JP7409162B2

JP7409162B2 - piezoelectric device

Info

Publication number: JP7409162B2
Application number: JP2020038914A
Authority: JP
Inventors: 湧松村; 佳生太田; 潤菅原; 明丈武田
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2020-03-06
Filing date: 2020-03-06
Publication date: 2024-01-09
Anticipated expiration: 2040-03-06
Also published as: JP2021141491A

Description

本発明は、圧電デバイスに関する。 The present invention relates to piezoelectric devices.

収容空間を画成するケースと、収容空間内に配置されている圧電素子と、圧電素子上に配置されている緩衝材と、を備えている圧電デバイスが知られている（たとえば、特許文献１参照）。緩衝材は、圧電素子と接しており、フェルトからなる。圧電デバイスは、たとえば、超音波センサを構成する。 A piezoelectric device is known that includes a case defining a housing space, a piezoelectric element disposed within the housing space, and a cushioning material disposed on the piezoelectric element (for example, Patent Document 1 reference). The cushioning material is in contact with the piezoelectric element and is made of felt. A piezoelectric device constitutes an ultrasonic sensor, for example.

特開２００４－１０４５２１号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-104521

圧電デバイスには、超音波成分の残響の更なる低減が求められている。しかしながら、上述されたような圧電デバイスは、超音波成分の残響を十分に低減しがたい。 Piezoelectric devices are required to further reduce reverberation of ultrasonic components. However, it is difficult for piezoelectric devices as described above to sufficiently reduce the reverberation of ultrasonic components.

本発明の一つの態様は、超音波成分の残響をより一層低減する圧電デバイスを提供することを目的とする。 One aspect of the present invention aims to provide a piezoelectric device that further reduces reverberation of ultrasonic components.

一つの態様に係る圧電デバイスは、収容空間を画成するケースと、収容空間内に配置されている圧電素子と、圧電素子上に配置されており、圧電素子と接している緩衝材と、を備えている。緩衝材が、樹脂と、樹脂内に分散されており、内部空間を画成している殻を有している複数の中空粒子と、を含んでいる。 A piezoelectric device according to one aspect includes a case defining a housing space, a piezoelectric element disposed within the housing space, and a cushioning material disposed on the piezoelectric element and in contact with the piezoelectric element. We are prepared. The cushioning material includes a resin and a plurality of hollow particles dispersed within the resin and having a shell defining an interior space.

上記一つの態様では、複数の中空粒子が、緩衝材を構成する樹脂内に分散されている。中空粒子は、内部空間を画成する殻を有している。この場合、超音波成分は、樹脂と中空粒子の殻との界面と、中空粒子の殻と上記内部空間との界面と、で散乱される。したがって、上記一つの態様では、中空粒子を含まない構成に比して、中空粒子による超音波成分の散乱減衰が大きい。上記一つの態様は、超音波成分の残響をより一層低減する。 In one aspect of the invention, a plurality of hollow particles are dispersed within the resin constituting the buffer material. Hollow particles have a shell that defines an interior space. In this case, the ultrasonic component is scattered at the interface between the resin and the shell of the hollow particle and the interface between the shell of the hollow particle and the internal space. Therefore, in the one embodiment described above, the scattering attenuation of the ultrasonic component by the hollow particles is greater than that in a configuration that does not include the hollow particles. The above embodiment further reduces the reverberation of the ultrasonic component.

上記一つの態様では、中空粒子が、ガラスバルーンであってもよい。
中空粒子がガラスバルーンである構成では、環境温度が変化する場合でも、中空粒子が膨張又は収縮しがたい。したがって、本構成では、環境温度が変化する場合でも、超音波成分の残響を低減する効果が変化しがたい。 In one embodiment, the hollow particles may be glass balloons.
In a configuration in which the hollow particles are glass balloons, the hollow particles are difficult to expand or contract even when the environmental temperature changes. Therefore, with this configuration, even when the environmental temperature changes, the effect of reducing the reverberation of the ultrasonic component does not change easily.

上記一つの態様では、中空粒子が、プラスチックバルーンであってもよい。
中空粒子がプラスチックバルーンである構成は、圧電デバイスを軽量化し得る。 In one embodiment, the hollow particles may be plastic balloons.
The configuration in which the hollow particles are plastic balloons may reduce the weight of the piezoelectric device.

上記一つの態様は、収容空間内に圧電素子と離間して配置されており、圧電素子と電気的に接続されている基板を備えていてもよい。基板が、緩衝材内に配置されていてもよい。
基板が緩衝材内に配置されている構成では、基板が制振される。 The above-mentioned one aspect may include a substrate that is arranged in the housing space apart from the piezoelectric element and is electrically connected to the piezoelectric element. The substrate may be placed within the cushioning material.
In a configuration in which the substrate is placed within the buffer material, vibrations of the substrate are damped.

上記一つの態様は、樹脂からなり、収容空間を封止する蓋材を備えていてもよい。蓋材が、緩衝材と接していてもよい。
蓋材が緩衝材と接している構成では、超音波成分がより一層散乱しやすい。したがって、本構成は、超音波成分の残響をより一層確実に低減する。 The above-mentioned one aspect may include a lid material that is made of resin and seals the accommodation space. The lid material may be in contact with the cushioning material.
In a configuration in which the lid material is in contact with the buffer material, ultrasonic components are more likely to be scattered. Therefore, this configuration reduces reverberation of ultrasonic components even more reliably.

本発明の一つの態様によれば、超音波成分の残響をより一層低減する圧電デバイスが提供される。 According to one aspect of the present invention, a piezoelectric device is provided that further reduces reverberation of ultrasonic components.

図１は、一実施形態に係る圧電デバイスの断面構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a piezoelectric device according to an embodiment. 図２は、圧電素子を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the piezoelectric element. 図３は、中空粒子の端面構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the end face configuration of a hollow particle. 図４は、本実施形態の変形例に係る圧電デバイスの断面構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a piezoelectric device according to a modification of this embodiment. 図５は、本実施形態の変形例に係る圧電デバイスの断面構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a piezoelectric device according to a modification of this embodiment. 図６は、本実施形態の変形例に係る圧電デバイスの断面構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a piezoelectric device according to a modification of this embodiment. 図７は、本実施形態の変形例に係る圧電デバイスの断面構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a piezoelectric device according to a modification of this embodiment.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description, the same elements or elements having the same function will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図１を参照して、本実施形態に係る圧電デバイス１の構成を説明する。図１は、一実施形態に係る圧電デバイスの断面構成を示す図である。
圧電デバイス１は、図１に示されるように、ケース１０と、圧電素子２０と、基板３０と、複数の接続部材４１，４３と、緩衝材６０と、蓋材７０と、複数のピン８１，８３と、を備えている。本実施形態では、圧電デバイス１は、二つの接続部材４１，４３と、二つのピン８１，８３と、を備えている。本実施形態では、圧電デバイス１は、超音波センサを構成する。圧電デバイス１は、たとえば、超音波を送受信する。 With reference to FIG. 1, the configuration of a piezoelectric device 1 according to this embodiment will be described. FIG. 1 is a diagram showing a cross-sectional configuration of a piezoelectric device according to an embodiment.
As shown in FIG. 1, the piezoelectric device 1 includes a case 10, a piezoelectric element 20, a substrate 30, a plurality of connection members 41, 43, a buffer material 60, a cover material 70, a plurality of pins 81, It is equipped with 83. In this embodiment, the piezoelectric device 1 includes two connecting members 41 and 43 and two pins 81 and 83. In this embodiment, the piezoelectric device 1 constitutes an ultrasonic sensor. The piezoelectric device 1 transmits and receives ultrasonic waves, for example.

ケース１０は、収容空間Ｓ１を画成している。圧電素子２０、基板３０、複数の接続部材４１，４３、緩衝材６０、及び蓋材７０は、収容空間Ｓ１内に配置されている。ケース１０は、底壁１１と、側壁１３とを有している。側壁１３は、底壁１１と交差する方向に延在している。底壁１１と側壁１３とが、収容空間Ｓ１を画成している。底壁１１と側壁１３とは、一体形成されている。ケース１０は、一端が開口している有底筒状の部材である。底壁１１は、収容空間に臨む底面１２を有している。底壁１１と交差する方向は、たとえば、底壁１１と直交する方向であってもよい。底面１２は、底面１２と交差する方向から見て、たとえば、円形状を呈している。円形状は、真円形状、長円形状、又は楕円形状を含んでいる。ケース１０は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）からなる。ケース１０は、Ａｌ以外の金属からなっていてもよい。ケース１０は、たとえば、アルミニウム合金、ステンレス鋼、又は銅合金からなっていてもよい。アルミニウム合金は、たとえば、ジュラルミンを含む。銅合金は、たとえば、真鍮を含む。 The case 10 defines a housing space S1. The piezoelectric element 20, the substrate 30, the plurality of connection members 41 and 43, the buffer material 60, and the lid material 70 are arranged in the accommodation space S1. Case 10 has a bottom wall 11 and side walls 13. The side wall 13 extends in a direction intersecting the bottom wall 11. The bottom wall 11 and the side wall 13 define a housing space S1. The bottom wall 11 and the side wall 13 are integrally formed. The case 10 is a bottomed cylindrical member with one end open. The bottom wall 11 has a bottom surface 12 facing the accommodation space. The direction intersecting the bottom wall 11 may be, for example, a direction perpendicular to the bottom wall 11. The bottom surface 12 has, for example, a circular shape when viewed from a direction intersecting the bottom surface 12. The circular shape includes a perfect circle, an ellipse, or an ellipse. Case 10 is made of aluminum (Al), for example. The case 10 may be made of metal other than Al. Case 10 may be made of, for example, aluminum alloy, stainless steel, or copper alloy. Aluminum alloys include, for example, duralumin. Copper alloys include, for example, brass.

圧電素子２０は、図２にも示されるように、圧電素体２１と、複数の電極２３，２５とを有している。本実施形態では、圧電素子２０は、二つの電極２３，２５を有している。圧電素子２０は、底壁１１上に配置されている。圧電素子２０は、たとえば、接着により底壁１１上に固定されている。図２は、圧電素子を示す平面図である。 As shown in FIG. 2, the piezoelectric element 20 includes a piezoelectric element body 21 and a plurality of electrodes 23 and 25. In this embodiment, the piezoelectric element 20 has two electrodes 23 and 25. Piezoelectric element 20 is arranged on bottom wall 11 . The piezoelectric element 20 is fixed on the bottom wall 11 by, for example, adhesive. FIG. 2 is a plan view showing the piezoelectric element.

圧電素体２１は、互いに対向している一対の主面２１ａ，２１ｂと、少なくとも一つの側面２１ｃと、を有している。側面２１ｃは、一対の主面２１ａ，２１ｂを連結するように、一対の主面２１ａ，２１ｂが対向している方向に延在している。主面２１ｂは、底面１２と対向している。圧電素子２０は、主面２１ｂと底面１２とが対向するように、底壁１１（底面１２）上に配置されている。一対の主面２１ａ，２１ｂが対向している方向は、底壁１１（底面１２）と交差する方向である。一対の主面２１ａ，２１ｂが対向している方向は、底壁１１（底面１２）と直交する方向であってもよい。 The piezoelectric element body 21 has a pair of main surfaces 21a and 21b facing each other and at least one side surface 21c. The side surface 21c extends in the direction in which the pair of main surfaces 21a, 21b are opposed so as to connect the pair of main surfaces 21a, 21b. The main surface 21b faces the bottom surface 12. The piezoelectric element 20 is arranged on the bottom wall 11 (bottom surface 12) so that the main surface 21b and the bottom surface 12 face each other. The direction in which the pair of main surfaces 21a and 21b are facing is a direction intersecting the bottom wall 11 (bottom surface 12). The direction in which the pair of main surfaces 21a and 21b are facing may be a direction perpendicular to the bottom wall 11 (bottom surface 12).

圧電素体２１は、直方体形状を呈している。圧電素体２１は、側面２１ｃ以外に、三つの側面２１ｄを有している。各側面２１ｄも、一対の主面２１ａ，２１ｂを連結するように、一対の主面２１ａ，２１ｂが対向している方向に延在している。本実施形態では、圧電素体２１は、平面視で、正方形状を呈している。本実施形態では、圧電素体２１は、角板状を呈している。圧電素体２１は、円板状を呈していてもよい。本明細書での「直方体形状」は、角部及び稜線部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜線部が丸められている直方体の形状を含む。 The piezoelectric element body 21 has a rectangular parallelepiped shape. The piezoelectric element body 21 has three side surfaces 21d in addition to the side surface 21c. Each side surface 21d also extends in the direction in which the pair of main surfaces 21a, 21b are opposed so as to connect the pair of main surfaces 21a, 21b. In this embodiment, the piezoelectric element body 21 has a square shape in plan view. In this embodiment, the piezoelectric element body 21 has a square plate shape. The piezoelectric element body 21 may have a disk shape. The "rectangular parallelepiped shape" in this specification includes a rectangular parallelepiped shape with chamfered corners and edge lines, and a rectangular parallelepiped shape with rounded corners and edge lines.

圧電素体２１は、圧電セラミック材料からなる。圧電セラミック材料は、たとえば、ＰＺＴ［Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３］、ＰＴ（ＰｂＴｉＯ_３）、ＰＬＺＴ［（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３］、又はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）を含む。圧電素体２１は、たとえば、上述した圧電セラミック材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体により構成される。圧電素体２１の厚みは、たとえば、１５０～５００μｍである。本実施形態では、圧電素体２１の厚みは、２００μｍである。 The piezoelectric element body 21 is made of piezoelectric ceramic material. Piezoelectric ceramic materials include, for example, PZT[Pb(Zr,Ti)O ₃ ], PT(PbTiO ₃ ), PLZT[(Pb,La)(Zr,Ti)O ₃ ], or barium titanate (BaTiO ₃ ). include. The piezoelectric element body 21 is configured, for example, by a sintered body of a ceramic green sheet containing the piezoelectric ceramic material described above. The thickness of the piezoelectric element body 21 is, for example, 150 to 500 μm. In this embodiment, the thickness of the piezoelectric element body 21 is 200 μm.

電極２３は、主面２１ｂと側面２１ｃと主面２１ａとに設けられている。電極２３は、主面２１ｂ上に位置している部分２３ａと、側面２１ｃ上に位置している部分２３ｂと、主面２１ａ上に位置している部分２３ｃと、を有している。部分２３ａと部分２３ｂとは、主面２１ｂと側面２１ｃとの間に位置している稜部で互いに連結されている。部分２３ｂと部分２３ｃとは、主面２１ａと側面２１ｃとの間に位置している稜部で互いに連結されている。各部分２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、一体に形成されている。電極２３の部分２３ａが底壁１１（底面１２）に接合されている。 The electrode 23 is provided on the main surface 21b, the side surface 21c, and the main surface 21a. The electrode 23 has a portion 23a located on the main surface 21b, a portion 23b located on the side surface 21c, and a portion 23c located on the main surface 21a. The portion 23a and the portion 23b are connected to each other at a ridge located between the main surface 21b and the side surface 21c. The portion 23b and the portion 23c are connected to each other at a ridge located between the main surface 21a and the side surface 21c. Each portion 23a, 23b, 23c is integrally formed. A portion 23a of the electrode 23 is joined to the bottom wall 11 (bottom surface 12).

主面２１ｂに直交する方向から見て、電極２３の部分２３ａは、側面２１ｃと対向している側面２１ｄと主面２１ｂとの間に位置している稜部から離間している。主面２１ｂは、側面２１ｃと対向している側面２１ｄと主面２１ｂとの間に位置している稜部に沿って、露出している。電極２３の部分２３ｂは、側面２１ｃ全体を覆っている。各側面２１ｄは、電極２３から露出している。 When viewed from the direction perpendicular to the main surface 21b, the portion 23a of the electrode 23 is spaced apart from the ridge located between the main surface 21b and the side surface 21d that faces the side surface 21c. The main surface 21b is exposed along a ridge located between the main surface 21b and a side surface 21d that faces the side surface 21c. Portion 23b of electrode 23 covers the entire side surface 21c. Each side surface 21d is exposed from the electrode 23.

電極２５は、主面２１ａに設けられている。電極２５は、主面２１ａ上のみに配置されている。電極２５は、電極２３の部分２３ｃと離間している。主面２１ａは、電極２３の部分２３ｃと電極２５との間で露出している。主面２１ａに直交する方向から見て、電極２５は、側面２１ｃと対向している側面２１ｄと主面２１ａとの間に位置している稜部から離間している。主面２１ａは、側面２１ｃと対向している側面２１ｄと主面２１ａとの間に位置している稜部に沿って、露出している。各側面２１ｄは、電極２５からも露出している。圧電素体２１は、一対の主面２１ａ，２１ｂが対向している方向で電極２３の部分２３ａと電極２５とに重なる領域Ｒ１を有している。領域Ｒ１は、一対の主面２１ａ，２１ｂが対向している方向で、電極２３の部分２３ａと電極２５とで挟まれている。圧電素子２０では、領域Ｒ１が、圧電的に活性な領域を構成する。 The electrode 25 is provided on the main surface 21a. The electrode 25 is arranged only on the main surface 21a. The electrode 25 is spaced apart from the portion 23c of the electrode 23. The main surface 21a is exposed between the portion 23c of the electrode 23 and the electrode 25. When viewed from a direction perpendicular to the main surface 21a, the electrode 25 is spaced apart from a ridge located between the main surface 21a and a side surface 21d that faces the side surface 21c. The main surface 21a is exposed along a ridge located between the main surface 21a and a side surface 21d that faces the side surface 21c. Each side surface 21d is also exposed from the electrode 25. The piezoelectric element body 21 has a region R1 overlapping a portion 23a of the electrode 23 and the electrode 25 in the direction in which the pair of main surfaces 21a and 21b are opposed to each other. The region R1 is sandwiched between the portion 23a of the electrode 23 and the electrode 25 in the direction in which the pair of main surfaces 21a and 21b face each other. In the piezoelectric element 20, the region R1 constitutes a piezoelectrically active region.

各電極２３，２５は、圧電素体２１の表面と接している。各電極２３，２５の厚みは、たとえば、１．５μｍ以下である。各電極２３，２５は、たとえば、クロム（Ｃｒ）層、ニッケル銅合金（Ｎｉ－Ｃｕ）層、及び金（Ａｕ）層からなる積層体を含む。各電極２３，２５は、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、銀パラジウム合金（Ａｇ－Ｐｄ）、又はニッケルクロム合金（Ｎｉ－Ｃｒ）を含んでいてもよい。各電極２３，２５は、たとえば、スパッタリング法により圧電素体２１の表面に形成される。 Each electrode 23, 25 is in contact with the surface of the piezoelectric element body 21. The thickness of each electrode 23, 25 is, for example, 1.5 μm or less. Each electrode 23, 25 includes, for example, a laminate consisting of a chromium (Cr) layer, a nickel-copper alloy (Ni--Cu) layer, and a gold (Au) layer. Each electrode 23, 25 may contain silver (Ag), titanium (Ti), platinum (Pt), a silver-palladium alloy (Ag-Pd), or a nickel-chromium alloy (Ni-Cr). Each electrode 23, 25 is formed on the surface of the piezoelectric element body 21 by, for example, a sputtering method.

基板３０は、収容空間Ｓ１内に、圧電素子２０と離間して配置されている。基板３０は、圧電素子２０と電気的に接続されている。基板３０は、基体３１と、複数の導体３３，３５とを有している。本実施形態では、基板３０は、二つの導体３３，３５を有している。 The substrate 30 is arranged within the accommodation space S1 and spaced apart from the piezoelectric element 20. The substrate 30 is electrically connected to the piezoelectric element 20. The substrate 30 has a base 31 and a plurality of conductors 33 and 35. In this embodiment, the substrate 30 has two conductors 33 and 35.

基体３１は、互いに対向している一対の主面３１ａ，３１ｂを有している。基板３０は、主面３１ｂが圧電素体２１と対向するように、ケース１０内に配置されている。基体３１は、平面視で、たとえば、略矩形状を呈している。基体３１は、平面視で、たとえば、略円形状を呈していてもよい。基体３１は、たとえば、ガラスエポキシ基板からなる。基体３１には、ピン８１が挿通される貫通孔と、ピン８３が挿通される貫通孔とが形成されている。 The base body 31 has a pair of main surfaces 31a and 31b facing each other. The substrate 30 is arranged in the case 10 so that the main surface 31b faces the piezoelectric element body 21. The base body 31 has, for example, a substantially rectangular shape in plan view. The base body 31 may have, for example, a substantially circular shape in plan view. The base body 31 is made of, for example, a glass epoxy substrate. The base body 31 has a through hole through which the pin 81 is inserted and a through hole through which the pin 83 is inserted.

各導体３３，３５は、主面３１ａ上に配置されている。各導体３３，３５は、たとえば、銅（Ｃｕ）からなる。各導体３３，３５の厚みは、たとえば、約８０μｍである。各導体３３，３５は、たとえば、めっきにより形成される。 Each conductor 33, 35 is arranged on the main surface 31a. Each conductor 33, 35 is made of copper (Cu), for example. The thickness of each conductor 33, 35 is, for example, about 80 μm. Each conductor 33, 35 is formed, for example, by plating.

接続部材４１は、電極２３と導体３３とを電気的に接続している。接続部材４１は、電極２３と導体３３とに物理的に接続されている。接続部材４１は、電極２３に物理的かつ電気的に接続される部分４１ａと、導体３３に物理的かつ電気的に接続される部分４１ｂと、部分４１ａと部分４１ｂとを接続している部分４１ｃと、を有している。部分４１ａは、電極２３の部分２３ｃと重なる領域を有している。部分４１ａは、部分２３ｃと重なる領域で、部分２３ｃにはんだ接続されている。部分４１ｂの一端は、基板３０から突出している。部分４１ｂは、基板３０から突出している一端で、導体３３にはんだ接続されている。 The connecting member 41 electrically connects the electrode 23 and the conductor 33. The connecting member 41 is physically connected to the electrode 23 and the conductor 33. The connecting member 41 includes a portion 41a that is physically and electrically connected to the electrode 23, a portion 41b that is physically and electrically connected to the conductor 33, and a portion 41c that connects the portion 41a and the portion 41b. It has . The portion 41a has a region overlapping with the portion 23c of the electrode 23. The portion 41a is soldered to the portion 23c in an area overlapping with the portion 23c. One end of the portion 41b protrudes from the substrate 30. The portion 41b has one end protruding from the substrate 30 and is connected to the conductor 33 by solder.

接続部材４１の部分４１ａは、圧電素子２０と沿うように延在している。接続部材４１の部分４１ｂは、部分４１ａが延在している方向と交差する方向に延在している。本実施形態では、部分４１ａが延在している方向と、部分４１ｂが延在している方向とは、略直交している。部分４１ｃは、湾曲している。各部分４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、一体に形成されている。接続部材４１は、部分４１ｃを有していなくてもよい。この場合、部分４１ａと部分４１ｂとが直接的に接続されており、接続部材４１はＬ字状に折れ曲がっている。 A portion 41a of the connecting member 41 extends along the piezoelectric element 20. Portion 41b of connecting member 41 extends in a direction that intersects the direction in which portion 41a extends. In this embodiment, the direction in which the portion 41a extends and the direction in which the portion 41b extends are substantially orthogonal. Portion 41c is curved. Each portion 41a, 41b, 41c is integrally formed. The connecting member 41 does not need to have the portion 41c. In this case, the portion 41a and the portion 41b are directly connected, and the connecting member 41 is bent into an L shape.

接続部材４３は、電極２５と導体３５とを電気的に接続している。接続部材４３は、電極２５と導体３５とに物理的に接続されている。接続部材４３は、電極２５に物理的かつ電気的に接続される部分４３ａと、導体３５に物理的かつ電気的に接続される部分４３ｂと、部分４３ａと部分４３ｂとを接続している部分４３ｃと、を有している。部分４３ａは、電極２５と重なる領域を有している。部分４３ａは、電極２５と重なる領域で、電極２５にはんだ接続されている。部分４３ｂの一端は、基板３０から突出している。部分４３ｂは、基板３０から突出している一端で、導体３５にはんだ接続されている。 The connecting member 43 electrically connects the electrode 25 and the conductor 35. Connection member 43 is physically connected to electrode 25 and conductor 35 . The connecting member 43 includes a portion 43a that is physically and electrically connected to the electrode 25, a portion 43b that is physically and electrically connected to the conductor 35, and a portion 43c that connects the portion 43a and the portion 43b. It has . The portion 43a has a region that overlaps with the electrode 25. The portion 43a is a region overlapping with the electrode 25 and is connected to the electrode 25 by solder. One end of the portion 43b protrudes from the substrate 30. The portion 43b has one end protruding from the substrate 30 and is connected to the conductor 35 by solder.

接続部材４３の部分４３ａは、圧電素子２０と沿うように延在している。接続部材４３の部分４３ｂは、部分４３ａが延在している方向と交差する方向に延在している。本実施形態では、部分４３ａが延在している方向と、部分４３ｂが延在している方向とは、略直交している。部分４３ｃは、湾曲している。各部分４３ａ，４３ｂ，４３ｃは、一体に形成されている。接続部材４３は、部分４３ｃを有していなくてもよい。この場合、部分４３ａと部分４３ｂとが直接的に接続されており、接続部材４３はＬ字状に折れ曲がっている。 A portion 43a of the connecting member 43 extends along the piezoelectric element 20. Portion 43b of connecting member 43 extends in a direction intersecting the direction in which portion 43a extends. In this embodiment, the direction in which the portion 43a extends and the direction in which the portion 43b extends are substantially orthogonal. Portion 43c is curved. Each portion 43a, 43b, 43c is integrally formed. The connecting member 43 does not need to have the portion 43c. In this case, the portion 43a and the portion 43b are directly connected, and the connecting member 43 is bent into an L shape.

各接続部材４１，４３は、板状の部材である。各接続部材４１，４３の厚みは、たとえば、約１５０μｍである。各接続部材４１，４３は、たとえば、金属板からなる。この場合、各接続部材４１，４３は、たとえば、真鍮、りん青銅、又は銅からなる。各接続部材４１，４３の表面には、めっき層（不図示）が形成されていてもよい。めっき層は、たとえば、錫めっきにより形成されていてもよい。 Each connection member 41, 43 is a plate-shaped member. The thickness of each connecting member 41, 43 is, for example, approximately 150 μm. Each connection member 41, 43 is made of, for example, a metal plate. In this case, each connecting member 41, 43 is made of brass, phosphor bronze, or copper, for example. A plating layer (not shown) may be formed on the surface of each connection member 41, 43. The plating layer may be formed by tin plating, for example.

接続部材４１と電極２３とは、導電性接着剤により物理的かつ電気的に接続されていてもよい。接続部材４１と導体３３とは、導電性接着剤により物理的かつ電気的に接続されていてもよい。接続部材４３と電極２５とは、導電性接着剤により物理的かつ電気的に接続されていてもよい。接続部材４３と導体３５とは、導電性接着剤により物理的かつ電気的に接続されていてもよい。 The connecting member 41 and the electrode 23 may be physically and electrically connected using a conductive adhesive. The connecting member 41 and the conductor 33 may be physically and electrically connected using a conductive adhesive. The connecting member 43 and the electrode 25 may be physically and electrically connected using a conductive adhesive. The connecting member 43 and the conductor 35 may be physically and electrically connected using a conductive adhesive.

緩衝材６０は、圧電素子２０上に配置されている。緩衝材６０は、圧電素子２０と接している。緩衝材６０は、ケース１０とも接している。基板３０は、緩衝材６０内に配置されている。緩衝材６０は、基板３０とも接している。緩衝材６０は、樹脂６１と、樹脂６１内に分散されている複数の中空粒子６３と、を含んでいる。樹脂６１は、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はウレタン樹脂からなる。各中空粒子６３は、図３に示されるように、殻６３ａを有している。殻６３ａは、内部空間６３ｂを画成している。図３は、中空粒子の端面構成を示す図である。 The buffer material 60 is arranged on the piezoelectric element 20. The buffer material 60 is in contact with the piezoelectric element 20. The cushioning material 60 is also in contact with the case 10. The substrate 30 is placed within the cushioning material 60. The buffer material 60 is also in contact with the substrate 30. The buffer material 60 includes a resin 61 and a plurality of hollow particles 63 dispersed within the resin 61. The resin 61 is made of, for example, epoxy resin, silicone resin, or urethane resin. Each hollow particle 63 has a shell 63a, as shown in FIG. Shell 63a defines an interior space 63b. FIG. 3 is a diagram showing the end face configuration of a hollow particle.

各中空粒子６３は、たとえば、ガラスバルーンである。この場合、殻６３ａは、ガラスからなる。殻６３ａを構成するガラスは、たとえば、ホウケイ酸ガラスを含む。各中空粒子６３は、プラスチックバルーンであってもよい。この場合、殻６３ａは、プラスチックからなる。殻６３ａのシェル組成は、たとえば、アクリロニトリル系コポリマーである。複数の中空粒子６３は、複数のガラスバルーンと、複数のプラスチックバルーンと、を含んでいてもよい。 Each hollow particle 63 is, for example, a glass balloon. In this case, the shell 63a is made of glass. The glass forming the shell 63a includes, for example, borosilicate glass. Each hollow particle 63 may be a plastic balloon. In this case, the shell 63a is made of plastic. The shell composition of the shell 63a is, for example, an acrylonitrile copolymer. The plurality of hollow particles 63 may include a plurality of glass balloons and a plurality of plastic balloons.

各中空粒子６３がガラスバルーンである場合、ガラスバルーンの含有量の割合は、たとえば、以下の通りである。樹脂６１とガラスバルーンとの含有量の合計が１００質量％であるとき、ガラスバルーンの含有量の割合は、たとえば、１０質量％以上２０質量％以下である。
各中空粒子６３がプラスチックバルーンである場合、プラスチックバルーンの含有量の割合は、たとえば、以下の通りである。樹脂６１とプラスチックバルーンとの含有量の合計が１００質量％であるとき、プラスチックバルーンの含有量の割合は、たとえば、１０質量％以上２０質量％以下である。 When each hollow particle 63 is a glass balloon, the content ratio of the glass balloon is, for example, as follows. When the total content of the resin 61 and the glass balloon is 100% by mass, the ratio of the content of the glass balloon is, for example, 10% by mass or more and 20% by mass or less.
When each hollow particle 63 is a plastic balloon, the content ratio of the plastic balloon is, for example, as follows. When the total content of the resin 61 and the plastic balloon is 100% by mass, the proportion of the content of the plastic balloon is, for example, 10% by mass or more and 20% by mass or less.

中空粒子６３は、たとえば、略球殻形状を呈している。中空粒子６３の外径Ｄ１は、たとえば、１５～６５μｍである。外径Ｄ１は、たとえば、メジアン径で規定してもよい。中空粒子６３の内径Ｄ２は、たとえば、１３．５～６３．５μｍである。殻６３ａの厚みＴ１は、たとえば、０．５～１．５μｍである。複数の中空粒子６３は、同じ外形形状を呈していてもよく、同じ外形形状を呈していなくてもよい。 The hollow particles 63 have, for example, a substantially spherical shell shape. The outer diameter D1 of the hollow particles 63 is, for example, 15 to 65 μm. The outer diameter D1 may be defined by a median diameter, for example. The inner diameter D2 of the hollow particles 63 is, for example, 13.5 to 63.5 μm. The thickness T1 of the shell 63a is, for example, 0.5 to 1.5 μm. The plurality of hollow particles 63 may or may not have the same external shape.

蓋材７０は、圧電素子２０、基板３０、接続部材４１，４３、及び緩衝材６０がケース１０内に収容されている状態で、ケース１０の開口を封止している。蓋材７０は、収容空間Ｓ１を封止している。蓋材７０は、緩衝材６０と接している。本実施形態では、蓋材７０は、樹脂からなる。蓋材７０は、たとえば、シリコーンゴムからなる。蓋材７０は、たとえば、ＲＴＶ（Room Temperature Vulcanizing）シリコーンゴムからなる。各ピン８１，８３の他端は、蓋材７０から露出している。蓋材７０は、中空粒子６３を含んでいない。 The lid member 70 seals the opening of the case 10 while the piezoelectric element 20, the substrate 30, the connecting members 41, 43, and the buffer material 60 are housed in the case 10. The lid material 70 seals the accommodation space S1. The lid material 70 is in contact with the cushioning material 60. In this embodiment, the lid member 70 is made of resin. The lid material 70 is made of silicone rubber, for example. The lid member 70 is made of, for example, RTV (Room Temperature Vulcanizing) silicone rubber. The other end of each pin 81, 83 is exposed from the lid member 70. The lid material 70 does not include hollow particles 63.

本実施形態では、蓋材７０は、収容空間Ｓ１のうち、緩衝材６０が存在していない領域全体に設けられている。蓋材７０は、図４に示されるように、収容空間Ｓ１のうち、緩衝材６０が存在していない領域の一部のみに設けられていてもよい。
蓋材７０は、図５に示されるように、複数の部分７１，７３を有していてもよい。図５に示されている蓋材７０は、二つの部分７１，７３を有している。蓋材７０は、緩衝材６０と接している部分７１と、部分７１と接している部分７３と、を有している。部分７１は、部分７３と緩衝材６０との間に位置している。この場合、部分７１は、たとえば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又はシリコーン樹脂からなり、部分７３は、たとえば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又はシリコーン樹脂からなる。蓋材７０は、三つ以上の部分を有していてもよい。 In this embodiment, the lid material 70 is provided in the entire region of the accommodation space S1 where the cushioning material 60 is not present. As shown in FIG. 4, the lid material 70 may be provided only in a part of the area of the accommodation space S1 where the cushioning material 60 is not present.
The lid member 70 may have a plurality of portions 71 and 73, as shown in FIG. The lid member 70 shown in FIG. 5 has two parts 71 and 73. The lid member 70 has a portion 71 in contact with the cushioning material 60 and a portion 73 in contact with the portion 71. Portion 71 is located between portion 73 and cushioning material 60. In this case, portion 71 is made of, for example, epoxy resin, urethane resin, or silicone resin, and portion 73 is made of, for example, epoxy resin, urethane resin, or silicone resin. The lid material 70 may have three or more parts.

ピン８１は、基板３０（基体３１）に形成されている貫通孔に挿通されている一端と、ケース１０外に露出している他端とを有している。ピン８１は、上記貫通孔に挿通されている状態で、導体３３に物理的かつ電気的に接続されている。ピン８１は、導体３３にはんだ接続されている。ピン８１と導体３３とは、導電性接着剤により物理的かつ電気的に接続されていてもよい。ピン８１は、導体３３及び接続部材４１を通して、電極２３と電気的に接続されている。 The pin 81 has one end inserted into a through hole formed in the substrate 30 (substrate 31) and the other end exposed outside the case 10. The pin 81 is physically and electrically connected to the conductor 33 while being inserted into the through hole. Pin 81 is connected to conductor 33 by solder. The pin 81 and the conductor 33 may be physically and electrically connected by a conductive adhesive. The pin 81 is electrically connected to the electrode 23 through the conductor 33 and the connecting member 41.

ピン８３は、基板３０（基体３１）に形成されている貫通孔に挿通されている一端と、ケース１０外に露出している他端とを有している。ピン８３は、上記貫通孔に挿通されている状態で、導体３５に物理的かつ電気的に接続されている。ピン８３は、導体３５にはんだ接続されている。ピン８３と導体３５とは、導電性接着剤により物理的かつ電気的に接続されていてもよい。ピン８３は、導体３５及び接続部材４３を通して、電極２５と電気的に接続されている。 The pin 83 has one end inserted into a through hole formed in the substrate 30 (substrate 31) and the other end exposed outside the case 10. The pin 83 is physically and electrically connected to the conductor 35 while being inserted into the through hole. Pin 83 is connected to conductor 35 by solder. The pin 83 and the conductor 35 may be physically and electrically connected using a conductive adhesive. The pin 83 is electrically connected to the electrode 25 through the conductor 35 and the connecting member 43.

各ピン８１，８３は、たとえば、金属からなる。ピン８１，８３は、たとえば、真鍮からなる。各ピン８１，８３の表面には、めっき層（不図示）が形成されていてもよい。めっき層は、たとえば、ニッケルめっき及び錫めっきにより形成されていてもよい。この場合、めっき層は、二層構造である。各ピン８１，８３は、圧電デバイス１の外部端子を構成する。 Each pin 81, 83 is made of metal, for example. The pins 81 and 83 are made of brass, for example. A plating layer (not shown) may be formed on the surface of each pin 81, 83. The plating layer may be formed by, for example, nickel plating and tin plating. In this case, the plating layer has a two-layer structure. Each pin 81, 83 constitutes an external terminal of the piezoelectric device 1.

以上のように、本実施形態では、圧電デバイス１が、緩衝材６０を備えている。緩衝材６０は、超音波成分の残響を抑制する。
複数の中空粒子６３が、緩衝材６０を構成する樹脂６１内に分散されている。中空粒子６３は、内部空間６３ｂを画成する殻６３ａを有している。この場合、超音波成分は、樹脂６１と中空粒子６３の殻６３ａとの界面と、中空粒子６３の殻６３ａと内部空間６３ｂとの界面と、で散乱される。したがって、圧電デバイス１では、中空粒子６３を含まない構成に比して、中空粒子６３による超音波成分の散乱減衰が大きい。圧電デバイス１は、超音波成分の残響をより一層低減する。 As described above, in this embodiment, the piezoelectric device 1 includes the buffer material 60. The buffer material 60 suppresses reverberation of ultrasonic components.
A plurality of hollow particles 63 are dispersed within the resin 61 that constitutes the cushioning material 60. The hollow particle 63 has a shell 63a defining an internal space 63b. In this case, the ultrasonic component is scattered at the interface between the resin 61 and the shell 63a of the hollow particle 63, and at the interface between the shell 63a of the hollow particle 63 and the internal space 63b. Therefore, in the piezoelectric device 1, the scattering attenuation of the ultrasonic wave component by the hollow particles 63 is greater than that in a configuration that does not include the hollow particles 63. The piezoelectric device 1 further reduces reverberation of ultrasonic components.

中空粒子６３がガラスバルーンである構成では、環境温度が変化する場合でも、中空粒子６３が膨張又は収縮しがたい。したがって、圧電デバイス１は、環境温度が変化する場合でも、超音波成分の残響を低減する効果が変化しがたい。
中空粒子６３がプラスチックバルーンである構成は、圧電デバイス１を軽量化し得る。 In a configuration in which the hollow particles 63 are glass balloons, the hollow particles 63 are difficult to expand or contract even when the environmental temperature changes. Therefore, in the piezoelectric device 1, even when the environmental temperature changes, the effect of reducing the reverberation of the ultrasonic component does not change easily.
The configuration in which the hollow particles 63 are plastic balloons can reduce the weight of the piezoelectric device 1.

圧電デバイス１は、基板３０を備えている。基板３０は、収容空間Ｓ１内に圧電素子２０と離間して配置されており、圧電素子２０と電気的に接続されている。基板３０は、緩衝材６０内に配置されている。
基板３０が緩衝材６０内に配置されている構成では、基板３０が制振される。 The piezoelectric device 1 includes a substrate 30. The substrate 30 is arranged within the housing space S1 to be spaced apart from the piezoelectric element 20, and is electrically connected to the piezoelectric element 20. The substrate 30 is placed within the cushioning material 60.
In a configuration in which the substrate 30 is disposed within the buffer material 60, vibrations of the substrate 30 are damped.

圧電デバイス１は、蓋材７０を備えている。蓋材７０は、樹脂からなり、収容空間Ｓ１を封止している。蓋材７０は、緩衝材６０と接している。
蓋材７０が緩衝材６０と接している構成では、超音波成分がより一層散乱しやすい。したがって、圧電デバイス１は、超音波成分の残響をより一層確実に低減する。 The piezoelectric device 1 includes a lid member 70. The lid member 70 is made of resin and seals the housing space S1. The lid material 70 is in contact with the cushioning material 60.
In a configuration in which the lid material 70 is in contact with the buffer material 60, ultrasonic components are more likely to be scattered. Therefore, the piezoelectric device 1 further reliably reduces the reverberation of the ultrasonic component.

ガラスバルーンの含有量の割合が、上述したように、１０質量％以上２０質量％以下である構成では、緩衝材６０がケース１０に充填される場合、ケース１０と緩衝材６０との間に間隙が生じがたい。更に、樹脂６１と各中空粒子６３との間にも隙間が生じがたい。したがって、圧電デバイス１は、超音波成分の残響をより一層確実に低減する。
プラスチックバルーンの含有量の割合は、上述したように、１０質量％以上２０質量％以下である。この場合にも、ケース１０と緩衝材６０との間に間隙が生じがたく、樹脂６１と各中空粒子６３との間にも隙間が生じがたい。したがって、圧電デバイス１は、超音波成分の残響をより一層確実に低減する。 As described above, in a configuration in which the content ratio of the glass balloon is 10% by mass or more and 20% by mass or less, when the case 10 is filled with the cushioning material 60, there is a gap between the case 10 and the cushioning material 60. is difficult to occur. Furthermore, gaps are difficult to form between the resin 61 and each hollow particle 63. Therefore, the piezoelectric device 1 further reliably reduces the reverberation of the ultrasonic component.
As mentioned above, the content ratio of the plastic balloon is 10% by mass or more and 20% by mass or less. In this case as well, gaps are unlikely to be formed between the case 10 and the cushioning material 60, and also between the resin 61 and each hollow particle 63. Therefore, the piezoelectric device 1 further reliably reduces the reverberation of the ultrasonic component.

圧電デバイス１では、接続部材４１，４３が、緩衝材６０と接している。圧電デバイス１が接続部材４１，４３を備えている場合、圧電素子２０の振動が接続部材４１，４３に伝わり、接続部材４１，４３が微小に振動するおそれがある。接続部材４１，４３の微小振動は、残響振動を生じさせるおそれがある。接続部材４１，４３が緩衝材６０と接している構成では、緩衝材６０が接続部材４１，４３の微小振動を抑制する。したがって、圧電デバイス１は、接続部材４１，４３の微小振動が要因である残響振動を生じさせがたい。 In the piezoelectric device 1, the connecting members 41 and 43 are in contact with the cushioning material 60. When the piezoelectric device 1 includes the connecting members 41 and 43, the vibration of the piezoelectric element 20 may be transmitted to the connecting members 41 and 43, and the connecting members 41 and 43 may vibrate minutely. The minute vibrations of the connecting members 41 and 43 may cause reverberant vibrations. In the configuration in which the connecting members 41 and 43 are in contact with the buffer material 60, the buffer material 60 suppresses minute vibrations of the connecting members 41 and 43. Therefore, the piezoelectric device 1 is difficult to generate reverberant vibration caused by minute vibrations of the connecting members 41 and 43.

圧電デバイス１では、接続部材４１が、電極２３に物理的かつ電気的に接続される部分４１ａと、導体３３に物理的かつ電気的に接続される部分４１ｂと、を有している。接続部材４３が、電極２５に物理的かつ電気的に接続される部分４３ａと、導体３５に物理的かつ電気的に接続される部分４３ｂと、を有している。各部分４１ａ，４３ａが、圧電素子２０に沿うように延在しており、各部分４３ａ，４３ｂが、部分４１ａ，４３ａが延在している方向と交差する方向に延在している。したがって、圧電素子２０の振動が基板３０に伝わりがたい。圧電デバイス１は、基板３０と接続部材４１，４３との電気的な接続を確実に維持し、電気的な接続の信頼性が低下するのをより一層抑制する。 In the piezoelectric device 1, the connecting member 41 has a portion 41a that is physically and electrically connected to the electrode 23, and a portion 41b that is physically and electrically connected to the conductor 33. The connecting member 43 has a portion 43a that is physically and electrically connected to the electrode 25, and a portion 43b that is physically and electrically connected to the conductor 35. Each portion 41a, 43a extends along the piezoelectric element 20, and each portion 43a, 43b extends in a direction intersecting the direction in which the portions 41a, 43a extend. Therefore, the vibration of the piezoelectric element 20 is difficult to be transmitted to the substrate 30. The piezoelectric device 1 reliably maintains the electrical connection between the substrate 30 and the connection members 41 and 43, and further suppresses deterioration in the reliability of the electrical connection.

圧電デバイス１では、接続部材４１が、側面２１ｃ寄りに配置されており、接続部材４３が、側面２１ｃと対向している側面２１ｄ寄りに配置されている。接続部材４１と接続部材４３とが、離間している。したがって、圧電デバイス１は、接続部材４１と接続部材４３との短絡を防ぐ。 In the piezoelectric device 1, the connecting member 41 is arranged near the side surface 21c, and the connecting member 43 is arranged near the side surface 21d facing the side surface 21c. The connecting member 41 and the connecting member 43 are separated from each other. Therefore, the piezoelectric device 1 prevents short circuit between the connecting member 41 and the connecting member 43.

電極２３，２５の各厚みが１．５μｍ以下である構成では、電極２３，２５の各厚みが１．５μｍより大きい構成に比して、電極２３，２５が、圧電素子２０（圧電素体２１）の変位を阻害しがたい。したがって、圧電デバイス１は、振動特性をより一層向上する。 In a configuration in which each of the electrodes 23 and 25 has a thickness of 1.5 μm or less, the electrodes 23 and 25 have a thickness larger than 1.5 μm. ) is difficult to inhibit. Therefore, the piezoelectric device 1 further improves vibration characteristics.

以上、本発明の実施形態及び変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。 Although the embodiments and modified examples of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the embodiments and modified examples described above, and various changes can be made without departing from the gist thereof.

圧電デバイス１は、図６に示されるように、蓋材７０を備えていなくてもよい。圧電デバイス１が蓋材７０を備えていない構成では、たとえば、収容空間Ｓ１の全体が緩衝材６０（樹脂６１）で満たされていてもよい。
圧電デバイス１は、図７に示されるように、基板３０及び蓋材７０を備えていなくてもよい。圧電デバイス１が基板３０及び蓋材７０を備えていない構成では、たとえば、収容空間Ｓ１の全体が緩衝材６０（樹脂６１）で満たされていてもよい。 The piezoelectric device 1 does not need to include the lid member 70, as shown in FIG. In a configuration in which the piezoelectric device 1 does not include the lid member 70, the entire housing space S1 may be filled with the buffer material 60 (resin 61), for example.
The piezoelectric device 1 does not need to include the substrate 30 and the lid 70, as shown in FIG. In a configuration in which the piezoelectric device 1 does not include the substrate 30 and the lid member 70, the entire housing space S1 may be filled with the buffer material 60 (resin 61), for example.

圧電デバイス１は、超音波の送信のみを行ってもよい。圧電デバイス１は、超音波の受信のみを行ってもよい。
圧電素子２０は、圧電素体２１内に配置される一つ又は複数の内部電極を有していてもよい。この場合、圧電素体２１は複数の圧電体層を有していてもよく、内部電極と圧電体層とが交互に配置されていてもよい。 The piezoelectric device 1 may only transmit ultrasonic waves. The piezoelectric device 1 may only receive ultrasonic waves.
The piezoelectric element 20 may have one or more internal electrodes arranged within the piezoelectric element body 21. In this case, the piezoelectric element body 21 may have a plurality of piezoelectric layers, and the internal electrodes and piezoelectric layers may be arranged alternately.

１…圧電デバイス、１０…ケース、２０…圧電素子、３０…基板、６０…緩衝材、６１…樹脂、６３…中空粒子、６３ａ…殻、６３ｂ…内部空間、７０…蓋材、Ｓ１…収容空間。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Piezoelectric device, 10...Case, 20...Piezoelectric element, 30...Substrate, 60...Buffer material, 61...Resin, 63...Hollow particle, 63a...Shell, 63b...Inner space, 70...Lid material, S1...Accommodation space .

Claims

A case defining a housing space;
a piezoelectric element disposed within the accommodation space;
a buffer material disposed on the piezoelectric element in the accommodation space and in contact with the piezoelectric element;
a substrate disposed in the accommodation space apart from the piezoelectric element and electrically connected to the piezoelectric element ;
The buffer material is
resin and
a plurality of hollow particles dispersed within the resin and having shells defining an interior space ;
A piezoelectric device , wherein the substrate is disposed within the buffer material .

further comprising a lid material made of resin and sealing the housing space,
The piezoelectric device according to claim 1 , wherein the lid material is in contact with the buffer material.

A case defining a housing space;
a piezoelectric element disposed within the accommodation space;
a buffer material disposed on the piezoelectric element in the accommodation space and in contact with the piezoelectric element;
comprising a lid material made of resin and sealing the housing space ,
The buffer material is
resin and
a plurality of hollow particles dispersed within the resin and having shells defining an interior space ;
A piezoelectric device , wherein the lid material is in contact with the buffer material .

further comprising a substrate disposed in the accommodation space apart from the piezoelectric element and electrically connected to the piezoelectric element;
4. The piezoelectric device of claim 3 , wherein the substrate is disposed within the cushioning material.

The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the hollow particle is a glass balloon.

The piezoelectric device according to claim 5 , wherein when the total content of the resin and the glass balloon is 100% by mass, the content ratio of the glass balloon is 10% by mass or more and 20% by mass or less.

The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the hollow particle is a plastic balloon.

The piezoelectric device according to claim 7 , wherein when the total content of the resin and the plastic balloon is 100% by mass, the content ratio of the plastic balloon is 10% by mass or more and 20% by mass or less.