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JP7433340B2 - Solar cells, solar devices and solar modules - Google Patents
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Description

本発明は、太陽電池セル、およびそれを備える太陽電池デバイス、並びにそれを備える太陽電池モジュールに関する。 The present invention relates to a solar cell, a solar cell device including the same, and a solar cell module including the same.

昨今、両面電極型の太陽電池セルをモジュール化する場合、導電性の接続線を用いることなく、太陽電池セルの一部同士を重ね合わせることで、直接、電気的かつ物理的に接続を行う方式が存在する。このような接続方式はシングリング方式と称され、シングリング方式で電気的に接続された複数の太陽電池セルは太陽電池ストリング(太陽電池デバイス)と称される(例えば、特許文献1参照)。 Recently, when modularizing double-sided electrode type solar cells, a method is used that directly electrically and physically connects parts of the solar cells by overlapping them without using conductive connection wires. exists. Such a connection method is called a shingling method, and a plurality of solar cells electrically connected by the shingling method is called a solar cell string (solar cell device) (for example, see Patent Document 1).

太陽電池ストリング(太陽電池デバイス)では、太陽電池モジュールにおける限られた太陽電池セル実装面積に、より多くの太陽電池セルが実装可能になり、光電変換のための受光面積が増え、太陽電池モジュールの出力が向上する。また、太陽電池ストリング(太陽電池デバイス)では、太陽電池セル間に隙間が生じず、太陽電池モジュールの意匠性が向上する。 In solar cell strings (solar cell devices), more solar cells can be mounted in the limited solar cell mounting area of a solar cell module, increasing the light receiving area for photoelectric conversion and increasing the number of solar cell modules. Output is improved. Furthermore, in the solar cell string (solar cell device), no gaps are created between the solar cells, and the design of the solar cell module is improved.

出力向上および意匠性向上の観点から、裏面電極型の太陽電池セルをモジュール化する場合にも、シングリング方式を用いて太陽電池セルの一部同士を重ね合わせて接続することが検討されている(例えば、特許文献2参照)。 In order to improve output and design, even when modularizing back-electrode type solar cells, using the shingling method to connect parts of the solar cells by overlapping each other is being considered. (For example, see Patent Document 2).

特開2017-517145号公報Japanese Patent Application Publication No. 2017-517145 特表2015-534288号公報Special table 2015-534288 publication

裏面電極型の太陽電池セルをシングリング方式を用いて接続する場合、段差を有する裏面電極同士を接続するために導電性の接続線等を用いる必要がある。例えば、特許文献2の図3Bには、略U字状に折り曲げられた接続線材を用いて、裏面電極型の太陽電池セル同士を接続する技術が開示されている。この技術では、接続線材を略U字状に折り曲げる作業、および太陽電池セル間に接続線材を配置する作業等に起因して、太陽電池モジュールの接続に手間がかかる。 When connecting back electrode type solar cells using the shingling method, it is necessary to use a conductive connection line or the like to connect the back electrodes having a step. For example, FIG. 3B of Patent Document 2 discloses a technique for connecting back electrode type solar cells using a connecting wire bent into a substantially U-shape. With this technique, it takes time and effort to connect the solar cell modules due to the work of bending the connection wire into a substantially U-shape and the work of arranging the connection wire between the solar cells.

本発明は、シングリング方式を用いて太陽電池セルの一部同士を重ね合わせて接続する場合に、この接続を簡易化できる太陽電池セル、太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュールを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a solar cell, a solar cell device, and a solar cell module that can simplify the connection when parts of the solar cells are overlapped and connected using the shingling method. do.

本発明に係る太陽電池セルは、半導体基板と、前記半導体基板に積層された第1導電型半導体層および第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層それぞれに対応した第1電極層および第2電極層とを備える太陽電池セルであって、前記第1電極層の少なくとも一部は、前記半導体基板の一方主面において第1方向における一方端部に配置されており、前記第2電極層の少なくとも一部は、前記半導体基板の前記一方主面において前記第1方向における他方端部に配置されており、前記半導体基板の前記一方端部には、切り欠き部または開孔が形成されており、前記第1電極層の少なくとも一部と、前記切り欠き部または前記開孔とは、前記第1方向と交差する第2方向に延びる直線上に配置されている。 The solar cell according to the present invention includes a semiconductor substrate, a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer stacked on the semiconductor substrate, and the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. A solar cell comprising a first electrode layer and a second electrode layer corresponding to each other, wherein at least a portion of the first electrode layer is located at one end in the first direction on one main surface of the semiconductor substrate. at least a portion of the second electrode layer is located at the other end in the first direction on the one main surface of the semiconductor substrate, and at the one end of the semiconductor substrate, A notch or an opening is formed, and at least a portion of the first electrode layer and the notch or the opening are arranged on a straight line extending in a second direction intersecting the first direction. has been done.

本発明に係る太陽電池デバイスは、隣り合う太陽電池セルのうちの一方の太陽電池セルの第1方向における一方端部が、前記隣り合う太陽電池セルのうちの他方の太陽電池セルの前記第1方向における他方端部の下に重なるように、シングリング方式を用いて配置された、上記した複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルを電気的に接続する配線部材と、を備え、前記配線部材は、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部に沿って、前記第1方向と交差する第2方向に延びる直線上に配置され、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の第1電極層の少なくとも一部に接続されるとともに、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔を介して、前記他方の太陽電池セルの前記他方端部の第2電極層の少なくとも一部に接続される。 In the solar cell device according to the present invention, one end in the first direction of one of the adjacent solar cells is the first end of the other solar cell of the adjacent solar cells. A plurality of the above-described solar cells arranged using a shingling method so as to overlap under the other end in the direction, and a wiring member that electrically connects the plurality of solar cells, The wiring member is arranged on a straight line extending in a second direction intersecting the first direction along the one end of the one solar cell, and is arranged along the one end of the one solar cell. The second electrode layer is connected to at least a portion of the first electrode layer, and is connected to the second electrode layer at the other end of the other solar cell through the notch or opening at the one end of the one solar cell. Connected to at least a portion of the electrode layer.

本発明に係る他の太陽電池デバイスは、隣り合う太陽電池セルのうちの一方の太陽電池セルの第1方向における一方端部が、前記隣り合う太陽電池セルのうちの他方の太陽電池セルの前記第1方向における他方端部の下に重なるように、シングリング方式を用いて配置された、上記した複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルを電気的に接続する接着部材と、を備え、前記接着部材は、ペースト状の接着部材からなり、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔において、前記他方の太陽電池セルの前記他方端部の第2電極層の少なくとも一部に配置されて接続されるとともに、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の第1電極層の少なくとも一部に盛り上がって接続される。 In another solar cell device according to the present invention, one end of one of the adjacent solar cells in the first direction is located at the end of the other solar cell of the adjacent solar cells. The plurality of solar cells described above are arranged using a shingling method so as to overlap under the other end in the first direction, and the adhesive member electrically connects the plurality of solar cells. The adhesive member is made of a paste-like adhesive member, and the second electrode at the other end of the other solar cell is connected to the second electrode at the other end of the other solar cell at the notch or opening at the one end of the one solar cell. It is disposed and connected to at least a portion of the layer, and is raised and connected to at least a portion of the first electrode layer at the one end of the one solar cell.

本発明に係る太陽電池モジュールは、上記した1または複数の太陽電池デバイスを備える。 A solar cell module according to the present invention includes one or more solar cell devices described above.

本発明によれば、シングリング方式を用いて裏面電極型の太陽電池セルの一部同士を重ね合わせて接続する場合に、この接続を簡易化できる。 According to the present invention, when connecting some of the back electrode type solar cells by overlapping each other using the shingling method, this connection can be simplified.

第1実施形態に係る太陽電池デバイスを備える太陽電池モジュールを裏面側からみた図である。FIG. 1 is a diagram of a solar cell module including a solar cell device according to a first embodiment, viewed from the back side. 図1に示す太陽電池モジュールのII-II線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of the solar cell module shown in FIG. 1. FIG. 第1実施形態に係る太陽電池セルを裏面側からみた図である。FIG. 2 is a diagram of the solar cell according to the first embodiment seen from the back side. 図3に示す太陽電池セルのIV-IV線断面図である。4 is a sectional view taken along the line IV-IV of the solar cell shown in FIG. 3. FIG. 図3および図4に示す太陽電池セルを含む大判半導体ウェハの一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a large-sized semiconductor wafer including the solar cells shown in FIGS. 3 and 4. FIG. 図1に示す太陽電池デバイスのVI-VI線断面図である。2 is a sectional view taken along the line VI-VI of the solar cell device shown in FIG. 1. FIG. 変形例に係る太陽電池デバイスのVI-VI線相当の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to line VI-VI of a solar cell device according to a modification. 変形例に係る太陽電池デバイスのVI-VI線相当の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to line VI-VI of a solar cell device according to a modification. 変形例に係る太陽電池デバイスのVI-VI線相当の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to line VI-VI of a solar cell device according to a modification. 変形例に係る太陽電池デバイスのVI-VI線相当の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view corresponding to line VI-VI of a solar cell device according to a modification. 第1実施形態の変形例に係る太陽電池デバイスを備える太陽電池モジュールを裏面側からみた図である。It is a figure which looked at the solar cell module provided with the solar cell device based on the modification of 1st Embodiment from the back surface side. 第1実施形態の変形例に係る太陽電池セルを裏面側からみた図である。It is a figure which looked at the solar battery cell concerning the modification of a 1st embodiment from the back side. 図8に示す太陽電池セルを含む大判半導体ウェハの一例を示す図である。9 is a diagram showing an example of a large-sized semiconductor wafer including the solar cell shown in FIG. 8. FIG. 第2実施形態に係る太陽電池デバイスを備える太陽電池モジュールを裏面側からみた図である。FIG. 7 is a diagram of a solar cell module including a solar cell device according to a second embodiment, viewed from the back side. 図10に示す太陽電池モジュールのXI-XI線断面図である。11 is a sectional view taken along the line XI-XI of the solar cell module shown in FIG. 10. FIG. 第2実施形態に係る太陽電池セルを裏面側からみた図である。It is a figure which looked at the solar battery cell concerning a 2nd embodiment from the back side. 図12に示す太陽電池セルを含む大判半導体ウェハの一例を示す図である。13 is a diagram showing an example of a large-sized semiconductor wafer including the solar cell shown in FIG. 12. FIG.

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態の一例について説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、便宜上、ハッチングや部材符号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。 Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, the same reference numerals are given to the same or corresponding parts in each drawing. Further, for convenience, hatching, member symbols, etc. may be omitted, but in such cases, other drawings shall be referred to.

[第1実施形態]
<太陽電池モジュール>
図1は、第1実施形態に係る太陽電池デバイスを備える太陽電池モジュールを裏面側からみた図であり、図2は、図1に示す太陽電池モジュールのII-II線断面図である。図1では、後述する受光側保護部材3、裏側保護部材4および封止材5が省略されており、配線部材50を透かして示す。また、図1および図2、並びに後述する図面には、XY直交座標系が示されている。XY平面は太陽電池モジュールの受光面および裏面に沿う面である。
[First embodiment]
<Solar cell module>
FIG. 1 is a diagram of a solar cell module including the solar cell device according to the first embodiment, viewed from the back side, and FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II of the solar cell module shown in FIG. 1. In FIG. 1, a light-receiving side protection member 3, a backside protection member 4, and a sealing material 5, which will be described later, are omitted, and the wiring member 50 is shown transparently. Further, an XY orthogonal coordinate system is shown in FIGS. 1 and 2 and in the drawings to be described later. The XY plane is a plane along the light receiving surface and the back surface of the solar cell module.

図1および図2に示すように、太陽電池モジュール100は、複数の裏面電極型(裏面接合型、バックコンタクト型とも称される)の太陽電池セル2をシングリング方式を用いて電気的に接続する太陽電池デバイス(太陽電池ストリングとも称される)1を含む。 As shown in FIGS. 1 and 2, a solar cell module 100 electrically connects a plurality of back electrode type (also referred to as back bonding type or back contact type) solar cells 2 using a shingling method. A solar cell device (also referred to as a solar cell string) 1 is included.

太陽電池デバイス1は、受光側保護部材3と裏側保護部材4とによって挟み込まれている。受光側保護部材3と裏側保護部材4との間には、液体状または固体状の封止材5が充填されており、これにより、太陽電池デバイス1は封止される。 The solar cell device 1 is sandwiched between a light-receiving side protection member 3 and a back side protection member 4. A liquid or solid sealing material 5 is filled between the light-receiving side protection member 3 and the back side protection member 4, whereby the solar cell device 1 is sealed.

封止材5は、太陽電池デバイス1、すなわち太陽電池セル2を封止して保護するもので、太陽電池セル2の受光側の面と受光側保護部材3との間、および、太陽電池セル2の裏側の面と裏側保護部材4との間に介在する。封止材5の形状としては、特に限定されるものではなく、例えばシート状が挙げられる。シート状であれば、面状の太陽電池セル2の表面および裏面を被覆しやすいためである。 The sealing material 5 seals and protects the solar cell device 1, that is, the solar cell 2, and is used between the light-receiving side surface of the solar cell 2 and the light-receiving side protection member 3, and between the solar cell device 1, that is, the solar cell 2. 2 and the back side protection member 4. The shape of the sealing material 5 is not particularly limited, and examples thereof include a sheet shape. This is because if it is in a sheet shape, it is easy to coat the front and back surfaces of the planar solar cell 2.

封止材5の材料としては、特に限定されるものではないが、光を透過する特性(透光性)を有すると好ましい。また、封止材5の材料は、太陽電池セル2と受光側保護部材3と裏側保護部材4とを接着させる接着性を有すると好ましい。このような材料としては、例えば、エチレン/酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン/α-オレフィン共重合体、エチレン/酢酸ビニル/トリアリルイソシアヌレート(EVAT)、ポリビニルブチラート(PVB)、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、または、シリコーン樹脂等の透光性樹脂が挙げられる。 The material of the sealing material 5 is not particularly limited, but preferably has a property of transmitting light (translucency). Moreover, it is preferable that the material of the sealing material 5 has an adhesive property that allows the solar cell 2, the light-receiving side protection member 3, and the back side protection member 4 to be bonded together. Examples of such materials include ethylene/vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene/α-olefin copolymer, ethylene/vinyl acetate/trialyl isocyanurate (EVAT), polyvinyl butyrate (PVB), and acrylic. Transparent resins such as resins, urethane resins, and silicone resins may be used.

受光側保護部材3は、封止材5を介して、太陽電池デバイス1、すなわち太陽電池セル2の表面(受光面)を覆って、その太陽電池セル2を保護する。受光側保護部材3の形状としては、特に限定されるものではないが、面状の受光面を間接的に覆う点から、板状またはシート状が好ましい。 The light-receiving side protection member 3 covers the surface (light-receiving surface) of the solar cell device 1, that is, the solar cell 2, via the sealing material 5, and protects the solar cell 2. Although the shape of the light-receiving side protection member 3 is not particularly limited, a plate-like or sheet-like shape is preferable since it indirectly covers the planar light-receiving surface.

受光側保護部材3の材料としては、特に限定されるものではないが、封止材5同様に、透光性を有しつつも紫外光に耐性の有る材料が好ましく、例えば、ガラス、または、アクリル樹脂若しくはポリカーボネート樹脂等の透明樹脂が挙げられる。また、受光側保護部材3の表面は、凹凸状に加工されていても構わないし、反射防止コーティング層で被覆されていても構わない。これらのようになっていると、受光側保護部材3は、受けた光を反射させ難くして、より多くの光を太陽電池デバイス1に導けるためである。 The material for the light-receiving side protection member 3 is not particularly limited, but like the sealing material 5, it is preferably a material that is transparent but resistant to ultraviolet light, such as glass or Examples include transparent resins such as acrylic resins and polycarbonate resins. Further, the surface of the light-receiving side protection member 3 may be processed into an uneven shape, or may be coated with an antireflection coating layer. This is because the light-receiving side protection member 3 makes it difficult to reflect the received light and guides more light to the solar cell device 1.

裏側保護部材4は、封止材5を介して、太陽電池デバイス1、すなわち太陽電池セル2の裏面を覆って、その太陽電池セル2を保護する。裏側保護部材4の形状としては、特に限定されるものではないが、受光側保護部材3同様に、面状の裏面を間接的に覆う点から、板状またはシート状が好ましい。 The backside protection member 4 covers the backside of the solar cell device 1, that is, the solar cell 2, via the sealing material 5 to protect the solar cell 2. The shape of the backside protection member 4 is not particularly limited, but like the light-receiving side protection member 3, a plate-like or sheet-like shape is preferable since it indirectly covers the planar backside.

裏側保護部材4の材料としては、特に限定されるものではないが、水等の浸入を防止する(遮水性の高い)材料が好ましい。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン(PE)、オレフィン系樹脂、含フッ素樹脂、若しくは含シリコーン樹脂等の樹脂フィルム、またはガラス、ポリカーボネート、アクリル等の透光性を有する板状の樹脂部材と、アルミニウム箔等の金属箔との積層体が挙げられる。 The material for the backside protection member 4 is not particularly limited, but it is preferably a material that prevents water from entering (has high water impermeability). For example, a resin film such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), olefin resin, fluorine-containing resin, or silicone-containing resin, or a plate-shaped resin member having translucency such as glass, polycarbonate, or acrylic; Examples include laminates with metal foils such as aluminum foils.

<<太陽電池デバイス>>
太陽電池デバイス1では、太陽電池セル2の端部の一部が重なり合うことにより、太陽電池セル2が直列に接続される。具体的には、隣り合う太陽電池セル2,2のうちの一方の太陽電池セル2のY方向(第1方向)における一方端側(例えば図2において右端側)の受光面側(例えば後述する一方主面側と反対の他方主面側)の一部は、他方の太陽電池セル2のY方向における他方端側(上述の一方端側と反対の他方端側、例えば図2において左端側)の裏面側(例えば一方主面側)の一部の下に重なる。
<<Solar cell device>>
In the solar cell device 1, the solar cells 2 are connected in series by partially overlapping the ends of the solar cells 2. Specifically, the light-receiving surface side (for example, the right end side in FIG. 2) of one of the adjacent solar cells 2, 2 in the Y direction (first direction) A part of the other solar cell 2 in the Y direction (the other end side opposite to the above-mentioned one end side, for example, the left end side in FIG. 2) It overlaps with a part of the back surface side (for example, one main surface side).

このように、瓦を屋根に葺いたように、複数の太陽電池セル2が一様にある方向にそろって傾く堆積構造となることから、このようにして太陽電池セル2を電気的に接続する方式を、シングリング方式と称する。また、ひも状につながった複数の太陽電池セル2を、太陽電池ストリング(太陽電池デバイス)と称する。以下では、隣り合う太陽電池セル2,2が重なり合う領域を、重ね合わせ領域Roという。 In this way, the plurality of solar cells 2 are piled up and tilted uniformly in a certain direction, similar to a roof covered with tiles, so the solar cells 2 are electrically connected in this way. This method is called the shingling method. Moreover, a plurality of solar cells 2 connected in a string shape is referred to as a solar cell string (solar cell device). Below, the area where adjacent solar cells 2, 2 overlap will be referred to as an overlapping area Ro.

隣り合う太陽電池セル2,2は、重ね合わせ領域Roにおいて、配線部材50を介して接着される(詳細は後述する)。配線部材50としては、タブ等の公知のインターコネクタが用いられる。例えば、配線部材50としては、低融点金属またははんだを被覆した銅芯材からなるリボン線、低融点金属粒子または金属微粒子を内包した熱硬化性樹脂フィルムで形成された導電性フィルム、或いは複数本の導電性の素線を編んだ編物または織った織物により形成された部材(例えば、特開2016-219799号公報または特開2014-3161号公報参照)等が挙げられる。 Adjacent solar cells 2, 2 are bonded together via a wiring member 50 in the overlapping region Ro (details will be described later). As the wiring member 50, a known interconnector such as a tab is used. For example, the wiring member 50 may be a ribbon wire made of a copper core coated with a low melting point metal or solder, a conductive film made of a thermosetting resin film containing low melting point metal particles or metal fine particles, or a plurality of wires. Examples include members formed from knitted fabrics or woven fabrics made of conductive wires (see, for example, JP-A-2016-219799 or JP-A-2014-3161).

配線部材50と太陽電池セル2の電極部とは、導電性接着部材を介して接続される。導電性接着部材としては、低融点金属粒子または金属微粒子を内包した熱硬化性樹脂フィルムで形成された導電性フィルム、低融点金属微粒子若しくは金属微粒子とバインダーとで形成された導電性接着剤、または、はんだ粒子を含有するはんだペースト等が用いられる。
以下、太陽電池デバイス1における太陽電池セル2について説明する。
The wiring member 50 and the electrode portion of the solar cell 2 are connected via a conductive adhesive member. As the conductive adhesive member, a conductive film formed of a thermosetting resin film containing low melting point metal particles or metal fine particles, a conductive adhesive formed of low melting point metal particles or metal fine particles and a binder, or , solder paste containing solder particles, etc. are used.
The solar cell 2 in the solar cell device 1 will be described below.

<<<太陽電池セル>>>
図3は、図1および図2に示す太陽電池デバイス1における太陽電池セル2を裏面側からみた図である。太陽電池セル2は、一方主面側(例えば裏面側)と、その反対の他方主面側(例えば受光面側)の2つの主面を有する半導体基板11を備え、半導体基板11の一方主面において第1領域7と第2領域8とを有する。以下では、半導体基板11の主面のうちの受光する側の主面を受光面とし、半導体基板11の主面のうちの受光面の反対側の主面(一方主面)を裏面とする。
<<<Solar cell>>>
FIG. 3 is a diagram of the solar cell 2 in the solar cell device 1 shown in FIGS. 1 and 2, viewed from the back side. The solar cell 2 includes a semiconductor substrate 11 having two main surfaces: one main surface side (for example, a back surface side) and the other main surface side (for example, a light-receiving surface side) opposite thereto. It has a first region 7 and a second region 8. Hereinafter, the main surface of the semiconductor substrate 11 on the side that receives light will be referred to as a light-receiving surface, and the main surface of the semiconductor substrate 11 on the opposite side to the light-receiving surface (one main surface) will be referred to as a back surface.

第1領域7は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部7fと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部7bとを有する。バスバー部7bは、半導体基板11の一方端側の辺部に沿ってX方向(第2方向)に延在し、フィンガー部7fは、バスバー部7bから、X方向に交差するY方向(第1方向)に延在する。 The first region 7 has a so-called comb-shaped shape and includes a plurality of finger portions 7f corresponding to comb teeth and a bus bar portion 7b corresponding to a support portion of the comb teeth. The bus bar portion 7b extends in the X direction (second direction) along one side of the semiconductor substrate 11, and the finger portion 7f extends from the bus bar portion 7b in the Y direction (first direction) intersecting the X direction. direction).

同様に、第2領域8は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部8fと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部8bとを有する。バスバー部8bは、半導体基板11の一方端側の辺部に対向する他方端側の辺部に沿ってX方向に延在し、フィンガー部8fは、バスバー部8bからY方向に延在する。 Similarly, the second region 8 has a so-called comb-like shape and includes a plurality of finger portions 8f corresponding to comb teeth and a bus bar portion 8b corresponding to a support portion of the comb teeth. The bus bar portion 8b extends in the X direction along the side on the other end side opposite to the side on the one end side of the semiconductor substrate 11, and the finger portion 8f extends in the Y direction from the bus bar portion 8b.

フィンガー部7fとフィンガー部8fとは、Y方向に延在する帯状をなしており、X方向に交互に設けられている。
なお、第1領域7および第2領域8は、ストライプ状に形成されてもよい。
The finger portions 7f and 8f have a band shape extending in the Y direction, and are provided alternately in the X direction.
Note that the first region 7 and the second region 8 may be formed in a stripe shape.

図4は、図3に示す太陽電池セル2のIV-IV線断面図である。図4に示すように、太陽電池セル2は、半導体基板11の受光面側に順に積層された真性半導体層13および反射防止層15を備える。また、太陽電池セル2は、半導体基板11の裏面側の一部(主に、第1領域7)に順に積層された真性半導体層23、第1導電型半導体層25および第1電極層27を備える。また、太陽電池セル2は、半導体基板11の裏面側の他の一部(主に、第2領域8)に順に積層された真性半導体層33、第2導電型半導体層35および第2電極層37を備える。 FIG. 4 is a sectional view taken along the line IV-IV of the solar cell 2 shown in FIG. As shown in FIG. 4, the solar cell 2 includes an intrinsic semiconductor layer 13 and an antireflection layer 15 that are laminated in this order on the light-receiving surface side of the semiconductor substrate 11. The solar cell 2 also includes an intrinsic semiconductor layer 23, a first conductivity type semiconductor layer 25, and a first electrode layer 27, which are laminated in this order on a part of the back side of the semiconductor substrate 11 (mainly in the first region 7). Be prepared. The solar cell 2 also includes an intrinsic semiconductor layer 33, a second conductivity type semiconductor layer 35, and a second electrode layer, which are laminated in this order on another part of the back side of the semiconductor substrate 11 (mainly the second region 8). Equipped with 37.

半導体基板11は、単結晶シリコンまたは多結晶シリコン等の結晶シリコン材料で形成される。半導体基板11は、例えば結晶シリコン材料にn型ドーパントがドープされたn型の半導体基板である。n型ドーパントとしては、例えばリン(P)が挙げられる。
半導体基板11は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア(電子および正孔)を生成する光電変換基板として機能する。
Semiconductor substrate 11 is formed of a crystalline silicon material such as single crystal silicon or polycrystalline silicon. The semiconductor substrate 11 is, for example, an n-type semiconductor substrate in which a crystalline silicon material is doped with an n-type dopant. An example of the n-type dopant is phosphorus (P).
The semiconductor substrate 11 functions as a photoelectric conversion substrate that absorbs incident light from the light receiving surface side and generates optical carriers (electrons and holes).

半導体基板11の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力(照度によらず安定した出力)が得られる。 By using crystalline silicon as the material for the semiconductor substrate 11, dark current is relatively small, and even when the intensity of incident light is low, relatively high output (stable output regardless of illumination intensity) can be obtained.

真性半導体層13は、半導体基板11の受光面側に形成されている。真性半導体層23は、半導体基板11の裏面側の第1領域7に形成されている。真性半導体層33は、半導体基板11の裏面側の第2領域8に形成されている。真性半導体層13,23,33は、例えば真性(i型)アモルファスシリコン材料で形成される。真性半導体層13,23,33は、パッシベーション層として機能し、半導体基板11で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。 The intrinsic semiconductor layer 13 is formed on the light-receiving surface side of the semiconductor substrate 11. The intrinsic semiconductor layer 23 is formed in the first region 7 on the back side of the semiconductor substrate 11 . The intrinsic semiconductor layer 33 is formed in the second region 8 on the back side of the semiconductor substrate 11 . The intrinsic semiconductor layers 13, 23, and 33 are formed of, for example, an intrinsic (i-type) amorphous silicon material. The intrinsic semiconductor layers 13, 23, and 33 function as passivation layers, suppress recombination of carriers generated in the semiconductor substrate 11, and improve carrier recovery efficiency.

反射防止層15は、半導体基板11の受光面側の真性半導体層13上に形成されている。反射防止層15は、入射光の反射を防止する反射防止層として機能するとともに、半導体基板11の受光面側および真性半導体層13を保護する保護層として機能する。反射防止層15は、例えば酸化珪素(SiO)、窒化珪素(SiN)、または酸窒化珪素(SiON)のようなそれらの複合物等の絶縁体材料で形成される。 The antireflection layer 15 is formed on the intrinsic semiconductor layer 13 on the light-receiving surface side of the semiconductor substrate 11 . The antireflection layer 15 functions as an antireflection layer that prevents reflection of incident light, and also functions as a protective layer that protects the light-receiving surface side of the semiconductor substrate 11 and the intrinsic semiconductor layer 13 . The antireflection layer 15 is formed of an insulating material, such as silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), or a composite thereof, such as silicon oxynitride (SiON).

第1導電型半導体層25は、真性半導体層23上に、すなわち半導体基板11の裏面側の第1領域7に形成されている。すなわち、第1導電型半導体層25は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数のフィンガー部25fと、櫛歯の支持部に相当し、複数のフィンガー部25fの一端が接続されたバスバー部25bとを有する。バスバー部25bは、半導体基板11の一方端側の辺部に沿ってX方向に延在し、フィンガー部25fは、バスバー部25bからY方向に延在する。 The first conductive type semiconductor layer 25 is formed on the intrinsic semiconductor layer 23, that is, in the first region 7 on the back side of the semiconductor substrate 11. That is, the first conductive type semiconductor layer 25 has a so-called comb-shaped shape, and includes a plurality of finger portions 25f corresponding to comb teeth and a supporting portion of the comb teeth, with one end of the plurality of finger portions 25f connected to each other. and a bus bar portion 25b. The bus bar portion 25b extends in the X direction along one side of the semiconductor substrate 11, and the finger portion 25f extends in the Y direction from the bus bar portion 25b.

第2導電型半導体層35は、真性半導体層33上に、すなわち半導体基板11の裏面側の第2領域8に形成されている。すなわち、第2導電型半導体層35は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部35fと、櫛歯の支持部に相当し、複数のフィンガー部35fの一端が接続されたバスバー部35bとを有する。バスバー部35bは、半導体基板11の他方端側の辺部に沿ってX方向に延在し、フィンガー部35fは、バスバー部35bからY方向に延在する。 The second conductive type semiconductor layer 35 is formed on the intrinsic semiconductor layer 33, that is, in the second region 8 on the back side of the semiconductor substrate 11. That is, the second conductive type semiconductor layer 35 has a so-called comb-shaped shape, and includes a plurality of finger portions 35f corresponding to comb teeth and a supporting portion of the comb teeth, with one end of the plurality of finger portions 35f connected to each other. and a bus bar portion 35b. The bus bar portion 35b extends in the X direction along the other end side of the semiconductor substrate 11, and the finger portion 35f extends in the Y direction from the bus bar portion 35b.

第1導電型半導体層25は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第1導電型半導体層25は、例えばアモルファスシリコン材料にp型ドーパントがドープされたp型半導体層である。p型ドーパントとしては、例えばホウ素(B)が挙げられる。 The first conductive type semiconductor layer 25 is made of, for example, an amorphous silicon material. The first conductive type semiconductor layer 25 is, for example, a p-type semiconductor layer in which an amorphous silicon material is doped with a p-type dopant. An example of the p-type dopant is boron (B).

第2導電型半導体層35は、例えばアモルファスシリコン材料で形成される。第2導電型半導体層35は、例えばアモルファスシリコン材料にn型ドーパント(例えば、上述したリン(P))がドープされたn型の半導体層である。 The second conductive type semiconductor layer 35 is made of, for example, an amorphous silicon material. The second conductive type semiconductor layer 35 is, for example, an n-type semiconductor layer in which an amorphous silicon material is doped with an n-type dopant (for example, the above-mentioned phosphorus (P)).

なお、第1導電型半導体層25がn型半導体層であり、第2導電型半導体層35がp型半導体層であってもよい。また、半導体基板11は、結晶シリコン材料にp型ドーパント(例えば、上述したホウ素(B))がドープされたp型半導体基板であってもよい。
また、第2導電型半導体層35および真性半導体層33の一部は、隣接する第1導電型半導体層25および真性半導体層23の一部の上に重なっていてもよい(図示省略)。
Note that the first conductive type semiconductor layer 25 may be an n-type semiconductor layer, and the second conductive type semiconductor layer 35 may be a p-type semiconductor layer. Further, the semiconductor substrate 11 may be a p-type semiconductor substrate in which a crystalline silicon material is doped with a p-type dopant (for example, the above-mentioned boron (B)).
Further, a portion of the second conductive type semiconductor layer 35 and the intrinsic semiconductor layer 33 may overlap with a portion of the adjacent first conductive type semiconductor layer 25 and the intrinsic semiconductor layer 23 (not shown).

第1電極層27は、第1導電型半導体層25上に、すなわち半導体基板11の裏面側の第1領域7に形成されている。第2電極層37は、第2導電型半導体層35上に、すなわち半導体基板11の裏面側の第2領域8に形成されている。 The first electrode layer 27 is formed on the first conductivity type semiconductor layer 25, that is, in the first region 7 on the back side of the semiconductor substrate 11. The second electrode layer 37 is formed on the second conductivity type semiconductor layer 35, that is, in the second region 8 on the back side of the semiconductor substrate 11.

第1電極層27は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数の第1フィンガー電極部27fと、櫛歯の支持部に相当し、複数の第1フィンガー電極部27fの一端が接続された第1バスバー電極部27bとを有する。第1バスバー電極部27bは、第1領域7のバスバー部7bに対応し、半導体基板11のY方向(第1方向)の一方端側の辺部(一方端部)に沿ってX方向(第2方向)に延在する。第1フィンガー電極部27fは、第1領域7のフィンガー部7fに対応し、第1バスバー電極部27bからY方向に延在する。これにより、第1電極層27の少なくとも一部は、半導体基板11の裏面においてY方向(第1方向)における一方端部に配置される。 The first electrode layer 27 has a so-called comb-shaped shape, and includes a plurality of first finger electrode parts 27f corresponding to comb teeth, and a supporting part of the comb teeth, with one end of the plurality of first finger electrode parts 27f corresponding to a support part of the comb teeth. It has a connected first bus bar electrode part 27b. The first busbar electrode section 27b corresponds to the busbar section 7b of the first region 7, and extends along the side (one end) of the semiconductor substrate 11 on one end side in the Y direction (first direction). extending in two directions). The first finger electrode portion 27f corresponds to the finger portion 7f of the first region 7 and extends in the Y direction from the first busbar electrode portion 27b. Thereby, at least a portion of the first electrode layer 27 is arranged at one end in the Y direction (first direction) on the back surface of the semiconductor substrate 11.

第2電極層37は、いわゆる櫛型の形状をなし、櫛歯に相当する複数の第2フィンガー電極部37fと、櫛歯の支持部に相当し、複数の第2フィンガー電極部37fの一端が接続された第2バスバー電極部37bとを有する。第2バスバー電極部37bは、第2領域8のバスバー部8bに対応し、半導体基板11のY方向の他方端側の辺部(他方端部)に沿ってX方向に延在する。第2フィンガー電極部37fは、第2領域8のフィンガー部8fに対応し、第2バスバー電極部37bからY方向に延在する。これにより、第2電極層37の少なくとも一部は、半導体基板11の裏面においてY方向(第1方向)における他方端部に配置される。 The second electrode layer 37 has a so-called comb-shaped shape, and includes a plurality of second finger electrode portions 37f corresponding to comb teeth, and a supporting portion of the comb teeth, with one end of the plurality of second finger electrode portions 37f corresponding to a comb tooth support portion. It has a connected second bus bar electrode section 37b. The second busbar electrode portion 37b corresponds to the busbar portion 8b of the second region 8 and extends in the X direction along the side portion (the other end portion) on the other end side of the semiconductor substrate 11 in the Y direction. The second finger electrode portion 37f corresponds to the finger portion 8f of the second region 8, and extends in the Y direction from the second busbar electrode portion 37b. Thereby, at least a portion of the second electrode layer 37 is arranged at the other end in the Y direction (first direction) on the back surface of the semiconductor substrate 11.

第1電極層27および第2電極層37は、透明電極層と金属電極層とを含んでもよいし、金属電極層のみを含んでもよい。透明電極層は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物)、ZnO(Zinc Oxide:酸化亜鉛)が挙げられる。金属電極層は、金属材料で形成される。金属材料としては、例えば、Cu、Ag、Alおよびこれらの合金が用いられる。金属電極層は、例えば、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成されてもよい。 The first electrode layer 27 and the second electrode layer 37 may include a transparent electrode layer and a metal electrode layer, or may include only a metal electrode layer. The transparent electrode layer is made of a transparent conductive material. Examples of the transparent conductive material include ITO (Indium Tin Oxide: a composite oxide of indium oxide and tin oxide) and ZnO (Zinc Oxide). The metal electrode layer is formed of a metal material. As the metal material, for example, Cu, Ag, Al, and alloys thereof are used. The metal electrode layer may be formed of a conductive paste material containing metal powder such as silver, for example.

<太陽電池セルの詳細>
図3に示すように、太陽電池セル2の他方端部、すなわち半導体基板11の他方端部(左端部)は、X方向に沿って直線形状をなしている。太陽電池セル2の他方端部において、第2電極層37の第2バスバー電極部37bは、半導体基板11の他方端部の形状に沿って直線形状に形成されている。
<Details of solar cell>
As shown in FIG. 3, the other end of the solar cell 2, that is, the other end (left end) of the semiconductor substrate 11 has a linear shape along the X direction. At the other end of the solar cell 2 , the second busbar electrode portion 37 b of the second electrode layer 37 is formed in a linear shape along the shape of the other end of the semiconductor substrate 11 .

一方、太陽電池セル2の一方端部、すなわち半導体基板11の一方端部(右端部)は、X方向に延びる直線Lに沿って波状形状(凹凸形状)をなし、直線Lに沿ってX方向に交互に並ぶ複数の凸部41と複数の凹部42とを有する。凹部42は切り欠き部を形成する。 On the other hand, one end of the solar cell 2, that is, one end (right end) of the semiconductor substrate 11 has a wavy shape (uneven shape) along the straight line L extending in the X direction, and has a wavy shape (uneven shape) along the straight line L extending in the X direction. It has a plurality of convex portions 41 and a plurality of concave portions 42 arranged alternately. The recess 42 forms a notch.

太陽電池セル2の一方端部において、第1電極層27の第1バスバー電極部27bは、半導体基板11の一方端部の形状に沿って波状形状に形成されている。これにより、凸部41には、第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)が形成されている。 At one end of the solar cell 2, the first busbar electrode portion 27b of the first electrode layer 27 is formed in a wavy shape along the shape of the one end of the semiconductor substrate 11. As a result, at least a portion of the first electrode layer 27 (more specifically, at least a portion of the first busbar electrode portion 27b) is formed in the convex portion 41.

このようにして、太陽電池セル2の一方端部、すなわち半導体基板11の一方端部には、切り欠き部(凹部)42が形成されており、第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)と、切り欠き部(凹部)42とは、X方向に延びる直線L上に配置されている。 In this way, a notch (recess) 42 is formed at one end of the solar cell 2, that is, one end of the semiconductor substrate 11, and at least a portion of the first electrode layer 27 (more specifically Specifically, at least a portion of the first bus bar electrode portion 27b) and the cutout portion (recessed portion) 42 are arranged on a straight line L extending in the X direction.

なお、第1バスバー電極部27bおよび第2バスバー電極部37bは、後述する配線部材50を介して接続されているならば、複数のパーツに分割されていてもよい。 Note that the first bus bar electrode section 27b and the second bus bar electrode section 37b may be divided into a plurality of parts as long as they are connected via a wiring member 50, which will be described later.

この太陽電池セル2は、例えば図5に示すように、スクエア形状またはセミスクエア形状の大判半導体ウェハをカットすることにより得られる。例えば、レーザまたはダイシングソーなどにより大判半導体ウェハに割断溝を形成し(ハーフカット)、割断溝に沿って折り割ることにより、太陽電池セル2が得られる。 For example, as shown in FIG. 5, the solar cell 2 is obtained by cutting a large square or semi-square semiconductor wafer. For example, the solar cell 2 is obtained by forming a cutting groove (half-cut) in a large semiconductor wafer using a laser or a dicing saw, and then breaking the wafer along the cutting groove.

半導体基板11の一方端部の波状形状は、下記式のように表される正弦波(または余弦波)形状であってもよい。
y=αsin(x)
The wavy shape at one end of the semiconductor substrate 11 may be a sine wave (or cosine wave) represented by the following equation.
y=αsin(x)

ここで、一般に、大判半導体ウェハは、結晶シリコン層等の半導体基板11の結晶構造(結晶方位)に起因して、対角線に沿って直交する2つの劈開方向60を有する。そのため、直線Lに対する正弦波の接線の傾きの角度の最大値θ1が45度に近いと、すなわち上記式におけるαが1に近いと、大判半導体ウェハをカットする際に、太陽電池セル2が劈開方向60にそって割断されてしまう可能性がある。 Here, a large-sized semiconductor wafer generally has two cleavage directions 60 that are orthogonal along diagonals due to the crystal structure (crystal orientation) of the semiconductor substrate 11 such as a crystalline silicon layer. Therefore, if the maximum value θ1 of the angle of inclination of the tangent line of the sine wave to the straight line L is close to 45 degrees, that is, if α in the above formula is close to 1, the solar cell 2 will cleave when cutting a large semiconductor wafer. There is a possibility that it will be cut along the direction 60.

この点に関し、直線Lに対する正弦波の接線の傾きの角度の最大値θ1が45度よりも小さくてもよい、すなわち上記式におけるαが1よりも小さくてもよい。例えば、正弦波の接線の傾きの角度の最大値θ1が30.963度程度、すなわちαが0.6程度であってもよい。 In this regard, the maximum value θ1 of the angle of inclination of the tangent of the sine wave to the straight line L may be smaller than 45 degrees, that is, α in the above equation may be smaller than 1. For example, the maximum value θ1 of the angle of inclination of the tangent to the sine wave may be about 30.963 degrees, that is, α may be about 0.6.

換言すれば、正弦波の接線の傾き(絶対値)が最大になる点において、直線Lに対する接線の傾きの角度の最大値θ1(鋭角の方)は、直線Lに対する半導体基板11の劈開方向60の角度θ2(鋭角の方)よりも小さくてもよい。これにより、大判半導体ウェハをカットする際に、太陽電池セル2が劈開方向60にそって割断されることを低減することができる。 In other words, at the point where the slope (absolute value) of the tangent to the sine wave is maximum, the maximum value θ1 (acute angle) of the slope of the tangent to the straight line L is the cleavage direction 60 of the semiconductor substrate 11 with respect to the straight line L. may be smaller than the angle θ2 (acute angle). Thereby, when cutting a large-sized semiconductor wafer, it is possible to reduce the possibility that the solar cell 2 is cut along the cleavage direction 60.

なお、直線Lに対する正弦波の接線の傾きの角度の最大値θ1が45度よりも大きいと、すなわち上記式におけるαが1よりも大きいと、いずれかの場所で直線Lに対する正弦波の接線の傾きの角度が45度となる、すなわち上記式におけるy=1を満たすxが存在し、その場所で劈開方向60にそって割断されることが予想される。 Note that if the maximum value θ1 of the angle of inclination of the tangent line of the sine wave to the straight line L is larger than 45 degrees, that is, if α in the above formula is larger than 1, then the tangent line of the sine wave to the straight line L will be It is expected that there exists x where the angle of inclination is 45 degrees, that is, y=1 in the above formula, and that the film is cleaved along the cleavage direction 60 at that location.

<太陽電池デバイスの詳細>
図1および図2に示すように、隣り合う太陽電池セル2,2のうちの一方の太陽電池セル2のY方向(第1方向)における一方端部(右端部)は、他方の太陽電池セル2のY方向における他方端部(左端部)の下に重なっている。重なり領域Roでは、一方の太陽電池セル2の一方端部の切り欠き部(凹部)42において、他方の太陽電池セル2の他方端部の第2電極層37の第2バスバー電極部37bの少なくとも一部が露出する。
<Details of solar cell device>
As shown in FIGS. 1 and 2, one end (right end) of one of the adjacent solar cells 2, 2 in the Y direction (first direction) is connected to the other solar cell. It overlaps with the other end (left end) of No. 2 in the Y direction. In the overlapping region Ro, at least the second busbar electrode portion 37b of the second electrode layer 37 at the other end of the other solar cell 2 in the notch (recess) 42 at one end of one solar cell 2 Some parts are exposed.

配線部材50は、重なり領域Roにおいて、一方の太陽電池セル2の波状形状の一方端部に沿って、X方向(第2方向)に延びる直線L上に配置される。これにより、配線部材50は、一方の太陽電池セル2の一方端部の凸部41における第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)に接続される。また、配線部材50は、一方の太陽電池セル2の一方端部の切り欠き部(凹部)42を介して、他方の太陽電池セル2の他方端部の第2電極層37の少なくとも一部(より具体的には、第2バスバー電極部37bの少なくとも一部)に接続される。このようにして、配線部材50によって、複数の太陽電池セルが直列に接続される。 The wiring member 50 is arranged on a straight line L extending in the X direction (second direction) along one end of the wavy shape of one solar cell 2 in the overlapping region Ro. Thereby, the wiring member 50 covers at least a portion of the first electrode layer 27 (more specifically, at least a portion of the first bus bar electrode portion 27b) in the convex portion 41 at one end of one solar cell 2 connected to. In addition, the wiring member 50 connects at least a portion of the second electrode layer 37 ( More specifically, it is connected to at least a portion of the second bus bar electrode section 37b. In this way, a plurality of solar cells are connected in series by the wiring member 50.

図6Aは、図1に示す太陽電池デバイス1のVI-VI線断面図である。図6Aに示すように、隣り合う太陽電池セル2,2のうちの一方の太陽電池セル2の一方端部の凸部41では、配線部材50は、一方の太陽電池セル2の第1電極層27の第1バスバー電極部27bと導電性接着部材52を介して接続される。一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42では、配線部材50は、他方の太陽電池セル2の第2電極層37の第2バスバー電極部37bと導電性接着部材52を介して接続される。 FIG. 6A is a sectional view taken along the line VI-VI of the solar cell device 1 shown in FIG. As shown in FIG. 6A, in the convex portion 41 at one end of one of the adjacent solar cells 2, 2, the wiring member 50 is connected to the first electrode layer of one of the solar cells 2. It is connected to the first bus bar electrode section 27b of No. 27 via a conductive adhesive member 52. In the recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2, the wiring member 50 connects to the second bus bar electrode portion 37b of the second electrode layer 37 of the other solar cell 2 and the conductive adhesive member 52. connected via.

以上説明したように、第1実施形態の太陽電池デバイス1および太陽電池モジュール100によれば、隣り合う太陽電池セル2,2のうちの一方の太陽電池セル2の一方端部(例えば、図2において右端部)が、他方の太陽電池セル2の他方端部(例えば、図2において左端部)の下に重なるように、シングリング方式を用いて複数の太陽電池セル2が電気的に接続される。これにより、太陽電池デバイス1および太陽電池モジュール100における限られた太陽電池セル実装面積に、より多くの太陽電池セル2が実装可能になり、光電変換のための受光面積が増え、太陽電池デバイス1および太陽電池モジュール100の出力が向上する。また、太陽電池セル2間に隙間が生じることがなく、太陽電池デバイス1および太陽電池モジュール100の意匠性が向上する。 As explained above, according to the solar cell device 1 and the solar cell module 100 of the first embodiment, one end of one of the adjacent solar cells 2, 2 (for example, FIG. A plurality of solar cells 2 are electrically connected using the shingling method so that the right end (in FIG. 2) overlaps the other end (for example, the left end in FIG. 2) of the other solar cell 2. Ru. As a result, more solar cells 2 can be mounted in the limited solar cell mounting area of the solar cell device 1 and the solar cell module 100, the light receiving area for photoelectric conversion increases, and the solar cell device 1 And the output of the solar cell module 100 is improved. Furthermore, no gaps are created between the solar cells 2, and the design of the solar cell device 1 and the solar cell module 100 is improved.

また、第1実施形態の太陽電池デバイス1および太陽電池モジュール100によれば、裏面電極型の太陽電池セルを用いるので、電極や配線が視認されず、太陽電池デバイス1および太陽電池モジュール100の意匠性が更に向上する。 Moreover, according to the solar cell device 1 and the solar cell module 100 of the first embodiment, since the back electrode type solar cell is used, the electrodes and wiring are not visible, and the design of the solar cell device 1 and the solar cell module 100 is improved. further improves performance.

また、第1実施形態の太陽電池セル2によれば、半導体基板11の一方端部(例えば、図3において右端部)に切り欠き部(凹部)42が形成されており、第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)と、切り欠き部(凹部)42とは、X方向に延びる直線L上に配置されている。これにより、隣り合う太陽電池セル2,2のうちの一方の太陽電池セル2の一方端部が、他方の太陽電池セル2の他方端部の下に重なるように、シングリング方式を用いて複数の太陽電池セルを配置する場合、隣り合う太陽電池セル2,2の重ね合わせ領域Roにおいて配線部材50を直線L上に配置するだけで、一方の太陽電池セル2の一方端部の凸部41における第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)と、切り欠き部(凹部)42を介した他方の太陽電池セル2の他方端部の第2電極層37の少なくとも一部(より具体的には、第2バスバー電極部37bの少なくとも一部)とを電気的に接続することができる。そのため、裏面電極型の太陽電池セルをシングリング方式を用いて電気的に接続する太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュールの接続を簡易化することができる。 Further, according to the solar cell 2 of the first embodiment, the notch (recess) 42 is formed at one end of the semiconductor substrate 11 (for example, the right end in FIG. 3), and the first electrode layer 27 (more specifically, at least a portion of the first bus bar electrode portion 27b) and the notch (recess) 42 are arranged on a straight line L extending in the X direction. As a result, a plurality of solar cells 2 and 2 are connected to each other using a shingling method so that one end of one of the adjacent solar cells 2, 2 overlaps with the other end of the other solar cell 2. When arranging solar cells, the convex portion 41 at one end of one solar cell 2 can be easily removed by simply arranging the wiring member 50 on the straight line L in the overlapping region Ro of the adjacent solar cells 2, 2. At least a part of the first electrode layer 27 (more specifically, at least a part of the first bus bar electrode part 27b) and the other end of the other solar cell 2 via the notch (recess) 42 can be electrically connected to at least a portion of the second electrode layer 37 (more specifically, at least a portion of the second busbar electrode portion 37b). Therefore, it is possible to simplify the connection of a solar cell device and a solar cell module in which back electrode type solar cells are electrically connected using a shingling method.

(変形例1)
上述した第1実施形態では、図6Aに示すように、一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42において、他方の太陽電池セル2の第2電極層37の第2バスバー電極部37bに直接、配線部材50が接続された。
(Modification 1)
In the first embodiment described above, as shown in FIG. 6A, in the recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2, the second electrode layer 37 of the other solar cell 2 The wiring member 50 was directly connected to the bus bar electrode portion 37b.

これに対して、図6Bに示すように、一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42において、他方の太陽電池セル2の第2電極層37の第2バスバー電極部37b上に導電性のかさ上げ部材53が設けられて、配線部材50が接続されてもよい。これによれば、裏面電極型の太陽電池セルをシングリング方式を用いて電気的に接続する太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュールの接続をより簡易化することができる。 On the other hand, as shown in FIG. 6B, in the recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2, the second busbar electrode portion of the second electrode layer 37 of the other solar cell 2 A conductive raising member 53 may be provided on 37b and the wiring member 50 may be connected thereto. According to this, it is possible to further simplify the connection of a solar cell device and a solar cell module in which back electrode type solar cells are electrically connected using a shingling method.

(変形例2)
また、図6Cに示すように、一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42において、一方の太陽電池セル2の端部に絶縁部材54が設けられて、絶縁部材54が一方の太陽電池セル2の一方端部の端面と配線部材50との間に配置されてもよい。ここで、太陽電池セル2の周縁部に第2導電型半導体層35が配置されることがある。これによれば、太陽電池セル2の周縁部に第2導電型半導体層35が配置されていても、一方の太陽電池セル2における短絡を防止することができる。
(Modification 2)
Further, as shown in FIG. 6C, an insulating member 54 is provided at the end of one solar cell 2 in a recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2. may be arranged between the end surface of one end of one solar cell 2 and the wiring member 50 . Here, the second conductive type semiconductor layer 35 may be disposed at the periphery of the solar cell 2 . According to this, even if the second conductive type semiconductor layer 35 is arranged at the peripheral portion of the solar cell 2, short circuit in one solar cell 2 can be prevented.

(変形例3)
また、図6Dに示すように、配線部材を用いず、一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42において、他方の太陽電池セル2の他方端部の第2電極層37の第2バスバー電極部37b上に設けられた導電性接着部材55のみを用いて、一方の太陽電池セル2と他方の太陽電池セル2とが電気的に接続されてもよい。導電性接着部材55としては、低融点金属微粒子若しくは金属微粒子とバインダーとで形成された導電性接着剤、または、はんだ粒子を含有するはんだペースト等が用いられる。
(Modification 3)
In addition, as shown in FIG. 6D, the second electrode layer at the other end of the other solar cell 2 can be placed in the recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2 without using a wiring member. One solar cell 2 and the other solar cell 2 may be electrically connected using only the conductive adhesive member 55 provided on the second bus bar electrode portion 37b. As the conductive adhesive member 55, a conductive adhesive formed of low-melting metal fine particles or metal fine particles and a binder, a solder paste containing solder particles, or the like is used.

例えば、一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42において、他方の太陽電池セル2の他方端部の第2電極層37の第2バスバー電極部37bの少なくとも一部上にペースト状の導電性接着部材55を塗布する。次に、他方の太陽電池セル2の他方端部と一方の太陽電池セル2の一方端部とを押し付けることにより、ペースト状の導電性接着部材55を一方の太陽電池セル2の一方端部の第1電極層27の第1バスバー電極部27bまで盛り上げる。 For example, in the recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2, at least a portion of the second bus bar electrode portion 37b of the second electrode layer 37 at the other end of the other solar cell 2 is A paste-like conductive adhesive member 55 is applied to. Next, by pressing the other end of the other solar cell 2 and one end of the one solar cell 2, the paste-like conductive adhesive member 55 is applied to the one end of the one solar cell 2. The first electrode layer 27 is raised up to the first bus bar electrode portion 27b.

(変形例4)
この場合、図6Eに示すように、一方の太陽電池セル2の一方端部の凹部(切り欠き部)42において、一方の太陽電池セル2の一方端部の端面に第1電極層27を製膜してもよい。
(Modification 4)
In this case, as shown in FIG. 6E, the first electrode layer 27 is formed on the end surface of one end of one solar cell 2 in the recess (notch) 42 at one end of one solar cell 2. A film may be used.

(変形例5)
また、上述した実施形態では、太陽電池セル2の一方端部の凹凸形状として波状形状を例示したが、太陽電池セル2の一方端部の凹凸形状はこれに限定されない。例えば、太陽電池セル2の一方端部の凹凸形状は矩形形状であってもよい。
(Modification 5)
Furthermore, in the embodiment described above, a wavy shape is illustrated as the uneven shape of one end of the solar cell 2, but the uneven shape of the one end of the solar cell 2 is not limited to this. For example, the uneven shape of one end of the solar cell 2 may be rectangular.

図7は、第1実施形態の変形例に係る太陽電池デバイスを備える太陽電池モジュールを裏面側からみた図であり、図8は、図7に示す太陽電池デバイス1における太陽電池セル2を裏面側からみた図である。なお、図7でも、図1同様に、受光側保護部材3、裏側保護部材4および封止材5が省略されており、配線部材50を透かして示す。 FIG. 7 is a diagram of a solar cell module including a solar cell device according to a modification of the first embodiment viewed from the back side, and FIG. 8 is a diagram of a solar cell 2 in the solar cell device 1 shown in FIG. This is a diagram viewed from above. Note that in FIG. 7 as well, like FIG. 1, the light-receiving side protection member 3, back side protection member 4, and sealing material 5 are omitted, and the wiring member 50 is shown transparently.

図8に示すように、太陽電池セル2の一方端部、すなわち半導体基板11の一方端部(右端部)、の凹凸形状(凸部41および凹部42)は、矩形形状であってもよい。この場合でも、太陽電池セル2の一方端部、すなわち半導体基板11の一方端部において、第1電極層27の第1バスバー電極部27bの少なくとも一部と、切り欠き部(凹部)42とは、X方向に延びる直線L上に配置されていればよい。 As shown in FIG. 8, the uneven shape (projections 41 and depressions 42) of one end of the solar cell 2, that is, one end (right end) of the semiconductor substrate 11, may be rectangular. In this case as well, at one end of the solar cell 2, that is, one end of the semiconductor substrate 11, at least a portion of the first busbar electrode portion 27b of the first electrode layer 27 and the notch (recess) 42 are separated. , it is sufficient if they are arranged on the straight line L extending in the X direction.

この太陽電池セル2は、例えば図9に示すように、スクエア形状またはセミスクエア形状の大判半導体ウェハをカットすることにより得られる。 For example, as shown in FIG. 9, the solar cell 2 is obtained by cutting a large square or semi-square semiconductor wafer.

(第2実施形態)
上述した第1実施形態では、太陽電池セル2の一方端部に切り欠き部42を設けた。第2実施形態では、太陽電池セルの一方端部に、切り欠き部42に代えて開孔を設ける。
(Second embodiment)
In the first embodiment described above, the notch portion 42 is provided at one end of the solar cell 2 . In the second embodiment, an opening is provided at one end of the solar cell instead of the notch 42.

図10は、第2実施形態に係る太陽電池デバイスを備える太陽電池モジュールを裏面側からみた図であり、図11は、図10に示す太陽電池モジュールのXI-XI線断面図である。図10でも、図1同様に、受光側保護部材3、裏側保護部材4および封止材5が省略されており、配線部材50を透かして示す。 FIG. 10 is a diagram of a solar cell module including the solar cell device according to the second embodiment viewed from the back side, and FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI of the solar cell module shown in FIG. 10. Similarly to FIG. 1, in FIG. 10, the light-receiving side protection member 3, back side protection member 4, and sealing material 5 are omitted, and the wiring member 50 is shown transparently.

図10および図11に示すように、第2実施形態の太陽電池モジュール100Aは、上述した太陽電池モジュール100において、太陽電池デバイス1に代えて太陽電池デバイス1Aを備える構成で第1実施形態と異なる。第2実施形態の太陽電池モジュール100Aの他の構成は、第1実施形態の太陽電池モジュール100と同様である。 As shown in FIGS. 10 and 11, a solar cell module 100A of the second embodiment differs from the first embodiment in that the solar cell module 100 described above includes a solar cell device 1A instead of the solar cell device 1. . The other configuration of the solar cell module 100A of the second embodiment is the same as that of the solar cell module 100 of the first embodiment.

太陽電池デバイス1Aは、上述した太陽電池デバイス1において、太陽電池セル2に代えて太陽電池セル2Aを備える構成で第1実施形態と異なる。第2実施形態の太陽電池デバイス1Aの他の構成は、第1実施形態の太陽電池デバイス1と同様である。 The solar cell device 1A differs from the first embodiment in that it includes a solar cell 2A instead of the solar cell 2 in the solar cell device 1 described above. The other configuration of the solar cell device 1A of the second embodiment is the same as that of the solar cell device 1 of the first embodiment.

図12は、図10および図11に示す太陽電池デバイス1Aにおける太陽電池セル2Aを裏面側からみた図である。図12に示すように、第2実施形態の太陽電池セル2Aは、上述した太陽電池セル2において、一方端部に、切り欠き部42に代えて開孔43を備える構成で第1実施形態と異なる。第2実施形態の太陽電池セル2Aの他の構成は、第1実施形態の太陽電池セル2と同様である。 FIG. 12 is a diagram of the solar cell 2A in the solar cell device 1A shown in FIGS. 10 and 11, viewed from the back side. As shown in FIG. 12, a solar cell 2A of the second embodiment is different from the first embodiment in that the solar cell 2 described above has an opening 43 at one end instead of the notch 42. different. The other configuration of the solar cell 2A of the second embodiment is the same as that of the solar cell 2 of the first embodiment.

詳説すると、太陽電池セル2Aの一方端部、すなわち半導体基板11の一方端部(右端部)は、X方向に沿って直線形状をなし、X方向に沿って延びる直線Lに沿って、X方向に離間して並ぶ複数の開孔43を有する。 To explain in detail, one end of the solar cell 2A, that is, one end (right end) of the semiconductor substrate 11, has a linear shape along the X direction, and extends in the X direction along a straight line L extending along the X direction. It has a plurality of openings 43 spaced apart from each other.

太陽電池セル2Aの一方端部において、第1電極層27の第1バスバー電極部27bは、半導体基板11の一方端部の形状に沿って、かつ開孔43に沿って形成されている。これにより、開孔43の間には、第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)が形成されている。 At one end of the solar cell 2A, the first busbar electrode portion 27b of the first electrode layer 27 is formed along the shape of the one end of the semiconductor substrate 11 and along the opening 43. As a result, at least a portion of the first electrode layer 27 (more specifically, at least a portion of the first busbar electrode portion 27b) is formed between the openings 43.

このようにして、太陽電池セル2Aの一方端部、すなわち半導体基板11の一方端部には、開孔43が形成されており、第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)と、開孔43とは、X方向に延びる直線L上に配置されている。 In this way, an opening 43 is formed at one end of the solar cell 2A, that is, one end of the semiconductor substrate 11, and at least a portion of the first electrode layer 27 (more specifically, At least a portion of the first busbar electrode portion 27b) and the opening 43 are arranged on a straight line L extending in the X direction.

なお、第1バスバー電極部27bおよび第2バスバー電極部37bは、配線部材50を介して接続されているならば、複数のパーツに分割されていてもよい。 Note that the first busbar electrode section 27b and the second busbar electrode section 37b may be divided into a plurality of parts as long as they are connected via the wiring member 50.

この太陽電池セル2Aは、例えば図13に示すように、スクエア形状またはセミスクエア形状の大判半導体ウェハをカットすることにより得られる。 This solar cell 2A is obtained by cutting a large square or semi-square semiconductor wafer, as shown in FIG. 13, for example.

図10および図11に示すように、隣り合う太陽電池セル2A,2Aのうちの一方の太陽電池セル2AのY方向(第1方向)における一方端部(右端部)は、他方の太陽電池セル2AのY方向における他方端部(左端部)の下に重なっている。重なり領域Roでは、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43において、他方の太陽電池セル2Aの他方端部の第2電極層37の少なくとも一部(より具体的には、第2バスバー電極部37bの少なくとも一部)が露出する。 As shown in FIGS. 10 and 11, one end (right end) of one of the adjacent solar cells 2A, 2A in the Y direction (first direction) is connected to the other solar cell. It overlaps under the other end (left end) of 2A in the Y direction. In the overlapping region Ro, in the opening 43 at one end of one solar cell 2A, at least a portion of the second electrode layer 37 at the other end of the other solar cell 2A (more specifically, the second At least a portion of the busbar electrode portion 37b) is exposed.

配線部材50は、重なり領域Roにおいて、一方の太陽電池セル2Aの一方端部に沿って、X方向(第2方向)に延びる直線L上に配置される。これにより、配線部材50は、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43の間における第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)に接続される。また、配線部材50は、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43を介して、他方の太陽電池セル2Aの他方端部の第2電極層37の少なくとも一部(より具体的には、第2バスバー電極部37bの少なくとも一部)に接続される。このようにして、配線部材50によって、複数の太陽電池セルが直列に接続される。 The wiring member 50 is arranged on a straight line L extending in the X direction (second direction) along one end of one solar cell 2A in the overlapping region Ro. Thereby, the wiring member 50 connects at least a portion of the first electrode layer 27 (more specifically, at least a portion of the first bus bar electrode portion 27b) between the openings 43 at one end of one solar cell 2A. section). In addition, the wiring member 50 connects at least a portion (more specifically, is connected to at least a portion of the second bus bar electrode section 37b). In this way, a plurality of solar cells are connected in series by the wiring member 50.

第2実施形態でも、図6A同様に、隣り合う太陽電池セル2A,2Aのうちの一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43の間では、配線部材50は、一方の太陽電池セル2Aの第1電極層27の第1バスバー電極部27bと導電性接着部材52を介して接続されてもよい。一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43では、配線部材50は、他方の太陽電池セル2Aの第2電極層37の第2バスバー電極部37bと導電性接着部材52を介して接続されてもよい。 In the second embodiment, similarly to FIG. 6A, between the openings 43 at one end of one of the adjacent solar cells 2A, 2A, the wiring member 50 is connected to one solar cell. It may be connected to the first bus bar electrode portion 27b of the first electrode layer 27 of 2A via the conductive adhesive member 52. In the opening 43 at one end of one solar cell 2A, the wiring member 50 is connected to the second bus bar electrode portion 37b of the second electrode layer 37 of the other solar cell 2A via the conductive adhesive member 52. may be done.

或いは、図6B同様に、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43において、他方の太陽電池セル2Aの第2電極層37の第2バスバー電極部37b上に導電性のかさ上げ部材53が設けられて、配線部材50が接続されてもよい。 Alternatively, similarly to FIG. 6B, a conductive raising member may be placed on the second bus bar electrode portion 37b of the second electrode layer 37 of the other solar cell 2A in the opening 43 at one end of one solar cell 2A. 53 may be provided and the wiring member 50 may be connected thereto.

或いは、図6C同様に、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43において、一方の太陽電池セル2Aの端部に絶縁部材54が設けられて、絶縁部材54が一方の太陽電池セル2Aの一方端部の端面と配線部材50との間に配置されてもよい。 Alternatively, similarly to FIG. 6C, an insulating member 54 is provided at the end of one solar cell 2A in the opening 43 at one end of one solar cell 2A, and the insulating member 54 is connected to one solar cell 2A. It may be arranged between the end surface of one end of 2A and the wiring member 50.

或いは、図6D同様に、配線部材を用いず、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43において、他方の太陽電池セル2Aの他方端部の第2電極層37の第2バスバー電極部37b上に設けられた導電性接着部材55のみを用いて、一方の太陽電池セル2Aと他方の太陽電池セル2Aとが電気的に接続されてもよい。 Alternatively, similarly to FIG. 6D, the second busbar electrode of the second electrode layer 37 at the other end of the other solar cell 2A can be connected to the second bus bar electrode in the opening 43 at one end of one solar cell 2A without using a wiring member. One solar cell 2A and the other solar cell 2A may be electrically connected using only the conductive adhesive member 55 provided on the portion 37b.

この場合、図6E同様に、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43において、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の端面に第1電極層27を製膜してもよい。 In this case, similarly to FIG. 6E, the first electrode layer 27 may be formed on the end surface of one end of one solar cell 2A in the opening 43 at one end of one solar cell 2A.

以上説明したように、第2実施形態の太陽電池デバイス1Aおよび太陽電池モジュール100Aでも、隣り合う太陽電池セル2A,2Aのうちの一方の太陽電池セル2Aの一方端部(例えば、図11において右端部)が、他方の太陽電池セル2Aの他方端部(例えば、図11において左端部)の下に重なるように、シングリング方式を用いて複数の太陽電池セル2Aが電気的に接続される。これにより、太陽電池デバイス1Aおよび太陽電池モジュール100Aにおける限られた太陽電池セル実装面積に、より多くの太陽電池セル2Aが実装可能になり、光電変換のための受光面積が増え、太陽電池デバイス1Aおよび太陽電池モジュール100Aの出力が向上する。また、太陽電池セル2A間に隙間が生じることがなく、太陽電池デバイス1Aおよび太陽電池モジュール100Aの意匠性が向上する。 As explained above, in the solar cell device 1A and the solar cell module 100A of the second embodiment, one end (for example, the right end in FIG. 11) of one of the adjacent solar cells 2A, 2A is The plurality of solar cells 2A are electrically connected using the shingling method so that the end portion) overlaps under the other end portion (for example, the left end portion in FIG. 11) of the other solar cell 2A. As a result, more solar cells 2A can be mounted in the limited solar cell mounting area of the solar cell device 1A and the solar cell module 100A, the light receiving area for photoelectric conversion increases, and the solar cell device 1A And the output of the solar cell module 100A is improved. Further, no gaps are created between the solar cells 2A, and the design of the solar cell device 1A and the solar cell module 100A is improved.

また、第2実施形態の太陽電池デバイス1Aおよび太陽電池モジュール100Aでも、裏面電極型の太陽電池セルを用いるので、電極や配線が視認されず、太陽電池デバイス1Aおよび太陽電池モジュール100Aの意匠性が更に向上する。 Further, since the solar cell device 1A and the solar cell module 100A of the second embodiment also use back electrode type solar cells, the electrodes and wiring are not visible, and the design of the solar cell device 1A and the solar cell module 100A is improved. Further improvement.

また、第2実施形態の太陽電池セル2Aでも、半導体基板11の一方端部(例えば、図12において右端部)に開孔43が形成されており、第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)と、開孔43とは、X方向に延びる直線L上に配置されている。これにより、隣り合う太陽電池セル2A,2Aのうちの一方の太陽電池セル2Aの一方端部が、他方の太陽電池セル2Aの他方端部の下に重なるように、シングリング方式を用いて複数の太陽電池セルを配置する場合、隣り合う太陽電池セル2A,2Aの重ね合わせ領域Roにおいて配線部材50を直線L上に配置するだけで、一方の太陽電池セル2Aの一方端部の開孔43の間における第1電極層27の少なくとも一部(より具体的には、第1バスバー電極部27bの少なくとも一部)と、開孔43を介した他方の太陽電池セル2Aの他方端部の第2電極層37の第2バスバー電極部37bの少なくとも一部とを電気的に接続することができる。そのため、裏面電極型の太陽電池セルをシングリング方式を用いて電気的に接続する太陽電池デバイスおよび太陽電池モジュールの接続を簡易化することができる。 Also, in the solar cell 2A of the second embodiment, an opening 43 is formed at one end of the semiconductor substrate 11 (for example, the right end in FIG. 12), and at least a portion of the first electrode layer 27 (more Specifically, at least a portion of the first busbar electrode portion 27b) and the opening 43 are arranged on a straight line L extending in the X direction. As a result, a plurality of solar cells 2A and 2A are arranged so that one end of one of the adjacent solar cells 2A, 2A overlaps with the other end of the other solar cell 2A. When arranging solar cells, the wiring member 50 is simply placed on the straight line L in the overlapping region Ro of the adjacent solar cells 2A, and the opening 43 at one end of one of the solar cells 2A At least a part of the first electrode layer 27 (more specifically, at least a part of the first busbar electrode part 27b) between the two ends of the other solar cell 2A through the opening 43. At least a portion of the second busbar electrode portion 37b of the two-electrode layer 37 can be electrically connected. Therefore, it is possible to simplify the connection of a solar cell device and a solar cell module in which back electrode type solar cells are electrically connected using a shingling method.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく、種々の変更および変形が可能である。例えば、上述した実施形態では、フィンガー電極部とバスバー電極部とを有する櫛型形状の第1電極層27および第2電極層37を備える太陽電池2を例示した。しかし、本発明の特徴はこれに限定されず、バスバー電極部を有さずフィンガー電極部のみを有するストライプ形状の第1電極層および第2電極層を備える太陽電池にも適用可能である。この場合、第1電極層の少なくとも一部が、半導体基板の裏面においてY方向(第1方向)における一方端部に配置され、第2電極層の少なくとも一部が、半導体基板の一方主面においてY方向(第1方向)における他方端部に配置されればよい。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various changes and modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, the solar cell 2 includes the comb-shaped first electrode layer 27 and the second electrode layer 37, each having a finger electrode portion and a busbar electrode portion. However, the features of the present invention are not limited thereto, and can also be applied to a solar cell that includes a striped first electrode layer and a second electrode layer that have only finger electrode portions without bus bar electrode portions. In this case, at least a portion of the first electrode layer is disposed on one end in the Y direction (first direction) on the back surface of the semiconductor substrate, and at least a portion of the second electrode layer is disposed on one main surface of the semiconductor substrate. It may be arranged at the other end in the Y direction (first direction).

また、上述した実施形態では、裏面電極型の太陽電池2を例示した。しかし、本発明の特徴はこれに限定されず、両面電極型の太陽電池にも適用可能である。この場合、例えばスルーホールまたはビア等を用いて、第1電極層の少なくとも一部が、半導体基板の裏面においてY方向(第1方向)における一方端部に配置され、第2電極層の少なくとも一部が、半導体基板の一方主面においてY方向(第1方向)における他方端部に配置されればよい。 Moreover, in the embodiment described above, the solar cell 2 of the back electrode type is exemplified. However, the features of the present invention are not limited thereto, and can also be applied to double-sided electrode type solar cells. In this case, at least a portion of the first electrode layer is disposed at one end in the Y direction (first direction) on the back surface of the semiconductor substrate using, for example, a through hole or via, and at least a portion of the second electrode layer is disposed at one end in the Y direction (first direction) on the back surface of the semiconductor substrate. The portion may be disposed at the other end in the Y direction (first direction) on one principal surface of the semiconductor substrate.

また、上述した実施形態では、太陽電池モジュール100,100Aは、単数の太陽電池デバイス1,1Aを備える形態を例示したが、太陽電池モジュール100,100Aは、例えばX方向に配列された複数の太陽電池デバイス1,1Aを備えてもよい。 Furthermore, in the embodiments described above, the solar cell modules 100, 100A are provided with a single solar cell device 1, 1A. It may also include battery devices 1 and 1A.

また、上述した実施形態では、図4に示すようにヘテロ接合型の太陽電池セル2,2Aを含む太陽電池デバイス1,1Aを例示した。しかし、本発明はこれに限定されず、ホモ接合型の太陽電池セル等の種々の太陽電池セルを含む太陽電池デバイスにも適用可能である。 Moreover, in the embodiment mentioned above, as shown in FIG. 4, the solar cell devices 1 and 1A including the heterojunction type solar cells 2 and 2A were illustrated. However, the present invention is not limited thereto, and can also be applied to solar cell devices including various solar cells such as homojunction type solar cells.

また、上述した実施形態では、結晶シリコン材料を用いた太陽電池セル2,2Aを例示したが、これに限定されない。例えば、太陽電池セルの材料としては、ガリウムヒ素(GaAs)等の種々の材料が用いられてもよい。 Further, in the embodiment described above, the solar cells 2 and 2A using crystalline silicon material are illustrated, but the present invention is not limited thereto. For example, various materials such as gallium arsenide (GaAs) may be used as the material for the solar cell.

1,1A 太陽電池デバイス(太陽電池ストリング)
2,2A 太陽電池セル
3 受光側保護部材
4 裏側保護部材
5 封止材
7 第1領域
7f,8f フィンガー部
7b,8b バスバー部
8 第2領域
11 半導体基板11
13,23,33 真性半導体層
15 反射防止層
25 第1導電型半導体層
25f,35f フィンガー部
25b,35b バスバー部
27 第1電極層
27f 第1フィンガー電極部
27b 第1バスバー電極部
35 第2導電型半導体層
37 第2電極層
37f 第2フィンガー電極部
37b 第2バスバー電極部
41 凸部
42 凹部(切り欠き部)
43 開孔
50 配線部材
52 導電性接着部材
53 導電性かさ上げ部材
54 絶縁部材
55 導電性接着部材(ペースト状)
100,100A 太陽電池モジュール
1.1A solar cell device (solar cell string)
2, 2A Solar cell 3 Light receiving side protection member 4 Back side protection member 5 Sealing material 7 First region 7f, 8f Finger portion 7b, 8b Bus bar portion 8 Second region 11 Semiconductor substrate 11
13, 23, 33 Intrinsic semiconductor layer 15 Antireflection layer 25 First conductivity type semiconductor layer 25f, 35f Finger portion 25b, 35b Busbar portion 27 First electrode layer 27f First finger electrode portion 27b First busbar electrode portion 35 Second conductive layer type semiconductor layer 37 second electrode layer 37f second finger electrode part 37b second busbar electrode part 41 convex part 42 concave part (cutout part)
43 Opening 50 Wiring member 52 Conductive adhesive member 53 Conductive raising member 54 Insulating member 55 Conductive adhesive member (paste)
100,100A solar cell module

Claims (14)

隣り合う太陽電池セルのうちの一方の太陽電池セルの第1方向における一方端部が、前記隣り合う太陽電池セルのうちの他方の太陽電池セルの前記第1方向における他方端部の下に重なるように、シングリング方式を用いて配置された複数の太陽電池セルと、
前記複数の太陽電池セルを電気的に接続する配線部材と、
を備え、
前記複数の太陽電池セルの各々は、半導体基板と、前記半導体基板に積層された第1導電型半導体層および第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層それぞれに対応した第1電極層および第2電極層とを備えており、
前記第1電極層の少なくとも一部は、前記半導体基板の一方主面において前記第1方向における前記一方端部に配置されており、
前記第2電極層の少なくとも一部は、前記半導体基板の前記一方主面において前記第1方向における前記他方端部に配置されており、
前記半導体基板の前記一方端部には、切り欠き部または開孔が形成されており、
前記第1電極層の少なくとも一部と、前記切り欠き部または前記開孔とは、前記第1方向と交差する第2方向に延びる直線上に配置されており、
前記配線部材は、
前記一方の太陽電池セルの前記一方端部に沿って、前記第1方向と交差する前記第2方向に延びる直線上に配置され、
前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の第1電極層の少なくとも一部に接続されるとともに、
前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔を介して、前記他方の太陽電池セルの前記他方端部の第2電極層の少なくとも一部に接続される、
太陽電池デバイス。
One end of one of the adjacent solar cells in the first direction overlaps with the other end of the other of the adjacent solar cells in the first direction. , multiple solar cells arranged using the shingling method,
a wiring member that electrically connects the plurality of solar cells;
Equipped with
Each of the plurality of solar cells includes a semiconductor substrate, a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer stacked on the semiconductor substrate, and the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. It includes a first electrode layer and a second electrode layer corresponding to each layer,
At least a portion of the first electrode layer is disposed at the one end in the first direction on one main surface of the semiconductor substrate,
At least a portion of the second electrode layer is disposed at the other end in the first direction on the one main surface of the semiconductor substrate,
A notch or an opening is formed in the one end of the semiconductor substrate,
At least a portion of the first electrode layer and the cutout or the opening are arranged on a straight line extending in a second direction intersecting the first direction,
The wiring member is
arranged along the one end of the one solar cell on a straight line extending in the second direction intersecting the first direction,
connected to at least a portion of the first electrode layer at the one end of the one solar cell;
connected to at least a portion of the second electrode layer at the other end of the other solar cell through the notch or opening at the one end of the one solar cell;
solar cell device.
前記半導体基板の前記一方端部は、前記直線に沿って凹凸形状をなしており、
凸部には、前記第1電極層の少なくとも一部が形成されており、
凹部は、前記切り欠き部を形成する、
請求項1に記載の太陽電池デバイス
The one end portion of the semiconductor substrate has an uneven shape along the straight line,
At least a portion of the first electrode layer is formed in the convex portion,
a recess forming the notch;
The solar cell device according to claim 1.
前記凹凸形状は、正弦波形状であり、
前記正弦波形状における正弦波の接線の傾きが最大になる点において、前記直線に対する接線の傾きの角度が、前記直線に対する前記半導体基板の劈開方向の角度よりも小さい、
請求項2に記載の太陽電池デバイス
The uneven shape is a sine wave shape,
At a point where the slope of the tangent to the sine wave in the sine wave shape is maximum, the angle of the slope of the tangent to the straight line is smaller than the angle of the cleavage direction of the semiconductor substrate with respect to the straight line.
The solar cell device according to claim 2.
前記半導体基板の前記一方端部は、前記直線に沿って交互に並ぶ複数の前記凸部および複数の前記凹部を含む、請求項2または3に記載の太陽電池デバイス The solar cell device according to claim 2 or 3, wherein the one end portion of the semiconductor substrate includes a plurality of the convex portions and a plurality of the concave portions arranged alternately along the straight line. 前記半導体基板の前記一方端部は、前記直線に沿って複数の前記開孔を含む、請求項1に記載の太陽電池デバイス The solar cell device according to claim 1, wherein the one end portion of the semiconductor substrate includes a plurality of the openings along the straight line. 前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔において、前記他方の太陽電池セルの前記他方端部の第2電極層の少なくとも一部上に設けられた導電性のかさ上げ部材を更に備える、請求項1~5のいずれか1項に記載の太陽電池デバイス。 A conductive raised portion provided on at least a portion of the second electrode layer at the other end of the other solar cell at the cutout or opening at the one end of the one solar cell. The solar cell device according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a member. 前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔において、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の端面と前記配線部材との間に配置された絶縁部材を更に備える、請求項1~5のいずれか1項に記載の太陽電池デバイス。 further comprising an insulating member disposed between the end surface of the one end of the one solar cell and the wiring member in the notch or opening of the one end of the one solar cell; The solar cell device according to any one of claims 1 to 5 . 隣り合う太陽電池セルのうちの一方の太陽電池セルの第1方向における一方端部が、前記隣り合う太陽電池セルのうちの他方の太陽電池セルの前記第1方向における他方端部の下に重なるように、シングリング方式を用いて配置された複数の太陽電池セルと、
前記複数の太陽電池セルを電気的に接続する接着部材と、
を備え、
前記複数の太陽電池セルの各々は、半導体基板と、前記半導体基板に積層された第1導電型半導体層および第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層それぞれに対応した第1電極層および第2電極層とを備えており、
前記第1電極層の少なくとも一部は、前記半導体基板の一方主面において前記第1方向における前記一方端部に配置されており、
前記第2電極層の少なくとも一部は、前記半導体基板の前記一方主面において前記第1方向における前記他方端部に配置されており、
前記半導体基板の前記一方端部には、切り欠き部または開孔が形成されており、
前記第1電極層の少なくとも一部と、前記切り欠き部または前記開孔とは、前記第1方向と交差する第2方向に延びる直線上に配置されており、
前記接着部材は、
ペースト状の接着部材からなり、
前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔において、前記他方の太陽電池セルの前記他方端部の第2電極層の少なくとも一部に配置されて接続されるとともに、
前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の第1電極層の少なくとも一部に盛り上がって接続される、
太陽電池デバイス。
One end of one of the adjacent solar cells in the first direction overlaps with the other end of the other of the adjacent solar cells in the first direction. , multiple solar cells arranged using the shingling method,
an adhesive member that electrically connects the plurality of solar cells;
Equipped with
Each of the plurality of solar cells includes a semiconductor substrate, a first conductivity type semiconductor layer and a second conductivity type semiconductor layer stacked on the semiconductor substrate, and the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer. It includes a first electrode layer and a second electrode layer corresponding to each layer,
At least a portion of the first electrode layer is disposed at the one end in the first direction on one main surface of the semiconductor substrate,
At least a portion of the second electrode layer is disposed at the other end in the first direction on the one main surface of the semiconductor substrate,
A notch or an opening is formed in the one end of the semiconductor substrate,
At least a portion of the first electrode layer and the notch or the opening are arranged on a straight line extending in a second direction intersecting the first direction,
The adhesive member is
Consists of paste-like adhesive material,
Disposed and connected to at least a portion of the second electrode layer at the other end of the other solar cell in the notch or opening at the one end of the one solar cell;
raised and connected to at least a portion of the first electrode layer at the one end of the one solar cell;
solar cell device.
前記半導体基板の前記一方端部は、前記直線に沿って凹凸形状をなしており、The one end portion of the semiconductor substrate has an uneven shape along the straight line,
凸部には、前記第1電極層の少なくとも一部が形成されており、At least a portion of the first electrode layer is formed in the convex portion,
凹部は、前記切り欠き部を形成する、a recess forming the notch;
請求項8に記載の太陽電池デバイス。The solar cell device according to claim 8.
前記凹凸形状は、正弦波形状であり、The uneven shape is a sine wave shape,
前記正弦波形状における正弦波の接線の傾きが最大になる点において、前記直線に対する接線の傾きの角度が、前記直線に対する前記半導体基板の劈開方向の角度よりも小さい、At a point where the slope of the tangent to the sine wave in the sine wave shape is maximum, the angle of the slope of the tangent to the straight line is smaller than the angle of the cleavage direction of the semiconductor substrate with respect to the straight line.
請求項9に記載の太陽電池デバイス。The solar cell device according to claim 9.
前記半導体基板の前記一方端部は、前記直線に沿って交互に並ぶ複数の前記凸部および複数の前記凹部を含む、請求項9または10に記載の太陽電池デバイス。The solar cell device according to claim 9 or 10, wherein the one end portion of the semiconductor substrate includes a plurality of the convex portions and a plurality of the concave portions arranged alternately along the straight line. 前記半導体基板の前記一方端部は、前記直線に沿って複数の前記開孔を含む、請求項8に記載の太陽電池デバイス。The solar cell device according to claim 8, wherein the one end portion of the semiconductor substrate includes a plurality of the openings along the straight line. 前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の切り欠き部または開孔において、前記一方の太陽電池セルの前記一方端部の端面に、前記第1電極層が形成されている。請求項8~12のいずれか1項に記載の太陽電池デバイス。 The first electrode layer is formed on the end surface of the one end of the one solar cell in the notch or opening of the one end of the one solar cell. The solar cell device according to any one of claims 8 to 12 . 請求項1~13のいずれか1項に記載の1または複数の太陽電池デバイスを備える、太陽電池モジュール。 A solar cell module comprising one or more solar cell devices according to any one of claims 1 to 13 .
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