Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7376555B2 - Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7376555B2 - Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks - Google Patents

Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks Download PDF

Info

Publication number
JP7376555B2
JP7376555B2 JP2021182739A JP2021182739A JP7376555B2 JP 7376555 B2 JP7376555 B2 JP 7376555B2 JP 2021182739 A JP2021182739 A JP 2021182739A JP 2021182739 A JP2021182739 A JP 2021182739A JP 7376555 B2 JP7376555 B2 JP 7376555B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
outer circumferential
pin member
circumferential pin
rotary table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021182739A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2023070516A (en
Inventor
一朗 三瓶
俊一 小笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Original Assignee
Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd filed Critical Mimasu Semiconductor Industry Co Ltd
Priority to JP2021182739A priority Critical patent/JP7376555B2/en
Priority to TW111133565A priority patent/TWI822303B/en
Publication of JP2023070516A publication Critical patent/JP2023070516A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7376555B2 publication Critical patent/JP7376555B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、ウェーハのみのベアウェーハであっても、ウェーハに貼り付け剤でサポート部材が貼り付けられることにより前記ウェーハよりも経大とされた直径を有するウェーハ積層体であっても、段取り替えの必要がない、スピン処理装置における、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造並びに保持方法に関する。 The present invention can be used to change the setup even if the wafer is a bare wafer or a wafer stack having a diameter larger than the wafer by attaching a support member to the wafer with an adhesive. The present invention relates to a wafer holding structure and a holding method that can be used for both wafers and wafer stacks in a spin processing apparatus, which eliminates the need for wafers and wafer stacks.

従来、半導体製造工程において、シリコンなどの半導体ウェーハ(以下「ウェーハ」という)を回転させつつ処理を行う工程(スピン処理工程とも呼ばれる)が行われている。 2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, a process (also called a spin process) is performed in which a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "wafer") of silicon or the like is rotated.

このようなスピン処理を行うためのスピン処理装置の例としては、例えば、特許文献1や特許文献2がある。 Examples of spin processing apparatuses for performing such spin processing include, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2.

一方、半導体基板であるウェーハの厚さは益々薄化しており、厚さ100μm以下のウェーハ、例えば厚さ60μm程度、や、或いは、さらに厚さ50μm或いはそれ以下に薄くした極薄ウェーハも用いられるようになってきている。 On the other hand, the thickness of wafers, which are semiconductor substrates, is becoming thinner and thinner, and wafers with a thickness of 100 μm or less, for example, ultra-thin wafers with a thickness of about 60 μm or even thinner to 50 μm or less, are also used. It's starting to look like this.

ウェーハを薄化するにあたっては、ウェーハを裏面研削(バックグラインド)して、ウェーハを薄化することが行われる。しかしながら、裏面研削して100μm~50μm程度にウェーハを薄化していくと、ウェーハの反りの問題やウェーハ強度の問題が発生する。 To thin the wafer, the wafer is back-grinded to thin the wafer. However, when the wafer is thinned to about 100 μm to 50 μm by back grinding, problems such as wafer warping and wafer strength occur.

ウェーハを薄く研削すると取り扱いが困難になることから、ウェーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削して薄く加工しデバイス領域を囲繞する外周余剰領域にリング状の補強部を残存させウェーハを凹形状に加工する技術が提案されている(例えば、特許文献3参照)。このような、ウェーハを凹形状に加工する技術は、TAIKO研削やTAIKOプロセスと呼ばれることがある。TAIKO研削では、ウェーハの外周端部を数mm程度残してウェーハの中央部のみを機械研削して薄化することにより、外周端部に凸部が形成された外周端部凸部形成ウェーハとなる。 Grinding the wafer thin makes it difficult to handle, so we grind only the back surface of the wafer, which corresponds to the device area, to make it thinner, and leave a ring-shaped reinforcing part in the excess outer area surrounding the device area to make the wafer into a concave shape. A technique has been proposed for processing (for example, see Patent Document 3). Such a technique for processing a wafer into a concave shape is sometimes called TAIKO grinding or TAIKO process. In TAIKO grinding, only the central part of the wafer is mechanically ground and thinned, leaving about a few millimeters of the outer edge of the wafer, resulting in a wafer with protrusions formed on the outer circumferential edge. .

さらに、極薄ウェーハの場合、シリコンなどのウェーハのみだと、ウェーハの反りや歪みによって、半導体基板のウェーハが割れやすく、取り扱いができない。そのため、ウェーハに機械的研摩や化学的浸食などの処理を行なう前に、支持板を貼り付け剤でウェーハに貼り付けてから、ウェーハへの処理を施すことが行われている。そして、ウェーハに対する機械的研摩や化学的浸食などの処理には、スピン処理装置にウェーハを保持しながらのスピン処理が行われる。 Furthermore, in the case of ultra-thin wafers, if only silicon wafers are used, the semiconductor substrate wafer is likely to break due to warping or distortion of the wafer, making it difficult to handle. Therefore, before the wafer is subjected to a process such as mechanical polishing or chemical erosion, a support plate is attached to the wafer with an adhesive, and then the process is performed on the wafer. For processing such as mechanical polishing and chemical erosion on the wafer, a spin process is performed while the wafer is held in a spin process apparatus.

上記支持板はガラス製のガラスサポートが用いられることが多く、上記貼り付け剤としては、接着剤が用いられることが多い。このようなサポートガラスをウェーハに貼り付けたウェーハ積層体の例としては、例えば、特許文献4がある。 A glass support made of glass is often used as the support plate, and an adhesive is often used as the pasting agent. An example of a wafer stack in which such a support glass is attached to a wafer is disclosed in Patent Document 4, for example.

そして、これらウェーハの例を本願の図5に示す。図5(a)は極薄ウェーハにサポートガラスを貼り付けたウェーハ積層体の例であり、ウェーハ積層体100は、外周端部に凸部102が形成された外周端部凸部形成ウェーハW1にサポートガラス104が接着剤によって貼り付けられた構造となっている。 Examples of these wafers are shown in FIG. 5 of the present application. FIG. 5(a) is an example of a wafer stack in which a support glass is attached to an ultra-thin wafer. The support glass 104 is attached with an adhesive.

図5(b)は、ベアウェーハW2を示しており、最も一般的である、面が全て平坦なウェーハである。本明細書では、この面が全て平坦なウェーハのみのウェーハを「ベアウェーハ」と呼ぶ。 FIG. 5B shows a bare wafer W2, which is the most common wafer with all flat surfaces. In this specification, a wafer with only flat surfaces is referred to as a "bare wafer."

図5(c)は、外周端部に凸部102が形成された外周端部凸部形成ウェーハW1である。 FIG. 5C shows an outer peripheral edge convex portion formed wafer W1 in which a convex portion 102 is formed at the outer peripheral edge.

近年のウェーハの極薄化に伴い、図5に示すような、様々な種類のウェーハやウェーハ積層体をウェーハ回転保持装置に保持してスピン処理を行う必要がある。そして、図5(a)に示すようなサポートガラスをウェーハに貼り付けた積層体の場合、その構造上、サポートガラス104の分だけ、外周端部凸部形成ウェーハW1に比べて直径が大きくなる。図5(b)に示すような通常の平坦なウェーハW2(ベアウェーハ)にサポートガラスを貼り付けてウェーハ積層体にすることもあるが、やはり、サポートガラス104の分だけ、ウェーハW2に比べて直径が大きくなる。 As wafers have become extremely thin in recent years, it is necessary to perform spin processing by holding various types of wafers and wafer stacks in a wafer rotation and holding device as shown in FIG. In the case of a laminate in which a support glass is attached to a wafer as shown in FIG. 5(a), due to its structure, the diameter becomes larger by the amount of the support glass 104 compared to the outer peripheral edge convex formed wafer W1. . A support glass may be attached to a normal flat wafer W2 (bare wafer) as shown in FIG. 5(b) to form a wafer stack. The diameter becomes larger.

直径300mmウェーハの場合、サポートガラスを貼り付けてウェーハ積層体にすると、直径301mmとなる。そして、この1mmの差を無視して、同一のスピン処理装置に載置してスピン処理を行うと、直径301mmのウェーハ積層体の場合、偏芯してしまう。 In the case of a 300 mm diameter wafer, if a support glass is attached to form a wafer stack, the diameter will be 301 mm. If this 1 mm difference is ignored and the wafer stack is placed in the same spin processing apparatus and subjected to spin processing, the wafer stack with a diameter of 301 mm will be eccentric.

例えば、直径300mmウェーハ用のウェーハ保持構造を有するスピン処理装置に、上記したサポートガラスを貼り付けたウェーハ積層体である直径301mmのウェーハ体を載置してスピン処理をする場合、偏芯のズレ量が1mmあるので、回転数1500rpmの場合の遠心力は、約1.5kgにも達する。このため、このように偏芯した状態で、直径301mmのウェーハ体に対してスピン処理を行うと、エッチングなどのスピン処理にムラが生じたり、或いは装置の故障に繋がってしまったりすることとなる。 For example, when spin processing is performed by placing a 301 mm diameter wafer body, which is a wafer stack with the above-mentioned support glass attached, on a spin processing apparatus having a wafer holding structure for 300 mm diameter wafers, the eccentricity deviation may occur. Since the amount is 1 mm, the centrifugal force at a rotation speed of 1500 rpm reaches approximately 1.5 kg. Therefore, if a wafer with a diameter of 301 mm is subjected to spin processing in such an eccentric state, uneven spin processing such as etching may occur, or it may lead to equipment failure. .

このため、従来は、スピン処理装置における回転テーブルに載置したウェーハを押さえるためのピンの位置が異なるスピン処理装置に段取り替えを行う必要があった。このような段取り替えには、約30分の時間がかかり、動作確認、試運転を含むと合計1時間位、ロス時間が発生してしまい、稼働率を低下させるという問題があった。 For this reason, conventionally, it has been necessary to change the setup to a spin processing apparatus in which the position of the pin for holding down the wafer placed on the rotary table in the spin processing apparatus is different. Such setup change takes about 30 minutes, and including operation confirmation and trial run, a total of about 1 hour is lost, which causes a problem of lowering the operating rate.

特許第6634154号Patent No. 6634154 特開2018-67684JP2018-67684 特開2013-141032JP2013-141032 特開2004-64040JP2004-64040

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたもので、ウェーハのみであっても、ウェーハに貼り付け剤でサポート部材が貼り付けられることにより前記ウェーハよりも経大とされた直径を有するウェーハ積層体であっても、その回転中心がずれることがなく、段取り替えの必要がない、スピン処理装置における、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体ウェーハ保持構造及び保持方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned prior art, and even if it is only a wafer, a support member is attached to the wafer with an adhesive, thereby stacking wafers having a diameter larger than that of the wafer. An object of the present invention is to provide a wafer holding structure and a holding method for a wafer body and a wafer stack in a spin processing apparatus, in which the center of rotation does not shift even when the body is a wafer body, and there is no need for setup changes. .

上記課題を解決するために、本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造は、スピン処理装置におけるウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造であって、ウェーハ又はウェーハ積層体であるウェーハ体が載置される回転テーブルと、前記回転テーブルに設けられ、前記ウェーハ体の外周周囲に、略等間隔に配置されてなる第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材と、を含み、前記第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材のそれぞれが、前記ウェーハ体の外周部に当接した状態と前記外周部から離隔した状態となる可動域を有し、前記回転テーブルに載置された前記ウェーハ体の外周部を、前記第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材のそれぞれが、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなる、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造である。
In order to solve the above problems, a wafer body holding structure for both wafers and wafer stacks of the present invention is a wafer body holding structure for both wafers and wafer stacks in a spin processing apparatus, and is a wafer body holding structure for both wafers and wafer stacks. a rotary table on which a wafer body is placed; a first outer circumferential pin member, a second outer circumferential pin member, and a third outer circumferential pin member provided on the rotary table and arranged at approximately equal intervals around the outer circumference of the wafer body; a member, wherein each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is movable such that each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is in a state of contacting with the outer circumferential portion of the wafer body and a state of being separated from the outer circumferential portion of the wafer body. The first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member each cover the outer circumferential portion of the wafer body placed on the rotary table, and
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
This is a wafer body holding structure that can be used for both a wafer and a wafer stack, in which the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer peripheral part of the wafer body so as to have a correlation of .

前記ウェーハの直径が300mmであり、前記ウェーハ積層体の直径が301mmである、のが好適である。 Preferably, the diameter of the wafer is 300 mm, and the diameter of the wafer stack is 301 mm.

前記回転テーブルに載置されたウェーハ体が前記ウェーハ積層体の場合、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材に向かって、前記ウェーハ積層体を第1外周ピン部材で押さえてなり、前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなるのが好適である。
When the wafer body placed on the rotary table is the wafer stack, the wafer stack is held down by a first outer pin member toward the second outer pin member and the third outer pin member, The pressing force of each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
It is preferable that the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer circumference of the wafer body so as to have a correlation of .

前記回転テーブルに載置されたウェーハ体が前記ウェーハの場合、前記第1外周ピン部材及び前記第2外周ピン部材に向かって、前記ウェーハを第3外周ピン部材で押さえてなり、前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなるのが好適である。
When the wafer body placed on the rotary table is the wafer, the wafer is held down by a third outer pin member toward the first outer pin member and the second outer pin member, and the first outer pin member The pressing force of each of the pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
It is preferable that the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer circumference of the wafer body so as to have a correlation of .

本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持方法は、前記ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造を用いた、スピン処理装置におけるウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持方法であり、前記回転テーブルに載置されたウェーハ体の外周部を押さえる第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなる、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持方法である。
The wafer holding method for both wafers and wafer stacks of the present invention is a method for holding wafers for both wafers and wafer stacks in a spin processing apparatus, using the wafer holding structure for both wafers and wafer stacks, and the rotary table The pressing force of each of the first outer circumference pin member, the second outer circumference pin member, and the third outer circumference pin member that presses the outer circumference of the wafer body placed on the wafer body is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
In this wafer holding method for both a wafer and a wafer stack, the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer circumference of the wafer body so as to have a correlation of .

前記ウェーハの直径が300mmであり、前記ウェーハ積層体の直径が301mmであるのが好適である。 Preferably, the diameter of the wafer is 300 mm, and the diameter of the wafer stack is 301 mm.

前記回転テーブルに載置されたウェーハ体が前記ウェーハ積層体の場合、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材に向かって、前記ウェーハ積層体を第1外周ピン部材で押さえてなり、前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなるのが好適である。
When the wafer body placed on the rotary table is the wafer stack, the wafer stack is held down by a first outer pin member toward the second outer pin member and the third outer pin member, The pressing force of each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
It is preferable that the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer circumference of the wafer body so as to have a correlation of .

前記回転テーブルに載置されたウェーハ体が前記ウェーハの場合、前記第1外周ピン部材及び前記第2外周ピン部材に向かって、前記円形ウェーハ積層体を第3外周ピン部材で押さえてなり、
前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなるのが好適である。
When the wafer body placed on the rotary table is the wafer, the circular wafer stack is held down by a third outer circumferential pin member toward the first outer circumferential pin member and the second outer circumferential pin member,
The pressing force of each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
It is preferable that the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer circumference of the wafer body so as to have a correlation of .

本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のスピンエッチング装置は、前記ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造を備えた、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のスピンエッチング装置である。 The spin etching apparatus for both wafers and wafer stacks of the present invention is a spin etching apparatus for both wafers and wafer stacks, which is equipped with the wafer holding structure for both wafers and wafer stacks.

本発明によれば、ウェーハのみであっても、ウェーハに貼り付け剤でサポート部材が貼り付けられることにより前記ウェーハよりも経大とされた直径を有するウェーハ積層体であっても、その回転中心がずれることがなく、段取り替えの必要がない、スピン処理装置における、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体ウェーハ保持構造及び保持方法を提供することができるという著大な効果を奏する。 According to the present invention, even if it is only a wafer or a wafer stack having a diameter larger than that of the wafer by attaching a support member to the wafer with an adhesive, the rotation center of the wafer can be It is possible to provide a wafer holding structure and a holding method for a wafer and a wafer stack in a spin processing apparatus, in which the wafer does not shift and there is no need for setup changes.

また、本発明によれば、ウェーハのみであっても、ウェーハに貼り付け剤でサポート部材が貼り付けられることにより前記ウェーハよりも経大とされた直径を有するウェーハ積層体であっても、その回転中心がずれることがなく、段取り替えの必要がない、スピン処理装置を提供することができるという著大な効果を奏する。 Further, according to the present invention, even if it is only a wafer or a wafer stack having a diameter larger than that of the wafer by pasting a support member to the wafer with an adhesive, the This has a significant effect in that it is possible to provide a spin processing apparatus in which the center of rotation does not shift and there is no need for setup changes.

本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造の一つの実施の形態を示し、回転テーブルに設けられた第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材の配置を示す平面図である。One embodiment of a wafer body holding structure for both a wafer and a wafer stack of the present invention is shown, and the arrangement of a first outer circumferential pin member, a second outer circumferential pin member, and a third outer circumferential pin member provided on a rotary table is shown. FIG. 本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造の第1外周ピン部材の動きを示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the movement of the first outer peripheral pin member of the wafer body holding structure that can be used for both a wafer and a wafer stack according to the present invention. 本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造の第2外周ピン部材の動きを示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the movement of the second outer peripheral pin member of the wafer body holding structure that can be used for both a wafer and a wafer stack according to the present invention. 本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造の第3外周ピン部材の動きを示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing the movement of the third outer peripheral pin member of the wafer body holding structure that can be used for both a wafer and a wafer stack according to the present invention. 種々のウェーハを示す模式的断面図であって、図5(a)は外周端部凸部形成ウェーハにサポートガラスを貼り付けたウェーハ積層体、図5(b)はベアウェーハ、最も一般的である、面が全て平坦なウェーハ、図5(c)は外周端部凸部形成ウェーハ、をそれぞれ示す。These are schematic cross-sectional views showing various wafers, in which FIG. 5(a) shows a wafer stack in which a support glass is attached to a wafer with a convex portion formed on the outer peripheral edge, and FIG. 5(b) shows a bare wafer, the most common one being a wafer stack. FIG. 5(c) shows a wafer with all flat surfaces, and FIG. 5(c) shows a wafer with a convex portion formed on the outer peripheral edge.

以下に本発明の実施の形態を説明するが、これら実施の形態は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。図示において、同一部材は同一符号であらわされる。 Embodiments of the present invention will be described below, but these embodiments are shown by way of example, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. In the drawings, the same members are represented by the same symbols.

図1において、符号10は、本発明のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造の一つの実施の形態を示す。ウェーハ体保持構造10は、スピン処理装置におけるウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造である。本明細書において、ウェーハ体12は、図5に示す様々な種類のウェーハを全て含む概念である。即ち、ウェーハ体12には、ウェーハ積層体100、ベアウェーハW2及び外周端部凸部形成ウェーハW1のいずれも含まれる。 In FIG. 1, reference numeral 10 indicates one embodiment of a wafer body holding structure that can be used for both a wafer and a wafer stack according to the present invention. The wafer body holding structure 10 is a wafer body holding structure that serves both as a wafer and a wafer stack in a spin processing apparatus. In this specification, the wafer body 12 is a concept that includes all of the various types of wafers shown in FIG. That is, the wafer body 12 includes the wafer stack 100, the bare wafer W2, and the wafer W1 having a convex portion on the outer peripheral end.

ウェーハ体保持構造10は、ウェーハ又はウェーハ積層体であるウェーハ体12が載置される回転テーブル14と、前記回転テーブル14に設けられ、前記ウェーハ体12の外周周囲に、略等間隔に配置されてなる第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20と、を含む構成とされている。ウェーハ体12をセンターリングする手法としては、正三角形方向から押すのが好適である。図1に示した例では、第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20を、それぞれ120°に配置した例を示した。 The wafer body holding structure 10 is provided with a rotary table 14 on which a wafer body 12, which is a wafer or a wafer stack, is placed, and the rotary table 14, and is arranged at approximately equal intervals around the outer periphery of the wafer body 12. The configuration includes a first outer circumferential pin member 16, a second outer circumferential pin member 18, and a third outer circumferential pin member 20. A suitable method for centering the wafer body 12 is to push it from the equilateral triangular direction. In the example shown in FIG. 1, the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 are each arranged at 120°.

第1外周ピン部材16は第1外周ピン22a,22bから構成され、第2外周ピン部材18は第2外周ピン24a,24bから構成され、第3外周ピン部材20は第3外周ピン26a,26bから構成されている。このように、第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20は、それぞれ2本ずつのピンが立設されたダブルピン構造とされている。ダブルピン構造だと、ノッチを有するウェーハであっても対応できる利点がある。例えば、第1外周ピン22a,22bのどちらか片方(例えば第1外周ピン22a)にノッチが位置しても、他方(例えば第1外周ピン22b)で保持することで偏芯を防ぐことができる。図示例では、ピン単体(第1外周ピン22a,22b、第2外周ピン24a,24b、第3外周ピン26a,26b)は直径2.4mmのものを使用した例を示した。第1外周ピン22a,22b、第2外周ピン24a,24b及び第3外周ピン26a,26bというピン単体同士の間隔は、ウェーハのノッチよりも大きいのが好ましく、ピン単体の直径よりも広いのが好適である。 The first outer circumferential pin member 16 is composed of first outer circumferential pins 22a, 22b, the second outer circumferential pin member 18 is composed of second outer circumferential pins 24a, 24b, and the third outer circumferential pin member 20 is composed of third outer circumferential pins 26a, 26b. It consists of In this way, the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 each have a double pin structure in which two pins are provided upright. The double pin structure has the advantage of being able to handle even wafers with notches. For example, even if a notch is located on one of the first outer circumferential pins 22a and 22b (for example, the first outer circumferential pin 22a), eccentricity can be prevented by holding it with the other one (for example, the first outer circumferential pin 22b). . In the illustrated example, the pins (first outer circumferential pins 22a, 22b, second outer circumferential pins 24a, 24b, third outer circumferential pins 26a, 26b) have a diameter of 2.4 mm. The distance between the first outer pins 22a, 22b, the second outer pins 24a, 24b, and the third outer pins 26a, 26b is preferably larger than the notch of the wafer, and preferably wider than the diameter of the pins alone. suitable.

図1の(I)、(II)、(III)は、それぞれ、回転テーブル14における第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20の配置に対応しており、それぞれの配置箇所における第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20の動きを図2~図4に示す。 (I), (II), and (III) in FIG. 1 respectively correspond to the arrangement of the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 in the rotary table 14, The movements of the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 at their respective locations are shown in FIGS. 2 to 4.

第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20のそれぞれは、図2~図4に示されるように、前記ウェーハ体12の外周部に当接した状態と前記外周部から離隔した状態となる可動域を有している。 As shown in FIGS. 2 to 4, each of the first outer circumference pin member 16, the second outer circumference pin member 18, and the third outer circumference pin member 20 is in a state in which it is in contact with the outer circumference of the wafer body 12, and in a state in which it is in contact with the outer circumference of the wafer body 12. It has a range of motion that allows it to be separated from the body.

<図2:第1外周ピン部材の動き>
図示例では、図2(a)によく示される如く、第1外周ピン部材16の前記可動域は4.3mmであり、第1外周ピン部材16は、前記ウェーハ体12の外周部から離隔した状態となるように、回転テーブル14の外周方向に11.1°の角度まで傾倒可能とされている。
<Figure 2: Movement of the first outer pin member>
In the illustrated example, as best shown in FIG. 2(a), the movable range of the first outer circumferential pin member 16 is 4.3 mm, and the first outer circumferential pin member 16 is spaced apart from the outer circumference of the wafer body 12. The rotary table 14 can be tilted up to an angle of 11.1° in the outer circumferential direction so that the rotary table 14 can be tilted up to an angle of 11.1°.

図2(b)は、ウェーハ体12が直径300mmのベアウェーハW2の場合の第1外周ピン部材16の状態を示している。図2(c)は、ウェーハ体12が直径301mmのウェーハ積層体100の場合の第1外周ピン部材16の状態を示している。 FIG. 2(b) shows the state of the first outer peripheral pin member 16 when the wafer body 12 is a bare wafer W2 with a diameter of 300 mm. FIG. 2C shows the state of the first outer peripheral pin member 16 when the wafer body 12 is a wafer stack 100 with a diameter of 301 mm.

図2(d)は、回転テーブル14へのウェーハ体12の受け渡し時、つまりウェーハ体12の供給/取出し時の第1外周ピン部材16の状態を示している。第1外周ピン部材16の開/閉(第1外周ピン部材16の最大傾倒動作)が必要なのはウェーハ体12の供給/取出し時である。ウェーハ体12の供給/取出しは、回転テーブル14は所定の回転角度に停止させた状態で行う。 FIG. 2(d) shows the state of the first outer peripheral pin member 16 when the wafer body 12 is transferred to/from the rotary table 14, that is, when the wafer body 12 is supplied/taken out. Opening/closing of the first outer circumferential pin member 16 (maximum tilting operation of the first outer circumferential pin member 16) is required when the wafer body 12 is supplied/taken out. The wafer body 12 is supplied/taken out while the rotary table 14 is stopped at a predetermined rotation angle.

回転テーブル14の停止状態において、回転テーブル14の外周下部より、駆動シリンダー30により回転テーブル14下部のレバー28を押し上げテコの原理で第1外周ピン部材16を「開」状態にさせる。この「開」状態でウェーハ体12は、回転テーブル14に供給可能であり、回転テーブル14から取出し可能となる。「開」状態でウェーハ体12が回転テーブル14に供給されると、駆動シリンダー30を下げることで回転テーブル14内にセットされたスプリングで第1外周ピン部材16が閉方向に動き、第1外周ピン部材16は「閉」状態となる。第1外周ピン部材16は、この「閉」状態で、ウェーハ体12を保持する。 When the rotary table 14 is in a stopped state, the drive cylinder 30 pushes up the lever 28 at the lower part of the rotary table 14 from the lower part of the outer periphery of the rotary table 14 to bring the first outer periphery pin member 16 into the "open" state using the lever principle. In this "open" state, the wafer body 12 can be supplied to the rotary table 14 and can be taken out from the rotary table 14. When the wafer body 12 is supplied to the rotary table 14 in the "open" state, the first outer pin member 16 is moved in the closing direction by the spring set in the rotary table 14 by lowering the drive cylinder 30, and the first outer circumference The pin member 16 is in the "closed" state. The first outer peripheral pin member 16 holds the wafer body 12 in this "closed" state.

3か所にある第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20のそれぞれは、対応するそれぞれの駆動シリンダー30で開/閉動作が行われる。また、図2~図4において、符号32はストッパーであり、ストッパー32で、3か所にある第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20の可動領域、すなわちストローク量、の調整が行われる。駆動シリンダー30は図示されていない駆動源によって、上下に駆動せしめられる。 Each of the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 located at three locations is opened/closed by the corresponding drive cylinder 30. In addition, in FIGS. 2 to 4, reference numeral 32 is a stopper, and the stopper 32 controls the movable areas of the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 at three locations, that is, The stroke amount is adjusted. The drive cylinder 30 is driven up and down by a drive source (not shown).

また、第1外周ピン部材16の第1外周ピン22a,22bは一つの駆動シリンダーにて同時に駆動せしめられる。第2外周ピン部材18の第2外周ピン24a,24bも一つの駆動シリンダーにて同時に駆動せしめられ、第3外周ピン部材20の第3外周ピン26a,26bも一つの駆動シリンダーにて同時に駆動せしめられる。 Further, the first outer circumferential pins 22a and 22b of the first outer circumferential pin member 16 are simultaneously driven by one drive cylinder. The second outer circumferential pins 24a, 24b of the second outer circumferential pin member 18 are also simultaneously driven by one driving cylinder, and the third outer circumferential pins 26a, 26b of the third outer circumferential pin member 20 are also simultaneously driven by one driving cylinder. It will be done.

<図3:第2外周ピン部材の動き>
図示例では、図3(a)によく示される如く、第2外周ピン部材18の前記可動域は1.07mmであり、第2外周ピン部材18は、前記ウェーハ体12の外周部に当接した状態となるように、回転テーブル14の中心方向に4.45°の角度まで傾倒可能とされている。
<Figure 3: Movement of the second outer circumferential pin member>
In the illustrated example, as clearly shown in FIG. 3(a), the movable range of the second outer circumferential pin member 18 is 1.07 mm, and the second outer circumferential pin member 18 comes into contact with the outer circumferential portion of the wafer body 12. The rotary table 14 can be tilted up to an angle of 4.45° toward the center of the rotary table 14 so that the rotary table 14 is in a tilted state.

図3(b)は、ウェーハ体12が直径300mmのベアウェーハW2の場合の第2外周ピン部材18の状態を示している。図3(c)は、ウェーハ体12が直径301mmのウェーハ積層体100の場合の第2外周ピン部材18の状態を示している。 FIG. 3(b) shows the state of the second outer peripheral pin member 18 when the wafer body 12 is a bare wafer W2 with a diameter of 300 mm. FIG. 3(c) shows the state of the second outer peripheral pin member 18 when the wafer body 12 is a wafer stack 100 with a diameter of 301 mm.

図3(d)は、回転テーブル14へのウェーハ体12の受け渡し時、つまりウェーハ体12の供給/取出し時の第2外周ピン部材18の状態を示している。第2外周ピン部材18の開/閉(第2外周ピン部材18の最大傾倒動作)が必要なのはウェーハ体12の供給/取出し時である。ウェーハ体12の供給/取出しは、回転テーブル14は所定の回転角度に停止させた状態で行う。 FIG. 3D shows the state of the second outer peripheral pin member 18 when the wafer body 12 is transferred to/from the rotary table 14, that is, when the wafer body 12 is supplied/taken out. Opening/closing of the second outer circumferential pin member 18 (maximum tilting operation of the second outer circumferential pin member 18) is required when the wafer body 12 is supplied/taken out. The wafer body 12 is supplied/taken out while the rotary table 14 is stopped at a predetermined rotation angle.

回転テーブル14の停止状態において、回転テーブル14の外周下部より、駆動シリンダー30により回転テーブル14下部のレバー28を押し上げテコの原理で第2外周ピン部材18を「開」状態にさせる。この「開」状態でウェーハ体12は、回転テーブル14に供給可能であり、回転テーブル14から取出し可能となる。「開」状態でウェーハ体12が回転テーブル14に供給されると、駆動シリンダー30を下げることで回転テーブル14内にセットされたスプリングで第2外周ピン部材18が閉方向に動き、第2外周ピン部材18は「閉」状態となる。第2外周ピン部材18は、この「閉」状態で、ウェーハ体12を保持する。 When the rotary table 14 is in a stopped state, the drive cylinder 30 pushes up the lever 28 at the lower part of the rotary table 14 from the lower part of the outer periphery of the rotary table 14 to bring the second outer periphery pin member 18 into the "open" state using the lever principle. In this "open" state, the wafer body 12 can be supplied to the rotary table 14 and can be taken out from the rotary table 14. When the wafer body 12 is supplied to the rotary table 14 in the "open" state, by lowering the drive cylinder 30, the spring set in the rotary table 14 moves the second outer circumferential pin member 18 in the closing direction. The pin member 18 is in the "closed" state. The second outer peripheral pin member 18 holds the wafer body 12 in this "closed" state.

<図4:第3外周ピン部材の動き>
図示例では、図4(a)によく示される如く、第3外周ピン部材20の前記可動域は0.54mmであり、第3外周ピン部材20は、前記ウェーハ体12の外周部に当接した状態となるように、回転テーブル14の中心方向に2.22°の角度まで傾倒可能とされている。
<Figure 4: Movement of the third outer pin member>
In the illustrated example, as clearly shown in FIG. 4(a), the movable range of the third outer circumferential pin member 20 is 0.54 mm, and the third outer circumferential pin member 20 comes into contact with the outer circumferential portion of the wafer body 12. The rotary table 14 can be tilted up to an angle of 2.22 degrees toward the center of the rotary table 14 so that the rotary table 14 is in a tilted state.

図4(b)は、ウェーハ体12が直径300mmのベアウェーハW2の場合の第3外周ピン部材20の状態を示している。図4(c)は、ウェーハ体12が直径301mmのウェーハ積層体100の場合の第3外周ピン部材20の状態を示している。 FIG. 4(b) shows the state of the third outer peripheral pin member 20 when the wafer body 12 is a bare wafer W2 with a diameter of 300 mm. FIG. 4C shows the state of the third outer peripheral pin member 20 when the wafer body 12 is a wafer stack 100 with a diameter of 301 mm.

図4(d)は、回転テーブル14へのウェーハ体12の受け渡し時、つまりウェーハ体12の供給/取出し時の第3外周ピン部材20の状態を示している。第3外周ピン部材20の開/閉(第3外周ピン部材20の最大傾倒動作)が必要なのはウェーハ体12の供給/取出し時である。ウェーハ体12の供給/取出しは、回転テーブル14は所定の回転角度に停止させた状態で行う。 FIG. 4(d) shows the state of the third outer peripheral pin member 20 when the wafer body 12 is transferred to/from the rotary table 14, that is, when the wafer body 12 is supplied/taken out. Opening/closing of the third outer circumferential pin member 20 (maximum tilting operation of the third outer circumferential pin member 20) is required when the wafer body 12 is supplied/taken out. The wafer body 12 is supplied/taken out while the rotary table 14 is stopped at a predetermined rotation angle.

回転テーブル14の停止状態において、回転テーブル14の外周下部より、駆動シリンダー30により回転テーブル14下部のレバー28を押し上げテコの原理で第3外周ピン部材20を「開」状態にさせる。この「開」状態でウェーハ体12は、回転テーブル14に供給可能であり、回転テーブル14から取出し可能となる。「開」状態でウェーハ体12が回転テーブル14に供給されると、駆動シリンダー30を下げることで回転テーブル14内にセットされたスプリングで第3外周ピン部材20が閉方向に動き、第3外周ピン部材20は「閉」状態となる。第3外周ピン部材20は、この「閉」状態で、ウェーハ体12を保持する。 When the rotary table 14 is in a stopped state, the lever 28 at the lower part of the rotary table 14 is pushed up by the drive cylinder 30 from the lower part of the outer periphery of the rotary table 14, and the third outer periphery pin member 20 is brought into the "open" state using the lever principle. In this "open" state, the wafer body 12 can be supplied to the rotary table 14 and can be taken out from the rotary table 14. When the wafer body 12 is supplied to the rotary table 14 in the "open" state, by lowering the drive cylinder 30, the third outer circumferential pin member 20 is moved in the closing direction by the spring set in the rotary table 14, and the third outer circumferential pin member 20 is moved in the closing direction. The pin member 20 is in the "closed" state. The third outer peripheral pin member 20 holds the wafer body 12 in this "closed" state.

<押さえる強さについて>
極薄ウェーハにサポートガラスを貼り付けたウェーハ積層体100は比較的重たいため、強めに押さえる必要が有る。一方、外周端部に凸部102が形成された外周端部凸部形成ウェーハW1やベアウェーハW2は、厚さが薄いため、あまり強く押さえない。
<About pressing strength>
The wafer stack 100, which is made by attaching support glass to ultra-thin wafers, is relatively heavy, so it is necessary to press it firmly. On the other hand, the outer circumferential end protrusion-formed wafer W1 and the bare wafer W2, in which the protrusions 102 are formed at the outer circumferential end, are thin, so do not press them too strongly.

<ピンの構成の一つの例>
図示例では、ピン単体(第1外周ピン22a,22b、第2外周ピン24a,24b、第3外周ピン26a,26b)は直径2.4mmのものを使用した。第1外周ピン22a,22b、第2外周ピン24a,24b、第3外周ピン26a,26bの各ピン単体同士の間隔(ピッチ)については、ノッチより広く、ピン単体の直径よりも広くするため、約7mmとした。
(I)第1外周ピン部材16(第1外周ピン22a,22bから構成されている)について
・押さえる力: 600g
・可動範囲(ストローク量): 4mm以上
・全開時(供給/取出し時): 154.3mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
・中間停止時(直径301.0mmのウェーハ積層体のサポートガラス部分保持時): 150.5mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
・全閉時(直径300.0mmのウェーハ体(ベアウェーハ等)保持時): 150.0mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
<One example of pin configuration>
In the illustrated example, the pins (first outer circumferential pins 22a, 22b, second outer circumferential pins 24a, 24b, third outer circumferential pins 26a, 26b) have a diameter of 2.4 mm. The spacing (pitch) between the first outer circumferential pins 22a, 22b, the second outer circumferential pins 24a, 24b, and the third outer circumferential pins 26a, 26b is set to be wider than the notch and wider than the diameter of the pins alone. The length was approximately 7 mm.
(I) Regarding the first outer circumferential pin member 16 (consisting of first outer circumferential pins 22a and 22b) -Pressing force: 600g
・Movable range (stroke amount): 4 mm or more ・When fully opened (when supplying/unloading): 154.3 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer pin member 16)
- At intermediate stop (when holding the support glass part of a wafer stack with a diameter of 301.0 mm): 150.5 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer peripheral pin member 16)
- When fully closed (when holding a wafer body (bare wafer, etc.) with a diameter of 300.0 mm): 150.0 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer peripheral pin member 16)

(II)第2外周ピン部材18(第2外周ピン24a,24bから構成されている)について
・押さえる力:400g
・可動範囲(ストローク量):0.5mm
・全開時(直径301.0mmのウェーハ積層体のサポートガラス部分保持時): 150.5mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
・全閉時(直径300.0mmのウェーハ体(ベアウェーハ等)保持時): 150.0mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
(II) Regarding the second outer circumferential pin member 18 (composed of second outer circumferential pins 24a and 24b) -Pressing force: 400g
・Movable range (stroke amount): 0.5mm
- When fully opened (when holding the support glass part of a wafer stack with a diameter of 301.0 mm): 150.5 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer peripheral pin member 16)
- When fully closed (when holding a wafer body (bare wafer, etc.) with a diameter of 300.0 mm): 150.0 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer peripheral pin member 16)

(III)第3外周ピン部材20(第3外周ピン26a,26bから構成されている)について
・押さえる力: 200 g
・可動範囲(ストローク量): 1.5mm
・全開時(直径301.0mmのウェーハ積層体のサポートガラス部分保持時): 150.5mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
・中間停止時(直径300.0mmのウェーハ体(ベアウェーハ等)保持時): 150.0mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
・全閉時: 149.0mm(第1外周ピン部材16のウェーハ高さ位置における回転テーブル中心からの距離)
(III) Regarding the third outer circumferential pin member 20 (consisting of third outer circumferential pins 26a and 26b)
・Press force: 200 g
・Movable range (stroke amount): 1.5mm
- When fully opened (when holding the support glass part of a wafer stack with a diameter of 301.0 mm): 150.5 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer peripheral pin member 16)
- At intermediate stop (when holding a wafer body (bare wafer, etc.) with a diameter of 300.0 mm): 150.0 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer peripheral pin member 16)
- When fully closed: 149.0 mm (distance from the center of the rotary table at the wafer height position of the first outer pin member 16)

<ウェーハ体の保持方法>
ウェーハ体の保持方法を次に説明する。直径300.0mmのウェーハ体と直径301.0mmのウェーハ体を保持するためには、本来はそれぞれに対応して外周ピンを立てた回転テーブルを別々に作らないといけないが、そうすると段取り替えが大変である。段取り替えには30分以上かかる。本発明では、直径300.0mmのウェーハ体と直径301.0mmのウェーハ体との両方に対応したウェーハ体保持機構としたことに特徴がある。
<How to hold the wafer body>
Next, a method of holding the wafer body will be explained. In order to hold a wafer body with a diameter of 300.0 mm and a wafer body with a diameter of 301.0 mm, it would be necessary to make separate rotary tables with outer peripheral pins for each, but doing so would require a lot of setup changes. It is. It takes more than 30 minutes to change the setup. The present invention is characterized in that the wafer body holding mechanism is compatible with both wafer bodies with a diameter of 300.0 mm and wafer bodies with a diameter of 301.0 mm.

ウェーハ体12の供給/取出し時は第1外周ピン部材16、第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20の全てのピンを「開」状態とする。 When supplying/unloading the wafer body 12, all the pins of the first outer circumferential pin member 16, the second outer circumferential pin member 18, and the third outer circumferential pin member 20 are set in the "open" state.

[直径301.0mmのウェーハ体の場合]
直径301.0mmのウェーハ体を保持する時、即ち、極薄ウェーハにサポートガラスを貼り付けたウェーハ積層体を保持する時は、厚いのでしっかりおさえる。また、尚且つ偏芯しないように回転テーブル14の中心に持っていかないといけない。直径301.0mmのウェーハ体の例として、図5(a)に示される極薄の外周端部凸部形成ウェーハW1にサポートガラス104(直径301.0mm)を貼り付けたウェーハ積層体100(ノッチ無し)の場合で説明する。
[For a wafer body with a diameter of 301.0 mm]
When holding a wafer body with a diameter of 301.0 mm, that is, when holding a wafer stack made of ultra-thin wafers with support glass attached, the wafer body is thick, so hold it firmly. Furthermore, it must be brought to the center of the rotary table 14 to avoid eccentricity. As an example of a wafer body with a diameter of 301.0 mm, a wafer stack 100 (notch The explanation will be based on the case of (none).

直径301.0mmのウェーハ体を保持する時のウェーハ体12を押さえる力のバランスとしては、
第1外周ピン部材16の押さえる力:600g > 第2外周ピン部材18の押さえる力:400g > 第3外周ピン部材20の押さえる力:200g、
の相関性を有する。
また、第1外周ピン部材16の押さえる力が、第2外周ピン部材18の押さえる力と第3外周ピン部材20の押さえる力の合計となるのが好適である。
第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20に向かって前記ウェーハ積層体100を第1外周ピン部材16で押さえるようにする。
The balance of the force pressing down on the wafer body 12 when holding a wafer body with a diameter of 301.0 mm is as follows:
Pressing force of the first outer circumferential pin member 16: 600g>Pressing force of the second outer circumferential pin member 18: 400g>Pressing force of the third outer circumferential pin member 20: 200g,
It has a correlation of
Further, it is preferable that the pressing force of the first outer circumferential pin member 16 is the sum of the pressing force of the second outer circumferential pin member 18 and the pressing force of the third outer circumferential pin member 20.
The wafer stack 100 is held down by the first outer pin member 16 toward the second outer pin member 18 and the third outer pin member 20.

第2外周ピン部材18及び第3外周ピン部材20は、全開状態となり、第1外周ピン部材16で600gの力で、サポートガラス104を強く押さえることでセンターリングされる。第1外周ピン部材16は中間停止位置で押さえる。全閉状態でも全開状態でも、中間停止位置でも上記押さえる力は発生する。このようにセンターリングされた状態でウェーハ体を保持し、スピン処理を行う。 The second outer circumferential pin member 18 and the third outer circumferential pin member 20 are fully opened, and are centered by strongly pressing the support glass 104 with a force of 600 g using the first outer circumferential pin member 16. The first outer circumferential pin member 16 is held at the intermediate stop position. The above-mentioned pressing force is generated in both the fully closed state and the fully open state, as well as in the intermediate stop position. The wafer body is held in this centered state and spin processing is performed.

[直径300.0mmのウェーハ体の場合]
直径300.0mmのウェーハ体を保持する時、即ち、ベアウェーハ等を保持する時は、薄いので弱く押さえる必要がある。また、尚且つ偏芯しないように回転テーブル14の中心に持っていかないといけない。直径300.0mmのウェーハ体の例として、図5(c)に示す外周端部凸部形成ウェーハW1にテープ貼り合せをしたウェーハ体(直径300.0mm、ノッチ有り)で説明する。
[For a wafer body with a diameter of 300.0 mm]
When holding a wafer body with a diameter of 300.0 mm, that is, when holding a bare wafer or the like, it is necessary to press it weakly because it is thin. Furthermore, it must be brought to the center of the rotary table 14 to avoid eccentricity. As an example of a wafer body having a diameter of 300.0 mm, a wafer body (diameter 300.0 mm, with a notch) shown in FIG. 5(c) in which a wafer W1 having a convex portion at the outer peripheral end is bonded with tape will be described.

直径300.0mmのウェーハ体を保持する時のウェーハ体12を押す力のバランスとしては、
第1外周ピン部材16の押さえる力:600g > 第2外周ピン部材18の押さえる力:400g > 第3外周ピン部材20の押さえる力:200g、
の相関性を有する。
また、第1外周ピン部材16の押さえる力が、第2外周ピン部材18の押さえる力と第3外周ピン部材20の押さえる力の合計となるのが好適である。
第1外周ピン部材16及び第2外周ピン部材18に向かって前記ウェーハ体を第3外周ピン部材20で押さえるようにする。
The balance of force pushing the wafer body 12 when holding a wafer body with a diameter of 300.0 mm is as follows:
Pressing force of the first outer circumferential pin member 16: 600g>Pressing force of the second outer circumferential pin member 18: 400g>Pressing force of the third outer circumferential pin member 20: 200g,
It has a correlation of
Further, it is preferable that the pressing force of the first outer circumferential pin member 16 is the sum of the pressing force of the second outer circumferential pin member 18 and the pressing force of the third outer circumferential pin member 20.
The wafer body is held down by the third outer pin member 20 toward the first outer pin member 16 and the second outer pin member 18 .

第1外周ピン部材16及び第2外周ピン部材18は全閉状態となり、第3外周ピン部材20で200gの力で外周端部凸部形成ウェーハW1を弱く押さえることでセンターリングされる。第3外周ピン部材20は中間停止位置で押さえる。全閉状態でも全開状態でも、中間停止位置でも上記押さえる力は発生する。このようにセンターリングされた状態でウェーハ体を保持し、スピン処理を行う。 The first outer circumferential pin member 16 and the second outer circumferential pin member 18 are in a fully closed state, and the third outer circumferential pin member 20 weakly presses the outer circumferential end convex portion forming wafer W1 with a force of 200 g, thereby centering the wafer W1. The third outer circumferential pin member 20 is held at the intermediate stop position. The above-mentioned pressing force is generated in both the fully closed state and the fully open state, as well as in the intermediate stop position. The wafer body is held in this centered state and spin processing is performed.

このように、本発明では、ウェーハ体12のサイズによって、主として押さえる外周ピン部材を変えたり、外周ピン部材がウェーハ体12を押さえる力を変えたりしてセンターリングしているのである。 In this way, in the present invention, centering is performed by changing the outer circumferential pin member that presses the wafer body 12 depending on the size of the wafer body 12, and by changing the force with which the outer circumferential pin member presses the wafer body 12.

このようにすれば、ウェーハのみのベアウェーハであっても、ウェーハに貼り付け剤でサポート部材が貼り付けられることにより前記ウェーハよりも経大とされた直径を有するウェーハ積層体であっても、その回転中心がずれることがないので、段取り替えの必要がない。従来は、段取り替えには、約30分の時間がかかり、動作確認、試運転を含むと合計1時間位、ロス時間が発生していたが、本発明によれば、このようなロス時間の発生が無く、稼働率を低下させずに済むという利点がある。 In this way, even if it is a bare wafer consisting of only wafers, or a wafer stack having a diameter larger than the wafer due to the support member being attached to the wafer with an adhesive, Since the center of rotation does not shift, there is no need for setup changes. Conventionally, it took about 30 minutes to change the setup, and a total of about 1 hour was lost including operation confirmation and test runs, but according to the present invention, such lost time can be eliminated. This has the advantage that there is no need to reduce the operating rate.

10:ウェーハ体保持構造、12:ウェーハ体、14:回転テーブル、16:第1外周ピン部材、18:第2外周ピン部材、20:第3外周ピン部材、22a:第1外周ピン、22b:第1外周ピン、24a:第2外周ピン、24b:第2外周ピン、26a:第3外周ピン、26b:第3外周ピン、28:レバー、30:駆動シリンダー、32:ストッパー、100:ウェーハ積層体、102:凸部、104:サポートガラス、W1:外周端部凸部形成ウェーハ、W2:ベアウェーハ。 10: Wafer body holding structure, 12: Wafer body, 14: Rotary table, 16: First outer circumferential pin member, 18: Second outer circumferential pin member, 20: Third outer circumferential pin member, 22a: First outer circumferential pin, 22b: First outer circumferential pin, 24a: Second outer circumferential pin, 24b: Second outer circumferential pin, 26a: Third outer circumferential pin, 26b: Third outer circumferential pin, 28: Lever, 30: Drive cylinder, 32: Stopper, 100: Wafer stacking body, 102: convex portion, 104: support glass, W1: wafer with convex portion formed at outer peripheral end, W2: bare wafer.

Claims (7)

スピン処理装置におけるウェーハと前記ウェーハより径大なウェーハ積層体の両方に対応したウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造であって、
前記ウェーハ又は前記ウェーハ積層体であるウェーハ体が載置される回転テーブルと、
前記回転テーブルに設けられ、前記ウェーハ体の外周周囲に、略等間隔に配置されてなる第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材と、
を含み、
前記第1外周ピン部材は、前記ウェーハ又は前記ウェーハ積層体の供給/取出し時の状態である全開状態と、
前記全開状態よりも回転テーブル中心からの距離が小さい、前記ウェーハ積層体を保持する中間停止位置と、
前記中間停止位置よりも回転テーブル中心からの距離が小さい、前記ウェーハを保持する全閉状態を取り得るものであり、
前記第2外周ピン部材は、前記ウェーハ積層体を保持する全開状態と、前記全開状態よりも回転テーブル中心からの距離が小さい、前記ウェーハを保持する全閉状態を取り得るものであり、
前記第3外周ピン部材は、前記ウェーハ積層体を保持する全開状態と、前記全開状態よりも回転テーブル中心からの距離が小さい、前記ウェーハを保持する中間停止位置を取り得るものであり、
前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有し、
前記ウェーハ積層体を保持する際には、前記第2外周ピン及び前記第3外周ピンを全開状態とし、前記第1外周ピンを全開状態から中間停止位置として前記ウェーハ積層体をセンターリングするようにし、
前記ウェーハを保持する際には、前記第1外周ピン及び前記第2外周ピンを全閉状態とし、前記第3外周ピンを全開状態から中間停止位置として前記ウェーハをセンターリングするようにされてなる、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造。
A wafer body holding structure that can be used for both wafers and wafer stacks, which is compatible with both wafers in a spin processing apparatus and wafer stacks larger in diameter than the wafers ,
a rotary table on which a wafer body, which is the wafer or the wafer stack , is placed;
a first outer circumferential pin member, a second outer circumferential pin member, and a third outer circumferential pin member provided on the rotary table and arranged at approximately equal intervals around the outer circumference of the wafer body;
including;
The first outer peripheral pin member is in a fully open state, which is the state when the wafer or the wafer stack is being supplied/taken out;
an intermediate stop position for holding the wafer stack, the distance from the center of the rotary table being smaller than in the fully open state;
A fully closed state in which the wafer is held is possible where the distance from the center of the rotary table is smaller than the intermediate stop position;
The second outer circumferential pin member can be in a fully open state in which it holds the wafer stack, and in a fully closed state in which it holds the wafer, and the distance from the center of the rotary table is smaller than in the fully open state;
The third outer circumferential pin member can take a fully open state in which it holds the wafer stack, and an intermediate stop position in which it holds the wafer, the distance being smaller from the center of the rotary table than in the fully open state;
The pressing force of each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
has a correlation of
When holding the wafer stack, the second outer circumferential pin and the third outer circumferential pin are fully opened, and the first outer circumferential pin is moved from the fully open state to an intermediate stop position to center the wafer stack. ,
When holding the wafer, the first outer circumferential pin and the second outer circumferential pin are in a fully closed state, and the third outer circumferential pin is moved from a fully open state to an intermediate stop position to center the wafer. , a wafer body holding structure that can be used for both wafers and wafer stacks.
前記ウェーハの直径が300mmであり、前記ウェーハ積層体の直径が301mmである、請求項1記載のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持構造。 The wafer body holding structure for both a wafer and a wafer stack according to claim 1, wherein the diameter of the wafer is 300 mm, and the diameter of the wafer stack is 301 mm. 請求項1又は2記載のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造を用いた、スピン処理装置におけるウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持方法であり、
前記回転テーブルに載置されたウェーハ体の外周部を押さえる第1外周ピン部材、第2外周ピン部材及び第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなる、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持方法。
A method for holding a wafer for both a wafer and a wafer stack in a spin processing apparatus, using the wafer holding structure for both a wafer and a wafer stack according to claim 1 ,
The pressing force of each of the first outer circumference pin member, the second outer circumference pin member, and the third outer circumference pin member that presses the outer circumference of the wafer body placed on the rotary table is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
A wafer holding method for both a wafer and a wafer stack, wherein the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer circumferential portion of the wafer body so as to have a correlation.
前記ウェーハの直径が300mmであり、前記ウェーハ積層体の直径が301mmである、請求項記載のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ体保持方法。 4. The method for holding a wafer body for both a wafer and a wafer stack according to claim 3 , wherein the diameter of the wafer is 300 mm, and the diameter of the wafer stack is 301 mm. 前記回転テーブルに載置されたウェーハ体が前記ウェーハ積層体の場合、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材に向かって、前記ウェーハ積層体を第1外周ピン部材で押さえてなり、
前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなる、請求項又は記載のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持方法。
When the wafer body placed on the rotary table is the wafer stack, the wafer stack is held down by a first outer pin member toward the second outer pin member and the third outer pin member,
The pressing force of each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
The wafer holder for use as a wafer and a wafer stack according to claim 3 or 4 , wherein the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer peripheral portion of the wafer body so as to have a correlation of Method.
前記回転テーブルに載置されたウェーハ体が前記ウェーハの場合、前記第1外周ピン部材及び前記第2外周ピン部材に向かって、前記ウェーハを第3外周ピン部材で押さえてなり、
前記第1外周ピン部材、前記第2外周ピン部材及び前記第3外周ピン部材のそれぞれの押さえる力が、
第1外周ピン部材の押さえる力 > 第2外周ピン部材の押さえる力 > 第3外周ピンの押さえる力、
の相関性を有するように前記ウェーハ体の外周部を押さえることで、前記ウェーハ体が、前記回転テーブル上でセンターリングされてなる、請求項又は記載のウェーハ保持方法。
When the wafer body placed on the rotary table is the wafer, the wafer is held down by a third outer circumferential pin member toward the first outer circumferential pin member and the second outer circumferential pin member,
The pressing force of each of the first outer circumferential pin member, the second outer circumferential pin member, and the third outer circumferential pin member is
Pressing force of the first outer circumferential pin member>Pressing force of the second outer circumferential pin member>Pressing force of the third outer circumferential pin,
5. The wafer holding method according to claim 3 , wherein the wafer body is centered on the rotary table by pressing the outer peripheral portion of the wafer body so as to have a correlation of .
請求項1又は2記載のウェーハ及びウェーハ積層体兼用のウェーハ保持構造を備えた、ウェーハ及びウェーハ積層体兼用のスピンエッチング装置。 A spin etching apparatus for both wafers and wafer stacks, comprising the wafer holding structure for both wafers and wafer stacks according to claim 1 or 2 .
JP2021182739A 2021-11-09 2021-11-09 Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks Active JP7376555B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021182739A JP7376555B2 (en) 2021-11-09 2021-11-09 Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks
TW111133565A TWI822303B (en) 2021-11-09 2022-09-05 Wafer holding structure and holding method for wafer and wafer laminate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021182739A JP7376555B2 (en) 2021-11-09 2021-11-09 Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023070516A JP2023070516A (en) 2023-05-19
JP7376555B2 true JP7376555B2 (en) 2023-11-08

Family

ID=86331587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021182739A Active JP7376555B2 (en) 2021-11-09 2021-11-09 Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7376555B2 (en)
TW (1) TWI822303B (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221070A (en) 2006-02-20 2007-08-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-positioning method, substrate-positioning device, and substrate-treating device
WO2008087725A1 (en) 2007-01-18 2008-07-24 Advantest Corporation Substrate fixing device and substrate fixing method
JP2016192545A (en) 2015-03-30 2016-11-10 芝浦メカトロニクス株式会社 Spin processor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0538892U (en) * 1991-10-28 1993-05-25 株式会社ニコン Flat object centering device
US8714169B2 (en) * 2008-11-26 2014-05-06 Semes Co. Ltd. Spin head, apparatus for treating substrate, and method for treating substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007221070A (en) 2006-02-20 2007-08-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate-positioning method, substrate-positioning device, and substrate-treating device
WO2008087725A1 (en) 2007-01-18 2008-07-24 Advantest Corporation Substrate fixing device and substrate fixing method
JP2016192545A (en) 2015-03-30 2016-11-10 芝浦メカトロニクス株式会社 Spin processor

Also Published As

Publication number Publication date
TWI822303B (en) 2023-11-11
JP2023070516A (en) 2023-05-19
TW202320216A (en) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101236219B1 (en) Direct bonding method with reduction in overlay misalignment
JP6543316B2 (en) Substrate bonding apparatus and method
US20100104403A1 (en) Apparatus for transferring a wafer
KR20180018341A (en) Bonding apparatus and bonding system
US8927320B2 (en) Method of bonding by molecular bonding
US20120193009A1 (en) Substrate bonding method and substrate bonding apparatus
CN107978551A (en) Wafer supporting arrangement and wafer processing device
US6422930B2 (en) Apparatus for removing deposited film
JP7376555B2 (en) Wafer holding structure and holding method for both wafers and wafer stacks
TWI745240B (en) Wafer carrying and fixing device and thin film deposition equipment using the wafer carrying and fixing device
CN217485425U (en) Wafer clamp
US9724800B2 (en) Wafer polishing apparatus
US7950983B2 (en) Retainer ring
KR102713673B1 (en) Wafer handling apparatus and wafer alignment apparatus including the same
JP2019140232A (en) Peeling device
KR102238691B1 (en) wafer size expanding apparatus and wafer alignment apparatus including the same
CN216980525U (en) Wafer alignment device
JP2000068352A (en) Wafer inverting apparatus
JP2002075935A (en) Polishing apparatus
TWI556346B (en) Substrate-reverse apparatus, vacuum film forming apparatus and the method for reversing the substrate
JP4169432B2 (en) Workpiece holder, polishing apparatus, and polishing method
JPH07320995A (en) Polishing apparatus, polishing method and laminating method
KR101544734B1 (en) Pressurization disc, bonding device, and bonding method
JPH11195690A (en) Wafer transfer device
KR102512720B1 (en) Substrate polishing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231023

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231026

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7376555

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150