、この溶剤は、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。

溶剤は、成分（Ｍ１）を含んでいるのが好ましい。溶剤は、実質的に成分（Ｍ１）のみからなるか、又は成分（Ｍ１）と他の成分との混合溶剤であるのがより好ましい。後者の場合、溶剤は、成分（Ｍ１）と成分（Ｍ２）との双方を含んでいるのが更に好ましい。

成分（Ｍ１）と成分（Ｍ２）との質量比（Ｍ１／Ｍ２）は、「１００／０」～「０／１００」が好ましく、「１００／０」～「１５／８５」がより好ましく、「１００／０」～「４０／６０」が更に好ましく、「１００／０」～「６０／４０」が特に好ましい。

上述した通り、溶剤は、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分を更に含んでいてもよい。この場合、成分（Ｍ１）及び（Ｍ２）以外の成分の含有量は、溶剤の全量に対して、５～３０質量％が好ましい。

レジスト組成物中の溶剤の含有量は、固形分濃度が０．５～３０質量％となるように定めるのが好ましく、１～２０質量％となるように定めるのがより好ましい。こうすると、レジスト組成物の塗布性を更に向上させられる。
なお、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。

〔酸拡散制御剤〕
レジスト組成物は、酸拡散制御剤を更に含んでいてもよい。酸拡散制御剤は、光酸発生剤から生じた酸をトラップするクエンチャーとして作用し、レジスト膜中における酸の拡散現象を制御する役割を果たす。
酸拡散制御剤は、例えば、塩基性化合物であってもよい。
塩基性化合物は、下記一般式（Ａ）～一般式（Ｅ）で示される構造を有する化合物が好ましい。

一般式（Ａ）及び一般式（Ｅ）中、Ｒ^２００、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１～２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３～２０）又はアリール基（好ましくは炭素数６～２０）を表し、ここで、Ｒ^２０１とＲ^２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。

上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基は、炭素数１～２０のアミノアルキル基、炭素数１～２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１～２０のシアノアルキル基が好ましい。
Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５及びＲ^２０６は、同一でも異なってもよく、炭素数１～２０のアルキル基を表す。
これら一般式（Ａ）及び一般式（Ｅ）中のアルキル基は、無置換であるのがより好ましい。

（プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（ＰＡ））
レジスト組成物は、酸拡散制御剤として、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する化合物（以下、化合物（ＰＡ）ともいう）を含んでいてもよい。

プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基、又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基、又はπ共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記一般式に示す部分構造を有する窒素原子である。

プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル構造、アザクラウンエーテル構造、１～３級アミン構造、ピリジン構造、イミダゾール構造、及びピラジン構造等が挙げられる。

化合物（ＰＡ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここで、プロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化である。具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＰＡ）とプロトンからプロトン付加体が生成する時、その化学平衡に於ける平衡定数が減少することを意味する。

化合物（ＰＡ）としては、例えば、特開２０１４－４１３２８号公報の段落［０４２１］～［０４２８］、特開２０１４－１３４６８６号公報の段落［０１０８］～［０１１６］に記載されたものを援用でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。

窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物も酸拡散制御剤として使用できる。上記低分子化合物は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。
酸の作用により脱離する基は、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
低分子化合物の分子量は、１００～１０００が好ましく、１００～７００がより好ましく、１００～５００が更に好ましい。
低分子化合物は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。

酸拡散制御剤としては、例えば、特開２０１３－１１８３３号公報の段落［０１４０］～［０１４４］に記載の化合物（アミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、及び含窒素複素環化合物等）も挙げられる。
酸拡散制御剤としてば、例えば、特開２０１８－１５５７８８号公報の段落［０１２３］～［０１５９］に記載の内容も援用できる。

下記に、酸拡散制御剤の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

レジスト組成物が酸拡散制御剤を含む場合、酸拡散制御剤の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、０．００１～１５質量％が好ましく、０．０１～８質量％がより好ましい。
酸拡散制御剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を使用してもよい。

〔疎水性樹脂〕
レジスト組成物は、上記特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙとは別に、特定樹脂Ｘ及び特定樹脂Ｙとは異なる疎水性樹脂を含んでいてもよい。
疎水性樹脂はレジスト膜の表面に偏在するように設計されるのが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性物質及び非極性物質の均一な混合に寄与しなくてもよい。
疎水性樹脂の添加による効果として、水に対するレジスト膜表面の静的及び動的な接触角の制御、並びに、アウトガスの抑制等が挙げられる。

疎水性樹脂は、膜表層への偏在化の点から、“フッ素原子”、“珪素原子”、及び“樹脂の側鎖部分に含まれたＣＨ_３部分構造”のいずれか１種以上を有するのが好ましく、２種以上を有するのがより好ましい。また、上記疎水性樹脂は、炭素数５以上の炭化水素基を有するのが好ましい。これらの基は樹脂の主鎖中に有していても、側鎖に置換していてもよい。

疎水性樹脂に関しては、特開２０１４－０１０２４５号公報の段落［０３１５］～［０４１５］の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。

なお、疎水性樹脂はこの他にも特開２０１１－２４８０１９号公報、特開２０１０－１７５８５９号公報、特開２０１２－０３２５４４号公報記載の樹脂も好ましく使用できる。

レジスト組成物が疎水性樹脂を含む場合、疎水性樹脂の含有量は、レジスト組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％が好ましく、０．１～１５質量％がより好ましい。

〔界面活性剤〕
レジスト組成物は、界面活性剤を含んでいてもよい。界面活性剤を含むと、密着性により優れ、現像欠陥のより少ないパターンを形成できる。
界面活性剤は、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落［０２７６］に記載の界面活性剤が挙げられる。また、エフトップＥＦ３０１、又はＥＦ３０３（新秋田化成（株）製）；フロラードＦＣ４３０、４３１、及び４４３０（住友スリーエム（株）製）；メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｆ１１３、Ｆ１１０、Ｆ１７７、Ｆ１２０、及びＲ０８（ＤＩＣ（株）製）；サーフロンＳ－３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５又は１０６（旭硝子（株）製）；トロイゾルＳ－３６６（トロイケミカル（株）製）；ＧＦ－３００又はＧＦ－１５０（東亜合成化学（株）製）、サーフロンＳ－３９３（セイミケミカル（株）製）；エフトップＥＦ１２１、ＥＦ１２２Ａ、ＥＦ１２２Ｂ、ＲＦ１２２Ｃ、ＥＦ１２５Ｍ、ＥＦ１３５Ｍ、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２、ＥＦ８０１、ＥＦ８０２又はＥＦ６０１（（株）ジェムコ製）；ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、及びＰＦ６５２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）；ＫＨ－２０（旭化成（株）製）；ＦＴＸ－２０４Ｇ、２０８Ｇ、２１８Ｇ、２３０Ｇ、２０４Ｄ、２０８Ｄ、２１２Ｄ、２１８Ｄ、及び２２２Ｄ（（株）ネオス製）を用いてもよい。なお、ポリシロキサンポリマーＫＰ－３４１（信越化学工業（株）製）も、シリコン系界面活性剤として使用できる。

また、界面活性剤は、上記に示すような公知の界面活性剤の他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）又はオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物を用いて合成してもよい。具体的には、このフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を備えた重合体を、界面活性剤として用いてもよい。このフルオロ脂肪族化合物は、例えば、特開２００２－９０９９１号公報に記載された方法によって合成できる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落［０２８０］に記載されているフッ素系及び／又はシリコン系以外の界面活性剤を使用してもよい。

これら界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を使用してもよい。

レジスト組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１～２質量％が好ましく、０．０００５～１質量％がより好ましい。

〔その他の添加剤〕
レジスト組成物は、溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、及び／又は現像液に対する溶解性を促進させる化合物（例えば、分子量１０００以下のフェノール化合物、又はカルボン酸基を含んだ脂環族若しくは脂肪族化合物）を更に含んでいてもよい。

［レジスト膜、パターン形成方法］
上記レジスト組成物を用いたパターン形成方法の手順は特に制限されないが、以下の工程を有するのが好ましい。
工程１：レジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程
工程２：レジスト膜を露光する工程
工程３：現像液を用いて、露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程
以下、上記それぞれの工程の手順について詳述する。

〔工程１：レジスト膜形成工程〕
工程１は、レジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程である。
レジスト組成物の定義は、上述の通りである。
以下、レジスト組成物の調製方法の具体的な一例を示す。
本発明のパターン形成方法において使用されるレジスト組成物中においては、金属原子の含有量が低減されているのが好ましい。

以下においては、まず、レジスト組成物中の金属原子の含有量を低減する方法の具体的な一例を説明した後、レジスト組成物の調製方法の具体的な一例を説明する。
レジスト組成物中の金属原子の含有量を低減する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過による調整方法が挙げられる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１００ｎｍ未満が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターとしては、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、上記フィルター素材とイオン交換メディアとを組み合わせた複合材料で構成されていてもよい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。

また、レジスト組成物中の金属原子の含有量を低減する方法としては、レジスト組成物中の各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する方法、レジスト組成物中の各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う方法、及び装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う方法等が挙げられる。

また、レジスト組成物中の金属原子の含有量を低減する方法としては、上述したフィルター濾過のほか、吸着材による除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材とを組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル及びゼオライト等の無機系吸着材、並びに活性炭等の有機系吸着材を使用できる。
また、レジスト組成物中の金属原子の含有量を低減するためには、製造工程における金属不純物の混入を防止することが必要である。製造装置から金属不純物が十分に除去されたかどうかは、製造装置の洗浄に使用された洗浄液中に含まれる金属成分の含有量を測定することで確認できる。

次に、レジスト組成物の調製方法の具体的な一例について述べる。
レジスト組成物の製造においては、例えば、上述した樹脂及び光酸発生剤等の各種成分を溶剤に溶解させた後、素材が異なる複数のフィルターを用いて濾過（循環濾過でもよい）を行うことが好ましい。例えば、孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、孔径３～５ｎｍのポリエチレン製フィルターを順列に接続し、濾過を行うのが好ましい。濾過は、２回以上の循環濾過を行う方法も好ましい。なお、上記濾過工程は、レジスト組成物中の金属原子の含有量を低減させる効果もある。フィルター間の圧力差は小さい程好ましく、一般的には０．１ＭＰａ以下であり、０．０５ＭＰａ以下であることが好ましく、０．０１ＭＰａ以下であることがより好ましい。フィルターと充填ノズルの間の圧力差も小さい程好ましく、一般的には０．５ＭＰａ以下であり、０．２ＭＰａ以下であることが好ましく、０．１ＭＰａ以下であることがより好ましい。
また、レジスト組成物の製造においてフィルターを用いて循環濾過を行う方法としては、例えば、孔径５０ｎｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを用いて２回以上循環濾過を行う方法も好ましい。

レジスト組成物の製造装置の内部は、窒素等の不活性ガスによってガス置換を行うことが好ましい。これにより、酸素等の活性ガスがレジスト組成物中に溶解することを抑制できる。
レジスト組成物はフィルターによって濾過された後、清浄な容器に充填される。容器に充填されたレジスト組成物は、冷蔵保存されることが好ましい。これにより、経時による性能劣化が抑制される。レジスト組成物の容器への充填が完了してから、冷蔵保存を開始するまでの時間は短い程好ましく、一般的には２４時間以内であり、１６時間以内が好ましく、１２時間以内がより好ましく、１０時間以内が更に好ましい。保存温度は０～１５℃が好ましく、０～１０℃がより好ましく、０～５℃が更に好ましい。

次に、レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する方法を説明する。
レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する方法としては、例えば、レジスト組成物を基板上に塗布する方法が挙げられる。
レジスト組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン、二酸化シリコン被覆）上に、スピナー又はコーター等の適当な塗布方法により塗布できる。塗布方法は、スピナーを用いたスピン塗布が好ましい。スピナーを用いたスピン塗布をする際の回転数は、１０００～３０００ｒｐｍが好ましい。
レジスト組成物の塗布後、基板を乾燥し、レジスト膜を形成してもよい。なお、必要により、レジスト膜の下層に、各種下地膜（無機膜、有機膜、反射防止膜）を形成してもよい。

乾燥方法としては、例えば、加熱して乾燥する方法が挙げられる。加熱は通常の露光機、及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて実施してもよい。加熱温度は８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。加熱時間は３０～１０００秒が好ましく、６０～８００秒がより好ましく、６０～６００秒が更に好ましい。

レジスト膜の膜厚は特に制限されないが、より高精度な微細パターンを形成できる点から、１０～９０ｎｍが好ましく、１０～６５ｎｍがより好ましく、１５～５０ｎｍがより好ましい。

なお、レジスト膜の上層にトップコート組成物を用いてトップコートを形成してもよい。
トップコート組成物は、レジスト膜と混合せず、更にレジスト膜上層に均一に塗布できるのが好ましい。
トップコート組成物は、例えば、樹脂と添加剤と溶剤とを含む。
トップコートは、特に限定されず、従来公知のトップコートを、従来公知の方法によって形成でき、例えば、特開２０１４－０５９５４３号公報の段落［００７２］～［００８２］の記載に基づいてトップコートを形成できる。
例えば、特開２０１３－６１６４８号公報に記載されたような塩基性化合物を含むトップコートを、レジスト膜上に形成するのが好ましい。トップコートが含み得る塩基性化合物の具体的な例は、レジスト組成物が含んでいてもよい塩基性化合物が挙げられる。
また、トップコートは、エーテル結合、チオエーテル結合、水酸基、チオール基、カルボニル結合、及びエステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも一つ含む化合物を含むのも好ましい。

〔工程２：露光工程〕
工程２は、レジスト膜を露光する工程である。
露光の方法としては、例えば、形成したレジスト膜に所定のマスクを通して光を照射する方法が挙げられる。

露光後、現像を行う前にベーク（加熱）を行うのが好ましい。ベークにより露光部の反応が促進され、感度及びパターン形状がより良好となる。
加熱温度は８０～１５０℃が好ましく、８０～１４０℃がより好ましく、８０～１３０℃が更に好ましい。
加熱時間は１０～１０００秒が好ましく、１０～１８０秒がより好ましく、３０～１２０秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光機及び／又は現像機に備わっている手段で実施でき、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
この工程は露光後ベークともいう。

〔工程３：現像工程〕
工程３は、現像液を用いて、露光されたレジスト膜を現像し、パターンを形成する工程である。
現像液は、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよい。

現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静置して現像する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、及び一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）が挙げられる。
また、現像を行う工程の後に、他の溶剤に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間は未露光部の樹脂が十分に溶解する時間であれば特に制限はなく、１０～３００秒が好ましく、２０～１２０秒がより好ましい。
現像液の温度は０～５０℃が好ましく、１５～３５℃がより好ましい。

アルカリ現像液は、アルカリを含むアルカリ水溶液を用いるのが好ましい。アルカリ水溶液の種類は特に制限されないが、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される４級アンモニウム塩、無機アルカリ、１級アミン、２級アミン、３級アミン、アルコールアミン、又は環状アミン等を含むアルカリ水溶液が挙げられる。なかでも、アルカリ現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に代表される４級アンモニウム塩の水溶液であるのが好ましい。アルカリ現像液には、アルコール類、界面活性剤等を適当量添加してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常、０．１～２０質量％である。また、アルカリ現像液のｐＨは、通常、１０．０～１５．０である。

有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。

上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満が更に好ましく、実質的に水分を含有しないのが特に好ましい。
有機系現像液に対する有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。

〔他の工程〕
上記パターン形成方法は、工程３の後に、リンス液を用いて洗浄する工程を含むのが好ましい。

アルカリ現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、例えば、純水が挙げられる。なお、純水には、界面活性剤を適当量添加してもよい。
リンス液には、界面活性剤を適当量添加してもよい。

有機系現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、パターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液は、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有するリンス液を用いるのが好ましい。

リンス工程の方法は特に限定されず、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、及び基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。
また、本発明のパターン形成方法は、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含んでいてもよい。本工程により、ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。また、本工程により、レジストパターンがなまされ、パターンの表面荒れが改善される効果もある。リンス工程の後の加熱工程は、通常４０～２５０℃（好ましくは９０～２００℃）で、通常１０秒間～３分間（好ましくは３０秒間～１２０秒間）行う。

また、形成されたパターンをマスクとして、基板のエッチング処理を実施してもよい。
エッチングは、公知の方法をいずれも使用でき、各種条件等は、基板の種類又は用途等に応じて、適宜、決定される。例えば、国際光工学会紀要（Ｐｒｏｃ．ｏｆ ＳＰＩＥ）Ｖｏｌ．６９２４，６９２４２０（２００８）、特開２００９－２６７１１２号公報等に準じて、エッチングを実施できる。また、「半導体プロセス教本 第４版 ２００７年刊行 発行人：ＳＥＭＩジャパン」の「第４章 エッチング」に記載の方法に準ずることもできる。

本発明のパターン形成方法において使用されるレジスト組成物以外の各種材料（例えば現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、トップコート形成用組成物等）は、金属等の不純物（例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｓ、Ａｕ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、及びＺｎ等）が少ないほど好ましい。これら材料に含まれる不純物の含有量としては、例えば、１質量ｐｐｍ以下が好ましい。

レジスト組成物以外の各種材料中の金属等の不純物の低減方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過が挙げられる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１００ｎｍ未満が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ましく、５ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターとしては、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、上記フィルター素材とイオン交換メディアとを組み合わせた複合材料で構成されていてもよい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び／又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。

また、レジスト組成物以外の各種材料中の金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する方法、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う方法、及び装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う方法等が挙げられる。

また、レジスト組成物以外の各種材料中の金属等の不純物を低減する方法としては、上述したフィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材とを組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル及びゼオライト等の無機系吸着材、並びに活性炭等の有機系吸着材を使用できる。上記レジスト組成物以外の各種材料に含まれる金属等の不純物を低減するためには、製造工程における金属不純物の混入を防止することが必要である。製造装置から金属不純物が十分に除去されたかどうかは、製造装置の洗浄に使用された洗浄液中に含まれる金属成分の含有量を測定することで確認できる。

リンス液等の有機系処理液には、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う、薬液配管及び各種パーツ（フィルター、Ｏ－リング、チューブ等）の故障を防止する為、導電性の化合物を添加してもよい。導電性の化合物は特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加量は特に制限されないが、好ましい現像特性又はリンス特性を維持する観点で、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。
薬液配管としては、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、又は帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、若しくはフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシ樹脂等）で被膜された各種配管を用いることができる。フィルター及びＯ－リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、パーフルオロアルコキシ樹脂等）を用いることができる。

また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法、及びこの製造方法により製造された電子デバイスにも関する。
本発明の電子デバイスは、電気電子機器（家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）、メディア関連機器、光学用機器及び通信機器等）に、好適に、搭載されるものである。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［各種成分］
〔樹脂〕
表４及び表８に示される樹脂Ａ－１～Ａ－１３は、後述する樹脂Ａ－５の合成方法（合成例１）に準じて合成したものを用いた。表１に、後掲に示される各繰り返し単位の組成比（モル比；左から順に対応）、重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を示す。
なお、樹脂Ａ－１～Ａ－１３の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）により測定した。

表１に示される樹脂Ａ－１～Ａ－１３の構造式を以下に示す。

＜合成例１：樹脂Ａ－５の合成＞
（合成例１Ａ：化合物（１）の合成）

≪化合物（１－１）の合成≫
３０．０ｇのトリフルオロメタンスルホンアミドを９０ｇの脱水ＴＨＦに溶解させ、０℃に冷却した。０℃にてジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＰＥＡ）６５．０ｇを加えた後、６３．３ｇの化合物（Ａ）を３０ｇの脱水ＴＨＦに溶解させた溶液を滴下ロートを用いて滴下した。その後、２５℃で１時間攪拌し、１Ｎの塩酸４００ｍｌに反応系を滴下した。有機層に塩化メチレンを加え、１５０ｇの水で３回洗浄した。濃縮液をカラムクロマトグラフィーに供することにより、８４．０ｇの化合物（１－１）を得た。

≪化合物（１－２）の合成≫
８４．０ｇの化合物（１－１）を２５０ｇのＴＨＦに溶解させ、０℃にてアンモニアガスを通じた。２時間後、１Ｎの塩酸１０００ｍｌに滴下し、塩化メチレンを加え、３００ｇの水で３回洗浄した。得られた有機層を濃縮することにより、５４．０ｇの化合物（１－２）を得た。

≪化合物（１－３）の合成≫
１７．０ｇの化合物（１－２）を１００ｇの塩化メチレンに溶解させ、０℃に冷却した。０℃にてジイソプロピルエチルアミン９．６１ｇを加えた後、７．４２ｇの化合物（Ｂ）を１９ｇの塩化メチレン（ＤＣＭ）に溶解させた溶液を滴下ロートを用いて滴下した。その後、０℃で１時間攪拌し、反応液を１００ｇの水で３回洗浄した。濃縮液をカラムクロマトグラフィーに供することにより、２１．０ｇの化合物（１－３）を得た。

≪化合物（１）の合成≫
２１．０ｇの化合物（１－３）を１７０ｇの塩化メチレンに溶解させ、純水１５０ｇを加えた後、８．０９ｇの化合物（Ｃ）をさらに加えた。その後、２５℃で１時間攪拌し、反応液を１００ｇの水で５回洗浄した。濃縮液をカラムクロマトグラフィーに供することにより、１４．０ｇの化合物（１）を得た。
化合物（１）：^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３） δｐｐｍ ７．７７－７．６１（３０Ｈ，ｍ）、６．０７（１Ｈ，ｓ）、５．５１（１Ｈ，ｓ）、４．２１（２Ｈ，ｔ）、３．２４（２Ｈ，ｑ）、２．２３（２Ｈ，ｍ）、１．８９（３Ｈ，ｓ）

＜合成例２：樹脂Ａ－５の合成＞

シクロヘキサノン（２４ｇ）を窒素気流下にて８５℃に加熱した。この液を攪拌しながら、上記式(１)で表されるモノマー（１４．９ｇ）、上記式（２）で表されるモノマー（１１．３ｇ）、上記式（３）で表されるモノマー（１８．９ｇ）、シクロヘキサノン（１０８ｇ）、及び２，２’－アゾビスイソ酪酸ジメチル〔Ｖ－６０１、和光純薬工業（株）製〕（１．８８ｇ）の混合溶液を４時間かけて滴下し、反応液を得た。滴下終了後、反応液を８５℃にて更に２時間攪拌した。得られた反応液を放冷後、多量のメタノール／水（質量比５：５）で再沈殿した後、ろ過し、得られた固体を真空乾燥することで、樹脂Ａ－５を２０ｇ得た。

＜活性光線又は放射線の照射（露光）によって生じる酸性部位の酸解離定数（ｐＫａ）＞
表２に、樹脂Ａ－１～Ａ－１３における露光によって生じる酸性部位の酸解離定数（ｐＫａ）を示す。なお、樹脂Ａ－１～Ａ－９、及び樹脂Ａ－１１は、露光によって、樹脂中に特定構造部位中のアニオン部位に由来する２つの酸性部位が形成される。樹脂Ａ－１０は、露光によって、特定構造部位中のアニオン部位に由来する２つの酸性部位を含む酸が主鎖から分離して発生する。樹脂Ａ－１３は、露光によって、樹脂中に特定構造部位中のアニオン部位に由来する１つの酸性部位が形成される。

樹脂の露光によって生じる酸性部位の酸解離定数（ｐＫａ）の測定に当たっては、具体的には、特定構造部位を含む繰り返し単位を構成する単量体のカチオン部位を水素原子に置き換えた化合物を対象として、上述した通り、ＡＣＤ／Ｌａｂｓ社のソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を計算により求めた。また、上記手法によりｐＫａが算出できない場合には、ＤＦＴ（密度汎関数法）に基づいてＧａｕｓｓｉａｎ１６により得られる値を採用した。
下記表中、「ｐＫａ１」とは第一段階目の酸解離定数を示し、「ｐＫａ２」とは第二段階目の酸解離定数を示す。ｐＫａの値が小さいほど、酸性度が高いことを意味する。
なお、ｐＫａ１が、上述した酸解離定数ａ１に該当し、ｐＫａ２が、上述した酸解離定数ａ２に該当する。

以下に、表２を示す。
なお、表２においては、樹脂の露光によって生じる酸性部位の酸解離定数（ｐＫａ）と併せて、樹脂の構造（表２中の「備考（構造）」欄）も示す。
表２中の「備考（構造）」欄の「特定樹脂Ｘ又は特定樹脂Ｙのいずれに該当するか」欄において、「Ｘ、Ｙ」は、特定樹脂Ｘ又は特定樹脂Ｙのいずれにも該当する場合を表し、「Ｘ」は、特定樹脂Ｘのみに該当する場合を表し、「Ｙ」は、特定樹脂Ｙのみに該当する場合を表し、「－」はいずれにも該当しない場合を表す。
表２中の「備考（構造）」欄の「単量体が化合物（Ｉ）に該当するか否か」欄において、「Ａ」は、単量体が化合物（Ｉ）に該当する場合を表し、「Ｂ」は、単量体が化合物（Ｉ）に該当しない場合を表す。

〔光酸発生剤〕
表４及び表８に示される光酸発生剤（化合物Ｃ－１～Ｃ－１３）の構造を以下に示す。

〔酸拡散制御剤〕
表４及び表８に示される酸拡散制御剤（化合物Ｄ－１～Ｄ－５）の構造を以下に示す。

〔疎水性樹脂及びトップコート用樹脂〕
表４及び表８に示される疎水性樹脂（Ｅ－１～Ｅ－１１）及び表５に示されるトップコート用樹脂（ＰＴ－１～ＰＴ－３）は合成したものを用いた。
表３に、表４及び表８に示される疎水性樹脂及び表５に示されるトップコート用樹脂における繰り返し単位のモル比率、重量平均分子量（Ｍｗ）、及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を示す。
なお、疎水性樹脂Ｅ－１～Ｅ－１１及びトップコート用樹脂ＰＴ－１～ＰＴ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、樹脂の組成比（モル％比）は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）により測定した。

表４及び表８に示される疎水性樹脂Ｅ－１～Ｅ－１１及び表５に示されるトップコート用樹脂ＰＴ－１～ＰＴ－３の合成に用いたモノマー構造を以下に示す。

〔界面活性剤〕
表４及び表８に示される界面活性剤を以下に示す。
Ｈ－１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ（株）製、フッ素系界面活性剤）
Ｈ－２：メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製、フッ素及びシリコン系界面活性剤）
Ｈ－３：ＰＦ６５６（ＯＭＮＯＶＡ社製、フッ素系界面活性剤）

〔溶剤〕
表４及び表８に示される溶剤を以下に示す。
Ｆ－１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｆ－２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｆ－３：プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）
Ｆ－４：シクロヘキサノン
Ｆ－５：シクロペンタノン
Ｆ－６：２－ヘプタノン
Ｆ－７：乳酸エチル
Ｆ－８：γ－ブチロラクトン
Ｆ－９：プロピレンカーボネート

［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製及び評価（１）ＡｒＦ液浸露光］
〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製（１）ＡｒＦ液浸露光〕
表４に示した各成分を固形分濃度が４質量％となるように混合した。次いで、得られた混合液を、最初に孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、次に孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、最後に孔径５ｎｍのポリエチレン製フィルターの順番で濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、レジスト組成物ともいう）を調製した。なお、レジスト組成物において、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。得られたレジスト組成物を、実施例及び比較例で使用した。
なお、表４において、各成分の含有量（質量％）は、全固形分に対する含有量を意味する。

以下に、表５に示すトップコート組成物に含まれる各種成分を示す。
＜樹脂＞
表５に示される樹脂としては、表３に示した樹脂ＰＴ－１～ＰＴ－３を用いた。
＜添加剤＞
表５に示される添加剤の構造を以下に示す。

＜界面活性剤＞
表５に示される界面活性剤としては、上記界面活性剤Ｈ－３を用いた。

＜溶剤＞
表５に示される溶剤を以下に示す。
ＦＴ－１：４－メチル－２－ペンタノール（ＭＩＢＣ）
ＦＴ－２：ｎ－デカン
ＦＴ－３：ジイソアミルエーテル

＜トップコート組成物の調製＞
表５に示した各成分を固形分濃度が３質量％となるように混合して、次いで、得られた混合液を、最初に孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、次に孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、最後に孔径５ｎｍのポリエチレン製フィルターの順番で濾過することにより、トップコート組成物を調製した。なお、ここでいう固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。得られたトップコート組成物を、実施例で使用した。

〔パターン形成（１）：ＡｒＦ液浸露光、有機溶剤現像〕
シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用組成物ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に、表４に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間ベークして、膜厚９０ｎｍのレジスト膜（感活性光線性又は感放射線性膜）を形成した。なお、実施例１－５、実施例１－６及び実施例１－７については、レジスト膜の上層にトップコート膜を形成した（使用したトップコート組成物の種類については、表６に示す）。トップコート膜の膜厚は、いずれにおいても１００ｎｍとした。

得られたレジスト膜を露光した。露光方法としては、以下に示す（Ａ）に記載の方法（ＬＷＲ性能評価用）又は（Ｂ）に記載の方法（ＥＬ性能評価用）により実施した。
（Ａ）ラインアンドスペースパターンの形成
レジスト膜に対して、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｄｉｐｏｌｅ、アウターシグマ０．９５０、インナーシグマ０．８５０、Ｙ 偏光）を用いて、線幅４５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを介して露光した。液浸液は、超純水を使用した。

（Ｂ）コンタクトホールパターンの形成
レジスト膜に対して、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９８、インナーシグマ０．８９、ＸＹ偏向）を用い、Ｘ方向がＭａｓｋｓｉｚｅ４５ｎｍＰｉｔｃｈ９０ｎｍ、Ｙ方向がＭａｓｋｓｉｚｅ６０ｎｍＰｉｔｃｈ１２０ｎｍのパターン形成用のマスクパターン（６％ハーフトーン）を介して露光した。液浸液は、超純水を使用した。

露光後のレジスト膜を９０℃で６０秒間ベークした後、酢酸ｎ－ブチルで３０秒間現像し、次いで４－メチル－２－ペンタノールで３０秒間リンスした。その後、これをスピン乾燥してネガ型のパターンを得た。

＜評価＞
（評価項目１：ＬＷＲ性能）
ライン幅が平均４５ｎｍのラインパターンを解像する時の最適露光量にて解像した４５ｎｍ（１：１）のラインアンドスペースのパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ））を使用してパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを３σで評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。なお、ＬＷＲ（ｎｍ）は、３．３ｎｍ以下が好ましく、３．０ｎｍ以下がより好ましく、２．５ｎｍ以下が更に好ましい。

（評価項目２：ＥＬ（露光ラティチュード））
測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ）によりコンタクトホールパターンにおけるホールサイズを観察し、Ｘ方向のホールサイズが平均４５ｎｍのホールパターンを解像する時の最適露光量を感度（Ｅｏｐｔ）（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。求めた最適露光量（Ｅｏｐｔ）を基準とし、次いでホールサイズが目的の値である４５ｎｍの±１０％（即ち、４０．５ｎｍ及び４９．５ｎｍ）となるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラティチュード（ＥＬ、％）を算出した。ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さく、良好である。なお、ＥＬ（％）は、１４．０％以上が好ましく、１４．５％以上がより好ましい。

［ＥＬ（％）］＝［（ホールサイズが４０．５ｎｍとなる露光量）－（ホールサイズが４９．５ｎｍとなる露光量）］／Ｅｏｐｔ ×１００

≪評価結果≫
以上の評価試験の結果を下記表６に示す。

表６の結果から、実施例のレジスト組成物により形成されるパターンは、ＬＷＲ性能が優れていることが明らかである。また、実施例のレジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである。
また、表６の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が、露光によって、重合性基と、上記構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、上記構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを含む酸を発生し得る特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合（好ましくは化合物（Ｉ）に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合）、レジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１０を使用したレジスト組成物との対比）。

また、表６の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が特定樹脂Ｙであって、この特定樹脂Ｙが第１の構造部位を有する基と上記第２の構造部位を有する基とを含む繰り返し単位を含む樹脂（言い換えると、２つの特定構造部位を含む繰り返し単位を含む樹脂）である場合、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れることが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１１を使用したレジスト組成物との対比）。

〔パターン形成（２）：ＡｒＦ液浸露光、アルカリ水溶液現像〕
シリコンウエハ上に有機反射防止膜形成用組成物ＡＲＣ２９ＳＲ（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚９８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に、表４に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間ベークして、膜厚９０ｎｍのレジスト膜を形成した。なお、実施例２－３、実施例２－５～実施例２－７については、レジスト膜の上層にトップコート膜を形成した（使用したトップコート組成物の種類については、表７に示す）。トップコート膜の膜厚は、いずれにおいても１００ｎｍとした。

得られたレジスト膜を露光した。露光方法としては、以下に示す（Ａ）に記載の方法（ＬＷＲ性能評価用）又は（Ｂ）に記載の方法（ＥＬ性能評価用）により実施した。
（Ａ）ラインアンドスペースパターンの形成
レジスト膜に対して、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｄｉｐｏｌｅ、アウターシグマ０．９５０、インナーシグマ０．８９０、Ｙ偏向）を用いて、線幅４５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを介して露光した。液浸液は、超純水を使用した。

（Ｂ）コンタクトホールパターンの形成
レジスト膜に対して、ＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製；ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｃ－Ｑｕａｄ、アウターシグマ０．９８、インナーシグマ０．８９、ＸＹ偏向）を用い、Ｘ方向がＭａｓｋｓｉｚｅ４５ｎｍＰｉｔｃｈ９０ｎｍ、Ｙ方向がＭａｓｋｓｉｚｅ６０ｎｍＰｉｔｃｈ１２０ｎｍのパターン形成用のマスクパターン（６％ハーフトーン）を介して露光した。液浸液は、超純水を使用した。

露光後のレジスト膜を９０℃で６０秒間ベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、次いで純水で３０秒間リンスした。その後、これをスピン乾燥してポジ型のパターンを得た。
得られたポジ型のパターンに対して、上述した〔パターン形成（１）：ＡｒＦ液浸露光、有機溶剤現像〕で得られたネガ型のパターンで実施した（ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ、ｎｍ）、露光ラティチュード（ＥＬ、％））の性能評価を実施した。

≪評価結果≫
以上の評価試験の結果を下記表７に示す。

表７の結果から、実施例のレジスト組成物により形成されるパターンは、ＬＷＲ性能が優れていることが明らかである。また、実施例のレジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである。
また、表７の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が、露光によって、重合性基と、上記構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、上記構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを含む酸を発生し得る特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合（好ましくは化合物（Ｉ）に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合）、レジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１０を使用したレジスト組成物との対比）。

また、表７の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が特定樹脂Ｙであって、この特定樹脂Ｙが第１の構造部位を有する基と上記第２の構造部位を有する基とを含む繰り返し単位を含む樹脂（言い換えると、２つの特定構造部位を含む繰り返し単位を含む樹脂）である場合、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れることが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１１を使用したレジスト組成物との対比）。

［感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製及び評価（２）ＥＵＶ露光］
〔感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の調製（２）ＥＵＶ露光〕
表８に示した各成分を固形分濃度が２質量％となるように混合した。次いで、得られた混合液を、最初に孔径５０ｎｍのポリエチレン製フィルター、次に孔径１０ｎｍのナイロン製フィルター、最後に孔径５ｎｍのポリエチレン製フィルターの順番で濾過することにより、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物（以下、レジスト組成物ともいう）を調製した。なお、レジスト組成物において、固形分とは、溶剤以外の全ての成分を意味する。
得られたレジスト組成物を、実施例及び比較例で使用した。

〔パターン形成（３）：ＥＵＶ露光、有機溶剤現像〕
シリコンウエハ上に下層膜形成用組成物ＡＬ４１２（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下地膜を形成した。その上に、表８に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間ベークして、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を形成した。
ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製、Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対してパターン照射を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ＝２０ｎｍであり、且つ、ライン：スペース＝１：１であるマスクを用いた。
露光後のレジスト膜を９０℃で６０秒間ベークした後、酢酸ｎ－ブチルで３０秒間現像し、これをスピン乾燥してネガ型のパターンを得た。

＜評価＞
（評価項目１：ＬＷＲ性能）
ライン幅が平均２０ｎｍのラインパターンを解像する時の最適露光量にて解像した２０ｎｍ（１：１）のラインアンドスペースのパターンに対して、測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ））を使用してパターン上部から観察する際、線幅を任意のポイントで観測し、その測定ばらつきを３σで評価した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。なお、ＬＷＲ（ｎｍ）は、４．２ｎｍ以下が好ましく、４．０ｎｍ以下がより好ましく、３．８ｎｍ以下が更に好ましく、３．７ｎｍ以下が特に好ましい。

（評価項目２：ＥＬ（露光ラティチュード））
測長走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ（株）日立製作所Ｓ－９３８０ＩＩ）によりラインアンドスペースにおけるライン線幅を観察し、平均２０ｎｍのパターンを解像する時の最適露光量を感度（Ｅｏｐｔ）（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。求めた最適露光量（Ｅｏｐｔ）を基準とし、次いでライン幅が目的の値である２０ｎｍの±１０％（即ち、１８．０ｎｍ及び２２．０ｎｍ）となるときの露光量を求めた。そして、次式で定義される露光ラティチュード（ＥＬ、％）を算出した。ＥＬの値が大きいほど、露光量変化による性能変化が小さく、良好である。なお、ＥＬ（％）は、２０．０％以上が好ましく、２１．０％以上がより好ましい。

［ＥＬ（％）］＝［（ホールサイズが１８．０ｎｍとなる露光量）－（ホールサイズが２２．０ｎｍとなる露光量）］／Ｅｏｐｔ ×１００

≪評価結果≫
以上の評価試験の結果を下記表９に示す。

表９の結果から、実施例のレジスト組成物により形成されるパターンは、ＬＷＲ性能が優れていることが明らかである。また、実施例のレジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである。
また、表９の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が、露光によって、重合性基と、上記構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、上記構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを含む酸を発生し得る特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合（好ましくは化合物（Ｉ）に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合）、レジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１０を使用したレジスト組成物との対比）。

また、表９の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が特定樹脂Ｙであって、この特定樹脂Ｙが第１の構造部位を有する基と上記第２の構造部位を有する基とを含む繰り返し単位を含む樹脂（言い換えると、２つの特定構造部位を含む繰り返し単位を含む樹脂）である場合、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れることが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１１を使用したレジスト組成物との対比）。

〔パターン形成（４）：ＥＵＶ露光、アルカリ水溶液現像〕
シリコンウエハ上に下層膜形成用組成物ＡＬ４１２（Ｂｒｅｗｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を塗布し、２０５℃で６０秒間ベークして、膜厚２０ｎｍの下地膜を形成した。その上に、表８に示すレジスト組成物を塗布し、１００℃で６０秒間ベークして、膜厚３０ｎｍのレジスト膜を形成した。
ＥＵＶ露光装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製、Ｍｉｃｒｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｔｏｏｌ、ＮＡ０．３、Ｑｕａｄｒｕｐｏｌ、アウターシグマ０．６８、インナーシグマ０．３６）を用いて、得られたレジスト膜を有するシリコンウエハに対してパターン照射を行った。なお、レクチルとしては、ラインサイズ＝２０ｎｍであり、且つ、ライン：スペース＝１：１であるマスクを用いた。
露光後のレジスト膜を９０℃で６０秒間ベークした後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、次いで純水で３０秒間リンスした。その後、これをスピン乾燥してポジ型のパターンを得た。
得られたポジ型のパターンに対して、上述した〔パターン形成（３）：ＥＵＶ露光、有機溶剤現像〕で得られたネガ型のパターンで実施した（ラインウィズスラフネス（ＬＷＲ、ｎｍ）、露光ラティチュード（ＥＬ、％））の性能評価を実施した。

≪評価結果≫
以上の評価試験の結果を下記表１０に示す。

表１０の結果から、実施例のレジスト組成物により形成されるパターンは、ＬＷＲ性能が優れていることが明らかである。また、実施例のレジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである。
また、表１０の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が、露光によって、重合性基と、上記構造部位Ｘ中のアニオン部位に由来する酸性部位と、上記構造部位Ｙ中のアニオン部位に由来する酸性部位とを含む酸を発生し得る特定化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合（好ましくは化合物（Ｉ）に由来する繰り返し単位を含む樹脂である場合）、レジスト組成物は、優れたＥＬ性能を示すことが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１０を使用したレジスト組成物との対比）。

また、表１０の結果から、レジスト組成物に含まれる樹脂が特定樹脂Ｙであって、この特定樹脂Ｙが第１の構造部位を有する基と上記第２の構造部位を有する基とを含む繰り返し単位を含む樹脂（言い換えると、２つの特定構造部位を含む繰り返し単位を含む樹脂）である場合、形成されるパターンのＬＷＲ性能がより優れることが明らかである（樹脂Ａ－１～Ａ－９を使用したレジスト組成物と樹脂Ａ－１１を使用したレジスト組成物との対比）。

Claims (4)

1. 下記化合物に由来する繰り返し単位を含む樹脂Ｘを含む、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
   （化合物）
   アニオン部位とカチオン部位とからなる構造部位を２つ以上と、重合性基と、を含む化合物であり、
   活性光線又は放射線の照射によって、前記２つ以上の構造部位中の前記アニオン部位に由来する酸性部位を含む酸を発生し、
   前記化合物において、前記アニオン部位のうち、２つ以上のアニオン部位の構造が互いに異なる、化合物。
2. 請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された、レジスト膜。
3. 請求項１に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜を露光する工程と、
   前記露光されたレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程と、を有する、パターン形成方法。
4. 請求項３に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。