JP7435751B2 - 多層基板 - Google Patents

Description

本発明は、パッチアンテナを備える多層基板に関する。

従来のパッチアンテナを備える多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のパッチアンテナが知られている。特許文献１に記載のパッチアンテナは、略矩形状の放射電極を備えている。放射電極は、スリット状の切り欠き部を備えている。特許文献１に記載のパッチアンテナによれば、以下に説明するように、パッチアンテナの小型化と共振周波数の低周波化との両立が図られている。

パッチアンテナの共振周波数は、放射電極の外縁の長さに依存している。そのため、パッチアンテナの小型化のために、放射電極が小さくなると、放射電極の外縁が短くなる。その結果、パッチアンテナの共振周波数が高くなる。このように、パッチアンテナの小型化と共振周波数の低周波化とはトレードオフの関係にある。

そこで、特許文献１に記載のパッチアンテナでは、放射電極は、スリット状の切り欠き部を備えている。これにより、放射電極の外縁が長くなる。その結果、パッチアンテナの共振周波数の低周波化が図られる。

特開２００８－２３６３６２号公報

ところで、パッチアンテナを備える多層基板において、パッチアンテナの共振周波数をより低周波化したいという要望がある。

そこで、本発明の目的は、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる多層基板を提供することである。

本発明の一形態に係る多層基板は、
素体と、放射導体層と、第１容量形成部と、を備える多層基板であって、
前記素体は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有し、
上方向及び下方向の一方を第１方向と定義し、上方向及び下方向の他方を第２方向と定義し、
前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層の前記第１方向に配置されており、
前記放射導体層は、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
前記第１容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に通過する第１層間接続導体を含んでおり、
前記第１層間接続導体は、前記放射導体層に電気的に接続されており、
グランド導体は、前記放射導体層の前記第２方向に配置されており、
前記放射導体層、前記グランド導体及び前記第１容量形成部は、パッチアンテナとして機能し、
前記第１層間接続導体の前記第２方向の端から前記グランド導体までの上下方向における距離は、前記放射導体層から前記グランド導体までの上下方向における距離より短く、
前記多層基板は、（Ａ）又は（Ｂ）の構造を備える。

（Ａ）
前記多層基板は、
上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記第２絶縁体層の上面又は下面に設けられている前記グランド導体であって、前記放射導体層と電気的に接続されていない前記グランド導体を、
更に備える。

（Ｂ）
前記グランド導体は、上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記多層基板の外に設けられている。

本発明の一形態に係る多層基板は、
素体と、放射導体層と、第１容量形成部と、を備える多層基板であって、
前記素体は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有し、
上方向及び下方向の一方を第１方向と定義し、上方向及び下方向の他方を第２方向と定義し、
前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層の前記第１方向に配置されており、
前記放射導体層は、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
前記第１容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に通過する第１層間接続導体を含んでおり、
前記第１層間接続導体は、前記放射導体層の前記第２方向に配置されるグランド導体に電気的に接続されており、
前記放射導体層、前記グランド導体及び前記第１容量形成部は、パッチアンテナとして機能し、
前記第１層間接続導体の前記第１方向の端から前記グランド導体までの上下方向における距離は、前記放射導体層から前記グランド導体までの上下方向における距離より短く、
前記多層基板は、（Ａ）又は（Ｂ）の構造を備える。

（Ａ）
前記多層基板は、
上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記第２絶縁体層の上面又は下面に設けられている前記グランド導体であって、前記放射導体層と電気的に接続されていない前記グランド導体を、
更に備える。

（Ｂ）
前記グランド導体は、上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記多層基板の外に設けられている。

本発明に係る多層基板によれば、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。

図１は、多層基板１０の分解図である。 図２は、多層基板１０の断面図である。 図３は、多層基板１０の断面図である。 図４は、多層基板１０の使用例を示した図である。 図５は、第１の変形例に係る多層基板１０ａの容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａ，３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａの上面図である。 図６は、第２の変形例に係る多層基板１０ｂの断面図である。 図７は、第３の変形例に係る多層基板１０ｃの断面図である。 図８は、第４の変形例に係る多層基板１０ｄの断面図である。 図９は、第５の変形例に係る多層基板１０ｅの断面図及び上面図である。 図１０は、第６の変形例に係る多層基板１０ｆの断面図である。 図１１は、第７の変形例に係る多層基板１０ｇの断面図及び上面図である。 図１２は、第８の変形例に係る多層基板１０ｈの断面図である。 図１３は、第９の変形例に係る多層基板１０ｉの上面図である。 図１４は、第１０の変形例に係る多層基板１０ｊの断面図及び上面図である。

（実施形態）
［多層基板の構成］
以下に、本発明の実施形態に係る多層基板１０について図面を参照しながら説明する。図１は、多層基板１０の分解図である。図１では、多層基板１０の絶縁体層１２ａ～１２ｄの上面図を示した。図２は、多層基板１０の断面図である。図２では、図１のＡ－Ａにおける断面を示した。図３は、多層基板１０の断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂにおける断面を示した。図４は、多層基板１０の使用例を示した図である。

また、本明細書において、方向を以下のように定義する。多層基板１０の素体１１の積層方向を上下方向と定義する。本実施形態では、上方向は、第１方向である。下方向は、第２方向である。また、上下方向、左右方向及び前後方向は、互いに直交している。なお、本明細書における方向の定義は、一例である。従って、多層基板１０の実使用時における方向と本明細書における方向とが一致している必要はない。

本明細書において、前後方向に延びる軸や部材は、必ずしも前後方向と平行である軸や部材だけを示すものではない。前後方向に延びる軸や部材とは、前後方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。同様に、上下方向に延びる軸や部材とは、上下方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。左右方向に延びる軸や部材とは、左右方向に対して±４５°の範囲で傾斜している軸や部材のことである。

以下では、第１部材、第２部材及び第３部材とは、多層基板１０が含む部材や部品等である。本明細書において、第１部材が第２部材に支持されているとは、第１部材が第２部材に対して移動不可能に第２部材に取り付けられている（すなわち、固定されている）場合、及び、第１部材が第２部材に対して移動可能に第２部材に取り付けられている場合を含む。また、第１部材が第２部材に支持されているとは、第１部材が第２部材に直接に取り付けられている場合、及び、第１部材が第３部材を介して第２部材に取り付けられている場合の両方を含む。

本明細書において、前後方向に並ぶ第１部材及び第２部材とは、以下の状態を示す。前後方向に垂直な方向に第１部材及び第２部材を見たときに、第１部材及び第２部材の両方が前後方向を示す任意の直線上に配置されている状態である。本明細書において、上下方向に見たときに前後方向に並ぶ第１部材及び第２部材とは、以下の状態を示す。上下方向に第１部材及び第２部材を見たときに、第１部材及び第２部材の両方が前後方向を示す任意の直線上に配置されている。この場合、上下方向とは異なる左右方向から第１部材及び第２部材を見ると、第１部材及び第２部材のいずれか一方が前後方向を示す任意の直線上に配置されていなくてもよい。なお、第１部材と第２部材とが接触していてもよい。第１部材と第２部材とが離れていてもよい。第１部材と第２部材との間に第３部材が存在していてもよい。この定義は、前後方向以外の方向にも適用される。

本明細書において、第１部材が第２部材の前に配置されるとは、以下の状態を指す。第１部材の一部は、第２部材が前方向に平行移動するときに通過する領域内に配置されている。よって、第１部材は、第２部材が前方向に平行移動するときに通過する領域内に収まっていてもよいし、第２部材が前方向に平行移動するときに通過する領域から突出していてもよい。この場合、第１部材及び第２部材は、前後方向に並んでいる。この定義は、前後方向以外の方向にも適用される。

本明細書において、左右方向に見たときに、第１部材が第２部材の前に配置されるとは、以下の状態を指す。左右方向に見たときに、第１部材と第２部材が前後方向に並んでおり、かつ、左右方向に見たときに、第１部材の第２部材と対向する部分が、第２部材の前に配置される。この定義において、第１部材と第２部材は、３次元では、前後方向に並んでいなくてもよい。この定義は、左右方向以外の方向に見たときにも適用される。また、前後方向以外の方向での配置にも適用される。

本明細書において、第１部材が第２部材より前に配置されるとは、以下の状態を指す。第１部材は、第２部材の前端を通り前後方向に直交する平面の前に配置される。この場合、第１部材及び第２部材は、前後方向に並んでいてもよく、並んでいなくてもよい。この定義は、前後方向以外の方向にも適用される。

本明細書において、特に断りのない場合には、第１部材の各部について以下のように定義する。第１部材の前部とは、第１部材の前半分を意味する。第１部材の後部とは、第１部材の後半分を意味する。第１部材の左部とは、第１部材の左半分を意味する。第１部材の右部とは、第１部材の右半分を意味する。第１部材の上部とは、第１部材の上半分を意味する。第１部材の下部とは、第１部材の下半分を意味する。第１部材の前端とは、第１部材の前方向の端を意味する。第１部材の後端とは、第１部材の後方向の端を意味する。第１部材の左端とは、第１部材の左方向の端を意味する。第１部材の右端とは、第１部材の右方向の端を意味する。第１部材の上端とは、第１部材の上方向の端を意味する。第１部材の下端とは、第１部材の下方向の端を意味する。第１部材の前端部とは、第１部材の前端及びその近傍を意味する。第１部材の後端部とは、第１部材の後端及びその近傍を意味する。第１部材の左端部とは、第１部材の左端及びその近傍を意味する。第１部材の右端部とは、第１部材の右端及びその近傍を意味する。第１部材の上端部とは、第１部材の上端及びその近傍を意味する。第１部材の下端部とは、第１部材の下端及びその近傍を意味する。

本明細書において、第１部材と第２部材とが電気的に接続されているとは、以下の２通りの意味を含む。第１の意味は、第１部材と第２部材とが物理的に接触することによって、第１部材と第２部材とに直流電流が流れることができることである。第２の意味は、第１部材と第３部材とが物理的に接触し、かつ、第３部材と第２部材とが物理的に接触することによって、第１部材と第２部材とに直流電流が流れることができることである。第２の意味では、第１部材と第２部材とは物理的に接触していてもよいし、接触していなくてもよい。第２の意味では、第３部材は、単一の部材であってもよいし、複数の部材を含んでいてもよい。

多層基板１０は、例えば、携帯電話等の電子機器に用いられる。多層基板１０は、図１に示すように、素体１１、放射導体層２０ａ～２０ｃ、第１容量形成部２１ａ～２１ｃ（図２参照 ただし、第１容量形成部２１ｂ，２１ｃは図示せず）、グランド導体２２、層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａ，ｖ１０ｂ～ｖ１２ｂ，ｖ１０ｃ～ｖ１２ｃ、信号導体層４０ａ～４０ｃ，４２ａ～４２ｃ及び外部電極５０ａ～５０ｃを備えている。

第１容量形成部２１ｂ、層間接続導体ｖ１０ｂ～ｖ１２ｂ、信号導体層４０ｂ，４２ｂ及び外部電極５０ｂは、第１容量形成部２１ａ、層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａ、信号導体層４０ａ，４２ａ及び外部電極５０ａと同じ構造である。第１容量形成部２１ｃ、層間接続導体ｖ１０ｃ～ｖ１２ｃ、信号導体層４０ｃ，４２ｃ及び外部電極５０ｃは、第１容量形成部２１ａ、層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａ、信号導体層４０ａ，４２ａ及び外部電極５０ａと同じ構造である。そこで、以下では、第１容量形成部２１ａ、層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａ、信号導体層４０ａ，４２ａ及び外部電極５０ａについて説明する。第１容量形成部２１ｂ、層間接続導体ｖ１０ｂ～ｖ１２ｂ、信号導体層４０ｂ，４２ｂ及び外部電極５０ｂの説明を省略する。第１容量形成部２１ｃ、層間接続導体ｖ１０ｃ～ｖ１２ｃ、信号導体層４０ｃ，４２ｃ及び外部電極５０ｃの説明を省略する。

素体１１は、上下方向に直交する２つの主面を有する板形状を有する。従って、素体１１の上下方向の厚みは、素体１１の前後方向の長さ及び素体１１の左右方向の長さに比べて十分に小さい。例えば、厚みが１００μｍであり、長さが２０ｍｍである。２つの主面は、上面及び下面である。素体１１は、可撓性を有している。そのため、素体１１は、折り曲げられることが可能である。素体１１は、複数の絶縁体層１２ａ～１２ｄが上下方向に積層された構造を有している。従って、複数の絶縁体層１２ａ～１２ｄは、絶縁体層１２ａ（第１絶縁体層）及び絶縁体層１２ｄ（第２絶縁体層）を含んでいる。絶縁体層１２ａ～１２ｄは、上から下へこの順に並んでいる。従って、絶縁体層１２ａは、絶縁体層１２ｄの上に配置されている。

絶縁体層１２ａ～１２ｄは、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により作製された誘電体シートである。絶縁体層１２ａ～１２ｄは、上下方向に直交する２つの主面を有する。２つの主面は、上面及び下面である。絶縁体層１２ａ～１２ｄの接合方法は、溶着であってもよいし、接着剤が用いられた接着であってもよい。

放射導体層２０ａ、第１容量形成部２１ａ及びグランド導体２２は、パッチアンテナとして機能する。放射導体層２０ａは、絶縁体層１２ａの上面又は下面に設けられている。本実施形態では、放射導体層２０ａは、絶縁体層１２ａの上面に設けられている。放射導体層２０ａは、上下方向に見たときに、矩形状を有している。故に、放射導体層２０ａは、前辺、後辺、左辺及び右辺を有している。ただし、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの外縁から放射導体層２０ａの内側に向かって延びる複数（本実施形態では４つ）のスリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａが、放射導体層２０ａに設けられている。スリットＳＬ１ａは、放射導体層２０ａの前辺の中央から後方向に延びている。スリットＳＬ２ａは、放射導体層２０ａの後辺の中央から前方向に延びている。スリットＳＬ３ａは、放射導体層２０ａの左辺の中央から右方向に延びている。スリットＳＬ４ａは、放射導体層２０ａの右辺の中央から左方向に延びている。

ここで、スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａの定義について説明する。スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａは、放射導体層２０ａの外縁の形状が不連続に変化することにより形成される領域である。スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａは、導体層が存在しない細長い領域である。スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａは、導体層が存在しない細長い領域の周囲の三方が導体層に囲まれることにより形成されている。スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａの長さは、例えば、スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａの幅の２倍以上である。また、放射導体層２０ａの前辺、後辺、左辺及び右辺はそれぞれ、スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａを含まない。なお、スリットの長さは、導体層が存在しない細長い領域の長辺に相当する長さである。スリットの幅は、導体層が存在しない細長い領域の短辺に相当する長さである。

放射導体層２０ａの前辺及びスリットＳＬ１ａの長さの合計は、パッチアンテナの共振周波数の高周波信号の波長の１／２程度である。放射導体層２０ａの後辺及びスリットＳＬ２ａの長さの合計は、パッチアンテナの共振周波数の高周波信号の波長の１／２程度である。放射導体層２０ａの左辺及びスリットＳＬ３ａの長さの合計は、パッチアンテナの共振周波数の高周波信号の波長の１／２程度である。放射導体層２０ａの右辺及びスリットＳＬ４ａの長さの合計は、パッチアンテナの共振周波数の高周波信号の波長の１／２程度である。このように、放射導体層２０ａの形状により、パッチアンテナの共振周波数が決定される。以上のような放射導体層２０ａは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

グランド導体２２は、上下方向（積層方向）に見たときに放射導体層２０ａと重なるように、絶縁体層１２ｄの上面又は下面に設けられている。本実施形態では、グランド導体２２は、絶縁体層１２ｄの下面に設けられている。従って、グランド導体２２は、放射導体層２０ａの下に配置されている。また、グランド導体２２は、絶縁体層１２ｄの下面の略全面を覆っている。グランド導体２２は、放射導体層２０ａと電気的に接続されていない。グランド導体２２には、グランド電位が接続される。本実施形態では、グランド導体２２は、放射導体層２０ａと同様に導体層である。以上のようなグランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

第１容量形成部２１ａは、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａ及び容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａ，３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａを含んでいる。図１では、第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａはそれぞれ、複数個存在している。ただし、図１では、代表的な第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａにのみ参照符号を付した。

容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａは、絶縁体層１２ｂの上面に設けられている。容量導体層２４ａは、上下方向に見たときに、前後方向に延びる直線の前端と左右方向に延びる直線の右端とが接続された形状を有している。容量導体層２４ａは、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの前辺の右部近傍と放射導体層２０ａの右辺の前部近傍と重なっている。容量導体層２６ａは、上下方向に見たときに、前後方向に延びる直線の前端と左右方向に延びる直線の左端とが接続された形状を有している。容量導体層２６ａは、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの前辺の左部近傍と放射導体層２０ａの左辺の前部近傍と重なっている。容量導体層２８ａは、上下方向に見たときに、前後方向に延びる直線の後端と左右方向に延びる直線の右端とが接続された形状を有している。容量導体層２８ａは、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの後辺の右部近傍と放射導体層２０ａの右辺の後部近傍と重なっている。容量導体層３０ａは、上下方向に見たときに、前後方向に延びる直線の後端と左右方向に延びる直線の左端とが接続された形状を有している。容量導体層３０ａは、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの後辺の左部近傍と放射導体層２０ａの左辺の後部近傍と重なっている。

容量導体層３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａは、絶縁体層１２ｃの上面に設けられている。容量導体層３２ａ，３４ａ，３８ａはそれぞれ、容量導体層２４ａ，２６ａ，３０ａと同じ形状を有する。また、容量導体層３２ａ，３４ａ，３８ａはそれぞれ、上下方向に見たときに、容量導体層２４ａ，２６ａ，３０ａと一致した状態で重なっている。容量導体層３６ａは、容量導体層２８ａの一部が欠損した形状を有している。ただし、容量導体層３６ａは、容量導体層２８ａと略同じ形状を有する。また、容量導体層３６ａは、上下方向に見たときに、容量導体層２８ａと略一致した状態で重なっている。以上のような容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａ，３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、複数の絶縁体層１２ａ～１２ｄの内の１以上の絶縁体層１２ａ，１２ｂを上下方向に通過している。本実施形態では、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁体層１２ａ～１２ｄに形成された貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが加熱により固まることにより形成される。導電性ペーストは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料を含んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ４ａは、絶縁体層１２ａを上下方向に貫通している。複数の第１層間接続導体ｖ５ａ～ｖ８ａは、絶縁体層１２ｂを上下方向に貫通している。

複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、放射導体層２０ａ、又は、放射導体層２０ａの下に配置されるグランド導体２２に電気的に接続されている。本実施形態では、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。そして、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、グランド導体２２に電気的に接続されていない。より詳細には、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、放射導体層２０ａの外縁部に電気的に接続されている。放射導体層２０ａの外縁部とは、放射導体層２０ａの外縁を起点としてパッチアンテナの共振周波数の高周波信号の波長の１／８だけ離れた位置までの間に位置する領域である。複数の第１層間接続導体ｖ１ａの上端は、放射導体層２０ａの前辺の右部近傍及び放射導体層２０ａの右辺の前部近傍において放射導体層２０ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ１ａの下端は、容量導体層２４ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ１ａは、放射導体層２０ａの前辺及び放射導体層２０ａの右辺に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ２ａの上端は、放射導体層２０ａの前辺の左部近傍及び放射導体層２０ａの左辺の前部近傍において放射導体層２０ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ２ａの下端は、容量導体層２６ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ２ａは、放射導体層２０ａの前辺及び放射導体層２０ａの左辺に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ３ａの上端は、放射導体層２０ａの後辺の右部近傍及び放射導体層２０ａの右辺の後部近傍において放射導体層２０ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ３ａの下端は、容量導体層２８ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ３ａは、放射導体層２０ａの後辺及び放射導体層２０ａの右辺に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ４ａの上端は、放射導体層２０ａの後辺の左部近傍及び放射導体層２０ａの左辺の後部近傍において放射導体層２０ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ４ａの下端は、容量導体層３０ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ４ａは、放射導体層２０ａの後辺及び放射導体層２０ａの左辺に沿って等間隔に並んでいる。

複数の第１層間接続導体ｖ５ａの上端は、容量導体層２４ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ５ａの下端は、容量導体層３２ａに接続されている。これにより、複数の第１層間接続導体ｖ５ａは、容量導体層２４ａ及び第１層間接続導体ｖ１ａを介して、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ５ａは、放射導体層２０ａの前辺及び放射導体層２０ａの右辺に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ６ａの上端は、容量導体層２６ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ６ａの下端は、容量導体層３４ａに接続されている。これにより、複数の第１層間接続導体ｖ６ａは、容量導体層２６ａ及び第１層間接続導体ｖ２ａを介して、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ６ａは、放射導体層２０ａの前辺及び放射導体層２０ａの左辺に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ７ａの上端は、容量導体層２８ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ７ａの下端は、容量導体層３６ａに接続されている。これにより、複数の第１層間接続導体ｖ７ａは、容量導体層２８ａ及び第１層間接続導体ｖ３ａを介して、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ７ａは、放射導体層２０ａの後辺及び放射導体層２０ａの右辺に沿って等間隔に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ８ａの上端は、容量導体層３０ａに接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ８ａの下端は、容量導体層３８ａに接続されている。これにより、複数の第１層間接続導体ｖ８ａは、容量導体層３０ａ及び第１層間接続導体ｖ４ａを介して、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。複数の第１層間接続導体ｖ８ａは、放射導体層２０ａの後辺及び放射導体層２０ａの左辺に沿って等間隔に並んでいる。

ただし、複数の第１層間接続導体ｖ１ａの数は、図１に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ５ａの数の半分程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ１ａは、第１層間接続導体ｖ５ａと重なる。複数の第１層間接続導体ｖ２ａの数は、図１及び図３に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ６ａの数の半分程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ２ａは、第１層間接続導体ｖ６ａと重なる。複数の第１層間接続導体ｖ３ａの数は、図１に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ７ａの数の半分程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ３ａは、第１層間接続導体ｖ７ａと重なる。複数の第１層間接続導体ｖ４ａの数は、図１に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ８ａの数の半分程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ４ａは、第１層間接続導体ｖ８ａと重なる。

複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａが放射導体層２０ａに電気的に接続されている場合には、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａの下端からグランド導体２２までの上下方向における距離Ｌ１は、図２に示すように、放射導体層２０ａからグランド導体２２までの上下方向における距離Ｌ２より短い。

容量導体層３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａとグランド導体２２との間に容量が発生する。この容量は、放射導体層２０ａとグランド導体２２との間に発生する容量に付加される。このように、第１容量形成部２１ａは、放射導体層２０ａとグランド導体２２との間に発生する容量に更なる容量を付加する役割を果たす。

信号導体層４２ａは、絶縁体層１２ｃの上面に設けられている。信号導体層４２ａは、上下方向に見たときに、左右方向に延びる直線形状を有している。信号導体層４２ａの左端部は、放射導体層２０ａの左部かつ下部と重なっている。信号導体層４２ａの右端部は、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの右に位置している。従って、信号導体層４２ａの右端部は、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａと重なっていない。以上のような信号導体層４２ａは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

信号導体層４０ａは、絶縁体層１２ｂの上面に設けられている。従って、信号導体層４２ａから放射導体層２０ａまでの上下方向における距離Ｌ３は、信号導体層４０ａから放射導体層２０ａまでの上下方向における距離Ｌ４より長い。これにより、信号導体層４０ａが放射導体層２０ａと容量結合することが抑制されている。信号導体層４０ａは、上下方向に見たときに、線形状を有している。信号導体層４０ａの第１端部は、上下方向に見たときに、信号導体層４２ａの右端部と重なっている。以上のような信号導体層４０ａは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａは、複数の絶縁体層１２ａ，１２ｂを上下方向に通過している。本実施形態では、層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａは、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁体層１２ａ，１２ｂに形成された貫通孔に導電性ペーストが充填され、導電性ペーストが焼成されることにより形成される。導電性ペーストは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料を含んでいる。

層間接続導体ｖ１０ａは、絶縁体層１２ａを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１０ａの上端は、放射導体層２０ａに接続されている。層間接続導体ｖ１１ａは、絶縁体層１２ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１１ａの上端は、層間接続導体ｖ１０ａの下端に接続されている。層間接続導体ｖ１１ａの下端は、信号導体層４２ａの左端部に接続されている。

層間接続導体ｖ１２ａは、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａと重ならない。これにより、層間接続導体ｖ１２ａが放射導体層２０ａと容量結合することが抑制されている。層間接続導体ｖ１２ａは、絶縁体層１２ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ１２ａの上端は、信号導体層４０ａの一方の端部に接続されている。層間接続導体ｖ１２ａの下端は、信号導体層４２ａの右端部に接続されている。これにより、放射導体層２０ａは、信号導体層４０ａ，４２ａと電気的に接続されている。すなわち、信号導体層４０ａは、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。ただし、層間接続導体ｖ１２ａは、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａと重なっていてもよい。

外部電極５０ａは、絶縁体層１２ｄの下面に設けられている。外部電極５０ａは、矩形状を有する導体層である。外部電極５０ａは、信号導体層４０ａの第２端部と電気的に接続されている。外部電極５０ａには、後述するコネクタ６０が実装される。従って、外部電極５０ａは、例えば、絶縁体層１２ｄの下面に設けられた銅箔上にＮｉめっき及びＳｎめっきが施された構造を有する。

多層基板１０は、パッチアンテナとして機能する放射導体層、グランド導体及び第１容量形成部を複数組備えている。具体的には、多層基板１０は、パッチアンテナとして機能する放射導体層２０ａ、第１容量形成部２１ａ及びグランド導体２２、パッチアンテナとして機能する放射導体層２０ｂ、第１容量形成部２１ｂ及びグランド導体２２、並びに、パッチアンテナとして機能する放射導体層２０ｃ、第１容量形成部２１ｃ及びグランド導体２２を備えている。この場合、信号導体層４０ａの長さと信号導体層４０ｂの長さと信号導体層４０ｃの長さとが実質的に等しい。そのため、信号導体層４０ａ～４０ｃは、直線形状を有していない。信号導体層４０ａ～４０ｃは、迂回した構造を有する。これにより、複数のパッチアンテナにおいて電気的特性に差が生じることを抑制している。このとき、信号導体層４０ａと信号導体層４０ｂとが容量結合することを抑制するために、信号導体層４０ａと信号導体層４０ｂとが離れるように迂回している。信号導体層４０ｂと信号導体層４０ｃとが容量結合することを抑制するために、信号導体層４０ｂと信号導体層４０ｃとが離れるように迂回している。信号導体層４０ｃと信号導体層４０ａとが容量結合することを抑制するために、信号導体層４０ｃと信号導体層４０ａとが離れるように迂回している。また、信号導体層４０ａ～４０ｃが並走する区間において、信号導体層４０ａと信号導体層４０ｂとの間、信号導体層４０ｂと信号導体層４０ｃとの間、及び、信号導体層４０ｃと信号導体層４０ａとの間には、グランド導体層が設けられている。

多層基板１０は、図４に示すように、コネクタ６０を更に備えている。コネクタ６０は、外部電極５０ａ～５０ｃに実装される。コネクタ６０は、多層基板１０と回路基板７０とを電気的に接続する。より詳細には、回路基板７０は、基板本体７１及びコネクタ７２を備えている。コネクタ７２は、基板本体７１の下面に実装されている。コネクタ６０は、コネクタ７２に接続される。この際、多層基板１０は、回路基板７０の上に配置されている。そこで、素体１１が折り曲げられることにより、コネクタ６０が回路基板７０の下面に位置している。

以上のような多層基板１０では、送信用高周波信号は、コネクタ６０を介して多層基板１０に入力される。送信用高周波信号は、信号導体層４０ａ，４２ａ及び層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａを介して、放射導体層２０ａに印加される。これにより、放射導体層２０ａにおいて共振が発生し、電磁波として送信用高周波信号が放射導体層２０ａから放射される。また、放射導体層２０ａが受信用高周波信号を受信した場合には、放射導体層２０ａにおいて共振が発生する。受信用高周波信号は、信号導体層４０ａ，４２ａ及び層間接続導体ｖ１０ａ～ｖ１２ａを介して、コネクタ６０から多層基板１０外（すなわち、回路基板７０）に出力される。

［効果］
多層基板１０によれば、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。より詳細には、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａが放射導体層２０ａに電気的に接続されている場合には、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａの下端からグランド導体２２までの上下方向における距離Ｌ１は、放射導体層２０ａからグランド導体２２までの上下方向における距離Ｌ２より短い。これにより、容量導体層３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａとグランド導体２２との間に容量が発生する。この容量は、放射導体層２０ａとグランド導体２２との間に発生する容量に付加される。放射導体層２０ａとグランド導体２２との間に発生する容量が大きくなると、パッチアンテナの共振周波数が低くなる。

多層基板１０によれば、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のパッチアンテナでは、放射電極は、スリット状の切り欠き部を備えている。これにより、パッチアンテナの共振周波数の低周波化が図られている。しかしながら、放射電極が切り欠き部を備えていると、放射電極の外縁が長くなる。その結果、放射電極の抵抗値が大きくなり、パッチアンテナにおけるロスが大きくなる。一方、多層基板１０では、第１容量形成部２１ａにより、パッチアンテナの共振周波数の低周波化が図られている。第１容量形成部２１ａは、放射導体層２０ａの抵抗値を大きくすることはない。従って、多層基板１０によれば、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。

多層基板１０によれば、以下の理由によっても、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。より詳細には、放射導体層２０ａにおいて共振が発生すると、表皮効果により、放射導体層２０ａの外縁部に電流が集中する。そこで、多層基板１０では、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、放射導体層２０ａの外縁部に電気的に接続されている。これにより、放射導体層２０ａの外縁部に容量が付加されるようになる。その結果、パッチアンテナの共振周波数の低周波化が効果的に図られる。

多層基板１０によれば、以下の理由によっても、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。より詳細には、上下方向に見たときに、放射導体層２０ａの外縁から放射導体層２０ａの内側に向かって延びるスリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａが、放射導体層２０ａに設けられている。これにより、放射導体層２０ａの外縁の長さが長くなる。放射導体層２０ａで共振する高周波信号の波長が長くなる。その結果、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図５は、第１の変形例に係る多層基板１０ａの容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａ，３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａの上面図である。

多層基板１０ａは、容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａ，３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａの形状において多層基板１０と相違する。より詳細には、多層基板１０ａでは、スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａの周囲にも容量導体層が設けられている。これにより、容量導体層２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａが一つにつながっている。なお、多層基板１０ａのその他の構成は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ａによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ａによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る多層基板１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図６は、第２の変形例に係る多層基板１０ｂの断面図である。図６では、図１のＢ－Ｂに相当する位置における断面図を示した。

多層基板１０ｂは、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ４ａの間隔において多層基板１０と相違する。多層基板１０ｂにおける複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ４ａの間隔は、多層基板１０における複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ４ａの間隔より大きい。これにより、隣り合う２つの第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ４ａ間で容量結合が発生することが抑制される。

また、複数の第１層間接続導体ｖ１ａの数は、複数の第１層間接続導体ｖ５ａの数の１／３程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ１ａは、第１層間接続導体ｖ５ａとは重ならない。複数の第１層間接続導体ｖ２ａの数は、図６に示すように、複数の第１層間接続導体ｖ６ａの数の１／３程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ２ａは、第１層間接続導体ｖ６ａとは重ならない。複数の第１層間接続導体ｖ３ａの数は、複数の第１層間接続導体ｖ７ａの数の１／３程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ３ａは、第１層間接続導体ｖ７ａとは重ならない。複数の第１層間接続導体ｖ４ａの数は、複数の第１層間接続導体ｖ８ａの数の１／３程度である。また、上下方向に見たときに、第１層間接続導体ｖ４ａは、第１層間接続導体ｖ８ａとは重ならない。これにより、素体１１の破損が抑制される。

多層基板１０ｂによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｂによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。

（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る多層基板１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、第３の変形例に係る多層基板１０ｃの断面図である。図７では、図１のＢ－Ｂに相当する位置における断面図を示した。

多層基板１０ｃは、第２容量形成部１２１ａを更に備えている点において、多層基板１０と相違する。以下に、かかる相違点についてより詳細に説明する。

第１容量形成部２１ａは、複数の第１層間接続導体ｖ２ａ、複数の第１層間接続導体ｖ６ａ、容量導体層２６ａ及び複数の容量導体層３４ａを含んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ２ａの数は、複数の第１層間接続導体ｖ６ａの数の２倍である。従って、複数の第１層間接続導体ｖ６ａは、複数の第１層間接続導体ｖ２ａの内の半分の複数の第１層間接続導体ｖ２ａに接続されている。これにより、第１層間接続導体ｖ６ａが下に存在しない第１層間接続導体ｖ２ａと、第１層間接続導体ｖ６ａが下に存在する第１層間接続導体ｖ２ａとが交互に並んでいる。複数の第１層間接続導体ｖ６ａの下端はそれぞれ、容量導体層３４ａに接続されている。これにより、複数の第１層間接続導体ｖ２ａ、複数の第１層間接続導体ｖ６ａ、容量導体層２６ａ及び複数の容量導体層３４ａは、放射導体層２０ａに電気的に接続されている。

第２容量形成部１２１ａは、複数の第２層間接続導体ｖ１０２ａ及び複数の容量導体層１２６ａを含んでいる。複数の容量導体層１２６ａは、絶縁体層１２ｃの上面に設けられている。複数の容量導体層１２６ａ及び複数の容量導体層３４ａは、交互に並んでいる。

複数の第２層間接続導体ｖ１０２ａは、複数の絶縁体層１２ａ～１２ｄの内の１以上の絶縁体層１２ｄを上下方向に横切る。本変形例では、第２層間接続導体ｖ１０２ａは、ビアホール導体である。従って、第２層間接続導体ｖ１０２ａは、絶縁体層１２ｄを上下方向に貫通している。第２層間接続導体ｖ１０２ａの上端は、容量導体層１２６ａに接続されている。第２層間接続導体ｖ１０２ａの下端は、グランド導体２２に接続されている。これにより、複数の第２層間接続導体ｖ１０２ａは、グランド導体２２に電気的に接続されている。そして、上下方向に直交する方向に見たときに、複数の第１層間接続導体ｖ６ａと複数の第２層間接続導体ｖ１０２ａとは、交互に並んでいる。

多層基板１０ｃによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｃによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。

多層基板１０ｃによれば、以下の理由により、パッチアンテナの共振周波数にばらつきが発生することを抑制できる。より詳細には、多層基板１０ｃでは、第１層間接続導体ｖ２ａと第２層間接続導体ｖ１０２ａとが上下方向に並ぶ部分と、第１層間接続導体ｖ２ａと第１層間接続導体ｖ６ａとが上下方向に並ぶ部分とが交互に並んでいる。そのため、第１層間接続導体ｖ２ａと第２層間接続導体ｖ１０２ａとが上下方向に並ぶ部分では、高周波信号が印加される容量導体層２６ａとグランド電位が接続される容量導体層１２６ａとが上下方向に対向する。第１層間接続導体ｖ２ａと第１層間接続導体ｖ６ａとが上下方向に並ぶ部分では、高周波信号が印加される容量導体層３４ａとグランド電位に接続されるグランド導体２２とが上下方向に対向する。容量導体層２６ａから容量導体層１２６ａまでの上下方向の距離は、容量導体層３４ａからグランド導体２２までの上下方向の距離と略等しい。そのため、高周波信号が印加される導体層とグランド電位が接続される導体層との距離にばらつきが生じにくい。その結果、パッチアンテナの共振周波数にばらつきが発生することが抑制される。

多層基板１０ｃによれば、容量導体層３４ａと容量導体層１２６ａとが前後方向に隣り合う。そのため、容量導体層３４ａと容量導体層１２６ａとの間に容量が発生する。その結果、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る多層基板１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図８は、第４の変形例に係る多層基板１０ｄの断面図である。図８では、図１のＡ－Ａに相当する位置における断面図を示した。

多層基板１０ｄは、グランド導体２２を備えていない点において、多層基板１０と相違する。より詳細には、グランド導体２２は、上下方向（積層方向）に見たときに放射導体層２０ａと重なるように、多層基板１０ｄの外に設けられている。本変形例におけるグランド導体２２は、例えば、多層基板１０ｄが用いられる電子機器の筐体である。電子機器の筐体は、導電性を有する金属により作成されている。また、電子機器の筐体は、グランド電位に接続されている。素体１１の下面は、電子機器の筐体であるグランド導体２２の上面に固定されている。素体１１のグランド導体２２への固定方法は、接着剤による固定であってもよいし、固定用の金具による固定であってもよい。

多層基板１０ｄによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｄによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。

なお、グランド導体２２は、電子機器の筐体に限らない。グランド導体２２は、例えば、図４の回路基板７０が備えているグランド導体層であってもよい。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る多層基板１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図９は、第５の変形例に係る多層基板１０ｅの断面図及び上面図である。図９では、図９のＣ－Ｃに相当する位置における断面図を示した。

多層基板１０ｅは、枠状導体層１００、第１容量形成部２２１、第３容量形成部２３１及び第４容量形成部２４１，２５１を備えている点において、多層基板１０と相違する。以下に、この相違点を中心に多層基板１０ｅについて説明する。

多層基板１０ｅは、枠状導体層１００を、更に備えている。枠状導体層１００は、放射導体層２０と共に、絶縁体層１２ａ（第１絶縁体層）の上面又は下面に設けられている。本実施形態では、放射導体層２０及び枠状導体層１００は、絶縁体層１２ａの上面に設けられている。枠状導体層１００は、上下方向に見たときに、放射導体層２０を囲む枠形状を有している。本実施形態では、枠状導体層１００は、長方形状の枠形状を有している。枠状導体層１００の前長辺及び後短辺は、左右方向に延びている。枠状導体層１００の左短辺及び右短辺は、前後方向に延びている。

また、放射導体層２０は、上下方向に見たときに、第１長辺Ｌ１、第２長辺Ｌ２、第１短辺Ｌ３及び第２短辺Ｌ４を有する長方形状を有している。第１長辺Ｌ１及び第２長辺Ｌ２は、左右方向に延びている。第１長辺Ｌ１は、第２長辺Ｌ２の前に位置している。第１短辺Ｌ３及び第２短辺Ｌ４は、前後方向に延びている。第１短辺Ｌ３は、第２短辺Ｌ４の左に位置している。放射導体層２０が長方形状であるので、放射導体層２０の長辺の長さに依存する周波数及び放射導体層２０の短辺の長さに依存する周波数を送受信できるパッチアンテナが構成される。

枠状導体層１００は、グランド導体２２に電気的に接続されている。より詳細には、多層基板１０ｅは、第１容量形成部２２１及び第３容量形成部２３１を備えている。第１容量形成部２２１は、第１層間接続導体ｖ２１～ｖ２５及び容量導体層１３０，１３２，１３４を含んでいる。第１層間接続導体ｖ２１～ｖ２５は、電気的に直列に接続されている。第１層間接続導体ｖ２１～ｖ２５はそれぞれ、絶縁体層１２ａ～１２ｅを上下方向に貫通している。第１層間接続導体ｖ２１の上端は、枠状導体層１００の左短辺に接続されている。第１層間接続導体ｖ２５の下端は、グランド導体２２に接続されている。これにより、第１層間接続導体ｖ２１～ｖ２５は、グランド導体２２及び枠状導体層１００に電気的に接続されている。ただし、第１層間接続導体ｖ２１～ｖ２５は、上下方向に見たときに、放射導体層２０と重なっていない。

容量導体層１３０は、第１層間接続導体ｖ２１の下端と第１層間接続導体ｖ２２の上端とに接続されている。容量導体層１３２は、第１層間接続導体ｖ２２の下端と第１層間接続導体ｖ２３の上端とに接続されている。容量導体層１３４は、第１層間接続導体ｖ２３の下端と第１層間接続導体ｖ２４の上端とに接続されている。

第３容量形成部２３１は、複数の絶縁体層１２ａ～１２ｅの内の１以上の絶縁体層を上下方向に横切る複数の第３層間接続導体ｖ３１～ｖ３５と、第３層間接続導体ｖ３１～ｖ３５に電気的に接続され、かつ、グランド導体２２より上、かつ、放射導体層２０より下に設けられている容量導体層１４０，１４２，１４４（第３容量導体層）と、を含んでいる。第３層間接続導体ｖ３１～ｖ３５は、グランド導体２２及び枠状導体層１００に電気的に接続されている。なお、第３層間接続導体ｖ３１～ｖ３５及び容量導体層１４０，１４２，１４４はそれぞれ、第１層間接続導体ｖ２１～ｖ２５及び容量導体層１３０，１３２，１３４と左右対称な構造を有している。従って、第３層間接続導体ｖ３１～ｖ３５及び容量導体層１４０，１４２，１４４の詳細な説明を省略する。

第４容量形成部２４１は、第４層間接続導体ｖ４１，ｖ４２及び容量導体層１５０，１５２を含んでいる。第４層間接続導体ｖ４１，ｖ４２は、複数の絶縁体層１２ａ～１２ｅの内の１以上の絶縁体層を上下方向に横切っている。第４層間接続導体ｖ４１，ｖ４２は、電気的に直列に接続されている。第４層間接続導体ｖ４１，ｖ４２はそれぞれ、絶縁体層１２ａ，１２ｂを上下方向に貫通している。第４層間接続導体ｖ４１の上端は、放射導体層２０に接続されている。第４層間接続導体ｖ４１，ｖ４２は、放射導体層２０に電気的に接続されている。また、第４層間接続導体ｖ４２の下端からグランド導体２２までの上下方向における距離は、放射導体層２０からグランド導体２２までの上下方向における距離より短い。

容量導体層１５０は、第４層間接続導体ｖ４１の下端と第４層間接続導体ｖ４２の上端とに接続されている。容量導体層１５２は、第４層間接続導体ｖ４２の下端に接続されている。

第４容量形成部２５１は、第４層間接続導体ｖ５１，ｖ５２及び容量導体層１６０，１６２を含んでいる。ただし、第４層間接続導体ｖ５１，ｖ５２及び容量導体層１６０，１６２は、第４層間接続導体ｖ４１，ｖ４２及び容量導体層１５０，１５２と左右対称な構造を有しているので、説明を省略する。また、多層基板１０ｅのその他の構造は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ｅによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｅによれば、多層基板１０と同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。

また、多層基板１０ｅによれば、パッチアンテナの指向性を向上させることができる。より詳細には、枠状導体層１００は、上下方向に見たときに、放射導体層２０を囲む枠形状を有している。更に、枠状導体層１００は、グランド導体２２に電気的に接続されている。これにより、放射導体層２０の周囲は、上下方向に見たときに、シールドされた状態となる。そのため、放射導体層２０は、電磁界を上方向に放射すると共に、上からの電磁界を受信する。その結果、多層基板１０ｅによれば、パッチアンテナの指向性が向上する。

また、多層基板１０ｅによれば、多層基板１０ｅが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。より詳細には、枠状導体層１００は、上下方向に見たときに、放射導体層２０を囲む枠形状を有している。更に、枠状導体層１００は、グランド導体２２に電気的に接続されている。これにより、放射導体層２０の周囲は、上下方向に見たときに、シールドされた状態となる。その結果、複数のパッチアンテナ同士が結合することが抑制される。よって、多層基板１０ｅによれば、多層基板１０ｅが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る多層基板１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１０は、第６の変形例に係る多層基板１０ｆの断面図及び上面図である。

多層基板１０ｆは、第３容量形成部２３１及び第４容量形成部２４１，２５１がグランド導体２２に電気的に接続されている点において、多層基板１０ｅと相違する。多層基板１０ｆのその他の構造は、多層基板１０ｅと同じであるので説明を省略する。

多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナの指向性を向上させることができる。多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、多層基板１０ｆが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。

（第７の変形例）
以下に、第７の変形例に係る多層基板１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１１は、第７の変形例に係る多層基板１０ｇの断面図及び上面図である。図１１では、図１１のＣ－Ｃに相当する位置における断面図を示した。

多層基板１０ｇは、容量導体層１３２，１４２の形状において、多層基板１０ｅと相違する。以下に、この相違点を中心に多層基板１０ｇについて説明する。

第１容量形成部２２１は、第１層間接続導体ｖ２２，ｖ２３に電気的に接続され、かつ、グランド導体２２より上、かつ、放射導体層２０より下に設けられている容量導体層１３２（第１容量導体層）を、含んでいる。容量導体層１３２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０と重なっている。本実施形態では、容量導体層１３２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。

第３容量形成部２３１は、第３層間接続導体ｖ３２，ｖ３３に電気的に接続され、かつ、グランド導体２２より上、かつ、放射導体層２０より下に設けられている容量導体層１４２（第３容量導体層）を、含んでいる。容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０と重なっている。本実施形態では、容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。

多層基板１０ｇによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｇによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。多層基板１０ｇによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナの指向性を向上させることができる。多層基板１０ｇによれば、多層基板１０と同じ理由により、多層基板１０ｇが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。

多層基板１０ｇによれば、以下の理由によっても、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。より詳細には、容量導体層１３２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。これにより、放射導体層２０とグランド導体２２との間に形成される容量が大きくなる。その結果、多層基板１０ｇによれば、パッチアンテナの共振周波数の低周波化が図られる。

多層基板１０ｇによれば、パッチアンテナの放射効率の劣化が抑制される。より詳細には、容量導体層１３２及び容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０と重なっている。このような容量導体層１３２及び容量導体層１４２は、パッチアンテナの放射効率を劣化させる原因となりうる。ところで、放射導体層２０では、第１短辺Ｌ３と第２短辺Ｌ４との間が略半波長の整数倍の長さとなる定常波が発生する。この場合、第１短辺Ｌ３及び第２短辺Ｌ４付近の電流値は、放射導体層２０の中央の電流値よりも小さくなる。そのため、第１短辺Ｌ３及び第２短辺Ｌ４付近の容量値が変動しても、パッチアンテナの放射特性が変動しにくい。そこで、多層基板１０ｇでは、容量導体層１３２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。これにより、多層基板１０ｇによれば、パッチアンテナの放射効率の劣化が抑制される。

多層基板１０ｇでは、容量導体層１３２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。これにより、容量導体層１３２は、容量導体層１４２と左右対称な構造を有するようになる。容量導体層１３２，１４２が設けられた多層基板１０ｇは、容量導体層１３２のみが設けられた多層基板に比べて、放射導体層２０において電流値の大きな部分と容量導体層１３２，１４２とが対向しなくてよい。そのため、パッチアンテナの放射効率の劣化が抑制される。更に、パッチアンテナの放射特性が左右対称となる。

（第８の変形例）
以下に、第８の変形例に係る多層基板１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１２は、第８の変形例に係る多層基板１０ｈの断面図である。

多層基板１０ｈは、容量導体層１３４，１４４の形状において、多層基板１０ｇと相違する。以下に、この相違点を中心に多層基板１０ｈについて説明する。

第１容量形成部２２１は、第１層間接続導体ｖ２３，ｖ２４に電気的に接続され、かつ、グランド導体２２より上、かつ、容量導体層１３２より下に設けられている容量導体層１３４（第２容量導体層）を、含んでいる。容量導体層１３４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０と重なっている。本実施形態では、容量導体層１３４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。容量導体層１３４，１４４のそれぞれは、上下方向に見たときに、容量導体層１３２，１４２と重なっている。

第３容量形成部２３１は、第３層間接続導体ｖ３３，ｖ３４に電気的に接続され、かつ、グランド導体２２より上、かつ、容量導体層１４２より下に設けられている容量導体層１４４（第４容量導体層）を、含んでいる。容量導体層１４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０と重なっている。本実施形態では、容量導体層１４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。

多層基板１０ｈによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｈによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。多層基板１０ｈによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの指向性を向上させることができる。多層基板１０ｈによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、多層基板１０ｈが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。多層基板１０ｈによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの放射効率の劣化が抑制される。多層基板１０ｈによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの放射特性が左右対称となる。

多層基板１０ｈによれば、容量導体層１３２，１４２が放射導体層２０と対向する面積を大きくすることなく容量導体層１３４，１４４と放射導体層２０との間の容量を使って放射導体層２０とグランドとの間の容量を増加させることができる。これにより、放射導体層２０の電流値の大きな部分で容量導体層１３２，１３４，１４２，１４４を対向させなくてよくなる。よって、パッチアンテナの放射効率の劣化を抑制できる。

以下の理由によっても、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。より詳細には、容量導体層１４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。容量導体層１４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。これにより、放射導体層２０とグランド導体２２との間に形成される容量が更に大きくなる。その結果、多層基板１０ｈによれば、パッチアンテナの共振周波数の低周波化が図られる。

（第９の変形例）
以下に、第９の変形例に係る多層基板１０ｉについて図面を参照しながら説明する。図１３は、第９の変形例に係る多層基板１０ｉの上面図である。

多層基板１０ｉは、容量導体層２３４，２４４を更に備えている点において、多層基板１０ｇと相違する。以下に、この相違点を中心に多層基板１０ｉについて説明する。

容量導体層２３４，２４４は、容量導体層１３２及び容量導体層１４２と同じように、グランド導体２２及び枠状導体層１００に電気的に接続されている。容量導体層２３４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１長辺Ｌ１と重なっている。容量導体層２４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２長辺Ｌ２と重なっている。

多層基板１０ｉによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｉによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。多層基板１０ｉによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの指向性を向上させることができる。多層基板１０ｉによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、多層基板１０ｉが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。多層基板１０ｉによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの放射効率を劣化が抑制される。多層基板１０ｉによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの放射特性が左右対称となる。

多層基板１０ｉによれば、パッチアンテナが２種類の共振周波数を有する場合に、２種類の共振周波数の低周波化を図ることができる。より詳細には、放射導体層２０では、第１短辺Ｌ３と第２短辺Ｌ４との間が略半波長の整数倍の長さとなる定常波が発生すると共に、第１長辺Ｌ１と第２長辺Ｌ２との間が略半波長の整数倍の長さとなる定常波が発生する。従って、パッチアンテナは、２つの共振周波数を有する場合がある。そこで、容量導体層１３２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３と重なっている。容量導体層１４２は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４と重なっている。これにより、第１短辺Ｌ３と第２短辺Ｌ４との間に発生する定常波の共振周波数が低下する。また、容量導体層２３４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１長辺Ｌ１と重なっている。容量導体層２４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２長辺Ｌ２と重なっている。これにより、第１長辺Ｌ１と第２長辺Ｌ２との間に発生する定常波の共振周波数が低下する。

（第１０の変形例）
以下に、第１０の変形例に係る多層基板１０ｊについて図面を参照しながら説明する。図１４は、第１０の変形例に係る多層基板１０ｊの断面図及び上面図である。図１４では、図１４のＤ－Ｄ、Ｅ－Ｅ及びＦ－Ｆに相当する位置における断面図を示した。

多層基板１０ｊは、Ｄ－Ｄ及びＦ－Ｆの断面において多層基板１０ｇと同じ構造を有していると共に、Ｅ－Ｅの断面において多層基板１０ｅと同じ構造を有している。

多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナの共振周波数の低周波化を図ることができる。多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナにおけるロスの増大を抑制できる。多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、パッチアンテナの指向性を向上させることができる。多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｅと同じ理由により、多層基板１０ｊが複数のパッチアンテナを備える場合に、複数のパッチアンテナ間のアイソレーションが高くなる。多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの放射効率の劣化が抑制される。多層基板１０ｊによれば、多層基板１０ｇと同じ理由により、パッチアンテナの放射特性が左右対称となる。

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、前記実施形態に係る多層基板１０，１０ａ～１０ｊに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｊの各構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｊにおいて、放射導体層２０ａ～２０ｃ，２０を覆う絶縁体層（レジスト膜）が絶縁体層１２ａの上面に更に設けられていてもよい。同様に、多層基板１０，１０ａ～１０ｊにおいて、グランド導体２２を覆う絶縁体層（レジスト膜）が絶縁体層１２ｄ，１２ｅの下面に更に設けられていてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｊは、複数のパッチアンテナを備える必要はない。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｄにおいて、第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、グランド導体２２に電気的に接続されていてもよい。そして、複数の第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、放射導体層２０ａに電気的に接続されていない。第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａがグランド導体２２に電気的に接続されている場合には、第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａの上端から放射導体層２０ａまでの上下方向における距離は、放射導体層２０ａからグランド導体２２までの上下方向における距離より短い。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｄにおいて、第１層間接続導体ｖ１ａ～ｖ８ａは、放射導体層２０ａの外縁部以外に電気的に接続されてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｊにおいて、放射導体層２０ａには、スリットＳＬ１ａ～ＳＬ４ａが設けられていなくてもよい。

なお、多層基板１０，１０ａ～１０ｊにおいて、素体１１は、可撓性を有していなくてもよい。また、素体１１は、折り曲げられていてもよいし、折り曲げられていなくてもよい。

なお、多層基板１０ｃにおいて、上下方向に見て、第１層間接続導体ｖ２ａは、第１層間接続導体ｖ６ａと重なっている。しかしながら、上下方向に見て、第１層間接続導体ｖ２ａは、第１層間接続導体ｖ６ａと重なっていなくてもよい。

なお、多層基板１０ｇ～１０ｉにおいて、容量導体層１３２，１３４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１短辺Ｌ３以外の部分と重なっていてもよい。容量導体層１４２及び容量導体層１４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２短辺Ｌ４以外の部分と重なっていてもよい。容量導体層２３４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１長辺Ｌ１以外の部分と重なっていてもよい。容量導体層２４４は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第２長辺Ｌ２以外の部分と重なっていてもよい。

なお、多層基板１０ｇ～１０ｉにおいて、放射導体層２０は、上下方向に見たときに、長方形状を有していなくてもよい。放射導体層２０は、五角形以上の多角形を有していてもよい。放射導体層２０が六角形を有している場合には、パッチアンテナは、三種類の共振周波数を有することができる。この場合、放射導体層２０の６個の辺のそれぞれに容量導体層が重なっていてもよい。

なお、多層基板１０ｉにおいて、容量導体層１３２、容量導体層１４２及び容量導体層２３２，２３４は、一つにつながっていてもよい。この場合、容量導体層１３２、容量導体層１４２及び容量導体層２３２，２３４を含む導体層は、枠形状を有する。そして、容量導体層１３２、容量導体層１４２及び容量導体層２３２，２３４を含む導体層は、上下方向に見たときに、放射導体層２０の第１長辺Ｌ１の全体、第２長辺Ｌ２の全体、第１短辺Ｌ３の全体及び第２短辺Ｌ４の全体と重なる。

なお、多層基板１０ｇにおいて、容量導体層１３２は、第１短辺Ｌ３の両端とは重なっていない。これにより、容量導体層１３２が放射導体層２０に対して前後方向にずれたとしても、容量導体層１３２と放射導体層２０との間に発生する容量が変化しない。同じ理由により、容量導体層１４２が放射導体層２０に対して前後方向にずれたとしても、容量導体層１４２と放射導体層２０との間に発生する容量が変化しない。ただし、容量導体層１３２は、第１短辺Ｌ３の両端とは重なっていてもよい。この場合、容量導体層１３２の前後方向の両端は、第１短辺Ｌ３の両端と一致していてもよいし、一致していなくてもよい。同様に、容量導体層１４２は、第２短辺Ｌ４の両端とは重なっていてもよい。この場合、容量導体層１４２の前後方向の両端は、第２短辺Ｌ４の両端と一致していてもよいし、一致していなくてもよい。

なお、下方向は、第１方向であり、上方向は、第２方向であってもよい。すなわち、上方向又は下方向の一方が第１方向であり、上方向又は下方向の他方が第２方向であればよい。

１０，１０ａ～１０ｊ：多層基板
１１：素体
１２ａ～１２ｅ：絶縁体層
２０，２０ａ～２０ｃ：放射導体層
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ：第１容量形成部
２２：グランド導体
２４ａ，２６ａ，２８ａ，３０ａ，３２ａ，３４ａ，３６ａ，３８ａ：容量導体層
４０ａ～４０ｃ，４２ａ～４２ｃ：信号導体層
５０ａ～５０ｃ：外部電極
６０，７２：コネクタ
７０：回路基板
７１：基板本体
１００：枠状導体層
１２１ａ：第２容量形成部
１２６ａ，１３０，１３２，１３４，１４０，１４２，１４４，１５０，１５２，１６０，１６２，２３２，２３４，２４４：容量導体層
２２１：第１容量形成部
２３１：第３容量形成部
２４１，２５１：第４容量形成部
Ｌ１：第１長辺
Ｌ２：第２長辺
Ｌ３：第１短辺
Ｌ４：第２短辺
ＳＬ１ａ～ＳＬ４ａ：スリット
ｖ１０ａ，ｖ１０ｂ，ｖ１０ｃ，ｖ１１ａ，ｖ１２ａ：層間接続導体
ｖ１ａ～ｖ８ａ，ｖ２１～ｖ２５：第１層間接続導体
ｖ１０２ａ：第２層間接続導体
ｖ３１～ｖ３５：第３層間接続導体
ｖ４１，ｖ４２，ｖ５１，ｖ５２：第４層間接続導体

Claims (13)

1. 素体と、放射導体層と、第１容量形成部と、枠状導体層と、を備える多層基板であって、
   前記素体は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有し、
   上方向及び下方向の一方を第１方向と定義し、上方向及び下方向の他方を第２方向と定義し、
   前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層の前記第１方向に配置されており、
   前記放射導体層は、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
   前記第１容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に通過する第１層間接続導体を含んでおり、
   前記第１層間接続導体は、前記放射導体層に電気的に接続されており、
   前記第１容量形成部は、前記放射導体層に接触しており、かつ、上下方向に見て、前記放射導体層と重なっており、
   グランド導体は、前記放射導体層の前記第２方向に配置されており、
   前記放射導体層、前記グランド導体及び前記第１容量形成部は、パッチアンテナであり、
   前記第１層間接続導体の前記第２方向の端から前記グランド導体までの上下方向における距離は、前記放射導体層から前記グランド導体までの上下方向における距離より短く、
   前記枠状導体層は、前記放射導体層と共に、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
   前記枠状導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層を囲む枠形状を有しており、
   前記枠状導体層は、前記グランド導体に電気的に接続されており、
   前記多層基板は、（Ａ）又は（Ｂ）の構造を備える、
   多層基板。
   （Ａ）
   前記多層基板は、
   上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記第２絶縁体層の上面又は下面に設けられている前記グランド導体であって、前記放射導体層と電気的に接続されていない前記グランド導体を、
   更に備える。
   （Ｂ）
   前記グランド導体は、上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記多層基板の外に設けられている。
2. 素体と、放射導体層と、第１容量形成部と、枠状導体層と、を備える多層基板であって、
   前記素体は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有し、
   上方向及び下方向の一方を第１方向と定義し、上方向及び下方向の他方を第２方向と定義し、
   前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層の前記第１方向に配置されており、
   前記放射導体層は、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
   前記第１容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に通過する第１層間接続導体を含んでおり、
   前記第１層間接続導体は、前記放射導体層の前記第２方向に配置されるグランド導体に電気的に接続されており、
   前記第１容量形成部は、前記グランド導体に接触し、かつ、上下方向に見て、前記放射導体層と重なっており、
   前記放射導体層、前記グランド導体及び前記第１容量形成部は、パッチアンテナであり、
   前記第１層間接続導体の前記第１方向の端から前記グランド導体までの上下方向における距離は、前記放射導体層から前記グランド導体までの上下方向における距離より短く、
   前記枠状導体層は、前記放射導体層と共に、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
   前記枠状導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層を囲む枠形状を有しており、
   前記枠状導体層は、前記グランド導体に電気的に接続されており、
   前記多層基板は、（Ａ）又は（Ｂ）の構造を備える、
   多層基板。
   （Ａ）
   前記多層基板は、
   上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記第２絶縁体層の上面又は下面に設けられている前記グランド導体であって、前記放射導体層と電気的に接続されていない前記グランド導体を、
   更に備える。
   （Ｂ）
   前記グランド導体は、上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記多層基板の外に設けられている。
3. 前記第１層間接続導体は、前記放射導体層の外縁部に電気的に接続されている、
   請求項１又は請求項２に記載の多層基板。
4. 上下方向に見たときに、前記放射導体層の外縁から前記放射導体層の内側に向かって延びるスリットが、前記放射導体層に設けられている、
   請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
5. 前記素体は、可撓性を有し、かつ、折り曲げられている、
   請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記多層基板は、パッチアンテナである前記放射導体層、前記グランド導体及び前記第１容量形成部を複数組備えている、
   請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の多層基板。
7. 前記多層基板は、複数の前記放射導体層のそれぞれに電気的に接続されている複数の信号線路を更に備えており、
   前記複数の信号線路の長さは、実質的に等しい、
   請求項６に記載の多層基板。
8. 前記多層基板は、第２容量形成部を備えており、
   前記第１容量形成部は、複数の前記第１層間接続導体を含んでおり、
   複数の前記第１層間接続導体は、前記放射導体層に電気的に接続されており、
   前記第２容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に横切る複数の第２層間接続導体を含んでおり、
   複数の前記第２層間接続導体は、前記グランド導体に電気的に接続されており、
   上下方向に直行する方向に見たときに、複数の前記第１層間接続導体と複数の前記第２層間接続導体とは、交互に並んでいる、
   請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の多層基板。
9. 素体と、放射導体層と、第１容量形成部と、枠状導体層と、を備える多層基板であって、
   前記素体は、第１絶縁体層及び第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層が上下方向に積層された構造を有し、
   上方向及び下方向の一方を第１方向と定義し、上方向及び下方向の他方を第２方向と定義し、
   前記第１絶縁体層は、前記第２絶縁体層の前記第１方向に配置されており、
   前記放射導体層は、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
   前記第１容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に通過する第１層間接続導体を含んでおり、
   前記第１層間接続導体は、前記放射導体層に電気的に接続されており、
   グランド導体は、前記放射導体層の前記第２方向に配置されており、
   前記放射導体層、前記グランド導体及び前記第１容量形成部は、パッチアンテナであり、
   前記第１層間接続導体の前記第２方向の端から前記グランド導体までの上下方向における距離は、前記放射導体層から前記グランド導体までの上下方向における距離より短く、
   前記枠状導体層は、前記放射導体層と共に、前記第１絶縁体層の上面又は下面に設けられており、
   前記枠状導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層を囲む枠形状を有しており、
   前記枠状導体層は、前記グランド導体に電気的に接続されており、
   前記第１層間接続導体は、前記グランド導体及び前記枠状導体層に電気的に接触しており、
   前記第１層間接続導体は、上下方向に見たときに、前記放射導体層と重なっておらず、
   前記第１容量形成部は、前記第１層間接続導体に接触し、かつ、前記グランド導体より前記第１方向、かつ、前記放射導体層より前記第２方向に設けられている第１容量導体層を、更に含んでおり、
   前記第１容量導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層と重なっており、
   前記多層基板は、（Ａ）の構造を備える、
   多層基板。
   （Ａ）
   前記多層基板は、
   上下方向に見たときに前記放射導体層と重なるように、前記第２絶縁体層の上面又は下面に設けられている前記グランド導体であって、前記放射導体層と電気的に接続されていない前記グランド導体を、
   更に備える。
10. 前記放射導体層は、上下方向に見たときに、第１長辺、第２長辺、第１短辺及び第２短辺を有する長方形状を有しており、
    前記第１容量導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層の前記第１短辺と重なっている、
    請求項９に記載の多層基板。
11. 前記多層基板は、第３容量形成部を備えており、
    前記第３容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に横切る複数の第３層間接続導体と、前記第３層間接続導体に電気的に接続され、かつ、前記グランド導体より前記第１方向、かつ、前記放射導体層より前記第２方向に設けられている第３容量導体層と、を含んでおり、
    前記第３層間接続導体は、前記グランド導体及び前記枠状導体層に電気的に接続されており、
    前記第３容量導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層の前記第２短辺と重なっている、
    請求項１０に記載の多層基板。
12. 前記第１容量形成部は、前記第１層間接続導体に電気的に接続され、かつ、前記グランド導体より前記第１方向、かつ、前記第１容量導体層より前記第２方向に設けられている第２容量導体層を、更に含んでおり、
    前記第２容量導体層は、上下方向に見たときに、前記放射導体層と重なっている、
    請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の多層基板。
13. 前記多層基板は、第４容量形成部を備えており、
    前記第４容量形成部は、前記複数の絶縁体層の内の１以上の前記絶縁体層を上下方向に横切る第４層間接続導体を、含んでおり、
    前記第４層間接続導体は、前記放射導体層に電気的に接続されており、
    前記第４層間接続導体の前記第２方向の端から前記グランド導体までの上下方向における距離は、前記放射導体層から前記グランド導体までの上下方向における距離より短い、
    請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載の多層基板。

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