JP7388575B2 - セラミックス接合体、静電チャック装置 - Google Patents

Description

本発明は、セラミックス接合体、静電チャック装置に関する。
本願は、２０２０年１２月２８日に出願された日本国特願２０２０－２１８６７８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

従来、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置を製造する半導体製造工程においては、シリコンウエハ等の板状試料は、静電チャック機能を備えた静電チャック部材に静電吸着により固定されて所定の処理が施される。

例えば、この板状試料にプラズマ雰囲気下にてエッチング処理等を施す場合、プラズマの熱により板状試料の表面が高温になり、表面のレジスト膜が張り裂ける（バーストする）等の問題が生じる。

そこで、この板状試料の温度を所望の一定の温度に維持するために、冷却機能を有する静電チャック装置が用いられている。このような静電チャック装置は、上記の静電チャック部材と、金属製の部材の内部に温度制御用の冷却媒体を循環させる流路が形成された温度調整用ベース部材とを備えている。静電チャック部材と温度調整用ベース部材とは、静電チャック部材の下面において、シリコーン系接着剤を介して接合・一体化している。

この静電チャック装置では、温度調整用ベース部材の流路に温度調整用の冷却媒体を循環させて熱交換を行い、静電チャック部材の上面に固定された板状試料の温度を望ましい一定の温度に維持しつつ静電吸着できる。そのため、上記静電チャック装置を用いると、静電吸着する板状試料の温度を維持しながら、板状試料に各種のプラズマ処理を施すことができる。

静電チャック部材としては、一対のセラミックス板と、それらの間に介在する電極層とを備えたセラミックス接合体を含む構成が知られている。このようなセラミックス接合体の製造方法としては、例えば、一方のセラミックス焼結体に溝を掘って、その溝の中に導電層を形成し、セラミックス焼結体とともに導電層を研削、鏡面研磨した後、ホットプレスにより、一方のセラミックス焼結体に他方のセラミックス焼結体を接合する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許第５８４１３２９号公報

特許文献１では、一対のセラミックス板を貼り合わせる界面（接合界面）に、微小な空間（ボイド）が残存することがあり、この機構により静電チャック部材の耐電圧が低下する、すなわち絶縁破壊するおそれが指摘されている。このようなボイドを有する静電チャック部材は、誘電層（セラミックス板）に高い電圧を印加すると、ボイドに電荷が溜まり、放電するよりセラミックス板が絶縁破壊すると予想される。

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、電極層とセラミックス板の間にボイドが生じることを充分に抑制することができなかった。そのため、特許文献１に記載のセラミックス接合体では、放電によるセラミックス板の絶縁破壊を十分に防ぐことができず、改善が求められていた。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、高い電圧を印加した場合に、放電によりセラミックス板の絶縁破壊が発生することを抑制したセラミックス接合体、セラミックス接合体を含む静電チャック装置を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は以下の態様を包含する。

［１］一対のセラミックス板と、前記一対のセラミックス板の間に介在する電極層と、前記一対のセラミックス板の間において、前記電極層の周囲に配置された絶縁層と、を備え、前記絶縁層は、絶縁性材料と導電性材料から構成される、セラミックス接合体。

［２］前記絶縁層は、前記一対のセラミックス板の一方と一体的に形成されている、［１］に記載のセラミックス接合体。

［３］前記絶縁性材料は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ、ＳｍＡｌＯ_３、ＭｇＯ及びＳｉＯ_２からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］又は［２］に記載のセラミックス接合体。

［４］前記導電性材料は、ＳｉＣ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｗ、ＷＣ、Ｍｏ、Ｍｏ_２Ｃ及びＣからなる群から選択される少なくとも１種である、［１］から［３］のいずれか１項に記載のセラミックス接合体。

［５］前記電極層の外縁の相対密度は、前記電極層の中心の相対密度よりも低密度である［１］から［４］のいずれか１項に記載のセラミックス接合体。

［６］前記一対のセラミックス板の材料が、互いに同じである［１］から［５］のいずれか１項に記載のセラミックス接合体。

［７］前記一対のセラミックス板が、絶縁性材料と導電性材料とから構成される［１］から［６］のいずれか１項に記載のセラミックス接合体。

［８］セラミックスからなる静電チャック部材と、金属からなる温度調整用ベース部材とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であって、前記静電チャック部材は、［１］から［７］のいずれか１項に記載のセラミックス接合体からなる、静電チャック装置。

本発明によれば、高い電圧を印加した場合に、放電によりセラミックス板の絶縁破壊が発生することを抑制したセラミックス接合体、セラミックス接合体を含む静電チャック装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るセラミックス接合体を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るセラミックス接合体を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るセラミックス接合体を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る静電チャック装置を示す断面図である。

本発明のセラミックス接合体、静電チャック装置の実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。

［セラミックス接合体］
以下、図１を参照しながら、本発明の一実施形態に係るセラミックス接合体について説明する。図１において、紙面の左右方向（セラミックス接合体の幅方向）をＸ方向、紙面の上下方向（セラミックス接合体の厚さ方向）をＹ方向とする。
なお、以下の全ての図面においては、図面を見易くするため、各構成要素の寸法や比率等は適宜異ならせてある。

図１は、本実施形態のセラミックス接合体を示す断面図である。図１に示すように、本実施形態のセラミックス接合体１は、一対のセラミックス板２，３と、一対のセラミックス板２，３の間に介在する電極層４及び絶縁層５と、を備える。

図１に示す断面図は、平面視においてセラミックス接合体１に外接する円のうち最小の円を想定したとき、この円の中心を含む仮想面により、セラミックス接合体を切断した断面である。セラミックス接合体１が平面視で略円形である場合、上記円の中心と、平面視におけるセラミックス接合体の形状の中心とは凡そ一致する。

なお、本明細書において「平面視」とは、セラミックス接合体の厚さ方向であるＹ方向から見た視野を指す。
また、本明細書において「外縁」とは、対象物を平面視したときの外周近傍の領域を指す。

以下、セラミックス板２を第１のセラミックス板２、セラミックス板３を第２のセラミックス板３と言うことがある。

図１に示すように、セラミックス接合体１は、第１のセラミックス板２と、電極層４及び絶縁層５と、第２のセラミックス板３とがこの順に積層されている。すなわち、セラミックス接合体１は、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３が、電極層４及び絶縁層５を介して、接合一体化されてなる接合体である。また、電極層４及び絶縁層５は、第１のセラミックス板２において第２のセラミックス板３と対向する接合面２ａ、及び第２のセラミックス板３において第１のセラミックス板２と対向する接合面３ａに接して設けられている。

本実施形態のセラミックス接合体１では、絶縁層５は、絶縁性材料と導電性材料から構成される。

（セラミックス板）
第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３は、その重ね合わせ面の外周の形状を同じくする。
第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３の厚さは、特に限定されず、セラミックス接合体１の用途に応じて適宜調整される。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３は、同一組成又は主成分が同一である。第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３は、絶縁性材料と導電性材料の複合体からなる。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３に含まれる絶縁性材料は、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）等が挙げられる。なかでも、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮが好ましい。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３に含まれる導電性材料は、特に限定されないが、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭素材料、希土類酸化物、希土類フッ化物等が挙げられる。炭素材料としては、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、カーボンナノファイバーが挙げられる。なかでも、ＳｉＣが好ましい。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３の材料は、体積固有抵抗値が１０^１３Ω・ｃｍ以上１０^１７Ω・ｃｍ以下程度であり、機械的な強度を有し、しかも腐食性ガス及びそのプラズマに対する耐久性を有する材料であれば、特に限定されない。このような材料としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３焼結体、ＡｌＮ焼結体、Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＣ複合焼結体等が挙げられる。高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性の観点から、第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３の材料は、Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＣ複合焼結体が好ましい。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下が好ましく、０．７μｍ以上２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下がさらに好ましい。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径が０．５μｍ以上３．０μｍ以下であれば、緻密で耐電圧性が高く、耐久性の高い第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３が得られる。

第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径の測定方法は、次の通りである。日本電子社製の電解放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ。日本電子株式会社製、ＪＳＭ－７８００Ｆ－Ｐｒｉｍｅ）で１００００倍に拡大して、第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３の厚さ方向の切断面を観察し、インターセプト法により絶縁性材料２００個の粒子径の平均を平均一次粒子径とする。

（電極層）
電極層４は、高周波電力を通電してプラズマを発生させてプラズマ処理するためのプラズマ発生用電極、電荷を発生させて静電吸着力で板状試料を固定するための静電チャック用電極、通電発熱させて板状試料を加熱するためのヒータ電極等として用いられる構成である。電極層４の形状（電極層４を平面視した場合の形状）や、大きさ（厚さや、電極層４を平面視した場合の面積）は、特に限定されず、セラミックス接合体１の用途に応じて適宜調整される。

電極層４は、導電性材料の粒子の焼結体、又は絶縁性セラミックスの粒子と導電性材料の粒子との複合体（焼結体）から構成される。

また、電極層４は、厚さ方向よりも厚さ方向と直交する方向に大きな広がりを有する薄型電極である。一例として、電極層４は、厚さ２０μｍ、直径２９ｃｍの円盤状である。このような電極層４は、後述するように、電極層形成用ペーストを塗布し焼結することで形成される。焼結により電極層形成用ペーストが体積収縮する際には等方的に収縮しやすいことから、厚さ方向よりも、厚さ方向に直交する方向において相対的に収縮量が大きくなる。そのため、電極層４の外縁、すなわち電極層４と絶縁層５との界面では、構造的にボイドが発生しやすい。

なお、本明細書において用語「ボイド」は、第１セラミックス板と電極層との界面、又は第２のセラミックス板と電極層との界面に生じる空間であって、長径が５０μｍ未満である空間を意味する。

電極層４が絶縁性セラミックスと導電性材料から構成される場合、これらの混合材料の体積固有抵抗値は１０^－６Ω・ｃｍ以上１０^－２Ω・ｃｍ以下程度であることが好ましい。

電極層４が絶縁性セラミックスと導電性材料との複合体から構成される場合、電極層４において、導電性材料の含有量は、１５質量％以上１００質量％以下が好ましく、２０質量％以上１００質量％以下がより好ましい。導電性材料の含有量が上記下限値以上であれば、セラミックス板３に充分な誘電特性を発現できる。

電極層４に含まれる導電性材料は、導電性セラミックスであってもよく、金属や炭素材料等の導電性材料であってもよい。電極層４に含まれる導電性材料は、ＳｉＣ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、ＴｉＣ、タングステン（Ｗ）、炭化タングステン（ＷＣ）、モリブデン（Ｍｏ）、炭化モリブデン（Ｍｏ_２Ｃ）、タンタル（Ｔａ）、炭化タンタル（ＴａＣ、Ｔａ_４Ｃ_５）、炭素材料及び導電性複合焼結体からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。

炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー等が挙げられる。

導電性複合焼結体としては、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３－Ｔａ_４Ｃ_５、Ａｌ_２Ｏ_３－Ｗ、Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＣ、ＡｌＮ－Ｗ、ＡｌＮ－Ｔａ等が挙げられる。

電極層４に含まれる導電性材料が前記物質からなる群から選択される少なくとも１種であることにより、電極層の導電率を担保できる。

電極層４に含まれる絶縁性セラミックスは、特に限定されないが、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ、サマリウム－アルミニウム酸化物（ＳｍＡｌＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。

電極層４が、導電性材料と絶縁性材料からなることにより、第１のセラミックス板２及び、第２のセラミックス板３との接合強度並びに、電極としての機械的強度が強くなる。

電極層４に含まれる絶縁性材料が、Ａｌ_２Ｏ_３であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。

電極層４における導電性材料と絶縁性材料の含有量の比（配合比）は、特に限定されず、セラミックス接合体１の用途に応じて適宜調整される。

電極層４は、全体が同じ相対密度であってもよい。また、電極層４は、外縁において、電極層４の中心よりも低密度であってもよい。電極層４の密度（相対密度）は、セラミックス接合体１の断面について撮像する顕微鏡写真に基づいて求められる。

（電極層の相対密度の測定方法）
詳しくは、図１と同様の断面について、顕微鏡（例えば、キーエンス社製デジタルマイクロスコープ（ＶＦＸ－９００F））を用い、拡大倍率１０００倍の顕微鏡写真を撮像する。電極層４の外縁の相対密度を測定する場合、撮像範囲は、電極層４のＸ方向の端部（例えば＋Ｘ方向の端部）から、電極層４のＸ方向内側の方向（例えば－Ｘ方向）に向けて１５０μｍの範囲に含まれる電極層４である。当該範囲に含まれる電極層４を、以下、「密度測定領域」と称する。

上記顕微鏡写真によれば、電極層４の断面と重なる仮想面において、電極層４を構成する導電性セラミックス及び絶縁性セラミックスが存在する領域（物質が存在する領域。領域１）と、導電性セラミックス及び絶縁性セラミックスのいずれも存在しない「気孔」の領域（領域２）とが区別可能である。

電極層４の外縁の相対密度は、密度測定領域の外輪郭内の面積、すなわち領域１と領域２との合計面積に対する領域１の面積の割合を、百分率で表した値である。電極層４に気孔が存在しない場合には、密度測定領域の相対密度は１００％である。

また、電極層４の中心の相対密度を測定する場合、撮像範囲は、電極層４のＸ方向の中央を含む領域（中心）である。なお、顕微鏡写真から、電極層４の中心と同様の密度を有すると合理的に判断できる場合には、撮像範囲は、厳密に電極層４の中央を含まなくてもよい。

得られた顕微鏡写真において、Ｘ方向に１５０μｍの範囲に含まれる電極層４を「密度測定領域」とし、電極層４の外縁の密度を測定する場合と同様に計算することで、電極層４の中心の相対密度が求められる。

以上のように求められる相対密度を比較することで、電極層４の外縁において、電極層４の中心よりも低密度であるか否かを判断することができる。

電極層４の外縁が低密度である場合、電極層４の外縁の相対密度は、５０％以上が好ましく、５５％以上がより好ましい。電極層４の外縁の相対密度が５０％未満であると、高密度である場合と比べ抵抗発熱が生じやすく、高周波電力印加時の面内温度均一性が低下しやすい。対して、電極層４の外縁の相対密度が５０％以上であるセラミックス接合体は、高周波電力印加時の面内温度均一性が保たれる。

一例として、電極層４の相対密度が１００％である領域は、Ｘ方向の中央を含み、全幅に対して９５％以上であり、電極層４の相対密度が中心よりも低密度である領域は、Ｘ方向の両端部から２．５％ずつ、計５％以下である。

（絶縁層）
絶縁層５は、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３の境界部、すなわち電極層４形成部以外の外縁部領域を接合するために設けられた構成である。絶縁層５は、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３との間（一対のセラミックス板の間）において、平面視で電極層４の周囲に配置されている。

絶縁層５の形状（絶縁層５を平面視した場合の形状）は、特に限定されず、電極層４の形状に応じて適宜調整される。
絶縁層５の厚さ（Ｙ方向の幅）は、電極層４の厚さと等しくなっている。

絶縁層５は、絶縁性材料と導電性材料から構成される複合材料からなる。絶縁層５の体積固有抵抗値は、１０^１３Ω・ｃｍ以上１０^１７Ω・ｃｍ以下である。
絶縁層５を構成する絶縁性材料は、特に限定されないが、第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３の主成分と同じであることが好ましい。絶縁層５を構成する絶縁性材料は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ、ＳｍＡｌＯ_３、ＭｇＯ及びＳｉＯ_２からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。絶縁層５を構成する絶縁性材料は、Ａｌ_２Ｏ_３が好ましい。絶縁層５を構成する絶縁性材料が、Ａｌ_２Ｏ_３であることにより、高温での誘電特性、高耐食性、耐プラズマ性、耐熱性が保たれる。

絶縁層５を構成する導電性材料は、特に限定されないが、第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３の主成分と同じであることが好ましい。絶縁層５を構成する導電性材料は、例えば、ＳｉＣ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｗ、ＷＣ、Ｍｏ、Ｍｏ_２Ｃ及び炭素材料からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。炭素材料としては、例えば、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー等が挙げられる。絶縁層５を構成する導電性材料は、ＳｉＣが好ましい。

絶縁層５において、絶縁性材料の含有量は、８０質量％以上９６質量％以下が好ましく、８０質量％以上９５質量％以下がより好ましく、８５質量％以上９５質量％以下がさらに好ましい。絶縁性材料の含有量が上記下限値以上であれば、充分な耐電圧性が得られる。絶縁性材料の含有量が上記上限値以下であれば、絶縁層５に含有させる導電性材料の除電効果を充分に発現できる。

絶縁層５において、導電性材料の含有量は、４質量％以上２０質量％以下が好ましく、５質量％以上２０質量％以下がより好ましく、５質量％以上１５質量％以下がさらに好ましい。導電性材料の含有量が上記下限値以上であれば、導電性材料の除電効果を充分に発現できる。導電性材料の含有量が上記上限値以下であれば、充分な耐電圧が得られる。

絶縁層５を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下が好ましく、０．７μｍ以上２．０μｍ以下がより好ましい。

絶縁層５を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径が０．５μｍ以上であれば、充分な耐電圧性が得られる。一方、絶縁層５を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径が３．０μｍ以下であれば、研削等の加工が容易である。

絶縁層５を構成する導電性材料の平均一次粒子径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上０．８μｍ以下がより好ましい。
絶縁層５を構成する導電性材料の平均一次粒子径が０．１μｍ以上であれば、充分な耐電圧性が得られる。一方、絶縁層５を構成する導電性材料の平均一次粒子径が１．０μｍ以下であれば、研削等の加工が容易である。

絶縁層５を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径及び導電性材料の平均一次粒子径の測定方法は、第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３を構成する絶縁性材料の平均一次粒子径及び導電性材料の平均一次粒子径の測定方法と同様である。

本実施形態のセラミックス接合体１によれば、セラミックス接合体１に帯電した電荷を、絶縁性材料と導電性材料から構成されるセラミックス板２，３から除電できる。さらに、上述したようにセラミックス接合体１では、電極層の外縁にボイドを形成しやすく、形成されたボイドに帯電しやすい。しかし、絶縁層５が絶縁性材料と導電性材料から構成されるため、セラミックス接合体１に高い電圧を印加した場合に、電極層４及び絶縁層５の接合界面に帯電した電荷を絶縁層５に除電できる。その結果、電極層４及び絶縁層５の接合界面の帯電を抑制でき、放電によるセラミックス接合体１の絶縁破壊を抑制できる。

［他の実施形態］
なお、本発明は、上記の実施形態に限定するものではない。

例えば、図２、図３に示すような変形例を採用してもよい。なお、変形例では、上記の実施形態における構成要素と同一の部分については同一の符号を付し、その説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。

（変形例１）
図２に示す変形例のセラミックス接合体１０では、絶縁層５が、第２のセラミックス板３と一体的に形成されている。なお、本明細書において「一体的に形成されている」とは、１つの部材として形成されている（１つの部材である）ことを意味する。この意味において、本変形例の第２のセラミックス板３と絶縁層５とは、もともと２つの部材同士を１つに「一体化」した構成とは異なる。

絶縁層５は、第２のセラミックス板３と同一の材料から構成されている。第２のセラミックス板３は、凹部３Ａを有しており、凹部３Ａの周囲には環状に絶縁層５が設けられている。第２のセラミックス板３の一部が絶縁層５に該当する。凹部３Ａは、凹部を有さないセラミックス板に研削加工又は研磨加工を施すことで形成可能である。

このようなセラミックス接合体１０では、電極層４と絶縁層５の接合界面に帯電した電荷をセラミックス板２及びセラミックス板３だけでなく、絶縁層５にも除電できる。その結果、電極層４及び絶縁層５の接合界面の帯電を抑制でき、放電によるセラミックス接合体１０の絶縁破壊を抑制できる。

（変形例２）
図３に示す変形例のセラミックス接合体２０では、絶縁層５が、第１のセラミックス板２と一体的に形成されている。絶縁層５は、第１のセラミックス板２と同一の材料から構成されている。第１のセラミックス板２は、凹部２Ａを有しており、凹部２Ａの周囲には環状に絶縁層５が設けられている。第１のセラミックス板２の一部が絶縁層５に該当する。凹部２Ａは、凹部を有さないセラミックス板に研削加工又は研磨加工を施すことで形成可能である。
凹部２Ａの内側面は、Ｙ方向に平行であってもよく、Ｙ方向に対して傾きを有していてもよい。内側面がＹ方向に対して傾きを有する場合、凹部２Ａの開口径は、凹部２Ａの深さ方向に漸減する。

このようなセラミックス接合体２０では、電極層４と絶縁層５の接合界面に帯電した電荷をセラミックス板２及びセラミックス板３だけでなく、絶縁層５にも除電できる。その結果、電極層４及び絶縁層５の接合界面の帯電を抑制でき、放電によるセラミックス接合体２０の絶縁破壊を抑制できる。

［セラミックス接合体の製造方法］
本実施形態のセラミックス接合体の製造方法は、第１のセラミックス板の一方の面に、電極層形成用ペーストを塗布して電極層塗膜を形成するとともに、絶縁層形成用ペーストを塗布して絶縁層塗膜を形成する工程（以下、「第１の工程」と言う。）と、前記電極層塗膜及び前記絶縁層塗膜を形成した面が内側になる姿勢で、前記一対のセラミックス板を積層する工程（以下、「第２の工程」と言う。）と、前記一対のセラミックス板、前記電極層塗及び前記絶縁層塗膜を含む積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する工程（以下、「第３の工程」と言う。）と、を有する。

以下、図１を参照しながら、本実施形態のセラミックス接合体の製造方法について説明する。

第１の工程では、スクリーン印刷法等の塗工法により、例えば、第１のセラミックス板２の一方の面２ａに電極層形成用ペーストを塗布し、電極層４となる塗膜（電極層塗膜）を形成する。
電極層形成用ペーストとしては、電極層４を形成する導電性材料の粒子、又は導電性材料の粒子と絶縁材料を、溶媒に分散させた分散液が用いられる。

また、第１の工程では、スクリーン印刷法等の塗工法により、研磨加工を施した第１のセラミックス板２の一方の面２ａに絶縁層形成用ペーストを塗布し、絶縁層５となる塗膜（絶縁層塗膜）を形成する。
絶縁層形成用ペーストとしては、絶縁層５を形成する絶縁性材料及び導電性材料を、溶媒に分散させた分散液が用いられる。
絶縁層形成用ペースに含まれる溶媒としては、イソプロピルアルコール等が用いられる。

第２の工程では、電極層塗膜及び絶縁層塗膜を形成した面が内側になる姿勢で、第２のセラミックス板３の接合面３ａに、第１のセラミックス板２を積層する。

第３の工程では、第１のセラミックス板２、電極層塗膜、絶縁層塗膜及び第２のセラミックス板３を含む積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する。
積層体を、加熱しながら、厚さ方向に加圧する際の雰囲気は、真空、あるいはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ_２等の不活性雰囲気が好ましい。

前記の積層体を加熱する温度（熱処理温度）は、１４００℃以上かつ１９００℃以下が好ましく、１５００℃以上かつ１８５０℃以下がより好ましい。
積層体を加熱する温度が１４００℃以上かつ１９００℃以下であれば、それぞれの塗膜に含まれる溶媒を揮発させて、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３の間に、電極層４を形成できる。また、電極層４を介して、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３を接合一体化することができる。

前記の積層体を厚さ方向に加圧する圧力（加圧力）は、１．０ＭＰａ以上かつ５０．０ＭＰａ以下が好ましく、５．０ＭＰａ以上かつ２０．０ＭＰａ以下がより好ましい。
積層体を厚さ方向に加圧する圧力が１．０ＭＰａ以上かつ５０．０ＭＰａ以下であれば、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３の間に、電極層４及び絶縁層５を形成できる。また、電極層４及び絶縁層５を介して、第１のセラミックス板２と第２のセラミックス板３を接合一体化することができる。

本実施形態のセラミックス接合体の製造方法によれば、絶縁層５が絶縁性材料と導電性材料から構成されたセラミックス接合体１を提供できる。得られるセラミックス接合体１は、高い電圧を印加した場合に、第１のセラミックス板２及び第２のセラミックス板３と絶縁層５の接合界面における放電を抑制でき、放電による絶縁破壊を抑制できる。

［静電チャック装置］
以下、図４を参照しながら、本発明の一実施形態に係る静電チャック装置について説明する。

図４は、本実施形態の静電チャック装置を示す断面図である。なお、図４において、図１に示したセラミックス接合体と同一の構成には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
図４に示すように、本実施形態の静電チャック装置１００は、円板状の静電チャック部材１０２と、静電チャック部材１０２を所望の温度に調整する円板状の温度調整用ベース部材１０３と、これら静電チャック部材１０２及び温度調整用ベース部材１０３を接合・一体化する接着剤層１０４と、を有している。本実施形態の静電チャック装置１００では、静電チャック部材１０２が、例えば、上述の実施形態のセラミックス接合体１からなる。ここでは、静電チャック部材１０２がセラミックス接合体１からなる場合について説明する。
以下の説明においては、載置板１１１の載置面１１１ａ側を「上」、温度調整用ベース部材１０３側を「下」として記載し、各構成の相対位置を表すことがある。

［静電チャック部材］
静電チャック部材１０２は、上面が半導体ウエハ等の板状試料を載置する載置面１１１ａとされたセラミックスからなる載置板１１１と、載置板１１１の載置面１１１ａとは反対の面側に設けられた支持板１１２と、これら載置板１１１と支持板１１２との間に挟持された静電吸着用電極１１３と、載置板１１１と支持板１１２とに挟持され静電吸着用電極１１３の周囲を囲む環状の絶縁材１１４と、温度調整用ベース部材１０３の固定孔１１５内に設けられ静電吸着用電極１１３に接する給電用端子１１６と、を有している。
静電チャック部材１０２において、載置板１１１が上記の第２のセラミックス板３に相当し、支持板１１２が上記の第１のセラミックス板２に相当し、静電吸着用電極１１３が上記の電極層４に相当し、絶縁材１１４が上記の絶縁層５に相当する。

［載置板］
載置板１１１の載置面１１１ａには、半導体ウエハ等の板状試料を支持するための多数の突起が立設され（図示略）ている。さらに、載置板１１１の載置面１１１ａの周縁部には、ヘリウム（Ｈｅ）等の冷却ガスが漏れないように、この周縁部を一周する、断面四角形状の環状突起部が設けられていてもよい。さらに、この載置面１１１ａ上の環状突起部に囲まれた領域には、環状突起部と高さが同一であり横断面が円形状かつ縦断面が略矩形状の複数の突起部が設けられていてもよい。

載置板１１１の厚さは、０．３ｍｍ以上かつ３．０ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上かつ１．５ｍｍ以下がより好ましい。載置板１１１の厚さが０．３ｍｍ以上であれば、耐電圧性に優れる。一方、載置板１１１の厚さが３．０ｍｍ以下であれば、静電チャック部材１０２の静電吸着力が低下することがなく、載置板１１１の載置面１１１ａに載置される板状試料と温度調整用ベース部材１０３との間の熱伝導性が低下することもなく、処理中の板状試料の温度を好ましい一定の温度に保つことができる。

［支持板］
支持板１１２は、載置板１１１と静電吸着用電極１１３を下側から支持している。

支持板１１２の厚さは、０．３ｍｍ以上かつ３．０ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上かつ１．５ｍｍ以下がより好ましい。支持板１１２の厚さが０．３ｍｍ以上であれば、充分な耐電圧を確保できる。一方、支持板１１２の厚さが３．０ｍｍ以下であれば、静電チャック部材１０２の静電吸着力が低下することがなく、載置板１１１の載置面１１１ａに載置される板状試料と温度調整用ベース部材１０３との間の熱伝導性が低下することもなく、処理中の板状試料の温度を好ましい一定の温度に保つことができる。

［静電吸着用電極］
静電吸着用電極１１３では、電圧を印加することにより、載置板１１１の載置面１１１ａに板状試料を保持する静電吸着力が生じる。

静電吸着用電極１１３の厚さは、５μｍ以上かつ２００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上かつ１００μｍ以下がより好ましい。静電吸着用電極１１３の厚さが５μｍ以上であれば、充分な導電性を確保できる。一方、静電吸着用電極１１３の厚さが２００μｍ以下であれば、載置板１１１の載置面１１１ａに載置される板状試料と温度調整用ベース部材１０３との間の熱伝導性が低下することがなく、処理中の板状試料の温度を望ましい一定の温度に保つことができる。また、プラズマ透過性が低下することがなく、安定にプラズマを発生させることができる。

［絶縁材］
絶縁材１１４は、静電吸着用電極１１３を囲繞して腐食性ガス及びそのプラズマから静電吸着用電極１１３を保護するための部材である。
絶縁材１１４により、載置板１１１と支持板１１２とが、静電吸着用電極１１３を介して接合一体化されている。

［給電用端子］
給電用端子１１６は、静電吸着用電極１１３に電圧を印加するための部材である。
給電用端子１１６の数、形状等は、静電吸着用電極１１３の形態、すなわち単極型か、双極型かにより決定される。

給電用端子１１６の材料は、耐熱性に優れた導電性材料であれば特に制限されない。給電用端子１１６の材料としては、熱膨張係数が静電吸着用電極１１３及び支持板１１２の熱膨張係数に近似した材料が好ましく、例えば、コバール合金、ニオブ（Ｎｂ）等の金属材料、各種の導電性セラミックスが好適に用いられる。

［導電性接着層］
導電性接着層１１７は、温度調整用ベース部材１０３の固定孔１１５内及び支持板１１２の貫通孔１１８内に設けられている。また、導電性接着層１１７は、静電吸着用電極１１３と給電用端子１１６の間に介在して、静電吸着用電極１１３と給電用端子１１６を電気的に接続している。

導電性接着層１１７を構成する導電性接着剤は、炭素繊維、金属粉等の導電性材料と樹脂を含む。

導電性接着剤に含まれる樹脂としては、熱応力により凝集破壊を起こし難い樹脂であれば特に限定されず、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポシキ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、伸縮度が高く、熱応力の変化によって凝集破壊し難い点から、シリコーン樹脂が好ましい。

［温度調整用ベース部材］
温度調整用ベース部材１０３は、金属及びセラミックスの少なくとも一方からなる厚みのある円板状の部材である。温度調整用ベース部材１０３の躯体は、プラズマ発生用内部電極を兼ねた構成とされている。温度調整用ベース部材１０３の躯体の内部には、水、Ｈｅガス、Ｎ_２ガス等の冷却媒体を循環させる流路１２１が形成されている。

温度調整用ベース部材１０３の躯体は、外部の高周波電源１２２に接続されている。また、温度調整用ベース部材１０３の固定孔１１５内には、その外周が絶縁材料１２３により囲繞された給電用端子１１６が、絶縁材料１２３を介して固定されている。給電用端子１１６は、外部の直流電源１２４に接続されている。

温度調整用ベース部材１０３を構成する材料は、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、又はこれらの金属を含む複合材であれば特に制限されない。温度調整用ベース部材１０３を構成する材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、チタン（Ｔｉ）等が好適に用いられる。

温度調整用ベース部材１０３における少なくともプラズマに曝される面は、アルマイト処理又はポリイミド系樹脂による樹脂コーティングが施されていることが好ましい。また、温度調整用ベース部材１０３の全面が、前記のアルマイト処理又は樹脂コーティングが施されていることがより好ましい。

温度調整用ベース部材１０３にアルマイト処理又は樹脂コーティングを施すことにより、温度調整用ベース部材１０３の耐プラズマ性が向上するとともに、異常放電が防止される。したがって、温度調整用ベース部材１０３の耐プラズマ安定性が向上し、また、温度調整用ベース部材１０３の表面傷の発生も防止できる。

［接着剤層］
接着剤層１０４は、静電チャック部材１０２と、温度調整用ベース部材１０３とを接着一体化する構成である。

接着剤層１０４の厚さは、１００μｍ以上かつ２００μｍ以下が好ましく、１３０μｍ以上かつ１７０μｍ以下がより好ましい。
接着剤層１０４の厚さが上記の範囲内であれば、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３との間の接着強度を充分に保持できる。また、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３との間の熱伝導性を充分に確保できる。

接着剤層１０４は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で形成されている。
シリコーン系樹脂組成物は、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有するケイ素化合物であり、耐熱性、弾性に優れた樹脂であるので、より好ましい。

このようなシリコーン系樹脂組成物としては、特に、熱硬化温度が７０℃～１４０℃のシリコーン樹脂が好ましい。

ここで、熱硬化温度が７０℃を下回ると、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３とを対向させた状態で接合する際に、接合過程で硬化が充分に進まず、作業性に劣るため好ましくない。一方、熱硬化温度が１４０℃を超えると、静電チャック部材１０２及び温度調整用ベース部材１０３との熱膨張差が大きく、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３との間の応力が増加し、これらの間で剥離が生じることがあるため好ましくない。

すなわち、熱硬化温度が７０℃以上であると、接合過程で作業性に優れ、熱硬化温度が１４０℃以下であると、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３との間で剥離し難いため好ましい。

本実施形態の静電チャック装置１００によれば、静電チャック部材１０２がセラミックス接合体１からなるため、静電チャック部材１０２において、絶縁破壊（放電）の発生を抑制できる。

以下、本実施形態の静電チャック装置の製造方法について説明する。

上述のようにして得られたセラミックス接合体１からなる静電チャック部材１０２を用意する。

温度調整用ベース部材１０３の一主面１０３ａの所定領域に、シリコーン系樹脂組成物からなる接着剤を塗布する。ここで、接着剤の塗布量を、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３とが接合一体化できる量に調整する。
この接着剤の塗布方法としては、ヘラ等を用いて手動で塗布する他、バーコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。

温度調整用ベース部材１０３の一主面１０３ａに接着剤を塗布した後、静電チャック部材１０２と、接着剤を塗布した温度調整用ベース部材１０３とを重ね合わせる。
また、立設した給電用端子１１６を、温度調整用ベース部材１０３中に穿孔された固定孔１１５に挿入し嵌め込む。
次いで、静電チャック部材１０２を温度調整用ベース部材１０３に対して所定の圧力にて押圧し、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３を接合一体化する。これにより、静電チャック部材１０２と温度調整用ベース部材１０３は、接着剤層１０４を介して接合一体化される。

以上により、静電チャック部材１０２及び温度調整用ベース部材１０３は、接着剤層１０４を介して接合一体化された本実施形態の静電チャック装置１００が得られる。

なお、本実施形態に係る板状試料としては、半導体ウエハに限らず、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、有機ＥＬディスプレイ等の平板型ディスプレイ（ＦＰＤ）用ガラス基板等であってもよい。また、その基板の形状や大きさに合わせて本実施形態の静電チャック装置を設計すればよい。

本発明は、以下の態様も包含する。

［１－１］一対のセラミックス板と、前記一対のセラミックス板の間に介在する電極層と、前記一対のセラミックス板の間において、前記電極層の周囲に配置された絶縁層と、を備え、前記一対のセラミックス板が、それぞれ絶縁性材料と導電性材料とから構成され、前記絶縁層は、絶縁性材料と導電性材料から構成され、前記電極層は、導電性材料の粒子の焼結体、又は絶縁性セラミックスの粒子と導電性材料の粒子との焼結体からなる、セラミックス接合体。

［１－２］前記一対のセラミックス板の材料が、互いに同じである［１－１］に記載のセラミックス接合体。

［１－３］下記方法で求められる前記電極層の外縁の相対密度は、前記電極層の中心の相対密度よりも低い［１－２］に記載のセラミックス接合体。
（相対密度の測定方法）
前記セラミックス接合体の厚さ方向の切断面において、前記電極層の外縁の端部から電極層の内側に向けて１５０μｍの範囲の、拡大倍率１０００倍の顕微鏡写真を撮像する。前記範囲に含まれる電極層の外輪郭内の面積に対する、物質が存在する領域の割合を電極層の外縁の相対密度とする。
前記切断面において、電極層の中央を含む幅１５０μｍの範囲の、拡大倍率１０００倍の顕微鏡写真を撮像する。前記範囲に含まれる電極層の外輪郭内の面積に対する、物質が存在する領域の割合を電極層の中央の相対密度とする。

［２－１］一対のセラミックス板と、前記一対のセラミックス板の間に介在する電極層と、前記一対のセラミックス板の間において、前記電極層の周囲に配置された絶縁層と、を備え、前記一対のセラミックス板が、それぞれ絶縁性材料と導電性材料とから構成され、前記絶縁層は、絶縁性材料と導電性材料から構成され、前記一対のセラミックス板の一方と一体化されており、前記電極層は、導電性材料の粒子の焼結体、又は絶縁性セラミックスの粒子と導電性材料の粒子との焼結体からなる、セラミックス接合体。

［２－２］前記一対のセラミックス板の材料が、互いに同じである［２－１］に記載のセラミックス接合体。

［２－３］下記方法で求められる前記電極層の外縁の相対密度は、前記電極層の中心の相対密度よりも低い［２－２］に記載のセラミックス接合体。
（相対密度の測定方法）
前記セラミックス接合体の厚さ方向の切断面において、前記電極層の外縁の端部から電極層の内側に向けて１５０μｍの範囲の、拡大倍率１０００倍の顕微鏡写真を撮像する。前記範囲に含まれる電極層の外輪郭内の面積に対する、物質が存在する領域の割合を電極層の外縁の相対密度とする。
前記切断面において、電極層の中央を含む幅１５０μｍの範囲の、拡大倍率１０００倍の顕微鏡写真を撮像する。前記範囲に含まれる電極層の外輪郭内の面積に対する、物質が存在する領域の割合を電極層の中央の相対密度とする。

以下、実施例及び比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
９１質量％の酸化アルミニウム粉末（粒子）と、９質量％の炭化ケイ素粉末（粒子）との混合粉末を成型、焼結し、直径４５０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの円盤状の酸化アルミニウム－炭化ケイ素複合焼結体からなるセラミックス板（第１のセラミックス板、第２のセラミックス板）を作製した。

次いで、スクリーン印刷法により、第１のセラミックス板の一方の面に、導電性材料を含む電極層形成用ペーストを塗布し、電極層塗膜を形成した。

電極層形成用ペーストとしては、酸化アルミニウム粉末と炭化モリブデン粉末を、イソプロピルアルコールに分散させた分散液を用いた。電極層形成用ペーストにおける酸化アルミニウム粉末の含有量を２５質量％とし、炭化モリブデン粉末の含有量を２５質量％とした。

また、スクリーン印刷法により、第１のセラミックス板の一方の面に、絶縁性材料と導電性材料を含む絶縁層形成用ペーストを塗布し、絶縁層塗膜を形成した。
絶縁層形成用ペーストとしては、酸化アルミニウム粉末と炭化ケイ素粉末を、イソプロピルアルコールに分散させた分散液を用いた。絶縁層形成用ペーストにおける酸化アルミニウム粉末の含有量を５５質量％とし、炭化ケイ素粉末の含有量を５質量％とした。

次いで、電極層塗膜及び絶縁層塗膜を形成した面が内側になる姿勢で、第２のセラミックス板の接合面に、第１のセラミックス板を積層した。

次いで、第１のセラミックス板、電極層塗膜、絶縁層塗膜及び第２のセラミックス板を含む積層体を、アルゴン雰囲気下、加熱しながら、厚さ方向に加圧した。熱処理温度を１７００℃、加圧力を１０ＭＰａ、熱処理及び加圧する時間を２時間とした。
以上の工程により、図１に示すような実施例１のセラミックス接合体を得た。

（絶縁性評価）
以下のようにして、セラミックス接合体の絶縁性を評価した。
セラミックス接合体の側面（セラミックス接合体の厚さ方向の側面）において、第１のセラミックス板、絶縁層及び第２のセラミックス板に接する姿勢でカーボンテープを貼付した。

第１のセラミックス板を、その厚さ方向に貫通し、第１のセラミックス板の電極層と接する面とは反対側の面から電極層に至る貫通電極を形成した。

カーボンテープと貫通電極を介して、セラミックス接合体に電圧を印加し、セラミックス接合体が絶縁破壊する電圧を測定した。具体的には、３０００Ｖの電圧を印加した状態でＲＦ電圧を印加し１０分保持し、その後５００Ｖずつ徐々に電圧を印加して、１０分保持し、測定した電流値が０．１ｍＡ（ミリアンペア）を超えたところを絶縁破壊とした。結果を表１に示す。

［比較例］
絶縁性材料のみを含む絶縁層形成用ペーストを塗布し、絶縁層塗膜を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、比較例のセラミックス接合体を得た。
実施例１と同様にして、セラミックス接合体の絶縁性を評価した。結果を表１に示す。

表１の結果から、実施例１のセラミックス接合体は、比較例のセラミックス接合体よりも絶縁耐圧が高いことが分かった。

［実施例２］
第１のセラミックス板の一方の面（第２のセラミックス板との接合面）に研削加工を施して、第１のセラミックス板の一方の面に、第１のセラミックス板の厚さ方向に対して傾く傾斜面を有する凹部を形成した。形成した凹部は、第１のセラミックス板の厚さ方向に開口径が漸減していた。

次いで、スクリーン印刷法により、第１のセラミックス板に形成した凹部に電極層形成用ペーストを塗布し、電極層塗膜を形成した。電極層形成用ペーストとしては、実施例１と同じものを用いた。

電極層塗膜の厚みは、凹部の最深部において深さの８０％とし、他の部分電極層塗膜の厚みは、凹部の最深部における電極層塗膜の表面と、高さ位置を揃えることで調整した。
なお、「凹部の深さ」は、第１のセラミックス板の一方の面を基準面として、基準面から凹部底部に垂線を下したときの、基準面から凹部底部までの距離を指す。

次いで、電極層塗膜を形成した面が内側になる姿勢で、第１のセラミックス板の一方の面に、第２のセラミックス板を積層した。

次いで、第１のセラミックス板、電極層塗膜及び第２のセラミックス板を含む積層体を、アルゴン雰囲気下、加熱しながら、厚さ方向に加圧した。熱処理温度を１７００℃、加圧力を１０ＭＰａ、熱処理及び加圧する時間を２時間とした。
以上の工程により、図３に示すような実施例２のセラミックス接合体を得た。

（電極層の密度）
電極層の密度は、上記（電極層の相対密度の測定方法）に記載の方法で求めた。実施例１のセラミックス接合体において、電極層の外縁部の密度はほぼ１００％であった。

各評価結果を表２に示す。

電極層の中心の密度は、ほぼ１００％であることを確認した。表２の結果から、実施例２のセラミックス接合体は、実施例１のセラミックス接合体と比べ電極層の外縁が相対的に低密度であるが、実施例１と遜色ない絶縁性を示し、比較例のセラミックス接合体よりも絶縁耐圧が高いことが分かった。

なお、実施例１と実施例２とでは、絶縁層の形成の仕方が異なるが、絶縁層が有する機能が共通する。そのため、実施例１の構成において実施例２のように電極層の外縁が低密度であるとしても、比較例のセラミックス接合体よりも絶縁耐圧が高いことが想定される。

本発明のセラミックス接合体は、一対のセラミックス板と、前記一対のセラミックス板の間に介在する電極層及び絶縁層と、を備え、前記絶縁層は、絶縁性材料と導電性材料から構成される。そのため、セラミックス板と絶縁層の接合界面において、絶縁破壊（放電）が抑制される。このようなセラミックス接合体は、静電チャック装置の静電チャック部材に好適に用いられ、その有用性は非常に大きいものである。

１，１０，２０ セラミックス接合体
２ セラミックス板（第１のセラミックス板）
３ セラミックス板（第２のセラミックス板）
４ 電極層
５ 絶縁層
１００ 静電チャック装置
１０２ 静電チャック部材
１０３ 温度調整用ベース部材
１０４ 接着剤層
１１１ 載置板
１１２ 支持板
１１３ 静電吸着用電極
１１４ 絶縁材
１１５ 固定孔
１１６ 給電用端子
１１７ 導電性接着層
１１８ 貫通孔
１２１ 流路
１２２ 高周波電源
１２３ 絶縁材料
１２４ 直流電源

Claims (6)

1. 一対のセラミックス板と、
   前記一対のセラミックス板の間に介在する電極層と、
   前記一対のセラミックス板の間において、前記電極層の周囲に配置された絶縁層と、を備え、
   前記絶縁層は、絶縁性材料と導電性材料から構成され、
   前記絶縁層は、前記一対のセラミックス板の一方と一体的に形成されており、
   前記電極層の外縁の相対密度は、前記電極層の中心の相対密度よりも低密度であるセラミックス接合体。
2. 前記絶縁性材料は、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＡＧ、ＳｍＡｌＯ_３、ＭｇＯ及びＳｉＯ_２からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のセラミックス接合体。
3. 前記導電性材料は、ＳｉＣ、ＴｉＯ_２、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ｗ、ＷＣ、Ｍｏ、Ｍｏ_２Ｃ及びＣからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１又は２に記載のセラミックス接合体。
4. 前記一対のセラミックス板の材料が、互いに同じである請求項１から３のいずれか１項に記載のセラミックス接合体。
5. 前記一対のセラミックス板が、絶縁性材料と導電性材料とから構成される請求項１から４のいずれか１項に記載のセラミックス接合体。
6. セラミックスからなる静電チャック部材と、金属からなる温度調整用ベース部材とを、接着剤層を介して接合してなる静電チャック装置であって、
   前記静電チャック部材は、請求項１から５のいずれか１項に記載のセラミックス接合体からなる、静電チャック装置。

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