JP7414664B2 - 温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法 - Google Patents

Description

本開示は、温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法に関する。

特許文献１には、基板に所定の処理を行う処理部と、温度センサと該温度センサによって測定された測温データを蓄積する記憶部とを搭載した測温用基板を格納するとともに、当該測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集する格納部と、格納部と処理部との間で基板の搬送を行う搬送手段と、処理部を経て格納部に搬送された測温用基板から収集された測温データに基づいて、所定の処理の温度状態が予め定められた温度状態となるように所定の処理に関連する温調機構を制御する温度制御手段と、を備える。

特開２００７－１５７８９６号公報

本開示にかかる技術は、高温の熱板で加熱したときの基板の温度を模擬的に測定可能な温度測定ユニット、基板処理装置及び温度測定方法を提供する。

本開示の一態様は、温度測定ユニットであって、温度を測定するセンサが搭載された測定用基板と、前記センサによる検出結果を取得する情報処理部と、前記センサと前記情報処理部とを接続するケーブルと、を有し、前記情報処理部は、熱板が設けられた加熱領域と冷却領域を間に挟んで対向する被取付部に、着脱自在に取り付け可能に構成され、前記ケーブルは、前記被取付部に前記情報処理部が取り付けられた状態で、前記測定用基板が載置された冷却板を前記冷却領域から前記加熱領域に移動させて、前記測定用基板を前記熱板に載置する際に、前記測定用基板の移動に追従可能に構成されている。

本開示によれば、高温の熱板で加熱したときの基板の温度を模擬的に測定可能な温度測定ユニット、基板処理装置及び温度測定方法を提供することができる。

ウェハに対し熱処理を行う熱処理装置を備えたウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。 ウェハ処理システムの正面側の内部構成の概略を模式的に示す図である。 ウェハ処理システムの背面側の内部構成の概略を模式的に示す図である。 熱処理装置の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。 熱処理装置の構成の概略を模式的に示す横断面図である。 温度測定ユニットの一例の概略を示す側面図である。 温度測定ユニットの一例の概略を示す平面図である。 温度測定方法の一部の工程での、温度測定ユニットの状態を示す図である。 温度測定方法の一部の工程での、温度測定ユニットの状態を示す図である。 温度測定方法の一部の工程での、温度測定ユニットの状態を示す図である。 温度測定ユニットの他の例の概略を示す側面図である。 温度測定ユニットの他の例の概略を示す平面図である。 図１１及び図１２の例の温度測定ユニットの効果を説明するための図である。 図１１及び図１２の例の温度測定ユニットの効果を説明するための図である。 図１１及び図１２の例の温度測定ユニットの効果を説明するための図である。 図１１及び図１２の例の温度測定ユニットの効果を説明するための図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジストパターンを形成するため所定の処理が行われる。上記所定の処理とは、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理や、レジスト膜を露光する露光処理、露光後にレジスト膜内の化学反応が促進するよう加熱するＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等である。

上述のＰＥＢ処理等の熱処理は、通常、ウェハが載置され当該ウェハを加熱する熱板を有する熱処理装置で行われる。この熱処理装置による熱処理は、例えば、ウェハの温度が面内で均一になるように行われる。レジストパターンの寸法を面内で均一にするためである。

上述のように熱処理装置の熱処理によりウェハの面内均一に加熱すること等を目的として、従来、熱板で加熱したときのウェハの温度を事前に模擬的に測定し、その結果に基づいて、熱板による加熱量を補正する、ことが行われている。

熱板で加熱したときのウェハの温度を模擬的に測定するための技術としては、例えば、複数の温度センサとメモリとを搭載した温度測定用ウェハを用いる技術がある（特許文献１参照）。この技術では、温度測定用ウェハを通常のウェハと同様に熱板で加熱し、その温度を各温度センサで測定し、測温データとしてメモリに記憶する。

ところで、熱板を例えば２５０℃以上の高温に加熱しこの熱板でウェハを加熱する場合がある。この場合、特許文献１に開示のような温度測定用ウェハを用いると、メモリが高温環境に晒されることで故障してしまうことがある。故障するとメモリに記憶されていた測温データを利用することができないため、温度が測定できていないも同然である。

そこで、本開示にかかる技術は、高温の熱板で加熱したときの基板の温度を模擬的に測定可能な温度測定ユニット、基板処理装置及び温度測定方法を提供する。

以下、本実施形態にかかる温度測定ユニット、熱処理装置及び温度測定方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜ウェハ処理システム＞
図１は、ウェハに対し熱処理を行う熱処理装置を備えたウェハ処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々ウェハ処理システム１の正面側及び背面側の内部構成の概略を模式的に示す図である。なお、以下の例において、ウェハ処理システム１は、ウェハＷに対して塗布現像処理を行う塗布現像処理システムである

ウェハ処理システム１は、図１に示すように、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、を有する。そして、ウェハ処理システム１は、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３と、を一体に接続した構成を有している。

カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、ウェハ処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。

カセットステーション１０には、Ｘ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。現像処理装置３０は、ウェハＷを現像処理するものであり、下部反射防止膜形成装置３１は、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成するものである。レジスト塗布装置３２は、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するものであり、上部反射防止膜形成装置３３は、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成するものである。

例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。

これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３では、例えばスピン塗布法により、ウェハＷ上に所定の処理液が供給される。スピン塗布法では、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。

第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が設けられている。これら熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、周辺露光装置４２は、上下方向と水平方向に並べて設けられており、その数や配置は、任意に選択できる。

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１～第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、基板搬送領域としてのウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、基板搬送装置としてのウェハ搬送装置７０が配置されている。

ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送装置７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１～Ｇ４の同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。

シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム９０ａを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１００と受け渡し装置１０１が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。ウェハ搬送装置１００は、例えば搬送アーム１００ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１０１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。

以上のウェハ処理システム１には、図１に示すように制御装置Ｕが設けられている。制御装置Ｕは、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１におけるウェハ処理を制御するプログラムや、後述の測定用ウェハの温度の測定結果に基づいて後述のヒータによる後述の熱板の加熱量を自動調整するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御装置Ｕにインストールされたものであってもよい。プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。

＜熱処理装置＞
次に、熱処理装置４０の構成について説明する。図４は、熱処理装置４０の構成の概略を模式的に示す縦断面図である。図５は、熱処理装置４０の構成の概略を模式的に示す横断面図である。

熱処理装置４０は、図４及び図５に示すように、内部を閉鎖可能な筐体１２０を有している。筐体１２０のウェハ搬送領域Ｄ側（Ｘ方向負側）の側面には、ウェハＷの搬入出口１２１が設けられている。搬入出口１２１は、支持部材としての隔壁Ｆに形成された開口Ｆ１と対向するように設けられている。隔壁Ｆは、ウェハ搬送領域Ｄを囲むと共に、熱処理装置４０や、アドヒージョン装置４１等を支持する。なお、搬入出口１２１には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

また、熱処理装置４０は、筐体１２０内に、ウェハＷを加熱処理する加熱領域１２２と、ウェハＷを冷却処理する冷却領域１２３を有する。加熱領域１２２は、ウェハ搬送領域Ｄ側とは反対側（Ｘ方向正側）に設けられ、冷却領域１２３は、加熱領域１２２に隣接しており、ウェハ搬送領域Ｄ側（Ｘ方向負側）に設けられている。

加熱領域１２２には、図４に示すように、上下動自在な蓋体１３０が上側に設けられ、蓋体１３０と共に処理室Ｓを形成する熱板収容部１３１が下側に設けられている。

蓋体１３０は、下面が開口した筒形状を有し、後述の熱板１３２上に載置されたウェハＷの上面を覆う。蓋体１３０の上面中央部には、排気部１３０ａが設けられている。処理室Ｓ内の雰囲気は、排気部１３０ａから排気される。

熱板収容部１３１の中央には、ウェハＷが載置され、該載置されたウェハＷを加熱する熱板１３２が設けられている。熱板１３２は、厚みのある円盤形状を有しており、ヒータ１４０がその内部に設けられている。ヒータ１４０は、熱板１３２を加熱し、具体的には、熱板１３２の上面すなわちウェハＷの搭載面を加熱する。ヒータ１４０としては、例えば抵抗加熱ヒータが用いられる。また、例えば、ヒータ１４０は熱板１３２の上面を複数に分割した領域毎に設けられ、領域毎にヒータ１４０による加熱量を調整し各領域を所定の設定温度に調整可能になっている。

熱板収容部１３１には、熱板１３２を厚み方向に貫通する昇降ピン１４１が設けられている。昇降ピン１４１は、シリンダなどの昇降駆動部１４２により昇降自在であり、熱板１３２の上面に突出して後述する冷却板１６０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。

熱板収容部１３１は、例えば図４に示すように熱板１３２を収容して熱板１３２の外周部を保持する環状の保持部材１５０と、その保持部材１５０の外周を囲む筒状のサポートリング１５１を有している。

冷却領域１２３には、ウェハＷが載置され、該載置されたウェハＷを冷却する冷却板１６０が設けられている。冷却板１６０は、例えば平面視略方形の平板形状を有し、加熱領域１２２側（Ｘ方向正側）の端面が円弧状に湾曲している。冷却板１６０の内部には、例えば冷却水等の冷媒が流れる冷媒流路等の冷却機構が形成されており、冷却板１６０を所定の設定温度に調整できる。

冷却板１６０は、例えば図４に示すように支持アーム１６１に支持され、その支持アーム１６１は、加熱領域１２２側のＸ方向に向かって延伸するレール１６２に取付けられている。冷却板１６０は、支持アーム１６１に取り付けられた駆動機構１６３によりレール１６２上を移動できる。これにより、冷却板１６０は、加熱領域１２２側の熱板１３２の上方まで移動できる。

冷却板１６０には、例えば冷却板１６０の移動方向（図５のＸ方向）に沿った２本のスリット１６４が形成されている。スリット１６４は、冷却板１６０の加熱領域１２２側の端面から冷却板１６０の中央部付近まで形成されている。このスリット１６４により、加熱領域１２２側に移動した冷却板１６０と、熱板１３２上の昇降ピン１４１との干渉が防止される。図４に示すように冷却領域１２３における、冷却板１６０の下方には、昇降ピン１６５が設けられている。昇降ピン１６５は、昇降駆動部１６６によって昇降できる。昇降ピン１６５は、冷却板１６０の下方から上昇してスリット１６４を通過し、冷却板１６０の上方に突出して、例えば搬入出口１２１から筐体１２０の内部に進入するウェハ搬送装置７０との間でウェハＷの受け渡しを行うことができる。

また、冷却板１６０の上面には、ウェハＷの裏面を冷却板１６０の上面から離間させて当該ウェハＷを支持する支持ピン１６７が複数設けられている。支持ピン１６７は、棒状に形成され、上方に延びるように設けられている。支持ピン１６７の高さは例えば２ｍｍである。

＜ウェハ処理＞
次に、ウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。

先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、カセットステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の例えば受け渡し装置５２に搬送される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。

熱処理装置４０に搬送されたウェハＷは、先ず冷却板１６０上に載置される。続いて冷却板１６０が熱板１３２の上方に移動される。次いで、昇降ピン１４１が上昇し、冷却板１６０上のウェハＷが昇降ピン１４１に受け渡される。その後、冷却板１６０が熱板１３２の上方から退避し、昇降ピン１４１が下降して、熱板１３２上にウェハＷが受け渡される。また、蓋体１３０が下降して処理室Ｓが形成され、ウェハＷの加熱処理が開始される。

所定時間ウェハＷの加熱処理が行われると、蓋体１３０が上昇すると共に、昇降ピン１４１が上昇してウェハＷが熱板１３２の上方に移動する。また、冷却板１６０が熱板１３２上まで移動する。そして、昇降ピン１４１が下降して、冷却板１６０にウェハＷが受け渡される。その後、冷却板１６０が冷却領域１２３に移動される。冷却板１６０に受け渡されたウェハＷは、例えば冷却領域１２３において室温まで冷却されて熱処理装置４０から搬出される。

熱処理装置４０での熱処理を終えたウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、プリベーク処理される。なお、プリベーク処理においても下部反射防止膜形成後の熱処理と同様な処理が行われ、また、後述の反射防止膜形成後の熱処理、ＰＥＢ処理、ポストベーク処理においても同様な処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置４０は互いに異なる。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送されて、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理が行われる。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１００によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０に搬送される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、ＰＥＢ処理される。

次に、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる。現像処理後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。

次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０により第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送される。その後、ウェハＷは、カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。そして、この一連のフォトリソグラフィー工程が、同一カセットＣ内の後続のウェハＷについても実施される。

＜温度測定ユニット＞
続いて、熱処理装置４０の熱板１３２上の温度を模擬的に測定するための温度測定ユニットの一例について説明する。図６は、温度測定ユニットの一例の概略を示す側面図であり、熱処理装置４０に取り付けられた状態を示し、熱処理装置４０については、温度測定にかかる要部のみを縦断面で示している。図７は、温度測定ユニットの一例の概略を示す平面図である。

図６及び図７に示すように、温度測定ユニット２００は、測定用基板としての測定用ウェハ２０１と、情報処理部２０２と、取付部材２０３と、ケーブル２０４と、を有する。

測定用ウェハ２０１は、ウェハＷと同じ材質でウェハＷと同形状に形成された本体２１０を有する。測定用ウェハ２０１の上面（具体的には本体２１０の上面）には温度センサ２１１が複数搭載されている。温度センサ２１１は、図７の例では５つ搭載され、１つは測定用ウェハ２０１の中心に搭載され、他の４つは、測定用ウェハ２０１の中心を中心とする同一円周上に等間隔で搭載されている。温度センサ２１１には例えば熱電対を用いることができる。なお、温度センサ２１１の搭載数は１であってもよい。

測定用ウェハ２０１は、冷却領域１２３に位置する冷却板１６０に載置され、通常のウェハＷと同様に、冷却板１６０により加熱領域１２２に搬送され、冷却板１６０から熱板１３２に受け渡され、載置される。

情報処理部２０２は、少なくとも、温度センサ２１１による検出結果の取得を行う。
情報処理部２０２は、外形が直方体形状の筐体２２０を有する。
筐体２２０の内部には、図示は省略するが、例えば、温度センサ２１１による検出結果をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄコンバータ、Ａ／Ｄ変換された上記検出結果の校正等を行うプロセッサ、校正後の温度センサ２１１による検出結果や上記校正に用いられる校正値テーブル等を記憶するメモリ、制御装置Ｕとの間で通信を行い上記検出結果の送信等を行う通信ユニットが設けられている。
なお、上記通信ユニットによる制御装置Ｕとの間の通信は、有線で行ってもよいし、無線で行ってもよい。
また、筐体２２０の内部には、上述のＡ／Ｄコンバータ、プロセッサ、メモリ及び通信ユニットが実装される配線基板（図示せず）等も設けられている。

取付部材２０３は、加熱領域１２２と冷却領域１２３を間に挟んで対向する被取付部としての隔壁Ｆに、情報処理部２０２を着脱自在に取り付けるための部材である。
取付部材２０３は、フック部２３０と、固定部２３１とを有する。

フック部２３０は、隔壁Ｆの下縁と係合する。フック部２３０は、固定部２３１の上端から熱処理装置４０側に延び出すように設けられている。
固定部２３１は、隔壁Ｆに沿って延在する平板状に形成されており、隔壁Ｆと反対側の面に情報処理部２０２が固定される。

フック部２３０と隔壁Ｆの開口Ｆ１の下縁との係合により、情報処理部２０２は、取付部材２０３を介して、隔壁Ｆに取り付けられる。また、フック部２３０と隔壁Ｆの開口Ｆ１の下縁との係合を解除することにより、情報処理部２０２を隔壁Ｆから取り外すことができる。

ケーブル２０４は、測定用ウェハ２０１の温度センサ２１１と情報処理部２０２とを電気的に接続し、温度センサ２１１による検出結果を情報処理部２０２に伝送する。
ケーブル２０４は、複数の被覆素線２４０と、フラットケーブル２４１とを有する。

被覆素線２４０は、ニッケル等の金属材料からなる素線を、絶縁性及び耐熱性を有する材料（例えばセラミック）で被覆したものである。被覆素線２４０それぞれの一端は、対応する温度センサ２１１に接続され、他端はフラットケーブル２４１の一端に接続されている。被覆素線２４０のうち、測定用ウェハ２０１の上方に位置する部分は、当該測定用ウェハ２０１の本体２１０の上面に、例えば耐熱性の接着剤により固定されている。

フラットケーブル２４１は、例えばポリイミドを基材としたフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）基板からなり、内部に複数の配線パターン（図示せず）を有する。フラットケーブル２４１の一端は被覆素線２４０の他端に接続され、フラットケーブル２４１の他端は情報処理部２０２に接続されている。具体的には、フラットケーブル２４１の上記配線パターンそれぞれの一端は、対応する被覆素線２４０の他端に接続され、上記配線パターンそれぞれの他端は情報処理部２０２に接続されている。

ケーブル２０４は、隔壁Ｆに情報処理部２０２が取り付けられた状態で、測定用ウェハ２０１が移動する際に、その移動に追従可能に構成されている。具体的には、ケーブル２０４は、隔壁Ｆに情報処理部２０２が取り付けられた状態で、測定用ウェハ２０１が載置された冷却板１６０を冷却領域１２３から加熱領域１２２に移動させた後、測定用ウェハ２０１を熱板１３２に載置する際に、測定用ウェハ２０１の移動に追従可能に構成されている。より具体的には、ケーブル２０４は、隔壁Ｆに情報処理部２０２が取り付けられた状態で、上記測定用ウェハ２０１の移動に追従可能な程度の、長さと可撓性とを有する。

また、ケーブル２０４は、少なくとも、測定用ウェハ２０１が熱板１３２に載置された状態で加熱領域１２２に位置する部分が被覆素線２４０で構成されている。

＜温度測定方法＞
次に、上述の温度測定ユニット２００を用いた、温度測定方法について図８～図１０を用いて説明する。図８～図１０は、温度測定方法の一部の工程での、温度測定ユニット２００の状態を示す図である。

（１．動線確保）
まず、温度測定が行われる熱処理装置４０（以下、「対象の熱処理装置４０」という。）の位置に合わせて、作業者の動線の確保が行われる。
例えば、対象の熱処理装置４０が、カセットステーション１０側に位置する場合、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０～５５の一部または全部が作業者によって取り外されると共に、ウェハ搬送装置７０の搬送アーム７０ａが制御装置Ｕによりインターフェイスステーション１３側に移動される。これにより、作業者が、カセットステーション１０からウェハ搬送領域Ｄ内に進入して、対象の熱処理装置４０の前に移動することができる。
また、対象の熱処理装置４０が、インターフェイスステーション１３側に位置する場合、第４のブロックＧ４の受け渡し装置６０～６２の一部または全部が作業者によって取り外されると共に、ウェハ搬送装置７０の搬送アーム７０ａが制御装置Ｕによりカセットステーション１０側に移動される。これにより、作業者が、インターフェイスステーション１３からウェハ搬送領域Ｄ内に進入して、対象の熱処理装置４０の前に移動することができる。

（２．熱板の加熱）
動線確保中に、または、動線確保の前に、熱板１３２の加熱が開始される。そして、熱板１３２を、２５０℃以上という高い設定温度まで加熱し、ウェハＷの加熱処理が行える状態にする。なお、熱板１３２の加熱を、動線確保の後に開始してもよい。

（３．情報処理部２０２の取り付け）
そして、ウェハ搬送領域Ｄに進入した作業員により、温度測定ユニット２００の情報処理部２０２が隔壁Ｆに取り付けられる。具体的には、ウェハ搬送領域Ｄに進入した作業員により、対象の熱処理装置４０に対応する、隔壁Ｆの開口Ｆ１の下縁に、取付部材２０３のフック部２３０が引掛けられ、フック部２３０と隔壁Ｆの開口Ｆ１の下縁との係合により、取付部材２０３を介して、情報処理部２０２が隔壁Ｆに取り付けられる。情報処理部２０２は、ウェハ搬送領域Ｄに位置するように取り付けられる。

（４．測定用ウェハ２０１の載置）
次に、作業員により、冷却領域１２３に位置する冷却板１６０に、測定用ウェハ２０１が載置される。具体的には、作業員により、測定用ウェハ２０１が、支持ピン１６７を介して、冷却領域１２３に位置する冷却板１６０における所定の位置に、所定の向きで、載置される。
なお、測定用ウェハ２０１の冷却板１６０への載置の後に、情報処理部２０２の取り付けを行ってもよい。
情報処理部２０２の取り付け及び測定用ウェハ２０１の載置後、作業員はウェハ処理システム１から退出する。

（５．熱板１３２への受け渡し）
次いで、測定用ウェハ２０１が、冷却板１６０により加熱領域１２２に移動すなわち搬送され、熱板１３２に受け渡される。具体的には、まず、測定用ウェハ２０１が載置された冷却板１６０が、図８に示すように、冷却領域１２３から加熱領域１２２に移動される。この移動は、冷却板１６０が熱板１３２の上方に移動するまで行われる。次に、図９に示すように、昇降ピン１４１が上昇し、これにより、冷却板１６０上の測定用ウェハ２０１が昇降ピン１４１に受け渡され上昇し、その後、冷却板１６０が加熱領域１２２から冷却領域１２３に退避される。それと共に、図１０に示すように、昇降ピン１４１が下降して、測定用ウェハ２０１が熱板１３２に載置される。

（６．温度検出）
そして、温度センサ２１１による温度検出が行われる。具体的には、まず、蓋体１３０が下降して処理室Ｓが形成され、ウェハＷの加熱処理が開始される。加熱処理が開始されてから所定の時間が経過し、測定用ウェハ２０１の温度が安定したところで、温度センサ２１１による温度検出が開始される。温度検出が開始されると、各温度センサ２１１により、測定用ウェハ２０１（の本体２１０）の当該温度センサ２１１が搭載されている部分の温度が検出される。検出結果は、冷却領域１２３を間に挟んで加熱領域１２２と対向する隔壁Ｆに取り付けられた情報処理部２０２に、ケーブル２０４を介して伝送される。また、検出結果は情報処理部２０２から制御装置Ｕに送信される。制御装置Ｕは、上記検出結果から、測定用ウェハ２０１の温度センサ２１１が搭載されている部分の温度を算出すなわち測定する。また、制御装置Ｕにより、測定用ウェハ２０１の温度の測定結果に基づいて、ヒータ１４０による熱板１３２の加熱量が自動調整される。この補正後、再び、上述と同様にして、温度検出と温度測定が行われ、所望の温度測定結果が得られるまで、ヒータ１４０による熱板１３２の加熱量の自動調整、温度検出及び温度測定が繰り返される。所望の温度測定結果が得られると、温度検出が終了する。

（７．加熱領域１２２に位置する冷却板１６０への受け渡し）
温度検出が終了すると、測定用ウェハ２０１が冷却板１６０に戻される。具体的には、冷却板１６０が加熱領域１２２に再移動されると共に、測定用ウェハ２０１が加熱領域１２２に位置する冷却板１６０に載置される。より具体的には、まず、昇降ピン１４１が上昇し、熱板１３２上の測定用ウェハ２０１が昇降ピン１４１に受け渡され上昇する。その後、冷却板１６０が加熱領域１２２に移動され、測定用ウェハ２０１と熱板１３２との間に挿入される。そして、昇降ピン１４１が下降して、測定用ウェハ２０１が冷却板１６０に載置される。

（８．測定用ウェハ２０１の冷却）
次いで、測定用ウェハ２０１が冷却板１６０により冷却される。具体的には、測定用ウェハ２０１が載置された冷却板１６０が冷却領域１２３に移動され、冷却領域１２３内で、測定用ウェハ２０１が冷却板１６０により冷却される。測定用ウェハ２０１は、例えば室温まで冷却される。

（９．取り外し）
冷却後、ウェハ搬送領域Ｄに進入した作業員により、測定用ウェハ２０１が冷却板１６０から除去されると共に、情報処理部２０２が取付部材２０３と共に、隔壁Ｆから取り外される。

以上の各工程は、熱処理装置４０毎に順に行われる。なお、温度測定ユニット２００を複数用意して、熱処理装置４０についての温度測定を複数並行して行うようにしてもよい。

本実施形態にかかる温度測定方法では、上述のように温度測定ユニット２００を用いる。この温度測定ユニット２００は、測定用ウェハ２０１に搭載された温度センサ２１１と該温度センサ２１１による検出結果を取得する情報処理部２０２とを接続するケーブル２０４を有している。そして、ケーブル２０４が、隔壁Ｆに着脱自在に情報処理部２０２が取り付けられた状態で、測定用ウェハ２０１が載置された冷却板１６０を冷却領域１２３から加熱領域１２２に移動させた後、測定用ウェハ２０１を熱板１３２に載置する際に、測定用ウェハ２０１の移動に追従可能に構成されている。
このような温度測定ユニット２００を用いることにより、情報処理部２０２を隔壁Ｆに取り付けて、測定用ウェハ２０１に搭載された温度センサ２１１による検出結果に基づいて、熱板１３２に加熱された測定用ウェハ２０１の温度を測定することができる。情報処理部２０２は、高温環境で故障または破損し得る部品（例えば、前述の筐体２２０内のＡ／Ｄコンバータや、プロセッサ、メモリ、通信ユニット、配線基板）を内蔵しているが、情報処理部２０２が取り付けられる隔壁Ｆが、冷却領域１２３を間に挟んで加熱領域１２２と対向し加熱領域１２２から離間しているため、熱板１３２が高温の場合であっても、上記部品が故障または破損することがない。
したがって、熱板１３２が高温の場合であっても、熱板１３２に加熱された測定用ウェハ２０１の温度を測定することができる。よって、熱板１３２が高温であっても低温であっても、熱板１３２で加熱したときのウェハＷの温度を模擬的に測定することができる。

本開示にかかる温度測定方法以外の温度測定方法としては、作業者が、ウェハ処理システム１の背面側のパネルを開けて、測定用ウェハ２０１と同様の測定用ウェハを熱板１３２に直接載置し温度測定を行い、測定後、作業者が、測定用ウェハを熱板１３２から直接除去する方法（以下、「代替方法」という。）が考えられる。この代替方法では、測定用ウェハの熱板１３２への載置時に、熱板１３２が設定温度まで加熱されていると、作業者が安全に作業することができない。そのため、例えば、測定用ウェハの熱板１３２への載置時には熱板１３２は室温とされ、載置後、熱板１３２の室温から設定温度までの昇温が行われる。この昇温には長時間を要するため、上記代替方法では短時間で安全に温度測定を行うことができない。

それに対し、本実施形態にかかる温度測定方法では、作業者が、測定用ウェハ２０１を、冷却領域１２３に位置する冷却板１６０に載置し、この冷却板１６０を介して熱板１３２に測定用ウェハ２０１が載置される。そのため、測定用ウェハ２０１を熱板１３２に載置する前から、熱板１３２を設定温度に加熱しておくことが可能である。したがって、本実施形態によれば、上記代替方法で必要であった、測定用ウェハ２０１の載置後の熱板１３２の昇温が不要となるため、短時間で安全に温度測定を行うことができる。

また、上記代替方法では、測定用ウェハの除去時に、熱板１３２及び測定用ウェハが設定温度まで加熱されていると、作業者が安全に作業することができない。そのため、例えば、温度測定後、熱板１３２及び測定用ウェハを室温まで降温させてから、測定用ウェハが熱板１３２から除去される。この降温には長時間を要するため、この観点においても、上記代替方法では短時間で安全に温度測定を行うことができない。

それに対し、本実施形態にかかる温度測定方法では、測定用ウェハ２０１が冷却板１６０により冷却された後、冷却領域１２３に位置する冷却板１６０から、作業者によって、測定用ウェハ２０１が除去される。そのため、上記代替方法では必要であった、温度測定後の熱板１３２の降温が不要となり、また、測定用ウェハ２０１の室温までの降温すなわち冷却を短時間で行うことができる。したがって、本実施形態によれば、短時間で安全に温度測定を行うことができる。

さらに、上記代替方法では、作業者が、ウェハ処理システム１の背面側から作業を行う。ウェハ処理システム１の背面側には十分なスペースがないことが多く、ウェハ処理システム１の背面側からの作業は作業性が悪く、また、作業者が、対象の熱処理装置４０の近傍まで移動するのが難しい。それに対し、本実施形態に係る温度測定方法では、作業者が、ウェハ処理システム１のウェハ搬送領域Ｄから作業を行う。ウェハ搬送領域Ｄには十分なスペースが確保されているため、ウェハ搬送領域Ｄからの作業は、上記背面側からの作業に比べて作業性が良く、また、作業者が、対象の熱処理装置４０の近傍まで容易に移動することができる。

さらに、本実施形態によれば、温度測定に要する時間を上記代替方法に比べて５０時間以上短縮することができる。
また、本実施形態によれば、温度測定を短時間で行うことができるため、温度測定に要する時間を含む、熱処理装置４０における熱板１３２の加熱量の自動調整に要する時間も、短縮することができる。

＜温度測定ユニットの他の例＞
続いて、温度測定ユニットの他の例を説明する。図１１は、温度測定ユニットの他の例の概略を示す側面図であり、熱処理装置４０に取り付けられた状態を示し、熱処理装置４０については、温度測定にかかる要部のみを縦断面で部分的に示している。なお、図１１において、後述のガイドプレート３０１の一部のみ断面で示している。図１２は、温度測定ユニットの他の例の概略を示す平面図である。図１３～図１６は、図１１及び図１２の例の温度測定ユニットの効果を説明するための図である。

図１１の温度測定ユニット３００は、測定用ウェハ２０１、情報処理部２０２、取付部材２０３及びケーブル２０４に加えて、介在部材としてのガイドプレート３０１を有する。

ガイドプレート３０１は、冷却板１６０に対して位置決めされて載置される。
測定用ウェハ２０１は、このガイドプレート３０１を介して、冷却板１６０に載置される。言い換えると、測定用ウェハ２０１は、冷却板１６０との間にガイドプレート３０１を挟んで、冷却板１６０に載置される。
また、測定用ウェハ２０１は、ガイドプレート３０１を介して、冷却板１６０により冷却される。具体的には、測定用ウェハ２０１は、冷却板１６０によって冷却されたガイドプレート３０１により冷却される。

ガイドプレート３０１の冷却板１６０に対する位置決めは、冷却板１６０に形成された切り欠き（図示せず）と、ガイドプレート３０１の下面に形成され下方に突出する位置決め突起（図示せず）との嵌合により、行われる。上記切り欠きと上記位置決め突起の組み合わせは複数設けられていてもよい。
また、ガイドプレート３０１は、熱伝導率が高い材料（例えばステンレス等の金属材料）を用いて形成される。

ガイドプレート３０１は、図１１及び図１２に示すように、当該ガイドプレート３０１に対し測定用ウェハ２０１を位置決めするガイドとしてのガイドピン３１０を複数有する。そのため、測定用ウェハ２０１を、ガイドプレート３０１を介して、冷却板１６０に載置すると、測定用ウェハ２０１は冷却板１６０に対し位置決めされる。したがって、測定用ウェハ２０１を、冷却板１６０により、熱板１３２の上方に搬送するときに、測定用ウェハ２０１を所望の位置に搬送することができる。その結果、測定用ウェハ２０１を熱板１３２における所望の位置に確実に載置することができる。すなわち、測定用ウェハ２０１を熱板１３２に対して位置決めして熱板１３２に載置することができる。より具体的には、測定用ウェハ２０１を熱板１３２に載置したときの、所望の位置からの水平方向のずれ量を所定の範囲内に抑えることができる。

ところで、熱板１３２には、当該熱板１３２における所望の位置にウェハＷをガイドするガイド突起（図示せず）が設けられることがある。ガイドプレート３０１にガイドピン３１０を設けておくことで、測定用ウェハ２０１を熱板１３２に載置したときに、上記ガイド突起に測定用ウェハ２０１が乗り上げるのを防ぐことができる。

また、ガイドプレート３０１には、図１１に示すように、厚さ方向に貫通する貫通孔３１１が複数形成されている。各貫通孔３１１には、支持ピン１６７が挿通される。ガイドプレート３０１が冷却板１６０に載置されたときに、貫通孔３１１を介してガイドプレート３０１の上面から支持ピン１６７の頂部が突出する。このように頂部が突出した複数の支持ピン１６７で、測定用ウェハ２０１が支持される。

なお、ガイドプレート３０１の冷却板１６０に対する位置決めを、貫通孔３１１と支持ピン１６７との係合により行ってもよい。

この貫通孔３１１を有するガイドプレート３０１を用いることにより、冷却板１６０による測定用ウェハ２０１の冷却効率が低下するのを防ぎながら、図１３に示すように支持ピン１６７の頂部からのケーブル２０４の垂れ量を減少させることができる。図１４に示すようにガイドプレート３０１が設けられておらず上記垂れ量が大きいと、冷却板１６０を移動させたときに、ケーブル２０４における支持ピン１６７の頂部から垂れた部分が上方に逃げることができない場合がある。その結果、支持ピン１６７からケーブル２０４に大きな力が作用し、ケーブル２０４が破損することがある。それに対し、ガイドプレート３０１が用いられ上述のように上記垂れ量が小さいと、冷却板１６０を移動させたときに、ケーブル２０４における支持ピン１６７の頂部から垂れた部分は上方に逃げるため、支持ピン１６７からケーブル２０４に大きな力が作用することがなく、ケーブル２０４が破損することがない。

また、上記垂れ量が大きいと、測定用ウェハ２０１を昇降ピン１４１で支持した状態で、冷却板１６０を熱板１３２から離間するように移動させていくときに、冷却板１６０の移動に伴ってケーブル２０４も移動してしまい、測定用ウェハ２０１が昇降ピン１４１上で動いてしまうことがある。このように測定用ウェハ２０１が動いてしまうと、測定用ウェハ２０１を熱板１３２における所望の位置に載置できなくなることがある。それに対し、上記垂れ量が小さいと、測定用ウェハ２０１を昇降ピン１４１で支持した状態で、冷却板１６０を同様に移動させていくときに、冷却板１６０の移動に伴ってケーブル２０４が移動することがないため、測定用ウェハ２０１が昇降ピン１４１上で動いてしまうこともない。

さらに、ガイドプレート３０１が、支持ピン１６７が貫通する程度に薄いため、ガイドプレート３０１は低熱容量である。したがって、測定用ウェハ２０１を、ガイドプレート３０１を介して、冷却板１６０によって効率的に冷却することができる。

熱容量の観点では、ガイドプレート３０１は、冷却板１６０よりも薄いことが好ましい。具体的には、ガイドプレート３０１の板状部分は、冷却板１６０の板状部分よりも薄いことが好ましい。これにより、ガイドプレート３０１の熱容量を小さくすることができる。その結果、測定用ウェハ２０１を、ガイドプレート３０１を介して、冷却板１６０によって効率的に冷却することができる。

また、図１１に示すように、ガイドプレート３０１の上面に、上方に突出する凸部３１２を複数形成し、この複数の凸部３１２で、測定用ウェハ２０１を支持するようにしてもよい。
このように複数の凸部３１２で測定用ウェハ２０１を支持したり、貫通孔３１１を介してガイドプレート３０１の上面から突出した複数の支持ピン１６７で測定用ウェハ２０１を支持したりすることで、ガイドプレート３０１と測定用ウェハ２０１との接触面積を減らすことができる。したがって、熱板１３２で加熱された測定用ウェハ２０１がガイドプレート３０１により急冷されて破損するのを防止することができる。

なお、凸部３１２の高さは、凸部３１２の頂部からのケーブル２０４の垂れ量が、ガイドプレート３０１を用いない場合の支持ピン１６７の頂部からのケーブル２０４の垂れ量より小さくなるように、設定される。例えば、凸部３１２の高さは、凸部３１２の頂部が支持ピン１６７の頂部と略同じ高さとなるように設定される。

さらに、図１１及び図１２に示すように、ガイドプレート３０１の加熱領域１２２側の端部に、巻き込み防止部としての返し３１４を設けてもよい。返し３１４は、ガイドプレート３０１の上面から連続し且つガイドプレート３０１の一端から斜め下方に延びる斜面３１４ａを有する。

このような返し３１４を有するガイドプレート３０１が用いられないと、図１５に示すように、昇降ピン１４１に支持された測定用ウェハ２０１と熱板１３２との間に、冷却板１６０を挿入するときに、自重等により垂れていたケーブル２０４が、冷却板１６０と熱板１３２との間に巻き込まれる場合がある。このように巻き込まれると、ケーブル２０４や、温度測定ユニット３００の他の構成要素が破損してしまったり、熱処理装置４０の筐体１２０内が汚染されてしまったりする。

それに対し、図１６に示すように返し３１４を有するガイドプレート３０１を用いると、測定用ウェハ２０１と熱板１３２との間に冷却板１６０を挿入するときに、ケーブル２０４が垂れていても（点線参照）、冷却板１６０の挿入に伴ってケーブル２０４が斜面３１４ａに沿って上昇する（実線参照）。そのため、冷却板１６０と熱板１３２との間にケーブル２０４が巻き込まれることがない。したがって、ケーブル２０４の巻き込みに起因する、温度測定ユニット３００の破損や熱処理装置４０の筐体１２０内の汚染が生じるのを防ぐことができる。

また、返し３１４は以下のように形成される。すなわち、返し３１４は、ガイドプレート３０１が冷却板１６０に載置されたときに、返し３１４の下端が冷却板１６０の下面の上方に位置するように、形成される。これにより、冷却板１６０が加熱領域に移動される際に、返し３１４が熱板１３２等に衝突するのを防止することができる。
さらに、返し３１４は、ガイドプレート３０１が冷却板１６０に載置されたときに、返し３１４の下端が冷却板１６０の上面の下方に位置するように、形成される。これにより、冷却板１６０と熱板１３２との間にケーブル２０４が巻き込まれるのを、より確実に防ぐことができる。

ガイドプレート３０１を用いる場合、例えば、測定用ウェハ２０１が載置された状態のガイドプレート３０１を冷却板１６０に載置することで、測定用ウェハ２０１はガイドプレートを介して冷却板１６０に載置される。

なお、ガイドプレート３０１は例えば作業者が把持する把持部が設けられていてもよい。このように把持部を設けることで、作業者が、ウェハ搬送領域Ｄから開口Ｆ１及び搬入出口１２１を介して、冷却板１６０にガイドプレート３０１を容易に載置することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

４０ 熱処理装置
１２２ 加熱領域
１２３ 冷却領域
１３２ 熱板
１６０ 冷却板
２００、３００ 温度測定ユニット
２０１ 測定用ウェハ
２０２ 情報処理部
２０４ ケーブル
２１１ 温度センサ
Ｆ 隔壁
Ｗ ウェハ

Claims (11)

1. 温度を測定するセンサが搭載された測定用基板と、
   前記センサによる検出結果を取得する情報処理部と、
   前記センサと前記情報処理部とを接続するケーブルと、を有し、
   前記情報処理部は、熱板が設けられた加熱領域と冷却領域を間に挟んで対向する被取付部に、着脱自在に取り付け可能に構成され、
   前記ケーブルは、前記被取付部に前記情報処理部が取り付けられた状態で、前記測定用基板が載置された冷却板を前記冷却領域から前記加熱領域に移動させて、前記測定用基板を前記熱板に載置する際に、前記測定用基板の移動に追従可能に構成されている、温度測定ユニット。
2. 前記被取付部は、前記冷却板が移動する方向と直交する方向に延在すると共に、前記加熱領域と前記冷却領域とを有する熱処理装置を支持する支持部材である、請求項１に記載の温度測定ユニット。
3. 前記支持部材は、基板を搬送する基板搬送装置が設けられた基板搬送領域を囲む隔壁であり、基板が通過する開口を有し、
   前記情報処理部は、前記基板搬送領域に位置するように取り付けられる、請求項２に記載の温度測定ユニット。
4. 前記冷却板に対し位置決めされて載置される介在部材をさらに有し、
   前記測定用基板は、前記介在部材を介して前記冷却板に載置され、
   前記介在部材は、当該介在部材に対し前記測定用基板を位置決めするガイドを有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の温度測定ユニット。
5. 前記介在部材は、その上面に、前記測定用基板を支持する複数の凸部を有する、請求項４に記載の温度測定ユニット。
6. 前記介在部材は、冷却板よりも薄い、請求項４または５に記載の温度測定ユニット。
7. 前記介在部材は、前記加熱領域に位置する前記測定用基板と前記熱板との間に、前記介在部材が載置された前記冷却板を挿入するときに、該冷却板と前記熱板との間に前記ケーブルが巻き込まれることを防止する巻き込み防止部を有する、請求項４～６のいずれか１項に記載の温度測定ユニット。
8. 基板を熱処理する熱処理装置であって、
   熱板及び冷却板と、
   温度測定ユニットと、を備え、
   前記温度測定ユニットは、
   温度を測定するセンサが搭載された測定用基板と、
   前記センサの検出結果を取得する情報処理部と、
   前記センサと前記情報処理部とを接続するケーブルと、を有し、
   前記情報処理部は、前記熱板が設けられた加熱領域と冷却領域を間に挟んで対向する被取付部に、着脱自在に取り付け可能に構成され、
   前記ケーブルは、前記被取付部に前記情報処理部が取り付けられた状態で、前記測定用基板が載置された前記冷却板を前記冷却領域から前記加熱領域に移動させて、前記測定用基板を前記熱板に載置する際に、前記測定用基板の移動に追従可能に構成されている、熱処理装置。
9. 温度測定ユニットを用いて温度を測定する温度測定方法であって、
   前記温度測定ユニットは、
   センサが搭載された測定用基板と、
   前記センサの検出結果を取得する情報処理部と、
   前記センサと前記情報処理部とを接続するケーブルと、を有し、
   熱板が設けられた加熱領域と冷却領域を間に挟んで対向する被取付部に、前記情報処理部を取り付ける工程と、
   前記測定用基板を、前記冷却領域に位置する冷却板に載置する工程と、
   前記測定用基板を、前記冷却板により前記加熱領域に移動させ、前記熱板に受け渡す工程と、
   前記センサにより温度を検出する工程と、を含む、温度測定方法。
10. 前記測定用基板を前記冷却板に戻す工程と、
    前記冷却板により前記測定用基板を冷却する工程と、を含む、請求項９に記載の温度測定方法。
11. 前記測定用基板の冷却後、前記冷却領域に位置する前記冷却板から前記測定用基板を除去する工程と、を含む、請求項１０に記載の温度測定方法。

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