JP7374016B2

JP7374016B2 - 基板処理装置

Info

Publication number: JP7374016B2
Application number: JP2020028711A
Authority: JP
Inventors: 友輔早坂; 俊泳鄭; 周平山邊; 景一山口; 雄洋谷川
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-06-18
Filing date: 2020-02-21
Publication date: 2023-11-06
Anticipated expiration: 2040-02-21
Also published as: JP2021002642A; US11978614B2; TWI837376B; KR20200144501A; US20200402775A1; TW202129752A

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

例えば、ウェハ等の基板に所定の処理を施す基板処理装置が知られている。

特許文献１には、処理チャンバーの内壁側面を覆う側壁部材を備えるプラズマ処理装置が開示されている。また、特許文献２には、開口部を有する円筒状のチャンバと、チャンバの内壁に沿って配置され、チャンバの開口部と対応する位置に開口部を有するデポシールドと、デポシールドの開口部を開閉するシャッタと、を備える基板処理装置が開示されている。

特開２０１２－１３８４９７号公報特開２０１５－１２６１９７号公報

一の側面では、本開示は、熱応答性が向上する基板処理装置を提供する。

上記課題を解決するために、一の態様によれば、プラズマ処理空間を有するチャンバであり、前記チャンバの側壁は、前記プラズマ処理空間内に基板を搬送するための開口部を有する、チャンバと、温調流体のための流路を有し、前記側壁の内側に配置され、前記開口部を開閉するシャッターと、を備え、前記シャッターは、第１の面を有する本体と、前記第１の面を覆う蓋部材と、を有し、前記第１の面及び前記蓋部材は、前記流路を規定する、基板処理装置が提供される。

一の側面によれば、熱応答性が向上する基板処理装置を提供することができる。

本実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図。図１に示すプラズマ処理装置の一部拡大断面図。図１に示すプラズマ処理装置の一部拡大断面図。第１例及び第２例の弁体の分解斜視図及び流路の形状をモデル化した斜視図。第３例及び第４例の弁体の分解斜視図及び流路の形状をモデル化した斜視図。基板に付着したパーティクルの位置と数を示す図。弁体の温度とヒータの操作量との関係を示すグラフ。第１例から第４例の弁体における温度分布のシミュレーション結果の一例を示す図。第１例から第４例の弁体において、ドライエア流量を変化させた際の弁体とフランジの温度及び流路の入口及び出口の圧力を示すシミュレーションの一例を示す図。

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

本実施形態に係るプラズマ処理装置（基板処理装置）１について、図１から図３を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図２及び図３は、図１に示すプラズマ処理装置の一部拡大断面図である。図２には、一例のシャッター機構の弁体によって対応の開口が閉じられている状態が示されている。また、図３には、一例のシャッター機構の弁体が対応の開口を開いている状態が示されている。図１～図３に示すプラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供している。内部空間１０ｓは、減圧可能である。内部空間１０ｓの中ではプラズマが形成される。即ち、チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。

チャンバ１０は、チャンバ本体１２及び天部１４を含んでいる。チャンバ本体１２は、チャンバ１０の側壁及び底部を構成している。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。チャンバ本体１２の中心軸線は、鉛直方向に延びる軸線ＡＸに略一致している。チャンバ本体１２は、電気的に接地されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ本体１２の表面には、耐腐食性の膜が形成されている。耐腐食性の膜は、例えば、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムといった材料から形成されている。

チャンバ１０の側壁には、開口（開口部、第１開口部）１２ｐが形成されている。開口１２ｐは、チャンバ本体１２によって提供されている。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能である。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、開口１２ｐを通過する。即ち、チャンバ１０の側壁は、プラズマ処理空間に基板Ｗを搬送するための開口１２ｐを有している。

本実施形態において、チャンバ本体１２は、第１部材１２ａ及び第２部材１２ｂを含んでいる。第１部材１２ａは、略円筒形状を有している。第１部材１２ａは、チャンバ１０の底部及び側壁の一部を構成している。第２部材１２ｂは、略円筒形状を有している。第２部材１２ｂは、第１部材１２ａ上に設けられている。第２部材１２ｂは、チャンバ１０の側壁の別の一部を構成している。第２部材１２ｂは、開口１２ｐを提供している。

内部空間１０ｓの中には、支持台１６が設けられている。支持台１６は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。支持台１６の下方には、底板１７が設けられている。底板１７は、チャンバ１０の底部、例えば第１部材１２ａによって支持されている。底板１７からは、支持体１８が上方に延在している。支持体１８は、略円筒形状を有している。支持体１８は、例えば石英といった絶縁体から形成されている。支持台１６は、支持体１８上に搭載されており、支持体１８によって支持されている。

支持台１６は、下部電極２０及び静電チャック２２を含んでいる。支持台１６は、電極プレート２４を更に含んでいてもよい。電極プレート２４は、略円盤形状を有している。電極プレート２４の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。電極プレート２４は、アルミニウムといった導体から形成されている。

下部電極２０は、電極プレート２４上に設けられている。下部電極２０は、電極プレート２４に電気的に接続されている。下部電極２０は、略円盤形状を有している。下部電極２０の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致している。下部電極２０は、アルミニウムといった導体から形成されている。下部電極２０の中には、流路２０ｆが形成されている。流路２０ｆは、例えば渦巻き状に延在している。流路２０ｆには、チラーユニット２６から冷媒が供給される。チラーユニット２６は、チャンバ１０の外部に設けられている。チラーユニット２６は、例えば液状の冷媒を流路２０ｆに供給する。流路２０ｆに供給された冷媒は、チラーユニット２６に戻される。

静電チャック２２は、下部電極２０上に設けられている。静電チャック２２は、本体と電極２２ａを含んでいる。静電チャック２２の本体は、略円盤形状を有している。静電チャック２２の中心軸線は、軸線ＡＸと略一致している。静電チャック２２の本体は、セラミックから形成されている。電極２２ａは、導体から形成された膜である。電極２２ａは、静電チャック２２の本体内に設けられている。電極２２ａには、スイッチ２２ｓを介して直流電源２２ｄが接続されている。静電チャック２２に基板Ｗを保持させる場合には、直流電源２２ｄからの電圧が電極２２ａに印加される。電極２２ａに電圧が印加されると静電チャック２２と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは静電チャック２２に引き付けられ、静電チャック２２によって保持される。プラズマ処理装置１は、静電チャック２２と基板Ｗの裏面との間に、伝熱ガス（例えば、ヘリウムガス）を供給するガスラインを提供していてもよい。

静電チャック２２の周縁部上には、フォーカスリングＦＲが、基板Ｗを囲むように配置される。フォーカスリングＦＲは、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を改善するために利用される。フォーカスリングＦＲは、例えばシリコン、石英、又は炭化ケイ素から形成されている。フォーカスリングＦＲと下部電極２０との間には、リング２７が設けられている。リング２７は、絶縁体から形成されている。

プラズマ処理装置１は、筒状部２８及び筒状部２９を更に備えていてもよい。筒状部２８は、支持台１６及び支持体１８の外周に沿って延在している。筒状部２８は、筒状部２９上に設けられている。筒状部２８は、耐腐食性を有する絶縁体から形成されている。筒状部２８は、例えば石英から形成されている。筒状部２９は、支持体１８の外周に沿って延在している。筒状部２９は、耐腐食性を有する絶縁体から形成されている。筒状部２９は、例えば石英から形成されている。

天部１４は、チャンバ１０の上端開口を閉じるように設けられている。天部１４は、上部電極３０を含んでいる。天部１４は、部材３２及び部材３４を更に含み得る。部材３２は、略環状の板であり、アルミニウムといった金属から形成されている。部材３２は、後述する部材５８を介して、チャンバ１０の側壁上に設けられている。部材３２には、流路３２ｆが形成されている。流路３２ｆは、部材３２内で、環状の部材３２を一周するように延在している。流路３２ｆには、チラーユニット４０から冷媒が供給される。チラーユニット４０は、チャンバ１０の外部に設けられている。チラーユニット４０は、液状の冷媒（例えば冷却水）を流路３２ｆに供給する。流路３２ｆに供給された冷媒は、チラーユニット４０に戻される。このチラーユニット４０は、例えば４Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で冷媒を流路３２ｆに供給し得る。部材３４は、上部電極３０と部材３２との間に設けられている。部材３４は、軸線ＡＸに対して周方向に延在している。部材３４は、石英といった絶縁体から形成されている。なお、上部電極３０と部材３４との間には、Ｏリングといった封止部材３５ａが介在している。部材３４と部材３２との間には、Ｏリングといった封止部材３５ｂが介在している。

上部電極３０は、天板３６及び支持体３８を含んでいる。天板３６は、略円盤形状を有している。天板３６は、内部空間１０ｓに接している。天板３６には、複数のガス吐出孔３６ｈが形成されている。複数のガス吐出孔３６ｈは、板厚方向（鉛直方向）に天板３６を貫通している。天板３６は、シリコン、酸化アルミニウム、又は石英から形成されている。或いは、天板３６は、アルミニウムといった導体製の部材の表面上に耐腐食性の膜を形成することにより構成されていてもよい。耐腐食性の膜は、例えば、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムといった材料から形成されている。

支持体３８は、天板３６上に設けられている。支持体３８は、天板３６を着脱自在に支持している。支持体３８は、例えばアルミニウムから形成されている。支持体３８には、流路３８ｆが形成されている。流路３８ｆは、支持体３８内で、例えば渦巻き状に延在している。流路３８ｆには、チラーユニット４０から冷媒が供給される。チラーユニット４０は、液状の冷媒（例えば冷却水）を流路３８ｆに供給する。流路３８ｆに供給された冷媒は、チラーユニット４０に戻される。このチラーユニット４０は、例えば４Ｌ／ｍｉｎ以上の流量で冷媒を流路３８ｆに供給し得る。

支持体３８の内部には、ガス拡散室３８ｄが形成されている。支持体３８には、複数の孔３８ｈが形成されている。複数の孔３８ｈは、ガス拡散室３８ｄから下方に延びて、複数のガス吐出孔３６ｈにそれぞれ接続している。支持体３８には、ポート３８ｐが設けられている。ポート３８ｐは、ガス拡散室３８ｄに接続している。ポート３８ｐには、ガスソース群４１が、バルブ群４２、流量制御器群４３、及びバルブ群４４を介して接続されている。

ガスソース群４１は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４２及びバルブ群４４の各々は、複数のバルブを含んでいる。流量制御器群４３は、複数の流量制御器を含んでいる。複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４１の複数のガスソースの各々は、バルブ群４４の対応のバルブ、流量制御器群４３の対応の流量制御器、及びバルブ群４２の対応のバルブを介して、ポート３８ｐに接続されている。プラズマ処理装置１では、ガスソース群４１の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースの各々からのガスが、ガス拡散室３８ｄに供給される。ガス拡散室３８ｄに供給されたガスは、複数のガス吐出孔３６ｈから内部空間１０ｓに供給される。

プラズマ処理装置１は、第１の高周波電源５１及び第２の高周波電源５２を更に備えている。第１の高周波電源５１は、プラズマ生成用の第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ以上である。第１の高周波電源５１は、整合器５３を介して下部電極２０に電気的に接続されている。整合器５３は、負荷側（下部電極２０側）のインピーダンスを第１の高周波電源５１の出力インピーダンスに整合させるためのマッチング回路を有している。なお、第１の高周波電源５１は、下部電極２０ではなく、整合器５３を介して上部電極３０に接続されていてもよい。

第２の高周波電源５２は、基板Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電力の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚ以下である。第２の高周波電源５２は、整合器５４を介して下部電極２０に電気的に接続されている。整合器５４は、負荷側（下部電極２０側）のインピーダンスを第２の高周波電源５２の出力インピーダンスに整合させるためのマッチング回路を有している。

プラズマ処理装置１は、部材５８（デポシールド、環状保護部材）を更に備えている。部材５８は、部分的に内部空間１０ｓの中に設けられている。また、部材５８は、プラズマ処理空間を規定する。即ち、部材５８の一部は、内部空間１０ｓの中でプラズマに晒される。部材５８は、内部空間１０ｓからチャンバ１０の外側に向けて延びてチャンバ１０の外側の空間に対して露出されている。

本実施形態では、部材５８は、プラズマ処理による副生成物がチャンバ１０の内壁面に堆積することを抑制するよう、チャンバ１０の内壁面に沿って延在している。即ち、部材５８は、チャンバ１０の内壁面を保護する。具体的には、部材５８は、チャンバ本体１２の内壁面又は第２部材１２ｂの内壁面に沿って延在している。部材５８は、環状（略円筒形状）を有している。部材５８は、アルミニウムといった導体製の部材の表面上に耐腐食性の膜を形成することにより構成され得る。耐腐食性の膜は、例えば酸化アルミニウム又は酸化イットリウムといった材料から形成されている。

本実施形態において、部材５８は、チャンバ本体１２と天部１４との間で挟持されている。例えば、部材５８は、チャンバ本体１２の第２部材１２ｂと天部１４の部材３２との間で挟持されている。

本実施形態において、プラズマ処理装置１は、スペーサ５９を更に備えていてもよい。スペーサ５９は、板状をなしており、軸線ＡＸの周りで周方向に延びている。スペーサ５９は、部材５８とチャンバ１０との間に設けられている。スペーサ５９は、例えば導体から形成されている。スペーサ５９は、アルミニウムの熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する材料から形成されていてもよい。スペーサ５９は、例えばステンレスから形成されていてもよい。スペーサ５９は、アルミニウムの熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する材料であれば、ステンレス以外の材料から形成されていてもよい。なお、スペーサ５９は、アルミニウムから形成されていてもよい。

本実施形態において、スペーサ５９は、部材５８と第２部材１２ｂとの間に設けられている。本実施形態において、スペーサ５９及び第２部材１２ｂは、ねじ６０ａを用いて第１部材１２ａに固定されている。ねじ６０ａは、スペーサ５９及び第２部材１２ｂを貫通して第１部材１２ａのねじ穴に螺合している。部材５８は、ねじ６０ｂを用いてスペーサ５９に固定されている。ねじ６０ｂは、部材５８を貫通してスペーサ５９のねじ穴に螺合している。この実施形態によれば、例えばそのメンテナンスのために部材５８がチャンバ１０から取り外されても、スペーサ５９及び第２部材１２ｂは、ねじ６０ａによって第１部材１２ａに固定されたままである。したがって、スペーサ５９及び第２部材１２ｂの固定を維持したまま、部材５８をチャンバ１０から取り外すことが可能となる。

プラズマ処理装置１は、ヒータユニット６２を更に備えている。ヒータユニット６２は、本体６２ｍ及びヒータ６２ｈを含んでいる。ヒータ６２ｈは、部材５８を加熱するように構成されている。ヒータ６２ｈは、抵抗加熱素子であり得る。ヒータ６２ｈは、本体６２ｍ内に設けられている。本体６２ｍは、部材５８に熱的に接している。本実施形態では、本体６２ｍは、部材５８に物理的に接している。本体６２ｍは、アルミニウムといった導体から形成されている。ヒータ６２ｈは、本体６２ｍを介して部材５８を加熱するように構成されている。

本実施形態において、本体６２ｍは、略環状の板であり、上部電極３０を囲むように周方向に延在している。本実施形態において、天部１４は、部材５６を更に含んでいる。部材５６は、略環状の板である。部材５６は、天板３６の径方向外側の領域で周方向に延在している。径方向は、軸線ＡＸに対して放射方向である。ヒータユニット６２は、部材５６と部材３２との間、且つ、部材３４と部材５８との間に設けられている。

本体６２ｍとその周囲の部材との間には、内部空間１０ｓを含む減圧環境と大気圧環境とを分離するためにＯリングといった封止部材が設けられている。具体的に、本体６２ｍと部材３２との間には、封止部材６３ａが設けられている。

部材５８と支持体１８との間には、バッフル部材７２が設けられている。本実施形態において、バッフル部材７２は、略円筒形状を有している。バッフル部材７２の上端は、鍔状に形成されている。バッフル部材７２の下端は、略環形状に形成されており、径方向内側に延びている。バッフル部材７２の上端の外縁は、部材５８の下端に結合されている。バッフル部材７２の下端の内縁は、筒状部２９と底板１７との間に挟持されている。バッフル部材７２は、アルミニウムといった導体製の板から形成されている。バッフル部材７２の表面には、耐腐食性の膜が形成されている。耐腐食性の膜は、例えば、酸化アルミニウム又は酸化イットリウムといった材料から形成されている。バッフル部材７２には、複数の貫通孔が形成されている。

内部空間１０ｓは、バッフル部材７２の下方で延在する排気領域を含んでいる。排気領域には、排気装置７４が接続されている。排気装置７４は、自動圧力制御弁といった圧力調整器及びターボ分子ポンプといった減圧ポンプを含んでいる。

部材５８には、開口（第２開口部）５８ｐが形成されている。開口５８ｐは、開口１２ｐと対面するように部材５８に形成されている。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、開口１２ｐ及び開口５８ｐを通過する。

プラズマ処理装置１は、シャッター機構７６を更に備えていてもよい。シャッター機構７６は、開口５８ｐを開閉するように構成されている。また、シャッター機構７６は、プラズマ処理空間に基板Ｗを搬送するための開口１２ｐを開閉するように構成されている。シャッター機構７６は、弁体７６ｖ（シャッター）及び軸体７６ｓを有している。シャッター機構７６は、筒体７６ａ、封止部７６ｂ、壁部７６ｗ、及び駆動部７６ｄを更に有し得る。

弁体７６ｖは、開口５８ｐ内に配置されている状態では開口５８ｐを閉じる。また、弁体７６ｖは、チャンバ１０の側壁の内側に配置され、プラズマ処理空間に基板Ｗを搬送するための開口１２ｐを開閉する。弁体７６ｖは軸体７６ｓによって支持されている。即ち、軸体７６ｓは、弁体７６ｖに連結している。軸体７６ｓは、弁体７６ｖから下方に延在している。軸体７６ｓは、主部７６ｍ及びフランジ７６ｆを含んでいる。主部７６ｍは、略筒状に形成されている。即ち、軸体７６ｓは、その内部に空洞７６ｃを提供している。フランジ７６ｆは、主部７６ｍの上端の上に設けられている。弁体７６ｖは、フランジ７６ｆ上に設けられている。軸体７６ｓの空洞７６ｃは、フランジ７６ｆの中にも形成されている。フランジ７６ｆの中には、ヒータ７６ｈが設けられている。ヒータ７６ｈは、例えば抵抗加熱素子である。ヒータ７６ｈは、フランジ７６ｆを介して弁体７６ｖを加熱するように構成されている。

弁体７６ｖの内部には、温調流体（冷媒、熱媒体）が通流する流路７６ｒが設けられている。流路７６ｒには、空洞７６ｃを通る導入管７８ａを介して、温調流体が導入される。温調流体は、流路７６ｒを循環し空洞７６ｃから排出される。なお、温調流体の流量を検出するフローメータ、温調流体の流量を調整するレギュレータ等を備えていてもよい。後述する制御部８０は、内部空間１０ｓのプラズマから弁体７６ｖへの入熱量に応じて、流路７６ｒに供給する温調流体の流量を制御する。また、制御部８０は、内部空間１０ｓのプラズマから弁体７６ｖへの入熱量に応じて、ヒータ７６ｈを制御する。これにより、弁体７６ｖの温度を所望の温度域とすることができる。なお、温調流体の種類は、限定されるものではなく、例えば、ドライエア等の気体であってもよく、冷却水等の液体であってもよい。

筒体７６ａは、筒形状をなしている。筒体７６ａは、直接的に又は間接的にチャンバ本体１２に固定されている。軸体７６ｓの主部７６ｍは、筒体７６ａの中を通って上下に移動可能になっている。駆動部７６ｄは、軸体７６ｓの主部７６ｍを上下に移動させるための動力を発生する。駆動部７６ｄは、例えばモータを含む。

封止部７６ｂは、筒体７６ａの中に設けられている。封止部７６ｂは、筒体７６ａと軸体７６ｓの主部７６ｍとの間の間隙を閉じており、内部空間１０ｓの気密を確保している。封止部７６ｂは、限定されるものではないが、Ｏリング又は磁性流体シールであり得る。壁部７６ｗは、筒体７６ａとチャンバ本体１２との間で延在している。壁部７６ｗは、筒体７６ａとチャンバ本体１２との間の間隙を閉じており、内部空間１０ｓの気密を確保している。

プラズマ処理装置１は、供給器（流体供給器）７８を更に備えている。供給器７８は、導入管７８ａを介して弁体７６ｖの流路７６ｒに温調流体を供給するように構成されている。導入管７８ａは、一端が供給器７８に接続され、軸体７６ｓの空洞７６ｃを通り、他端がフランジ７６ｆに設けられた継手（図示せず）に接続される。フランジ７６ｆには、継手から弁体７６ｖの流路７６ｒの入口へと接続する入口側流路７６ｅが形成されている。また、フランジ７６ｆには、流路７６ｒの出口から空洞７６ｃへと接続する出口側流路（図示せず）が形成されている。供給器７８から供給された温調流体であるドライエアは、導入管７８ａ、入口側流路７６ｅを通り、流路７６ｒの入口へと供給される。ドライエアは、流路７６ｒを循環し、流路７６ｒの出口からフランジ７６ｆの出口側流路、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。なお、温調流体がドライエアであり、装置外へと排気する場合を例に説明したが、これに限られるものではなく、フランジ７６ｆの出口側流路から供給器７８へと接続する排出管を備え、供給器７８と弁体７６ｖの流路７６ｒとの間で温調流体が循環するように構成してもよい。

本実施形態においてプラズマ処理装置１は、制御部（制御装置）８０を更に備え得る。制御部８０は、プラズマ処理装置１の各部を制御するように構成されている。制御部８０は、例えば、コンピュータ装置である。制御部８０は、プロセッサ、記憶部、キーボードといった入力装置、表示装置、及び信号の入出力インタフェイスを有する。記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが記憶されている。プロセッサは、制御プログラムを実行し、レシピデータに従ってプラズマ処理装置１の各部に入出力インタフェイスを介して制御信号を送出する。

次に、流路７６ｒを有する弁体７６ｖ（７６ｖ１～７６ｖ４）の構成の一例について、図４及び図５を用いて更に説明する。

（第１例の弁体）
図４（ａ）は、第１例の弁体７６ｖ１の分解斜視図であり、図４（ｂ）は、第１例の弁体７６ｖ１における流路７６ｒ１の形状をモデル化した斜視図である。

弁体７６ｖ１は、弁体本体１１１と、流路形成部材（経路モジュール）１１２と、を有している。弁体本体１１１には、下部から凹部１１１ａが形成されている。流路形成部材１１２は、凹部１１１ａ内に適合する。凹部１１１ａに流路形成部材１１２が挿入されることにより、流路７６ｒ１が形成される。即ち、凹部１１１ａ及び流路形成部材１１２は、流路７６ｒ１を規定する。弁体本体１１１と流路形成部材１１２とは、電子ビーム溶接等で溶接される。

流路形成部材１１２は、円弧状の基部１１２ａと、基部１１２ａから上方向に延びる円弧板部１１２ｂを有している。基部１１２ａ及び円弧板部１１２ｂには、流路７６ｒ１を形成するための溝が形成されている。また、弁体本体１１１の凹部１１１ａは、基部１１２ａ及び円弧板部１１２ｂを挿入可能な形状を有している。

流路７６ｒ１は、入口１１３と、流路１１４～１１８と、出口１１９と、を有している。入口１１３は、弁体７６ｖ１をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された入口側流路７６ｅと連通する。入口１１３は、流路１１４と接続されている。流路１１４は、流路形成部材１１２の内周面側（支持台１６に近い側）に形成され、水平で、弁体７６ｖ１の形状に沿って円弧状に延びる流路である。流路１１５は、流路形成部材１１２の内周面側に形成され、流路１１４と流路１１６を接続するように垂直方向に延びる流路である。流路１１６は、流路形成部材１１２の上に形成され、水平で、弁体７６ｖ１の形状に沿って円弧状に延びる流路である。流路１１７は、流路形成部材１１２の外周面側に形成され、流路１１６と流路１１８を接続するように垂直方向に延びる流路である。流路１１８は、流路形成部材１１２の外周面側に形成され、水平で、弁体７６ｖ１の形状に沿って円弧状に延びる流路である。出口１１９は、弁体７６ｖ１をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された出口側流路（図示せず）と連通する。出口１１９は、流路１１８と接続されている。

供給器７８から供給された温調流体は、導入管７８ａ、入口側流路７６ｅを通り、流路７６ｒ１の入口１１３へと供給される。入口１１３から供給された温調流体は、流路１１４から複数の流路１１５に分岐して流れ、流路１１６で合流する。その後、温調流体は、再び複数の流路１１７に分岐して流れ、流路１１８で合流し、出口１１９からフランジ７６ｆの出口側流路（図示せず）、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。

（第２例の弁体）
図４（ｃ）は、第２例の弁体７６ｖ２の分解斜視図であり、図４（ｄ）は、第２例の弁体７６ｖ２における流路７６ｒ２の形状をモデル化した斜視図である。

弁体７６ｖ２は、弁体本体１２１と、流路形成部材（経路モジュール）１２２と、を有している。弁体本体１２１には、下部から凹部１２１ａが形成されている。流路形成部材１２２は、凹部１２１ａ内に適合する。凹部１２１ａに流路形成部材１２２が挿入されることにより、流路７６ｒ２が形成される。即ち、凹部１２１ａ及び流路形成部材１２２は、流路７６ｒ２を規定する。弁体本体１２１と流路形成部材１２２とは、電子ビーム溶接等で溶接される。

流路形成部材１２２は、円弧状の基部１２２ａと、基部１２２ａから上方向に延びる板部１２２ｂを有している。基部１２２ａには、流路７６ｒ２を形成するための溝が形成されている。また、弁体本体１２１の凹部１２１ａは、基部１２２ａを挿入可能な形状及び複数の穴部を有している。穴部には板部１２２ｂがそれぞれ挿入される。

流路７６ｒ２は、入口１２３と、流路１２４～１２８と、出口１２９と、を有している。入口１２３は、弁体７６ｖ２をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された入口側流路７６ｅと連通する。入口１２３は、流路１２４と接続されている。流路１２４は、流路形成部材１２２の内周面側に形成され、水平で、弁体７６ｖ２の形状に沿って円弧状に延びる流路である。流路１２５は、流路形成部材１２２の内周面側に形成され、流路１２４と流路１２６を接続するように垂直方向に延びる流路である。流路１２６は、流路形成部材１２２の上に形成され、水平で、弁体７６ｖ２の形状に沿って円弧状に延びる流路である。流路１２７は、流路形成部材１２２の外周面側に形成され、流路１２６と流路１２８を接続するように垂直方向に延びる流路である。流路１２８は、流路形成部材１２２の外周面側に形成され、水平で、弁体７６ｖ１の形状に沿って円弧状に延びる流路である。出口１２９は、弁体７６ｖ２をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された出口側流路（図示せず）と連通する。出口１２９は、流路１２８と接続されている。

供給器７８から供給された温調流体は、導入管７８ａ、入口側流路７６ｅを通り、流路７６ｒ２の入口１２３へと供給される。入口１２３から供給された温調流体は、流路１２４から複数の流路１２５に分岐して流れ、それぞれ流路１２５，１２６，１２７を流れて、流路１２８で合流し、出口１２９からフランジ７６ｆの出口側流路（図示せず）、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。

（第３例の弁体）
図５（ａ）は、第３例の弁体７６ｖ３の分解斜視図であり、図５（ｂ）は、第３例の弁体７６ｖ３における流路７６ｒ３の形状をモデル化した斜視図である。

弁体７６ｖ３は、弁体本体１３１と、蓋部材１３２と、を有している。弁体本体１３１の外周面側には、凹部１３１ａが形成されている。蓋部材１３２の凹部１３１ａは、蓋部材１３２が嵌合される掘り下げ部１３１ｂと、掘り下げ部１３１ｂの底面（第１の面）に形成された溝１３１ｃと、を有する。蓋部材１３２は掘り下げ部１３１ｂの底面（第１の面）を覆う。蓋部材１３２が掘り下げ部１３１ｂと嵌合することにより、流路７６ｒ３が形成される。即ち、掘り下げ部１３１ｂの底面（第１の面）及び蓋部材１３２は、流路７６ｒ３を規定する。弁体本体１３１と蓋部材１３２とは、電子ビーム溶接等で溶接される。

流路７６ｒ３は、入口１３３と、流路１３４，１３５と、出口１３６と、流路１３７，１３８と、出口１３９と、を有している。ここで、流路１３４，１３５，１３７，１３８は、水平に蛇行して形成される。入口１３３は、弁体７６ｖ３をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された入口側流路７６ｅと連通する。入口１３３は、分岐する流路１３４，１３７と接続されている。流路１３４は、弁体本体１３１の水平方向の一方側（図５（ｂ）において左側）において、水平方向に往復しながら上方に向かう往き流路である。流路１３４は、流路１３５と接続される。流路１３５は、弁体本体１３１の水平方向の一方側において、水平方向に往復しながら下方に向かう戻り流路である。流路１３５は、出口１３６と接続される。出口１３６は、弁体７６ｖ３をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された出口側流路（図示せず）と連通する。流路１３７は、弁体本体１３１の水平方向の他方側（図５（ｂ）において右側）において、水平方向に往復しながら上方に向かう往き流路である。流路１３８は、流路１３７と接続される。流路１３８は、弁体本体１３１の水平方向の一方側において、水平方向に往復しながら下方に向かう戻り流路である。流路１３８は、出口１３９と接続される。出口１３９は、弁体７６ｖ３をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された出口側流路（図示せず）と連通する。なお、弁体本体１３１の水平方向の一方側（図５（ｂ）において左側）において、往きの流路１３４よりも、戻りの流路１３５の方が外側（左側）に配置される。また、弁体本体１３１の水平方向の他方側（図５（ｂ）において右側）において、往きの流路１３７よりも、戻りの流路１３８の方が外側（右側）に配置される。

供給器７８から供給された温調流体は、導入管７８ａ、入口側流路７６ｅを通り、流路７６ｒ３の入口１３３へと供給される。入口１３３から供給された温調流体は、流路１３４，１３７に分岐して流れる。流路１３４の温調流体は、流路１３５を流れ、出口１３６からフランジ７６ｆの出口側流路（図示せず）、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。また、流路１３７の温調流体は、流路１３８を流れ、出口１３９からフランジ７６ｆの出口側流路（図示せず）、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。

なお、流路１３４，１３５，１３７，１３８を形成するための溝１３１ｃは、弁体本体１３１に形成されるものとして説明したが、これに限られるものではなく、蓋部材１３２の内周面側に溝を形成してもよく、弁体本体１３１と蓋部材１３２の両方に溝を形成してもよい。即ち、流路７６ｒ３（流路１３４，１３５，１３７，１３８）は、掘り下げ部１３１ｂの底面（第１の面）及び蓋部材１３２のうち少なくとも一方に形成された溝により規定されてもよい。

（第４例の弁体）
図５（ｃ）は、第４例の弁体７６ｖ４の分解斜視図であり、図５（ｄ）は、第４例の弁体７６ｖ４における流路７６ｒ４の形状をモデル化した斜視図である。

弁体７６ｖ４は、弁体本体１４１と、蓋部材１４２と、を有している。弁体本体１４１の外周面側には、凹部１４１ａが形成されている。蓋部材１４２の凹部１４１ａは、蓋部材１４２が嵌合される掘り下げ部１４１ｂと、掘り下げ部１４１ｂの底面（第１の面）に形成された溝１４１ｃと、を有する。蓋部材１４２は掘り下げ部１４１ｂの底面（第１の面）を覆う。蓋部材１４２が掘り下げ部１４１ｂと嵌合することにより、流路７６ｒ４が形成される。即ち、掘り下げ部１４１ｂの底面（第１の面）及び蓋部材１４２は、流路７６ｒ４を規定する。弁体本体１４１と蓋部材１４２とは、電子ビーム溶接等で溶接される。

流路７６ｒ４は、入口１４３と、流路１４４，１４５と、出口１４６と、流路１４７，１４８と、出口１４９と、を有している。ここで、流路１４４，１４５，１４７，１４８は、水平に蛇行して形成される。入口１４３は、弁体７６ｖ４をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された入口側流路７６ｅと連通する。入口１４３は、分岐する流路１４４，１４７と接続されている。流路１４４は、弁体本体１４１の水平方向の一方側（図５（ｄ）において左側）において、水平方向に往復しながら上方に向かう往き流路である。流路１４４は、流路１４５と接続される。流路１４５は、弁体本体１４１の水平方向の一方側において、水平方向に往復しながら下方に向かう戻り流路である。流路１４５は、出口１４６と接続される。出口１４６は、弁体７６ｖ４をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された出口側流路と連通する。流路１４７は、弁体本体１４１の水平方向の他方側（図５（ｄ）において右側）において、水平方向に往復しながら上方に向かう往き流路である。流路１４８は、流路１４７と接続される。流路１４８は、弁体本体１４１の水平方向の一方側において、水平方向に往復しながら下方に向かう戻り流路である。流路１４８は、出口１４９と接続される。出口１４９は、弁体７６ｖ４をフランジ７６ｆに固定した際、フランジ７６ｆに形成された出口側流路と連通する。なお、弁体本体１４１の水平方向の一方側（図５（ｄ）において左側）において、戻りの流路１４５よりも、往きの流路１４４の方が外側（左側）に配置される。また、弁体本体１４１の水平方向の他方側（図５（ｂ）において右側）において、戻りの流路１４８よりも、往きの流路１４７の方が外側（右側）に配置される。

供給器７８から供給された温調流体は、導入管７８ａ、入口側流路７６ｅを通り、流路７６ｒ４の入口１４３へと供給される。入口１４３から供給された温調流体は、流路１４４，１４７に分岐して流れる。流路１４４の温調流体は、流路１４５を流れ、出口１４６からフランジ７６ｆの出口側流路（図示せず）、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。また、流路１４７の温調流体は、流路１４８を流れ、出口１４９からフランジ７６ｆの出口側流路（図示せず）、空洞７６ｃを介して装置外へと排気される。

なお、流路１４４，１４５，１４７，１４８を形成するための溝１４１ｃは、弁体本体１４１に形成されるものとして説明したが、これに限られるものではなく、蓋部材１４２の内周面側に溝を形成してもよく、弁体本体１４１と蓋部材１４２の両方に溝を形成してもよい。即ち、流路７６ｒ４（流路１４４，１４５，１４７，１４８）は、掘り下げ部１４１ｂの底面（第１の面）及び蓋部材１４２のうち少なくとも一方に形成された溝により規定されてもよい。

また、第３，４例に示す弁体７６ｖ３，７６ｖ４のように、弁体本体１３１，１４１の外周面に浅い凹部１３１ａ，１４１ａ（掘り下げ部１３１ｂ，１４１ｂ及び溝１３１ｃ，１４１ｃ）を形成する加工は、加工が容易であり、製作コストを低減することができる。また、第３，４例の蓋部材１３２，１４２の形状は簡素であり、製作コストを低減することができる。

また、温調流体を弁体本体１４１の周方向中央下部から供給する構成において、弁体７６ｖの内周面における熱分布は、周方向中央下部の温度が低く、周方向外側上部に向かって温度が高くなる熱分布となる。第４例のように、往きの流路１４４，１４７を戻りの流路１４５，１４８よりも外側に配置することにより、周方向外側を好適に冷却して、弁体７６ｖの内周面における熱分布の温度差を低減することができる。

また、図５（ｃ）に示すように、第４例に示す弁体７６ｖ４において、弁体本体１４１は、掘り下げ部１４１ｂの周方向中央に掘り下げされていない仕切り部１４１ｄを有する。また、蓋部材１４２には、対応する位置に切欠き部１４２ｄを有する。このような構成により、弁体本体１４１に蓋部材１４２を溶接した際、蓋部材１４２が掘り下げ部１４１ｂの底面から浮き上がること抑制することができる。

以上、流路７６ｒを有する弁体７６ｖとして、図４及び図５に示す弁体７６ｖ１～７６ｖ４を例に説明したが、弁体７６ｖの構造及び流路７６ｒの構造はこれに限られるものではない。

図６は、プラズマ処理装置において、基板Ｗにエッチング処理を施した際、基板Ｗに付着したパーティクルの位置と数を示す図である。図６（ａ）は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１の場合、図６（ｂ）は、参考例に係るプラズマ処理装置の場合を示す。ここで、参考例に係るプラズマ処理装置は、弁体７６ｖに流路７６ｒが形成されていない点で本実施形態に係るプラズマ処理装置１と相違する。その他の構成は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１と同様であり、重複する説明を省略する。また、図６において、弁体７６ｖ（開口１２ｐ、開口５８ｐ）の位置は、下にあるものとする。

本実施形態及び参考例に係るプラズマ処理装置において、以下の条件で基板Ｗにエッチング処理を施した。
圧力：１０～３０ｍＴｏｒｒ
ガス種：Ｃ_４Ｆ_６／Ｃ_４Ｆ_８／ＮＦ_３／Ｏ_２
第１の高周波電力：５０００～６０００Ｗ
第２の高周波電力：１００００～２００００Ｗ
ＤＣ：－５００～－１０００Ｗ
また、エッチング処理の際、チャンバ１０内でパーティクルが発生し、発生したパーティクルがチャンバ１０の内壁面や基板Ｗに付着する。図６は、１０時間経過後の状態における０．０３５μｍ以上のパーティクルを示す。

図６（ｂ）に示すように、参考例に係るプラズマ処理装置において、基板Ｗ上のパーティクルの数は、２９３個であった。また、パーティクルの位置は、弁体７６ｖの側に片寄ることが確認できた。

これに対し、図６（ａ）に示すように、本実施形態に係るプラズマ処理装置１において、基板Ｗ上のパーティクルの数は、１３個であった。また、パーティクルの位置の片寄りはみられないことが確認できた。

以上、本実施形態に係るプラズマ処理装置１によれば、弁体７６ｖに温調流体が流れる流路７６ｒが形成されている。このような構成を有することにより、弁体７６ｖの熱を温調流体に放熱して、弁体７６ｖの内周面の温度を下げることができる。よって、制御部８０は、ヒータ７６ｈを制御することにより、弁体７６ｖの温度を調整することができる。

また、制御部８０は、部材５８と弁体７６ｖとの間の温度差を低減するように、弁体７６ｖの温度を制御する。本実施形態に係るプラズマ処理装置１によれば、部材５８の内周面と弁体７６ｖの内周面とで形成される円筒面における温度差を低減することができる。これにより、内部空間１０ｓの周方向における温度の均一性を向上させることができる。

また、弁体７６ｖの温度を下げることにより、パーティクルが弁体７６ｖの内周面に付着する。即ち、内部空間１０ｓ中のパーティクルを弁体７６ｖの内周面でトラップすることにより、基板Ｗ上のパーティクルの数を低減することができる。同様に、部材５８の温度を下げることにより、パーティクルが部材５８の内周面に付着する。即ち、内部空間１０ｓ中のパーティクルを部材５８の内周面でトラップすることにより、基板Ｗ上のパーティクルの数を低減することができる。

即ち、本実施形態に係るプラズマ処理装置１によれば、基板Ｗに付着するパーティクルの数を低減することができ、パーティクルの位置の片寄りを低減することができる。

次に、供給器７８が弁体７６ｖに供給するドライエア（温調流体）の流量と弁体７６ｖの温度の設定方法について、図７を用いて説明する。

図７は、弁体７６ｖの温度とヒータ７６ｈの操作量（ＭＶ：Manipulated Variable）との関係を示すグラフである。また、左の列のグラフ（図７（ａ）、図７（ｂ））は、ドライエアの流量を３０Ｌ／ｍｉｎ、弁体７６ｖの設定温度を１２０℃とした場合を示す。ここで、弁体７６ｖの設定温度とは、弁体７６ｖを加熱するヒータ７６ｈの温度である。中央の列のグラフ（図７（ｃ）、図７（ｄ））は、ドライエアの流量を６０Ｌ／ｍｉｎ、弁体７６ｖの設定温度を１２０℃とした場合を示す。右の列のグラフ（図７（ｅ）、図７（ｆ））は、ドライエアの流量を６０Ｌ／ｍｉｎ、弁体７６ｖの設定温度を１００℃とした場合を示す。また、上の行のグラフ（図７（ａ）、図７（ｃ）、図７（ｅ））は、エッチング処理時における弁体７６ｖの温度の時間変化を示すグラフである。下の行のグラフ（図７（ｂ）、図７（ｄ）、図７（ｆ））は、エッチング処理時において弁体７６ｖの温度が設定した温度となるようにヒータ７６ｈの操作量を制御した際の弁体７６ｖの温度とヒータ７６ｈの操作量の時間変化を示すグラフである。また、温度Ｔ１は、弁体７６ｖが部材５８の開口５８ｐを閉じている際の部材５８の温度であり、温度Ｔ２は、弁体７６ｖが部材５８の開口５８ｐを開けている際の部材５８の温度である。

ドライエアの流量を３０Ｌ／ｍｉｎ、弁体７６ｖの設定温度を１２０℃とした場合、図７（ａ）に示すように、弁体７６ｖの温度が温度Ｔ１を超え、弁体７６ｖの冷却能力が不足していることを示す。また、図７（ｂ）に示すように、ヒータ７６ｈの操作量を０としても、弁体７６ｖの温度を一定に保てないことを示す。

ドライエアの流量を６０Ｌ／ｍｉｎ、弁体７６ｖの設定温度を１００℃とした場合、図７（ｅ）に示すように、弁体７６ｖの温度は、温度Ｔ１と温度Ｔ２の範囲に保たれている。しかしながら、図７（ｆ）に示すように、ヒータ７６ｈの操作量を０としても、弁体７６ｖの温度を一定に保てないことを示す。

これに対し、ドライエアの流量を６０Ｌ／ｍｉｎ、弁体７６ｖの設定温度を１２０℃とした場合、図７（ｃ）に示すように、弁体７６ｖの温度は、温度Ｔ１と温度Ｔ２の範囲に保たれている。また、図７（ｄ）に示すように、ヒータ７６ｈの操作量を制御可能な範囲内で弁体７６ｖの温度を一定に保つことができることを示す。

このように、弁体７６ｖの温度が温度Ｔ１と温度Ｔ２の範囲内となり、かつ、ヒータ７６ｈの操作量を制御可能な範囲内で弁体７６ｖの温度を一定に保つことができるように、ドライエアの流量と弁体７６ｖの設定温度を決定することができる。

次に、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４について、シミュレーションを行った。図８は、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４における温度分布のシミュレーション結果の一例を示す図である。図９は、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４において、ドライエア流量（Ａｉｒ流量）を変化させた際の弁体７６ｖとフランジ７６ｆの温度及び流路の入口及び出口の圧力を示すシミュレーションの一例を示す図である。ここで、ＩＤＬＥ時はヒータ７６ｈにより発熱量１２０Ｗで弁体７６ｖが加熱されており、ＰＲＯＣＥＳＳ時はプラズマからの入熱量１２０Ｗで弁体７６ｖが加熱されているものとして、シミュレーションを行った。

また、図８の上段は、ＰＲＯＣＥＳＳ時においてドライエアを供給しない場合（０Ｌ／ｍｉｎ）における温度分布のシミュレーション結果の一例を示す。図８の下段は、ＰＲＯＣＥＳＳ時においてドライエアを供給する場合（２０Ｌ／ｍｉｎ）における温度分布のシミュレーション結果の一例を示す。また、図８においては、弁体７６ｖにおける最大温度と最低温度との温度差を温度分布Δとして併記する。

図８の上段及び下段を対比して示すように、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４のいずれにおいても、ドライエアを供給することにより弁体７６ｖ１～７６ｖ４が冷却される。また、図８の上段に示すように、ＰＲＯＣＥＳＳ時においてドライエアを供給しない場合、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４の温度分布Δは略等しい。また、図８の下段に示すように、ＰＲＯＣＥＳＳ時においてドライエアを供給する場合、第４例の弁体７６ｖ４の温度分布Δが他の弁体７６ｖ１～７６ｖ３の温度分布Δよりも小さくなる。

図９の上段には、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４のＩＤＬＥ時において、ドライエア流量（Ａｉｒ流量）を０Ｌ／ｍｉｎ、１０Ｌ／ｍｉｎ、２０Ｌ／ｍｉｎ、３０Ｌ／ｍｉｎで変化させた際の弁体７６ｖとフランジ７６ｆの温度［℃］を示す。図９の中段には、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４のＰＲＯＣＥＳＳ時において、ドライエア流量（Ａｉｒ流量）を０Ｌ／ｍｉｎ、１０Ｌ／ｍｉｎ、２０Ｌ／ｍｉｎ、３０Ｌ／ｍｉｎで変化させた際の弁体７６ｖとフランジ７６ｆの温度［℃］を示す。図９の下段には、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４において、ドライエア流量（Ａｉｒ流量）を１０Ｌ／ｍｉｎ、２０Ｌ／ｍｉｎ、３０Ｌ／ｍｉｎで変化させた際の入口（ＩＮＬＥＴ）と出口（ＯＵＴＬＥＴ）における圧力［ＭＰａ］と、その圧力差である圧損を示す。なお、圧損において、入口と出口の圧力差が十分に小さい場合、「－」で示す。

図９の上段及び中段に示すように、第１例から第４例の弁体７６ｖ１～７６ｖ４のいずれにおいても、同等の冷却能力を有する。また、図９の下段に示すように、圧損は数Ｐａ程度であり、十分に小さい。

以上、基板処理装置の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

また、本実施形態に係るプラズマ処理装置は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP),Inductively Coupled Plasma(ICP),Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR),Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。また、基板処理装置の一例としてプラズマ処理装置を挙げて説明した、しかし、基板処理装置は、基板に所定の処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す装置であればよく、プラズマ処理装置に限定されるものではない。例えば、ＣＶＤ装置であってもよい。

本明細書では、基板の一例としてウェハ（半導体ウェハ）Ｗを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種の基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。

また、弁体７６ｖには、流路７６ｒを通流する温調流体との接触面積を増加させる熱交換促進部材（図示せず）を有してもよい。例えば、熱交換促進部材は、弁体７６ｖの内壁面から流路７６ｒ内に向かって突出する突起部として設けられている。換言すれば、熱交換促進部材は、流路７６ｒ内を流れる温調流体の流れを阻害するように配置されている。熱交換促進部材は、流路７６ｒを流れる温調流体との接触面積を増加させ、弁体７６ｖと温調流体との熱交換を促進させることができる。

また、弁体７６ｖは、内部空間を有する外殻部材と、外殻部材の内部空間に流路７６ｒを形成する仕切り部材と、を備えている。例えば、図４（ａ）に示す第１例の弁体７６ｖ１において、弁体本体１１１及び流路形成部材１１２の基部１１２ａが内部空間としての凹部１１１ａを有する外殻部材を形成し、流路形成部材１１２の円弧板部１１２ｂが仕切り部材を形成する。図４（ｂ）に示す第２例の弁体７６ｖ２においても同様である。例えば、図５（ａ）に示す第３例の弁体７６ｖ３において、弁体本体１３１及び蓋部材１３２が外殻部材を形成し、掘り下げ部１３１ｂにおいて溝１３１ｃが形成されていない部分が仕切り部材を形成する。図５（ｂ）に示す第４例の弁体７６ｖ４においても同様である。

また、流路７６ｒに設けられる熱交換促進部材は、外殻部材を内側から支持するように形成されていてもよい。これにより、中空構造の弁体７６ｖの強度や剛性を確保することができる。熱交換促進部材は、例えば、網目状や柱状の構造を有していてもよく、ラティス構造（格子構造）を有していてもよい。なお、熱交換促進部材の形状や配置は、これらに限定されるものではない。

また、熱交換促進部材は、外殻部材及び仕切り部材のうち少なくとも一方と一体に成形されてもよい。例えば、図４（ａ）に示す第１例の弁体７６ｖ１において、仕切り部材としての円弧板部１１２ｂに熱交換促進部材が一体成形されていてもよい。また、外殻部材としての弁体本体１１１において、凹部１１１ａの内壁面に熱交換促進部材が一体成形されていてもよい。図４（ｂ）に示す第２例の弁体７６ｖ２においても同様である。例えば、図５（ａ）に示す第３例の弁体７６ｖ３において、外殻部材及び仕切り部材としての弁体本体１３１に熱交換促進部材が一体成形されていてもよい。また、外殻部材としての蓋部材１３２に熱交換促進部材が一体成形されていてもよい。図５（ｂ）に示す第４例の弁体７６ｖ４においても同様である。これにより、部品点数を削減することができる。また、弁体７６ｖは、外殻部材、仕切り部材、熱交換促進部材が一体に成形されてもよい。

また、弁体７６ｖは、３Ｄプリンタ技術、アディティブマニュファクチャリング（Additive Manufacturing）技術で製造されてもよい。具体的には、金属材料を用いた積層造形技術を用いることができる。例えば、粉末金属にレーザや電子ビームを照射して焼結させることにより造形する造形技術、粉末金属やワイヤを供給しつつ、レーザや電子ビームで材料を溶融・堆積させることにより造形する造形技術、等を用いることができる。なお、これらの造形方法は一例でありこれに限られるものではない。

１プラズマ処理装置（基板処理装置）
１０チャンバ（処理容器）
１０ｓ内部空間（プラズマ処理空間）
１２チャンバ本体（処理容器）
１２ｐ開口（開口部、第１開口部）
１６支持台（載置台）
５８部材（環状保護部材）
５８ｐ開口（第２開口部）
７６シャッター機構
７６ｖ，７６ｖ１～７６ｖ４弁体（シャッター）
７６ｒ，７６ｒ１～７６ｒ４流路
７６ｈヒータ
７８供給器（流体供給器）
８０制御部（制御装置）
１１１，１２１，１３１，１４１弁体本体（本体）
１１２，１２２流路形成部材（経路モジュール）
１３１ｂ，１４１ｂ掘り下げ部（第１の面）
１３１ｃ，１４１ｃ溝
１３２，１４２蓋部材
１３４，１３７，１４４，１４７流路（往き流路）
１３５，１３８，１４５，１４８流路（戻り流路）

Claims

プラズマ処理空間を有するチャンバであり、前記チャンバの側壁は、前記プラズマ処理空間内に基板を搬送するための開口部を有する、チャンバと、
温調流体のための流路を有し、前記側壁の内側に配置され、前記開口部を開閉するシャッターと、を備え、
前記シャッターは、
第１の面を有する本体と、
前記第１の面を覆う蓋部材と、を有し、
前記第１の面及び前記蓋部材は、前記流路を規定する、
基板処理装置。
前記流路は、前記第１の面及び前記蓋部材のうち少なくとも一方に形成された溝により規定される、
請求項１に記載の基板処理装置。
プラズマ処理空間を有するチャンバであり、前記チャンバの側壁は、前記プラズマ処理空間内に基板を搬送するための開口部を有する、チャンバと、
温調流体のための流路を有し、前記側壁の内側に配置され、前記開口部を開閉するシャッターと、
前記流路に前記温調流体を供給する流体供給器と、
前記シャッターを加熱するヒータと、
前記プラズマ処理空間を規定する環状保護部材と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記シャッターの温度を制御するために前記ヒータを制御し、
前記環状保護部材と前記シャッターとの間の温度差を低減するように前記シャッターの温度を制御するように構成される、
基板処理装置。
プラズマ処理空間を有するチャンバであり、前記チャンバの側壁は、前記プラズマ処理空間内に基板を搬送するための開口部を有する、チャンバと、
温調流体のための流路を有し、前記側壁の内側に配置され、前記開口部を開閉するシャッターと、を備え、
前記流路は、
入口と、
出口と、
前記入口から水平に蛇行している往き流路と、
前記出口へ水平に蛇行している戻り流路と、を有し、
前記往き流路は、前記戻り流路の外側に配置される、
基板処理装置。
プラズマ処理空間を有するチャンバであり、前記チャンバの側壁は、前記プラズマ処理空間内に基板を搬送するための開口部を有する、チャンバと、
温調流体のための流路を有し、前記側壁の内側に配置され、前記開口部を開閉するシャッターと、を備え、
前記シャッターは、
凹部を有する本体と、
前記凹部内に適合する経路モジュールと、を有し、
前記凹部及び前記経路モジュールは、前記流路を規定する、
基板処理装置。