JP7361699B2 - 積層体、成形品、導電性パターン及び電子回路 - Google Patents

Description

本発明は、電子回路、光通信等の配線を接続するコネクター、ランプリフレクターなどの成形品、プリント基板、電磁波シールド、集積回路、有機トランジスタ等の配線された電子回路に供される導電性パターンとして用いることのできる積層体及びそれを用いた成形品、導電性パターン及び電子回路に関するものである。

電子機器の高性能化や小型化、薄型化にともなって、それに使用される電子回路や集積回路の高密度化や薄型化が、近年、強く求められている。一方、ポリフェニレンスルフィドは、耐熱性や耐薬品性を有するエンジニアリングプラスチックとして注目されており、ブルーレイ、ＤＶＤ等の光ピックアップ、電子回路基板、配線コネクター、フィルムコンデンサーなどに用いられている。また、自動車向けには、ランプリフレクター、電装部材、電気モーター周辺部材、電池部材などに用いられている。

しかしながら、ポリフェニレンスルフィドは、金属蒸着、金属めっき等の金属膜との密着性が非常に低いという問題があり、ポリフェニレンスルフィドの表面に金属膜を形成する用途には、十分に利用できない状況であった。

ポリフェニレンスルフィドと金属膜との密着性を向上する方法として、ポリフェニレンスルフィドの表面をエッチング液でエッチング処理をした後、パラジウム触媒を付与した後に無電解銅めっきを行い、銅めっき層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、この方法では、ポリフェニレンスルフィドの表面がエッチング液により浸食されて脆弱になり、その上に形成した銅めっき層が経時的に剥がれやすくなる問題があった。したがって、この方法により導電性パターンを作成した場合、銅めっき層の断線や導電性の低下（抵抗値の上昇）を生じる問題があった。

また、ポリフェニレンスルフィドの表面をサンドブラスト、ショットブラスト等により粗化した上でプライマー樹脂を塗工し、金属蒸着、金属めっき等の皮膜との密着性を向上する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、十分な密着性を確保するためには、ポリフェニレンスルフィドの表面を１～１０μｍの深さまで粗化するため、鏡面のような表面平滑性が必要なランプリフレクター等の材料には不向きであった。

そこで、ポリフェニレンスルフィドを支持体とし、その上に形成する金属蒸着、金属めっき等の金属膜との密着性に優れ、電子回路、光通信等の配線を接続するコネクター、ランプリフレクターなどの成形品、プリント基板、電磁波シールド、集積回路、有機トランジスタ等の配線された電子回路に供される導電性パターンとして用いることのできる積層体が求められている。

特開昭６３－１４８８０号公報 特開２００２－９７２９２号公報

本発明が解決しようとする課題は、ポリフェニレンスルフィドを支持体とし、その上に金属めっき層を設けた積層体であって、金属めっき層との密着性に優れ、かつ、高温環境下に晒された場合であっても、優れた密着性を維持することができる耐熱性も備えた積層体を提供することである。また、前記積層体を用いた成形品、導電性パターン及び電子回路を提供することである。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究した結果、ポリフェニレンサルファイドを含有する支持体上に、エポキシ基を有する芳香族樹脂を含有するプライマー層を形成することで、金属めっき層との密着性に優れ、かつ、高温環境下に晒された場合であっても、優れた密着性を維持することができる耐熱性を有することを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる支持体（Ａ）の上に、プライマー層（Ｘ）、金属層（Ｂ）及び金属めっき層（Ｃ）が順次積層された積層体であり、前記プライマー層（Ｘ）がエポキシ基を有する芳香族樹脂を含有する層であることを特徴とする積層体、及びそれを用いた成形品、導電性パターン及び電子回路を提供するものである。

本発明の積層体は、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる支持体と、その上に積層した金属めっき層との密着性に優れ、さらに高温環境下に晒された場合であっても、優れた密着性を維持できる。したがって、本発明により、断線等を引き起こすことなく優れた導電性を維持し、信頼性の高い導電性パターンや電子回路に用いることのできる積層体を提供できる。

また、本発明の積層体は、例えば、電子回路、光通信等の配線を接続するコネクター、ブルーレイ、ＤＶＤ等の光ピックアップ；自動車向けのランプリフレクター、電装部材、電気モーター周辺部材、電池部材；各種電子機器に用いられる電磁波シールドなどに用いることができる。また、水栓部材などの建築部材に用いることができる。さらに、フィルム状のポリフェニレンスルフィドを支持体とした本発明の積層体は、例えば、フレキシブルプリント基板、非接触ＩＣカード等のＲＦＩＤ、フィルムコンデンサーを構成する各層や周辺配線の形成に用いることができる。

本発明の積層体は、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる支持体（Ａ）の上に、プライマー層（Ｘ）、金属層（Ｂ）及び金属めっき層（Ｃ）が順次積層された積層体であり、前記プライマー層（Ｘ）がエポキシ基を有する芳香族樹脂を含有する層であるものである。

前記ポリフェニレンスルフィドは、芳香環と硫黄原子とが結合した構造を繰り返し単位とする樹脂構造を有するものであり、具体的には、下記一般式（１）で表される構造部位を繰り返し単位とする樹脂である。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立的に水素原子、炭素原子数１～４のアルキル基、ニトロ基、アミノ基、フェニル基、メトキシ基、エトキシ基を表す。）

上記一般式（１）中のＲ^１及びＲ^２は、前記ポリフェニレンスルフィド（ａ１）の機械的強度が向上することから水素原子であることが好ましく、その場合、下記一般式（２）で表されるパラ位で結合するもの、及び下記一般式（３）で表されるメタ位で結合するものが挙げられる。

これらの中でも、特に繰り返し単位中の芳香環に対する硫黄原子の結合は、上記一般式（２）で表されるパラ位で結合した構造であることが前記ポリフェニレンスルフィドの耐熱性や結晶性が向上することから好ましい。

また、前記ポリフェニレンスルフィドは、上記一般式（１）で表される構造部位のみならず、下記一般式（４）～（７）で表される構造部位から選択される少なくとも１つを有していてもよい。下記一般式（４）～（７）の構造部位を有する場合、これらの構造部位の前記ポリフェニレンスルフィド中のモル比率は、耐熱性、機械的強度が良好となることから、３０モル％以下が好ましく、１０モル％以下がより好ましい。

前記ポリフェニレンスルフィド中に、上記一般式（４）～（７）で表される構造部位を含む場合、上記一般式（１）で表される構造部位の繰り返し単位との結合としては、ランダム型であっても、ブロック型であってもよい。

さらに、前記ポリフェニレンスルフィドは、その構造中に、下記一般式（８）で表される３官能の構造部位、ナフチルスルフィド結合等を有していてもよい。なお、この場合、これらの構造部位の前記ポリフェニレンスルフィド中のモル比率は、３モル％以下が好ましく、特に１モル％以下がより好ましい。

前記ポリフェニレンスルフィドは、例えば、下記（１）～（４）の方法によって製造することができる。
（１）Ｎ－メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤やスルホラン等のスルホン系溶媒中で硫化ナトリウムとｐ－ジクロロベンゼンとを反応させる方法。
（２）ｐ－ジクロロベンゼンを硫黄と炭酸ソーダの存在下で重合させる方法。
（３）極性溶媒とｐ－ジクロロベンゼンとの混合溶媒に、硫化ナトリウムを滴下するか、水硫化ナトリウムと水酸化ナトリウムとの混合物を滴下するか、又は、硫化水素と水酸化ナトリウムとの混合物を滴下して重合させる方法。
（４）ｐ－クロロチオフェノールの自己縮合による方法。

これらの中でも、方法（１）のＮ－メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤やスルホラン等のスルホン系溶媒中で硫化ナトリウムとｐ－ジクロロベンゼンとを反応させる方法が、反応制御が容易であり、工業的生産性に優れることから好ましい。また、この方法（１）においては、重合度を調節するためにカルボン酸のアルカリ金属塩、スルホン酸のアルカリ金属塩、水酸化物等のアルカリを添加することが好ましい。

また、前記ポリフェニレンスルフィドのメルトフローレート（以下、「ＭＦＲ」と略記する。）は、成形性と表面強度に優れることから、１～３，０００ｇ／１０分の範囲が好ましく、５～２，３００ｇ／１０分の範囲がより好ましくは、１０～１，５００ｇ／１０分の範囲がさらに好ましい。なお、このメルトフローレートは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８－８６による３１６℃／５，０００ｇ荷重下（オリフィス：０．０８２５±０．００２インチ径×０．３１５±０．００１インチ長さ）で測定した値である。

さらに、前記ポリフェニレンスルフィドは、残存金属イオン量を低減して耐湿特性を改善するとともに、重合の際に副生する低分子量不純物の残存量を低減できることから、前記ポリフェニレンスルフィドを製造した後に、酸処理し、次いで、水で洗浄されたものが好ましい。

前記酸処理に用いる酸としては、例えば、酢酸、塩酸、硫酸、リン酸、珪酸、炭酸、プロピル酸が好ましい。また、これらの酸の中でも、前記ポリフェニレンスルフィドを分解することなく、残存金属イオン量を効率的に低減できることから酢酸、塩酸が好ましい。

前記酸処理の方法は、酸または酸水溶液に前記ポリフェニレンスルフィドを浸漬する方法が挙げられる。この際、必要に応じさらに攪拌又は加熱をしてもよい。

ここで、酸処理の具体的方法として、酢酸を用いる方法を例に挙げれば、まずｐＨ４の酢酸水溶液を８０～９０℃に加熱し、その中に前記ポリフェニレンスルフィドを浸漬し、２０～４０分間攪拌する方法が挙げられる。

このようにして酸処理された前記ポリフェニレンスルフィドは、残存している酸や塩を物理的に除去するため、水または温水で数回洗浄する。このときに使用される水としては、蒸留水または脱イオン水であることが好ましい。

また、前記酸処理に供せられるポリフェニレンスルフィドは、粉粒体であることが好ましく、具体的には、ペレットのような粒状体でも、重合した後のスラリ－状態体にあるものでもよい。

前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる支持体（Ａ）には、エラストマーを混合させることが好ましい。前記エラストマーは、前記支持体（Ａ）を構成するポリフェニレンスルフィド樹脂組成物に、柔軟性や低温耐衝撃性を付与する目的で用いられるが、前記プライマー層（Ｘ）との密着性を向上する働きもある。

前記エラストマーは、前記ポリフェニレンスルフィドと溶融混練でき、均一に混合分散できるものが好ましい。具体的には、融点が３００℃以下であり、室温でゴム弾性を有するものが好ましい。

前記エラストマーとしては、例えば、ポリオレフィン系エラストマー、オレフィン共重合体系エラストマー等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。より具体的には、例えば、スチレン－ブタジエン系ゴム（ＳＢＲ）、水素添加ＳＢＲ、エチレン－プロピレン系ゴム（ＥＰＭ）、エチレン－プロピレン－ジエン系ゴム（ＥＰＤＭ）、ブタジエン系ゴム、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴム、ブチル系ゴム、アクリル系ゴム、シリコーン系ゴム、フッ素系ゴム、ウレタン系ゴム等が挙げられる。これらの中でも、プライマー層（Ｘ）との密着性をより向上できることから、オレフィン共重合体系エラストマーが好ましく、エチレン共重合体系エラストマーがより好ましく、グリシジル基を有するものはさらに好ましい。また、これらのエラストマーは、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

前記エチレン共重合体系エラストマーとしては、例えば、その原料である単量体成分が、エチレンと無水マレイン酸、又はエチレンとα，β－不飽和カルボン酸グリシジルエステルの２元共重合体が挙げられる。さらに、前記２元共重合体の２種の単量体成分に、α，β－不飽和カルボン酸アルキルエステルを加えた３元共重合体も挙げられる。これらの中でも、曲げ弾性及び引っ張り伸びに優れることから、前記３元共重合体が好ましい。また、前記３元共重合体の中では、前記ポリフェニレンスルフィドとの相溶性を飛躍的に向上でき、プライマー層（Ｘ）との密着性をより向上できることから、エチレン、α，β－不飽和カルボン酸アルキルエステル及びα，β－不飽和カルボン酸グリシジルエステルの３元共重合体がより好ましい。

前記３元共重合体における各単量体成分の比率としては、前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の耐衝撃強度、引っ張り伸び、前記ポリフェニレンスルフィド（ａ１）との相溶性等の性能バランスに優れることから、［エチレン／α，β－不飽和カルボン酸アルキルエステル／無水マレイン酸］の３元共重合体の場合は、質量比で［５０～９８／１～３０／１～３０］の範囲が好ましく、［エチレン／α，β－不飽和カルボン酸アルキルエステル／α，β－不飽和カルボン酸グリシジルエステル］の３元共重合体の場合は、質量比で［５０～９８／１～４９／１～１０］の範囲が好ましい。

前記α，β－不飽和カルボン酸アルキルエステルとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等の炭素原子数３～８の不飽和カルボン酸のアルキルエステルが挙げられる。具体例としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ－プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ｎ－ブチル、アクリル酸ｔ－ブチル、アクリル酸イソブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ－プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ｎ－ブチル、メタクリル酸ｔ－ブチル、メタクリル酸イソブチル等が挙げられる。これらの中でも、前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の耐衝撃性や、前記プライマー層（Ｘ）との密着性がより向上することから、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ－ブチル、メタクリル酸メチルが好ましい。

前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物中のエラストマーの含有量は、前記ポリフェニレンスルフィド１００質量部に対して、０．３～９０質量部の範囲であるが、前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の加工性をより向上し、プライマー層（Ｘ）との密着性をより向上できることから、０．５～６０質量部の範囲が好ましく、１～４０質量部の範囲がより好ましく、２～２０質量部の範囲がさらに好ましい。

前記支持体（Ａ）を構成するポリフェニレンスルフィド樹脂組成物には、上記のポリフェニレンスルフィド及びエラストマーに加え、さらに繊維状無機充填材を含有させることにより、耐熱性、機械特性、寸法安定性、結晶化速度及び電気特性をさらに向上させる効果を奏する。

前記繊維状無機充填材としては、例えば、ガラス繊維、炭素繊維、酸化亜鉛ウイスカ、アスベスト繊維、シリカ繊維、ほう酸アルミウイスカ、シリカ・アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化ホウ素繊維、窒化ケイ素繊維、チタン酸カリウム繊維等の無機繊維；ステンレス、アルミニウム、チタン、銅、真ちゅう等の金属繊維などが挙げられる。これらの中でも、電気絶縁性能が高いことからガラス繊維が好ましい。また、これらの繊維状無機充填材は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

前記繊維状無機充填材は、表面処理剤や集束剤で加工されたものを用いることにより、前記ポリフェニレンスルフィド、後述するエステル系ワックス及びその他の添加剤との密着性を向上させることができることから好ましい。

前記表面処理剤又は集束剤としては、例えば、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基、ビニル基等の官能基を有するシラン化合物又はチタネート化合物；アクリル樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等のポリマーなどが挙げられる。

前記繊維状無機充填材の前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物中の配合量は、上記の効果を十分に奏することができることから、前記ポリフェニレンスルフィド１００質量部に対して、１０～１５０質量部の範囲が好ましく、３０～１００質量部の範囲がより好ましく、５０～８０質量部の範囲がさらに好ましい。

前記支持体（Ａ）を構成するポリフェニレンスルフィド樹脂組成物には、上記のポリフェニレンスルフィド及びエラストマー、繊維状無機充填材成分の他、本発明の効果を損なわない範囲内で、前記繊維状無機充填材以外の炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、タルク等の無機充填剤；アラミド繊維等の高耐熱性樹脂繊維；ポリアミド、ポリサルホン、ポリアリルサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、ポリフェニレンオキシド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアリールエーテル等の樹脂；潤滑剤、ワックス、安定剤等の各種添加剤などを配合することができる。

前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の調製方法としては、特に限定されるものではなく、公知の製造装置及び方法で調製することができる。例えば、ポリフェニレンスルフィド、エラストマー、繊維状無機充填材等の配合物を、予めヘンシェルミキサー、タンブラー等の混合機で混合した後、１軸又は２軸の押出混練機等に供給して２５０～３５０℃で混練し、造粒してペレット化することにより得る方法が挙げられる。

前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を成形して前記支持体（Ａ）とするには、例えば、上記の調製方法により得られた前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物のペレットを用いて射出成形、押出成形、圧縮成形等により成形する方法が挙げられる。

前記支持体（Ａ）の形状としては、特に限定されるものではなく、厚さ０．５～１００ｍｍ程度のものが好ましく、厚さ０．５～１０ｍｍ程度のものがより好ましい。また、コネクター部品等の金型で成形した立体形状のものであってもよい。

また、前記支持体（Ａ）は、フィルム又はシート状であってもよい。フィルム又はシートの厚さとしては、１～５，０００μｍ程度のものが好ましく、１～３００μｍ程度のものがより好ましい。さらに、本発明の積層体として比較的柔軟なものが求められる場合には、１～２００μｍ程度の厚さのものが好ましい。

さらに、前記支持体（Ａ）と、前記プライマー層（Ｘ）との密着性を向上できることから、前記支持体（Ａ）の表面に、微細な凹凸の形成、その表面に付着した汚れの洗浄、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボキシル基等の官能基の導入のための表面処理等が施されていてもよい。具体的にはコロナ放電処理等のプラズマ放電処理、紫外線処理等の乾式処理、水、酸・アルカリ等の水溶液又は有機溶剤等を用いる湿式処理等が施されていてもよい。

前記プライマー層（Ｘ）は、エポキシ基を有する芳香族樹脂を含有する層である。前記芳香族樹脂は、当該樹脂構造中に芳香環を有する樹脂である。芳香環を有する芳香族樹脂は高い耐熱性を有するため、支持体（Ａ）の素材であるポリフェニレンスルフィド樹脂組成物の高い耐熱性をそのまま活かすことができる。

前記エポキシ基を有する芳香族樹脂としては、エポキシ基を有し、芳香環を有している樹脂であれば用いることができる。このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、低分子量のものから高分子量のものまで用いることができる。

前記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイド誘導体由来の構造を有する含リンエポキシ化合物、ジシクロペンタジエン誘導体由来の構造を有するフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン誘導体由来の構造を有するクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

また、前記エポキシ樹脂の中でも、支持体と金属めっき層を含む金属層との密着性をより向上できることから、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂を用いることが好ましく、さらに低分子量で、１分子当たりの官能基濃度が高いもの（多官能エポキシ樹脂）を用いることがより好ましい。なお、これ以降に記載する「密着性」は、特に断りがない場合、支持体と金属めっき層を含む金属層との密着性をいう。

前記アクリル樹脂としては、例えば、エポキシ基を有する（メタ）アクリル単量体を必須原料として、他の（メタ）アクリル単量体を共重合したものが挙げられる。なお、（メタ）アクリル単量体は、アクリル単量体及びメタクリル単量体のいずれか一方または両方をいう。また、（メタ）アクリル酸はアクリル酸及びメタクリル酸の一方または両方をいい、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートの一方または両方をいう。

前記エポキシ基を有する（メタ）アクリル単量体としては、グリシジル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチルアクリレートグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル等が挙げられる。これらのエポキシ基を有する（メタ）アクリル単量体の中でも、密着性がより向上できることから、グリシジルメタクリレートが好ましい。また、これらのエポキシ基を有する（メタ）アクリル単量体は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

また、前記アクリル樹脂の原料として、エポキシ基を有する（メタ）アクリル単量体以外の共重合可能なその他の重合性単量体を用いてもよい。このようなその他の重合性単量体としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ－ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２，２，２－トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３－ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート、パーフルオロシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、β－（パーフルオロヘキシル）エチル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸エステル化合物；Ｎ，Ｎ’－メチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’－エチレンビス（メタ）アクリルアミド等のアクリルアミド化合物；スチレン、α－メチルスチレン等のスチレン及びその誘導体などが挙げられる。これらのその他の重合性単量体の中でも、密着性をより向上できることから、スチレンが好ましい。また、これらのその他の重合性単量体は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

前記アクリル樹脂は、前記（メタ）アクリル単量体等の混合物を、公知の方法で重合することによって製造することができる。この重合方法としては、例えば、有機溶剤中で重合を行う溶液重合法、水性媒体中で重合を行う乳化重合法、懸濁重合法、沈殿重合法、無溶剤下で重合する塊状重合法等が挙げられる。

前記アクリル樹脂の製造の際に用いる重合開始剤としては、例えば、アゾニトリル、アゾエステル、アゾアミド、アゾアミジン、アゾイミダゾリン等のアゾ系開始剤；パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、パーオキシエステル等の有機過酸化物；過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素等の無機過酸化物などが挙げられる。

また、前記過酸化物のみを用いてラジカル重合しても、前記過酸化物と、アスコルビン酸、エリソルビン酸、エリソルビン酸ナトリウム、ホルムアルデヒドスルホキシラートの金属塩、チオ硫酸ナトリウム、重亜硫酸ナトリウム、塩化第二鉄等の還元剤とを併用したレドックス重合開始剤系によって重合してもよい。

前記アクリル樹脂中のエポキシ基濃度は、密着性をより向上できることから、０．０５～８ｍｍｏｌ／ｇの範囲が好ましく、０．５～３ｍｍｏｌ／ｇの範囲がより好ましく、１～２．５ｍｍｏｌ／ｇの範囲がさらに好ましい。

前記プライマー層（Ｘ）は、上記の通り、エポキシ基を有する芳香族樹脂を含有する層であるが、前記芳香族樹脂以外にカルボン酸を含有することで、密着性をさらに一層向上することができる。

前記カルボン酸としては、低分子量のものでも、高分子量のものでも良い。前記カルボン酸は、無水物のものも用いることができる。前記カルボン酸の具体例としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、メリト酸、ビフェニルジカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族カルボン酸及びこれらの無水物；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、メチルコハク酸無水物、エチルコハク酸無水物、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカン二酸、マレイン酸、フマル酸、２，３－ブタンジカルボン酸、２，４－ペンタンジカルボン酸、３，５－ヘプタンジカルボン酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ノルボルナン－２，３－ジカルボン酸、メチルノルボルナン－２，３－ジカルボン酸、１，２，４－シクロヘキサントリカルボン酸、ドデシルコハク酸、ナジック酸、メチルナジック酸、ビシクロ［２．２．２］オクタン－２，３－ジカルボン酸等の脂肪族カルボン酸及びこれらの無水物などが挙げられる。

高分子量のカルボン酸としては、例えば、ポリアクリル酸、カルボキシル基を有する単量体を共重合したアクリル樹脂、分子末端がカルボキシル基のポリエステル樹脂、分子末端がカルボキシル基のウレタン樹脂等が挙げられる。

上記のカルボン酸の中でも、密着性をより向上できることから、多価カルボン酸が好ましい。また、多価カルボン酸の中でも、密着性をより向上できることから、低分子量の多価カルボン酸が好ましく、芳香族多価カルボン酸が好ましい。具体的には、トリメリット酸無水物やピロメリット酸無水物が好ましい。これらのカルボン酸は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

前記プライマー層（Ｘ）が、前記カルボン酸（ｘ２）を含有する場合、前記カルボン酸が有するカルボキシル基（ｘＡ）と前記芳香族樹脂が有するエポキシ基（ｘＥ）とのモル比[（ｘＡ）／（ｘＥ）]は、密着力をより向上できることから、０．０１～１の範囲が好ましく、０．０１～０．５の範囲がより好ましく、０．０１～０．２５の範囲がさらに好ましい。

また、エポキシ基とカルボキシル基との反応を促進するため、硬化触媒を用いてもよい。前記硬化触媒としては、第３級アミン、イミダゾール化合物、有機ホスフィン、ルイス酸触媒等が挙げられる。

前記第３級アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリアミルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリラウリルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルプロピルアミン、ジメチルブチルアミン、ジメチルアミルアミン、ジメチルヘキシルアミン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルラウリルアミン、トリアリルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン（トリエチレンテトラミン：ＴＥＴＡ）、Ｎ－メチルモルフォリン、４，４’－（オキシジ－２，１－エタンジイル）ビス－モルフォリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルベンジルアミン、ピリジン、ピコリン、ジメチルアミノメチルフェノール、トリスジメチルアミノメチルフェノール、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ’－ジメチルピペラジン、テトラメチルブタンジアミン、ビス（２，２－モルフォリノエチル）エーテル、ビス（ジメチルアミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（ジメチルアミノプロピル）ヘキサヒドロ－ｓ－トリアジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（ジメチルアミノエチル）ヘキサヒドロ－ｓ－トリアジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（２－ヒドロキシエチル）ヘキサヒドロ－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－１、１，４－ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデク－７－エン（ＤＢＵ）等が挙げられる。

前記イミダゾール化合物としては、例えば、１－ベンジル－２－イミダゾール（１Ｂ２ＭＺ）、２－エチル－４－イミダゾール、２－ウンデルイミダゾール、１，２－ジメチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）等が挙げられる。

有機ホスフィンとしては、例えば、トリフェニルホスフィン（ＴＰＰ）、トリフェニルホスフィン－トリフェニルボレート、トリス（ｐ－メトキシフェニル）ホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等が挙げられる。

ルイス酸触媒としては、例えば、三フッ化ホウ素アミン錯体、三塩化ホウ素アミン錯体、三フッ化ホウ素エチルアミン錯体などのルイス酸触媒等が挙げられる。

これらの硬化触媒の中でも、密着性がより向上できることから、第３級アミン、イミダゾール化合物を用いることが好ましい。また、これらの硬化触媒は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

前記プライマー層（Ｘ）を前記支持体（Ａ）上に形成するために、前記芳香族樹脂（ｘ１）を含有し、必要に応じて前記カルボン酸（ｘ２）も含有するプライマー組成物（ｘ）を調製し、前記プライマー組成物（ｘ）を前記支持体（Ａ）上に塗工することが好ましい。前記プライマー組成物（ｘ）には、前記芳香族樹脂（ｘ１）、前記カルボン酸（ｘ２）以外のその他の樹脂を配合してもよい。その他の樹脂としては、例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ブロックイソシアネート樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。これらのその他の樹脂は、１種で用いることも２種以上併用することもできる。

また、前記プライマー組成物（ｘ）には、前記支持体（Ａ）へ塗工する際に、塗工しやすい粘度とするため、溶媒で希釈することが好ましい。前記プライマーに使用可能な溶媒としては、各種有機溶剤、水性媒体が挙げられる。前記有機溶剤としては、例えば、トルエン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられ、前記水性媒体としては、水、水と混和する有機溶剤、及び、これらの混合物が挙げられる。

前記の水と混和する有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、エチルカルビトール、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のアルコール溶剤；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶剤；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール等のアルキレングリコール溶剤；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等のポリアルキレングリコール溶剤；Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のラクタム溶剤などが挙げられる。

前記溶媒の使用量は、前記支持体（Ａ）へ塗工する際に用いる塗工方法、前記プライマー層（Ｘ）の所望とする膜厚により、適宜調整することが好ましい。具体的には、前記プライマー組成物（ｘ）中の樹脂比率が１～７０質量％になるように溶媒を用いることが好ましく、１～２０質量％になるように溶媒を用いることがより好ましい。

また、前記プライマー組成物（ｘ）には、必要に応じて、皮膜形成助剤、レベリング剤、増粘剤、撥水剤、消泡剤、酸化防止剤、等の公知の添加剤を適宜添加して使用してもよい。

前記プライマー層（Ｘ）は、例えば、前記支持体（Ａ）の表面の一部又は全部に前記プライマー組成物（ｘ）を塗工し、前記プライマー組成物（ｘ）中に含まれる有機溶剤等の溶媒を除去することによって形成することができる。

前記プライマー組成物（ｘ）を前記支持体（Ａ）の表面に塗工する方法としては、例えば、グラビア方式、コーティング方式、スクリーン方式、ローラー方式、ロータリー方式、スプレー方式、キャピラリー方式、ディッピング方式、スプレー方式等の方法が挙げられる。

前記プライマー組成物（ｘ）を前記支持体（Ａ）の表面に塗工した後、その塗工層に含まれる有機溶剤を除去する方法としては、例えば、乾燥機を用いて乾燥させ、有機溶剤を揮発させる方法が一般的である。乾燥温度としては、用いた有機溶剤を揮発させることが可能で、かつ前記支持体（Ａ）に熱変形等の悪影響を与えない範囲の温度に設定すればよい。

前記支持体（Ａ）上への前記プライマーの塗工量は、優れた密着性を付与できることから、支持体の面積に対して０．０１～６０ｇ／ｍ^２の範囲であることが好ましく、後述する流動体中に含まれる溶媒の吸収性と製造コストを考慮すると０．０１～１０ｇ／ｍ^２の範囲がより好ましい。

前記プライマー層（Ｘ）の膜厚は、本発明の積層体を用いる用途によって異なるが、前記支持体（Ａ）と前記金属層（Ｂ）との密着性をより向上できることから、１０ｎｍ～３０μｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ～１μｍの範囲がより好ましく、１０ｎｍ～５００ｎｍの範囲がさらに好ましい。

前記プライマー層（Ｘ）の表面は、前記金属層（Ｂ）との密着性をより向上できることから、必要に応じて、コロナ放電処理法等のプラズマ放電処理法、紫外線処理法等の乾式処理法、水や酸性又はアルカリ性薬液、有機溶剤等を用いた湿式処理法によって、表面処理してもよい。

前記プライマーを支持体の表面に塗工した後、その塗工層に含まれる溶媒を除去する方法としては、例えば、乾燥機を用いて乾燥させ、前記溶媒を揮発させる方法が一般的である。乾燥温度としては、前記溶媒を揮発させることが可能で、かつ前記支持体（Ａ）に悪影響を与えない範囲の温度に設定すればよい。

前記金属層（Ｂ）は、前記プライマー層（Ｘ）上に形成されたものであり、前記金属層（Ｂ）を構成する金属としては、遷移金属又はその化合物が挙げられ、中でもイオン性の遷移金属が好ましい。このイオン性の遷移金属としては、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、クロム等が挙げられる。これらのイオン性の遷移金属の中でも、銅、銀、金は、電気抵抗が低く、腐食に強い導電性パターンが得られることから好ましい。また、前記金属層（Ｂ）は多孔質状のものが好ましく、この場合、前記金属層（Ｂ）中に空隙を有する。

また、前記金属めっき層（Ｃ）を構成する金属としては、銅、銀、金、ニッケル、クロム、コバルト、スズ等が挙げられる。これらの中でも、電気抵抗が低く、腐食に強い導電性パターンが得られることから銅が好ましい。

本発明の積層体においては、前記金属層（Ｂ）中に存在する空隙に金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が充填されていることが好ましく、前記支持体（Ａ）と前記金属層（Ｂ）との界面近傍に存在する前記金属層（Ｂ）中の空隙まで、前記金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が充填されているものが、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性がより向上するため好ましい。

本発明の積層体の製造方法としては、例えば、前記支持体（Ａ）の上に、ナノサイズの金属粉及び分散剤を含有する流動体を塗工し焼成して、流動体の塗膜中に存在する分散剤を含む有機化合物を除去して空隙を形成して多孔質状の金属層（Ｂ）とした後、電解又は無電解めっきにより前記金属めっき層（Ｃ）を形成する方法が挙げられる。

前記金属層（Ｂ）の形成に用いるナノサイズの金属粉の形状は、金属層が多孔質状になるものであればよいが、粒子状又繊維状のものが好ましい。また、前記金属粉の大きさはナノサイズのものを用いるが、具体的には、金属粉の形状が粒子状の場合は、微細な導電性パターンを形成でき、焼成後の抵抗値をより低減できるため、平均粒子径が１～１００ｎｍの範囲が好ましく、１～５０ｎｍの範囲がより好ましい。なお、前記「平均粒子径」は、前記導電性物質を分散良溶媒にて希釈し、動的光散乱法により測定した体積平均値である。この測定にはマイクロトラック社製「ナノトラックＵＰＡ－１５０」を用いることができる。

一方、金属粉の形状が繊維状の場合は、微細な導電性パターンを形成でき、焼成後の抵抗値をより低減できるため、繊維の直径が５～１００ｎｍの範囲が好ましく、５～５０ｎｍの範囲がより好ましい。また、繊維の長さは、０．１～１００μｍの範囲が好ましく、０．１～３０μｍの範囲がより好ましい。

前記プライマー層（Ｘ）の上に前記金属層（Ｂ）を形成する際には、前記ナノサイズの金属粉を溶媒中に分散させた流動体を、前記プライマー層（Ｘ）の上に塗工する方法が好ましい。

前記流動体中の前記ナノサイズの金属粉の含有比率は、１～９０質量％の範囲が好ましく、５～６０質量％の範囲がより好ましい。

前記流動体に配合される成分としては、ナノサイズの金属粉を溶媒中に分散させるための分散剤や溶媒、また必要に応じて、後述する界面活性剤、レベリング剤、粘度調整剤、成膜助剤、消泡剤、防腐剤などの有機化合物が含まれる。

前記ナノサイズの金属粉を溶媒中に分散させるため、低分子量又は高分子量の分散剤が用いられる。前記分散剤としては、例えば、ドデカンチオール、１－オクタンチオール、トリフェニルホスフィン、ドデシルアミン、ポリエチレングリコール、ポリエチレンイミン、ポリビニルピロリドン；ミリスチン酸、オクタン酸、ステアリン酸等の脂肪酸；コール酸、グリシルジン酸、アビエチン酸等のカルボキシル基を有する多環式炭化水素化合物などが挙げられる。これらの中でも、前記金属層（Ｂ）中の空隙サイズを大きくすることで前記金属層（Ｂ）と後述する金属めっき層（Ｃ）との密着性を向上できることから、高分子分散剤が好ましく、この高分子分散剤としては、ポリエチレンイミン、ポリプロピレンイミン等のポリアルキレンイミン、前記ポリアルキレンイミンにポリオキシアルキレンが付加した化合物等が好ましい。

上記のように、前記分散剤に高分子分散剤を用いることで、低分子分散剤と比較して、前記金属層（Ｂ）中の分散剤を除去して形成する空隙サイズを大きくすることができ、ナノオーダーからサブミクロンオーダーの大きさの空隙を形成することができる。この空隙に後述する金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が充填されやすくなり、充填された金属がアンカーとなり、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性を大幅に向上することができる。

前記ナノサイズの金属粉を分散させるために必要な前記分散剤の使用量は、前記ナノサイズの金属粉１００質量部に対し、０．０１～５０質量部が好ましく、０．０１～１０質量部がより好ましい。

また、前記金属層（Ｂ）中の分散剤を除去して空隙をより形成しやすくし、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性をより向上できることから、前記ナノサイズの金属粉１００質量部に対し、０．１～１０質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましい。

前記流動体に用いる溶媒としては、水性媒体や有機溶剤を使用することができる。前記水性媒体としては、例えば、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。また、前記有機溶剤としては、アルコール化合物、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物等が挙げられる。

前記アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロピルアルコール、ｎ－ブタノール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ヘプタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、アリルアルコール、シクロヘキサノール、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、テトラエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等を使用することができる。

また、前記流動体には、上記の金属粉、溶媒の他に、必要に応じてエチレングリコール、ジエチレングリコール、１，３－ブタンジオール、イソプレングリコール等を用いることができる。

前記界面活性剤としては、一般的な界面活性剤を使用することができ、例えば、ジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ヘキサメタリン酸塩等が挙げられる。

前記レベリング剤としては、一般的なレベリング剤を使用することができ、例えば、シリコーン系化合物、アセチレンジオール系化合物、フッ素系化合物などが挙げられる。

前記粘度調整剤としては、一般的な増粘剤を使用することができ、例えば、アルカリ性に調整することによって増粘可能なアクリル重合体や合成ゴムラテックス、分子が会合することによって増粘可能なウレタン樹脂、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ポリビニルアルコール、水添加ヒマシ油、アマイドワックス、酸化ポリエチレン、金属石鹸、ジベンジリデンソルビトールなどが挙げられる。

前記消泡剤としては、一般的な消泡剤を使用することができ、例えばシリコーン系消泡剤や、ノニオン系界面活性剤、ポリエーテル，高級アルコール、ポリマー系界面活性剤等が挙げられる。

前記防腐剤としては、一般的な防腐剤を使用することができ、例えば、イソチアゾリン系防腐剤、トリアジン系防腐剤、イミダゾール系防腐剤、ピリジン系防腐剤、アゾール系防腐剤、ピリチオン系防腐剤等が挙げられる。

前記流動体の粘度（２５℃でＢ型粘度計を用いて測定した値）は、０．１～５００，０００ｍＰａ・ｓの範囲が好ましく、０．５～１０，０００ｍＰａ・ｓの範囲がより好ましい。また、前記流動体を、後述するインクジェット印刷法、凸版反転印刷等の方法によって塗工（印刷）する場合には、その粘度は５～２０ｍＰａ・ｓの範囲が好ましい。

前記プライマー層（Ｘ）の上に前記流動体を塗工する方法としては、例えば、グラビア印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法、パッド印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷法、凸版反転印刷法、スクリーン印刷法、マイクロコンタクトプリント法、リバース印刷法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、インクジェット法、ダイコーター法、スピンコーター法、バーコーター法、ディップコーター法等が挙げられる。

これらの塗工方法の中でも、電子回路等の高密度化を実現する際に求められる０．０１～１００μｍ程度の細線状でパターン化された前記金属層（Ｂ）を形成する場合には、インクジェット印刷法、反転印刷法を用いることが好ましい。

前記インクジェット印刷法としては、一般にインクジェットプリンターといわれるものを使用することができる。具体的には、コニカミノルタＥＢ１００、ＸＹ１００（コニカミノルタ株式会社製）、ダイマティックス・マテリアルプリンターＤＭＰ－３０００、ダイマティックス・マテリアルプリンターＤＭＰ－２８３１（富士フィルム株式会社製）等が挙げられる。

また、反転印刷法としては、凸版反転印刷法、凹版反転印刷法が知られており、例えば、各種ブランケットの表面に前記流動体を塗工し、非画線部が突出した版と接触させ、前記非画線部に対応する流動体を前記版の表面に選択的に転写させることによって、前記ブランケット等の表面に前記パターンを形成し、次いで、前記パターンを、前記支持体（Ａ）の上（表面）に転写させる方法が挙げられる。

前記金属層（Ｂ）は、例えば、金属粉を含有する流動体を塗工した後、焼成工程を経ることによって得られる。前記焼成工程により、前記流動体中に含まれる金属粉同士を密着し接合することで導電性を有する金属層（Ｂ）を形成することができる。前記焼成工程は、８０～３００℃の範囲で、２～２００分程度行うことが好ましい。前記焼成工程は大気中で行っても良いが、金属粉のすべてが酸化することを防止するため、焼成工程の一部又は全部を還元雰囲気下で行ってもよい。

また、この焼成工程を経ることで、前記金属層（Ｂ）の形成に用いる粒子状又は繊維状の金属粉同士が密着し接合し、さらに前記流動体が含有していた分散剤等の有機化合物が除去されることにより、前記金属層（Ｂ）は多孔質状のものとなる。

また、前記焼成工程は、例えば、オーブン、熱風式乾燥炉、赤外線乾燥炉、レーザー照射、マイクロウェーブ、光照射（フラッシュ照射装置）等を用いて行うことができる。

上記の焼成工程により得られた金属層（Ｂ）の付着量は、後述する金属めっき層（Ｃ）との密着性を考慮すると、１～３０，０００ｍｇ／ｍ^２の範囲が好ましく、５０～１０，０００ｍｇ／ｍ^２の範囲がより好ましく、５０～５，０００ｍｇ／ｍ^２の範囲がさらに好ましい。

さらに、上記の焼成工程でも除去しきれなかった前記流動体が含有していた分散剤等の有機化合物は、プラズマ放電処理法、電磁波照射処理法、レーザー照射処理法、水や有機溶剤で分散剤を含む有機化合物を再分散して溶解する溶解処理法等により除去することができる。これらの処理方法は、単独又は２つ以上を組合せて用いることができ、２つ以上を組み合わせることで、より効率よく前記有機化合物が除去できるため好ましい。なお、ここでいう有機化合物とは、前記流動体に含まれる成分であり、分散剤、溶媒、界面活性剤、レベリング剤、粘度調整剤、消泡剤、防腐剤等の有機化合物をいう。

前記プラズマ放電処理法としては、例えば、コロナ放電処理法等の常圧プラズマ放電処理法、真空又は減圧下で行うグロー放電処理法及びアーク放電処理法等の真空プラズマ放電処理法などが挙げられる。

前記常圧プラズマ放電処理法としては、酸素濃度が０．１～２５容量％程度の雰囲気下でプラズマ放電処理する方法が挙げられるが、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性を向上するとともに、多孔質状の金属層（Ｂ）が有する空隙に金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が充填されやすくなり、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性が向上することから、酸素濃度は１０～２２容量％の範囲が好ましく、約２１容量％（空気雰囲気下）がより好ましい。

また、前記常圧プラズマ放電処理法は、前記酸素とともに不活性ガスを含む環境下で行うことが、前記金属層（Ｂ）の表面に過剰な凹凸を付与することなく、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性をより向上できるため好ましい。なお、前記不活性ガスとしては、アルゴン、窒素等が挙げられる。

前記常圧プラズマ放電処理法によって処理する際に用いることのできる装置としては、例えば、積水化学工業株式会社製の常圧プラズマ処理装置「ＡＰ－Ｔ０１」等が挙げられる。

前記常圧プラズマ放電処理法によって処理する際には、空気等のガスの流量としては、５～５０リットル／分の範囲が好ましい。また、出力としては、５０～５００Ｗの範囲が好ましい。さらに、処理時間としては、１～５００秒の範囲が好ましい。

前記常圧プラズマ放電処理法の中でも、コロナ放電処理法を用いることが好ましい。コロナ放電処理法で用いることのできる装置としては、例えば、春日電機株式会社製のコロナ表面改質評価装置「ＴＥＣ－４ＡＸ」等が挙げられる。

コロナ放電処理法によって処理する際には、出力として、５～３００Ｗの範囲が好ましい。また、処理時間は、０．５～６００秒の範囲が好ましい。

上記のプラズマ放電処理法は、前記金属層（Ｂ）中に存在する前記有機化合物を深部まで除去することができ、前記支持体（Ａ）と前記金属層（Ｂ）との界面近傍に存在する前記金属層（Ｂ）中に存在する前記有機化合物まで除去可能であることから好ましい。上記のプラズマ放電処理法を用いることで、前記金属めっき層（Ｃ）を形成する際に、多孔質状の金属層（Ｂ）が有する空隙に前記金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が充填されやすく、前記支持体（Ａ）と前記金属層（Ｂ）との界面近傍に存在する前記金属層（Ｂ）中の空隙まで前記金属めっき層（Ｃ）を構成する金属を充填することがより容易となる。このことにより、前記金属層（Ｂ）のより深い部分まで前記金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が入り込み、より大きなアンカー効果を発揮することから、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性を大幅に向上することができる。

前記電磁波照射処理法は、電磁波を前記金属層（Ｂ）に照射することで、前記金属層（Ｂ）を高温で加熱し、有機化合物を分解して除去することができる。この電磁波照射処理は、電磁波吸収共鳴を利用して選択的に分散剤を除去することもできる。事前に、前記金属層（Ｂ）中に存在する前記有機化合物と共鳴する電磁波の波長を設定しておき、前記金属層（Ｂ）に設定された波長の電磁波を照射する。これにより、前記有機化合物への吸収が大きくなるため（共鳴）、電磁波の強度を調整することで、分散剤のみを除去することができる。

前記レーザー照射処理法は、前記金属層（Ｂ）にレーザーを照射することにより、金属層（Ｂ）中の前記有機化合物を分解して除去することができる。このレーザー照射処理法には、レーザースクライブ処理が可能なレーザーを用いることができる。レーザースクライブ処理が可能なレーザーとしては、ＹＡＧレーザー、ＣＯ_２レーザー、エキシマレーザー等が挙げられるが、特にＹＡＧレーザーが好ましい。基本波長１．０６μｍの他に非線形光学素子を併用して得られる第二高調波の０．５３μｍの光も所望に応じて利用することができる。ＹＡＧレーザーは、高いピークパワーと高い周波数を得るため、パルスレーザーを使用することが好ましい。

具体的な前記金属層（Ｂ）へのレーザー照射の方法としては、前記金属層（Ｂ）を搬送しながら、レーザー光源から出力されたレーザービームをレンズによって集光して、前記金属層（Ｂ）の表面に照射する。この際に、ポリゴンミラーを利用してレーザービームを移動して、搬送中の前記金属層（Ｂ）の表面をレーザービームで走査するようにする。これにより、前記金属層（Ｂ）を高温で加熱することができる。レーザー照射処理は、レーザー光の出力が０．１～１００ｋＷ、パルス発信の周波数（発振周波数）が数ｋＨｚから数十ｋＨｚ、１つのパルスの継続時間（パルス幅）が９０～１００ナノ秒であることが好ましい。

前記溶解処理法は、前記金属層（Ｂ）中に存在する前記有機化合物を再分散して水や有機溶媒に溶解させることで除去する方法である。前記有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒；テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、エクアミド（出光興産製有機溶剤）などが挙げられる。

また、前記有機化合物を再分散し、溶解するため、酸やアルカリを用いることが好ましく、アルカリを用いることがより好ましい。酸としては、例えば、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、シュウ酸、酢酸、蟻酸、プロピオン酸、コハク酸、グルタル酸、酒石酸、アジピン酸等が挙げられる。これらの中でも硫酸、硝酸、塩酸等の強酸を使用することが好ましい。さらに、前記金属めっき層（Ｃ）を、硫酸銅を用いた電解銅めっき工程で形成する場合、後工程に不純物を持ち込まないためにも硫酸を用いることが好ましい。

前記アルカリとしては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、モルホリン等の有機アミン；モノエタノールアミン等のアルカノールアミンなどが挙げられる。なかでも、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの強アルカリを用いることが好ましい。

また、前記有機化合物を再分散し、溶解するため、界面活性剤を用いることもできる。前記界面活性剤には、一般的な界面活性剤を用いることができ、例えば、ジ－２－エチルヘキシルスルホコハク酸塩、アルキル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩等が挙げられる。これら界面活性剤は、水へ溶解することでアルカリ性を示すため、前記有機化合物を除去しやすいことからより好ましい。

次に、上記のようにして、前記支持体（Ａ）の上に、前記有機化合物を除去することにより空隙を有する多孔質状の金属層（Ｂ）を形成した後、前記金属層（Ｂ）上に前記金属めっき層（Ｃ）を形成することで、本発明の積層体を得ることができる。

前記金属めっき層（Ｃ）は、例えば、前記積層体を導電性パターン等に用いる場合に、長期間にわたり断線等を生じることなく、良好な通電性を維持可能な信頼性の高い配線パターンを形成することを目的として設けられる層である。

前記金属めっき層（Ｃ）は、前記金属層（Ｂ）の上に形成される層であるが、その形成方法としては、めっき処理によって形成する方法が好ましい。このめっき処理としては、例えば、電解めっき法、無電解めっき法等の湿式めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法等の乾式めっき法などが挙げられる。また、これらのめっき法を２つ以上組み合わせて、前記金属めっき層（Ｃ）を形成しても構わない。

上記のめっき処理の中でも、多孔質状の金属層（Ｂ）が有する空隙に金属めっき層（Ｃ）を構成する金属が充填されやすく、前記金属層（Ｂ）と前記金属めっき層（Ｃ）との密着性がより向上し、また、導電性に優れた導電性パターンが得られることから、電解めっき法、無電解めっき法等の湿式めっき法が好ましく、電解めっき法がより好ましい。

上記の無電解めっき法は、例えば、前記金属層（Ｂ）を構成する金属に、無電解めっき液を接触させることで、無電解めっき液中に含まれる銅等の金属を析出させ金属皮膜からなる無電解めっき層（皮膜）を形成する方法である。

前記無電解めっき液としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、コバルト、スズ等の金属と、還元剤と、水性媒体、有機溶剤等の溶媒とを含有するものが挙げられる。

前記還元剤としては、例えば、ジメチルアミノボラン、次亜燐酸、次亜燐酸ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、水素化ホウ素ナトリウム、フェノール等が挙げられる。

また、前記無電解めっき液としては、必要に応じて、酢酸、蟻酸等のモノカルボン酸；マロン酸、コハク酸、アジピン酸、マレイン酸、フマール酸等のジカルボン酸化合物；リンゴ酸、乳酸、グリコール酸、グルコン酸、クエン酸等のヒドロキシカルボン酸化合物；グリシン、アラニン、イミノジ酢酸、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノ酸化合物；イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸化合物などの有機酸、又はこれらの有機酸の可溶性塩（ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等のアミン化合物等の錯化剤を含有するものを使用することができる。

前記無電解めっき液は、２０～９８℃の範囲で使用することが好ましい。

前記電解めっき法は、例えば、前記金属層（Ｂ）を構成する金属、又は、前記無電解処理によって形成された無電解めっき層（皮膜）の表面に、電解めっき液を接触した状態で通電することにより、前記電解めっき液中に含まれる銅等の金属を、カソードに設置した前記金属層（Ｂ）を構成する導電性物質又は前記無電解処理によって形成された無電解めっき層（皮膜）の表面に析出させ、電解めっき層（金属皮膜）を形成する方法である。

前記電解めっき液としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、コバルト、スズ等の金属の硫化物と、硫酸と、水性媒体とを含有するもの等が挙げられる。具体的には、硫酸銅と硫酸と水性媒体とを含有するものが挙げられる。

前記電解めっき液は、２０～９８℃の範囲で使用することが好ましい。

上記電解めっき処理法では、毒性の高い物質を用いることなく、作業性がよいため、電解めっき法を用いた銅からなる金属めっき層（Ｃ）を形成することが好ましい。

また、前記乾式めっき処理工程としては、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いることができる。前記スパッタリング法は、真空中で不活性ガス（主にアルゴン）を導入し、金属めっき層（Ｃ）を形成材料に対してマイナスイオンを印加してグロー放電を発生させ、次いで、前記不活性ガス原子をイオン化し、高速で前記金属めっき層（Ｃ）の形成材料の表面にガスイオンを激しく叩きつけ、金属めっき層（Ｃ）の形成材料を構成する原子及び分子を弾き出し勢いよく前記金属層（Ｂ）の表面に付着させることにより金属めっき層（Ｃ）を形成する方法である。

スパッタリング法による前記金属めっき層（Ｃ）の形成材料としては、例えば、クロム、銅、チタン、銀、白金、金、ニッケル－クロム合金、ステンレス、銅－亜鉛合金、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化亜鉛等が挙げられる。

前記スパッタリング法によりめっき処理する際には、例えば、マグネトロンスパッタ装置等を使用することができる。

前記金属めっき層（Ｃ）の厚さは、１～３００μｍの範囲が好ましく、さらに１～５０μｍであることがより好ましい。前記金属めっき層（Ｃ）の厚さは、前記金属めっき層（Ｃ）の形成する際のめっき処理工程における処理時間、電流密度、めっき用添加剤の使用量等を制御することによって調整することができる。

上記の方法により得られた本発明の積層体は、導電性パターンとして用いることが可能である。本発明の積層体を導電性パターンに用いる場合、形成しようとする所望のパターン形状に対応した位置に、前記金属層（Ｂ）を形成するため、前記金属粉を含有する流動体を塗工、又は印刷して焼成することによって、所望のパターンを有する導電性パターンを製造することができる。

また、前記導電性パターンは、例えば、金属ベタ膜から金属層（Ｂ）や金属めっき層（Ｃ）をエッチングして導電性パターンを作製するサブトラクティブ法、セミアディティブ法等のフォトリソ－エッチング法、又は金属層（Ｂ）の印刷パターン上にめっきする方法によって製造することができる。

前記サブトラクティブ法は、予め製造した本発明の積層体を構成する前記金属めっき層（Ｃ）の上に、所望のパターン形状に対応した形状のエッチングレジスト層を形成し、その後の現像処理によって、前記レジストの除去された部分の前記金属めっき層（Ｃ）及び前記金属層（Ｂ）を薬液で溶解し除去することによって、所望のパターンを形成する方法である。前記薬液としては、塩化銅、塩化鉄等を含有する薬液を用いることができる。

前記セミアディティブ法は、前記支持体（Ａ）の上に、直接又はプライマー層（Ｘ）を形成した後、前記金属層（Ｂ）を形成し、必要に応じてプラズマ放電処理等により前記金属層（Ｂ）中に存在する分散剤を含む有機化合物を除去した後、得られた前記金属層（Ｂ）の表面に、所望のパターンに対応した形状のめっきレジスト層を形成し、次いで、電解めっき法、無電解めっき法によって金属めっき層（Ｃ）を形成した後、前記めっきレジスト層とそれに接触した前記金属層（Ｂ）とを薬液等に溶解し除去することによって、所望のパターンを形成する方法である。

また、前記金属層（Ｂ）の印刷パターン上にめっきする方法は、前記支持体（Ａ）の上に、直接又はプライマー層（Ｘ）を形成した後、インクジェット法、反転印刷法等で前記金属層（Ｂ）のパターンを印刷し、必要に応じてプラズマ放電処理等により前記金属層（Ｂ）中に存在する分散剤を含む有機化合物を除去した後、得られた前記金属層（Ｂ）の表面に、電解めっき法、無電解めっき法によって前記金属めっき層（Ｃ）を形成することによって、所望のパターンを形成する方法である。

上記の方法で得られる導電性パターンは、高温環境下、電圧を印加した状態でも、導電性パターンの支持体となるポリフェニレンスルフィドとその上に設けた金属めっき層との密着性に優れることから、電子回路、集積回路等に用いられる回路形成用基板、有機太陽電池、電子端末、有機ＥＬデバイス、有機トランジスタ、フレキシブルプリント基板、ＲＦＩＤを構成する周辺配線、電磁波シールドなどに用いることができる。また、前記導電性パターンは、例えば、ブルーレイ、ＤＶＤ等の光ピックアップ；ハイブリッド自動車、電気自動車向け電装部材、電気モーター周辺部材、電池部材；各種電子機器に用いられる電磁波シールドなどに用いることができる。さらに、フィルム状のポリフェニレンスルフィドを支持体とした導電性パターンは、例えば、フレキシブルプリント基板、非接触ＩＣカード等のＲＦＩＤ、フィルムコンデンサーを構成する各層や周辺配線の形成に用いることができる。

また、本発明の積層体は、装飾めっき用途でも用いることが可能であり、携帯電話、パソコン、鏡、容器、各種スイッチ、シャワーヘッドなどに用いることができる。

さらに、前記ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を成形して得られた成形品を支持体（Ａ）として用い、その上に前記金属層（Ｂ）及び前記金属めっき層（Ｃ）を順次積層した積層体は、電子回路、光通信等の配線を接続するコネクター、自動車向けのランプリフレクター等の成形品に用いることができる。

以下、実施例により本発明を詳細に説明する。

［製造例１：プライマー層用樹脂組成物（１）の製造］
攪拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、単量体混合物滴下用滴下漏斗及び重合触媒滴下用滴下漏斗を備えた反応容器に、酢酸エチル１８０質量部を入れ、窒素を吹き込みながら９０℃まで昇温した。９０℃まで昇温した反応容器内に、攪拌下、グリシジルメタクリレート３０質量部、スチレン５５質量部、メチルメタクリレート１５質量部を含有する単量体混合物と、アゾイソブチロニトリル１質量部及び酢酸エチル２０質量部を含有する重合開始剤溶液を、各々別の滴下漏斗から反応容器内温度を９０±１℃に保ちながら２４０分間かけて滴下し重合した。滴下終了後、同温度にて１２０分間攪拌した後、前記反応容器内の温度を３０℃に冷却した。次いで、酢酸エチルで希釈し、プライマー用アクリル樹脂（１）の２質量％溶液を得た。エポキシ基当量は４７５ｇ／当量であった。

［調製例１：プライマー組成物（１）の調製］
製造例１で得られたプライマー用アクリル樹脂（１）の２質量％溶液１００質量部に、ピロメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％溶液１．１５質量部を均一に混合して、プライマー組成物（１）を得た。

［調製例２：プライマー組成物（２）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ １０５０」；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量４７５ｇ／当量）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、ポリアクリル酸（富士フイルム和光純薬株式会社製、重量平均分子量５，０００）をエタノールに希釈した固形分２質量％溶液１．５２質量部を均一に混合して、プライマー組成物（２）を得た。

［調製例３：プライマー組成物（３）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ」；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７０ｇ／当量）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、トリメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％溶液０．３７質量部を均一に混合して、プライマー組成物（３）を得た。

［調製例４：プライマー組成物（４）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－４０３２Ｄ」；ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量１４０ｇ／当量、２官能）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、トリメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％溶液４．５７質量部を均一に混合して、プライマー組成物（３）を得た。

［調製例５：プライマー組成物（５）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－４７００」；ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６２ｇ／当量、４官能）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、トリメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％溶液９．９質量部を均一に混合して、プライマー組成物（５）を得た。

［調製例６：プライマー組成物（６）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－４７７０」；ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量２０４ｇ／当量、２官能）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、トリメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％溶液１５．７質量部を均一に混合して、プライマー組成物（６）を得た。

［調製例７：プライマー組成物（７）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－７２００」；ジシクロペンタジエン－フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２５８ｇ／当量）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、ピロメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％の溶液２１．１質量部を均一に混合して、プライマー組成物（７）を得た。

［調製例８：プライマー組成物（８）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－８２０」；アルキルフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１４ｇ／当量）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にした溶液１００質量部に、トリメリット酸無水物をメチルエチルケトンで希釈した固形分２質量％の溶液３質量部を均一に混合して、プライマー組成物（８）を得た。

［調製例９：プライマー組成物（９）の調製］
エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ－４７７０」；ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量２０４ｇ／当量、２官能）をメチルエチルケトンで希釈して固形分を２質量％にすることでプライマー組成物（９）を得た。

［調製例１０：流動体（１）の調製］
特許第４５７３１３８号公報記載の実施例１にしたがって、銀ナノ粒子とカチオン性基（アミノ基）を有する有機化合物の複合体である灰緑色の金属光沢があるフレーク状の塊からなるカチオン性銀ナノ粒子を得た。その後、この銀ナノ粒子の粉末を、エチレングリコール４５質量部と、イオン交換水５５質量部との混合溶媒に分散させて、５質量％のインクジェット印刷用導電性インクである流動体（１）を調製した。

［作製例１：支持体の作製］
リニア型ポリフェニレンスルフィド（ＡＳＴＭ Ｄ１２３８－８６によるＭＦＲ：６００ｇ／１０分）１００質量部、チョップドガラス繊維（旭ファイバーグラス株式会社製「ＦＴ５６２」、繊維状無機充填剤）５４．５質量部、グリシジルメタクリレート変性エチレン－アクリル酸メチル共重合エラストマー（住友化学株式会社製「ボンドファスト７Ｌ」）０．５質量部及びモンタン酸複合エステルワックス（クラリアントジャパン株式会社製「リコルブＷＥ４０」）０．８質量部を均一に混合した後、３５ｍｍφの２軸押出機を用いて２９０～３３０℃で溶融混錬し、ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を得た。得られたポリフェニレンスルフィド樹脂組成物を射出成形機で成形することにより、５０ｍｍ×１０５ｍｍ×２ｍｍのサイズの支持体を得た。

［実施例１］
作製例１で得られた支持体の表面に、調製例１で得られたプライマー組成物（１）を、スピンコーターを用いて、その乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗工し、次いで、熱風乾燥機を用いて１２０℃で５分間乾燥することによって、支持体上にプライマー層を形成した。

次に、前記プライマー層の表面全面に、調製例１０で得られた流動体（１）をインクジェットプリンター（コニカミノルタ株式会社製「インクジェット試験機ＥＢ１００」、評価用プリンタヘッドＫＭ５１２Ｌ、吐出量４２ｐＬ）を用いて塗工した。その後、２００℃で３０分間焼成することによって、金属層（Ｂ）に相当する銀層（厚さ約０．１μｍ）を形成した。

次いで、上記で得られた銀層の表面をカソードに設置し、含リン銅をアノードに設置し、硫酸銅を含む電気めっき液を用いて電流密度２．５Ａ／ｄｍ^２で４０分間電気めっきを行うことによって、銀層の表面に、厚さ１５μｍの銅めっき層を積層した。前記電気めっき液としては、硫酸銅７０ｇ／リットル、硫酸２００ｇ／リットル、塩素イオン５０ｍｇ／リットル、トップルチナＳＦ（奥野製薬工業株式会社製の光沢剤）５ｇ／リットルを用いた。

上記の方法によって、支持体（Ａ）、プライマー層（Ｘ）、金属層（Ｂ）及び金属めっき層（Ｃ）を順次積層した積層体（１）を得た。

［実施例２～９］
実施例１で用いたプライマー組成物（１）に代えて、調製例２～９で得られたプライマー組成物（２）～（９）を用いた以外は実施例１と同様の方法によって、支持体（Ａ）、プライマー層（Ｘ）、金属層（Ｂ）及び金属めっき層（Ｃ）を順次積層した積層体（２）～（９）を得た。

［比較例１］
プライマー層を形成せずに、支持体上に直接銀層を形成した以外は実施例１と同様の方法によって、支持体（Ａ）、金属層（Ｂ）及び金属めっき層（Ｃ）を順次積層した積層体（Ｒ１）を得た。

上記で得られた積層体（１）～（９）及び（Ｒ１）について、下記の通り、加熱前後のピール強度を測定して評価した。

＜加熱前のピール強度の測定＞
上記で得られた各積層体について、株式会社島津製作所製「オートグラフＡＧＳ－Ｘ ５００Ｎ」を用いてピール強度を測定した。なお、測定に用いるリード幅は５ｍｍ、そのピールの角度は９０°とした。また、ピール強度は、金属めっき層の厚さが厚くなるほど高い値を示す傾向にあるが、本発明でのピール強度の測定は、金属めっき層の厚さ１５μｍにおける測定値を基準として実施した。

＜加熱後のピール強度の測定＞
上記で得られた各積層体について、それぞれ１５０℃に設定した乾燥機内に１６８時間保管して加熱した。加熱後、上記と同様の方法でピール強度を測定した。

＜耐熱性の評価＞
上記で測定した加熱前後のピール強度値を用いて、加熱前後での保持率を算出し、下記の基準にしたがって耐熱性を評価した。
Ａ：保持率が８０％以上である。
Ｂ：保持率が７０％以上８０％未満である。
Ｃ：保持率が５０％以上７０％未満である。
Ｄ：保持率が５０％未満である。

実施例１～９及び比較例１で得られた積層体について、加熱前後のピール強度の測定結果及び耐熱性の評価結果を表１に示す。

表１に示した結果から、本発明の積層体である実施例１～９で得られた積層体（１）～（９）は、ピール強度が高く、加熱後のピール強度の低下もわずかで、加熱後のピール強度の保持率も高く、優れた耐熱性を有することが確認できた。

一方、比較例１で得られた積層体（Ｒ１）は、加熱前のピール強度は、本発明の積層体に比べて低く、加熱後には大幅にピール強度が低下して耐熱性に劣ることが確認できた。

Claims (7)

1. ポリフェニレンスルフィド樹脂組成物からなる支持体（Ａ）の上に、プライマー層（Ｘ）、金属層（Ｂ）及び金属めっき層（Ｃ）が順次積層された積層体であり、前記プライマー層（Ｘ）がエポキシ基を有する芳香族樹脂（ｘ１）と芳香族多価カルボン酸を含有する層であり、前記プライマー層（Ｘ）に含有される前記芳香族多価カルボン酸が有するカルボキシル基（ｘＡ）と前記芳香族樹脂（ｘ１）が有するエポキシ基（ｘＥ）とのモル比［（ｘＡ）／（ｘＥ）］が、０．０１～１の範囲であることを特徴とする積層体。
2. 前記支持体（Ａ）が、さらにエラストマーを含有するものである請求項１記載の積層体。
3. 前記金属層（Ｂ）を構成する金属が、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト及びクロムからなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の積層体。
4. 前記金属めっき層（Ｃ）が、電解めっき法、無電解めっき法又はこれらの組み合わせにより形成されたものである請求項１～３のいずれか１項記載の積層体。
5. 請求項１～４のいずれか１項記載の積層体からなることを特徴とする成形品。
6. 請求項１～４のいずれか１項記載の積層体からなることを特徴とする導電性パターン。
7. 請求項６記載の導電性パターンを有することを特徴とする電子回路。